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中村 芳明

Nakamura Yoshiaki

基礎工学研究科 システム創成専攻,教授

keyword 透明酸化物,抵抗変化メモリ,熱電材料,シリサイド,ゲルマニウム,シリコン,ナノ構造

学歴

  • 1999年04月 ~ 2002年03月,東京大学,大学院工学系研究科,物理工学専攻 博士課程
  • 1997年04月 ~ 1999年03月,東京大学,大学院工学系研究科,物理工学専攻 修士課程
  • 1995年04月 ~ 1997年03月,東京大学,工学部,物理工学科
  • 1993年04月 ~ 1995年03月,東京大学,理科一類

経歴

  • 2015年04月 ~ 継続中,大阪大学,大学院基礎工学研究科 システム創成専攻 電子光科学領域,教授
  • 2008年10月 ~ 2015年03月,大阪大学,大学院基礎工学研究科 システム創成専攻 電子光科学領域,准教授
  • 2011年03月 ~ 2014年03月,科学技術振興機構,さきがけ 研究員(兼任)
  • 2007年04月 ~ 2008年09月,東京大学,大学院工学系研究科付属 量子層エレクトロニクス研究センター,助教
  • 2003年10月 ~ 2007年03月,東京大学,大学院工学系研究科付属 量子層エレクトロニクス研究センター,助手
  • 2002年04月 ~ 2003年09月,東京大学,大学院工学系研究科 物理工学専攻,助手

研究内容・専門分野

  • ナノテク・材料,ナノ材料科学
  • ナノテク・材料,ナノ構造物理
  • ナノテク・材料,ナノ構造化学
  • ナノテク・材料,薄膜、表面界面物性

所属学会

  • 日本熱物性学会
  • 日本熱電学会
  • 日本表面真空学会
  • 応用物理学会
  • 日本物理学会

論文

  • Anomalous reduction of thermal conductivity in coherent nanocrystal architecture for silicon thermoelectric material,Yoshiaki Nakamura,Masayuki Isogawa,Tomohiro Ueda,Shuto Yamasaka,Hideki Matsui,Jun Kikkawa,Satoaki Ikeuchi,Takafumi Oyake,Takuma Hori,Junichiro Shiomi,Akira Sakai,NANO ENERGY,ELSEVIER,Vol. 12,p. 845-851,2015年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-organized formation and self-repair of a two-dimensional nanoarray of Ge quantum dots epitaxially grown on ultrathin SiO2-covered Si substrates,Yoshiaki Nakamura,Akiyuki Murayama,Ryoko Watanabe,Tomokazu Iyoda,Masakazu Ichikawa,NANOTECHNOLOGY,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 21,No. 9,2010年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Curcumin tautomerization in the mechanism of pentameric amyloid- β42 oligomers disassembly,Atsuya Matsui,Jean-Pierre Bellier,Daiki Hayashi,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Hiroyasu Taguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Biochemical and Biophysical Research Communications,Elsevier BV,Vol. 666,p. 68-75,2023年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Boosting Thermoelectric Performance in Epitaxial GeTe Film/Si by Domain Engineering and Point Defect Control,Takafumi Ishibe,Yuki Komatsubara,Kodai Ishikawa,Sho Takigawa,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yuichiro Yamashita,Yuji Ohishi,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,American Chemical Society (ACS),Vol. 15,No. 21,p. 26104-26110,2023年05月16日,研究論文(学術雑誌)
  • Temperature dependences of thermoelectric properties of bulk SiGeAu composites,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Takeshi Fujita,Yoshiaki Nakamura,JJAP Conf. Proc,Vol. 10,2023年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Interface design of transparent thermoelectric epitaxial ZnO/SnO<sub>2</sub> multilayer film for simultaneous realization of low thermal conductivity and high optical transmittance,Takafumi Ishibe,Yuki Komatsubara,Toranosuke Katayama,Yuichiro Yamashita,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Azusa N. Hattori,Hidekazu Tanaka,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 122,No. 4,p. 041603-041603,2023年01月23日,研究論文(学術雑誌)
  • The effect of interdiffusion during formation of epitaxial Ca intercalated layered silicene film on its thermoelectric power factor,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Eiichi Kobayashi,Kazunori Sato,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 62,No. SD,p. SD1004-SD1004,2022年12月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Quantitative spatial mapping of distorted state phases during the metal-insulator phase transition for nanoscale VO<sub>2</sub> engineering,Yuichi Ashida,Takafumi Ishibe,Jinfeng Yang,Nobuyasu Naruse,Yoshiaki Nakamura,Science and Technology of Advanced Materials,Informa UK Limited,Vol. 24,p. 1-9,2022年11月22日,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Properties of PEDOT:PSS Containing Connected Copper Selenide Nanowires Synthesized by the Photoreduction Method,Vol. 7,No. 36,p. 32101-32107,2022年09月13日,研究論文(学術雑誌)
  • Tunable Thermal Switch via Order–Order Transition in Liquid Crystalline Block Copolymer,Takafumi Ishibe,Tatsuya Kaneko,Yuto Uematsu,Hideo Sato-Akaba,Motonori Komura,Tomokazu Iyoda,Yoshiaki Nakamura,Nano Letters,American Chemical Society (ACS),Vol. 22,No. 15,p. 6105-6111,2022年08月10日,研究論文(学術雑誌)
  • Seed-assisted epitaxy of intermetallic compounds with interface-determined orientation: incommensurate Nowotny chimney-ladder FeGe epitaxial film,Tsukasa Terada,Reona Kitaura,Shintaro Ishigaki,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Ryoji Asahi,Yoshiaki Nakamura,Acta Materialia,Elsevier BV,Vol. 236,p. 118130-118130,2022年06月,研究論文(学術雑誌)
  • The Effect of Ethanol on Disassembly of Amyloid-β1-42 Pentamer Revealed by Atomic Force Microscopy and Gel Electrophoresis,Atsuya Matsui,Jean-Pierre Bellier,Takeshi Kanai,Hiroki Satooka,Akio Nakanishi,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Hiroyasu Taguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,International Journal of Molecular Sciences,MDPI AG,Vol. 23,No. 2,p. 889-889,2022年01月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Giant Enhancement of Seebeck Coefficient by Deformation of Silicene Buckled Structure in Calcium‐Intercalated Layered Silicene Film,Tsukasa Terada,Yuto Uematsu,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Kazunori Sato,Tien Quang Nguyen,Eiichi Kobayashi,Hideyuki Nakano,Yoshiaki Nakamura,Advanced Materials Interfaces,Wiley,Vol. 9,No. 1,p. 2101752-2101752,2022年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric power factor enhancement of calcium-intercalated layered silicene by introducing metastable phase,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Toranosuke Katayama,Kazunori Sato,Tien Nguyen,Hideyuki Nakano,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 14,No. 11,p. 115505-1-115505-4,2021年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Dominant carrier of pseudo-gap antiferromagnet Cr3Al thin film,Kentaro Toyoki,Masayuki Hayashi,Shunsuke Hamaguchi,Noriaki Kishida,Yu Shiratsuchi,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Ryoichi Nakatani,Physica B: Condensed Matter,Elsevier BV,Vol. 620,p. 413281-413281,2021年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Low thermal conductivity of complex thermoelectric barium silicide film epitaxially grown on Si,Takafumi Ishibe,Jinichiro Chikada,Tsukasa Terada,Yuki Komatsubara,Reona Kitaura,Suguru Yachi,Yudai Yamashita,Takuma Sato,Takashi Suemasu,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 119,No. 14,p. 141603-141603,2021年10月04日,研究論文(学術雑誌)
  • Synergistic phonon scattering in epitaxial silicon multilayers with germanium nanodot inclusions,Takafumi Oyake,Lei Feng,Makoto Kashiwagi,Takuma Shiga,Takuma Hori,Suto Yamasaka,Yoshiaki Nakamura,Junichiro Shiomi,Physical Review B,American Physical Society (APS),Vol. 104,No. 5,2021年08月16日,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructure design for high performance thermoelectric materials based on anomalous Nernst effect using metal/semiconductor multilayer,Reona Kitaura,Takafumi Ishibe,Himanshu Sharma,Masaki Mizuguchi,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 14,No. 7,p. 075002-075002,2021年07月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Carrier and phonon transport control by domain engineering for high-performance transparent thin film thermoelectric generator,Takafumi Ishibe,Atsuki Tomeda,Yuki Komatsubara,Reona Kitaura,Mutsunori Uenuma,Yukiharu Uraoka,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 118,No. 15,p. 151601-151601,2021年04月12日,研究論文(学術雑誌)
  • Direct mapping of temperature-difference-induced potential variation under non-thermal equilibrium,Yuki Komatsubara,Takafumi Ishibe,Yuji Miyato,Shunya Sakane,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 118,No. 9,p. 091605-091605,2021年03月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Phonon transport in the nano-system of Si and SiGe films with Ge nanodots and approach to ultralow thermal conductivity,Tatsuhiko Taniguchi,Tsukasa Terada,Yuki Komatsubara,Takafumi Ishibe,Kento Konoike,Atsushi Sanada,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yoshiaki Nakamura,Nanoscale,Vol. 13,No. 9,p. 4971-4977,2021年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Heat transport through propagon-phonon interaction in epitaxial amorphous-crystalline multilayers,Takafumi Ishibe,Ryo Okuhata,Tatsuya Kaneko,Masato Yoshiya,Seisuke Nakashima,Akihiro Ishida,Yoshiaki Nakamura,Communications Physics,Vol. 4,No. 1,2021年,研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous enhancement of thermoelectric power factor by thermal management with resonant level effect,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Kosei Mizuta,Takeshi Fujita,Yuga Kiyofuji,Jun-ichiro Ohe,Eiichi Kobayashi,Yoshiaki Nakamura,Journal of Materials Chemistry A,Vol. 9,No. 8,p. 4851-4857,2021年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of Silicon Quantum Dots Sheet on a Nonmetallic CaF2 Surface,Kenji Ito,Hideyuki Nakano,Yoshiaki Nakamura,Advanced Materials Interfaces,p. 2001295-2001295,2020年10月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Si1−xGex and Ge epitaxial films on Si(001) with controlled composition and strain for group IV element-based thermoelectric generators,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Ryoya Hosoda,Youya Wagatsuma,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Mutsunori Uenuma,Yukiharu Uraoka,Yuichiro Yamashita,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 117,No. 14,p. 141602-141602,2020年10月05日,研究論文(学術雑誌)
  • Control of thermoelectric properties in Mn-substituted Fe2TiSi epilayers,Y. Shimanuki,S. Yamada,A. Masago,T. Ishibe,K. Kudo,Y. Nakamura,K. Hamaya,Physical Review B,Vol. 102,No. 5,2020年08月04日,研究論文(学術雑誌)
  • An advanced 2ω method enabling thermal conductivity measurement for various sample thicknesses: From thin films to bulk materials,Kosuke Mitarai,Ryo Okuhata,Jinichiro Chikada,Tatsuya Kaneko,Yuto Uematsu,Yuki Komatsubara,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 128,No. 1,p. 015102-015102,2020年07月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films,Yuto Uematsu,Tsukasa Terada,Kento Sato,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Express,Vol. 13,No. 5,p. 055503-055503,2020年05月01日,研究論文(学術雑誌)
  • High Thermoelectric Power Factor Realization in Si-Rich SiGe/Si Superlattices by Super-Controlled Interfaces,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,Vol. 12,No. 22,p. 25428-25434,2020年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Impact of metal silicide nanocrystals on the resistance ratio in resistive switching of epitaxial Fe3O4 films on Si substrates,Takafumi Ishibe,Yuto Uematsu,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 116,2020年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Semiconducting Silicides Green Technology FOREWORD,Takashi Suemasu,Yoshikazu Terai,Tanemasa Asano,Motoharu Imai,Yoshiaki Nakamura,Motofumi Suzuki,Hirokazu Tatsuoka,Kenji Yamaguchi,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,Vol. 59,2020年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching memory performance in oxide hetero-nanocrystals with well-controlled interfaces,T. Ishibe,Y. Maeda,T. Terada,N. Naruse,Y. Mera,E. Kobayashi,Y. Nakamura,Science and Technology of Advanced Materials,Vol. 21,p. 195-204,2020年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric properties of single-phase full-Heusler alloy Fe2TiSi films with D03-type disordering,Y. Shimanuki, K. Kudo, T. Ishibe, A. Masago, S. Yamada, Y. Nakamura, and K. Hamaya,Journal of Applied Physics,Vol. 127,2020年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots,Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Takahiro Hinakawa, Ryoya Hosoda, Kosei Mizuta, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, and Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 59,p. SFFB01-1-1-05,2020年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Nanoscale Thermal Management in Bulk SiGe Composites,Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kosei Mizuta, Masato Kashino, Kentaro Watanabe, Takeshi Fujita, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Energy Materials,Vol. 3,p. 1235-1241,2019年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Bottom‐Up on Surface Synthesis of Two‐Dimensional Graphene Nanoribbon Networks and Their Thermoelectric Applications,Takahiro Nakae,Takahiro Kojima,Zhen Xu,Saravanan Chinnusamy,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Hiroshi Sakaguchi,Chemistry – An Asian Journal,2019年11月,研究論文(学術雑誌)
  • High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Takahiro Hinakawa,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 115,No. 18,2019年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Modulation of lattice constants by changing the composition and strain in incommensurate Nowotny chimney-ladder phase FeGeγ epitaxially grown on Si,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Surface Science,Vol. 690,2019年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Takeshi Fujita,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,Materials Today Energy,Vol. 13,p. 56-63,2019年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Semiconductor Nanostructure Design for Thermoelectric Property Control,Y. Nakamura,T. Ishibe,T. Taniguchi,T. Terada,R. Hosoda,S. Sakane,International Journal of Nanoscience,Vol. 18,p. 19040036-1-19040036-8,2019年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Significant reduction in the thermal conductivity of Si-substituted Fe2VAl epilayers,K. Kudo,S. Yamada,J. Chikada,Y. Shimanuki,T. Ishibe,S. Abo,H. Miyazaki,Y. Nishino,Y. Nakamura,K. Hamaya,Physical Review B,Vol. 99,No. 5,p. 054201-1-054201-7,2019年02月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Methodology of thermoelectric power factor enhancement by controlling nanowire interface,Takafumi Ishibe,Atsuki Tomeda,Kentaro Watanabe,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,Vol. 10,No. 43,p. 37709-37716,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric properties of epitaxial Ge thin films on Si(001) with strong crystallinity dependence,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Hiroki Miyamoto,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Express,Vol. 11,No. 11,p. 111301-1-111301-1-4,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching at the high quality metal/insulator interface in Fe3O4/SiO2/a-FeSi2/Si stacking structure,Takafumi Ishibe,Tsubasa Kurokawa,Nobuyasu Naruse,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 113,p. 141601-1-5,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Enhanced thermoelectric performance of Ga-doped ZnO film by controlling crystal quality for transparent thermoelectric films,Atsuki Tomeda,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Ryo Okuhata,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Thin Solid Films,Vol. 666,p. 185-190,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Areal density control of ZnO nanowires in physical vapor transport using Ge nanocrystals,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Tsukasa Terada,Atsuki Tomeda,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 57,No. 8,p. 08NB07-1-5,2018年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of epitaxial FeGeg nanocrystals with incommensurate Nowtny chimney-ladder phase on Si substrate,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 57,2018年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Fe-V nonstoichiometry on electrical and thermoelectric properties of Fe2VAl films,Kohei Kudo,Shinya Yamada,Jinichiro Chikada,Yuta Shimakuni,Yoshiaki Nakamura,Kohei Hamaya,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 57,2018年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Ultimate Confinement of Phonon Propagation in Silicon Nanocrystalline Structure,Takafumi Oyake,Lei Feng,Takuma Shiga,Masayuki Isogawa,Yoshiaki Nakamura,Junichiro Shiomi,Physical Review Letters,American Physical Society,Vol. 120,No. 4,2018年01月25日,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide/germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates,Hideki Matsui,Takafumi Ishibe,Tsukasa Terada,Shunya Sakane,Kentaro Watanabe,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Shigeru Kimura,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,American Institute of Physics Inc.,Vol. 112,No. 3,2018年01月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructure design for drastic reduction of thermal conductivity while preserving high electrical conductivity,Yoshiaki Nakamura,Science and Technology of Advanced Materials,Taylor and Francis Ltd.,Vol. 19,No. 1,p. 31-43,2018年01月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructure design for control of phonon andelectron transports,Nakamura Yoshiaki,Watanabe Kentaro,ECS Transactions,Vol. 80,No. 1,p. 93-100,2017年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Low thermal conductivity of thermoelectric Fe2VAl films,Shinya Yamada,Kohei Kudo,Ryo Okuhata,Jinichiro Chikada,Yoshiaki Nakamura,Kohei Hamaya,Applied Physics Express,Vol. 10,2017年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial multilayers of β-FeSi2 nanodots/Si for Si-based nanostructured electronic materials,Shunya Sakane,Masayuki Isogawa,Kentaro Watanabe,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Yoshiaki Nakamura,Journal of Vacuum Science and Technology A,Vol. 35,No. 4,2017年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Embedded-ZnO Nanowire Structure for High-Performance Transparent Thermoelectric Materials,Takafumi Ishibe,Atsuki Tomeda,Kentaro Watanabe,Jun Kikkawa,Takeshi Fujita,Yoshiaki Nakamura,JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,SPRINGER,Vol. 46,No. 5,p. 3020-3024,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal Conductivity Measurement of Thermoelectric ThinFilms by a Versatility-Enhanced 2ω Method,Ryo Okuhata,Kentaro Watanabe,Satoaki Ikeuchi,Akihiro Ishida,Yoshiaki Nakamura,Journal of Electronic Materials,Vol. 46,No. 5,p. 3089-3096,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Properties of Epitaxial beta-FeSi2 Thin Films on Si(111) and Approach for Their Enhancement,Tatsuhiko Taniguchi,Shunya Sakane,Shunsuke Aoki,Ryo Okuhata,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Takeyuki Suzuki,Takeshi Fujita,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,SPRINGER,Vol. 46,No. 5,p. 3235-3241,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric properties of epitaxial β-FeSi2 thin films grown on Si(111) substrates with various film qualities,Kentaro Watanabe,Tatsuhiko Taniguchi,Shunya Sakane,Shunsuke Aoki,Takeyuki Suzuki,Takeshi Fujita,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 56,No. 5,p. 05DC04-1-05DC04-5,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • INDEPENDENT CONTROL OF PHONON AND ELECTRON TRANSPORT IN SI-BASED NANOARCHITECTURES WITH EPITAXIAL GE NANODOTS,Watanabe Kentaro,Yamasaka Shuto,Ishibe Takafumi,Sakane Shunya,Sawano Kentarou,Nakamura Yoshiaki,Proceedings of 1st Asian Conference onThermal Sciences 2017 (ACTS 2017),p. 1-3,2017年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 極薄Si酸化膜技術を用いたナノ構造界面設計による熱電物性制御,中村芳明,セラミックス,(公社)日本セラミックス協会,Vol. 52,p. 71-77,2017年02月
  • Study on the influence of different trench-patterned templates on the crystalline microstructure of AIN epitaxial films by X-ray microdiffraction,Dinh Thanh Khan,Shotaro Takeuchi,Yoshiaki Nakamura,Kunihiko Nakamura,Takuji Arauchi,Hideto Miyake,Kazumasa Hiramatsu,Yasuhiko Imai,Shigeru Kimura,Akira Sakai,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 56,No. 2,p. 025502-1-025502-5,2017年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Amorphous/epitaxial superlattice for thermoelectric application,Akihiro Ishida,Hoang Thi Xuan Thao,Mamoru Shibata,Seisuke Nakashima,Hirokazu Tatsuoka,Hidenari Yamamoto,Yohei Kinoshita,Mamoru Ishikiriyama,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Japan Society of Applied Physics,Vol. 55,No. 8,2016年08月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Fe coating of nucleation sites on epitaxial growth of Fe oxide nanocrystals on Si substrates,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 55,No. 8,2016年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method,A. Sakai,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,M.Imanishi,M. Imade,Y. Mori,2016年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates,Takafumi Ishibe,Hideki Matsui,Kentaro Watanabe,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Yoshiaki Nakamura,APPLIED PHYSICS EXPRESS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 9,No. 5,2016年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique,Tomohiro Ueda,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Yoshiaki Nakamura,JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,SPRINGER,Vol. 45,No. 3,p. 1914-1920,2016年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials,Shuto Yamasaka,Kentaro Watanabe,Shunya Sakane,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,SCIENTIFIC REPORTS,NATURE PUBLISHING GROUP,Vol. 6,No. 22838,p. 1-8,2016年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Arbitrary cross-section SEM-cathodoluminescence imaging of growth sectors and local carrier concentrations within micro-sampled semiconductor nanorods,Kentaro Watanabe,Takahiro Nagata,Seungjun Oh,Yutaka Wakayama,Takashi Sekiguchi,Janos Volk,Yoshiaki Nakamura,NATURE COMMUNICATIONS,NATURE PUBLISHING GROUP,Vol. 7,2016年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN,S. Takeuchi,H. Asazu,M. Imanishi,Y. Nakamura,M. Imade,Y. Mori,A. Sakai,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 118,No. 24,2015年12月,研究論文(学術雑誌)
  • ナノドットを用いたシリコン熱電変換材料の開発と応用,中村 芳明,エネルギーデバイス,技術情報教会,Vol. 3,No. 1,p. 48-50,2015年10月
  • Phonon transport control by nanoarchitecture including epitaxial Ge nanodots for Si-based thermoelectric materials,Shuto Yamasaka,Yoshiaki Nakamura,Tomohiro Ueda,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,SCIENTIFIC REPORTS,NATURE PUBLISHING GROUP,Vol. 5,No. 14490,p. 1-9,2015年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Semiconducting Silicides Green Technology FOREWORD,Tanemasa Asano,Takashi Suemasu,Yoshikazu Terai,Taizou Sadoh,Motoharu Imai,Motofumi Suzuki,Yoshiaki Nakamura,Yoshihito Maeda,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 54,No. 7,2015年07月
  • Formation of epitaxial nanodots on Si substrates with controlled interfaces and their application,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 54,No. 7,2015年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of Si Thermoelectric Nanomaterials Containing Ultrasmall Epitaxial Ge Nanodots with an Ultrahigh Density,Shuto Yamasaka,Yoshiaki Nakamura,Tomohiro Ueda,Shotaro Takeuchi,Yuta Yamamoto,Shigeo Arai,Takayoshi Tanji,Nobuo Tanaka,Akira Sakai,JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,SPRINGER,Vol. 44,No. 6,p. 2015-2020,2015年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates,Shotaro Takeuchi,Toshiro Uchiyama,Takuji Arauchi,Yasuhiro Hashimoto,Yoshiaki Nakamura,Keisuke Yamane,Narihito Okada,Kazuyuki Tadatomo,Akira Sakai,PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS,WILEY-V C H VERLAG GMBH,Vol. 252,No. 5,p. 1142-1148,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction and transmission electron microscopy,Takuji Arauchi,Shotaro Takeuchi,Yasuhiro Hashimoto,Yoshiaki Nakamura,Keisuke Yamane,Narihito Okada,Yasuhiko Imai,Shigeru Kimura,Kazuyuki Tadatomo,Akira Sakai,PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS,WILEY-V C H VERLAG GMBH,Vol. 252,No. 5,p. 1149-1154,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation and optical properties of Ge films grown on Si(111) substrates using nanocontact epitaxy,Kazuki Tanaka,Yoshiaki Nakamura,Shuto Yamasaka,Jun Kikkawa,Takenobu Sakai,Akira Sakai,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 325,No. 15,p. 170-174,2015年01月,研究論文(学術雑誌)
  • MicroscopiccrystallinestructureofathickAlN film grown on atrench-patternedAlN/α-Al2O3 template,D. T. Khan,S. Takeuchi,Yoshiaki Nakamura,K. Nakamura,T. Arauchi,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,J. Cryst. Growth,Vol. 411,p. 38-44,2014年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-assembly of Ge clusters on highly oriented pyrolytic graphite surfaces,Masayuki Shimonaka,Yoshiaki Nakamura,Jun Kikkawa,Akira Sakai,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 628,p. 82-85,2014年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth,M. Imanishi,K. Murakami,K. Nakamura,H. Imabayashi,H. Takazawa,D. Matsuo,Y. Todoroki,M. Maruyama,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,A. Sakai,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electrical conduction characteristics of single crystal and directly-bonded Nb-doped SrTiO3,R. Asada,S. Kondo,S. Takeuchi,Y. Sugi,Y. Nakamura,A. Sakai,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ultrathin-body Ge-on-insulator wafers fabricated with strongly bonded thin Al2O3/SiO2 hybrid buried oxide layers,Yoshihiko Moriyama,Keiji Ikeda,Shotaro Takeuchi,Yuuichi Kamimuta,Yoshiaki Nakamura,Koji Izunome,Akira Sakai,Tsutomu Tezuka,APPLIED PHYSICS EXPRESS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 7,No. 8,2014年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Impact ionization of excitons in Ge/Si structures with Ge quantum dots grown on the oxidized Si(100) surfaces,A. A. Shklyaev,O. A. Shegai,Y. Nakamura,M. Ichikawa,Journal of Applied Physics,American Institute of Physics Inc.,Vol. 115,No. 20,2014年05月28日,研究論文(学術雑誌)
  • Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template,Takuji Arauchi,Shotaro Takeuchi,Kunihiko Nakamura,Dinh Thanh Khan,Yoshiaki Nakamura,Hideto Miyake,Kazumasa Hiramatsu,Akira Sakai,PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE,WILEY-V C H VERLAG GMBH,Vol. 211,No. 4,p. 731-735,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers,Hirotada Asazu,Shotaro Takeuchi,Hiroya Sannai,Haruo Sudo,Koji Araki,Yoshiaki Nakamura,Koji Izunome,Akira Sakai,THIN SOLID FILMS,ELSEVIER SCIENCE SA,Vol. 557,p. 106-109,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement effect of electrical properties in post- annealed waferbonded Ge(001)- OI substrate,Shuto Yamasaka,Yoshiaki Nakamura,Osamu Yoshitake,Jun Kikkawa,Koji Izunome,Akira Sakai,PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE,WILEY-V C H VERLAG GMBH,Vol. 211,No. 3,p. 601-605,2014年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Luminescence properties of Si-capped beta-FeSi2 nanodots epitaxially grown on Si(001) and (111) substrates,Shogo Amari,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 115,No. 8,2014年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of Current Drive of Ge-nMISFETs by Epitaxially Grown n(+)-Ge:P Source and Drain,Yoshihiko Moriyama,Yuuichi Kamimuta,Yoshiki Kamata,Keiji Ikeda,Shotaro Takeuchi,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,Tsutomu Tezuka,2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM),IEEE,p. 35-36,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Nanoscale-resolved near-infrared photoabsorption spectroscopy and imaging of individual gallium antimonide quantum dots,Nobuyasu Naruse,Yoshiaki Nakamura,Yutaka Mera,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics,American Institute of Physics Inc.,Vol. 32,No. 1,2014年01月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Control of epitaxial growth of Fe-based nanocrystals on Si substrates using well-controlled nanometer-sized interface,Yoshiaki Nakamura,Ryota Sugimoto,Takafumi Ishibe,Hideki Matsui,Jun Kikkawa,Akira Sakai,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 115,No. 4,2014年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction,D. T. Khan,S. Takeuchi,K. Nakamura,T. Arauchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2013年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates,K. Nakamura,S. Takeuchi,D. T. Khan,T. Arauchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2013年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy,Wataru Ikeda,Yoshiaki Nakamura,Shogo Okamoto,Shotaro Takeuchi,Jun Kikkawa,Masakazu Ichikawa,Akira Sakai,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 52,No. 9,2013年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of nanometer-sized interface on reaction of iron nanocrystals epitaxially grown on silicon substrates with oxygen gas,Hironobu Hamanaka,Yoshiaki Nakamura,Takafumi Ishibe,Jun Kikkawa,Akira Sakai,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 114,No. 11,2013年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces,Sung-Pyo Cho,Yoshiaki Nakamura,Jun Yamasaki,Eiji Okunishi,Masakazu, Ichikawa,Nobuo Tanaka,Journal of Applied Crystallography,Vol. 46,No. 4,p. 1076-1080,2013年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Conductive optical-fiber STM probe for local excitation and collection of cathodoluminescence at semiconductor surfaces,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,OPTICS EXPRESS,OPTICAL SOC AMER,Vol. 21,No. 16,p. 19261-19268,2013年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers,Y. Moriyama,Y. Kamata,K. Ikeda,S. Takeuchi,Y. Nakamura,A. Sakai,T. Tezuka,8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI),2013年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Semiconductor wafer bonding -Structural and electrical characteristics of GeOI substrates-,A. Sakai,S. Yamasaka,Y. Moriyama,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,T. Tezuka,K. Izunome,2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and applications of Advanced Semmiconductor Devices,2013年06月
  • Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers,Yoshihiko Moriyama,Keiji Ikeda,Yuuichi Kamimuta,Minoru Oda,Toshifumi Irisawa,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,Tsutomu Tezuka,SOLID-STATE ELECTRONICS,PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD,Vol. 83,p. 42-45,2013年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(1 1 0) surfaces,M. Yamashita,Y. Nakamura,R. Sugimoto,J. Kikkawa,K. Izunome,A. Sakai,Applied Surface Science,Vol. 267,No. 15,p. 53-57,2013年02月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Investigating the origin of intense photoluminescence in Si capping layer on Ge1-xSnx nanodots by transmission electron microscopy,Jun Kikkawa,Yoshiaki Nakamura,Norihito Fujinoki,Masakazu Ichikawa,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 113,No. 7,2013年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles,M. Yamashita,Y. Nakamura,A. Yamamoto,J. Kikkawa,K. Izunome,A. Sakai,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 267,No. 15,p. 136-140,2013年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> template,D. T. Khan,S. Takeuchi,J. Kikkawa,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,A. Sakai,Journal of Crystal Growth,Vol. 381,p. 37-42,2013年,研究論文(学術雑誌)
  • Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction,K. Nakamura,S. Harada,D. T. Khan,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2012年12月
  • GOI substrates -Fabrication and characterization-,A. Sakai,S. Yamasaka,J. Kikkawa,Y. Nakamura,Y. Moriyama,T. Tezuka,S. Takeuchi,K. Izunome,ECS Transactions,Vol. 50,No. 9,p. 709-725,2012年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Electron-beam-induced current study of electrocal property change at SrTiO3 bicrystal interface induced by forming process,T. Kato,Y. Nakamura,P. P. T. Son,J. Kikkawa,A. Sakai,Materials Science Forum,Vol. 725,p. 261-264,2012年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure,Kentaro Watanabe,Masakazu Ichikawa,Yoshiaki Nakamura,Shigeyuki Kuboya,Ryuji Katayama,Kentaro Onabe,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,A V S AMER INST PHYSICS,Vol. 30,No. 2,2012年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Vertical dislocations in Ge films selectively grown in submicron Si windows of patterned substrates,S. Harada,J. Kikkawa,Y. Nakamura,G. Wang,M. Caymax,A. Sakai,THIN SOLID FILMS,ELSEVIER SCIENCE SA,Vol. 520,No. 8,p. 3245-3248,2012年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using four-point-probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor method,K. Minami,Y. Nakamura,S. Yamasaka,O. Yoshitake,J. Kikkawa,K. Izunome,A. Sakai,THIN SOLID FILMS,ELSEVIER SCIENCE SA,Vol. 520,No. 8,p. 3232-3235,2012年02月,研究論文(学術雑誌)
  • High density iron silicide nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Procedia Engineering,Elsevier Ltd,Vol. 36,p. 382-387,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure,Kentaro Watanabe,Masakazu Ichikawa,Yoshiaki Nakamura,Shigeyuki Kuboya,Ryuji Katayama,Kentaro Onabe,Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics,AVS Science and Technology Society,Vol. 30,No. 2,2012年,研究論文(学術雑誌)
  • Nanocontact Epitaxy of Thin Films on Si Substrates Using Nanodot Seeds Fabricated by Ultrathin SiO2 Film Technique,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 5: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING -AND-TUTORIALS IN NANOTECHNOLOGY: MORE THAN MOORE - BEYOND CMOS EMERGING MATERIALS AND DEVICES,ELECTROCHEMICAL SOC INC,Vol. 45,No. 3,p. 41-45,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial Growth of Iron-Silicide Nanodots on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique and Their Physical Properties,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,LOW-DIMENSIONAL NANOSCALE ELECTRONIC AND PHOTONIC DEVICES 5 -AND- STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS 54 (SOTAPOCS 54),ELECTROCHEMICAL SOC INC,Vol. 50,No. 6,p. 65-70,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al 2O 3/SiO 2 buried oxide layers,Yoshihiko Moriyama,Keiji Ikeda,Yuuichi Kamimuta,Minoru Oda,Toshifumi Irisawa,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,Tsutomu Tezuka,2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings,p. 34-35,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Luminescence at 1.5μm from Si/GeSn nanodot/Si structures,Yoshiaki Nakamura,Norihito Fujinoki,Masakazu Ichikawa,J. Phys. D: Appl. Phys.,Vol. 45,No. 3,2012年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Preface,Yoshihito Maeda,Yoshikazu Terai,Kevin P. Homewood,Kenichi Takarabe,Kenji Yamaguchi,Motofumi Suzuki,Taizoh Sadoh,Yoshiaki Nakamura,Thin Solid Films,Vol. 519,No. 24,2011年10月03日,研究論文(学術雑誌)
  • Selected Papers from the Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010) Tsukuba, July 24-26, 2010 Preface,Yoshihito Maeda,Yoshikazu Terai,Kevin P. Homewood,Kenichi Takarabe,Kenji Yamaguchi,Motofumi Suzuki,Taizoh Sadoh,Yoshiaki Nakamura,THIN SOLID FILMS,ELSEVIER SCIENCE SA,Vol. 519,No. 24,p. 8433-8433,2011年10月
  • Photoabsorption properties of β-FeSi2 nanoislands grown on Si(111) and Si(001): Dependence on substrate orientation studied by nano-spectroscopic measurements,Nobuyasu Naruse,Yoshiaki Nakamura,Yutaka Mera,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,Thin Solid Films,Vol. 519,No. 24,p. 8477-8479,2011年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Fe3Si nanodots epitaxially grown on Si(111) substrates using ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Kenjiro Fukuda,Shogo Amari,Masakazu Ichikawa,THIN SOLID FILMS,ELSEVIER SCIENCE SA,Vol. 519,No. 24,p. 8512-8515,2011年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural Analysis of Si-Based Nanodot Arrays Self-Organized by Selective Etching of SiGe/Si Films,Masahiko Takahashi,Yoshiaki Nakamura,Jun Kikkawa,Osamu Nakatsuka,Shigeaki Zaima,Akira Sakai,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 50,No. 8,2011年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence Nanospectroscopies,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Shigeyuki Kuboya,Ryuji Katayama,Kentaro Onabe,Masakazu Ichikawa,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 50,No. 8,2011年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial Growth of High Quality Ge Films on Si(001) Substrates by Nanocontact Epitaxy,Yoshiaki Nakamura,Akiyuki Murayama,Masakazu Ichikawa,CRYSTAL GROWTH & DESIGN,AMER CHEMICAL SOC,Vol. 11,No. 7,p. 3301-3305,2011年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanocontact heteroepitaxy of thin GaSb and AlGaSb films on Si substrates using ultrahigh-density nanodot seeds,Yoshiaki Nakamura,Takafumi Miwa,Masakazu Ichikawa,NANOTECHNOLOGY,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 22,No. 26,2011年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Low-Energy Ga Ion Implantation on Selective Growth of Gallium Nitride Layer on Silicon Nitride Surfaces Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition,Kazuya Isiizumi,Jun Kikkawa,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,Junichi Yanagisawa,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 50,No. 6,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • X-ray microdiffraction investigation of crystallinity and strain relaxation in Ge thin lines selectively grown on Si(001) substrates,Kouhei Ebihara,Jun Kikkawa,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,Gang Wang,Matty Caymax,Yasuhiko Imai,Shigeru Kimura,Osami Sakata,SOLID-STATE ELECTRONICS,PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD,Vol. 60,No. 1,p. 26-30,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical Characterization of Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates Using a Four-Point-Probe Pseudo-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,Yuji Iwasaki,Yoshiaki Nakamura,Jun Kikkawa,Motoki Sato,Eiji Toyoda,Hiromichi Isogai,Koji Izunome,Akira Sakai,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 50,No. 4,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Annealing Effects on Ge/SiO2 Interface Structure in Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates,Osamu Yoshitake,Jun Kikkawa,Yoshiaki Nakamura,Eiji Toyoda,Hiromichi Isogai,Koji Izunome,Akira Sakai,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 50,No. 4,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-organization of two-dimensional SiGe nanodot arrays using selective etching of pure-edge dislocation network,Yoshiaki Nakamura,Masahiko Takahashi,Tatsuki Fujiwara,Jun Kikkawa,Akira Sakai,Osamu Nakatsuka,Shigeaki Zaima,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 109,No. 4,2011年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Microscopic structure of directly bonded silicon substrates,Tetsuji Kato,Yuji Ohara,Takaya Ueda,Jun Kikkawa,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,Osamu Nakatsuka,Masaki Ogawa,Shigeaki Zaima,Eiji Toyoda,Hiromichi Isogai,Takeshi Senda,Kouji Izunome,Hiroo Tajiri,Osamu Sakata,Shigeru Kimura,Key Engineering Materials,Vol. 470,p. 164-170,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates,Tetsuji Kato,Takaya Ueda,Yuji Ohara,Jun Kikkawa,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,Osamu Nakatsuka,Shigeaki Zaima,Eiji Toyoda,Kouji Izunome,Yasuhiko Imai,Shigeru Kimura,Osamu Sakata,TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS,TRANS TECH PUBLICATIONS LTD,Vol. 470,p. 158-+,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation and Magnetic Properties of Ultrahigh Density Fe3Si Nanodots Epitaxially Grown on Si(111) Substrates Covered with Ultrathin SiO2 Films,Yoshiaki Nakamura,Shogo Amari,Sung-Pyo Cho,Nobuo Tanaka,Masakazu Ichikawa,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 50,No. 1,2011年01月,研究論文(学術雑誌)
  • 極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャル量子ドット二次元ナノ配列構造の自己組織化と自己修復,中村芳明,村山昭之,渡邉亮子,彌田智一,市川昌和,表面科学,The Surface Science Society of Japan,Vol. 31,No. 12,p. 626-631,2010年12月
  • Two-dimensional nanoarray of SiGe epitaxial nanodots self-organized by selective etching of edge dislocation network,Y. Nakamura,M. Takahashi,J. Kikkawa,O. Nakatsuka,S. Zaima,A. Sakai,2010 Material Research Society Fall Meeting,2010年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates,K. Ebihara,S. Harada,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,G. Wang,M. Caymax,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,ECS Transactions,Vol. 33,No. 6,p. 887-892,2010年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing,T. Kato,Y. Nakamura,J. Kikkawa,A. Sakai,E. Toyoda,K. Izunome,O. Nakatsuka,S. Zaima,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,THIN SOLID FILMS,ELSEVIER SCIENCE SA,Vol. 518,No. 6,p. S147-S150,2010年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence from Si-capped GeSn nanodots on Si substrates formed using an ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Norihiko Fujinoki,Masakazu Ichikawa,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 106,No. 1,2009年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Scanning tunneling microscope-cathodoluminescence measurement of the GaAs/AlGaAs heterostructure,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Shigeyuki Kuboya,Ryuji Katayama,Kentaro Onabe,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,A V S AMER INST PHYSICS,Vol. 27,No. 4,p. 1874-1880,2009年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Defect-related light emission in the 1.4-1.7-μm range from Si layers at room temperature,Alexander Shklyaev,Yoshiaki Nakamura,Fedor Dultsev,Masakazu Ichikawa,J. Appl. Phys.,Vol. 105,No. 6,2009年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Fourier-transform photoabsorption spectroscopy of quantum-confinement effects in individual GeSn nanodots,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 94,No. 9,2009年03月,研究論文(学術雑誌)
  • High resolution transmission electron microscopy study of iron-silicide nanodot structures grown on faintly oxidized Si (111) surfaces,Sung-Pyo Cho,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Nobuo Tanaka,THIN SOLID FILMS,ELSEVIER SCIENCE SA,Vol. 517,No. 9,p. 2865-2870,2009年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation and optical properties of GaSb quantum dots epitaxially grown on Si substrates using an ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Tomohiro Sugimoto,Masakazu Ichikawa,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 105,No. 1,2009年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Si基板上エピタキシャルナノドットの高密度形成技術,中村芳明,市川昌和,応用物理学会薄膜・表面分科会News Letters,Vol. 134 23,2008年12月
  • Characterization of semiconductor nanostructures formed by using ultrathin Si oxide technology,M. Ichikawa,S. Uchida,A. A. Shklyaev,Y. Nakamura,S. -P. Cho,N. Tanaka,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 255,No. 3,p. 669-671,2008年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Electric field modulation nano-spectroscopy for characterization of individual β-FeSi2 nanodots,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,J. Appl Phys.,Vol. 104,No. 7,2008年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Giant fullerenes formed on C(60) films irradiated with electrons field-emitted from scanning tunneling microscope tips,Yoshiaki Nakamura,Yutaka Mera,Koji Maeda,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 254,No. 23,p. 7881-7884,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Spatial resolution of imaging contaminations on the GaAs surface by scanning tunneling microscope-cathodoluminescence spectroscopy,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 254,No. 23,p. 7737-7741,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-assembled epitaxial growth of high density β-FeSi2 nanodots on Si (001) and their spatially resolved optical absorption properties,Yoshiaki Nakamura,Seigo Amari,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Koji Maeda,Masakazu Ichikawa,Cryst. growth & Des.,Vol. 8,No. 8,p. 3019-3023,2008年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Local optical characterization related to Si cluster concentration in GaAs using scanning tunneling microscope cathodoluminescence spectroscopy,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 47,No. 7,p. 6109-6113,2008年07月,研究論文(学術雑誌)
  • The enhanced signal of subgap centers in tip-probing photoabsorption spectroscopy with an assist of a subsidiary light,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 103,No. 4,2008年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Measurements of local optical properties of Si-doped GaAs (110) surfaces using modulation scanning tunneling microscope cathodoluminescence spectroscopy,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,A V S AMER INST PHYSICS,Vol. 26,No. 1,p. 195-200,2008年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial growth of ultrahigh density Ge(1-x)Sn(x) quantum dots on Si(111) substrates by codeposition of Ge and Sn on ultrathin SiO(2) films,Yoshiaki Nakamura,Akiko Masada,Sung-Pyo Cho,Nobuo Tanaka,Masakazu Ichikawa,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 102,No. 12,2007年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Fourier transform photoabsorption spectroscopy based on scanning tunneling microscopy,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yo Fukuzawa,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 102,No. 11,2007年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantum-size effect in uniform Ge-Sn alloy nanodots observed by photoemission Spectroscopy,Yasuo Nakayama,Keiko Takase,Toru Hirahara,Shuji Hasegawa,Taichi Okuda,Ayumi Harasawa,Iwao Matsuda,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS,INST PURE APPLIED PHYSICS,Vol. 46,No. 45-49,p. L1176-L1178,2007年12月,研究論文(学術雑誌)
  • The origin of spectral distortion in electric field modulation spectroscopy based on scanning tunneling microscopy,N. Naruse,Y. Mera,Y. Nakamura,M. Ichikawa,K. Maeda,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 601,No. 22,p. 5300-5303,2007年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Polymerization and depolymerization of fullerenes induced by hole injection from scanning tunneling microscope tips,Y. Mera,M. Yoshino,Y. Nakamura,K. Saishu,K. Maeda,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 601,No. 22,p. 5207-5211,2007年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantum-confinement effect in individual Ge1-xSnx quantum dots on Si(111) substrates covered with ultrathin SiO2 films using scanning tunneling spectroscopy,Yoshiaki Nakamura,Akiko Masada,Masakazu Ichikawa,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 91,No. 1,2007年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Desorption of chlorine atoms on Si(111)-(7x7) surfaces induced by hole injection from scanning tunneling microscope tips,Yoshiaki Nakamura,Yutaka Mera,Koji Maeda,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 601,No. 10,p. 2189-2193,2007年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of growth and annealing conditions on photoluminescence of Ge/Si layers grown on oxidized Si surfaces,A. A. Shklyaev,S-P Cho,Y. Nakamura,N. Tanaka,M. Ichikawa,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 19,No. 13,2007年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantum fluctuation of tunneling current in individual Ge quantum dots induced by a single-electron transfer,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Kentaro Watanabe,Yasuhiro Hatsugai,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 90,No. 15,2007年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence of Si layers grown on oxidized Si surfaces,A. A. Shklyaev,Y. Nakamura,M. Ichikawa,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 101,No. 3,2007年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Observation of the quantum-confinement effect in individual β-FeSi2 nanoislands epitaxial grown on Si (111) surfaces using scanning tunneling spectroscopy,Yoshiaki Nakamura,Ryota Suzuki,Masafumi Umeno,Sung-Pyo Cho,Nobuo Tanaka,Masakazu Ichikawa,Appl. Phys. Lett.,Vol. 89,No. 12,2006年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Manipulating Ge quantum dots on ultrathin SixGe1-x oxide films using scanning tunneling microscope tips,Yoshiaki Nakamura,Hiroyuki Takata,Akiko Masada,Masakazu Ichikawa,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 600,No. 17,p. 3456-3460,2006年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of ultrahigh density and ultrasmall coherent β-FeSi2 nanodots on Si (111) substraets using Si and Fe codeposition method,Yoshiaki Nakamura,Yasushi Nagadomi,Sung-Pyo Cho,Nobuo Tanaka,Masakazu Ichikawa,J. Appl. Phys.,Vol. 100,No. 4,2006年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence of Ge/Si structures grown on oxidized Si surfaces,AA Shklyaev,S Nobuki,S Uchida,Y Nakamura,M Ichikawa,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 88,No. 12,2006年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantum confinement observed in Ge nanodots on an oxidized Si surface,A Konchenko,Y Nakayama,Matsuda, I,S Hasegawa,Y Nakamura,M Ichikawa,PHYSICAL REVIEW B,AMERICAN PHYSICAL SOC,Vol. 73,No. 11,2006年03月,研究論文(学術雑誌)
  • STM observations of photo-induced jumps of chlorine atoms chemisorbed on Si(111)-(7 x 7) surface,A Yajima,Y Nakamura,Y Mera,K Maeda,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 593,No. 1-3,p. 155-160,2005年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Observation of the quantum-confinement effect in individual Ge nanocrystals on oxidized Si substrates using scanning tunneling spectroscopy,Y Nakamura,K Watanabe,Y Fukuzawa,M Ichikawa,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 87,No. 13,2005年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of strained iron silicide nanodots by Fe deposition on Si nanodots on oxidized Si (111) surfaces,Yoshiaki Nakamura,Yasushi Nagadomi,Sung-Pyo Cho,Nobuo Tanaka,Masakazu Ichikawa,Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics,Vol. 72,No. 7,2005年08月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of strained iron silicide nanodots by Fe deposition on Si nanodots on oxidized Si (111) surfaces,Y Nakamura,Y Nagadomi,SP Cho,N Tanaka,M Ichikawa,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 72,No. 7,2005年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Role of intermolecular separation in nanoscale patterning C-60 films by local injection of electrons from scanning tunneling microscope tip,Y Nakamura,Y Mera,K Maeda,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 44,No. 42-45,p. L1373-L1376,2005年,研究論文(学術雑誌)
  • Nonthermal decomposition of C-60 polymers induced by tunneling electron injection,Y Nakamura,F Kagawa,K Kasai,Y Mera,K Maeda,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 85,No. 22,p. 5242-5244,2004年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of ultrahigh density Ge nanodots on oxidized Ge/Si(111) surfaces,Y Nakamura,Y Nagadomi,K Sugie,N Miyata,M Ichikawa,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 95,No. 9,p. 5014-5018,2004年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Hopping motion of chlorine atoms on Si(100)-(2 x 1) surfaces induced by carrier injection from scanning tunneling microscope tips,Y Nakamura,Y Mera,K Maeda,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 531,No. 1,p. 68-76,2003年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Cluster reactions in C-60 films induced by electron injection from a scanning tunneling microscope tip,Y Nakamura,F Kagawa,K Kasai,Y Mera,K Maeda,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 528,No. 1-3,p. 151-155,2003年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Spreading effects in surface reactions induced by tunneling current injection from an STM tip,K Maeda,Y Nakamura,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 528,No. 1-3,p. 110-114,2003年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanoscale imaging of electronic surface transport probed by atom movements induced by scanning tunneling microscope current,Y Nakamura,Y Mera,K Maeda,PHYSICAL REVIEW LETTERS,AMERICAN PHYSICAL SOC,Vol. 89,No. 26,2002年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural change of radiation defects in graphite crystals induced by STM probing,O Tonomura,Y Mera,A Hida,Y Nakamura,T Meguro,K Maeda,APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,SPRINGER-VERLAG,Vol. 74,No. 2,p. 311-316,2002年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Spatially extended polymerization of C60 clusters induced by localized current injection from scanning tunneling microscope tips,Yoshiaki Nakamura,Yutaka Mera,Koji Maeda,Molecular Crystals and Liquid Crystals Science and Technology Section A: Molecular Crystals and Liquid Crystals,Vol. 386,No. 1,p. 135-138,2002年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Chlorine atom diffusion on Si(111)-(7 x 7) surface enhanced by hole injection from scanning tunneling microscope tips,Y Nakamura,Y Mera,K Maeda,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 497,No. 1-3,p. 166-170,2002年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Diffusion of chlorine atoms on Si(111)-(7x7) surface enhanced by electron injection from scanning tunneling microscope tips,Y Nakamura,Y Mera,K Maeda,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 487,No. 1-3,p. 127-134,2001年07月,研究論文(学術雑誌)
  • In situ scanning tunneling microscopic study of polymerization of C-60 clusters induced by electron injection from the probe tips,Y Nakamura,Y Mera,K Maeda,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 77,No. 18,p. 2834-2836,2000年10月,研究論文(学術雑誌)
  • A reproducible method to fabricate atomically sharp tips for scanning tunneling microscopy,Y Nakamura,Y Mera,K Maeda,REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS,AMER INST PHYSICS,Vol. 70,No. 8,p. 3373-3376,1999年08月,研究論文(学術雑誌)
  • 塩素吸着シリコン表面のレーザー励起エッチング,前田康二,天清宗山,中村芳明,目良裕,表面科学,The Surface Science Society of Japan,Vol. 20,No. 6,p. 393-400,1999年06月

MISC

  • 高熱電出力因子に向けたε-CoSi薄膜/Siにおける電子輸送機構,石部貴史,上松悠人,竹中良介,鈴木雄大,佐藤和則,藤田武志,小林英一,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 68th,2021年
  • 熱電性能向上を目指した特異構造による熱・フォノン輸送制御,中村芳明,藤田武志,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 81st,2020年
  • 熱起電力顕微鏡法により検出したZnO薄膜の微視的熱電物性,小松原祐樹,宮戸祐治,石部貴史,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
  • Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因,谷口達彦,石部貴史,ALAM Md. Mahfuz,澤野憲太郎,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
  • AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスによる出力因子増大,上松悠人,谷口達彦,細田凌矢,石部貴史,間野高明,大竹晃浩,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
  • エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明,谷口達彦,石部貴史,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 81st,2020年
  • SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大,坂根駿也,石部貴史,藤田武志,池内賢朗,鎌倉良成,森伸也,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年02月25日
  • Si基板上に形成した擬ギャップε‐CoSi薄膜の熱電性能評価,雛川貴弘,坂根駿也,石部貴史,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年02月25日
  • 局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下における熱電材料の表面電位分布測定,宮戸祐治,小松原祐樹,石部貴史,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
  • 高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化,谷口達彦,石部貴史,ALAM Md. Mahfuz,澤野憲太郎,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
  • 独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化,谷口達彦,寺田吏,石部貴史,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 80th,2019年
  • Si置換したFe<sub>2</sub>VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率,工藤康平,山田晋也,山田晋也,近田尋一朗,嶋貫雄太,石部貴史,阿保智,宮崎秀俊,西野洋一,中村芳明,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
  • 熱電材料Fe<sub>2</sub>TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長,嶋貫雄太,工藤康平,山田晋也,山田晋也,石部貴史,中村芳明,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 80th,2019年
  • Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子,坂根駿也,柏野真人,渡辺健太郎,鎌倉良成,鎌倉良成,森伸也,森伸也,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 79th,2018年09月05日
  • 低熱伝導率Fe<sub>2</sub>VAl単結晶薄膜の形成,山田晋也,山田晋也,工藤康平,奥畑亮,近田尋一朗,中村芳明,浜屋宏平,浜屋宏平,日本金属学会講演概要(CD-ROM),Vol. 162nd,2018年
  • 界面制御によるSi/SiGe超格子の出力因子操作,谷口達彦,渡辺健太郎,渡辺健太郎,ALAM Md. Mahfuz,澤野憲太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 65th,2018年
  • Si-rich SiGe/Si超格子における界面偏析が熱伝導率へ与える影響,谷口達彦,成瀬延康,山下雄一郎,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 79th,2018年
  • 熱電応用に向けたナノドット含有階層構造によるフォノン散乱の促進,中村芳明,谷口達彦,寺田吏,表面と真空,Vol. 61,No. 5,2018年
  • 組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大,谷口達彦,奥畑亮,渡辺健太郎,渡辺健太郎,ALAM Md. Mahfuz,澤野憲太郎,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 78th,2017年08月25日
  • ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響,坂根駿也,渡辺健太郎,渡辺健太郎,藤田武志,藤田武志,ALAM Md. Mahfuz,澤野憲太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 78th,2017年08月25日
  • ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係,坂根駿也,渡辺健太郎,渡辺健太郎,藤田武志,澤野憲太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 64th,2017年03月01日
  • Si(001)基板上エピタキシャルGe薄膜の熱電特性,谷口達彦,宮本拓,奥畑亮,渡辺健太郎,渡辺健太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 64th,2017年
  • 鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上,坂根駿也,渡辺健太郎,渡辺健太郎,藤田武志,澤野憲太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 77th,2016年09月01日
  • Si(111)基板上エピタキシャルβ‐FeSi<sub>2</sub>薄膜の熱電特性,谷口達彦,坂根駿也,青木俊輔,奥畑亮,渡辺健太郎,渡辺健太郎,鈴木健之,藤田武志,藤田武志,澤野憲太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 77th,2016年09月01日
  • ZnOナノワイヤ埋め込み構造の形成とその熱電特性,石部貴史,渡辺健太郎,渡辺健太郎,吉川純,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 77th,2016年09月01日
  • エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上,山阪司祐人,渡辺健太郎,渡辺健太郎,澤野憲太郎,竹内正太郎,酒井朗,中村芳明,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 63rd,2016年
  • 極薄Al₂O₃/SiO₂ hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 (シリコン材料・デバイス),吉田 啓資,竹内 正太郎,中村 芳明,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,電子情報通信学会,Vol. 115,No. 108,p. 81-86,2015年06月19日
  • 招待講演 極薄Si酸化膜技術を用いたSi系熱電ナノ材料の開発 (シリコン材料・デバイス),中村 芳明,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 114,No. 443,p. 1-5,2015年02月05日
  • Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析,浅津宏伝,竹内正太郎,今西正幸,中村芳明,今出完,森勇介,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 62nd,2015年
  • 窒化物半導体の成長表・界面制御と転位挙動-Naフラックス成長GaN結晶を中心に-,酒井朗,浅津宏伝,竹内正太郎,中村芳明,今西正幸,今出完,森勇介,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 76th,2015年
  • Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性,渡辺健太郎,前田佳輝,中本悠太,松井秀紀,竹内正太郎,酒井朗,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 76th,2015年
  • エピタキシャルFe<sub>3</sub>O<sub>4-δ</sub>ナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性,前田佳輝,渡辺健太郎,中本悠太,松井秀紀,竹内正太郎,酒井朗,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 76th,2015年
  • Si中エピタキシャルGeナノドットを用いた熱抵抗制御,山阪司祐人,中村芳明,中村芳明,上田智広,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 62nd,2015年
  • 鉄シリサイド核/Siを用いた鉄酸化物のエピタキシャル成長,松井秀紀,中村芳明,中本悠太,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 62nd,2015年
  • エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御,山阪司祐人,渡辺健太郎,澤野憲太郎,竹内正太郎,酒井朗,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 76th,2015年
  • β-FeSi<sub>2</sub>ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因,坂根駿也,渡辺健太郎,竹内正太郎,酒井朗,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 76th,2015年
  • Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template (vol 381, pg 37, 2013),D. T. Khan,S. Takeuchi,J. Kikkawa,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,A. Sakai,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 388,p. 150-150,2014年02月
  • Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価,吉田啓資,中村芳明,竹内正太郎,守山佳彦,守山佳彦,手塚勉,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 61st,2014年
  • 極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>ナノドットの抵抗スイッチング特性,松井秀紀,中村芳明,中村芳明,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 61st,2014年
  • Naフラックス結合成長法における成長ハビットと転位挙動の関係,今西正幸,村上航介,今林弘毅,高澤秀生,松尾大輔,轟夕摩,丸山美帆子,浅津宏伝,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,今出完,吉村政志,森勇介,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 61st,2014年
  • エピタキシャルSiナノドット積層構造へのドーピング技術開発とその熱電特性,上田智広,中村芳明,中村芳明,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 61st,2014年
  • エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価,山阪司祐人,中村芳明,中村芳明,上田智広,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 61st,2014年
  • Ge-nMOSFET向けn<sup>+</sup>-Ge/n<sup>+</sup>-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減,守山佳彦,守山佳彦,上牟田雄一,鎌田善己,池田圭司,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,手塚勉,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 61st,2014年
  • 窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価-マルチスケール評価へのアプローチ-,酒井朗,竹内正太郎,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村滋,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 75th,2014年
  • Si基板上エピタキシャルFe<sub>3</sub>O<sub>4-δ</sub>ナノドットの抵抗変化特性とそのアニール処理依存性,松井秀紀,中村芳明,中村芳明,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 75th,2014年
  • Siウェーハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響,須藤治生,荒木浩司,日高洋美,荒木延恵,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,泉妻宏治,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 75th,2014年
  • エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性,山阪司祐人,中村芳明,中村芳明,鶴崎晋也,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 75th,2014年
  • 周期溝加工(22-43)サファイア基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析,荒内琢士,竹内正太郎,橋本健宏,中村芳明,今井康彦,山根啓輔,山根啓輔,岡田成仁,木村滋,只友一行,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 75th,2014年
  • X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価,内山星郎,竹内正太郎,荒内琢士,橋本健宏,中村芳明,山根啓輔,山根啓輔,岡田成仁,只友一行,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 75th,2014年
  • Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定 (シリコン材料・デバイス),石部 貴史,中村 芳明,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 113,No. 87,p. 51-55,2013年06月18日
  • X線マイクロ回折による周期溝加工SiC基板上に成長したAlN厚膜の結晶性評価,中村邦彦,KHAN Dinh Thanh,荒内琢士,竹内正太郎,中村芳明,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村滋,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 60th,2013年
  • Siウェーハの曲げ強度に対する表層酸素濃度の影響,須藤治生,青木竜彦,荒木浩司,日高洋美,荒木延恵,中村芳明,酒井朗,泉妻宏治,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 60th,2013年
  • 表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動,浅津宏伝,竹内正太郎,山内宏哉,須藤治生,荒木浩司,中村芳明,中村芳明,泉妻宏治,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 60th,2013年
  • Si系熱電材料におけるエピタキシャルナノドット散乱体の形成とその熱伝導率評価,山阪司祐人,中村芳明,中村芳明,上田智広,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 60th,2013年
  • エピタキシャルβ-FeSi<sub>2</sub>ナノドット積層構造の形成とその熱電特性,五十川雅之,中村芳明,中村芳明,吉川純,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 60th,2013年
  • Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果,山阪司祐人,中村芳明,中村芳明,上田智広,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 74th,2013年
  • X線回折による三角周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャルAlN厚膜の結晶構造解析,荒内琢士,竹内正太郎,中村邦彦,KHAN Dinh Thanh,中村芳明,中村芳明,三宅秀人,平松和政,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 74th,2013年
  • エピタキシャル成長n<sup>+</sup>-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減,守山佳彦,守山佳彦,上牟田雄一,鎌田善己,池田圭司,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,手塚勉,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 74th,2013年
  • 薄膜Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>BOX層を有するUTB-GeOI基板作製,守山佳彦,守山佳彦,池田圭司,竹内正太郎,上牟田雄一,中村芳明,酒井朗,泉妻宏治,手塚勉,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 74th,2013年
  • X線マイクロ回折によるAlN厚膜中の局所歪分布解析,酒井朗,KHAN Dinh Thanh,竹内正太郎,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村滋,結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM),Vol. 43rd,2013年
  • 貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価,淺田 遼太,Son Pham Phu Than,Vasant Kokate Nishad,吉川 純,竹内 正太郎,中村 芳明,酒井 朗,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 112,No. 92,p. 7-12,2012年06月14日
  • 半導体材料局所領域における微細構造・歪のX線マイクロ回折評価,酒井朗,吉川純,中村芳明,今井康彦,坂田修身,木村滋,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 59th,2012年
  • X線マイクロ回折法によるGaN自立基板の結晶性評価,原田進司,渡邉翔大,DINH K.T.,吉川純,中村芳明,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村滋,坂田修身,酒井朗,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 59th,2012年
  • ナノコンタクトエピタキシーによるSi(111)基板上Ge薄膜の形成と発光特性,田中一樹,中村芳明,中村芳明,五十川雅之,吉川純,酒井朗,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 59th,2012年
  • Ge核制御を施したSi基板上超高密度鉄系ナノドットの形成,杉元亮太,中村芳明,中村芳明,吉川純,酒井朗,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 59th,2012年
  • 周期溝構造AlN層/サファイア基板上に形成されたAlN厚膜中の転位構造解析,岡本祥吾,吉川純,中村芳明,中村芳明,三宅秀人,平松和正,酒井朗,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 59th,2012年
  • Si基板上エピタキシャルβ-FeSi<sub>2</sub>ナノドットの積層技術開発,五十川雅之,中村芳明,中村芳明,吉川純,竹内正太郎,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 73rd,2012年
  • 薄膜Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の作製,守山佳彦,守山佳彦,池田圭司,上牟田雄一,入沢寿史,小田穣,中村芳明,酒井朗,手塚勉,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 73rd,2012年
  • Si基板上のエピタキシャルSiナノドット積層構造の形成と熱伝導率評価,上田智広,中村芳明,中村芳明,五十川雅之,吉川純,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 73rd,2012年
  • ツイスト接合バイクリスタルSrTiO<sub>3</sub>(001)基板の抵抗スイッチング特性評価,浅田遼太,SON Pham Phu Than,VASANT Kokate Nishad,吉川純,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 73rd,2012年
  • X線マイクロ回折によるFACELO成長GaN膜の結晶性評価,中村邦彦,原田進司,KHAN Dinh Thanh,吉川純,竹内正太郎,中村芳明,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村滋,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 73rd,2012年
  • Evaluation of electrical property at SrTiO3 bicrystal interface by EBIC (シリコン材料・デバイス),Kato Tetsuji,Pham Son Phu Thanh,Nakamura Yoshiaki,KIKKAWA Jun,SAKAI Akira,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 111,No. 114,p. 93-96,2011年06月27日
  • フォーミング過程に起因するSrTiO<sub>3</sub>バイクリスタル接合界面のEBICコントラスト変化,加藤哲司,SON Pham Phu Thanh,中村芳明,吉川純,酒井朗,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 58th,2011年
  • 貼り合わせGOI基板における電気特性の熱処理雰囲気依存性,山阪司祐人,南圭祐,中村芳明,吉武修,吉川純,泉妻宏治,酒井朗,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 58th,2011年
  • X線マイクロ回折を用いたGaN自立基板の格子面傾斜ゆらぎの解析,渡邉翔大,原田進司,KHAN D. T.,吉川純,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村滋,坂田修身,酒井朗,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 58th,2011年
  • 貼り合わせGeOI基板における界面近傍欠陥密度の熱処理依存性,山阪司祐人,中村芳明,中村芳明,南圭祐,吉武修,吉川純,泉妻宏治,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 72nd,2011年
  • 極薄Si酸化膜を用いてナノ界面制御したSi基板上超高密度鉄酸化物ナノドットの形成,浜中啓伸,中村芳明,中村芳明,杉元亮太,吉川純,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 72nd,2011年
  • アセチルアセトナート錯体を用いた酸化バナジウム・ナノワイヤの成長,石部貴史,吉川純,中村芳明,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 72nd,2011年
  • 四探針型pseudo-MOSトランジスタ法を用いた貼り合せGOI基板の電気特性評価,岩崎裕司,中村芳明,吉川純,酒井朗,佐藤元樹,豊田英二,磯貝宏道,泉妻宏治,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 57th,2010年
  • Si基板上に選択エピタキシャル成長したGe細線の歪緩和過程,海老原洪平,原田進司,吉川純,中村芳明,酒井朗,WANG Gang,CAYMAX Matty,今井康彦,木村滋,坂田修身,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 57th,2010年
  • 貼り合せGOI基板におけるGe/SiO<sub>2</sub>界面構造の熱処理依存性,吉武修,吉川純,中村芳明,酒井朗,豊田英二,磯貝宏道,泉妻宏治,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 57th,2010年
  • Si(110)表面構造のオフ角依存性,山下鎮,山本昌,中村芳明,吉川純,酒井朗,豊田英二,佐藤元樹,磯貝宏道,泉妻宏治,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 57th,2010年
  • 極薄Si酸化膜を用いたSi(111)基板上超高密度鉄系ナノドットの形成,浜中啓伸,中村芳明,田中一樹,吉川純,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 71st,2010年
  • スピンMOSFET用Fe<sub>3</sub>Si/SOI(111)高品質接合の作製,馬場雄三,村上達彦,橋本直樹,安藤裕一郎,浜屋宏平,浜屋宏平,吉川純,中村芳明,豊田英二,泉妻宏治,酒井朗,宮尾正信,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 71st,2010年
  • 四探針型Pseudo-MOSトランジスタ法を用いた貼り合せGermanium(111)-on-Insulator基板の電気特性評価,南圭祐,中村芳明,吉川純,豊田英二,泉妻宏治,浜屋宏平,宮尾正信,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 71st,2010年
  • Si基板上サブミクロン領域にエピタキシャル成長したGe薄膜の転位構造,原田進司,海老原洪平,吉川純,中村芳明,酒井朗,WANG Gang,CAYMAX Matty,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 71st,2010年
  • 刃状転位ネットワークの選択エッチングによるSiGeナノドット二次元配列構造の形成,中村芳明,高橋雅彦,吉川純,中塚理,財満鎭明,酒井朗,表面科学学術講演会講演要旨集,Vol. 30th,2010年
  • 極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャル量子ドット二次元ナノ配列構造の自己組織化と自己修復,中村 芳明,村山 昭之,渡邉 亮子,彌田 智一,市川 昌和,表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan,The Surface Science Society of Japan,Vol. 31 626,No. 12,p. 626-631,2010年
  • Direct Si Bonding基板の接合界面酸化膜消滅過程における結晶性変化,加藤哲司,大原悠司,吉川純,中村芳明,酒井朗,中塚理,財満鎭明,豊田英二,泉妻宏治,木村滋,坂田修身,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 56th,No. 1,2009年
  • Si(001)基板上に選択エピタキシャル成長したGe薄膜における格子欠陥の構造特性,海老原洪平,山下鎮,吉川純,中村芳明,酒井朗,WANG Gang,CAYMAX Matty,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 56th,No. 1,2009年
  • 刃状転位ネットワークを用いたエピタキシャルナノドットの自己組織化配列,高橋雅彦,藤原達記,中村芳明,吉川純,酒井朗,中塚理,財満鎭明,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 70th,No. 2,2009年
  • Si(001)基板上に選択エピタキシャル成長したGe薄膜における歪緩和過程,海老原洪平,山下鎮,吉川純,中村芳明,酒井朗,WANG Gang,CAYMAX Matty,今井康彦,木村滋,坂田修身,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 70th,No. 1,2009年
  • 貼り合わせGOI基板のGe/SiO<sub>2</sub>接合界面の構造評価,吉武修,吉川純,中村芳明,酒井朗,豊田英二,磯貝宏道,泉妻宏治,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 70th,No. 1,2009年
  • Si(011)基板表面平坦性のオフ角依存性,豊田英二,磯貝宏道,佐藤元樹,泉妻宏治,山下鎮,中村芳明,吉川純,酒井朗,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 70th,No. 1,2009年
  • Si(110)オフ基板の表面構造解析,山下鎮,中村芳明,吉川純,酒井朗,豊田英二,佐藤元樹,磯貝宏道,泉妻宏治,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 70th,No. 1,2009年
  • 21pXK-7 STM光吸収分光法におけるサブギャップ光吸収信号の起源(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長),成瀬 延康,目良 裕,中村 芳明,市川 昌和,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 62,No. 2,p. 916-916,2007年08月21日
  • 19aWH-5 Si上のβ-FeSi_2ドットのSTM電場変調ナノ分光測定(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長),成瀬 延康,目良 裕,中村 芳明,市川 昌和,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 62,No. 1,p. 887-887,2007年02月28日
  • 26aYC-3 STM探針からの正孔注入によるフラーレンの重合・解離反応とその機構(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)),目良 裕,吉野 学,最首 克也,中村 芳明,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 61,No. 2,p. 766-766,2006年08月18日
  • Fourier transform photo-absorption spectroscopy by detecting scanning tunneling microscope current,N. Naruse,Y. Mera,Y. Nakamura,M. Ichikawa,K. Maeda,The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy,2006年,研究発表ペーパー・要旨(国際会議)
  • 20aYE-2 酸化Si表面上Geナノドットの量子サイズ効果の直接観測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長)),松田 巌,Konchenko Alexander,中村 芳明,中山 泰生,長谷川 修司,市川 昌和,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 60,No. 2,p. 741-741,2005年08月19日
  • 19pXF-5 STMプローブ励起C_<60>重合・解離反応におけるクラスタ間距離効果の機構(微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長)),中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 60,No. 2,p. 731-731,2005年08月19日
  • 極薄GeO<sub>x</sub>膜上の超高密度Geナノドットの作成,中村芳明,長冨靖,杉江薫,宮田典幸,市川昌和,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 64th,No. 2,2003年08月30日
  • 21aYD-4 STM 金属探針直下における光電場増強効果の実測,小林 昌弘,目良 裕,中村 芳明,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 58,No. 2,p. 802-802,2003年08月15日
  • 28aWD-8 Si(111) 表面における STM からの電子注入と量子拡散,水本 義彦,萱沼 洋輔,中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 58,No. 1,p. 833-833,2003年03月06日
  • 6aSP-9 Si(111)-7×7表面上における光誘起塩素原子拡散のSTM直接観察(表面界面ダイナミクス,領域9),矢島 理子,中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 57,No. 2,p. 736-736,2002年08月13日
  • 6pSE-13 STM プローブ励起によって誘起されるC_<60>2量体の解離(フラーレン,領域7),中村 芳明,賀川 史敬,河西 宏一,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 57,No. 2,p. 688-688,2002年08月13日
  • 19aTG-3 イオン堆積アモルファスカーボン膜のSTM探針によるナノ構造変化,布施 琢也,目良 裕,中村 芳明,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 56,No. 2,p. 807-807,2001年09月03日
  • 19aTG-2 STM探針により誘起されるグラファイト結晶中の照射欠陥の構造変化,外村 修,名倉 孝行,目良 裕,飛田 聡,中村 芳明,目黒 多加志,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 56,No. 2,p. 806-806,2001年09月03日
  • 17aTJ-5 C_<60>クラスタ重合のSTM直接観察,中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 56,No. 2,p. 673-673,2001年09月03日
  • 25pTA-8 プローブ励起によって誘起されるSi表面上Cl原子拡散の広がり効果の解釈,中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 55,No. 2,p. 799-799,2000年09月10日
  • 25aT-2 STMプローブ励起によるC_<60>クラスター重合,中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 55,No. 1,p. 801-801,2000年03月10日
  • 25aT-6 STMプローブによる電子引き抜きが誘起するSi(111)-(7×7)表面上のCl原子移動,中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 55,No. 1,p. 802-802,2000年03月10日
  • 24pW-11 Si表面上Cl拡散を誘起するSTM探針注入電流の空間的広がり,中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 54,No. 2,p. 789-789,1999年09月03日
  • 28p-Q-5 STMプローブにより誘起されるSi表面上のCl原子移動,中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 54,No. 1,p. 302-302,1999年03月15日
  • 塩素吸着シリコン表面のレーザー励起エッチング,前田 康二,天清 宗山,中村 芳明,目良 裕,表面科学,The Surface Science Society of Japan,Vol. 20, 6, 393-400.,No. 6,p. 393-400,1999年
  • 25a-YM-12 STM探針からキャリア注入したC1吸着Si表面のその場観察,中村 芳明,目良 裕,前田 康二,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 53,No. 2,p. 357-357,1998年09月05日

著書

  • 季刊学際技術誌『生産と技術』,2021年09月
  • クリーンエネルギー 2021年7月号,2021年07月
  • 次世代自動車の熱マネジメント,技術情報協会,技術情報協会,ISBN:9784861048197,2020年12月
  • 一般書・啓蒙書,サーマルデバイス 新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用,中村芳明,NTS,ISBN:4860436024,2019年04月
  • 学術書,フォノンエンジニアリング~マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術~,塩見 淳一郎,(株)エヌ・ティー・エス,ISBN:9784860435097,2017年09月
  • 学術書,シリサイド系半導体ナノ構造 (3.7節),中村 芳明,裳華房,ISBN:9784785329204,2014年09月
  • 学術書,シリサイド系半導体ナノ構造 (3.7節),中村 芳明,裳華房,ISBN:9784785329204,2014年09月
  • 学術書,Formation of Ultrahigh Density Quantum Dots Epitaxially Grown on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique, STATE-OF-THE-ART OF QUANTUM DOT SYSTEM FABRICATIONS, CAPTER 6, jointly worked,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,INTECH,ISBN:9789535106494,2012年06月

受賞

  • 第四回 論文賞,akafumi Ishibe,Atsuki Tomeda,Kentaro Watanabe,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,応用物理学会 薄膜・表面物理分科会,2020年03月
  • 第3回 大阪大学総長奨励賞 研究部門,中村芳明,大阪大学,2015年
  • 第3回 大阪大学総長奨励賞 研究部門,中村芳明,大阪大学,2014年
  • 第2回 大阪大学総長奨励賞 研究部門,中村芳明,大阪大学,2013年
  • Encouraging prize at the Japanese scociety of applied physics meeting,2006年
  • 第20回応用物理学会講演奨励賞,2006年
  • Graduate Student Award at the DIET9 Confereaces,2002年

講演・口頭発表等

  • 熱電発電応用に向けたエピタキシャルGeH薄膜/Geの作製と伝熱特性,上松 悠人,寺田 吏,佐藤 健人,石部 貴史,中村 芳明,2023年 第70回 応用物理学会春季学術講演会
  • Atomically-Controlled Nanomaterials for Thermoelectric Performance Enhancement,Yoshiaki Nakamura,Takafumi Ishibe,ICACC-FS2-009-2023, ’47 th International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites’
  • 構造制御によるフォノン・電子操作とシリコン系熱電材料の高性能化,中村 芳明,第42回電子材料研究討論会 (公社) 日本セラミックス協会 電子材料部会主催,2022年11月10日
  • 熱電応用に向けたナノ構造による熱流制御,中村 芳明,R025 先進薄膜界面機能創成委員会・第10回研究会「フォノンエンジニアリング」,2022年08月10日
  • ナノ構造制御を用いたユビキタス元素熱電材料における性能向上,中村 芳明,学振R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会 第7回研究会「グリーン・サステナブルエレクトロニクスにおける材料技術」,2022年08月03日
  • Methodology of thermoelectric performance enhancement using low dimensional materials of Group IV element,中村 芳明,JST未来社会森第12回コロキウム,2022年05月25日
  • (Invited) Nanostructure design for thermoelectrics,Yoshiaki Nakamura,ASCO-NANOMAT 2022,2022年04月28日
  • ナノワイヤ界面制御による熱電出力因子増大方法論,石部 貴史,留田 純希,渡辺 健太郎,鎌倉 良成,森 伸也,成瀬 延康,目良 裕,山下 雄一郎,中村 芳明,2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会,2020年03月
  • ナノ構造を用いた熱電性能向上の方法論,中村 芳明,2021ナノ理工学セミナー ナノサイエンスを支える先進技術,2021年10月25日
  • ナノ構造を用いた熱流制御に基づく熱電変換性能向上の方法論とSiGe材料への応用 ~3物性のトレードオフの関係を最適化する方法論~,中村 芳明,進展する熱電変換材料技術の最先端と応用展望 セミナー,2021年06月25日
  • (Invited) Phonon Transport Physics in Well-Controlled Various Nanomaterials,Yoshiaki Nakamura,2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit,2021年04月20日
  • 高熱電出力因子に向けたe-CoSi 薄膜/Si における電子輸送機構,石部貴史,上松悠人,竹中良介,鈴木雄大,佐藤和則,藤田武志,小林英一,中村芳明,2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会,2021年03月
  • 歪・組成制御エピタキシャルSiGe薄膜の熱電性能,谷口 達彦,石部 貴史,我妻 勇哉,澤野 憲太郎,山下 雄一郎,中村 芳明,2021年第68回応用物理学会春季学術講演会,2021年03月
  • 極小エピタキシャルGeナノドット含有薄膜における熱伝導機構,寺田 吏,谷口 達彦,石部 貴史,鴻池 健人,真田 篤志,成瀬 延康,目良 裕,中村 芳明,2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会,2021年03月
  • カルコゲナイドにおける界面モデリングとフォノン状態解析,日野雄太,藤井進,吉矢真人,石部貴史,中村芳明,2021年 材料物性工学談話会,2021年02月03日
  • 半導体ナノ構造の熱電特性,中村 芳明,応用物理学会東海支部55周年記念講演 ― 東海ニューフロンティアリサーチワー クショップ ―
  • カルコゲナイド異相界面におけるフォノン伝導機構,日野雄太,関本渉,藤井進,吉矢真人,石部貴史,中村芳明,第30回日本MRS年次大会,2020年12月
  • 界面制御したSiGe/Si超格子薄膜における電子・フォノン輸送,石部貴史,第4回フォノンエンジニアリング研究会,2020年12月10日
  • 界面エネルギー障壁制御による透明ZnO/MgZnO超格子薄膜の出力因子増大,小松原 祐樹,片山 虎之介,石部 貴史,中村 芳明,第17回日本熱電学会学術講演会(TSJ2020),2020年09月
  • フェルミレベル制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化,寺田 吏,上松 悠人,石部 貴史,小林 英一,中村 芳明,第17回日本熱電学会学術講演会(TSJ2020),2020年09月
  • サーマルマネージメント出力因子増大機構解明に向けたCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の熱電特性評価,水田 光星,細田 凌矢,石部 貴史,Md. Mahfuz Alam,澤野 憲太郎,中村 芳明,第17回日本熱電学会学術講演会(TSJ2020),2020年09月
  • 擬ギャップを持つ反強磁性X相Cr3Al薄膜の支配的キャリアの評価,豊木 研太郎,林 正之,濱口 峻祐,白土 優,中谷 亮一,石部 貴史,中村 芳明,2020年 第167回日本金属学会春季講演大会,2020年09月
  • エピタキシャルゲルマナン薄膜の作製とその熱伝導率測定,上松 悠人,寺田 吏,石部 貴史,中村 芳明,2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月
  • 熱電出力因子増大に向けたエピタキシャルCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の開発,細田凌矢,水田光星,石部貴史,Md. Mahfuz Alam,澤野憲太郎,中村芳明,2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月
  • 半導体/強磁性金属積層構造における異常ネルンスト係数の増大,北浦 怜旺奈,石部 貴史,Himanshu Sharma,水口 将輝,中村 芳明,2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月
  • エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明,谷口 達彦,石部 貴史,中村 芳明,2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月
  • 鉄シリサイドナノドット含有Fe3O4薄膜メモリ における局所電界増強による抵抗変化比増大,石部 貴史,成瀬 延康,目良 裕,中村 芳明,2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会,2020年09月
  • 界面制御した透明ZnO薄膜における熱電出力因子増大,石部 貴史,第81回 応用物理学会秋季学術講演会
  • 熱電性能向上を目指した特異構造による熱・フォノン輸送制御熱電性能向上を目指した特異構造による熱・フォノン輸送制御,中村 芳明,第81回 応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学 ~実験と理論の協奏的アプローチ:物性解明と制御~」,2020年09月
  • AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大,上松 悠人,谷口 達彦,細田 凌矢,石部 貴史,間野 高明,大竹 晃浩,中村 芳明,2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会,2020年03月
  • Ca/Si界面反応制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化,寺田 吏,上松 悠人,石部 貴史,小林 英一,山下 雄一郎,中村 芳明,2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会,2020年03月
  • Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因,谷口 達彦,石部 貴史,Md. Mahfuz Alam,澤野 憲太郎,中村 芳明,2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会,2020年03月
  • ナノ構造化Si薄膜における構造制御による高熱電性能化,坂根 駿也,石部 貴史,成瀬 延康,目良 裕,Md. Mahfuz Alam,澤野 憲太郎,中村 芳明,2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会,2020年03月12日
  • Si基板上B20型CoSi薄膜の電子状態と熱電特性の関係,石部 貴史,雛川 貴弘,坂根 駿也,佐藤 和則,小林 英一,藤田 武志,中村 芳明,2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会,2020年03月
  • 熱起電力顕微鏡法により検出したZnO薄膜の微視的熱電物性,小松原 祐樹,宮戸 祐治,石部 貴史,中村 芳明,2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会,2020年03月
  • 特異構造を用いたフォノン輸送制御と熱電応用,中村 芳明,第67回 応用物理学会春季学術講演会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学~実験と理論の接点を探る:物性解明と制御~」
  • 反強磁性半金属X相Cr3Al薄膜の電気特性およびSeebeck係数の温度依存性,豊木 研太郎,林 正之,濱口 峻佑,白土 優,中谷 亮一,石部 貴史,中村 芳明,2020年 第166回日本金属学会春季講演大会,2020年03月
  • 熱電ホイスラー合金Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の電気・熱電特性,工藤 康平,嶋貫 雄太,石部 貴史,真砂 啓,山田 晋也,中村 芳明,浜屋 宏平,2020年 第166回日本金属学会春季講演大会,2020年03月
  • 環境調和型フレキシブル熱電材料の開発,塩田拓哉,石部 貴史,中村 芳明,応用物理学会関西支部2019年度第3回講演会,2020年02月21日
  • IoT 活用を目指した低温熱電発電用ナノ材料の創製,中村 芳明,応用物理学会 薄膜・表面物理分科会主催 2019年度 薄膜・表面物理研究会
  • ユビキタス元素熱電材料実現に向けたナノ構造制御,中村芳明,2019年日本表面真空学会中部支部研究会「ナノ結晶成長・評価・応用の研究最前線」,2019年11月23日
  • Nanostructure thermoelectrics,Yoshiaki Nakamura,IEEE IMFEDK 2019, 17th Meeting,2019年11月14日
  • IoTセンサ電源応用に向けたSi基板上CaSi2熱電薄膜,寺田 吏,上松 悠人,石部 貴史,山下 雄一郎,中村 芳明,応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会,2019年11月08日
  • 2次元電子ガス系AlGaAs/GaAsの熱電性能評価,上松 悠人,谷口 達彦,細田 凌矢,石部 貴史,間野 高明,大竹 晃浩,中村 芳明,応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会,2019年11月08日
  • ナノシリンダブロックコポリマー薄膜における熱伝導率スイッチングの発現,金子 達哉,石部 貴史,彌田 智一,中村 芳明,応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会,2019年11月08日
  • 熱起電力顕微鏡の開発,小松原 祐樹,宮戸 祐治,石部 貴史,中村 芳明,応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会,2019年11月08日
  • 第一原理格子動力学法による積層カルコゲナイドのフォノン状態,日野雄太,渡辺直樹,藤井進,吉矢真人,石部貴史,中村芳明,第29回日本MRS年次大会,2019年11月
  • ナノスケールでのSi/SiO2界面による熱伝導率機構の解明,渡辺直樹,船井浩平,藤井進,吉矢真人,中村芳明,第29回日本MRS年次大会,2019年11月
  • SiGe EDLTを用いた出力因子増大の検証,細田 凌矢,谷口 達彦,石部 貴史,藤井 武則,中村 芳明,第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019),2019年09月
  • 異方的構造を有するブロックコポリマー薄膜の熱伝導率異方性評価,金子 達哉,石部 貴史,彌田 智一,中村 芳明,第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019),2019年09月
  • 二次元電子ガス系AlGaAs/GaAsにおける熱電性能の温度依存性評価,上松 悠人,谷口 達彦,細田 凌矢,石部 貴史,間野 高明,大竹 晃浩,中村 芳明,第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019),2019年09月
  • 熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用,小松原 祐樹,宮戸 祐治,石部 貴史,中村 芳明,第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019),2019年09月
  • ナノスケールでの異相界面における熱輸送メカニズム,渡辺直樹,船井浩平,藤井進,吉矢真人,中村芳明,第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019),2019年09月
  • 独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化,谷口 達彦,寺田 吏,石部 貴史,中村 芳明,2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月
  • Si基板上BaSi2薄膜の低熱伝導率とその熱輸送機構,石部 貴史,谷内 卓,山下 雄大,佐藤 拓磨,末益 崇,中村 芳明,2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月
  • Ca濃度変調によるエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性操作,寺田 吏,上松 悠人,石部 貴史,小林 英一,山下 雄一郎,中村 芳明,2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月
  • 欠陥制御によるナノ結晶含有Si薄膜の熱電特性改善,坂根 駿也,石部 貴史,成瀬 延康,目良 裕,Md. Mahfuz Alam,澤野 憲太郎,中村 芳明,2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月
  • 熱電発電応用に向けたSi基板上BaSi2薄膜,石部 貴史,近田 尋一郎,谷内 卓,山下 雄大,佐藤 拓磨,末益 崇,中村 芳明,2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月
  • 熱電材料Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長,嶋貫雄太,工藤康平,山田晋也,石部貴史,中村芳明,浜屋宏平,2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月
  • Simultaneous realization of thermoelectric power factor enhancement and thermal conductivity reduction in epitaxial Si films containing b-FeSi2 nanodots,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-Silicide 2019),2019年07月20日
  • Simultaneous realization of thermal conductivity reduction and thermoelectric power factor enhancement using ZnO nanowire interface,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON21),2019年07月
  • Power factor enhancement by introducing dopant-controlled epitaxial interfaces in transparent embedded-ZnO nanowire structure,Takafumi Ishibe,Atsuki Tomeda,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,The 38th International Conference on Themoelectrics and The 4th Asian Conference on Themoelectrics (ICT/ACT2019),2019年07月
  • Controlling comosition for high thermoelectric power factor in Si-rich SiGe/Si superlattices,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yoshiaki Nakamura,The 38th International Conference on Themoelectrics and The 4th Asian Conference on Themoelectrics (ICT/ACT2019),2019年07月
  • Thermoelectric properties of layerd CaSi2 including silicene structure,Tsukasa Terada,Yuto Uematsu,Takafumi Ishibe,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,The 38th International Conference on Themoelectrics and The 4th Asian Conference on Themoelectrics (ICT/ACT2019),2019年07月
  • 熱電性能向上に向けたナノ構造の設計とその作製,中村芳明,第40回排熱発電コンソーシアム,2019年06月10日
  • 熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用,小松原 祐樹,宮戸 祐治,石部 貴史,中村 芳明,応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会,2019年06月
  • サーマルマネージメントによるSiGe熱電材料の出力因子増大,坂根 駿也,石部 貴史,藤田 武志,鎌倉 良成,森 伸也,中村 芳明,応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会,2019年06月
  • Semiconductor nanostructure design for thermoelectric property control,Yoshiaki Nakamura,Nanomeeting 2019,2019年05月21日
  • Design of Semiconductor Nanoarchitecture for Thermoelectric Property Control,Yoshiaki Nakamura,11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2019/IC-PLANTS2019)
  • SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大,坂根 駿也,石部 貴史,藤田 武志,池内 賢朗,鎌倉 良成,森 伸也,中村 芳明,2019年第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月
  • 局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下における熱電材料の表面電位分布測定,宮戸 祐治,小松原 祐樹,石部 貴史,中村 芳明,2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月
  • 多層シリセン積層構造を有するエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性,寺田 吏,上松 悠人,石部 貴史,中村 芳明,2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月
  • 高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化,谷口 達彦,石部 貴史,Md. Mahfuz Alam,澤野 憲太郎,中村 芳明,2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月
  • 複雑結晶構造を有するSi基板上BaSi2薄膜の熱電性能評価,石部 貴史,近田 尋一郎,谷内 卓,山下 雄大,末益 崇,中村 芳明,2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月
  • Si基板上に形成した擬ギャップε-CoSi薄膜の熱電性能評価,雛川 貴弘,坂根 駿也,石部 貴史,藤田 武志,中村 芳明,2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月
  • Si置換したFe2VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率,工藤康平,山田晋也,近田尋一朗,嶋貫雄太,石部貴史,阿保智,宮崎秀俊,西野洋一,中村芳明,浜屋宏平,2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月
  • Phonon transport confinement and carrier transport control using Si-based nanostructure interfaces,Yoshiaki Nakamura,Takafumi Ishibe,2018年12月
  • 薄膜熱電素子開発に向けたナノ構造材料の設計と作製,中村芳明,応用物理学会応用電子物性分科会主催 応用電子物性分科会 研究例会 熱電素子のIoT応用/新規材料開発の最前線,2018年11月21日
  • Modulation of c Lattice Parameter in Epitaxial FeGeg Nanocrystals on Si,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,2018年10月
  • Thermoelectric Performance in Boundary-Defect-Controlled SiGe/Si superlattice,2018年10月
  • Resistive Switching Characteristics in Epitaxial Iron Oxide Nanocrystals / Si Substrates,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,2018年10月21日
  • 熱伝導率制御に向けた非整合チムニーラダー構造FeGeg /Siのエピタキシャル成長,寺田 吏,石部 貴史,渡辺 健太郎,中村 芳明,2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会,2018年09月
  • 原子レベル制御したナノ構造界面と界面輸送,中村芳明,フォノンエンジニアリング研究会,2018年07月
  • ナノ構造技術を用いた物性制御と応用,中村芳明,セミナー 奈良先端科学技術大学院大学,2018年03月26日
  • 熱電デバイス応用に向けたⅣ族半導体ナノ構造における電子・フォノン輸送制御,中村芳明,2018年春季<第65回>応用物理学会 結晶工学シンポジウム「ゲルマニウムの工学-電子・光・熱・スピン Ⅳ族半導体の新展開-」,2018年03月
  • 制御したナノ構造界面導入による電子・フォノン輸送制御,中村芳明,ホイスラー化合物熱電素子材料による廃熱発電研究会,2018年02月08日
  • A versatile thermal conductivity measurement of free-standing nanowire array structures using embedding organic material films,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017),2017年12月
  • Monolithic thermoelectric modules fabricated on Si substrates,Kentaro Watanabe,Koudai Kaneko,Yoshiaki Nakamura,2017年12月
  • Thermal conductivity measurements of vertical nanowall structures using organic embedding medium,Kentaro Watanabe,Takeshi Matsumoto,Yusuke Miyazaki,Kosuke Mitarai,Ryo Okuhata,Yoshiaki Nakamura,2017年12月
  • Epitaxial growth of FeGeγ nanocrystals on Si substrate,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,2017年12月
  • Formation control of ZnO nanowires using various seed structures,Takafumi Ishibe,Tsukasa Terada,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,2017年12月
  • ENHANCEMENT OF THERMOELECTRIC PROPERTIES BY EPITAXIAL NANODOTS IN Si FILMS,Shunya Sakane,Kentaro Watanabe,Takeshi Fujita,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,2017年11月
  • THERMOELECTRIC PERFORMANCES CONTROLLED BY NANOSCALE INTERFACES IN TRANSPARENT EMBEDDED-ZNO NANOWIRES STRUCTURE,2017年11月
  • Nanoprobe-CL法による半導体単結晶自立ナノワイヤの顕微物性評価,渡辺健太郎,第8回真空・表面科学若手研究会,2017年10月27日
  • Nanostructure Design for Control of Phonon and Electron Transports,Yoshiaki Nakamura,Kentaro Watanabe,232nd Electrochemical Society (ECS) metting,2017年10月
  • Nanospectroscopic investigation of individual free-standing semiconductor nanowires using nanoprobe-cathodoluminscence techniques,Kentaro Watanabe,2017年09月
  • フォノン・電子輸送制御を可能にするSiナノ構造設計,中村芳明,第14回日本熱電学会学術講演会(TSJ2017) シンポジウム講演「固体材料における熱伝導制御の学術フロンティア,2017年09月13日
  • Growth-method-dependent thermoelectric properties of epitaxial Ge/Si(001) thin films,2017年08月
  • Dependence of thermoelectric properties of Ga-doped ZnO films on various crystal properties,2017年08月
  • フォノン・キャリア輸送制御を可能とするナノ構造の設計と作製,中村芳明,2017年真空・表面科学合同講演会 合同シンポジウム「ナノ構造/低次元・ナノ物質」,2017年08月19日
  • Development of Thermal Conductivity Measurement Method Applicable to Thin Bulk Materials Based on 2ω Method,2017年07月
  • Thermoelectric Properties of Si Films Containing Epitaxial Nanodots of Various Materials,2017年07月
  • Ga-Doped ZnO Films for Transparent Thermoelectric Materials with High Power Factor,2017年07月
  • Design of nanoarchitecture for independent control of carrier and phonon transports,Yoshiaki Nakamura,2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2017),2017年07月
  • Epitaxial nanostructure design for control of phonon and electron transport,Yoshiaki Nakamura,2017年07月
  • Independent control of phonon and electron transport in Si-based nanoarchitectures with epitaxial Ge nanodots,2017年03月
  • (Invited) Nanoarchitecture design for independent control of carrier and phonon transports,Yoshiaki Nakamura,2016年12月
  • ナノ構造を用いた熱電特性制御とSi系熱電材料開発,中村芳明,日本金属学会 時限研究会 第四回エレクトロニクス薄膜材料研究会 「電子・情報・エネルギー素子と機能材料の最近の研究(4)」,2016年09月22日
  • Si基板上への鉄シリサイド薄膜構造形成とその熱電物性,坂根駿也,谷口達彦,渡辺健太郎,中村芳明,第28回シリサイド系半導体と関連物質研究会,2016年09月16日
  • Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method,A. Sakai,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,M.Imanishi,M. Imade,Y. Mori,2016年06月
  • ナノドットを用いた熱伝導率の低減とSi系熱電材料開発,中村芳明,コロイド先端技術講座II:4th E-Colloid先端エレクトロニクスのためのコロイド・界面化学次世代サーマルマネジメント技術が地球を救うーコロイド・界面化学・ソフトマターの欠かせない役割,2015年12月04日
  • Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coated Ge nuclei,T. Ishibe,K. Watanabe,S. Takeuchi,A. Sakai,Y. Nakamura,2015年12月
  • Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures,S. Sakane,K. Watanabe,M. Isogawa,S. Takeuchi,A. Sakai,Y. Nakamura,2015年12月
  • Thermal conductivity reduction in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots,Yoshiaki Nakamura,2015年10月
  • 窒化物半導体の成長表面・界面制御と転位挙動―Naフラックス成長GaN結晶を中心にー,酒井 朗,浅津 宏伝,竹内 正太郎,中村 芳明,今西 正幸,今出 完,森 勇介,2015年09月
  • β-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因,板根 駿也,渡辺 健太郎,竹内 正太郎,酒井 朗,中村 芳明,2015年09月
  • エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御,山阪司祐人,渡辺 健太郎,澤野 憲太郎,竹内 正太郎,酒井 朗,中村 芳明,2015年09月
  • エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存症,前田 佳輝,渡辺 健太郎,中本 悠太,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,中村 芳明,2015年09月
  • Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性,渡辺 健太郎,前田 佳輝,中本 悠太,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,中村 芳明,2015年09月
  • Phonon scattering control by structure of epitaxial Ge nanodots in Si,S.Yamanaka,Y.Nakamura,S.Takeuchi,A.Sakai,2015年07月
  • Thermal conductivity reduction and carrier doping in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots,Y.Nakamura,T.Ueda,M.Isogawa,S.Yamasaka,S.Takeuchi,A.Sakai,2015年07月
  • Si中 エピタキシャルGeナノドットを用いた熱抵抗制御,山阪 司祐人,中村 芳明,上田 智弘,竹内 正太郎,酒井 朗,2015年03月
  • 極薄AI2O3/SiO2 BOX層を有する張り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善,吉田 啓資,中村 芳明,竹内 正太郎,守山 佳彦,手塚 勉,酒井 朗,2015年03月
  • 鉄シリサイド核/Siを用いた鉄酸化物のエピタキシャル成長,松井 秀紀,中村 芳明,中本 悠太,竹内 正太郎,酒井 朗,2015年03月
  • Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析,浅津 宏伝,竹内 正太郎,今西 正幸,中村 芳明,今出 完,森 勇介,酒井 朗,2015年03月
  • 極薄Si酸化膜技術を用いたSi系熱電ナノ材料の開発,中村芳明,電子情報通信学会研究会(SDM、ED),2015年02月
  • Microstructure Analysis of a Thick AIN Film Grown on a Trench-Patterned AIN/Sapphire Template by X-Ray Microdiffraction,S.Takeuchi,D.T.Khan,Y.Nakamura,Y.Imai,S.Kimura,H.Miyake,K.Hiramatsu,A.Sakai,2014年11月
  • 周期溝加工基板上半極性面(20-21)GaN膜の微視的結晶構造解析~X線マイクロ回折と透過型電子顕微鏡を用いた相補的評価~,荒内 琢士,竹内 正太郎,橋本 健宏,中村 芳明,今井 康彦,山根 啓輔,岡田 成仁,木村 滋,只友 一行,酒井 朗,2014年11月
  • 表層固溶窒素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動,長久 晋輔,竹内 正太郎,浅津 宏伝,中村 芳明,須藤 治生,荒木 浩司,泉妻 宏治,酒井 朗,2014年11月
  • (Invited) Epitaxial Growth of Nanodots on Si Substrates with Controlled Interfaces and Their Application to Electronics and Thermoelectronics,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,2014年10月
  • Effect of surface-nitrogen-concentration on dislocation behavior in Si wafers treated by high temperature rapid thermal nitridation,S.Chokyu,S.Takeuchi,H.Asazu,Y.Nakamura,H.Sudo,K.Araki,K.Izunome,A.Sakai,2014年10月
  • Siウェーハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響,須藤 治生,荒木 浩司,日高 洋美,荒木 延恵,竹内 正太郎,中村 芳明,酒井 朗,泉妻 宏治,2014年09月
  • Si基板上エピタキシャルFe2O3ナノドットの抵抗変化特性とそのアニール処理依存性,松井 秀紀,中村 芳明,竹内 正太郎,酒井 朗,2014年09月
  • 窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価ーマルチスケール評価へのアプローチー,酒井 朗,竹内 正太郎,中村 芳明,三宅 秀人,平松 和政,今井 康彦,木村 滋,2014年09月
  • エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性,山阪 司祐人,中村 芳明,鶴崎 晋也,竹内 正太郎,酒井 朗,2014年09月
  • X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価,内山 星郎,竹内 正太郎,荒内 琢士,橋本 健宏,中村 芳明,山根 啓輔,岡田 成仁,只友 一行,酒井 朗,2014年09月
  • 周期溝加工(22-43)サファイヤ基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析,荒内 琢士,竹内 正太郎,橋本 健宏,中村 芳明,今井 康彦,山根 啓輔,岡田 成仁,木村 滋,只友 一行,酒井 朗,2014年09月
  • Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films on (22-43) patterned sapphire substrate,T.Uchiyama,S.Takeuchi,T.Arauchi,Y.Nakamura,K.Yamane,N.Okada,K.Tadatomo,A.Sakai,2014年08月
  • Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction,T.Arauchi,S.Takeuchi,Y.Nakamura,Y.Imai,K.Yamane,N.Okada,S.Kimura,K.Tadatomo,A.Sakai,2014年08月
  • Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth,M.Imanishi,K.Murakami,K.Nakamura,H.Imabayashi,H.Takazawa,D.Matsuo,Y.Todoroki,M.Maruyama,H.Asazu,S.Takeuchi,Y.Nakamura,A.Sakai,M.Imade,M.Yoshimura,Y.Mori,2014年08月
  • Thermal and electrical properties of Si films including epitaxial Ge nanodot phonon-scatterers,S.Yamasaka,Y.Nakamura,T.Ueda,S.Takeuchi,A.Sakai,2014年07月
  • Improvement of current drive of Ge-nMISFETs by epitaxially grown n+-Ge:P source and drain,Y.Moriyama,K.Kamimuta,Y.Kamata,K.Ikeda,S.Takeuchi,Y.Nakamura,A.Sakai,T.Tezuka,2014年06月
  • エピタキシャルSiナノドットを用いた熱伝導率の低減と熱電材料への応用,中村芳明,第51回日本伝熱シンポジウム,2014年05月
  • Ge-nMOSFET向けn+-Ge/n+-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減,守山 佳彦,上牟田 雄一,鎌田 善己,池田 圭司,竹内 正太郎,中村 芳明,酒井 朗,手塚 勉,2014年03月
  • AI2O3挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価,吉田 啓資,中村 芳明,竹内 正太郎,守山 佳彦,手塚 勉,酒井 朗,2014年03月
  • Crystal domain microstructure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction,D.T.Khan,S.Takeuchi,K.Nakamura,T.Arauchi,Y.Nakamura,H.Miyake,K.Hiramatsu,Y.Imai,S.Kimura,A.Sakai,2014年03月
  • 極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe3O4ナノドットの抵抗スイッチング特性,松井 秀紀,中村 芳明,竹内 正太郎,酒井 朗,2014年03月
  • エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価,山阪 司祐人,中村 芳明,上田 智広,竹内 正太郎,酒井 朗,2014年03月
  • (Invited) Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodots structures,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,2014年02月
  • Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodot structures,Y.Nakamura,A.Sakai,2014年02月
  • Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials,S.Yamasaka,Y.Nakamura,T.Ueda,S.Takeuchi,A.Sakai,2014年02月
  • ナノドットを用いたSi系熱電材料の開発,中村芳明,CREST・さきがけ「元素戦略」領域合同第1回公開シンポジウム,2013年11月
  • ナノドットを用いたSi熱電変換材料の開発,中村芳明,第22回シリサイド系半導体研究会,2013年09月21日
  • エピタキシャル成長n+-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減,守山 佳彦,上牟田 雄一,鎌田 善己,池田 圭司,竹内 正太郎,中村 芳明,酒井 朗,手塚 勉,2013年09月
  • Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果,山阪 司祐人,中村 芳明,上田 智広,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年09月
  • Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction,D.T.Khan,S.Takeuchi,K.Nakamura,T.Arauchi,Y.Nakamura,H.Miyake,K.Hiramatsu,Y.Imai,S.Kimura,A.Sakai,2013年09月
  • Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates,K.Nakamura,S.Takeuchi,D.T.Khan,T.Arauchi,Y.Nakamura,H.Miyake,K.Hiramatsu,Y.Imai,S.Kimura,A.Sakai,2013年09月
  • 薄膜AI2O3/SiO2 BOX層を有するUTB-GeOI基板作製,守山 佳彦,池田 圭司,竹内 正太郎,上牟田 雄一,中村 芳明,酒井 朗,泉妻 宏治,手塚 勉,2013年09月
  • Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AIN films grown on triangular-striped AIN/sapphire template,T.Arauchi,S.Takeuchi,K.Nakamura,D.T.Khan,Y.Nakamura,H.Miyake,K.Hiramatsu,A.Sakai,2013年08月
  • Epitaxial growth of stacked β-FeSi2 nanodots on Si substrates and their thermoelectric properties,M.Isogawa,Y.Nakamura,J.Kikkawa,S.Takeuchi,A.Sakai,2013年07月
  • Introduction of Ge nanodots in Si films as phonon scatterers and the thermal conductivity reduction,Shuto Yamasaka,Yoshiaki Nakamura,Tomohiro Ueda,S.Takeuchi,Y.Yamamoto,S.Arai,T.Tenji,N.Tanaka,A.Sakai,2013年07月
  • Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers,H.Asazu,S.Takeuchi,H.Sannai,H.Sudo,K.Araki,Y.Nakamura,K.Izunome,A.Sakai,8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI),2013年06月
  • Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定,石部 貴史,中村 芳明,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年06月
  • Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers,Y.Moriyama,Y.Kamata,K.Ikeda,S.Takeuchi,Y.Nakamura,A.Sakai,8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI),2013年06月
  • ナノドットを用いたSi熱電材料の開発,中村芳明,応用物理学会関西支部セミナー「先端半導体デバイスのシミュレーション」,2013年03月
  • 表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動,浅津 宏伝,竹内 正太郎,山内 宏哉,須藤 治生,荒木 浩司,中村 芳明,泉妻 宏治,酒井 朗,2013年03月
  • エピタキシャルb-FeSi2ナノドット積層構造の形成とその熱電物性,五十嵐 雅之,中村 芳明,吉川 純,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年03月
  • Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定,石部 貴史,中村 芳明,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年03月
  • X線マイクロ回折による周期溝加工SiC基板上に成長したAIN薄膜の結晶性評価,中村 邦彦,ディン カン,荒内 琢士,竹内 正太郎,中村 芳明,三宅 秀人,平松 和政,今井 康彦,木村 滋,酒井 朗,2013年03月
  • エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価,山阪 司祐人,中村 芳明,上田 智広,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年03月
  • (Invited) Si-based epitaxial nanodots for thermoelectric materials,Yoshiaki Nakamura,2013年03月
  • Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction,K. Nakamura,S. Harada,D. T. Khan,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2012年12月
  • Cross-sectional X-ray Microdiffraction Study of Residual Strain Distribution in a Thick AlN Film Grown on a Trench-patterned AlN/α-Al2O3 Template,D. T. Khan,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,A. Sakai,8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2012年12月
  • Epitaxial Growth of Iron-Silicide Nanodots on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique and Their Physical Properties,Y. Nakamura,M Ichikawa,ECS Transactions,2012年10月
  • GOI substrates -Fabrication and characterization-,A. Sakai,S. Yamasaka,J. Kikkawa,Y. Nakamura,Y. Moriyama,T. Tezuka,S. Takeuchi,K. Izunome,The 2012 Si, SiGe, and Related Compound: Materials, Processing, and Devices Symposium, the PRiME 2012 Joint International 222nd Elecrochemical Society Meeting,2012年10月
  • Local strain distribution in a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template measured by X-ray microdiffraction,D. T. Khan,S. Takeuchi,J. Kikkawa,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,International Workshop on Nitride Semiconductors 2012,2012年10月
  • ナノドットを用いて歪制御したSi基板上への高品質エピタキシャル薄膜成長法,中村芳明,第22回格子欠陥フォーラム・励起ナノプロセス研究会合同シンポジウム「材料科学のための欠陥制御・評価」,2012年09月
  • Si基板上へのナノ構造エピタキシャル成長技術とその応用,中村芳明,シリサイド系半導体と関連物質研究会 夏の学校2012,2012年07月
  • 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価,淺田遼太,Pham Phu Than Son,Kotake Nishad,Vasant,吉川純,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,2012年06月
  • (Invited) Nanocontact epitaxy of thin films on Si substrates using nanodot seeds fabricated by ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Electrochemical Society 221th meeting in Seattle USA,2012年05月
  • Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(110) surfaces,M. Yamashita,Y. Nakamura,R. Sugimoto,J. Kikkawa,K. Izunome,A. Sakai,11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011,2011年10月
  • Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles,M. Yamashita,Y. Nakamura,A. Yamamoto,J. Kikkawa,K. Izunome,A. Sakai,11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011,2011年10月
  • Formation of iron oxide nanodot structures on Si substrates by controlling nanometer-sized interface using ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Hironobu Hamanaka,Kazuki Tanaka,Jun Kikkawa,Akira Sakai,11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011,2011年10月
  • (Invited) Self-organization and self-repair of two-dimensional periodic nanoarray of epitaxial Ge nanodots using ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,2011年10月
  • (Invited) High density Iron silicde nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,IUMRS-ICA 2011, Taipei, September, 2011,2011年09月
  • (Invited) Nanocontact heteroepitaxy of high-quality thin III-V films on Si substrates using nanodot seeds,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2011),2011年06月
  • Two-dimensional nanoarray of SiGe epitaxial nanodots self-organized by selective etching of edge dislocation network,Yoshiaki Nakamura,Masahiko Takahashi,Jun Kikkawa,Osamu Nakatsuka,Shigeaki Zaima,Akira Sakai,Material Reserch Society Fall meeting, Boston, USA, Dec. 2010,2010年12月
  • X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates,K. Ebihara,S. Harada,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,G. Wang,M. Caymax,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,ECS Transactions,2010年10月
  • (Invited) Self-organization and self-repair of a two-dimensional nanoarray of epitaxial Ge quantum dots using ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Akiyuki Murayama,Ryoko Watanabe,Tomokazu Iyoda,Masakazu, Ichikawa,The 5th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2010), Changzhou, China, Sep. 2010,2010年09月
  • 極薄Si酸化膜テクノロジーにより形成した超高密度量子ドット,中村芳明,東京工業大学資源化学研究所セミナー,2009年11月
  • (Invited) Self-assembly technique of ultrahigh density quantum dots of group IV semiconductor epitaxially grown on Si substrates using ultrathin SiO2 films,Yoshiaki Nakamura,The 4th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2009), Chengdu, China, Oct. 2009,2009年10月
  • Si基板上に形成した鉄シリサイドナノドットの構造と物性評価,中村芳明,市川昌和,第13回シリサイド系半導体研究会,2009年04月
  • IV族系半導体ナノドットの超高密度形成とその物性,中村芳明,グローバルCOE「未来を拓く物理化学結集教育研究拠点」第一回自主研究会,2009年01月
  • Si 基板上β-FeSi2、Fe3Si ナノドットの自己形成とその光学及び磁気特性,中村芳明,市川昌和,2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会 シンポジウム(主題:結晶工学分科会・シリサイド系半導体と関連物質研究会共同企画「シリサイド系材料が開く新しい応用技術-結晶工学から斬るシリサイド系材料の可能性-」,2008年09月
  • IV族半導体ナノ構造形成技術の鉄シリサイドへの応用,中村芳明,市川昌和,第10回シリサイド系半導体夏の学校(主催:応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会),2007年07月
  • 鉄シリサイドナノ構造の形成技術開発,中村芳明,市川昌和,第10回シリサイド系半導体研究会,2007年03月
  • Fourier transform photoabsorption spectroscopy based on scanning tunneling microscopy,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yo Fukuzawa,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,Journal of Appled Physics,2007年
  • Quantum fluctuation of tunneling current in individual Ge quantum dots induced by a single-electron transfer,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Kentaro Watanabe,Yasuhiro Hatsugai,Applied Physics Letters,2007年
  • 極薄Si酸化膜を利用したIV族系半導体ナノ構造の形成と物性評価,中村芳明,市川昌和,21世紀COEセミナー,2006年12月
  • Ge量子ドットにおける単電子輸送による量子的トンネル電流変化,中村芳明,渡辺健太郎,初貝安弘,市川昌和,2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会,2006年08月
  • Nanomaterial design for thermoelectric performance enhancement,Yoshiaki Nakamura,7 th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology

委員歴

  • 日本真空表面学会,資格認定委員会表面科学技術者担当委員会委員, ~
  • 日本熱物性学会,評議員, ~
  • 日本熱電学会,評議員, ~
  • 応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会,幹事, ~
  • 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会,幹事, ~