−c-ZnO/+c-GaN横型擬似位相整合チャネル導波路の設計と作製

谷川智之, 畠中祐喜, 本田啓人, 阿部友紀, 上向井正裕, 片山竜二

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024/05/31

周期スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ

上向井 正裕, 楠井 大晴, 和田 拓巳, 谷川 智之, 片山 竜二

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024/05/31

Interlayer-Free GaN Epitaxial Polarity Inversion by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)　2024/05/14

Epitaxial Growth of AlGaN/AlN Multiple Quantum Wells (MQWs) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Far-UV Second Harmonic Generation

Shahzeb Malik, Masaaki Ito, Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)　2024/05/13

有機金属気相成長法による中間層フリーGaN極性反転積層構造の作製

池田和久, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/23

横型擬似位相整合4層極性反転AlN導波路による第二高調波発生の実証

佐藤栄希, 本田啓人, 百崎怜, 玉野智大, 正直花奈子, 三宅秀人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/24

AlN/SiNx水平積層横型擬似位相整合導波路の設計と作製

本田 啓人, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/24

超短パルスレーザ励起微小共振器型第二高調波発生デバイス

南部 誠明, 中原 智裕, 安田 悠馬, 藤原 康文, 斗内 政吉, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/23

波長変換を用いた波長220 nm帯遠紫外光源の開発

片山 竜二, 三宅 秀人, 吉村 政志, 上向井 正裕, 谷川 智之

第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/23

多光子励起フォトルミネッセンス法によるワイドギャップ半導体の結晶欠陥の３次元評価

谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二

応用物理学会 半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会 第 5 回研究会　2024/03/14

超短パルスレーザー励起におけるGaN垂直微小共振器からの青色第二高調波発生

南部 誠明, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

電子情報通信学会総合大会 レーザ・量子エレクトロニクス（LQE）　2024/03/04

遠紫外波長変換光源開発の進展：モノリシック微小共振器

片山竜二, 南部誠明, 吉村政志, 上向井正裕, 谷川智之

ワイドギャップ半導体学会 第15回研究会 ～次世代紫外光源の新展開～　2024/03/01

多光子吸収顕微鏡による転位の3次元計測

谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二

日本学術振興会・産学協力委員会 R025 先進薄膜界面機能創成委員会 第18回委員会・第17回研究会「薄膜・界面の最先端実験室系評価技術」　2024/02/20

InGaN 周期スロットレーザーのCW 波長可変単一モード動作実証

楠井 大晴, 和田 拓巳, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024/01/16

パターンウエハ接合によるAlNAlN 極性反転横型擬似位相整合リブ導波路を用いた遠紫外第二高調波発生

百崎 怜, 本田 啓人, 古川 裕也, 旭 雄大, 岡山 芳央, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024/01/16

横型擬似位相整合導波路およびモノリシック微小共振器からの遠紫外第二高調波発生

片山竜二, 吉村政志, 上向井正裕, 谷川智之

レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024/01/16

4層極性反転AlN薄膜のスパッタ‧アニール法による作製と界面評価

玉野 智大, 正直 花奈子, 秋山 亨, 本田 啓人, 佐藤 栄希, 上杉 謙次郎, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二, 三宅 秀人

第52回 結晶成長国内会議 JCCG-52　2023/12/05

Design of AlN/Ta2O5 Horizontally Stacked Transverse-QPM Channel Waveguide for Squeezed Light Generation

Hiroto Honda, Masahiro Uemukai, Tanikawa Tomoyuki, Ryuji Katayama

14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023/11/16

Fabrication of transverse quasi-phase-matched channel waveguide using 4-layer polarity inverted AlN structure for second harmonic generation

Eiki Sato, Hiroto Honda, Ryo Momosaki, Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023/11/16

Fabrication of AlN Polarity Inverted Transverse QPM Rib WaveGuide for Second Harmonic Generation Fabricated by Patterned Wafer Bonding

Ryo Momosaki, Hiroto Honda, Yuya Furukawa, Takehiro Asahi, Yoshio Okayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023/11/16

Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Semipolar (1-101) GaN Stripes on Patterned Si Substrates for MicroLED Application

Naofumi Takeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023/11/17

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of +c/–c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi Phase Matched Photon Pair Generation Device Application

Kazuhisa Ikeda, Yuya Furukawa, Tomotaka Murata, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Tomoyuki Tanikawa, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama

14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023/11/13

Fabrication of Multiple Polarity Inverted AlN Structures by Multiple Sputtering and High-Temperature Annealing

Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hiroto Honda, Eiki Sato, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Hideto Miyake

14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023/11/13

Nitride-semiconductor-based wavelength converters

Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa

14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14　2023/11/06

等方性常誘電体による遠紫外波長変換と量子光源応用：極性反転AlN導波路とSrB4O7微小共振器

片山竜二, 吉村政志, 上向井正裕, 谷川智之

光材料応用技術研究会　2023/11/10

Horizontally Stacked Transverse QPM Channel Waveguide for Squeezed Light Generation

H. Honda, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

2023/10/11

Fabrication of InGaN Tunable Single-Mode Laser Using Periodically Slotted Structure

T. Kusui, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

2023/10/11

High-Order Guided Mode Excitation Grating Coupler for GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Photon Pair Generation Device

Y. Furukawa, H. Honda, K. Ikeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

2023/10/13

Fabrication of;T;ansverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide using;Layer Polarity Inverted AlN Structure;for Seco;Harmonic Generation

E. Sato, H. Honda, R. Momosaki, T. Tamano, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

2023/10/12

"Fabrication Process for Large Area Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Semi-polar (1-101) GaN on Patterned Si Substrate"

N. Takeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

2023/10/12

InGaN Tapered Semiconductor Optical Amplifier for Laser Isotope Separation

T. Wada, T. Kusui, M Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

2023/10/12

"AlN polarity inverted transverse QPM rib waveguide for second harmonic generation fabricated by patterned wafer bonding"

2023/10/12

GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起グレーティング結合器

古川 裕也, 本田 啓人, 池田 和久, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/21

超短パルスレーザ励起におけるa面GaN垂直微小共振器デバイスからの428 nm第二高調波発生

南部 誠明, 中原 智裕, 安田 悠馬, 藤原 康文, 斗内 政吉, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/19

大口径化に向けた加工Si基板上への半極性GaNのMOVPE選択成長プロセス

竹田尚史, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第15回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2023/06/15

DCパルススパッタリング法によるGaNの選択成長

第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/18

光ニードル顕微鏡法を用いたGaN結晶内転位の3次元可視化における球面収差補正と空間分解能の評価

第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/18

多層極性反転 AlN 構造を用いた横型 QPM 導波路の設計

第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/18

マルチ・スパッタアニール法による多層極性反転 AlN 構造の作製

第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/18

多光子励起過程を利用したβ-Ga2O3の時間分解フォトルミネッセンス分光

第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/16

GaN光導波路電界印加型マッハツェンダ干渉計の構造検討と作製

第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/15

電界印加位相シフタを有するGaN導波路型マッハツェンダ干渉計の設計と作製

レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023/01/19

グレーティング結合器集積化GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの設計と作製

レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023/01/19

高効率スクイーズド光発生に向けた MgO:CLN/GaN横型擬似位相整合導波路波長変換デバイスの作製

レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023/01/19

SrB4O7微小共振器型深紫外第二高調波発生デバイス

レーザー学会学術講演会第43回年次大会　2023/01/19

電界印加型GaN光導波路マッハツェンダ干渉計の構造検討

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022/11/25

a面GaN/c面GaNの表面活性化接合に向けた表面平坦化プロセス

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022/11/25

Second harmonic generation of 230 nm DUV light from transverse quasiphase-matched −c-AlN/+c-AlN channel waveguide

H. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, H. Miyake, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/11/14

Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks

T. Nishikawa, M. Tsukakoshi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022)　2022/11/14

Blue Second Harmonic Generation from GaN Monolithic Microcavity

T. Nambu, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/11/13

Identification of Burgers vectors of threading dislocations in HVPE-Grown GaN using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

T. Tanikawa, Y. Ishii, M. Tsukakoshi, R. Terada, M. Adachi, M. Uemukai, R. Katayama

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/11/11

Polarity inversion of GaN via AlN oxidation interlayer using metalorganic vapor phase epitaxy

T. Murata, K. Ikeda, J. Yamasaki, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/11/11

Deep-Ultraviolet Second-Harmonic Generation from Microcavity Structure with SrB4O7 Nonlinear Optical Crystal

第41回電子材料シンポジウム　2022/10/20

Fabrication of GaN transverse quasi phase matching photon pair generation device using MOVPE-based epitaxial polarity inversion technology

第41回電子材料シンポジウム　2022/10/20

Demonstration of 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation from HfO2/AlN Transverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide

第41回電子材料シンポジウム　2022/10/20

窒化物半導体結晶成長技術を駆使した量子光源の開発

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/22

HfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

2層極性反転AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

MOVPEエピタキシャル極性反転技術を用いたGaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの作製

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

微小共振器構造を用いた面発光型広帯域光子対発生デバイスの設計

第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

Three-dimensional characterization of threading dislocations in heteroepitaxial diamond substrate using multiphoton-excitation photoluminescence

T. Tanikawa, R. Katayama, S. Ohmagari

32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials　2022/09/04

SrB4O7 微小共振器を用いた深紫外第二高調波発生

レーザー学会第564回研究会「高機能固体レーザーとその応用」　2022/07/15

ヘテロエピタキシャル成長ダイヤモンド基板中の貫通転位の伝搬挙動

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/25

電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN方向性結合器の作製と評価

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/22

高効率スクイーズド光発生に向けたLiNbO3/GaN横型擬似位相整合波長変換デバイスの設計

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/22

EFG成長 (010)β-Ga2O3結晶中のナノパイプの三次元形状

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/22

230 nm遠紫外第二高調波発生に向けたHfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路の作製

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/22

GaN-QPM結晶を用いたリブ導波路型波長変換デバイスの作製と評価

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/22

SrB4O7微小共振器を用いた234 nm深紫外第二高調波発生

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/22

GaN縦型pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光

第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/22

多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶のナノパイプ観察

西河巴賀, 塚越真悠子, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷義直, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/02

フルカラーInGaN多重量子井戸の作製に向けた接合可能な非極性GaN平坦膜の成長

安田悠馬, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/02

サファイア基板上N極性GaN薄膜の有機金属気相成長法における平坦化条件の探索

池田和久, 村田知駿, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第50回結晶成長国内会議（JCCG-50）　2021/10/27

気相拡散効果を利用したマルチカラーInGaN多重量子井戸の有機金属気相選択成長

吉田 新, 正直花奈子, 三宅秀人, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

第50回結晶成長国内会議（JCCG-50）　2021/10/28

Fabrication of 3.3 um Periodically-Poled MgO:SLT Structure for Quantum Light Sources at 810 nm

H. Nishigaki, R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

第40回電子材料シンポジウム　2021/10/11

Improved Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide for 230-nm Second Harmonic Generation

S. Umeda, H. Honda, T. Nambu, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

第40回電子材料シンポジウム　2021/10/11

Design of Non-Polar/AlN Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation

H. Honda, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

第40回電子材料シンポジウム　2021/10/11

Fabrication of GaN Polarity Inverted Structure via Ultrathin AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

T. Murata, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama

第40回電子材料シンポジウム　2021/10/11

Efficiency Evaluation of GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device under Femtosecond Laser Excitation

N. Yokoyama, H. Honda, T. Murata, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Tokita, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

第40回電子材料シンポジウム　2021/10/11

Fabrication of Orientation Modulated GaN Template for Monolithic Integrated Full-Color InGaN Light-Emitting Diodes

Y. Yasuda, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

第40回電子材料シンポジウム　2021/10/11

Correlation Between MPPL and Raman Mapping Images of GaN for Nondestructive Identification of Threading Dislocations

M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama

第40回電子材料シンポジウム　2021/10/11

230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合2層極性反転AlN導波路の作製

梅田颯志, 本田啓人, 南部誠明, 市川修平, 藤原康文, 正直花奈子, 三宅秀人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/08/12

230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合HfO2/AlN導波路の設計

本田啓人, 梅田颯志, 正直花奈子, 三宅秀人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/08/12

多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング

西河巴賀, 塚越真悠子, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷義直, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/08/12

電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN導波路型方向性結合器の作製

久田雄太, 亀井拓哉, 市川修平, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/08/12

有機金属気相成長法を用いたGaNエピタキシャル極性反転技術の開発

村田知駿, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/08/13

Experimental Determination of Wavelength Conversion Efficiency in Transverse Quasi-Phase-Matched GaN SHG Waveguide Excited with Femtosecond Laser

N. Yokoyama, Y. Morioka, T. Murata, H. Honda, F. R. G. Bagsican, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)　2021/09/08

Nondestructive Characterization of Dislocations Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

T. Tanikawa, A. Ogura, M. Uemukai, R. Katayama

SemiconNano2021　2021/09/03

窒化物半導体の波長変換デバイス応用

谷川智之

応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会　2021/08/23

多光子励起過程を利用した次世代半導体材料の欠陥評価技術

谷川智之

日本学術振興会第R032委員会 第2回研究会「R032委員会キックオフ研究会：結晶作製Ⅱ」　2021/08/06

MgO:SLTを用いた3.3 μm周期分極反転構造の作製

野呂諒介, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/18

GaN結晶中の貫通転位の非破壊分類に向けた多光子励起PLマッピング像とラマンマッピング像の相関解析

谷川智之, 足立真理子, 寺田陸斗, 塚越真悠子, 上向井正裕, 片山竜二

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/17

表面活性化接合を用いた面方位変調GaNテンプレートの作製と組成変調InGaN量子井戸の有機金属気相成長

田辺 凌, 吉田 新, 安田悠馬, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16

GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスの効率評価

横山尚生, 村田知駿, 本田啓人, 市川修平, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16

AlN微小二重共振器型面発光DUV第二高調波発生デバイスの検討

南部誠明, 矢野岳人, 永田拓実, 田辺 凌, 梅田颯志, 市川修平, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16

230 nm深紫外光発生に向けた2層極性反転AlN導波路の設計と作製

本田啓人, 永田拓実, 市川修平, 藤原康文, 正直花奈子, 三宅秀人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16

広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの作製

永田拓実, 梅田颯志, 隈部岳瑠, 安藤悠人, 出来真斗, 本田善央, 天野 浩, トーマスポージン, 山田和輝, 岩谷素顕, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16

InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザ

樋口晃大, 松下就哉, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16

Novel wavelength converters made of nitride semiconductors: transverse QPM waveguides and monolithic microcavities

R. Katayama, M. Uemukai, T. Tanikawa

SPIE Photonics West: Conference 11686 -Gallium Nitride Materials and Devices XVI-　2021/03/03

Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mapping

T. Tanikawa, M. Tsukakoshi, M. Uemukai, R. Katayama

SPIE Photonics West: Conference 11686 -Gallium Nitride Materials and Devices XVI-　2021/03/03

Novel Method of Short-Wavelength Emission from Polarity-Inverted Nitride Semiconductor Waveguides

R. Katayama, M. Uemukai, T. Tanikawa

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/01

Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging

M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/01

Core structure of threading dislocations in GaN

T. Kiguchi, Y. Kodama, Y. Hayasaka, T. Tanikawa, T. J. Konno

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/01

多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察

谷川智之

新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会（Zoom）　2021/02/24

窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御

片山竜二

新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会（Zoom）　2021/01/13

ワイドギャップ窒化物半導体波長変換デバイスによる紫外光発生

片山 竜二, 上向井 正弘, 谷川 智之

応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会 紫外材料 ・デバイス開発の最前線 ～物性の理解 とデバイス開発～　2020/11/18

Design of GaN Waveguide Microcavity Device for Broadband Photon Pair Generation

T. Nagata, S. Umeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/08

Design of Waveguide Directional Coupler for Electric-Field Driven GaN Mach-Zehnder Interferometer

Y. Hisada, A. Tomibayashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/08

Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging

M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/08

Design of Ttransverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Second Harmonic Generation

H. Honda, N. Yokoyama, A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/08

First Demonstration of Tunable Single-Mode InGaN Laser with Periodically Slotted Structure

A. Higuchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/08

Role of Low-Temperature Buffer Layer and GaN Flattening Layer on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Lattice-Matched InGaN on ScAlMgO4

S. Yoshida, N. Ryoki, K. Miyano, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/08

Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electrically-Tunable Waveguide Phase Shifter

A. Tomibayashi, Y. Hisada, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/08

Design and Fabrication of AlN Waveguide Microcavity SHG Device

S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/08

Annealed Proton-Exchanged Waveguide with Large Mode Size in Quasi-Phase-Matched MgO:SLT for High Power Second Harmonic Generation

R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/07

Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation using Polarity-Inverted GaN Channel Waveguide with Input Grating Coupler

T. Murata, N. Yokoyama, T. Komatsu, Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/07

Fabrication of GaN Polarity-Inverted Structure by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching and Surface Activated Bonding

N. Yokoyama, R. Tanabe, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/07

Epitaxial Growth of InGaN Thin Film with High InN Molar Fraction by Pulsed DC Sputtering

Y. Onishi, H. Miura, N. Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

第39回電子材料シンポジウム　2020/10/07

グレーティング結合器集積GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイス

横山尚生, 森岡佳紀, 森川隆哉, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/10

周期的スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ

樋口晃大, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/10

量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計

矢野岳人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/09

ワイドギャップ半導体の分極制御と量子光学応用：遠UVC全固体光源

片山竜二, 上向井正裕, 谷川智之

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/09

多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶の貫通転位の観察と分類 (2)

塚越真悠子, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/08

高出力第二高調波発生に向けたMgO:SLT擬似位相整合アニールプロトン交換導波路

野呂諒介, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/08

多光子励起フォトルミネッセンス測定における 集光スポットサイズを考慮した GaN結晶中の貫通転位の判別

塚越真悠子, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」　2020/07/31

多光子励起PL三次元測定によるGaN基板中の転位の判別

谷川智之, 塚越真悠子, 上向井正裕, 片山竜二

ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第118回研究会「最先端評価技術を用いたワイドギャップ半導体結晶中の転位評価」　2020/07/03

Fabrication of Annealed ProtonExchanged Waveguide in PeriodicallyPoled MgO:s-LiTaO3 for High Power Second Harmonic Generation

R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

9th Advanced Lasers and Photon Sources Conference (ALPS2020)　2020/04/23

Fabrication process of InGaN high-order deeply etched DBR laser

A. Higuchi, D. Tazuke, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)　2020/04/21

Design of AlN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device

S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)　2020/04/21

Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN films maintaining surface flatness for surface activated bonding

N. Yokoyama, R. Tanabe, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)　2020/04/21

Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescence

M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama

8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)　2020/04/21

GaN縦型p-nダイオードにおける2光子吸収光電流の測定

川崎晟也, 安藤悠人, 田中敦之, 塚越真悠子, 谷川智之, 出来真斗, 久志本真希, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/15

AlN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計

梅田颯志, 永田拓実, 彦坂年輝, 布上真也, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/15

表面活性化接合に必要な表面平坦性を維持するGaNのエッチング

横山尚生, 田辺凌, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/14

横型擬似位相整合 GaN 導波路型波長変換デバイスの開発

小松天太, 彦坂年輝, 布上真也, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/13

高出力第二高調波発生に向けた周期分極反転MgO:s-LiTaO3アニールプロトン交換導波路の作製

野呂諒介, 岡﨑雅英, 溝端一国雄, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12

多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類

塚越真悠子, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12

ワイドギャップ材料における貫通転位と量子井戸構造の解析

木口賢紀, 兒玉裕美子, 白石貴久, 今野豊彦, 谷川智之

大阪大学ナノテクノロジー設備供用拠点 微細構造解析プラットフォーム 2019 年度 第 2 回地域セミナー デバイス開発に資する微細構造解析 - 次世代エレクトロニクスを支える先端デバイス開発を目指して -　2020/01/16

量子光応用に向けた酸化物・窒化物ハイブリッド半導体ヘテロ構造の実現

小島一信, 窪谷茂幸, 谷川智之, 片山竜二

東北大学 若手アンサンブルP・リコレクションシンポジウム　2019/12/18

多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察

谷川智之

科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第５回領域全体会議（金沢商工会議所会館）　2019/11/28

窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御

片山竜二

科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第５回領域全体会議（金沢商工会議所会館）　2019/11/27

窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御

片山竜二

科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第４回領域全体会議（金沢商工会議所会館）　2019/11/20

Development of GaN Waveguide Wavelength Filter for Quantum Optical Application

T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa, R Katayama

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019/11/12

Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphotonexcitation photoluminescence

T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019/11/12

Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide

A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Syojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019/11/12

Bonding Strength of Polarity-Inverted GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding

R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019/11/11

Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device

T. Nagata, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, R. Katayama

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019/11/11

Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor

Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa

Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan October 18th, 2019 (Mie University, Japan)　2019/10/18

GaN Waveguide Directional Coupler and Wavelength Filter for Quantum Optical Application

M. Maeda, T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019/10/11

Input Focusing Grating Coupler for Deep UV AlN Waveguide SHG Device

Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, R. Katayama

第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019/10/11

Bonding Strength Optimization of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding

N. Yokoyama, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019/10/11

Fabrication of Periodically-Poled Structure in MgO:s-LiTaO3 by Voltage Application with SiO2 Insulation Layer

R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019/10/10

Design of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device

S. Umeda, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019/10/10

Raman Scattering Evaluation of Strain Evolution During Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate

R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano, T. Tanikawa, R. Katayama

第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019/10/10

Pulsed DC sputtering growth of Mg-doped GaN thin film

Y. Onishi, S. Imai, H. Miura, N. Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama

第38回電子材料シンポジウム (EMS-38)　2019/10/10

Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device

Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, R. Katayama

7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019)　2019/09/25

InGaN Laser Pumped Nitride Semiconductor Transverse Quasi-Phase-Matched Waveguide Second Harmonic Generation Devices

M. Uemukai, S. Yamaguchi, A. Yamauchi, D. Tazuke, A. Higuchi, R. Tanabe, T. Tanikawa, T. Hikosaka, S. Nunoue, Y. Hayashi, H. Miyake, Y. Fujiwara, R. Katayama

7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019)　2019/09/24

多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 秩父重英, 田中敦之, 本田善央, 天野 浩, 上向井正裕, 片山竜二

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 秩父重英, 田中敦之, 本田善央, 天野 浩, 上向井正裕, 片山竜二

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の2次元評価

塩島謙次, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

GaN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計と試作

永田拓実, 上向井正裕, 彦坂年輝, 布上真也, 森川隆哉, 藤原康文, 谷川智之, 片山竜二

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

2層極性反転積層AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計

山内あさひ, 小松天太, 池田和久, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 彦坂年輝, 布上真也, 森川隆哉, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証

山内あさひ, 山口修平, 小野寺卓也, 林 侑介, 三宅秀人, 彦坂年輝, 布上真也, 塩見圭史, 藤原康文, 芹田和則, 川山 巌, 斗内政吉, 上向井正裕, 片山竜二

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器

森岡佳紀, 上向井正裕, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 森川隆哉, 藤原康文, 谷川智之, 片山竜二

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

量子光学応用のためのGaN導波路型波長フィルタの開発

小松天太, 紀平将史, 上向井正裕, 谷川智之, 彦坂年輝, 布上真也, 片山竜二

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

[優秀論文賞受賞記念講演] Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence

谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

表面活性化接合により作製したGaN分極反転積層構造の接合強度評価

田辺 凌, 横山尚生, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

多光子励起フォトルミネッセンスによる格子不整合系逆成長InGaAs単一接合太陽電池のバッファ層内における転位の観察 (II)

小倉暁雄, 谷川智之, 高本達也, 大島隆治, 菅谷武芳, 今泉 充

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/18

ワイドギャップ半導体を用いた新規波長変換デバイスの開発 －極性反転導波路と微小共振器－

片山竜二, 上向井正裕, 谷川智之

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/18

Multiphoton-Excitation Photoluminescence: Novel Nondestructive Deffect Characterization Technology

T. Tanikawa, T. Matsuoka

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19) and the 19th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-19)　2019/08/01

Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence

A. Ogura, T. Tanikawa, T. Takamoto, R. Oshima, H. Suzuki, M. Imaizumi, T. Sugaya

46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 46)　2019/06/17

多光子顕微鏡によるGaN結晶中の転位伝搬評価

谷川智之, 松岡隆志

第145委員会，第161委員会 合同研究会 「窒化物半導体における欠陥低減技術の進展と評価技術の最前線」　2019/05/08

First Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Pedestal Structure

M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa, R. Katayama

The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and their Industrial Applications (LEDIA'19)　2019/04/25

多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察

谷川智之

科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第４回領域全体会議（金沢商工会議所会館）　2019/04/19

Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor

Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa

Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan October 18th, 2019 (Mie University, Japan)　2019/03/18

多光⼦励起フォトルミネッセンスによる格⼦不整合系逆成⻑InGaAs単 ⼀接合太陽電池のバッファ層内における転位の観察

⼩倉 暁雄, ⾕川 智之, ⾼本 達也, ⼤島 隆治, 菅⾕ 武芳, 今泉 充

第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/11

Si台座構造上GaNモノリシック微⼩⼆重共振器型第⼆⾼調波発⽣デ バイスの作製

南部誠明, 永⽥拓実, 塩⾒圭史, 藤原康⽂, ⼤⻄⼀⽣, ⾕川智之, 上向井正裕, ⽚⼭⻯⼆

第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/10

多光子励起PLマッピングによるGaN系特異構造の3次元マッピング

谷川智之, 松岡隆志

第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/09

Three-dimensional characterization of GaN crystals using multiphoton-excitation photoluminescence

T. Tanikawa, T. Matsuoka

Photonics West 2019　2019/02/05

Reverse-bias-induced virtual gate phenomenon in N-polar GaN HEMTs

T. Suemitsu, Kiattiwut Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

2018 MRS Fall Meeting　2018/11/25

Novel Characterization Technique of Threading Dislocations in GaN Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

T. Tanikawa, T. Matsuoka

4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)　2018/11/20

Evaluation of deep levels in N-polar GaN epitaxial layers by photo-current DLTS: An approach to reveal the self-compensation effect of Mg doping in p-type GaN

H. Okamoto, H. Suzuki, R. Nonoda, T. Tanikawa

4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)　2018/11/20

Reuse of ScAlMgO4 Substrates Utilized for Halide Vapor Phase Epitaxy of GaN

K. Ohnishi, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018/11/15

Defect structure analysis of N-polar InGaN/GaN quantum-well structure

T. Kiguchi, Y. Kodama, T. Shiraishi, T. J. Konno, T. Tanikawa

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018/11/15

Three-Dimensional and Non-Destructive Investigation of Relation between Reverse Leakage Current and Threading Dislocation in Vertical GaN Schottky Barrier Diodes

T. Fujita, T. Tanikawa, H. Fukushima, S. Usami, A. Tanaka, T. Suemitsu, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018/11/14

Challenge to MOVPE growth of N-polar InAlN film with high InN mole fraction

S. Kuboya, K. Omura, T. Tanikawa, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018/11/13

Nondestructive analysis of threading dislocations in HVPE-grown GaN crystals using multiphoton-excitation photoluminescence

T. Tanikawa, T. Yoshida, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018/11/13

多光子励起フォトルミネッセンスによるHVPE成長GaN結晶の貫通転位と成長形態の非破壊観察

谷川智之, 松岡隆志

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）　2018/11/01

InGaN/GaNヘテロ構造のRF-MBE成長における格子緩和過程のその場観察：格子極性の影響

谷川智之, 山口智広, 藤川誠司, 佐々木拓生, 高橋正光, 松岡隆志

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）　2018/11/01

MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長

松岡隆志, 谷川智之, 窪谷茂幸

第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）　2018/10/31

多光子励起過程を用いたGaN結晶の三次元蛍光イメージング

谷川智之, 松岡隆志

第37回電子材料シンポジウム　2018/10/10

多光子励起顕微鏡を用いたHVPE成長GaN結晶の貫通転位と成長形態の非破壊観察

谷川智之, 松岡隆志

日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム『紫外発光デバイスの最前線と将来展望』　2018/09/27

窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果

末光哲也, Prasertsuk Kiattiwut, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/21

トップダウンナノテクノロジーで作製したIn0.3Ga0.7Nナノディスクにおける光励起キャリアの熱励起

陳 亜鳳, 木場隆之, 高山純一, 肥後昭男, 谷川智之, 寒川誠二, 村山明宏

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/20

MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開

松岡隆志, 窪谷茂幸, 谷川智之, 加納聖也

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/20

GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/09/20

N極性InGaN/GaN量子井戸構造における構造の不均一性

木口賢紀, 白石貴久, 兒玉裕美子, 今野豊彦, 谷川智之

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/18

GaN結晶の多光子励起PL画像からの転位の3次元配置に関する数値情報抽出

沓掛健太朗, 谷川智之, 松岡隆志, 井上憲一

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/18

多光子励起フォトルミネッセンスによるHVPE成長GaNの選択成長過程と転位の伝搬の観察

谷川智之, 吉田丈洋, 松岡隆志

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/18

Characterization of Threading Dislocations in Thick GaN Films Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

T. Tanikawa, K. Ohnishi, T. Fujita, T. Matsuoka

International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018/08/09

High-temperature carrier dynamics responsible for a non-radiative process in InGaN nanodisks fabricated by top-down nanotechnology

Y. Chen, T. Kiba, J. Takayama, A. Higo, T. Tanikawa, S. Samukawa, A. Murayama

12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018)　2018/07/10

Growth of Indium-Including Nitride Semiconductors

T. Matsuoka, S. Kuboya, T. Tanikawa

The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)　2018/06/07

Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN

T. Tanikawa, T. Fujita, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Matsuoka

The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)　2018/06/07

Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

Compound Semiconductor Week 2018　2018/06/01

Nondestructive Analysis of Threading Dislocations in GaN by Multiphoton Excitation Photoluminescence

T. Tanikawa, T. Matsuoka

The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18)　2018/04/27

多光子励起フォトルミネッセンス測定によるGaN結晶中の貫通転位の種別判定

谷川智之, 吉田丈洋, 松岡隆志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/19

電子顕微鏡によるワイドギャップ材料のマルチスケール欠陥評価

木口賢紀, 白石貴久, 今野豊彦, 谷川智之

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/19

HVPE法による（000-1）面GaN基板上へのGaN厚膜成長

加納聖也, 谷川智之, 松岡隆志, 向井孝志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/18

GaN成長に用いたScAlMgO4基板の再利用

大西一生, 窪谷茂幸, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17

多光子励起フォトルミネッセンスによるワイドギャップ半導体の三次元イメージング

谷川智之, 松岡隆志

応用物理学会 第１３回励起ナノプロセス研究会　2018/01/21

ScAlMgO4基板上InGaN/GaN多重量子井戸構造の内部量子効率

萩原千拡, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 松岡隆志

第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017/11/29

多光子励起フォトルミネッセンス法によるGaNの三次元光物性評価

谷川智之, 松岡隆志

第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017/11/29

有機金属気相成長法によるN極性InGaNチャンネルHEMT構造の作製

田中真二, プラスラットスック, キャッティウット, 木村健司, 谷川智之, 末光哲也, 松岡隆志

第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017/11/29

N極性GaNHEMTの結晶成長と貫通転位の三次元イメージング

谷川智之, 松岡隆志

応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 研究集会 テーマ 「窒化物半導体パワーデバイスの研究動向」　2017/11/16

Improvement of heterointerface abruptness in N-polar InGaN/AlGaN/GaN heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy

S. Tanaka, K. Prasertsuk, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Suemitsu, T. Matsuoka

第36回電子材料シンポジウム　2017/11/10

Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in Thick GaN Films by Two-Photon-Excitation Photoluminescence

T. Tanikawa, K. Ohnishi, T. Matsuoka

第36回電子材料シンポジウム　2017/11/10

Internal quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on ScAlMgO4 substrate

C. Hagiwara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

第36回電子材料シンポジウム　2017/11/09

多光子励起フォトルミネッセンス法を用いたGaN結晶中の転位解析

谷川智之, 松岡隆志

ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 平成29年度特別事業企画 委員会100回記念特別公開シンポジウム 『ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望』〜パワー半導体を中心として〜　2017/10/26

N-polar GaN MIS-HEMTs on Small Off-cut Sapphire Substrate for Flat Interface

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 平成29年度特別事業企画 委員会100回記念特別公開シンポジウム 『ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望』〜パワー半導体を中心として〜　2017/10/26

Three-dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN crystals by Multiphoton-Excitation Photoluminescence

T. Tanikawa, K. Ohnishi, T. Matsuoka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017)　2017/10/01

Reduction of Impurity Incorporation into MOVPE-grown GaN films on ScAlMgO4 Substrate

T. Iwabuchi, S. Kuboya, C. Hagiwara, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Fukuda, T. Matsuoka

The 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)　2017/09/20

Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

第78回 応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/07

多光子励起PL法によるGaN結晶の貫通転位の三次元イメージング

谷川智之, 大西一生, 松岡隆志

第78回 応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/07

N極性MgドープGaNの光電流DLTS評価

鈴木 秀明, 寺島勝哉, 及川峻梧, 野々田亮平, 谷川智之, 松岡隆志, 岡本 浩

第78回 応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/06

二光子励起フォトルミネッセンスを用いて観測したGaN中の貫通転位の伝搬特性

谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

第78回 応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/06

N極性n型GaN上Niショットキー特性に対するアニール効果の評価

寺島勝哉, 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 松岡隆志, 岡本 浩

平成29年度電気関係学会東北支部連合大会　2017/08/24

Propagation and reduction of dislocation in ELO-grown GaN layer

T. Matsubara, K. Yukizane, T. Ezaki, S. Fujimoto, T. Tanikawa, R. Inomoto, N. Okada, K. Tadatomo

29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017)　2017/08/01

Biexciton emission from single quantum-confined structures in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells

K. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi, H. Akiyama, K. Shojiki, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017/07/26

Three-dimensional analysis of threading dislocation in HVPE-grown GaN using two-photon-excitation photoluminescence spectroscopy

T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Mukai, T. Matsuoka

The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017/07/26

Evaluation of stacking faults free semipolar {11-22} GaN substrate grown by Na-flux point seed technique

N. Okada, Y. Ikeuchi, N. Morishita, T. Matsubara, T. Tanikawa, K. DoHun, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Tadatomo

The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017/07/25

Hydride Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN Layers on ScAlMgO4 Substrates and their Free-Standing by Self-Separation

K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Mukai, T. Matsuoka

The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017/07/25

多光子励起フォトルミネッセンスによるGaNの内部欠陥の三次元観察

谷川智之, 大西一生, 藤田達也, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2017/07/14

多光子顕微鏡を用いたワイドギャップ半導体結晶の三次元構造解析

谷川智之

第３回 東北大学若手研究者アンサンブルワークショップ　2017/07/03

GaNのMOVPE成長用ScAlMgO4基板の裏面保護膜に関する研究

岩渕拓也, 窪谷茂幸, 萩原千拡, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

N極性InAlN薄膜の有機金属気相成長とそのXPS分析

窪谷茂幸, 大村和世, 谷川智之, 松岡隆志

第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

Growth of InGaN films on ZnO substrates via AlN protection layers by metalorranic vapor phase epitaxy

J. Yoo, R. Katayama, S. Kunoya, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Matsuoka

第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

ScAlMg4の剥離特性を生かしたGaN自立基板の作製

大西一生, 加納聖也, 谷川智之, 窪谷茂幸, 向井孝志, 松岡隆志

第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

二光子励起フォトルミネッセンス法を用いたGaNエピタキシャル膜中の貫通転位の三次元解析

谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

電子情報通信学会　2017/05/26

N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on sapphire substrates with small off-cut for flat interface by MOVPE

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimuram, T. Suemitsu, T. Matsuoka

Compound Semiconductor Week 2017　2017/05/15

InGaN growth on AlN protection layer deposited ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

J. Yoo, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center　2017/03/21

Reduction of gate leakage current in N-polar GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center　2017/03/21

二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価

谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

ハイドライド気相成長法によるScAlMgO4基板上へのGaN厚膜成長と自己剥離プロセス

大西一生, 加納聖也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 向井孝志, 松岡隆志

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減

プラスラットスック, キャッティウット, 三浦輝紀, 田中真二, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 末光哲也, 松岡隆志

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Inverted HEMT Structures and Their Electrical Properties

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor (IDGN-3)　2017/01/16

Novel Approach to Fabrication of Free-standing GaN Wafer for Transistors Enabling Energy Saving

T. Matsuoka, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Fukuda

10th Intern. Conf. on Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10)　2016/10/16

Control of Impurity Concentration of Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)　2016/10/02

Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)　2016/10/02

Ga-polar GaN Film Grown by MOVPE on Cleaved ScAlMgO4 (0001) Substrate with Nillimeter-scale Wide Terraces

T. Hanada, T. Iwabuchi, S. Kuboya, H. Tajiri, K. Inaba, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting　2016/09/19

N 極性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法依存性

寺島 勝哉, 野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 松岡 隆志, 鈴木 秀明, 岡本 浩

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13

NH3雰囲気で熱処理した ScAlMgO4のラマン分光評価

山村 和也, 蓮池 紀幸, 播磨 弘, 福田 承生, 窪谷 茂幸, 谷川 智之, 花田 貴, 松岡 隆志

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13

Ni/N 極性 p-GaN ショットキー電極界面の電流-電圧特性の温度依存性

青木俊周, 谷川智之, 松岡隆志, 塩島謙次

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13

Polarity in the Growth of Nitride Semiconductors

T. Matsuoka, T. Kimura, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Suemitsu

Collaborative Conf. on Crystal Growth (EMN 3CG)　2016/09/04

Localized emission from quantum-dot-like InGaN islands formed in N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells

T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

第３５回電子材料シンポジウム　2016/07/06

Dependence of group-III source ratio on photoluminescence of N-polar (000-1) InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

第３５回電子材料シンポジウム　2016/07/06

Phonon mode assignments of ScAlMgO4 single crystal by polarized Raman scattering spectroscopy

K. Yamamura, N. Hasuike, H. Harima, T. Fukuda, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

第３５回電子材料シンポジウム　2016/07/06

MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface

K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

Compound Semiconductor Week 2016　2016/06/26

Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications（LEDIA’16)　2016/05/18

N極性InGaN/GaN量子井戸の微視的構造・光学特性

谷川智之, 正直花奈子, 野々田亮平, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 高宮健吾, 矢口裕之, 秋山英文

第８回窒化物半導体結晶成長講演会　2016/05/09

N 極性(000–1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性

野々田 亮平, 谷川 智之, 正直 花奈子, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志

第８回窒化物半導体結晶成長講演会　2016/05/09

N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

谷川 智之, 正直 花奈子, 片山 竜二, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

ScAlMgO4 基板上GaN の不純物混入の抑制

矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

InGaN Quantum Nanodisks by Fusion of Bio-nano-template and Neutral Beam Etching processes

A. Higo, C. Thomas, C. Y. Lee, T. Kiba, S. Chen, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Shojiki, I. Yamashita, A. Murayama, S. Samukawa

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metal-organic vapor phase epitaxy

J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016/03/18

Two-dimensional electron gas in N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy

K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016/03/18

Electrical properties of GaN films on ScAlMgO4 substrates grown by MOVPE

T. Iwabuchi, H. Yahara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016/03/18

InGaN/GaN太陽電池の格子極性と発電特性

谷川智之, 川島静人, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

第７回薄膜太陽電池セミナー　2016/03/13

N極性(000-1)窒化物半導体混晶InGaNの結晶成長表面と発光素子応用

正直花奈子, 高宮健吾, 谷川智之, 花田貴, 野々田良平, 窪谷茂幸, 秋山英文, 矢口裕之, 片山竜二, 松岡隆志

平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会　2016/03/09

N極性(000-1)p型GaNのMOVPE成長における原料供給比の正孔濃度への影響

野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

第70回東北支部学術講演会　2015/12/03

ScAlMgO4基板上SiドープGaNの電気伝導特性評価

矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田 貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

第70回東北支部学術講演会　2015/12/03

Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by MOVPE

R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015/11/08

Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by changing substrate off-cut-angle direction

K. Shojiki, T. Hanada, T. Tanikawa, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015/11/08

Polarity control of GaN grown on PLD-AlN/GaN templates by MOVPE

J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015/11/08

Microscopic structure of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes

K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015/11/08

Large Stokes shift in N-polar (0001) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes

T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, S. Kuboya, T. Matsuoka

The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015/11/08

Direct measurement of polarization-induced electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes

T. Tanikawa, R. Katayama, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Matsuoka

6th RIEC-RIE Meeting on Research Collaboration in Photonics　2015/10/26

−c 面 InGaN/GaN 量子井戸の MOVPE 成長における相純度制御

片山竜二, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志, 矢口裕之, 尾鍋研太郎

第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）　2015/10/19

Electrical Characteristics of N-polar p-type GaN Schottky Contacts

T. Aoki, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Shiojima

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)　2015/09/28

変調分光法によるInGaN/GaN LEDの内部電界の観測

谷川 智之, 片山 竜二, 正直 花奈子, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志, 本田 善央, 天野 浩

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/17

サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製

正直 花奈子, 崔 正焄, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/17

MOVPE成長N極性(000-1)p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響

野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志

第76回 応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/13

Two-Dimensional Electron Gas in N-polar GaN/AlGaN/GaN Heterostructures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, F. Hemmi, S. Kuboya, T. Suemitsu, R. Katayama, T. Matsuoka

2nd 2015 Tohoku Univ.-MIT Student Meeting on Research Collaboration in Photonics and Electronics　2015/08/27

N極性p形ショットキー接触の電気的特性の評価

青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志, 塩島謙次

電子情報通信学会　2015/07/24

Polarity-controlled MOVPE growth of GaN on PLD-AlN templates

J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

第３４回電子材料シンポジウム　2015/07/15

Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation

Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

第３４回電子材料シンポジウム　2015/07/15

Effects of V/III source ratio on the hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by MOVPE

R.Nonoda, K.Shojiki, T.Tanikawa, S.Kuboya, R.Katayama, T.Matsuoka

第３４回電子材料シンポジウム　2015/07/15

Surface energy and facet formation in InN films grown by pressurized-reactor MOVPE

A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto

第３４回電子材料シンポジウム　2015/07/15

Possibility of N-Polarity in Applications for GaN-based Devices

T. Matsuoka, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama

the Compound Semiconductor Week 2015, the common venue for the 42nd Intern. Symp. on Comp. Semicond. and the 27th Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat.　2015/06/28

窒化物半導体の窒素極性面成長におけるin situ表面反射率測定

谷川智之, 逢坂崇, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 三宅秀人

CVD反応分科会主催 第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解（ノーベル賞受賞記念）」　2015/05/22

N極性(000-1)GaNの選択MOVPE成長における横方向成長の促進

谷川智之, 逢坂崇, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 三宅秀人

第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015/05/07

MOVPE成長N極性(000-1)p型GaNの正孔濃度に与えるV/III原料比の影響

野々田良平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015/05/07

Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates

J. H. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015/05/07

横型擬似位相整合AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計

三谷悠貴, 片山竜二, 劉陳燁, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志

第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015/05/07

３C-SiC/Si基板上InGaN/GaN縦型発光ダイオード

谷川智之, 生川満久, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 川村啓介

第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015/05/07

MOVPE成長したScAlMgO4基板上GaNの構造特性

岩渕拓也, 窪谷茂幸, 矢原弘崇, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

第７回窒化物半導体結晶成長講演会　2015/05/07

N極性GaN系光デバイスの作製と分極電界の直接観測

谷川智之

～国際光年記念式典～国際光年記念シンポジウム　2015/04/22

±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究

岡田 俊祐, 三宅 秀人, 平松 和政, 逢坂 崇, 谷川 智之, 松岡 隆志

第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価

青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志, 塩島謙次

第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

MOVPE成長N極性(0001)InGaN多重量子井戸構造と発光ダイオードの構造・光学特性

正直 花奈子, 崔 正焄, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志

第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

N極性(0001)GaNのMOVPE選択成長における貫通転位密度の低減

逢坂 崇, 谷川 智之, 木村 健司, 正直 花奈子, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 三宅 秀人

第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

オール窒化物半導体による白色LEDの開発に向けて

松岡隆志, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二

日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 EL分科会第46回研究会　2015/02/04

N 極性(000-1)GaN のMOVPE 選択成長における結晶形態変化

逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

第69回 東北支部学術講演会　2014/12/04

MOVPE 法による可視光全域波長の発光を有するN 極性(000-1)InGaN 発光ダイオードの作製

正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

第69回 東北支部学術講演会　2014/12/04

N-polar Solar Cells in Nitride Semiconductors with Potential of High Efficiency

T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Matsuoka

The 6th World Conferenceon Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)　2014/11/23

Crystallographic Polarity in Nitride Semicondcutors

T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

2014 Intern.Symp. Crystal Growth and Crystal Technol　2014/11/12

N極性(000-1)InGaN/GaN多重量子井戸構造のMOVPE成長と発光ダイオード作製

正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）　2014/11/06

Control of GaN growth orientation by MOVPE

T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano

2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)　2014/10/29

Overview on Crystallographic Polarization

T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)　2014/10/29

Modulation Spectroscopic Investigation on Internal Electric Fields in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes

T. Tanikawa, R. Katayama, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014/08/24

Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique

R. Katayama, N. Yoshinogawa, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014/08/24

Emission Wavelength Extension of Light Emitting Diode Using MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN

K. Shojiki, J.H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014/08/24

MOVPE Growth of GaN on ScAlMgO4 Substrate

T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T. Fukuda, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014/08/24

Crystallographic Polarity in Nitride Semiconductors and its Device Applications

T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, R. Katayama

4th RIEC-RLE Meeting　2014/08/24

N 極性面(000-1)InGaN による発光ダイオードの長発光波長化

正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

第6回窒化物半導体研究会　2014/07/25

様々な極性面GaN上へのInGaNの結晶成長

谷川智之, 正直花奈子, Jung-Hun Choi, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 久志本真希, 本田善央, 天野浩

第6回窒化物半導体研究会　2014/07/25

ZnAl2O4 interlayer for suppressing impurity out-diffusion in HVPE growth of GaN on ZnO substrate

J. Yoo, J. Chang, J. Lee, S. Choi, H. Lee, S. Kim, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

MOVPE growth of GaN on ScAlMgO4 Substrates

T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T.Fukuda, T. Matsuoka

第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

Investigation of surface morphology of -c GaN crystals grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy

T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

Suppression of metastable-phase inclusion in MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells

K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

Fabrication of red, green, and blue light emitting diodes using MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN on sapphire substrate

K. Shojiki, J. H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

Stimulated emission properties of semipolar (1-101) InGaN micro cavity structure on patterned (001) Si substrate

M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, H. Amano

第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

Investigation of modal dispersion in nonlinear optical TiOx/GaN waveguide by m-line spectroscopy

N. Yoshinogawa, R. Katayama, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

窒化物半導体において高効率を望める 窒素極性太陽電池

谷川智之, 崔正焄, 正直花奈子, 片山竜二, 松岡隆志

第 11回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2014/07/03

Realization of p-Type Conduction in Mg-Doped N-Polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)　2014/07/01

Suppression of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)　2014/04/22

Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN

T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

8th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2014/04/22

MOVPE成長 －c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

ScAlMgO4基板上におけるGaNのMOVPE成長

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

c面ScAlMgO4基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

c面Al2O3基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire

N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

8th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2014/03/05

Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown –c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists　2014/03/05

MOVPE成長 –c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

第68回東北支部学術講演会　2013/12/05

Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown –c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists　2013/11/21

Progress in Research on InN for D-WDM Systems

T. Matsuoka, T. Kimura, T. Iwabuchi, T. Hanada, T. Tanikawa, R. Katayama

Resarch Institute of Electronic Communication- Research Laboratory of Electronics (RIEC-RLE) Meeting in Boston　2013/09/30

ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察

第74回応用物理学会学術講演会　2013/09/16

The improvement of N-polar GaN surface during MOVPE growth with indium surfactant

2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN

2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

Enhancement of Surface Migration by Mg Doping in the Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of (000-1) GaN/sapphire

2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide

2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

Anisotropic Optical Properties of Semipolar (1-101) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on a Patterned Si Substrate

2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

Influence of Mg-Doping on the Surface Morphology of (000-1) GaN/Sapphire Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013/08/25

Evaluation and Solution of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-grown −c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013/08/25

Light Emission Polarization Properties of (1-101) InGaN/GaN MQWs with Cavity Structure on Patterned Si Substrate

10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013/08/25

Optical properties of semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum wells with cavity structure on patterned Si (001) substrate

EDISON18 : The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures　2013/07/22

Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire

第32回電子材料シンポジウム　2013/07/10

Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN

第32回電子材料シンポジウム　2013/07/10

Observation of Phase Separation on m-plane InGaN Films with Micro-vicinal surface by Micro-beam XRD

第32回電子材料シンポジウム　2013/07/10

Stimulated emission by photo excitation in (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well with cavity structure on a patterned Si substrate

第32回電子材料シンポジウム　2013/07/10

Lattice-matching Substrates to InGaAlN and its Epitaxial Growth

2nd International Symposium on Single Crystals and Wafers　2013/06/25

窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用

第５回 窒化物半導体結晶成長講演会　2013/06/21

Crystal growth of InGaN on GaN/Sapphire template by high pressure MOVPE

The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)　2013/05/19

Improvement of Surface Morphology in (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE with Indium Surfactant

The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)　2013/05/19

発光材料としての窒化物半導体の役割

第三回先端フォトニクスシンポジウム　2013/04/26

MOVPE法による窒素極性面InxGa1-xNの結晶成長とデバイス応用

第三回先端フォトニクスシンポジウム　2013/04/26

Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant

Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA '13)　2013/04/23

MOVPE 成長N 極性InGaN におけるIn 組成のc 面サファイア基板微傾斜角依存性

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27

(000-1)GaNのMOVPE成長におけるステップフロー成長の促進

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27

サファイア基板上GaN薄膜のMOVPE成長挙動の格子極性依存性

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27

Effect of N-polar Growth in In-incorporation into Nitride Semiconductors

2nd IMR & KMU Joint Workshop　2013/02/18

Fabrication of semipolar/nonpolar GaN on patterned silicon substrate for optical device application

2nd IMR & KMU Joint Workshop　2013/02/18

Comparison of growth behavior in thick InGaN on (000-1) and (0001) GaN/Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy

5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2013)　2013/01/28

Crystal growth of semipolar/nonpolar GaN on patterned silicon substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)　2012/12/11

MOVPE成長(000-1) GaNのステップフロー成長の促進

第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012/12/06

MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性

第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012/12/06

サファイア基板上GaN薄膜の有機金属気相成長初期過程における表面モフォロジーの格子極性依存性

第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012/12/06

(0001)面、(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの表面モフォロジーとIn取り込み

第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012/12/06

Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-incorporation into InGaN Grown by MOVPE

International Conference on Nano Science and Nano Technology (ICNST 2012)　2012/11/08

Growth of GaN on (111) Si substrates via a reactive sputter-deposited AlN intermediate layer

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012/10/14

Comparison of crystalline quality in InGaN grown on (000-1) and (0001)GaN/Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012/10/14

Study of In-composition of faceted InGaN on m-plane GaN substrate using high-resolution microbeam XRD

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012/10/14

Optical polarization properties in semipolar (1–101) InGaN/GaN multiple quantum well on a patterned Si Substrate

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012/10/14

Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012/10/14

InGaN growth on GaN/Sapphire by high pressure MOVPE

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012/10/14

Violet second harmonic generation from polarityinverted GaN waveguides

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012/10/14

(0001)および(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの結晶品質比較

第73回応用物理学会学術講演会　2012/09/11

反応性スパッタリング法によるAlN中間層を用いたSi基板上GaN成長

第73回応用物理学会学術講演会　2012/09/11

加工Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプ結晶の光学利得

第73回応用物理学会学術講演会　2012/09/11

Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide

第31 回 電子材料シンポジウム　2012/07/11

Optical and crystalline properties of InGaN/GaN MQWs on (1-101) GaN

第31 回 電子材料シンポジウム　2012/07/11

Polarization properties in InGaN/GaN multiple quantum well on semipolar (1-101) GaN/Si

第31 回 電子材料シンポジウム　2012/07/11

High pressure InGaN growth by MOVPE

第31 回 電子材料シンポジウム　2012/07/11

AlN/air distributed Bragg reflector using GaN sublimation from micro-cracks of AlN

第31 回 電子材料シンポジウム　2012/07/11

How to improve performance of In-rich InGaN LEDs ?

16th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)　2012/05/20

Fabrication of selective-area AlN/air reflector by GaN sublimation in the growth chamber

16th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)　2012/05/20

Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

信学会電子デバイス(ED)研究会　2012/05/17

加圧 MOVPE による InGaN 結晶成長

第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN２０１２)　2012/04/27

加圧MOVPE法によるInxGa1-xN 結晶成長

第59回 応用物理学関係連合講演会　2012/03/15

GaNの昇華を用いた選択領域AlN/Air反射構造の作製

第59回 応用物理学関係連合講演会　2012/03/15

Reduction of dislocations and residual stress in GaN grown on patterned Si substrate

11th Akasaki Research Center Symposium　2011/12/09

加工Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプの偏光特性

第72回 応用物理学会学術講演会　2011/08/29

AlN/GaN多層膜反射鏡の高反射率化

第72回 応用物理学会学術講演会　2011/08/29

(1-101)GaN/Si 上InGaN 厚膜のMOVPE 成長

第72回 応用物理学会学術講演会　2011/08/29

Strain relaxation in thick (1-101) InGaN grown on GaN/Si substrate

9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)　2011/07/10

In Situ Void Formation Technique Using AlN Shell Structure on GaN Stripes Grown on C-sapphire Substrates

9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)　2011/07/10

Growth of AlInN by raised-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)　2011/07/10

Lattice relaxation in semipolar (1-101)InGaN/GaN on silicon substrates

第30 回 電子材料シンポジウム　2011/06/29

Reduction of residual stress of GaN on Si(111) substrates using void formation techniques

第30 回 電子材料シンポジウム　2011/06/29

加圧MOVPE 法を用いたAlInN の結晶成長

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」　2011/06/17

加圧MOVPE 法によるInGaN/GaN MQW 構造のIn 組成揺らぎの改善

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」　2011/06/17

組成および井戸層厚を変調させたInGaN 擬周期構造に関する研究

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」　2011/06/17

HVPE 成長を用いた微細加工Si 基板上半極性GaN 自立基板の作製

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」　2011/06/17

Internal quantum efficiency of nitride-basedlight emitting devices

5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)　2011/05/22

Reduction of residual stress of GaN on Si(111) substrates using void formation techniques

5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)　2011/05/22

AlGaN系紫外発光素子の通電特性

信学会電子デバイス(ED)研究会　2011/05/19

(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

信学会電子デバイス(ED)研究会　2011/05/19

High temperature MOVPE of AlGaN for UV/DUV devices and increased pressure MOVPE of InGaN for green/yellow devices

E-MRS 2011 Spring Meeting　2011/05/09

IQE and EQE of the nitride-based UV/DUV LEDs

CLEO:2011　2011/05/01

(111)Si 基板上GaN のボイドを用いた残留応力低減

第58回 応用物理学関係連合講演会　2011/03/24

加圧MOVPE 法を用いたAlInN の結晶成長

第58回 応用物理学関係連合講演会　2011/03/24

FTIR Spectra and LVMs in a Carbon Doped (1-101)GaN Grown on a (001)Si Substrate by MOVPE

3nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)　2011/03/06

Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate

SPIE Photonics West　2011/01/22

加圧MOVPE法を用いたInGaN結晶成長

応用物理学会結晶工学分科会主催２０１０年・年末講演会 「エレクトロニクスの将来ビジョン～発展史マップとアカデミックロードマップ～＆若手ポスター発表会」　2010/12/17

マイクロファセットGaNストライプ上へのInGaN選択成長

応用物理学会結晶工学分科会主催２０１０年・年末講演会 「エレクトロニクスの将来ビジョン～発展史マップとアカデミックロードマップ～＆若手ポスター発表会」　2010/12/17

Optical Properties of (1-101) InGaN/GaN MQW Stripe Laser Structure on a Si Substrate

International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)　2010/09/19

Selective MOVPE Growth of InGaN/GaN MQW on Microfacet GaN Stripes

International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)　2010/09/19

加工Si基板上(1-101)GaNの不純物取り込み

第71回 応用物理学会学術講演会　2010/09/14

半極性面GaN ストライプ上InGaN/GaN MQW のMOVPE 選択成長(II)

第71回 応用物理学会学術講演会　2010/09/14

Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプレーザー構造の光学特性

第71回 応用物理学会学術講演会　2010/09/14

Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes

Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)　2010/06/04

加工Si基板上への非極性GaN選択成長

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」　2010/05/14

半極性、非極性GaNストライプ上InGaN/GaN MQWのMOVPE成長

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」　2010/05/14

加工Si 基板上非極性InGaN/GaN MQW のMOVPE 選択成長

第57回 応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

Recent development of nitride-based micro- and nano-rod structure on Si and their application to high performance light emitters

9th International Akasaki Research Center Symposium　2010/03/12

Crystal growth of GaN on etched Si substrate

9th International Akasaki Research Center Symposium　2010/03/12

Dislocation Decrease of Semi-polar GaN on Si Substrate by Selective MOVPE

2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)　2010/03/07

Infrared Reflectance Spectra of (1-101)GaN Grown on a (001)Si Substrate

2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)　2010/03/07

選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製

信学会電子デバイス(ED)研究会　2010/02/22

HVPE Growth of A-Plane GaN on a GaN Template (110)Si Substrate

8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)　2009/10/18

選択MOVPE法を用いたSi基板上(11-22)GaNの転位低減

第70回 応用物理学会学術講演会　2009/09/08

Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission properties under photo-excitation

The 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14)　2009/07/19

HVPE growth of a-plane GaN on GaN template (110) Si substrate

第28 回 電子材料シンポジウム　2009/07/08

GaN/InGaN hetero growth on (1-101) and (11-22) GaN on Si substrate

第28 回 電子材料シンポジウム　2009/07/08

(111)Si上InGaN/GaN ストライプ構造の光学特性 (II)

第56回 応用物理学関係連合講演会　2009/03/30

HVPE法を用いた加工(110)Si基板上(11-20)GaNの厚膜成長

第56回 応用物理学関係連合講演会　2009/03/30

Crystal growth of a-plane GaN on a patterned (110)Si substrate by selective MOVPE

First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma2009)　2009/03/08

Selective Growth of (1-101)GaN on Large Size Si Substrate with SiO2 Mask Deposited by Oblique EB Evaporation

First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma2009)　2009/03/08

Optical properties of InGaN/GaN stripe structure grown on (111)Si

First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma2009)　2009/03/08

Crystal Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate

8th Akasaki Research Center Symposium, To the New Horizon of the Nitride Research　2008/11/20

(111)Si 上InGaN/GaN ストライプ構造の光学特性

第69回 応用物理学会学術講演会　2008/09/02

(110)Si基板を用いた無極性(11-20)GaNの結晶成長

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア―材料潜在能力の極限発現―」公開シンポジウム　2008/08/01

加工Si基板上(1-101)及び(11-22)GaNへのInGaNヘテロ成長

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア―材料潜在能力の極限発現―」公開シンポジウム　2008/08/01

Maskless selective growth of semi-polar (11-22) GaN on Si (113) substrate by metal organic vapor phase epitaxy

Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)　2008/07/06

HVPE growth of semi-polar (11-22)GaN on a GaN template (113)Si substrate

Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)　2008/07/06

Reduction of dislocations in a (11-22)GaN grown by selective MOVPE on (113)Si

Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)　2008/07/06

Growth of Non-polar (11-20)GaN on a patterned (110)Si substrate by selective MOVPE

14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)　2008/06/01

(113)Si 上(11-22)GaN のMOVPE 選択再成長 (II)

第55回 応用物理学関係連合講演会　2008/03/27

(113) 加工Si 基板上への(11-22)GaN のHVPE 成長 (II)

第55回 応用物理学関係連合講演会　2008/03/27

(113)Si基板を用いた半極性(11-22)GaNの選択MOVPE成長

結晶工学分科会 2007年年末講演会「結晶から広がる科学」　2007/12/14

加工シリコン基板上への半極性GaNの選択成長と物性

学振第162委員会研究会　2007/12/01

Growth of Semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si Substrate by Selective MOVPE

34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007)　2007/10/15

シリコン基板上の半極性窒化物半導体選択成長

平成19年度電気関係学会東海支部連合大会「窒化物半導体の新展開」シンポジウム　2007/09/27

Fabrication and Properties of Semi-Polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN MQW Light Emitting Diodes on Patterned Si Substrates

7th International Conference on Nitride Semiconductors　2007/09/16

(11-22)GaNの時間分解分光

第68回 応用物理学関係連合講演会　2007/09/04

(311)加工Si基板上への(11-22)GaNのHVPE成長

第68回 応用物理学関係連合講演会　2007/09/04

Polarity inversion of GaN films by metalorganic vapor epitaxy using an AlN interlayer

T. Tanikawa

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/ The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022)

Design of Transverse Quasi-Phase-Matched Non-Polar/AlN Waveguides for 230-nm Far-UV Second

H. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

2022 MRS Spring Meeting & Exhibit

3D Imaging of β-Ga2O3 Crystal Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

T. Nishikawa, M. Tsukakoshi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

2022 MRS Spring Meeting & Exhibit