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Nakamura Yoshiaki
中村 芳明
Nakamura Yoshiaki
中村 芳明
Graduate School of Engineering Science Department of Systems Innovation, Professor

keyword transparent oxide material,Resistive switching memory,Thermoelectric materials,nanostructure,GeSn

Research History 6

  1. 2015/04 - Present
    Osaka University

  2. 2008/10 - 2015/03
    Osaka University

  3. 2011/03 - 2014/03
    科学技術振興機構 さきがけ 研究員(兼任)

  4. 2007/04 - 2008/09
    The University of Tokyo

  5. 2003/10 - 2007/03
    The University of Tokyo

  6. 2002/04 - 2003/09
    The University of Tokyo

Education 4

  1. The University of Tokyo The Graduate School of Engineering

    1999/04 - 2002/03

  2. The University of Tokyo Graduate School of Engineering Department of Applied Physics

    1997/04 - 1999/03

  3. The University of Tokyo The Faculty of Engineering Department of Applied Physics

    1995/04 - 1997/03

  4. The University of Tokyo

    1993/04 - 1995/03

Committee Memberships 14

  1. 日本表面真空学会 関西支部支部長

  2. 応用物理学会 熱電変換セッション 世話人

  3. 応用物理学会 フォノンエンジニアリングセッション 世話人

  4. 応用物理学会 フォノンエンジニアリング研究会 運営委員

  5. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 機能性ナノ界面科学研究会 副委員長

  6. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 常任幹事

  7. 応用物理学会 編集委員会委員

  8. 日本熱電学会 編集委員会委員

  9. 日本熱電学会 理事

  10. 日本真空表面学会 資格認定委員会表面科学技術者担当委員会委員

  11. 日本熱物性学会 評議員

  12. 日本熱電学会 評議員

  13. 応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会 幹事

  14. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 幹事

Professional Memberships 5

  1. 日本熱物性学会

  2. Thermoelectrics society of Japan

  3. 日本表面真空学会

  4. 応用物理学会

  5. 日本物理学会

Research Areas 4

  1. Nanotechnology/Materials / Nanomaterials /

  2. Nanotechnology/Materials / Nanostructure physics /

  3. Nanotechnology/Materials / Nanostructure chemistry /

  4. Nanotechnology/Materials / Thin-film surfaces and interfaces /

Awards 7

  1. Fourth paper award in thin film and surface physics division JSAP

    akafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yuichiro Yamashita, and Yoshiaki Nakamura thin film and surface physics division, Japanese Society of Applied Physics 2020/03

  2. 4th president encouraging prize in Osaka University, research division

    Osaka University 2015

  3. 3rd president encouraging prize in Osaka University, research division

    Osaka University 2014

  4. 2nd president encouraging prize in Osaka University, research division

    Osaka University 2013

  5. Encouraging prize at the Japanese scociety of applied physics meeting

    2006

  6. 第20回応用物理学会講演奨励賞

    2006

  7. Graduate Student Award at the DIET9 Confereaces

    2002

Papers 193

  1. Anomalous reduction of thermal conductivity in coherent nanocrystal architecture for silicon thermoelectric material

    Yoshiaki Nakamura, Masayuki Isogawa, Tomohiro Ueda, Shuto Yamasaka, Hideki Matsui, Jun Kikkawa, Satoaki Ikeuchi, Takafumi Oyake, Takuma Hori, Junichiro Shiomi, Akira Sakai

    NANO ENERGY Vol. 12 p. 845-851 2015/03 Research paper (scientific journal)

  2. Self-organized formation and self-repair of a two-dimensional nanoarray of Ge quantum dots epitaxially grown on ultrathin SiO2-covered Si substrates

    Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, Ryoko Watanabe, Tomokazu Iyoda, Masakazu Ichikawa

    NANOTECHNOLOGY Vol. 21 No. 9 2010/03 Research paper (scientific journal)

  3. Robust thermoelectric power factor enhanced by energy filtering effect in B20-type CoSi films

    Takafumi Ishibe, Takahiro Hinakawa, Shunya Sakane, Shintaro Ishigaki, Katsuhiro Suzuki, Kazunori Sato, Takeshi Fujita, Yuichiro Yamashita, Eiichi Kobayashi, Yoshiaki Nakamura

    Physical Review Materials Vol. 9 No. 7 2025/07/07 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Physical Society (APS)
  4. Controlling thermoelectric properties of epitaxial GeSn film/Si by tuning strain and composition

    Arata Shibagaki, Ryosuke Hotta, Takafumi Ishibe, Yuichiro Yamashita, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 126 No. 23 2025/06/09 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  5. Selective Anion Manipulation for Controlling the Thermoelectric Properties of Epitaxial SnO2 Films on r-Al2O3

    Takafumi Ishibe, Seiya Kozuki, Yuki Komatsubara, Yuto Uematsu, Takashi Yoshizaki, Yuichiro Yamashita, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Eiichi Kobayashi, Yoshiaki Nakamura

    ACS Applied Energy Materials 2025/03/21 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Chemical Society (ACS)
  6. Film Thermoelectric Generator of Multiple 2-D Electron Gas

    Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Seiya Kozuki, Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Yuichiro Yamashita, Mutsunori Uenuma, Yoshiaki Nakamura

    IEEE Transactions on Electron Devices p. 1-7 2024/08 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
  7. Epitaxial growth of Ca(Ge1−xSnx)2 with group IV 2D layers on Si substrate

    Takashi Yoshizaki, Tsukasa Terada, Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Express Vol. 17 No. 5 p. 055501-055501 2024/05/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  8. The local potential variation mapping including thermoelectromotive force in nanocomposite materials under non-thermal equilibrium

    Yuki Komatsubara, Takafumi Ishibe, Yuji Miyato, Yoshiaki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 63 No. 4 2024/04/01 Research paper (scientific journal)

  9. Anomalous enhancement of thermoelectric power factor in multiple two-dimensional electron gas system

    Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Yoshiaki Nakamura

    Nature Communications Vol. 15 No. 1 2024/01/16 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Springer Science and Business Media LLC
  10. Phonon diffraction and interference using nanometric features

    Paul Desmarchelier, Efstratios Nikidis, Roman Anufriev, Anne Tanguy, Yoshiaki Nakamura, Joseph Kioseoglou, Konstantinos Termentzidis

    Journal of Applied Physics Vol. 135 No. 1 2024/01/04 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  11. Growth of metastable 2H-CaSi2 films on Si(111) substrates with ultrathin SiO2 films by solid phase epitaxy

    Keiichiro Oh-ishi, Mikio Kojima, Takashi Yoshizaki, Arata Shibagaki, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura, Hideyuki Nakano

    Applied Physics Express Vol. 17 No. 1 p. 015501-015501 2023/12/27 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  12. Thermoelectric properties of B-doped nanostructured bulk diamond with lowered thermal conductivity

    Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Yuri Yukawa, Yoshiaki Nakamura

    Diamond and Related Materials Vol. 140 p. 110410-110410 2023/12 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Elsevier BV
  13. Curcumin tautomerization in the mechanism of pentameric amyloid- β42 oligomers disassembly

    Atsuya Matsui, Jean-Pierre Bellier, Daiki Hayashi, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura, Hiroyasu Taguchi, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera

    Biochemical and Biophysical Research Communications Vol. 666 p. 68-75 2023/07 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Elsevier BV
  14. Boosting Thermoelectric Performance in Epitaxial GeTe Film/Si by Domain Engineering and Point Defect Control

    Takafumi Ishibe, Yuki Komatsubara, Kodai Ishikawa, Sho Takigawa, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yuichiro Yamashita, Yuji Ohishi, Yoshiaki Nakamura

    ACS Applied Materials & Interfaces Vol. 15 No. 21 p. 26104-26110 2023/05/16 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Chemical Society (ACS)
  15. Temperature dependences of thermoelectric properties of bulk SiGeAu composites

    Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Takeshi Fujita, Yoshiaki Nakamura

    JJAP Conf. Proc Vol. 10 2023/04 Research paper (scientific journal)

  16. Interface design of transparent thermoelectric epitaxial ZnO/SnO2 multilayer film for simultaneous realization of low thermal conductivity and high optical transmittance

    Takafumi Ishibe, Yuki Komatsubara, Toranosuke Katayama, Yuichiro Yamashita, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 122 No. 4 p. 041603-041603 2023/01/23 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  17. The effect of interdiffusion during formation of epitaxial Ca intercalated layered silicene film on its thermoelectric power factor

    Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Eiichi Kobayashi, Kazunori Sato, Yoshiaki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 62 No. SD p. SD1004-SD1004 2022/12/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  18. Quantitative spatial mapping of distorted state phases during the metal-insulator phase transition for nanoscale VO2 engineering

    Yuichi Ashida, Takafumi Ishibe, Jinfeng Yang, Nobuyasu Naruse, Yoshiaki Nakamura

    Science and Technology of Advanced Materials Vol. 24 p. 1-9 2022/11/22 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Informa UK Limited
  19. Thermoelectric Properties of PEDOT:PSS Containing Connected Copper Selenide Nanowires Synthesized by the Photoreduction Method

    Shunya Sakane, Shunichiro Miwa, Tatsuki Miura, Kazuki Munakata, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura, Hideki Tanaka

    ACS Omega Vol. 7 No. 36 p. 32101-32107 2022/09/13 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Chemical Society (ACS)
  20. Tunable Thermal Switch via Order–Order Transition in Liquid Crystalline Block Copolymer

    Takafumi Ishibe, Tatsuya Kaneko, Yuto Uematsu, Hideo Sato-Akaba, Motonori Komura, Tomokazu Iyoda, Yoshiaki Nakamura

    Nano Letters Vol. 22 No. 15 p. 6105-6111 2022/08/10 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Chemical Society (ACS)
  21. Seed-assisted epitaxy of intermetallic compounds with interface-determined orientation: incommensurate Nowotny chimney-ladder FeGe epitaxial film

    Tsukasa Terada, Reona Kitaura, Shintaro Ishigaki, Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Ryoji Asahi, Yoshiaki Nakamura

    Acta Materialia Vol. 236 p. 118130-118130 2022/06 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Elsevier BV
  22. The Effect of Ethanol on Disassembly of Amyloid-β1-42 Pentamer Revealed by Atomic Force Microscopy and Gel Electrophoresis

    Atsuya Matsui, Jean-Pierre Bellier, Takeshi Kanai, Hiroki Satooka, Akio Nakanishi, Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura, Hiroyasu Taguchi, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera

    International Journal of Molecular Sciences Vol. 23 No. 2 p. 889-889 2022/01/14 Research paper (scientific journal)

    Publisher: MDPI AG
  23. Giant Enhancement of Seebeck Coefficient by Deformation of Silicene Buckled Structure in Calcium‐Intercalated Layered Silicene Film

    Tsukasa Terada, Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Kazunori Sato, Tien Quang Nguyen, Eiichi Kobayashi, Hideyuki Nakano, Yoshiaki Nakamura

    Advanced Materials Interfaces Vol. 9 No. 1 p. 2101752-2101752 2022/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Wiley
  24. Thermoelectric power factor enhancement of calcium-intercalated layered silicene by introducing metastable phase

    Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Toranosuke Katayama, Kazunori Sato, Tien Nguyen, Hideyuki Nakano, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Express Vol. 14 No. 11 p. 115505-1-115505-4 2021/11 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  25. Dominant carrier of pseudo-gap antiferromagnet Cr3Al thin film

    Kentaro Toyoki, Masayuki Hayashi, Shunsuke Hamaguchi, Noriaki Kishida, Yu Shiratsuchi, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura, Ryoichi Nakatani

    Physica B: Condensed Matter Vol. 620 p. 413281-413281 2021/11 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Elsevier BV
  26. Low thermal conductivity of complex thermoelectric barium silicide film epitaxially grown on Si

    Takafumi Ishibe, Jinichiro Chikada, Tsukasa Terada, Yuki Komatsubara, Reona Kitaura, Suguru Yachi, Yudai Yamashita, Takuma Sato, Takashi Suemasu, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 119 No. 14 p. 141603-141603 2021/10/04 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  27. Synergistic phonon scattering in epitaxial silicon multilayers with germanium nanodot inclusions

    Takafumi Oyake, Lei Feng, Makoto Kashiwagi, Takuma Shiga, Takuma Hori, Suto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Junichiro Shiomi

    Physical Review B Vol. 104 No. 5 2021/08/16 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Physical Society (APS)
  28. Nanostructure design for high performance thermoelectric materials based on anomalous Nernst effect using metal/semiconductor multilayer

    Reona Kitaura, Takafumi Ishibe, Himanshu Sharma, Masaki Mizuguchi, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Express Vol. 14 No. 7 p. 075002-075002 2021/07/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  29. Carrier and phonon transport control by domain engineering for high-performance transparent thin film thermoelectric generator

    Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Yuki Komatsubara, Reona Kitaura, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 118 No. 15 p. 151601-151601 2021/04/12 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  30. Direct mapping of temperature-difference-induced potential variation under non-thermal equilibrium

    Yuki Komatsubara, Takafumi Ishibe, Yuji Miyato, Shunya Sakane, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 118 No. 9 p. 091605-091605 2021/03/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  31. Phonon transport in the nano-system of Si and SiGe films with Ge nanodots and approach to ultralow thermal conductivity

    Tatsuhiko Taniguchi, Tsukasa Terada, Yuki Komatsubara, Takafumi Ishibe, Kento Konoike, Atsushi Sanada, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura

    Nanoscale Vol. 13 No. 9 p. 4971-4977 2021/02 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Royal Society of Chemistry (RSC)
  32. Heat transport through propagon-phonon interaction in epitaxial amorphous-crystalline multilayers

    Takafumi Ishibe, Ryo Okuhata, Tatsuya Kaneko, Masato Yoshiya, Seisuke Nakashima, Akihiro Ishida, Yoshiaki Nakamura

    Communications Physics Vol. 4 No. 1 2021 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Springer Science and Business Media LLC
  33. Anomalous enhancement of thermoelectric power factor by thermal management with resonant level effect

    Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kosei Mizuta, Takeshi Fujita, Yuga Kiyofuji, Jun-ichiro Ohe, Eiichi Kobayashi, Yoshiaki Nakamura

    Journal of Materials Chemistry A Vol. 9 No. 8 p. 4851-4857 2021/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Royal Society of Chemistry (RSC)
  34. Formation of Silicon Quantum Dots Sheet on a Nonmetallic CaF 2 Surface

    Kenji Ito, Hideyuki Nakano, Yoshiaki Nakamura

    Advanced Materials Interfaces Vol. 7 No. 23 p. 2001295-2001295 2020/10/14 Research paper (scientific journal)

  35. Thermoelectric Si1−xGex and Ge epitaxial films on Si(001) with controlled composition and strain for group IV element-based thermoelectric generators

    Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Ryoya Hosoda, Youya Wagatsuma, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Yuichiro Yamashita, Nobuya Mori, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 117 No. 14 p. 141602-141602 2020/10/05 Research paper (scientific journal)

  36. Control of thermoelectric properties in Mn-substituted Fe2TiSi epilayers

    Y. Shimanuki, S. Yamada, A. Masago, T. Ishibe, K. Kudo, Y. Nakamura, K. Hamaya

    Physical Review B Vol. 102 No. 5 2020/08/04 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Physical Society (APS)
  37. An advanced 2ω method enabling thermal conductivity measurement for various sample thicknesses: From thin films to bulk materials

    Kosuke Mitarai, Ryo Okuhata, Jinichiro Chikada, Tatsuya Kaneko, Yuto Uematsu, Yuki Komatsubara, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

    Journal of Applied Physics Vol. 128 No. 1 p. 015102-015102 2020/07/07 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  38. Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films

    Yuto Uematsu, Tsukasa Terada, Kento Sato, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Express Vol. 13 No. 5 p. 055503-055503 2020/05/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  39. High Thermoelectric Power Factor Realization in Si-Rich SiGe/Si Superlattices by Super-Controlled Interfaces

    Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

    ACS Applied Materials & Interfaces Vol. 12 No. 22 p. 25428-25434 2020/05 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Chemical Society (ACS)
  40. Impact of metal silicide nanocrystals on the resistance ratio in resistive switching of epitaxial Fe3O4 films on Si substrates

    Takafumi Ishibe, Yuto Uematsu, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 116 2020/05 Research paper (scientific journal)

  41. Semiconducting Silicides Green Technology FOREWORD

    Takashi Suemasu, Yoshikazu Terai, Tanemasa Asano, Motoharu Imai, Yoshiaki Nakamura, Motofumi Suzuki, Hirokazu Tatsuoka, Kenji Yamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 59 2020/04 Research paper (scientific journal)

  42. Resistive switching memory performance in oxide hetero-nanocrystals with well-controlled interfaces

    T. Ishibe, Y. Maeda, T. Terada, N. Naruse, Y. Mera, E. Kobayashi, Y. Nakamura

    Science and Technology of Advanced Materials Vol. 21 p. 195-204 2020/03 Research paper (scientific journal)

  43. Thermoelectric properties of single-phase full-Heusler alloy Fe2TiSi films with D03-type disordering

    Y. Shimanuki, K. Kudo, T. Ishibe, A. Masago, S. Yamada, Y. Nakamura, and K. Hamaya

    Journal of Applied Physics Vol. 127 2020/01 Research paper (scientific journal)

  44. Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots

    Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Takahiro Hinakawa, Ryoya Hosoda, Kosei Mizuta, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, and Yoshiaki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 59 p. SFFB01-1-1-05 2020/01 Research paper (scientific journal)

  45. Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Nanoscale Thermal Management in Bulk SiGe Composites

    Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kosei Mizuta, Masato Kashino, Kentaro Watanabe, Takeshi Fujita, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Yoshiaki Nakamura

    ACS Applied Energy Materials Vol. 3 p. 1235-1241 2019/12 Research paper (scientific journal)

  46. Bottom‐Up on Surface Synthesis of Two‐Dimensional Graphene Nanoribbon Networks and Their Thermoelectric Applications

    Takahiro Nakae, Takahiro Kojima, Zhen Xu, Saravanan Chinnusamy, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Hiroshi Sakaguchi

    Chemistry – An Asian Journal 2019/11 Research paper (scientific journal)

  47. High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity

    Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Takahiro Hinakawa, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 115 No. 18 2019/10 Research paper (scientific journal)

  48. Modulation of lattice constants by changing the composition and strain in incommensurate Nowotny chimney-ladder phase FeGeγ epitaxially grown on Si

    Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

    Surface Science Vol. 690 2019/07 Research paper (scientific journal)

  49. Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures

    Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Takeshi Fujita, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Nobuya Mori, Yoshiaki Nakamura

    Materials Today Energy Vol. 13 p. 56-63 2019/05 Research paper (scientific journal)

  50. Semiconductor Nanostructure Design for Thermoelectric Property Control

    Y. Nakamura, T. Ishibe, T. Taniguchi, T. Terada, R. Hosoda, S. Sakane

    International Journal of Nanoscience Vol. 18 p. 19040036-1-19040036-8 2019/03 Research paper (scientific journal)

  51. Significant reduction in the thermal conductivity of Si-substituted Fe2VAl epilayers

    K. Kudo, S. Yamada, J. Chikada, Y. Shimanuki, T. Ishibe, S. Abo, H. Miyazaki, Y. Nishino, Y. Nakamura, K. Hamaya

    Physical Review B Vol. 99 No. 5 p. 054201-1-054201-7 2019/02/01 Research paper (scientific journal)

  52. Enhanced thermoelectric performance of Ga-doped ZnO film by controlling crystal quality for transparent thermoelectric films

    Atsuki Tomeda, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Ryo Okuhata, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    THIN SOLID FILMS Vol. 666 p. 185-190 2018/11 Research paper (scientific journal)

  53. Methodology of thermoelectric power factor enhancement by controlling nanowire interface

    Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

    ACS Applied Materials & Interfaces Vol. 10 No. 43 p. 37709-37716 2018/10 Research paper (scientific journal)

  54. Thermoelectric properties of epitaxial Ge thin films on Si(001) with strong crystallinity dependence

    Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Hiroki Miyamoto, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Express Vol. 11 No. 11 p. 111301-1-111301-1-4 2018/10 Research paper (scientific journal)

  55. Resistive switching at the high quality metal/insulator interface in Fe3O4/SiO2/a-FeSi2/Si stacking structure

    Takafumi Ishibe, Tsubasa Kurokawa, Nobuyasu Naruse, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 113 p. 141601-1-5 2018/10 Research paper (scientific journal)

  56. Areal density control of ZnO nanowires in physical vapor transport using Ge nanocrystals

    Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Tsukasa Terada, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 57 No. 8 p. 08NB07-1-5 2018/07 Research paper (scientific journal)

  57. Growth of epitaxial FeGeg nanocrystals with incommensurate Nowtny chimney-ladder phase on Si substrate

    Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    Vol. 57 2018/06 Research paper (scientific journal)

  58. Effect of Fe-V nonstoichiometry on electrical and thermoelectric properties of Fe2VAl films

    Kohei Kudo, Shinya Yamada, Jinichiro Chikada, Yuta Shimakuni, Yoshiaki Nakamura, Kohei Hamaya

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 57 2018/02 Research paper (scientific journal)

  59. Ultimate Confinement of Phonon Propagation in Silicon Nanocrystalline Structure

    Takafumi Oyake, Lei Feng, Takuma Shiga, Masayuki Isogawa, Yoshiaki Nakamura, Junichiro Shiomi

    Physical Review Letters Vol. 120 No. 4 2018/01/25 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Physical Society
  60. Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide/germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates

    Hideki Matsui, Takafumi Ishibe, Tsukasa Terada, Shunya Sakane, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Shigeru Kimura, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters Vol. 112 No. 3 2018/01/15 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Institute of Physics Inc.
  61. Nanostructure design for drastic reduction of thermal conductivity while preserving high electrical conductivity

    Yoshiaki Nakamura

    Science and Technology of Advanced Materials Vol. 19 No. 1 p. 31-43 2018/01/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Taylor and Francis Ltd.
  62. Nanostructure design for control of phonon andelectron transports

    Nakamura Yoshiaki, Watanabe Kentaro

    ECS Transactions Vol. 80 No. 1 p. 93-100 2017/10 Research paper (international conference proceedings)

  63. Low thermal conductivity of thermoelectric Fe2VAl films

    Shinya Yamada, Kohei Kudo, Ryo Okuhata, Jinichiro Chikada, Yoshiaki Nakamura, Kohei Hamaya

    Applied Physics Express Vol. 10 2017/10 Research paper (scientific journal)

  64. Epitaxial multilayers of beta-FeSi2 nanodots/Si for Si-based nanostructured electronic materials

    Shunya Sakane, Masayuki Isogawa, Kentaro Watanabe, Jun Kikkawa, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Yoshiaki Nakamura

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A Vol. 35 No. 4 2017/07 Research paper (scientific journal)

  65. Embedded-ZnO Nanowire Structure for High-Performance Transparent Thermoelectric Materials

    Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Jun Kikkawa, Takeshi Fujita, Yoshiaki Nakamura

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS Vol. 46 No. 5 p. 3020-3024 2017/05 Research paper (scientific journal)

  66. Thermal Conductivity Measurement of Thermoelectric Thin Films by a Versatility-Enhanced 2 omega Method

    Ryo Okuhata, Kentaro Watanabe, Satoaki Ikeuchi, Akihiro Ishida, Yoshiaki Nakamura

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS Vol. 46 No. 5 p. 3089-3096 2017/05 Research paper (scientific journal)

  67. Thermoelectric Properties of Epitaxial beta-FeSi2 Thin Films on Si(111) and Approach for Their Enhancement

    Tatsuhiko Taniguchi, Shunya Sakane, Shunsuke Aoki, Ryo Okuhata, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Takeyuki Suzuki, Takeshi Fujita, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS Vol. 46 No. 5 p. 3235-3241 2017/05 Research paper (scientific journal)

  68. Thermoelectric properties of epitaxial beta-FeSi2 thin films grown on Si(111) substrates with various film qualities

    Kentaro Watanabe, Tatsuhiko Taniguchi, Shunya Sakane, Shunsuke Aoki, Takeyuki Suzuki, Takeshi Fujita, Yoshiaki Nakamura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 56 No. 5 p. 05DC04-1-05DC04-5 2017/05 Research paper (scientific journal)

  69. INDEPENDENT CONTROL OF PHONON AND ELECTRON TRANSPORT IN SI-BASED NANOARCHITECTURES WITH EPITAXIAL GE NANODOTS

    Watanabe Kentaro, Yamasaka Shuto, Ishibe Takafumi, Sakane Shunya, Sawano Kentarou, Nakamura Yoshiaki

    Proceedings of 1st Asian Conference onThermal Sciences 2017 (ACTS 2017) p. 1-3 2017/03 Research paper (international conference proceedings)

  70. 極薄Si酸化膜技術を用いたナノ構造界面設計による熱電物性制御

    中村芳明

    セラミックス Vol. 52 p. 71-77 2017/02

    Publisher: (公社)日本セラミックス協会
  71. Study on the influence of different trench-patterned templates on the crystalline microstructure of AIN epitaxial films by X-ray microdiffraction

    Dinh Thanh Khan, Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Kunihiko Nakamura, Takuji Arauchi, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 56 No. 2 p. 025502-1-025502-5 2017/02 Research paper (scientific journal)

  72. Amorphous/epitaxial superlattice for thermoelectric application

    Akihiro Ishida, Hoang Thi Xuan Thao, Mamoru Shibata, Seisuke Nakashima, Hirokazu Tatsuoka, Hidenari Yamamoto, Yohei Kinoshita, Mamoru Ishikiriyama, Yoshiaki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 55 No. 8 2016/08/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Japan Society of Applied Physics
  73. Effect of Fe coating of nucleation sites on epitaxial growth of Fe oxide nanocrystals on Si substrates

    Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 55 No. 8 2016/08 Research paper (scientific journal)

  74. Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method

    A. Sakai, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, M.Imanishi, M. Imade, Y. Mori

    2016/06 Research paper (international conference proceedings)

  75. Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates

    Takafumi Ishibe, Hideki Matsui, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Yoshiaki Nakamura

    APPLIED PHYSICS EXPRESS Vol. 9 No. 5 2016/05 Research paper (scientific journal)

  76. Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique

    Tomohiro Ueda, Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Yoshiaki Nakamura

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS Vol. 45 No. 3 p. 1914-1920 2016/03 Research paper (scientific journal)

  77. Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials

    Shuto Yamasaka, Kentaro Watanabe, Shunya Sakane, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

    SCIENTIFIC REPORTS Vol. 6 No. 22838 p. 1-8 2016/03 Research paper (scientific journal)

  78. Arbitrary cross-section SEM-cathodoluminescence imaging of growth sectors and local carrier concentrations within micro-sampled semiconductor nanorods

    Kentaro Watanabe, Takahiro Nagata, Seungjun Oh, Yutaka Wakayama, Takashi Sekiguchi, Janos Volk, Yoshiaki Nakamura

    NATURE COMMUNICATIONS Vol. 7 2016/02 Research paper (scientific journal)

  79. Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN

    S. Takeuchi, H. Asazu, M. Imanishi, Y. Nakamura, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 118 No. 24 2015/12 Research paper (scientific journal)

  80. ナノドットを用いたシリコン熱電変換材料の開発と応用

    中村 芳明

    エネルギーデバイス Vol. 3 No. 1 p. 48-50 2015/10

    Publisher: 技術情報教会
  81. Phonon transport control by nanoarchitecture including epitaxial Ge nanodots for Si-based thermoelectric materials

    Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai

    SCIENTIFIC REPORTS Vol. 5 No. 14490 p. 1-9 2015/10 Research paper (scientific journal)

  82. Semiconducting Silicides Green Technology FOREWORD

    Tanemasa Asano, Takashi Suemasu, Yoshikazu Terai, Taizou Sadoh, Motoharu Imai, Motofumi Suzuki, Yoshiaki Nakamura, Yoshihito Maeda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 54 No. 7 2015/07

  83. Formation of epitaxial nanodots on Si substrates with controlled interfaces and their application

    Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 54 No. 7 2015/07 Research paper (scientific journal)

  84. Fabrication of Si Thermoelectric Nanomaterials Containing Ultrasmall Epitaxial Ge Nanodots with an Ultrahigh Density

    Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, Shotaro Takeuchi, Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, Takayoshi Tanji, Nobuo Tanaka, Akira Sakai

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS Vol. 44 No. 6 p. 2015-2020 2015/06 Research paper (scientific journal)

  85. Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates

    Shotaro Takeuchi, Toshiro Uchiyama, Takuji Arauchi, Yasuhiro Hashimoto, Yoshiaki Nakamura, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Akira Sakai

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS Vol. 252 No. 5 p. 1142-1148 2015/05 Research paper (scientific journal)

  86. Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction and transmission electron microscopy

    Takuji Arauchi, Shotaro Takeuchi, Yasuhiro Hashimoto, Yoshiaki Nakamura, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Kazuyuki Tadatomo, Akira Sakai

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS Vol. 252 No. 5 p. 1149-1154 2015/05 Research paper (scientific journal)

  87. Formation and optical properties of Ge films grown on Si(111) substrates using nanocontact epitaxy

    Kazuki Tanaka, Yoshiaki Nakamura, Shuto Yamasaka, Jun Kikkawa, Takenobu Sakai, Akira Sakai

    APPLIED SURFACE SCIENCE Vol. 325 No. 15 p. 170-174 2015/01 Research paper (scientific journal)

  88. MicroscopiccrystallinestructureofathickAlN film grown on atrench-patternedAlN/α-Al2O3 template

    D.T.Khan, S.Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, K.Nakamura, T.Arauchi, H.Miyake, K. Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai

    J. Cryst. Growth Vol. 411 p. 38-44 2014/11 Research paper (scientific journal)

  89. Self-assembly of Ge clusters on highly oriented pyrolytic graphite surfaces

    Masayuki Shimonaka, Yoshiaki Nakamura, Jun Kikkawa, Akira Sakai

    SURFACE SCIENCE Vol. 628 p. 82-85 2014/10 Research paper (scientific journal)

  90. Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth

    M. Imanishi, K. Murakami, K. Nakamura, H. Imabayashi, H. Takazawa, D. Matsuo, Y. Todoroki, M. Maruyama, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

    2014/08 Research paper (international conference proceedings)

  91. Electrical conduction characteristics of single crystal and directly-bonded Nb-doped SrTiO3

    R. Asada, S. Kondo, S. Takeuchi, Y. Sugi, Y. Nakamura, A. Sakai

    2014/08 Research paper (international conference proceedings)

  92. Ultrathin-body Ge-on-insulator wafers fabricated with strongly bonded thin Al2O3/SiO2 hybrid buried oxide layers

    Yoshihiko Moriyama, Keiji Ikeda, Shotaro Takeuchi, Yuuichi Kamimuta, Yoshiaki Nakamura, Koji Izunome, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS Vol. 7 No. 8 2014/08 Research paper (scientific journal)

  93. Impact ionization of excitons in Ge/Si structures with Ge quantum dots grown on the oxidized Si(100) surfaces

    A. A. Shklyaev, O. A. Shegai, Y. Nakamura, M. Ichikawa

    Journal of Applied Physics Vol. 115 No. 20 2014/05/28 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Institute of Physics Inc.
  94. Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template

    Takuji Arauchi, Shotaro Takeuchi, Kunihiko Nakamura, Dinh Thanh Khan, Yoshiaki Nakamura, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Akira Sakai

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE Vol. 211 No. 4 p. 731-735 2014/04 Research paper (scientific journal)

  95. Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers

    Hirotada Asazu, Shotaro Takeuchi, Hiroya Sannai, Haruo Sudo, Koji Araki, Yoshiaki Nakamura, Koji Izunome, Akira Sakai

    THIN SOLID FILMS Vol. 557 p. 106-109 2014/04 Research paper (scientific journal)

  96. Improvement effect of electrical properties in post- annealed waferbonded Ge(001)- OI substrate

    Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Osamu Yoshitake, Jun Kikkawa, Koji Izunome, Akira Sakai

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE Vol. 211 No. 3 p. 601-605 2014/03 Research paper (scientific journal)

  97. Luminescence properties of Si-capped beta-FeSi2 nanodots epitaxially grown on Si(001) and (111) substrates

    Shogo Amari, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 115 No. 8 2014/02 Research paper (scientific journal)

  98. Local strain distribution in AlN thick films analyzed by X-ray microdiffraction

    Dinh Thanh Khan, Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yoshihiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

    Materials Science Forum Vol. 783-786 p. 2016-2021 2014 Research paper (international conference proceedings)

    Publisher: Trans Tech Publications Ltd
  99. Improvement of Current Drive of Ge-nMISFETs by Epitaxially Grown n(+)-Ge:P Source and Drain

    Yoshihiko Moriyama, Yuuichi Kamimuta, Yoshiki Kamata, Keiji Ikeda, Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

    2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM) p. 35-36 2014 Research paper (international conference proceedings)

  100. Nanoscale-resolved near-infrared photoabsorption spectroscopy and imaging of individual gallium antimonide quantum dots

    Nobuyasu Naruse, Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

    Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics Vol. 32 No. 1 2014/01/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Institute of Physics Inc.
  101. Control of epitaxial growth of Fe-based nanocrystals on Si substrates using well-controlled nanometer-sized interface

    Yoshiaki Nakamura, Ryota Sugimoto, Takafumi Ishibe, Hideki Matsui, Jun Kikkawa, Akira Sakai

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 115 No. 4 2014/01 Research paper (scientific journal)

  102. Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction

    D. T. Khan, S. Takeuchi, K. Nakamura, T. Arauchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

    2013/09 Research paper (international conference proceedings)

  103. Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates

    K. Nakamura, S. Takeuchi, D. T. Khan, T. Arauchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

    2013/09 Research paper (international conference proceedings)

  104. Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy

    Wataru Ikeda, Yoshiaki Nakamura, Shogo Okamoto, Shotaro Takeuchi, Jun Kikkawa, Masakazu Ichikawa, Akira Sakai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 52 No. 9 2013/09 Research paper (scientific journal)

  105. Influence of nanometer-sized interface on reaction of iron nanocrystals epitaxially grown on silicon substrates with oxygen gas

    Hironobu Hamanaka, Yoshiaki Nakamura, Takafumi Ishibe, Jun Kikkawa, Akira Sakai

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 114 No. 11 2013/09 Research paper (scientific journal)

  106. Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces

    Sung-Pyo Cho, Yoshiaki Nakamura, Jun Yamasaki, Eiji Okunishi, Masakazu Ichikawa, Nobuo Tanaka

    Journal of Applied Crystallography Vol. 46 No. 4 p. 1076-1080 2013/08 Research paper (scientific journal)

  107. Conductive optical-fiber STM probe for local excitation and collection of cathodoluminescence at semiconductor surfaces

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    OPTICS EXPRESS Vol. 21 No. 16 p. 19261-19268 2013/08 Research paper (scientific journal)

  108. Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers

    Y. Moriyama, Y. Kamata, K. Ikeda, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, T. Tezuka

    8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI) 2013/06 Research paper (international conference proceedings)

  109. Semiconductor wafer bonding -Structural and electrical characteristics of GeOI substrates

    A. Sakai, S. Yamasaka, Y. Moriyama, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, T. Tezuka, K. Izunome

    2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and applications of Advanced Semmiconductor Devices 2013/06

  110. Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers

    Yoshihiko Moriyama, Keiji Ikeda, Yuuichi Kamimuta, Minoru Oda, Toshifumi Irisawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

    SOLID-STATE ELECTRONICS Vol. 83 p. 42-45 2013/05 Research paper (scientific journal)

  111. Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(1 1 0) surfaces

    M. Yamashita, Y. Nakamura, R. Sugimoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

    Applied Surface Science Vol. 267 No. 15 p. 53-57 2013/02/15 Research paper (scientific journal)

  112. Investigating the origin of intense photoluminescence in Si capping layer on Ge1-xSnx nanodots by transmission electron microscopy

    Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Norihito Fujinoki, Masakazu Ichikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 113 No. 7 2013/02 Research paper (scientific journal)

  113. Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles

    M. Yamashita, Y. Nakamura, A. Yamamoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

    APPLIED SURFACE SCIENCE Vol. 267 No. 15 p. 136-140 2013/02 Research paper (scientific journal)

  114. Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> template

    D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

    Journal of Crystal Growth Vol. 381 p. 37-42 2013 Research paper (scientific journal)

  115. Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction

    K. Nakamura, S. Harada, D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

    2012/12

  116. GOI substrates -Fabrication and characterization-

    A. Sakai, S. Yamasaka, J. Kikkawa, Y. Nakamura, Y. Moriyama, T. Tezuka, S. Takeuchi, K. Izunome

    ECS Transactions Vol. 50 No. 9 p. 709-725 2012/10 Research paper (scientific journal)

  117. Electron-beam-induced current study of electrocal property change at SrTiO3 bicrystal interface induced by forming process

    T. Kato, Y. Nakamura, P. P. T. Son, J. Kikkawa, A. Sakai

    Materials Science Forum Vol. 725 p. 261-264 2012/06 Research paper (scientific journal)

  118. Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure

    Kentaro Watanabe, Masakazu Ichikawa, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B Vol. 30 No. 2 2012/03 Research paper (scientific journal)

  119. Vertical dislocations in Ge films selectively grown in submicron Si windows of patterned substrates

    S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, G. Wang, M. Caymax, A. Sakai

    THIN SOLID FILMS Vol. 520 No. 8 p. 3245-3248 2012/02 Research paper (scientific journal)

  120. Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using four-point-probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor method

    K. Minami, Y. Nakamura, S. Yamasaka, O. Yoshitake, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

    THIN SOLID FILMS Vol. 520 No. 8 p. 3232-3235 2012/02 Research paper (scientific journal)

  121. High density iron silicide nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique

    Yoshiaki Nakamura

    Procedia Engineering Vol. 36 p. 382-387 2012 Research paper (international conference proceedings)

    Publisher: Elsevier Ltd
  122. Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure

    Kentaro Watanabe, Masakazu Ichikawa, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics Vol. 30 No. 2 2012 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AVS Science and Technology Society
  123. Nanocontact Epitaxy of Thin Films on Si Substrates Using Nanodot Seeds Fabricated by Ultrathin SiO2 Film Technique

    Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 5: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING -AND-TUTORIALS IN NANOTECHNOLOGY: MORE THAN MOORE - BEYOND CMOS EMERGING MATERIALS AND DEVICES Vol. 45 No. 3 p. 41-45 2012 Research paper (international conference proceedings)

  124. Epitaxial Growth of Iron-Silicide Nanodots on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique and Their Physical Properties

    Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    LOW-DIMENSIONAL NANOSCALE ELECTRONIC AND PHOTONIC DEVICES 5 -AND- STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS 54 (SOTAPOCS 54) Vol. 50 No. 6 p. 65-70 2012 Research paper (international conference proceedings)

  125. Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al 2O 3/SiO 2 buried oxide layers

    Yoshihiko Moriyama, Keiji Ikeda, Yuuichi Kamimuta, Minoru Oda, Toshifumi Irisawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

    2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings p. 34-35 2012 Research paper (international conference proceedings)

  126. Luminescence at 1.5 mu m from Si/GeSn nanodot/Si structures

    Yoshiaki Nakamura, Norihito Fujinoki, Masakazu Ichikawa

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS Vol. 45 No. 3 2012/01 Research paper (scientific journal)

  127. Preface

    Yoshihito Maeda, Yoshikazu Terai, Kevin P. Homewood, Kenichi Takarabe, Kenji Yamaguchi, Motofumi Suzuki, Taizoh Sadoh, Yoshiaki Nakamura

    Thin Solid Films Vol. 519 No. 24 2011/10/03 Research paper (scientific journal)

  128. Selected Papers from the Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010) Tsukuba, July 24-26, 2010 Preface

    Yoshihito Maeda, Yoshikazu Terai, Kevin P. Homewood, Kenichi Takarabe, Kenji Yamaguchi, Motofumi Suzuki, Taizoh Sadoh, Yoshiaki Nakamura

    THIN SOLID FILMS Vol. 519 No. 24 p. 8433-8433 2011/10

  129. Photoabsorption properties of beta-FeSi2 nanoislands grown on Si(111) and Si(001): Dependence on substrate orientation studied by nano-spectroscopic measurements

    Nobuyasu Naruse, Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

    THIN SOLID FILMS Vol. 519 No. 24 p. 8477-8479 2011/10 Research paper (scientific journal)

  130. Fe3Si nanodots epitaxially grown on Si(111) substrates using ultrathin SiO2 film technique

    Yoshiaki Nakamura, Kenjiro Fukuda, Shogo Amari, Masakazu Ichikawa

    THIN SOLID FILMS Vol. 519 No. 24 p. 8512-8515 2011/10 Research paper (scientific journal)

  131. Structural Analysis of Si-Based Nanodot Arrays Self-Organized by Selective Etching of SiGe/Si Films

    Masahiko Takahashi, Yoshiaki Nakamura, Jun Kikkawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Akira Sakai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 50 No. 8 2011/08 Research paper (scientific journal)

  132. Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence Nanospectroscopies

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Masakazu Ichikawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 50 No. 8 2011/08 Research paper (scientific journal)

  133. Epitaxial Growth of High Quality Ge Films on Si(001) Substrates by Nanocontact Epitaxy

    Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, Masakazu Ichikawa

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN Vol. 11 No. 7 p. 3301-3305 2011/07 Research paper (scientific journal)

  134. Nanocontact heteroepitaxy of thin GaSb and AlGaSb films on Si substrates using ultrahigh-density nanodot seeds

    Yoshiaki Nakamura, Takafumi Miwa, Masakazu Ichikawa

    NANOTECHNOLOGY Vol. 22 No. 26 2011/07 Research paper (scientific journal)

  135. Effect of Low-Energy Ga Ion Implantation on Selective Growth of Gallium Nitride Layer on Silicon Nitride Surfaces Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Kazuya Isiizumi, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Junichi Yanagisawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 50 No. 6 2011/06 Research paper (scientific journal)

  136. X-ray microdiffraction investigation of crystallinity and strain relaxation in Ge thin lines selectively grown on Si(001) substrates

    Kouhei Ebihara, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Gang Wang, Matty Caymax, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Osami Sakata

    SOLID-STATE ELECTRONICS Vol. 60 No. 1 p. 26-30 2011/06 Research paper (scientific journal)

  137. Electrical Characterization of Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates Using a Four-Point-Probe Pseudo-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

    Yuji Iwasaki, Yoshiaki Nakamura, Jun Kikkawa, Motoki Sato, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Koji Izunome, Akira Sakai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 50 No. 4 2011/04 Research paper (scientific journal)

  138. Annealing Effects on Ge/SiO2 Interface Structure in Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates

    Osamu Yoshitake, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Koji Izunome, Akira Sakai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 50 No. 4 2011/04 Research paper (scientific journal)

  139. Self-organization of two-dimensional SiGe nanodot arrays using selective etching of pure-edge dislocation network

    Yoshiaki Nakamura, Masahiko Takahashi, Tatsuki Fujiwara, Jun Kikkawa, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 109 No. 4 2011/02 Research paper (scientific journal)

  140. Microscopic structure of directly bonded silicon substrates

    Tetsuji Kato, Yuji Ohara, Takaya Ueda, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Takeshi Senda, Kouji Izunome, Hiroo Tajiri, Osamu Sakata, Shigeru Kimura

    Key Engineering Materials Vol. 470 p. 164-170 2011 Research paper (international conference proceedings)

  141. Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates

    Tetsuji Kato, Takaya Ueda, Yuji Ohara, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Eiji Toyoda, Kouji Izunome, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Osamu Sakata

    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS Vol. 470 p. 158-+ 2011 Research paper (international conference proceedings)

  142. Formation and Magnetic Properties of Ultrahigh Density Fe3Si Nanodots Epitaxially Grown on Si(111) Substrates Covered with Ultrathin SiO2 Films

    Yoshiaki Nakamura, Shogo Amari, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 50 No. 1 2011/01 Research paper (scientific journal)

  143. Self-organization and Self-repair of a Two-dimensional Nanoarray of Ge Quantum Dots Epitaxially Grown on Si Substrates using Ultrathin SiO2 Films

    Yoshiaki NAKAMURA, Akiyuki MURAYAMA, Ryoko WATANABE, Tomokazu IYODA, Masakazu ICHIKAWA

    J. Surf. Sci. Soc. Jpn. Vol. 31 No. 12 p. 626-631 2010/12

    Publisher: The Surface Science Society of Japan
  144. Two-dimensional nanoarray of SiGe epitaxial nanodots self-organized by selective etching of edge dislocation network

    Y. Nakamura, M. Takahashi, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, A. Sakai

    2010 Material Research Society Fall Meeting 2010/11 Research paper (international conference proceedings)

  145. X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates

    K. Ebihara, S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

    ECS Transactions Vol. 33 No. 6 p. 887-892 2010/10 Research paper (scientific journal)

  146. Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing

    T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

    THIN SOLID FILMS Vol. 518 No. 6 p. S147-S150 2010/01 Research paper (scientific journal)

  147. Photoluminescence from Si-capped GeSn nanodots on Si substrates formed using an ultrathin SiO2 film technique

    Yoshiaki Nakamura, Norihiko Fujinoki, Masakazu Ichikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 106 No. 1 2009/07 Research paper (scientific journal)

  148. Scanning tunneling microscope-cathodoluminescence measurement of the GaAs/AlGaAs heterostructure

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B Vol. 27 No. 4 p. 1874-1880 2009/07 Research paper (scientific journal)

  149. Defect-related light emission in the 1.4-1.7 mu m range from Si layers at room temperature

    A. A. Shklyaev, Y. Nakamura, F. N. Dultsev, M. Ichikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 105 No. 6 2009/03 Research paper (scientific journal)

  150. Fourier-transform photoabsorption spectroscopy of quantum-confinement effects in individual GeSn nanodots

    Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 94 No. 9 2009/03 Research paper (scientific journal)

  151. High resolution transmission electron microscopy study of iron-silicide nanodot structures grown on faintly oxidized Si (111) surfaces

    Sung-Pyo Cho, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Nobuo Tanaka

    THIN SOLID FILMS Vol. 517 No. 9 p. 2865-2870 2009/03 Research paper (scientific journal)

  152. Formation and optical properties of GaSb quantum dots epitaxially grown on Si substrates using an ultrathin SiO2 film technique

    Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Sugimoto, Masakazu Ichikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 105 No. 1 2009/01 Research paper (scientific journal)

  153. Formation technology of high density nanodots epitaxially grown on Si substrates

    Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    Vol. 134 23 2008/12

  154. Characterization of semiconductor nanostructures formed by using ultrathin Si oxide technology

    M. Ichikawa, S. Uchida, A. A. Shklyaev, Y. Nakamura, S. -P. Cho, N. Tanaka

    APPLIED SURFACE SCIENCE Vol. 255 No. 3 p. 669-671 2008/11 Research paper (scientific journal)

  155. Electric field modulation nanospectroscopy for characterization of individual beta-FeSi(2) nanodots

    Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 104 No. 7 2008/10 Research paper (scientific journal)

  156. Giant fullerenes formed on C(60) films irradiated with electrons field-emitted from scanning tunneling microscope tips

    Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Koji Maeda

    APPLIED SURFACE SCIENCE Vol. 254 No. 23 p. 7881-7884 2008/09 Research paper (scientific journal)

  157. Spatial resolution of imaging contaminations on the GaAs surface by scanning tunneling microscope-cathodoluminescence spectroscopy

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    APPLIED SURFACE SCIENCE Vol. 254 No. 23 p. 7737-7741 2008/09 Research paper (scientific journal)

  158. Self-assembled epitaxial growth of high density beta-FeSi2 nanodots on Si (001) and their spatially resolved optical absorption properties

    Yoshiaki Nakamura, Shogo Amari, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Koji Maeda, Masakazu Ichikawa

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN Vol. 8 No. 8 p. 3019-3023 2008/08 Research paper (scientific journal)

  159. Local optical characterization related to Si cluster concentration in GaAs using scanning tunneling microscope cathodoluminescence spectroscopy

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 47 No. 7 p. 6109-6113 2008/07 Research paper (scientific journal)

  160. The enhanced signal of subgap centers in tip-probing photoabsorption spectroscopy with an assist of a subsidiary light

    Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 103 No. 4 2008/02 Research paper (scientific journal)

  161. Measurements of local optical properties of Si-doped GaAs (110) surfaces using modulation scanning tunneling microscope cathodoluminescence spectroscopy

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B Vol. 26 No. 1 p. 195-200 2008/01 Research paper (scientific journal)

  162. Epitaxial growth of ultrahigh density Ge(1-x)Sn(x) quantum dots on Si(111) substrates by codeposition of Ge and Sn on ultrathin SiO(2) films

    Yoshiaki Nakamura, Akiko Masada, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 102 No. 12 2007/12 Research paper (scientific journal)

  163. Fourier transform photoabsorption spectroscopy based on scanning tunneling microscopy

    Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yo Fukuzawa, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 102 No. 11 2007/12 Research paper (scientific journal)

  164. Quantum-size effect in uniform Ge-Sn alloy nanodots observed by photoemission Spectroscopy

    Yasuo Nakayama, Keiko Takase, Toru Hirahara, Shuji Hasegawa, Taichi Okuda, Ayumi Harasawa, Iwao Matsuda, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS Vol. 46 No. 45-49 p. L1176-L1178 2007/12 Research paper (scientific journal)

  165. The origin of spectral distortion in electric field modulation spectroscopy based on scanning tunneling microscopy

    N. Naruse, Y. Mera, Y. Nakamura, M. Ichikawa, K. Maeda

    SURFACE SCIENCE Vol. 601 No. 22 p. 5300-5303 2007/11 Research paper (scientific journal)

  166. Polymerization and depolymerization of fullerenes induced by hole injection from scanning tunneling microscope tips

    Y. Mera, M. Yoshino, Y. Nakamura, K. Saishu, K. Maeda

    SURFACE SCIENCE Vol. 601 No. 22 p. 5207-5211 2007/11 Research paper (scientific journal)

  167. Quantum-confinement effect in individual Ge1-xSnx quantum dots on Si(111) substrates covered with ultrathin SiO2 films using scanning tunneling spectroscopy

    Yoshiaki Nakamura, Akiko Masada, Masakazu Ichikawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 91 No. 1 2007/07 Research paper (scientific journal)

  168. Desorption of chlorine atoms on Si(111)-(7x7) surfaces induced by hole injection from scanning tunneling microscope tips

    Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Koji Maeda

    SURFACE SCIENCE Vol. 601 No. 10 p. 2189-2193 2007/05 Research paper (scientific journal)

  169. Influence of growth and annealing conditions on photoluminescence of Ge/Si layers grown on oxidized Si surfaces

    A. A. Shklyaev, S-P Cho, Y. Nakamura, N. Tanaka, M. Ichikawa

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER Vol. 19 No. 13 2007/04 Research paper (scientific journal)

  170. Quantum fluctuation of tunneling current in individual Ge quantum dots induced by a single-electron transfer

    Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Kentaro Watanabe, Yasuhiro Hatsugai

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 90 No. 15 2007/04 Research paper (scientific journal)

  171. Photoluminescence of Si layers grown on oxidized Si surfaces

    A. A. Shklyaev, Y. Nakamura, M. Ichikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 101 No. 3 2007/02 Research paper (scientific journal)

  172. Observation of the quantum-confinement effect in individual beta-FeSi2 nanoislands epitaxially grown on Si(111) surfaces using scanning tunneling spectroscopy

    Yoshiaki Nakamura, Ryota Suzuki, Masafumi Umeno, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 89 No. 12 2006/09 Research paper (scientific journal)

  173. Manipulating Ge quantum dots on ultrathin SixGe1-x oxide films using scanning tunneling microscope tips

    Yoshiaki Nakamura, Hiroyuki Takata, Akiko Masada, Masakazu Ichikawa

    SURFACE SCIENCE Vol. 600 No. 17 p. 3456-3460 2006/09 Research paper (scientific journal)

  174. Formation of ultrahigh density and ultrasmall coherent beta-FeSi2 nanodots on Si (111) substrates using Si and Fe codeposition method

    Yoshiaki Nakamura, Yasushi Nagadomi, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 100 No. 4 2006/08 Research paper (scientific journal)

  175. Photoluminescence of Ge/Si structures grown on oxidized Si surfaces

    AA Shklyaev, S Nobuki, S Uchida, Y Nakamura, M Ichikawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 88 No. 12 2006/03 Research paper (scientific journal)

  176. Quantum confinement observed in Ge nanodots on an oxidized Si surface

    A Konchenko, Y Nakayama, Matsuda, I, S Hasegawa, Y Nakamura, M Ichikawa

    PHYSICAL REVIEW B Vol. 73 No. 11 2006/03 Research paper (scientific journal)

  177. STM observations of photo-induced jumps of chlorine atoms chemisorbed on Si(111)-(7 x 7) surface

    A Yajima, Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

    SURFACE SCIENCE Vol. 593 No. 1-3 p. 155-160 2005/11 Research paper (scientific journal)

  178. Observation of the quantum-confinement effect in individual Ge nanocrystals on oxidized Si substrates using scanning tunneling spectroscopy

    Y Nakamura, K Watanabe, Y Fukuzawa, M Ichikawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 87 No. 13 2005/09 Research paper (scientific journal)

  179. Formation of strained iron silicide nanodots by Fe deposition on Si nanodots on oxidized Si (111) surfaces

    Yoshiaki Nakamura, Yasushi Nagadomi, Sung-Pyo Cho, Nobuo Tanaka, Masakazu Ichikawa

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics Vol. 72 No. 7 2005/08/15 Research paper (scientific journal)

  180. Role of intermolecular separation in nanoscale patterning C-60 films by local injection of electrons from scanning tunneling microscope tip

    Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS Vol. 44 No. 42-45 p. L1373-L1376 2005 Research paper (scientific journal)

  181. Nonthermal decomposition of C-60 polymers induced by tunneling electron injection

    Y Nakamura, F Kagawa, K Kasai, Y Mera, K Maeda

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 85 No. 22 p. 5242-5244 2004/11 Research paper (scientific journal)

  182. Formation of ultrahigh density Ge nanodots on oxidized Ge/Si(111) surfaces

    Y Nakamura, Y Nagadomi, K Sugie, N Miyata, M Ichikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 95 No. 9 p. 5014-5018 2004/05 Research paper (scientific journal)

  183. Hopping motion of chlorine atoms on Si(100)-(2 x 1) surfaces induced by carrier injection from scanning tunneling microscope tips

    Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

    SURFACE SCIENCE Vol. 531 No. 1 p. 68-76 2003/05 Research paper (scientific journal)

  184. Cluster reactions in C-60 films induced by electron injection from a scanning tunneling microscope tip

    Y Nakamura, F Kagawa, K Kasai, Y Mera, K Maeda

    SURFACE SCIENCE Vol. 528 No. 1-3 p. 151-155 2003/03 Research paper (scientific journal)

  185. Spreading effects in surface reactions induced by tunneling current injection from an STM tip

    K Maeda, Y Nakamura

    SURFACE SCIENCE Vol. 528 No. 1-3 p. 110-114 2003/03 Research paper (scientific journal)

  186. Nanoscale imaging of electronic surface transport probed by atom movements induced by scanning tunneling microscope current

    Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

    PHYSICAL REVIEW LETTERS Vol. 89 No. 26 2002/12 Research paper (scientific journal)

  187. Structural change of radiation defects in graphite crystals induced by STM probing

    O Tonomura, Y Mera, A Hida, Y Nakamura, T Meguro, K Maeda

    APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING Vol. 74 No. 2 p. 311-316 2002/02 Research paper (scientific journal)

  188. Spatially extended polymerization of C60 clusters induced by localized current injection from scanning tunneling microscope tips

    Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera, Koji Maeda

    Molecular Crystals and Liquid Crystals Science and Technology Section A: Molecular Crystals and Liquid Crystals Vol. 386 No. 1 p. 135-138 2002 Research paper (international conference proceedings)

  189. Chlorine atom diffusion on Si(111)-(7 x 7) surface enhanced by hole injection from scanning tunneling microscope tips

    Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

    SURFACE SCIENCE Vol. 497 No. 1-3 p. 166-170 2002/01 Research paper (scientific journal)

  190. Diffusion of chlorine atoms on Si(111)-(7x7) surface enhanced by electron injection from scanning tunneling microscope tips

    Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

    SURFACE SCIENCE Vol. 487 No. 1-3 p. 127-134 2001/07 Research paper (scientific journal)

  191. In situ scanning tunneling microscopic study of polymerization of C-60 clusters induced by electron injection from the probe tips

    Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 77 No. 18 p. 2834-2836 2000/10 Research paper (scientific journal)

  192. A reproducible method to fabricate atomically sharp tips for scanning tunneling microscopy

    Y Nakamura, Y Mera, K Maeda

    REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS Vol. 70 No. 8 p. 3373-3376 1999/08 Research paper (scientific journal)

  193. Laser-induced Etching of Chlorinated Silicon Surfaces

    Koji Maeda, Hirotaka Amasuga, Yoshiaki Nakamura, Yutaka Mera

    J. Surf. Sci. Soc. Jpn. Vol. 20 No. 6 p. 393-400 1999/06

    Publisher: The Surface Science Society of Japan

Misc. 121

  1. Controlling the switching temperature via order-order transition in organic-based thermal switch material

    石部貴史, 金子達哉, 赤羽英夫, 小村元憲, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 70th 2023

  2. Development of high-performance SiGe thermoelectric materials by introducing alloy nanocrystals

    堀田亮輔, 水田光星, 石部貴史, 藤田武志, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 83rd 2022

  3. Direct mapping of local potential variation in thermoelectric material under temperature different

    小松原祐樹, 宮戸祐治, 石部貴史, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 82nd 2021

  4. Electron transport mechanism in ε-CoSi film/Si for high thermoelectric power factor

    石部貴史, 上松悠人, 竹中良介, 鈴木雄大, 佐藤和則, 藤田武志, 小林英一, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 68th 2021

  5. Phonon transport control and thermoelectric application by using peculiar structures

    中村芳明, 藤田武志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 67th 2020

  6. Relationship between electronic states and thermoelectric characteristics in B20-type CoSi film /Si

    石部貴史, 雛川貴弘, 坂根駿也, 佐藤和則, 小林英一, 藤田武志, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 67th 2020

  7. 熱電ホイスラー合金Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の電気・熱電特性

    工藤康平, 嶋貫雄太, 石部貴史, 真砂啓, 山田晋也, 山田晋也, 中村芳明, 浜屋宏平, 浜屋宏平

    日本金属学会講演大会(Web) Vol. 166th 2020

  8. Phonon transport control by using peculiar structures for thermoelectric performance enhancement

    中村芳明, 藤田武志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 81st 2020

  9. Detection of microscopic thermoelectric properties in ZnO thin film using thermoelectromotive force microscopy.

    小松原祐樹, 宮戸祐治, 石部貴史, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 67th 2020

  10. The origin of high thermoelectric power factor in Si-rich SiGe/Si superlattices

    谷口達彦, 石部貴史, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 67th 2020

  11. Enhancement of power factor by two-dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs system

    上松悠人, 谷口達彦, 細田凌矢, 石部貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 67th 2020

  12. Elucidating thermal conductivity reduction mechanism in SiGe thin films including epitaxial Ge nanodots

    谷口達彦, 石部貴史, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 81st 2020

  13. SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大

    坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 池内賢朗, 鎌倉良成, 森伸也, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 66th 2019/02/25

  14. Si基板上に形成した擬ギャップε‐CoSi薄膜の熱電性能評価

    雛川貴弘, 坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 66th 2019/02/25

  15. 局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下における熱電材料の表面電位分布測定

    宮戸祐治, 小松原祐樹, 石部貴史, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 66th 2019

  16. 高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化

    谷口達彦, 石部貴史, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 66th 2019

  17. 独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化

    谷口達彦, 寺田吏, 石部貴史, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 80th 2019

  18. Si置換したFe2VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率

    工藤康平, 山田晋也, 山田晋也, 近田尋一朗, 嶋貫雄太, 石部貴史, 阿保智, 宮崎秀俊, 西野洋一, 中村芳明, 浜屋宏平, 浜屋宏平

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 66th 2019

  19. 熱電材料Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長

    嶋貫雄太, 工藤康平, 山田晋也, 山田晋也, 石部貴史, 中村芳明, 浜屋宏平, 浜屋宏平

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 80th 2019

  20. Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子

    坂根駿也, 柏野真人, 渡辺健太郎, 鎌倉良成, 鎌倉良成, 森伸也, 森伸也, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 79th 2018/09/05

  21. 低熱伝導率Fe2VAl単結晶薄膜の形成

    山田晋也, 山田晋也, 工藤康平, 奥畑亮, 近田尋一朗, 中村芳明, 浜屋宏平, 浜屋宏平

    日本金属学会講演概要(CD-ROM) Vol. 162nd 2018

  22. 界面制御によるSi/SiGe超格子の出力因子操作

    谷口達彦, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 65th 2018

  23. Si-rich SiGe/Si超格子における界面偏析が熱伝導率へ与える影響

    谷口達彦, 成瀬延康, 山下雄一郎, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 79th 2018

  24. Enhancement of Phonon Scattering in Epitaxial Hierarchical Nanodot Structures for Thermoelectric Application

    中村芳明, 谷口達彦, 寺田吏

    表面と真空 Vol. 61 No. 5 2018

  25. 組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大

    谷口達彦, 奥畑亮, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 78th 2017/08/25

  26. ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響

    坂根駿也, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 藤田武志, 藤田武志, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 78th 2017/08/25

  27. ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係

    坂根駿也, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 藤田武志, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 64th 2017/03/01

  28. Si(001)基板上エピタキシャルGe薄膜の熱電特性

    谷口達彦, 宮本拓, 奥畑亮, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 64th 2017

  29. 鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上

    坂根駿也, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 藤田武志, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 77th 2016/09/01

  30. Si(111)基板上エピタキシャルβ‐FeSi2薄膜の熱電特性

    谷口達彦, 坂根駿也, 青木俊輔, 奥畑亮, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 鈴木健之, 藤田武志, 藤田武志, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 77th 2016/09/01

  31. ZnOナノワイヤ埋め込み構造の形成とその熱電特性

    石部貴史, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 吉川純, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 77th 2016/09/01

  32. エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上

    山阪司祐人, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 澤野憲太郎, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 63rd 2016

  33. 極薄Al₂O₃/SiO₂ hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 (シリコン材料・デバイス)

    吉田 啓資, 竹内 正太郎, 中村 芳明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 115 No. 108 p. 81-86 2015/06/19

    Publisher: 電子情報通信学会
  34. Development of Si-based thermoelectric nanomaterial using ultrathin SiO_2 film technique

    NAKAMURA Yoshiaki

    Technical report of IEICE. SDM Vol. 114 No. 443 p. 1-5 2015/02/05

    Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
  35. Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析

    浅津宏伝, 竹内正太郎, 今西正幸, 中村芳明, 今出完, 森勇介, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 62nd 2015

  36. 窒化物半導体の成長表・界面制御と転位挙動-Naフラックス成長GaN結晶を中心に-

    酒井朗, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 中村芳明, 今西正幸, 今出完, 森勇介

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 76th 2015

  37. Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

    渡辺健太郎, 前田佳輝, 中本悠太, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 76th 2015

  38. エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性

    前田佳輝, 渡辺健太郎, 中本悠太, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 76th 2015

  39. Si中エピタキシャルGeナノドットを用いた熱抵抗制御

    山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 62nd 2015

  40. 鉄シリサイド核/Siを用いた鉄酸化物のエピタキシャル成長

    松井秀紀, 中村芳明, 中本悠太, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 62nd 2015

  41. エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御

    山阪司祐人, 渡辺健太郎, 澤野憲太郎, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 76th 2015

  42. β-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因

    坂根駿也, 渡辺健太郎, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 76th 2015

  43. Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template (vol 381, pg 37, 2013)

    D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH Vol. 388 p. 150-150 2014/02 Other

  44. Al2O3挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価

    吉田啓資, 中村芳明, 竹内正太郎, 守山佳彦, 守山佳彦, 手塚勉, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 61st 2014

  45. 極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe3O4ナノドットの抵抗スイッチング特性

    松井秀紀, 中村芳明, 中村芳明, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 61st 2014

  46. Naフラックス結合成長法における成長ハビットと転位挙動の関係

    今西正幸, 村上航介, 今林弘毅, 高澤秀生, 松尾大輔, 轟夕摩, 丸山美帆子, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 今出完, 吉村政志, 森勇介

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 61st 2014

  47. エピタキシャルSiナノドット積層構造へのドーピング技術開発とその熱電特性

    上田智広, 中村芳明, 中村芳明, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 61st 2014

  48. エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価

    山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 61st 2014

  49. Ge-nMOSFET向けn+-Ge/n+-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減

    守山佳彦, 守山佳彦, 上牟田雄一, 鎌田善己, 池田圭司, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 手塚勉

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 61st 2014

  50. 窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価-マルチスケール評価へのアプローチ-

    酒井朗, 竹内正太郎, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 75th 2014

  51. Si基板上エピタキシャルFe3O4-δナノドットの抵抗変化特性とそのアニール処理依存性

    松井秀紀, 中村芳明, 中村芳明, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 75th 2014

  52. Siウェーハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響

    須藤治生, 荒木浩司, 日高洋美, 荒木延恵, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 泉妻宏治

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 75th 2014

  53. エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性

    山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 鶴崎晋也, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 75th 2014

  54. 周期溝加工(22-43)サファイア基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析

    荒内琢士, 竹内正太郎, 橋本健宏, 中村芳明, 今井康彦, 山根啓輔, 山根啓輔, 岡田成仁, 木村滋, 只友一行, 酒井朗

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 75th 2014

  55. X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

    内山星郎, 竹内正太郎, 荒内琢士, 橋本健宏, 中村芳明, 山根啓輔, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行, 酒井朗

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 75th 2014

  56. Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate and their electronic states

    ISHIBE Takafumi, NAKAMURA Yoshiaki, MATSUI Hideki, TAKEUCHI Syotaro, SAKAI Akira

    Technical report of IEICE. SDM Vol. 113 No. 87 p. 51-55 2013/06/18

    Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
  57. X線マイクロ回折による周期溝加工SiC基板上に成長したAlN厚膜の結晶性評価

    中村邦彦, KHAN Dinh Thanh, 荒内琢士, 竹内正太郎, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 60th 2013

  58. Siウェーハの曲げ強度に対する表層酸素濃度の影響

    須藤治生, 青木竜彦, 荒木浩司, 日高洋美, 荒木延恵, 中村芳明, 酒井朗, 泉妻宏治

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 60th 2013

  59. 表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動

    浅津宏伝, 竹内正太郎, 山内宏哉, 須藤治生, 荒木浩司, 中村芳明, 中村芳明, 泉妻宏治, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 60th 2013

  60. Si系熱電材料におけるエピタキシャルナノドット散乱体の形成とその熱伝導率評価

    山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 60th 2013

  61. エピタキシャルβ-FeSi2ナノドット積層構造の形成とその熱電特性

    五十川雅之, 中村芳明, 中村芳明, 吉川純, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 60th 2013

  62. Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

    山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 74th 2013

  63. X線回折による三角周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャルAlN厚膜の結晶構造解析

    荒内琢士, 竹内正太郎, 中村邦彦, KHAN Dinh Thanh, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 酒井朗

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 74th 2013

  64. エピタキシャル成長n+-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減

    守山佳彦, 守山佳彦, 上牟田雄一, 鎌田善己, 池田圭司, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗, 手塚勉

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 74th 2013

  65. 薄膜Al2O3/SiO2BOX層を有するUTB-GeOI基板作製

    守山佳彦, 守山佳彦, 池田圭司, 竹内正太郎, 上牟田雄一, 中村芳明, 酒井朗, 泉妻宏治, 手塚勉

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 74th 2013

  66. X線マイクロ回折によるAlN厚膜中の局所歪分布解析

    酒井朗, KHAN Dinh Thanh, 竹内正太郎, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) Vol. 43rd 2013

  67. Resistive Switching Properties of Directly Bonded SrTiO_3 Substrate

    ASADA Ryota, SON Pham Phu Than, VASANT Kokate Nishad, KIKKAWA Jun, TAKEUCHI Shotaro, NAKAMURA Yoshiaki, SAKAI Akira

    Technical report of IEICE. SDM Vol. 112 No. 92 p. 7-12 2012/06/14

    Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
  68. 半導体材料局所領域における微細構造・歪のX線マイクロ回折評価

    酒井朗, 吉川純, 中村芳明, 今井康彦, 坂田修身, 木村滋

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 59th 2012

  69. X線マイクロ回折法によるGaN自立基板の結晶性評価

    原田進司, 渡邉翔大, DINH K.T., 吉川純, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身, 酒井朗

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 59th 2012

  70. ナノコンタクトエピタキシーによるSi(111)基板上Ge薄膜の形成と発光特性

    田中一樹, 中村芳明, 中村芳明, 五十川雅之, 吉川純, 酒井朗

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 59th 2012

  71. Ge核制御を施したSi基板上超高密度鉄系ナノドットの形成

    杉元亮太, 中村芳明, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 59th 2012

  72. 周期溝構造AlN層/サファイア基板上に形成されたAlN厚膜中の転位構造解析

    岡本祥吾, 吉川純, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和正, 酒井朗

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 59th 2012

  73. Si基板上エピタキシャルβ-FeSi2ナノドットの積層技術開発

    五十川雅之, 中村芳明, 中村芳明, 吉川純, 竹内正太郎, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 73rd 2012

  74. 薄膜Al2O3/SiO2BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の作製

    守山佳彦, 守山佳彦, 池田圭司, 上牟田雄一, 入沢寿史, 小田穣, 中村芳明, 酒井朗, 手塚勉

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 73rd 2012

  75. Si基板上のエピタキシャルSiナノドット積層構造の形成と熱伝導率評価

    上田智広, 中村芳明, 中村芳明, 五十川雅之, 吉川純, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 73rd 2012

  76. ツイスト接合バイクリスタルSrTiO3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価

    浅田遼太, SON Pham Phu Than, VASANT Kokate Nishad, 吉川純, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 73rd 2012

  77. X線マイクロ回折によるFACELO成長GaN膜の結晶性評価

    中村邦彦, 原田進司, KHAN Dinh Thanh, 吉川純, 竹内正太郎, 中村芳明, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 73rd 2012

  78. Evaluation of Electrical Property at SrTiO_3 Bicrystal Interface by EBIC

    KATO Tetsuji, PHAM Son Phu Thanh, NAKAMURA Yoshiaki, KIKKAWA Jun, SAKAI Akira

    IEICE technical report Vol. 111 No. 114 p. 93-96 2011/06/27

    Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
  79. フォーミング過程に起因するSrTiO3バイクリスタル接合界面のEBICコントラスト変化

    加藤哲司, SON Pham Phu Thanh, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 58th 2011

  80. 貼り合わせGOI基板における電気特性の熱処理雰囲気依存性

    山阪司祐人, 南圭祐, 中村芳明, 吉武修, 吉川純, 泉妻宏治, 酒井朗

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 58th 2011

  81. X線マイクロ回折を用いたGaN自立基板の格子面傾斜ゆらぎの解析

    渡邉翔大, 原田進司, KHAN D. T., 吉川純, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身, 酒井朗

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 58th 2011

  82. 貼り合わせGeOI基板における界面近傍欠陥密度の熱処理依存性

    山阪司祐人, 中村芳明, 中村芳明, 南圭祐, 吉武修, 吉川純, 泉妻宏治, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 72nd 2011

  83. 極薄Si酸化膜を用いてナノ界面制御したSi基板上超高密度鉄酸化物ナノドットの形成

    浜中啓伸, 中村芳明, 中村芳明, 杉元亮太, 吉川純, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 72nd 2011

  84. アセチルアセトナート錯体を用いた酸化バナジウム・ナノワイヤの成長

    石部貴史, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 72nd 2011

  85. 四探針型pseudo-MOSトランジスタ法を用いた貼り合せGOI基板の電気特性評価

    岩崎裕司, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗, 佐藤元樹, 豊田英二, 磯貝宏道, 泉妻宏治

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 57th 2010

  86. Si基板上に選択エピタキシャル成長したGe細線の歪緩和過程

    海老原洪平, 原田進司, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, WANG Gang, CAYMAX Matty, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 57th 2010

  87. 貼り合せGOI基板におけるGe/SiO2界面構造の熱処理依存性

    吉武修, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 豊田英二, 磯貝宏道, 泉妻宏治

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 57th 2010

  88. Si(110)表面構造のオフ角依存性

    山下鎮, 山本昌, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗, 豊田英二, 佐藤元樹, 磯貝宏道, 泉妻宏治

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 57th 2010

  89. 極薄Si酸化膜を用いたSi(111)基板上超高密度鉄系ナノドットの形成

    浜中啓伸, 中村芳明, 田中一樹, 吉川純, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 71st 2010

  90. スピンMOSFET用Fe3Si/SOI(111)高品質接合の作製

    馬場雄三, 村上達彦, 橋本直樹, 安藤裕一郎, 浜屋宏平, 浜屋宏平, 吉川純, 中村芳明, 豊田英二, 泉妻宏治, 酒井朗, 宮尾正信

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 71st 2010

  91. 四探針型Pseudo-MOSトランジスタ法を用いた貼り合せGermanium(111)-on-Insulator基板の電気特性評価

    南圭祐, 中村芳明, 吉川純, 豊田英二, 泉妻宏治, 浜屋宏平, 宮尾正信, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 71st 2010

  92. Si基板上サブミクロン領域にエピタキシャル成長したGe薄膜の転位構造

    原田進司, 海老原洪平, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, WANG Gang, CAYMAX Matty

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 71st 2010

  93. 刃状転位ネットワークの選択エッチングによるSiGeナノドット二次元配列構造の形成

    中村芳明, 高橋雅彦, 吉川純, 中塚理, 財満鎭明, 酒井朗

    表面科学学術講演会講演要旨集 Vol. 30th 2010

  94. Direct Si Bonding基板の接合界面酸化膜消滅過程における結晶性変化

    加藤哲司, 大原悠司, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 中塚理, 財満鎭明, 豊田英二, 泉妻宏治, 木村滋, 坂田修身

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 Vol. 56th No. 1 2009

  95. Si(001)基板上に選択エピタキシャル成長したGe薄膜における格子欠陥の構造特性

    海老原洪平, 山下鎮, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, WANG Gang, CAYMAX Matty

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 Vol. 56th No. 1 2009

  96. 刃状転位ネットワークを用いたエピタキシャルナノドットの自己組織化配列

    高橋雅彦, 藤原達記, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol. 70th No. 2 2009

  97. Si(001)基板上に選択エピタキシャル成長したGe薄膜における歪緩和過程

    海老原洪平, 山下鎮, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, WANG Gang, CAYMAX Matty, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol. 70th No. 1 2009

  98. 貼り合わせGOI基板のGe/SiO2接合界面の構造評価

    吉武修, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 豊田英二, 磯貝宏道, 泉妻宏治

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol. 70th No. 1 2009

  99. Si(011)基板表面平坦性のオフ角依存性

    豊田英二, 磯貝宏道, 佐藤元樹, 泉妻宏治, 山下鎮, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol. 70th No. 1 2009

  100. Si(110)オフ基板の表面構造解析

    山下鎮, 中村芳明, 吉川純, 酒井朗, 豊田英二, 佐藤元樹, 磯貝宏道, 泉妻宏治

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol. 70th No. 1 2009

  101. 21pXK-7 Origin of the photo-absorption signal near sub-gap states based on scanning tunneling microscopy

    Naruse Nobuyasu, Mera Yutaka, Nakamura Yoshiaki, Ichikawa Masakazu, Maeda Koji

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 62 No. 2 p. 916-916 2007/08/21

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  102. 19aWH-5 STM electric field modulation spectroscopic measurements for β-FeSi_2 dots on Si(111) surface

    Naruse Nobuyasu, Mera Yutaka, Nakamura Yoshiaki, Ichikawa Masakazu, Maeda Koji

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 62 No. 1 p. 887-887 2007/02/28

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  103. 26aYC-3 Polymerization and Depolymerization of Fullerenes Induced by Hole Injection from an STM Tip

    Mera Yutaka, Yoshino Manabu, Saishu Katsuya, Nakamura Yoshiaki, Maeda Koji

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 61 No. 2 p. 766-766 2006/08/18

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  104. Fourier transform photo-absorption spectroscopy by detecting scanning tunneling microscope current

    N. Naruse, Y. Mera, Y. Nakamura, M. Ichikawa, K. Maeda

    The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy 2006 Research paper, summary (international conference)

  105. 20aYE-2 Direct observation of quantum size effect of a Ge nanodot on an oxidized Si surface

    Matsuda I., Konchenko Alexander, Nakamura Y., Nakayama Y., Hasegawa S., Ichikawa M.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 60 No. 2 p. 741-741 2005/08/19

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  106. 19pXF-5 The effect of intermolecular separation on polymerization and decomposition of C_<60> clusters induced by STM probe excitation

    Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 60 No. 2 p. 731-731 2005/08/19

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  107. 極薄GeOx膜上の超高密度Geナノドットの作成

    中村芳明, 長冨靖, 杉江薫, 宮田典幸, 市川昌和

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol. 64th No. 2 2003/08/30

  108. Measurements of the optical field enhanced beneath a STM metal tip

    Kobayashi M., Mera Y., Nakamura Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 58 No. 2 p. 802-802 2003/08/15

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  109. Quantal diffusion of electrons injected by STM on Si(111) surface

    Mizumoto Y., Kayanuma Y., Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 58 No. 1 p. 833-833 2003/03/06

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  110. In-situ STM observations of photo-induced diffusion of chlorine atoms on Si(111)-7×7 surface

    Yajima A., Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 57 No. 2 p. 736-736 2002/08/13

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  111. Decomposition of C_<60> Dimers induced by Electron Injection from a Scanning Tunneling Microscope Tip

    Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 57 No. 2 p. 688-688 2002/08/13

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  112. Nano-scale Structural Changes induced by STM Probing in Ion-deposited Amorphous Carbon Films

    Fuse T., Mera Y., Nakamura Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 56 No. 2 p. 807-807 2001/09/03

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  113. Structural Changes of Radiation Defects in Graphite Crystals induced by STM Probing

    Tonomura O., Nagura T., Mera Y., Hida A., Nakamura Y., Meguro T., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 56 No. 2 p. 806-806 2001/09/03

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  114. In-situ scanning tunneling microscopic observation of polymerized C_<60> clusters

    Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 56 No. 2 p. 673-673 2001/09/03

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  115. The spatial spread of STM probe injection effects on the Cl atom diffusion on Si(111)-(7×7) surfaces

    Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 55 No. 2 p. 799-799 2000/09/10

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  116. Polymerization of C_<60> clusters induced by STM current injection

    Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 55 No. 1 p. 801-801 2000/03/10

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  117. Cl atom diffusion on Si(111)-(7×7) surfaces enhanced by electron extraction with STM-probes

    Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 55 No. 1 p. 802-802 2000/03/10

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  118. 24pW-11 The spread of electrons injected from an STM-tip that enhance Cl atom diffusion on Si surfaces

    Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 54 No. 2 p. 789-789 1999/09/03

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  119. 28p-Q-5 STM-probe-enhanced diffusion of Cl atoms on Si(111)7×7 surfaces

    Nakamura Y., Mera Y., Maeda K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 54 No. 1 p. 302-302 1999/03/15

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
  120. Laser-induced Etching of Chlorinated Silicon Surfaces

    MAEDA Koji, AMASUGA Hirotaka, NAKAMURA Yoshiaki, MERA Yutaka

    J. Surf. Sci. Soc. Jpn. Vol. 20, 6, 393-400. No. 6 p. 393-400 1999

    Publisher: The Surface Science Society of Japan
  121. In-situ STM observation of Chlorinated Si(111)7×7 Surface

    NAKAMURA Y., MERA Y., MAEDA K.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan Vol. 53 No. 2 p. 357-357 1998/09/05

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

Publications 7

  1. 季刊学際技術誌『生産と技術』

    2021/09

  2. クリーンエネルギー 2021年7月号

    2021/07

  3. 次世代自動車の熱マネジメント

    技術情報協会

    技術情報協会 2020/12

    ISBN: 9784861048197

  4. サーマルデバイス 新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用

    中村芳明

    NTS 2019/04 General book, introductory book for general audience

    ISBN: 4860436024

  5. フォノンエンジニアリング~マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術~

    塩見 淳一郎

    (株)エヌ・ティー・エス 2017/09 Scholarly book

    ISBN: 9784860435097

  6. Nanostructuers of Silicide-based semiconductors (Chapter 3.7)

    Yoshiaki nakamura

    Shokabo 2014/09 Scholarly book

    ISBN: 9784785329204

  7. Formation of Ultrahigh Density Quantum Dots Epitaxially Grown on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique, STATE-OF-THE-ART OF QUANTUM DOT SYSTEM FABRICATIONS, CAPTER 6, jointly worked

    Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    INTECH 2012/06 Scholarly book

    ISBN: 9789535106494

Presentations 272

  1. Epitaxial growth of Ca(Ge1−xSnx)2 crystal on Si substrate and its electrical properties

    Takashi Yoshizaki, Tsukasa Terada, Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

    The 7th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2025 (APAC-Silicide 2025) 2025/07/19

  2. Formation of strain- and composition-controlled epitaxial GeSn films/Si and their thermoelectric properties

    Arata Shibagaki, Ryosuke Hotta, Takafumi Ishibe, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

    The 7th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2025 (APAC-Silicide 2025) 2025/07/19

  3. Design of nanomaterials and nanostructure for thin film thermoelectric generator

    Yoshiaki Nakamura

    ASCO Nanomat 2025 2025/07/12

  4. Thermoelectric performance enhancement of transparent SnO2 film by domain engineering and O2- anion manipulation

    Takafumi Ishibe, Yuichiro Yamashita, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Eiichi Kobayashi, Yoshiaki Nakamura

    The 41th International Conference on Thermoelectrics and 7th Asian Conference on Thermoelectrics (ICT 2025)

  5. Enhancement of transverse Seebeck coefficient of epitaxial Fe3Si film/Si by controlling structural factors

    Reona Kitraura, Takafumi Ishibe, Kunihiko Yamauchi, Tamio Oguchi, Takuya Tsujimoto, Masaki Mizuguchi, Yoshiaki Nakamura

    The 41th International Conference on Thermoelectrics and 7th Asian Conference on Thermoelectrics (ICT 2025)

  6. Enhancement of transverse Seebeck coefficient of epitaxial Fe3Si film /Si by controlling structural factors and composition

    Reona Kitaura, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

    2025/05/18

  7. Nanomaterial and nanostructure physics for thermoelectric performance enhancement

    Yoshiaki Nakamura

    TMS 2025

  8. エピタキシャルSnO2薄膜/r-Al2O3における選択的酸素空孔制御による熱電性能向上

    石部 貴史, 成瀬 延康, 目良 裕, 中村 芳明

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  9. ナノ構造界面制御したZnO薄膜の出力因子増大機構の解明

    小松原 祐樹, 石部 貴史, 成瀬 延康, 佐藤 和則, 小林 英一, 中村 芳明

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  10. O2-アニオンを選択的変位したエピタキシャルSnO2薄膜/r-Al2O3における熱伝導率低減

    石部 貴史, 成瀬 延康, 目良 裕, 山下 雄一郎, 中村 芳明

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  11. 2次元電子ガス積層構造を用いた熱伝導率低減とデバイス出力向上

    吉崎 高士, 上松 悠人, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 山下 雄一郎, 上沼 睦典, 中村 芳明

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  12. 電子状態制御したZnO薄膜の熱電デバイス特性

    小松原 祐樹, 上月 聖也, 石部 貴史, 佐藤 和則, 小林 英一, 中村 芳明

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  13. Design of thermoelectric thin films with high performance based on heat management via structure control

    Yoshiaki Nakamura

  14. Si基板上エピタキシャルFe3Al系薄膜の形成方法の開発と横ゼーベック係数の評価

    爲本 敦裕, 北浦 怜旺奈, 石部 貴史, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会 2024/11/06

  15. エピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜の熱電特性

    柴垣 新, 平田 悠海, 石部 貴史, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会 2024/11/06

  16. 雰囲気制御下における酸化グラフェンのゼーベック効果

    山本 敦大, 石部 貴史, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会 2024/11/06

  17. エピタキシャルZnOナノワイヤを含有するAl doped ZnO透明薄膜における出力因子向上

    小松原 祐樹, 石部 貴史, 成瀬 延康, 中村 芳明

    第21回 日本熱電学会学術講演会(TSJ2024)

  18. 高熱電性能化をもたらす低次元構造の物理学

    中村 芳明

    第21回 日本熱電学会学術講演会(TSJ2024) 2024/09/24

  19. 基板面方位制御によるZnO薄膜の熱電特性操作

    小松原 祐樹, 石部 貴史, 成瀬 延康, 中村 芳明

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  20. Stranski-Krastanov成長を用いて形成したエピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜における熱電特性

    柴垣 新, 平田 悠海, 石部 貴史, 中村 芳明

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  21. 特異なバンド構造を有するエピタキシャルB20-CoSi薄膜 /Siの熱電特性

    石部 貴史, 佐藤 和則, 山下 雄一郎, 中村 芳明

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  22. Si基板上B20-CoSi薄膜のエピタキシャル成長法の開発

    石部 貴史, 佐藤 和則, 山下 雄一郎, 中村 芳明

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  23. 歪・欠陥制御したZnO薄膜/r-Al2O3のゼーベック係数増大

    小松原 祐樹, 石部 貴史, 佐藤 和則, 中村 芳明

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  24. Physics in quasi-low dimensional structures and materials for innovative thermoelectric performance

    India-Japan Bilateral Sakura-Science Lecture 2024/08/02

  25. Epitaxial growth of Quasi-low dimensional materials for novel thermoelectric films

    Yoshiaki Nakamura

    245th ECS meeting 2024/05/30

  26. 二次元電子ガスにおけるサブバンド数が熱電出力因子に与える影響

    上松 悠人, 石部 貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村 芳明

    第71回応用物理学会春季学術講演会

  27. 非熱平衡状態におけるナノコンポジット薄膜の局所電位分布測定

    小松原 祐樹, 石部 貴史, 宮戸 祐治, 中村 芳明

    第71回応用物理学会春季学術講演会

  28. エピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱伝導率とフォノン輸送機構

    石部 貴史, 成瀬 延康, 目良 裕, 山下 雄一郎, 大石 佑治, 中村 芳明

    第71回応用物理学会春季学術講演会

  29. Nanomaterial desigh and fabrication for thermoelectric performance enhancement

    TMS 2024 annual meeting and exhibition

  30. Si系ナノドット含有エピタキシャルGe薄膜のナノドットサイズと熱伝導率の関係

    平田 悠海, 堀田 亮輔, 石部 貴史, 中村 芳明

    第44回 日本熱物性シンポジウム

  31. エピタキシャルCaSi2薄膜/Siにおける構造と熱電特性の関係

    吉崎 高士, 小島 幹央, 石部 貴史, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2023年度第2回講演会 2023/11/02

  32. 自立型IoTセンサ電源応用に向けたエピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱電特性

    上月 聖也, 石部 貴史, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2023年度第2回講演会 2023/11/02

  33. High thermoelectric properties in epitaxial GeTe thin film by defect control

    Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yuichiro Yamashita, Yuji Ohishi, Yoshiaki Nakamura

  34. Epitaxial growth of CaSi2 thick film on Si substrate and its thermoelectric properties

    Takashi Yoshizaki, Mikio Kojima, Takafumi Ishibe

    Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023

  35. 制御形成による熱電特性の解明と操作

    中村芳明

    制御形成による熱電特性の解明と操作、室温近傍での使用を目指す鉄基ハーフホイスラー合金に関する研究会 2023/10/25

  36. AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける多数サブバンドによる熱電出力因子向上

    上松 悠人, 石部 貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村 芳明

    第20回日本熱電学会学術講演会

  37. 電子状態制御したZnOナノワイヤ含有薄膜の高移動度化とデバイス応用

    上月 聖也, 小松原 祐樹, 石部 貴史, 中村 芳明, 岩本 耕典, 上沼 睦典, 浦岡 行治

    日本セラミックス協会 第36回秋季シンポジウム

  38. エピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜/Siによる熱伝導率の低減

    平田 悠海, 堀田 亮輔, 石部 貴史, 中村 芳明

    第84回応用物理学会秋季学術講演会

  39. AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける熱電出力因子制御

    上松 悠人, 石部 貴史, 間野高明, 大竹晃浩, 中村 芳明

    第84回応用物理学会秋季学術講演会

  40. 巨大横ゼーベック係数獲得へ向けたエピタキシャルFe3Si薄膜/Siの組成比制御

    北浦 怜旺奈, 石部 貴史, 水口 将輝, 中村 芳明

    第84回応用物理学会秋季学術講演会

  41. Ge空孔量制御したエピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱電特性

    石部 貴史, 成瀬 延康, 目良 裕, 山下 雄一郎, 大石 佑治, 中村 芳明

    第84回応用物理学会秋季学術講演会

  42. 層状物質GeHの面直方向熱伝導率評価

    上松 悠人, 石部 貴史, 中村 芳明

    第7回フォノンエンジニアリング研究会

  43. シリコン系材料を舞台としたナノ構造制御による熱電性能向上戦略

    中村 芳明

    第28回研究会「シリコンおよびケイ化物系熱電変換材料研究の最前線と新展開」 2023/07/23

  44. ナノ結晶成長技術の薄膜熱電材料への応用

    中村 芳明

    第20回シリサイド系半導体・夏の学校 2023/07/22

  45. Heat conduction control using well-organized nanostructures

    Yoshiaki Nakamura

  46. Si基板上エピタキシャルn-GeSnの作製とその熱電特性

    堀田 亮輔, 石部 貴史, 中村芳明

    応用物理学会関西支部2023年度第一回講演会 2023/06/05

  47. 一次元 Si 原子鎖を内包する薄膜熱電材料の開発

    南 鼓太郎, 石部 貴史, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2023年度第一回講演会 2023/06/05

  48. エピタキシャルZnO薄膜/Al2O3の歪制御によるゼーベック係数増大

    小松原 祐樹, 石部 貴史, 大江 純一郎, 中村 芳明

    2023年 第70回 応用物理学会春季学術講演会

  49. 秩序-秩序転移を用いた有機系熱スイッチ材料におけるスイッチング温度制御

    石部 貴史, 金子 達哉, 赤羽 英夫, 小村 元憲, 中村 芳明

    2023年 第70回 応用物理学会春季学術講演会

  50. 熱電発電応用に向けたエピタキシャルGeH薄膜/Geの作製と伝熱特性

    上松 悠人, 寺田 吏, 佐藤 健人, 石部 貴史, 中村 芳明

    2023年 第70回 応用物理学会春季学術講演会

  51. Simultaneous control of carrier and phonon transports in nanostructured thermoelectric films with the controlled interfaces

    International conference on Advanced Functional Materials and Devices (AFMD-2024) 2023/02/26

  52. Atomically-Controlled Nanomaterials for Thermoelectric Performance Enhancement

    Yoshiaki Nakamura, Takafumi Ishibe

    ICACC-FS2-009-2023, ’47 th International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites’

  53. 極小熱伝導率を有するGeナノドット含有Si系薄膜におけるフォノン輸送機構の解明

    堀田 亮輔, 谷口 達彦, 石部 貴史, 中村 芳明

    第5回結晶工学×ISYSE 合同研究会 2022/11/18

  54. エピタキシャル ZnO 薄膜における結晶ドメイン界面品質が熱電特性に及ぼす影響

    小松原祐樹, 上月聖也, 石部貴史, 中村芳明

    第5回結晶工学×ISYSE合同研究会 2022/11/18

  55. 構造制御によるフォノン・電子操作とシリコン系熱電材料の高性能化

    中村 芳明

    第42回電子材料研究討論会 (公社) 日本セラミックス協会 電子材料部会主催 2022/11/10

  56. 界面熱抵抗低減に向けた界面熱輸送機構の理解

    石部 貴史, 吉矢 真人, 中嶋 聖介, 石田 明広, 中村 芳明

    第43回日本熱物性シンポジウム 2022/10/25

  57. Si 電気二重層トランジスタにおけるキャリア注入量改善とその熱電特性

    入江 航平, 石部 貴史, 中村 芳明

    2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会

  58. Al doped ZnO 透明薄膜/Al2O3 のゼーベック係数増大とその機構

    小松原 祐樹, 石部 貴史, 大江 純一郎, 中村 芳明

    2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会

  59. Si基板上エピタキシャルBaSi2薄膜における欠陥導入による低熱伝導率化

    石部 貴史, 谷内 卓, 山下 雄大, 佐藤 拓磨, 末益 崇, 中村 芳明

    2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会

  60. 合金ナノ結晶導入による高性能SiGe熱電材料の開発

    堀田 亮輔, 水田 光星, 石部 貴史, 藤田 武志, 中村 芳明

    2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会

  61. 半導体/強磁性体積層構造における界面導入と周期長制御による横ゼーベック係数の増大

    北浦 怜旺奈, 石部 貴史, 水口 将輝, 中村 芳明

    第46回 日本磁気学会学術講演会 (MSJ2022)

  62. 熱電応用に向けたナノ構造による熱流制御

    中村 芳明

    R025 先進薄膜界面機能創成委員会・第10回研究会「フォノンエンジニアリング」 2022/08/10

  63. PEDOT:PSS に導入した Cu2Seナノワイヤの熱電出力因子に与える影響

    坂根 駿也, 三輪 俊一朗, 石部 貴史, 中村 芳明, 田中 秀樹

    第19回日本熱電学会学術講演会(TSJ2022)

  64. 結晶成長方位制御により高性能化したAl doped ZnO/Al2O3の作製

    小松原 祐樹, 石部 貴史, 中村 芳明

    第19回日本熱電学会学術講演会(TSJ2022)

  65. Co/Si 積層構造における横ゼーベック係数増大機構解明に向けた界面電子輸送解析

    北浦 怜旺奈, 石部 貴史, Sharma Himanshu, 水口 将輝, 中村 芳明

    第19回日本熱電学会学術講演会(TSJ2022)

  66. Co導入による SiGeバルク材料の熱電性能向上

    堀田 亮輔, 水田 光星, 石部 貴史, 藤田 武志, 中村 芳明

    第19回日本熱電学会学術講演会(TSJ2022)

  67. ナノ構造制御を用いたユビキタス元素熱電材料における性能向上

    中村 芳明

    学振R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会 第7回研究会「グリーン・サステナブルエレクトロニクスにおける材料技術」 2022/08/03

  68. Methodology of thermoelectric performance enhancement using low dimensional materials of Group IV element

    Yoshiaki Nakamura

    2022/05/25

  69. (Invited) Nanostructure design for thermoelectrics

    Yoshiaki Nakamura

    ASCO-NANOMAT 2022 2022/04/28

  70. アモルファス GeS/単結晶 PbTe 界面における熱輸送機構

    石部 貴史, 吉矢 真人, 中嶋 聖介, 石田 明広, 中村 芳明

    2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会

  71. エピタキシャルCaSi2薄膜中のシリセンバックリング構造変形による熱電出力因子増大

    寺田 吏, 上松 悠人, 石部 貴史, 成瀬 延康, Nguyen Tien Quang, 佐藤 和則, 中村 芳明

    2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会

  72. バルクCaSi2への準安定相導入による熱電出力因子増大

    寺田 吏, 石部 貴史, Nguyen Tien Quang, 佐藤 和則, 中村 芳明

    2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会

  73. 極小熱伝導率を有する単結晶ゲルマナン薄膜の創製

    上松 悠人, 寺田 吏, 石部 貴史, 中村 芳明

    2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会

  74. 熱電材料におけるゼーベック効果を含んだ局所電位変化の直接測定

    小松原 祐樹, 宮戸 祐治, 石部 貴史, 中村 芳明

    2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会

  75. 半導体/強磁性金属積層構造における横ゼーベック係数増大とその機構

    北浦 怜旺奈, 石部 貴史, Himanshu Sharma, 水口 将輝, 中村 芳明

    2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会

  76. Caインターカレーションを用いたバックリング構造変調シリセンの創製とその熱電特性

    小島 幹央, 寺田 吏, 石部 貴史, 成瀬 延康, 小林 英一, 中村 芳明

    2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会

  77. アモルファスZnSnO薄膜の作製とその熱電特性

    南 鼓太郎, 小松原 祐樹, 石部 貴史, 中村 芳明

    2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会

  78. ナノワイヤ界面制御による熱電出力因子増大方法論

    石部 貴史, 留田 純希, 渡辺 健太郎, 鎌倉 良成, 森 伸也, 成瀬 延康, 目良 裕, 山下 雄一郎, 中村 芳明

    2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会 2020/03

  79. ナノ構造を用いた熱電性能向上の方法論

    中村 芳明

    2021ナノ理工学セミナー ナノサイエンスを支える先進技術 2021/10/25

  80. ナノ構造を用いた熱流制御に基づく熱電変換性能向上の方法論とSiGe材料への応用 ~3物性のトレードオフの関係を最適化する方法論~

    中村 芳明

    進展する熱電変換材料技術の最先端と応用展望 セミナー 2021/06/25

  81. (Invited) Phonon Transport Physics in Well-Controlled Various Nanomaterials

    Yoshiaki Nakamura

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit 2021/04/20

  82. 高熱電出力因子に向けたe-CoSi 薄膜/Si における電子輸送機構

    石部貴史, 上松悠人, 竹中良介, 鈴木雄大, 佐藤和則, 藤田武志, 小林英一, 中村芳明

    2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021/03

  83. 歪・組成制御エピタキシャルSiGe薄膜の熱電性能

    谷口 達彦, 石部 貴史, 我妻 勇哉, 澤野 憲太郎, 山下 雄一郎, 中村 芳明

    2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2021/03

  84. 極小エピタキシャルGeナノドット含有薄膜における熱伝導機構

    寺田 吏, 谷口 達彦, 石部 貴史, 鴻池 健人, 真田 篤志, 成瀬 延康, 目良 裕, 中村 芳明

    2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021/03

  85. カルコゲナイドにおける界面モデリングとフォノン状態解析

    日野雄太, 藤井進, 吉矢真人, 石部貴史, 中村芳明

    2021年 材料物性工学談話会 2021/02/03

  86. 半導体ナノ構造の熱電特性

    中村 芳明

    応用物理学会東海支部55周年記念講演 ― 東海ニューフロンティアリサーチワー クショップ ―

  87. カルコゲナイド異相界面におけるフォノン伝導機構

    日野雄太, 関本渉, 藤井進, 吉矢真人, 石部貴史, 中村芳明

    第30回日本MRS年次大会 2020/12

  88. 界面制御したSiGe/Si超格子薄膜における電子・フォノン輸送

    石部貴史

    第4回フォノンエンジニアリング研究会 2020/12/10

  89. 界面エネルギー障壁制御による透明ZnO/MgZnO超格子薄膜の出力因子増大

    小松原 祐樹, 片山 虎之介, 石部 貴史, 中村 芳明

    第17回日本熱電学会学術講演会(TSJ2020) 2020/09

  90. フェルミレベル制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化

    寺田 吏, 上松 悠人, 石部 貴史, 小林 英一, 中村 芳明

    第17回日本熱電学会学術講演会(TSJ2020) 2020/09

  91. サーマルマネージメント出力因子増大機構解明に向けたCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の熱電特性評価

    水田 光星, 細田 凌矢, 石部 貴史, Md. Mahfuz Alam, 澤野 憲太郎, 中村 芳明

    第17回日本熱電学会学術講演会(TSJ2020) 2020/09

  92. 擬ギャップを持つ反強磁性X相Cr3Al薄膜の支配的キャリアの評価

    豊木 研太郎, 林 正之, 濱口 峻祐, 白土 優, 中谷 亮一, 石部 貴史, 中村 芳明

    2020年 第167回日本金属学会春季講演大会 2020/09

  93. エピタキシャルゲルマナン薄膜の作製とその熱伝導率測定

    上松 悠人, 寺田 吏, 石部 貴史, 中村 芳明

    2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 2020/09

  94. 熱電出力因子増大に向けたエピタキシャルCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の開発

    細田凌矢, 水田光星, 石部貴史, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 中村芳明

    2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 2020/09

  95. 半導体/強磁性金属積層構造における異常ネルンスト係数の増大

    北浦 怜旺奈, 石部 貴史, Himanshu Sharma, 水口 将輝, 中村 芳明

    2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 2020/09

  96. エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明

    谷口 達彦, 石部 貴史, 中村 芳明

    2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 2020/09

  97. 鉄シリサイドナノドット含有Fe3O4薄膜メモリ における局所電界増強による抵抗変化比増大

    石部 貴史, 成瀬 延康, 目良 裕, 中村 芳明

    2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 2020/09

  98. 界面制御した透明ZnO薄膜における熱電出力因子増大

    石部 貴史

    第81回 応用物理学会秋季学術講演会

  99. 熱電性能向上を目指した特異構造による熱・フォノン輸送制御熱電性能向上を目指した特異構造による熱・フォノン輸送制御

    中村 芳明

    第81回 応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学 ~実験と理論の協奏的アプローチ:物性解明と制御~」 2020/09

  100. AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大

    上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明

    2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会 2020/03

  101. Ca/Si界面反応制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化

    寺田 吏, 上松 悠人, 石部 貴史, 小林 英一, 山下 雄一郎, 中村 芳明

    2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会 2020/03

  102. Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因

    谷口 達彦, 石部 貴史, Md. Mahfuz Alam, 澤野 憲太郎, 中村 芳明

    2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会 2020/03

  103. ナノ構造化Si薄膜における構造制御による高熱電性能化

    坂根 駿也, 石部 貴史, 成瀬 延康, 目良 裕, Md. Mahfuz Alam, 澤野 憲太郎, 中村 芳明

    2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会 2020/03/12

  104. Si基板上B20型CoSi薄膜の電子状態と熱電特性の関係

    石部 貴史, 雛川 貴弘, 坂根 駿也, 佐藤 和則, 小林 英一, 藤田 武志, 中村 芳明

    2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会 2020/03

  105. 熱起電力顕微鏡法により検出したZnO薄膜の微視的熱電物性

    小松原 祐樹, 宮戸 祐治, 石部 貴史, 中村 芳明

    2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会 2020/03

  106. 特異構造を用いたフォノン輸送制御と熱電応用

    中村 芳明

    第67回 応用物理学会春季学術講演会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学~実験と理論の接点を探る:物性解明と制御~」

  107. 反強磁性半金属X相Cr3Al薄膜の電気特性およびSeebeck係数の温度依存性

    豊木 研太郎, 林 正之, 濱口 峻佑, 白土 優, 中谷 亮一, 石部 貴史, 中村 芳明

    2020年 第166回日本金属学会春季講演大会 2020/03

  108. 熱電ホイスラー合金Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の電気・熱電特性

    工藤 康平, 嶋貫 雄太, 石部 貴史, 真砂 啓, 山田 晋也, 中村 芳明, 浜屋 宏平

    2020年 第166回日本金属学会春季講演大会 2020/03

  109. 環境調和型フレキシブル熱電材料の開発

    塩田拓哉, 石部 貴史, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2019年度第3回講演会 2020/02/21

  110. IoT 活用を目指した低温熱電発電用ナノ材料の創製

    中村 芳明

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会主催 2019年度 薄膜・表面物理研究会

  111. ユビキタス元素熱電材料実現に向けたナノ構造制御

    中村芳明

    2019年日本表面真空学会中部支部研究会「ナノ結晶成長・評価・応用の研究最前線」 2019/11/23

  112. Nanostructure thermoelectrics

    Yoshiaki Nakamura

    IEEE IMFEDK 2019, 17th Meeting 2019/11/14

  113. IoTセンサ電源応用に向けたSi基板上CaSi2熱電薄膜

    寺田 吏, 上松 悠人, 石部 貴史, 山下 雄一郎, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会 2019/11/08

  114. 2次元電子ガス系AlGaAs/GaAsの熱電性能評価

    上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会 2019/11/08

  115. ナノシリンダブロックコポリマー薄膜における熱伝導率スイッチングの発現

    金子 達哉, 石部 貴史, 彌田 智一, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会 2019/11/08

  116. 熱起電力顕微鏡の開発

    小松原 祐樹, 宮戸 祐治, 石部 貴史, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会 2019/11/08

  117. 第一原理格子動力学法による積層カルコゲナイドのフォノン状態

    日野雄太, 渡辺直樹, 藤井進, 吉矢真人, 石部貴史, 中村芳明

    第29回日本MRS年次大会 2019/11

  118. ナノスケールでのSi/SiO2界面による熱伝導率機構の解明

    渡辺直樹, 船井浩平, 藤井進, 吉矢真人, 中村芳明

    第29回日本MRS年次大会 2019/11

  119. SiGe EDLTを用いた出力因子増大の検証

    細田 凌矢, 谷口 達彦, 石部 貴史, 藤井 武則, 中村 芳明

    第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019) 2019/09

  120. 異方的構造を有するブロックコポリマー薄膜の熱伝導率異方性評価

    金子 達哉, 石部 貴史, 彌田 智一, 中村 芳明

    第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019) 2019/09

  121. 二次元電子ガス系AlGaAs/GaAsにおける熱電性能の温度依存性評価

    上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明

    第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019) 2019/09

  122. 熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用

    小松原 祐樹, 宮戸 祐治, 石部 貴史, 中村 芳明

    第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019) 2019/09

  123. ナノスケールでの異相界面における熱輸送メカニズム

    渡辺直樹, 船井浩平, 藤井進, 吉矢真人, 中村芳明

    第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019) 2019/09

  124. 独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化

    谷口 達彦, 寺田 吏, 石部 貴史, 中村 芳明

    2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 2019/09

  125. Si基板上BaSi2薄膜の低熱伝導率とその熱輸送機構

    石部 貴史, 谷内 卓, 山下 雄大, 佐藤 拓磨, 末益 崇, 中村 芳明

    2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 2019/09

  126. Ca濃度変調によるエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性操作

    寺田 吏, 上松 悠人, 石部 貴史, 小林 英一, 山下 雄一郎, 中村 芳明

    2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 2019/09

  127. 欠陥制御によるナノ結晶含有Si薄膜の熱電特性改善

    坂根 駿也, 石部 貴史, 成瀬 延康, 目良 裕, Md. Mahfuz Alam, 澤野 憲太郎, 中村 芳明

    2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 2019/09

  128. 熱電発電応用に向けたSi基板上BaSi2薄膜

    石部 貴史, 近田 尋一郎, 谷内 卓, 山下 雄大, 佐藤 拓磨, 末益 崇, 中村 芳明

    2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 2019/09

  129. 熱電材料Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長

    嶋貫雄太, 工藤康平, 山田晋也, 石部貴史, 中村芳明, 浜屋宏平

    2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 2019/09

  130. Simultaneous realization of thermoelectric power factor enhancement and thermal conductivity reduction in epitaxial Si films containing b-FeSi2 nanodots

    The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-Silicide 2019) 2019/07/20

  131. Simultaneous realization of thermal conductivity reduction and thermoelectric power factor enhancement using ZnO nanowire interface

    Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

    The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON21) 2019/07

  132. Power factor enhancement by introducing dopant-controlled epitaxial interfaces in transparent embedded-ZnO nanowire structure

    Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

    The 38th International Conference on Themoelectrics and The 4th Asian Conference on Themoelectrics (ICT/ACT2019) 2019/07

  133. Controlling comosition for high thermoelectric power factor in Si-rich SiGe/Si superlattices

    Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura

    The 38th International Conference on Themoelectrics and The 4th Asian Conference on Themoelectrics (ICT/ACT2019) 2019/07

  134. Thermoelectric properties of layerd CaSi2 including silicene structure

    Tsukasa Terada, Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Yuichiro Yamashita, Yoshiaki Nakamura

    The 38th International Conference on Themoelectrics and The 4th Asian Conference on Themoelectrics (ICT/ACT2019) 2019/07

  135. 熱電性能向上に向けたナノ構造の設計とその作製

    中村芳明

    第40回排熱発電コンソーシアム 2019/06/10

  136. 熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用

    小松原 祐樹, 宮戸 祐治, 石部 貴史, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会 2019/06

  137. サーマルマネージメントによるSiGe熱電材料の出力因子増大

    坂根 駿也, 石部 貴史, 藤田 武志, 鎌倉 良成, 森 伸也, 中村 芳明

    応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会 2019/06

  138. Semiconductor nanostructure design for thermoelectric property control

    Yoshiaki Nakamura

    Nanomeeting 2019 2019/05/21

  139. Design of Semiconductor Nanoarchitecture for Thermoelectric Property Control

    Yoshiaki Nakamura

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2019/IC-PLANTS2019)

  140. SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大

    坂根 駿也, 石部 貴史, 藤田 武志, 池内 賢朗, 鎌倉 良成, 森 伸也, 中村 芳明

    2019年第66回 応用物理学会春季学術講演会 2019/03

  141. 局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下における熱電材料の表面電位分布測定

    宮戸 祐治, 小松原 祐樹, 石部 貴史, 中村 芳明

    2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 2019/03

  142. 多層シリセン積層構造を有するエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性

    寺田 吏, 上松 悠人, 石部 貴史, 中村 芳明

    2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 2019/03

  143. 高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化

    谷口 達彦, 石部 貴史, Md. Mahfuz Alam, 澤野 憲太郎, 中村 芳明

    2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 2019/03

  144. 複雑結晶構造を有するSi基板上BaSi2薄膜の熱電性能評価

    石部 貴史, 近田 尋一郎, 谷内 卓, 山下 雄大, 末益 崇, 中村 芳明

    2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 2019/03

  145. Si基板上に形成した擬ギャップε-CoSi薄膜の熱電性能評価

    雛川 貴弘, 坂根 駿也, 石部 貴史, 藤田 武志, 中村 芳明

    2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 2019/03

  146. Si置換したFe2VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率

    工藤康平, 山田晋也, 近田尋一朗, 嶋貫雄太, 石部貴史, 阿保智, 宮崎秀俊, 西野洋一, 中村芳明, 浜屋宏平

    2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 2019/03

  147. Phonon transport confinement and carrier transport control using Si-based nanostructure interfaces

    Yoshiaki Nakamura, Takafumi Ishibe

    NMHT-VI: Nanoscale and Microscale Heat Transfer 2018 2018/12

  148. 薄膜熱電素子開発に向けたナノ構造材料の設計と作製

    中村芳明

    応用物理学会応用電子物性分科会主催 応用電子物性分科会 研究例会 熱電素子のIoT応用/新規材料開発の最前線 2018/11/21

  149. Modulation of c Lattice Parameter in Epitaxial FeGeg Nanocrystals on Si

    Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

    ACSIN-14 & ICSPM26 2018/10

  150. Thermoelectric Performance in Boundary-Defect-Controlled SiGe/Si superlattice

    Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

    ACSIN-14 & ICSPM26 2018/10

  151. Resistive Switching Characteristics in Epitaxial Iron Oxide Nanocrystals / Si Substrates

    Takafumi Ishibe, Yoshiaki Nakamura

    ACSIN-14 & ICSPM26 2018/10/21

  152. 熱伝導率制御に向けた非整合チムニーラダー構造FeGeg /Siのエピタキシャル成長

    寺田 吏, 石部 貴史, 渡辺 健太郎, 中村 芳明

    2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 2018/09

  153. 原子レベル制御したナノ構造界面と界面輸送

    中村芳明

    フォノンエンジニアリング研究会 2018/07

  154. ナノ構造技術を用いた物性制御と応用

    中村芳明

    セミナー 奈良先端科学技術大学院大学 2018/03/26

  155. 熱電デバイス応用に向けたⅣ族半導体ナノ構造における電子・フォノン輸送制御

    中村芳明

    2018年春季<第65回>応用物理学会 結晶工学シンポジウム「ゲルマニウムの工学-電子・光・熱・スピン Ⅳ族半導体の新展開-」 2018/03

  156. 制御したナノ構造界面導入による電子・フォノン輸送制御

    中村芳明

    ホイスラー化合物熱電素子材料による廃熱発電研究会 2018/02/08

  157. A versatile thermal conductivity measurement of free-standing nanowire array structures using embedding organic material films

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017) 2017/12

  158. Monolithic thermoelectric modules fabricated on Si substrates

    Kentaro Watanabe, Koudai Kaneko, Yoshiaki Nakamura

    The 25th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM25) 2017/12

  159. Thermal conductivity measurements of vertical nanowall structures using organic embedding medium

    Kentaro Watanabe, Takeshi Matsumoto, Yusuke Miyazaki, Kosuke Mitarai, Ryo Okuhata, Yoshiaki Nakamura

    The 25th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM25) 2017/12

  160. Epitaxial growth of FeGeγ nanocrystals on Si substrate

    Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    The 25th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM25) 2017/12

  161. Formation control of ZnO nanowires using various seed structures

    Takafumi Ishibe, Tsukasa Terada, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    The 25th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM25) 2017/12

  162. ENHANCEMENT OF THERMOELECTRIC PROPERTIES BY EPITAXIAL NANODOTS IN Si FILMS

    Shunya Sakane, Kentaro Watanabe, Takeshi Fujita, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

    The 17th International Conference on Micro and Nanotechnology for Power Generation and Energy Conversion Applications (Power MEMS 2017) 2017/11

  163. THERMOELECTRIC PERFORMANCES CONTROLLED BY NANOSCALE INTERFACES IN TRANSPARENT EMBEDDED-ZNO NANOWIRES STRUCTURE

    Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    The 17th International Conference on Micro and Nanotechnology for Power Generation and Energy Conversion Applications (Power MEMS 2017) 2017/11

  164. Nanoprobe-CL法による半導体単結晶自立ナノワイヤの顕微物性評価

    渡辺健太郎

    第8回真空・表面科学若手研究会 2017/10/27

  165. Nanostructure Design for Control of Phonon and Electron Transports

    Yoshiaki Nakamura, Kentaro Watanabe

    232nd Electrochemical Society (ECS) metting 2017/10

  166. Nanospectroscopic investigation of individual free-standing semiconductor nanowires using nanoprobe-cathodoluminscence techniques

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017) 2017/09

  167. フォノン・電子輸送制御を可能にするSiナノ構造設計

    中村芳明

    第14回日本熱電学会学術講演会(TSJ2017) シンポジウム講演「固体材料における熱伝導制御の学術フロンティア 2017/09/13

  168. Growth-method-dependent thermoelectric properties of epitaxial Ge/Si(001) thin films

    Tatsuhiko Taniguchi, Hiroki Miyamoto, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    International Union of Materials Research Sciences – The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017) 2017/08

  169. Dependence of thermoelectric properties of Ga-doped ZnO films on various crystal properties

    Atsuki Tomeda, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    International Union of Materials Research Sciences – The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017) 2017/08

  170. フォノン・キャリア輸送制御を可能とするナノ構造の設計と作製

    中村芳明

    2017年真空・表面科学合同講演会 合同シンポジウム「ナノ構造/低次元・ナノ物質」 2017/08/19

  171. Development of Thermal Conductivity Measurement Method Applicable to Thin Bulk Materials Based on 2ω Method

    Yoshiaki Nakamura, Kosuke Mitarai, Ryo Okuhata, Kentaro Watanabe

    The 36th International Conference on Thermoelectrics (ICT 2017) 2017/07

  172. Thermoelectric Properties of Si Films Containing Epitaxial Nanodots of Various Materials

    Shunya Sakane, Kentaro Watanabe, Takeshi Fujita, Kentarou Sawano, Takeyuki Suzuki, Yoshiaki Nakamura

    The 36th International Conference on Thermoelectrics (ICT 2017) 2017/07

  173. Ga-Doped ZnO Films for Transparent Thermoelectric Materials with High Power Factor

    Takafumi Ishibe, Atsuki Tomeda, Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura

    The 36th International Conference on Thermoelectrics (ICT 2017) 2017/07

  174. Design of nanoarchitecture for independent control of carrier and phonon transports

    Yoshiaki Nakamura

    2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2017) 2017/07

  175. Epitaxial nanostructure design for control of phonon and electron transport

    Yoshiaki Nakamura

    The 9th US-Japan Joint Seminar on Nanoscale Transport Phenomena 2017/07

  176. Independent control of phonon and electron transport in Si-based nanoarchitectures with epitaxial Ge nanodots

    Kentaro Watanabe, Shuto Yamasaka, Takafumi Ishibe, Shunya Sakane, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

    The 1st Asian Conference on Thermal Sciences (ACTS 2017) 2017/03

  177. Nanoarchitecture design for independent control of carrier and phonon transports

    Yoshiaki Nakamura

    2016/12

  178. ナノ構造を用いた熱電特性制御とSi系熱電材料開発

    中村芳明

    日本金属学会 時限研究会 第四回エレクトロニクス薄膜材料研究会 「電子・情報・エネルギー素子と機能材料の最近の研究(4)」 2016/09/22

  179. Si基板上への鉄シリサイド薄膜構造形成とその熱電物性

    坂根駿也, 谷口達彦, 渡辺健太郎, 中村芳明

    第28回シリサイド系半導体と関連物質研究会 2016/09/16

  180. Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method

    A. Sakai, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, M.Imanishi, M. Imade, Y. Mori

    2016/06

  181. ナノドットを用いた熱伝導率の低減とSi系熱電材料開発

    中村芳明

    コロイド先端技術講座II:4th E-Colloid先端エレクトロニクスのためのコロイド・界面化学次世代サーマルマネジメント技術が地球を救うーコロイド・界面化学・ソフトマターの欠かせない役割 2015/12/04

  182. Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coated Ge nuclei

    T. Ishibe, K. Watanabe, S. Takeuchi, A. Sakai, Y. Nakamura

    2015/12

  183. Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures

    S. Sakane, K. Watanabe, M. Isogawa, S. Takeuchi, A. Sakai, Y. Nakamura

    2015/12

  184. Thermal conductivity reduction in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots

    Yoshiaki Nakamura

    2015/10

  185. 窒化物半導体の成長表面・界面制御と転位挙動―Naフラックス成長GaN結晶を中心にー

    酒井 朗, 浅津 宏伝, 竹内 正太郎, 中村 芳明, 今西 正幸, 今出 完, 森 勇介

    2015/09

  186. β-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因

    板根 駿也, 渡辺 健太郎, 竹内 正太郎, 酒井 朗, 中村 芳明

    2015/09

  187. エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御

    山阪司祐人, 渡辺 健太郎, 澤野 憲太郎, 竹内 正太郎, 酒井 朗, 中村 芳明

    2015/09

  188. エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存症

    前田 佳輝, 渡辺 健太郎, 中本 悠太, 松井 秀紀, 竹内 正太郎, 酒井 朗, 中村 芳明

    2015/09

  189. Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

    渡辺 健太郎, 前田 佳輝, 中本 悠太, 松井 秀紀, 竹内 正太郎, 酒井 朗, 中村 芳明

    2015/09

  190. Phonon scattering control by structure of epitaxial Ge nanodots in Si

    S.Yamanaka, Y.Nakamura, S.Takeuchi, A.Sakai

    2015/07

  191. Thermal conductivity reduction and carrier doping in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots

    Y.Nakamura, T.Ueda, M.Isogawa, S.Yamasaka, S.Takeuchi, A.Sakai

    2015/07

  192. Si中 エピタキシャルGeナノドットを用いた熱抵抗制御

    山阪 司祐人, 中村 芳明, 上田 智弘, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2015/03

  193. 極薄AI2O3/SiO2 BOX層を有する張り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善

    吉田 啓資, 中村 芳明, 竹内 正太郎, 守山 佳彦, 手塚 勉, 酒井 朗

    2015/03

  194. 鉄シリサイド核/Siを用いた鉄酸化物のエピタキシャル成長

    松井 秀紀, 中村 芳明, 中本 悠太, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2015/03

  195. Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析

    浅津 宏伝, 竹内 正太郎, 今西 正幸, 中村 芳明, 今出 完, 森 勇介, 酒井 朗

    2015/03

  196. 極薄Si酸化膜技術を用いたSi系熱電ナノ材料の開発

    中村芳明

    電子情報通信学会研究会(SDM、ED) 2015/02

  197. Microstructure Analysis of a Thick AIN Film Grown on a Trench-Patterned AIN/Sapphire Template by X-Ray Microdiffraction

    S.Takeuchi, D.T.Khan, Y.Nakamura, Y.Imai, S.Kimura, H.Miyake, K.Hiramatsu, A.Sakai

    2014/11

  198. 周期溝加工基板上半極性面(20-21)GaN膜の微視的結晶構造解析~X線マイクロ回折と透過型電子顕微鏡を用いた相補的評価~

    荒内 琢士, 竹内 正太郎, 橋本 健宏, 中村 芳明, 今井 康彦, 山根 啓輔, 岡田 成仁, 木村 滋, 只友 一行, 酒井 朗

    2014/11

  199. 表層固溶窒素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動

    長久 晋輔, 竹内 正太郎, 浅津 宏伝, 中村 芳明, 須藤 治生, 荒木 浩司, 泉妻 宏治, 酒井 朗

    2014/11

  200. (Invited) Epitaxial Growth of Nanodots on Si Substrates with Controlled Interfaces and Their Application to Electronics and Thermoelectronics

    Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai

    2014/10

  201. Effect of surface-nitrogen-concentration on dislocation behavior in Si wafers treated by high temperature rapid thermal nitridation

    S.Chokyu, S.Takeuchi, H.Asazu, Y.Nakamura, H.Sudo, K.Araki, K.Izunome, A.Sakai

    2014/10

  202. Siウェーハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響

    須藤 治生, 荒木 浩司, 日高 洋美, 荒木 延恵, 竹内 正太郎, 中村 芳明, 酒井 朗, 泉妻 宏治

    2014/09

  203. Si基板上エピタキシャルFe2O3ナノドットの抵抗変化特性とそのアニール処理依存性

    松井 秀紀, 中村 芳明, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2014/09

  204. 窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価ーマルチスケール評価へのアプローチー

    酒井 朗, 竹内 正太郎, 中村 芳明, 三宅 秀人, 平松 和政, 今井 康彦, 木村 滋

    2014/09

  205. エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性

    山阪 司祐人, 中村 芳明, 鶴崎 晋也, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2014/09

  206. X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

    内山 星郎, 竹内 正太郎, 荒内 琢士, 橋本 健宏, 中村 芳明, 山根 啓輔, 岡田 成仁, 只友 一行, 酒井 朗

    2014/09

  207. 周期溝加工(22-43)サファイヤ基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析

    荒内 琢士, 竹内 正太郎, 橋本 健宏, 中村 芳明, 今井 康彦, 山根 啓輔, 岡田 成仁, 木村 滋, 只友 一行, 酒井 朗

    2014/09

  208. Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films on (22-43) patterned sapphire substrate

    T.Uchiyama, S.Takeuchi, T.Arauchi, Y.Nakamura, K.Yamane, N.Okada, K.Tadatomo, A.Sakai

    2014/08

  209. Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction

    T.Arauchi, S.Takeuchi, Y.Nakamura, Y.Imai, K.Yamane, N.Okada, S.Kimura, K.Tadatomo, A.Sakai

    2014/08

  210. Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth

    M.Imanishi, K.Murakami, K.Nakamura, H.Imabayashi, H.Takazawa, D.Matsuo, Y.Todoroki, M.Maruyama, H.Asazu, S.Takeuchi, Y.Nakamura, A.Sakai, M.Imade, M.Yoshimura, Y.Mori

    2014/08

  211. Thermal and electrical properties of Si films including epitaxial Ge nanodot phonon-scatterers

    S.Yamasaka, Y.Nakamura, T.Ueda, S.Takeuchi, A.Sakai

    2014/07

  212. Improvement of current drive of Ge-nMISFETs by epitaxially grown n+-Ge:P source and drain

    Y.Moriyama, K.Kamimuta, Y.Kamata, K.Ikeda, S.Takeuchi, Y.Nakamura, A.Sakai, T.Tezuka

    2014/06

  213. エピタキシャルSiナノドットを用いた熱伝導率の低減と熱電材料への応用

    中村芳明

    第51回日本伝熱シンポジウム 2014/05

  214. Ge-nMOSFET向けn+-Ge/n+-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減

    守山 佳彦, 上牟田 雄一, 鎌田 善己, 池田 圭司, 竹内 正太郎, 中村 芳明, 酒井 朗, 手塚 勉

    2014/03

  215. AI2O3挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価

    吉田 啓資, 中村 芳明, 竹内 正太郎, 守山 佳彦, 手塚 勉, 酒井 朗

    2014/03

  216. Crystal domain microstructure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction

    D.T.Khan, S.Takeuchi, K.Nakamura, T.Arauchi, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai

    2014/03

  217. 極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe3O4ナノドットの抵抗スイッチング特性

    松井 秀紀, 中村 芳明, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2014/03

  218. エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価

    山阪 司祐人, 中村 芳明, 上田 智広, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2014/03

  219. (Invited) Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodots structures

    Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai

    2014/02

  220. Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodot structures

    Y.Nakamura, A.Sakai

    2014/02

  221. Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials

    S.Yamasaka, Y.Nakamura, T.Ueda, S.Takeuchi, A.Sakai

    2014/02

  222. ナノドットを用いたSi系熱電材料の開発

    中村芳明

    CREST・さきがけ「元素戦略」領域合同第1回公開シンポジウム 2013/11

  223. ナノドットを用いたSi熱電変換材料の開発

    中村芳明

    第22回シリサイド系半導体研究会 2013/09/21

  224. エピタキシャル成長n+-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減

    守山 佳彦, 上牟田 雄一, 鎌田 善己, 池田 圭司, 竹内 正太郎, 中村 芳明, 酒井 朗, 手塚 勉

    2013/09

  225. Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

    山阪 司祐人, 中村 芳明, 上田 智広, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2013/09

  226. Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction

    D.T.Khan, S.Takeuchi, K.Nakamura, T.Arauchi, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai

    2013/09

  227. Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates

    K.Nakamura, S.Takeuchi, D.T.Khan, T.Arauchi, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai

    2013/09

  228. 薄膜AI2O3/SiO2 BOX層を有するUTB-GeOI基板作製

    守山 佳彦, 池田 圭司, 竹内 正太郎, 上牟田 雄一, 中村 芳明, 酒井 朗, 泉妻 宏治, 手塚 勉

    2013/09

  229. Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AIN films grown on triangular-striped AIN/sapphire template

    T.Arauchi, S.Takeuchi, K.Nakamura, D.T.Khan, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, A.Sakai

    2013/08

  230. Epitaxial growth of stacked β-FeSi2 nanodots on Si substrates and their thermoelectric properties

    M.Isogawa, Y.Nakamura, J.Kikkawa, S.Takeuchi, A.Sakai

    2013/07

  231. Introduction of Ge nanodots in Si films as phonon scatterers and the thermal conductivity reduction

    Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, S.Takeuchi, Y.Yamamoto, S.Arai, T.Tenji, N.Tanaka, A.Sakai

    2013/07

  232. Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers

    H.Asazu, S.Takeuchi, H.Sannai, H.Sudo, K.Araki, Y.Nakamura, K.Izunome, A.Sakai

    8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI) 2013/06

  233. Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定

    石部 貴史, 中村 芳明, 松井 秀紀, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2013/06

  234. Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers

    Y.Moriyama, Y.Kamata, K.Ikeda, S.Takeuchi, Y.Nakamura, A.Sakai

    8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI) 2013/06

  235. ナノドットを用いたSi熱電材料の開発

    中村芳明

    応用物理学会関西支部セミナー「先端半導体デバイスのシミュレーション」 2013/03

  236. 表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動

    浅津 宏伝, 竹内 正太郎, 山内 宏哉, 須藤 治生, 荒木 浩司, 中村 芳明, 泉妻 宏治, 酒井 朗

    2013/03

  237. エピタキシャルb-FeSi2ナノドット積層構造の形成とその熱電物性

    五十嵐 雅之, 中村 芳明, 吉川 純, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2013/03

  238. Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定

    石部 貴史, 中村 芳明, 松井 秀紀, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2013/03

  239. X線マイクロ回折による周期溝加工SiC基板上に成長したAIN薄膜の結晶性評価

    中村 邦彦, ディン カン, 荒内 琢士, 竹内 正太郎, 中村 芳明, 三宅 秀人, 平松 和政, 今井 康彦, 木村 滋, 酒井 朗

    2013/03

  240. エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価

    山阪 司祐人, 中村 芳明, 上田 智広, 竹内 正太郎, 酒井 朗

    2013/03

  241. (Invited) Si-based epitaxial nanodots for thermoelectric material

    Yoshiaki Nakamura

    2013/03

  242. Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction

    K. Nakamura, S. Harada, D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

    8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium 2012/12

  243. Cross-sectional X-ray Microdiffraction Study of Residual Strain Distribution in a Thick AlN Film Grown on a Trench-patterned AlN/α-Al2O3 Template

    D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

    8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium 2012/12

  244. Epitaxial Growth of Iron-Silicide Nanodots on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique and Their Physical Properties

    Y. Nakamura, M Ichikawa

    2012/10

  245. GOI substrates -Fabrication and characterization-

    A. Sakai, S. Yamasaka, J. Kikkawa, Y. Nakamura, Y. Moriyama, T. Tezuka, S. Takeuchi, K. Izunome

    The 2012 Si, SiGe, and Related Compound: Materials, Processing, and Devices Symposium, the PRiME 2012 Joint International 222nd Elecrochemical Society Meeting 2012/10

  246. Local strain distribution in a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template measured by X-ray microdiffraction

    D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 2012/10

  247. ナノドットを用いて歪制御したSi基板上への高品質エピタキシャル薄膜成長法

    中村芳明

    第22回格子欠陥フォーラム・励起ナノプロセス研究会合同シンポジウム「材料科学のための欠陥制御・評価」 2012/09

  248. Si基板上へのナノ構造エピタキシャル成長技術とその応用

    中村芳明

    シリサイド系半導体と関連物質研究会 夏の学校2012 2012/07

  249. Resistive Switching Properties of Directly Bonded SrTiO3 Substrate

    2012/06

  250. (Invited) Nanocontact epitaxy of thin films on Si substrates using nanodot seeds fabricated by ultrathin SiO2 film technique

    Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    Electrochemical Society 221th meeting in Seattle USA 2012/05

  251. Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(110) surfaces

    M. Yamashita, Y. Nakamura, R. Sugimoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

    11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011 2011/10

  252. Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles

    M. Yamashita, Y. Nakamura, A. Yamamoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

    11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011 2011/10

  253. Formation of iron oxide nanodot structures on Si substrates by controlling nanometer-sized interface using ultrathin SiO2 film technique

    Yoshiaki Nakamura, Hironobu Hamanaka, Kazuki Tanaka, Jun Kikkawa, Akira Sakai

    11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011 2011/10

  254. (Invited) Self-organization and self-repair of two-dimensional periodic nanoarray of epitaxial Ge nanodots using ultrathin SiO2 film technique

    Yoshiaki Nakamura

    2011/10

  255. (Invited) High density Iron silicde nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique

    Yoshiaki Nakamura

    IUMRS-ICA 2011, Taipei, September, 2011 2011/09

  256. (Invited) Nanocontact heteroepitaxy of high-quality thin III-V films on Si substrates using nanodot seeds

    Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa

    International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2011) 2011/06

  257. Two-dimensional nanoarray of SiGe epitaxial nanodots self-organized by selective etching of edge dislocation network

    Yoshiaki Nakamura, Masahiko Takahashi, Jun Kikkawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Akira Sakai

    Material Reserch Society Fall meeting, Boston, USA, Dec. 2010 2010/12

  258. X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates

    K. Ebihara, S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

    ECS Transactions 2010/10

  259. (Invited) Self-organization and self-repair of a two-dimensional nanoarray of epitaxial Ge quantum dots using ultrathin SiO2 film technique

    Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, Ryoko Watanabe, Tomokazu Iyoda, Masakazu, Ichikawa

    The 5th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2010), Changzhou, China, Sep. 2010 2010/09

  260. 極薄Si酸化膜テクノロジーにより形成した超高密度量子ドット

    中村芳明

    東京工業大学資源化学研究所セミナー 2009/11

  261. (Invited) Self-assembly technique of ultrahigh density quantum dots of group IV semiconductor epitaxially grown on Si substrates using ultrathin SiO2 films

    Yoshiaki Nakamura

    The 4th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2009), Chengdu, China, Oct. 2009 2009/10

  262. Si基板上に形成した鉄シリサイドナノドットの構造と物性評価

    中村芳明, 市川昌和

    第13回シリサイド系半導体研究会 2009/04

  263. IV族系半導体ナノドットの超高密度形成とその物性

    中村芳明

    グローバルCOE「未来を拓く物理化学結集教育研究拠点」第一回自主研究会 2009/01

  264. Si 基板上β-FeSi2、Fe3Si ナノドットの自己形成とその光学及び磁気特性

    中村芳明, 市川昌和

    2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会 シンポジウム(主題:結晶工学分科会・シリサイド系半導体と関連物質研究会共同企画「シリサイド系材料が開く新しい応用技術-結晶工学から斬るシリサイド系材料の可能性-」 2008/09

  265. IV族半導体ナノ構造形成技術の鉄シリサイドへの応用

    中村芳明, 市川昌和

    第10回シリサイド系半導体夏の学校(主催:応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会) 2007/07

  266. 鉄シリサイドナノ構造の形成技術開発

    中村芳明, 市川昌和

    第10回シリサイド系半導体研究会 2007/03

  267. Fourier transform photoabsorption spectroscopy based on scanning tunneling microscopy

    Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yo Fukuzawa, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Koji Maeda

    Journal of Appled Physics 2007

  268. Quantum fluctuation of tunneling current in individual Ge quantum dots induced by a single-electron transfer

    Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Kentaro Watanabe, Yasuhiro Hatsugai

    Appled Physics Letters 2007

  269. 極薄Si酸化膜を利用したIV族系半導体ナノ構造の形成と物性評価

    中村芳明, 市川昌和

    21世紀COEセミナー 2006/12

  270. Ge量子ドットにおける単電子輸送による量子的トンネル電流変化

    中村芳明, 渡辺健太郎, 初貝安弘, 市川昌和

    2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会 2006/08

  271. Nanomaterial design for thermoelectric performance enhancement

    Yoshiaki Nakamura

    7 th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology

  272. キャリア密度制御によるアモルファスZnSnO透明薄膜の熱電特性評価

    南 鼓太郎, 小松原 祐樹, 石部 貴史, 中村 芳明

    第19回日本熱電学会学術講演会(TSJ2022)

Institutional Repository 3

Content Published in the University of Osaka Institutional Repository (OUKA)
  1. Selective Anion Manipulation for Controlling the Thermoelectric Properties of Epitaxial SnO2 Films on r-Al2O3

    Ishibe Takafumi, Kozuki Seiya, Komatsubara Yuki, Uematsu Yuto, Yoshizaki Takashi, Yamashita Yuichiro, Naruse Nobuyasu, Mera Yutaka, Kobayashi Eiichi, Nakamura Yoshiaki

    ACS Applied Energy Materials Vol. 8 No. 7 p. 4411-4417 2025/03/21

  2. Epitaxial growth of Ca(Ge₁₋ₓSnₓ)₂ with group IV 2D layers on Si substrate

    Yoshizaki Takashi, Terada Tsukasa, Uematsu Yuto, Ishibe Takafumi, Nakamura Yoshiaki

    Applied Physics Express Vol. 17 No. 5 2024/05/07

  3. Anomalous enhancement of thermoelectric power factor in multiple two-dimensional electron gas system

    Uematsu Yuto, Ishibe Takafumi, Mano Takaaki, Ohtake Akihiro, Miyazaki Hideki T., Kasaya Takeshi, Nakamura Yoshiaki

    Nature Communications Vol. 15 No. 1 2024/01/16