研究者総覧 - 大阪大学

今西　正幸

Imanishi Masayuki

今西　正幸

Imanishi Masayuki

工学研究科　電気電子情報通信工学専攻，准教授

keyword 酸化ガリウム，パワーデバイス，ワイドギャップ半導体，結晶成長，ポイントシード，Naフラックス法

経歴 5

2020年10月～継続中

大阪大学　大学院工学研究科電気電子情報工学専攻　准教授
2018年4月～継続中

大阪大学　大学院工学研究科アトミックデザイン研究センター　助教
2018年～ 2020年9月

大阪大学　大学院工学研究科電気電子情報通信工学専攻　助教
2016年9月～ 2018年3月

大阪大学　大学院工学研究科アトミックデザイン研究センター　助教
2016年4月～ 2016年8月

大阪大学　大学院工学研究科　特任研究員（常勤）

学歴 3

大阪大学　大学院工学研究科　電気電子情報工学専攻

2013年4月～ 2016年3月
大阪大学　大学院工学研究科　電気電子情報工学専攻

2012年4月～ 2013年3月
大阪大学　工学部　電子情報工学

～ 2012年3月

所属学会 3

日本結晶成長学会
応用物理学会結晶工学分科会
応用物理学会

研究内容・専門分野 1

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

受賞 12

EMS賞

今西正幸　第43回電子材料シンポジウム　2024年10月
第10回日本赤外線学会論文賞

Agulto Verdad Canila, 岩本敏志, 遠矢雄浩, Mag-usara Valynn Katrine, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志, 中嶋誠　一般社団法人日本赤外線学会　2024年5月
日本結晶成長学会講演奨励賞

今西正幸　日本結晶成長学会　2022年12月
第35回独創性を拓く先端技術大賞社会人部門特別賞

今西正幸, 宇佐美茂佳, 山田拓海, 村上航介, 滝野淳一, 隅智亮, 藤森拓　フジサンケイビジネスアイ　2022年6月
応用物理学会論文賞

今西正幸, 村上航介, 山田拓海, 垣之内啓介, 中村幸介, 北村智子, 奥村加奈子, 吉村政志, 森勇介　公益社団法人応用物理学会　2020年9月
第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会研究奨励賞

今西正幸　日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　2020年7月
応用物理学会講演会奨励賞

今西正幸, 奥村加奈子, 中村幸介, 垣之内啓介, 北村智子, 村上航介, 吉村政志, 森勇介　公益社団法人応用物理学会　2020年3月
船井研究奨励賞

今西正幸　公益財団法人船井情報科学振興財団　2018年4月
菅田-Cohen賞（博士）

今西正幸　大阪大学　2016年3月
第75回応用物理学会学術講演会 Poster Award

今西正幸, 村上航介, 今林弘毅, 丸山美帆子, 今出完, 吉村政志, 森勇介　公益社団法人応用物理学会　2014年10月
日本結晶成長学会ナノ構造・エピキシャル成長分科会発表奨励賞

今西正幸　日本結晶成長学会　2012年4月
第13回キャンパスベンチャーグランプリ大阪佳作

今西正幸, 原田陽司, 染野辰也, 伊賀仁志, 原田陽司　日刊工業新聞　2012年1月

論文 105

Suppression of Inclusions in GaN Crystals Caused by Giant Steps During Na-Flux Growth through the Flux-Film-Coated Technique

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori

Crystal Growth & Design　Vol. 25　No. 15　p. 6277-6286　2025年7月15日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)
High-speed and long-time growth of GaN by suppressing gas-phase reaction in the oxide vapor phase epitaxy method

Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 5　p. 055504-1-055504-5　2025年5月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation behavior in the Na-flux point seed technique

Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 5　p. 055502-1-055502-10　2025年5月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect

Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Journal of Crystal Growth　Vol. 649　p. 127948-1-127948-6　2025年1月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Effects of adding methane on the growth and electrical properties of GaN in oxide vapor phase epitaxy

S. Usami, R. Higashiyama, M. Imanishi, J. Takino, T. Sumi, Y. Okayama, M. Yoshimura, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori

Journal of Applied Physics　Vol. 136　No. 8　2024年8月28日　研究論文（学術雑誌）
Characteristics of Vertical Transistors on a GaN Substrate Fabricated via Na‐Flux Method and Enlargement of the Substrate Surpassing 6 Inches

Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Kosuke Murakami, Kanako Okumura, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Yohei Otoki, Tomio Yamashita, Naohiro Tsurumi, Satoshi Tamura, Hiroshi Ohno, Yoshio Okayama, Taku Fujimori, Seiji Nagai, Miki Moriyama, Yusuke Mori

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters　Vol. 18　No. 11　p. 2400106-1-2400106-10　2024年6月26日
出版者・発行元：Wiley
Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in GaN substrates by nanobeam x-ray diffraction

T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 135　No. 22　2024年6月11日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Calcium phosphate controls nucleation and growth of calcium oxalate crystal phases in kidney stones

Uta MICHIBATA, Mihoko MARUYAMA, Yutaro TANAKA, Masashi YOSHIMURA, Hiroshi YOSHIKAWA, Kazufumi TAKANO, Yoshihiro FURUKAWA, Koichi MOMMA, Rie TAJIRI, Kazumi TAGUCHI, Shuzo HAMAMOTO, Atsushi OKADA, Kenjiro KOHRI, Takahiro YASUI, Shigeyoshi USAMI, Masashi IMANISHI, Yusuke MORI

Biomedical Research (Tokyo)　Vol. 45　No. 3　p. 103-113　2024年6月3日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Biomedical Research Press
The impact of crystal phase transition on the hardness and structure of kidney stones

Uta Michibata, Mihoko Maruyama, Yutaro Tanaka, Masashi Yoshimura, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Yoshihiro Furukawa, Koichi Momma, Rie Tajiri, Kazumi Taguchi, Shuzo Hamamoto, Atsushi Okada, Kenjiro Kohri, Takahiro Yasui, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

Urolithiasis　Vol. 52　No. 1　2024年4月2日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC
Origin of Black Color in Heavily Doped n‐Type GaN Crystal

Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

physica status solidi (b)　Vol. 261　No. 11　p. 2400027-1-2400027-7　2024年3月16日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Wiley
Suppression of polycrystal nucleation by methane addition at moderate timing to maintain GaN crystal growth on point seeds in the Na-flux method

Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 627　p. 127522-1-127522-6　2024年2月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Preparation of a freestanding GaN substrate in the Na-flux method by laser-assisted separation

Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 12　p. 125503-1-125503-6　2023年12月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate

Toshikazu Sato, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 167　2023年11月15日　研究論文（学術雑誌）
Elastic constants of GaN grown by oxide-vapor-phase-epitaxy method

Hiroki Fukuda, Akira NAGAKUBO, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hirotsugu OGI

Applied Physics Express　Vol. 17　No. 1　2023年11月10日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Reducing GaN crystal dislocations through lateral growth on uneven seed crystal surfaces using the Na-flux method

Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Kazuma Hamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 10　p. 105503-1-105503-7　2023年10月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Monitoring of GaN crystal growth rate in the Na flux growth via electroresistometry of Ga-Na solution

Ricksen Tandryo, Koichi Itozawa, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 617　p. 127292-1-127292-8　2023年9月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Thermodynamic analysis of oxide vapor phase epitaxy of GaN

Yuki Sakurai, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

Journal of Applied Physics　Vol. 134　No. 8　2023年8月28日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
MP05-07 VALIDATING THE THEORY OF PHASE TRANSITION FROM CALCIUM OXALATE DIHYDRATE TO MONOHYDRATE IN THE STONE FORMATION: THE FIRST ARTIFICIAL IN VIVO EXPERIMENT

Mihoko Maruyama, Uta Michibata, Yutaro Tanaka, Hiroshi Yoshikawa, Kazufumi Takano, Rie Tajiri, Kazumi Taguchi, Shuzo Hamamoto, Atsushi Okada, Takahiro Yasui, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Urology　Vol. 209　No. Supplement 4　2023年4月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Ovid Technologies (Wolters Kluwer Health)
Evidence for Solution-Mediated Phase Transitions in Kidney Stones: Phase Transition Exacerbates Kidney Stone Disease

Mihoko Maruyama, Yutaro Tanaka, Koichi Momma, Yoshihiro Furukawa, Hiroshi Y. Yoshikawa, Rie Tajiri, Masanori Nakamura, Kazumi Taguchi, Shuzo Hamamoto, Ryosuke Ando, Katsuo Tsukamoto, Kazufumi Takano, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Kenjiro Kohri, Atsushi Okada, Takahiro Yasui, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Crystal Growth & Design　Vol. 23　No. 6　p. 4285-4293　2023年4月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Chemical Society ({ACS})
Quantitative analysis of calcium oxalate monohydrate and dihydrate for elucidating the formation mechanism of calcium oxalate kidney stones

Mihoko Maruyama, Koichi P. Sawada, Yutaro Tanaka, Atsushi Okada, Koichi Momma, Masanori Nakamura, Ryota Mori, Yoshihiro Furukawa, Yuki Sugiura, Rie Tajiri, Kazumi Taguchi, Shuzo Hamamoto, Ryosuke Ando, Katsuo Tsukamoto, Kazufumi Takano, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Takahiro Yasui, Yusuke Mori

PLOS ONE　Vol. 18　No. 3　p. e0282743-e0282743　2023年3月9日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Public Library of Science ({PLoS})
Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

Scientific Reports　Vol. 13　No. 1　p. 2436-1-2436-14　2023年2月10日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC
OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌　Vol. 50　No. 1　2023年
出版者・発行元：日本結晶成長学会
Effects of pulse duration on laser-induced crystallization of urea from 300 to 1200 fs: impact of cavitation bubbles on crystal nucleation

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Hiroshi Y. Yoshikawa, Yusuke Mori

Applied Physics A　Vol. 128　No. 9　p. 803-1-803-7　2022年9月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC
Metastable Crystallization by Drop Impact

Akari Nishigaki, Mihoko Maruyama, Shun-ichi Tanaka, Hiroshi Y. Yoshikawa, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Kazufumi Takano

Crystals　Vol. 12　No. 8　p. 1104-1-1104-7　2022年8月6日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：MDPI AG
Kyropoulos growth of a 300 g SrB₄O₇ single crystal using a twin-type stirring blade

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 7　p. 075503-1-075503-5　2022年7月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Determination of the electron trap level in Fe-doped GaN by phonon-assisted conduction phenomenon

Hiroki Fukuda, Akira Nagakubo, Shigeyoshi Usami, Masashi Ikeda, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Kanta Adachi, Hirotsugu Ogi

Applied Physics Express　Vol. 15　No. 7　p. 071003-1-071003-5　2022年5月30日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Promising Results of National Project by Japanese Ministry of the Environment to Develop GaN on GaN Power Devices and Prove their Usefulness in Real Systems

Yohei Otoki, Masatomo Shibata, Tomoyoshi Mishima, Hiroshi Ohta, Yusuke Mori, Masayuki Imanishi, Satoshi Tamura, Kazunori Kidera, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Keiji Watanabe, Naoya Okamoto, Yoshio Honda, Masayoshi Yamamoto, Koji Shiozaki, Hiroshi Amano

CS MANTECH Conference 2022　p. 237-242　2022年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Bulk laser-induced damage resistance of SrB₄O₇ single crystals under 266 nm DUV laser irradiation

Yutaka Maegaki, Yasunori Tanaka, Haruki Marui, Atsushi Koizumi, Kota Tanaka, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 5　p. 052005-1-052005-5　2022年5月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Influence of oxygen-related defects on the electronic structure of GaN

Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Tomoaki Sumi, Junichi Takino

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 6　p. 061004-1-061004-5　2022年5月　研究論文（学術雑誌）
Suppression of newly generated threading dislocations at the regrowth interface of a GaN crystal by growth rate control in the Na-flux method

Hyoga Yamauchi, Ricksen Tandryo, Takumi Yamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 5　p. 055505/1-055505/6　2022年5月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Effect of additional N₂O gas on the suppression of polycrystal formation and high-rate GaN crystal growth by OVPE method

Ayumu Shimizu, Akira Kitamoto, Masahiro Kamiyama, Shintaro Tsuno, Keiju Ishibashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 581　p. 126495-1-126495-5　2022年3月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
High-rate OVPE-GaN crystal growth at a very high temperature of 1300 °C

Ayumu Shimizu, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Itsuki Kawanami, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 15　No. 3　p. 035503-1-035503-5　2022年3月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Terahertz time-domain ellipsometry with high precision for the evaluation of GaN crystals with carrier densities up to 10²⁰ cm⁻³

Verdad C. Agulto, Toshiyuki Iwamoto, Hideaki Kitahara, Kazuhiro Toya, Valynn Katrine Mag-usara, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Makoto Nakajima

Scientific Reports　Vol. 11　No. 1　p. 18129-1-18129-10　2021年12月　研究論文（学術雑誌）
Terahertz time-domain spectroscopy of wide-bandgap semiconductors GaN and β-Ga₂O₃

Verdad C. Agulto, Toshiyuki Iwamoto, Kazuhiro Toya, Valynn Katrine Mag-Usara, Masayuki Imanishi, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Makoto Nakajima

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　Vol. 12057　2021年11月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Growth of Acetaminophen Polymorphic Crystals and Solution-Mediated Phase Transition from Trihydrate to Form II in Agarose Gel

Akari Nishigaki, Mihoko Maruyama, Shun-ichi Tanaka, Hiroshi Y. Yoshikawa, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Kazufumi Takano

Crystals　Vol. 11　No. 9　p. 1069-1-1069-12　2021年9月5日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：MDPI AG
Floral design GaN crystals: low-resistive and low-dislocation-density growth by oxide vapor phase epitaxy

Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Akira Kitamoto, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　No. 9　p. 095501-1-095501-11　2021年9月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation

Akira Uedono, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masayuki Imanishi, Shoji Ishibashi, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 570　p. 126219-1-126219-6　2021年9月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method

Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

2021年8月9日　研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates

T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, Y. Mori, N. Ikarashi, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 129　No. 22　p. 225701-1-225701-19　2021年6月14日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Activation free energies for formation and dissociation of N–N, C–C, and C–H bonds in a Na–Ga melt

Takahiro Kawamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa

Computational Materials Science　Vol. 194　p. 110366-110366　2021年6月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping

Mayuko Tsukakoshi, Tomoyuki Tanikawa, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama

Applied Physics Express　Vol. 14　No. 5　p. 055504-1-055504-4　2021年5月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Measurement of Optically Dense Semiconductor with 10²⁰ cm^-3 Carrier Density by Terahertz Time-Domain Ellipsometry

Verdad C. Agulto, Toshiyuki Iwamoto, Hideaki Kitahara, Kazuhiro Toya, Valynn Katrine Mag-Usara, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Makoto Nakajima

Optics InfoBase Conference Papers　2021年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of entrapped gas on the surface of a plastic ball induced by ultrasonic irradiation on the enhancement of crystallization of acetaminophen form II

Yuka Tsuri, Nana Inaoka, Mihoko Maruyama, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 557　p. 125994-1-125994-7　2020年12月　研究論文（学術雑誌）
Evaluation for GaN single crystals with high doping concentration by the terahertz ellipsometry

M. Nakajima, T. Iwamoto, H. Kitahara, K. Toya, V. K. P. Mag-usara, Y. Koike, T. Shimizu, M. Imanishi, Y. Mori, M. Yoshimura

2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)　2020年11月8日　研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：IEEE
Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces

Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth　Vol. 549　p. 125868-1-125868-7　2020年11月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Local piezoelectric properties in Na-flux GaN bulk single crystals

A. Ueda, T. Hamachi, A. Okazaki, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 128　No. 12　p. 125110-1-125110-8　2020年9月28日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
High surface laser-induced damage threshold of SrB₄O₇ single crystals under 266-nm (DUV) laser irradiation

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Tsuyoshi Sugita, Daisetsu Toh, Kazuto Yamauchi, Sora Aikawa, Haruki Marui, Yuji Umeda, Yusuke Funamoto, Tomosumi Kamimura, Melvin John F. Empizo, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Optics Express　Vol. 28　No. 20　p. 29239-29239　2020年9月28日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：The Optical Society
High-rate OVPE-GaN growth by the suppression of polycrystal formation with additional H₂O vapor in a high-temperature condition

Ayumu Shimizu, Shintaro Tsuno, Masahiro Kamiyama, Keiju Ishibashi, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 13　No. 9　p. 095504-1-095504-5　2020年9月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Anomalous dislocation annihilation behavior observed in a GaN crystal grown on point seeds by the Na-flux method

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kousuke Nakamura, Tomoko Kitamura, Keisuke Kakinouchi, Kosuke Murakami, Masashi Yoshimura, Yu Fujita, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 13　No. 8　p. 085510-085510　2020年8月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Microflow system promotes acetaminophen crystal nucleation

Akari Nishigaki, Mihoko Maruyama, Munenori Numata, Chisako Kanzaki, Shun-Ichi Tanaka, Hiroshi Y. Yoshikawa, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Kazufumi Takano

Engineering in Life Sciences　Vol. 20　No. 9-10　p. 395-401　2020年7月14日　研究論文（学術雑誌）
Extreme reduction of on-resistance in vertical GaN p–n diodes by low dislocation density and high carrier concentration GaN wafers fabricated using oxide vapor phase epitaxy method

Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Naomi Asai, Hiroshi Ohta, Tomoyoshi Mishima, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 13　No. 7　p. 071010-071010　2020年7月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Temperature dependence of nitrogen dissolution on Na flux growth

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Kanako Okumura, Takumi Yamada, Tomoko Kitamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 535　p. 125549-125549　2020年4月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Growth of GaN layers using Ga₂O vapor synthesized from Ga₂O₃ and carbon

Akira Kitamoto, Yohei Yamaguchi, Shintaro Tsuno, Keiju Ishibashi, Yoshikazu Gunji, Masayuki Imanishi, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 535　p. 125524-1-125524-4　2020年4月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Growth of GaN single crystals with high transparency by the Li-added Na-flux method

Tatsuhiko Nakajima, Masayuki Imanishi, Takumi Yamada, Kosuke Murakami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 535　p. 125478-125478　2020年4月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Fabrication of GaN crystals with low threading dislocation density and low resistivity by thin flux growth in the Na-flux point seed technique

Kiyoto Endo, Masayuki Imanishi, Hitoshi Kubo, Takumi Yamada, Kosuke Murakami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 59　No. 3　p. 035501-035501　2020年3月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Fabrication of a 1.5-inch freestanding GaN substrate by selective dissolution of sapphire using Li after the Na-flux growth

Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 533　p. 125462-125462　2020年3月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化

リクセンタンドリーヨ, 村上航介, 山田拓海, 北村智子, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 2020.1　p. 3093-3093　2020年2月28日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング

糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 2020.1　p. 3092-3092　2020年2月28日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
Intergrowth of two aspirin polymorphism observed with Raman spectroscopy

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Shino Okada, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Katsuo Tsukamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 532　p. 125430-125430　2020年2月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Influence of GaN/sapphire contact area on bowing of GaN wafer grown by the Na-flux method with a sapphire dissolution process

Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 59　No. 2　p. 025505-025505　2020年2月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Growth of large and high quality CsLiB₆O₁₀ crystals from self-flux solutions for high resistance against UV laser-induced degradation

Ryota Murai, Taishi Fukuhara, Go Ando, Yasunori Tanaka, Yoshinori Takahashi, Kazuhisa Matsumoto, Hiroaki Adachi, Mihoko Maruyama, Masayuki Imanishi, Kosaku Kato, Makoto Nakajima, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Applied Physics Express　Vol. 12　No. 7　p. 075501-075501　2019年7月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Development of a 2-inch GaN wafer by using the oxide vapor phase epitaxy method

Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masaki Nobuoka, Akira Kitamoto, Msayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SC1043-1-SC1043-6　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Evaluation of dislocations under the electrodes of GaN pn diodes by X-ray topography

Masakazu Kanechika, Satoshi Yamaguchi, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCD22-1-SCCD22-4　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Monitoring of Ga-Na melt electrical resistance and its correlation with crystal growth on the Na Flux method

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Tomoko Kitamura, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 12　No. 6　p. 065502-1-065502-5　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Recent progress of Na-flux method for GaN crystal growth

Yusuke Mori, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Masashi Yoshimura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SC0803-1-SC0803-10　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Effect of methane additive on GaN growth using the OVPE method

Akira Kitamoto, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Masahiro Kamiyama, Shintaro Tsuno, Keiju Ishibashi, Yoshikazu Gunji, Masayuki Imanishi, Yoshio Okayama, Masaki Nobuoka, Masashi Isemura, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SC1021-1-SC1021-5　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction

Kazuki Shida, Nozomi Yamamoto, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCB16-1-SCCB16-6　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Correlation between current leakage and structural properties of threading dislocations in GaN bulk single crystals grown using a Na-flux method

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCB23-1-SCCB23-6　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Low resistive and low dislocation GaN wafer produced by OVPE method

Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masaki Nobuoka, Akira Kitamoto, Msayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings　2019年5月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. 5　p. 050918-1-050918-4　2019年5月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Large-scale crystallization of acetaminophen trihydrate by a novel stirring technique

Riki Fujimoto, Mihoko Maruyama, Shino Okada, Hiroaki Adachi, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Masayuki Imanishi, Katsuo Tsukamoto, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 12　No. 4　p. 045503-045503　2019年4月1日　研究論文（学術雑誌）
Promotion of lateral growth of GaN crystals on point seeds by extraction of substrates from melt in the Na-flux method

Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Takumi Yamada, Keisuke Kakinouchi, Kosuke Nakamura, Tomoko Kitamura, Kanako Okumura, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 12　No. 4　p. 045508-1-045508-2　2019年4月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Identification of dislocation characteristics in Na-flux-grown GaN substrates using bright-field X-ray topography under multiple-diffraction conditions

Y. Tsusaka, H. Mizuochi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, J. Matsui

Journal of Applied Physics　Vol. 125　No. 12　p. 125105-1-125105-7　2019年3月28日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
非線形光学結晶 CsLiB₆O₁₀の高品質・大型化の検討

安藤豪, 高橋義典, 村井良太, 加藤康作, 中嶋誠, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志

第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集　2019年3月　研究論文（その他学術会議資料等）
Crystallization of aspirin form II by femtosecond laser irradiation

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Riki Fujimoto, Shino Okada, Hiroaki Adachi, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Satoshi Murakami, Hiroyoshi Matsumura, Tsuyoshi Inoue, Katsuo Tsukamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 12　No. 1　p. 015507-015507　2019年1月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Growth of high-quality transparent SrB₄O₇ single crystals with high degradation resistance for DUV laser application

Yasunori Tanaka, Keita Shikata, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Masayuki Imanishi, Tsuyoshi Sugita, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Applied Physics Express　Vol. 11　No. 12　p. 125501-125501　2018年12月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Growth of high-quality metastable crystal of acetaminophen using solution-mediated phase transformation at low supersaturation

Riki Fujimoto, Mihoko Maruyama, Yoichiro Mori, Shino Okada, Hiroaki Adachi, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Satoshi Murakami, Hiroyoshi Matsumura, Tsuyoshi Inoue, Masayuki Imanishi, Katsuo Tsukamoto, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 502　p. 76-82　2018年11月　研究論文（学術雑誌）
Thermal conductivity of GaN single crystals: Influence of impurities incorporated in different growth processes

Robert Rounds, Biplab Sarkar, Tomasz Sochacki, Michal Bockowski, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Ronny Kirste, Ramón Collazo, Zlatko Sitar

Journal of Applied Physics　Vol. 124　No. 10　p. 105106-1-105106-7　2018年9月14日　研究論文（学術雑誌）
Leakage current analysis for dislocations in Na-flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy

T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 123　No. 16　p. 161417-1-161417-6　2018年4月28日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Improvement of metastable crystal of acetaminophen via control of crystal growth rate

Kosuke Nii, Mihoko Maruyama, Shino Okada, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Satoshi Murakami, Hiroshi Y. Yoshikawa, Hiroyoshi Matsumura, Tsuyoshi Inoue, Masayuki Imanishi, Katsuo Tsukamoto, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 11　No. 3　p. 035501-035501　2018年3月1日　研究論文（学術雑誌）
Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation

Akira Uedono, Masayuki Imanishi, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Shoji Ishibashi, Masatomo Sumiya, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 475　p. 261-265　2017年10月　研究論文（学術雑誌）
Control of dislocation morphology and lattice distortion in Na-flux GaN crystals

S. Takeuchi, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 122　No. 10　p. 105303-1-105303-6　2017年9月14日　研究論文（学術雑誌）
Development of GaN substrate with a large diameter and small orientation deviation

Takehiro Yoshida, Masayuki Imanishi, Toshio Kitamura, Kenji Otaka, Mamoru Imade, Masatomo Shibata, Yusuke Mori

physica status solidi (b)　Vol. 254　No. 8　p. 1600671-1600671　2017年8月　研究論文（学術雑誌）
Homoepitaxial Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth on GaN Wafers Manufactured by the Na-Flux Method

Masayuki Imanishi, Takehiro Yoshida, Toshio Kitamura, Kosuke Murakami, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Masatomo Shibata, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Yusuke Mori

Crystal Growth and Design　Vol. 17　No. 7　p. 3806-3811　2017年7月5日　研究論文（学術雑誌）
Characterization of local piezoelectric property in Na flux GaN bulk single crystals

A. Ueda, S. Takeuchi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

29th International Conference on Defects in Semiconductors Proceedings　2017年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Control of dislocation propagation behaviors in Na flux GaN bulk crystals

S. Takeuchi, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2017年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Nano beam X-ray diffraction analysis of Na flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode

S. Takeuchi, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2017年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Enhancement of lateral growth of the GaN crystal with extremely low dislocation density during the Na-flux growth on a point seed

Masatoshi Hayashi, Masayuki Imanishi, Takumi Yamada, Daisuke Matsuo, Kosuke Murakami, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 468　p. 827-830　2017年6月　研究論文（学術雑誌）
Increase in the growth rate of GaN crystals by using gaseous methane in the Na flux method

Kosuke Murakami, Shogo Ogawa, Masayuki Imanishi, Mamoru Imade, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 56　No. 5　p. 055502-1-055502-4　2017年5月1日　研究論文（学術雑誌）
Effects of Al additives on growth of GaN polycrystals by the Na flux method

Hiroki Imabayashi, Kosuke Murakami, Daisuke Matsuo, Masatomo Honjo, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Optical Materials　Vol. 65　p. 42-45　2017年3月1日　研究論文（学術雑誌）
Effect of flux composition ratio on the coalescence growth of GaN crystals by the Na-flux method

Masatomo Honjo, Masayuki Imanishi, Hiroki Imabayashi, Kosuke Nakamura, Kosuke Murakami, Daisuke Matsuo, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Optical Materials　Vol. 65　p. 38-41　2017年3月1日　研究論文（学術雑誌）
Control of GaN crystal habit by solution stirring in the Na-flux method

Kosuke Murakami, Mamoru Imade, Masayuki Imanishi, Masatomo Honjo, Hiroki Imabayashi, Daisuke Matsuo, Kosuke Nakamura, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 56　No. 1S　p. 01AD05-01AD05　2017年1月1日　研究論文（学術雑誌）
Habit control during growth on GaN point seed crystals by Na-flux method

Masatomo Honjo, Masayuki Imanishi, Hiroki Imabayashi, Kosuke Nakamura, Kosuke Murakami, Daisuke Matsuo, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 56　No. 1　p. 01AD01-1-01AD01-4　2017年1月1日　研究論文（学術雑誌）
Interface and dislocation structures in Na flux GaN grown on MOCVD-GaN

S. Takeuchi, H. Asazu, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

2016年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Crack-free GaN substrates grown by the Na-flux method with a sapphire dissolution technique

Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Nakamura, Kosuke Murakami, Hiroki Imabayashi, Daisuke Matsuo, Masatomo Honjo, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 9　No. 7　p. 071002-1-071002-4　2016年7月1日　研究論文（学術雑誌）
Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method

A. Sakai, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, M.Imanishi, M. Imade, Y. Mori

2016年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Fabrication of high-quality $\{11\bar{2}2\}$ GaN substrates using the Na flux method

Mihoko Maruyama, Koshi Nakamura, Songbek Che, Kosuke Murakami, Hideo Takazawa, Masayuki Imanishi, Mamoru Imade, Yukihiro Morita, Yusuke Mori

APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 9　No. 5　p. 055501-1-055501-4　2016年5月1日　研究論文（学術雑誌）
Naフラックス法における撹拌を用いた核発生制御技術の新展開

今林弘毅, 村上航介, 松尾大輔, 本城正智, 今西正幸, 丸山美帆子, 今出完, 吉村政志, 森勇介

日本結晶成長学会誌　Vol. 43　No. 4　p. 239-243　2016年
出版者・発行元：日本結晶成長学会
Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN

S. Takeuchi, H. Asazu, M. Imanishi, Y. Nakamura, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 118　No. 24　p. 245306-1-245306-7　2015年12月28日　研究論文（学術雑誌）
Homoepitaxial growth of GaN crystals by Na-flux dipping method

Taro Sato, Koshi Nakamura, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Hiroki Imabayashi, Hideo Takazawa, Yuma Todoroki, Daisuke Matsuo, Mamoru Imade, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 54　No. 10　p. 105501-105501　2015年10月1日　研究論文（学術雑誌）
Dramatic reduction of dislocations on a GaN point seed crystal by coalescence of bunched steps during Na-flux growth

Masayuki Imanishi, Yuma Todoroki, Kosuke Murakami, Daisuke Matsuo, Hiroki Imabayashi, Hideo Takazawa, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth　Vol. 427　p. 87-93　2015年10月　研究論文（学術雑誌）
Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth

M. Imanishi, K. Murakami, K. Nakamura, H. Imabayashi, H. Takazawa, D. Matsuo, Y. Todoroki, M. Maruyama, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

2014年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Fabrication of low-curvature 2 in. GaN wafers by Na-flux coalescence growth technique

Mamoru Imade, Masayuki Imanishi, Yuma Todoroki, Hiroki Imabayashi, Daisuke Matsuo, Kosuke Murakami, Hideo Takazawa, Akira Kitamoto, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 7　No. 3　p. 035503-1-035503-4　2014年3月　研究論文（学術雑誌）
Coalescence growth of GaN crystals on point seed crystals using the Na flux method

M. Imanishi, K. Murakami, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

physica status solidi (c)　Vol. 10　No. 3　p. 400-404　2013年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Coalescence Growth of Dislocation-Free GaN Crystals by the Na-Flux Method

Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Hiroki Imabayashi, Hideo Takazawa, Yuma Todoroki, Daisuke Matsuo, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Applied Physics Express　Vol. 5　No. 9　p. 095501-095501　2012年8月23日　研究論文（学術雑誌）

MISC 30

点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響

西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　Vol. 52nd　2023年
ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察

道端詩, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 塚本勝男, 田尻理恵, 吉川洋史, 高野和文, 岡田淳志, 郡健二郎, 安井孝周, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　Vol. 52nd　2023年
Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性

鷲田将吾, TANDRYO Ricksen, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 69th　2022年
Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||

Yamauchi Hyoga, Tandryo Ricksen, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

Japanese Journal of Applied Physics (Web)　Vol. 61　No. 5　2022年
超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用

滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 岡山芳央, 森勇介

日本結晶成長学会誌　Vol. 48　No. 3　2021年11月
出版者・発行元：日本結晶成長学会
ポイントシード技術を用いたNa フラックス法による高品質・大口径GaN ウエハの作製

今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

日本結晶成長学会誌　Vol. 48　No. 3　2021年11月
ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 68th　2021年
ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 68th　2021年
Naフラックスポイントシード法で作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅

今西正幸

アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート　Vol. 7　p. 20-21　2020年5月　記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）
Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング

糸澤孝一, RICKSEN Tandryo, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 67th　2020年
Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化

TANDRYO Ricksen, 村上航介, 山田拓海, 北村智子, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 67th　2020年
Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 67th　2020年
尿路結石形成機序解明に向けたシュウ酸カルシウム結晶の溶媒媒介相転移の観察

久住翔太, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 門馬綱一, 古川善博, 杉浦悠紀, 田中勇太朗, 田尻理恵, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉川洋史, 高野和文, 高野和文, 岡田淳志, 安井孝周, 吉村政志, 森勇介

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　Vol. 49th　2020年
Naフラックス法によるGaN結晶の大口径化とその光学特性評価

今西正幸

大阪大学低温センターだより　No. 170　p. 2-7　2020年1月　記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）
結晶成長国際会議(ICCGE-19/OMVPE-19)報告

今西正幸

Crystal Letters　Vol. 72　p. 41-41　2019年9月　記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
Naフラックスポイントシード法による高品質GaN結晶の大口径化

今西正幸

アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート　Vol. 6　p. 20-21　2019年5月　記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）
Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング

TANDRYO Ricksen, 村上航介, 山田拓海, 北村智子, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 66th　2019年
NaフラックスGaNバルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析

濱地威明, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 66th　2019年
OVPE法によるホモエピタキシャルGaN厚膜の欠陥構造評価

真鍋海希, 藤平哲也, 滝野淳一, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 66th　2019年
ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の単独貫通転位における漏れ電流評価

濱地威明, 藤元聖人, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 80th　2019年
あとがき（クリスタルレターズ 1 月号）

今西正幸

Crystal Letters　Vol. 70　p. 63-63　2019年1月　記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
第２３回結晶工学セミナー会合報告：ワイドギャップ半導体結晶の評価技術

今西正幸

Crystal Letters　Vol. 70　p. 34-38　2019年1月　記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
出版者・発行元：応用物理学会結晶工学分科会
Naフラックス法による高品質バルクGaN結晶育成

今西正幸, 森勇介

CERAMICS JAPAN　Vol. 53　No. 12　p. 846-848　2018年12月　記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
Naフラックスポイントシード法による高品質GaN結晶成長

今西正幸

アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート　Vol. 5　p. 16-18　2018年5月　記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）
改良型NaフラックスGaN単結晶内の単独転位における漏れ電流特性評価

濱地威明, 竹内正太郎, 藤平哲也, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 65th　2018年
改良型NaフラックスGaN単結晶内単独転位の漏れ電流特性解析

濱地威明, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 79th　2018年
ナノビームX線回折法による改良型NaフラックスGaNバルク単結晶の深さ方向結晶構造解析

志田和己, 山本望, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 79th　2018年
Naフラックス法を用いた自立GaN結晶成長技術の開発

今西正幸, 今出完

アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート　Vol. 4　p. 16-18　2017年5月　記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）
研究室紹介 Naフラックスポイントシード法によるGaN 結晶の低転位化・反りの抑制

今西正幸

Crystal Letters　Vol. 62　p. 24-27　2016年5月　記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
出版者・発行元：応用物理学会結晶工学分科会
Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析

浅津宏伝, 竹内正太郎, 今西正幸, 中村芳明, 今出完, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 62nd　2015年

著書 1

次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

森勇介, 今西正幸, 森山実希

エヌ・ティー・エス　2022年2月18日　学術書

ISBN: 4860437675

講演・口頭発表等 273

ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製

今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021年10月27日
Naフラックスポイントシード法における薄液を活用した GaN結晶の横方向成長促進

今西正幸, 村上航介, 山田拓海, 垣之内啓介, 中村幸介, 北村智子, 奥村加奈子, 吉村政志, 森勇介

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月10日
Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長

今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 吉村政志, 森勇介

第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2020年7月31日
Naフラックスポイントシード法を用いたGaN結晶成長と新しい試み

今西正幸, 村上航介, 奥村加奈子, 中村幸介, 垣之内啓介, 北村智子, 吉村政志, 森勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月14日
Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶成長面制御による格子定数の均一化

今西正幸, 村上航介, 垣之内啓介, 中村幸介, 今出完, 吉村政志, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日
Na-Flux Growth on the Tiling HVPE Wafer for the Suppression of V-Shape Valley Formation at the Coalescence Boundary

M. Imanishi, K. Murakami, M. Honjo, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, T. Yoshida, T. Kitamura, M. Shibata, Y. Mori

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)　2016年10月5日
Preparation of Highly Smooth Surfaces on OVPE-GaN Substrates via Photoelectrochemical Reaction-Assisted Polishing

Kiyoto Kayao, Tatsuya Fukagawa, Daisetsu Toh, Jumpei Yamada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Yasuhisa Sano

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月10日
Microscopic Raman study of GaN p-n junction diodes grown on OVPE GaN substrates

Yusuke Hayashi, Kouto Tamamizu, Taisuke Ota, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日
Investigation of electrochemical etching properties of heavily oxygen doped n-type GaN,

Sogo Yokoi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masafumi Yokoyama, Masahiko Hata, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日
Suppression of Polycrystals During GaN Crystal Growth in Na-flux Method under the Higher Temperature and the Higher Nitrogen Pressure Conditions

Tomoki Tashiro, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日
Effect of temperature on high-speed growth of GaN using oxide vapor phase epitaxy

Shigeyoshi Usami, Daisuke Yamada, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日
The Effect of Ga Composition of Melt on the Dislocation Density at the Coalescence Region of GaN Crystal Grown with the Na-flux Point Seed Technique

Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日
Reduction of Threading Dislocations in GaN Crystals During Facet Growth Induced by Oxygen Impurity in the Na Flux Method

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日
Fabricating Damage-Free Surface for Crystal Growth on Seed GaN Crystal Grown by Na-flux Method Using PEC Etching with Bias Voltage Application,

Tatsuya Fukagawa, Kiyoto Kayao, Daisetsu Toh, Jumpei Yamada, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Yasuhisa Sano

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日
Investigation of bulk deep-ultraviolet laser-induced damage tolerance of CsLiB₆O₁₀ crystals

Kazuki Kiriyama, Gentaro Iguchi, Ryota Murai, Tomoaki Nambu, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 13th Asia Pacific Laser Symposium (APLS2025)　2025年5月15日
流体解析を用いたSrB₄O₇単結晶の大型化の検討

松岡孝弥, 山本大平, 小林大也, 谷川淳, 高橋義典, 村井良多, 南部誠明, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会関西支部、中国・四国支部連合若手学術交流研究会　2025年5月12日
CsLiB₆O₁₀を⽤いた深紫外光波⻑変換における出⼒変化の調査

原拓海, 島田恭介, 山本果穂, 村井良太, 南部誠明, 高橋義典, 岡田壌治, 宇佐美茂佳, 今⻄正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会関西支部、中国・四国支部連合若手学術交流研究会　2025年5月12日
Comparison of theoretical and experimental picosecond deep ultraviolet laser power generated with CsLiB<sub>6<s/ub>O₁₀

Kyosuke Shimada, Tomoaki Nambu, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, George Okada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 14th Advanced Lasers and Photon Sources(ALPS2025)　2025年4月23日
CsLiB₆O₁₀結晶の深紫外光バルク損傷耐性評価

桐山一輝, 井口玄太郎, 村井良太, 南部誠明, 高橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会学術講演会第45回年次大会　2025年1月23日
OVPE法による(010)面β-Ga₂O₃成長における多結晶量のVI/III比依存性

岸本詠章, 白石智之, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学講演会　2024年11月22日
Naフラックス法におけるLaser-Assisted Separation (LAS) 法を用いたGaN結晶のクラック抑制

田中唯意, 今西正幸, 鷲田奨吾, 住谷優, 村上航介, 宇佐美重佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学講演会　2024年11月22日
Naフラックス法によるGaN結晶育成における多結晶抑制に向けた成長温度・圧力条件の検討

田代知輝, 今西正幸, 鷲田将吾, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学講演会　2024年11月22日
Reduction of polycrystalline GaN crystals derived from melt back of seed substrate in the Na-flux method

Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月5日
In situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices grown on OVPE-GaN substrates

Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akio Wakejima, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Akira Sakai

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月4日
Thermodynamic and experimental studies of OVPE-GaN growth under the low nucleation frequency conditions

Tsubasa Nakazono, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月4日
Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation propagation in the Na-flux point seed technique

Ryotaro Sasaki, Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月4日
Repeated Homoepitaxial Growth of GaN crystals by Na-flux Method on a Native Seed

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月4日
The effect of improving surface flatness of GaN crystals by Zn addition in the Na-flux method

Yu Sumitani, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)　2024年10月2日
内部欠陥低減に向けたSrB₄O₇の種結晶の極性検討

畠山朋也, 小林大也, 谷川淳, 高澤秀生, 村井良多, 高橋義典, 五十嵐裕紀, 南部誠明, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

2024年9月20日
CsLiB₆O₁₀を用いた深紫外光波長変換における出力変化の調査(Ⅱ)

島田恭丞, 原拓海, 山本果穂, 村井良多, 南部誠明, 高橋義典, 岡田穣治, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月20日
β-Ga₂O₃結晶のOVPE成長における熱力学計算を用いた成長速度制御

白石智裕, 今西正幸, 細川敬介, 宇佐美茂佳, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月20日
高キャリア濃度OVPE-GaNの電気化学エッチングに関する特性

横井創吾, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 伊藤瞭太, 秦雅彦, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日
Naフラックス法におけるメルトバックを利用した低転位GaN結晶成長における多結晶の低減

鷲田将吾, 今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日
OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの大気圧活性化手法の提案

宇佐美茂佳, 伊藤佑太, 香川美幸, 横井創吾, 田中敦之, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 伊藤瞭太, 秦雅彦, 吉村政志, 岡山芳央, 本田善央, 天野浩, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月16日
Effect of Water Reabsorption in CsLiB₆O₁₀ on Picosecond Deep-Ultraviolet Pulse Generation

Kyosuke Shimada, Nagi Yamamoto, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, George Okada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024)　2024年8月7日
Investigations on Scattering Centers in CsLiB₆O₁₀ Crystals

Yoshihiro Kataoka, Yuto Matsumi, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Hideo Takazawa, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024)　2024年8月7日
CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

片岡義博, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024年1月19日
点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響

西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023年12月6日
CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

片岡義博, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023年12月6日
フラックス過剰溶液からの非線形光学結晶CsLiB₆O₁₀の結晶成長

吉村政志, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023年12月6日
ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察

道端詩, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 田尻理恵, 吉川洋史, 高野和文, 岡田淳志, 郡健二郎, 安井孝周, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023年12月4日
リン酸カルシウム結石形成プロセス解明に向けた結晶相転移の動的観察

高橋広登, 田中勇太朗, 吉川洋史, 吉村政志, 高野和文, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 丸山美帆子

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023年12月4日
In-situ monitoring of GaN crystal growth via electroresistometry of Ga-Na solution in the Na-flux growth

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月14日
Influence of Carrier Concentration of GaN Substrate on Etch-pit Size of Dislocation in GaN Substrate

Bhavpreeta Pratap Charan, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月14日
Origin of black color in heavily doped n-type GaN

Tomoaki Sumi, Takino Junichi, Yoshio Okayama, Shigeyoshi Usami, Msayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月13日
Dislocation Reduction in GaN Crystals Using Facet Growth Caused by Meltback in the Na-flux Method

Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kazuma Hamada, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月16日
Recent Progress of Bulk GaN Growth by Na-Flux Method

Yusuke Mori, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月16日
Effect of hydrogen partial pressure on GaN high-speed growth by OVPE

Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月13日
Clarifying inclusions in GaN crystals which can burst at oxide vapor phase epitaxy growth temperature

Yu Sumitani, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kazuma Hamada, Ricksen Tandryo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42)　2023年10月13日
Suppressing parasitic nucleation inbeta-Ga₂O₃ OVPE growth by low VI/Ⅲ ratio gas

Tomohiro Shiraishi, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42)　2023年10月12日
Naフラックス法におけるGaN結晶低転位化に向けたメルトバック表面上成長条件の検討

鷲田将吾, 今西正幸, 濱田和真, Tandryo Ricksen, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月20日
Naフラックス法におけるFFC技術を用いた半極性$\{20\bar{2}1\}$面GaN結晶の平坦化

北野春来, 今西正幸, 濱田和真, Tandryo Ricksen, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月20日
フラックス過剰溶液からの非線形光学結晶CsLiB₆O₁₀の結晶成長

松實優斗, 村井良多, 義典高橋, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月19日
OVPE法を用いたGaNのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用

宇佐美茂佳, 東山律子, 滝野淳一, 太田博, 渡邉浩崇, 今西正幸, 隅智亮, 岡山芳央, 三島友義, 新田州吾, 本田善央, 吉村政志, 雅彦秦, 伊勢村雅士, 天野浩, 森勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月20日
ドリフト層幅の異なるGaN pn接合ダイオードを用いた伝導度変調の解析

宇佐美茂佳, 太田博, 渡邉浩崇, 今西正幸, 新田州吾, 本田善央, 三島友義, 天野浩, 森勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月21日
OVPE-GaN成長における雰囲気加熱方式を用いた大ピット抑制

櫻井悠貴, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月20日
CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

片岡義博, 松實優斗, 良多村井, 高橋義典, 秀生高澤, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月19日
Bulk laser-induced damage resistance of SrB₄O₇ single crystals under 266-nm DUV laser irradiation（II）

Ryoh Noguchi, Kota Sekigawa, Yasunori Tanaka, Yuya Tsunezuka, Tomoya Nakao, Ryohei Yasukuni, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 12th Advanced Lasers and Photon Sources Conference (ALPS2023)　2023年4月18日
ホウ酸系光学材料SrB₄O₇結晶の大型・バルク化

野口凌, 関川康太, 田中康教, 村井良多, 高橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日
OVPE法によるGaN超高速成長における水素分圧の影響

宇佐美茂佳, 東山律子, 今西正幸, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月18日
CsLiB₆O₁₀を用いた深紫外光出力の経時安定性評価

山本凪, 村井良多, 高橋義典, 折井庸亮, 岡田穣治, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023年1月19日
ホウ酸系光学結晶SrB₄O₇の育成と266nm深紫外光多重パルス照射に対するバルク損傷耐性

野口凌, 関川康太, 常塚祐矢, 中尾友哉, 安國良平, 神村共住, 村井良多, 高橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023年1月19日
OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌(CD-ROM)　2023年
骨リモデリング機構解明に向けたマウス骨成分の結晶相分析

高橋由利子, 丸山美帆子, 小野優河, 山下英里華, 吉川洋史, 松崎賢寿, 杉浦悠紀, 田尻理恵, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 菊田順一, 吉村政志, 石井優, 森勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年10月31日
新Ga種考慮によるOVPE-GaN熱力学モデルの修正

櫻井悠貴, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月24日
Naフラックス法におけるGaN結晶表面のエッチピットを起因としたファセット成長による転位低減効果

鷲田将吾, 濱田和真, Ricksen Tandryo, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月24日
Naフラックス法を用いた半極性(20-21)面GaN結晶成長における結晶表面モルフォロジーの過飽和度依存性

北野春来, 髙橋響, 中島達彦, 濱田和真, Tandryo Ricksen, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月24日
GaNの熱伝導率に対する点欠陥の影響

河村貴宏, 西山稜悟, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年
尿路結石形成機構の解明に向けたシュウ酸カルシウム結石における結晶相転移観察

道端詩, 丸山美帆子, 吉村政志, 田尻理恵, 吉川洋史, 高野和文, 岡田淳志, 安井孝周, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年10月31日
Ga₂O, H₂Oを原料ガスとするGa₂O₃成長の熱力学解析

富樫理恵, 鈴木明香里, 石田遥夏, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 湊雅彦, 森勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年11月1日
OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長

今西正幸, 細川敬介, 奥村加奈子, 宇佐美茂佳, 富樫理恵, 湊雅彦, 森勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年11月1日
ホウ酸系光学材料SrB₄O₇結晶の大型化と高品質化

関川康太, 村井良多, 髙橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年11月1日
OVPE法で育成したGaNのグロースピット径制御

宇佐美茂佳, 今西正幸, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山佳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年11月2日
Reduction of dislocations in OVPE-GaN by using free-standing substrate with low-dislocation density

Masami Aihara, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 41st Electronic Materials Symposium (EMS-41)　2022年10月21日
The suppression of parasitic polycrystal growth around the wall for high-rate growth of the thick OVPE-GaN crystal

Itsuki Kawanami, Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 41st Electronic Materials Symposium (EMS-41)　2022年10月21日
Na フラックス法におけるGa-Na 融液の電気抵抗測定を用いたGaN 結晶成長速度のモニタリング

Ricksen Tandryo, 糸澤孝一, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日
Na フラックス法における基板表面分解を起因としたファセット成長による転位減少効果

鷲田将吾, Ricksen Tandryo, 濱田和真, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日
Na フラックス法における低温成長を用いたGaN結晶の等方的な六角錐成長と品質の向上

濱田和真, 今西正幸, 垣之内啓介, 奥村加奈子, 山田拓海, 中村幸介, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日
高速OVPE-GaN結晶の厚膜化に向けた炉壁多結晶抑制

川波一貴, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日
OVPE 法によるGaN 結晶成長の熱力学解析

櫻井悠貴, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日
ホウ酸系光学材料SrB₄O₇ 結晶の大型化と高品質化

関川康太, 村井良多, 高橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日
OVPE-GaN 基板上pn ダイオードにおける伝導度変調の解析

宇佐美茂佳, 太田博, 滝野淳一, 渡邉浩崇, 隅智亮, 今西正幸, 新田州吾, 本田善央, 森勇介, 三島友義, 岡山芳央, 天野浩

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月22日
n 型GaN 基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司, 渡邉浩崇, 田中敦之, 本田善央, 今西正幸, 森勇介, 生田目俊秀, 色川芳宏, 天野浩, 小出康夫

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月23日
Na フラックス法を用いたLi 添加による $\{20\bar{2}1\}$面GaN 単結晶の平坦化

髙橋響, Ricksen Tandryo, 濱田和真, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日
短パルスレーザー照射によるアントラセンの結晶化における濃度場の高速度観測

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 細川陽一郎, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会関西支部2022年度第1回講演会　2022年5月16日
Promising Results of National Project by Japanese Ministry of the Environment to Develop GaN on GaN Power Devices and Prove their Usefulness in Real Systems

Yohei Otoki, Masatomo Shibata, Tomoyoshi Mishima, Hiroshi Ohta, Yusuke Mori, Masayuki Imanishi, Satoshi Tamura, Kazunori Kidera, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Keiji Watanabe, Naoya Okamoto, Yoshio Honda, Masayoshi Yamamoto, Koji Shiozaki, Hiroshi Amano

CS MANTECH 2022　2022年5月12日
Effects of pulse duration on the laser-induced crystallization of urea

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Kazufumi Takano, Hiroaki Adachi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022)　2022年4月25日
High-Speed Visualization of Concentration Field Associated with Laser-Induced Crystallization Process of an Anthracene

Mihoko Maruyama, Yuka Tsuri, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Takashi Onuma, Ryutaro Shimada, Tomohiko Tateshima, Kazufumi Takano, Hiroaki Adachi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022)　2022年4月26日
Analysis of Helical Dislocations observed in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate

Bhavpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月22日
Growth of GaN Crystal with Low Dislocation Density and Low Oxygen Concentration by a Thin-Level Na-flux Growth with a Li Additive

Tatsuhiko Nakajima, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月22日
Effect of Ga/flux composition ratio and the amount of dissolved nitrogen on the growth habit of GaN crystal by the Na-flux point seed method

Jumpei Fujiwara, Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月22日
Dependence of crystallinity of GaN crystals grown by the Na flux point seed technique on the off-angle of the seed substrate

Shogo Washida, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月22日
Influence of Point and Complex Defects on Electronic Structure of GaN

Takahiro Kawamura, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月22日
Bulk laser-induced damage resistance of SrB₄O₇ single crystals under 266-nm DUV laser irradiatio

Yutaka Maegaki, Yasunori Tanaka, Haruki Marui, Atsushi Koizumi, Kuta Tanaka, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John, F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori

The 11th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2022)　2022年4月20日
GaN縦型 pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光

谷川智之, 塚越真悠子, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 川崎晟也, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月24日
ホウ酸系光学結晶 SrB₄O₇の266nm深紫外光多重パルス照射に対するバルク損傷耐性

前垣雄隆, 田中康教, 丸井春輝, 小泉敦司, 田中宏汰, 神村共住, 村井良多, 高橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月24日
Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小 GaN種結晶上の核発生成進

Ricksen Tandryo, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月24日
高周波デバイス高性能化に向けた GaN結晶育成技術

森勇介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 吉村政志, 守山実希

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月24日
OVPE法による高速厚膜 GaN結晶成長

宇佐美茂佳, 清水歩, 今西正幸, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日
Ga₂O, H₂O原料ガスを用いた高温・高速酸化ガリウム成長の熱力学的検討

富樫理恵, 鈴木明香里, 石田遥夏, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 秦雅彦, 森勇介

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月26日
OVPE法によるサファイア及び Ga₂O₃基板上β-Ga₂O₃結晶成長

今西正幸, 小林大也, 奥村加奈子, 細川敬介, 宇佐美茂佳, 富樫理恵, 秦雅彦, 森勇介

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月26日
Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小GaN種結晶上の核発生成進

TANDRYO Ricksen, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2022年
Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate

Bhavpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021年12月23日
Naフラックス法におけるLi添加による$(20\bar{2}1)$面GaN単結晶の表面平坦化効果

髙橋響, 糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021年12月23日
Naフラックス法を用いた低転位GaN基板の再成長における転位増加の抑制

山内彪我, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021年12月23日
OVPE法による超低抵抗・高品質GaN結晶成長とそのデバイス応用

宇佐美茂佳, 清水歩, 三船浩明, 今西正幸, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央, 太田博, 三島友義, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月3日
GaN中の点欠陥および複合欠陥が光学特性に与える影響の解明

大畑智嗣, 河村貴宏, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月3日
窒化ガリウム中の反り低減に向けた初期高酸素濃度領域の薄膜化

濱田和真, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月2日
超低核生成頻度条件での多結晶形成抑制による低転位バルクOVPE-GaN結晶の高速成長

清水歩, 宇佐美茂佳, 櫻井悠貴, 川波一貴, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月2日
Naフラックス法における窒素溶解量の増加による核発声の促進

鷲田将吾, 中島達彦, 濱田和馬, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月2日
テラヘルツ自由電子レーザーを用いたアントラセンの結晶核形成誘起

丸山美帆子, 中島誠, 吉川洋史, 塚本勝男, 王有為, 太田雅人, 釣優香, 磯山悟朗, 大沼隼志, 島田竜太郎, 立嶋知彦, V.C.Agulto, V.K.Mag-usara, 高野和文, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021年10月29日
短パルスレーザー照射によるアントラセン結晶核形成の高速度観察

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 大沼隼志, 島田竜太郎, 立嶋知彦, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021年10月29日
ホウ酸系光学結晶SrB₄O₇の内部欠陥の抑制

前垣雄隆, 田中康教, 村井良太, 髙橋義典, 杉田剛, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第50回結晶成長国内会議　2021年10月29日
超低抵抗・低転位密度GaN基板の開発とデバイス応用

滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 岡山芳央, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021年10月27日
レーザーアブレーションが誘起する結晶化現象の可視化

吉川洋史, 丸山美帆子, 釣優香, 塚本勝男, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021年10月27日
アスピリンの安定相と準安定相が作るintergrowth形成のその場観察

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021年10月27日
High-rate OVPE-GaN growth by the suppression of H₂O pressure with N₂O gas instead of H₂O gas in a high-temperature condition

Itsuki Kawanami, Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021年10月11日
In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement

Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021年10月11日
High-rate GaN crystal growth by the suppression of polycrystal formation at a high temperature above 1250℃ using the OVPE method

Ayumu Shimizu, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021年10月11日
Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method

Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD21)　2021年7月1日
ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月19日
ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月17日
OVPE-GaN（高濃度酸素添加GaN）結晶黒色化の起源

隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 北本啓, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月17日
First-Principles Calculation of Electronic Structure of GaN with Point and Complex Defects

Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanish, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The８th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月2日
High surface laser-induced damage threshold of SrB₄O₇ single crystals under 266-nm (DUV) laser irradiation

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Tsuyoshi Sugita, Daisetsu Toh, Kazuto Yamauchi, Sora Aikawa, Haruki Marui, Yuji Umeda, Yusuke Funamoto, Tomosumi Kamimura, Melvin John, F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月1日
Laser pulse duration effects on laser-induced crystallization of urea

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The８th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月3日
Structural Analysis of Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction: Local Lattice Constant Variation Depending on the Growth Sector

Zhendong Wu, Kazuki Shida, Takeaki Hamachi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

The８th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月1日
Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査

山内彪我, TANDRYO Ricksen, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2021年
Naフラックス法における窒素溶解量促進に向けた窒素脱離特性評価

TANDRYO Ricksen, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2021年
テラヘルツ時間領域偏光解析法による10 20cm-3キャリア密度の光高密度半導体の測定【JST・京大機械翻訳】

AGULTO Verdad C., IWAMOTO Toshiyuki, KITAHARA Hideaki, TOYA Kazuhiro, MAG-USARA Valynn Katrine, IMANISHI Masayuki, MORI Yusuke, YOSHIMURA Masashi, NAKAJIMA Makoto

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2021年
N₂OガスをⅢ族供給源に用いたOVPE法によるGaN結晶成長

川波一貴, 清水歩, 三船浩明, 神山将大, 北本啓, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020年12月28日
Naフラックス法における電気抵抗変化とGaN結晶成長の関連性

糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 村上航介, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020年12月23日
Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶成長形状のGa比率_気相保持時間依存症

藤原淳平, 糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 村上航介, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020年12月23日
N₂Oガス添加によるOVPE-GaN結晶の高速厚膜化の実現

清水歩, 神山将大, 北本啓, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020年12月23日
ホウ酸系光学結晶SrB₄O₇の高品質化

前垣雄隆, 田中康教, 村井良多, 高橋義典, 杉田剛, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020年11月9日
レーザーのパルス時間幅が尿素結晶化に及ぼす影響

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 安達宏昭, 高野和文, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020年11月10日
尿路結石形成機序解明に向けたシュウ酸カルシウム結晶の溶媒媒介相転移の観察

久住翔太, 丸山美帆子, 門馬鋼一, 古川善博, 杉浦悠紀, 田中勇太朗, 田尻理恵, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉川洋史, 高野和文, 岡田淳志, 安井孝周, 吉村政志, 森勇介

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020年11月10日
Growth of GaN Crystal with Low Oxygen Concentration and Low Dislocation Density by Na-flux PS Method with Li Addition Technique

Tatsuhiko Nakajima, Takumi Yamada, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

39th Electronic Materials Symposium (EMS-39)　2020年10月8日
HVPE-GaNバルク結晶における貫通転位の3次元的形態とバーガースベクトルの関係

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 五十嵐信行, 酒井朗

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日
HVPE-GaNバルク結晶におけるa及びa+cタイプ貫通転位の3次元的伝播挙動の解析

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日
N₂Oガスの多結晶抑制効果によるOVPE-GaN結晶の高速成長

清水歩, 神山将大, 北本啓, 今西正幸, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月10日
OVPE法で成長した GaN バルク単結晶の微細構造解析

栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日
Growth promotion of GaN point seed with lithium addition in the Sodium flux method

Kazuma Hamada, Takumi Yamada, Kosuke Nakamura, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 8th international Conference on Light-Emitting Device and Their Industrial Applications (LEDIA2020)　2020年4月22日
Regrowth of Li-free layer on GaN substrate produced by the Na-flux-sapphire-dissolution technique

Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Yoshimura Masashi, Yusuke Mori

The 8th international Conference on Light-Emitting Device and Their Industrial Applications (LEDIA2020)　2020年4月21日
Suppression of the step bunching in GaN crystal using purified Na in the Na-flux method

Hyoga Yamauchi, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

The 8th international Conference on Light-Emitting Device and Their Industrial Applications (LEDIA2020)　2020年4月22日
High-power 355-nm UV generation by using CsLiB₆O₁₀ crystal

Kuniaki Atagi, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Yosuke Orii, George Okada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 9th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2020)　2020年4月20日
Growth of SrB₄O₇ crystal and its surface DUV laser-induced damage threshold

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Tsuyoshi Sugita, Daisetsu Toh, Kazuto Yamauchi, Sora Aikawa, Yuji Umeda, Yusuke Funamoto, Tomosumi Kamimura, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 9th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2020)　2020年4月20日
Naフラックス法における電気抵抗変化とGaN結晶成長の関連性

糸澤, 孝一, Ricksen Tandryo, 村上航介, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020年3月23日
Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月13日
レーザー誘起結晶化技術におけるパルス時間幅の影響

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 安達宏昭, 高野和文, 塚本勝男, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
Naフラックス・ポイントシード法におけるLi添加系での透明なGaN結晶の成長

中島達彦, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月14日
酸化物ガス添加によるOVPE-GaN結晶成長における多結晶生成抑制

清水歩, 神山将大, 石橋桂樹, 津野慎太郎, 北本啓, 今西正幸, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月14日
Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング

糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月14日
CsLiB₆O₁₀結晶を用いた高出力355nm紫外光発生

安宅邦晶, 村井良多, 高橋義典, 折井庸亮, 岡田穣治, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化

Ricksen Tandryo, 村上航介, 山田拓海, 北村智子, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月14日
繰り返しパルス照射による石英ガラスのレーザー損傷の温度依存性

小川遼, 本越伸二, 吉村政志, 實野孝久, 藤岡加奈, 今西正幸, 森勇介

レーザー学会学術講演会第40回年次大会　2020年1月20日
CsLiB₆O₁₀の水不純物低減過程における紫外光誘起劣化耐性の変化

五十川諒介, 村井良多, 高橋義典, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会学術講演会第40回年次大会　2020年1月20日
深紫外ピコ秒パルス発生時のCsLiB₆O₁₀熱位相不整合の影響

安宅邦晶, 村井良太, 髙橋義典, 折井庸亮, 岡田穣治, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会学術講演会第40回年次大会　2020年1月20日
OVPE法で成長したGaNバルク単結晶の微細構造解析

栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2020年
HVPE-GaNバルク結晶におけるa及びa+cタイプ貫通転位の3次元的伝播挙動の解析

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2020年
HVPE-GaNバルク結晶における貫通転位の3次元的形態とバーガースベクトルの関係

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 五十嵐信行, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2020年
HVPE-GaNバルク単結晶中貫通転位における漏れ電流特性に及ぼす転位構造の影響

濱地威明, 藤元聖人, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会　2019年11月20日
高温環境下でのOVPE-GaN成長におけるH2O添加による多結晶抑制

清水歩, 神山将大, 石橋圭樹, 津野慎太郎, 北本啓, 今西正幸, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会　2019年11月20日
Naフラックス法における炭素添加のNa-Ga融液電気抵抗に与える影響

糸澤孝一, Tandryo Ricksen, 村上航介, 中村幸介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第2回結晶工学×ISYSE;合同研究会　2019年11月20日
Naフラックス法におけるFFC技術を用いたGaN結晶中インクルージョンの抑制

遠藤清人, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会　2019年11月20日
Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング

Ricksen Tandryo, 糸澤孝一, 村上航介, 北村智子, 山田拓海, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会　2019年11月20日
Suppression of the inclusions in GaN crystals using flux-film-coated technique in Na-flux methodNa

Endo Kiyoto, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)　2019年10月10日
The suppression of change of lattice curvature by addition of CH₄gas in OVPE growth

Ishibashi Keiju, Shimizu Ayumu, Kamiyama Masahiro, Tsuno Shintaro, Kitamoto Akira, Imanishi Masayuki, Sumi Tomoaki, Takino Junichi, Okayama Yoshio, Nobuoka Masaki, Hata Masahiko, Isemura Masashi, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)　2019年10月10日
Growth of GaN single crystals with low oxygen concentration by Li-added Na-flux methodNa

Nakajima Tatsuhiko, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)　2019年10月10日
Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶の成長促進に向けたLi添加系での多結晶抑制

濱田和真, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月21日
ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の単独貫通転位における漏れ電流評価

濱地威明, 藤元聖人, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月21日
Naフラックス法GaN基板中で消滅する転位のバーガース・ベクトル同定

藤田優, 津坂佳幸, 松井純爾, 今西正幸, 森勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月21日
医薬化合物アスピリンの成長過程における相転移のその場観察

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 岡田詩乃, 安達宏昭, 高野和文, 塚本勝男, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日
Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅

今西正幸, 奥村加奈子, 中村幸介, 垣之内啓介, 北村智子, 村上航介, 吉村政志, 森勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月21日
CsLiB6O10の水不純物低減過程における紫外光誘起劣化耐性の変化

五十川諒介, 村井良多, 高橋義典, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月20日
第一原理計算によるNa-Ga融液中のN-N，C-CおよびC-H結合状態の解析

河村貴宏, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日
高温OVPE法を用いた高品質GaN結晶の高速成長

清水歩, 神山将大, 石橋桂樹, 津野慎太郎, 北本啓, 今西正幸, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢, 雅士, 森勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月20日
GaN基板上PNダイオードの電極下の転位可視化

兼近将一, 山口聡, 今⻄正幸, 森勇介

第16回 SPring-8産業利用報告会　2019年9月6日
アスピリン相転移のその場観察

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 岡田詩乃, 安達宏昭, 高野和文, 塚本勝男, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第42回結晶成長討論会　2019年8月29日
Suppression of Step Bunching in GaN Crystals During The Na-Flux Method at Low Supersaturation

Endo Kiyoto, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年7月29日
High-Rate Growth of a Thick Freestanding GaN Crystal with CH₄ by OVPE

Kamiyama Masahiro, Gunji Yoshikazu, Kobayashi Haruya, Oshiba Takahiro, Kitamoto Akira, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Isemura Masashi, Sumi Tomoaki, Takino Junichi, Okayama Yoshio, Mori Yusuke

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年7月30日
First-Principles Calculation of Absolute Surface Energies of GaN during Oxide Vapor Phase Epitaxy Growth

Kawamura Takahiro, Kitamoto Akira, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke, Morikawa, Yoshitada, Kangawa, Yoshihiro, Kakimoto, Koichi

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年7月29日
Study of Self-Flux Composition for Growing CsLiB₆O₁₀ Crystal with High DUV Laser-Induced Degradation Tolerance

Murai Ryota, Fukuhara Taishi, Ando Go, Tanaka Yasunori, Takahashi Yoshinori, Matsumoto Kazuhisa, Maruyama Mihoko, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke, Yoshimura Masashi

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年8月2日
Growth of GaN Single Crystals with High Transparency by Li-Added Na-Flux Method

Nakajima Tatsuhiko, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年7月29日
Growth of High-Quality SrB₄O₇ Single Crystal and Its Optical Properties

Tanaka Yasunori, Murai Ryota, Takahashi Yoshinori, Sugita Tsuyoshi, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke, Aikawa Sora, Umeda Yuji, Funamoto Yusuke, Kamimura Tomosumi, Yoshimura Masashi

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年8月2日
Temperature Dependence of Nitrogen Dissolution on Sodium Flux Growth

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Kanako Okumura, Takumi Yamada, Tomoko Kitamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年7月29日
Optical Anomaly of GaN and Sic Crystals as Observed by New Optical Main Axis Mapping

Katsuo Tsukamoto, Msayuki Imanishi, Haruhiko Koizumi, Takashi Onuma, Toru Ujihara, Yusuke Mori

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年8月2日
In-situ Observation of Phase Transition of Aspirin form II

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Shiho Okada, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Katsuo Tsukamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年8月1日
Selective Sapphire dissolution Technique without Dissolving Gallium Nitride in a Sodium Flux Added Lithium

Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年7月30日
Crystallization of aspirin form II and in-situ observation of phase transformation

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Shino Okada, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Katsuo Tsukamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 17th International Summer School on Crystal Growth(ISSCG-17)　2019年7月23日
Recent Advances of GaN Growth by Na-Flux Method

Mori Yusuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS13)　2019年7月9日
Vertical GaN p-n Diodes on Low Dislocation and Low Resistive GaN Wafer Produced by OVPE Method

Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masaki Nobuoka, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Naomi Asai, Hiroshi Ohta, Tomoyoshi Mishima, Yusuke Mori

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS13)　2019年7月8日
Multilateral Investigation of Electrical and Microstructural Properties of Threading Dislocations in Na-Flux-Grown GaN Crystals

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akira Sakai

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS13)　2019年7月8日
Development of high-quality and large CsLiB₆O₁₀ crystal

Go Ando, Yoshinori Takahashi, Ryota Murai, Kosaku Kato, Makoto Nakajima, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM8)　2019年6月11日
Optical properties of SrB₄O₇ crystal for DUV laser application

Tsuyoshi Sugita, Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM8)　2019年6月12日
Crystallization of metastable phase of aspirin by femtosecond laser irradiation

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Riki Fujimoto, Shino Okada, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Satoshi Murakami, Hiroyoshi Matsumura, Tsuyoshi Inoue, Masayuki Imanishi, Katsuo Tsukamoto, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Opto 2019 Symposium on Photon and Beam Science　2019年6月12日
Evaluation of Laser-induced degradation and surface damage resistances at 266nm of SrB₄O₇ crystal

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Tsuyoshi Sugita, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Sora Aikawa, Yuji Umeda, Yusuke Funamoto, Tomosumi Kamimura, Masashi Yoshimura

8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM8)　2019年6月12日
Time-dependence of laser-induced absorption and LIDT of glass in deep UV

Takahisa Jitsuno, Haruka Ogawa, Shinji Motokoshi, Masashi Yoshimura, Kana Fujioka, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

Pacific Rim Laser Damage & Thin Film Physics and Applications (SPIE-PLD|TFPA2019)　2019年5月21日
Temperature dependence of Laser-induced damage by multiple pulses irradiation for silica glasses

Ogawa Haruka, Motokoshi Shinji, Yoshimura Masashi, Jitsuno Takahisa, Fujioka Kana, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke

Pacific Rim Laser Damage & Thin Film Physics and Applications (SPIE-PLD|TFPA2019)　2019年5月22日
Pulsed DC Sputtering Deposition of GaN Thin Films with Single Crystal Target for Low Impurity Concentration

Shogo Imai, Yuna Onishi, Takuya Onodera, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hitoshi Miura, Nobuaki Takahashi, Yoshio Honda, Heajeong Cheong, Hiroshi Amano, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama

The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019)　2019年4月25日
Pulsed DC Sputtering Deposition of GaN Thin Films with Single Crystal Target for Low Impurity Concentration

Imai Shogo, Onishi Yuna, Onodera Takuya, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke, Miura Hitoshi, Takahashi Nobuaki, Honda Yoshio, Cheong Heajeong, Amano Hiroshi, Uemukai Masahiro, Katayama Ryuji

The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019)　2019年4月24日
Monitoring of nitrogen content in Ga-Na melt by electrical resistance measurement on Sodium-Flux method

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Takumi Yamada, Tomoko Kitamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019)　2019年4月25日
Development of high-quality CsLiB₆O₁₀ crystal for high-power DUV application

Masashi Yoshimura, Goh Ando, Yoshinori Takahashi, Ryota Murai, Kosaku Kato, Makoto Nakajima, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

The 8th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2019)　2019年4月24日
Crystal growth and optical properties of SrB₄O₇ crystal for DUV laser application

Tsuyoshi Sugita, Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 8th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2019)　2019年4月24日
Temperature dependence of laser-induced damage by multiple pulses irradiation

Haruka Ogawa, Shinji Motokoshi, Masashi Yoshimura, Takahisa Jitsuno, Kana Fujioka, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

The 8th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2019)　2019年4月24日
Naフラックス法におけるLi添加を用いた微小径ポイントシードGaN結合成長

濱田和真, 澤田友貴, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019)　2019年3月12日
非線形光学結晶 CsLiB₆O₁₀の高品質・大型化の検討

安藤豪, 高橋義典, 村井良太, 加藤康作, 中嶋誠, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志

第66回応用物理学会春季学術講演会 (JSAP2019)　2019年3月9日
NaフラックスGaNバルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析

濱地威明, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019)　2019年3月12日
OVPE法によるホモエピタキシャルGaN厚膜の欠陥構造評価

真鍋海希, 藤平哲也, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019)　2019年3月12日
OVPE法によるCH4を用いた高速成長条件での厚膜・自立GaN結晶の作製

神山将大, 郡司祥和, 小林大也, 大芝啓嘉, 北本啓, 今西正幸, 吉村政志, 伊勢村雅士, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 信岡政樹, 森勇介

第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019)　2019年3月12日
キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析

河村貴宏, 竹田浩基, 北本啓, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕, 柿本浩一

第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019)　2019年3月12日
Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング

Ricksen Tandriyo, 村上航介, 山田拓海, 北村智子, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019)　2019年3月12日
Naフラックスサファイア溶解法における溶液Li濃度とGaN結晶中Li濃度の関係

山田拓海, 今西正幸, 村上航介, 中村幸介, 吉村政志, 森勇介

第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019)　2019年3月11日
非線形光学結晶 CsLiB₆O₁₀の高品質・大型化の検討

安藤豪, 高橋義典, 村井良太, 加藤康作, 中嶋誠, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志

第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019)　2019年3月11日
Crystal Growth and Optical Properties Evaluation of Strontium Tetraborate SRB₄O₇

Y. Tanaka, R. Murai, Y. Takahashi, M. Imanishi, Y. Mori, T. Sugita, M. Yoshimura

The 10th International Conference on Photonics and Applications (ICPA-10)　2018年11月12日
Naフラックス法におけるオフ角サファイア上GaNを種基板とした低転位GaN結晶育成

武田直樹, 山田拓海, 今西正幸, 森勇介

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)　2018年11月1日
レーザー誘起結晶化技術によるアスピリンの多形晶出と相転移のその場観察

釣優香, 丸山美帆子, 藤本史輝, 岡田詩乃, 安達宏昭, 吉川洋史, 高野和文, 村上聡, 松村浩由, 井上豪, 今西正幸, 塚本勝男, 吉村政志, 森勇介

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)　2018年11月1日
ホウ酸系光学材料SrB₄O₇の結晶育成及び光学特性評価

田中康教, 杉田剛, 村井良多, 高橋義典, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)　2018年10月31日
Naフラックス法における薄液成長技術を用いたGaN結晶のステップバンチング抑制

遠藤清人, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)　2018年10月31日
単点Naフラックス法GaN基板中転位

水落博之, 津坂佳幸, 松井純爾, 今西正幸, 森勇介

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月21日
ナノビームX線回折法による改良型NaフラックスGaNバルク単結晶の深さ不幸結晶構造解析

志田和己, 山本望, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月21日
改良型NaフラックスGaN単結晶内単独転位の漏れ電流特性解析

濱地威明, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月21日
Naフラックスサファイア溶解法における大口径・低反りGaN結晶の作製

山田拓海, 今西正幸, 村上航介, 中村幸介, 吉村政志, 森勇介

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月21日
繰り返しパルス照射による石英ガラスのレーザー損傷の温度依存性

小川遼, 本越伸二, 吉村政志, 實野孝久, 藤岡加奈, 今西正幸, 森勇介

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月19日
Nanobeam X-ray Diffraction Analysis of Local Lattice Distortions

K. Shida, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018年8月8日
Leakage current analysis for Individual dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystal

T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, A. Sakai

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-7)　2018年8月10日
The effect of undissolved carbon on GaN crystal growth in Na flux method

N. Takeda, T. Yamada, K. Murakami, K. Kakinouchi, M. Imanishi, Y. Mori

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-7)　2018年8月7日
Reduction of Li impurity in the Freestanding GaN Substrate Fabricated by the Na - Flux Sapphire Dissolution Technique

T . Yamada, M. Imanishi, K. Murakami, K. Nakamura, M. Yoshimura, Y. Mori

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018年8月7日
Fabrication of GaN Crystals with Low Resistivity Grown with the Na - flux Point Seed Technique

K. Endo, T. Yamada, H. Kubo, K. Murakami, M. Imanishi, M. Yoshimura, Y. Mori

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018年8月7日
Recent Progress of GaN Growth by Na-flux Method

Yusuke Mori, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018年8月8日
Naフラックスポイントシード法を用いたGaN結晶成長における転位発生原因の調査

澤田友貴, 山田拓海, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2018年7月13日
Growth and characterization of a strontium tetraborate SrB₄O₇ for application of deep-ultraviolet optical components

Y. Tanaka, K. Shikata, Y. Takahashi, R. Murai, M. Imanishi, Y. Mori, M. Yoshimura

The 11th Asia-Pacific Laser Symposium (APLS 2018)　2018年5月30日
Naフラックスサファイア溶解法における再成長を用いたGaN結晶中Li不純物の低減

山田拓海, 今西正幸, 村上航介, 中村幸介, 今出完, 吉村政志, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月20日
改良型NaフラックスGaN単結晶内の単独転位における漏れ電流特性評価

濱地明, 竹内太郎, 藤平哲也, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日
多波回折明視野X線トポグラフィによるNaフラックス法GaN基板中転位の同定

水落博之, 鶴丸哲也, 津坂佳幸, 松井純爾, 今西正幸, 今出完, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日
Naフラックス法で作製したGaN結晶における酸素濃度が電気特性に与える影響

遠藤清人, 山田拓, 蔵本流星, 林正俊, 久保等, 丸山美帆子, 村上航介, 今西正幸, 今出完, 吉村政志, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日
OVPE法を用いたGaN結晶成長におけるメタン添加の効果

北本啓, 山口陽平, 津野慎太郎, 石橋桂樹, 郡司祥和, 今西正幸, 今出完, 吉村政志, 伊勢村雅士, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 信岡政樹, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日
OVPE法を用いたGaN育成におけるNH₃/H₂比の多結晶形成への影響

津野慎太郎, 郡司祥和, 山口陽平, 石橋桂樹, 北本啓, 今西正幸, 今出完, 吉村政志, 伊勢村雅士, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 信岡政樹, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日
外場印加による医薬化合物アスピリンの準安定形晶出

釣優香, 仁井滉允, 丸山美帆子, 岡田詩乃, 安達宏昭, 吉川洋史, 高野和文, 村上聡, 松村浩由, 井上豪, 塚本勝男, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日
ホウ酸系光学材料SrB₄O₇の結晶育成及びレーザー損傷耐性評価（２）

四方啓太, 田中康教, 村井良多, 高橋義典, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日
転位低減に向けたNaフラックス法によるGaN結晶育成技術の新展開

森勇介, 今西正幸, 今出完, 吉村政志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日
[15. 結晶工学分科内招待講演] 結晶育成技術が拓くイノベーションとベンチャー起業

森勇介, 今西正幸, 今出完, 丸山美帆子, 吉村政志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日
Growth of High Crystallinity Thick GaN Layers by Oxide Vapor Phase Epitaxy

Y. Gunji, Y. Yamaguchi, K. Ishibashi, S. Tsuno, A. Kitamoto, M. Imanishi, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura, Y. Mori

The 7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-7)　2017年10月17日
Growth of bulk GaN crystal by Na flux method

Y. Mori, M. Imanishi, M. Yoshimura, M. Imade

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017)　2017年9月30日
Growth of bulk GaN crystals by the Na-flux point seed technique

Y. Mori, M. Imade, M. Imanishi, M. Yoshimura

The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS)　2017年9月25日
Evaluation of stacking faults free semipolar {11-22} GaN substrate grown by Na-flux point seed technique

N. Okada, H. Ikeuchi, N. Morishita, T. Matsubara, T. Tanikawa, Kim DoHun, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Tadatomo

2th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12)　2017年7月25日
Nano beam X-ray diffraction analysis of Na flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode

S. Takeuchi, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12)　2017年7月24日
Effect of gaseous Carbon addition in GaN crystal growth by Na-flux method

N. Takeda, M. Imanishi, K. Murakami, M. Hayashi, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA’17)　2017年4月21日
放射線検出器に向けたNa-flux法GaN育成方法の検討と電気特性評価

矢野雄大, 中川央也, 井上翼, 青木徹, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 中野貴之

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　2017年
圧電応答顕微鏡法によるNaフラックスGaN単結晶の局所圧電物性解析

植田瑛, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年
NaフラックスGaN単結晶内の孤立転位に起因した局所漏れ電流特性評価

濱地威明, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年
Evaluation of Freestanding GaN Substrates by Dissolution of Sapphire Substrates Using Li after the Na-Flux Growth

T. Yamada, M. Imanishi, K. Nakamura, K. Murakami, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Honjo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)　2016年10月5日
Enhancement of Lateral Growth of GaN Crystal with Extremely Low Dislocation Density by Na-Flux Point Seed Technique

M. Hayashi, M. Imanishi, T. Yamada, D. Matsuo, K. Murakami, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)　2016年10月
Enhancement of Lateral Growth of the GaN Crystal with Extremely Low Dislocation Density during the Na-flux Growth on a Point Seed

M. Hayashi, M. Imanishi, T. Yamada, D. Matsuo, K. Murakami, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月9日
Interface and dislocation structures in Na flux GaN grown on MOCVD-GaN

S. Takeuchi, H. Asazu, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)　2016年8月9日
Improvement of crystallinity of semi-polar GaN single crystals by Na-flux Point seed method

D. H. Kim, M. Imanishi, T. Yamada, M. Honjo, K. Murakami, D. Matsuo, H. Imabayashi, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月9日
Growth of Bulk GaN Crystals by the Na-Flux Point Seed Technique

M. Imade, M. Imanishi, M. Maruyama, M. Yoshimura, Y. Mori

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月9日
Suppression of V-shape Valley Formation at the Coalescence Boundary in 4-inch GaN Crystals Growth from Multiple HVPE Wafers by the Na-flux Growth

M. Imanishi, K. Murakami, M. Honjo, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, T. Yoshida, T. Kitamura, M. Shibata, Y. Mori

he 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月11日
Fabrication of crack-free freestanding GaN substrates by dissolution of sapphire substrates using Li after the Na-flux growth

T. Yamada, M. Imanishi, K. Nakamura, K. Murakami, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Honjo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月11日
Enhancement of Lateral Growth of the GaN Crystal with Extremely Low Dislocation Density during theNa-flux Growth on a Point Seed

M. Hayashi, M. Imanishi, T. Yamada, D. Matsuo, K. Murakami, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y.Mori

2016年8月
Suppression of V-shape Valley Formation at the Coalescence Boundary in 4-inch GaN Crystals Growtn from Multiple HVPE Wafers by the Na-flux Growth

M. Imanishi, K. Murakami, M. Honjo, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, T. Yoshida, T. Kitamura, M. Shibata, Y. Mori

2016年8月
Fabrication of Crack-Free Freestanding GaN Substrates by Dissolution of Sapphire Substrates using Li after the Na-Flux Growth

T. Yamada, M. Imanishi, K. Nakamura, K. Murakami, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Honjo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’16 (LEDIA’16)　2016年5月19日
種結晶GaN表面および成長モードを制御したNaフラックスGaNの欠陥構造解析

水田祐貴, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年
X線マイクロ回折による種結晶表面・成長モード制御NaフラックスGaNの微視的結晶構造解析

水田祐貴, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 今井康彦, 木村滋, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年
窒化物半導体の成長表・界面制御と転位挙動-Naフラックス成長GaN結晶を中心に-

酒井朗, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 中村芳明, 今西正幸, 今出完, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年
Controlling the Growth Habit of Early Stage in the Na-Flux Coalescence Growth by the Dipping Technique

K. Nakamura, M. Imanishi, T. Sato, K. Murakami, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

Conference on LED and its industrial application '14 (LEDIA '14)　2014年4月24日
Naフラックス結合成長法における成長ハビットと転位挙動の関係

今西正幸, 村上航介, 今林弘毅, 高澤秀生, 松尾大輔, 轟夕摩, 丸山美帆子, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 今出完, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年
Fabrication of 2-inch-diameter GaN wafers via coalescence growth on GaN point seeds using the Na-flux method

M. Imanishi, K. Murakami, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

JSAP- MRS Joint Symposia 2013, Doshisha University　2013年9月17日
Growth of 2-Inch-Diameter GaN Wafers via Coalescence Growth Using the Na-Flux Method

M. Imanishi, K. Murakami, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013年8月28日
Fabrication of bulk GaN crystals by Na flux method with a necking technique and a coalescence growth

Y. Mori, M. Imanishi, K. Murakami, D. Matsuo, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, A. Kitamoto, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura

2013年8月14日
Coalescence growth of GaN crystals for fabrication of large-diameter GaN wafers using the Na flux method

M. Imanishi, K. Murakami, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, D. Matsuo, M. Murakami, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

2013年4月25日
The coalescence growth of high-quality GaN crystals using the Na flux method

M. Imanishi, K. Murakami, H. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)　2012年10月16日
Fabrication of OVPE-GaN substrate with low absorption coefficient by defect suppression for laser slicing

Hiroaki Mifune, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2011年10月11日

特許・実用新案・意匠 86

ＩＩＩ族窒化物基板およびＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

特許7117732

出願日:2018/07/11

登録日:2028/08/04
III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央

特許第7500293号

出願日:2020/06/12

登録日:2024/06/07
ＩＩＩ族窒化物結晶、ＩＩＩ族窒化物基板、及びＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央

特許7500293

出願日:2020/06/12

登録日:2024/06/07
III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央

特許第7497222号

出願日:2020/06/12

登録日:2024/05/31
ＩＩＩ族窒化物結晶、ＩＩＩ族窒化物基板、及びＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央

特許7497222

出願日:2020/06/12

登録日:2024/05/31
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

特許第7496575号

出願日:2020/07/03

登録日:2024/05/30
III族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具

岩田康生, 守山実希, 森勇介, 今西正幸

特許第7486118号

出願日:2020/04/09

登録日:2024/05/09
ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具

森勇介, 今西正幸, 岩田康夫, 守山実希

特許7486118

出願日:2020/04/09

登録日:2024/05/09
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

特許7496575

出願日:2020/07/03

登録日:2024/04/30
ＩＩＩ族窒化物基板

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

特許7459180

出願日:2022/07/22

登録日:2024/03/22
III族窒化物基板

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

特許第7459180号

出願日:2019/09/24

登録日:2024/03/22
金属の回収方法及び窒化ガリウムの製造方法

守山実希, 上田幹人, 鈴木樹生, 森勇介, 今西正幸

特許第7403118号

出願日:2019/10/17

登録日:2023/12/14
ガリウムの製造方法、ナトリウムの製造方法、窒化ガリウムの製造方法

守山実希, 上田幹人, 鈴木樹生, 森勇介, 今西正幸

特許7403118

出願日:2019/10/17

登録日:2023/12/14
III族窒化物結晶の製造方法および種基板

岡山芳央, 小松真介, 多田昌浩, 森勇介, 今西正幸, 吉村政志

特許第7264343号

出願日:2019/02/20

登録日:2023/04/17
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 小松真介, 多田昌浩, 岡山芳央

特許7221493

出願日:2019/02/18

登録日:2023/02/26
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮

特許第7228185号

出願日:2019/02/04

登録日:2023/02/15
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 小松真介, 多田昌浩, 岡山芳央

特許第7221493号

出願日:2019/02/18

登録日:2023/02/06
III族元素窒化物結晶の製造方法及び製造装置

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一

特許第7182166号

出願日:2019/02/12

登録日:2022/11/24
ＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法及び製造装置

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野, 淳一

特許7182166

出願日:2019/02/12

登録日:2022/11/24
III族窒化物結晶の製造方法および製造装置

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 多田昌浩, 小松真介, 岡山芳央

特許第7169585号

出願日:2019/01/28

登録日:2022/11/02
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および製造装置

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 多田昌浩, 小松真介, 岡山芳央

特許7169585

出願日:2019/01/28

登録日:2022/11/02
III族窒化物基板およびIII族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

特許第7117732号

出願日:2018/07/11

登録日:2022/08/04
III-V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 森數洋司, 田畑晋, 諸徳寺匠

特許第7117690号

出願日:2017/09/21

登録日:2022/08/04
ＩＩＩ－V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 森數洋司, 田畑晋, 諸徳寺匠

特許7117690

出願日:2017/09/21

登録日:2022/08/04
III族窒化物基板

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

特許第7112379号

出願日:2019/09/24

登録日:2022/07/26
ＩＩＩ族窒化物基板

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

特許7112379

出願日:2019/09/24

登録日:2022/07/26
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 岡山芳央

特許第7072769号

出願日:2018/03/02

登録日:2022/05/13
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 岡山芳央

特許7072769

出願日:2018/03/02

登録日:2022/05/13
窒化物半導体膜の形成方法

高橋伸明, 三浦仁嗣, 根石浩司, 片山竜二, 森勇介, 今西正幸

特許第7029715号

出願日:2019/10/02

登録日:2022/02/24
III族窒化物結晶の製造方法

多田昌浩, 小松真介, 森勇介, 今西正幸

特許6998453

出願日:2018/04/24

登録日:2021/12/22
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 岡本貴敏

特許第6989924号

出願日:2018/05/11

登録日:2021/12/07
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 岡本貴敏

特許6989924

出願日:2018/05/11

登録日:2021/12/07
半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法

吉田丈洋, 柴田真佐知, 北村寿朗, 森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸

特許第6906205号

出願日:2017/08/01

登録日:2021/07/01
半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法

吉田丈洋, 柴田真佐知, 北村寿朗, 森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸

特許6906205

出願日:2017/08/01

登録日:2021/07/01
窒化物結晶基板の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋

特許第6731590号

出願日:2016/05/02

登録日:2020/07/09
窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋

特許6731590

出願日:2016/05/02

登録日:2020/07/09
窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋

特許第6604205号

出願日:2016/01/05

登録日:2019/10/25
窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋

特許6604205

出願日:2016/01/05

登録日:2019/10/25
III族窒化物結晶および半導体装置の製造方法

森勇介, 今出完, 吉村政志, 平尾美帆子, 今西正幸

特許第5904421号

出願日:2013/01/10

登録日:2016/03/25
窒化物半導体膜の形成方法

高橋伸明, 三浦仁嗣, 根石浩司, 片山竜二, 森勇介, 今西正幸

WO2020-075599

出願日:2019/10/02
III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶および半導体装置

森勇介, 今出完, 吉村政志, 平尾美帆子, 今西正幸

WO2013-105618

出願日:2013/01/10
ＩＩＩ族窒化物結晶、ＩＩＩ族窒化物基板、及びＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央

出願日:2024/06/12
III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央

出願日:2024/06/05
III族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具

岩田康生, 守山実希, 森勇介, 今西正幸

出願日:2024/04/23
ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具

岩田康生, 守山実希, 森勇介, 今西正幸

出願日:2024/04/23
III族窒化物基板

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

出願日:2024/03/19
ＩＩＩ族窒化物基板

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

出願日:2024/03/19
金属酸化物結晶の製造方法、金属酸化物エピタキシャル結晶積層基板の製造方法、半導体装置の製造方法、金属酸化物結晶、金属酸化物エピタキシャル結晶積層基板、半導体装置、及び金属酸化物結晶製造装置

今西正幸, 森勇介, 荒木理恵, 秦雅彦

出願日:2021/09/18
III族窒化物結晶の製造装置及びIII族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 滝野淳一, 布袋田暢行, 松野俊一

出願日:2021/06/28
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置及びＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 滝野淳一, 布袋田暢行, 松野俊一

出願日:2021/06/28
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 滝野淳一, 松野俊一

出願日:2021/06/24
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 滝野淳一, 松野俊一

出願日:2021/06/02
III族窒化物結晶の製造装置及び製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 北本啓, 滝野淳一, 布袋田暢行, 松野俊一

出願日:2021/04/23
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置及び製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 北本啓, 滝野淳一, 布袋田暢行, 松野俊一

出願日:2021/04/23
III族窒化物結晶の製造方法及びIII族窒化物結晶

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 北本啓, 滝野淳一

出願日:2021/04/12
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法及びＩＩＩ族窒化物結晶

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 北本啓
III族窒化物基板

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

出願日:2022/07/22
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

出願日:2020/07/03
III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央

出願日:2020/06/12
III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央

出願日:2020/06/12
III族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具

岩田康生, 守山実希, 森勇介, 今西正幸

出願日:2020/04/09
ガリウムの製造方法、ナトリウムの製造方法、窒化ガリウムの製造方法

守山実希, 上田幹人, 鈴木樹生, 森勇介, 今西正幸

出願日:2019/10/17
III族窒化物基板

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

出願日:2019/09/24
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 岡山芳央, 小松真介

出願日:2019/05/17
III族窒化物結晶の製造方法および種基板

岡山芳央, 小松真介, 多田昌浩, 森勇介, 今西正幸, 吉村政志

出願日:2019/02/20
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および種基板

岡山芳央, 小松真介, 多田昌浩, 森勇介, 今西正幸, 吉村政志

出願日:2019/02/20
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 小松真介, 多田昌浩, 岡山芳央

出願日:2019/02/18
III族元素窒化物結晶の製造方法及び製造装置

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一

出願日:2019/02/12
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮

出願日:2019/02/04
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮

出願日:2019/02/04
III族窒化物結晶の製造方法および製造装置

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 多田昌浩, 小松真介, 岡山芳央

出願日:2019/01/28
III族窒化物基板およびIII族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央

出願日:2018/07/11
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置及び製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 北本啓, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央

出願日:2018/06/28
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 岡本貴敏

出願日:2018/05/11
III族窒化物結晶の製造方法

多田昌浩, 小松真介, 森勇介, 今西正幸

出願日:2018/04/24
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

多田昌浩, 小松真介, 森勇介, 今西正幸

出願日:2018/04/19
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

小松真介, 多田昌浩, 森勇介, 今西正幸

出願日:2018/04/18
III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 岡山芳央

出願日:2018/03/02
III-V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 森數洋司, 田畑晋, 諸徳寺匠

出願日:2017/09/21
半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法

吉田丈洋, 柴田真佐知, 北村寿朗, 森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸

出願日:2017/08/01
窒化ガリウム微結晶凝集体の製造方法及び窒化ガリウム微結晶凝集体の製造装置

根石浩司, 三浦仁嗣, 森勇介, 今出完, 吉村政志, 今西正幸

出願日:2018/08/07
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 北本啓, 伊勢村雅士

出願日:2016/10/04
窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋

出願日:2016/05/02
窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋

出願日:2016/01/05
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶および半導体装置

竹内正太郎, 酒井朗, 浅津宏伝, 森勇介, 今出完, 吉村政志, 平尾美帆子, 今西正幸

出願日:2015/02/17
III族窒化物結晶および半導体装置の製造方法

森勇介, 今出完, 吉村政志, 平尾美帆子, 今西正幸

特許5904421

出願日:2013/01/10

機関リポジトリ 9

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

High-speed and long-time growth of GaN by suppressing gas-phase reaction in the oxide vapor phase epitaxy method

Usami Shigeyoshi, Shimizu Ayumu, Higashiyama Ritsuko, Imanishi Masayuki, Takino Junichi, Sumi Tomoaki, Okayama Yoshio, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi, Hata Masahiko, Isemura Masashi, Mori Yusuke

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 5　2025年5月15日
Characteristics of Vertical Transistors on a GaN Substrate Fabricated via Na-Flux Method and Enlargement of the Substrate Surpassing 6 Inches

Imanishi Masayuki, Usami Shigeyoshi, Murakami Kosuke, Okumura Kanako, Nakamura Kosuke, Kakinouchi Keisuke, Otoki Yohei, Yamashita Tomio, Tsurumi Naohiro, Tamura Satoshi, Ohno Hiroshi, Okayama Yoshio, Fujimori Taku, Nagai Seiji, Moriyama Miki, Mori Yusuke

Physica Status Solidi - Rapid Research Letters　Vol. 18　No. 11　2024年6月26日
The impact of crystal phase transition on the hardness and structure of kidney stones

Michibata Uta, Maruyama Mihoko, Tanaka Yutaro, Yoshimura Masashi, Yoshikawa Hiroshi Y., Takano Kazufumi, Furukawa Yoshihiro, Momma Koichi, Tajiri Rie, Taguchi Kazumi, Hamamoto Shuzo, Okada Atsushi, Kohri Kenjiro, Yasui Takahiro, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke

Urolithiasis　Vol. 52　2024年4月2日
Elastic constants of GaN grown by the oxide vapor phase epitaxy method

Fukuda Hiroki, Nagakubo Akira, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke, Ogi Hirotsugu

Applied Physics Express　Vol. 17　No. 1　2024年1月1日
Evidence for Solution-Mediated Phase Transitions in Kidney Stones: Phase Transition Exacerbates Kidney Stone Disease

Maruyama Mihoko, Tanaka Yutaro, Momma Koichi, Furukawa Yoshihiro, Yoshikawa Hiroshi Y., Tajiri Rie, Nakamura Masanori, Taguchi Kazumi, Hamamoto Shuzo, Ando Ryosuke, Tsukamoto Katsuo, Takano Kazufumi, Imanishi Masayuki, Usami Shigeyoshi, Kohri Kenjiro, Okada Atsushi, Yasui Takahiro, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

Crystal Growth and Design　Vol. 23　No. 6　p. 4285-4293　2023年6月7日
OVPE 法で作製したGaN 単結晶のフォトルミネッセンス評価

今西正幸, 宇佐美茂佳

大阪大学低温センターだより　Vol. 172　p. 9-12　2022年1月
Growth of Acetaminophen Polymorphic Crystals and Solution-Mediated Phase Transition from Trihydrate to Form II in Agarose Gel

Nishigaki Akari, Maruyama Mihoko, Tanaka Shun Ichi, Yoshikawa Hiroshi Y, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke, Takano Kazufumi

Crystals　Vol. 11　No. 9　2021年9月5日
Na フラックス法による GaN 結晶の大口径化とその光学特性評価

今西正幸

大阪大学低温センターだより　Vol. 170　p. 2-7　2020年1月
Naフラックス結合成長法による低転位窒化ガリウム結晶作製技術

今西正幸