今西 正幸
Imanishi Masayuki
工学研究科 電気電子情報通信工学専攻,准教授
keyword 酸化ガリウム,パワーデバイス,ワイドギャップ半導体,結晶成長,ポイントシード,Naフラックス法
学歴
- 2013年04月 ~ 2016年03月,大阪大学,大学院工学研究科,電気電子情報工学専攻
- 2012年04月 ~ 2013年03月,大阪大学,大学院工学研究科,電気電子情報工学専攻
- ~ 2012年03月,大阪大学,工学部,電子情報工学
経歴
- 2020年10月 ~ 継続中,大阪大学,大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻,准教授
- 2018年04月 ~ 継続中,大阪大学,大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター,助教
- 2018年 ~ 2020年09月,大阪大学,大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻,助教
- 2016年09月 ~ 2018年03月,大阪大学,大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター,助教
- 2016年04月 ~ 2016年08月,大阪大学,大学院工学研究科,特任研究員(常勤)
研究内容・専門分野
- ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学),電気電子材料工学
所属学会
- 日本結晶成長学会
- 応用物理学会結晶工学分科会
- 応用物理学会
論文
- Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect,Takahiro Kawamura,Ryogo Nishiyama,Toru Akiyama,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 649,p. 127948-1-127948-6,2025年01月,研究論文(学術雑誌)
- Characteristics of Vertical Transistors on a GaN Substrate Fabricated via Na‐Flux Method and Enlargement of the Substrate Surpassing 6 Inches,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Kosuke Murakami,Kanako Okumura,Kosuke Nakamura,Keisuke Kakinouchi,Yohei Otoki,Tomio Yamashita,Naohiro Tsurumi,Satoshi Tamura,Hiroshi Ohno,Yoshio Okayama,Taku Fujimori,Seiji Nagai,Miki Moriyama,Yusuke Mori,physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters,Wiley,p. 2400106-1-2400106-10,2024年06月26日,研究論文(学術雑誌)
- Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in GaN substrates by nanobeam x-ray diffraction,T. Hamachi,T. Tohei,Y. Hayashi,S. Usami,M. Imanishi,Y. Mori,K. Sumitani,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 135,No. 22,2024年06月11日,研究論文(学術雑誌)
- Calcium phosphate controls nucleation and growth of calcium oxalate crystal phases in kidney stones,Uta MICHIBATA,Mihoko MARUYAMA,Yutaro TANAKA,Masashi YOSHIMURA,Hiroshi YOSHIKAWA,Kazufumi TAKANO,Yoshihiro FURUKAWA,Koichi MOMMA,Rie TAJIRI,Kazumi TAGUCHI,Shuzo HAMAMOTO,Atsushi OKADA,Kenjiro KOHRI,Takahiro YASUI,Shigeyoshi USAMI,Masashi IMANISHI,Yusuke MORI,Biomedical Research (Tokyo),Biomedical Research Press,Vol. 45,No. 3,p. 103-113,2024年06月03日,研究論文(学術雑誌)
- The impact of crystal phase transition on the hardness and structure of kidney stones,Uta Michibata,Mihoko Maruyama,Yutaro Tanaka,Masashi Yoshimura,Hiroshi Y. Yoshikawa,Kazufumi Takano,Yoshihiro Furukawa,Koichi Momma,Rie Tajiri,Kazumi Taguchi,Shuzo Hamamoto,Atsushi Okada,Kenjiro Kohri,Takahiro Yasui,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Urolithiasis,Springer Science and Business Media LLC,Vol. 52,No. 1,2024年04月02日,研究論文(学術雑誌)
- Origin of Black Color in Heavily Doped n‐Type GaN Crystal,Tomoaki Sumi,Junichi Takino,Yoshio Okayama,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,physica status solidi (b),Wiley,p. 2400027-1-2400027-7,2024年03月16日,研究論文(学術雑誌)
- Suppression of polycrystal nucleation by methane addition at moderate timing to maintain GaN crystal growth on point seeds in the Na-flux method,Kazuma Hamada,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 627,p. 127522-1-127522-6,2024年02月,研究論文(学術雑誌)
- Preparation of a freestanding GaN substrate in the Na-flux method by laser-assisted separation,Kazuma Hamada,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 62,No. 12,p. 125503-1-125503-6,2023年12月01日,研究論文(学術雑誌)
- Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate,Toshikazu Sato,Takeaki Hamachi,Tetsuya Tohei,Yusuke Hayashi,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Yusuke Mori,Akira Sakai,Materials Science in Semiconductor Processing,Vol. 167,2023年11月15日,研究論文(学術雑誌)
- Elastic constants of GaN grown by oxide-vapor-phase-epitaxy method,Hiroki Fukuda,Akira NAGAKUBO,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Hirotsugu OGI,Applied Physics Express,IOP Publishing,2023年11月10日,研究論文(学術雑誌)
- Reducing GaN crystal dislocations through lateral growth on uneven seed crystal surfaces using the Na-flux method,Shogo Washida,Masayuki Imanishi,Ricksen Tandryo,Kazuma Hamada,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 62,No. 10,p. 105503-1-105503-7,2023年10月01日,研究論文(学術雑誌)
- Monitoring of GaN crystal growth rate in the Na flux growth via electroresistometry of Ga-Na solution,Ricksen Tandryo,Koichi Itozawa,Kosuke Murakami,Hitoshi Kubo,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 617,p. 127292-1-127292-8,2023年09月,研究論文(学術雑誌)
- Thermodynamic analysis of oxide vapor phase epitaxy of GaN,Yuki Sakurai,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Tomoaki Sumi,Junichi Takino,Yoshio Okayama,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 134,No. 8,2023年08月28日,研究論文(学術雑誌)
- MP05-07 VALIDATING THE THEORY OF PHASE TRANSITION FROM CALCIUM OXALATE DIHYDRATE TO MONOHYDRATE IN THE STONE FORMATION: THE FIRST ARTIFICIAL IN VIVO EXPERIMENT,Mihoko Maruyama,Uta Michibata,Yutaro Tanaka,Hiroshi Yoshikawa,Kazufumi Takano,Rie Tajiri,Kazumi Taguchi,Shuzo Hamamoto,Atsushi Okada,Takahiro Yasui,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Urology,Ovid Technologies (Wolters Kluwer Health),Vol. 209,No. Supplement 4,2023年04月,研究論文(学術雑誌)
- Evidence for Solution-Mediated Phase Transitions in Kidney Stones: Phase Transition Exacerbates Kidney Stone Disease,Mihoko Maruyama,Yutaro Tanaka,Koichi Momma,Yoshihiro Furukawa,Hiroshi Y. Yoshikawa,Rie Tajiri,Masanori Nakamura,Kazumi Taguchi,Shuzo Hamamoto,Ryosuke Ando,Katsuo Tsukamoto,Kazufumi Takano,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Kenjiro Kohri,Atsushi Okada,Takahiro Yasui,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Crystal Growth & Design,American Chemical Society ({ACS}),p. 4285-4293,2023年04月,研究論文(学術雑誌)
- Quantitative analysis of calcium oxalate monohydrate and dihydrate for elucidating the formation mechanism of calcium oxalate kidney stones,Mihoko Maruyama,Koichi P. Sawada,Yutaro Tanaka,Atsushi Okada,Koichi Momma,Masanori Nakamura,Ryota Mori,Yoshihiro Furukawa,Yuki Sugiura,Rie Tajiri,Kazumi Taguchi,Shuzo Hamamoto,Ryosuke Ando,Katsuo Tsukamoto,Kazufumi Takano,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Takahiro Yasui,Yusuke Mori,PLOS ONE,Public Library of Science ({PLoS}),Vol. 18,No. 3,p. e0282743-e0282743,2023年03月09日,研究論文(学術雑誌)
- Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates,Takeaki Hamachi,Tetsuya Tohei,Yusuke Hayashi,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Yusuke Mori,Akira Sakai,Scientific Reports,Springer Science and Business Media LLC,Vol. 13,No. 1,p. 2434-1-2434-14,2023年02月10日,研究論文(学術雑誌)
- OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響,河村 貴宏,秋山 亨,宇佐美 茂佳,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,森川 良忠,寒川 義裕,日本結晶成長学会誌,日本結晶成長学会,Vol. 50,No. 1,2023年
- Effects of pulse duration on laser-induced crystallization of urea from 300 to 1200 fs: impact of cavitation bubbles on crystal nucleation,Yuka Tsuri,Mihoko Maruyama,Katsuo Tsukamoto,Hiroaki Adachi,Kazufumi Takano,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Hiroshi Y. Yoshikawa,Yusuke Mori,Applied Physics A,Springer Science and Business Media LLC,Vol. 128,No. 9,p. 803-1-803-7,2022年09月,研究論文(学術雑誌)
- Metastable Crystallization by Drop Impact,Akari Nishigaki,Mihoko Maruyama,Shun-ichi Tanaka,Hiroshi Y. Yoshikawa,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Kazufumi Takano,Crystals,MDPI AG,Vol. 12,No. 8,p. 1104-1-1104-7,2022年08月06日,研究論文(学術雑誌)
- Kyropoulos growth of a 300 g SrB4O7 single crystal using a twin-type stirring blade,Yasunori Tanaka,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Melvin John F. Empizo,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 61,No. 7,p. 075503-1-075503-5,2022年07月01日,研究論文(学術雑誌)
- Determination of the electron trap level in Fe-doped GaN by phonon-assisted conduction phenomenon,Hiroki Fukuda,Akira Nagakubo,Shigeyoshi Usami,Masashi Ikeda,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Kanta Adachi,Hirotsugu Ogi,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 15,No. 7,p. 071003-1-071003-5,2022年05月30日,研究論文(学術雑誌)
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Promising Results of National Project by Japanese Ministry of the Environment to Develop GaN on GaN Power Devices and Prove their Usefulness in Real Systems,Yohei Otoki,Masatomo Shibata,Tomoyoshi Mishima,Hiroshi Ohta,Yusuke Mori,Masayuki Imanishi,Satoshi Tamura,Kazunori Kidera,Junichi Takino,Yoshio Okayama,Keiji Watanabe,Naoya Okamoto,Yoshio Honda,Masayoshi Yamamoto,Koji Shiozaki,Hiroshi Amano,CS MANTECH Conference 2022,p. 237-242,2022年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Bulk laser-induced damage resistance of SrB4O7 single crystals under 266 nm DUV laser irradiation,Yutaka Maegaki,Yasunori Tanaka,Haruki Marui,Atsushi Koizumi,Kota Tanaka,Tomosumi Kamimura,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Melvin John F. Empizo,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 61,No. 5,p. 052005-1-052005-5,2022年05月01日,研究論文(学術雑誌)
- Influence of oxygen-related defects on the electronic structure of GaN,Satoshi Ohata,Takahiro Kawamura,Toru Akiyama,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Tomoaki Sumi,Junichi Takino,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing Ltd,Vol. 61,No. 6,p. 061004-1-061004-5,2022年05月,研究論文(学術雑誌)
- Suppression of newly generated threading dislocations at the regrowth interface of a GaN crystal by growth rate control in the Na-flux method,Hyoga Yamauchi,Ricksen Tandryo,Takumi Yamada,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 61,No. 5,p. 055505/1-055505/6,2022年05月01日,研究論文(学術雑誌)
- Effect of additional N2O gas on the suppression of polycrystal formation and high-rate GaN crystal growth by OVPE method,Ayumu Shimizu,Akira Kitamoto,Masahiro Kamiyama,Shintaro Tsuno,Keiju Ishibashi,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Tomoaki Sumi,Junichi Takino,Yoshio Okayama,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 581,p. 126495-1-126495-5,2022年03月,研究論文(学術雑誌)
- High-rate OVPE-GaN crystal growth at a very high temperature of 1300 °C,Ayumu Shimizu,Shigeyoshi Usami,Masahiro Kamiyama,Itsuki Kawanami,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 15,No. 3,p. 035503-1-035503-5,2022年03月01日,研究論文(学術雑誌)
- Terahertz time-domain ellipsometry with high precision for the evaluation of GaN crystals with carrier densities up to 1020 cm−3,Verdad C. Agulto,Toshiyuki Iwamoto,Hideaki Kitahara,Kazuhiro Toya,Valynn Katrine Mag-usara,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Makoto Nakajima,Scientific Reports,Springer Science and Business Media LLC,Vol. 11,No. 1,p. 18129-1-18129-10,2021年12月,研究論文(学術雑誌)
- Terahertz time-domain spectroscopy of wide-bandgap semiconductors GaN and β-Ga2O3,Verdad C. Agulto,Toshiyuki Iwamoto,Kazuhiro Toya,Valynn Katrine Mag-Usara,Masayuki Imanishi,Ken Goto,Hisashi Murakami,Yoshinao Kumagai,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Makoto Nakajima,Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering,Vol. 12057,2021年11月01日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Growth of Acetaminophen Polymorphic Crystals and Solution-Mediated Phase Transition from Trihydrate to Form II in Agarose Gel,Akari Nishigaki,Mihoko Maruyama,Shun-ichi Tanaka,Hiroshi Y. Yoshikawa,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Kazufumi Takano,Crystals,MDPI AG,Vol. 11,No. 9,p. 1069-1-1069-12,2021年09月05日,研究論文(学術雑誌)
- Floral design GaN crystals: low-resistive and low-dislocation-density growth by oxide vapor phase epitaxy,Junichi Takino,Tomoaki Sumi,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 60,No. 9,p. 095501-1-095501-11,2021年09月01日,研究論文(学術雑誌)
- Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation,Akira Uedono,Junichi Takino,Tomoaki Sumi,Yoshio Okayama,Masayuki Imanishi,Shoji Ishibashi,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 570,p. 126219-1-126219-6,2021年09月,研究論文(学術雑誌)
- Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE),2021年08月09日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates,T. Hamachi,T. Tohei,Y. Hayashi,M. Imanishi,S. Usami,Y. Mori,N. Ikarashi,A. Sakai,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 129,No. 22,p. 225701-1-225701-19,2021年06月14日,研究論文(学術雑誌)
- Activation free energies for formation and dissociation of N–N, C–C, and C–H bonds in a Na–Ga melt,Takahiro Kawamura,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Yoshitada Morikawa,Computational Materials Science,Elsevier BV,Vol. 194,p. 110366-110366,2021年06月,研究論文(学術雑誌)
- Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping,Mayuko Tsukakoshi,Tomoyuki Tanikawa,Takumi Yamada,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masahiro Uemukai,Ryuji Katayama,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 14,No. 5,p. 055504-1-055504-4,2021年05月01日,研究論文(学術雑誌)
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Measurement of Optically Dense Semiconductor with 1020 cm-3 Carrier Density by Terahertz Time-Domain Ellipsometry,Verdad C. Agulto,Toshiyuki Iwamoto,Hideaki Kitahara,Kazuhiro Toya,Valynn Katrine Mag-Usara,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Makoto Nakajima,Optics InfoBase Conference Papers,2021年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Effects of entrapped gas on the surface of a plastic ball induced by ultrasonic irradiation on the enhancement of crystallization of acetaminophen form II,Yuka Tsuri,Nana Inaoka,Mihoko Maruyama,Katsuo Tsukamoto,Hiroaki Adachi,Hiroshi Y. Yoshikawa,Kazufumi Takano,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 557,p. 125994-1-125994-7,2020年12月,研究論文(学術雑誌)
- Evaluation for GaN single crystals with high doping concentration by the terahertz ellipsometry,M. Nakajima,T. Iwamoto,H. Kitahara,K. Toya,V. K. P. Mag-usara,Y. Koike,T. Shimizu,M. Imanishi,Y. Mori,M. Yoshimura,2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz),IEEE,2020年11月08日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces,Takahiro Kawamura,Toru Akiyama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Yoshitada Morikawa,Yoshihiro Kangawa,Koichi Kakimoto,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 549,p. 125868-1-125868-7,2020年11月,研究論文(学術雑誌)
- Local piezoelectric properties in Na-flux GaN bulk single crystals,A. Ueda,T. Hamachi,A. Okazaki,S. Takeuchi,T. Tohei,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,A. Sakai,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 128,No. 12,p. 125110-1-125110-8,2020年09月28日,研究論文(学術雑誌)
- High surface laser-induced damage threshold of SrB4O7 single crystals under 266-nm (DUV) laser irradiation,Yasunori Tanaka,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Tsuyoshi Sugita,Daisetsu Toh,Kazuto Yamauchi,Sora Aikawa,Haruki Marui,Yuji Umeda,Yusuke Funamoto,Tomosumi Kamimura,Melvin John F. Empizo,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Optics Express,The Optical Society,Vol. 28,No. 20,p. 29239-29239,2020年09月28日,研究論文(学術雑誌)
- High-rate OVPE-GaN growth by the suppression of polycrystal formation with additional H2O vapor in a high-temperature condition,Ayumu Shimizu,Shintaro Tsuno,Masahiro Kamiyama,Keiju Ishibashi,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 13,No. 9,p. 095504-1-095504-5,2020年09月01日,研究論文(学術雑誌)
- Anomalous dislocation annihilation behavior observed in a GaN crystal grown on point seeds by the Na-flux method,Masayuki Imanishi,Kanako Okumura,Kousuke Nakamura,Tomoko Kitamura,Keisuke Kakinouchi,Kosuke Murakami,Masashi Yoshimura,Yu Fujita,Yoshiyuki Tsusaka,Junji Matsui,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 13,No. 8,p. 085510-085510,2020年08月01日,研究論文(学術雑誌)
- Microflow system promotes acetaminophen crystal nucleation,Akari Nishigaki,Mihoko Maruyama,Munenori Numata,Chisako Kanzaki,Shun-Ichi Tanaka,Hiroshi Y. Yoshikawa,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Kazufumi Takano,Engineering in Life Sciences,WILEY,Vol. 20,No. 9-10,p. 395-401,2020年07月14日,研究論文(学術雑誌)
- Extreme reduction of on-resistance in vertical GaN p–n diodes by low dislocation density and high carrier concentration GaN wafers fabricated using oxide vapor phase epitaxy method,Junichi Takino,Tomoaki Sumi,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Naomi Asai,Hiroshi Ohta,Tomoyoshi Mishima,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 13,No. 7,p. 071010-071010,2020年07月01日,研究論文(学術雑誌)
- Temperature dependence of nitrogen dissolution on Na flux growth,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Kanako Okumura,Takumi Yamada,Tomoko Kitamura,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 535,p. 125549-125549,2020年04月,研究論文(学術雑誌)
- Growth of GaN layers using Ga2O vapor synthesized from Ga2O3 and carbon,Akira Kitamoto,Yohei Yamaguchi,Shintaro Tsuno,Keiju Ishibashi,Yoshikazu Gunji,Masayuki Imanishi,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 535,p. 125524-1-125524-4,2020年04月,研究論文(学術雑誌)
- Growth of GaN single crystals with high transparency by the Li-added Na-flux method,Tatsuhiko Nakajima,Masayuki Imanishi,Takumi Yamada,Kosuke Murakami,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 535,p. 125478-125478,2020年04月,研究論文(学術雑誌)
- Fabrication of GaN crystals with low threading dislocation density and low resistivity by thin flux growth in the Na-flux point seed technique,Kiyoto Endo,Masayuki Imanishi,Hitoshi Kubo,Takumi Yamada,Kosuke Murakami,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 59,No. 3,p. 035501-035501,2020年03月01日,研究論文(学術雑誌)
- Fabrication of a 1.5-inch freestanding GaN substrate by selective dissolution of sapphire using Li after the Na-flux growth,Takumi Yamada,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Kosuke Nakamura,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 533,p. 125462-125462,2020年03月,研究論文(学術雑誌)
- Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化,リクセン タンドリーヨ,村上 航介,山田 拓海,北村 智子,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,応用物理学会学術講演会講演予稿集,公益社団法人 応用物理学会,Vol. 2020.1,p. 3093-3093,2020年02月28日
- Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング,糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上 航介,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,応用物理学会学術講演会講演予稿集,公益社団法人 応用物理学会,Vol. 2020.1,p. 3092-3092,2020年02月28日
- Intergrowth of two aspirin polymorphism observed with Raman spectroscopy,Yuka Tsuri,Mihoko Maruyama,Hiroshi Y. Yoshikawa,Shino Okada,Hiroaki Adachi,Kazufumi Takano,Katsuo Tsukamoto,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 532,p. 125430-125430,2020年02月,研究論文(学術雑誌)
- Influence of GaN/sapphire contact area on bowing of GaN wafer grown by the Na-flux method with a sapphire dissolution process,Takumi Yamada,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Kosuke Nakamura,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 59,No. 2,p. 025505-025505,2020年02月01日,研究論文(学術雑誌)
- Growth of large and high quality CsLiB6O10 crystals from self-flux solutions for high resistance against UV laser-induced degradation,Ryota Murai,Taishi Fukuhara,Go Ando,Yasunori Tanaka,Yoshinori Takahashi,Kazuhisa Matsumoto,Hiroaki Adachi,Mihoko Maruyama,Masayuki Imanishi,Kosaku Kato,Makoto Nakajima,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 12,No. 7,p. 075501-075501,2019年07月01日,研究論文(学術雑誌)
- Development of a 2-inch GaN wafer by using the oxide vapor phase epitaxy method,Junichi Takino,Tomoaki Sumi,Yoshio Okayama,Masaki Nobuoka,Akira Kitamoto,Msayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 58,No. SC,p. SC1043-1-SC1043-6,2019年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- Evaluation of dislocations under the electrodes of GaN pn diodes by X-ray topography,Masakazu Kanechika,Satoshi Yamaguchi,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 58,No. SC,p. SCCD22-1-SCCD22-4,2019年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- Monitoring of Ga-Na melt electrical resistance and its correlation with crystal growth on the Na Flux method,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Tomoko Kitamura,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 12,No. 6,p. 065502-1-065502-5,2019年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- Recent progress of Na-flux method for GaN crystal growth,Yusuke Mori,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Masashi Yoshimura,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 58,No. SC,p. SC0803-1-SC0803-10,2019年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- Effect of methane additive on GaN growth using the OVPE method,Akira Kitamoto,Junichi Takino,Tomoaki Sumi,Masahiro Kamiyama,Shintaro Tsuno,Keiju Ishibashi,Yoshikazu Gunji,Masayuki Imanishi,Yoshio Okayama,Masaki Nobuoka,Masashi Isemura,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 58,No. SC,p. SC1021-1-SC1021-5,2019年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction,Kazuki Shida,Nozomi Yamamoto,Tetsuya Tohei,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Kazushi Sumitani,Yasuhiko Imai,Shigeru Kimura,Akira Sakai,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 58,No. SC,p. SCCB16-1-SCCB16-6,2019年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- Correlation between current leakage and structural properties of threading dislocations in GaN bulk single crystals grown using a Na-flux method,Takeaki Hamachi,Tetsuya Tohei,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Akira Sakai,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 58,No. SC,p. SCCB23-1-SCCB23-6,2019年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- Low resistive and low dislocation GaN wafer produced by OVPE method,Junichi Takino,Tomoaki Sumi,Yoshio Okayama,Masaki Nobuoka,Akira Kitamoto,Msayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings,Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.,2019年05月01日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method,Takeaki Hamachi,Tetsuya Tohei,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Akira Sakai,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 58,No. 5,p. 050918-1-050918-4,2019年05月01日,研究論文(学術雑誌)
- Large-scale crystallization of acetaminophen trihydrate by a novel stirring technique,Riki Fujimoto,Mihoko Maruyama,Shino Okada,Hiroaki Adachi,Hiroshi Y. Yoshikawa,Kazufumi Takano,Masayuki Imanishi,Katsuo Tsukamoto,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 12,No. 4,p. 045503-045503,2019年04月01日,研究論文(学術雑誌)
- Promotion of lateral growth of GaN crystals on point seeds by extraction of substrates from melt in the Na-flux method,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Takumi Yamada,Keisuke Kakinouchi,Kosuke Nakamura,Tomoko Kitamura,Kanako Okumura,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 12,No. 4,p. 045508-1-045508-2,2019年04月01日,研究論文(学術雑誌)
- Identification of dislocation characteristics in Na-flux-grown GaN substrates using bright-field X-ray topography under multiple-diffraction conditions,Y. Tsusaka,H. Mizuochi,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,J. Matsui,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 125,No. 12,p. 125105-1-125105-7,2019年03月28日,研究論文(学術雑誌)
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非線形光学結晶 CsLiB6O10の高品質・大型化の検討,安藤 豪,高橋 義典,村井 良太,加藤 康作,中嶋 誠,今西 正幸,森 勇介,吉村 政志,第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集,2019年03月,研究論文(その他学術会議資料等)
- Crystallization of aspirin form II by femtosecond laser irradiation,Yuka Tsuri,Mihoko Maruyama,Riki Fujimoto,Shino Okada,Hiroaki Adachi,Hiroshi Y. Yoshikawa,Kazufumi Takano,Satoshi Murakami,Hiroyoshi Matsumura,Tsuyoshi Inoue,Katsuo Tsukamoto,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 12,No. 1,p. 015507-015507,2019年01月01日,研究論文(学術雑誌)
- Growth of high-quality transparent SrB4O7 single crystals with high degradation resistance for DUV laser application,Yasunori Tanaka,Keita Shikata,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Masayuki Imanishi,Tsuyoshi Sugita,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 11,No. 12,p. 125501-125501,2018年12月01日,研究論文(学術雑誌)
- Growth of high-quality metastable crystal of acetaminophen using solution-mediated phase transformation at low supersaturation,Riki Fujimoto,Mihoko Maruyama,Yoichiro Mori,Shino Okada,Hiroaki Adachi,Hiroshi Y. Yoshikawa,Kazufumi Takano,Satoshi Murakami,Hiroyoshi Matsumura,Tsuyoshi Inoue,Masayuki Imanishi,Katsuo Tsukamoto,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 502,p. 76-82,2018年11月,研究論文(学術雑誌)
- Thermal conductivity of GaN single crystals: Influence of impurities incorporated in different growth processes,Robert Rounds,Biplab Sarkar,Tomasz Sochacki,Michal Bockowski,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Ronny Kirste,Ramón Collazo,Zlatko Sitar,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 124,No. 10,p. 105106-1-105106-7,2018年09月14日,研究論文(学術雑誌)
- Leakage current analysis for dislocations in Na-flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy,T. Hamachi,S. Takeuchi,T. Tohei,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,A. Sakai,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 123,No. 16,p. 161417-1-161417-6,2018年04月28日,研究論文(学術雑誌)
- Improvement of metastable crystal of acetaminophen via control of crystal growth rate,Kosuke Nii,Mihoko Maruyama,Shino Okada,Hiroaki Adachi,Kazufumi Takano,Satoshi Murakami,Hiroshi Y. Yoshikawa,Hiroyoshi Matsumura,Tsuyoshi Inoue,Masayuki Imanishi,Katsuo Tsukamoto,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 11,No. 3,p. 035501-035501,2018年03月01日,研究論文(学術雑誌)
- Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation,Akira Uedono,Masayuki Imanishi,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Shoji Ishibashi,Masatomo Sumiya,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 475,p. 261-265,2017年10月,研究論文(学術雑誌)
- Control of dislocation morphology and lattice distortion in Na-flux GaN crystals,S. Takeuchi,Y. Mizuta,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,K. Sumitani,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 122,No. 10,p. 105303-1-105303-6,2017年09月14日,研究論文(学術雑誌)
- Development of GaN substrate with a large diameter and small orientation deviation,Takehiro Yoshida,Masayuki Imanishi,Toshio Kitamura,Kenji Otaka,Mamoru Imade,Masatomo Shibata,Yusuke Mori,physica status solidi (b),Wiley,Vol. 254,No. 8,p. 1600671-1600671,2017年08月,研究論文(学術雑誌)
- Homoepitaxial Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth on GaN Wafers Manufactured by the Na-Flux Method,Masayuki Imanishi,Takehiro Yoshida,Toshio Kitamura,Kosuke Murakami,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Masatomo Shibata,Yoshiyuki Tsusaka,Junji Matsui,Yusuke Mori,Crystal Growth and Design,American Chemical Society,Vol. 17,No. 7,p. 3806-3811,2017年07月05日,研究論文(学術雑誌)
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Characterization of local piezoelectric property in Na flux GaN bulk single crystals,A. Ueda,S. Takeuchi,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,A. Sakai,29th International Conference on Defects in Semiconductors Proceedings,2017年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
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Control of dislocation propagation behaviors in Na flux GaN bulk crystals,S. Takeuchi,Y. Mizuta,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2017年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
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Nano beam X-ray diffraction analysis of Na flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode,S. Takeuchi,Y. Mizuta,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2017年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Enhancement of lateral growth of the GaN crystal with extremely low dislocation density during the Na-flux growth on a point seed,Masatoshi Hayashi,Masayuki Imanishi,Takumi Yamada,Daisuke Matsuo,Kosuke Murakami,Mihoko Maruyama,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 468,p. 827-830,2017年06月,研究論文(学術雑誌)
- Increase in the growth rate of GaN crystals by using gaseous methane in the Na flux method,Kosuke Murakami,Shogo Ogawa,Masayuki Imanishi,Mamoru Imade,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,Japan Society of Applied Physics,Vol. 56,No. 5,p. 055502-1-055502-4,2017年05月01日,研究論文(学術雑誌)
- Effects of Al additives on growth of GaN polycrystals by the Na flux method,Hiroki Imabayashi,Kosuke Murakami,Daisuke Matsuo,Masatomo Honjo,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Optical Materials,Elsevier B.V.,Vol. 65,p. 42-45,2017年03月01日,研究論文(学術雑誌)
- Effect of flux composition ratio on the coalescence growth of GaN crystals by the Na-flux method,Masatomo Honjo,Masayuki Imanishi,Hiroki Imabayashi,Kosuke Nakamura,Kosuke Murakami,Daisuke Matsuo,Mihoko Maruyama,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Optical Materials,Elsevier B.V.,Vol. 65,p. 38-41,2017年03月01日,研究論文(学術雑誌)
- Control of GaN crystal habit by solution stirring in the Na-flux method,Kosuke Murakami,Mamoru Imade,Masayuki Imanishi,Masatomo Honjo,Hiroki Imabayashi,Daisuke Matsuo,Kosuke Nakamura,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 56,No. 1S,p. 01AD05-01AD05,2017年01月01日,研究論文(学術雑誌)
- Habit control during growth on GaN point seed crystals by Na-flux method,Masatomo Honjo,Masayuki Imanishi,Hiroki Imabayashi,Kosuke Nakamura,Kosuke Murakami,Daisuke Matsuo,Mihoko Maruyama,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 56,No. 1,p. 01AD01-1-01AD01-4,2017年01月01日,研究論文(学術雑誌)
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Interface and dislocation structures in Na flux GaN grown on MOCVD-GaN,S. Takeuchi,H. Asazu,Y. Mizuta,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,A. Sakai,2016年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Crack-free GaN substrates grown by the Na-flux method with a sapphire dissolution technique,Takumi Yamada,Masayuki Imanishi,Kosuke Nakamura,Kosuke Murakami,Hiroki Imabayashi,Daisuke Matsuo,Masatomo Honjo,Mihoko Maruyama,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,APPLIED PHYSICS EXPRESS,IOP Publishing,Vol. 9,No. 7,p. 071002-1-071002-4,2016年07月01日,研究論文(学術雑誌)
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Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method,A. Sakai,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,M.Imanishi,M. Imade,Y. Mori,2016年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Fabrication of high-quality $\{11\bar{2}2\}$ GaN substrates using the Na flux method,Mihoko Maruyama,Koshi Nakamura,Songbek Che,Kosuke Murakami,Hideo Takazawa,Masayuki Imanishi,Mamoru Imade,Yukihiro Morita,Yusuke Mori,APPLIED PHYSICS EXPRESS,IOP Publishing,Vol. 9,No. 5,p. 055501-1-055501-4,2016年05月01日,研究論文(学術雑誌)
- Naフラックス法における撹拌を用いた核発生制御技術の新展開,今林 弘毅,村上 航介,松尾 大輔,本城 正智,今西 正幸,丸山 美帆子,今出 完,吉村 政志,森 勇介,日本結晶成長学会誌,日本結晶成長学会,Vol. 43,No. 4,p. 239-243,2016年
- Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN,S. Takeuchi,H. Asazu,M. Imanishi,Y. Nakamura,M. Imade,Y. Mori,A. Sakai,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 118,No. 24,p. 245306-1-245306-7,2015年12月28日,研究論文(学術雑誌)
- Homoepitaxial growth of GaN crystals by Na-flux dipping method,Taro Sato,Koshi Nakamura,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Hiroki Imabayashi,Hideo Takazawa,Yuma Todoroki,Daisuke Matsuo,Mamoru Imade,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 54,No. 10,p. 105501-105501,2015年10月01日,研究論文(学術雑誌)
- Dramatic reduction of dislocations on a GaN point seed crystal by coalescence of bunched steps during Na-flux growth,Masayuki Imanishi,Yuma Todoroki,Kosuke Murakami,Daisuke Matsuo,Hiroki Imabayashi,Hideo Takazawa,Mihoko Maruyama,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Journal of Crystal Growth,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 427,p. 87-93,2015年10月,研究論文(学術雑誌)
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Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth,M. Imanishi,K. Murakami,K. Nakamura,H. Imabayashi,H. Takazawa,D. Matsuo,Y. Todoroki,M. Maruyama,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,A. Sakai,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Fabrication of low-curvature 2 in. GaN wafers by Na-flux coalescence growth technique,Mamoru Imade,Masayuki Imanishi,Yuma Todoroki,Hiroki Imabayashi,Daisuke Matsuo,Kosuke Murakami,Hideo Takazawa,Akira Kitamoto,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 7,No. 3,p. 035503-1-035503-4,2014年03月,研究論文(学術雑誌)
- Coalescence growth of GaN crystals on point seed crystals using the Na flux method,M. Imanishi,K. Murakami,H. Imabayashi,H. Takazawa,Y. Todoroki,D. Matsuo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,physica status solidi (c),Wiley,Vol. 10,No. 3,p. 400-404,2013年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Coalescence Growth of Dislocation-Free GaN Crystals by the Na-Flux Method,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Hiroki Imabayashi,Hideo Takazawa,Yuma Todoroki,Daisuke Matsuo,Mihoko Maruyama,Mamoru Imade,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 5,No. 9,p. 095501-095501,2012年08月23日,研究論文(学術雑誌)
MISC
- ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察,道端詩,丸山美帆子,丸山美帆子,田中勇太朗,田中勇太朗,吉村政志,西村良浩,植村真結,塚本勝男,塚本勝男,田尻理恵,吉川洋史,高野和文,岡田淳志,郡健二郎,安井孝周,宇佐美茂佳,今西正幸,森勇介,結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM),Vol. 52nd,2023年
- Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性,鷲田将吾,TANDRYO Ricksen,中島達彦,村上航介,今西正幸,宇佐美茂佳,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 69th,2022年
- Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||,Yamauchi Hyoga,Tandryo Ricksen,Yamada Takumi,Murakami Kosuke,Usami Shigeyoshi,Imanishi Masayuki,Maruyama Mihoko,Maruyama Mihoko,Maruyama Mihoko,Yoshimura Masashi,Mori Yusuke,Japanese Journal of Applied Physics (Web),Vol. 61,No. 5,2022年
- 超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用,滝野 淳一,隅 智亮,宇佐美 茂佳,今西 正幸,岡山 芳央,森 勇介,日本結晶成長学会誌,日本結晶成長学会,Vol. 48,No. 3,2021年11月
- ポイントシード技術を用いたNa フラックス法による高品質・大口径GaN ウエハの作製,今西 正幸,村上 航介,宇佐美 茂佳,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,日本結晶成長学会誌,Vol. 48,No. 3,2021年11月
- ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析,濱地威明,藤平哲也,林侑介,宇佐美茂佳,今西正幸,森勇介,隅谷和嗣,今井康彦,木村滋,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 68th,2021年
- ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析,栗谷淳,藤平哲也,濱地威明,林侑介,滝野淳一,隅智亮,宇佐美茂佳,今西正幸,森勇介,隅谷和嗣,今井康彦,木村滋,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 68th,2021年
- Naフラックスポイントシード法で作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅,今西 正幸,アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート,Vol. 7,p. 20-21,2020年05月,記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)
- Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング,糸澤孝一,RICKSEN Tandryo,村上航介,今西正幸,吉村政志,森勇介,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
- Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化,TANDRYO Ricksen,村上航介,山田拓海,北村智子,今西正幸,吉村政志,森勇介,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
- Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価,濱地威明,藤平哲也,林侑介,今西正幸,森勇介,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
- 尿路結石形成機序解明に向けたシュウ酸カルシウム結晶の溶媒媒介相転移の観察,久住翔太,丸山美帆子,丸山美帆子,丸山美帆子,門馬綱一,古川善博,杉浦悠紀,田中勇太朗,田尻理恵,宇佐美茂佳,今西正幸,吉川洋史,高野和文,高野和文,岡田淳志,安井孝周,吉村政志,森勇介,結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM),Vol. 49th,2020年
- Naフラックス法によるGaN結晶の大口径化とその光学特性評価,今西正幸,大阪大学低温センターだより,No. 170,p. 2-7,2020年01月,記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)
- 結晶成長国際会議(ICCGE-19/OMVPE-19)報告,今西正幸,Crystal Letters,Vol. 72,p. 41-41,2019年09月,記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
- Naフラックスポイントシード法による高品質GaN結晶の大口径化,今西正幸,アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート,Vol. 6,p. 20-21,2019年05月,記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)
- Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング,TANDRYO Ricksen,村上航介,山田拓海,北村智子,今西正幸,吉村政志,森勇介,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
- NaフラックスGaNバルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析,濱地威明,藤平哲也,今西正幸,森勇介,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
- OVPE法によるホモエピタキシャルGaN厚膜の欠陥構造評価,真鍋海希,藤平哲也,滝野淳一,滝野淳一,隅智亮,今西正幸,森勇介,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
- ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の単独貫通転位における漏れ電流評価,濱地威明,藤元聖人,藤平哲也,林侑介,今西正幸,森勇介,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 80th,2019年
- あとがき(クリスタルレターズ 1 月号),今西正幸,Crystal Letters,Vol. 70,p. 63-63,2019年01月,記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
- 第23回結晶工学セミナー会合報告:ワイドギャップ半導体結晶の評価技術,今西正幸,Crystal Letters,応用物理学会結晶工学分科会,Vol. 70,p. 34-38,2019年01月,記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
- Naフラックス法による高品質バルクGaN結晶育成,今西正幸,森勇介,CERAMICS JAPAN,Vol. 53,No. 12,p. 846-848,2018年12月,記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
- Naフラックスポイントシード法による高品質GaN結晶成長,今西正幸,アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート,Vol. 5,p. 16-18,2018年05月,記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)
- 改良型NaフラックスGaN単結晶内の単独転位における漏れ電流特性評価,濱地威明,竹内正太郎,藤平哲也,今西正幸,今出完,森勇介,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 65th,2018年
- 改良型NaフラックスGaN単結晶内単独転位の漏れ電流特性解析,濱地威明,藤平哲也,今西正幸,森勇介,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 79th,2018年
- ナノビームX線回折法による改良型NaフラックスGaNバルク単結晶の深さ方向結晶構造解析,志田和己,山本望,藤平哲也,今西正幸,森勇介,隅谷和嗣,今井康彦,木村滋,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 79th,2018年
- Naフラックス法を用いた自立GaN結晶成長技術の開発,今西正幸,今出完,アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート,Vol. 4,p. 16-18,2017年05月,記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)
- 研究室紹介 Naフラックスポイントシード法によるGaN 結晶の低転位化・反りの抑制,今西正幸,Crystal Letters,応用物理学会結晶工学分科会,Vol. 62,p. 24-27,2016年05月,記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
- Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析,浅津宏伝,竹内正太郎,今西正幸,中村芳明,今出完,森勇介,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 62nd,2015年
著書
- 学術書,次世代パワー半導体の開発・評価と実用化,森 勇介,今西 正幸,森山実希,エヌ・ティー・エス,ISBN:4860437675,2022年02月18日
特許・実用新案・意匠
- III族窒化物基板およびIII族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本 啓,滝野 淳一,隅 智亮,岡山 芳央,特許7117732,特願2018-131691,出願日:2018年07月11日,登録日:2028年08月04日
- III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本 啓,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,特許7500293,特願2020-102593,出願日:2020年06月12日,登録日:2024年06月07日
- III族窒化物基板,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本 啓,滝野 淳一,隅 智亮,岡山 芳央,特許7459180,特願2022-117453,出願日:2022年07月22日,登録日:2024年03月22日
- III-V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法,森 勇介,吉村 政志,今出 完,今西 正幸,森數 洋司,田畑 晋,諸徳 寺匠,特許7117690,特願2017-181815,出願日:2017年09月21日,登録日:2022年08月04日
- III族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,今西 正幸,吉村 政志,村上 航介,岡山 芳央,特許7072769,特願2018-037500,出願日:2018年03月02日,登録日:2022年05月13日
- III族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,今西 正幸,岡本 貴敏,特許6989924,特願2018-092446,出願日:2018年05月11日,登録日:2021年12月07日
- METHOD FOR MANUFACTURING A GROUP III-NITRIDE CRYSTAL COMPRISING SUPPLYING A GROUP III-ELEMENT OXIDE GAS AND A NITROGEN ELEMENT-CONTAINING GAS AT A SUPERSATURATION RATIO OF GREATER THAN 1 AND EQUAL TO OR LESS THAN 5,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Masayuki Imanishi,Akira Kitamoto,Junichi Takino,Tomoaki Sumi,US.11155931.B2,US.202016776647.A,出願日:2020年01月30日,登録日:2021年10月26日
- 半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法,吉田 丈洋,柴田 真佐知,北村 寿朗,森 勇介,吉村 政志,今出 完,今西 正幸,特許6906205,特願2017-149346,出願日:2017年08月01日,登録日:2021年07月01日
- 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板,森 勇介,吉村 政志,今出 完,今西 正幸,柴田 真佐知,吉田 丈洋,特許6731590,特願2016-92450,出願日:2016年05月02日,登録日:2020年07月09日
- 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板,森 勇介,吉村 政志,今出 完,今西 正幸,柴田 真佐知,吉田 丈洋,特許6604205,特願2016-354,出願日:2016年01月05日,登録日:2019年10月25日
- III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本 啓,隅智 亮,滝野 淳一,岡山 芳央,特願2024-91136,出願日:2024年06月12日
- III族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具,岩田 康生,守山 実希,森 勇介,今西 正幸,特願2024-70021,出願日:2024年04月23日
- III族窒化物基板,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本 啓,滝野 淳一,隅智 亮,岡山 芳央,特願2024-43497,出願日:2024年03月19日
- III族窒化物結晶の製造装置及びIII族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,宇佐美 茂佳,滝野 淳一,布袋田 暢行,松野 俊一,特願2021-106915,出願日:2021年06月28日
- III族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,宇佐美 茂佳,滝野 淳一,松野 俊一,特願2021-105133,出願日:2021年06月02日
- III族窒化物結晶の製造装置及び製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,宇佐美 茂佳,北本 啓,滝野 淳一,布袋田 暢行,松野 俊一,特願2021-73613,出願日:2021年04月23日
- III族窒化物結晶の製造方法及びIII族窒化物結晶,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,宇佐美 茂佳,北本 啓
- III族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本 啓,滝野 淳一,隅 智亮,岡山 芳央,特願2020-115825(P2020-115825),出願日:2020年07月03日
- III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本 啓,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,特願2020-102594(P2020-102594),出願日:2020年06月12日
- Ⅲ族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具,森 勇介,今西 正,幸,岩田 康夫,守山, 実希,特願2020-070511,出願日:2020年04月09日
- ガリウムの製造方法、ナトリウムの製造方法、窒化ガリウムの製造方法,守山 実希,上田 幹人,鈴木 樹生,森 勇介,今西 正幸,特願2019-190582,出願日:2019年10月17日
- Ⅲ族窒化物基板,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本 啓,滝野 淳一,隅 智亮,岡山 芳央,特願2019-172644,出願日:2019年09月24日
- III族窒化物結晶の製造方法および種基板,岡山 芳央,小松 真介,多田 昌浩,森 勇介,今西 正幸,吉村 政志,特願2019-28247,出願日:2019年02月20日
- III族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,今西 正幸,吉村 政志,村上 航介,小松 真介,多田 昌浩,岡山 芳央,特願2019-26845,出願日:2019年02月18日
- III族元素窒化物結晶の製造方法及び製造装置,特願2019-22768,出願日:2019年02月12日
- III族窒化物結晶の製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本 啓,滝野 淳一,隅 智亮,特願2019-18035,出願日:2019年02月04日
- III族窒化物結晶の製造方法および製造装置,森 勇介, 今西 正幸, 吉村 政志, 村上 航介, 多田 昌浩, 小松 真介, 岡山 芳央,特願2019-12104,出願日:2019年01月28日
- III族窒化物結晶の製造装置及び製造方法,森 勇介,吉村 政志,今西 正幸,北本啓,隅智亮,滝野淳一,岡山 芳央,特願2018-123544,出願日:2018年06月28日
- III族窒化物結晶の製造方法,多田 昌浩,小松 真介,森 勇介,今西 正幸,特願2018-083157,出願日:2018年04月24日
- III族窒化物結晶の製造方法,多田 昌浩,小松 真介,森 勇介,今西 正幸,特願2018-080840,出願日:2018年04月19日
- III族窒化物結晶の製造方法,小松 真介,多田 昌浩,森 勇介,今西 正幸,特願2018-079862,出願日:2018年04月18日
- 窒化ガリウム微結晶凝集体の製造方法及び窒化ガリウム微結晶凝集体の製造装置,根石 浩司,三浦 仁嗣,森 勇介,今出 完,吉村 政志,今西 正幸,特願PCT/JP2018/029599,出願日:2018年08月07日
- III族窒化物結晶の製造方法、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置,森 勇介,吉村 政志,今出 完,今西 正幸,北本 啓,伊勢村 雅士,特願2016-196509,出願日:2016年10月04日
- III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶および半導体装置,竹内 正太郎,酒井 朗,浅津 宏伝,森 勇介,今出 完,吉村 政志,平尾 美帆子,今西 正幸,特願2015-029101,出願日:2015年02月17日
- III族窒化物結晶および半導体装置の製造方法,森 勇介,今出 完,吉村 政志,平尾 美帆子,今西 正幸,特許5904421,特願2013-553314,出願日:2013年01月10日
受賞
- EMS賞,今西 正幸,第43回電子材料シンポジウム,2024年10月
- 第10回日本赤外線学会論文賞,Agulto Verdad Canila,岩本 敏志,遠矢 雄浩,Mag-usara Valynn Katrine,今西 正幸,森 勇介,吉村 政志,中嶋 誠,一般社団法人 日本赤外線学会,2024年05月
- 日本結晶成長学会 講演奨励賞,今西正幸,日本結晶成長学会,2022年12月
- 第35回 独創性を拓く 先端技術大賞 社会人部門 特別賞,今西 正幸,宇佐美 茂佳,山田 拓海,村上 航介,滝野 淳一,隅 智亮,藤森 拓,フジサンケイ ビジネスアイ,2022年06月
- 応用物理学会論文賞,今西 正幸,村上 航介,山田 拓海,垣之内 啓介,中村 幸介,北村 智子,奥村 加奈子,吉村 政志,森 勇介,公益社団法人 応用物理学会,2020年09月
- 第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会研究奨励賞,今西正幸,日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会,2020年07月
- 第80回応用物理学会秋季学術講演会 奨励賞,今西 正幸,奥村 加奈子,中村 幸介,垣之内 啓介,北村 智子,村上 航介,吉村 政志,森 勇介,公益社団法人 応用物理学会,2020年03月
- 船井研究奨励賞,今西 正幸,公益財団法人船井情報科学振興財団,2018年04月
- 菅田-Cohen賞(博士),今西 正幸,大阪大学,2016年03月
- 第75回応用物理学会学術講演会 Poster Award,今西正幸,村上航介,今林弘毅,丸山美帆子,今出完,吉村政志,森勇介,公益社団法人応用物理学会,2014年10月
- 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピキシャル成長分科会 発表奨励賞,今西正幸,日本結晶成長学会,2012年04月
- 第13回キャンパスベンチャーグランプリ大阪 佳作,今西正幸,原田陽司,染野辰也,伊賀仁志,原田 陽司,日刊工業新聞,2012年01月
講演・口頭発表等
- ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製,今西正幸,村上航介,宇佐美茂佳,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,第50回結晶成長国内会議,2021年10月27日
- Naフラックスポイントシード法における薄液を活用した GaN結晶の横方向成長促進,今西 正幸,村上 航介,山田 拓海,垣之内 啓介,中村 幸介,北村 智子,奥村 加奈子,吉村 政志,森 勇介,第81回応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月10日
- Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長,今西 正幸,村上 航介,宇佐美 茂佳,吉村 政志,森 勇介,第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会,2020年07月31日
- Naフラックスポイントシード法を用いたGaN結晶成長と新しい試み,今西 正幸,村上 航介,奥村 加奈子,中村 幸介,垣之内 啓介,北村 智子,吉村 政志,森 勇介,第67回応用物理学会春季学術講演会,2020年03月14日
- Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶成長面制御による格子定数の均一化,今西正幸,村上航介,垣之内啓介,中村幸介,今出完,吉村政志,森勇介,第65回応用物理学会 春季学術講演会,2018年03月18日
- Na-Flux Growth on the Tiling HVPE Wafer for the Suppression of V-Shape Valley Formation at the Coalescence Boundary,M. Imanishi,K. Murakami,M. Honjo,H. Imabayashi,D. Matsuo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,T. Yoshida,T. Kitamura,M. Shibata,Y. Mori,International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016),2016年10月05日
- OVPE法による(010)面β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>成長における多結晶量のVI/III比依存性,岸本詠章,白石智之,今西正幸,宇佐美茂佳,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,第3回結晶工学講演会,2024年11月22日
- Naフラックス法におけるLaser-Assisted Separation (LAS) 法を用いたGaN結晶の クラック抑制,田中 唯意,今西正幸,鷲田奨吾,住谷優,村上航介,宇佐美重佳,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,第3回結晶工学講演会,2024年11月22日
- Naフラックス法によるGaN結晶育成における多結晶抑制に向けた成長温度・圧力条件の検討,田代知輝,今西正幸,鷲田将吾,村上航介,宇佐美茂佳,丸山美帆子,吉村政志,森 勇介,第3回結晶工学講演会,2024年11月22日
- Reduction of polycrystalline GaN crystals derived from melt back of seed substrate in the Na-flux method,Shogo Washida,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024),2024年11月05日
- In situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices grown on OVPE-GaN substrates,Yusuke Hayashi,Tetsuya Tohei,Kazushi Sumitani,Yasuhiko Imai,Shigeru Kimura,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Akio Wakejima,Hirotaka Watanabe,Shugo Nitta,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Akira Sakai,12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024),2024年11月04日
- Thermodynamic and experimental studies of OVPE-GaN growth under the low nucleation frequency conditions,Tsubasa Nakazono,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Tomoaki Sumi,Junichi Takino,Yoshio Okayama,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024),2024年11月04日
- Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation propagation in the Na-flux point seed technique,Ryotaro Sasaki,Shogo Washida,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024),2024年11月04日
- Repeated Homoepitaxial Growth of GaN crystals by Na-flux Method on a Native Seed,Masayuki Imanishi,Kanako Okumura,Kosuke Murakami,Kosuke Nakamura,Keisuke Kakinouchi,Kenichi Kawabata,Shigeyoshi Usami,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024),2024年11月04日
- The effect of improving surface flatness of GaN crystals by Zn addition in the Na-flux method,Yu Sumitani,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43),2024年10月02日
- 内部欠陥低減に向けたSrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>の種結晶の極性検討,畠山朋也,小林大也,谷川淳,高澤秀生,村井良多,高橋義典,五十嵐裕紀,南部誠明,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,森勇介,吉村政志,2024年09月20日
- CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>を用いた深紫外光波長変換における出力変化の調査(Ⅱ),島田恭丞,原拓海,山本果穂,村井良多,南部誠明,高橋義典,岡田穣治,宇佐美茂佳,今西 正幸,丸山美帆子,森勇介,吉村 政志,第85回応用物理学会秋季学術講演会,2024年09月20日
- β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>結晶のOVPE成長における熱力学計算を用いた成長速度制御,白石智裕,今西正幸,細川敬介,宇佐美茂佳,森勇介,第85回応用物理学会秋季学術講演会,2024年09月20日
- 高キャリア濃度OVPE-GaNの電気化学エッチングに関する特性,横井創吾,宇佐美茂佳,今西正幸,隅智亮,滝野淳一,岡山芳央,伊藤瞭太,秦雅彦,田中 敦之,本田善央,天野浩,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,第85回応用物理学会秋季学術講演会,2024年09月19日
- Naフラックス法におけるメルトバックを利用した低転位GaN結晶成長における多結晶の低減,鷲田将吾,今西正幸,村上航介,宇佐美茂佳,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,第85回応用物理学会秋季学術講演会,2024年09月19日
- OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの大気圧活性化手法の提案,宇佐美茂佳,伊藤佑太,香川美幸,横井創吾,田中敦之,滝野淳一,隅智亮,今西正幸,伊藤 瞭太,秦雅彦,吉村政志,岡山芳央,本田善央,天野浩,森勇介,第85回応用物理学会秋季学術講演会,2024年09月16日
- Effect of Water Reabsorption in CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub> on Picosecond Deep-Ultraviolet Pulse Generation,Kyosuke Shimada,Nagi Yamamoto,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,George Okada,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024),2024年08月07日
- Investigations on Scattering Centers in CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub> Crystals,Yoshihiro Kataoka,Yuto Matsumi,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Hideo Takazawa,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024),2024年08月07日
- CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響,片岡義博,松實優斗,村井良多,高橋義典,高澤秀生,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,森勇介,吉村政志,レーザー学会学術講演会第44回年次大会,2024年01月19日
- 点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響,西山稜悟,河村貴宏,秋山亨,宇佐美茂佳,今西正幸,吉村政志,森勇介,第52回結晶成長国内会議(JCCG-52),2023年12月06日
- CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響,片岡義博,松實優斗,村井良多,高橋義典,高澤秀生,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,森勇介,吉村政志,第52回結晶成長国内会議(JCCG-52),2023年12月06日
- フラックス過剰溶液からの非線形光学結晶CsLiB₆O₁₀の結晶成長,吉村政志,松實優斗,村井良多,高橋義典,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,第52回結晶成長国内会議(JCCG-52),2023年12月06日
- ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察,道端詩,丸山美帆子,田中勇太朗,吉村政志,西村良浩,植村真結,塚本勝男,田尻理恵,吉川洋史,高野和文,岡田淳志,郡健二郎,安井孝周,宇佐美茂佳,今西正幸,森勇介,第52回結晶成長国内会議(JCCG-52),2023年12月04日
- リン酸カルシウム結石形成プロセス解明に向けた結晶相転移の動的観察,高橋広登,田中勇太朗,吉川洋史,吉村政志,高野和文,宇佐美茂佳,今西正幸,森勇介,丸山美帆子,第52回結晶成長国内会議(JCCG-52),2023年12月04日
- In-situ monitoring of GaN crystal growth via electroresistometry of Ga-Na solution in the Na-flux growth,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Hitoshi Kubo,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14),2023年11月14日
- Influence of Carrier Concentration of GaN Substrate on Etch-pit Size of Dislocation in GaN Substrate,Bhavpreeta Pratap Charan,Masayuki Imanishi,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14),2023年11月14日
- Origin of black color in heavily doped n-type GaN,Tomoaki Sumi,Takino Junichi,Yoshio Okayama,Shigeyoshi Usami,Msayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14),2023年11月13日
- Dislocation Reduction in GaN Crystals Using Facet Growth Caused by Meltback in the Na-flux Method,Shogo Washida,Masayuki Imanishi,Kazuma Hamada,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14),2023年11月16日
- Recent Progress of Bulk GaN Growth by Na-Flux Method,Yusuke Mori,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14),2023年11月16日
- Effect of hydrogen partial pressure on GaN high-speed growth by OVPE,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Junichi Takino,Tomoaki Sumi,Yoshio Okayama,Masashi Yoshimura,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14),2023年11月13日
- Clarifying inclusions in GaN crystals which can burst at oxide vapor phase epitaxy growth temperature,Yu Sumitani,Masayuki Imanishi,Shogo Washida,Kazuma Hamada,Ricksen Tandryo,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42),2023年10月13日
- Suppressing parasitic nucleation inbeta-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> OVPE growth by low VI/Ⅲ ratio gas,Tomohiro Shiraishi,Masayuki Imanishi,Ricksen Tandryo,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42),2023年10月12日
- Naフラックス法におけるGaN結晶低転位化に向けたメ ルトバック表面上成長条件の検討,鷲田 将吾,今西 正幸,濱田 和真,Tandryo Ricksen,村上 航介,宇佐美 茂佳,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第84回応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月20日
- Naフラックス法におけるFFC技術を用いた半極性$\{20\bar{2}1\}$面GaN結晶の平坦化,北野 春来,今西 正幸,濱田 和真,Tandryo Ricksen,村上 航介,宇佐美 茂佳,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第84回応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月20日
- フラックス過剰溶液からの非線形光学結晶CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>の 結晶成長,松實 優斗,村井 良多,義典 高橋,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,森 勇介,吉村 政志,第84回応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月19日
- OVPE法を用いたGaNのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用,宇佐美 茂佳,東山 律子,滝野 淳一,太田 博,渡邉 浩崇,今西 正幸,隅 智亮,岡山 芳央,三島 友 義,新田 州吾,本田 善央,吉村 政志,雅彦 秦,伊勢村 雅士,天野 浩,森 勇介,第84回応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月20日
- ドリフト層幅の異なるGaN pn接合ダイオードを用いた伝導度変調の解析,宇佐美 茂佳,太田 博,渡邉 浩崇,今西 正幸,新田 州吾,本田 善央,三島 友義,天野 浩,森 勇介,第84回応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月21日
- OVPE-GaN成長における雰囲気加熱方式を用いた大ピット抑制,櫻井 悠貴,宇佐美 茂佳,今西 正幸,隅 智 亮,滝野 淳一,岡山 芳央,丸山 美帆子,吉村 政 志,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇介,第84回応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月20日
- CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響,片岡 義博,松實 優斗,良多 村井,高橋 義典,秀生 高澤,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,森 勇介,吉村 政志,第84回応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月19日
- Bulk laser-induced damage resistance of SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> single crystals under 266-nm DUV laser irradiation(II),Ryoh Noguchi,Kota Sekigawa,Yasunori Tanaka,Yuya Tsunezuka,Tomoya Nakao,Ryohei Yasukuni,Tomosumi Kamimura,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,The 12th Advanced Lasers and Photon Sources Conference (ALPS2023),2023年04月18日
- ホウ酸系光学材料SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>結晶の大型・バルク化,野口 凌,関川 康太,田中 康教,村井 良多,高橋 義典,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,森 勇介,吉村 政志,第70回応用物理学会 春季学術講演会,2023年03月15日
- OVPE法によるGaN超高速成長における水素分圧の影響,宇佐美 茂佳,東山 律子,今西 正幸,滝野 淳一,隅 智亮,岡山 芳央,吉村 政志,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇介,第70回応用物理学会 春季学術講演会,2023年03月18日
- CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>を用いた深紫外光出力の経時安定性評価,山本 凪,村井 良多,高橋 義典,折井 庸亮,岡田 穣治,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,森 勇介,吉村 政志,レーザー学会学術講演会 第43回年次大会,2023年01月19日
- ホウ酸系光学結晶SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>の育成と266nm深紫外光多重パルス照射に対するバルク損傷耐性,野口 凌,関川 康太,常塚 祐矢,中尾 友哉,安國 良平,神村 共住,村井 良多,高橋 義典,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,森 勇介,吉村 政志,レーザー学会学術講演会 第43回年次大会,2023年01月19日
- OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響,河村貴宏,河村貴宏,秋山亨,宇佐美茂佳,今西正幸,吉村政志,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,日本結晶成長学会誌(CD-ROM),2023年
- 骨リモデリング機構解明に向けたマウス骨成分の結晶相分析,高橋 由利子,丸山 美帆子,小野 優河,山下 英里華,吉川 洋史,松崎 賢寿,杉浦 悠紀,田尻 理恵,宇佐美 茂佳,今西 正幸,菊田 順一,吉村 政志,石井 優,森 勇介,第51回結晶成長国内会議(JCCG-51),2022年10月31日
- 新Ga種考慮によるOVPE-GaN熱力学モデルの修正,櫻井 悠貴,宇佐美 茂佳,今西 正幸,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,丸山 美帆子,吉村 政志,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇介,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,2022年11月24日
- Naフラックス法におけるGaN結晶表面のエッチピットを起因としたファセット成長による転位低減効果,鷲田 将吾,濱田 和真,Ricksen Tandryo,中島 達彦,村上 航介,今西 正幸,宇佐美 茂佳,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,2022年11月24日
- Naフラックス法を用いた半極性(20-21)面GaN結晶成長における結晶表面モルフォロジーの過飽和度依存性,北野 春来,髙橋 響,中島 達彦,濱田 和真,Tandryo Ricksen,宇佐美 茂佳,丸山 美帆子,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,2022年11月24日
- GaNの熱伝導率に対する点欠陥の影響,河村 貴宏,西山 稜悟,秋山 亨,宇佐美 茂佳,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,2022年
- 尿路結石形成機構の解明に向けたシュウ酸カルシウム結石における結晶相転移観察,道端 詩,丸山 美帆子,吉村 政志,田尻 理恵,吉川 洋史,高野 和文,岡田 淳志,安井 孝周,宇佐美 茂佳,今西 正幸,森 勇介,第51回結晶成長国内会議(JCCG-51),2022年10月31日
- Ga<sub>2</sub>O, H<sub>2</sub>Oを原料ガスとするGa<sub>2</sub>O<sub>3</sub>成長の熱力学解析,富樫 理恵,鈴木 明香里,石田 遥夏,宇佐美 茂佳,今西 正幸,湊 雅彦,森 勇介,第51回結晶成長国内会議(JCCG-51),2022年11月01日
- OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長,今西 正幸,細川 敬介,奥村 加奈子,宇佐美 茂佳,富樫 理恵,湊 雅彦,森 勇介,第51回結晶成長国内会議(JCCG-51),2022年11月01日
- ホウ酸系光学材料SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>結晶の大型化と高品質化,関川 康太,村井 良多,髙橋 義典,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,森 勇介,吉村 政志,第51回結晶成長国内会議(JCCG-51),2022年11月01日
- OVPE法で育成したGaNのグロースピット径制御,宇佐美 茂佳,今西 正幸,滝野 淳一,隅 智亮,岡山 佳央,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇介,第51回結晶成長国内会議(JCCG-51),2022年11月02日
- Reduction of dislocations in OVPE-GaN by using free-standing substrate with low-dislocation density,Masami Aihara,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,The 41st Electronic Materials Symposium (EMS-41),2022年10月21日
- The suppression of parasitic polycrystal growth around the wall for high-rate growth of the thick OVPE-GaN crystal,Itsuki Kawanami,Shigeyoshi Usami,Ayumu Shimizu,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Tomoaki Sumi,Junichi Takino,Yoshio Okayama,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,The 41st Electronic Materials Symposium (EMS-41),2022年10月21日
- Na フラックス法におけるGa-Na 融液の電気抵抗測定を用いたGaN 結晶成長速度のモニタリング,Ricksen Tandryo,糸澤 孝一,村上 航介,久保 等,今西 正幸,宇佐美 茂佳,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第83回応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
- Na フラックス法における基板表面分解を起因としたファセット成長による転位減少効果,鷲田 将吾,Ricksen Tandryo,濱田 和真,中島 達彦,村上 航介,今西 正幸,宇佐美 茂佳,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第83回応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
- Na フラックス法における低温成長を用いたGaN結晶の等方的な六角錐成長と品質の向上,濱田 和真,今西 正幸,垣之内 啓介,奥村 加奈子,山田 拓海,中村 幸介,村上 航介,宇佐美 茂佳,丸山 美帆子,吉村 政志,森勇介,第83回応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
- 高速OVPE-GaN結晶の厚膜化に向けた炉壁多結晶抑制,川波一貴,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,吉村政志,隅智亮,滝野淳一,岡山芳央,秦雅彦,伊勢村雅士,森勇介,第83回応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
- OVPE 法によるGaN 結晶成長の熱力学解析,櫻井 悠貴,宇佐美 茂佳,今西 正幸,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,丸山 美帆子,吉村 政志,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇介,第83回応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
- ホウ酸系光学材料SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> 結晶の大型化と高品質化,関川 康太,村井 良多,高橋 義典,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,森 勇介,吉村 政志,第83回応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月20日
- OVPE-GaN 基板上pn ダイオードにおける伝導度変調の解析,宇佐美茂佳,太田博,滝野淳一,渡邉 浩崇,隅智亮,今西正幸,新田州吾,本田善央,森勇介,三島友義,岡山芳央,天野浩,第83回応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月22日
- n 型GaN 基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命,秩父重英,嶋紘平,小島一信,上殿明良,石橋章司,渡邉浩崇,田中敦之,本田善央,今西正幸,森勇介,生田目俊秀,色川芳宏,天野浩,小出康夫,第83回応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月23日
- Na フラックス法を用いたLi 添加による $\{20\bar{2}1\}$面GaN 単結晶の平坦化,髙橋 響,Ricksen Tandryo,濱田和真,村上 航介,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第83回応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
- 短パルスレーザー照射によるアントラセンの結晶化における濃度場の高速度観測,釣 優香,丸山 美帆子,吉川 洋史,塚本 勝男,高野 和文,安達 宏昭,宇佐美 茂佳,今西 正幸,細川 陽一郎,吉村 政志,森 勇介,応用物理学会関西支部2022年度第1回講演会,2022年05月16日
- Promising Results of National Project by Japanese Ministry of the Environment to Develop GaN on GaN Power Devices and Prove their Usefulness in Real Systems,Yohei Otoki,Masatomo Shibata,Tomoyoshi Mishima,Hiroshi Ohta,Yusuke Mori,Masayuki Imanishi,Satoshi Tamura,Kazunori Kidera,Junichi Takino,Yoshio Okayama,Keiji Watanabe,Naoya Okamoto,Yoshio Honda,Masayoshi Yamamoto,Koji Shiozaki,Hiroshi Amano,CS MANTECH 2022,2022年05月12日
- Effects of pulse duration on the laser-induced crystallization of urea,Yuka Tsuri,Mihoko Maruyama,Hiroshi Y. Yoshikawa,Katsuo Tsukamoto,Kazufumi Takano,Hiroaki Adachi,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022),2022年04月25日
- High-Speed Visualization of Concentration Field Associated with Laser-Induced Crystallization Process of an Anthracene,Mihoko Maruyama,Yuka Tsuri,Hiroshi Y. Yoshikawa,Katsuo Tsukamoto,Takashi Onuma,Ryutaro Shimada,Tomohiko Tateshima,Kazufumi Takano,Hiroaki Adachi,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022),2022年04月26日
- Analysis of Helical Dislocations observed in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate,Bhavpreeta Pratap Charan,Ricksen Tandryo,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022),2022年04月22日
- Growth of GaN Crystal with Low Dislocation Density and Low Oxygen Concentration by a Thin-Level Na-flux Growth with a Li Additive,Tatsuhiko Nakajima,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022),2022年04月22日
- Effect of Ga/flux composition ratio and the amount of dissolved nitrogen on the growth habit of GaN crystal by the Na-flux point seed method,Jumpei Fujiwara,Koichi Itozawa,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022),2022年04月22日
- Dependence of crystallinity of GaN crystals grown by the Na flux point seed technique on the off-angle of the seed substrate,Shogo Washida,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022),2022年04月22日
- Influence of Point and Complex Defects on Electronic Structure of GaN,Takahiro Kawamura,Satoshi Ohata,Toru Akiyama,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022),2022年04月22日
- Bulk laser-induced damage resistance of SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> single crystals under 266-nm DUV laser irradiatio,Yutaka Maegaki,Yasunori Tanaka,Haruki Marui,Atsushi Koizumi,Kuta Tanaka,Tomosumi Kamimura,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Melvin John,F. Empizo,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Yusuke Mori,The 11th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2022),2022年04月20日
- GaN縦型 pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光,谷川 智之,塚越 真悠子,宇佐美 茂佳,今西 正幸,森 勇介,川崎 晟也,田中 敦之,本田 善央,天野 浩,上向井 正裕,片山 竜二,第69回応用物理学会春季学術講演会,2022年03月24日
- ホウ酸系光学結晶 SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>の266nm深紫外光多重パルス照射に対するバルク損傷耐性,前垣 雄隆,田中 康教,丸井 春輝,小泉 敦司,田中 宏汰,神村 共住,村井 良多,高橋 義典,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,森 勇介,吉村 政志,第69回応用物理学会春季学術講演会,2022年03月24日
- Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小 GaN種結晶上の核発生成進,Ricksen Tandryo,村上 航介,久保 等,今西 正幸,宇佐美 茂佳,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第69回応用物理学会春季学術講演会,2022年03月24日
- 高周波デバイス高性能化に向けた GaN結晶育成技術,森 勇介,今西 正幸,宇佐美 茂佳,吉村 政志,守山 実希,第69回応用物理学会春季学術講演会,2022年03月24日
- OVPE法による高速厚膜 GaN結晶成長,宇佐美 茂佳,清水 歩,今西 正幸,滝野 淳一,隅 智亮,岡山 芳央,丸山 美帆子,吉村 政志,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇介,第69回応用物理学会春季学術講演会,2022年03月22日
- Ga<sub>2</sub>O, H<sub>2</sub>O原料ガスを用いた高温・高速酸化ガリウム成長の熱力学的検討,富樫 理恵,鈴木 明香里,石田 遥夏,宇佐美 茂佳,今西 正幸,秦 雅彦,森 勇介,第69回応用物理学会春季学術講演会,2022年03月26日
- OVPE法によるサファイア及び Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>結晶成長,今西 正幸,小林 大也,奥村 加奈子,細川 敬介,宇佐美 茂佳,富樫 理恵,秦 雅彦,森 勇介,第69回応用物理学会春季学術講演会,2022年03月26日
- Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小GaN種結晶上の核発生成進,TANDRYO Ricksen,村上航介,久保等,今西正幸,宇佐美茂佳,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2022年
- Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate,Bhavpreeta Pratap Charan,Ricksen Tandryo,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会,2021年12月23日
- Naフラックス法におけるLi添加による$(20\bar{2}1)$面GaN単結晶の表面平坦化効果,髙橋響,糸澤孝一,Ricksen Tandryo,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会,2021年12月23日
- Naフラックス法を用いた低転位GaN基板の再成長における転位増加の抑制,山内彪我,山田拓海,村上航介,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会,2021年12月23日
- OVPE法による超低抵抗・高品質GaN結晶成長とそのデバイス応用,宇佐美茂佳,清水歩,三船浩明,今西正幸,滝野淳一,隅智亮,岡山芳央,太田博,三島友義,丸山美帆子,吉村政志,秦雅彦,伊勢村雅士,森勇介,第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,2021年12月03日
- GaN中の点欠陥および複合欠陥が光学特性に与える影響の解明,大畑智嗣,河村貴宏,宇佐美茂佳,今西正幸,吉村政志,森勇介,第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,2021年12月03日
- 窒化ガリウム中の反り低減に向けた初期高酸素濃度領域の薄膜化,濱田和真,山田拓海,村上航介,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,2021年12月02日
- 超低核生成頻度条件での多結晶形成抑制による低転位バルクOVPE-GaN結晶の高速成長,清水歩,宇佐美茂佳,櫻井悠貴,川波一貴,今西正幸,丸山美帆子,吉村政志,隅智亮,滝野淳一,岡山芳央,秦雅彦,伊勢村雅士,森勇介,第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,2021年12月02日
- Naフラックス法における窒素溶解量の増加による核発声の促進,鷲田将吾,中島達彦,濱田和馬,山田拓海,村上航介,今西正幸,宇佐美茂佳,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会,2021年12月02日
- テラヘルツ自由電子レーザーを用いたアントラセンの結晶核形成誘起,丸山美帆子,中島誠,吉川洋史,塚本勝男,王有為,太田雅人,釣優香,磯山悟朗,大沼隼志,島田竜太郎,立嶋知彦,V.C.Agulto,V.K.Mag-usara,高野和文,宇佐美茂佳,今西正幸,吉村政志,森勇介,第50回結晶成長国内会議,2021年10月29日
- 短パルスレーザー照射によるアントラセン結晶核形成の高速度観察,釣優香,丸山美帆子,吉川洋史,塚本勝男,大沼隼志,島田竜太郎,立嶋知彦,高野和文,安達宏昭,宇佐美茂佳,今西正幸,吉村政志,森勇介,第50回結晶成長国内会議,2021年10月29日
- ホウ酸系光学結晶SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>の内部欠陥の抑制,前垣雄隆,田中康教,村井良太,髙橋義典,杉田剛,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,森勇介,吉村政志,第50回結晶成長国内会議,2021年10月29日
- 超低抵抗・低転位密度GaN基板の開発とデバイス応用,滝野淳一,隅智亮,宇佐美茂佳,今西正幸,岡山芳央,森勇介,第50回結晶成長国内会議,2021年10月27日
- レーザーアブレーションが誘起する結晶化現象の可視化,吉川洋史,丸山美帆子,釣優香,塚本勝男,高野和文,安達宏昭,宇佐美茂佳,今西正幸,吉村政志,森勇介,第50回結晶成長国内会議,2021年10月27日
- アスピリンの安定相と準安定相が作るintergrowth形成のその場観察,釣優香,丸山美帆子,吉川洋史,塚本勝男,高野和文,安達宏昭,宇佐美茂佳,今西正幸,吉村政志,森勇介,第50回結晶成長国内会議,2021年10月27日
- High-rate OVPE-GaN growth by the suppression of H<sub>2</sub>O pressure with N<sub>2</sub>O gas instead of H<sub>2</sub>O gas in a high-temperature condition,Itsuki Kawanami,Shigeyoshi Usami,Ayumu Shimizu,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Tomoaki Sumi,Junichi Takino,Yoshio Okayama,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40),2021年10月11日
- In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement,Koichi Itozawa,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40),2021年10月11日
- High-rate GaN crystal growth by the suppression of polycrystal formation at a high temperature above 1250℃ using the OVPE method,Ayumu Shimizu,Shigeyoshi Usami,Masahiro Kamiyama,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40),2021年10月11日
- Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD21),2021年07月01日
- ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析,濱地 威明,藤平 哲也,林 侑介,宇佐美 茂佳,今西 正幸,森 勇介,隅谷 和嗣,今井 康彦,木村 滋,酒井 朗,第68回応用物理学会春季学術講演会,2021年03月19日
- ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析,栗谷 淳,藤平 哲也,濱地 威明,林 侑介,滝野 淳一,隅 智亮,宇佐美 茂佳,今西 正幸,森 勇介,隅谷 和嗣,今井 康彦,木村 滋,酒井 朗,第68回応用物理学会春季学術講演会,2021年03月17日
- OVPE-GaN(高濃度酸素添加GaN)結晶黒色化の起源,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,北本 啓,宇佐美 茂佳,今西 正幸,森 勇介,第68回応用物理学会春季学術講演会,2021年03月17日
- First-Principles Calculation of Electronic Structure of GaN with Point and Complex Defects,Satoshi Ohata,Takahiro Kawamura,Akira Kitamoto,Masayuki Imanish,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8),2021年03月02日
- High surface laser-induced damage threshold of SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> single crystals under 266-nm (DUV) laser irradiation,Yasunori Tanaka,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Tsuyoshi Sugita,Daisetsu Toh,Kazuto Yamauchi,Sora Aikawa,Haruki Marui,Yuji Umeda,Yusuke Funamoto,Tomosumi Kamimura,Melvin John,F. Empizo,Shigeyoshi Usami,Mihoko Maruyama,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8),2021年03月01日
- Laser pulse duration effects on laser-induced crystallization of urea,Yuka Tsuri,Mihoko Maruyama,Hiroshi Y. Yoshikawa,Katsuo Tsukamoto,Hiroaki Adachi,Kazufumi Takano,Shigeyoshi Usami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8),2021年03月03日
- Structural Analysis of Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction: Local Lattice Constant Variation Depending on the Growth Sector,Zhendong Wu,Kazuki Shida,Takeaki Hamachi,Yusuke Hayashi,Tetsuya Tohei,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Kazushi Sumitani,Yasuhiko Imai,Shigeru Kimura,Akira Sakai,The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8),2021年03月01日
- Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査,山内彪我,TANDRYO Ricksen,山田拓海,村上航介,宇佐美茂佳,今西正幸,丸山美帆子,吉村政志,森勇介,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2021年
- Naフラックス法における窒素溶解量促進に向けた窒素脱離特性評価,TANDRYO Ricksen,村上航介,久保等,今西正幸,宇佐美茂佳,丸山美帆子,吉村政志,吉村政志,森勇介,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2021年
- テラヘルツ時間領域偏光解析法による10 20cm-3キャリア密度の光高密度半導体の測定【JST・京大機械翻訳】,AGULTO Verdad C.,IWAMOTO Toshiyuki,KITAHARA Hideaki,TOYA Kazuhiro,MAG-USARA Valynn Katrine,IMANISHI Masayuki,MORI Yusuke,YOSHIMURA Masashi,NAKAJIMA Makoto,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2021年
- N<sub>2</sub>OガスをⅢ族供給源に用いたOVPE法によるGaN結晶成長,川波 一貴,清水 歩,三船 浩明,神山 将大,北本 啓,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,吉村 政志,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇 介,第3回結晶工学×ISYSE合同研究会,2020年12月28日
- Naフラックス法における電気抵抗変化とGaN結晶成長の関連性,糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上 航介,今西 正幸,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第3回結晶工学×ISYSE合同研究会,2020年12月23日
- Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶成長形状のGa比率_気相保持時間依存症,藤原 淳平,糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上 航介,今西 正幸,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第3回結晶工学×ISYSE合同研究会,2020年12月23日
- N<sub>2</sub>Oガス添加によるOVPE-GaN結晶の高速厚膜化の実現,清水 歩,神山 将大,北本 啓,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,吉村 政志,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇 介,第3回結晶工学×ISYSE合同研究会,2020年12月23日
- ホウ酸系光学結晶SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>の高品質化,前垣 雄隆,田中 康教,村井 良多,高橋 義典,杉田 剛,宇佐美 茂佳,今西 正幸,丸山 美帆子,森 勇介,吉村 政志,第49回結晶成長国内会議(JCCG-49),2020年11月09日
- レーザーのパルス時間幅が尿素結晶化に及ぼす影響,釣 優香,丸山 美帆子,吉川 洋史,塚本 勝男,安達 宏昭,高野 和文,宇佐美 茂佳,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第49回結晶成長国内会議(JCCG-49),2020年11月10日
- 尿路結石形成機序解明に向けたシュウ酸カルシウム結晶の溶媒媒介相転移の観察,久住 翔太,丸山 美帆子,門馬 鋼一,古川 善博,杉浦 悠紀,田中 勇太朗,田尻 理恵,宇佐美 茂佳,今西 正幸,吉川 洋史,高野 和文,岡田 淳志,安井 孝周,吉村 政志,森 勇介,第49回結晶成長国内会議(JCCG-49),2020年11月10日
- Growth of GaN Crystal with Low Oxygen Concentration and Low Dislocation Density by Na-flux PS Method with Li Addition Technique,Tatsuhiko Nakajima,Takumi Yamada,Kosuke Murakami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,39th Electronic Materials Symposium (EMS-39),2020年10月08日
- HVPE-GaNバルク結晶における貫通転位の3次元的形態 とバーガースベクトルの関係,濱地 威明,藤平 哲也,林 侑介,今西 正幸,森 勇 介,五十嵐 信行,酒井 朗,第81回応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月08日
- HVPE-GaNバルク結晶におけるa及びa+cタイプ貫通転 位の3次元的伝播挙動の解析,濱地 威明,藤平 哲也,林 侑介,今西 正幸,森 勇介,酒井 朗,第81回応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月08日
- N<sub>2</sub>Oガスの多結晶抑制効果によるOVPE-GaN結晶の高速成長,清水 歩,神山 将大,北本 啓,今西 正幸,吉村 政志,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇介,第81回応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月10日
- OVPE法で成長した GaN バルク単結晶の微細構造解析,栗谷 淳,藤平 哲也,濱地 威明,林 侑介,滝野 淳一,隅 智亮,今西 正幸,森 勇介,隅谷 和嗣,今井 康彦,木村 滋,酒井 朗,第81回応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月08日
- Growth promotion of GaN point seed with lithium addition in the Sodium flux method,Kazuma Hamada,Takumi Yamada,Kosuke Nakamura,Kosuke Murakami,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 8th international Conference on Light-Emitting Device and Their Industrial Applications (LEDIA2020),2020年04月22日
- Regrowth of Li-free layer on GaN substrate produced by the Na-flux-sapphire-dissolution technique,Takumi Yamada,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Kosuke Nakamura,Yoshimura Masashi,Yusuke Mori,The 8th international Conference on Light-Emitting Device and Their Industrial Applications (LEDIA2020),2020年04月21日
- Suppression of the step bunching in GaN crystal using purified Na in the Na-flux method,Hyoga Yamauchi,Takumi Yamada,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,The 8th international Conference on Light-Emitting Device and Their Industrial Applications (LEDIA2020),2020年04月22日
- High-power 355-nm UV generation by using CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub> crystal,Kuniaki Atagi,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Yosuke Orii,George Okada,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,The 9th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2020),2020年04月20日
- Growth of SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> crystal and its surface DUV laser-induced damage threshold,Yasunori Tanaka,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Tsuyoshi Sugita,Daisetsu Toh,Kazuto Yamauchi,Sora Aikawa,Yuji Umeda,Yusuke Funamoto,Tomosumi Kamimura,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,The 9th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2020),2020年04月20日
- Naフラックス法における電気抵抗変化とGaN結晶成長の関連性,糸澤, 孝一,Ricksen Tandryo,村上 航介,今西 正幸,丸山 美帆子,吉村 政志,森 勇介,第3回結晶工学×ISYSE合同研究会,2020年03月23日
- Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価,濱地 威明,藤平 哲也,林 侑介,今西 正幸,森 勇介,酒井 朗,第67回応用物理学会春季学術講演会,2020年03月13日
- レーザー誘起結晶化技術におけるパルス時間幅の影響,釣 優香,丸山 美帆子,吉川 洋史,安達 宏昭,高野 和文,塚本 勝男,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第67回応用物理学会春季学術講演会,2020年03月12日
- Naフラックス・ポイントシード法におけるLi添加系での透明なGaN結晶の成長,中島 達彦,山田 拓海,村上 航介,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第67回応用物理学会春季学術講演会,2020年03月14日
- 酸化物ガス添加によるOVPE-GaN結晶成長における多結晶生成抑制,清水 歩,神山 将大,石橋 桂樹,津野 慎太郎,北本 啓,今西 正幸,吉村 政志,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇介,第67回応用物理学会春季学術講演会,2020年03月14日
- Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング,糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上 航介,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第67回応用物理学会春季学術講演会,2020年03月14日
- CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>結晶を用いた高出力355nm紫外光発生,安宅 邦晶,村井 良多,高橋 義典,折井 庸亮,岡田 穣治,今西 正幸,森 勇介,吉村 政志,第67回応用物理学会春季学術講演会,2020年03月12日
- Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化,Ricksen Tandryo,村上 航介,山田 拓海,北村 智子,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第67回応用物理学会春季学術講演会,2020年03月14日
- 繰り返しパルス照射による石英ガラスのレーザー損傷の温度依存性,小川 遼,本越 伸二,吉村 政志,實野 孝久,藤岡 加奈,今西 正幸,森 勇介,レーザー学会学術講演会第40回年次大会,2020年01月20日
- CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>の水不純物低減過程における紫外光誘起劣化耐性の変化,五十川 諒介,村井 良多,高橋 義典,今西 正幸,森 勇介,吉村 政志,レーザー学会学術講演会第40回年次大会,2020年01月20日
- 深紫外ピコ秒パルス発生時のCsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>熱位相不整合の影響,安宅 邦晶,村井 良太,髙橋 義典,折井 庸亮,岡田 穣治,森 勇介,吉村 政志,レーザー学会学術講演会第40回年次大会,2020年01月20日
- OVPE法で成長したGaNバルク単結晶の微細構造解析,栗谷淳,藤平哲也,濱地威明,林侑介,滝野淳一,隅智亮,今西正幸,森勇介,隅谷和嗣,今井康彦,木村滋,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2020年
- HVPE-GaNバルク結晶におけるa及びa+cタイプ貫通転位の3次元的伝播挙動の解析,濱地威明,藤平哲也,林侑介,今西正幸,森勇介,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2020年
- HVPE-GaNバルク結晶における貫通転位の3次元的形態とバーガースベクトルの関係,濱地威明,藤平哲也,林侑介,今西正幸,森勇介,五十嵐信行,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2020年
- HVPE-GaNバルク単結晶中貫通転位における漏れ電流特性に及ぼす転位構造の影響,濱地 威明,藤元 聖人,藤平 哲也,林 侑介,今西 正幸,森 勇介,酒井 朗,第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会,2019年11月20日
- 高温環境下でのOVPE-GaN成長におけるH2O添加による多結晶抑制,清水 歩,神山 将大,石橋 圭樹,津野 慎太郎,北本 啓,今西 正幸,吉村 政志,秦 雅彦,伊勢村 雅士,森 勇介,第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会,2019年11月20日
- Naフラックス法における炭素添加のNa-Ga融液電気抵抗に与える影響,糸澤 孝一,Tandryo Ricksen,村上 航介,中村 幸介,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第2回結晶工学×ISYSE;合同研究会,2019年11月20日
- Naフラックス法におけるFFC技術を用いたGaN結晶中インクルージョンの抑制,遠藤 清人,山田 拓海,村上 航介,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会,2019年11月20日
- Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング,Ricksen Tandryo,糸澤 孝一,村上 航介,北村 智子,山田 拓海,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会,2019年11月20日
- Suppression of the inclusions in GaN crystals using flux-film-coated technique in Na-flux methodNa,Endo Kiyoto,Yamada Takumi,Murakami Kosuke,Imanishi Masayuki,Yoshimura Masashi,Mori Yusuke,38th Electronic Materials Symposium (EMS-38),2019年10月10日
- The suppression of change of lattice curvature by addition of CH<sub>4</sub>gas in OVPE growth,Ishibashi Keiju,Shimizu Ayumu,Kamiyama Masahiro,Tsuno Shintaro,Kitamoto Akira,Imanishi Masayuki,Sumi Tomoaki,Takino Junichi,Okayama Yoshio,Nobuoka Masaki,Hata Masahiko,Isemura Masashi,Yoshimura Masashi,Mori Yusuke,38th Electronic Materials Symposium (EMS-38),2019年10月10日
- Growth of GaN single crystals with low oxygen concentration by Li-added Na-flux methodNa,Nakajima Tatsuhiko,Yamada Takumi,Murakami Kosuke,Imanishi Masayuki,Yoshimura Masashi,Mori Yusuke,38th Electronic Materials Symposium (EMS-38),2019年10月10日
- Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶の成長促進に向けたLi添加系での多結晶抑制,濱田 和真,山田 拓海,村上 航介,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第80回応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月21日
- ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の単独貫通転位における漏れ電流評価,濱地 威明,藤元 聖人,藤平 哲也,林 侑介,今西 正幸,森 勇介,酒井 朗,第80回応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月21日
- Naフラックス法GaN基板中で消滅する転位のバーガース・ベクトル同定,藤田 優,津坂 佳幸,松井 純爾,今西 正幸,森 勇介,第80回応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月21日
- 医薬化合物アスピリンの成長過程における相転移のその場観察,釣 優香,丸山 美帆子,吉川 洋史,岡田 詩乃,安達 宏昭,高野 和文,塚本 勝男,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第80回応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月18日
- Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅,今西 正幸,奥村 加奈子,中村 幸介,垣之内 啓介,北村 智子,村上 航介,吉村 政志,森 勇介,第80回応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月21日
- CsLiB6O10の水不純物低減過程における紫外光誘起劣化耐性の変化,五十川 諒介,村井 良多,高橋 義典,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第80回応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月20日
- 第一原理計算によるNa-Ga融液中のN-N,C-CおよびC-H結合状態の解析,河村 貴宏,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,森川 良忠,第80回応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月18日
- 高温OVPE法を用いた高品質GaN結晶の高速成長,清水 歩,神山 将大,石橋 桂樹,津野 慎太郎,北本 啓,今西 正幸,吉村 政志,秦 雅彦,伊勢, 雅士,森 勇介,第80回応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月20日
- GaN基板上PNダイオードの電極下の転位可視化,兼近将一,山口聡,今⻄正幸,森勇介,第16回 SPring-8産業利用報告会,2019年09月06日
- アスピリン相転移のその場観察,釣 優香,丸山 美帆子,吉川 洋史,岡田 詩乃,安達 宏昭,高野 和文,塚本 勝男,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第42回結晶成長討論会,2019年08月29日
- Suppression of Step Bunching in GaN Crystals During The Na-Flux Method at Low Supersaturation,Endo Kiyoto,Yamada Takumi,Murakami Kosuke,Imanishi Masayuki,Yoshimura Masashi,Mori Yusuke,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年07月29日
- High-Rate Growth of a Thick Freestanding GaN Crystal with CH<sub>4</sub> by OVPE,Kamiyama Masahiro,Gunji Yoshikazu,Kobayashi Haruya,Oshiba Takahiro,Kitamoto Akira,Imanishi Masayuki,Yoshimura Masashi,Isemura Masashi,Sumi Tomoaki,Takino Junichi,Okayama Yoshio,Mori Yusuke,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年07月30日
- First-Principles Calculation of Absolute Surface Energies of GaN during Oxide Vapor Phase Epitaxy Growth,Kawamura Takahiro,Kitamoto Akira,Imanishi Masayuki,Yoshimura Masashi,Mori Yusuke,Morikawa,Yoshitada,Kangawa, Yoshihiro,Kakimoto, Koichi,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年07月29日
- Study of Self-Flux Composition for Growing CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub> Crystal with High DUV Laser-Induced Degradation Tolerance,Murai Ryota,Fukuhara Taishi,Ando Go,Tanaka Yasunori,Takahashi Yoshinori,Matsumoto Kazuhisa,Maruyama Mihoko,Imanishi Masayuki,Mori Yusuke,Yoshimura Masashi,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年08月02日
- Growth of GaN Single Crystals with High Transparency by Li-Added Na-Flux Method,Nakajima Tatsuhiko,Yamada Takumi,Murakami Kosuke,Imanishi Masayuki,Yoshimura Masashi,Mori Yusuke,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年07月29日
- Growth of High-Quality SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> Single Crystal and Its Optical Properties,Tanaka Yasunori,Murai Ryota,Takahashi Yoshinori,Sugita Tsuyoshi,Imanishi Masayuki,Mori Yusuke,Aikawa Sora,Umeda Yuji,Funamoto Yusuke,Kamimura Tomosumi,Yoshimura Masashi,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年08月02日
- Temperature Dependence of Nitrogen Dissolution on Sodium Flux Growth,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Kanako Okumura,Takumi Yamada,Tomoko Kitamura,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年07月29日
- Optical Anomaly of GaN and Sic Crystals as Observed by New Optical Main Axis Mapping,Katsuo Tsukamoto,Msayuki Imanishi,Haruhiko Koizumi,Takashi Onuma,Toru Ujihara,Yusuke Mori,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年08月02日
- In-situ Observation of Phase Transition of Aspirin form II,Yuka Tsuri,Mihoko Maruyama,Hiroshi Y. Yoshikawa,Shiho Okada,Hiroaki Adachi,Kazufumi Takano,Katsuo Tsukamoto,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年08月01日
- Selective Sapphire dissolution Technique without Dissolving Gallium Nitride in a Sodium Flux Added Lithium,Takumi Yamada,Masayuki Imanishi,Kosuke Murakami,Kosuke Nakamura,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19),2019年07月30日
- Crystallization of aspirin form II and in-situ observation of phase transformation,Yuka Tsuri,Mihoko Maruyama,Hiroshi Y. Yoshikawa,Shino Okada,Hiroaki Adachi,Kazufumi Takano,Katsuo Tsukamoto,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 17th International Summer School on Crystal Growth(ISSCG-17),2019年07月23日
- Recent Advances of GaN Growth by Na-Flux Method,Mori Yusuke,Imanishi Masayuki,Yoshimura Masashi,13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS13),2019年07月09日
- Vertical GaN p-n Diodes on Low Dislocation and Low Resistive GaN Wafer Produced by OVPE Method,Junichi Takino,Tomoaki Sumi,Yoshio Okayama,Masaki Nobuoka,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Naomi Asai,Hiroshi Ohta,Tomoyoshi Mishima,Yusuke Mori,13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS13),2019年07月08日
- Multilateral Investigation of Electrical and Microstructural Properties of Threading Dislocations in Na-Flux-Grown GaN Crystals,Takeaki Hamachi,Tetsuya Tohei,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Akira Sakai,13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS13),2019年07月08日
- Development of high-quality and large CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub> crystal,Go Ando,Yoshinori Takahashi,Ryota Murai,Kosaku Kato,Makoto Nakajima,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM8),2019年06月11日
- Optical properties of SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> crystal for DUV laser application,Tsuyoshi Sugita,Yasunori Tanaka,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM8),2019年06月12日
- Crystallization of metastable phase of aspirin by femtosecond laser irradiation,Yuka Tsuri,Mihoko Maruyama,Hiroshi Y. Yoshikawa,Riki Fujimoto,Shino Okada,Hiroaki Adachi,Kazufumi Takano,Satoshi Murakami,Hiroyoshi Matsumura,Tsuyoshi Inoue,Masayuki Imanishi,Katsuo Tsukamoto,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,Opto 2019 Symposium on Photon and Beam Science,2019年06月12日
- Evaluation of Laser-induced degradation and surface damage resistances at 266nm of SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> crystal,Yasunori Tanaka,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Tsuyoshi Sugita,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Sora Aikawa,Yuji Umeda,Yusuke Funamoto,Tomosumi Kamimura,Masashi Yoshimura,8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM8),2019年06月12日
- Time-dependence of laser-induced absorption and LIDT of glass in deep UV,Takahisa Jitsuno,Haruka Ogawa,Shinji Motokoshi,Masashi Yoshimura,Kana Fujioka,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Pacific Rim Laser Damage & Thin Film Physics and Applications (SPIE-PLD|TFPA2019),2019年05月21日
- Temperature dependence of Laser-induced damage by multiple pulses irradiation for silica glasses,Ogawa Haruka,Motokoshi Shinji,Yoshimura Masashi,Jitsuno Takahisa,Fujioka Kana,Imanishi Masayuki,Mori Yusuke,Pacific Rim Laser Damage & Thin Film Physics and Applications (SPIE-PLD|TFPA2019),2019年05月22日
- Pulsed DC Sputtering Deposition of GaN Thin Films with Single Crystal Target for Low Impurity Concentration,Shogo Imai,Yuna Onishi,Takuya Onodera,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Hitoshi Miura,Nobuaki Takahashi,Yoshio Honda,Heajeong Cheong,Hiroshi Amano,Masahiro Uemukai,Ryuji Katayama,The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019),2019年04月25日
- Pulsed DC Sputtering Deposition of GaN Thin Films with Single Crystal Target for Low Impurity Concentration,Imai Shogo,Onishi Yuna,Onodera Takuya,Imanishi Masayuki,Mori Yusuke,Miura Hitoshi,Takahashi Nobuaki,Honda Yoshio,Cheong Heajeong,Amano Hiroshi,Uemukai Masahiro,Katayama Ryuji,The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019),2019年04月24日
- Monitoring of nitrogen content in Ga-Na melt by electrical resistance measurement on Sodium-Flux method,Ricksen Tandryo,Kosuke Murakami,Takumi Yamada,Tomoko Kitamura,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,Yusuke Mori,The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019),2019年04月25日
- Development of high-quality CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub> crystal for high-power DUV application,Masashi Yoshimura,Goh Ando,Yoshinori Takahashi,Ryota Murai,Kosaku Kato,Makoto Nakajima,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,The 8th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2019),2019年04月24日
- Crystal growth and optical properties of SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> crystal for DUV laser application,Tsuyoshi Sugita,Yasunori Tanaka,Ryota Murai,Yoshinori Takahashi,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,The 8th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2019),2019年04月24日
- Temperature dependence of laser-induced damage by multiple pulses irradiation,Haruka Ogawa,Shinji Motokoshi,Masashi Yoshimura,Takahisa Jitsuno,Kana Fujioka,Masayuki Imanishi,Yusuke Mori,The 8th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2019),2019年04月24日
- Naフラックス法におけるLi添加を用いた微小径ポイントシードGaN結合成長,濱田 和真,澤田 友貴,山田 拓海,村上 航介,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019),2019年03月12日
- 非線形光学結晶 CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>の高品質・大型化の検討,安藤 豪,高橋 義典,村井 良太,加藤 康作,中嶋 誠,今西 正幸,森 勇介,吉村 政志,第66回応用物理学会春季学術講演会 (JSAP2019),2019年03月09日
- NaフラックスGaNバルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析,濱地 威明,藤平 哲也,今西 正幸,森 勇介,酒井 朗,第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019),2019年03月12日
- OVPE法によるホモエピタキシャルGaN厚膜の欠陥構造評価,真鍋 海希,藤平 哲也,滝野 淳一,隅 智亮,今西 正幸,森 勇介,酒井 朗,第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019),2019年03月12日
- OVPE法によるCH4を用いた高速成長条件での厚膜・自立GaN結晶の作製,神山 将大,郡司 祥和,小林 大也,大芝 啓嘉,北本 啓,今西 正幸,吉村 政志,伊勢村 雅士,隅 智亮,滝野 淳一,岡山 芳央,信岡 政樹,森 勇介,第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019),2019年03月12日
- キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析,河村 貴宏,竹田 浩基,北本 啓,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,森川 良忠,寒川 義裕,柿本 浩一,第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019),2019年03月12日
- Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング,Ricksen Tandriyo,村上 航介,山田 拓海,北村 智子,今西 正幸,吉村 政志,森 勇介,第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019),2019年03月12日
- Naフラックスサファイア溶解法における溶液Li濃度とGaN結晶中Li濃度の関係,山田 拓海,今西 正幸,村上 航介,中村 幸介,吉村 政志,森 勇介,第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019),2019年03月11日
- 非線形光学結晶 CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>の高品質・大型化の検討,安藤 豪,高橋 義典,村井 良太,加藤 康作,中嶋 誠,今西 正幸,森 勇介,吉村 政志,第66回応用物理学会春季学術講演会(JSAP2019),2019年03月11日
- Crystal Growth and Optical Properties Evaluation of Strontium Tetraborate SRB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>,Y. Tanaka,R. Murai,Y. Takahashi,M. Imanishi,Y. Mori,T. Sugita,M. Yoshimura,The 10th International Conference on Photonics and Applications (ICPA-10),2018年11月12日
- Naフラックス法におけるオフ角サファイア上GaNを種基板とした低転位GaN結晶育成,武田直樹,山田拓海,今西正幸,森勇介,第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47),2018年11月01日
- レーザー誘起結晶化技術によるアスピリンの多形晶出と相転移のその場観察,釣優香,丸山美帆子,藤本史輝,岡田詩乃,安達宏昭,吉川洋史,高野和文,村上聡,松村浩由,井上豪,今西正幸,塚本勝男,吉村政志,森勇介,第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47),2018年11月01日
- ホウ酸系光学材料SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>の結晶育成及び光学特性評価,田中康教,杉田剛,村井良多,高橋義典,今西正幸,森勇介,吉村政志,第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47),2018年10月31日
- Naフラックス法における薄液成長技術を用いたGaN結晶のステップバンチング抑制,遠藤清人,山田拓海,村上航介,今西正幸,吉村政志,森勇介,第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47),2018年10月31日
- 単点Naフラックス法GaN基板中転位,水落博之,津坂佳幸,松井純爾,今西 正幸,森 勇介,第79回応用物理学会秋季学術講演会,2018年09月21日
- ナノビームX線回折法による改良型NaフラックスGaNバルク単結晶の深さ不幸結晶構造解析,志田和己,山本望,藤平哲也,今西正幸,森勇介,隅谷和嗣,今井康彦,木村滋,酒井朗,第79回応用物理学会秋季学術講演会,2018年09月21日
- 改良型NaフラックスGaN単結晶内単独転位の漏れ電流特性解析,濱地威明,藤平哲也,今西正幸,森勇介,酒井朗,第79回応用物理学会秋季学術講演会,2018年09月21日
- Naフラックスサファイア溶解法における大口径・低反りGaN結晶の作製,山田拓海,今西正幸,村上航介,中村幸介,吉村政志,森勇介,第79回応用物理学会秋季学術講演会,2018年09月21日
- 繰り返しパルス照射による石英ガラスのレーザー損傷の温度依存性,小川遼,本越伸二,吉村政志,實野孝久,藤岡加奈,今西正幸,森勇介,第79回応用物理学会秋季学術講演会,2018年09月19日
- Nanobeam X-ray Diffraction Analysis of Local Lattice Distortions,K. Shida,S. Takeuchi,T. Tohei,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,K. Sumitani,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7),2018年08月08日
- Leakage current analysis for Individual dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystal,T. Hamachi,S. Takeuchi,T. Tohei,M. Imanishi,Y. Mori,A. Sakai,The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-7),2018年08月10日
- The effect of undissolved carbon on GaN crystal growth in Na flux method,N. Takeda,T. Yamada,K. Murakami,K. Kakinouchi,M. Imanishi,Y. Mori,The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-7),2018年08月07日
- Reduction of Li impurity in the Freestanding GaN Substrate Fabricated by the Na - Flux Sapphire Dissolution Technique,T . Yamada,M. Imanishi,K. Murakami,K. Nakamura,M. Yoshimura,Y. Mori,The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7),2018年08月07日
- Fabrication of GaN Crystals with Low Resistivity Grown with the Na - flux Point Seed Technique,K. Endo,T. Yamada,H. Kubo,K. Murakami,M. Imanishi,M. Yoshimura,Y. Mori,The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7),2018年08月07日
- Recent Progress of GaN Growth by Na-flux Method,Yusuke Mori,Masayuki Imanishi,Masashi Yoshimura,The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7),2018年08月08日
- Naフラックスポイントシード法を用いたGaN結晶成長における転位発生原因の調査,澤田友貴,山田拓海,今西正幸,吉村政志,森勇介,第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会,2018年07月13日
- Growth and characterization of a strontium tetraborate SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub> for application of deep-ultraviolet optical components,Y. Tanaka,K. Shikata,Y. Takahashi,R. Murai,M. Imanishi,Y. Mori,M. Yoshimura,The 11th Asia-Pacific Laser Symposium (APLS 2018),2018年05月30日
- Naフラックスサファイア溶解法における再成長を用いたGaN結晶中Li不純物の低減,山田拓海,今西正幸,村上航介,中村幸介,今出完,吉村政志,森勇介,第65回応用物理学会春季学術講演会,2018年03月20日
- 改良型NaフラックスGaN単結晶内の単独転位における漏れ電流特性評価,濱地 明,竹内太郎,藤平哲也,今西正幸,今出完,森勇介,酒井朗,第65回応用物理学会春季学術講演会,2018年03月18日
- 多波回折明視野X線トポグラフィによるNaフラックス法GaN基板中転位の同定,水落博之,鶴丸哲也,津坂佳幸,松井純爾,今西正幸,今出完,森勇介,第65回応用物理学会春季学術講演会,2018年03月18日
- Naフラックス法で作製したGaN結晶における酸素濃度が電気特性に与える影響,遠藤清人,山田拓,蔵本流星,林正俊,久保等,丸山美帆子,村上航介,今西正幸,今出完,吉村政志,森勇介,第65回応用物理学会 春季学術講演会,2018年03月18日
- OVPE法を用いたGaN結晶成長におけるメタン添加の効果,北本啓,山口陽平,津野慎太郎,石橋桂樹,郡司祥和,今西正幸,今出完,吉村政志,伊勢村雅士,隅智亮,滝野淳一,岡山芳央,信岡政樹,森勇介,第65回応用物理学会春季学術講演会,2018年03月18日
- OVPE法を用いたGaN育成におけるNH<sub>3</sub>/H<sub>2</sub>比の多結晶形成への影響,津野慎太郎,郡司祥和,山口陽平,石橋桂樹,北本啓,今西正幸,今出完,吉村政志,伊勢村雅士,隅智亮,滝野淳一,岡山芳央,信岡政樹,森勇介,第65回応用物理学会 春季学術講演会,2018年03月18日
- 外場印加による医薬化合物アスピリンの準安定形晶出,釣優香,仁井滉允,丸山美帆子,岡田詩乃,安達宏昭,吉川洋史,高野和文,村上聡,松村浩由,井上豪,塚本勝男,今西正幸,吉村政志,森勇介,第65回応用物理学会春季学術講演会,2018年03月17日
- ホウ酸系光学材料SrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>の結晶育成及びレーザー損傷耐性評価(2),四方啓太,田中康教,村井良多,高橋義典,今西正幸,森勇介,吉村 政志,第65回応用物理学会春季学術講演会,2018年03月17日
- 転位低減に向けたNaフラックス法によるGaN結晶育成技術の新展開,森勇介,今西正幸,今出完,吉村政志,第65回応用物理学会春季学術講演会,2018年03月17日
- [15. 結晶工学 分科内招待講演] 結晶育成技術が拓くイノベーションとベンチャー起業,森勇介,今西正幸,今出完,丸山美帆子,吉村政志,第65回応用物理学会春季学術講演会,2018年03月17日
- Growth of High Crystallinity Thick GaN Layers by Oxide Vapor Phase Epitaxy,Y. Gunji,Y. Yamaguchi,K. Ishibashi,S. Tsuno,A. Kitamoto,M. Imanishi,M. Imade,M. Yoshimura,M. Isemura,Y. Mori,The 7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-7),2017年10月17日
- Growth of bulk GaN crystal by Na flux method,Y. Mori,M. Imanishi,M. Yoshimura,M. Imade,International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017),2017年09月30日
- Growth of bulk GaN crystals by the Na-flux point seed technique,Y. Mori,M. Imade,M. Imanishi,M. Yoshimura,The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS),2017年09月25日
- Evaluation of stacking faults free semipolar {11-22} GaN substrate grown by Na-flux point seed technique,N. Okada,H. Ikeuchi,N. Morishita,T. Matsubara,T. Tanikawa,Kim DoHun,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,K. Tadatomo,2th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12),2017年07月25日
- Nano beam X-ray diffraction analysis of Na flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode,S. Takeuchi,Y. Mizuta,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12),2017年07月24日
- Effect of gaseous Carbon addition in GaN crystal growth by Na-flux method,N. Takeda,M. Imanishi,K. Murakami,M. Hayashi,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA’17),2017年04月21日
- 放射線検出器に向けたNa-flux法GaN育成方法の検討と電気特性評価,矢野雄大,中川央也,井上翼,青木徹,今西正幸,今出完,森勇介,中野貴之,結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM),2017年
- 圧電応答顕微鏡法によるNaフラックスGaN単結晶の局所圧電物性解析,植田瑛,竹内正太郎,今西正幸,今出完,森勇介,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2017年
- NaフラックスGaN単結晶内の孤立転位に起因した局所漏れ電流特性評価,濱地威明,竹内正太郎,今西正幸,今出完,森勇介,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2017年
- Evaluation of Freestanding GaN Substrates by Dissolution of Sapphire Substrates Using Li after the Na-Flux Growth,T. Yamada,M. Imanishi,K. Nakamura,K. Murakami,H. Imabayashi,D. Matsuo,M. Honjo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016),2016年10月05日
- Enhancement of Lateral Growth of GaN Crystal with Extremely Low Dislocation Density by Na-Flux Point Seed Technique,M. Hayashi,M. Imanishi,T. Yamada,D. Matsuo,K. Murakami,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016),2016年10月
- Enhancement of Lateral Growth of the GaN Crystal with Extremely Low Dislocation Density during the Na-flux Growth on a Point Seed,M. Hayashi,M. Imanishi,T. Yamada,D. Matsuo,K. Murakami,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18),2016年08月09日
- Interface and dislocation structures in Na flux GaN grown on MOCVD-GaN,S. Takeuchi,H. Asazu,Y. Mizuta,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,A. Sakai,The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18),2016年08月09日
- Improvement of crystallinity of semi-polar GaN single crystals by Na-flux Point seed method,D. H. Kim,M. Imanishi,T. Yamada,M. Honjo,K. Murakami,D. Matsuo,H. Imabayashi,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18),2016年08月09日
- Growth of Bulk GaN Crystals by the Na-Flux Point Seed Technique,M. Imade,M. Imanishi,M. Maruyama,M. Yoshimura,Y. Mori,The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18),2016年08月09日
- Suppression of V-shape Valley Formation at the Coalescence Boundary in 4-inch GaN Crystals Growth from Multiple HVPE Wafers by the Na-flux Growth,M. Imanishi,K. Murakami,M. Honjo,H. Imabayashi,D. Matsuo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,T. Yoshida,T. Kitamura,M. Shibata,Y. Mori,he 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18),2016年08月11日
- Fabrication of crack-free freestanding GaN substrates by dissolution of sapphire substrates using Li after the Na-flux growth,T. Yamada,M. Imanishi,K. Nakamura,K. Murakami,H. Imabayashi,D. Matsuo,M. Honjo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18),2016年08月11日
- Enhancement of Lateral Growth of the GaN Crystal with Extremely Low Dislocation Density during theNa-flux Growth on a Point Seed,M. Hayashi,M. Imanishi,T. Yamada,D. Matsuo,K. Murakami,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y.Mori,2016年08月
- Suppression of V-shape Valley Formation at the Coalescence Boundary in 4-inch GaN Crystals Growtn from Multiple HVPE Wafers by the Na-flux Growth,M. Imanishi,K. Murakami,M. Honjo,H. Imabayashi,D. Matsuo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,T. Yoshida,T. Kitamura,M. Shibata,Y. Mori,2016年08月
- Fabrication of Crack-Free Freestanding GaN Substrates by Dissolution of Sapphire Substrates using Li after the Na-Flux Growth,T. Yamada,M. Imanishi,K. Nakamura,K. Murakami,H. Imabayashi,D. Matsuo,M. Honjo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’16 (LEDIA’16),2016年05月19日
- 種結晶GaN表面および成長モードを制御したNaフラックスGaNの欠陥構造解析,水田祐貴,竹内正太郎,今西正幸,今出完,森勇介,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2016年
- X線マイクロ回折による種結晶表面・成長モード制御NaフラックスGaNの微視的結晶構造解析,水田祐貴,竹内正太郎,今西正幸,今出完,今井康彦,木村滋,森勇介,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2016年
- 窒化物半導体の成長表・界面制御と転位挙動-Naフラックス成長GaN結晶を中心に-,酒井朗,浅津宏伝,竹内正太郎,中村芳明,今西正幸,今出完,森勇介,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2015年
- Controlling the Growth Habit of Early Stage in the Na-Flux Coalescence Growth by the Dipping Technique,K. Nakamura,M. Imanishi,T. Sato,K. Murakami,H. Imabayashi,H. Takazawa,Y. Todoroki,D. Matsuo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,Conference on LED and its industrial application '14 (LEDIA '14),2014年04月24日
- Naフラックス結合成長法における成長ハビットと転位挙動の関係,今西正幸,村上航介,今林弘毅,高澤秀生,松尾大輔,轟夕摩,丸山美帆子,浅津宏伝,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,今出完,吉村政志,森勇介,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2014年
- Fabrication of 2-inch-diameter GaN wafers via coalescence growth on GaN point seeds using the Na-flux method,M. Imanishi,K. Murakami,H. Imabayashi,H. Takazawa,Y. Todoroki,D. Matsuo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,JSAP- MRS Joint Symposia 2013, Doshisha University,2013年09月17日
- Growth of 2-Inch-Diameter GaN Wafers via Coalescence Growth Using the Na-Flux Method,M. Imanishi,K. Murakami,H. Imabayashi,H. Takazawa,Y. Todoroki,D. Matsuo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10),2013年08月28日
- Fabrication of bulk GaN crystals by Na flux method with a necking technique and a coalescence growth,Y. Mori,M. Imanishi,K. Murakami,D. Matsuo,H. Imabayashi,H. Takazawa,Y. Todoroki,A. Kitamoto,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,2013年08月14日
- Coalescence growth of GaN crystals for fabrication of large-diameter GaN wafers using the Na flux method,M. Imanishi,K. Murakami,H. Imabayashi,H. Takazawa,Y. Todoroki,D. Matsuo,M. Murakami,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,2013年04月25日
- The coalescence growth of high-quality GaN crystals using the Na flux method,M. Imanishi,K. Murakami,H. Matsuo,M. Maruyama,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012),2012年10月16日
- Fabrication of OVPE-GaN substrate with low absorption coefficient by defect suppression for laser slicing,Hiroaki Mifune,Shigeyoshi Usami,Masahiro Kamiyama,Masayuki Imanishi,Mihoko Maruyama,Masashi Yoshimura,Tomoaki Sumi,Junichi Takino,Yoshio Okayama,Masahiko Hata,Masashi Isemura,Yusuke Mori,The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40),2011年10月11日