顔写真

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唐橋　一浩
Karahashi Kazuhiro
唐橋　一浩
Karahashi Kazuhiro
機関リポジトリ
エマージングサイエンスデザインR3センター，特任教授（常勤）
機関リポジトリ

論文 54

  1. Transitional change to amorphous fluorinated carbon film deposition under energetic irradiation of mass-analyzed carbon monofluoride ions on silicon dioxide surfaces

    K Ishikawa, K Karahashi, H Tsuboi, K Yanai, M Nakamura

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 21　No. 4　p. L1-L3　2003年7月　研究論文（学術雑誌）

  2. High-throughput SiN ALE: surface reaction and ion-induced damage generation mechanisms

    Akiko Hirata, Masanaga Fukasawa, Jomar Unico Tercero, Katsuhisa Kugimiya, Yoshiya Hagimoto, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi, Hayato Iwamoto

    Japanese Journal of Applied Physics　2023年7月1日　研究論文（学術雑誌）

  3. Foundations of atomic-level plasma processing in nanoelectronics

    Karsten Arts, Satoshi Hamaguchi, Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Harm C M Knoops, Adriaan J M Mackus, Wilhelmus M M (Erwin) Kessels

    Plasma Sources Science and Technology　Vol. 31　No. 10　p. 103002-103002　2022年10月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  4. Structural and electrical characteristics of ion-induced Si damage during atomic layer etching

    Akiko Hirata, Masanaga Fukasawa, Katsuhisa Kugimiya, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi, Yoshiya Hagimoto, Hayato Iwamoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 61　No. SI　2022年7月　研究論文（学術雑誌）

  5. Low-energy ion irradiation effects on chlorine desorption in plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) for silicon nitride

    Tomoko Ito, Hidekazu Kita, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 61　No. SI　2022年7月　研究論文（学術雑誌）

  6. Five-step plasma-enhanced atomic layer etching of silicon nitride with a stable etched amount per cycle

    Akiko Hirata, Masanaga Fukasawa, Jomar U. Tercero, Katsuhisa Kugimiya, Yoshiya Hagimoto, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi, Hayato Iwamoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 61　No. 6　2022年6月　研究論文（学術雑誌）

  7. エッチング表面反応の実験的理論的アプローチ

    唐橋一浩, 伊藤智子, 浜口智志

    応用物理　Vol. 91　No. 3　2022年

  8. Formation and desorption of nickel hexafluoroacetylacetonate Ni(hfac)(2) on a nickel oxide surface in atomic layer etching processes (vol 38, 052602, 2020)

    Abdulrahman H. Basher, Marjan Krstic, Karin Fink, Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Wolfgang Wenzel, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 39　No. 5　2021年9月

  9. Molecular dynamics simulation for reactive ion etching of Si and SiO2 by SF 5 + ions

    Erin Joy Capdos Tinacba, Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Michiro Isobe, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　Vol. 39　No. 4　2021年7月　研究論文（学術雑誌）

  10. 先端デバイス構造を実現する超絶ドライエッチング技術の最前線 4.難エッチング材料に対する原子層エッチング反応解析

    伊藤智子, 唐橋一浩, 浜口智志

    プラズマ・核融合学会誌　Vol. 97　No. 9　2021年

  11. Mechanism of SiN etching rate fluctuation in atomic layer etching

    Akiko Hirata, Masanaga Fukasawa, Katsuhisa Kugimiya, Kojiro Nagaoka, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi, Hayato Iwamoto

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 38　No. 6　2020年12月　研究論文（学術雑誌）

  12. Formation and desorption of nickel hexafluoroacetylacetonate Ni(hfac)(2) on a nickel oxide surface in atomic layer etching processes

    Abdulrahman H. Basher, Marjan Krstic, Karin Fink, Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Wolfgang Wenzel, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 38　No. 5　2020年9月　研究論文（学術雑誌）

  13. On-wafer monitoring and control of ion energy distribution for damage minimization in atomic layer etching processes

    A. Hirata, M. Fukasawa, K. Kugimiya, K. Nagaoka, K. Karahashi, S. Hamaguchi, H. Iwamoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 59　2020年6月　研究論文（学術雑誌）

  14. Experimental and numerical analysis of the effects of ion bombardment in silicon oxide (SiO2) plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) processes

    Hu Li, Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Munehito Kagaya, Tsuyoshi Moriya, Masaaki Matsukuma, Satoshi Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 59　2020年6月　研究論文（学術雑誌）

  15. Stability of hexafluoroacetylacetone molecules on metallic and oxidized nickel surfaces in atomic-layer-etching processes

    Abdulrahman H. Basher, Marjan Krstic, Takae Takeuchi, Michiro Isobe, Tomoko Ito, Masato Kiuchi, Kazuhiro Karahashi, Wolfgang Wenzel, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 38　No. 2　2020年3月　研究論文（学術雑誌）

  16. プラズマを用いたシリコン原子層エッチングにおける表面反応

    唐橋一浩, 浜口智志

    表面と真空　Vol. 63　No. 12　2020年

  17. Molecular dynamics simulation of Si and SiO2 reactive ion etching by fluorine-rich ion species

    Erin Joy Capdos Tinacba, Michiro Isobe, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY　Vol. 380　2019年12月　研究論文（学術雑誌）

  18. Damage recovery and low-damage etching of ITO in H-2/CO plasma: Effects of hydrogen or oxygen

    Akiko Hirata, Masanaga Fukasawa, Katsuhisa Kugimiya, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi, Kojiro Nagaoka

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS　Vol. 16　No. 9　2019年9月　研究論文（学術雑誌）

  19. Cyclic etching of tin-doped indium oxide using hydrogen-induced modified layer

    Akiko Hirata, Masanaga Fukasawa, Kazunori Nagahata, Hu Li, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi, Tetsuya Tatsumi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 57　No. 6　2018年6月　研究論文（学術雑誌）

  20. Progress in nanoscale dry processes for fabrication of high-aspect-ratio features: How can we control critical dimension uniformity at the bottom?

    Kenji Ishikawa, Kazuhiro Karahashi, Tatsuo Ishijima, Sung Il Cho, Simon Elliott, Dennis Hausmann, Dan Mocuta, Aaron Wilson, Keizo Kinoshita

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 57　No. 6　2018年6月

  21. Enhanced etching of tin-doped indium oxide due to surface modification by hydrogen ion injection

    Hu Li, Kazuhiro Karahashi, Pascal Friederich, Karin Fink, Masanaga Fukasawa, Akiko Hirata, Kazunori Nagahata, Tetsuya Tatsumi, Wolfgang Wenzei, Satoshi Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 57　No. 6　2018年6月　研究論文（学術雑誌）

  22. フルオロカーボン（Cx Fy+）イオンによるSiO2およびSiエッチング反応

    唐橋一浩, 李虎, 伊藤智子, 浜口智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 2018.1　p. 1853-1853　2018年3月

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  23. 金属表面におけるXeF2曝露によるフッ化物層のエッチング反応

    伊藤智子, 唐橋一浩, 浜口智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 2017.2　p. 1752-1752　2017年9月

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  24. Effects of hydrogen ion irradiation on zinc oxide etching

    Hu Li, Kazuhiro Karahashi, Pascal Friederich, Karin Fink, Masanaga Fukasawa, Akiko Hirata, Kazunori Nagahata, Tetsuya Tatsumi, Wolfgang Wenzel, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 35　No. 5　2017年9月　研究論文（学術雑誌）

  25. Effects of hydrogen-damaged layer on tin-doped indium oxide etching by H-2/Ar plasma

    Akiko Hirata, Masanaga Fukasawa, Takushi Shigetoshi, Masaki Okamoto, Kazunori Nagahata, Hu Li, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi, Tetsuya Tatsumi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 56　No. 6　2017年6月　研究論文（学術雑誌）

  26. Progress and prospects in nanoscale dry processes: How can we control atomic layer reactions?

    Kenji Ishikawa, Kazuhiro Karahashi, Takanori Ichiki, Jane P. Chang, Steven M. George, W. M. M. Kessels, Hae June Lee, Stefan Tinck, Jung Hwan Um, Keizo Kinoshita

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 56　No. 6　2017年6月

  27. Etching yields and surface reactions of amorphous carbon by fluorocarbon ion irradiation

    Kazuhiro Karahashi, Hu Li, Kentaro Yamada, Tomoko Ito, Satoshi Numazawa, Ken Machida, Kiyoshi Ishikawa, Satoshi Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 56　No. 6　2017年6月　研究論文（学術雑誌）

  28. Mass-selected ion beam study on etching characteristics of ZnO by methane-based plasma

    Hu Li, Kazuhiro Karahashi, Masanaga Fukasawa, Kazunori Nagahata, Tetsuya Tatsumi, Satoshi Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 55　No. 2　2016年2月　研究論文（学術雑誌）

  29. Sputtering yields and surface chemical modification of tin-doped indium oxide in hydrocarbon-based plasma etching

    Hu Li, Kazuhiro Karahashi, Masanaga Fukasawa, Kazunori Nagahata, Tetsuya Tatsumi, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 33　No. 6　2015年11月　研究論文（学術雑誌）

  30. Numerical simulation of atomic-layer oxidation of silicon by oxygen gas cluster beams

    Kohei Mizotani, Michiro Isobe, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi

    Plasma and Fusion Research　Vol. 10　p. 1406079-1406079　2015年9月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：社団法人 プラズマ・核融合学会

  31. Correlation between dry etching resistance of Ta masks and the oxidation states of the surface oxide layers

    Makoto Satake, Masaki Yamada, Hu Li, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　Vol. 33　No. 5　2015年9月　研究論文（学術雑誌）

  32. Suboxide/subnitride formation on Ta masks during magnetic material etching by reactive plasmas

    Hu Li, Yu Muraki, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 33　No. 4　2015年7月　研究論文（学術雑誌）

  33. Ion beam experiments for the study of plasma-surface interactions

    Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　Vol. 47　No. 22　2014年6月　研究論文（学術雑誌）

  34. Characterization of polymer layer formation during SiO2/SiN etching by fluoro/hydrofluorocarbon plasmas

    Keita Miyake, Tomoko Ito, Michiro Isobe, Kazuhiro Karahashi, Masanaga Fukasawa, Kazunori Nagahata, Tetsuya Tatsumi, Satoshi Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 53　No. 3　2014年3月　研究論文（学術雑誌）

  35. Characteristics of silicon etching by silicon chloride ions

    Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Song-Yun Kang, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 31　No. 3　2013年5月　研究論文（学術雑誌）

  36. Si Damage Due to Oblique-Angle Ion Impact Relevant for Vertical Gate Etching Processes

    Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Kohei Mizotani, Michiro Isobe, Song-Yun Kang, Masanobu Honda, Satoshi Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 51　No. 8　2012年8月　研究論文（学術雑誌）

  37. Hydrogen effects in hydrofluorocarbon plasma etching of silicon nitride: Beam study with CF+, CF2+, CH2F+, and CH2F+ ions

    Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Masanaga Fukasawa, Tetsuya Tatsumi, Satoshi Hamaguchi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 29　No. 5　2011年9月　研究論文（学術雑誌）

  38. Si Recess of Polycrystalline Silicon Gate Etching: Damage Enhanced by Ion Assisted Oxygen Diffusion

    Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Masanaga Fukasawa, Tetsuya Tatsumi, Satoshi Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 8　2011年8月　研究論文（学術雑誌）

  39. Evaluation of Si etching yields by Cl+, Br+, and HBr+ ion irradiation

    Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi, Song-Yun Kang, Satoshi Hamaguchi

    FOURTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ATOMIC TECHNOLOGY　Vol. 232　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  40. 「半導体プロセスの評価」質量分離フルオロカーボンイオンビームによるシリコン酸化膜エッチング表面反応

    唐橋一浩

    表面科学　Vol. 28　No. 2　2007年

  41. Measurement of desorbed products during organic polymer thin film etching by plasma beam irradiation

    Kazuaki Kurihara, Kazuhiro Karahashi, Akihiro Egami, Moritaka Nakamura

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 24　No. 6　p. 2217-2222　2006年11月　研究論文（学術雑誌）

  42. Mass-analyzed CFx+ (x=1,2,3) ion beam study on selectivity of SiO2-to-SiN etching and a-C : F film deposition

    K Yanai, K Karahashi, K Ishikawa, M Nakamura

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 97　No. 5　2005年3月　研究論文（学術雑誌）

  43. Measurements of desorbed products by plasma beam irradiation on SiO2

    K Kurihara, Y Yamaoka, K Karahashi, M Sekine

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 22　No. 6　p. 2311-2314　2004年11月　研究論文（学術雑誌）

  44. Etching yield Of SiO2 irradiated by F+, CFx+ (x=1,2,3) ion with energies from 250 to 2000 eV

    K Karahashi, K Yanai, K Ishikawa, H Tsuboi, K Kurihara, M Nakamura

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　Vol. 22　No. 4　p. 1166-1168　2004年7月　研究論文（学術雑誌）

  45. Desorption species from fluorocarbon film by Ar+ ion beam bombardment

    M Hayashi, K Karahashi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS　Vol. 18　No. 4　p. 1881-1886　2000年7月　研究論文（学術雑誌）

  46. 超熱原子ビームによるエッチング反応

    唐橋一浩

    表面科学　Vol. 18　No. 12　1997年

  47. Collision-induced reaction of a fluorinated Si(100) by hyperthermal Xe atoms

    K Karahashi, J Matsuo, H Horiuchi

    SURFACE SCIENCE　Vol. 357　No. 1-3　p. 800-803　1996年6月　研究論文（学術雑誌）

  48. STUDY OF THE ETCHING REACTION BY ATOMIC CHLORINE USING MOLECULAR-BEAM SCATTERING

    K KARAHASHI, J MATSUO, K HORIUCHI

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　Vol. 33　No. 4B　p. 2252-2254　1994年4月　研究論文（学術雑誌）

  49. REACTION-KINETICS OF CHLORINE ON SI(111)7X7 SURFACES

    J MATSUO, F YANNICK, K KARAHASHI

    SURFACE SCIENCE　Vol. 283　No. 1-3　p. 52-57　1993年3月　研究論文（学術雑誌）

  50. REACTION-KINETICS OF ATOMIC CHLORINE ON SI(100)2X1

    K KARAHASHI, J MATSUO, K HORIUCHI

    EVOLUTION OF SURFACE AND THIN FILM MICROSTRUCTURE　Vol. 280　p. 189-192　1993年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  51. 分子線散乱法による表面反応過程の評価 シリコン上の塩素の反応過程

    松尾二郎, 唐橋一浩

    応用物理　Vol. 62　No. 11　1993年

  52. 分子線散乱法による表面反応解析

    松尾二郎, 唐橋一浩

    半導体研究　Vol. 38　1993年

  53. CHLORINE MOLECULAR-BEAM SCATTERING STUDY ON SI(100)2 X-1 - DESORPTION PRODUCTS

    K KARAHASHI, J MATSUO, S HIJIYA

    APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 60-1　p. 126-130　1992年8月　研究論文（学術雑誌）

  54. STUDY ON CHLORINE ADSORBED SILICON SURFACE USING SOFT-X-RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY

    J MATSUO, K KARAHASHI, A SATO, S HIJIYA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　Vol. 31　No. 6B　p. 2025-2029　1992年6月　研究論文（学術雑誌）

MISC 30

  1. SiNのプラズマ支援ALDにおける低エネルギーイオンの効果

    伊藤智子, 北英和, 鈴木歩太, 加賀谷宗仁, 松隈正明, 松崎和愛, 唐橋一浩, 浜口智志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 69th　2022年

  2. 高スループットSiN ALEを実現する表面反応メカニズムの解明

    平田瑛子, 深沢正永, TERCERO J. U., 釘宮克尚, 萩本賢哉, 唐橋一浩, 浜口智志, 岩元勇人

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 83rd　2022年

  3. H+、O+イオン照射によるフッ化Y2O3表面反応

    Kang Hojun, 伊藤 智子, Um Junghwan, Kokura Hikaru, Kang Taekyun, Cho Sung-Il, Park Hyunjung, 唐橋 一浩, 浜口 智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 2021.1　p. 1465-1465　2021年2月26日

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  4. 原子層プロセスにおける低エネルギーイオン照射誘起表面反応

    伊藤智子, 唐橋一浩, 浜口智志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 82nd　2021年

  5. Atomic Layer Etchingの吸着層が基板ダメージ生成に与える影響

    平田瑛子, 平田瑛子, 深沢正永, 釘宮克尚, 萩本賢哉, 岩元勇人, TERCERO J. U., 礒部倫郎, 伊藤智子, 唐橋一浩, 浜口智志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 82nd　2021年

  6. プラズマ原子層プロセシングにおけるアセチルアセトン-酸化ニッケル表面反応のab initio DFT計算

    中村花菜, 伊藤智子, 唐橋一浩, 浜口智志, 竹内孝江, 竹内孝江

    日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 99th　2019年

  7. SiN Atomic Layer Etching表面状態の変動解析

    平田瑛子, 深沢正永, 釘宮克尚, 長岡弘二郎, 唐橋一浩, 浜口智志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 80th　2019年

  8. F+イオン照射によるY2O3表面層の変化

    KANG Hojun, 伊藤智子, UM Junghwan, KOKURA Hikaru, KANG Taekyun, CHO Sungil, PARK Hyunjung, 磯部倫郎, 唐橋一浩, 浜口智志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 80th　2019年

  9. 低エネルギーイオンによるフッ化物層のエッチング反応

    唐橋一浩, 伊藤智子, 浜口智志

    プラズマ・核融合学会年会(Web)　Vol. 35th　2018年

  10. 遷移金属に対するβ-ジケトンによる吸着表面反応の解明

    伊藤智子, 唐橋一浩, 浜口智志

    プラズマ・核融合学会年会(Web)　Vol. 35th　2018年

  11. ITO炭化水素プラズマエッチングにおける水素イオン照射の化学的効果

    李 虎, 唐橋 一浩, 深沢 正永, 長畑 和典, 辰巳 哲也, 浜口 智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 2016.2　p. 1690-1690　2016年9月1日

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  12. 透明電極材料のエッチング反応における水素ラジカル照射効果

    李 虎, 唐橋 一浩, 深沢 正永, 長畑 和典, 辰巳 哲也, 浜口 智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 2015.1　p. 1665-1665　2015年2月26日

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  13. 透明電極材料エッチングにおけるCH+及びCH3+照射による化学的効果の解析

    李 虎, 唐橋 一浩, 深沢 正永, 長畑 和典, 辰巳 哲也, 浜口 智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 2014.2　p. 1615-1615　2014年9月1日

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  14. Si、SiO2およびSiNにおけるSiBrxイオンによる反応

    唐橋 一浩, 村木 裕, 李 虎, 松隈 正明, 浜口 智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 2014.1　p. 1666-1666　2014年3月3日

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  15. COクラスターの生成および評価

    唐橋一浩, 瀬木利夫, 松尾二郎, 浜口智志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 61st　2014年

  16. 高エネルギー水素イオン入射によるSi表面の増殖酸化

    伊藤智子, 溝谷浩平, 礒部倫郎, 唐橋一浩, 深沢正永, 長畑和典, 辰巳哲也, 浜口智志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 74th　2013年

  17. HBrプラズマにおける斜め入射イオンおよび反応生成物(SiBrx)イオンによる反応

    村木裕, LI Hu, 伊藤智子, 唐橋一浩, 松隈正明, 浜口智志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 74th　2013年

  18. ヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長のためのIr(100)/MgOへの低エネルギー炭素イオン照射

    井谷司, 井谷司, 山崎一寿, 伊藤智子, 唐橋一浩, 浜口智志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 59th　2012年

  19. フロロカーボンイオン照射におけるSiNx:H膜中の水素の含有率の違いによるエッチング反応への影響

    伊藤智子, 唐橋一浩, 深沢正永, 辰巳哲也, 浜口智志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 59th　2012年

  20. メタノールプラズマ中のイオン照射によるFeCoBエッチング反応

    唐橋一浩, 伊藤智子, 浜口智志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 59th　2012年

  21. SiFx+イオン照射によるSi,Si3N4およびSiO2エッチング反応解析

    伊藤智子, 唐橋一浩, 浜口智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 73rd　2012年

  22. CO+イオンによるCo,NiおよびTaエッチング反応

    唐橋一浩, 伊藤智子, 浜口智志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 58th　2011年

  23. SiClx+イオン照射によるSiエッチング反応解析

    伊藤智子, 唐橋一浩, KAN Song-Yun, 浜口智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 72nd　2011年

  24. Si酸化反応における水素イオン照射効果

    伊藤智子, 唐橋一浩, 深沢正永, 辰巳哲也, 浜口智志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 58th　2011年

  25. CHxFy+イオン照射によるエッチング反応の評価

    伊藤智子, 唐橋一浩, 深沢正永, 辰巳哲也, 浜口智志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 57th　2010年

  26. 反応性イオンによるPt,CoおよびPtCoエッチング反応

    唐橋一浩, 伊藤智子, 浜口智志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 57th　2010年

  27. CO+イオンによるPt,CoおよびPtCoエッチング反応

    唐橋一浩, 伊藤智子, 浜口智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 71st　2010年

  28. CHxFy+イオンエッチングにおける水素の効果

    伊藤智子, 唐橋一浩, 深沢正永, 辰巳哲也, 浜口智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 71st　2010年

  29. Cl+,Br+イオン照射によるSiエッチング反応の評価

    伊藤智子, 松本祥志, 唐橋一浩, KANG Song-Yun, 浜口智志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　Vol. 56th　No. 1　2009年

  30. Cl+.Br+イオン照射によるSiエッチング反応における水素の影響

    伊藤智子, 唐橋一浩, KANG Song-Yun, 浜口智志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 70th　No. 1　2009年

機関リポジトリ 10

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. Etching characteristics of tungsten and tungsten compounds by energetic fluorocarbon and argon ions

    Kang Hojun, Kawabata Shunta, Ito Tomoko, Kang Song Yun, Lee Dongkyu, Lee Yuna, Karahashi Kazuhiro, Hamaguchi Satoshi

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 43　No. 4　2025年6月2日

  2. Mechanism of SiN etching rate fluctuation in atomic layer etching

    Hirata Akiko, Fukasawa Masanaga, Kugimiya Katsuhisa, Nagaoka Kojiro, Karahashi Kazuhiro, Hamaguchi Satoshi, Iwamoto Hayato

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 38　No. 6　2020年12月

  3. Formation and desorption of nickel hexafluoroacetylacetonate Ni(hfac)2on a nickel oxide surface in atomic layer etching processes

    Basher Abdulrahman H., Krstić Marjan, Fink Karin, Ito Tomoko, Karahashi Kazuhiro, Wenzel Wolfgang, Hamaguchi Satoshi

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 38　No. 5　2020年9月

  4. Stability of hexafluoroacetylacetone molecules on metallic and oxidized nickel surfaces in atomic-layer-etching processes

    Basher Abdulrahman H., Krstić Marjan, Takeuchi Takae, Isobe Michiro, Ito Tomoko, Kiuchi Masato, Karahashi Kazuhiro, Wenzel Wolfgang, Hamaguchi Satoshi

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 38　No. 2　2020年3月

  5. Effects of hydrogen ion irradiation on zinc oxide etching

    Li Hu, Karahashi Kazuhiro, Friederich Pascal, Fink Karin, Fukasawa Masanaga, Hirata Akiko, Nagahata Kazunori, Tatsumi Tetsuya, Wenzel Wolfgang, Hamaguchi Satoshi

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 35　No. 5　2017年9月

  6. Sputtering yields and surface chemical modification of tin-doped indium oxide in hydrocarbon-based plasma etching

    Li Hu, Karahashi Kazuhiro, Fukasawa Masanaga, Nagahata Kazunori, Tatsumi Tetsuya, Hamaguchi Satoshi

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 33　No. 6　2015年11月

  7. Correlation between dry etching resistance of Ta masks and the oxidation states of the surface oxide layers

    Satake Makoto, Yamada Masaki, Li Hu, Karahashi Kazuhiro, Hamaguchi Satoshi

    Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics　Vol. 33　No. 5　2015年9月

  8. Suboxide/subnitride formation on Ta masks during magnetic material etching by reactive plasmas

    Li Hu, Muraki Yu, Karahashi Kazuhiro, Hamaguchi Satoshi

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 33　No. 4　2015年7月

  9. Characteristics of silicon etching by silicon chloride ions

    Ito Tomoko, Karahashi Kazuhiro, Kang Song Yun, Hamaguchi Satoshi

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 31　No. 3　2013年5月

  10. Hydrogen effects in hydrofluorocarbon plasma etching of silicon nitride: Beam study with CF+, CF2+, CHF2 +, and CH2F+ ions

    Ito Tomoko, Karahashi Kazuhiro, Fukasawa Masanaga, Tatsumi Tetsuya, Hamaguchi Satoshi

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 29　No. 5　2011年9月