EN

基本情報

研究

社会活動

その他の活動

中村 芳明

Nakamura Yoshiaki

基礎工学研究科 システム創成専攻,教授

keyword シリサイド,ゲルマニウム,シリコン,量子ドット

学歴

  • 1999年04月 ~ 2002年03月,東京大学,大学院工学系研究科,物理工学専攻 博士課程
  • 1997年04月 ~ 1999年03月,東京大学,大学院工学系研究科,物理工学専攻 修士課程
  • 1995年04月 ~ 1997年03月,東京大学,工学部,物理工学科
  • 1993年04月 ~ 1995年03月,東京大学,理科一類

研究内容・専門分野

  • ナノテク・材料,ナノ材料科学
  • ナノテク・材料,ナノ構造物理
  • ナノテク・材料,ナノ構造化学
  • ナノテク・材料,薄膜、表面界面物性

所属学会

  • The Surface Society of Japan
  • The Physical Society of Japan
  • The Japan Society of Applied Physics
  • 日本表面科学会
  • 応用物理学会
  • 日本物理学会

論文

  • Formation of Silicon Quantum Dots Sheet on a Nonmetallic CaF2 Surface,Kenji Ito,Hideyuki Nakano,Yoshiaki Nakamura,Advanced Materials Interfaces,p. 2001295-2001295,2020年10月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Si1−xGex and Ge epitaxial films on Si(001) with controlled composition and strain for group IV element-based thermoelectric generators,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Ryoya Hosoda,Youya Wagatsuma,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Mutsunori Uenuma,Yukiharu Uraoka,Yuichiro Yamashita,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 117,No. 14,p. 141602-141602,2020年10月05日,研究論文(学術雑誌)
  • Control of thermoelectric properties in Mn-substituted Fe2TiSi epilayers,Y. Shimanuki,S. Yamada,A. Masago,T. Ishibe,K. Kudo,Y. Nakamura,K. Hamaya,Physical Review B,Vol. 102,No. 5,2020年08月04日,研究論文(学術雑誌)
  • An advanced 2ω method enabling thermal conductivity measurement for various sample thicknesses: From thin films to bulk materials,Vol. 128,No. 1,p. 015102-015102,2020年07月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films,Yuto Uematsu,Tsukasa Terada,Kento Sato,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Vol. 13,No. 5,p. 055503-055503,2020年05月01日,研究論文(学術雑誌)
  • High Thermoelectric Power Factor Realization in Si-Rich SiGe/Si Superlattices by Super-Controlled Interfaces,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,2020年05月
  • Impact of metal silicide nanocrystals on the resistance ratio in resistive switching of epitaxial Fe3O4 films on Si substrates,Takafumi Ishibe,Yuto Uematsu,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 116,2020年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching memory performance in oxide hetero-nanocrystals with well-controlled interfaces,T. Ishibe,Y. Maeda,T. Terada,N. Naruse,Y. Mera,E. Kobayashi,Y. Nakamura,Science and Technology of Advanced Materials,Vol. 21,p. 195-204,2020年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric properties of single-phase full-Heusler alloy Fe2TiSi films with D03-type disordering,Y. Shimanuki, K. Kudo, T. Ishibe, A. Masago, S. Yamada, Y. Nakamura, and K. Hamaya,Journal of Applied Physics,Vol. 127,2020年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots,Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Takahiro Hinakawa, Ryoya Hosoda, Kosei Mizuta, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, and Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 59,p. SFFB01-1-1-05,2020年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Nanoscale Thermal Management in Bulk SiGe Composites,Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kosei Mizuta, Masato Kashino, Kentaro Watanabe, Takeshi Fujita, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Energy Materials,Vol. 3,p. 1235-1241,2019年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Modulation of lattice constants by changing the composition and strain in incommensurate Nowotny chimney-ladder phase FeGeγ epitaxially grown on Si,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Surface Science,Vol. 690,2019年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Bottom‐Up on Surface Synthesis of Two‐Dimensional Graphene Nanoribbon Networks and Their Thermoelectric Applications,Takahiro Nakae,Takahiro Kojima,Zhen Xu,Saravanan Chinnusamy,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Hiroshi Sakaguchi,Chemistry – An Asian Journal,2019年11月,研究論文(学術雑誌)
  • High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Takahiro Hinakawa,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 115,2019年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Takeshi Fujita,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,Materials Today Energy,Vol. 13,p. 56-63,2019年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Modulation of lattice constants by changing the composition and strain in incommensurate Nowotny chimney-ladder phase FeGeγ epitaxially grown on Si,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Surface Science,Vol. 690,2019年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Takeshi Fujita,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,Materials Today Energy,Vol. 13,p. 56-63,2019年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Semiconductor Nanostructure Design for Thermoelectric Property Control,Y. Nakamura,T. Ishibe,T. Taniguchi,T. Terada,R. Hosoda,S. Sakane,International Journal of Nanoscience,2019年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Significant reduction in the thermal conductivity of Si-substituted Fe2VAl epilayers,Vol. 99,No. 5,p. 054201-1-054201-7,2019年02月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Semiconductor Nanostructure Design for Thermoelectric Property Control,Y. Nakamura,T. Ishibe,T. Taniguchi,T. Terada,R. Hosoda,S. Sakane,International Journal of Nanoscience,Vol. 18,p. 19040036-1-19040036-8,2019年,研究論文(学術雑誌)
  • Methodology of thermoelectric power factor enhancement by controlling nanowire interface,Takafumi Ishibe,Atsuki Tomeda,Kentaro Watanabe,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,Vol. 10,No. 43,p. 37709-37716,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric properties of epitaxial Ge thin films on Si(001) with strong crystallinity dependence,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Hiroki Miyamoto,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Express,Vol. 11,p. 111301-1-111301-1-4,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching at the high quality metal/insulator interface in Fe3O4/SiO2/a-FeSi2/Si stacking structure,Takafumi Ishibe,Tsubasa Kurokawa,Nobuyasu Naruse,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 113,p. 141601-1-5,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Enhanced thermoelectric performance of Ga-doped ZnO film by controlling crystal quality for transparent thermoelectric films,Atsuki Tomeda,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Ryo Okuhata,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Thin Solid Films,Vol. 666,p. 185-190,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of various epitaxial nanodots in Si films for thermoelectric materials,Sakane Shunya,Watanabe Kentaro,Fujita Takeshi,Naruse Nobuyasu,Nakamura Yoshiaki,Journal of Physics: Conference Series,Vol. 1052,2018年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Thermoelectric performances in transparent ZnO films including nanowires as phonon scatterers,Ishibe Takafumi,Tomeda Atsuki,Watanabe,Kentaro,Nakamura Yoshiaki,Journal of Physics: Conference Series,Vol. 1052,2018年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Areal density control of ZnO nanowires in physical vapor transport using Ge nanocrystals,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Tsukasa Terada,Atsuki Tomeda,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 57,p. 08NB07-1-5,2018年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of epitaxial FeGeg nanocrystals with incommensurate Nowtny chimney-ladder phase on Si substrate,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 57,2018年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Fe-V nonstoichiometry on electrical and thermoelectric properties of Fe2VAl films,Kohei Kudo,Shinya Yamada,Jinichiro Chikada,Yuta Shimakuni,Yoshiaki Nakamura,Kohei Hamaya,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 57,2018年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Ultimate Confinement of Phonon Propagation in Silicon Nanocrystalline Structure,Vol. 120,No. 4,2018年01月25日,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide/germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates,Vol. 112,No. 3,2018年01月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructure design for drastic reduction of thermal conductivity while preserving high electrical conductivity,Vol. 19,No. 1,p. 31-43,2018年01月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructure design for control of phonon andelectron transports,Nakamura Yoshiaki,Watanabe Kentaro,ECS Transactions,Vol. 80,No. 1,p. 93-100,2017年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Low thermal conductivity of thermoelectric Fe2VAl films,Shinya Yamada,Kohei Kudo,Ryo Okuhata,Jinichiro Chikada,Yoshiaki Nakamura,Kohei Hamaya,Applied Physics Express,Vol. 10,2017年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial multilayers of β-FeSi2 nanodots/Si for Si-based nanostructured electronic materials,Shunya Sakane,Masayuki Isogawa,Kentaro Watanabe,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Yoshiaki Nakamura,Journal of Vacuum Science and Technology A,Vol. 35,No. 4,2017年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Embedded-ZnO Nanowire Structure for High-Performance Transparent Thermoelectric Materials,Vol. 46,No. 5,p. 3020-3024,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal Conductivity Measurement of Thermoelectric ThinFilms by a Versatility-Enhanced 2ω Method,Ryo Okuhata,Kentaro Watanabe,Satoaki Ikeuchi,Akihiro Ishida,Yoshiaki Nakamura,Journal of Electronic Materials,Vol. 46,No. 5,p. 3089-3096,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Properties of Epitaxial beta-FeSi2 Thin Films on Si(111) and Approach for Their Enhancement,Vol. 46,No. 5,p. 3235-3241,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric properties of epitaxial β-FeSi2 thin films grown on Si(111) substrates with various film qualities,Kentaro Watanabe,Tatsuhiko Taniguchi,Shunya Sakane,Shunsuke Aoki,Takeyuki Suzuki,Takeshi Fujita,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 56,No. 5,p. 05DC04-1-05DC04-5,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • INDEPENDENT CONTROL OF PHONON AND ELECTRON TRANSPORT IN SI-BASED NANOARCHITECTURES WITH EPITAXIAL GE NANODOTS,Watanabe Kentaro,Yamasaka Shuto,Ishibe Takafumi,Sakane Shunya,Sawano Kentarou,Nakamura Yoshiaki,Proceedings of 1st Asian Conference onThermal Sciences 2017 (ACTS 2017),p. 1-3,2017年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 極薄Si酸化膜技術を用いたナノ構造界面設計による熱電物性制御,中村芳明,セラミックス,(公社)日本セラミックス協会,Vol. 52,p. 71-77,2017年02月
  • Study on the influence of different trench-patterned templates on the crystalline microstructure of AIN epitaxial films by X-ray microdiffraction,Vol. 56,No. 2,p. 025502-1-025502-5,2017年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Amorphous/epitaxial superlattice for thermoelectric application,Vol. 55,No. 8,2016年08月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Fe coating of nucleation sites on epitaxial growth of Fe oxide nanocrystals on Si substrates,Vol. 55,No. 8,2016年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method,A. Sakai,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,M.Imanishi,M. Imade,Y. Mori,2016年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates,Vol. 9,No. 5,2016年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique,Vol. 45,No. 3,p. 1914-1920,2016年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials,Vol. 6,No. 22838,p. 1-8,2016年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Arbitrary cross-section SEM-cathodoluminescence imaging of growth sectors and local carrier concentrations within micro-sampled semiconductor nanorods,Vol. 7,2016年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coated Ge nuclei,T. Ishibe,K. Watanabe,S. Takeuchi,A. Sakai,Y. Nakamura,2015年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures,S. Sakane,K. Watanabe,M. Isogawa,S. Takeuchi,A. Sakai,Y. Nakamura,2015年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN,Vol. 118,No. 24,2015年12月,研究論文(学術雑誌)
  • ナノドットを用いたシリコン熱電変換材料の開発と応用,中村 芳明,エネルギーデバイス,技術情報教会,p. 48-50,2015年10月
  • Phonon transport control by nanoarchitecture including epitaxial Ge nanodots for Si-based thermoelectric materials,Vol. 5,No. 14490,p. 1-9,2015年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of epitaxial nanodots on Si substrates with controlled interfaces and their application,Vol. 54,No. 7,2015年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Phonon scattering control by structure of epitaxial Ge nanodots in Si,S. Yamanaka,Y. Nakamura,S. Takeuchi,A. Sakai,2015年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Thermal conductivity reduction and carrier doping in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots,Y. Nakamura,T. Ueda,M. Isogawa,S. Yamasaka,S. Takeuchi,A. Sakai,2015年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication of Si Thermoelectric Nanomaterials Containing Ultrasmall Epitaxial Ge Nanodots with an Ultrahigh Density,Vol. 44,No. 6,p. 2015-2020,2015年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of Si Thermoelectric Nanomaterials Containing Ultrasmall Epitaxial Ge Nanodots with an Ultrahigh Density,Vol. 44,No. 6,p. 2015-2020,2015年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates,Vol. 252,No. 5,p. 1142-1148,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction and transmission electron microscopy,Vol. 252,No. 5,p. 1149-1154,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous reduction of thermal conductivity in coherent nanocrystal architecture for silicon thermoelectric material,Vol. 12,p. 845-851,2015年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation and optical properties of Ge films grown on Si(111) substrates using nanocontact epitaxy,Vol. 325,p. 170-174,2015年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation and optical properties of Ge films grown on Si(111) substrates using nanocontact epitaxy,Vol. 325,No. 15,p. 170-174,2015年01月,研究論文(学術雑誌)
  • MicroscopiccrystallinestructureofathickAlN film grown on atrench-patternedAlN/α-Al2O3 template,D. T. Khan,S. Takeuchi,Yoshiaki Nakamura,K. Nakamura,T. Arauchi,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,J. Cryst. Growth,Vol. 411,p. 38-44,2014年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-assembly of Ge clusters on highly oriented pyrolytic graphite surfaces,Vol. 628,p. 82-85,2014年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth,M. Imanishi,K. Murakami,K. Nakamura,H. Imabayashi,H. Takazawa,D. Matsuo,Y. Todoroki,M. Maruyama,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,A. Sakai,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electrical conduction characteristics of single crystal and directly-bonded Nb-doped SrTiO3,R. Asada,S. Kondo,S. Takeuchi,Y. Sugi,Y. Nakamura,A. Sakai,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ultrathin-body Ge-on-insulator wafers fabricated with strongly bonded thin Al2O3/SiO2 hybrid buried oxide layers,Vol. 7,No. 8,2014年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal and electrical properties of Si films including epitaxial Ge nanodot phonon-scatterers,S. Yamasaka,Y. Nakamura,T. Ueda,S. Takeuchi,A. Sakai,2014年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Impact ionization of excitons in Ge/Si structures with Ge quantum dots grown on the oxidized Si(100) surfaces,Vol. 115,No. 20,2014年05月28日,研究論文(学術雑誌)
  • Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template,Vol. 211,No. 4,p. 731-735,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers,Vol. 557,p. 106-109,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement effect of electrical properties in post- annealed waferbonded Ge(001)- OI substrate,Vol. 211,No. 3,p. 601-605,2014年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodot structures,Y. Nakamura,A.Sakai,2014年02月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials,S. Yamasaka,Y. Nakamura,T. Ueda,S. Takeuchi,A. Sakai,2014年02月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Luminescence properties of Si-capped beta-FeSi2 nanodots epitaxially grown on Si(001) and (111) substrates,Vol. 115,No. 8,2014年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanoscale-resolved near-infrared photoabsorption spectroscopy and imaging of individual gallium antimonide quantum dots,Vol. 32,No. 1,2014年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of Current Drive of Ge-nMISFETs by Epitaxially Grown n(+)-Ge:P Source and Drain,p. 35-36,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Nanoscale-resolved near-infrared photoabsorption spectroscopy and imaging of individual gallium antimonide quantum dots,Vol. 32,No. 1,2014年01月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Control of epitaxial growth of Fe-based nanocrystals on Si substrates using well-controlled nanometer-sized interface,Vol. 115,No. 4,2014年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction,D. T. Khan,S. Takeuchi,K. Nakamura,T. Arauchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2013年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates,K. Nakamura,S. Takeuchi,D. T. Khan,T. Arauchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2013年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy,Vol. 52,No. 9,2013年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of nanometer-sized interface on reaction of iron nanocrystals epitaxially grown on silicon substrates with oxygen gas,Vol. 114,No. 11,2013年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces,Sung-Pyo Cho,Yoshiaki Nakamura,Jun Yamasaki,Eiji Okunishi,Masakazu, Ichikawa,Nobuo Tanaka,Journal of Applied Crystallography,Vol. 46,No. 4,p. 1076-1080,2013年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Conductive optical-fiber STM probe for local excitation and collection of cathodoluminescence at semiconductor surfaces,Vol. 21,No. 16,p. 19261-19268,2013年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial growth of stacked β-FeSi2 nanodots on Si substrates and their thermoelectric properties,M. Isogawa,Y. Nakamura,J. Kikkawa,S.Takeuchi,A. Sakai,2013年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Introduction of Ge nanodots in Si films as phonon scatterers and the thermal conductivity reduction,S. Yamasaka,Y. Nakamura,T. Ueda,S.Takeuchi,Y. Yamamoto,S. Arai,T. Tenji,N. Tanaka,A. Sakai,2013年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers,Y. Moriyama,Y. Kamata,K. Ikeda,S. Takeuchi,Y. Nakamura,A. Sakai,T. Tezuka,8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI),2013年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Semiconductor wafer bonding -Structural and electrical characteristics of GeOI substrates-,A. Sakai,S. Yamasaka,Y. Moriyama,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,T. Tezuka,K. Izunome,2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and applications of Advanced Semmiconductor Devices,2013年06月
  • Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers,Vol. 83,p. 42-45,2013年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(1 1 0) surfaces,Vol. 267,No. 15,p. 53-57,2013年02月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Investigating the origin of intense photoluminescence in Si capping layer on Ge1-xSnx nanodots by transmission electron microscopy,Vol. 113,No. 7,2013年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles,Vol. 267,No. 15,p. 136-140,2013年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> template,Vol. 381,p. 37-42,2013年,研究論文(学術雑誌)
  • Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction,K. Nakamura,S. Harada,D. T. Khan,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2012年12月
  • Structural- and electrical characteristics of GeOI/BOX interfaces of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 hybrid BOX layers,Y. Moriyama,K. Ikeda,Y. Kamimuta,M. Oda,T. Irisawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,A. Sakai,T. Tezuka,The 6th International Symposiiium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium),2012年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation technique of stacked epitaxial Si nanodot structures and their thermal conductivity,Y. Nakamura,M. Isogawa,T. Ueda,J. Kikkawa,A. Sakai,2012年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • GOI substrates -Fabrication and characterization-,A. Sakai,S. Yamasaka,J. Kikkawa,Y. Nakamura,Y. Moriyama,T. Tezuka,S. Takeuchi,K. Izunome,ECS Transactions,Vol. 50,No. 9,p. 709-725,2012年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Electron-beam-induced current study of electrocal property change at SrTiO3 bicrystal interface induced by forming process,T. Kato,Y. Nakamura,P. P. T. Son,J. Kikkawa,A. Sakai,Materials Science Forum,Vol. 725,p. 261-264,2012年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure,Vol. 30,No. 2,2012年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Vertical dislocations in Ge films selectively grown in submicron Si windows of patterned substrates,Vol. 520,No. 8,p. 3245-3248,2012年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using four-point-probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor method,Vol. 520,No. 8,p. 3232-3235,2012年02月,研究論文(学術雑誌)
  • High density iron silicide nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique,Vol. 36,p. 382-387,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure,Vol. 30,No. 2,2012年,研究論文(学術雑誌)
  • Nanocontact Epitaxy of Thin Films on Si Substrates Using Nanodot Seeds Fabricated by Ultrathin SiO2 Film Technique,Vol. 45,No. 3,p. 41-45,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial Growth of Iron-Silicide Nanodots on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique and Their Physical Properties,Vol. 50,No. 6,p. 65-70,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al 2O 3/SiO 2 buried oxide layers,p. 34-35,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Luminescence at 1.5μm from Si/GeSn nanodot/Si structures,Yoshiaki Nakamura,Norihito Fujinoki,Masakazu Ichikawa,J. Phys. D: Appl. Phys.,Vol. 45,No. 3,2012年01月,研究論文(学術雑誌)
  • X-ray microdiffraction study of three-dimensional distribution of local strain in thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/a-Al2O3 template,D. T. Khan,S. Harada,J. Kikkawa,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,A. Sakai,15th International Conference on Thin Films,2011年11月
  • Formation of ultrahigh density iron oxide nanodots on Si substrates with nanometer-sized interfaces,K. Tanaka,Y. Nakamura,H. Harada,J. Kikkawa,A. Sakai,7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2011年11月
  • Growth of vanadium dioxides nanowires using vanadyl acetylacetonate,T. Ishibe,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2011年11月
  • Preface,Vol. 519,No. 24,2011年10月03日,研究論文(学術雑誌)
  • Photoabsorption properties of β-FeSi2 nanoislands grown on Si(111) and Si(001): Dependence on substrate orientation studied by nano-spectroscopic measurements,Nobuyasu Naruse,Yoshiaki Nakamura,Yutaka Mera,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,Thin Solid Films,Vol. 519,No. 24,p. 8477-8479,2011年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Fe3Si nanodots epitaxially grown on Si(111) substrates using ultrathin SiO2 film technique,Vol. 519,No. 24,p. 8512-8515,2011年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural Analysis of Si-Based Nanodot Arrays Self-Organized by Selective Etching of SiGe/Si Films,Vol. 50,No. 8,2011年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence Nanospectroscopies,Vol. 50,No. 8,2011年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial Growth of High Quality Ge Films on Si(001) Substrates by Nanocontact Epitaxy,Vol. 11,No. 7,p. 3301-3305,2011年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanocontact heteroepitaxy of thin GaSb and AlGaSb films on Si substrates using ultrahigh-density nanodot seeds,Vol. 22,No. 26,2011年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Low-Energy Ga Ion Implantation on Selective Growth of Gallium Nitride Layer on Silicon Nitride Surfaces Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition,Vol. 50,No. 6,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • X-ray microdiffraction investigation of crystallinity and strain relaxation in Ge thin lines selectively grown on Si(001) substrates,Vol. 60,No. 1,p. 26-30,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical Characterization of Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates Using a Four-Point-Probe Pseudo-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,Vol. 50,No. 4,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Annealing Effects on Ge/SiO2 Interface Structure in Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates,Vol. 50,No. 4,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-organization of two-dimensional SiGe nanodot arrays using selective etching of pure-edge dislocation network,Vol. 109,No. 4,2011年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Microscopic structure of directly bonded silicon substrates,Vol. 470,p. 164-170,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates,Vol. 470,p. 158-+,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural change induced in carbon materials by electronic excitations,Vol. 8077,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation and Magnetic Properties of Ultrahigh Density Fe3Si Nanodots Epitaxially Grown on Si(111) Substrates Covered with Ultrathin SiO2 Films,Vol. 50,No. 1,2011年01月,研究論文(学術雑誌)
  • 極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャル量子ドット二次元ナノ配列構造の自己組織化と自己修復,中村芳明,村山昭之,渡邉亮子,彌田智一,市川昌和,表面科学,Vol. 31,No. 12,p. 626-631,2010年12月
  • Two-dimensional nanoarray of SiGe epitaxial nanodots self-organized by selective etching of edge dislocation network,Y. Nakamura,M. Takahashi,J. Kikkawa,O. Nakatsuka,S. Zaima,A. Sakai,2010 Material Research Society Fall Meeting,2010年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates,K. Ebihara,S. Harada,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,G. Wang,M. Caymax,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,ECS Transactions,Vol. 33,No. 6,p. 887-892,2010年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of ultrahigh density iron-based nanodots on Si (111) substrates using ultrathin SiO2 films,H. Hamanaka,Y. Nakamura,K. Tanaka,J. Kikkawa,A. Sakai,Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010),2010年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Four-point-probe pseudo-MOSFET analysis of wafer-bonded germanium-on-insulator substrates,Y. Iwasaki,Y. Nakamura,J. Kikkawa,A. Sakai,M. Sato,E. Toyoda,H. Isogai,K. Izunome,Intenational Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics,2010年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Transmission electron microscopy observation of Ge/SiO2 interfaces in wafer-bonded germanium-on-insulator substrates,O. Yoshitake,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,E. Toyoda,H. Isogai,K. Izunome,Intenational Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics,2010年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Strain and domain texture of Ge films selectively grown in localized regions on Si(001) substrates,K. Ebihara,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,G. Wang,M. Caymax,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,The fifth International SiGe Technology and Device Meeting,2010年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Annealing Effects on Ge/SiO2 Interfaces in Wafer-Bonded GOI Substrates,O. Yoshitake,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,E. Toyoda,H. Isogai,K. Izunome,International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials (Global COE Program) & Third International Conference on Nanospintronics Design and Realization, 3rd-ICNDR,2010年05月
  • Self-organized formation and self-repair of a two-dimensional nanoarray of Ge quantum dots epitaxially grown on ultrathin SiO2-covered Si substrates,Vol. 21,No. 9,2010年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-organized formation and self-repair of a two-dimensional nanoarray of Ge quantum dots epitaxially grown on ultrathin SiO2-covered Si substrates (vol 21, 095305, 2010),Vol. 21,No. 10,2010年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Microscopic characterization of Si(011)/Si(001) direct silicon bonding substrates,T. Kato,T. Ueda,Y. Ohara,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,O. Nakatsuka,S. Zaima,E. Toyoda,K. Izunome,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,2010年01月
  • Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing,Vol. 518,No. 6,p. S147-S150,2010年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface structural analysis of off-angled Si(110) substrates,M. Yamashita,Y. Nakamura,J. Kikkawa,A. Sakai,E. Toyoda,M. Sato,H. Isogai,K. Izunome,5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2009年09月
  • Photoluminescence from Si-capped GeSn nanodots on Si substrates formed using an ultrathin SiO2 film technique,Vol. 106,No. 1,2009年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Scanning tunneling microscope-cathodoluminescence measurement of the GaAs/AlGaAs heterostructure,Vol. 27,No. 4,p. 1874-1880,2009年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Defect-related light emission in the 1.4-1.7-μm range from Si layers at room temperature,Alexander Shklyaev,Yoshiaki Nakamura,Fedor Dultsev,Masakazu Ichikawa,J. Appl. Phys.,Vol. 105,No. 6,2009年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Fourier-transform photoabsorption spectroscopy of quantum-confinement effects in individual GeSn nanodots,Vol. 94,No. 9,2009年03月,研究論文(学術雑誌)
  • High resolution transmission electron microscopy study of iron-silicide nanodot structures grown on faintly oxidized Si (111) surfaces,Vol. 517,No. 9,p. 2865-2870,2009年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation and optical properties of GaSb quantum dots epitaxially grown on Si substrates using an ultrathin SiO2 film technique,Vol. 105,No. 1,2009年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Si基板上エピタキシャルナノドットの高密度形成技術,中村芳明,市川昌和,応用物理学会薄膜・表面分科会News Letters,Vol. 134 23,2008年12月
  • Characterization of semiconductor nanostructures formed by using ultrathin Si oxide technology,Vol. 255,No. 3,p. 669-671,2008年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Electric field modulation nano-spectroscopy for characterization of individual β-FeSi2 nanodots,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,J. Appl Phys.,Vol. 104,No. 7,2008年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Giant fullerenes formed on C(60) films irradiated with electrons field-emitted from scanning tunneling microscope tips,Vol. 254,No. 23,p. 7881-7884,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Spatial resolution of imaging contaminations on the GaAs surface by scanning tunneling microscope-cathodoluminescence spectroscopy,Vol. 254,No. 23,p. 7737-7741,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-assembled epitaxial growth of high density β-FeSi2 nanodots on Si (001) and their spatially resolved optical absorption properties,Yoshiaki Nakamura,Seigo Amari,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Koji Maeda,Masakazu Ichikawa,Cryst. growth & Des.,Vol. 8,No. 8,p. 3019-3023,2008年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Local optical characterization related to Si cluster concentration in GaAs using scanning tunneling microscope cathodoluminescence spectroscopy,Vol. 47,No. 7,p. 6109-6113,2008年07月,研究論文(学術雑誌)
  • The enhanced signal of subgap centers in tip-probing photoabsorption spectroscopy with an assist of a subsidiary light,Vol. 103,No. 4,2008年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Measurements of local optical properties of Si-doped GaAs (110) surfaces using modulation scanning tunneling microscope cathodoluminescence spectroscopy,Vol. 26,No. 1,p. 195-200,2008年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial growth of ultrahigh density Ge(1-x)Sn(x) quantum dots on Si(111) substrates by codeposition of Ge and Sn on ultrathin SiO(2) films,Vol. 102,No. 12,2007年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Fourier transform photoabsorption spectroscopy based on scanning tunneling microscopy,Vol. 102,No. 11,2007年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantum-size effect in uniform Ge-Sn alloy nanodots observed by photoemission Spectroscopy,Vol. 46,No. 45-49,p. L1176-L1178,2007年12月,研究論文(学術雑誌)
  • The origin of spectral distortion in electric field modulation spectroscopy based on scanning tunneling microscopy,Vol. 601,No. 22,p. 5300-5303,2007年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Polymerization and depolymerization of fullerenes induced by hole injection from scanning tunneling microscope tips,Vol. 601,No. 22,p. 5207-5211,2007年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantum-confinement effect in individual Ge1-xSnx quantum dots on Si(111) substrates covered with ultrathin SiO2 films using scanning tunneling spectroscopy,Vol. 91,No. 1,2007年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Desorption of chlorine atoms on Si(111)-(7x7) surfaces induced by hole injection from scanning tunneling microscope tips,Vol. 601,No. 10,p. 2189-2193,2007年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of growth and annealing conditions on photoluminescence of Ge/Si layers grown on oxidized Si surfaces,Vol. 19,No. 13,2007年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantum fluctuation of tunneling current in individual Ge quantum dots induced by a single-electron transfer,Vol. 90,No. 15,2007年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence of Si layers grown on oxidized Si surfaces,Vol. 101,No. 3,2007年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Observation of the quantum-confinement effect in individual β-FeSi2 nanoislands epitaxial grown on Si (111) surfaces using scanning tunneling spectroscopy,Yoshiaki Nakamura,Ryota Suzuki,Masafumi Umeno,Sung-Pyo Cho,Nobuo Tanaka,Masakazu Ichikawa,Appl. Phys. Lett.,Vol. 89,No. 12,2006年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Manipulating Ge quantum dots on ultrathin SixGe1-x oxide films using scanning tunneling microscope tips,Vol. 600,No. 17,p. 3456-3460,2006年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of ultrahigh density and ultrasmall coherent β-FeSi2 nanodots on Si (111) substraets using Si and Fe codeposition method,Yoshiaki Nakamura,Yasushi Nagadomi,Sung-Pyo Cho,Nobuo Tanaka,Masakazu Ichikawa,J. Appl. Phys.,Vol. 100,No. 4,2006年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence of Ge/Si structures grown on oxidized Si surfaces,Vol. 88,No. 12,2006年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantum confinement observed in Ge nanodots on an oxidized Si surface,Vol. 73,No. 11,2006年03月,研究論文(学術雑誌)
  • STM observations of photo-induced jumps of chlorine atoms chemisorbed on Si(111)-(7 x 7) surface,Vol. 593,No. 1-3,p. 155-160,2005年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Observation of the quantum-confinement effect in individual Ge nanocrystals on oxidized Si substrates using scanning tunneling spectroscopy,Vol. 87,No. 13,2005年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of strained iron silicide nanodots by Fe deposition on Si nanodots on oxidized Si (111) surfaces,Vol. 72,No. 7,2005年08月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of strained iron silicide nanodots by Fe deposition on Si nanodots on oxidized Si (111) surfaces,Vol. 72,No. 7,2005年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Role of intermolecular separation in nanoscale patterning C-60 films by local injection of electrons from scanning tunneling microscope tip,Vol. 44,No. 42-45,p. L1373-L1376,2005年,研究論文(学術雑誌)
  • Nonthermal decomposition of C-60 polymers induced by tunneling electron injection,Vol. 85,No. 22,p. 5242-5244,2004年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of ultrahigh density Ge nanodots on oxidized Ge/Si(111) surfaces,Vol. 95,No. 9,p. 5014-5018,2004年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Hopping motion of chlorine atoms on Si(100)-(2 x 1) surfaces induced by carrier injection from scanning tunneling microscope tips,Vol. 531,No. 1,p. 68-76,2003年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Cluster reactions in C-60 films induced by electron injection from a scanning tunneling microscope tip,Vol. 528,No. 1-3,p. 151-155,2003年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Spreading effects in surface reactions induced by tunneling current injection from an STM tip,Vol. 528,No. 1-3,p. 110-114,2003年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanoscale imaging of electronic surface transport probed by atom movements induced by scanning tunneling microscope current,Vol. 89,No. 26,2002年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural change of radiation defects in graphite crystals induced by STM probing,Vol. 74,No. 2,p. 311-316,2002年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Spatially extended polymerization of C60 clusters induced by localized current injection from scanning tunneling microscope tips,Vol. 386,No. 1,p. 135-138,2002年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Spatially extended polymerization of C-60 clusters induced by localized current injection from scanning tunneling microscope tips,Vol. 386,p. 135-138,2002年,研究論文(学術雑誌)
  • Chlorine atom diffusion on Si(111)-(7 x 7) surface enhanced by hole injection from scanning tunneling microscope tips,Vol. 497,No. 1-3,p. 166-170,2002年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Diffusion of chlorine atoms on Si(111)-(7x7) surface enhanced by electron injection from scanning tunneling microscope tips,Vol. 487,No. 1-3,p. 127-134,2001年07月,研究論文(学術雑誌)
  • In situ scanning tunneling microscopic study of polymerization of C-60 clusters induced by electron injection from the probe tips,Vol. 77,No. 18,p. 2834-2836,2000年10月,研究論文(学術雑誌)
  • A reproducible method to fabricate atomically sharp tips for scanning tunneling microscopy,Vol. 70,No. 8,p. 3373-3376,1999年08月,研究論文(学術雑誌)
  • 塩素吸着シリコン表面のレーザー励起エッチング,前田康二,天清宗山,中村芳明,目良裕,表面科学,Vol. 20,No. 6,p. 393-400,1999年06月

MISC

  • SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大,坂根駿也,石部貴史,藤田武志,池内賢朗,鎌倉良成,森伸也,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年02月25日
  • Si基板上に形成した擬ギャップε‐CoSi薄膜の熱電性能評価,雛川貴弘,坂根駿也,石部貴史,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年02月25日
  • Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子,坂根駿也,柏野真人,渡辺健太郎,鎌倉良成,鎌倉良成,森伸也,森伸也,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 79th,2018年09月05日
  • 組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大,谷口達彦,奥畑亮,渡辺健太郎,渡辺健太郎,ALAM Md. Mahfuz,澤野憲太郎,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 78th,2017年08月25日
  • ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響,坂根駿也,渡辺健太郎,渡辺健太郎,藤田武志,藤田武志,ALAM Md. Mahfuz,澤野憲太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 78th,2017年08月25日
  • ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係,坂根駿也,渡辺健太郎,渡辺健太郎,藤田武志,澤野憲太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 64th,2017年03月01日
  • 鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上,坂根駿也,渡辺健太郎,渡辺健太郎,藤田武志,澤野憲太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 77th,2016年09月01日
  • Si(111)基板上エピタキシャルβ‐FeSi<sub>2</sub>薄膜の熱電特性,谷口達彦,坂根駿也,青木俊輔,奥畑亮,渡辺健太郎,渡辺健太郎,鈴木健之,藤田武志,藤田武志,澤野憲太郎,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 77th,2016年09月01日
  • ZnOナノワイヤ埋め込み構造の形成とその熱電特性,石部貴史,渡辺健太郎,渡辺健太郎,吉川純,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 77th,2016年09月01日
  • Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template (vol 381, pg 37, 2013),Vol. 388,p. 150-150,2014年02月
  • Self-organization and Self-repair of a Two-dimensional Nanoarray of Ge Quantum Dots Epitaxially Grown on Si Substrates using Ultrathin SiO2 Films,Vol. 31 626,2010年
  • Fourier transform photo-absorption spectroscopy by detecting scanning tunneling microscope current,N. Naruse,Y. Mera,Y. Nakamura,M. Ichikawa,K. Maeda,The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy,2006年,研究発表ペーパー・要旨(国際会議)
  • 極薄GeO<sub>x</sub>膜上の超高密度Geナノドットの作成,中村芳明,長冨靖,杉江薫,宮田典幸,市川昌和,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 64th,No. 2,2003年08月30日
  • Laser-induced Etching of Chlorinated Silicon Surfaces,Vol. 20, 6, 393-400.,1999年

著書

  • 一般書・啓蒙書,サーマルデバイス 新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用,中村芳明,NTS,ISBN:4860436024,2019年04月
  • 学術書,フォノンエンジニアリング~マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術~,塩見 淳一郎,(株)エヌ・ティー・エス,ISBN:9784860435097,2017年09月
  • 学術書,シリサイド系半導体ナノ構造 (3.7節),中村 芳明,裳華房,ISBN:9784785329204,2014年09月
  • 学術書,シリサイド系半導体ナノ構造 (3.7節),中村 芳明,裳華房,ISBN:9784785329204,2014年09月
  • 学術書,Formation of Ultrahigh Density Quantum Dots Epitaxially Grown on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique, STATE-OF-THE-ART OF QUANTUM DOT SYSTEM FABRICATIONS, CAPTER 6, jointly worked,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,INTECH,ISBN:9789535106494,2012年06月

受賞

  • Encouraging prize at the Japanese scociety of applied physics meeting,2006年
  • 第20回応用物理学会講演奨励賞,2006年
  • Graduate Student Award at the DIET9 Confereaces,2002年
  • Graduate Student Award at the DIET9 Confereaces,2002年

講演・口頭発表等

  • (Invited) Nanoarchitecture design for independent control of carrier and phonon transports,Yoshiaki Nakamura,2016年12月
  • Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method,A. Sakai,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,M.Imanishi,M. Imade,Y. Mori,2016年06月
  • Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coated Ge nuclei,T. Ishibe,K. Watanabe,S. Takeuchi,A. Sakai,Y. Nakamura,2015年12月
  • Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures,S. Sakane,K. Watanabe,M. Isogawa,S. Takeuchi,A. Sakai,Y. Nakamura,2015年12月
  • Thermal conductivity reduction in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots,Yoshiaki Nakamura,2015年10月
  • 窒化物半導体の成長表面・界面制御と転位挙動―Naフラックス成長GaN結晶を中心にー,酒井 朗,浅津 宏伝,竹内 正太郎,中村 芳明,今西 正幸,今出 完,森 勇介,2015年09月
  • β-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因,板根 駿也,渡辺 健太郎,竹内 正太郎,酒井 朗,中村 芳明,2015年09月
  • エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御,山阪司祐人,渡辺 健太郎,澤野 憲太郎,竹内 正太郎,酒井 朗,中村 芳明,2015年09月
  • エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存症,前田 佳輝,渡辺 健太郎,中本 悠太,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,中村 芳明,2015年09月
  • Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性,渡辺 健太郎,前田 佳輝,中本 悠太,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,中村 芳明,2015年09月
  • Phonon scattering control by structure of epitaxial Ge nanodots in Si,S.Yamanaka,Y.Nakamura,S.Takeuchi,A.Sakai,2015年07月
  • Thermal conductivity reduction and carrier doping in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots,Y.Nakamura,T.Ueda,M.Isogawa,S.Yamasaka,S.Takeuchi,A.Sakai,2015年07月
  • Si中 エピタキシャルGeナノドットを用いた熱抵抗制御,山阪 司祐人,中村 芳明,上田 智弘,竹内 正太郎,酒井 朗,2015年03月
  • 極薄AI2O3/SiO2 BOX層を有する張り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善,吉田 啓資,中村 芳明,竹内 正太郎,守山 佳彦,手塚 勉,酒井 朗,2015年03月
  • 鉄シリサイド核/Siを用いた鉄酸化物のエピタキシャル成長,松井 秀紀,中村 芳明,中本 悠太,竹内 正太郎,酒井 朗,2015年03月
  • Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析,浅津 宏伝,竹内 正太郎,今西 正幸,中村 芳明,今出 完,森 勇介,酒井 朗,2015年03月
  • Microstructure Analysis of a Thick AIN Film Grown on a Trench-Patterned AIN/Sapphire Template by X-Ray Microdiffraction,S.Takeuchi,D.T.Khan,Y.Nakamura,Y.Imai,S.Kimura,H.Miyake,K.Hiramatsu,A.Sakai,2014年11月
  • 周期溝加工基板上半極性面(20-21)GaN膜の微視的結晶構造解析~X線マイクロ回折と透過型電子顕微鏡を用いた相補的評価~,荒内 琢士,竹内 正太郎,橋本 健宏,中村 芳明,今井 康彦,山根 啓輔,岡田 成仁,木村 滋,只友 一行,酒井 朗,2014年11月
  • 表層固溶窒素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動,長久 晋輔,竹内 正太郎,浅津 宏伝,中村 芳明,須藤 治生,荒木 浩司,泉妻 宏治,酒井 朗,2014年11月
  • (Invited) Epitaxial Growth of Nanodots on Si Substrates with Controlled Interfaces and Their Application to Electronics and Thermoelectronics,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,2014年10月
  • Effect of surface-nitrogen-concentration on dislocation behavior in Si wafers treated by high temperature rapid thermal nitridation,S.Chokyu,S.Takeuchi,H.Asazu,Y.Nakamura,H.Sudo,K.Araki,K.Izunome,A.Sakai,2014年10月
  • Siウェーハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響,須藤 治生,荒木 浩司,日高 洋美,荒木 延恵,竹内 正太郎,中村 芳明,酒井 朗,泉妻 宏治,2014年09月
  • Si基板上エピタキシャルFe2O3ナノドットの抵抗変化特性とそのアニール処理依存性,松井 秀紀,中村 芳明,竹内 正太郎,酒井 朗,2014年09月
  • 窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価ーマルチスケール評価へのアプローチー,酒井 朗,竹内 正太郎,中村 芳明,三宅 秀人,平松 和政,今井 康彦,木村 滋,2014年09月
  • エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性,山阪 司祐人,中村 芳明,鶴崎 晋也,竹内 正太郎,酒井 朗,2014年09月
  • X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価,内山 星郎,竹内 正太郎,荒内 琢士,橋本 健宏,中村 芳明,山根 啓輔,岡田 成仁,只友 一行,酒井 朗,2014年09月
  • 周期溝加工(22-43)サファイヤ基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析,荒内 琢士,竹内 正太郎,橋本 健宏,中村 芳明,今井 康彦,山根 啓輔,岡田 成仁,木村 滋,只友 一行,酒井 朗,2014年09月
  • Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films on (22-43) patterned sapphire substrate,T.Uchiyama,S.Takeuchi,T.Arauchi,Y.Nakamura,K.Yamane,N.Okada,K.Tadatomo,A.Sakai,2014年08月
  • Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction,T.Arauchi,S.Takeuchi,Y.Nakamura,Y.Imai,K.Yamane,N.Okada,S.Kimura,K.Tadatomo,A.Sakai,2014年08月
  • Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth,M.Imanishi,K.Murakami,K.Nakamura,H.Imabayashi,H.Takazawa,D.Matsuo,Y.Todoroki,M.Maruyama,H.Asazu,S.Takeuchi,Y.Nakamura,A.Sakai,M.Imade,M.Yoshimura,Y.Mori,2014年08月
  • Thermal and electrical properties of Si films including epitaxial Ge nanodot phonon-scatterers,S.Yamasaka,Y.Nakamura,T.Ueda,S.Takeuchi,A.Sakai,2014年07月
  • Improvement of current drive of Ge-nMISFETs by epitaxially grown n+-Ge:P source and drain,Y.Moriyama,K.Kamimuta,Y.Kamata,K.Ikeda,S.Takeuchi,Y.Nakamura,A.Sakai,T.Tezuka,2014年06月
  • Ge-nMOSFET向けn+-Ge/n+-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減,守山 佳彦,上牟田 雄一,鎌田 善己,池田 圭司,竹内 正太郎,中村 芳明,酒井 朗,手塚 勉,2014年03月
  • AI2O3挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価,吉田 啓資,中村 芳明,竹内 正太郎,守山 佳彦,手塚 勉,酒井 朗,2014年03月
  • Crystal domain microstructure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction,D.T.Khan,S.Takeuchi,K.Nakamura,T.Arauchi,Y.Nakamura,H.Miyake,K.Hiramatsu,Y.Imai,S.Kimura,A.Sakai,2014年03月
  • 極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe3O4ナノドットの抵抗スイッチング特性,松井 秀紀,中村 芳明,竹内 正太郎,酒井 朗,2014年03月
  • エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価,山阪 司祐人,中村 芳明,上田 智広,竹内 正太郎,酒井 朗,2014年03月
  • (Invited) Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodots structures,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,2014年02月
  • Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodot structures,Y.Nakamura,A.Sakai,2014年02月
  • Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials,S.Yamasaka,Y.Nakamura,T.Ueda,S.Takeuchi,A.Sakai,2014年02月
  • エピタキシャル成長n+-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減,守山 佳彦,上牟田 雄一,鎌田 善己,池田 圭司,竹内 正太郎,中村 芳明,酒井 朗,手塚 勉,2013年09月
  • Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果,山阪 司祐人,中村 芳明,上田 智広,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年09月
  • Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction,D.T.Khan,S.Takeuchi,K.Nakamura,T.Arauchi,Y.Nakamura,H.Miyake,K.Hiramatsu,Y.Imai,S.Kimura,A.Sakai,2013年09月
  • Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates,K.Nakamura,S.Takeuchi,D.T.Khan,T.Arauchi,Y.Nakamura,H.Miyake,K.Hiramatsu,Y.Imai,S.Kimura,A.Sakai,2013年09月
  • 薄膜AI2O3/SiO2 BOX層を有するUTB-GeOI基板作製,守山 佳彦,池田 圭司,竹内 正太郎,上牟田 雄一,中村 芳明,酒井 朗,泉妻 宏治,手塚 勉,2013年09月
  • Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AIN films grown on triangular-striped AIN/sapphire template,T.Arauchi,S.Takeuchi,K.Nakamura,D.T.Khan,Y.Nakamura,H.Miyake,K.Hiramatsu,A.Sakai,2013年08月
  • Epitaxial growth of stacked β-FeSi2 nanodots on Si substrates and their thermoelectric properties,M.Isogawa,Y.Nakamura,J.Kikkawa,S.Takeuchi,A.Sakai,2013年07月
  • Introduction of Ge nanodots in Si films as phonon scatterers and the thermal conductivity reduction,Shuto Yamasaka,Yoshiaki Nakamura,Tomohiro Ueda,S.Takeuchi,Y.Yamamoto,S.Arai,T.Tenji,N.Tanaka,A.Sakai,2013年07月
  • Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers,H.Asazu,S.Takeuchi,H.Sannai,H.Sudo,K.Araki,Y.Nakamura,K.Izunome,A.Sakai,8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI),2013年06月
  • Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定,石部 貴史,中村 芳明,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年06月
  • Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers,Y.Moriyama,Y.Kamata,K.Ikeda,S.Takeuchi,Y.Nakamura,A.Sakai,8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI),2013年06月
  • 表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動,浅津 宏伝,竹内 正太郎,山内 宏哉,須藤 治生,荒木 浩司,中村 芳明,泉妻 宏治,酒井 朗,2013年03月
  • エピタキシャルb-FeSi2ナノドット積層構造の形成とその熱電物性,五十嵐 雅之,中村 芳明,吉川 純,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年03月
  • Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定,石部 貴史,中村 芳明,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年03月
  • X線マイクロ回折による周期溝加工SiC基板上に成長したAIN薄膜の結晶性評価,中村 邦彦,ディン カン,荒内 琢士,竹内 正太郎,中村 芳明,三宅 秀人,平松 和政,今井 康彦,木村 滋,酒井 朗,2013年03月
  • エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価,山阪 司祐人,中村 芳明,上田 智広,竹内 正太郎,酒井 朗,2013年03月
  • (Invited) Si-based epitaxial nanodots for thermoelectric materials,Yoshiaki Nakamura,2013年03月
  • Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction,K. Nakamura,S. Harada,D. T. Khan,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2012年12月
  • Cross-sectional X-ray Microdiffraction Study of Residual Strain Distribution in a Thick AlN Film Grown on a Trench-patterned AlN/α-Al2O3 Template,D. T. Khan,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,A. Sakai,8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2012年12月
  • Epitaxial Growth of Iron-Silicide Nanodots on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique and Their Physical Properties,Y. Nakamura,M Ichikawa,ECS Transactions,2012年10月
  • GOI substrates -Fabrication and characterization-,A. Sakai,S. Yamasaka,J. Kikkawa,Y. Nakamura,Y. Moriyama,T. Tezuka,S. Takeuchi,K. Izunome,The 2012 Si, SiGe, and Related Compound: Materials, Processing, and Devices Symposium, the PRiME 2012 Joint International 222nd Elecrochemical Society Meeting,2012年10月
  • Local strain distribution in a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template measured by X-ray microdiffraction,D. T. Khan,S. Takeuchi,J. Kikkawa,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,International Workshop on Nitride Semiconductors 2012,2012年10月
  • 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価,淺田遼太,Pham Phu Than Son,Kotake Nishad,Vasant,吉川純,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,2012年06月
  • (Invited) Nanocontact epitaxy of thin films on Si substrates using nanodot seeds fabricated by ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Electrochemical Society 221th meeting in Seattle USA,2012年05月
  • Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(110) surfaces,M. Yamashita,Y. Nakamura,R. Sugimoto,J. Kikkawa,K. Izunome,A. Sakai,11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011,2011年10月
  • Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles,M. Yamashita,Y. Nakamura,A. Yamamoto,J. Kikkawa,K. Izunome,A. Sakai,11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011,2011年10月
  • Formation of iron oxide nanodot structures on Si substrates by controlling nanometer-sized interface using ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Hironobu Hamanaka,Kazuki Tanaka,Jun Kikkawa,Akira Sakai,11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011,2011年10月
  • (Invited) Self-organization and self-repair of two-dimensional periodic nanoarray of epitaxial Ge nanodots using ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,2011年10月
  • (Invited) High density Iron silicde nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,IUMRS-ICA 2011, Taipei, September, 2011,2011年09月
  • (Invited) Nanocontact heteroepitaxy of high-quality thin III-V films on Si substrates using nanodot seeds,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2011),2011年06月
  • Two-dimensional nanoarray of SiGe epitaxial nanodots self-organized by selective etching of edge dislocation network,Yoshiaki Nakamura,Masahiko Takahashi,Jun Kikkawa,Osamu Nakatsuka,Shigeaki Zaima,Akira Sakai,Material Reserch Society Fall meeting, Boston, USA, Dec. 2010,2010年12月
  • X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates,K. Ebihara,S. Harada,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,G. Wang,M. Caymax,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,ECS Transactions,2010年10月
  • (Invited) Self-organization and self-repair of a two-dimensional nanoarray of epitaxial Ge quantum dots using ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,Akiyuki Murayama,Ryoko Watanabe,Tomokazu Iyoda,Masakazu, Ichikawa,The 5th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2010), Changzhou, China, Sep. 2010,2010年09月
  • (Invited) Self-assembly technique of ultrahigh density quantum dots of group IV semiconductor epitaxially grown on Si substrates using ultrathin SiO2 films,Yoshiaki Nakamura,The 4th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2009), Chengdu, China, Oct. 2009,2009年10月
  • Fourier transform photoabsorption spectroscopy based on scanning tunneling microscopy,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yo Fukuzawa,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Koji Maeda,Journal of Appled Physics,2007年
  • Quantum fluctuation of tunneling current in individual Ge quantum dots induced by a single-electron transfer,Yoshiaki Nakamura,Masakazu Ichikawa,Kentaro Watanabe,Yasuhiro Hatsugai,Applied Physics Letters,2007年