研究者総覧 - 大阪大学

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中村　芳明

Nakamura Yoshiaki

中村　芳明

Nakamura Yoshiaki

基礎工学研究科　システム創成専攻，教授

keyword 透明酸化物，抵抗変化メモリ，熱電材料，シリサイド，ゲルマニウム，シリコン，ナノ構造

経歴 6

2015年4月～継続中

大阪大学　大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域　教授
2008年10月～ 2015年3月

大阪大学　大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域　准教授
2011年3月～ 2014年3月

科学技術振興機構　さきがけ研究員（兼任）
2007年4月～ 2008年9月

東京大学　大学院工学系研究科付属量子層エレクトロニクス研究センター　助教
2003年10月～ 2007年3月

東京大学　大学院工学系研究科付属量子層エレクトロニクス研究センター　助手
2002年4月～ 2003年9月

東京大学　大学院工学系研究科物理工学専攻　助手

学歴 4

東京大学　大学院工学系研究科　物理工学専攻博士課程

1999年4月～ 2002年3月
東京大学　大学院工学系研究科　物理工学専攻修士課程

1997年4月～ 1999年3月
東京大学　工学部　物理工学科

1995年4月～ 1997年3月
東京大学　理科一類

1993年4月～ 1995年3月

委員歴 14

日本表面真空学会　関西支部支部長
応用物理学会熱電変換セッション　世話人
応用物理学会フォノンエンジニアリングセッション　世話人
応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会　運営委員
応用物理学会薄膜・表面物理分科会　機能性ナノ界面科学研究会副委員長
応用物理学会薄膜・表面物理分科会　常任幹事
応用物理学会　編集委員会委員
日本熱電学会　編集委員会委員
日本熱電学会　理事
日本真空表面学会　資格認定委員会表面科学技術者担当委員会委員
日本熱物性学会　評議員
日本熱電学会　評議員
応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会　幹事
応用物理学会薄膜・表面物理分科会　幹事

所属学会 5

日本熱物性学会
日本熱電学会
日本表面真空学会
応用物理学会
日本物理学会

研究内容・専門分野 4

ナノテク・材料 / ナノ材料科学 /
ナノテク・材料 / ナノ構造物理 /
ナノテク・材料 / ナノ構造化学 /
ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

受賞 7

第四回論文賞

akafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura　応用物理学会薄膜・表面物理分科会　2020年3月
第3回大阪大学総長奨励賞研究部門

中村芳明　大阪大学　2015年
第3回大阪大学総長奨励賞研究部門

中村芳明　大阪大学　2014年
第2回大阪大学総長奨励賞研究部門

中村芳明　大阪大学　2013年
Encouraging prize at the Japanese scociety of applied physics meeting

2006年
第20回応用物理学会講演奨励賞

2006年
Graduate Student Award at the DIET9 Confereaces

2002年

論文 193

Anomalous reduction of thermal conductivity in coherent nanocrystal architecture for silicon thermoelectric material

Yoshiaki Nakamura, Masayuki Isogawa, Tomohiro Ueda, Shuto Yamasaka, Hideki Matsui, Jun Kikkawa, Satoaki Ikeuchi, Takafumi Oyake, Takuma Hori, Junichiro Shiomi, Akira Sakai

NANO ENERGY　Vol. 12　p. 845-851　2015年3月　研究論文（学術雑誌）
Self-organized formation and self-repair of a two-dimensional nanoarray of Ge quantum dots epitaxially grown on ultrathin SiO2-covered Si substrates

Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, Ryoko Watanabe, Tomokazu Iyoda, Masakazu Ichikawa

NANOTECHNOLOGY　Vol. 21　No. 9　2010年3月　研究論文（学術雑誌）
Robust thermoelectric power factor enhanced by energy filtering effect in wavenumber space in B20-type CoSi film with Dirac-like band and heavy hole band

Vol. 9　No. 7　2025年7月7日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
Controlling thermoelectric properties of epitaxial GeSn film/Si by tuning strain and composition

Vol. 126　No. 23　2025年6月9日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
Selective Anion Manipulation for Controlling the Thermoelectric Properties of Epitaxial SnO₂ Films on r-Al₂O₃

Takafumi Ishibe, Seiya Kozuki, Yuki Komatsubara, Yuto Uematsu, Takashi Yoshizaki, Yuichiro Yamashita, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Eiichi Kobayashi, Yoshiaki Nakamura

ACS Applied Energy Materials　2025年3月21日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)
Film Thermoelectric Generator of Multiple 2-D Electron Gas

Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Seiya Kozuki, Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Yuichiro Yamashita, Mutsunori Uenuma, Yoshiaki Nakamura

IEEE Transactions on Electron Devices　p. 1-7　2024年8月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Epitaxial growth of Ca(Ge_1−xSn_x)₂ with group IV 2D layers on Si substrate

Takashi Yoshizaki, Tsukasa Terada, Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Express　Vol. 17　No. 5　p. 055501-055501　2024年5月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
The local potential variation mapping including thermoelectromotive force in nanocomposite materials under non-thermal equilibrium

Yuki Komatsubara, Takafumi Ishibe, Yuji Miyato, Yoshiaki Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 63　No. 4　2024年4月1日　研究論文（学術雑誌）
Anomalous enhancement of thermoelectric power factor in multiple two-dimensional electron gas system

Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Yoshiaki Nakamura

Nature Communications　Vol. 15　No. 1　2024年1月16日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC
Phonon diffraction and interference using nanometric features

Paul Desmarchelier, Efstratios Nikidis, Roman Anufriev, Anne Tanguy, Yoshiaki Nakamura, Joseph Kioseoglou, Konstantinos Termentzidis

Journal of Applied Physics　Vol. 135　No. 1　2024年1月4日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Growth of metastable 2H-CaSi₂ films on Si(111) substrates with ultrathin SiO₂ films by solid phase epitaxy

Keiichiro Oh-ishi, Mikio Kojima, Takashi Yoshizaki, Arata Shibagaki, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura, Hideyuki Nakano

Applied Physics Express　Vol. 17　No. 1　p. 015501-015501　2023年12月27日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Thermoelectric properties of B-doped nanostructured bulk diamond with lowered thermal conductivity

Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Yuri Yukawa, Yoshiaki Nakamura

Diamond and Related Materials　Vol. 140　p. 110410-110410　2023年12月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Curcumin tautomerization in the mechanism of pentameric amyloid- β42 oligomers disassembly

Atsuya Matsui, Jean-Pierre Bellier, Daiki Hayashi, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura, Hiroyasu Taguchi, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera

Biochemical and Biophysical Research Communications　Vol. 666　p. 68-75　2023年7月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Boosting Thermoelectric Performance in Epitaxial GeTe Film/Si by Domain Engineering and Point Defect Control

Takafumi Ishibe, Yuki Komatsubara, Kodai Ishikawa, Sho Takigawa, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yuichiro Yamashita, Yuji Ohishi, Yoshiaki Nakamura

ACS Applied Materials & Interfaces　Vol. 15　No. 21　p. 26104-26110　2023年5月16日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)
Temperature dependences of thermoelectric properties of bulk SiGeAu composites

Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Takeshi Fujita, Yoshiaki Nakamura

JJAP Conf. Proc　Vol. 10　2023年4月　研究論文（学術雑誌）
Interface design of transparent thermoelectric epitaxial ZnO/SnO₂ multilayer film for simultaneous realization of low thermal conductivity and high optical transmittance

Takafumi Ishibe, Yuki Komatsubara, Toranosuke Katayama, Yuichiro Yamashita, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 122　No. 4　p. 041603-041603　2023年1月23日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
The effect of interdiffusion during formation of epitaxial Ca intercalated layered silicene film on its thermoelectric power factor

Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Eiichi Kobayashi, Kazunori Sato, Yoshiaki Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. SD　p. SD1004-SD1004　2022年12月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Quantitative spatial mapping of distorted state phases during the metal-insulator phase transition for nanoscale VO₂ engineering

Yuichi Ashida, Takafumi Ishibe, Jinfeng Yang, Nobuyasu Naruse, Yoshiaki Nakamura

Science and Technology of Advanced Materials　Vol. 24　p. 1-9　2022年11月22日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Informa UK Limited
Thermoelectric Properties of PEDOT:PSS Containing Connected Copper Selenide Nanowires Synthesized by the Photoreduction Method

Vol. 7　No. 36　p. 32101-32107　2022年9月13日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
Tunable Thermal Switch via Order–Order Transition in Liquid Crystalline Block Copolymer

Takafumi Ishibe, Tatsuya Kaneko, Yuto Uematsu, Hideo Sato-Akaba, Motonori Komura, Tomokazu Iyoda, Yoshiaki Nakamura

Nano Letters　Vol. 22　No. 15　p. 6105-6111　2022年8月10日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)
Seed-assisted epitaxy of intermetallic compounds with interface-determined orientation: incommensurate Nowotny chimney-ladder FeGe epitaxial film

Tsukasa Terada, Reona Kitaura, Shintaro Ishigaki, Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Ryoji Asahi, Yoshiaki Nakamura

Acta Materialia　Vol. 236　p. 118130-118130　2022年6月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
The Effect of Ethanol on Disassembly of Amyloid-β1-42 Pentamer Revealed by Atomic Force Microscopy and Gel Electrophoresis

Atsuya Matsui, Jean-Pierre Bellier, Takeshi Kanai, Hiroki Satooka, Akio Nakanishi, Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura, Hiroyasu Taguchi, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera

International Journal of Molecular Sciences　Vol. 23　No. 2　p. 889-889　2022年1月14日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：MDPI AG
Giant Enhancement of Seebeck Coefficient by Deformation of Silicene Buckled Structure in Calcium‐Intercalated Layered Silicene Film

Tsukasa Terada, Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Kazunori Sato, Tien Quang Nguyen, Eiichi Kobayashi, Hideyuki Nakano, Yoshiaki Nakamura

Advanced Materials Interfaces　Vol. 9　No. 1　p. 2101752-2101752　2022年1月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Wiley
Thermoelectric power factor enhancement of calcium-intercalated layered silicene by introducing metastable phase

Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Toranosuke Katayama, Kazunori Sato, Tien Nguyen, Hideyuki Nakano, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Express　Vol. 14　No. 11　p. 115505-1-115505-4　2021年11月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Dominant carrier of pseudo-gap antiferromagnet Cr3Al thin film

Kentaro Toyoki, Masayuki Hayashi, Shunsuke Hamaguchi, Noriaki Kishida, Yu Shiratsuchi, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura, Ryoichi Nakatani

Physica B: Condensed Matter　Vol. 620　p. 413281-413281　2021年11月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
Low thermal conductivity of complex thermoelectric barium silicide film epitaxially grown on Si

Takafumi Ishibe, Jinichiro Chikada, Tsukasa Terada, Yuki Komatsubara, Reona Kitaura, Suguru Yachi, Yudai Yamashita, Takuma Sato, Takashi Suemasu, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 119　No. 14　p. 141603-141603　2021年10月4日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Synergistic phonon scattering in epitaxial silicon multilayers with germanium nanodot inclusions

Takafumi Oyake, Lei Feng, Makoto Kashiwagi, Takuma Shiga, Takuma Hori, Suto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Junichiro Shiomi

Physical Review B　Vol. 104　No. 5　2021年8月16日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Physical Society (APS)
Nanostructure design for high performance thermoelectric materials based on anomalous Nernst effect using metal/semiconductor multilayer

Reona Kitaura, Takafumi Ishibe, Himanshu Sharma, Masaki Mizuguchi, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Express　Vol. 14　No. 7　p. 075002-075002　2021年7月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Carrier and phonon transport control by domain engineering for high-performance transparent thin film thermoelectric generator

Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Yuki Komatsubara, Reona Kitaura, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 118　No. 15　p. 151601-151601　2021年4月12日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Direct mapping of temperature-difference-induced potential variation under non-thermal equilibrium

Yuki Komatsubara, Takafumi Ishibe, Yuji Miyato, Shunya Sakane, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 118　No. 9　p. 091605-091605　2021年3月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
Phonon transport in the nano-system of Si and SiGe films with Ge nanodots and approach to ultralow thermal conductivity

Tatsuhiko Taniguchi, Tsukasa Terada, Yuki Komatsubara, Takafumi Ishibe, Kento Konoike, Atsushi Sanada, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura

Nanoscale　Vol. 13　No. 9　p. 4971-4977　2021年2月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
Heat transport through propagon-phonon interaction in epitaxial amorphous-crystalline multilayers

Takafumi Ishibe, Ryo Okuhata, Tatsuya Kaneko, Masato Yoshiya, Seisuke Nakashima, Akihiro Ishida, Yoshiaki Nakamura

Communications Physics　Vol. 4　No. 1　2021年　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
Anomalous enhancement of thermoelectric power factor by thermal management with resonant level effect

Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kosei Mizuta, Takeshi Fujita, Yuga Kiyofuji, Jun-ichiro Ohe, Eiichi Kobayashi, Yoshiaki Nakamura

Journal of Materials Chemistry A　Vol. 9　No. 8　p. 4851-4857　2021年1月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
Formation of Silicon Quantum Dots Sheet on a Nonmetallic CaF2 Surface

Kenji Ito, Hideyuki Nakano, Yoshiaki Nakamura

Advanced Materials Interfaces　Vol. 7　No. 23　p. 2001295-2001295　2020年10月14日　研究論文（学術雑誌）
Thermoelectric Si1−xGex and Ge epitaxial films on Si(001) with controlled composition and strain for group IV element-based thermoelectric generators

Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Ryoya Hosoda, Youya Wagatsuma, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Yuichiro Yamashita, Nobuya Mori, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 117　No. 14　p. 141602-141602　2020年10月5日　研究論文（学術雑誌）
Control of thermoelectric properties in Mn-substituted Fe2TiSi epilayers

Y. Shimanuki, S. Yamada, A. Masago, T. Ishibe, K. Kudo, Y. Nakamura, K. Hamaya

Physical Review B　Vol. 102　No. 5　2020年8月4日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
An advanced 2ω method enabling thermal conductivity measurement for various sample thicknesses: From thin films to bulk materials

Kosuke Mitarai, Ryo Okuhata, Jinichiro Chikada, Tatsuya Kaneko, Yuto Uematsu, Yuki Komatsubara, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

Journal of Applied Physics　Vol. 128　No. 1　p. 015102-015102　2020年7月7日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films

Yuto Uematsu, Tsukasa Terada, Kento Sato, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Express　Vol. 13　No. 5　p. 055503-055503　2020年5月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
High Thermoelectric Power Factor Realization in Si-Rich SiGe/Si Superlattices by Super-Controlled Interfaces

Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

ACS Applied Materials & Interfaces　Vol. 12　No. 22　p. 25428-25434　2020年5月　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
Impact of metal silicide nanocrystals on the resistance ratio in resistive switching of epitaxial Fe3O4 films on Si substrates

Takafumi Ishibe, Yuto Uematsu, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 116　2020年5月　研究論文（学術雑誌）
Semiconducting Silicides Green Technology FOREWORD

Takashi Suemasu, Yoshikazu Terai, Tanemasa Asano, Motoharu Imai, Yoshiaki Nakamura, Motofumi Suzuki, Hirokazu Tatsuoka, Kenji Yamaguchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 59　2020年4月　研究論文（学術雑誌）
Resistive switching memory performance in oxide hetero-nanocrystals with well-controlled interfaces

T. Ishibe, Y. Maeda, T. Terada, N. Naruse, Y. Mera, E. Kobayashi, Y. Nakamura

Science and Technology of Advanced Materials　Vol. 21　p. 195-204　2020年3月　研究論文（学術雑誌）
Thermoelectric properties of single-phase full-Heusler alloy Fe2TiSi films with D03-type disordering

Y. Shimanuki, K. Kudo, T. Ishibe, A. Masago, S. Yamada, Y. Nakamura, and K. Hamaya

Journal of Applied Physics　Vol. 127　2020年1月　研究論文（学術雑誌）
Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots

Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Takahiro Hinakawa, Ryoya Hosoda, Kosei Mizuta, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, and Yoshiaki Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 59　p. SFFB01-1-1-05　2020年1月　研究論文（学術雑誌）
Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Nanoscale Thermal Management in Bulk SiGe Composites

Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kosei Mizuta, Masato Kashino, Kentaro Watanabe, Takeshi Fujita, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Yoshiaki Nakamura

ACS Applied Energy Materials　Vol. 3　p. 1235-1241　2019年12月　研究論文（学術雑誌）
Bottom‐Up on Surface Synthesis of Two‐Dimensional Graphene Nanoribbon Networks and Their Thermoelectric Applications

Takahiro Nakae, Takahiro Kojima, Zhen Xu, Saravanan Chinnusamy, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Hiroshi Sakaguchi

Chemistry – An Asian Journal　2019年11月　研究論文（学術雑誌）
High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity

Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Takahiro Hinakawa, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 115　No. 18　2019年10月　研究論文（学術雑誌）
Modulation of lattice constants by changing the composition and strain in incommensurate Nowotny chimney-ladder phase FeGeγ epitaxially grown on Si

Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

Surface Science　Vol. 690　2019年7月　研究論文（学術雑誌）
Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures

Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Takeshi Fujita, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Nobuya Mori, Yoshiaki Nakamura

Materials Today Energy　Vol. 13　p. 56-63　2019年5月　研究論文（学術雑誌）
Semiconductor Nanostructure Design for Thermoelectric Property Control

Y. Nakamura, T. Ishibe, T. Taniguchi, T. Terada, R. Hosoda, S. Sakane

International Journal of Nanoscience　Vol. 18　p. 19040036-1-19040036-8　2019年3月　研究論文（学術雑誌）
Significant reduction in the thermal conductivity of Si-substituted Fe2VAl epilayers

K. Kudo, S. Yamada, J. Chikada, Y. Shimanuki, T. Ishibe, S. Abo, H. Miyazaki, Y. Nishino, Y. Nakamura, K. Hamaya

Physical Review B　Vol. 99　No. 5　p. 054201-1-054201-7　2019年2月1日　研究論文（学術雑誌）
Enhanced thermoelectric performance of Ga-doped ZnO film by controlling crystal quality for transparent thermoelectric films

Atsuki Tomeda, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Ryo Okuhata, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

Thin Solid Films　Vol. 666　p. 185-190　2018年11月　研究論文（学術雑誌）
Methodology of thermoelectric power factor enhancement by controlling nanowire interface

Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

ACS Applied Materials & Interfaces　Vol. 10　No. 43　p. 37709-37716　2018年10月　研究論文（学術雑誌）
Thermoelectric properties of epitaxial Ge thin films on Si(001) with strong crystallinity dependence

Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Hiroki Miyamoto, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Express　Vol. 11　No. 11　p. 111301-1-111301-1-4　2018年10月　研究論文（学術雑誌）
Resistive switching at the high quality metal/insulator interface in Fe3O4/SiO2/a-FeSi2/Si stacking structure

Takafumi Ishibe, Tsubasa Kurokawa, Nobuyasu Naruse, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 113　p. 141601-1-5　2018年10月　研究論文（学術雑誌）
Areal density control of ZnO nanowires in physical vapor transport using Ge nanocrystals

Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Tsukasa Terada, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 57　No. 8　p. 08NB07-1-5　2018年7月　研究論文（学術雑誌）
Growth of epitaxial FeGeg nanocrystals with incommensurate Nowtny chimney-ladder phase on Si substrate

Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 57　2018年6月　研究論文（学術雑誌）
Effect of Fe-V nonstoichiometry on electrical and thermoelectric properties of Fe2VAl films

Kohei Kudo, Shinya Yamada, Jinichiro Chikada, Yuta Shimakuni, Yoshiaki Nakamura, Kohei Hamaya

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 57　2018年2月　研究論文（学術雑誌）
Ultimate Confinement of Phonon Propagation in Silicon Nanocrystalline Structure

Takafumi Oyake, Lei Feng, Takuma Shiga, Masayuki Isogawa, Yoshiaki Nakamura, Junichiro Shiomi

Physical Review Letters　Vol. 120　No. 4　2018年1月25日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Physical Society
Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide/germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates

Hideki Matsui, Takafumi Ishibe, Tsukasa Terada, Shunya Sakane, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Shigeru Kimura, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 112　No. 3　2018年1月15日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.
Nanostructure design for drastic reduction of thermal conductivity while preserving high electrical conductivity

Yoshiaki Nakamura

Science and Technology of Advanced Materials　Vol. 19　No. 1　p. 31-43　2018年1月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Taylor and Francis Ltd.
Nanostructure design for control of phonon andelectron transports

Nakamura Yoshiaki, Watanabe Kentaro

ECS Transactions　Vol. 80　No. 1　p. 93-100　2017年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Low thermal conductivity of thermoelectric Fe2VAl films

Shinya Yamada, Kohei Kudo, Ryo Okuhata, Jinichiro Chikada, Yoshiaki Nakamura, Kohei Hamaya

Applied Physics Express　Vol. 10　2017年10月　研究論文（学術雑誌）
Epitaxial multilayers of β-FeSi2 nanodots/Si for Si-based nanostructured electronic materials

Shunya Sakane, Masayuki Isogawa, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Yoshiaki Nakamura

Journal of Vacuum Science and Technology A　Vol. 35　No. 4　2017年7月　研究論文（学術雑誌）
Embedded-ZnO Nanowire Structure for High-Performance Transparent Thermoelectric Materials

Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Jun Kikkawa, Takeshi Fujita, Yoshiaki Nakamura

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　Vol. 46　No. 5　p. 3020-3024　2017年5月　研究論文（学術雑誌）
Thermal Conductivity Measurement of Thermoelectric ThinFilms by a Versatility-Enhanced 2ω Method

Ryo Okuhata, Kentaro Watanabe, Satoaki Ikeuchi, Akihiro Ishida, Yoshiaki Nakamura

Journal of Electronic Materials　Vol. 46　No. 5　p. 3089-3096　2017年5月　研究論文（学術雑誌）
Thermoelectric Properties of Epitaxial beta-FeSi2 Thin Films on Si(111) and Approach for Their Enhancement

Tatsuhiko Taniguchi, Shunya Sakane, Shunsuke Aoki, Ryo Okuhata, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Takeyuki Suzuki, Takeshi Fujita, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　Vol. 46　No. 5　p. 3235-3241　2017年5月　研究論文（学術雑誌）
Thermoelectric properties of epitaxial β-FeSi2 thin films grown on Si(111) substrates with various film qualities

Kentaro Watanabe, Tatsuhiko Taniguchi, Shunya Sakane, Shunsuke Aoki, Takeyuki Suzuki, Takeshi Fujita, Yoshiaki Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 56　No. 5　p. 05DC04-1-05DC04-5　2017年5月　研究論文（学術雑誌）
INDEPENDENT CONTROL OF PHONON AND ELECTRON TRANSPORT IN SI-BASED NANOARCHITECTURES WITH EPITAXIAL GE NANODOTS

Watanabe Kentaro, Yamasaka Shuto, Ishibe Takafumi, Sakane Shunya, Sawano Kentarou, Nakamura Yoshiaki

Proceedings of 1st Asian Conference onThermal Sciences 2017 (ACTS 2017)　p. 1-3　2017年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
極薄Si酸化膜技術を用いたナノ構造界面設計による熱電物性制御

中村芳明

セラミックス　Vol. 52　p. 71-77　2017年2月
出版者・発行元：（公社）日本セラミックス協会
Study on the influence of different trench-patterned templates on the crystalline microstructure of AIN epitaxial films by X-ray microdiffraction

Dinh Thanh Khan, Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Kunihiko Nakamura, Takuji Arauchi, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 56　No. 2　p. 025502-1-025502-5　2017年2月　研究論文（学術雑誌）
Amorphous/epitaxial superlattice for thermoelectric application

Akihiro Ishida, Hoang Thi Xuan Thao, Mamoru Shibata, Seisuke Nakashima, Hirokazu Tatsuoka, Hidenari Yamamoto, Yohei Kinoshita, Mamoru Ishikiriyama, Yoshiaki Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 8　2016年8月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics
Effect of Fe coating of nucleation sites on epitaxial growth of Fe oxide nanocrystals on Si substrates

Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 55　No. 8　2016年8月　研究論文（学術雑誌）
Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method

A. Sakai, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, M.Imanishi, M. Imade, Y. Mori

2016年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates

Takafumi Ishibe, Hideki Matsui, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Yoshiaki Nakamura

APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 9　No. 5　2016年5月　研究論文（学術雑誌）
Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique

Tomohiro Ueda, Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Yoshiaki Nakamura

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　Vol. 45　No. 3　p. 1914-1920　2016年3月　研究論文（学術雑誌）
Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials

Shuto Yamasaka, Kentaro Watanabe, Shunya Sakane, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

SCIENTIFIC REPORTS　Vol. 6　No. 22838　p. 1-8　2016年3月　研究論文（学術雑誌）
Arbitrary cross-section SEM-cathodoluminescence imaging of growth sectors and local carrier concentrations within micro-sampled semiconductor nanorods

Kentaro Watanabe, Takahiro Nagata, Seungjun Oh, Yutaka Wakayama, Takashi Sekiguchi, Janos Volk, Yoshiaki Nakamura

NATURE COMMUNICATIONS　Vol. 7　2016年2月　研究論文（学術雑誌）
Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN

S. Takeuchi, H. Asazu, M. Imanishi, Y. Nakamura, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 118　No. 24　2015年12月　研究論文（学術雑誌）
ナノドットを用いたシリコン熱電変換材料の開発と応用

中村芳明

エネルギーデバイス　Vol. 3　No. 1　p. 48-50　2015年10月
出版者・発行元：技術情報教会
Phonon transport control by nanoarchitecture including epitaxial Ge nanodots for Si-based thermoelectric materials

Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai

SCIENTIFIC REPORTS　Vol. 5　No. 14490　p. 1-9　2015年10月　研究論文（学術雑誌）
Semiconducting Silicides Green Technology FOREWORD

Tanemasa Asano, Takashi Suemasu, Yoshikazu Terai, Taizou Sadoh, Motoharu Imai, Motofumi Suzuki, Yoshiaki Nakamura, Yoshihito Maeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 54　No. 7　2015年7月
Formation of epitaxial nanodots on Si substrates with controlled interfaces and their application

Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 54　No. 7　2015年7月　研究論文（学術雑誌）
Fabrication of Si Thermoelectric Nanomaterials Containing Ultrasmall Epitaxial Ge Nanodots with an Ultrahigh Density

Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, Shotaro Takeuchi, Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, Takayoshi Tanji, Nobuo Tanaka, Akira Sakai

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　Vol. 44　No. 6　p. 2015-2020　2015年6月　研究論文（学術雑誌）
Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates

Shotaro Takeuchi, Toshiro Uchiyama, Takuji Arauchi, Yasuhiro Hashimoto, Yoshiaki Nakamura, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　Vol. 252　No. 5　p. 1142-1148　2015年5月　研究論文（学術雑誌）
Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction and transmission electron microscopy

Takuji Arauchi, Shotaro Takeuchi, Yasuhiro Hashimoto, Yoshiaki Nakamura, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Kazuyuki Tadatomo, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　Vol. 252　No. 5　p. 1149-1154　2015年5月　研究論文（学術雑誌）
Formation and optical properties of Ge films grown on Si(111) substrates using nanocontact epitaxy

Kazuki Tanaka, Yoshiaki Nakamura, Shuto Yamasaka, Jun Kikkawa, Takenobu Sakai, Akira Sakai

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 325　No. 15　p. 170-174　2015年1月　研究論文（学術雑誌）
MicroscopiccrystallinestructureofathickAlN film grown on atrench-patternedAlN/α-Al2O3 template

D. T. Khan, S. Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, K. Nakamura, T. Arauchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

J. Cryst. Growth　Vol. 411　p. 38-44　2014年11月　研究論文（学術雑誌）
Self-assembly of Ge clusters on highly oriented pyrolytic graphite surfaces

Masayuki Shimonaka, Yoshiaki Nakamura, Jun Kikkawa, Akira Sakai

SURFACE SCIENCE　Vol. 628　p. 82-85　2014年10月　研究論文（学術雑誌）
Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth

M. Imanishi, K. Murakami, K. Nakamura, H. Imabayashi, H. Takazawa, D. Matsuo, Y. Todoroki, M. Maruyama, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

2014年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Electrical conduction characteristics of single crystal and directly-bonded Nb-doped SrTiO3

R. Asada, S. Kondo, S. Takeuchi, Y. Sugi, Y. Nakamura, A. Sakai

2014年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Ultrathin-body Ge-on-insulator wafers fabricated with strongly bonded thin Al2O3/SiO2 hybrid buried oxide layers

Yoshihiko Moriyama, Keiji Ikeda, Shotaro Takeuchi, Yuuichi Kamimuta, Yoshiaki Nakamura, Koji Izunome, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 7　No. 8　2014年8月　研究論文（学術雑誌）
Impact ionization of excitons in Ge/Si structures with Ge quantum dots grown on the oxidized Si(100) surfaces

A. A. Shklyaev, O. A. Shegai, Y. Nakamura, M. Ichikawa

Journal of Applied Physics　Vol. 115　No. 20　2014年5月28日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.
Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template

Takuji Arauchi, Shotaro Takeuchi, Kunihiko Nakamura, Dinh Thanh Khan, Yoshiaki Nakamura, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　Vol. 211　No. 4　p. 731-735　2014年4月　研究論文（学術雑誌）
Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers

Hirotada Asazu, Shotaro Takeuchi, Hiroya Sannai, Haruo Sudo, Koji Araki, Yoshiaki Nakamura, Koji Izunome, Akira Sakai

THIN SOLID FILMS　Vol. 557　p. 106-109　2014年4月　研究論文（学術雑誌）
Improvement effect of electrical properties in post- annealed waferbonded Ge(001)- OI substrate

Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Osamu Yoshitake, Jun Kikkawa, Koji Izunome, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　Vol. 211　No. 3　p. 601-605　2014年3月　研究論文（学術雑誌）
Luminescence properties of Si-capped beta-FeSi2 nanodots epitaxially grown on Si(001) and (111) substrates

Shogo Amari, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 115　No. 8　2014年2月　研究論文（学術雑誌）
Local strain distribution in AlN thick films analyzed by X-ray microdiffraction

Dinh Thanh Khan, Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yoshihiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

Materials Science Forum　Vol. 783-786　p. 2016-2021　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd
Improvement of Current Drive of Ge-nMISFETs by Epitaxially Grown n(+)-Ge:P Source and Drain

Yoshihiko Moriyama, Yuuichi Kamimuta, Yoshiki Kamata, Keiji Ikeda, Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM)　p. 35-36　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Nanoscale-resolved near-infrared photoabsorption spectroscopy and imaging of individual gallium antimonide quantum dots

Nobuyasu Naruse, Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics　Vol. 32　No. 1　2014年1月1日　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.
Control of epitaxial growth of Fe-based nanocrystals on Si substrates using well-controlled nanometer-sized interface

Yoshiaki Nakamura, Ryota Sugimoto, Takafumi Ishibe, Hideki Matsui, Jun Kikkawa, Akira Sakai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 115　No. 4　2014年1月　研究論文（学術雑誌）
Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction

D. T. Khan, S. Takeuchi, K. Nakamura, T. Arauchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2013年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates

K. Nakamura, S. Takeuchi, D. T. Khan, T. Arauchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2013年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy

Wataru Ikeda, Yoshiaki Nakamura, Shogo Okamoto, Shotaro Takeuchi, Jun Kikkawa, Masakazu Ichikawa, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 52　No. 9　2013年9月　研究論文（学術雑誌）
Influence of nanometer-sized interface on reaction of iron nanocrystals epitaxially grown on silicon substrates with oxygen gas

Hironobu Hamanaka, Yoshiaki Nakamura, Takafumi Ishibe, Jun Kikkawa, Akira Sakai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 114　No. 11　2013年9月　研究論文（学術雑誌）
Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces

Sung-Pyo Cho, Yoshiaki Nakamura, Jun Yamasaki, Eiji Okunishi, Masakazu, Ichikawa, Nobuo Tanaka

Journal of Applied Crystallography　Vol. 46　No. 4　p. 1076-1080　2013年8月　研究論文（学術雑誌）
Conductive optical-fiber STM probe for local excitation and collection of cathodoluminescence at semiconductor surfaces

Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

OPTICS EXPRESS　Vol. 21　No. 16　p. 19261-19268　2013年8月　研究論文（学術雑誌）
Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers

Y. Moriyama, Y. Kamata, K. Ikeda, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, T. Tezuka

8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI)　2013年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Semiconductor wafer bonding -Structural and electrical characteristics of GeOI substrates-

A. Sakai, S. Yamasaka, Y. Moriyama, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, T. Tezuka, K. Izunome

2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and applications of Advanced Semmiconductor Devices　2013年6月
Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers

Yoshihiko Moriyama, Keiji Ikeda, Yuuichi Kamimuta, Minoru Oda, Toshifumi Irisawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 83　p. 42-45　2013年5月　研究論文（学術雑誌）
Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(1 1 0) surfaces

M. Yamashita, Y. Nakamura, R. Sugimoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

Applied Surface Science　Vol. 267　No. 15　p. 53-57　2013年2月15日　研究論文（学術雑誌）
Investigating the origin of intense photoluminescence in Si capping layer on Ge1-xSnx nanodots by transmission electron microscopy

Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Norihito Fujinoki, Masakazu Ichikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 113　No. 7　2013年2月　研究論文（学術雑誌）
Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles

M. Yamashita, Y. Nakamura, A. Yamamoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 267　No. 15　p. 136-140　2013年2月　研究論文（学術雑誌）
Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> template

D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

Journal of Crystal Growth　Vol. 381　p. 37-42　2013年　研究論文（学術雑誌）
Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction

K. Nakamura, S. Harada, D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2012年12月
GOI substrates -Fabrication and characterization-

A. Sakai, S. Yamasaka, J. Kikkawa, Y. Nakamura, Y. Moriyama, T. Tezuka, S. Takeuchi, K. Izunome

ECS Transactions　Vol. 50　No. 9　p. 709-725　2012年10月　研究論文（学術雑誌）
Electron-beam-induced current study of electrocal property change at SrTiO3 bicrystal interface induced by forming process

T. Kato, Y. Nakamura, P. P. T. Son, J. Kikkawa, A. Sakai

Materials Science Forum　Vol. 725　p. 261-264　2012年6月　研究論文（学術雑誌）
Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure

Kentaro Watanabe, Masakazu Ichikawa, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　Vol. 30　No. 2　2012年3月　研究論文（学術雑誌）
Vertical dislocations in Ge films selectively grown in submicron Si windows of patterned substrates

S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, G. Wang, M. Caymax, A. Sakai

THIN SOLID FILMS　Vol. 520　No. 8　p. 3245-3248　2012年2月　研究論文（学術雑誌）
Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using four-point-probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor method

K. Minami, Y. Nakamura, S. Yamasaka, O. Yoshitake, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

THIN SOLID FILMS　Vol. 520　No. 8　p. 3232-3235　2012年2月　研究論文（学術雑誌）
High density iron silicide nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique

Yoshiaki Nakamura

Procedia Engineering　Vol. 36　p. 382-387　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：Elsevier Ltd
Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure

Kentaro Watanabe, Masakazu Ichikawa, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics　Vol. 30　No. 2　2012年　研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AVS Science and Technology Society
Nanocontact Epitaxy of Thin Films on Si Substrates Using Nanodot Seeds Fabricated by Ultrathin SiO2 Film Technique

Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 5: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING -AND-TUTORIALS IN NANOTECHNOLOGY: MORE THAN MOORE - BEYOND CMOS EMERGING MATERIALS AND DEVICES　Vol. 45　No. 3　p. 41-45　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Epitaxial Growth of Iron-Silicide Nanodots on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique and Their Physical Properties

Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

LOW-DIMENSIONAL NANOSCALE ELECTRONIC AND PHOTONIC DEVICES 5 -AND- STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS 54 (SOTAPOCS 54)　Vol. 50　No. 6　p. 65-70　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al 2O 3/SiO 2 buried oxide layers

Yoshihiko Moriyama, Keiji Ikeda, Yuuichi Kamimuta, Minoru Oda, Toshifumi Irisawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings　p. 34-35　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Luminescence at 1.5μm from Si/GeSn nanodot/Si structures

Yoshiaki Nakamura, Norihito Fujinoki, Masakazu Ichikawa

J. Phys. D: Appl. Phys.　Vol. 45　No. 3　2012年1月　研究論文（学術雑誌）
Preface

Yoshihito Maeda, Yoshikazu Terai, Kevin P. Homewood, Kenichi Takarabe, Kenji Yamaguchi, Motofumi Suzuki, Taizoh Sadoh, Yoshiaki Nakamura

Thin Solid Films　Vol. 519　No. 24　2011年10月3日　研究論文（学術雑誌）
Selected Papers from the Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010) Tsukuba, July 24-26, 2010 Preface

Yoshihito Maeda, Yoshikazu Terai, Kevin P. Homewood, Kenichi Takarabe, Kenji Yamaguchi, Motofumi Suzuki, Taizoh Sadoh, Yoshiaki Nakamura

THIN SOLID FILMS　Vol. 519　No. 24　p. 8433-8433　2011年10月
Photoabsorption properties of β-FeSi2 nanoislands grown on Si(111) and Si(001): Dependence on substrate orientation studied by nano-spectroscopic measurements

Nobuyasu Naruse, Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

Thin Solid Films　Vol. 519　No. 24　p. 8477-8479　2011年10月　研究論文（学術雑誌）
Fe3Si nanodots epitaxially grown on Si(111) substrates using ultrathin SiO2 film technique

Yoshiaki Nakamura, Kenjiro Fukuda, Shogo Amari, Masakazu Ichikawa

THIN SOLID FILMS　Vol. 519　No. 24　p. 8512-8515　2011年10月　研究論文（学術雑誌）
Structural Analysis of Si-Based Nanodot Arrays Self-Organized by Selective Etching of SiGe/Si Films

Masahiko Takahashi, Yoshiaki Nakamura, Jun Kikkawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 8　2011年8月　研究論文（学術雑誌）
Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence Nanospectroscopies

Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Masakazu Ichikawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 8　2011年8月　研究論文（学術雑誌）
Epitaxial Growth of High Quality Ge Films on Si(001) Substrates by Nanocontact Epitaxy

Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, Masakazu Ichikawa

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　Vol. 11　No. 7　p. 3301-3305　2011年7月　研究論文（学術雑誌）
Nanocontact heteroepitaxy of thin GaSb and AlGaSb films on Si substrates using ultrahigh-density nanodot seeds

Yoshiaki Nakamura, Takafumi Miwa, Masakazu Ichikawa

NANOTECHNOLOGY　Vol. 22　No. 26　2011年7月　研究論文（学術雑誌）
Effect of Low-Energy Ga Ion Implantation on Selective Growth of Gallium Nitride Layer on Silicon Nitride Surfaces Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition

Kazuya Isiizumi, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Junichi Yanagisawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 6　2011年6月　研究論文（学術雑誌）
X-ray microdiffraction investigation of crystallinity and strain relaxation in Ge thin lines selectively grown on Si(001) substrates

Kouhei Ebihara, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Gang Wang, Matty Caymax, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Osami Sakata

SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 60　No. 1　p. 26-30　2011年6月　研究論文（学術雑誌）
Electrical Characterization of Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates Using a Four-Point-Probe Pseudo-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

Yuji Iwasaki, Yoshiaki Nakamura, Jun Kikkawa, Motoki Sato, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Koji Izunome, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 4　2011年4月　研究論文（学術雑誌）
Annealing Effects on Ge/SiO2 Interface Structure in Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates

Osamu Yoshitake, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Koji Izunome, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 4　2011年4月　研究論文（学術雑誌）
Self-organization of two-dimensional SiGe nanodot arrays using selective etching of pure-edge dislocation network

Yoshiaki Nakamura, Masahiko Takahashi, Tatsuki Fujiwara, Jun Kikkawa, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 109　No. 4　2011年2月　研究論文（学術雑誌）
Microscopic structure of directly bonded silicon substrates

Tetsuji Kato, Yuji Ohara, Takaya Ueda, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Takeshi Senda, Kouji Izunome, Hiroo Tajiri, Osamu Sakata, Shigeru Kimura

Key Engineering Materials　Vol. 470　p. 164-170　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates

Tetsuji Kato, Takaya Ueda, Yuji Ohara, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Eiji Toyoda, Kouji Izunome, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Osamu Sakata

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　Vol. 470　p. 158-+　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Formation and Magnetic Properties of Ultrahigh Density Fe3Si Nanodots Epitaxially Grown on Si(111) Substrates Covered with Ultrathin SiO2 Films

Yoshiaki Nakamura, Shogo Amari, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 1　2011年1月　研究論文（学術雑誌）
極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャル量子ドット二次元ナノ配列構造の自己組織化と自己修復

中村芳明, 村山昭之, 渡邉亮子, 彌田智一, 市川昌和

表面科学　Vol. 31　No. 12　p. 626-631　2010年12月
出版者・発行元：The Surface Science Society of Japan
Two-dimensional nanoarray of SiGe epitaxial nanodots self-organized by selective etching of edge dislocation network

Y. Nakamura, M. Takahashi, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, A. Sakai

2010 Material Research Society Fall Meeting　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）
X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates

K. Ebihara, S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

ECS Transactions　Vol. 33　No. 6　p. 887-892　2010年10月　研究論文（学術雑誌）
Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing

T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

THIN SOLID FILMS　Vol. 518　No. 6　p. S147-S150　2010年1月　研究論文（学術雑誌）
Photoluminescence from Si-capped GeSn nanodots on Si substrates formed using an ultrathin SiO2 film technique

Yoshiaki Nakamura, Norihiko Fujinoki, Masakazu Ichikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 106　No. 1　2009年7月　研究論文（学術雑誌）
Scanning tunneling microscope-cathodoluminescence measurement of the GaAs/AlGaAs heterostructure

Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　Vol. 27　No. 4　p. 1874-1880　2009年7月　研究論文（学術雑誌）
Defect-related light emission in the 1.4-1.7-μm range from Si layers at room temperature

Alexander Shklyaev, Yoshiaki Nakamura, Fedor Dultsev, Masakazu Ichikawa

J. Appl. Phys.　Vol. 105　No. 6　2009年3月　研究論文（学術雑誌）
Fourier-transform photoabsorption spectroscopy of quantum-confinement effects in individual GeSn nanodots

Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 94　No. 9　2009年3月　研究論文（学術雑誌）
High resolution transmission electron microscopy study of iron-silicide nanodot structures grown on faintly oxidized Si (111) surfaces

Sung-Pyo Cho, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Nobuo Tanaka

THIN SOLID FILMS　Vol. 517　No. 9　p. 2865-2870　2009年3月　研究論文（学術雑誌）
Formation and optical properties of GaSb quantum dots epitaxially grown on Si substrates using an ultrathin SiO2 film technique

Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Sugimoto, Masakazu Ichikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 105　No. 1　2009年1月　研究論文（学術雑誌）
Si基板上エピタキシャルナノドットの高密度形成技術

中村芳明, 市川昌和

応用物理学会薄膜・表面分科会News Letters　Vol. 134 23　2008年12月
Characterization of semiconductor nanostructures formed by using ultrathin Si oxide technology

M. Ichikawa, S. Uchida, A. A. Shklyaev, Y. Nakamura, S. -P. Cho, N. Tanaka

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 255　No. 3　p. 669-671　2008年11月　研究論文（学術雑誌）
Electric field modulation nano-spectroscopy for characterization of individual β-FeSi2 nanodots

Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

J. Appl Phys.　Vol. 104　No. 7　2008年10月　研究論文（学術雑誌）
Giant fullerenes formed on C(60) films irradiated with electrons field-emitted from scanning tunneling microscope tips

Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Koji Maeda

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 254　No. 23　p. 7881-7884　2008年9月　研究論文（学術雑誌）
Spatial resolution of imaging contaminations on the GaAs surface by scanning tunneling microscope-cathodoluminescence spectroscopy

Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 254　No. 23　p. 7737-7741　2008年9月　研究論文（学術雑誌）
Self-assembled epitaxial growth of high density β-FeSi2 nanodots on Si (001) and their spatially resolved optical absorption properties

Yoshiaki Nakamura, Seigo Amari, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Koji Maeda, Masakazu Ichikawa

Cryst. growth & Des.　Vol. 8　No. 8　p. 3019-3023　2008年8月　研究論文（学術雑誌）
Local optical characterization related to Si cluster concentration in GaAs using scanning tunneling microscope cathodoluminescence spectroscopy

Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 47　No. 7　p. 6109-6113　2008年7月　研究論文（学術雑誌）
The enhanced signal of subgap centers in tip-probing photoabsorption spectroscopy with an assist of a subsidiary light

Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 103　No. 4　2008年2月　研究論文（学術雑誌）
Measurements of local optical properties of Si-doped GaAs (110) surfaces using modulation scanning tunneling microscope cathodoluminescence spectroscopy

Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　Vol. 26　No. 1　p. 195-200　2008年1月　研究論文（学術雑誌）
Epitaxial growth of ultrahigh density Ge(1-x)Sn(x) quantum dots on Si(111) substrates by codeposition of Ge and Sn on ultrathin SiO(2) films

Yoshiaki Nakamura, Akiko Masada, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 102　No. 12　2007年12月　研究論文（学術雑誌）
Fourier transform photoabsorption spectroscopy based on scanning tunneling microscopy

Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yo Fukuzawa, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 102　No. 11　2007年12月　研究論文（学術雑誌）
Quantum-size effect in uniform Ge-Sn alloy nanodots observed by photoemission Spectroscopy

Yasuo Nakayama, Keiko Takase, Toru Hirahara, Shuji Hasegawa, Taichi Okuda, Ayumi Harasawa, Iwao Matsuda, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　Vol. 46　No. 45-49　p. L1176-L1178　2007年12月　研究論文（学術雑誌）
The origin of spectral distortion in electric field modulation spectroscopy based on scanning tunneling microscopy

N. Naruse, Y. Mera, Y. Nakamura, M. Ichikawa, K. Maeda

SURFACE SCIENCE　Vol. 601　No. 22　p. 5300-5303　2007年11月　研究論文（学術雑誌）
Polymerization and depolymerization of fullerenes induced by hole injection from scanning tunneling microscope tips

Y. Mera, M. Yoshino, Y. Nakamura, K. Saishu, K. Maeda

SURFACE SCIENCE　Vol. 601　No. 22　p. 5207-5211　2007年11月　研究論文（学術雑誌）
Quantum-confinement effect in individual Ge1-xSnx quantum dots on Si(111) substrates covered with ultrathin SiO2 films using scanning tunneling spectroscopy

Yoshiaki Nakamura, Akiko Masada, Masakazu Ichikawa

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 91　No. 1　2007年7月　研究論文（学術雑誌）
Desorption of chlorine atoms on Si(111)-(7x7) surfaces induced by hole injection from scanning tunneling microscope tips

Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Koji Maeda

SURFACE SCIENCE　Vol. 601　No. 10　p. 2189-2193　2007年5月　研究論文（学術雑誌）
Influence of growth and annealing conditions on photoluminescence of Ge/Si layers grown on oxidized Si surfaces

A. A. Shklyaev, S-P Cho, Y. Nakamura, N. Tanaka, M. Ichikawa

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　Vol. 19　No. 13　2007年4月　研究論文（学術雑誌）
Quantum fluctuation of tunneling current in individual Ge quantum dots induced by a single-electron transfer

Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Kentaro Watanabe, Yasuhiro Hatsugai

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 90　No. 15　2007年4月　研究論文（学術雑誌）
Photoluminescence of Si layers grown on oxidized Si surfaces

A. A. Shklyaev, Y. Nakamura, M. Ichikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 101　No. 3　2007年2月　研究論文（学術雑誌）
Observation of the quantum-confinement effect in individual β-FeSi2 nanoislands epitaxial grown on Si (111) surfaces using scanning tunneling spectroscopy

Yoshiaki Nakamura, Ryota Suzuki, Masafumi Umeno, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

Appl. Phys. Lett.　Vol. 89　No. 12　2006年9月　研究論文（学術雑誌）
Manipulating Ge quantum dots on ultrathin SixGe1-x oxide films using scanning tunneling microscope tips

Yoshiaki Nakamura, Hiroyuki Takata, Akiko Masada, Masakazu Ichikawa

SURFACE SCIENCE　Vol. 600　No. 17　p. 3456-3460　2006年9月　研究論文（学術雑誌）
Formation of ultrahigh density and ultrasmall coherent β-FeSi2 nanodots on Si (111) substraets using Si and Fe codeposition method

Yoshiaki Nakamura, Yasushi Nagadomi, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

J. Appl. Phys.　Vol. 100　No. 4　2006年8月　研究論文（学術雑誌）
Photoluminescence of Ge/Si structures grown on oxidized Si surfaces

AA Shklyaev, S Nobuki, S Uchida, Y Nakamura, M Ichikawa

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 88　No. 12　2006年3月　研究論文（学術雑誌）
Quantum confinement observed in Ge nanodots on an oxidized Si surface

A Konchenko, Y Nakayama, Matsuda, I, S Hasegawa, Y Nakamura, M Ichikawa

PHYSICAL REVIEW B　Vol. 73　No. 11　2006年3月　研究論文（学術雑誌）
STM observations of photo-induced jumps of chlorine atoms chemisorbed on Si(111)-(7 x 7) surface

A Yajima, Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

SURFACE SCIENCE　Vol. 593　No. 1-3　p. 155-160　2005年11月　研究論文（学術雑誌）
Observation of the quantum-confinement effect in individual Ge nanocrystals on oxidized Si substrates using scanning tunneling spectroscopy

Y Nakamura, K Watanabe, Y Fukuzawa, M Ichikawa

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 87　No. 13　2005年9月　研究論文（学術雑誌）
Formation of strained iron silicide nanodots by Fe deposition on Si nanodots on oxidized Si (111) surfaces

Yoshiaki Nakamura, Yasushi Nagadomi, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　Vol. 72　No. 7　2005年8月15日　研究論文（学術雑誌）
Role of intermolecular separation in nanoscale patterning C-60 films by local injection of electrons from scanning tunneling microscope tip

Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　Vol. 44　No. 42-45　p. L1373-L1376　2005年　研究論文（学術雑誌）
Nonthermal decomposition of C-60 polymers induced by tunneling electron injection

Y Nakamura, F Kagawa, K Kasai, Y Mera, K Maeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 85　No. 22　p. 5242-5244　2004年11月　研究論文（学術雑誌）
Formation of ultrahigh density Ge nanodots on oxidized Ge/Si(111) surfaces

Y Nakamura, Y Nagadomi, K Sugie, N Miyata, M Ichikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 95　No. 9　p. 5014-5018　2004年5月　研究論文（学術雑誌）
Hopping motion of chlorine atoms on Si(100)-(2 x 1) surfaces induced by carrier injection from scanning tunneling microscope tips

Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

SURFACE SCIENCE　Vol. 531　No. 1　p. 68-76　2003年5月　研究論文（学術雑誌）
Cluster reactions in C-60 films induced by electron injection from a scanning tunneling microscope tip

Y Nakamura, F Kagawa, K Kasai, Y Mera, K Maeda

SURFACE SCIENCE　Vol. 528　No. 1-3　p. 151-155　2003年3月　研究論文（学術雑誌）
Spreading effects in surface reactions induced by tunneling current injection from an STM tip

K Maeda, Y Nakamura

SURFACE SCIENCE　Vol. 528　No. 1-3　p. 110-114　2003年3月　研究論文（学術雑誌）
Nanoscale imaging of electronic surface transport probed by atom movements induced by scanning tunneling microscope current

Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

PHYSICAL REVIEW LETTERS　Vol. 89　No. 26　2002年12月　研究論文（学術雑誌）
Structural change of radiation defects in graphite crystals induced by STM probing

O Tonomura, Y Mera, A Hida, Y Nakamura, T Meguro, K Maeda

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING　Vol. 74　No. 2　p. 311-316　2002年2月　研究論文（学術雑誌）
Spatially extended polymerization of C60 clusters induced by localized current injection from scanning tunneling microscope tips

Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Koji Maeda

Molecular Crystals and Liquid Crystals Science and Technology Section A: Molecular Crystals and Liquid Crystals　Vol. 386　No. 1　p. 135-138　2002年　研究論文（国際会議プロシーディングス）
Chlorine atom diffusion on Si(111)-(7 x 7) surface enhanced by hole injection from scanning tunneling microscope tips

Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

SURFACE SCIENCE　Vol. 497　No. 1-3　p. 166-170　2002年1月　研究論文（学術雑誌）
Diffusion of chlorine atoms on Si(111)-(7x7) surface enhanced by electron injection from scanning tunneling microscope tips

Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

SURFACE SCIENCE　Vol. 487　No. 1-3　p. 127-134　2001年7月　研究論文（学術雑誌）
In situ scanning tunneling microscopic study of polymerization of C-60 clusters induced by electron injection from the probe tips

Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 77　No. 18　p. 2834-2836　2000年10月　研究論文（学術雑誌）
A reproducible method to fabricate atomically sharp tips for scanning tunneling microscopy

Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS　Vol. 70　No. 8　p. 3373-3376　1999年8月　研究論文（学術雑誌）
塩素吸着シリコン表面のレーザー励起エッチング

前田康二, 天清宗山, 中村芳明, 目良裕

表面科学　Vol. 20　No. 6　p. 393-400　1999年6月
出版者・発行元：The Surface Science Society of Japan

MISC 121

秩序-秩序転移を用いた有機系熱スイッチ材料におけるスイッチング温度制御

石部貴史, 金子達哉, 赤羽英夫, 小村元憲, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 70th　2023年
合金ナノ結晶導入による高性能SiGe熱電材料の開発

堀田亮輔, 水田光星, 石部貴史, 藤田武志, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 83rd　2022年
温度勾配下の熱電材料における局所電位変化の直接測定

小松原祐樹, 宮戸祐治, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 82nd　2021年
高熱電出力因子に向けたε-CoSi薄膜/Siにおける電子輸送機構

石部貴史, 上松悠人, 竹中良介, 鈴木雄大, 佐藤和則, 藤田武志, 小林英一, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 68th　2021年
特異構造を用いたフォノン輸送制御と熱電応用

中村芳明, 藤田武志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 67th　2020年
Si基板上B20型CoSi薄膜の電子状態と熱電特性の関係

石部貴史, 雛川貴弘, 坂根駿也, 佐藤和則, 小林英一, 藤田武志, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 67th　2020年
熱電ホイスラー合金Fe₂TiSiエピタキシャル薄膜の電気・熱電特性

工藤康平, 嶋貫雄太, 石部貴史, 真砂啓, 山田晋也, 山田晋也, 中村芳明, 浜屋宏平, 浜屋宏平

日本金属学会講演大会(Web)　Vol. 166th　2020年
熱電性能向上を目指した特異構造による熱・フォノン輸送制御

中村芳明, 藤田武志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 81st　2020年
熱起電力顕微鏡法により検出したZnO薄膜の微視的熱電物性

小松原祐樹, 宮戸祐治, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 67th　2020年
Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因

谷口達彦, 石部貴史, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 67th　2020年
AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスによる出力因子増大

上松悠人, 谷口達彦, 細田凌矢, 石部貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 67th　2020年
エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明

谷口達彦, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 81st　2020年
SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大

坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 池内賢朗, 鎌倉良成, 森伸也, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 66th　2019年2月25日
Si基板上に形成した擬ギャップε‐CoSi薄膜の熱電性能評価

雛川貴弘, 坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 66th　2019年2月25日
局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下における熱電材料の表面電位分布測定

宮戸祐治, 小松原祐樹, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 66th　2019年
高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化

谷口達彦, 石部貴史, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 66th　2019年
独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化

谷口達彦, 寺田吏, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 80th　2019年
Si置換したFe₂VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率

工藤康平, 山田晋也, 山田晋也, 近田尋一朗, 嶋貫雄太, 石部貴史, 阿保智, 宮崎秀俊, 西野洋一, 中村芳明, 浜屋宏平, 浜屋宏平

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 66th　2019年
熱電材料Fe₂TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長

嶋貫雄太, 工藤康平, 山田晋也, 山田晋也, 石部貴史, 中村芳明, 浜屋宏平, 浜屋宏平

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 80th　2019年
Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子

坂根駿也, 柏野真人, 渡辺健太郎, 鎌倉良成, 鎌倉良成, 森伸也, 森伸也, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 79th　2018年9月5日
低熱伝導率Fe₂VAl単結晶薄膜の形成

山田晋也, 山田晋也, 工藤康平, 奥畑亮, 近田尋一朗, 中村芳明, 浜屋宏平, 浜屋宏平

日本金属学会講演概要(CD-ROM)　Vol. 162nd　2018年
界面制御によるSi/SiGe超格子の出力因子操作

谷口達彦, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 65th　2018年
Si-rich SiGe/Si超格子における界面偏析が熱伝導率へ与える影響

谷口達彦, 成瀬延康, 山下雄一郎, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 79th　2018年
熱電応用に向けたナノドット含有階層構造によるフォノン散乱の促進

中村芳明, 谷口達彦, 寺田吏

表面と真空　Vol. 61　No. 5　2018年
組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大

谷口達彦, 奥畑亮, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 78th　2017年8月25日
ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響

坂根駿也, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 藤田武志, 藤田武志, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 78th　2017年8月25日
ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係

坂根駿也, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 藤田武志, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 64th　2017年3月1日
Si(001)基板上エピタキシャルGe薄膜の熱電特性

谷口達彦, 宮本拓, 奥畑亮, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 64th　2017年
鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上

坂根駿也, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 藤田武志, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 77th　2016年9月1日
Si(111)基板上エピタキシャルβ‐FeSi₂薄膜の熱電特性

谷口達彦, 坂根駿也, 青木俊輔, 奥畑亮, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 鈴木健之, 藤田武志, 藤田武志, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 77th　2016年9月1日
ZnOナノワイヤ埋め込み構造の形成とその熱電特性

石部貴史, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 吉川純, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 77th　2016年9月1日
エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上

山阪司祐人, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 澤野憲太郎, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 63rd　2016年
極薄Al₂O₃/SiO₂ hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 (シリコン材料・デバイス)

吉田啓資, 竹内正太郎, 中村芳明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　Vol. 115　No. 108　p. 81-86　2015年6月19日
出版者・発行元：電子情報通信学会
招待講演極薄Si酸化膜技術を用いたSi系熱電ナノ材料の開発 (シリコン材料・デバイス)

中村芳明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　Vol. 114　No. 443　p. 1-5　2015年2月5日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析

浅津宏伝, 竹内正太郎, 今西正幸, 中村芳明, 今出完, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 62nd　2015年
窒化物半導体の成長表・界面制御と転位挙動-Naフラックス成長GaN結晶を中心に-

酒井朗, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 中村芳明, 今西正幸, 今出完, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 76th　2015年
Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

渡辺健太郎, 前田佳輝, 中本悠太, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 76th　2015年
エピタキシャルFe₃O_4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性

前田佳輝, 渡辺健太郎, 中本悠太, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 76th　2015年
Si中エピタキシャルGeナノドットを用いた熱抵抗制御

山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 62nd　2015年
鉄シリサイド核/Siを用いた鉄酸化物のエピタキシャル成長

松井秀紀, 中村芳明, 中本悠太, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 62nd　2015年
エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御

山阪司祐人, 渡辺健太郎, 澤野憲太郎, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 76th　2015年
β-FeSi₂ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因

坂根駿也, 渡辺健太郎, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 76th　2015年
Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template (vol 381, pg 37, 2013)

D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 388　p. 150-150　2014年2月　その他
Al₂O₃挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価

吉田啓資, 中村芳明, 竹内正太郎, 守山佳彦, 守山佳彦, 手塚勉, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 61st　2014年
極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe₃O₄ナノドットの抵抗スイッチング特性

松井秀紀, 中村芳明, 中村芳明, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 61st　2014年
Naフラックス結合成長法における成長ハビットと転位挙動の関係

今西正幸, 村上航介, 今林弘毅, 高澤秀生, 松尾大輔, 轟夕摩, 丸山美帆子, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 今出完, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 61st　2014年
エピタキシャルSiナノドット積層構造へのドーピング技術開発とその熱電特性

上田智広, 中村芳明, 中村芳明, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 61st　2014年
エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価

山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 61st　2014年
Ge-nMOSFET向けn⁺-Ge/n⁺-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減

守山佳彦, 守山佳彦, 上牟田雄一, 鎌田善己, 池田圭司, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 手塚勉

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 61st　2014年
窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価-マルチスケール評価へのアプローチ-

酒井朗, 竹内正太郎, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 75th　2014年
Si基板上エピタキシャルFe₃O_4-δナノドットの抵抗変化特性とそのアニール処理依存性

松井秀紀, 中村芳明, 中村芳明, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 75th　2014年
Siウェーハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響

須藤治生, 荒木浩司, 日高洋美, 荒木延恵, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 泉妻宏治

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 75th　2014年
エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性

山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 鶴崎晋也, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 75th　2014年
周期溝加工(22-43)サファイア基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析

荒内琢士, 竹内正太郎, 橋本健宏, 中村芳明, 今井康彦, 山根啓輔, 山根啓輔, 岡田成仁, 木村滋, 只友一行, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 75th　2014年
X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

内山星郎, 竹内正太郎, 荒内琢士, 橋本健宏, 中村芳明, 山根啓輔, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 75th　2014年
Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定 (シリコン材料・デバイス)

石部貴史, 中村芳明, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　Vol. 113　No. 87　p. 51-55　2013年6月18日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
X線マイクロ回折による周期溝加工SiC基板上に成長したAlN厚膜の結晶性評価

中村邦彦, KHAN Dinh Thanh, 荒内琢士, 竹内正太郎, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 60th　2013年
Siウェーハの曲げ強度に対する表層酸素濃度の影響

須藤治生, 青木竜彦, 荒木浩司, 日高洋美, 荒木延恵, 中村芳明, 酒井朗, 泉妻宏治

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 60th　2013年
表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動

浅津宏伝, 竹内正太郎, 山内宏哉, 須藤治生, 荒木浩司, 中村芳明, 中村芳明, 泉妻宏治, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 60th　2013年
Si系熱電材料におけるエピタキシャルナノドット散乱体の形成とその熱伝導率評価

山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 60th　2013年
エピタキシャルβ-FeSi₂ナノドット積層構造の形成とその熱電特性

五十川雅之, 中村芳明, 中村芳明, 吉川純, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 60th　2013年
Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 74th　2013年
X線回折による三角周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャルAlN厚膜の結晶構造解析

荒内琢士, 竹内正太郎, 中村邦彦, KHAN Dinh Thanh, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 74th　2013年
エピタキシャル成長n⁺-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減

守山佳彦, 守山佳彦, 上牟田雄一, 鎌田善己, 池田圭司, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 手塚勉

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 74th　2013年
薄膜Al₂O₃/SiO₂BOX層を有するUTB-GeOI基板作製

守山佳彦, 守山佳彦, 池田圭司, 竹内正太郎, 上牟田雄一, 中村芳明, 酒井朗, 泉妻宏治, 手塚勉

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 74th　2013年
X線マイクロ回折によるAlN厚膜中の局所歪分布解析

酒井朗, KHAN Dinh Thanh, 竹内正太郎, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　Vol. 43rd　2013年
貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価

淺田遼太, Son Pham Phu Than, Vasant Kokate Nishad, 吉川純, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　Vol. 112　No. 92　p. 7-12　2012年6月14日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
半導体材料局所領域における微細構造・歪のX線マイクロ回折評価

酒井朗, 吉川純, 中村芳明, 今井康彦, 坂田修身, 木村滋

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 59th　2012年
X線マイクロ回折法によるGaN自立基板の結晶性評価

原田進司, 渡邉翔大, DINH K.T., 吉川純, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身, 酒井朗

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 59th　2012年
ナノコンタクトエピタキシーによるSi(111)基板上Ge薄膜の形成と発光特性

田中一樹, 中村芳明, 中村芳明, 五十川雅之, 吉川純, 酒井朗

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 59th　2012年
Ge核制御を施したSi基板上超高密度鉄系ナノドットの形成

杉元亮太, 中村芳明, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 59th　2012年
周期溝構造AlN層/サファイア基板上に形成されたAlN厚膜中の転位構造解析

岡本祥吾, 吉川純, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和正, 酒井朗

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 59th　2012年
Si基板上エピタキシャルβ-FeSi₂ナノドットの積層技術開発

五十川雅之, 中村芳明, 中村芳明, 吉川純, 竹内正太郎, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 73rd　2012年
薄膜Al₂O₃/SiO₂BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の作製

守山佳彦, 守山佳彦, 池田圭司, 上牟田雄一, 入沢寿史, 小田穣, 中村芳明, 酒井朗, 手塚勉

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 73rd　2012年
Si基板上のエピタキシャルSiナノドット積層構造の形成と熱伝導率評価

上田智広, 中村芳明, 中村芳明, 五十川雅之, 吉川純, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 73rd　2012年
ツイスト接合バイクリスタルSrTiO₃(001)基板の抵抗スイッチング特性評価

浅田遼太, SON Pham Phu Than, VASANT Kokate Nishad, 吉川純, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 73rd　2012年
X線マイクロ回折によるFACELO成長GaN膜の結晶性評価

中村邦彦, 原田進司, KHAN Dinh Thanh, 吉川純, 竹内正太郎, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 73rd　2012年
Evaluation of electrical property at SrTiO3 bicrystal interface by EBIC (シリコン材料・デバイス)

Kato Tetsuji, Pham Son Phu Thanh, Nakamura Yoshiaki, KIKKAWA Jun, SAKAI Akira

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　Vol. 111　No. 114　p. 93-96　2011年6月27日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
フォーミング過程に起因するSrTiO₃バイクリスタル接合界面のEBICコントラスト変化

加藤哲司, SON Pham Phu Thanh, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 58th　2011年
貼り合わせGOI基板における電気特性の熱処理雰囲気依存性

山阪司祐人, 南圭祐, 中村芳明, 吉武修, 吉川純, 泉妻宏治, 酒井朗

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 58th　2011年
X線マイクロ回折を用いたGaN自立基板の格子面傾斜ゆらぎの解析

渡邉翔大, 原田進司, KHAN D. T., 吉川純, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身, 酒井朗

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 58th　2011年
貼り合わせGeOI基板における界面近傍欠陥密度の熱処理依存性

山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 南圭祐, 吉武修, 吉川純, 泉妻宏治, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 72nd　2011年
極薄Si酸化膜を用いてナノ界面制御したSi基板上超高密度鉄酸化物ナノドットの形成

浜中啓伸, 中村芳明, 中村芳明, 杉元亮太, 吉川純, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 72nd　2011年
アセチルアセトナート錯体を用いた酸化バナジウム・ナノワイヤの成長

石部貴史, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 72nd　2011年
四探針型pseudo-MOSトランジスタ法を用いた貼り合せGOI基板の電気特性評価

岩崎裕司, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗, 佐藤元樹, 豊田英二, 磯貝宏道, 泉妻宏治

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 57th　2010年
Si基板上に選択エピタキシャル成長したGe細線の歪緩和過程

海老原洪平, 原田進司, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, WANG Gang, CAYMAX Matty, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 57th　2010年
貼り合せGOI基板におけるGe/SiO₂界面構造の熱処理依存性

吉武修, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 豊田英二, 磯貝宏道, 泉妻宏治

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 57th　2010年
Si(110)表面構造のオフ角依存性

山下鎮, 山本昌, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗, 豊田英二, 佐藤元樹, 磯貝宏道, 泉妻宏治

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 57th　2010年
極薄Si酸化膜を用いたSi(111)基板上超高密度鉄系ナノドットの形成

浜中啓伸, 中村芳明, 田中一樹, 吉川純, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 71st　2010年
スピンMOSFET用Fe₃Si/SOI(111)高品質接合の作製

馬場雄三, 村上達彦, 橋本直樹, 安藤裕一郎, 浜屋宏平, 浜屋宏平, 吉川純, 中村芳明, 豊田英二, 泉妻宏治, 酒井朗, 宮尾正信

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 71st　2010年
四探針型Pseudo-MOSトランジスタ法を用いた貼り合せGermanium(111)-on-Insulator基板の電気特性評価

南圭祐, 中村芳明, 吉川純, 豊田英二, 泉妻宏治, 浜屋宏平, 宮尾正信, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 71st　2010年
Si基板上サブミクロン領域にエピタキシャル成長したGe薄膜の転位構造

原田進司, 海老原洪平, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, WANG Gang, CAYMAX Matty

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 71st　2010年
刃状転位ネットワークの選択エッチングによるSiGeナノドット二次元配列構造の形成

中村芳明, 高橋雅彦, 吉川純, 中塚理, 財満鎭明, 酒井朗

表面科学学術講演会講演要旨集　Vol. 30th　2010年
Direct Si Bonding基板の接合界面酸化膜消滅過程における結晶性変化

加藤哲司, 大原悠司, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 中塚理, 財満鎭明, 豊田英二, 泉妻宏治, 木村滋, 坂田修身

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　Vol. 56th　No. 1　2009年
Si(001)基板上に選択エピタキシャル成長したGe薄膜における格子欠陥の構造特性

海老原洪平, 山下鎮, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, WANG Gang, CAYMAX Matty

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　Vol. 56th　No. 1　2009年
刃状転位ネットワークを用いたエピタキシャルナノドットの自己組織化配列

高橋雅彦, 藤原達記, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 70th　No. 2　2009年
Si(001)基板上に選択エピタキシャル成長したGe薄膜における歪緩和過程

海老原洪平, 山下鎮, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, WANG Gang, CAYMAX Matty, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 70th　No. 1　2009年
貼り合わせGOI基板のGe/SiO₂接合界面の構造評価

吉武修, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 豊田英二, 磯貝宏道, 泉妻宏治

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 70th　No. 1　2009年
Si(011)基板表面平坦性のオフ角依存性

豊田英二, 磯貝宏道, 佐藤元樹, 泉妻宏治, 山下鎮, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 70th　No. 1　2009年
Si(110)オフ基板の表面構造解析

山下鎮, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗, 豊田英二, 佐藤元樹, 磯貝宏道, 泉妻宏治

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 70th　No. 1　2009年
21pXK-7 STM光吸収分光法におけるサブギャップ光吸収信号の起源(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)

成瀬延康, 目良裕, 中村芳明, 市川昌和, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 62　No. 2　p. 916-916　2007年8月21日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
19aWH-5 Si上のβ-FeSi_2ドットのSTM電場変調ナノ分光測定(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)

成瀬延康, 目良裕, 中村芳明, 市川昌和, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 62　No. 1　p. 887-887　2007年2月28日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
26aYC-3 STM探針からの正孔注入によるフラーレンの重合・解離反応とその機構(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

目良裕, 吉野学, 最首克也, 中村芳明, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 61　No. 2　p. 766-766　2006年8月18日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
Fourier transform photo-absorption spectroscopy by detecting scanning tunneling microscope current

N. Naruse, Y. Mera, Y. Nakamura, M. Ichikawa, K. Maeda

The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy　2006年　研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
20aYE-2 酸化Si表面上Geナノドットの量子サイズ効果の直接観測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))

松田巌, Konchenko Alexander, 中村芳明, 中山泰生, 長谷川修司, 市川昌和

日本物理学会講演概要集　Vol. 60　No. 2　p. 741-741　2005年8月19日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
19pXF-5 STMプローブ励起C_<60>重合・解離反応におけるクラスタ間距離効果の機構(微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))

中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 60　No. 2　p. 731-731　2005年8月19日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
極薄GeO_x膜上の超高密度Geナノドットの作成

中村芳明, 長冨靖, 杉江薫, 宮田典幸, 市川昌和

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 64th　No. 2　2003年8月30日
21aYD-4 STM 金属探針直下における光電場増強効果の実測

小林昌弘, 目良裕, 中村芳明, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 58　No. 2　p. 802-802　2003年8月15日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
28aWD-8 Si(111) 表面における STM からの電子注入と量子拡散

水本義彦, 萱沼洋輔, 中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 58　No. 1　p. 833-833　2003年3月6日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
6aSP-9 Si(111)-7×7表面上における光誘起塩素原子拡散のSTM直接観察(表面界面ダイナミクス,領域9)

矢島理子, 中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 57　No. 2　p. 736-736　2002年8月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
6pSE-13 STM プローブ励起によって誘起されるC_<60>2量体の解離(フラーレン,領域7)

中村芳明, 賀川史敬, 河西宏一, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 57　No. 2　p. 688-688　2002年8月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
19aTG-3 イオン堆積アモルファスカーボン膜のSTM探針によるナノ構造変化

布施琢也, 目良裕, 中村芳明, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 56　No. 2　p. 807-807　2001年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
19aTG-2 STM探針により誘起されるグラファイト結晶中の照射欠陥の構造変化

外村修, 名倉孝行, 目良裕, 飛田聡, 中村芳明, 目黒多加志, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 56　No. 2　p. 806-806　2001年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
17aTJ-5 C_<60>クラスタ重合のSTM直接観察

中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 56　No. 2　p. 673-673　2001年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
25pTA-8 プローブ励起によって誘起されるSi表面上Cl原子拡散の広がり効果の解釈

中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 55　No. 2　p. 799-799　2000年9月10日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
25aT-2 STMプローブ励起によるC_<60>クラスター重合

中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 55　No. 1　p. 801-801　2000年3月10日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
25aT-6 STMプローブによる電子引き抜きが誘起するSi(111)-(7×7)表面上のCl原子移動

中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 55　No. 1　p. 802-802　2000年3月10日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
24pW-11 Si表面上Cl拡散を誘起するSTM探針注入電流の空間的広がり

中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 54　No. 2　p. 789-789　1999年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
28p-Q-5 STMプローブにより誘起されるSi表面上のCl原子移動

中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 54　No. 1　p. 302-302　1999年3月15日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
塩素吸着シリコン表面のレーザー励起エッチング

前田康二, 天清宗山, 中村芳明, 目良裕

表面科学　Vol. 20, 6, 393-400.　No. 6　p. 393-400　1999年
出版者・発行元：The Surface Science Society of Japan
25a-YM-12 STM探針からキャリア注入したC1吸着Si表面のその場観察

中村芳明, 目良裕, 前田康二

日本物理学会講演概要集　Vol. 53　No. 2　p. 357-357　1998年9月5日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

著書 7

季刊学際技術誌『生産と技術』

2021年9月
クリーンエネルギー 2021年7月号

2021年7月
次世代自動車の熱マネジメント

技術情報協会

技術情報協会　2020年12月

ISBN: 9784861048197
サーマルデバイス新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用

中村芳明

NTS　2019年4月　一般書・啓蒙書

ISBN: 4860436024
フォノンエンジニアリング～マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術～

塩見淳一郎

(株）エヌ・ティー・エス　2017年9月　学術書

ISBN: 9784860435097
シリサイド系半導体ナノ構造 (3.7節)

中村芳明

裳華房　2014年9月　学術書

ISBN: 9784785329204
Formation of Ultrahigh Density Quantum Dots Epitaxially Grown on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique, STATE-OF-THE-ART OF QUANTUM DOT SYSTEM FABRICATIONS, CAPTER 6, jointly worked

Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

INTECH　2012年6月　学術書

ISBN: 9789535106494

講演・口頭発表等 272

Epitaxial growth of Ca(Ge1−xSnx)2 crystal on Si substrate and its electrical properties

第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年7月19日
Formation of strain- and composition-controlled epitaxial GeSn films/Si and their thermoelectric properties

石部貴史, 成瀬延康, 目良裕, 山下雄一郎, 中村芳明

第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年7月19日
Design of nanomaterials and nanostructure for thin film thermoelectric generator

Yoshiaki Nakamura

2025年7月12日
Thermoelectric performance enhancement of transparent SnO2 film by domain engineering and O2- anion manipulation

第72回応用物理学会春季学術講演会
Enhancement of transverse Seebeck coefficient of epitaxial Fe3Si film/Si by controlling structural factors

第72回応用物理学会春季学術講演会
Enhancement of transverse Seebeck coefficient of epitaxial Fe3Si film /Si by controlling structural factors and composition

第9回フォノンエンジニアリング研究会　2025年5月18日
Nanomaterial and nanostructure physics for thermoelectric performance enhancement

Yoshiaki Nakamura

TMS 2025
エピタキシャルSnO2薄膜/r-Al2O3における選択的酸素空孔制御による熱電性能向上

石部貴史, 成瀬延康, 目良裕, 中村芳明

第72回応用物理学会春季学術講演会
ナノ構造界面制御したZnO薄膜の出力因子増大機構の解明

小松原祐樹, 石部貴史, 成瀬延康, 佐藤和則, 小林英一, 中村芳明

第72回応用物理学会春季学術講演会
O2-アニオンを選択的変位したエピタキシャルSnO2薄膜/r-Al2O3における熱伝導率低減

石部貴史, 成瀬延康, 目良裕, 山下雄一郎, 中村芳明

第72回応用物理学会春季学術講演会
2次元電子ガス積層構造を用いた熱伝導率低減とデバイス出力向上

吉崎高士, 上松悠人, 石部貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 山下雄一郎, 上沼睦典, 中村芳明

第72回応用物理学会春季学術講演会
電子状態制御したZnO薄膜の熱電デバイス特性

小松原祐樹, 上月聖也, 石部貴史, 佐藤和則, 小林英一, 中村芳明

第72回応用物理学会春季学術講演会
Design of thermoelectric thin films with high performance based on heat management via structure control

Yoshiaki Nakamura

第72回応用物理学会春季学術講演会
Si基板上エピタキシャルFe3Al系薄膜の形成方法の開発と横ゼーベック係数の評価

爲本敦裕, 北浦怜旺奈, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会　2024年11月6日
エピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜の熱電特性

柴垣新, 平田悠海, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会　2024年11月6日
雰囲気制御下における酸化グラフェンのゼーベック効果

山本敦大, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会　2024年11月6日
エピタキシャルZnOナノワイヤを含有するAl doped ZnO透明薄膜における出力因子向上

小松原祐樹, 石部貴史, 成瀬延康, 中村芳明

第21回日本熱電学会学術講演会（TSJ2024）
高熱電性能化をもたらす低次元構造の物理学

中村芳明

第21回日本熱電学会学術講演会（TSJ2024）　2024年9月24日
基板面方位制御によるZnO薄膜の熱電特性操作

小松原祐樹, 石部貴史, 成瀬延康, 中村芳明

第85回応用物理学会秋季学術講演会
Stranski-Krastanov成長を用いて形成したエピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜における熱電特性

柴垣新, 平田悠海, 石部貴史, 中村芳明

第85回応用物理学会秋季学術講演会
特異なバンド構造を有するエピタキシャルB20-CoSi薄膜 /Siの熱電特性

石部貴史, 佐藤和則, 山下雄一郎, 中村芳明

第85回応用物理学会秋季学術講演会
Si基板上B20-CoSi薄膜のエピタキシャル成長法の開発

石部貴史, 佐藤和則, 山下雄一郎, 中村芳明

第85回応用物理学会秋季学術講演会
歪・欠陥制御したZnO薄膜/r-Al2O3のゼーベック係数増大

小松原祐樹, 石部貴史, 佐藤和則, 中村芳明

第85回応用物理学会秋季学術講演会
Physics in quasi-low dimensional structures and materials for innovative thermoelectric performance

Yoshiaki Nakamura

India-Japan Bilateral Sakura-Science Lecture　2024年8月2日
Epitaxial growth of Quasi-low dimensional materials for novel thermoelectric films

Yoshiaki Nakamura

2024年5月30日
二次元電子ガスにおけるサブバンド数が熱電出力因子に与える影響

上松悠人, 石部貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村芳明

第71回応用物理学会春季学術講演会
非熱平衡状態におけるナノコンポジット薄膜の局所電位分布測定

小松原祐樹, 石部貴史, 宮戸祐治, 中村芳明

第71回応用物理学会春季学術講演会
エピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱伝導率とフォノン輸送機構

石部貴史, 成瀬延康, 目良裕, 山下雄一郎, 大石佑治, 中村芳明

第71回応用物理学会春季学術講演会
Nanomaterial desigh and fabrication for thermoelectric performance enhancement

Yoshiaki Nakamura
Si系ナノドット含有エピタキシャルGe薄膜のナノドットサイズと熱伝導率の関係

平田悠海, 堀田亮輔, 石部貴史, 中村芳明

第44回日本熱物性シンポジウム
エピタキシャルCaSi2薄膜/Siにおける構造と熱電特性の関係

吉崎高士, 小島幹央, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2023年度第2回講演会　2023年11月2日
自立型IoTセンサ電源応用に向けたエピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱電特性

上月聖也, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2023年度第2回講演会　2023年11月2日
High thermoelectric properties in epitaxial GeTe thin film by defect control

Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023
Epitaxial growth of CaSi2 thick film on Si substrate and its thermoelectric properties

Takashi Yoshizaki, Mikio Kojima, Takafumi Ishibe
制御形成による熱電特性の解明と操作

中村芳明

制御形成による熱電特性の解明と操作、室温近傍での使用を目指す鉄基ハーフホイスラー合金に関する研究会　2023年10月25日
AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける多数サブバンドによる熱電出力因子向上

上松悠人, 石部貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村芳明

第20回日本熱電学会学術講演会
電子状態制御したZnOナノワイヤ含有薄膜の高移動度化とデバイス応用

上月聖也, 小松原祐樹, 石部貴史, 中村芳明, 岩本耕典, 上沼睦典, 浦岡行治

日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム
エピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜/Siによる熱伝導率の低減

平田悠海, 堀田亮輔, 石部貴史, 中村芳明

第84回応用物理学会秋季学術講演会
AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける熱電出力因子制御

上松悠人, 石部貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村芳明

第84回応用物理学会秋季学術講演会
巨大横ゼーベック係数獲得へ向けたエピタキシャルFe3Si薄膜/Siの組成比制御

北浦怜旺奈, 石部貴史, 水口将輝, 中村芳明

第84回応用物理学会秋季学術講演会
Ge空孔量制御したエピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱電特性

石部貴史, 成瀬延康, 目良裕, 山下雄一郎, 大石佑治, 中村芳明

第84回応用物理学会秋季学術講演会
層状物質GeHの面直方向熱伝導率評価

上松悠人, 石部貴史, 中村芳明

第7回フォノンエンジニアリング研究会
シリコン系材料を舞台としたナノ構造制御による熱電性能向上戦略

中村芳明

第28回研究会「シリコンおよびケイ化物系熱電変換材料研究の最前線と新展開」　2023年7月23日
ナノ結晶成長技術の薄膜熱電材料への応用

中村芳明

第２０回シリサイド系半導体・夏の学校　2023年7月22日
Heat conduction control using well-organized nanostructures

Yoshiaki Nakamura

10th US-Japan Joint Seminar on Nanoscale Transport Phenomena
Si基板上エピタキシャルn-GeSnの作製とその熱電特性

堀田亮輔, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2023年度第一回講演会　2023年6月5日
一次元 Si 原子鎖を内包する薄膜熱電材料の開発

南鼓太郎, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2023年度第一回講演会　2023年6月5日
エピタキシャルZnO薄膜/Al2O3の歪制御によるゼーベック係数増大

小松原祐樹, 石部貴史, 大江純一郎, 中村芳明

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
秩序-秩序転移を用いた有機系熱スイッチ材料におけるスイッチング温度制御

石部貴史, 金子達哉, 赤羽英夫, 小村元憲, 中村芳明

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
熱電発電応用に向けたエピタキシャルGeH薄膜/Geの作製と伝熱特性

上松悠人, 寺田吏, 佐藤健人, 石部貴史, 中村芳明

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
Simultaneous control of carrier and phonon transports in nanostructured thermoelectric films with the controlled interfaces

Takafumi Ishibe

2023年2月26日
Atomically-Controlled Nanomaterials for Thermoelectric Performance Enhancement

Yoshiaki Nakamura, Takafumi Ishibe

ICACC-FS2-009-2023, ’47 th International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites’
極小熱伝導率を有するGeナノドット含有Si系薄膜におけるフォノン輸送機構の解明

堀田亮輔, 谷口達彦, 石部貴史, 中村芳明

第5回結晶工学×ISYSE 合同研究会　2022年11月18日
エピタキシャル ZnO 薄膜における結晶ドメイン界面品質が熱電特性に及ぼす影響

小松原祐樹, 上月聖也, 石部貴史, 中村芳明

第5回結晶工学×ISYSE合同研究会　2022年11月18日
構造制御によるフォノン・電子操作とシリコン系熱電材料の高性能化

中村芳明

第４２回電子材料研究討論会（公社）日本セラミックス協会電子材料部会主催　2022年11月10日
界面熱抵抗低減に向けた界面熱輸送機構の理解

石部貴史, 吉矢真人, 中嶋聖介, 石田明広, 中村芳明

第43回日本熱物性シンポジウム　2022年10月25日
Si 電気二重層トランジスタにおけるキャリア注入量改善とその熱電特性

入江航平, 石部貴史, 中村芳明

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
Al doped ZnO 透明薄膜/Al2O3 のゼーベック係数増大とその機構

小松原祐樹, 石部貴史, 大江純一郎, 中村芳明

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
Si基板上エピタキシャルBaSi2薄膜における欠陥導入による低熱伝導率化

石部貴史, 谷内卓, 山下雄大, 佐藤拓磨, 末益崇, 中村芳明

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
合金ナノ結晶導入による高性能SiGe熱電材料の開発

堀田亮輔, 水田光星, 石部貴史, 藤田武志, 中村芳明

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
半導体/強磁性体積層構造における界面導入と周期長制御による横ゼーベック係数の増大

北浦怜旺奈, 石部貴史, 水口将輝, 中村芳明

第46回日本磁気学会学術講演会 (MSJ2022)
熱電応用に向けたナノ構造による熱流制御

中村芳明

R025 先進薄膜界面機能創成委員会・第10回研究会「フォノンエンジニアリング」　2022年8月10日
PEDOT:PSS に導入した Cu2Seナノワイヤの熱電出力因子に与える影響

坂根駿也, 三輪俊一朗, 石部貴史, 中村芳明, 田中秀樹

第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）
結晶成長方位制御により高性能化したAl doped ZnO/Al2O3の作製

小松原祐樹, 石部貴史, 中村芳明

第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）
Co/Si 積層構造における横ゼーベック係数増大機構解明に向けた界面電子輸送解析

北浦怜旺奈, 石部貴史, Sharma Himanshu, 水口将輝, 中村芳明

第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）
Co導入による SiGeバルク材料の熱電性能向上

堀田亮輔, 水田光星, 石部貴史, 藤田武志, 中村芳明

第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）
ナノ構造制御を用いたユビキタス元素熱電材料における性能向上

中村芳明

学振R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会第7回研究会「グリーン・サステナブルエレクトロニクスにおける材料技術」　2022年8月3日
Methodology of thermoelectric performance enhancement using low dimensional materials of Group IV element

中村芳明

JST未来社会森第12回コロキウム　2022年5月25日
(Invited) Nanostructure design for thermoelectrics

Yoshiaki Nakamura

ASCO-NANOMAT 2022　2022年4月28日
アモルファス GeS/単結晶 PbTe 界面における熱輸送機構

石部貴史, 吉矢真人, 中嶋聖介, 石田明広, 中村芳明

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
エピタキシャルCaSi2薄膜中のシリセンバックリング構造変形による熱電出力因子増大

寺田吏, 上松悠人, 石部貴史, 成瀬延康, Nguyen Tien Quang, 佐藤和則, 中村芳明

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
バルクCaSi2への準安定相導入による熱電出力因子増大

寺田吏, 石部貴史, Nguyen Tien Quang, 佐藤和則, 中村芳明

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
極小熱伝導率を有する単結晶ゲルマナン薄膜の創製

上松悠人, 寺田吏, 石部貴史, 中村芳明

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
熱電材料におけるゼーベック効果を含んだ局所電位変化の直接測定

小松原祐樹, 宮戸祐治, 石部貴史, 中村芳明

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
半導体/強磁性金属積層構造における横ゼーベック係数増大とその機構

北浦怜旺奈, 石部貴史, Himanshu Sharma, 水口将輝, 中村芳明

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
Caインターカレーションを用いたバックリング構造変調シリセンの創製とその熱電特性

小島幹央, 寺田吏, 石部貴史, 成瀬延康, 小林英一, 中村芳明

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
アモルファスZnSnO薄膜の作製とその熱電特性

南鼓太郎, 小松原祐樹, 石部貴史, 中村芳明

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
ナノワイヤ界面制御による熱電出力因子増大方法論

石部貴史, 留田純希, 渡辺健太郎, 鎌倉良成, 森伸也, 成瀬延康, 目良裕, 山下雄一郎, 中村芳明

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月
ナノ構造を用いた熱電性能向上の方法論

中村芳明

2021ナノ理工学セミナーナノサイエンスを支える先進技術　2021年10月25日
ナノ構造を用いた熱流制御に基づく熱電変換性能向上の方法論とSiGe材料への応用～3物性のトレードオフの関係を最適化する方法論～

中村芳明

進展する熱電変換材料技術の最先端と応用展望セミナー　2021年6月25日
(Invited) Phonon Transport Physics in Well-Controlled Various Nanomaterials

Yoshiaki Nakamura

2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit　2021年4月20日
高熱電出力因子に向けたe-CoSi 薄膜/Si における電子輸送機構

石部貴史, 上松悠人, 竹中良介, 鈴木雄大, 佐藤和則, 藤田武志, 小林英一, 中村芳明

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月
歪・組成制御エピタキシャルSiGe薄膜の熱電性能

谷口達彦, 石部貴史, 我妻勇哉, 澤野憲太郎, 山下雄一郎, 中村芳明

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月
極小エピタキシャルGeナノドット含有薄膜における熱伝導機構

寺田吏, 谷口達彦, 石部貴史, 鴻池健人, 真田篤志, 成瀬延康, 目良裕, 中村芳明

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月
カルコゲナイドにおける界面モデリングとフォノン状態解析

日野雄太, 藤井進, 吉矢真人, 石部貴史, 中村芳明

2021年材料物性工学談話会　2021年2月3日
半導体ナノ構造の熱電特性

中村芳明

応用物理学会東海支部55周年記念講演 ― 東海ニューフロンティアリサーチワークショップ ―
カルコゲナイド異相界面におけるフォノン伝導機構

日野雄太, 関本渉, 藤井進, 吉矢真人, 石部貴史, 中村芳明

第30回日本MRS年次大会　2020年12月
界面制御したSiGe/Si超格子薄膜における電子・フォノン輸送

石部貴史

第４回フォノンエンジニアリング研究会　2020年12月10日
界面エネルギー障壁制御による透明ZnO/MgZnO超格子薄膜の出力因子増大

小松原祐樹, 片山虎之介, 石部貴史, 中村芳明

第17回日本熱電学会学術講演会（TSJ2020）　2020年9月
フェルミレベル制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化

寺田吏, 上松悠人, 石部貴史, 小林英一, 中村芳明

第17回日本熱電学会学術講演会（TSJ2020）　2020年9月
サーマルマネージメント出力因子増大機構解明に向けたCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の熱電特性評価

水田光星, 細田凌矢, 石部貴史, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 中村芳明

第17回日本熱電学会学術講演会（TSJ2020）　2020年9月
擬ギャップを持つ反強磁性X相Cr3Al薄膜の支配的キャリアの評価

豊木研太郎, 林正之, 濱口峻祐, 白土優, 中谷亮一, 石部貴史, 中村芳明

2020年第167回日本金属学会春季講演大会　2020年9月
エピタキシャルゲルマナン薄膜の作製とその熱伝導率測定

上松悠人, 寺田吏, 石部貴史, 中村芳明

2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月
熱電出力因子増大に向けたエピタキシャルCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の開発

細田凌矢, 水田光星, 石部貴史, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 中村芳明

2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月
半導体/強磁性金属積層構造における異常ネルンスト係数の増大

北浦怜旺奈, 石部貴史, Himanshu Sharma, 水口将輝, 中村芳明

2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月
エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明

谷口達彦, 石部貴史, 中村芳明

2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月
鉄シリサイドナノドット含有Fe3O4薄膜メモリにおける局所電界増強による抵抗変化比増大

石部貴史, 成瀬延康, 目良裕, 中村芳明

2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月
界面制御した透明ZnO薄膜における熱電出力因子増大

石部貴史

第81回応用物理学会秋季学術講演会
熱電性能向上を目指した特異構造による熱・フォノン輸送制御熱電性能向上を目指した特異構造による熱・フォノン輸送制御

中村芳明

第81回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学～実験と理論の協奏的アプローチ：物性解明と制御～」　2020年9月
AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大

上松悠人, 谷口達彦, 細田凌矢, 石部貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村芳明

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月
Ca/Si界面反応制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化

寺田吏, 上松悠人, 石部貴史, 小林英一, 山下雄一郎, 中村芳明

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月
Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因

谷口達彦, 石部貴史, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 中村芳明

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月
ナノ構造化Si薄膜における構造制御による高熱電性能化

坂根駿也, 石部貴史, 成瀬延康, 目良裕, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 中村芳明

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
Si基板上B20型CoSi薄膜の電子状態と熱電特性の関係

石部貴史, 雛川貴弘, 坂根駿也, 佐藤和則, 小林英一, 藤田武志, 中村芳明

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月
熱起電力顕微鏡法により検出したZnO薄膜の微視的熱電物性

小松原祐樹, 宮戸祐治, 石部貴史, 中村芳明

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月
特異構造を用いたフォノン輸送制御と熱電応用

中村芳明

第67回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学～実験と理論の接点を探る：物性解明と制御～」
反強磁性半金属X相Cr3Al薄膜の電気特性およびSeebeck係数の温度依存性

豊木研太郎, 林正之, 濱口峻佑, 白土優, 中谷亮一, 石部貴史, 中村芳明

2020年第166回日本金属学会春季講演大会　2020年3月
熱電ホイスラー合金Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の電気・熱電特性

工藤康平, 嶋貫雄太, 石部貴史, 真砂啓, 山田晋也, 中村芳明, 浜屋宏平

2020年第166回日本金属学会春季講演大会　2020年3月
環境調和型フレキシブル熱電材料の開発

塩田拓哉, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2019年度第3回講演会　2020年2月21日
IoT 活用を目指した低温熱電発電用ナノ材料の創製

中村芳明

応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催 2019年度薄膜・表面物理研究会
ユビキタス元素熱電材料実現に向けたナノ構造制御

中村芳明

2019年日本表面真空学会中部支部研究会「ナノ結晶成長・評価・応用の研究最前線」　2019年11月23日
Nanostructure thermoelectrics

Yoshiaki Nakamura

IEEE IMFEDK 2019, 17th Meeting　2019年11月14日
IoTセンサ電源応用に向けたSi基板上CaSi2熱電薄膜

寺田吏, 上松悠人, 石部貴史, 山下雄一郎, 中村芳明

応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会　2019年11月8日
2次元電子ガス系AlGaAs/GaAsの熱電性能評価

上松悠人, 谷口達彦, 細田凌矢, 石部貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村芳明

応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会　2019年11月8日
ナノシリンダブロックコポリマー薄膜における熱伝導率スイッチングの発現

金子達哉, 石部貴史, 彌田智一, 中村芳明

応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会　2019年11月8日
熱起電力顕微鏡の開発

小松原祐樹, 宮戸祐治, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会　2019年11月8日
第一原理格子動力学法による積層カルコゲナイドのフォノン状態

日野雄太, 渡辺直樹, 藤井進, 吉矢真人, 石部貴史, 中村芳明

第29回日本MRS年次大会　2019年11月
ナノスケールでのSi/SiO2界面による熱伝導率機構の解明

渡辺直樹, 船井浩平, 藤井進, 吉矢真人, 中村芳明

第29回日本MRS年次大会　2019年11月
SiGe EDLTを用いた出力因子増大の検証

細田凌矢, 谷口達彦, 石部貴史, 藤井武則, 中村芳明

第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）　2019年9月
異方的構造を有するブロックコポリマー薄膜の熱伝導率異方性評価

金子達哉, 石部貴史, 彌田智一, 中村芳明

第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）　2019年9月
二次元電子ガス系AlGaAs/GaAsにおける熱電性能の温度依存性評価

上松悠人, 谷口達彦, 細田凌矢, 石部貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村芳明

第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）　2019年9月
熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用

小松原祐樹, 宮戸祐治, 石部貴史, 中村芳明

第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）　2019年9月
ナノスケールでの異相界面における熱輸送メカニズム

渡辺直樹, 船井浩平, 藤井進, 吉矢真人, 中村芳明

第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）　2019年9月
独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化

谷口達彦, 寺田吏, 石部貴史, 中村芳明

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月
Si基板上BaSi2薄膜の低熱伝導率とその熱輸送機構

石部貴史, 谷内卓, 山下雄大, 佐藤拓磨, 末益崇, 中村芳明

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月
Ca濃度変調によるエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性操作

寺田吏, 上松悠人, 石部貴史, 小林英一, 山下雄一郎, 中村芳明

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月
欠陥制御によるナノ結晶含有Si薄膜の熱電特性改善

坂根駿也, 石部貴史, 成瀬延康, 目良裕, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 中村芳明

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月
熱電発電応用に向けたSi基板上BaSi2薄膜

石部貴史, 近田尋一郎, 谷内卓, 山下雄大, 佐藤拓磨, 末益崇, 中村芳明

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月
熱電材料Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長

嶋貫雄太, 工藤康平, 山田晋也, 石部貴史, 中村芳明, 浜屋宏平

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月
Simultaneous realization of thermoelectric power factor enhancement and thermal conductivity reduction in epitaxial Si films containing b-FeSi2 nanodots

Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Nobuya Mori, Yoshiaki Nakamura

The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-Silicide 2019)　2019年7月20日
Simultaneous realization of thermal conductivity reduction and thermoelectric power factor enhancement using ZnO nanowire interface

Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON21)　2019年7月
Power factor enhancement by introducing dopant-controlled epitaxial interfaces in transparent embedded-ZnO nanowire structure

Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

The 38th International Conference on Themoelectrics and The 4th Asian Conference on Themoelectrics (ICT/ACT2019)　2019年7月
Controlling comosition for high thermoelectric power factor in Si-rich SiGe/Si superlattices

Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura

The 38th International Conference on Themoelectrics and The 4th Asian Conference on Themoelectrics (ICT/ACT2019)　2019年7月
Thermoelectric properties of layerd CaSi2 including silicene structure

Tsukasa Terada, Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

The 38th International Conference on Themoelectrics and The 4th Asian Conference on Themoelectrics (ICT/ACT2019)　2019年7月
熱電性能向上に向けたナノ構造の設計とその作製

中村芳明

第40回排熱発電コンソーシアム　2019年6月10日
熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用

小松原祐樹, 宮戸祐治, 石部貴史, 中村芳明

応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会　2019年6月
サーマルマネージメントによるSiGe熱電材料の出力因子増大

坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 鎌倉良成, 森伸也, 中村芳明

応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会　2019年6月
Semiconductor nanostructure design for thermoelectric property control

Yoshiaki Nakamura

Nanomeeting 2019　2019年5月21日
Design of Semiconductor Nanoarchitecture for Thermoelectric Property Control

Yoshiaki Nakamura

11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2019/IC-PLANTS2019)
SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大

坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 池内賢朗, 鎌倉良成, 森伸也, 中村芳明

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月
局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下における熱電材料の表面電位分布測定

宮戸祐治, 小松原祐樹, 石部貴史, 中村芳明

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月
多層シリセン積層構造を有するエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性

寺田吏, 上松悠人, 石部貴史, 中村芳明

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月
高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化

谷口達彦, 石部貴史, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 中村芳明

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月
複雑結晶構造を有するSi基板上BaSi2薄膜の熱電性能評価

石部貴史, 近田尋一郎, 谷内卓, 山下雄大, 末益崇, 中村芳明

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月
Si基板上に形成した擬ギャップε-CoSi薄膜の熱電性能評価

雛川貴弘, 坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 中村芳明

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月
Si置換したFe2VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率

工藤康平, 山田晋也, 近田尋一朗, 嶋貫雄太, 石部貴史, 阿保智, 宮崎秀俊, 西野洋一, 中村芳明, 浜屋宏平

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月
Phonon transport confinement and carrier transport control using Si-based nanostructure interfaces

Yoshiaki Nakamura, Takafumi Ishibe

2018年12月
薄膜熱電素子開発に向けたナノ構造材料の設計と作製

中村芳明

応用物理学会応用電子物性分科会主催応用電子物性分科会研究例会熱電素子のIoT応用/新規材料開発の最前線　2018年11月21日
Modulation of c Lattice Parameter in Epitaxial FeGeg Nanocrystals on Si

Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

2018年10月
Thermoelectric Performance in Boundary-Defect-Controlled SiGe/Si superlattice

2018年10月
Resistive Switching Characteristics in Epitaxial Iron Oxide Nanocrystals / Si Substrates

Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

2018年10月21日
熱伝導率制御に向けた非整合チムニーラダー構造FeGeg /Siのエピタキシャル成長

寺田吏, 石部貴史, 渡辺健太郎, 中村芳明

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月
原子レベル制御したナノ構造界面と界面輸送

中村芳明

フォノンエンジニアリング研究会　2018年7月
ナノ構造技術を用いた物性制御と応用

中村芳明

セミナー奈良先端科学技術大学院大学　2018年3月26日
熱電デバイス応用に向けたⅣ族半導体ナノ構造における電子・フォノン輸送制御

中村芳明

2018年春季<第65回>応用物理学会結晶工学シンポジウム「ゲルマニウムの工学－電子・光・熱・スピン Ⅳ族半導体の新展開－」　2018年3月
制御したナノ構造界面導入による電子・フォノン輸送制御

中村芳明

ホイスラー化合物熱電素子材料による廃熱発電研究会　2018年2月8日
A versatile thermal conductivity measurement of free-standing nanowire array structures using embedding organic material films

Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017)　2017年12月
Monolithic thermoelectric modules fabricated on Si substrates

Kentaro Watanabe, Koudai Kaneko, Yoshiaki Nakamura

2017年12月
Thermal conductivity measurements of vertical nanowall structures using organic embedding medium

Kentaro Watanabe, Takeshi Matsumoto, Yusuke Miyazaki, Kosuke Mitarai, Ryo Okuhata, Yoshiaki Nakamura

2017年12月
Epitaxial growth of FeGeγ nanocrystals on Si substrate

Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

2017年12月
Formation control of ZnO nanowires using various seed structures

Takafumi Ishibe, Tsukasa Terada, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

2017年12月
ENHANCEMENT OF THERMOELECTRIC PROPERTIES BY EPITAXIAL NANODOTS IN Si FILMS

Shunya Sakane, Kentaro Watanabe, Takeshi Fujita, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

2017年11月
THERMOELECTRIC PERFORMANCES CONTROLLED BY NANOSCALE INTERFACES IN TRANSPARENT EMBEDDED-ZNO NANOWIRES STRUCTURE

2017年11月
Nanoprobe-CL法による半導体単結晶自立ナノワイヤの顕微物性評価

渡辺健太郎

第８回真空・表面科学若手研究会　2017年10月27日
Nanostructure Design for Control of Phonon and Electron Transports

Yoshiaki Nakamura, Kentaro Watanabe

232nd Electrochemical Society (ECS) metting　2017年10月
Nanospectroscopic investigation of individual free-standing semiconductor nanowires using nanoprobe-cathodoluminscence techniques

Kentaro Watanabe

2017年9月
フォノン・電子輸送制御を可能にするSiナノ構造設計

中村芳明

第14回日本熱電学会学術講演会(TSJ2017) シンポジウム講演「固体材料における熱伝導制御の学術フロンティア　2017年9月13日
Growth-method-dependent thermoelectric properties of epitaxial Ge/Si(001) thin films

2017年8月
Dependence of thermoelectric properties of Ga-doped ZnO films on various crystal properties

2017年8月
フォノン・キャリア輸送制御を可能とするナノ構造の設計と作製

中村芳明

2017年真空・表面科学合同講演会合同シンポジウム「ナノ構造/低次元・ナノ物質」　2017年8月19日
Development of Thermal Conductivity Measurement Method Applicable to Thin Bulk Materials Based on 2ω Method

2017年7月
Thermoelectric Properties of Si Films Containing Epitaxial Nanodots of Various Materials

2017年7月
Ga-Doped ZnO Films for Transparent Thermoelectric Materials with High Power Factor

2017年7月
Design of nanoarchitecture for independent control of carrier and phonon transports

Yoshiaki Nakamura

2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2017)　2017年7月
Epitaxial nanostructure design for control of phonon and electron transport

Yoshiaki Nakamura

2017年7月
Independent control of phonon and electron transport in Si-based nanoarchitectures with epitaxial Ge nanodots

2017年3月
(Invited) Nanoarchitecture design for independent control of carrier and phonon transports

Yoshiaki Nakamura

2016年12月
ナノ構造を用いた熱電特性制御とSi系熱電材料開発

中村芳明

日本金属学会時限研究会第四回エレクトロニクス薄膜材料研究会「電子・情報・エネルギー素子と機能材料の最近の研究（4）」　2016年9月22日
Si基板上への鉄シリサイド薄膜構造形成とその熱電物性

坂根駿也, 谷口達彦, 渡辺健太郎, 中村芳明

第28回シリサイド系半導体と関連物質研究会　2016年9月16日
Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method

A. Sakai, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, M.Imanishi, M. Imade, Y. Mori

2016年6月
ナノドットを用いた熱伝導率の低減とＳｉ系熱電材料開発

中村芳明

コロイド先端技術講座II：4th E-Colloid先端エレクトロニクスのためのコロイド・界面化学次世代サーマルマネジメント技術が地球を救うーコロイド・界面化学・ソフトマターの欠かせない役割　2015年12月4日
Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coated Ge nuclei

T. Ishibe, K. Watanabe, S. Takeuchi, A. Sakai, Y. Nakamura

2015年12月
Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures

S. Sakane, K. Watanabe, M. Isogawa, S. Takeuchi, A. Sakai, Y. Nakamura

2015年12月
Thermal conductivity reduction in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots

Yoshiaki Nakamura

2015年10月
窒化物半導体の成長表面・界面制御と転位挙動―Naフラックス成長GaN結晶を中心にー

酒井朗, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 中村芳明, 今西正幸, 今出完, 森勇介

2015年9月
β-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因

板根駿也, 渡辺健太郎, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

2015年9月
エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御

山阪司祐人, 渡辺健太郎, 澤野憲太郎, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

2015年9月
エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存症

前田佳輝, 渡辺健太郎, 中本悠太, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

2015年9月
Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

渡辺健太郎, 前田佳輝, 中本悠太, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

2015年9月
Phonon scattering control by structure of epitaxial Ge nanodots in Si

S.Yamanaka, Y.Nakamura, S.Takeuchi, A.Sakai

2015年7月
Thermal conductivity reduction and carrier doping in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots

Y.Nakamura, T.Ueda, M.Isogawa, S.Yamasaka, S.Takeuchi, A.Sakai

2015年7月
Si中エピタキシャルGeナノドットを用いた熱抵抗制御

山阪司祐人, 中村芳明, 上田智弘, 竹内正太郎, 酒井朗

2015年3月
極薄AI2O3/SiO2 BOX層を有する張り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善

吉田啓資, 中村芳明, 竹内正太郎, 守山佳彦, 手塚勉, 酒井朗

2015年3月
鉄シリサイド核/Siを用いた鉄酸化物のエピタキシャル成長

松井秀紀, 中村芳明, 中本悠太, 竹内正太郎, 酒井朗

2015年3月
Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析

浅津宏伝, 竹内正太郎, 今西正幸, 中村芳明, 今出完, 森勇介, 酒井朗

2015年3月
極薄Si酸化膜技術を用いたSi系熱電ナノ材料の開発

中村芳明

電子情報通信学会研究会（ＳＤＭ、ＥＤ）　2015年2月
Microstructure Analysis of a Thick AIN Film Grown on a Trench-Patterned AIN／Sapphire Template by X-Ray Microdiffraction

S.Takeuchi, D.T.Khan, Y.Nakamura, Y.Imai, S.Kimura, H.Miyake, K.Hiramatsu, A.Sakai

2014年11月
周期溝加工基板上半極性面(20-21)GaN膜の微視的結晶構造解析～X線マイクロ回折と透過型電子顕微鏡を用いた相補的評価～

荒内琢士, 竹内正太郎, 橋本健宏, 中村芳明, 今井康彦, 山根啓輔, 岡田成仁, 木村滋, 只友一行, 酒井朗

2014年11月
表層固溶窒素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動

長久晋輔, 竹内正太郎, 浅津宏伝, 中村芳明, 須藤治生, 荒木浩司, 泉妻宏治, 酒井朗

2014年11月
(Invited) Epitaxial Growth of Nanodots on Si Substrates with Controlled Interfaces and Their Application to Electronics and Thermoelectronics

Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai

2014年10月
Effect of surface-nitrogen-concentration on dislocation behavior in Si wafers treated by high temperature rapid thermal nitridation

S.Chokyu, S.Takeuchi, H.Asazu, Y.Nakamura, H.Sudo, K.Araki, K.Izunome, A.Sakai

2014年10月
Siウェーハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響

須藤治生, 荒木浩司, 日高洋美, 荒木延恵, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 泉妻宏治

2014年9月
Si基板上エピタキシャルFe2O3ナノドットの抵抗変化特性とそのアニール処理依存性

松井秀紀, 中村芳明, 竹内正太郎, 酒井朗

2014年9月
窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価ーマルチスケール評価へのアプローチー

酒井朗, 竹内正太郎, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋

2014年9月
エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性

山阪司祐人, 中村芳明, 鶴崎晋也, 竹内正太郎, 酒井朗

2014年9月
Ｘ線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

内山星郎, 竹内正太郎, 荒内琢士, 橋本健宏, 中村芳明, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行, 酒井朗

2014年9月
周期溝加工(22-43)サファイヤ基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析

荒内琢士, 竹内正太郎, 橋本健宏, 中村芳明, 今井康彦, 山根啓輔, 岡田成仁, 木村滋, 只友一行, 酒井朗

2014年9月
Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films on (22-43) patterned sapphire substrate

T.Uchiyama, S.Takeuchi, T.Arauchi, Y.Nakamura, K.Yamane, N.Okada, K.Tadatomo, A.Sakai

2014年8月
Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction

T.Arauchi, S.Takeuchi, Y.Nakamura, Y.Imai, K.Yamane, N.Okada, S.Kimura, K.Tadatomo, A.Sakai

2014年8月
Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth

M.Imanishi, K.Murakami, K.Nakamura, H.Imabayashi, H.Takazawa, D.Matsuo, Y.Todoroki, M.Maruyama, H.Asazu, S.Takeuchi, Y.Nakamura, A.Sakai, M.Imade, M.Yoshimura, Y.Mori

2014年8月
Thermal and electrical properties of Si films including epitaxial Ge nanodot phonon-scatterers

S.Yamasaka, Y.Nakamura, T.Ueda, S.Takeuchi, A.Sakai

2014年7月
Improvement of current drive of Ge-nMISFETs by epitaxially grown n+-Ge:P source and drain

Y.Moriyama, K.Kamimuta, Y.Kamata, K.Ikeda, S.Takeuchi, Y.Nakamura, A.Sakai, T.Tezuka

2014年6月
エピタキシャルＳｉナノドットを用いた熱伝導率の低減と熱電材料への応用

中村芳明

第51回日本伝熱シンポジウム　2014年5月
Ge-nMOSFET向けn+-Ge／n+-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減

守山佳彦, 上牟田雄一, 鎌田善己, 池田圭司, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 手塚勉

2014年3月
AI2O3挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価

吉田啓資, 中村芳明, 竹内正太郎, 守山佳彦, 手塚勉, 酒井朗

2014年3月
Crystal domain microstructure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN／sapphire template by X-ray microdiffraction

D.T.Khan, S.Takeuchi, K.Nakamura, T.Arauchi, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai

2014年3月
極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe3O4ナノドットの抵抗スイッチング特性

松井秀紀, 中村芳明, 竹内正太郎, 酒井朗

2014年3月
エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価

山阪司祐人, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

2014年3月
(Invited) Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodots structures

Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai

2014年2月
Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodot structures

Y.Nakamura, A.Sakai

2014年2月
Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials

S.Yamasaka, Y.Nakamura, T.Ueda, S.Takeuchi, A.Sakai

2014年2月
ナノドットを用いたSi系熱電材料の開発

中村芳明

CREST・さきがけ「元素戦略」領域合同第1回公開シンポジウム　2013年11月
ナノドットを用いたSi熱電変換材料の開発

中村芳明

第２２回シリサイド系半導体研究会　2013年9月21日
エピタキシャル成長n+-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減

守山佳彦, 上牟田雄一, 鎌田善己, 池田圭司, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 手塚勉

2013年9月
Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

山阪司祐人, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

2013年9月
Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction

D.T.Khan, S.Takeuchi, K.Nakamura, T.Arauchi, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai

2013年9月
Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates

K.Nakamura, S.Takeuchi, D.T.Khan, T.Arauchi, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai

2013年9月
薄膜AI2O3/SiO2 BOX層を有するUTB-GeOI基板作製

守山佳彦, 池田圭司, 竹内正太郎, 上牟田雄一, 中村芳明, 酒井朗, 泉妻宏治, 手塚勉

2013年9月
Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AIN films grown on triangular-striped AIN/sapphire template

T.Arauchi, S.Takeuchi, K.Nakamura, D.T.Khan, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, A.Sakai

2013年8月
Epitaxial growth of stacked β-FeSi2 nanodots on Si substrates and their thermoelectric properties

M.Isogawa, Y.Nakamura, J.Kikkawa, S.Takeuchi, A.Sakai

2013年7月
Introduction of Ge nanodots in Si films as phonon scatterers and the thermal conductivity reduction

Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, S.Takeuchi, Y.Yamamoto, S.Arai, T.Tenji, N.Tanaka, A.Sakai

2013年7月
Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers

H.Asazu, S.Takeuchi, H.Sannai, H.Sudo, K.Araki, Y.Nakamura, K.Izunome, A.Sakai

8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI)　2013年6月
Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定

石部貴史, 中村芳明, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗

2013年6月
Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers

Y.Moriyama, Y.Kamata, K.Ikeda, S.Takeuchi, Y.Nakamura, A.Sakai

8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI)　2013年6月
ナノドットを用いたＳｉ熱電材料の開発

中村芳明

応用物理学会関西支部セミナー「先端半導体デバイスのシミュレーション」　2013年3月
表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動

浅津宏伝, 竹内正太郎, 山内宏哉, 須藤治生, 荒木浩司, 中村芳明, 泉妻宏治, 酒井朗

2013年3月
エピタキシャルb-FeSi2ナノドット積層構造の形成とその熱電物性

五十嵐雅之, 中村芳明, 吉川純, 竹内正太郎, 酒井朗

2013年3月
Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定

石部貴史, 中村芳明, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗

2013年3月
X線マイクロ回折による周期溝加工SiC基板上に成長したAIN薄膜の結晶性評価

中村邦彦, ディンカン, 荒内琢士, 竹内正太郎, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

2013年3月
エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価

山阪司祐人, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

2013年3月
(Invited) Si-based epitaxial nanodots for thermoelectric materials

Yoshiaki Nakamura

2013年3月
Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction

K. Nakamura, S. Harada, D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2012年12月
Cross-sectional X-ray Microdiffraction Study of Residual Strain Distribution in a Thick AlN Film Grown on a Trench-patterned AlN/α-Al2O3 Template

D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2012年12月
Epitaxial Growth of Iron-Silicide Nanodots on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique and Their Physical Properties

Y. Nakamura, M Ichikawa

ECS Transactions　2012年10月
GOI substrates -Fabrication and characterization-

A. Sakai, S. Yamasaka, J. Kikkawa, Y. Nakamura, Y. Moriyama, T. Tezuka, S. Takeuchi, K. Izunome

The 2012 Si, SiGe, and Related Compound: Materials, Processing, and Devices Symposium, the PRiME 2012 Joint International 222nd Elecrochemical Society Meeting　2012年10月
Local strain distribution in a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template measured by X-ray microdiffraction

D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012年10月
ナノドットを用いて歪制御したSi基板上への高品質エピタキシャル薄膜成長法

中村芳明

第２２回格子欠陥フォーラム・励起ナノプロセス研究会合同シンポジウム「材料科学のための欠陥制御・評価」　2012年9月
Ｓｉ基板上へのナノ構造エピタキシャル成長技術とその応用

中村芳明

シリサイド系半導体と関連物質研究会夏の学校2012　2012年7月
貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価

淺田遼太, Pham Phu Than Son, Kotake Nishad, Vasant, 吉川純, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗

2012年6月
(Invited) Nanocontact epitaxy of thin films on Si substrates using nanodot seeds fabricated by ultrathin SiO2 film technique

Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

Electrochemical Society 221th meeting in Seattle USA　2012年5月
Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(110) surfaces

M. Yamashita, Y. Nakamura, R. Sugimoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011　2011年10月
Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles

M. Yamashita, Y. Nakamura, A. Yamamoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011　2011年10月
Formation of iron oxide nanodot structures on Si substrates by controlling nanometer-sized interface using ultrathin SiO2 film technique

Yoshiaki Nakamura, Hironobu Hamanaka, Kazuki Tanaka, Jun Kikkawa, Akira Sakai

11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011　2011年10月
(Invited) Self-organization and self-repair of two-dimensional periodic nanoarray of epitaxial Ge nanodots using ultrathin SiO2 film technique

Yoshiaki Nakamura

2011年10月
(Invited) High density Iron silicde nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique

Yoshiaki Nakamura

IUMRS-ICA 2011, Taipei, September, 2011　2011年9月
(Invited) Nanocontact heteroepitaxy of high-quality thin III-V films on Si substrates using nanodot seeds

Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2011)　2011年6月
Two-dimensional nanoarray of SiGe epitaxial nanodots self-organized by selective etching of edge dislocation network

Yoshiaki Nakamura, Masahiko Takahashi, Jun Kikkawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Akira Sakai

Material Reserch Society Fall meeting, Boston, USA, Dec. 2010　2010年12月
X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates

K. Ebihara, S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

ECS Transactions　2010年10月
(Invited) Self-organization and self-repair of a two-dimensional nanoarray of epitaxial Ge quantum dots using ultrathin SiO2 film technique

Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, Ryoko Watanabe, Tomokazu Iyoda, Masakazu, Ichikawa

The 5th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2010), Changzhou, China, Sep. 2010　2010年9月
極薄Si酸化膜テクノロジーにより形成した超高密度量子ドット

中村芳明

東京工業大学資源化学研究所セミナー　2009年11月
(Invited) Self-assembly technique of ultrahigh density quantum dots of group IV semiconductor epitaxially grown on Si substrates using ultrathin SiO2 films

Yoshiaki Nakamura

The 4th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2009), Chengdu, China, Oct. 2009　2009年10月
Si基板上に形成した鉄シリサイドナノドットの構造と物性評価

中村芳明, 市川昌和

第１３回シリサイド系半導体研究会　2009年4月
IV族系半導体ナノドットの超高密度形成とその物性

中村芳明

グローバルCOE「未来を拓く物理化学結集教育研究拠点」第一回自主研究会　2009年1月
Si 基板上β-FeSi2、Fe3Si ナノドットの自己形成とその光学及び磁気特性

中村芳明, 市川昌和

2008年秋季第６９回応用物理学会学術講演会シンポジウム（主題：結晶工学分科会・シリサイド系半導体と関連物質研究会共同企画「シリサイド系材料が開く新しい応用技術－結晶工学から斬るシリサイド系材料の可能性－」　2008年9月
IV族半導体ナノ構造形成技術の鉄シリサイドへの応用

中村芳明, 市川昌和

第１０回シリサイド系半導体夏の学校（主催：応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会）　2007年7月
鉄シリサイドナノ構造の形成技術開発

中村芳明, 市川昌和

第１０回シリサイド系半導体研究会　2007年3月
Fourier transform photoabsorption spectroscopy based on scanning tunneling microscopy

Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yo Fukuzawa, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

Journal of Appled Physics　2007年
Quantum fluctuation of tunneling current in individual Ge quantum dots induced by a single-electron transfer

Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Kentaro Watanabe, Yasuhiro Hatsugai

Applied Physics Letters　2007年
極薄Si酸化膜を利用したIV族系半導体ナノ構造の形成と物性評価

中村芳明, 市川昌和

21世紀COEセミナー　2006年12月
Ge量子ドットにおける単電子輸送による量子的トンネル電流変化

中村芳明, 渡辺健太郎, 初貝安弘, 市川昌和

2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会　2006年8月
Nanomaterial design for thermoelectric performance enhancement

Yoshiaki Nakamura

7 th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology
キャリア密度制御によるアモルファスZnSnO透明薄膜の熱電特性評価

南鼓太郎, 小松原祐樹, 石部貴史, 中村芳明

第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）

機関リポジトリ 3

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

Selective Anion Manipulation for Controlling the Thermoelectric Properties of Epitaxial SnO2 Films on r-Al2O3

Ishibe Takafumi, Kozuki Seiya, Komatsubara Yuki, Uematsu Yuto, Yoshizaki Takashi, Yamashita Yuichiro, Naruse Nobuyasu, Mera Yutaka, Kobayashi Eiichi, Nakamura Yoshiaki

ACS Applied Energy Materials　Vol. 8　No. 7　p. 4411-4417　2025年3月21日
Epitaxial growth of Ca(Ge₁₋ₓSnₓ)₂ with group IV 2D layers on Si substrate

Yoshizaki Takashi, Terada Tsukasa, Uematsu Yuto, Ishibe Takafumi, Nakamura Yoshiaki

Applied Physics Express　Vol. 17　No. 5　2024年5月7日
Anomalous enhancement of thermoelectric power factor in multiple two-dimensional electron gas system

Uematsu Yuto, Ishibe Takafumi, Mano Takaaki, Ohtake Akihiro, Miyazaki Hideki T., Kasaya Takeshi, Nakamura Yoshiaki

Nature Communications　Vol. 15　No. 1　2024年1月16日