Na-Flux Growth on the Tiling HVPE Wafer for the Suppression of V-Shape Valley Formation at the Coalescence Boundary

M. Imanishi, K. Murakami, M. Honjo, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, T. Yoshida, T. Kitamura, M. Shibata, Y. Mori

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)　2016/10/05

Naフラックス法におけるGaN結晶成長がGa-Na融液の電気抵抗に与える影響

今西 正幸, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 森 勇介

日本金属学会 2025年秋期(第177回)講演大会　2025/09/19

Naフラックス法におけるポイントシード間距離がGaN結晶転位密度に与える影響

佐々木 稜太郎, 今西 正幸, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

Naフラックス法におけるファセット成長後のGaN結晶平坦化及び低転位密度化

鷲田 将吾, 今西 正幸, 佐々木 稜太郎, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

Naフラックス法におけるGa₂O₃誘起ファセット成長を活用したGaN結晶の転位密度低減

今西 正幸, 奥村 加奈子, 垣之内 啓介, 植田 光寿, 川畑 健一, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 森 勇介

第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

酸素濃度を低減したOVPE-GaNの熱物性評価

浅生 晃聖, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 滝野 淳一, 隅 智亮, 岡山 芳央, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの大気圧活性化におけるAlN中間層挿入の効果

宇佐美 茂佳, 伊藤 佑太, 横井 創吾, 田中 敦, 滝野 淳一, 隅 智亮, 今西 正幸, 横山 正史, 秦 雅彦, 岡山 芳央, 本田 善央, 天野 浩, 森 勇介

第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

Effects of Source Supply Ratio and Growth Rate on Surface Morphology of a (010) β-Ga₂O₃ Crystal During Oxide Vapor Phase Epitaxy

Eisho Kishimoto, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

21st International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-21)　2025/08/07

Preparation of Highly Smooth Surfaces on OVPE-GaN Substrates via Photoelectrochemical Reaction-Assisted Polishing

Kiyoto Kayao, Tatsuya Fukagawa, Daisetsu Toh, Jumpei Yamada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Yasuhisa Sano

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/10

Microscopic Raman study of GaN p-n junction diodes grown on OVPE GaN substrates

Yusuke Hayashi, Kouto Tamamizu, Taisuke Ota, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

Investigation of electrochemical etching properties of heavily oxygen doped n-type GaN,

Sogo Yokoi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masafumi Yokoyama, Masahiko Hata, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

Suppression of Polycrystals During GaN Crystal Growth in Na-flux Method under the Higher Temperature and the Higher Nitrogen Pressure Conditions

Tomoki Tashiro, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

Effect of temperature on high-speed growth of GaN using oxide vapor phase epitaxy

Shigeyoshi Usami, Daisuke Yamada, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

The Effect of Ga Composition of Melt on the Dislocation Density at the Coalescence Region of GaN Crystal Grown with the Na-flux Point Seed Technique

Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

Reduction of Threading Dislocations in GaN Crystals During Facet Growth Induced by Oxygen Impurity in the Na Flux Method

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

Fabricating Damage-Free Surface for Crystal Growth on Seed GaN Crystal Grown by Na-flux Method Using PEC Etching with Bias Voltage Application,

Tatsuya Fukagawa, Kiyoto Kayao, Daisetsu Toh, Jumpei Yamada, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Yasuhisa Sano

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

Investigation of bulk deep-ultraviolet laser-induced damage tolerance of CsLiB₆O₁₀ crystals

Kazuki Kiriyama, Gentaro Iguchi, Ryota Murai, Tomoaki Nambu, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 13th Asia Pacific Laser Symposium (APLS2025)　2025/05/15

流体解析を用いたSrB₄O₇単結晶の大型化の検討

松岡 孝弥, 山本 大平, 小林 大也, 谷川 淳, 高橋 義典, 村井 良多, 南部 誠明, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会 関西支部、中国・四国支部連合 若手学術交流研究会　2025/05/12

CsLiB₆O₁₀を⽤いた深紫外光波⻑変換における出⼒変化の調査

原 拓海, 島田 恭介, 山本 果穂, 村井 良太, 南部 誠明, 高橋 義典, 岡田 壌治, 宇佐美 茂佳, 今⻄ 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会 関西支部、中国・四国支部連合 若手学術交流研究会　2025/05/12

Comparison of theoretical and experimental picosecond deep ultraviolet laser power generated with CsLiB<sub>6<s/ub>O₁₀

Kyosuke Shimada, Tomoaki Nambu, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, George Okada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 14th Advanced Lasers and Photon Sources(ALPS2025)　2025/04/23

CsLiB₆O₁₀結晶の深紫外光バルク損傷耐性評価

桐山 一輝, 井口 玄太郎, 村井 良太, 南部 誠明, 高橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会学術講演会第45回年次大会　2025/01/23

OVPE法による(010)面β-Ga₂O₃成長における多結晶量のVI/III比依存性

岸本詠章, 白石智之, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学講演会　2024/11/22

Naフラックス法におけるLaser-Assisted Separation (LAS) 法を用いたGaN結晶の クラック抑制

田中 唯意, 今西正幸, 鷲田奨吾, 住谷優, 村上航介, 宇佐美重佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学講演会　2024/11/22

Naフラックス法によるGaN結晶育成における多結晶抑制に向けた成長温度・圧力条件の検討

田代知輝, 今西正幸, 鷲田将吾, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森 勇介

第3回結晶工学講演会　2024/11/22

Reduction of polycrystalline GaN crystals derived from melt back of seed substrate in the Na-flux method

Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/05

In situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices grown on OVPE-GaN substrates

Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akio Wakejima, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Akira Sakai

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/04

Thermodynamic and experimental studies of OVPE-GaN growth under the low nucleation frequency conditions

Tsubasa Nakazono, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/04

Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation propagation in the Na-flux point seed technique

Ryotaro Sasaki, Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/04

Repeated Homoepitaxial Growth of GaN crystals by Na-flux Method on a Native Seed

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/04

The effect of improving surface flatness of GaN crystals by Zn addition in the Na-flux method

Yu Sumitani, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)　2024/10/02

内部欠陥低減に向けたSrB₄O₇の種結晶の極性検討

畠山朋也, 小林大也, 谷川淳, 高澤秀生, 村井良多, 高橋義典, 五十嵐裕紀, 南部誠明, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

2024/09/20

CsLiB₆O₁₀を用いた深紫外光波長変換における出力変化の調査(Ⅱ)

島田恭丞, 原拓海, 山本果穂, 村井良多, 南部誠明, 高橋義典, 岡田穣治, 宇佐美茂佳, 今西 正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村 政志

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/20

β-Ga₂O₃結晶のOVPE成長における熱力学計算を用いた成長速度制御

白石智裕, 今西正幸, 細川敬介, 宇佐美茂佳, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/20

高キャリア濃度OVPE-GaNの電気化学エッチングに関する特性

横井創吾, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 伊藤瞭太, 秦雅彦, 田中 敦之, 本田善央, 天野浩, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

Naフラックス法におけるメルトバックを利用した低転位GaN結晶成長における多結晶の低減

鷲田将吾, 今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの大気圧活性化手法の提案

宇佐美茂佳, 伊藤佑太, 香川美幸, 横井創吾, 田中敦之, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 伊藤 瞭太, 秦雅彦, 吉村政志, 岡山芳央, 本田善央, 天野浩, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/16

Effect of Water Reabsorption in CsLiB₆O₁₀ on Picosecond Deep-Ultraviolet Pulse Generation

Kyosuke Shimada, Nagi Yamamoto, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, George Okada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024)　2024/08/07

Investigations on Scattering Centers in CsLiB₆O₁₀ Crystals

Yoshihiro Kataoka, Yuto Matsumi, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Hideo Takazawa, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024)　2024/08/07

CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

片岡義博, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024/01/19

点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響

西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023/12/06

CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

片岡義博, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023/12/06

フラックス過剰溶液からの非線形光学結晶CsLiB₆O₁₀の結晶成長

吉村政志, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023/12/06

ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察

道端詩, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 田尻理恵, 吉川洋史, 高野和文, 岡田淳志, 郡健二郎, 安井孝周, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023/12/04

リン酸カルシウム結石形成プロセス解明に向けた結晶相転移の動的観察

高橋広登, 田中勇太朗, 吉川洋史, 吉村政志, 高野和文, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 丸山美帆子

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023/12/04

In-situ monitoring of GaN crystal growth via electroresistometry of Ga-Na solution in the Na-flux growth

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/14

Influence of Carrier Concentration of GaN Substrate on Etch-pit Size of Dislocation in GaN Substrate

Bhavpreeta Pratap Charan, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/14

Origin of black color in heavily doped n-type GaN

Tomoaki Sumi, Takino Junichi, Yoshio Okayama, Shigeyoshi Usami, Msayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/13

Dislocation Reduction in GaN Crystals Using Facet Growth Caused by Meltback in the Na-flux Method

Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kazuma Hamada, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/16

Recent Progress of Bulk GaN Growth by Na-Flux Method

Yusuke Mori, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/16

Effect of hydrogen partial pressure on GaN high-speed growth by OVPE

Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/13

Clarifying inclusions in GaN crystals which can burst at oxide vapor phase epitaxy growth temperature

Yu Sumitani, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kazuma Hamada, Ricksen Tandryo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42)　2023/10/13

Suppressing parasitic nucleation inbeta-Ga₂O₃ OVPE growth by low VI/Ⅲ ratio gas

Tomohiro Shiraishi, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42)　2023/10/12

Naフラックス法におけるGaN結晶低転位化に向けたメ ルトバック表面上成長条件の検討

鷲田 将吾, 今西 正幸, 濱田 和真, Tandryo Ricksen, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/20

Naフラックス法におけるFFC技術を用いた半極性$\{20\bar{2}1\}$面GaN結晶の平坦化

北野 春来, 今西 正幸, 濱田 和真, Tandryo Ricksen, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/20

フラックス過剰溶液からの非線形光学結晶CsLiB₆O₁₀の 結晶成長

松實 優斗, 村井 良多, 義典 高橋, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/19

OVPE法を用いたGaNのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用

宇佐美 茂佳, 東山 律子, 滝野 淳一, 太田 博, 渡邉 浩崇, 今西 正幸, 隅 智亮, 岡山 芳央, 三島 友 義, 新田 州吾, 本田 善央, 吉村 政志, 雅彦 秦, 伊勢村 雅士, 天野 浩, 森 勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/20

ドリフト層幅の異なるGaN pn接合ダイオードを用いた伝導度変調の解析

宇佐美 茂佳, 太田 博, 渡邉 浩崇, 今西 正幸, 新田 州吾, 本田 善央, 三島 友義, 天野 浩, 森 勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/21

OVPE-GaN成長における雰囲気加熱方式を用いた大ピット抑制

櫻井 悠貴, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 隅 智 亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 丸山 美帆子, 吉村 政 志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/20

CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

片岡 義博, 松實 優斗, 良多 村井, 高橋 義典, 秀生 高澤, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/19

Bulk laser-induced damage resistance of SrB₄O₇ single crystals under 266-nm DUV laser irradiation（II）

Ryoh Noguchi, Kota Sekigawa, Yasunori Tanaka, Yuya Tsunezuka, Tomoya Nakao, Ryohei Yasukuni, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 12th Advanced Lasers and Photon Sources Conference (ALPS2023)　2023/04/18

ホウ酸系光学材料SrB₄O₇結晶の大型・バルク化

野口 凌, 関川 康太, 田中 康教, 村井 良多, 高橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

第70回応用物理学会 春季学術講演会　2023/03/15

OVPE法によるGaN超高速成長における水素分圧の影響

宇佐美 茂佳, 東山 律子, 今西 正幸, 滝野 淳一, 隅 智亮, 岡山 芳央, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第70回応用物理学会 春季学術講演会　2023/03/18

CsLiB₆O₁₀を用いた深紫外光出力の経時安定性評価

山本 凪, 村井 良多, 高橋 義典, 折井 庸亮, 岡田 穣治, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会学術講演会 第43回年次大会　2023/01/19

ホウ酸系光学結晶SrB₄O₇の育成と266nm深紫外光多重パルス照射に対するバルク損傷耐性

野口 凌, 関川 康太, 常塚 祐矢, 中尾 友哉, 安國 良平, 神村 共住, 村井 良多, 高橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会学術講演会 第43回年次大会　2023/01/19

Surface Structures of GaN under OVPE Growth Conditions and Influence of Point Defects on Optical Properties of GaN

河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌(CD-ROM)　2023

骨リモデリング機構解明に向けたマウス骨成分の結晶相分析

高橋 由利子, 丸山 美帆子, 小野 優河, 山下 英里華, 吉川 洋史, 松崎 賢寿, 杉浦 悠紀, 田尻 理恵, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 菊田 順一, 吉村 政志, 石井 優, 森 勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/10/31

新Ga種考慮によるOVPE-GaN熱力学モデルの修正

櫻井 悠貴, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022/11/24

Naフラックス法におけるGaN結晶表面のエッチピットを起因としたファセット成長による転位低減効果

鷲田 将吾, 濱田 和真, Ricksen Tandryo, 中島 達彦, 村上 航介, 今西 正幸, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022/11/24

Naフラックス法を用いた半極性(20-21)面GaN結晶成長における結晶表面モルフォロジーの過飽和度依存性

北野 春来, 髙橋 響, 中島 達彦, 濱田 和真, Tandryo Ricksen, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022/11/24

GaNの熱伝導率に対する点欠陥の影響

河村 貴宏, 西山 稜悟, 秋山 亨, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022

尿路結石形成機構の解明に向けたシュウ酸カルシウム結石における結晶相転移観察

道端 詩, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 田尻 理恵, 吉川 洋史, 高野 和文, 岡田 淳志, 安井 孝周, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/10/31

Ga₂O, H₂Oを原料ガスとするGa₂O₃成長の熱力学解析

富樫 理恵, 鈴木 明香里, 石田 遥夏, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 湊 雅彦, 森 勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/11/01

OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長

今西 正幸, 細川 敬介, 奥村 加奈子, 宇佐美 茂佳, 富樫 理恵, 湊 雅彦, 森 勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/11/01

ホウ酸系光学材料SrB₄O₇結晶の大型化と高品質化

関川 康太, 村井 良多, 髙橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/11/01

OVPE法で育成したGaNのグロースピット径制御

宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 滝野 淳一, 隅 智亮, 岡山 佳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/11/02

Reduction of dislocations in OVPE-GaN by using free-standing substrate with low-dislocation density

Masami Aihara, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 41st Electronic Materials Symposium (EMS-41)　2022/10/21

The suppression of parasitic polycrystal growth around the wall for high-rate growth of the thick OVPE-GaN crystal

Itsuki Kawanami, Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 41st Electronic Materials Symposium (EMS-41)　2022/10/21

Growth rate monitoring in Na-flux GaN crystal growth via electrical resistance measurement of Ga-Na melt

Ricksen Tandryo, Koichi Itozawa, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

Effect of dislocation reduction through facet growth caused by decomposed substrate surf ace in the Na flux method

Shogo Washida, Ricksen Tandryo, Kazuma Hamada, Tatsuhiko Nakajima, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

Improvement of a GaN Crystal Quality by Isotropic Pyramidal Growth Through Low-Temperature Condition in the Na-Flux Method

Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Keisuke Kakinouchi, Kanako Okumura, Takumi Yamada, Kosuke Nakamura, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

The suppression of parasitic polycrystal growth around the wall for high-rate growth of the thick OVPE-GaN crystal

I. Kawanami, S. Usami, M. Imanishi, M. Maruyama, M. Yoshimura, M. Sumi, J. Takino, Y. Okayama, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

Thermodynamic analysis of Oxide Vapor Phase Epitaxy of GaN

Yuki Sakurai, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

Growth of a large-size and high-quality strontium tetraborate crystal

Kota Sekigawa, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/20

Analysis of conductivity modulation of pn diodes fabricated on OVPE-GaN substrate

S. Usami, H. Ohta, J. Takino, H. Watanabe, T. Sumi, M. Imanishi, S. Nitta, Y. Honda, Y. Mori, T. Mishima, Y. Okayama, H. Amano

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/22

Room-temperature PL lifetime of state-of-the-art n-type GaN substrates and epilayers

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. Ishibashi, H. Watanabe, A. Tanaka, Y. Honda, M. Imanishi, Y. Mori, T. Nabatame, Y. Irokawa, H. Amano, Y. Koide

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/23

Planarization of $\{20\bar{2}1\}$GaN Single Crystals by Li Addition Usin g Na Flux Method

Hibiki Takahashi, Ricksen Tandryo, Kazuma Hamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

短パルスレーザー照射によるアントラセンの結晶化における濃度場の高速度観測

釣 優香, 丸山 美帆子, 吉川 洋史, 塚本 勝男, 高野 和文, 安達 宏昭, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 細川 陽一郎, 吉村 政志, 森 勇介

応用物理学会関西支部2022年度第1回講演会　2022/05/16

Promising Results of National Project by Japanese Ministry of the Environment to Develop GaN on GaN Power Devices and Prove their Usefulness in Real Systems

Yohei Otoki, Masatomo Shibata, Tomoyoshi Mishima, Hiroshi Ohta, Yusuke Mori, Masayuki Imanishi, Satoshi Tamura, Kazunori Kidera, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Keiji Watanabe, Naoya Okamoto, Yoshio Honda, Masayoshi Yamamoto, Koji Shiozaki, Hiroshi Amano

CS MANTECH 2022　2022/05/12

Effects of pulse duration on the laser-induced crystallization of urea

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Kazufumi Takano, Hiroaki Adachi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022)　2022/04/25

High-Speed Visualization of Concentration Field Associated with Laser-Induced Crystallization Process of an Anthracene

Mihoko Maruyama, Yuka Tsuri, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Takashi Onuma, Ryutaro Shimada, Tomohiko Tateshima, Kazufumi Takano, Hiroaki Adachi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022)　2022/04/26

Analysis of Helical Dislocations observed in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate

Bhavpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/22

Growth of GaN Crystal with Low Dislocation Density and Low Oxygen Concentration by a Thin-Level Na-flux Growth with a Li Additive

Tatsuhiko Nakajima, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/22

Effect of Ga/flux composition ratio and the amount of dissolved nitrogen on the growth habit of GaN crystal by the Na-flux point seed method

Jumpei Fujiwara, Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/22

Dependence of crystallinity of GaN crystals grown by the Na flux point seed technique on the off-angle of the seed substrate

Shogo Washida, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/22

Influence of Point and Complex Defects on Electronic Structure of GaN

Takahiro Kawamura, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/22

Bulk laser-induced damage resistance of SrB₄O₇ single crystals under 266-nm DUV laser irradiatio

Yutaka Maegaki, Yasunori Tanaka, Haruki Marui, Atsushi Koizumi, Kuta Tanaka, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John, F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori

The 11th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2022)　2022/04/20

Peculiar Photoluminescence in GaN Vertical PN Diode

T. Tanigawa, M. Tukakoshi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, S. Kawasaki, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano, M. Uemukai, R. Katayama

The 69th JSAP Spring Meeting 2022　2022/03/24

Multi Pulse deep-ultraviolet bulk laser-induced damage in SrB₄O₇ crytal at 266nm

Y. Maegaki, Y. Tanaka, H. Marui, A. Koizumi, K. Tanaka, T. Kamimura, R. Murai, Y. Takahashi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, M. Yoshimura

The 69th JSAP Spring Meeting 2022　2022/03/24

Enhancing Nucleation on Micro-size GaN Point-seed Crystals by Utilizing Nitrogen Desorption Properties in the Na-Flux Method

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 69th JSAP Spring Meeting 2022　2022/03/24

GaN crystal growth technology for hight performance of hight frequency devices

Y. Mori, M. Imanishi, S. Usami, M. Yoshimura, M. Moriyama

The 69th JSAP Spring Meeting 2022　2022/03/24

Hight growth-rate and thick GaN grows by oxide vapor phase epitaxy method

S. Usami, A. Shimizu, M. Imanishi, J. Takino, T. Sumi, Y. Okayama, M. Maruyama, M.Yoshimura, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori

The 69th JSAP Spring Meeting 2022　2022/03/22

Thermodynamic study of Ga₂O₃ growth using Ga<sub>2O and H₂O source gases

R. Togashi, A. Suzuki, H. Ishida, S. Usami, M. Imanishi, M. Hata, Y. Mori

The 69th JSAP Spring Meeting 2022　2022/03/26

Growth of Beta-Phase Ga₂O₃ Substrates OVPE Method

M, Imanishi, H. kobayashi, K. Okumura, K. Hosokawa, S. Usami, R. Togashi, M.Hata, Y. Mori

The 69th JSAP Spring Meeting 2022　2022/03/26

Enhancing Nucleation on Micro-size GaN point-seed crystals by Utilizing Nitrogen Desorption Properties in the Na-Flux Method

TANDRYO Ricksen, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2022

Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate

Bhavpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021/12/23

Naフラックス法におけるLi添加による$(20\bar{2}1)$面GaN単結晶の表面平坦化効果

髙橋響, 糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021/12/23

Naフラックス法を用いた低転位GaN基板の再成長における転位増加の抑制

山内彪我, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021/12/23

OVPE法による超低抵抗・高品質GaN結晶成長とそのデバイス応用

宇佐美茂佳, 清水歩, 三船浩明, 今西正幸, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央, 太田博, 三島友義, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/03

GaN中の点欠陥および複合欠陥が光学特性に与える影響の解明

大畑智嗣, 河村貴宏, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/03

窒化ガリウム中の反り低減に向けた初期高酸素濃度領域の薄膜化

濱田和真, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/02

超低核生成頻度条件での多結晶形成抑制による低転位バルクOVPE-GaN結晶の高速成長

清水歩, 宇佐美茂佳, 櫻井悠貴, 川波一貴, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/02

Naフラックス法における窒素溶解量の増加による核発声の促進

鷲田将吾, 中島達彦, 濱田和馬, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/02

テラヘルツ自由電子レーザーを用いたアントラセンの結晶核形成誘起

丸山美帆子, 中島誠, 吉川洋史, 塚本勝男, 王有為, 太田雅人, 釣優香, 磯山悟朗, 大沼隼志, 島田竜太郎, 立嶋知彦, V.C.Agulto, V.K.Mag-usara, 高野和文, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/29

短パルスレーザー照射によるアントラセン結晶核形成の高速度観察

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 大沼隼志, 島田竜太郎, 立嶋知彦, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/29

ホウ酸系光学結晶SrB₄O₇の内部欠陥の抑制

前垣雄隆, 田中康教, 村井良太, 髙橋義典, 杉田剛, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第50回結晶成長国内会議　2021/10/29

超低抵抗・低転位密度GaN基板の開発とデバイス応用

滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 岡山芳央, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/27

レーザーアブレーションが誘起する結晶化現象の可視化

吉川洋史, 丸山美帆子, 釣優香, 塚本勝男, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/27

アスピリンの安定相と準安定相が作るintergrowth形成のその場観察

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/27

High-rate OVPE-GaN growth by the suppression of H₂O pressure with N₂O gas instead of H₂O gas in a high-temperature condition

Itsuki Kawanami, Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021/10/11

In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement

Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021/10/11

High-rate GaN crystal growth by the suppression of polycrystal formation at a high temperature above 1250℃ using the OVPE method

Ayumu Shimizu, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021/10/11

Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method

Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD21)　2021/07/01

ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

濱地 威明, 藤平 哲也, 林 侑介, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介, 隅谷 和嗣, 今井 康彦, 木村 滋, 酒井 朗

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/19

Structure analysis of OVPE-grown GaN crystals by using nanobeam X-ray diffraction

2021/03/17

OVPE-GaN（高濃度酸素添加GaN）結晶黒色化の起源

隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 北本 啓, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/17

First-Principles Calculation of Electronic Structure of GaN with Point and Complex Defects

Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanish, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The８th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/02

High surface laser-induced damage threshold of SrB₄O₇ single crystals under 266-nm (DUV) laser irradiation

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Tsuyoshi Sugita, Daisetsu Toh, Kazuto Yamauchi, Sora Aikawa, Haruki Marui, Yuji Umeda, Yusuke Funamoto, Tomosumi Kamimura, Melvin John, F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/01

Laser pulse duration effects on laser-induced crystallization of urea

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The８th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/03

Structural Analysis of Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction: Local Lattice Constant Variation Depending on the Growth Sector

Zhendong Wu, Kazuki Shida, Takeaki Hamachi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

The８th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/01

Investigation on Dislocation Behavior in Homoepitaxial Growth of GaN Crystals by Na-Flux Method

山内彪我, TANDRYO Ricksen, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2021

Investigation of Nitrogen Desorption Properties Toward Solubility Improvement in the Na-Flux Method

TANDRYO Ricksen, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2021

Measurement of Optically Dense Semiconductor with 10²⁰ cm^-3 Carrier Density by Terahertz Time-Domain Ellipsometry

AGULTO Verdad C., IWAMOTO Toshiyuki, KITAHARA Hideaki, TOYA Kazuhiro, MAG-USARA Valynn Katrine, IMANISHI Masayuki, MORI Yusuke, YOSHIMURA Masashi, NAKAJIMA Makoto

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2021

N₂OガスをⅢ族供給源に用いたOVPE法によるGaN結晶成長

川波 一貴, 清水 歩, 三船 浩明, 神山 将大, 北本 啓, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇 介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020/12/28

Naフラックス法における電気抵抗変化とGaN結晶成長の関連性

糸澤 孝一, Ricksen Tandryo, 村上 航介, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020/12/23

Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶成長形状のGa比率_気相保持時間依存症

藤原 淳平, 糸澤 孝一, Ricksen Tandryo, 村上 航介, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020/12/23

N₂Oガス添加によるOVPE-GaN結晶の高速厚膜化の実現

清水 歩, 神山 将大, 北本 啓, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇 介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020/12/23

ホウ酸系光学結晶SrB₄O₇の高品質化

前垣 雄隆, 田中 康教, 村井 良多, 高橋 義典, 杉田 剛, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020/11/09

レーザーのパルス時間幅が尿素結晶化に及ぼす影響

釣 優香, 丸山 美帆子, 吉川 洋史, 塚本 勝男, 安達 宏昭, 高野 和文, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020/11/10

尿路結石形成機序解明に向けたシュウ酸カルシウム結晶の溶媒媒介相転移の観察

久住 翔太, 丸山 美帆子, 門馬 鋼一, 古川 善博, 杉浦 悠紀, 田中 勇太朗, 田尻 理恵, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉川 洋史, 高野 和文, 岡田 淳志, 安井 孝周, 吉村 政志, 森 勇介

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020/11/10

Growth of GaN Crystal with Low Oxygen Concentration and Low Dislocation Density by Na-flux PS Method with Li Addition Technique

Tatsuhiko Nakajima, Takumi Yamada, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

39th Electronic Materials Symposium (EMS-39)　2020/10/08

HVPE-GaNバルク結晶における貫通転位の3次元的形態 とバーガースベクトルの関係

濱地 威明, 藤平 哲也, 林 侑介, 今西 正幸, 森 勇 介, 五十嵐 信行, 酒井 朗

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/08

HVPE-GaNバルク結晶におけるa及びa+cタイプ貫通転 位の3次元的伝播挙動の解析

濱地 威明, 藤平 哲也, 林 侑介, 今西 正幸, 森 勇介, 酒井 朗

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/08

N₂Oガスの多結晶抑制効果によるOVPE-GaN結晶の高速成長

清水 歩, 神山 将大, 北本 啓, 今西 正幸, 吉村 政志, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/10

OVPE法で成長した GaN バルク単結晶の微細構造解析

栗谷 淳, 藤平 哲也, 濱地 威明, 林 侑介, 滝野 淳一, 隅 智亮, 今西 正幸, 森 勇介, 隅谷 和嗣, 今井 康彦, 木村 滋, 酒井 朗

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/08

Growth promotion of GaN point seed with lithium addition in the Sodium flux method

Kazuma Hamada, Takumi Yamada, Kosuke Nakamura, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 8th international Conference on Light-Emitting Device and Their Industrial Applications (LEDIA2020)　2020/04/22

Regrowth of Li-free layer on GaN substrate produced by the Na-flux-sapphire-dissolution technique

Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Yoshimura Masashi, Yusuke Mori

The 8th international Conference on Light-Emitting Device and Their Industrial Applications (LEDIA2020)　2020/04/21

Suppression of the step bunching in GaN crystal using purified Na in the Na-flux method

Hyoga Yamauchi, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

The 8th international Conference on Light-Emitting Device and Their Industrial Applications (LEDIA2020)　2020/04/22

High-power 355-nm UV generation by using CsLiB₆O₁₀ crystal

Kuniaki Atagi, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Yosuke Orii, George Okada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 9th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2020)　2020/04/20

Growth of SrB₄O₇ crystal and its surface DUV laser-induced damage threshold

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Tsuyoshi Sugita, Daisetsu Toh, Kazuto Yamauchi, Sora Aikawa, Yuji Umeda, Yusuke Funamoto, Tomosumi Kamimura, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 9th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2020)　2020/04/20

Naフラックス法における電気抵抗変化とGaN結晶成長の関連性

糸澤, 孝一, Ricksen Tandryo, 村上 航介, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

第3回結晶工学×ISYSE合同研究会　2020/03/23

Investigation of morphology and current leakage properties for individual threading dislocations in a HVPE GaN bulk single crystal grown on a Na flux GaN crystal

2020/03/13

レーザー誘起結晶化技術におけるパルス時間幅の影響

釣 優香, 丸山 美帆子, 吉川 洋史, 安達 宏昭, 高野 和文, 塚本 勝男, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12

Naフラックス・ポイントシード法におけるLi添加系での透明なGaN結晶の成長

中島 達彦, 山田 拓海, 村上 航介, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/14

酸化物ガス添加によるOVPE-GaN結晶成長における多結晶生成抑制

清水 歩, 神山 将大, 石橋 桂樹, 津野 慎太郎, 北本 啓, 今西 正幸, 吉村 政志, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/14

Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング

糸澤 孝一, Ricksen Tandryo, 村上 航介, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/14

CsLiB₆O₁₀結晶を用いた高出力355nm紫外光発生

安宅 邦晶, 村井 良多, 高橋 義典, 折井 庸亮, 岡田 穣治, 今西 正幸, 森 勇介, 吉村 政志

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12

Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化

Ricksen Tandryo, 村上 航介, 山田 拓海, 北村 智子, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/14

繰り返しパルス照射による石英ガラスのレーザー損傷の温度依存性

小川 遼, 本越 伸二, 吉村 政志, 實野 孝久, 藤岡 加奈, 今西 正幸, 森 勇介

レーザー学会学術講演会第40回年次大会　2020/01/20

CsLiB₆O₁₀の水不純物低減過程における紫外光誘起劣化耐性の変化

五十川 諒介, 村井 良多, 高橋 義典, 今西 正幸, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会学術講演会第40回年次大会　2020/01/20

深紫外ピコ秒パルス発生時のCsLiB₆O₁₀熱位相不整合の影響

安宅 邦晶, 村井 良太, 髙橋 義典, 折井 庸亮, 岡田 穣治, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会学術講演会第40回年次大会　2020/01/20

Nano-scale structure analysis of bulk GaN crystals grown by OVPE method

栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2020

Analysis for three-dimensional propagation behaviors of a and a + c types threading dislocations in HVPE-grown GaN bulk crystals

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2020

Correlation between three-dimensional morphology and Burgers vector of threading dislocations in GaN bulk crystals grown by HVPE methods

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 五十嵐信行, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2020

HVPE-GaNバルク単結晶中貫通転位における漏れ電流特性に及ぼす転位構造の影響

濱地 威明, 藤元 聖人, 藤平 哲也, 林 侑介, 今西 正幸, 森 勇介, 酒井 朗

第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会　2019/11/20

高温環境下でのOVPE-GaN成長におけるH2O添加による多結晶抑制

清水 歩, 神山 将大, 石橋 圭樹, 津野 慎太郎, 北本 啓, 今西 正幸, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会　2019/11/20

Naフラックス法における炭素添加のNa-Ga融液電気抵抗に与える影響

糸澤 孝一, Tandryo Ricksen, 村上 航介, 中村 幸介, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第2回結晶工学×ISYSE;合同研究会　2019/11/20

Naフラックス法におけるFFC技術を用いたGaN結晶中インクルージョンの抑制

遠藤 清人, 山田 拓海, 村上 航介, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会　2019/11/20

Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング

Ricksen Tandryo, 糸澤 孝一, 村上 航介, 北村 智子, 山田 拓海, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会　2019/11/20

Suppression of the inclusions in GaN crystals using flux-film-coated technique in Na-flux methodNa

Endo Kiyoto, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)　2019/10/10

The suppression of change of lattice curvature by addition of CH₄gas in OVPE growth

Ishibashi Keiju, Shimizu Ayumu, Kamiyama Masahiro, Tsuno Shintaro, Kitamoto Akira, Imanishi Masayuki, Sumi Tomoaki, Takino Junichi, Okayama Yoshio, Nobuoka Masaki, Hata Masahiko, Isemura Masashi, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)　2019/10/10

Growth of GaN single crystals with low oxygen concentration by Li-added Na-flux methodNa

Nakajima Tatsuhiko, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)　2019/10/10

Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶の成長促進に向けたLi添加系での多結晶抑制

濱田 和真, 山田 拓海, 村上 航介, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/21

ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の単独貫通転位における漏れ電流評価

濱地 威明, 藤元 聖人, 藤平 哲也, 林 侑介, 今西 正幸, 森 勇介, 酒井 朗

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/21

Naフラックス法GaN基板中で消滅する転位のバーガース・ベクトル同定

藤田 優, 津坂 佳幸, 松井 純爾, 今西 正幸, 森 勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/21

医薬化合物アスピリンの成長過程における相転移のその場観察

釣 優香, 丸山 美帆子, 吉川 洋史, 岡田 詩乃, 安達 宏昭, 高野 和文, 塚本 勝男, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/18

Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅

今西 正幸, 奥村 加奈子, 中村 幸介, 垣之内 啓介, 北村 智子, 村上 航介, 吉村 政志, 森 勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/21

CsLiB6O10の水不純物低減過程における紫外光誘起劣化耐性の変化

五十川 諒介, 村井 良多, 高橋 義典, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/20

第一原理計算によるNa-Ga融液中のN-N，C-CおよびC-H結合状態の解析

河村 貴宏, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介, 森川 良忠

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/18

高温OVPE法を用いた高品質GaN結晶の高速成長

清水 歩, 神山 将大, 石橋 桂樹, 津野 慎太郎, 北本 啓, 今西 正幸, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢, 雅士, 森 勇介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/20

Visualization of the dislocations under the electrodes of GaN pn diodes by X-ray topography

Masakazu Kanechika, Satoshi Yamaguchi, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

2019/09/06

アスピリン相転移のその場観察

2019/08/29

Suppression of Step Bunching in GaN Crystals During The Na-Flux Method at Low Supersaturation

Endo Kiyoto, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/07/29

High-Rate Growth of a Thick Freestanding GaN Crystal with CH₄ by OVPE

Kamiyama Masahiro, Gunji Yoshikazu, Kobayashi Haruya, Oshiba Takahiro, Kitamoto Akira, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Isemura Masashi, Sumi Tomoaki, Takino Junichi, Okayama Yoshio, Mori Yusuke

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/07/30

First-Principles Calculation of Absolute Surface Energies of GaN during Oxide Vapor Phase Epitaxy Growth

Kawamura Takahiro, Kitamoto Akira, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke, Morikawa, Yoshitada, Kangawa, Yoshihiro, Kakimoto, Koichi

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/07/29

Study of Self-Flux Composition for Growing CsLiB₆O₁₀ Crystal with High DUV Laser-Induced Degradation Tolerance

Murai Ryota, Fukuhara Taishi, Ando Go, Tanaka Yasunori, Takahashi Yoshinori, Matsumoto Kazuhisa, Maruyama Mihoko, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke, Yoshimura Masashi

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/08/02

Growth of GaN Single Crystals with High Transparency by Li-Added Na-Flux Method

Nakajima Tatsuhiko, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/07/29

Growth of High-Quality SrB₄O₇ Single Crystal and Its Optical Properties

Tanaka Yasunori, Murai Ryota, Takahashi Yoshinori, Sugita Tsuyoshi, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke, Aikawa Sora, Umeda Yuji, Funamoto Yusuke, Kamimura Tomosumi, Yoshimura Masashi

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/08/02

Temperature Dependence of Nitrogen Dissolution on Sodium Flux Growth

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Kanako Okumura, Takumi Yamada, Tomoko Kitamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/07/29

Optical Anomaly of GaN and Sic Crystals as Observed by New Optical Main Axis Mapping

Katsuo Tsukamoto, Msayuki Imanishi, Haruhiko Koizumi, Takashi Onuma, Toru Ujihara, Yusuke Mori

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/08/02

In-situ Observation of Phase Transition of Aspirin form II

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Shiho Okada, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Katsuo Tsukamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/08/01

Selective Sapphire dissolution Technique without Dissolving Gallium Nitride in a Sodium Flux Added Lithium

Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/07/30

Crystallization of aspirin form II and in-situ observation of phase transformation

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Shino Okada, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Katsuo Tsukamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 17th International Summer School on Crystal Growth(ISSCG-17)　2019/07/23

Recent Advances of GaN Growth by Na-Flux Method

Mori Yusuke, Imanishi Masayuki, Yoshimura Masashi

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS13)　2019/07/09

Vertical GaN p-n Diodes on Low Dislocation and Low Resistive GaN Wafer Produced by OVPE Method

Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masaki Nobuoka, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Naomi Asai, Hiroshi Ohta, Tomoyoshi Mishima, Yusuke Mori

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS13)　2019/07/08

Multilateral Investigation of Electrical and Microstructural Properties of Threading Dislocations in Na-Flux-Grown GaN Crystals

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akira Sakai

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS13)　2019/07/08

Development of high-quality and large CsLiB₆O₁₀ crystal

Go Ando, Yoshinori Takahashi, Ryota Murai, Kosaku Kato, Makoto Nakajima, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM8)　2019/06/11

Optical properties of SrB₄O₇ crystal for DUV laser application

Tsuyoshi Sugita, Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM8)　2019/06/12

Crystallization of metastable phase of aspirin by femtosecond laser irradiation

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Riki Fujimoto, Shino Okada, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Satoshi Murakami, Hiroyoshi Matsumura, Tsuyoshi Inoue, Masayuki Imanishi, Katsuo Tsukamoto, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Opto 2019 Symposium on Photon and Beam Science　2019/06/12

Evaluation of Laser-induced degradation and surface damage resistances at 266nm of SrB₄O₇ crystal

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Tsuyoshi Sugita, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Sora Aikawa, Yuji Umeda, Yusuke Funamoto, Tomosumi Kamimura, Masashi Yoshimura

8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM8)　2019/06/12

Time-dependence of laser-induced absorption and LIDT of glass in deep UV

Takahisa Jitsuno, Haruka Ogawa, Shinji Motokoshi, Masashi Yoshimura, Kana Fujioka, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

Pacific Rim Laser Damage & Thin Film Physics and Applications (SPIE-PLD|TFPA2019)　2019/05/21

Temperature dependence of Laser-induced damage by multiple pulses irradiation for silica glasses

Ogawa Haruka, Motokoshi Shinji, Yoshimura Masashi, Jitsuno Takahisa, Fujioka Kana, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke

Pacific Rim Laser Damage & Thin Film Physics and Applications (SPIE-PLD|TFPA2019)　2019/05/22

Pulsed DC Sputtering Deposition of GaN Thin Films with Single Crystal Target for Low Impurity Concentration

Shogo Imai, Yuna Onishi, Takuya Onodera, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hitoshi Miura, Nobuaki Takahashi, Yoshio Honda, Heajeong Cheong, Hiroshi Amano, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama

The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019)　2019/04/25

Pulsed DC Sputtering Deposition of GaN Thin Films with Single Crystal Target for Low Impurity Concentration

Imai Shogo, Onishi Yuna, Onodera Takuya, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke, Miura Hitoshi, Takahashi Nobuaki, Honda Yoshio, Cheong Heajeong, Amano Hiroshi, Uemukai Masahiro, Katayama Ryuji

The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019)　2019/04/24

Monitoring of nitrogen content in Ga-Na melt by electrical resistance measurement on Sodium-Flux method

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Takumi Yamada, Tomoko Kitamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019)　2019/04/25

Development of high-quality CsLiB₆O₁₀ crystal for high-power DUV application

Masashi Yoshimura, Goh Ando, Yoshinori Takahashi, Ryota Murai, Kosaku Kato, Makoto Nakajima, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

The 8th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2019)　2019/04/24

Crystal growth and optical properties of SrB₄O₇ crystal for DUV laser application

Tsuyoshi Sugita, Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 8th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2019)　2019/04/24

Temperature dependence of laser-induced damage by multiple pulses irradiation

Haruka Ogawa, Shinji Motokoshi, Masashi Yoshimura, Takahisa Jitsuno, Kana Fujioka, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

The 8th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2019)　2019/04/24

Coalescence growth of GaN crystal on small diameter point seed with lithium addition by Sodium-Flux method

Kazuma HAMADA, Yuki SAWADA, Takumi YAMADA, Kosuke MURAKAMI, Masayuki IMANISHI, Masashi YOSHIMURA, Yusuke MORI

The 66th JSAP Spring Meeting,2019　2019/03/12

非線形光学結晶 CsLiB₆O₁₀の高品質・大型化の検討

安藤 豪, 高橋 義典, 村井 良太, 加藤 康作, 中嶋 誠, 今西 正幸, 森 勇介, 吉村 政志

第66回応用物理学会春季学術講演会 (JSAP2019)　2019/03/09

Investigation of relationship between leakage current and Burgers vector for individual dislocations in a GaN bulk single crystal grown using a Na-flux method

Takeaki HAMACHI, Tetuya TOHEI, Masayuki IMANISHI, Yusuke MORI, Akira SAKAI

The 66th JSAP Spring Meeting,2019　2019/03/12

Defect analysis for homoepitaxial GaN thick films

Miki MANABE, Tetuya FUJIHIRA, Jyunichi TAKINO, Tomonori SUMI, Masayuki IMANISHI, Yusuke MORI, Akira SAKAI

The 66th JSAP Spring Meeting,2019　2019/03/12

High-rate growth of a thick freestanding GaN wafer with CH4 by OVPE

Masahiro KAMIYAMA, Yoshikazu GUNJI, Harya KOBAYASHI, Takahiro OSHIBA, Akira KITAMOTO, Masayuki IMANISHI, Masashi YOSHIMURA, Masashi ISEMURA, Tomoaki SUMI, Junichi TAKINO, Yoshio OKAYAMA, Masaki NOBUOKA, Yusuke MORI

The 66th JSAP Spring Meeting,2019　2019/03/12

Desorption energies of O impurities from polar GaN surfaces with kink and step structures

Takahiro KAWAMURA, Hiroki TAKEDA, Akira KITAMOTO, Masayuki IMANISHI, Masashi YOSHIMURA, Yusuke MORI, Yoshitada MORIKAWA, Yoshihiro KANGAWA, Koichi KAKIMOTO

The 66th JSAP Spring Meeting,2019　2019/03/12

Monitoring of dissolved nitrogen by 4-point probe electrical resistance measurement on Sodium-Flux method

Ricksen TANDRIYO, Kosuke MURAKAMI, Tamumi YAMADA, Tomoko KITAMURA, Masayuki IMANISHI, Masashi YOSHIMURA, Yusuke MORI

The 66th JSAP Spring Meeting,2019　2019/03/12

Relationship between Li concentration of a Na flux and Li concentration of a GaN crystal after heating in the flux

Takumi YAMADA, Masayuki IMANISHI, Kosuke MURAKAMI, kosuke NAKAMURA, masashi YOSHIMURA, Yusuke MORI

The 66th JSAP Spring Meeting,2019　2019/03/11

Development of high-quality and large CsLiB₆O₁₀ crystal

Go ANDO, Yoshinori TAKAHASHI, Ryota MURAI, Kousaku KATO, Makoto NAKAJIMA, Masayuki IMANISHI, Yusuke MORI, Masashi YOSHIMURA

The 66th JSAP Spring Meeting,2019　2019/03/11

Crystal Growth and Optical Properties Evaluation of Strontium Tetraborate SRB₄O₇

Y. Tanaka, R. Murai, Y. Takahashi, M. Imanishi, Y. Mori, T. Sugita, M. Yoshimura

The 10th International Conference on Photonics and Applications (ICPA-10)　2018/11/12

Naフラックス法におけるオフ角サファイア上GaNを種基板とした低転位GaN結晶育成

武田直樹, 山田拓海, 今西正幸, 森勇介

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)　2018/11/01

レーザー誘起結晶化技術によるアスピリンの多形晶出と相転移のその場観察

釣優香, 丸山美帆子, 藤本史輝, 岡田詩乃, 安達宏昭, 吉川洋史, 高野和文, 村上聡, 松村浩由, 井上豪, 今西正幸, 塚本勝男, 吉村政志, 森勇介

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)　2018/11/01

ホウ酸系光学材料SrB₄O₇の結晶育成及び光学特性評価

田中康教, 杉田剛, 村井良多, 高橋義典, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)　2018/10/31

Naフラックス法における薄液成長技術を用いたGaN結晶のステップバンチング抑制

遠藤清人, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47)　2018/10/31

単点Naフラックス法GaN基板中転位

水落博之, 津坂佳幸, 松井純爾, 今西 正幸, 森 勇介

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/21

ナノビームX線回折法による改良型NaフラックスGaNバルク単結晶の深さ不幸結晶構造解析

志田和己, 山本望, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/21

改良型NaフラックスGaN単結晶内単独転位の漏れ電流特性解析

濱地威明, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/21

Naフラックスサファイア溶解法における大口径・低反りGaN結晶の作製

山田拓海, 今西正幸, 村上航介, 中村幸介, 吉村政志, 森勇介

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/21

繰り返しパルス照射による石英ガラスのレーザー損傷の温度依存性

小川遼, 本越伸二, 吉村政志, 實野孝久, 藤岡加奈, 今西正幸, 森勇介

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/19

Nanobeam X-ray Diffraction Analysis of Local Lattice Distortions

K. Shida, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018/08/08

Leakage current analysis for Individual dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystal

T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, A. Sakai

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-7)　2018/08/10

The effect of undissolved carbon on GaN crystal growth in Na flux method

N. Takeda, T. Yamada, K. Murakami, K. Kakinouchi, M. Imanishi, Y. Mori

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-7)　2018/08/07

Reduction of Li impurity in the Freestanding GaN Substrate Fabricated by the Na - Flux Sapphire Dissolution Technique

T . Yamada, M. Imanishi, K. Murakami, K. Nakamura, M. Yoshimura, Y. Mori

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018/08/07

Fabrication of GaN Crystals with Low Resistivity Grown with the Na - flux Point Seed Technique

K. Endo, T. Yamada, H. Kubo, K. Murakami, M. Imanishi, M. Yoshimura, Y. Mori

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018/08/07

Recent Progress of GaN Growth by Na-flux Method

Yusuke Mori, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura

The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018/08/08

Naフラックスポイントシード法を用いたGaN結晶成長における転位発生原因の調査

澤田友貴, 山田拓海, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2018/07/13

Growth and characterization of a strontium tetraborate SrB₄O₇ for application of deep-ultraviolet optical components

Y. Tanaka, K. Shikata, Y. Takahashi, R. Murai, M. Imanishi, Y. Mori, M. Yoshimura

The 11th Asia-Pacific Laser Symposium (APLS 2018)　2018/05/30

Naフラックスサファイア溶解法における再成長を用いたGaN結晶中Li不純物の低減

山田拓海, 今西正幸, 村上航介, 中村幸介, 今出完, 吉村政志, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/20

改良型NaフラックスGaN単結晶内の単独転位における漏れ電流特性評価

濱地 明, 竹内太郎, 藤平哲也, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/18

多波回折明視野X線トポグラフィによるNaフラックス法GaN基板中転位の同定

水落博之, 鶴丸哲也, 津坂佳幸, 松井純爾, 今西正幸, 今出完, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/18

Naフラックス法で作製したGaN結晶における酸素濃度が電気特性に与える影響

遠藤清人, 山田拓, 蔵本流星, 林正俊, 久保等, 丸山美帆子, 村上航介, 今西正幸, 今出完, 吉村政志, 森勇介

第65回応用物理学会 春季学術講演会　2018/03/18

OVPE法を用いたGaN結晶成長におけるメタン添加の効果

北本啓, 山口陽平, 津野慎太郎, 石橋桂樹, 郡司祥和, 今西正幸, 今出完, 吉村政志, 伊勢村雅士, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 信岡政樹, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/18

OVPE法を用いたGaN育成におけるNH₃/H₂比の多結晶形成への影響

津野慎太郎, 郡司祥和, 山口陽平, 石橋桂樹, 北本啓, 今西正幸, 今出完, 吉村政志, 伊勢村雅士, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 信岡政樹, 森勇介

第65回応用物理学会 春季学術講演会　2018/03/18

外場印加による医薬化合物アスピリンの準安定形晶出

釣優香, 仁井滉允, 丸山美帆子, 岡田詩乃, 安達宏昭, 吉川洋史, 高野和文, 村上聡, 松村浩由, 井上豪, 塚本勝男, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17

ホウ酸系光学材料SrB₄O₇の結晶育成及びレーザー損傷耐性評価（２）

四方啓太, 田中康教, 村井良多, 高橋義典, 今西正幸, 森勇介, 吉村 政志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17

転位低減に向けたNaフラックス法によるGaN結晶育成技術の新展開

森勇介, 今西正幸, 今出完, 吉村政志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17

[15. 結晶工学 分科内招待講演] 結晶育成技術が拓くイノベーションとベンチャー起業

森勇介, 今西正幸, 今出完, 丸山美帆子, 吉村政志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17

Growth of High Crystallinity Thick GaN Layers by Oxide Vapor Phase Epitaxy

Y. Gunji, Y. Yamaguchi, K. Ishibashi, S. Tsuno, A. Kitamoto, M. Imanishi, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura, Y. Mori

The 7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-7)　2017/10/17

Growth of bulk GaN crystal by Na flux method

Y. Mori, M. Imanishi, M. Yoshimura, M. Imade

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017)　2017/09/30

Growth of bulk GaN crystals by the Na-flux point seed technique

Y. Mori, M. Imade, M. Imanishi, M. Yoshimura

The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS)　2017/09/25

Evaluation of stacking faults free semipolar {11-22} GaN substrate grown by Na-flux point seed technique

N. Okada, H. Ikeuchi, N. Morishita, T. Matsubara, T. Tanikawa, Kim DoHun, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Tadatomo

2th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12)　2017/07/25

Nano beam X-ray diffraction analysis of Na flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode

S. Takeuchi, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12)　2017/07/24

Effect of gaseous Carbon addition in GaN crystal growth by Na-flux method

N. Takeda, M. Imanishi, K. Murakami, M. Hayashi, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA’17)　2017/04/21

Examination and characterization of the GaN growth method by Na-flux for radiation detector

矢野雄大, 中川央也, 井上翼, 青木徹, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 中野貴之

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　2017

圧電応答顕微鏡法によるNaフラックスGaN単結晶の局所圧電物性解析

植田瑛, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017

NaフラックスGaN単結晶内の孤立転位に起因した局所漏れ電流特性評価

濱地威明, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017

Evaluation of Freestanding GaN Substrates by Dissolution of Sapphire Substrates Using Li after the Na-Flux Growth

T. Yamada, M. Imanishi, K. Nakamura, K. Murakami, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Honjo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)　2016/10/05

Enhancement of Lateral Growth of GaN Crystal with Extremely Low Dislocation Density by Na-Flux Point Seed Technique

M. Hayashi, M. Imanishi, T. Yamada, D. Matsuo, K. Murakami, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)　2016/10

Enhancement of Lateral Growth of the GaN Crystal with Extremely Low Dislocation Density during the Na-flux Growth on a Point Seed

M. Hayashi, M. Imanishi, T. Yamada, D. Matsuo, K. Murakami, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/09

Interface and dislocation structures in Na flux GaN grown on MOCVD-GaN

S. Takeuchi, H. Asazu, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)　2016/08/09

Improvement of crystallinity of semi-polar GaN single crystals by Na-flux Point seed method

D. H. Kim, M. Imanishi, T. Yamada, M. Honjo, K. Murakami, D. Matsuo, H. Imabayashi, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/09

Growth of Bulk GaN Crystals by the Na-Flux Point Seed Technique

M. Imade, M. Imanishi, M. Maruyama, M. Yoshimura, Y. Mori

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/09

Suppression of V-shape Valley Formation at the Coalescence Boundary in 4-inch GaN Crystals Growth from Multiple HVPE Wafers by the Na-flux Growth

M. Imanishi, K. Murakami, M. Honjo, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, T. Yoshida, T. Kitamura, M. Shibata, Y. Mori

he 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/11

Fabrication of crack-free freestanding GaN substrates by dissolution of sapphire substrates using Li after the Na-flux growth

T. Yamada, M. Imanishi, K. Nakamura, K. Murakami, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Honjo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/11

Enhancement of Lateral Growth of the GaN Crystal with Extremely Low Dislocation Density during theNa-flux Growth on a Point Seed

M. Hayashi, M. Imanishi, T. Yamada, D. Matsuo, K. Murakami, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y.Mori

2016/08

Suppression of V-shape Valley Formation at the Coalescence Boundary in 4-inch GaN Crystals Growtn from Multiple HVPE Wafers by the Na-flux Growth

M. Imanishi, K. Murakami, M. Honjo, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, T. Yoshida, T. Kitamura, M. Shibata, Y. Mori

2016/08

Fabrication of Crack-Free Freestanding GaN Substrates by Dissolution of Sapphire Substrates using Li after the Na-Flux Growth

T. Yamada, M. Imanishi, K. Nakamura, K. Murakami, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Honjo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’16 (LEDIA’16)　2016/05/19

種結晶GaN表面および成長モードを制御したNaフラックスGaNの欠陥構造解析

水田祐貴, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016

X線マイクロ回折による種結晶表面・成長モード制御NaフラックスGaNの微視的結晶構造解析

水田祐貴, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 今井康彦, 木村滋, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016

窒化物半導体の成長表・界面制御と転位挙動-Naフラックス成長GaN結晶を中心に-

酒井朗, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 中村芳明, 今西正幸, 今出完, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015

Controlling the Growth Habit of Early Stage in the Na-Flux Coalescence Growth by the Dipping Technique

K. Nakamura, M. Imanishi, T. Sato, K. Murakami, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

Conference on LED and its industrial application '14 (LEDIA '14)　2014/04/24

Naフラックス結合成長法における成長ハビットと転位挙動の関係

今西正幸, 村上航介, 今林弘毅, 高澤秀生, 松尾大輔, 轟夕摩, 丸山美帆子, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 今出完, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014

Fabrication of 2-inch-diameter GaN wafers via coalescence growth on GaN point seeds using the Na-flux method

M. Imanishi, K. Murakami, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

JSAP- MRS Joint Symposia 2013, Doshisha University　2013/09/17

Growth of 2-Inch-Diameter GaN Wafers via Coalescence Growth Using the Na-Flux Method

M. Imanishi, K. Murakami, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013/08/28

Fabrication of bulk GaN crystals by Na flux method with a necking technique and a coalescence growth

Y. Mori, M. Imanishi, K. Murakami, D. Matsuo, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, A. Kitamoto, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura

2013/08/14

Coalescence Growth of GaN Crystals for Fabrication of Large-Diameter GaN Wafers Using the Na Flux Method

M. Imanishi, K. Murakami, H. Imabayashi, H. Takazawa, Y. Todoroki, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

Conference on LED and Its Industrial Application’13 (LEDIA ’13)　2013/04/25

The coalescence growth of high-quality GaN crystals using the Na flux method

M. Imanishi, K. Murakami, H. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)　2012/10/16

Fabrication of OVPE-GaN substrate with low absorption coefficient by defect suppression for laser slicing

Hiroaki Mifune, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2011/10/11