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大参　宏昌
Ohmi Hiromasa
大参　宏昌
Ohmi Hiromasa
機関リポジトリ
工学研究科　物理学系専攻，准教授

keyword 表面・界面物性，薄膜工学，電気材料工学，電子，量子光工学(レーザ)，応用光学

機関リポジトリ

経歴 1

  1. 2023年10月 ～ 継続中
    大阪大学　大学院工学研究科 物理学系専攻　准教授

学歴 1

  1. 大阪大学　工学研究科　精密科学専攻

    ～ 2001年

委員歴 11

  1. 精密工学会 超精密加工専門委員会　幹事　学協会

    2011年4月 ～ 継続中

  2. 電気学会　論文委員会委員　学協会

    2008年4月 ～ 継続中

  3. 公益社団法人 精密工学会　校閲委員 幹事　学協会

    2020年4月 ～ 2024年3月

  4. 精密工学会　精密工学会秋季大会 実行委員　学協会

    2017年4月 ～ 2017年10月

  5. 精密工学会　精密工学会秋季大会 実行委員　学協会

    2001年4月 ～ 2001年9月

  6. 第五回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム・精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム　実行委員　学協会

    2012年10月 ～

  7. 第四回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム・精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム　実行委員　学協会

    2011年10月 ～

  8. 第三回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム・精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム　実行委員　学協会

    2010年11月 ～

  9. 第二回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム・精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム　実行委員　学協会

    2009年11月 ～

  10. 「第一回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム」精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム　実行委員　学協会

    2009年2月 ～

  11. 「原子論的生産技術に関する21世紀COEシンポジウム」精密工学会、大阪大学21世紀COEプログラム　実行委員　学協会

    2007年10月 ～

所属学会 5

  1. 電気学会

  2. 精密工学会

  3. 応用物理学会

  4. The Japan Society of Applied Physics

  5. Japan Society for Precision Engineering

研究内容・専門分野 5

  1. エネルギー / プラズマ科学 /

  2. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

  3. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 加工学、生産工学 /

  4. ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 /

  5. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

受賞 8

  1. 2022年度精密工学会秋季大会学術講演会 ベストプレゼンテーション賞

    武田聖矢, 山内怜大, 大谷燎平, 大参宏昌, 垣内弘章　公益社団法人 精密工学会　2023年1月

  2. 2022年度精密工学会春季大会学術講演会 ベストプレゼンテーション賞

    関戸拓郎, 中村航己, 垣内弘章, 大参宏昌　公益社団法人 精密工学会　2022年5月

  3. 2021年度精密工学会春季大会学術講演会 ベストプレゼンテーション賞

    中塚 宏学、田中 領、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌　公益社団法人 精密工学会　2021年5月

  4. 2017年度 精密工学会 秋季大会学術講演会 ベストオーガナイザー賞

    大参宏昌, 須崎嘉文　公益財団法人 精密工学会　2017年10月

  5. Poster award of excellence

    H.Takemoto, Y. Ishikawa, H. Kakiuchi, K. Yasutake, H. Ohmi　Taiwan Association for Coatings and Thin Films Technology　2015年11月

  6. 大阪大学 総長奨励賞

    大参宏昌　大阪大学　2015年7月

  7. 大阪大学 総長奨励賞

    大参宏昌　大阪大学　2014年7月

  8. 精密工学会沼田記念論文賞

    森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男　社団法人精密工学会　2004年3月

論文 189

  1. High-rate etching of silicon oxide and nitride using narrow-gap high-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

    Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 57　No. 27　p. 275204-275204　2024年4月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  2. Role of O2 and N2 addition on low-reflectance Si surface formation using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

    Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

    Physica Scripta　Vol. 98　No. 11　p. 115609-115609　2023年10月13日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  3. Shallow defect layer formation as Cu gettering layer of ultra-thin Si chips using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

    Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

    Journal of Applied Physics　Vol. 133　No. 16　2023年4月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  4. Improvement of deposition characteristics of silicon oxide layers using argon-based atmospheric-pressure very high-frequency plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Seiya Takeda, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 132　No. 10　p. 103302-103302　2022年9月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  5. Si nanocone structure fabricated by a relatively high-pressure hydrogen plasma in the range of 3.3–27 kPa

    Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    Journal of Vacuum Science & Technology B　Vol. 40　No. 3　p. 032801-032801　2022年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Vacuum Society

  6. Formation of indium nitride nanostructures by atmospheric pressure plasma nitridation of molten indium

    Kazushi Yoshida, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

    Journal of Applied Physics　Vol. 130　No. 6　p. 063301-063301　2021年8月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  7. Gas-phase kinetics in atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 130　No. 5　p. 053307-053307　2021年8月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  8. Diffusion of excessively adsorbed hydrogen atoms on hydrogen terminated Si(100)(2×1) surface

    Kouji Inagaki, Yoshitada Morikawa, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

    AIP Advances　Vol. 11　No. 8　p. 085318-085318　2021年8月1日　研究論文（学術雑誌）

  9. Solution-based coating and printing of polycrystalline Ge films using GeO2 solution by moderate-pressure hydrogen plasma reduction

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki K Kakiuchi

    Flexible and Printed Electronics　Vol. 6　2021年7月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  10. Study on silicon removal property and surface smoothing phenomenon by moderate-pressure microwave hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Kenta Kimoto, Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 129　p. 105780-105780　2021年7月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  11. Plasma parameters in very high frequency argon plasmas mixed with nitrogen at atmospheric pressure

    Kiyoshi Yasutake, Kazushi Yoshida, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi

    Journal of Applied Physics　Vol. 129　No. 17　p. 173302-173302　2021年5月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  12. Reactive ion etching process of SiO2 film using on-site synthesized C2F4 from CF4

    Daiki Iino, Satoshi Tanida, Kazuaki Kurihara, Hiroyuki Fukumizu, Itsuko Sakai, Junko Abe, Jota Fukuhara, Rei Tanaka, Tomoyuki Tanaka, Jou Kikura, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi, Hisataka Hayashi

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　No. 5　p. 050904-050904　2021年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  13. On-site tetrafluoroethylene gas generation from moderate-pressure pure tetrafluoromethane plasma reactor

    Hiromasa Ohmi, Jou Kikura, Tomoyuki Tanaka, Rei Tanaka, Daiki Iino, Itsuko Sakai, Kazuaki Kurihara, Hiroyuki Fukumizu, Junko Abe, Jota Fukuhara, Hisataka Hayashi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Chemical Engineering Science　Vol. 229　p. 116125-116125　2021年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  14. Plasma parameters in very high frequency helium and argon plasmas at atmospheric pressure

    Kazushi Yoshida, Ken Nitta, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

    Journal of Applied Physics　Vol. 128　No. 13　p. 133303-133303　2020年10月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  15. Pulsed very high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films for low-temperature (120 °C) thin film transistors

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 53　No. 41　p. 415201-415201　2020年10月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  16. The effect of pretreatment for SiH4 gas by microwave plasma on Si film formation behavior by thermal CVD

    Keiichi Hamanaka, Norihisa Takei, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    Plasma Processes and Polymers　Vol. 17　No. 4　p. 1900198-1900198　2020年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  17. Highly efficient formation process for functional silicon oxide layers at low temperatures (≤ 120 °C) using very high-frequency plasma under atmospheric pressure

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

    Precision Engineering　Vol. 60　p. 265-273　2019年11月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  18. Significant Improvement of Copper Dry Etching Property of a High-Pressure Hydrogen-Based Plasma by Nitrogen Gas Addition

    Ohmi Hiromasa, Sato Jumpei, Shirasu Yoshiki, Hirano Tatsuya, Kakiuchi Hiroaki, Yasutake Kiyoshi

    ACS OMEGA　Vol. 4　No. 2　p. 4360-4366　2019年2月

  19. Controllability of structural and electrical properties of silicon films grown in atmospheric-pressure very high-frequency plasma

    Kakiuchi Hiroaki, Ohmi Hiromasa, Yasutake Kiyoshi

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　Vol. 51　No. 35　2018年9月5日

  20. On-site SiH4 generator using hydrogen plasma generated in slit-type narrow gap

    Norihisa Takei, Fumiya Shinoda, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 51　No. 24　2018年5月24日　研究論文（学術雑誌）

  21. Study of the interaction between molten indium and sub-atmospheric pressure hydrogen glow discharge for low-temperature nanostructured metallic particle film deposition

    H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Journal of Alloys and Compounds,　Vol. 728　p. 1217-1225　2017年9月　研究論文（学術雑誌）

  22. Study of the interaction between molten indium and sub-atmospheric pressure hydrogen glow discharge for low-temperature nanostructured metallic particle film deposition

    H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Journal of Alloys and Compounds,　Vol. 728　p. 1217-1225　2017年9月　研究論文（学術雑誌）

  23. Determination of plasma impedance of microwave plasma system by electric field simulation

    Mitsutoshi Shuto, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Takahiro Yamada, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 122　No. 4　p. 043303-1-043303-8　2017年7月　研究論文（学術雑誌）

  24. Copper dry etching by sub-atmospheric-pressure pure hydrogen glow plasma

    Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Tatsuya Hirano, Yusuke Kubota, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Applied Physics Letters　Vol. 109　No. 21　p. 211603-1-211603-5　2016年11月　研究論文（学術雑誌）

  25. Atmospheric-Pressure Low-Temperature Plasma Processes

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Encyclopedia of Plasma Technology　2016年11月

    出版者・発行元：CRC Press

  26. Magnesium hydride film formation using subatmospheric pressure H2 plasma at low temperature

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics　Vol. 34　No. 4　2016年7月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  27. Selective Boron Elimination from B2H6–SiH4 Gas Mixtures for Purifying Si

    Hiromasa Ohmi, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    ECS J. Solid State Sci. Technol.　Vol. 5　No. 9　p. P471-P477　2016年7月　研究論文（学術雑誌）

  28. Magnesium hydride film formation using subatmospheric pressure H2 plasma at low temperature

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Vacuum Science & Technology B　Vol. 34　No. 4　2016年5月　研究論文（学術雑誌）

  29. Hydrogen atom density in narrow-gap microwave hydrogen plasma determined by calorimetry

    Takahiro Yamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 119　No. 6　2016年2月　研究論文（学術雑誌）

  30. Selective Boron Elimination from B2H6-SiH4 Gas Mixtures for Purifying Si

    Hiromasa Ohmi, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 5　No. 9　p. P471-P477　2016年　研究論文（学術雑誌）

  31. Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Takeshi Funaki, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 49　No. 3　2015年12月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Institute of Physics Publishing

  32. Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Takeshi Funaki, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 49　No. 3　2015年12月　研究論文（学術雑誌）

  33. Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 118　No. 4　2015年7月　研究論文（学術雑誌）

  34. Nucleation for Si film selective growth using GeO2 solution and high-pressure plasma

    Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Yuji Onoshita, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    ABSTRACT BOOKLET of 20th international colloquium of plasma processes　p. 99-99　2015年6月

  35. 高圧マイクロ波水素プラズマを用いたSi高速エッチングにおける高効率SiH4製造プロセスの開発 ―Siエッチング効率の決定と最適条件の検討―

    平野達也, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

    精密工学会 2015年度関西地方定期学術講演会 講演論文集　p. 8-9　2015年6月　研究論文（その他学術会議資料等）

  36. Characterization of Si and SiOx films deposited in very high-frequency excited atmospheric-pressure plasma and their application to bottom-gate thin film transistors

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, S. Tamaki, T. Sakaguchi, W. Lin, K. Yasutake

    Phys. Status Solidi A　Vol. 212　No. 7　p. 1571-1577　2015年5月　研究論文（学術雑誌）

  37. 低温薄膜トランジスタへの応用に向けた大気圧プラズマCVDによるSi成膜プロセスの研究

    田牧 祥吾, 坂口 尭之, 木元 雄一朗, 寺脇 功士, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2015　p. 511-512　2015年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  38. 高圧力マイクロ波水素プラズマ中のH密度評価（キーノートスピーチ）

    安武 潔, 山田 高寛, 垣内 弘章, 大参 宏昌

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2015　p. 1071-1072　2015年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  39. シミュレーションによる挟ギャップマイクロ波プラズマの解析

    足立 昂拓, 首藤 光利, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2015　p. 1073-1074　2015年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  40. 大気圧VHFプラズマによるSiの低温・高速成膜技術の開発

    坂口 尭之, 林 威成, 田牧 祥吾, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2015　p. 1075-1076　2015年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  41. Atmospheric-pressure low-temperature plasma processes for thin film deposition

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    J. Vac. Sci. Technol. A　Vol. 32　No. 3　2014年5月　研究論文（学術雑誌）

  42. Effective phase control of silicon films during high-rate deposition in atmospheric-pressure very high-frequency plasma: Impacts of gas residence time on the performance of bottom-gate thin film transistors

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, W. Lin, K. Yasutake

    Surf. Coat. Technol.　Vol. 234　p. 2-7　2013年7月　研究論文（学術雑誌）

  43. Effect of H2 Flow Rate on High-Rate Etching of Si by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma

    Takahiro Yamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Plasma Chem Plasma Process　Vol. 33　No. 4　p. 797-806　2013年6月　研究論文（学術雑誌）

  44. Interface properties of SiOxNy layer on Si prepared by atmospheric-pressure plasma oxidation-nitridation

    Z. Zhuo, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Nanoscale Research Letters　Vol. 8　2013年5月　研究論文（学術雑誌）

  45. Voltage distribution over capacitively coupled plasma electrode for atmospheric-pressure plasma generation

    Mitsutoshi Shuto, Fukumi Tomino, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Nanoscale Research Letters　Vol. 8　2013年5月　研究論文（学術雑誌）

  46. 高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングプロセスの評価

    山田 高寛, 山田 浩輔, 足立 昴拓, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 551-552　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  47. 高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおけるプラズマ中でのシラン分解

    山田 浩輔, 山田 高寛, 足立 昂拓, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 553-554　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  48. 大気開放プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーョン技術の開発

    藤原 裕平, 金谷 優樹, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 583-584　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  49. 大気圧RF プラズマを用いたZnO薄膜の高速形成:成膜パラメータが成長様式に及ぼす影響

    長嶋 優, 水野 裕介, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 585-586　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  50. 大気圧VHFプラズマ によるSi の低温・ 高速成膜技術の開発:薄膜トランジスタの試作と性能評価

    林 威成, 岡村 康平, 坂口 尭之, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 565-566　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  51. Study on the growth of microcrystalline silicon films in atmospheric-pressure VHF plasma using porous carbon electrode

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, K. Yasutake

    Journal of Physics: Conference Series　Vol. 417　No. 1　2013年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Institute of Physics Publishing

  52. Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation

    Zeteng Zhuo, Yuta Sannomiya, Kazuma Goto, Takahiro Yamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    CURRENT APPLIED PHYSICS　Vol. 12　p. S57-S62　2012年12月　研究論文（学術雑誌）

  53. Atmospheric Pressure Plasma Processes for Preparation of Si-Based Thin Films

    K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi

    Abst. 59th AVS Int. Symp.　2012年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  54. Silicon Oxide Coatings with Very High Rates (>10 nm/s) by Hexamethildisiloxane-Oxygen Fed Atmospheric-Pressure VHF Plasma: Film-Forming Behavior Using Cylindrical Rotary Electrode

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, K. Yokoyama, K. Okamura, K. Yasutake

    Plasma Chem. Plasma Process.　Vol. 32　No. 3　p. 533-545　2012年3月　研究論文（学術雑誌）

  55. Siのマイクロ波水素プラズマエッチングにおける水素ガス流れと熱伝導のシミュレーション

    岡本 康平, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2012　p. 333-334　2012年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  56. High-Rate HMDSO-Based Coatings in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet

    H. Kakiuchi, K. Higashida, T. Shibata, H. Ohmi, T. Yamada, K. Yasutake

    Journal of Non-Crystalline Solids　Vol. 358　No. 17　p. 2462-2465　2012年1月　研究論文（学術雑誌）

  57. Chemical transport technique in high-pressure plasma for crystalline Si based solar cell

    H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    TACT2011 International Thin Films Conference　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  58. Purified epitaxial Si film made from low-purity Si feedstock by high-pressure plasma gasification method (Oral)

    H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    ITFPC-MIATEC 2011，Innovations in Thin Film Processing and Characterisation &Magnetron, Ion processing and Arc Technologies European Conference　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  59. Study on the Growth of Hydrogenated Amorphous and Microcrystalline Silicon Films Deposited with High Rates Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, K. Yasutake

    Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  60. Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Si Surface Passivation

    Y. Sannnomiya, K. Goto, ZT. Zhuo, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  61. Structural Characterization of Room-Temperature Silicon Oxides Deposited from Hexamethyldisiloxane-O・xygen Mixtures Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    K. Yokoyama, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  62. Effects of Surface Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma

    T. Yamada, K. Okamoto, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference　Vol. 51　No. 10　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  63. Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Functional Thin Films at Low-Temperatures

    K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi

    Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  64. Formation of SiOxNy Films for Passivation of Si Surfaces by Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation

    ZT. Zhuo, K. Goto, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  65. Silicon Oxide Anti-Reflection Coatings from Hexamethyldisiloxane at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure VHF plasma

    K. Yokoyama, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  66. Fundamental Study on the Film Growth from Organometallic precursors Using Atmospheric-Pressure Radio-Frequency Plasma

    S. Mine, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  67. Deposition Characteristics of Silicon Oxides in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet

    K. Higashida, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  68. Effects of Substrate Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Microwave H2 Plasma

    T. Yamada, K. Okamoto, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  69. Influence of the Electrode Configuration on the Growth of Microcrystalline Si Films in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

    A. Hirano, T. Tsushima, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  70. New Formation Processes for Solar-Grade Si and TCO Films Using Atmospheric-Pressure Plasma Technology

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, T. Yamada, H. Ohmi

    Proc. 2011 Korea & Japan Symposium on Solar Cells　2011年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  71. High-Rate Deposition of Amorphous and Microcrystalline Si Films Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    H. Kakiuchi, H.Ohmi, T. Yamada, K.Yasutake

    Proc. 2011 Korea & Japan Symposium on Solar Cells　2011年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  72. An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Inagaki, Y. Oshikane, M. Nakano

    Vol. 23　No. 39　2011年9月　研究論文（学術雑誌）

  73. Growth and Properties of Zinc Oxide Films Prepared in Atmospheric-Pressure Radio Frequency Plasma

    S. Mine, S. Okazaki, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Book of Abst. of The 24rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors　2011年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  74. Deposition Characteristics of Silicon Oxides in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet

    K. Higashida, K. Nakamura, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Book of Abst. of The 24rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors　2011年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  75. Purified Silicon Film Formation from Metallurgical-Grade Silicon by Hydrogen Plasma Induced Chemical Transport

    H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Jpn. J. Appl. Phys　Vol. 50　No. 8　2011年8月　研究論文（学術雑誌）

  76. Surface treatment for crystalline Si solar cell using a solid source high-pressure plasma etching method: texturing and affected layer removal

    H. Ohmi, K. Umehara, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    CIP 11 Abstract booklet　2011年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  77. Low-temperature synthesis of microcrystalline 3C-SiC film by high-pressure hydrogen-plasma-enhanced chemical transport

    H. Ohmi, T. Hori, T. Mori, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    J. Phys. D: Appl. Phys.　Vol. 44　No. 23　2011年6月　研究論文（学術雑誌）

  78. Center of Excellence for Atomically Controlled Fabrication Technology

    Yuji Kuwahara, Akira Saito, Kenta Arima, Hiromasa Ohmi

    J. Nanosc. Nanotechnol　Vol. 11　No. 4　p. 2763-2776　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

  79. Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-Density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma

    Watanabe, Heiji, Ohmi, Hiromasa, Kakiuchi, Hiroaki, Hosoi, Takuji, Shimura, Takayoshi, Yasutake, Kiyoshi

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology　Vol. 11　No. 4　p. 2802-2808　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

  80. Room-Temperature Formation of Low Refractive Index Silicon Oxide Films Using Atmospheric-Pressure Plasma

    K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yokoyama, K. Higashida, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    J. Nanosci. Nanotechnol.　Vol. 11　No. 4　p. 2851-2855　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

  81. Study on the Growth of Heteroepitaxial Cubic Silicon Carbide Layers in Atmospheric-Pressure H2-based Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    J. Nanosci. Nanotechnol.　Vol. 11　No. 4　p. 2903-2909　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

  82. Preparation of Si-based thin films using atmospheric pressure plasma chemical vapour deposition (CVD)

    Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

    Generation and Applications of Atmospheric Pressure Plasmas　p. 141-162　2011年　論文集(書籍)内論文

    出版者・発行元：Nova Science Publishers, Inc.

  83. 結晶シリコン太陽電池用エミッタ層への応用を目指した高圧プラズマ化学輸送法による微結晶SiC薄膜の形成

    堀 貴博, 垣内 弘章, 安武 潔, 大参 宏昌

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2011　p. 521-522　2011年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  84. エッチャント原料ガスフリーなプラズマエッチング法による太陽電池用シリコン基板の表面改質特性

    梅原 弘毅, 垣内 弘章, 安武 潔, 大参 宏昌

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2011　p. 531-532　2011年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  85. 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発

    後藤 一磨, 卓 沢騰, 三宮 佑太, 金谷 優樹, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2011　p. 529-530　2011年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  86. Open Air Deposition of Silicon Oxide Films at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet

    K. Higashida, K. Nakamura, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  87. Development of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Surface Passivation of Si

    Z. T. Zhuo, T. Ohnishi, K. Goto, Y. Sannomiya, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  88. Influence of Process Parameters on the Material Properties of Microcrystalline Si Prepared Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

    K. Tabuchi, A. Hirano, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  89. Structural Characterization of Room-Temperature Silicon Oxides Deposited from Hexamethyldisiloxane-Oxygen Mixtures at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    K. Yokoyama, Y. Mizuno, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  90. Atmospheric-Pressure Plasma Technology for the High-Rate and Low-Temperature Deposition of Si Thin Films

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Abst. 32nd Int. Symp. on Dry Process　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  91. Formation of microcrystalline SiC films by chemical transport with a high-pressure glow plasma of pure hydrogen

    Hiromasa Ohmi, Yoshinori Hamaoka, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Thin Solid Films　Vol. 519　No. 1　p. 11-17　2010年10月29日　研究論文（学術雑誌）

  92. Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface

    Z.T. Zhuo, T. Ohnishi, K. Goto, Y. Sannomiya, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Conf. Proc. 7th ICRP and 63rd GEC　2010年10月

  93. Room-Temperature Deposition of Silicon Nitride Films with Very High Rates Using Atmospheric-Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Proc. 7th International Conference on Reactive Plasmas, 28th Symposium on Plasma Processing and 63rd Gaseous Electronics Conference, Paris, France, 2010　2010年10月

  94. Low refractive index silicon oxide coatings at room temperature using atmospheric-pressure very high-frequency plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Yamaguchi, K. Nakamura, K. Yasutake

    Thin Solid Films　Vol. 519　No. 1　p. 235-239　2010年9月　研究論文（学術雑誌）

  95. Room-Temperature Silicon Nitrides Prepared with Very High Rates (>50 nm/s) in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yasutake

    Plasma Chem. Plasma Process.　Vol. 30　No. 5　p. 579-590　2010年9月　研究論文（学術雑誌）

  96. Chemical Transport Deposition of Purified Poly-Si Films from Metallurgical-Grade Si Using Subatmospheric-Pressure H2 Plasma

    K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi

    Abst. 2010 MRS Spring Meeting, Symposium A: Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology–2010, San Francisco, April 6-9, 2010 (A10.1).　Vol. 1245　p. 215-226　2010年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  97. New Formation Process of Solar-Grade Si from Metallurgical-Grade Si by Chemical Transport in Near Atmospheric-Pressure Plasma

    K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi

    Abst. The 3 rd Int. Conf. on Plasma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2010), Nagoya, March 11-12, 2010 (I-01).　2010年3月

  98. Investigation of structural properties of high-rate deposited SiNx films prepared at low temperatures (100-300 C) by atmospheric-pressure plasma CVD

    Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Phys. Stat. Sol. (c)　Vol. 7　No. 3-4　p. 824-827　2010年3月　研究論文（学術雑誌）

  99. Characterization of microcrystalline Si films deposited at low temperatures with high rates by atmospheric-pressure plasma CVD

    K. Ouchi, K. Tabuchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7 NO 3-4　Vol. 7　No. 3-4　p. 545-548　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  100. Investigation of structural properties of high-rate deposited SiN(x) films prepared at low temperatures (100-300 degrees C) by atmospheric-pressure plasma CVD

    Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7 NO 3-4　Vol. 7　No. 3-4　p. 824-827　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  101. New Formation Process of Solar-Grade Si Material Based on Atmospheric-Pressure Plasma Science

    K. Yasutake, H. Ohmi, K. Inagaki, H. Kakiuchi

    Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2009年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  102. Low-Temperature Si Epitaxial Growth by Atmospheric-Pressure Plasma CVD

    T. Ohnishi, K. Goto, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2009年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  103. Characterization of Room-Temperature Silicon Oxide Films Deposited with High Rates in Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yokoyama, K. Higashida, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2009年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  104. Study on the Growth of Microcrystalline Si Films at Low Temperatures in Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    K. Tabuchi, K. Ouchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2009年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  105. In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    T. Ohnishi, Y. Kirihata, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    ECS Transactions　Vol. 25　No. 8　p. 309-315　2009年10月　研究論文（学術雑誌）

  106. Characterization of High-Rate Deposited Microcrystalline Si Films Prepared Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

    K. Tabuchi, K. Ouchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    ECS Transactions　Vol. 25　No. 8　p. 405-412　2009年10月　研究論文（学術雑誌）

  107. Investigation of Deposition Characteristics and Properties of High-Rate Deposited SiNx Films Prepared at Low Temperatures (100-300 C) by Atmospheric-Pressure Plasma CVD

    Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Book of Abstracts of the 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors　2009年8月

  108. Characterization of Microcrystalline Si Films Deposited at Low Temperatures with High Rates by Atmospheric-Pressure Plasma CVD

    K. Ouchi, K. Tabuchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Book of Abstracts of the 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors　Vol. 7　No. 3-4　p. 545-548　2009年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  109. Microcrystalline Si films grown at low temperatures (90-220 C) with high rates in atmospheric-pressure VHF plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Ouchi, K. Tabuchi, K. Yasutake

    J. Appl. Phys.　Vol. 106　No. 1　2009年7月　研究論文（学術雑誌）

  110. 大気圧・超高周波プラズマを用いた微結晶Siの低温・高速成膜

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    表面技術　Vol. 60　No. 6　p. 371-375　2009年6月

    出版者・発行元：（社）表面技術協会

  111. 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成

    安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章

    第44回応用物理学会スクール「安価,簡単,便利～大気圧プラズマの基礎と応用～」資料集　2009年4月

  112. Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Si Thin Films at Low Temperatures

    K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi

    Ext. Abst. 1st Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology, －Surface and Thin Film Processing－　2009年2月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  113. Characterization of Microcrystalline Si Films Deposited with High Rates by Atmospheric-Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    K. Ouchi, K. Tabuchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 1st Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology, －Surface and Thin Film Processing－　2009年2月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  114. Room-Temperature Formation of Silicon Dioxide Films by Atmospheric-Pressure Plasma CVD Using Cylindrical Rotary Electrode

    Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 1st Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology, －Surface and Thin Film Processing－　2009年2月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  115. 大気圧プラズマプロセスによるSi系薄膜の低温形成

    安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章

    第2回プラズマ新領域研究会講演資料集　2008年12月

  116. Simple dry etching method for Si related materials without etching source gased by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport

    Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Abstracts of 11th international conference on plasma surface engineering　2008年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  117. Enhancement of film-forming reactions for microcrystalline Si growth in atmospheric-pressure plasma using porous carbon electrode

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Inudzuka, K. Ouchi, K. Yasutake

    J. Appl. Phys.　Vol. 104　No. 5　2008年9月　研究論文（学術雑誌）

  118. Impacts of noble gas dilution on Si film structure prepared by atmosphericpressure plasma enhanced chemical transport

    Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    J.Phys. D:Applied Physics　Vol. 41　No. 19　2008年9月　研究論文（学術雑誌）

  119. 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成

    安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

    日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会 第87回研究会資料 「高密度媒体中の放電現象 －材料分野への応用の現状と課題－」　2008年6月

  120. In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD

    Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Surf. Interface Anal.　Vol. 40　No. 6-7　p. 984-987　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

  121. High-rate preparation of thin Si films by atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport

    Daiki Kamada, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    Surf. Interface Anal.　Vol. 40　No. 6-7　p. 979-983　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

  122. Heteroepitaxial growth of cubic SiC on Si using very high frequency plasma at atmospheric pressure

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Aketa, R. Nakamura, K. Yasutake

    Surf. Interface Anal.　Vol. 40　No. 6-7　p. 974-978　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

  123. Formation of Polycrystalline-Si Thin Films Using Nanocrystalline Ge Nuclei

    Chiaki Yoshimoto, Hiromasa Ohmi, Takayoshi Shimura, Hiroaki Kakiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Abstracts of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2008　2008年5月

  124. Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成

    吉本千秋, 大参宏昌, 志村考功, 垣内弘章, 渡部平司, 安武潔

    電子情報通信学会技術研究報告　2008年4月

  125. SiO2 Formation by Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si in Atmospheric Pressure Plasma Excited by Very High Frequency Power

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 47　No. 3　p. 1884-1888　2008年3月　研究論文（学術雑誌）

  126. 大気圧プラズマ化学輸送法を用いた機能薄膜の形成

    大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

    学術振興会第147委員会 第100回研究会 予稿集　2008年2月

  127. Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO2 Thin Films at Low-Temperatures

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi

    Abstracts of The 18th Symposium of Materials Research Society of Japan　2007年12月

  128. Metal induced hydrogen effusion from amorphous silicon

    Hiromasa Ohmi, Yoshinori Hamaoka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 91　No. 24　2007年12月　研究論文（学術雑誌）

  129. 大気圧プラズマCVDにより高速形成したSiNx薄膜の構造評価

    石本大輔, 山口賀人, 中村 慶, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武 潔

    薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会予稿集　2007年11月

  130. High rate deposition of Si film at low temperature by atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport

    Daiki kamada, Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  131. sterilization process of B.atrophaeus using atmospheric pressure mist plasma

    Keiji Iwamoto, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月

  132. selective growth of silicon by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport

    Kazuya kishimoto, Hiromasa Ohmi, Tetusya Mori, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    ext. abstracts of international 21st century COE symposium on Atomistic fabrication technology 2007,Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  133. Atomospheic-pressure plasma enhanced chemical transport as earth-conscious manufacturing technology

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  134. High-Rate Deposition Microcrystalline Silicon Films at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    R. Inudzuka, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  135. Deposition Characteristics of SiNx Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD Using Cylindrical Rotary Electrode

    D. Ishimoto, Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  136. 3C-SiC Formation by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  137. Preparation of Si1-xGex and SiC compound films by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport

    Hiromasa Ohmi, Yoshinori Hamaoka, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    2007年9月

  138. Si film preparation by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport in H2/He or H2/Ar mixture

    Daiki Kamada, Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    2007年8月

  139. high-rate preparation of poly-Si film by atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport wtih high feedstock utilization efficiency

    Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    2007年8月

  140. Low-Temperature Oxidation Process of Silicon Using Atmospheric Pressure Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Digest of Technical Papers of the 14th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, 11–13 July 2007, Hyogo, Japan.　2007年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  141. Silicon film formation by chemical transport in atmospheric-pressure pure hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Yoshinori Hamaoka, Kiyoshi Yasutake

    J.Appl. Phys.　Vol. 102　No. 2　2007年7月　研究論文（学術雑誌）

  142. 大気圧プラズマ化学輸送法により作製されるSi薄膜の構造制御

    Kazuya Kishimoto, Daiki Kamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyosi Yasutake

    ext.abstracts of the 20th symposium on plasma science for materials　2007年6月

    出版者・発行元：SPSM-20実行委員会

  143. Formation of Silicon Carbide at Low Temperatures by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Proc. of the 20th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-20), 21–22 June 2007, Nagoya, Japan.　Vol. 516　No. 19　p. 6580-6584　2007年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  144. Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD

    Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Abstracts 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2007年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  145. High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD

    K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi

    Abstracts 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures　Vol. 517　No. 1　p. 242-244　2007年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  146. Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Filmes Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    K. Yasutake, N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 46　No. 4B　p. 2510-2515　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

  147. High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Trends in Thin Solid Films Research　2007年3月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Nova Science Publishers

  148. Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 90　No. 9　2007年2月　研究論文（学術雑誌）

  149. Characterization of Silicon Carbide Layers Formed by Atmospheric Pressure Plasma Carbonization of Silicon

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Nakamura, M. Aketa, K. Yasutake

    Proc. of International Symposium on Dry Process (DPS 2006), 29-30 November 2006,Nagoya, Japan　2006年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  150. 大気圧プラズマによるSi表面の高速酸化

    原田真, 垣内弘章, 大参宏昌, 渡部平司, 安武潔

    薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会予稿集「薄膜デバイスの新展開」pp. 149.-150.　2006年11月

  151. High-Rate Deposition and Characterization of Microcrystalline Silicon Films Prepared by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Kuwahara, R. Inuzuka, K. Yasutake

    Proc. of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 4-8 September 2006, Dresden, Germany　2006年11月

  152. Lifetime measurement of metastable fluorine atoms using electron cyclotron resonance plasma source

    M. Shimizu, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    J. Vac. Sci. Technol. A　Vol. 24　No. 6　p. 2133-2138　2006年11月　研究論文（学術雑誌）

  153. atmospheric pressure plasma sterilization with water micro-mist

    Yoshiki Ogiyama, Hiromasa Ohmi, Keiji Iwamoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of 6th international symposium on dry process　2006年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  154. High Rate Oxidation of Si Surfaces by using Atmospheric Pressure Plasma

    M. Harada, H. Kakiuchi, H. Ohmi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  155. Fabrication of Polycrystalline Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands and Nuclei

    K. Minami, C. Yoshimoto, H. Ohmi, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  156. Atomospheric Pressure Hydrogen Plasma Treatment of 4H-SiC(0001) Surfaces Using Porous Carbon Electrode

    M. Harada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  157. Fabrication of Si1-xGex and SiC films by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport

    Kazuya Kishimoto, Daiki Kamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology. pp.73-pp.74　2006年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  158. development of atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport toward Eco-friendly manufacturing

    Hiromasa Ohmi, Yoshinori Hamaoka, Yoshiki Ogiyama, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.9-10, Osaka, Japan.　2006年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  159. High Rate Oxidation of Si Surfaces by using Atmospheric Pressure Plasma

    M. Harada, H. Kakiuchi, H. Ohmi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.78-79, Osaka, Japan.　2006年10月

  160. Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma Treatment of 4H-SiC(0001) Surfaces Using Porous Carbon Electrode

    M. Harada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.75-76, Osaka, Japan.　2006年10月

  161. Fabrication of Polycrystalline Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands and Nuclei

    K. Minami, C. Yoshimoto, H. Ohmi, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.65-66, Osaka, Japan.　2006年10月

  162. High-Rate Deposition of Microcrystalline Silicon Films at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Kuwahara, R. Inuzuka, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology　2006年10月

  163. Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates

    K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi

    ECS Transactions“Thin Film Transistor Technology 8”　Vol. 3　No. 8　p. 215-225　2006年10月　研究論文（学術雑誌）

  164. Structural Characterization of Polycrystalline 3C-SiC Films Prepared at High Rates by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Monomethylsilane

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Nakamura, M. Aketa, K. Yasutake

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 45　No. 10B　p. 8381-8387　2006年10月　研究論文（学術雑誌）

  165. Low-Temperature Growth of Epitaxial Si Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Porous Carbon Electrode

    H. Ohmi, H. Kakiuchi, N. Tawara, T. Wakamiya, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 45　No. 10　p. 8424-8429　2006年10月　研究論文（学術雑誌）

  166. Characterization of Epitaxial Silicon Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures(450-600℃)

    N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara, K. Yasutake

    Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.1094-1095.　2006年9月

  167. Influence of H2/SiH4 Ratio on the Deposition Rate and Morphology of Polycrystalline Silicon Films Deposited by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    Ohmi Hiromasa, Kakiuchi Hiroaki, Yasutake Kiyoshi, Nakahama Yasuji, Ebata Yusuke, Yoshii Kumayasu, Mori Yuzo

    Jpn J Appl Phys　Vol. 45　No. 4　p. 3581-3586　2006年4月30日

    出版者・発行元：Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

  168. Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) using Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma

    Heiji Watanabe, Shigenari Okada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, 2006, San Francisco, CA.　2006年4月

  169. Characterization of Epitaxial Si Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Cylindrical Rotary Electrode

    K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi, T. Wakamiya, H. Watanabe

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 45　No. 4　p. 3592-3597　2006年4月　研究論文（学術雑誌）

  170. Effect of hydrogen on the structure of high-rate deposited SiC on Si by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition using high-power-density condition

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Aketa, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori

    Thin Solid Films　Vol. 496　No. 2　p. 259-265　2006年2月　研究論文（学術雑誌）

  171. Deposition Characteristics of Polycrystalline Silicon Carbide Films Prepared at High-Rates by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Ryota Nakamura, Masatoshi Aketa, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the 6th International Conference on Reactive Plasmas and 23rd Symposium on Plasma Processing　2006年1月

  172. Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Naotaka Tawara, Takuya Wakamiya, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  173. Characterization of high pressure (200-760Torr), stable glow plasma of pure hydrogen by measuring etching properties of Si and optical emission spectroscopy

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Yoshiki Ogiyama, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  174. low temperature crystallization of amorphous silicon by atmospheric pressure plasma treatment in H2/He or H2/Ar mixtures

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kenichi Nishijima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of the 6th ICRP an 23rd SPP　Vol. 45　No. 10B　p. 8488-8493　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  175. シリコン系薄膜の大気圧プラズマCVDおよびエピタキシャル成長

    安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 渡部平司

    薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会「低温プロセスの再発見」アブストラクト集（2005）　2005年11月

  176. 大気圧プラズマCVDによる超高速成膜技術の開発

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 森 勇藏

    先端放射線化学シンポジウム2005 要旨集　2005年6月

  177. 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速形成

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 森 勇藏, 中濱康治, 江畑裕介

    日本学術振興会 薄膜第131委員会 第226回研究会資料　2005年6月

  178. Characterization of intrinsic amorphous silicon layers for solar cells prepared at extremely high rates by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    H. Kakiuchi, M. Matsumoto, Y. Ebata, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori

    Journal of Non-Crystalline Solids 351 (2005) 741-747　Vol. 351　No. 8-9　p. 741-747　2005年4月　研究論文（学術雑誌）

  179. Investigation of deposition characteristics and properties of high-rate deposited silicon nitride films prepared by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    H. Kakiuchi, Y. Nakahama, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori

    Thin Solid Films 479 (2005) 17-23　Vol. 479　No. 1-2　p. 17-23　2005年4月　研究論文（学術雑誌）

  180. Formation of MonoChromatic Atomic Beam for Nanofabrication

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Yuki Matsui, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 251-256　2001年3月

  181. High-Rate Growth of Epitaxial Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    Yuzo Mori, Kumayasu Yoshii, kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, amd, Katsuo Wada

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 205-210　2001年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  182. Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD-Growth Rate and Crystallinity-

    Yuzo Mori, Kumayasu Yoshii, kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, amd, Katsuo Wada

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 211-215　2001年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  183. Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD-Growth Rate and Crystallinity-

    Yuzo Mori, Kumayasu Yoshii, kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, amd, Katsuo Wada

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface-211-215　2001年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  184. High-Rate Growth of Epitaxial Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    Yuzo Mori, Kumayasu Yoshii, kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, amd, Katsuo Wada

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface-205-210　2001年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  185. Formation of MonoChromatic Atomic Beam for Nanofabrication

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Yuki Matsui, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface-251-256　2001年3月

  186. development of anisotropic dry etching method using laser-collimated fluorine radical beam

    Masao Shimizu, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Kazuaki Yamane, Ryo Tanaka, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 450-455　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  187. Creation of mono-velocity neutral atomic beam

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Masao Shimizu, Takakiyo Yasukawa, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Masataka Umeno, Yuzo Mori

    Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 630-635　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  188. Creation of mono-velocity neutral atomic beam

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Masao Shimizu, Takakiyo Yasukawa, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Masataka Umeno, Yuzo Mori

    Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface-630-635　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  189. development of anisotropic dry etching method using laser-collimated fluorine radical beam

    Masao Shimizu, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Kazuaki Yamane, Ryo Tanaka, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface-450-455　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

MISC 72

  1. 超高周波励起大気圧プラズマを用いたSi系機能材料の低温・高能率成膜—Low-temperature and Highly Efficient Formation of Silicon-related Functional Thin Films Using Very High-frequency Plasma Excited Under Atmospheric Pressure—特集 半導体製造プロセスに関わる大気圧プラズマの現状

    垣内 弘章, 大参 宏昌

    静電気学会誌 / 静電気学会 編　Vol. 48　No. 3　p. 79-83　2024年5月

    出版者・発行元：東京 : 静電気学会

  2. 大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用 (特集 FPDの進化を担う薄膜技術)

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔

    ディスプレイ　Vol. 19　No. 11　p. 23-29　2013年11月

    出版者・発行元：テクノタイムズ社

  3. 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 (特集 大気圧プラズマと注目の応用)

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔

    オプトロニクス　Vol. 31　No. 6　p. 88-93　2012年6月

    出版者・発行元：オプトロニクス社

  4. 大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術 (特集 プラズマプロセスの応用技術)

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔

    ケミカルエンジニヤリング　Vol. 55　No. 12　p. 889-895　2010年12月

    出版者・発行元：化学工業社

  5. 大気圧プラズマ化学輸送法による太陽電池用シリコン膜の作製

    大参 宏昌, オオミ ヒロマサ

    大阪大学低温センターだより　Vol. 152　p. 20-26　2010年10月

    出版者・発行元：大阪大学低温センター

  6. PFC-free dry etching method for Si using narrow-gap VHF plasma at subatmospheric pressure

    Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    J. Electrochem. Soc.,　Vol. 157　No. 2　p. D85-D89　2010年

  7. purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport

    Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Daiki Kamada, Yoshinori Hamaoka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 95　No. 18　2009年11月

  8. フィルムコーテイングのための大気圧・超高周波プラズマ技術 (特集 気相薄膜形成技術)

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔

    コンバーテック　Vol. 36　No. 3　p. 96-100　2008年3月

    出版者・発行元：加工技術研究会

  9. Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　Vol. pp. 7-8　2007年10月

  10. Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 91　No. 16　2007年10月

  11. Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 91　No. 16　2007年10月

  12. Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O2 plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 90　No. 15　2007年4月

  13. Formation of Silicon Dioxide Layers at Low Temperatures (150-400 C) by Atmospheric Pressure Plasma Oxidation of Silicon

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Sci. Technol. Adv. Mater.　Vol. 8　No. 3　p. 137-141　2007年4月

  14. Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O-2 plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 90　No. 15　2007年4月

  15. Formation of silicon dioxide layers at low temperatures (150-400 degrees C) by atmospheric pressure plasma oxidation of silicon

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS　Vol. 8　No. 3　p. 137-141　2007年4月

  16. Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　Vol. pp. 7-8　2007年

  17. 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速・低温形成技術 (特集1 大気圧プラズマの生成,計測と産業応用)

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔

    マテリアルステージ　Vol. 5　No. 12　p. 14-20　2006年3月

    出版者・発行元：技術情報協会

  18. Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500 - 800°C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    Applied Physics A　Vol. 81　No. 6　p. 1139-1144　2005年11月

  19. 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH4濃度の影響

    大参宏昌, 垣内弘章, 中濱康治, 江畑祐介, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏

    精密工学会誌　Vol. 71, No.11,　No. 11　p. 1393-1398　2005年11月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  20. Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500-800 degrees C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    K Yasutake, H Kakiuchi, H Ohmi, K Yoshii, Y Mori

    APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING　Vol. 81　No. 6　p. 1139-1144　2005年11月

  21. Influence of H2/SiH4 ratio on the deposition rate and morphology of polycrystalline silicon films deposited by atmospheric pressure plasma CVD

    H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, Y. Nakahama, Y. Ebata, K. Yoshii, Y.Mori

    Proceedings of the SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, KOBE　Vol. 372-373,　2005年9月

  22. High-Rate Growth of Defect-Free Epitaxial Si at Low Temperatures by Atmoshperis Pressure Plasma CVD

    Takuya Wakamiya, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, Yuso Mori

    Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 756-757,　2005年9月

  23. High-Rate Deposition of Intrinsic Amorphous Silicon Layers for Solar Cells using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Yasuhito Kuwahara, Mitsuhiro Matsumoto, Yusuke Ebata, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 45　No. 4　p. 3587-3591　2005年9月

  24. Study of Effects of Metal layer on hydrogen desorption from hydrogenated amorphous silicon using temperature programmed desorption

    Y. Hamaoka, H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Proceedings of the SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, KOBE　Vol. 760-761,　2005年9月

  25. Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substratesfor Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films

    K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, S. Koyama, D. Nakajima, K. Minami

    Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nov.12-13, 2004, Nara-Shi Asunara Conference Hall, pp.19-24　Vol. pp.19-24　2005年2月

  26. Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500 - 800°C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yoshii, Y. Mori

    Applied Physics A　Vol. 81　No. 6　p. 1139-1144　2005年2月

  27. Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films

    Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nov.12-13, 2004, Nara-Shi Asunara Conference Hall, pp.19-24　Vol. pp.19-24　2005年

  28. Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching

    Kiyoshi YASUTAKE, Hiromasa OHMI, Hiroaki KAKIUCHI, HeijiWATANABE, Kumayasu YOSHII, Yuzo MORI

    Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) No.12A pp.L1552-L1554　Vol. 43　No. 12A　p. L1552-L1554　2004年12月

  29. Size and density control of crystalline Ge islands on glass substrates by oxygen etching

    K Yasutake, H Ohmi, H Kakiuchi, H Watanabe, K Yoshii, Y Mori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　Vol. 43　No. 12A　p. L1552-L1554　2004年12月

  30. 大粒径多結晶Si薄膜作製のためのGe微結晶核を利用した基板表面制御

    小山晋, 中嶋大貴, 南綱介, 大参宏昌, 渡部平司, 安武潔, 森勇藏

    薄膜材料デバイス研究会第１回研究会「TFTのすべて」アブストラクト集(2004) p.36, p.67　Vol. p.36, p.67　2004年11月

  31. 大気圧プラズマCVDプロセスによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子

    大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 中濱康治, 江畑裕介, 芳井熊安, 森勇藏

    精密工学会誌 70 [11] (2004) 1418-1422.　Vol. 70　No. 11　p. 1418-1422　2004年11月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  32. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究（第２報）－成膜パラメータの最適化による膜構造の改善－

    垣内弘章, 大参宏昌, 中澤弘一, 安武 潔, 芳井熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌 70 [8] (2004) 1075-1079.　Vol. 70　No. 8　p. 1075-1079　2004年8月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  33. 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiNx薄膜の構造と成膜パラメータの相関

    垣内弘章, 中濱康治, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌 70 [7] (2004) 956-960.　Vol. 70　No. 7　p. 956-960　2004年7月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  34. 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性

    森 勇藏, 垣内弘章, 芳井熊安, 安武 潔, 大参宏昌, 江畑裕介, 中村恒夫, 竹内博明, 北條義之, 古川和彦

    精密工学会誌, 70, 4, pp.562-567 (2004)　Vol. 70　No. 4　p. 562-567　2004年4月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  35. 大気圧プラズマCVD法によるSiNxの成膜特性

    森 勇藏, 垣内弘章, 大参宏昌, 芳井熊安, 安武 潔, 中濱康治

    精密工学会誌, 70, 2, pp.292-296 (2004)　Vol. 70, No.2, 292-296　No. 2　p. 292-296　2004年2月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  36. 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性

    森 勇藏, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 安武 潔, 大参 宏昌, 江畑 裕介, 中村 恒夫, 竹内 博明, 北條 義之, 古川 和彦

    精密工学会誌, 70, 4, pp.562-567 (2004)　Vol. 70, 4, pp.562-567　No. 4　p. 562-567　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  37. 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiNx薄膜の構造と成膜パラメータの相関

    垣内 弘章, 中濱 康治, 大参 宏昌, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌 70 [7] (2004) 956-960.　Vol. 70　No. 7　p. 956-960　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  38. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究（第２報）－成膜パラメータの最適化による膜構造の改善－

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 中澤 弘一, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌 70 [8] (2004) 1075-1079.　Vol. 70　No. 8　p. 1075-1079　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  39. 大気圧プラズマＣＶＤ法による機能薄膜の超高速成形成技術の開発

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 遠藤勝義, 森 勇藏

    大阪大学低温センターだより，125,16-22　Vol. 125,16-22　p. 16-22　2004年1月

    出版者・発行元：大阪大学低温センター

  40. “Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films

    Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nara-Shi Asunara Conference Hall,　Vol. 19-24　2004年

  41. ｢大気圧プラズマCVDプロセスによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子」

    大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔, 中濱 康治, 江畑 裕介, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌　Vol. 70, No.11, 1418-1422.　No. 11　p. 1418-1422　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  42. ｢大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性」

    森 勇藏, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 安武 潔, 大参 宏昌, 江畑 裕介, 中村 恒夫, 竹内 博明, 北條 義之, 古川 和彦

    精密工学会誌,　Vol. 70, No.4, 562-567　No. 4　p. 562-567　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  43. ｢大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiNx薄膜の構造と成膜パラメータの相関」

    精密工学会誌　Vol. 70, No.7, 956-960.　2004年

  44. ｢大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究（第２報）－成膜パラメータの最適化による膜構造の改善－」

    精密工学会誌　Vol. 70, No.8, 1075-1079.　2004年

  45. 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性

    森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 中濱康治, 江畑祐介

    精密工学会誌, 70, 1, pp.144-148 (2004)　Vol. 70　No. 1　p. 144-148　2004年1月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  46. Characterization of Hydrogenated Amorphous Si1-xCx Films Prepared at Extremely High Rates Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    Y. Mori, H. Kakiuchi, K. Yoshii, K. Yasutake, H. Ohmi

    Journal of Physics D: Applied Physics, 36 [23] (2003) 3057-3063.　Vol. 36　No. 23　p. 3057-3063　2003年12月

  47. High-Rate Growth of Epitaxial Silicon at Low Temperatures (530-690℃) by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    Y. Mori, K. Yoshii, K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Wada

    Thin Solid Films, 444 (2003) 138-145.　Vol. 444　No. 1-2　p. 138-145　2003年12月

  48. 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究

    安武 潔, 稲垣 耕司, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 芳井 熊安, 広瀬 喜久治

    日本物理学会講演概要集　Vol. 58　No. 2　p. 792-792　2003年8月15日

    出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

  49. 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長（第1報）―エピタキシャルSi成長条件の検討―

    森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男

    精密工学会誌 69 [6] (2003), 861-865.　Vol. 69　No. 6　p. 861-865　2003年6月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  50. 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 山本 達志, 中濱 康冶

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 2　p. 370-370　2002年10月1日

  51. 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 和田 勝男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 2　p. 369-369　2002年10月1日

  52. 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 和田 勝男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 1　p. 614-614　2002年3月1日

  53. ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成

    松井 優貴, 安武 潔, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇蔵

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2001　No. 2　p. 211-211　2001年9月1日

  54. 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 和田 勝男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2001　No. 2　p. 249-249　2001年9月1日

  55. 注入同期法による色素レーザの増幅

    大参宏昌, 安武潔, 松井優貴, 竹内昭博, 垣内弘章, 芳井熊安, 森勇藏

    精密工学会誌, 67 [7] (2001) 1108-1113.　Vol. 67　No. 7　p. 1108-1113　2001年7月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  56. Dual mode amplification of dye laser by injection-seeding method

    H. Ohmi, K. Yasutake, Y. Matsui, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, K. Yoshii, Y. Mori

    Tech. Digest of the 4th Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO/Pacific Rim 2001, Makuhari Messe, 2001, Vol. II, p. 124-125.　Vol. 2　p. 124-125　2001年7月

  57. Li原子ビームのレーザーコリメーション

    大参宏昌, 安武潔, 清水正男, 垣内弘章, 竹内昭博, 芳井熊安, 森勇藏

    精密工学会誌 67 No.3, 433-437　Vol. 67　No. 3　p. 433-437　2001年3月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  58. Dual mode amplification of dye laser by injection-seeding method

    H Ohmi, K Yasutake, Y Matsui, A Takeuchi, H Kakiuchi, K Yoshii, Y Mori

    CLEO(R)/PACIFIC RIM 2001, VOL II, TECHNICAL DIGEST　Vol. 2, 124-125　p. 124-125　2001年

  59. Lifetime of metastable fluorine atoms

    M Shimizu, K Yasutake, H Ohmi, A Takeuchi, H Kakiuchi, K Yoshii, Y Mori

    APPLIED PHYSICS B-LASERS AND OPTICS　Vol. 72　No. 2　p. 227-230　2001年1月

  60. Lifetime of Metastable Fluorine atoms

    Masao Shimizu, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Applied Physics B, 72, 227-230　Vol. 72, 227-230　2001年1月

  61. 注入同期法による色素レーザの増幅

    大参 宏昌, 安武 潔, 松井 優貴, 竹内 昭博, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌　Vol. 67　No. 7　p. 1108-1113　2001年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  62. Li原子ビームのレーザコリメーション

    大参 宏昌, 安武 潔, 清水 正男, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌　Vol. 67　No. 3　p. 433-437　2001年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  63. Velocity spectrometer for a neutral atomic beam

    K Yasutake, H Ohmi, M Shimizu, A Takeuchi, H Kakiuchi, K Yoshii, Y Mori

    APPLIED PHYSICS B-LASERS AND OPTICS　Vol. 71　No. 6　p. 787-793　2000年12月

  64. 中性原子ビーム速度分光装置の開発

    大参宏昌, 安武潔, 清水正男, 垣内弘章, 竹内昭博, 芳井熊安, 森勇藏

    精密工学会誌 66 No.12 1938-1942　Vol. 66　No. 12　p. 1938-1942　2000年12月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  65. Velocity Spectrometer for neutral atomic beam

    Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi, Masao Shimizu, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Applied Phisics B, 71,787-793　Vol. 71　No. 6　p. 787-793　2000年12月

  66. レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発 : フッ素ラジカルの生成と準安定状態の寿命測定

    清水 正男, 安武 潔, 大参 宏昌, 田中 亮, 村上 健, 竹内 昭博, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 森 勇蔵

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2000　No. 2　p. 480-480　2000年9月1日

  67. 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅

    大参 宏昌, 松井 優貴, 安武 潔, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇藏, 清水 正男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2000　No. 1　p. 380-380　2000年3月1日

  68. 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用

    大参 宏昌, 安川 貴清, 安武 潔, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇藏, 清水 正男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2000　No. 1　p. 379-379　2000年3月1日

  69. development of velocvity spectrometer for neutral atomic beam

    Jounal of the japan society for precision engineering　Vol. 66　No. 12 1938-1942　2000年

  70. レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発

    清水 正男, 岩井 敬文, 大参 宏昌, 竹内 昭博, 垣内 弘章, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1998　No. 1　p. 521-521　1998年3月5日

  71. 中性原子ビームのコリメーションとナノファブリケーションへの応用

    大参宏昌

    1998年度精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集　Vol. 125　1998年

  72. レーザー冷却法による中性原子ビームのコリメーション

    大参 宏昌, 安武 潔, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇蔵, 清水 正男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1997　No. 2　p. 111-111　1997年10月1日

著書 12

  1. 超精密加工と表面科学 第2部2章3

    大参宏昌

    大阪大学出版会　2014年3月　学術書

    ISBN: 9784872594652

  2. 大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用 「月間ディスプレイ」

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    (株)テクノタイムズ社　2013年11月　その他

  3. 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 OPTRONICS, 2012, No. 6, 88-93. （共著）

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

    株式会社オプトロニクス社　2012年6月　学術書

  4. 大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成 「改訂版 大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 pp.197-219, 2012 （共著）

    安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

    サイエンス＆テクノロジー株式会社　2012年3月　学術書

    ISBN: 9784864280396

  5. 大気圧プラズマの技術とプロセス開発

    沖野, 晃俊

    シーエムシー出版　2011年8月　その他

    ISBN: 9784781304076

  6. Preparation of Si-Based Thin Films Using Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapour Deposition (CVD) （共著）

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi

    "Generation and Application of Atmospheric Pressure Plasmas" NOVA　2011年4月　学術書

  7. 大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術, ケミカルエンジニヤリング 55[12], pp. 1–7 (2010).

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    化学工業社　2010年12月　学術書

  8. 「大気圧プラズマ 基礎と応用」 第6章6.7.3[2] シリコン系CVD

    安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌

    オーム社　2009年10月　学術書

  9. 新コーティングのすべて

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    加工技術研究会　2009年10月　学術書

  10. フィルムベースエレクトロニクスの最新要素技術

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    シーエムシー出版　2008年10月　学術書

  11. Materials Science Research Trends

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Nova Science Publishers, New York　2008年10月　学術書

  12. 「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 第2章 第7節 大気圧プラズマCVDによる無機物膜堆積 (2006) pp.135-151.

    安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

    サイエンス＆テクノロジー　2006年11月　学術書

作品 5

  1. グローバルCOE 高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点

    2008年 ～

  2. Center of Excellence for Atomically Controlled Fabrication Technology

    2008年 ～

  3. 大気圧水素プラズマのみによるSi薄膜の形成

    2004年 ～

  4. ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発

    2004年 ～

  5. 原子論的生産技術の創出拠点

    2004年 ～

特許・実用新案・意匠 28

  1. ガス生成方法およびエッチング装置

    大参 宏昌, 安武 潔, 酒井 伊都子, 林 久貴, 福原 成太, 大内 淳子, 金高 秀海

    特許7253729

    出願日:2018/10/01

    登録日:2023/03/30

  2. プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法，ガス発生装置及びガス発生方法， 並びに，フッ素含有高分子廃棄物処理方法

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    5028617

    出願日:2007/01

    登録日:2012/07

  3. Si精製方法，Si精製装置及びSi精製膜製造装置

    大参宏昌, 安武潔

    4660715

    出願日:2008/06

    登録日:2011/01

  4. エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章, 渡部平司

    特許4539985

    出願日:2005/11

    登録日:2010/07/02

  5. プラズマ生成装置

    大参宏昌, 中塚宏学

    出願日:2022/03/24

  6. エッチング装置及びエッチング方法

    大参 宏昌, 久保田 雄介

    出願日:2016/11/10

  7. 金属膜形成装置及び金属膜形成方法

    大参 宏昌, 安武 潔, 久保田 雄介

    出願日:2016/11/10

  8. モノシラン生成装置

    大参 宏昌

    出願日:2014/03

  9. 成膜方法および成膜装置

    大参宏昌

    出願日:2013/10

  10. 成膜装置

    柴田 哲司, 平井 孝彦, 安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌

    特許第5849218号

    出願日:2011/06/14

  11. プラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置

    中濱康治, 舩木毅, 大参宏昌, 安武潔

    出願日:2009/06

  12. モノシラン生成装置およびモノシラン生成方法

    舩木毅, 中濱康治, 大参宏昌, 安武潔

    出願日:2009/06

  13. 選択的膜製造方法

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2007/08

  14. プラズマ加工装置及びプラズマ加工法

    大参宏昌, 安武潔

    出願日:2008/09

  15. 膜製造方法

    大参宏昌, 安武潔

    出願日:2008/08

  16. Si精製方法、Si精製装置及びSi精製膜製造装置

    大参 宏昌, 安武 潔, 中濱 康治, 舩木 毅

    特許第4660715号

    出願日:2008/06/18

  17. 低屈折率SiO2反射防止膜の製造方法及びそれを用いて得られる反射防止処理基材

    垣内弘章, 安武 潔, 大参宏昌, 石岡宗悟, 畠山宏毅

    出願日:2008/06

  18. Si基板表面の炭化による結晶性SiCの形成方法及び結晶性SiC基板

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    特願2005-329318

    出願日:2005/11

  19. プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、並びに、フッ素含有高分子廃棄物処理方法

    大参 宏昌, 安武 潔, 垣内 弘章

    特許第5028617号

    出願日:2007/01/18

  20. プラズマ表面処理装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2006/11

  21. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

    大参 宏昌, 安武 潔, 垣内 弘章

    出願日:2006/09/08

  22. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造法，精製膜製造方法及び装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2006/09

  23. 原子線分光装置

    芳井熊安, 安武潔, 大参宏昌, 菅原菜穂子, 高林博文, 鬼頭弘

    特開2001-68054

    出願日:1999/11

  24. フルオロカーボン膜の成膜方法及び成膜装置

    大参宏昌, 田中智之, 安武潔

    出願日:2018/10

  25. プラズマ加工装置及びプラズマ加工法

    中濱康治, 舩木毅, 大参宏昌, 安武潔

    出願日:2008/09

  26. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    特許第5269414号

    出願日:2006/09

  27. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法および装置

    大参 宏昌

    出願日:2005/10

  28. Spectrometer for atomic beam

社会貢献 1

  1. 大阪大学 新技術説明会

    JST、国立大学法人大阪大学

    2024年1月31日 ～ 2024年1月31日

報道 2

  1. 金属／金属間、金属／樹脂間の新たな接合技術を開発

    (株)ガスレビュー

    2024年6月

  2. プラズマ殺菌吹き付け式装置開発

    日経産業新聞

    2007年4月

学術貢献活動 8

  1. PV JAPAN 2014

    JPEA

    2014年7月 ～

  2. 大阪大学 新技術説明会

    JST・大阪大学

    2014年7月 ～

  3. PV JAPAN 2012

    SEMI

    2012年12月 ～

  4. PV JAPAN 2011

    SEMI

    2011年12月 ～

  5. イノベーション ジャパン 2010

    JST/NEDO

    2010年9月 ～

  6. イノベーションジャパン2007

    JST・NEDO

    2007年9月 ～

  7. セミコンジャパン2006

    2006年12月 ～

  8. イノベーションジャパン2006

    2006年9月 ～

機関リポジトリ 4

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. Shallow defect layer formation as Cu gettering layer of ultra-thin Si chips using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

    Nomura Toshimitsu, Kakiuchi Hiroaki, Ohmi Hiromasa

    Journal of Applied Physics　Vol. 133　No. 16　2023年4月28日

  2. 大気圧プラズマ化学輸送法による太陽電池用シリコン膜の作製

    大参 宏昌

    大阪大学低温センターだより　Vol. 152　p. 20-26　2010年10月

  3. 大気圧プラズマCVD法による機能薄膜の超高速形成技術の開発

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔, 芳井 熊安, 遠藤 勝義, 森 勇蔵

    大阪大学低温センターだより　Vol. 125　p. 16-22　2004年1月

  4. 中性原子ビーム操作技術と単色原子ビームの生成に関する研究

    大参 宏昌