顔写真

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谷川　智之
Tanikawa Tomoyuki
谷川　智之
Tanikawa Tomoyuki
機関リポジトリ
工学研究科　電気電子情報通信工学専攻，准教授

keyword 欠陥評価技術，マイクロLED，多光子顕微鏡，パルススパッタリング法，波長変換デバイス，太陽電池，LD，LED，InGaN，有機金属気相成長法，窒化物半導体

機関リポジトリ

経歴 3

  1. 2017年1月 ～ 2019年3月
    東北大学　金属材料研究所　講師

  2. 2012年3月 ～ 2016年12月
    東北大学　金属材料研究所　助教

  3. 2010年4月 ～ 2012年3月
    独立行政法人日本学術振興会　特別研究員（DC2）

学歴 3

  1. 名古屋大学　工学研究科　電子情報システム専攻

    2009年4月 ～ 2012年3月

  2. 名古屋大学　工学研究科　電子情報システム専攻

    2007年4月 ～ 2009年3月

  3. 名古屋大学　工学部　電気電子情報工学科

    2003年4月 ～ 2007年3月

委員歴 27

  1. 日本結晶成長学会　日本結晶成長学会　学協会

    2023年4月 ～ 継続中

  2. 一般社団法人ワイドギャップ半導体学会　総務委員（会計委員）　学協会

    2021年4月 ～ 継続中

  3. APEX　編集委員　学協会

    2019年4月 ～ 継続中

  4. 応用物理学会結晶工学分科会　企画担当幹事　学協会

    2018年4月 ～ 継続中

  5. 応用物理学会　プログラム編集委員　学協会

    2017年9月 ～ 継続中

  6. 日本結晶成長学会ナノエピ分科会　第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 プログラム委員　学協会

    2023年4月 ～ 2024年6月

  7. LEDIA2024　実行委員　学協会

    2023年4月 ～ 2024年4月

  8. 第14回窒化物半導体国際会議 ICNS-14　実行委員（庶務委員）　学協会

    2019年4月 ～ 2024年3月

  9. 日本光学会 光光委員会（関西）　委員　学協会

    2019年4月 ～ 2023年3月

  10. LEDIA2022　実行委員　学協会

    2021年4月 ～ 2022年4月

  11. 2020年発光素子および産業応用に関する国際会議 LEDIA2020　実行委員（会計委員）・プログラム委員

    2019年4月 ～ 2020年4月

  12. 第9回 ワイドギャップ半導体に関するアジア太平洋ワークショップ APWS2019　現地実行委員（庶務）　学協会

    2017年4月 ～ 2019年11月

  13. 2019年発光素子および産業応用に関する国際会議 LEDIA2019　実行委員（会計委員）・プログラム委員　学協会

    2018年4月 ～ 2019年4月

  14. 窒化物半導体国際ワークショップ IWN-2018　実行委員（広報委員）　学協会

    2016年4月 ～ 2018年11月

  15. 2018年発光素子および産業応用に関する国際会議 LEDIA2018　実行委員（会計委員）・プログラム委員　学協会

    2017年4月 ～ 2018年4月

  16. 紫外光材料及び素子に関する国際会議 IWUMD 2017　実行委員（展示委員）　学協会

    2016年4月 ～ 2017年11月

  17. 2017年発光素子および産業応用に関する国際会議 LEDIA2017　実行委員（会計委員）・プログラム委員　学協会

    2016年4月 ～ 2017年4月

  18. The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides　総務委員　学協会

    2014年10月 ～ 2015年11月

  19. The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides　総務委員　学協会

    2014年10月 ～ 2015年11月

  20. 2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)　実行委員　学協会

    2014年4月 ～ 2014年11月

  21. 2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)　実行委員　学協会

    2014年4月 ～ 2014年11月

  22. 第33回電子材料シンポジウム　会場委員　学協会

    2013年10月 ～ 2014年7月

  23. 第33回電子材料シンポジウム　会場委員　学協会

    2013年10月 ～ 2014年7月

  24. 第32回電子材料シンポジウム　会場委員　学協会

    2012年10月 ～ 2013年9月

  25. 第32回電子材料シンポジウム　会場委員　学協会

    2012年10月 ～ 2013年9月

  26. 第７回窒化物半導体結晶成長講演会　委員　学協会

    2015年5月 ～

  27. 第７回窒化物半導体結晶成長講演会　委員　学協会

    2015年5月 ～

所属学会 4

  1. ワイドギャップ半導体学会

  2. 応用物理学会結晶工学分科会

  3. 日本結晶成長学会

  4. 応用物理学会

研究内容・専門分野 3

  1. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

  2. ナノテク・材料 / 結晶工学 /

  3. ナノテク・材料 / 応用物性 /

受賞 19

  1. 第41回（2019年度）応用物理学会論文賞

    谷川智之, 大西一生, 加納雅也, 向井孝志, 松岡隆志　応用物理学会　2019年9月

  2. 応用物理学会論文誌編集貢献賞

    谷川智之　応用物理学会　2024年3月

  3. 第19回奨励賞

    谷川智之　日本結晶成長学会　2021年10月

  4. Young Scientist Award

    Tomoyuki Tanikawa, Mayuko Tsukakoshi, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama　The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2021年3月

  5. 第47回結晶成長国内会議 講演奨励賞

    谷川智之, 松岡隆志　日本結晶成長学会　2018年11月

  6. 第7回(2018年度) 研究開発奨励賞 優秀賞

    谷川智之　一般財団法人エヌエフ基金　2018年11月

  7. 第42回（2017年春季）応用物理学会 講演奨励賞

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志　公益社団法人 応用物理学会　2017年9月

  8. EMS賞

    第３５回電子材料シンポジウム　2016年7月

  9. 第７回薄膜太陽電池セミナー ポスター発表アワード

    第7回薄膜太陽電池セミナー組織委員　2016年3月14日

  10. Young Scientist Award

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides　2015年11月12日

  11. 第6回 窒化物半導体結晶成長講演会 研究奨励賞

    日本結晶成長学会　2014年7月26日

  12. Young Researcher's Paper Award

    Conference on LED and its industrial application '14 (LEDIA'14)　2014年4月25日

  13. 第126回 金研講演会（2013年秋季）優秀ポスター賞

    東北大学金属材料研究所　2013年11月28日

  14. 応用物理学会東北支部講演奨励賞

    応用物理学会東北支部　2012年12月6日

  15. 応用物理学会・結晶工学分科会発表奨励賞

    応用物理学会・結晶工学分科会　2010年12月17日

  16. 電子情報通信学会 平成21年度学生研究奨励賞

    電子情報通信学会 東海支部　2010年6月8日

  17. 第2回 窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞

    日本結晶成長学会ナノエピ分科会　2010年5月15日

  18. 名古屋大学学術奨励賞

    名古屋大学　2010年3月24日

  19. ALPS Student Paper Award

    Ryosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama　The 9th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2020)

論文 94

  1. Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping

    Mayuko Tsukakoshi, Tomoyuki Tanikawa, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 5　p. 055504-1-055504-4　2021年4月23日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  2. Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence

    Tomoyuki Tanikawa, Kazuki Ohnishi, Masaya Kanoh, Takashi Mukai, Takashi Matsuoka

    Applied Physics Express　Vol. 11　No. 3　2017年9月7日　研究論文（学術雑誌）

  3. Epitaxial Growth of AlGaN/AlN Strained-Layer Superlattices by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Far-UV Second Harmonic Generation

    Shahzeb Malik, Masaaki Ito, Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Crystal Growth & Design　2025年5月21日　研究論文（学術雑誌）

  4. Investigation of characteristics of GaN-based blue DFB laser diodes over a wide detuning range

    Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Kohei Miyoshi, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　2025年5月1日　研究論文（学術雑誌）

  5. Polarity inversion of N-polar GaN by metalorganic vapor phase epitaxy via thermal oxidation

    Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　2025年2月1日　研究論文（学術雑誌）

  6. Detuning dependence in current-light-output characteristics of GaN-based DFB laser diodes

    Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　2025年2月1日　研究論文（学術雑誌）

  7. Polarity inversion of GaN from +c to −c polarity by metalorganic vapor phase epitaxy

    Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　2025年2月1日　研究論文（学術雑誌）

  8. Analysis of inversion-domain boundaries in four-layer polarity-inverted AlN structure

    Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Toru Akiyama, Ryota Akaike, Takao Nakamura, Hiroto Honda, Eiki Sato, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Hideto Miyake

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 3　2025年1月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  9. Metalorganic Vapor‐Phase Epitaxy of +c/−c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi‐Phase‐Matched Wavelength Conversion Device

    Kazuhisa Ikeda, Shahzeb Malik, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    physica status solidi (b)　2024年11月　研究論文（学術雑誌）

  10. 199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laser

    Tomoaki Nambu, Masashi YOSHIMURA, Yusuke Mori, Yasufumi FUJIWARA, Ryota Ishii, Yoichi KAWAKAMI, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA

    Applied Physics Express　2024年8月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  11. Continuous-wave operation of InGaN tunable single-mode laser with periodically slotted structure

    Taisei Kusui, Takumi Wada, Naritoshi Matsushita, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA

    Applied Physics Express　2024年7月23日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  12. Design of Horizontally Stacked AlN and Dielectric Cores Transverse Quasi‐Phase‐Matched Channel Waveguide for Squeezed Light Generation

    Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    physica status solidi (a)　2024年7月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  13. Buried annealed proton-exchanged waveguide in periodically-poled MgO:LiTaO<inf>3</inf> fabricated by surface-activated bonding for high-power wavelength conversion

    Ryosuke Noro, Masahide Okazaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 63　No. 6　2024年6月3日　研究論文（学術雑誌）

  14. Demonstration of a violet-distributed feedback laser with fairly small temperature dependence in current-light characteristics

    Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 5　2024年5月1日　研究論文（学術雑誌）

  15. Large Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1(Formula Presented)01) GaN Stripes on Patterned Si Substrates Prepared using Maskless Lithography

    Naofumi Takeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　2024年　研究論文（学術雑誌）

  16. Fabrication of polarity inverted LiNbO3/GaN channel waveguide by surface activated bonding for high-efficiency transverse quasi-phase-matched wavelength conversion

    Ryosuke Noro, Mariko Adachi, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 10　p. 102001-102001　2023年10月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  17. Second harmonic generation from a-plane GaN vertical monolithic microcavity pumped with femtosecond laser

    Tomoaki Nambu, Tomohiro Nakahara, Yuma Yasuda, Yasufumi Fujiwara, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 7　p. 72005-72005　2023年7月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  18. 229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in a vertical polarity inverted AlN bilayer channel waveguide

    Hiroto Honda, Soshi Umeda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 6　p. 62006-62006　2023年6月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  19. Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks

    Tomoka Nishikawa, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　2023年6月1日　研究論文（学術雑誌）

  20. N-Polar growth of nitride semiconductors with MOVPE and its applications

    Takashi Matsuoka, Toshitsugu Mitate, Seiichiro Mizuno, Hiroko Takahata, Tomoyuki Tanikawa

    Journal of Crystal Growth　2023年3月23日　研究論文（学術雑誌）

  21. Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer Using Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy

    Tomotaka Murata, Kazuhisa Ikeda, Jun Yamasaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    physica status solidi (b)　Vol. 260　No. 8　2023年3月22日　研究論文（学術雑誌）

  22. Second harmonic generation in GaN transverse quasi-phase-matched waveguide pumped with femtosecond laser

    Naoki Yokoyama, Yoshiki Morioka, Tomotaka Murata, Hiroto Honda, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Shigeki Tokita, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 15　No. 11　2022年11月22日　研究論文（学術雑誌）

  23. Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystals

    Hiroki Ishihara, Keiya Shimada, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Kazuhiro Kurose, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takayuki Nakano

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. SK　p. SK1020-SK1020　2022年8月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  24. Enlargement of mode size in annealed proton-exchanged periodically-poled MgO doped stoichiometric LiTaO3 waveguide for high power second harmonic generation

    Ryosuke Noro, Masahide Okazaki, Ikuo Mizobata, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 7　p. 72006-72006　2022年7月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  25. DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device

    Tomoaki Nambu, Taketo Yano, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Yasunori Tanaka, Yutaka Maegaki, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Shuhei Kobayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Ryota Ishii, Yoichi Kawakami, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Optics Express　Vol. 30　No. 11　p. 18628-18628　2022年5月23日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Optica Publishing Group

  26. GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion

    Naoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Yuma Yasuda, Hiroto Honda, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 5　p. 50902-50902　2022年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  27. Emission color modulation of InGaN/GaN multiple quantum wells by selective area metalorganic vapor phase epitaxy on hexagonal windows

    Shin Yoshida, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 3　p. 30904-30904　2022年3月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  28. Nondestructive characterization of threading dislocations in graded buffer layers of inverted metamorphic solar cells by two-photon excitation spectroscopy

    Akio Ogura, Tomoyuki Tanikawa, Tatsuya Takamoto, Ryuji Oshima, Takeyoshi Sugaya, Mitsuru Imaizumi

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 11　p. 111002-111002　2021年11月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  29. Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure

    Tomoaki Nambu, Takumi Nagata, Soshi Umeda, Keishi Shiomi, Yasufumi FUJIWARA, TOSHIKI HIKOSAKA, Abdul Mannan, Filchito Renee G. Bagsican, Kazunori Serita, Iwao Kawayama, Masayoshi TONOUCHI, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 6　p. 61004-61004　2021年5月10日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  30. Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence

    Akio Ogura, Tomoyuki Tanikawa, Tatsuya Takamoto, Ryuji Oshima, Hidetoshi Suzuki, Mitsuru Imaizumi, Takeyoshi Sugaya

    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　p. 273-276　2019年6月19日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  31. Reuse of scalmgo<inf>4</inf> substrates utilized for halide vapor phase epitaxy of gan

    Kazuki Ohnishi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takuya Iwabuchi, Kazuya Yamamura, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　2019年3月1日　研究論文（学術雑誌）

  32. Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO<inf>2</inf> patterns in HVPE growth

    Satoru Fujimoto, Hideyuki Itakura, Tomoyuki Tanikawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　2019年3月1日　研究論文（学術雑誌）

  33. Reverse-bias-induced virtual gate phenomenon in N-polar GaN HEMTs

    T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 25-30　2018年12月18日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  34. N-polar GaN/AlGaN inversed high electron mobility transistors

    T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4), Sendai, Japan, Nov. 19-20　2018年11月18日　研究論文（学術雑誌）

  35. Three dimensional and non-destructive investigation of relation between reverse leakage current and threading dislocation in vertical GaN Schottky barrier diodes

    T. Fujita, T. Tanikawa, H. Fukushima, S. Usami, A. Tanaka, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), Kanazawa, Japan, Nov. 12-16　2018年11月16日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  36. 窒素極性GaN MIS-HEMT における逆バイアスアニールの効果

    末光哲也, K. Prasertsuk, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋, Sep. 18-21, 2018　2018年9月18日　研究論文（研究会，シンポジウム資料等）

  37. Temperature-dependent radiative and non-radiative dynamics of photo-excited carriers in extremely high-density and small InGaN nanodisks fabricated by neutral-beam etching using bio-nano-templates

    Yafeng Chen, Takayuki Kiba, Junichi Takayama, Akio Higo, Tomoyuki Tanikawa, Shula Chen, Seiji Samukawa, Akihiro Murayama

    Journal of Applied Physics　Vol. 123　No. 20　2018年5月28日　研究論文（学術雑誌）

  38. Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN HEMTs

    T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Week, Boston, MA, USA, May 29-Jun. 1, 2018　p. 705-706　2018年5月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  39. Threshold voltage engineering of recessed MIS-gate N-polar GaN HEMTs

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡, Sep. 5-8　2017年9月7日　研究論文（その他学術会議資料等）

  40. Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    Kengo Takamiya, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, Hidefumi Akiyama, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　Vol. 255　No. 5　2017年9月7日　研究論文（学術雑誌）

  41. Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO<inf>4</inf> substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers

    Kazuki Ohnishi, Masaya Kanoh, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Mukai, Takashi Matsuoka

    Applied Physics Express　Vol. 10　No. 10　2017年9月7日　研究論文（学術雑誌）

  42. Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO<inf>4</inf> (0001) substrate with millimeter-scale wide terraces

    Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　Vol. 214　No. 9　2017年8月1日　研究論文（学術雑誌）

  43. Control of impurity concentration in N-polar (0001¯) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　Vol. 254　No. 8　2017年8月1日　研究論文（学術雑誌）

  44. Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Express　Vol. 10　No. 8　2017年8月1日　研究論文（学術雑誌）

  45. Optical Study of Sub-10 nm In<inf>0.3</inf>Ga<inf>0.7</inf>N Quantum Nanodisks in GaN Nanopillars

    Akio Higo, Takayuki Kiba, Shula Chen, Yafeng Chen, Tomoyuki Tanikawa, Cedric Thomas, Chang Yong Lee, Yi Chun Lai, Takuya Ozaki, Junichi Takayama, Ichiro Yamashita, Akihiro Murayama, Seiji Samukawa

    ACS Photonics　Vol. 4　No. 7　p. 1851-1857　2017年7月19日　研究論文（学術雑誌）

  46. N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    信学技報　Vol. 117　No. 58　p. 59-64　2017年5月26日　研究論文（その他学術会議資料等）

    出版者・発行元：電子情報通信学会

  47. Reduced gate leakage current in N-polar GaN MIS-HEMTs

    K. Prasertsuk, A. Miura, S. Tanaka, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    第64回応用物理学会春季学術講演会, 横浜, Mar 14-17　2017年3月15日　研究論文（その他学術会議資料等）

  48. Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disks

    Yi Chun Lai, Akio Higo, Takayuki Kiba, Cedric Thomas, Shula Chen, Chang Yong Lee, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kanako Shojiki, Junichi Takayama, Ichiro Yamashita, Akihiro Murayama, Gou Chung Chi, Peichen Yu, Seiji Samukawa

    Nanotechnology　Vol. 27　No. 42　p. 425401_1-425401_5　2016年9月15日　研究論文（学術雑誌）

  49. MOVPE growth of N-polar GaN/Al<inf>x</inf>Ga<inf>1-x</inf>N/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface

    K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 - Includes 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM and 43rd International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2016　2016年8月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  50. Homogeneity Improvement of N-polar (0001(_)) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells by Changing Substrate Off-Cut-Angle Direction

    K. Shojiki, T. Hanada, T. Tanikawa, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 55　No. 5S　p. 05FA09-1-05FA09-8　2016年3月4日　研究論文（学術雑誌）

  51. Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane

    Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 5　2016年3月4日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  52. Electrical characteristics of N-polar (0001) p-type GaN Schottky contacts

    Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, Kenji Shiojima

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 4　p. 05FE01_1-05FE01_4　2016年3月4日　研究論文（学術雑誌）

  53. Large Stokes-like shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 5　p. 05FJ03_1-05FJ03_4　2016年3月4日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  54. Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Ryohei Nonoda, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 5　p. 05FE01_1-05FE01_4　2016年3月4日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  55. Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metalorganic vapor phase epitaxy

    Jinyeop Yoo, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 5　p. 05FA04_1-05FA04_5　2016年3月4日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  56. InGaN quantum nanodisks fabrication by bio-template and neutral beam etching

    Y.C. Lai, A. Higo, C. Thomas, C.Y. Lee, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, T. Kiba, I. Yamashita, A. Murayama, P. Yu, S. Samukawa

    AVS 62nd International symposium and exhibition　2015年10月23日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  57. Fabrication of InGaN/GaN nanodisk structure by using bio-template and neutral beam etching process

    Yi Chun Lee, Akio Higo, Chang Yong Lee, Cedric Thomas, Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takayuki Kiba, Peichen Yu, Ichiro Yamashita, Akihiro Murayama, Seiji Samukawa

    IEEE-NANO 2015 - 15th International Conference on Nanotechnology　p. 1278-1281　2015年7月7日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  58. Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000 1¯) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Kanako Shojiki, Jung Hun Choi, Takuya Iwabuchi, Noritaka Usami, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Applied Physics Letters　Vol. 106　No. 22　p. 222102_1-222102_4　2015年6月1日　研究論文（学術雑誌）

  59. Red to blue wavelength emission of N-polar (0001¯) InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Jung Hun Choi, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Applied Physics Express　Vol. 8　No. 6　p. 061005_1-061005_4　2015年6月1日　研究論文（学術雑誌）

  60. Optically pumped lasing properties of (1101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates

    Maki Kushimoto, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Express　Vol. 8　No. 2　p. 22702-022702_3　2015年2月1日　研究論文（学術雑誌）

  61. Effect of sapphire nitridation and group-iii source flow rate ratio on in-incorporation into InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology　Vol. 14　No. 8　p. 6112-6115　2014年8月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Scientific Publishers

  62. Improvement of surface morphology of nitrogen-polar GaN by introducing indium surfactant during MOVPE growth

    Takashi Aisaka, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 8　p. 085501_1-085501_4　2014年8月14日　研究論文（学術雑誌）

  63. Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (0001) GaN/sapphire

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 5 SPEC. ISSUE 1　p. 05FL05-1-05FL05-4　2014年5月14日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  64. Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN

    Kanako Shojiki, Jung Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 5 SPEC. ISSUE 1　p. 05FL07-1-05FL07-5　2014年5月14日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  65. Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN

    Tomoyuki Tanikawa, Tomotaka Sano, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 52　No. 8 PART 2　2013年8月13日　研究論文（学術雑誌）

  66. Growth of GaN on Si(111) substrates via a reactive-sputter-deposited AlN intermediate layer

    Takaya Yamada, Tomoyuki Tanikaway, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 52　No. 8　p. 08JB16-1-08JB16-3　2013年8月13日　研究論文（学術雑誌）

  67. AlN/air distributed Bragg reflector by GaN sublimation from microcracks of AlN

    T. Mitsunari, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    Journal of Crystal Growth　Vol. 370　p. 16-21　2013年5月1日　研究論文（学術雑誌）

  68. Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE

    Jung Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 10　No. 3　p. 417-420　2013年3月13日　研究論文（学術雑誌）

  69. Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN

    S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　Vol. 210　No. 2　p. 383-385　2013年2月13日　研究論文（学術雑誌）

  70. Defects generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate

    N. Sawaki, S. Ito, T. Nakagit, H. Iwat, T. Tanikawa, M. Irie, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　Vol. 8625　2012年7月5日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  71. Strain relaxation in thick (11̄01) InGaN grown on GaN/Si substrate

    Tanikawa, T, Honda, Y, Yamaguchi, M, Amano, H.a, Sawaki, N

    Phys. Status Solidi B Basic Res.　Vol. 249　No. 3　p. 468-471　2012年3月12日　研究論文（学術雑誌）

  72. In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates

    Tadashi Mitsunari, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 9　No. 3月4日　p. 480-483　2012年3月12日　研究論文（学術雑誌）

  73. Selective MOVPE growth of InGaN/GaN MQW on microfacet GaN stripes

    Tomoyuki Tanikawa, Tasuku Murase, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 8　No. 7月8日　p. 2038-2040　2011年7月11日　研究論文（学術雑誌）

  74. Optical properties of (1-101) InGaN/GaN MQW stripe laser structure on Si substrate

    Tasuku Murase, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 8　No. 7月8日　p. 2160-2162　2011年7月11日　研究論文（学術雑誌）

  75. Effect of lateral vapor phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semipolar and nonpolar GaN stripes

    Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　Vol. 208　No. 5　p. 1175-1178　2011年5月11日　研究論文（学術雑誌）

  76. Optical properties of (1 1̄ 0 1) semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates

    Chiu, C.-H.a, d Lin, D.-W.a, Lin, C.-C.c and Li, Z.-Y.a, Chen, Y.-C.a, Ling, S.-C.a, Kuo, H.-C.a and Lu, T.-C.a, Wang, S.-C.a, Liao, W.-T, Tanikawa, T, Honda, Y, Yamaguchi, M, Sawaki, N

    J Cryst Growth　Vol. 318　No. 1　p. 500-504　2011年3月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  77. Photonic properties of erbium doped InGaN alloys grown on Si (001) substrates

    I. W. Feng, X. K. Cao, J. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, N. Sawaki, Y. Honda, T. Tanikawa, J. M. Zavada

    Applied Physics Letters　Vol. 98　No. 8　2011年2月21日　研究論文（学術雑誌）

  78. Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (1 1- 01) semipolar GaN

    Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y. Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

    Applied Physics Letters　Vol. 98　No. 5　2011年1月31日　研究論文（学術雑誌）

  79. Reduction of efficiency droop in Semipolar (11̄01) InGaN/GaN light emitting diodes grown on patterned silicon substrates

    Chiu, C.H.a, Lin, D.W.a, Lin, C.C.c and Li, Z.Y.a, Kuo, H.C.a, Lu, T.C.a, Wang, S.C.a, Liao, W.T, Tanikawa, T, Honda, Y, Yamaguchi, M, Sawaki, N

    CLEO: - Laser Sci. Photonic Appl., CLEO　2010年7月3日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  80. IQE and EQE of the nitride-based UV/DUV LEDs

    H. Amano, G. J. Park, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Ban, K. Nagata, K. Nonaka, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki

    Optics InfoBase Conference Papers　2010年7月3日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  81. Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate

    Ching Hsueh Chiu, Da Wei Lin, Zhen Yu Li, Shih Chun Ling, Hao Chung Kuo, Tien Chang Lu, Shing Chung Wang, Wei Tasi Liao, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　Vol. 7939　2010年7月3日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  82. Drastic reduction of dislocation density in semipolar (1122) GaN stripe crystal on Si substrate by dual selective metal-organic vapor phase epitaxy

    Tasuku Murase, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Nobuhiko Sawaki

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 50　No. 1 PART 2　2010年1月11日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  83. Reduction of efficiency droop in semipolar (1101) InGaN/GaN light emitting diodes grown on patterned silicon substrates

    Ching Hsueh Chiu, Da Wei Lin, Chien Chung Lin, Zhen Yu Li, Wei Ting Chang, Hung Wen Hsu, Hao Chung Kuo, Tien Chang Lu, Shing Chung Wang, Wei Tsai Liao, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

    Applied Physics Express　Vol. 4　No. 1　2010年1月11日　研究論文（学術雑誌）

  84. Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (1 1 1)Si and stimulated emission under photo-excitation

    B. J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures　Vol. 42　No. 10　p. 2575-2578　2009年9月10日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  85. HVPE growth of a-plane GaN on a GaN template (110)Si substrate

    Tomoyuki Tanikawa, Noriyuki Suzuki, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 7　No. 7月8日　p. 1760-1763　2009年7月2日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  86. Influence of a SiO <inf>2</inf> mask on the growth of semi-polar (11-22) GaN on patterned Si (311) substrates

    Min Yang, Hyung Soo Ahn, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

    Journal of the Korean Physical Society　Vol. 54　No. 6　p. 2363-2366　2009年6月9日　研究論文（学術雑誌）

  87. Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates

    Min Yang, Hyung Soo Ahn, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY　Vol. 54　No. 6　p. 2363-2366　2009年6月9日　研究論文（学術雑誌）

  88. Maskless selective growth of semi-polar (1 12̄ 2) GaN on Si (3 1 1) substrate by metal organic vapor phase epitaxy

    Yang, M.a b c, Ahn, H.S.a, Tanikawa, T, Honda, Y, Yamaguchi, M, Sawaki, N

    J Cryst Growth　Vol. 311　No. 10　p. 2914-2918　2009年5月1日　研究論文（学術雑誌）

  89. HVPE growth of semi-polar (1 1 2̄ 2)GaN on GaN template (1 1 3)Si substrate

    Suzuki, N, Uchida, T, Tanikawa, T, Hikosaka, T, Honda, Y, Yamaguchi, M, Sawaki, N

    J Cryst Growth　Vol. 311　No. 10　p. 2875-2878　2009年5月1日　研究論文（学術雑誌）

  90. Reduction of dislocations in a (1 1 2̄ 2)GaN grown by selective MOVPE on (1 1 3)Si

    Tanikawa, T, Kagohashi, Y, Honda, Y, Yamaguchi, M, Sawaki, N

    J Cryst Growth　Vol. 311　No. 10　p. 2879-2882　2009年5月1日　研究論文（学術雑誌）

  91. Growth of non-polar (1 1 2̄ 0)GaN on a patterned (1 1 0)Si substrate by selective MOVPE

    Tanikawa, T, Rudolph, D, Hikosaka, T, Honda, Y, Yamaguchi, M, Sawaki, N

    J Cryst Growth　Vol. 310　No. 23　p. 4999-5002　2008年11月15日　研究論文（学術雑誌）

  92. Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates

    T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 5　No. 6　p. 2234-2237　2008年6月30日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  93. Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates

    T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6　Vol. 5　No. 6　p. 2234-2237　2008年6月30日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  94. Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE

    T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 5　No. 9　p. 2966-2968　2008年6月30日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

MISC 24

  1. 多光子励起フォトルミネセンスによるGaN結晶の3次元非破壊解析

    谷川 智之

    応用物理　Vol. 89　No. 9　p. 524-528　2020年9月　記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  2. 窒化アルミニウム薄膜の結晶極性制御とそのデバイス応用

    正直花奈子, 正直花奈子, 玉野智大, 秋山亨, 三宅秀人, 本田啓人, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

    電気学会基礎・材料・共通部門大会(Web)　Vol. 2024　2024年

  3. 4層極性反転AlN薄膜のスパッタ・アニール法による作製と界面評価

    玉野智大, 正直花奈子, 正直花奈子, 秋山亨, 本田啓人, 佐藤栄希, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二, 三宅秀人

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　Vol. 52nd　2023年

  4. Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

    Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 58　2019年6月　その他

  5. 多光子励起フォトルミネッセンスを用いたGaN 結晶中の転位の非破壊・三次元観察

    谷川 智之

    まてりあ　Vol. 58　No. 3　p. 144-149　2019年3月1日

    出版者・発行元：公益社団法人 日本金属学会

  6. 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

    谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 秩父重英, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 80th　2019年

  7. 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

    小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 上向井正裕, 片山竜二, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 秩父重英, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 80th　2019年

  8. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

    谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 65th　2018年

  9. トップダウンナノテクノロジーで作製したIn0.3Ga0.7Nナノディスクにおける光励起キャリアの熱脱離

    CHEN Yafeng, 木場隆之, 高山純一, 肥後昭男, 谷川智之, 寒川誠二, 村山明宏

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 79th　2018年

  10. 非弾性散乱電子による厚いGaN結晶中の貫通転位の観察

    木口 賢紀, 白石 貴久, 今野 豊彦, 谷川 智之

    まてりあ　Vol. 57　No. 12　p. 615-615　2018年

    出版者・発行元：公益社団法人 日本金属学会

  11. 有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術 (特集 特異構造の結晶科学 : 結晶成長と構造・物性相関)

    谷川 智之, プラスラットスック キャッティウット, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志

    日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　Vol. 45　No. 1　2018年

    出版者・発行元：日本結晶成長学会

  12. 有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術

    谷川 智之, プラスラットスック キャッティウット, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志

    日本結晶成長学会誌　Vol. 45　No. 1　2018年

    出版者・発行元：日本結晶成長学会

  13. N-polar GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching

    Kiattiwut Prasertsuk, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Tetsuya Suemitsu, Takashi Matsuoka

    Applied Physics Express　Vol. 11　No. 1　2018年1月

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  14. N極性n型GaN上Niショットキー特性に対するアニール効果の評価

    寺島 勝哉, 野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 松岡 隆志, 岡本 浩

    電気関係学会東北支部連合大会講演論文集　Vol. 2017　No. 0　p. 30-30　2017年

    出版者・発行元：電気関係学会東北支部連合大会実行委員会

  15. N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 (電子デバイス)

    青木 俊周, 谷川 智之, 片山 竜二

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　Vol. 115　No. 156　p. 1-4　2015年7月24日

    出版者・発行元：電子情報通信学会

  16. Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1101) GaN (Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)

    Tanikawa Tomoyuki, Sano Tomotaka, Kushimoto Maki

    Japanese journal of applied physics : JJAP　Vol. 52　No. 8　p. 08JC05-1-3　2013年8月

    出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

  17. In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates

    Mitsunari, Tadashi, Tanikawa, Tomoyuki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Physca Status Solidi c　Vol. 9　No. 3-4　2012年7月1日　速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）

  18. Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

    久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料　Vol. 112　No. 33　p. 15-18　2012年5月10日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  19. (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

    谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　Vol. 111　No. 44　p. 63-66　2011年5月12日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  20. AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

    朴 貴珍, 杉山 貴之, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 稲津 哲彦, 藤田 武彦, ペルノー シリル, 平野 光

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料　Vol. 111　No. 45　p. 123-126　2011年5月12日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  21. Erratum: Reduction of efficiency droop in semipolar (11̄01) InGaN/GaN light emitting diodes grown on patterned silicon substrates (Applied Physics Express (2011) 4 (012105))

    Ching Hsueh Chiu, Ching Hsueh Chiu, Da Wei Lin, Da Wei Lin, Chien Chung Lin, Chien Chung Lin, Zhen Yu Li, Zhen Yu Li, Wei Ting Chang, Wei Ting Chang, Hung Wen Hsu, Hung Wen Hsu, Hao Chung Kuo, Hao Chung Kuo, Tien Chang Lu, Tien Chang Lu, Shing Chung Wang, Shing Chung Wang, Wei Tsai Liao, Wei Tsai Liao, Tomoyuki Tanikawa, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki, Nobuhiko Sawaki

    Applied Physics Express　Vol. 4　No. 3　2011年3月　その他

  22. Spatially homogeneous ferromagnetism of (Ga, Mn)As

    S. R. Dunsiger, J. P. Carlo, T. Goko, G. Nieuwenhuys, T. Prokscha, A. Suter, E. Morenzoni, D. Chiba, Y. Nishitani, T. Tanikawa, F. Matsukura, H. Ohno, J. Ohe, S. Maekawa, Y. J. Uemura

    Nature Materials　Vol. 9　No. 4　p. 299-303　2010年4月

  23. 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製

    谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　Vol. 109　No. 422　p. 23-28　2010年2月15日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  24. Tunnel magnetoresistance in MgO-barrier magnetic tunnel junctions with bcc-CoFe(B) and fcc-CoFe free layers

    S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, T. Tanikawa, F. Matsukura, H. Ohno

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 99　No. 8　2006年4月

著書 1

  1. Characterization of defects and deep levels for GaN power devices

    Narita Tetsuo, Kachi Tetsu

    AIP Publishing　2020年12月

    ISBN: 9780735422704

講演・口頭発表等 464

  1. 半導体高効率波長変換技術を用いた紫外光発生とその量子情報技術への応用

    片山 竜二, 三宅 秀人, 吉村 政志, 上向井 正裕, 谷川 智之

    多元技術融合光プロセス研究会　2024年7月24日

  2. 高速変調に向けたGaN p-i-n構造電界印加型マッハツェンダ干渉計に関する研究

    菅野竜輝, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    日本材料学会 2024年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第１回研究会　2024年7月20日

  3. 垂直微小共振器構造を用いた a 面 GaN 第二高調波発生デバイスの設計と製作

    松本知季, 南部誠明, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    日本材料学会 2024年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第１回研究会　2024年7月20日

  4. パターンウエハ接合を用いたAlN極性反転リブ導波路による遠紫外第二高調波発生

    百崎怜, 本田啓人, 古川裕也, 旭雄大, 岡山芳央, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    日本材料学会 2024年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第１回研究会　2024年7月20日

  5. N極性GaN薄膜の有機金属気相成長におけるInサーファクタント効果

    池田和久, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月30日

  6. −c-ZnO/+c-GaN横型擬似位相整合チャネル導波路の設計と作製

    谷川智之, 畠中祐喜, 本田啓人, 阿部友紀, 上向井正裕, 片山竜二

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月31日

  7. 周期スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ

    上向井 正裕, 楠井 大晴, 和田 拓巳, 谷川 智之, 片山 竜二

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月31日

  8. Interlayer-Free GaN Epitaxial Polarity Inversion by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)　2024年5月14日

  9. Epitaxial Growth of AlGaN/AlN Multiple Quantum Wells (MQWs) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Far-UV Second Harmonic Generation

    Shahzeb Malik, Masaaki Ito, Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)　2024年5月13日

  10. 有機金属気相成長法による中間層フリーGaN極性反転積層構造の作製

    池田和久, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  11. 横型擬似位相整合4層極性反転AlN導波路による第二高調波発生の実証

    佐藤栄希, 本田啓人, 百崎怜, 玉野智大, 正直花奈子, 三宅秀人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月24日

  12. AlN/SiNx水平積層横型擬似位相整合導波路の設計と作製

    本田 啓人, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月24日

  13. 超短パルスレーザ励起微小共振器型第二高調波発生デバイス

    南部 誠明, 中原 智裕, 安田 悠馬, 藤原 康文, 斗内 政吉, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  14. 波長変換を用いた波長220 nm帯遠紫外光源の開発

    片山 竜二, 三宅 秀人, 吉村 政志, 上向井 正裕, 谷川 智之

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  15. 多光子励起フォトルミネッセンス法によるワイドギャップ半導体の結晶欠陥の３次元評価

    谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二

    応用物理学会 半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会 第 5 回研究会　2024年3月14日

  16. 超短パルスレーザー励起におけるGaN垂直微小共振器からの青色第二高調波発生

    南部 誠明, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

    電子情報通信学会総合大会 レーザ・量子エレクトロニクス（LQE）　2024年3月4日

  17. 遠紫外波長変換光源開発の進展：モノリシック微小共振器

    片山竜二, 南部誠明, 吉村政志, 上向井正裕, 谷川智之

    ワイドギャップ半導体学会 第15回研究会 ～次世代紫外光源の新展開～　2024年3月1日

  18. 多光子吸収顕微鏡による転位の3次元計測

    谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二

    日本学術振興会・産学協力委員会 R025 先進薄膜界面機能創成委員会 第18回委員会・第17回研究会「薄膜・界面の最先端実験室系評価技術」　2024年2月20日

  19. InGaN 周期スロットレーザーのCW 波長可変単一モード動作実証

    楠井 大晴, 和田 拓巳, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

    レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024年1月16日

  20. パターンウエハ接合によるAlNAlN 極性反転横型擬似位相整合リブ導波路を用いた遠紫外第二高調波発生

    百崎 怜, 本田 啓人, 古川 裕也, 旭 雄大, 岡山 芳央, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

    レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024年1月16日

  21. 横型擬似位相整合導波路およびモノリシック微小共振器からの遠紫外第二高調波発生

    片山竜二, 吉村政志, 上向井正裕, 谷川智之

    レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024年1月16日

  22. 4層極性反転AlN薄膜のスパッタ‧アニール法による作製と界面評価

    玉野 智大, 正直 花奈子, 秋山 亨, 本田 啓人, 佐藤 栄希, 上杉 謙次郎, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二, 三宅 秀人

    第52回 結晶成長国内会議 JCCG-52　2023年12月5日

  23. Design of AlN/Ta2O5 Horizontally Stacked Transverse-QPM Channel Waveguide for Squeezed Light Generation

    Hiroto Honda, Masahiro Uemukai, Tanikawa Tomoyuki, Ryuji Katayama

    14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023年11月16日

  24. Fabrication of transverse quasi-phase-matched channel waveguide using 4-layer polarity inverted AlN structure for second harmonic generation

    Eiki Sato, Hiroto Honda, Ryo Momosaki, Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023年11月16日

  25. Fabrication of AlN Polarity Inverted Transverse QPM Rib WaveGuide for Second Harmonic Generation Fabricated by Patterned Wafer Bonding

    Ryo Momosaki, Hiroto Honda, Yuya Furukawa, Takehiro Asahi, Yoshio Okayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023年11月16日

  26. Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Semipolar (1-101) GaN Stripes on Patterned Si Substrates for MicroLED Application

    Naofumi Takeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023年11月17日

  27. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of +c/–c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi Phase Matched Photon Pair Generation Device Application

    Kazuhisa Ikeda, Yuya Furukawa, Tomotaka Murata, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Tomoyuki Tanikawa, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama

    14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023年11月13日

  28. Fabrication of Multiple Polarity Inverted AlN Structures by Multiple Sputtering and High-Temperature Annealing

    Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hiroto Honda, Eiki Sato, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Hideto Miyake

    14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023年11月13日

  29. Nitride-semiconductor-based wavelength converters

    Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa

    14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023年11月6日

  30. 等方性常誘電体による遠紫外波長変換と量子光源応用：極性反転AlN導波路とSrB4O7微小共振器

    片山竜二, 吉村政志, 上向井正裕, 谷川智之

    光材料応用技術研究会　2023年11月10日

  31. Horizontally Stacked Transverse QPM Channel Waveguide for Squeezed Light Generation

    H. Honda, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第41回電子材料シンポジウム EMS41　2023年10月11日

  32. Fabrication of InGaN Tunable Single-Mode Laser Using Periodically Slotted Structure

    T. Kusui, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第41回電子材料シンポジウム EMS41　2023年10月11日

  33. High-Order Guided Mode Excitation Grating Coupler for GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Photon Pair Generation Device

    Y. Furukawa, H. Honda, K. Ikeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第41回電子材料シンポジウム EMS41　2023年10月13日

  34. Fabrication of;T;ansverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide using;Layer Polarity Inverted AlN Structure;for Seco;Harmonic Generation

    E. Sato, H. Honda, R. Momosaki, T. Tamano, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第41回電子材料シンポジウム EMS41　2023年10月12日

  35. "Fabrication Process for Large Area Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Semi-polar (1-101) GaN on Patterned Si Substrate"

    N. Takeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第41回電子材料シンポジウム EMS41　2023年10月12日

  36. InGaN Tapered Semiconductor Optical Amplifier for Laser Isotope Separation

    T. Wada, T. Kusui, M Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第41回電子材料シンポジウム EMS41　2023年10月12日

  37. "AlN polarity inverted transverse QPM rib waveguide for second harmonic generation fabricated by patterned wafer bonding"

    R. Momosaki, H. Honda, Y. Furukawa, T. Asahi, Y. Okayama, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第41回電子材料シンポジウム EMS41　2023年10月12日

  38. GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起グレーティング結合器

    古川 裕也, 本田 啓人, 池田 和久, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

    第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月21日

  39. 超短パルスレーザ励起におけるa面GaN垂直微小共振器デバイスからの428 nm第二高調波発生

    南部 誠明, 中原 智裕, 安田 悠馬, 藤原 康文, 斗内 政吉, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

    第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月19日

  40. 大口径化に向けた加工Si基板上への半極性GaNのMOVPE選択成長プロセス

    竹田尚史, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第15回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2023年6月15日

  41. DCパルススパッタリング法によるGaNの選択成長

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月18日

  42. 光ニードル顕微鏡法を用いたGaN結晶内転位の3次元可視化における球面収差補正と空間分解能の評価

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月18日

  43. 多層極性反転 AlN 構造を用いた横型 QPM 導波路の設計

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月18日

  44. マルチ・スパッタアニール法による多層極性反転 AlN 構造の作製

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月18日

  45. 多光子励起過程を利用したβ-Ga2O3の時間分解フォトルミネッセンス分光

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月16日

  46. GaN光導波路電界印加型マッハツェンダ干渉計の構造検討と作製

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日

  47. 電界印加位相シフタを有するGaN導波路型マッハツェンダ干渉計の設計と作製

    レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023年1月19日

  48. グレーティング結合器集積化GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの設計と作製

    レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023年1月19日

  49. 高効率スクイーズド光発生に向けた MgO:CLN/GaN横型擬似位相整合導波路波長変換デバイスの作製

    レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023年1月19日

  50. SrB4O7微小共振器型深紫外第二高調波発生デバイス

    レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023年1月19日

  51. 電界印加型GaN光導波路マッハツェンダ干渉計の構造検討

    第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月25日

  52. a面GaN/c面GaNの表面活性化接合に向けた表面平坦化プロセス

    第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月25日

  53. Second harmonic generation of 230 nm DUV light from transverse quasiphase-matched −c-AlN/+c-AlN channel waveguide

    H. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, H. Miyake, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年11月14日

  54. Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks

    T. Nishikawa, M. Tsukakoshi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022)　2022年11月14日

  55. Blue Second Harmonic Generation from GaN Monolithic Microcavity

    T. Nambu, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年11月13日

  56. Identification of Burgers vectors of threading dislocations in HVPE-Grown GaN using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

    T. Tanikawa, Y. Ishii, M. Tsukakoshi, R. Terada, M. Adachi, M. Uemukai, R. Katayama

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年11月11日

  57. Polarity inversion of GaN via AlN oxidation interlayer using metalorganic vapor phase epitaxy

    T. Murata, K. Ikeda, J. Yamasaki, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年11月11日

  58. Deep-Ultraviolet Second-Harmonic Generation from Microcavity Structure with SrB4O7 Nonlinear Optical Crystal

    第41回電子材料シンポジウム　2022年10月20日

  59. Fabrication of GaN transverse quasi phase matching photon pair generation device using MOVPE-based epitaxial polarity inversion technology

    第41回電子材料シンポジウム　2022年10月20日

  60. Demonstration of 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation from HfO2/AlN Transverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide

    第41回電子材料シンポジウム　2022年10月20日

  61. 窒化物半導体結晶成長技術を駆使した量子光源の開発

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月22日

  62. HfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  63. 2層極性反転AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  64. MOVPEエピタキシャル極性反転技術を用いたGaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの作製

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  65. 微小共振器構造を用いた面発光型広帯域光子対発生デバイスの設計

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  66. Three-dimensional characterization of threading dislocations in heteroepitaxial diamond substrate using multiphoton-excitation photoluminescence

    T. Tanikawa, R. Katayama, S. Ohmagari

    32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials　2022年9月4日

  67. SrB4O7 微小共振器を用いた深紫外第二高調波発生

    レーザー学会第564回研究会「高機能固体レーザーとその応用」　2022年7月15日

  68. ヘテロエピタキシャル成長ダイヤモンド基板中の貫通転位の伝搬挙動

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月25日

  69. 電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN方向性結合器の作製と評価

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日

  70. 高効率スクイーズド光発生に向けたLiNbO3/GaN横型擬似位相整合波長変換デバイスの設計

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日

  71. EFG成長 (010)β-Ga2O3結晶中のナノパイプの三次元形状

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日

  72. 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けたHfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路の作製

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日

  73. GaN-QPM結晶を用いたリブ導波路型波長変換デバイスの作製と評価

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日

  74. SrB4O7微小共振器を用いた234 nm深紫外第二高調波発生

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日

  75. GaN縦型pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日

  76. 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶のナノパイプ観察

    西河巴賀, 塚越真悠子, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷義直, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月2日

  77. フルカラーInGaN多重量子井戸の作製に向けた接合可能な非極性GaN平坦膜の成長

    安田悠馬, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

    第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月2日

  78. サファイア基板上N極性GaN薄膜の有機金属気相成長法における平坦化条件の探索

    池田和久, 村田知駿, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第50回結晶成長国内会議（JCCG-50）　2021年10月27日

  79. 気相拡散効果を利用したマルチカラーInGaN多重量子井戸の有機金属気相選択成長

    吉田 新, 正直花奈子, 三宅秀人, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

    第50回結晶成長国内会議（JCCG-50）　2021年10月28日

  80. Fabrication of 3.3 um Periodically-Poled MgO:SLT Structure for Quantum Light Sources at 810 nm

    H. Nishigaki, R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

    第40回電子材料シンポジウム　2021年10月11日

  81. Improved Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide for 230-nm Second Harmonic Generation

    S. Umeda, H. Honda, T. Nambu, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第40回電子材料シンポジウム　2021年10月11日

  82. Design of Non-Polar/AlN Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation

    H. Honda, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

    第40回電子材料シンポジウム　2021年10月11日

  83. Fabrication of GaN Polarity Inverted Structure via Ultrathin AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    T. Murata, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama

    第40回電子材料シンポジウム　2021年10月11日

  84. Efficiency Evaluation of GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device under Femtosecond Laser Excitation

    N. Yokoyama, H. Honda, T. Murata, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Tokita, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

    第40回電子材料シンポジウム　2021年10月11日

  85. Fabrication of Orientation Modulated GaN Template for Monolithic Integrated Full-Color InGaN Light-Emitting Diodes

    Y. Yasuda, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

    第40回電子材料シンポジウム　2021年10月11日

  86. Correlation Between MPPL and Raman Mapping Images of GaN for Nondestructive Identification of Threading Dislocations

    M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama

    第40回電子材料シンポジウム　2021年10月11日

  87. 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合2層極性反転AlN導波路の作製

    梅田颯志, 本田啓人, 南部誠明, 市川修平, 藤原康文, 正直花奈子, 三宅秀人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年8月12日

  88. 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合HfO2/AlN導波路の設計

    本田啓人, 梅田颯志, 正直花奈子, 三宅秀人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年8月12日

  89. 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング

    西河巴賀, 塚越真悠子, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷義直, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年8月12日

  90. 電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN導波路型方向性結合器の作製

    久田雄太, 亀井拓哉, 市川修平, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年8月12日

  91. 有機金属気相成長法を用いたGaNエピタキシャル極性反転技術の開発

    村田知駿, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年8月13日

  92. Experimental Determination of Wavelength Conversion Efficiency in Transverse Quasi-Phase-Matched GaN SHG Waveguide Excited with Femtosecond Laser

    N. Yokoyama, Y. Morioka, T. Murata, H. Honda, F. R. G. Bagsican, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)　2021年9月8日

  93. Nondestructive Characterization of Dislocations Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

    T. Tanikawa, A. Ogura, M. Uemukai, R. Katayama

    SemiconNano2021　2021年9月3日

  94. 窒化物半導体の波長変換デバイス応用

    谷川智之

    応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会　2021年8月23日

  95. 多光子励起過程を利用した次世代半導体材料の欠陥評価技術

    谷川智之

    日本学術振興会第R032委員会 第2回研究会「R032委員会キックオフ研究会：結晶作製Ⅱ」　2021年8月6日

  96. MgO:SLTを用いた3.3 μm周期分極反転構造の作製

    野呂諒介, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月18日

  97. GaN結晶中の貫通転位の非破壊分類に向けた多光子励起PLマッピング像とラマンマッピング像の相関解析

    谷川智之, 足立真理子, 寺田陸斗, 塚越真悠子, 上向井正裕, 片山竜二

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月17日

  98. 表面活性化接合を用いた面方位変調GaNテンプレートの作製と組成変調InGaN量子井戸の有機金属気相成長

    田辺 凌, 吉田 新, 安田悠馬, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  99. GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスの効率評価

    横山尚生, 村田知駿, 本田啓人, 市川修平, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  100. AlN微小二重共振器型面発光DUV第二高調波発生デバイスの検討

    南部誠明, 矢野岳人, 永田拓実, 田辺 凌, 梅田颯志, 市川修平, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  101. 230 nm深紫外光発生に向けた2層極性反転AlN導波路の設計と作製

    本田啓人, 永田拓実, 市川修平, 藤原康文, 正直花奈子, 三宅秀人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  102. 広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの作製

    永田拓実, 梅田颯志, 隈部岳瑠, 安藤悠人, 出来真斗, 本田善央, 天野 浩, トーマスポージン, 山田和輝, 岩谷素顕, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  103. InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザ

    樋口晃大, 松下就哉, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  104. Novel wavelength converters made of nitride semiconductors: transverse QPM waveguides and monolithic microcavities

    R. Katayama, M. Uemukai, T. Tanikawa

    SPIE Photonics West: Conference 11686 -Gallium Nitride Materials and Devices XVI-　2021年3月3日

  105. Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mapping

    T. Tanikawa, M. Tsukakoshi, M. Uemukai, R. Katayama

    SPIE Photonics West: Conference 11686 -Gallium Nitride Materials and Devices XVI-　2021年3月3日

  106. Novel Method of Short-Wavelength Emission from Polarity-Inverted Nitride Semiconductor Waveguides

    R. Katayama, M. Uemukai, T. Tanikawa

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月1日

  107. Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging

    M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月1日

  108. Core structure of threading dislocations in GaN

    T. Kiguchi, Y. Kodama, Y. Hayasaka, T. Tanikawa, T. J. Konno

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月1日

  109. 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察

    谷川智之

    新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会（Zoom）　2021年2月24日

  110. 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御

    片山竜二

    新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会（Zoom）　2021年1月13日

  111. ワイドギャップ窒化物半導体波長変換デバイスによる紫外光発生

    片山 竜二, 上向井 正弘, 谷川 智之

    応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会 紫外材料 ・デバイス開発の最前線 ～物性の理解 とデバイス開発～　2020年11月18日

  112. Design of GaN Waveguide Microcavity Device for Broadband Photon Pair Generation

    T. Nagata, S. Umeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月8日

  113. Design of Waveguide Directional Coupler for Electric-Field Driven GaN Mach-Zehnder Interferometer

    Y. Hisada, A. Tomibayashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月8日

  114. Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging

    M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月8日

  115. Design of Ttransverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Second Harmonic Generation

    H. Honda, N. Yokoyama, A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月8日

  116. First Demonstration of Tunable Single-Mode InGaN Laser with Periodically Slotted Structure

    A. Higuchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月8日

  117. Role of Low-Temperature Buffer Layer and GaN Flattening Layer on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Lattice-Matched InGaN on ScAlMgO4

    S. Yoshida, N. Ryoki, K. Miyano, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月8日

  118. Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electrically-Tunable Waveguide Phase Shifter

    A. Tomibayashi, Y. Hisada, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月8日

  119. Design and Fabrication of AlN Waveguide Microcavity SHG Device

    S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月8日

  120. Annealed Proton-Exchanged Waveguide with Large Mode Size in Quasi-Phase-Matched MgO:SLT for High Power Second Harmonic Generation

    R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月7日

  121. Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation using Polarity-Inverted GaN Channel Waveguide with Input Grating Coupler

    T. Murata, N. Yokoyama, T. Komatsu, Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月7日

  122. Fabrication of GaN Polarity-Inverted Structure by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching and Surface Activated Bonding

    N. Yokoyama, R. Tanabe, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月7日

  123. Epitaxial Growth of InGaN Thin Film with High InN Molar Fraction by Pulsed DC Sputtering

    Y. Onishi, H. Miura, N. Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月7日

  124. グレーティング結合器集積GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイス

    横山尚生, 森岡佳紀, 森川隆哉, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月10日

  125. 周期的スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ

    樋口晃大, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月10日

  126. 量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計

    矢野岳人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月9日

  127. ワイドギャップ半導体の分極制御と量子光学応用：遠UVC全固体光源

    片山竜二, 上向井正裕, 谷川智之

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月9日

  128. 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶の貫通転位の観察と分類 (2)

    塚越真悠子, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日

  129. 高出力第二高調波発生に向けたMgO:SLT擬似位相整合アニールプロトン交換導波路

    野呂諒介, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日

  130. 多光子励起フォトルミネッセンス測定における 集光スポットサイズを考慮した GaN結晶中の貫通転位の判別

    塚越真悠子, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

    日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」　2020年7月31日

  131. 多光子励起PL三次元測定によるGaN基板中の転位の判別

    谷川智之, 塚越真悠子, 上向井正裕, 片山竜二

    ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第118回研究会「最先端評価技術を用いたワイドギャップ半導体結晶中の転位評価」　2020年7月3日

  132. Fabrication of Annealed ProtonExchanged Waveguide in PeriodicallyPoled MgO:s-LiTaO3 for High Power Second Harmonic Generation

    R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    9th Advanced Lasers and Photon Sources Conference (ALPS2020)　2020年4月23日

  133. Fabrication process of InGaN high-order deeply etched DBR laser

    A. Higuchi, D. Tazuke, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)　2020年4月21日

  134. Design of AlN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device

    S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)　2020年4月21日

  135. Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN films maintaining surface flatness for surface activated bonding

    N. Yokoyama, R. Tanabe, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)　2020年4月21日

  136. Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescence

    M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama

    8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)　2020年4月21日

  137. GaN縦型p-nダイオードにおける2光子吸収光電流の測定

    川崎晟也, 安藤悠人, 田中敦之, 塚越真悠子, 谷川智之, 出来真斗, 久志本真希, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月15日

  138. AlN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計

    梅田颯志, 永田拓実, 彦坂年輝, 布上真也, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月15日

  139. 表面活性化接合に必要な表面平坦性を維持するGaNのエッチング

    横山尚生, 田辺凌, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月14日

  140. 横型擬似位相整合 GaN 導波路型波長変換デバイスの開発

    小松天太, 彦坂年輝, 布上真也, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月13日

  141. 高出力第二高調波発生に向けた周期分極反転MgO:s-LiTaO3アニールプロトン交換導波路の作製

    野呂諒介, 岡﨑雅英, 溝端一国雄, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  142. 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類

    塚越真悠子, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  143. ワイドギャップ材料における貫通転位と量子井戸構造の解析

    木口賢紀, 兒玉裕美子, 白石貴久, 今野豊彦, 谷川智之

    大阪大学ナノテクノロジー設備供用拠点 微細構造解析プラットフォーム 2019 年度 第 2 回地域セミナー デバイス開発に資する微細構造解析 - 次世代エレクトロニクスを支える先端デバイス開発を目指して -　2020年1月16日

  144. 量子光応用に向けた酸化物・窒化物ハイブリッド半導体ヘテロ構造の実現

    小島一信, 窪谷茂幸, 谷川智之, 片山竜二

    東北大学 若手アンサンブルP・リコレクションシンポジウム　2019年12月18日

  145. 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察

    谷川智之

    科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第５回領域全体会議（金沢商工会議所会館）　2019年11月28日

  146. 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御

    片山竜二

    科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第５回領域全体会議（金沢商工会議所会館）　2019年11月27日

  147. 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御

    片山竜二

    科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第４回領域全体会議（金沢商工会議所会館）　2019年11月20日

  148. Development of GaN Waveguide Wavelength Filter for Quantum Optical Application

    T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa, R Katayama

    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019年11月12日

  149. Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphotonexcitation photoluminescence

    T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama

    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019年11月12日

  150. Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide

    A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Syojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019年11月12日

  151. Bonding Strength of Polarity-Inverted GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding

    R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019年11月11日

  152. Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device

    T. Nagata, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, R. Katayama

    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019年11月11日

  153. Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor

    Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa

    Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan October 18th, 2019 (Mie University, Japan)　2019年10月18日

  154. GaN Waveguide Directional Coupler and Wavelength Filter for Quantum Optical Application

    M. Maeda, T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019年10月11日

  155. Input Focusing Grating Coupler for Deep UV AlN Waveguide SHG Device

    Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, R. Katayama

    第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019年10月11日

  156. Bonding Strength Optimization of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding

    N. Yokoyama, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019年10月11日

  157. Fabrication of Periodically-Poled Structure in MgO:s-LiTaO3 by Voltage Application with SiO2 Insulation Layer

    R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019年10月10日

  158. Design of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device

    S. Umeda, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019年10月10日

  159. Raman Scattering Evaluation of Strain Evolution During Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate

    R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano, T. Tanikawa, R. Katayama

    第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019年10月10日

  160. Pulsed DC sputtering growth of Mg-doped GaN thin film

    Y. Onishi, S. Imai, H. Miura, N. Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

    第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019年10月10日

  161. Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device

    Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, R. Katayama

    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019)　2019年9月25日

  162. InGaN Laser Pumped Nitride Semiconductor Transverse Quasi-Phase-Matched Waveguide Second Harmonic Generation Devices

    M. Uemukai, S. Yamaguchi, A. Yamauchi, D. Tazuke, A. Higuchi, R. Tanabe, T. Tanikawa, T. Hikosaka, S. Nunoue, Y. Hayashi, H. Miyake, Y. Fujiwara, R. Katayama

    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019)　2019年9月24日

  163. 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

    谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 秩父重英, 田中敦之, 本田善央, 天野 浩, 上向井正裕, 片山竜二

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  164. 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

    小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 秩父重英, 田中敦之, 本田善央, 天野 浩, 上向井正裕, 片山竜二

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  165. 界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の2次元評価

    塩島謙次, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  166. GaN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計と試作

    永田拓実, 上向井正裕, 彦坂年輝, 布上真也, 森川隆哉, 藤原康文, 谷川智之, 片山竜二

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  167. 2層極性反転積層AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計

    山内あさひ, 小松天太, 池田和久, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 彦坂年輝, 布上真也, 森川隆哉, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  168. 横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証

    山内あさひ, 山口修平, 小野寺卓也, 林 侑介, 三宅秀人, 彦坂年輝, 布上真也, 塩見圭史, 藤原康文, 芹田和則, 川山 巌, 斗内政吉, 上向井正裕, 片山竜二

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  169. AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器

    森岡佳紀, 上向井正裕, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 森川隆哉, 藤原康文, 谷川智之, 片山竜二

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  170. 量子光学応用のためのGaN導波路型波長フィルタの開発

    小松天太, 紀平将史, 上向井正裕, 谷川智之, 彦坂年輝, 布上真也, 片山竜二

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  171. [優秀論文賞受賞記念講演] Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  172. 表面活性化接合により作製したGaN分極反転積層構造の接合強度評価

    田辺 凌, 横山尚生, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  173. 多光子励起フォトルミネッセンスによる格子不整合系逆成長InGaAs単一接合太陽電池のバッファ層内における転位の観察 (II)

    小倉暁雄, 谷川智之, 高本達也, 大島隆治, 菅谷武芳, 今泉 充

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日

  174. ワイドギャップ半導体を用いた新規波長変換デバイスの開発 －極性反転導波路と微小共振器－

    片山竜二, 上向井正裕, 谷川智之

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日

  175. Multiphoton-Excitation Photoluminescence: Novel Nondestructive Deffect Characterization Technology

    T. Tanikawa, T. Matsuoka

    19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19) and the 19th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-19)　2019年8月1日

  176. Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence

    A. Ogura, T. Tanikawa, T. Takamoto, R. Oshima, H. Suzuki, M. Imaizumi, T. Sugaya

    46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 46)　2019年6月17日

  177. 多光子顕微鏡によるGaN結晶中の転位伝搬評価

    谷川智之, 松岡隆志

    第145委員会，第161委員会 合同研究会 「窒化物半導体における欠陥低減技術の進展と評価技術の最前線」　2019年5月8日

  178. First Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Pedestal Structure

    M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa, R. Katayama

    The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and their Industrial Applications (LEDIA'19)　2019年4月25日

  179. 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察

    谷川智之

    科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第４回領域全体会議（金沢商工会議所会館）　2019年4月19日

  180. Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor

    Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa

    Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan October 18th, 2019 (Mie University, Japan)　2019年3月18日

  181. 多光⼦励起フォトルミネッセンスによる格⼦不整合系逆成⻑InGaAs単 ⼀接合太陽電池のバッファ層内における転位の観察

    ⼩倉 暁雄, ⾕川 智之, ⾼本 達也, ⼤島 隆治, 菅⾕ 武芳, 今泉 充

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月11日

  182. Si台座構造上GaNモノリシック微⼩⼆重共振器型第⼆⾼調波発⽣デ バイスの作製

    南部誠明, 永⽥拓実, 塩⾒圭史, 藤原康⽂, ⼤⻄⼀⽣, ⾕川智之, 上向井正裕, ⽚⼭⻯⼆

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月10日

  183. 多光子励起PLマッピングによるGaN系特異構造の3次元マッピング

    谷川智之, 松岡隆志

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  184. Three-dimensional characterization of GaN crystals using multiphoton-excitation photoluminescence

    T. Tanikawa, T. Matsuoka

    Photonics West 2019　2019年2月5日

  185. Reverse-bias-induced virtual gate phenomenon in N-polar GaN HEMTs

    T. Suemitsu, Kiattiwut Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

    2018 MRS Fall Meeting　2018年11月25日

  186. Novel Characterization Technique of Threading Dislocations in GaN Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

    T. Tanikawa, T. Matsuoka

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)　2018年11月20日

  187. Evaluation of deep levels in N-polar GaN epitaxial layers by photo-current DLTS: An approach to reveal the self-compensation effect of Mg doping in p-type GaN

    H. Okamoto, H. Suzuki, R. Nonoda, T. Tanikawa

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)　2018年11月20日

  188. Reuse of ScAlMgO4 Substrates Utilized for Halide Vapor Phase Epitaxy of GaN

    K. Ohnishi, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018年11月15日

  189. Defect structure analysis of N-polar InGaN/GaN quantum-well structure

    T. Kiguchi, Y. Kodama, T. Shiraishi, T. J. Konno, T. Tanikawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018年11月15日

  190. Three-Dimensional and Non-Destructive Investigation of Relation between Reverse Leakage Current and Threading Dislocation in Vertical GaN Schottky Barrier Diodes

    T. Fujita, T. Tanikawa, H. Fukushima, S. Usami, A. Tanaka, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018年11月14日

  191. Challenge to MOVPE growth of N-polar InAlN film with high InN mole fraction

    S. Kuboya, K. Omura, T. Tanikawa, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018年11月13日

  192. Nondestructive analysis of threading dislocations in HVPE-grown GaN crystals using multiphoton-excitation photoluminescence

    T. Tanikawa, T. Yoshida, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018年11月13日

  193. 多光子励起フォトルミネッセンスによるHVPE成長GaN結晶の貫通転位と成長形態の非破壊観察

    谷川智之, 松岡隆志

    第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）　2018年11月1日

  194. InGaN/GaNヘテロ構造のRF-MBE成長における格子緩和過程のその場観察：格子極性の影響

    谷川智之, 山口智広, 藤川誠司, 佐々木拓生, 高橋正光, 松岡隆志

    第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）　2018年11月1日

  195. MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長

    松岡隆志, 谷川智之, 窪谷茂幸

    第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）　2018年10月31日

  196. 多光子励起過程を用いたGaN結晶の三次元蛍光イメージング

    谷川智之, 松岡隆志

    第37回電子材料シンポジウム　2018年10月10日

  197. 多光子励起顕微鏡を用いたHVPE成長GaN結晶の貫通転位と成長形態の非破壊観察

    谷川智之, 松岡隆志

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム『紫外発光デバイスの最前線と将来展望』　2018年9月27日

  198. 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果

    末光哲也, Prasertsuk Kiattiwut, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月21日

  199. トップダウンナノテクノロジーで作製したIn0.3Ga0.7Nナノディスクにおける光励起キャリアの熱励起

    陳 亜鳳, 木場隆之, 高山純一, 肥後昭男, 谷川智之, 寒川誠二, 村山明宏

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月20日

  200. MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開

    松岡隆志, 窪谷茂幸, 谷川智之, 加納聖也

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月20日

  201. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

    谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年9月20日

  202. N極性InGaN/GaN量子井戸構造における構造の不均一性

    木口賢紀, 白石貴久, 兒玉裕美子, 今野豊彦, 谷川智之

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日

  203. GaN結晶の多光子励起PL画像からの転位の3次元配置に関する数値情報抽出

    沓掛健太朗, 谷川智之, 松岡隆志, 井上憲一

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日

  204. 多光子励起フォトルミネッセンスによるHVPE成長GaNの選択成長過程と転位の伝搬の観察

    谷川智之, 吉田丈洋, 松岡隆志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日

  205. Characterization of Threading Dislocations in Thick GaN Films Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

    T. Tanikawa, K. Ohnishi, T. Fujita, T. Matsuoka

    International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018年8月9日

  206. High-temperature carrier dynamics responsible for a non-radiative process in InGaN nanodisks fabricated by top-down nanotechnology

    Y. Chen, T. Kiba, J. Takayama, A. Higo, T. Tanikawa, S. Samukawa, A. Murayama

    12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018)　2018年7月10日

  207. Growth of Indium-Including Nitride Semiconductors

    T. Matsuoka, S. Kuboya, T. Tanikawa

    The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)　2018年6月7日

  208. Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN

    T. Tanikawa, T. Fujita, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Matsuoka

    The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)　2018年6月7日

  209. Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

    T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Week 2018　2018年6月1日

  210. Nondestructive Analysis of Threading Dislocations in GaN by Multiphoton Excitation Photoluminescence

    T. Tanikawa, T. Matsuoka

    The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18)　2018年4月27日

  211. 多光子励起フォトルミネッセンス測定によるGaN結晶中の貫通転位の種別判定

    谷川智之, 吉田丈洋, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月19日

  212. 電子顕微鏡によるワイドギャップ材料のマルチスケール欠陥評価

    木口賢紀, 白石貴久, 今野豊彦, 谷川智之

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月19日

  213. HVPE法による（000-1）面GaN基板上へのGaN厚膜成長

    加納聖也, 谷川智之, 松岡隆志, 向井孝志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日

  214. GaN成長に用いたScAlMgO4基板の再利用

    大西一生, 窪谷茂幸, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  215. 多光子励起フォトルミネッセンスによるワイドギャップ半導体の三次元イメージング

    谷川智之, 松岡隆志

    応用物理学会 第１３回励起ナノプロセス研究会　2018年1月21日

  216. ScAlMgO4基板上InGaN/GaN多重量子井戸構造の内部量子効率

    萩原千拡, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017年11月29日

  217. 多光子励起フォトルミネッセンス法によるGaNの三次元光物性評価

    谷川智之, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017年11月29日

  218. 有機金属気相成長法によるN極性InGaNチャンネルHEMT構造の作製

    田中真二, プラスラットスック, キャッティウット, 木村健司, 谷川智之, 末光哲也, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017年11月29日

  219. N極性GaNHEMTの結晶成長と貫通転位の三次元イメージング

    谷川智之, 松岡隆志

    応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 研究集会 テーマ 「窒化物半導体パワーデバイスの研究動向」　2017年11月16日

  220. Improvement of heterointerface abruptness in N-polar InGaN/AlGaN/GaN heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    S. Tanaka, K. Prasertsuk, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    第36回電子材料シンポジウム　2017年11月10日

  221. Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in Thick GaN Films by Two-Photon-Excitation Photoluminescence

    T. Tanikawa, K. Ohnishi, T. Matsuoka

    第36回電子材料シンポジウム　2017年11月10日

  222. Internal quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on ScAlMgO4 substrate

    C. Hagiwara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

    第36回電子材料シンポジウム　2017年11月9日

  223. 多光子励起フォトルミネッセンス法を用いたGaN結晶中の転位解析

    谷川智之, 松岡隆志

    ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 平成29年度特別事業企画 委員会100回記念特別公開シンポジウム 『ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望』〜パワー半導体を中心として〜　2017年10月26日

  224. N-polar GaN MIS-HEMTs on Small Off-cut Sapphire Substrate for Flat Interface

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 平成29年度特別事業企画 委員会100回記念特別公開シンポジウム 『ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望』〜パワー半導体を中心として〜　2017年10月26日

  225. Three-dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN crystals by Multiphoton-Excitation Photoluminescence

    T. Tanikawa, K. Ohnishi, T. Matsuoka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017)　2017年10月1日

  226. Reduction of Impurity Incorporation into MOVPE-grown GaN films on ScAlMgO4 Substrate

    T. Iwabuchi, S. Kuboya, C. Hagiwara, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Fukuda, T. Matsuoka

    The 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)　2017年9月20日

  227. Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    第78回 応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月7日

  228. 多光子励起PL法によるGaN結晶の貫通転位の三次元イメージング

    谷川智之, 大西一生, 松岡隆志

    第78回 応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月7日

  229. N極性MgドープGaNの光電流DLTS評価

    鈴木 秀明, 寺島勝哉, 及川峻梧, 野々田亮平, 谷川智之, 松岡隆志, 岡本 浩

    第78回 応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月6日

  230. 二光子励起フォトルミネッセンスを用いて観測したGaN中の貫通転位の伝搬特性

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第78回 応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月6日

  231. N極性n型GaN上Niショットキー特性に対するアニール効果の評価

    寺島勝哉, 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 松岡隆志, 岡本 浩

    平成29年度電気関係学会東北支部連合大会　2017年8月24日

  232. Propagation and reduction of dislocation in ELO-grown GaN layer

    T. Matsubara, K. Yukizane, T. Ezaki, S. Fujimoto, T. Tanikawa, R. Inomoto, N. Okada, K. Tadatomo

    29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017)　2017年8月1日

  233. Biexciton emission from single quantum-confined structures in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells

    K. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi, H. Akiyama, K. Shojiki, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017年7月26日

  234. Three-dimensional analysis of threading dislocation in HVPE-grown GaN using two-photon-excitation photoluminescence spectroscopy

    T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Mukai, T. Matsuoka

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017年7月26日

  235. Evaluation of stacking faults free semipolar {11-22} GaN substrate grown by Na-flux point seed technique

    N. Okada, Y. Ikeuchi, N. Morishita, T. Matsubara, T. Tanikawa, K. DoHun, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Tadatomo

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017年7月25日

  236. Hydride Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN Layers on ScAlMgO4 Substrates and their Free-Standing by Self-Separation

    K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Mukai, T. Matsuoka

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017年7月25日

  237. 多光子励起フォトルミネッセンスによるGaNの内部欠陥の三次元観察

    谷川智之, 大西一生, 藤田達也, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2017年7月14日

  238. 多光子顕微鏡を用いたワイドギャップ半導体結晶の三次元構造解析

    谷川智之

    第３回 東北大学若手研究者アンサンブルワークショップ　2017年7月3日

  239. GaNのMOVPE成長用ScAlMgO4基板の裏面保護膜に関する研究

    岩渕拓也, 窪谷茂幸, 萩原千拡, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  240. N極性InAlN薄膜の有機金属気相成長とそのXPS分析

    窪谷茂幸, 大村和世, 谷川智之, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  241. Growth of InGaN films on ZnO substrates via AlN protection layers by metalorranic vapor phase epitaxy

    J. Yoo, R. Katayama, S. Kunoya, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Matsuoka

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  242. ScAlMgO4の剥離特性を生かしたGaN自立基板の作製

    大西一生, 加納聖也, 谷川智之, 窪谷茂幸, 向井孝志, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  243. 二光子励起フォトルミネッセンス法を用いたGaNエピタキシャル膜中の貫通転位の三次元解析

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  244. N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    電子情報通信学会　2017年5月26日

  245. N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on sapphire substrates with small off-cut for flat interface by MOVPE

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimuram, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Week 2017　2017年5月15日

  246. InGaN growth on AlN protection layer deposited ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

    J. Yoo, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center　2017年3月21日

  247. Reduction of gate leakage current in N-polar GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center　2017年3月21日

  248. 二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日

  249. ハイドライド気相成長法によるScAlMgO4基板上へのGaN厚膜成長と自己剥離プロセス

    大西一生, 加納聖也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 向井孝志, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日

  250. N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減

    プラスラットスック, キャッティウット, 三浦輝紀, 田中真二, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 末光哲也, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日

  251. MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Inverted HEMT Structures and Their Electrical Properties

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor (IDGN-3)　2017年1月16日

  252. Novel Approach to Fabrication of Free-standing GaN Wafer for Transistors Enabling Energy Saving

    T. Matsuoka, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Fukuda

    10th Intern. Conf. on Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10)　2016年10月16日

  253. Control of Impurity Concentration of Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)　2016年10月2日

  254. Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)　2016年10月2日

  255. Ga-polar GaN Film Grown by MOVPE on Cleaved ScAlMgO4 (0001) Substrate with Nillimeter-scale Wide Terraces

    T. Hanada, T. Iwabuchi, S. Kuboya, H. Tajiri, K. Inaba, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

    2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting　2016年9月19日

  256. N 極性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法依存性

    寺島 勝哉, 野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 松岡 隆志, 鈴木 秀明, 岡本 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日

  257. NH3雰囲気で熱処理した ScAlMgO4のラマン分光評価

    山村 和也, 蓮池 紀幸, 播磨 弘, 福田 承生, 窪谷 茂幸, 谷川 智之, 花田 貴, 松岡 隆志

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日

  258. Ni/N 極性 p-GaN ショットキー電極界面の電流-電圧特性の温度依存性

    青木俊周, 谷川智之, 松岡隆志, 塩島謙次

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日

  259. Polarity in the Growth of Nitride Semiconductors

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Suemitsu

    Collaborative Conf. on Crystal Growth (EMN 3CG)　2016年9月4日

  260. Localized emission from quantum-dot-like InGaN islands formed in N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells

    T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３５回電子材料シンポジウム　2016年7月6日

  261. Dependence of group-III source ratio on photoluminescence of N-polar (000-1) InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３５回電子材料シンポジウム　2016年7月6日

  262. Phonon mode assignments of ScAlMgO4 single crystal by polarized Raman scattering spectroscopy

    K. Yamamura, N. Hasuike, H. Harima, T. Fukuda, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３５回電子材料シンポジウム　2016年7月6日

  263. MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface

    K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Week 2016　2016年6月26日

  264. Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications（LEDIA’16)　2016年5月18日

  265. N極性InGaN/GaN量子井戸の微視的構造・光学特性

    谷川智之, 正直花奈子, 野々田亮平, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 高宮健吾, 矢口裕之, 秋山英文

    第８回窒化物半導体結晶成長講演会　2016年5月9日

  266. N 極性(000–1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性

    野々田 亮平, 谷川 智之, 正直 花奈子, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志

    第８回窒化物半導体結晶成長講演会　2016年5月9日

  267. N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

    谷川 智之, 正直 花奈子, 片山 竜二, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  268. ScAlMgO4 基板上GaN の不純物混入の抑制

    矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  269. InGaN Quantum Nanodisks by Fusion of Bio-nano-template and Neutral Beam Etching processes

    A. Higo, C. Thomas, C. Y. Lee, T. Kiba, S. Chen, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Shojiki, I. Yamashita, A. Murayama, S. Samukawa

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  270. Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metal-organic vapor phase epitaxy

    J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016年3月18日

  271. Two-dimensional electron gas in N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016年3月18日

  272. Electrical properties of GaN films on ScAlMgO4 substrates grown by MOVPE

    T. Iwabuchi, H. Yahara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016年3月18日

  273. InGaN/GaN太陽電池の格子極性と発電特性

    谷川智之, 川島静人, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第７回薄膜太陽電池セミナー　2016年3月13日

  274. N極性(000-1)窒化物半導体混晶InGaNの結晶成長表面と発光素子応用

    正直花奈子, 高宮健吾, 谷川智之, 花田貴, 野々田良平, 窪谷茂幸, 秋山英文, 矢口裕之, 片山竜二, 松岡隆志

    平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会　2016年3月9日

  275. N極性(000-1)p型GaNのMOVPE成長における原料供給比の正孔濃度への影響

    野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第70回東北支部学術講演会　2015年12月3日

  276. ScAlMgO4基板上SiドープGaNの電気伝導特性評価

    矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田 貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

    第70回東北支部学術講演会　2015年12月3日

  277. Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by MOVPE

    R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015年11月8日

  278. Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by changing substrate off-cut-angle direction

    K. Shojiki, T. Hanada, T. Tanikawa, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015年11月8日

  279. Polarity control of GaN grown on PLD-AlN/GaN templates by MOVPE

    J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015年11月8日

  280. Microscopic structure of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes

    K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015年11月8日

  281. Large Stokes shift in N-polar (0001) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes

    T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, S. Kuboya, T. Matsuoka

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015年11月8日

  282. Direct measurement of polarization-induced electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes

    T. Tanikawa, R. Katayama, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Matsuoka

    6th RIEC-RIE Meeting on Research Collaboration in Photonics　2015年10月26日

  283. −c 面 InGaN/GaN 量子井戸の MOVPE 成長における相純度制御

    片山竜二, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志, 矢口裕之, 尾鍋研太郎

    第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）　2015年10月19日

  284. Electrical Characteristics of N-polar p-type GaN Schottky Contacts

    T. Aoki, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Shiojima

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)　2015年9月28日

  285. 変調分光法によるInGaN/GaN LEDの内部電界の観測

    谷川 智之, 片山 竜二, 正直 花奈子, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志, 本田 善央, 天野 浩

    第75回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月17日

  286. サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製

    正直 花奈子, 崔 正焄, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志

    第75回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月17日

  287. MOVPE成長N極性(000-1)p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響

    野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志

    第76回 応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日

  288. Two-Dimensional Electron Gas in N-polar GaN/AlGaN/GaN Heterostructures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, F. Hemmi, S. Kuboya, T. Suemitsu, R. Katayama, T. Matsuoka

    2nd 2015 Tohoku Univ.-MIT Student Meeting on Research Collaboration in Photonics and Electronics　2015年8月27日

  289. N極性p形ショットキー接触の電気的特性の評価

    青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志, 塩島謙次

    電子情報通信学会　2015年7月24日

  290. Polarity-controlled MOVPE growth of GaN on PLD-AlN templates

    J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３４回電子材料シンポジウム　2015年7月15日

  291. Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation

    Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    第３４回電子材料シンポジウム　2015年7月15日

  292. Effects of V/III source ratio on the hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by MOVPE

    R.Nonoda, K.Shojiki, T.Tanikawa, S.Kuboya, R.Katayama, T.Matsuoka

    第３４回電子材料シンポジウム　2015年7月15日

  293. Surface energy and facet formation in InN films grown by pressurized-reactor MOVPE

    A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto

    第３４回電子材料シンポジウム　2015年7月15日

  294. Possibility of N-Polarity in Applications for GaN-based Devices

    T. Matsuoka, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama

    the Compound Semiconductor Week 2015, the common venue for the 42nd Intern. Symp. on Comp. Semicond. and the 27th Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat.　2015年6月28日

  295. 窒化物半導体の窒素極性面成長におけるin situ表面反射率測定

    谷川智之, 逢坂崇, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 三宅秀人

    CVD反応分科会主催 第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解（ノーベル賞受賞記念）」　2015年5月22日

  296. N極性(000-1)GaNの選択MOVPE成長における横方向成長の促進

    谷川智之, 逢坂崇, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 三宅秀人

    第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015年5月7日

  297. MOVPE成長N極性(000-1)p型GaNの正孔濃度に与えるV/III原料比の影響

    野々田良平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015年5月7日

  298. Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates

    J. H. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015年5月7日

  299. 横型擬似位相整合AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計

    三谷悠貴, 片山竜二, 劉陳燁, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015年5月7日

  300. ３C-SiC/Si基板上InGaN/GaN縦型発光ダイオード

    谷川智之, 生川満久, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 川村啓介

    第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015年5月7日

  301. MOVPE成長したScAlMgO4基板上GaNの構造特性

    岩渕拓也, 窪谷茂幸, 矢原弘崇, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

    第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015年5月7日

  302. N極性GaN系光デバイスの作製と分極電界の直接観測

    谷川智之

    ～国際光年記念式典～国際光年記念シンポジウム　2015年4月22日

  303. ±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究

    岡田 俊祐, 三宅 秀人, 平松 和政, 逢坂 崇, 谷川 智之, 松岡 隆志

    第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日

  304. N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価

    青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志, 塩島謙次

    第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日

  305. MOVPE成長N極性(0001)InGaN多重量子井戸構造と発光ダイオードの構造・光学特性

    正直 花奈子, 崔 正焄, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志

    第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日

  306. N極性(0001)GaNのMOVPE選択成長における貫通転位密度の低減

    逢坂 崇, 谷川 智之, 木村 健司, 正直 花奈子, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 三宅 秀人

    第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日

  307. オール窒化物半導体による白色LEDの開発に向けて

    松岡隆志, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二

    日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 EL分科会第46回研究会　2015年2月4日

  308. N 極性(000-1)GaN のMOVPE 選択成長における結晶形態変化

    逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第69回 東北支部学術講演会　2014年12月4日

  309. MOVPE 法による可視光全域波長の発光を有するN 極性(000-1)InGaN 発光ダイオードの作製

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第69回 東北支部学術講演会　2014年12月4日

  310. N-polar Solar Cells in Nitride Semiconductors with Potential of High Efficiency

    T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 6th World Conferenceon Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)　2014年11月23日

  311. Crystallographic Polarity in Nitride Semicondcutors

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

    2014 Intern.Symp. Crystal Growth and Crystal Technol　2014年11月12日

  312. N極性(000-1)InGaN/GaN多重量子井戸構造のMOVPE成長と発光ダイオード作製

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）　2014年11月6日

  313. Control of GaN growth orientation by MOVPE

    T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano

    2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)　2014年10月29日

  314. Overview on Crystallographic Polarization

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

    2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)　2014年10月29日

  315. Modulation Spectroscopic Investigation on Internal Electric Fields in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes

    T. Tanikawa, R. Katayama, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年8月24日

  316. Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique

    R. Katayama, N. Yoshinogawa, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年8月24日

  317. Emission Wavelength Extension of Light Emitting Diode Using MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN

    K. Shojiki, J.H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年8月24日

  318. MOVPE Growth of GaN on ScAlMgO4 Substrate

    T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T. Fukuda, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年8月24日

  319. Crystallographic Polarity in Nitride Semiconductors and its Device Applications

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, R. Katayama

    4th RIEC-RLE Meeting　2014年8月24日

  320. N 極性面(000-1)InGaN による発光ダイオードの長発光波長化

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第6回窒化物半導体研究会　2014年7月25日

  321. 様々な極性面GaN上へのInGaNの結晶成長

    谷川智之, 正直花奈子, Jung-Hun Choi, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 久志本真希, 本田善央, 天野浩

    第6回窒化物半導体研究会　2014年7月25日

  322. ZnAl2O4 interlayer for suppressing impurity out-diffusion in HVPE growth of GaN on ZnO substrate

    J. Yoo, J. Chang, J. Lee, S. Choi, H. Lee, S. Kim, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  323. MOVPE growth of GaN on ScAlMgO4 Substrates

    T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T.Fukuda, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  324. Investigation of surface morphology of -c GaN crystals grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  325. Suppression of metastable-phase inclusion in MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  326. Fabrication of red, green, and blue light emitting diodes using MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN on sapphire substrate

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  327. Stimulated emission properties of semipolar (1-101) InGaN micro cavity structure on patterned (001) Si substrate

    M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, H. Amano

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  328. Investigation of modal dispersion in nonlinear optical TiOx/GaN waveguide by m-line spectroscopy

    N. Yoshinogawa, R. Katayama, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  329. 窒化物半導体において高効率を望める 窒素極性太陽電池

    谷川智之, 崔正焄, 正直花奈子, 片山竜二, 松岡隆志

    第 11回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2014年7月3日

  330. Realization of p-Type Conduction in Mg-Doped N-Polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)　2014年7月1日

  331. Suppression of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)　2014年4月22日

  332. Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    8th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2014年4月22日

  333. MOVPE成長 －c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

    第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  334. ScAlMgO4基板上におけるGaNのMOVPE成長

    第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  335. c面ScAlMgO4基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

    第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  336. c面Al2O3基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

    第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  337. Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire

    N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    8th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2014年3月5日

  338. Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown –c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists　2014年3月5日

  339. MOVPE成長 –c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

    第68回東北支部学術講演会　2013年12月5日

  340. Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown –c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists　2013年11月21日

  341. Progress in Research on InN for D-WDM Systems

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Iwabuchi, T. Hanada, T. Tanikawa, R. Katayama

    Resarch Institute of Electronic Communication- Research Laboratory of Electronics (RIEC-RLE) Meeting in Boston　2013年9月30日

  342. ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察

    第74回応用物理学会学術講演会　2013年9月16日

  343. The improvement of N-polar GaN surface during MOVPE growth with indium surfactant

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  344. Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  345. Enhancement of Surface Migration by Mg Doping in the Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of (000-1) GaN/sapphire

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  346. Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  347. Anisotropic Optical Properties of Semipolar (1-101) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on a Patterned Si Substrate

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  348. Influence of Mg-Doping on the Surface Morphology of (000-1) GaN/Sapphire Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013年8月25日

  349. Evaluation and Solution of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-grown −c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013年8月25日

  350. Light Emission Polarization Properties of (1-101) InGaN/GaN MQWs with Cavity Structure on Patterned Si Substrate

    10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013年8月25日

  351. Optical properties of semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum wells with cavity structure on patterned Si (001) substrate

    EDISON18 : The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures　2013年7月22日

  352. Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire

    第32回電子材料シンポジウム　2013年7月10日

  353. Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN

    第32回電子材料シンポジウム　2013年7月10日

  354. Observation of Phase Separation on m-plane InGaN Films with Micro-vicinal surface by Micro-beam XRD

    第32回電子材料シンポジウム　2013年7月10日

  355. Stimulated emission by photo excitation in (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well with cavity structure on a patterned Si substrate

    第32回電子材料シンポジウム　2013年7月10日

  356. Lattice-matching Substrates to InGaAlN and its Epitaxial Growth

    2nd International Symposium on Single Crystals and Wafers　2013年6月25日

  357. 窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用

    第５回 窒化物半導体結晶成長講演会　2013年6月21日

  358. Crystal growth of InGaN on GaN/Sapphire template by high pressure MOVPE

    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)　2013年5月19日

  359. Improvement of Surface Morphology in (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE with Indium Surfactant

    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)　2013年5月19日

  360. 発光材料としての窒化物半導体の役割

    第三回先端フォトニクスシンポジウム　2013年4月26日

  361. MOVPE法による窒素極性面InxGa1-xNの結晶成長とデバイス応用

    第三回先端フォトニクスシンポジウム　2013年4月26日

  362. Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant

    Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA '13)　2013年4月23日

  363. MOVPE 成長N 極性InGaN におけるIn 組成のc 面サファイア基板微傾斜角依存性

    第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日

  364. (000-1)GaNのMOVPE成長におけるステップフロー成長の促進

    第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日

  365. サファイア基板上GaN薄膜のMOVPE成長挙動の格子極性依存性

    第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日

  366. Effect of N-polar Growth in In-incorporation into Nitride Semiconductors

    2nd IMR & KMU Joint Workshop　2013年2月18日

  367. Fabrication of semipolar/nonpolar GaN on patterned silicon substrate for optical device application

    2nd IMR & KMU Joint Workshop　2013年2月18日

  368. Comparison of growth behavior in thick InGaN on (000-1) and (0001) GaN/Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2013)　2013年1月28日

  369. Crystal growth of semipolar/nonpolar GaN on patterned silicon substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

    Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)　2012年12月11日

  370. MOVPE成長(000-1) GaNのステップフロー成長の促進

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012年12月6日

  371. MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012年12月6日

  372. サファイア基板上GaN薄膜の有機金属気相成長初期過程における表面モフォロジーの格子極性依存性

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012年12月6日

  373. (0001)面、(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの表面モフォロジーとIn取り込み

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012年12月6日

  374. Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-incorporation into InGaN Grown by MOVPE

    International Conference on Nano Science and Nano Technology (ICNST 2012)　2012年11月8日

  375. Growth of GaN on (111) Si substrates via a reactive sputter-deposited AlN intermediate layer

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012年10月14日

  376. Comparison of crystalline quality in InGaN grown on (000-1) and (0001)GaN/Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012年10月14日

  377. Study of In-composition of faceted InGaN on m-plane GaN substrate using high-resolution microbeam XRD

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012年10月14日

  378. Optical polarization properties in semipolar (1–101) InGaN/GaN multiple quantum well on a patterned Si Substrate

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012年10月14日

  379. Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012年10月14日

  380. InGaN growth on GaN/Sapphire by high pressure MOVPE

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012年10月14日

  381. Violet second harmonic generation from polarityinverted GaN waveguides

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012年10月14日

  382. (0001)および(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの結晶品質比較

    第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日

  383. 反応性スパッタリング法によるAlN中間層を用いたSi基板上GaN成長

    第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日

  384. 加工Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプ結晶の光学利得

    第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日

  385. Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide

    第31 回 電子材料シンポジウム　2012年7月11日

  386. Optical and crystalline properties of InGaN/GaN MQWs on (1-101) GaN

    第31 回 電子材料シンポジウム　2012年7月11日

  387. Polarization properties in InGaN/GaN multiple quantum well on semipolar (1-101) GaN/Si

    第31 回 電子材料シンポジウム　2012年7月11日

  388. High pressure InGaN growth by MOVPE

    第31 回 電子材料シンポジウム　2012年7月11日

  389. AlN/air distributed Bragg reflector using GaN sublimation from micro-cracks of AlN

    第31 回 電子材料シンポジウム　2012年7月11日

  390. How to improve performance of In-rich InGaN LEDs ?

    16th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)　2012年5月20日

  391. Fabrication of selective-area AlN/air reflector by GaN sublimation in the growth chamber

    16th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)　2012年5月20日

  392. Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

    信学会電子デバイス(ED)研究会　2012年5月17日

  393. 加圧 MOVPE による InGaN 結晶成長

    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN２０１２)　2012年4月27日

  394. 加圧MOVPE法によるInxGa1-xN 結晶成長

    第59回 応用物理学関係連合講演会　2012年3月15日

  395. GaNの昇華を用いた選択領域AlN/Air反射構造の作製

    第59回 応用物理学関係連合講演会　2012年3月15日

  396. Reduction of dislocations and residual stress in GaN grown on patterned Si substrate

    11th Akasaki Research Center Symposium　2011年12月9日

  397. 加工Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプの偏光特性

    第72回 応用物理学会学術講演会　2011年8月29日

  398. AlN/GaN多層膜反射鏡の高反射率化

    第72回 応用物理学会学術講演会　2011年8月29日

  399. (1-101)GaN/Si 上InGaN 厚膜のMOVPE 成長

    第72回 応用物理学会学術講演会　2011年8月29日

  400. Strain relaxation in thick (1-101) InGaN grown on GaN/Si substrate

    9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)　2011年7月10日

  401. In Situ Void Formation Technique Using AlN Shell Structure on GaN Stripes Grown on C-sapphire Substrates

    9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)　2011年7月10日

  402. Growth of AlInN by raised-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

    9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)　2011年7月10日

  403. Lattice relaxation in semipolar (1-101)InGaN/GaN on silicon substrates

    第30 回 電子材料シンポジウム　2011年6月29日

  404. Reduction of residual stress of GaN on Si(111) substrates using void formation techniques

    第30 回 電子材料シンポジウム　2011年6月29日

  405. 加圧MOVPE 法を用いたAlInN の結晶成長

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」　2011年6月17日

  406. 加圧MOVPE 法によるInGaN/GaN MQW 構造のIn 組成揺らぎの改善

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」　2011年6月17日

  407. 組成および井戸層厚を変調させたInGaN 擬周期構造に関する研究

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」　2011年6月17日

  408. HVPE 成長を用いた微細加工Si 基板上半極性GaN 自立基板の作製

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」　2011年6月17日

  409. Internal quantum efficiency of nitride-basedlight emitting devices

    5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)　2011年5月22日

  410. Reduction of residual stress of GaN on Si(111) substrates using void formation techniques

    5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)　2011年5月22日

  411. AlGaN系紫外発光素子の通電特性

    信学会電子デバイス(ED)研究会　2011年5月19日

  412. (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

    信学会電子デバイス(ED)研究会　2011年5月19日

  413. High temperature MOVPE of AlGaN for UV/DUV devices and increased pressure MOVPE of InGaN for green/yellow devices

    E-MRS 2011 Spring Meeting　2011年5月9日

  414. IQE and EQE of the nitride-based UV/DUV LEDs

    CLEO:2011　2011年5月1日

  415. (111)Si 基板上GaN のボイドを用いた残留応力低減

    第58回 応用物理学関係連合講演会　2011年3月24日

  416. 加圧MOVPE 法を用いたAlInN の結晶成長

    第58回 応用物理学関係連合講演会　2011年3月24日

  417. FTIR Spectra and LVMs in a Carbon Doped (1-101)GaN Grown on a (001)Si Substrate by MOVPE

    3nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)　2011年3月6日

  418. Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate

    SPIE Photonics West　2011年1月22日

  419. 加圧MOVPE法を用いたInGaN結晶成長

    応用物理学会結晶工学分科会主催２０１０年・年末講演会 「エレクトロニクスの将来ビジョン～発展史マップとアカデミックロードマップ～＆若手ポスター発表会」　2010年12月17日

  420. マイクロファセットGaNストライプ上へのInGaN選択成長

    応用物理学会結晶工学分科会主催２０１０年・年末講演会 「エレクトロニクスの将来ビジョン～発展史マップとアカデミックロードマップ～＆若手ポスター発表会」　2010年12月17日

  421. Optical Properties of (1-101) InGaN/GaN MQW Stripe Laser Structure on a Si Substrate

    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)　2010年9月19日

  422. Selective MOVPE Growth of InGaN/GaN MQW on Microfacet GaN Stripes

    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)　2010年9月19日

  423. 加工Si基板上(1-101)GaNの不純物取り込み

    第71回 応用物理学会学術講演会　2010年9月14日

  424. 半極性面GaN ストライプ上InGaN/GaN MQW のMOVPE 選択成長(II)

    第71回 応用物理学会学術講演会　2010年9月14日

  425. Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプレーザー構造の光学特性

    第71回 応用物理学会学術講演会　2010年9月14日

  426. Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes

    Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)　2010年6月4日

  427. 加工Si基板上への非極性GaN選択成長

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」　2010年5月14日

  428. 半極性、非極性GaNストライプ上InGaN/GaN MQWのMOVPE成長

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」　2010年5月14日

  429. 加工Si 基板上非極性InGaN/GaN MQW のMOVPE 選択成長

    第57回 応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日

  430. Recent development of nitride-based micro- and nano-rod structure on Si and their application to high performance light emitters

    9th International Akasaki Research Center Symposium　2010年3月12日

  431. Crystal growth of GaN on etched Si substrate

    9th International Akasaki Research Center Symposium　2010年3月12日

  432. Dislocation Decrease of Semi-polar GaN on Si Substrate by Selective MOVPE

    2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)　2010年3月7日

  433. Infrared Reflectance Spectra of (1-101)GaN Grown on a (001)Si Substrate

    2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)　2010年3月7日

  434. 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製

    信学会電子デバイス(ED)研究会　2010年2月22日

  435. HVPE Growth of A-Plane GaN on a GaN Template (110)Si Substrate

    8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)　2009年10月18日

  436. 選択MOVPE法を用いたSi基板上(11-22)GaNの転位低減

    第70回 応用物理学会学術講演会　2009年9月8日

  437. Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission properties under photo-excitation

    The 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14)　2009年7月19日

  438. HVPE growth of a-plane GaN on GaN template (110) Si substrate

    第28 回 電子材料シンポジウム　2009年7月8日

  439. GaN/InGaN hetero growth on (1-101) and (11-22) GaN on Si substrate

    第28 回 電子材料シンポジウム　2009年7月8日

  440. (111)Si上InGaN/GaN ストライプ構造の光学特性 (II)

    第56回 応用物理学関係連合講演会　2009年3月30日

  441. HVPE法を用いた加工(110)Si基板上(11-20)GaNの厚膜成長

    第56回 応用物理学関係連合講演会　2009年3月30日

  442. Crystal growth of a-plane GaN on a patterned (110)Si substrate by selective MOVPE

    First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma2009)　2009年3月8日

  443. Selective Growth of (1-101)GaN on Large Size Si Substrate with SiO2 Mask Deposited by Oblique EB Evaporation

    First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma2009)　2009年3月8日

  444. Optical properties of InGaN/GaN stripe structure grown on (111)Si

    First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma2009)　2009年3月8日

  445. Crystal Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate

    8th Akasaki Research Center Symposium, To the New Horizon of the Nitride Research　2008年11月20日

  446. (111)Si 上InGaN/GaN ストライプ構造の光学特性

    第69回 応用物理学会学術講演会　2008年9月2日

  447. (110)Si基板を用いた無極性(11-20)GaNの結晶成長

    特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア―材料潜在能力の極限発現―」公開シンポジウム　2008年8月1日

  448. 加工Si基板上(1-101)及び(11-22)GaNへのInGaNヘテロ成長

    特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア―材料潜在能力の極限発現―」公開シンポジウム　2008年8月1日

  449. Maskless selective growth of semi-polar (11-22) GaN on Si (113) substrate by metal organic vapor phase epitaxy

    Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)　2008年7月6日

  450. HVPE growth of semi-polar (11-22)GaN on a GaN template (113)Si substrate

    Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)　2008年7月6日

  451. Reduction of dislocations in a (11-22)GaN grown by selective MOVPE on (113)Si

    Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)　2008年7月6日

  452. Growth of Non-polar (11-20)GaN on a patterned (110)Si substrate by selective MOVPE

    14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)　2008年6月1日

  453. (113)Si 上(11-22)GaN のMOVPE 選択再成長 (II)

    第55回 応用物理学関係連合講演会　2008年3月27日

  454. (113) 加工Si 基板上への(11-22)GaN のHVPE 成長 (II)

    第55回 応用物理学関係連合講演会　2008年3月27日

  455. (113)Si基板を用いた半極性(11-22)GaNの選択MOVPE成長

    結晶工学分科会 2007年年末講演会「結晶から広がる科学」　2007年12月14日

  456. 加工シリコン基板上への半極性GaNの選択成長と物性

    学振第162委員会研究会　2007年12月1日

  457. Growth of Semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si Substrate by Selective MOVPE

    34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007)　2007年10月15日

  458. シリコン基板上の半極性窒化物半導体選択成長

    平成19年度電気関係学会東海支部連合大会「窒化物半導体の新展開」シンポジウム　2007年9月27日

  459. Fabrication and Properties of Semi-Polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN MQW Light Emitting Diodes on Patterned Si Substrates

    7th International Conference on Nitride Semiconductors　2007年9月16日

  460. (11-22)GaNの時間分解分光

    第68回 応用物理学関係連合講演会　2007年9月4日

  461. (311)加工Si基板上への(11-22)GaNのHVPE成長

    第68回 応用物理学関係連合講演会　2007年9月4日

  462. Polarity inversion of GaN films by metalorganic vapor epitaxy using an AlN interlayer

    T. Tanikawa

    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/ The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022)

  463. Design of Transverse Quasi-Phase-Matched Non-Polar/AlN Waveguides for 230-nm Far-UV Second

    H. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    2022 MRS Spring Meeting & Exhibit

  464. 3D Imaging of β-Ga2O3 Crystal Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

    T. Nishikawa, M. Tsukakoshi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

    2022 MRS Spring Meeting & Exhibit

特許・実用新案・意匠 3

  1. 太陽電池

    松岡 隆志, 片山 竜二, 谷川 智之

    特許第6164685号

    出願日:2013/07/03

    登録日:2017/06/30

  2. 窒化物半導体構造及びその製造方法

    澤木宣彦, 本田善央, 彦坂年輝, 谷川智之

    特許第4913674号

    出願日:2007/06/07

  3. 分散ブラッグ反射器およびその製造方法

    光成 正, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野 浩

社会貢献 19

  1. 研究室見学（四條畷高校生）

    大阪大学

    2021年8月30日 ～ 2021年8月30日

  2. 研究室見学（長田高校生）

    大阪大学

    2021年3月26日 ～ 2021年3月26日

  3. LayTec社in-situモニタリングシステム プライベートセミナー

    2015年11月18日 ～ 2015年11月19日

  4. LayTec社in-situモニタリングシステム プライベートセミナー

    2014年11月11日 ～ 2014年11月12日

  5. LayTec社in-situモニタリングシステム プライベートセミナー

    2013年10月22日 ～ 2013年10月23日

  6. 楽しい理科のはなし2016～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」

    2016年8月23日 ～

  7. 学都「仙台・宮城」サイエンスデイ2016

    2016年7月17日 ～

  8. 楽しい理科のはなし2015～不思議の箱を開けよう

    2015年8月21日 ～

  9. 学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ2015 "光を使って、話をしよう"

    2015年7月19日 ～

  10. 楽しい理科のはなし2014～不思議の箱を開けよう

    2014年8月21日 ～

  11. 学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ2014 "光を使って、話をしよう"

    2014年7月20日 ～

  12. 平成 25年度 応用物理学会東北支部 リフレッシュ理科教室 「光を使って、音を伝えてみよう！（クリスマス編）

    2013年12月13日 ～

  13. 楽しい理科のはなし2013～不思議の箱を開けよう

    2013年10月15日 ～

  14. 学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ2013 "光を使って、話をしよう"

    2013年7月21日 ～

  15. リフレッシュ理科教室

    2013年6月28日 ～

  16. 第12回サイエンス・スクール（東北大学出前授業） 仙台市立木町通り小学校

    2012年12月17日 ～

  17. 楽しい理科のはなし2012～不思議の箱を開けよう

    2012年8月21日 ～

  18. 学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ2012

    2012年7月15日 ～

  19. 出前授業 仙台市館小学校

    2012年6月28日 ～

機関リポジトリ 2

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy of +c/−c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device

    Ikeda Kazuhisa, Malik Shahzeb, Uemukai Masahiro, Tanikawa Tomoyuki, Katayama Ryuji

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　Vol. 261　No. 11　2024年9月9日

  2. Large Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1(Formula Presented)01) GaN Stripes on Patterned Si Substrates Prepared using Maskless Lithography

    Takeda Naofumi, Uemukai Masahiro, Tanikawa Tomoyuki, Katayama Ryuji

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　Vol. 261　No. 11　2024年6月21日