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渡部　平司
Watanabe Heiji
渡部　平司
Watanabe Heiji
機関リポジトリ
工学研究科　物理学系専攻，教授
機関リポジトリ

経歴 16

  1. 2020年4月1日 ～ 継続中
    大阪大学 工学研究科 物理学系専攻　教授

  2. 2019年8月 ～ 継続中
    大阪大学大学院工学研究科副研究科長

  3. 2017年4月 ～ 継続中
    大阪大学・栄誉教授

  4. 2014年4月 ～ 継続中
    大阪大学大学院工学研究科執行部（総務室長）

  5. 2022年7月 ～ 2025年3月
    日本学術振興会 学術システム研究センター 主任研究員

  6. 2006年11月1日 ～ 2020年3月31日
    大阪大学 工学研究科 生命先端工学専攻　教授

  7. 2006年11月 ～ 2020年3月
    大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻 教授

  8. 2016年8月 ～ 2018年8月
    大阪大学副理事

  9. 2007年7月 ～ 2013年3月
    大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター長（兼任）

  10. 2004年5月1日 ～ 2006年10月31日
    大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻　助教授

  11. 2004年5月 ～ 2006年10月
    大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻 助教授

  12. 2001年6月 ～ 2004年4月
    日本電気株式会社 シリコンシステム研究所 主任研究員

  13. 2000年7月 ～ 2001年6月
    日本電気株式会社 シリコンシステム研究所 主任

  14. 1998年2月 ～ 2000年7月
    日本電気株式会社 基礎研究所 主任

  15. 1994年2月 ～ 1998年2月
    技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構（JRCAT）

  16. 1990年4月 ～ 1994年2月
    日本電気株式会社 基礎研究所

学歴 2

  1. 大阪大学　工学研究科　精密工学専攻

    ～ 1990年3月

  2. 大阪大学　工学部　精密工学科

    ～ 1988年3月

所属学会 3

  1. 日本表面真空学会

  2. IEEE

  3. 応用物理学会

受賞 16

  1. 第16回（2022年度） 応用物理学会フェロー表彰

    渡部平司　公益社団法人応用物理学会　2022年7月

  2. 第43回（2021年度）応用物理学会 解説論文賞

    木本恒暢, 渡部平司　公益社団法人 応用物理学会　2021年8月

  3. 文部科学大臣表彰（科学技術賞・研究部門）

    渡部平司　文部科学省　2019年4月

  4. 第4回（平成27年度）大阪大学総長顕彰（研究部門)

    渡部 平司　大阪大学　2015年7月

  5. 第3回（平成26年度）大阪大学総長顕彰（研究部門)

    渡部 平司　大阪大学　2014年7月

  6. 平成23年度大阪大学功績賞（研究部門）

    渡部平司　大阪大学　2011年7月

  7. 平成22年度矢崎学術賞（功績賞）

    渡部平司　矢崎科学技術振興記念財団　2011年3月

  8. 第7回日本学士院学術奨励賞

    渡部平司　日本学士院　2011年3月

  9. 第7回日本学術振興会賞

    渡部平司　日本学術振興会　2011年3月

  10. 2008 IWDTF Best Poster Award

    T. Shimura, Y. Okamoto, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe　The Japan Society of Applied Physics, Japan　2008年11月

  11. 第29回応用物理学会論文賞「JJAP論文賞」

    渡部平司　応用物理学会　2007年7月

  12. 第62回 半導体・集積回路技術シンポジウムアワード

    渡部平司　電気化学会　2002年12月

  13. 平成9年度JRCAT賞特賞

    渡部平司, 藤田忍　アトムテクノロジー研究体　1998年11月

  14. 第20回（1998年度）応用物理学会賞（学会賞B：奨励賞）

    渡部平司　応用物理学会　1998年9月

  15. 第1回（1996年 秋季）応用物理学会講演奨励賞

    渡部平司　応用物理学会　1997年3月

  16. 平成７年度JRCAT賞

    藤田忍, 丸野茂光, 渡部平司　アトムテクノロジー研究体　1996年2月

論文 919

  1. Effect of Post‐Deposition Annealing on Atomic Ordered Structure of Gallium Oxide Layer at SiO2/GaN Interface

    Mutsunori Uenuma, Ryota Atsumi, Kentaro Onishi, Hiroto Tomita, Shougo Yamada, Yuya Yamada, Momoko Yoshida, Zexu Sun, Yusuke Hashimoto, Mami N. Fujii, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe, Tomohiro Matsushita, Yukiharu Uraoka

    physica status solidi (b)　p. 2500025-1-2500025-6　2025年6月23日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  2. Design of annealing conditions for the formation of isolated single-photon emitters at SiO2/SiC interfaces

    Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    Journal of Applied Physics　Vol. 137　No. 20　p. 205702-1-205702-7　2025年5月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  3. Insight into the energy level structure and luminescence process of color centers at SiO2/SiC interfaces

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    APL Materials　Vol. 13　No. 2　p. 021119-1-021119-8　2025年2月1日　研究論文（学術雑誌）

  4. GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

    Masahiro Hara, Takuma Kobayashi, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 2　p. 022113-1-022113-6　2025年1月13日　研究論文（学術雑誌）

  5. Comprehensive research on nitrided SiO2/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes

    Heiji WATANABE, Takuma Kobayashi, Hayato Iwamoto, Takato Nakanuma, Hirohisa Hirai, Mitsuru SOMETANI

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 1　p. 010801-1-010801-9　2025年1月13日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  6. Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

    Takuma Kobayashi, Kensei Maeda, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 1　p. 012108-1-012108-4　2025年1月6日　研究論文（学術雑誌）

  7. Gate stress-induced mobility degradation in NO-nitrided SiC(0001) MOSFETs

    Takuma Kobayashi, Kaho Koyanagi, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 125　No. 25　p. 252101-1-252101-5　2024年12月16日　研究論文（学術雑誌）

  8. Impact of post-deposition annealing on SiO2/SiC interfaces formed by plasma nitridation of the SiC surface and SiO2 deposition

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji WATANABE

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 11　p. 116503-1-116503-4　2024年11月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  9. Impacts of post-deposition annealing on hole trap generation at SiO2/p-type GaN MOS interfaces

    Kazuki Tomigahara, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 8　p. 081002-1-081002-4　2024年8月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  10. Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy

    Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 175　p. 108251-108251　2024年6月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  11. Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles

    Sosuke Iwamoto, Takayoshi Shimura, Heiji WATANABE, Takuma Kobayashi

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 5　p. 051008-1-051008-5　2024年5月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  12. Generation of single photon emitters at a SiO2/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 5　p. 051004-1-051004-5　2024年5月1日　研究論文（学術雑誌）

  13. Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation

    Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 1　p. 011003-011003　2023年12月29日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  14. Design of SiO2/4H–SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing

    Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    AIP Advances　Vol. 13　No. 11　p. 115304-1-115304-5　2023年11月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  15. Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study

    Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 134　No. 14　p. 145701-1-145701-9　2023年10月11日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  16. Passivation of hole traps in SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping

    Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 10　p. 105501-1-105501-4　2023年10月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  17. Impact of Sn incorporation on sputter epitaxy of GeSn

    Nobuyuki Tanaka, Mizuki Kuniyoshi, Kazuya Abe, Masaki Hoshihara, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 9　p. 095502-095502　2023年9月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  18. Control on the density and optical properties of color centers at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

    Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    Applied Physics Letters　Vol. 123　No. 10　p. 102102-1-102102-5　2023年9月6日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  19. Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy

    Shingo Ogawa, Hidetoshi Mizobata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 134　No. 9　p. 095704-1-095704-7　2023年9月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  20. Fabrication and Luminescence Characterization of Ge Wires with Uniaxial Tensile Strains Applied using Internal Stresses in Deposited Metal Thin Films

    Takayoshi Shimura, Shogo Tanaka, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

    Journal of Electronic Materials　Vol. 52　No. 8　p. 5053-5058　2023年8月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

  21. Improvement of interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface followed by SiO2 deposition and CO2 annealing

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 7　p. 074004-1-074004-4　2023年7月28日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  22. Formation of high-quality SiO2/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO2

    Kentaro Onishi, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　p. 050903-1-050903-4　2023年5月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  23. Reduction of interface and oxide traps in SiO2/GaN MOS structures by oxygen and forming gas annealing

    Bunichiro Mikake, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 3　p. 031004-1-031004-4　2023年3月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  24. Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates

    Takayoshi Shimura, Ryoga Yamaguchi, Naoto Tabuchi, Masato Kondoh, Mizuki Kuniyoshi, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. SC　p. SC1083-1-SC1083-5　2023年3月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  25. 局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性

    志村 考功, 細井 卓治, 小林 拓真, 渡部 平司

    レーザー研究　Vol. 50　No. 10　p. 565-569　2022年10月　研究論文（学術雑誌）

  26. Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 15　No. 10　p. 104004-104004　2022年10月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  27. Electrical properties and energy band alignment of SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor structures fabricated on N-polar GaN( 0001¯) substrates

    Hidetoshi Mizobata, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 121　No. 6　p. 062104-1-062104-6　2022年8月8日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  28. Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Kidist Moges, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 69　No. 6　p. 061003-1-061003-5　2022年6月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{IOP} Publishing

  29. Toward Super Temporal Resolution by Suppression of Mixing Effects of Electrons

    Nguyen Hoai Ngo, Takeharu Goji Etoh, Kazuhiro Shimonomura, Taeko Ando, Yoshiyuki Matsunaga, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Hideki Mutoh, Yoshinari Kamakura, Edoardo Charbon

    IEEE Transactions on Electron Devices　Vol. 69　No. 6　p. 2879-2885　2022年6月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

  30. Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO2/4H-SiC(112̄0) interfaces

    Takato Nakanuma, Yu Iwakata, Arisa Watanabe, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. {SC}　p. SC1065-1-SC1065-8　2022年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{IOP} Publishing

  31. Fixed-charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth

    Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. SC　p. SC1034-SC1034　2022年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{IOP} Publishing

  32. Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(112̄0) MOS devices

    Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 15　No. 4　p. 041002-1-041002-4　2022年4月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{IOP} Publishing

  33. Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1100) MOS devices

    Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)　p. 3B.2-1-3B.2-5　2022年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：IEEE

  34. Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of m-plane SiC MOS Capacitors

    Yutaka Terao, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)　p. P66-1-P66-4　2022年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：IEEE

  35. Insight into interface electrical properties of metal–oxide–semiconductor structures fabricated on Mg-implanted GaN activated by ultra-high-pressure annealing

    Yuhei Wada, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Tetsu Kachi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 120　No. 8　p. 082103-082103　2022年2月21日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  36. High-temperature CO2 treatment for improving electrical characteristics of 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor devices

    Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 10　p. 101001-1-101001-6　2021年10月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  37. Probing the surface potential of SiO2/4H-SiC(0001) by terahertz emission spectroscopy

    Hidetoshi Nakanishi, Tatsuhiko Nishimura, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 130　No. 11　p. 115305-1-115305-7　2021年9月21日　研究論文（学術雑誌）

  38. Demonstration of 4H-SiC CMOS circuits consisting of well-balanced n- and p-channel MOSFETs fabricated by ultrahigh-temperature gate oxidation

    Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 9　p. 091006-091006　2021年9月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{IOP} Publishing

  39. Backscattering X-ray imaging using Fresnel zone aperture

    Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 7　p. 072002-072002　2021年7月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  40. Inhibition of Mg activation in p-type GaN caused by thin AlGaN capping layer and impact of designing hydrogen desorption pathway

    Yuhei Wada, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuji Hosoi, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 7　p. 071001-071001　2021年7月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{IOP} Publishing

  41. A Pixel Design of a Branching Ultra-Highspeed Image Sensor

    Nguyen Hoai Ngo, Kazuhiro Shimonomura, Taeko Ando, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kohsei Takehara, Anh Quang Nguyen, Edoardo Charbon, Takeharu Goji Etoh

    Sensors　Vol. 21　No. 7　p. 2506-2506　2021年4月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：MDPI AG

  42. 水素ガスアニールにより生じるSiO2/GaN界面の異常な固定電荷の起源

    溝端 秀聡, 和田 悠平, 野崎 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    p. 195-199　2021年1月　研究論文（研究会，シンポジウム資料等）

  43. 4H-SiC CMOS inverters fabricated by ultrahigh-temperature gate oxidation and forming gas annealing

    Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2020年12月9日

  44. 水素ガスアニールに起因したSiO2/GaN界面での異常な固定電荷生成とその物理的起源

    溝端秀聡, 和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    2020年12月9日　研究論文（研究会，シンポジウム資料等）

  45. Toward the Super Temporal Resolution Image Sensor with a Germanium Photodiode for Visible Light

    Nguyen Hoai Ngo, Anh Quang Nguyen, Fabian M. Bufler, Yoshinari Kamakura, Hideki Mutoh, Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Philippe Matagne, Kazuhiro Shimonomura, Kohsei Takehara, Edoardo Charbon, Takeharu Goji Etoh

    Sensors　Vol. 20　No. 23　p. 6895-6895　2020年12月　研究論文（学術雑誌）

  46. Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices

    Tsunenobu Kimoto, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 13　No. 12　p. 120101-120101　2020年12月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{IOP} Publishing

  47. 光の飛翔を捉えた超高速イメージセンサと今後の展開

    江藤 剛治, 下ノ村 和弘, 志村 考功, 渡部 平司

    映像情報メディア学会誌　Vol. 74　No. 6　p. 936-941　2020年11月　研究論文（学術雑誌）

  48. Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices

    Heiji Watanabe, Takahiro Yamada, Mikito Nozaki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    2020年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  49. Anomalous interface fixed charge generated by forming gas annealing in SiO2/GaN MOS devices

    Hidetoshi Mizobata, Yuhei Wada, Mikito Nozaki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 13　No. 8　p. 081001-081001　2020年8月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  50. Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET Based on Temperature-Dependent Hall Effect Measurement

    Hironori Takeda, Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Hiroshi Yano, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 1004　p. 620-626　2020年7月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  51. Evaluation and mitigation of reactive ion etching-induced damage in AlGaN/GaN MOS structures fabricated by low-power inductively coupled plasma

    Mikito Nozaki, Daiki Terashima, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 59　No. SM　p. SMMA07-SMMA07　2020年7月1日　研究論文（学術雑誌）

  52. Insight into gate dielectric reliability and stability of SiO2/GaN MOS devices

    Yuhei Wada, Mikito Nozaki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 59　No. SM　p. SMMA03-SMMA03　2020年7月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  53. Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces

    T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, T. Okuda, T. Kimoto, T. Hosoi, H. Watanabe, M. Sometani, S. Harada

    Journal of Applied Physics　Vol. 127　No. 14　p. 145301-145301　2020年4月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  54. Voids and vacancy-type defects in SiO2/GaN structures probed by monoenergetic positron beams

    Akira Uedono, Wataru Ueno, Takahiro Yamada, Takuji Hosoi, Werner Egger, Tönjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Marcel Dickmann, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 127　No. 5　p. 054503-1-054503-8　2020年2月　研究論文（学術雑誌）

  55. 液相成長GeSnを用いた横型pinダイオードの高効率室温エレクトロルミネッセンス

    和田 裕希, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    p. 65-68　2020年1月　研究論文（研究会，シンポジウム資料等）

  56. フラッシュランプアニール法を用いたGOI基板上固相成長GeSn n-MOSFETsの作製

    岡 博史, 水林 亘, 森 貴洋, 石川 由紀, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司, 遠藤 和彦

    p. 121-124　2020年1月

  57. The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface

    寺尾 豊, 辻 英徳, 細井 卓治, 張 旭芳, 矢野 裕司, 志村 考功, 渡部 平司

    p. 137-139　2020年1月

  58. Comprehensive and systematic design of metal/high-k gate stack for high-performance and highly reliable SiC power MOSFET

    Takuji Hosoi, Shuji Azumo, Yusaku Kashiwagi, Shigetoshi Hosaka, Kenji Yamamoto, Masatoshi Aketa, Hirokazu Asahara, Takashi Nakamura, Tsunenobu Kimoto, Tayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 59　No. 2　p. 021001-1-021001-8　2020年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  59. The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface

    Y. Terao, H. Tsuji, T. Hosoi, X. Zhang, H. Yano, T. Shimura, H. Watanabe

    2019年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  60. Room Temperature Electroluminescence from Tensile-strained GeSn Lateral PIN Structures Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization

    Y. Wada, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2019年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  61. High-temperature CO2 Process for Improvement of SiC MOS Characteristics

    T. Hosoi, M. Ohsako, T. Shimura, H. Watanabe

    2019年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  62. レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiC MOS界面の表面ポテンシャル評価

    西村辰彦, 中西英俊, 川山巌, 斗内政吉, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    2019年12月

  63. SiO2中へのGa拡散がSiO2/GaN MOS特性に与える影響の評価

    和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    2019年12月

  64. AlGaN/GaNヘテロ構造の低バイアス電力ICPエッチングによる低損傷加工

    野崎幹人, 寺島大貴, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    2019年12月

  65. CO2アニールによるSiO2/SiC界面窒素量制御とSiC MOSFET信頼性向上

    細井卓治, 大迫桃恵, 伊藤滉二, 志村考功, 木本恒暢, 渡部平司

    2019年12月

  66. Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface

    Mikito Nozaki, Daiki Terashima, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2019年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  67. Thermal Oxidation of SiC: Kinetics and SiO2/SiC Interface Property

    Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2019年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  68. Oxidation of SiGe Alloy: Residual Order in SiO2 and Self-limiting Oxidation

    Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

    2019年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  69. Characterization of Surface Potential of Oxidized Silicon Carbide by a Laser Terahertz Emission Microscope

    Tatsuhiko Nishimura, Hidetoshi Nakanishi, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2019年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  70. Interface Engineering of SiC MOS Devices by High-temperature CO2 Treatment

    Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2019年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  71. Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations

    Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Yoshiyuki Yonezawa, Hajime Okumura

    Vol. 115　No. 13　p. 132102-1-132102-5　2019年9月　研究論文（学術雑誌）

  72. Gate stack engineering for GaN power MOSFETs

    T. Hosoi, M. Nozaki, T. Shimura, H. Watanabe

    2019年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  73. Sub-nm-Scale Depth Profiling of Nitrogen in NO- and N2-Annealed SiO2/4H-SiC(0001) Structures

    Kidist Moges, Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Shinsuke Harada, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 963　p. 226-229　2019年7月　研究論文（学術雑誌）

  74. Evaluation of the Impact of Al Atoms on SiO2/SiC Interface Property by Using 4H-SiC n+-Channel Junctionless MOSFET

    Hironori Takeda, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 963　p. 171-174　2019年7月　研究論文（学術雑誌）

  75. Recent progress in understanding carbon-related interface defects and electrical properties in SiC-MOS devices

    T. Hosoi, K. Moges, T. Shimura, H. Watanabe

    2019年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  76. NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価

    細井卓治, Kidist Moges, 染谷 満, 志村考功, 原田信介, 渡部平司

    信学技報　Vol. 119　No. 96　p. 1-4　2019年6月　研究論文（学術雑誌）

  77. Tensile-strained GeSn-on-SOI MSM Photodetector Fabricated by Solid-phase Epitaxy

    H. Oka, W. Mizubayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, T. Maeda, N. Uchida, K. Endo

    2019年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  78. Comparative study on thermal robustness of GaN and AlGaN/GaN MOS devices with thin oxide interlayers

    Mikito Nozaki, Daiki Terashima, Takahiro Yamada, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCD08-1-SCCD08-6　2019年5月　研究論文（学術雑誌）

  79. Mobility enhancement in recessed-gate AlGaN/GaN MOS-HFETs using an AlON gate insulator

    Takuji Hosoi, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCD16-1-SCCD16-6　2019年5月　研究論文（学術雑誌）

  80. Performance improvement in 4H-SiC(0001) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with a gate oxide grown at ultrahigh temperature

    Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 12　No. 6　p. 061003-1-061003-4　2019年5月　研究論文（学術雑誌）

  81. Controlled oxide interlayer for improving reliability of SiO2/GaN MOS devices

    Takahiro Yamada, Daiki Terashima, Mikito Nozaki, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCD06-1-SCCD06-5　2019年4月　研究論文（学術雑誌）

  82. Analysis of III–V oxides at high-k/InGaAs interfaces induced by metal electrodes

    Shinichi Yoshida, Dennis H L Lin, Rena Suzuki, Yuki Miyanami, Nadine Collaert, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. 5　p. 051010-1-051010-6　2019年4月　研究論文（学術雑誌）

  83. 近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上裏面照射型GeSnフォトダイオードアレイの開発

    岡 博史, 井上 慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木 伸一郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2019年3月

  84. 熱酸化SiO2/SiC界面欠陥とMOS特性

    細井卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2019年2月

  85. Demonstration of mm long nearly intrinsic GeSn single-crystalline wires on quartz substrate fabricated by nucleation-controlled liquid-phase crystallization

    Youki Wada, Keitaro Inoue, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SB　p. SBBK01-1-SBBK01-6　2019年2月　研究論文（学術雑誌）

  86. AlON絶縁膜へのHf原子添加効果に関する理論的研究

    名倉 拓哉, 長川 健太, 洗平 昌晃, 細井 卓治, 渡部 平司, 押山 淳, 白石 賢二

    2019年1月

  87. 導電型の異なるGaN上GaOx界面層の放射光XPS分析

    山田 高寛, 寺島 大貴, 野崎 幹人, 山田 永, 高橋 言諸, 清水 三聡, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2019年1月

  88. Effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics on hole leakage current

    T. Nagura, K. Chokawa, M. Araidai, T. Hosoi, H. Watanabe, A. Oshiyama, K. Shiraishi

    2018年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  89. High-mobility P- and N-channel GeSn Thin-film Transistors on Transparent Substrate Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization

    T. Hosoi, H. Oka, K. Inoue, Y. Wada, T. Shimura, H. Watanabe

    2018年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  90. Improved reliability of SiO2/GaN MOS devices by controlling the oxide interlayer

    Takahiro Yamada, Daiki Terashima, Mikito Nozaki, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2018年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  91. Comparative study of thermal decomposition of thin Ga oxide layer on GaN and AlGaN surfaces

    Mikito Nozaki, Daiki Terashima, Takahiro Yamada, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2018年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  92. Mobility enhancement in AlGaN/GaN MOS-HFET with gate recess etching by using AION gate insulator

    Takuji Hosoi, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2018年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  93. 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因

    染谷満, 細井卓治, 平井悠久, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 志村考功, 渡部平司, 米澤喜幸, 奥村元

    2018年11月

  94. SiC MOS界面特性改善に向けた高温CO2熱処理の検討

    大迫桃恵, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    2018年11月

  95. 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察

    武田紘典, 染谷満, 細井卓治, 志村考功, 矢野裕司, 渡部平司

    2018年11月

  96. 放射光光電子分光法によるGaN及びAlGaN上のGaOx層の熱脱離過程の比較

    野崎幹人, 寺島大貴, 山田高寛, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    2018年11月

  97. NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面における窒素原子分布の高精度評価

    Kidist Moges, 染谷満, 細井卓治, 志村考功, 原田信介, 渡部平司

    2018年11月

  98. GaN導電型がSiO2/GaN構造のGaOx界面層形成に及ぼす影響

    山田高寛, 寺島大貴, 野崎幹人, 山田永, 高橋言諸, 清水三聡, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    2018年11月

  99. Improved channel mobility of 4H-SiC n-MOSFETs by ultrahigh-temperature gate oxidation with low-oxygen partial-pressure cooling

    Mitsuru Sometani, Yoshihito Katsu, Daisuke Nagai, Hidenori Tsuji, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Yoshiyuki Yonezawa, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 57　No. 12　p. 120304-1-120304-4　2018年10月　研究論文（学術雑誌）

  100. Optoelectronic Integration Based on High-quality GeSn Grown by Liquid Phase Crystallization

    T. Hosoi, H. Oka, T. Shimura, H. Watanabe

    2018年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  101. Gate Stack Technology for Advanced GaN and SiC based MOS Devices

    H. Watanabe, T. Yamada, M. Nozaki, K. Moges, T. Hosoi, T. Shimura

    2018年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  102. Highly n-Type Doped Ge and Gesn Wires Fabricated By Lateral Liquid-Phase Epitaxy

    H. Watanabe, T. Tomita, H. Oka, K. Inoue, T. Hosoi, T. Shimura

    2018年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  103. Gate Stack Technology for Advanced GaN-Based Mos Devices

    H. Watanabe, T. Yamada, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Shimura

    2018年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  104. First-principles calculations of the effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics of wide-bandgap-semiconductor power devices on the hole leakage current

    Takuya Nagura, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi

    2018年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  105. Characterization of SiO2/SiC interface using a Laser Terahertz Emission Microscope

    Tatsuhiko Nishimura, Hidetoshi Nakanishi, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2018年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  106. Demonstration of mm-long Nearly Intrinsic GeSn Single-crystalline Wires on Quartz Substrate by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization

    Youki Wada, Keitaro Inoue, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2018年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  107. Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahigh-temperature oxidation

    T. Umeda, T. Hosoi, T. Okuda, T. Kimoto, M. Sometani, S. Harada, H. Watanabe

    2018年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  108. Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers

    M. Sometani, T. Hosoi, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Yano, T. Shimura, H. Watanabe, Y. Yonezawa, H. Okumura

    2018年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  109. Evaluation of the impact of Al atoms on SiO2/SiC interface property by using 4H-SiC n+-channel junctionless MOSFET

    H. Takeda, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2018年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  110. Sub-nm-scale depth profiling of nitrogen in NO- and N2-annealed SiO2/4H-SiC(0001) structures

    K. Moges, M. Sometani, T. Hosoi, T. Shimura, S. Harada, H. Watanabe

    2018年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  111. Sub-nanometer-scale depth profiling of nitrogen atoms in SiO2/4H-SiC structures treated with NO annealing

    Kidist Moges, Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Shinsuke Harada, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 11　No. 10　p. 101303-1-101303-4　2018年9月　研究論文（学術雑誌）

  112. Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements

    Eigo Fujita, Mitsuru Sometani, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    AIP Advances　Vol. 8　No. 8　p. 085305-1-085305-6　2018年8月　研究論文（学術雑誌）

  113. Passive–active oxidation boundary for thermal oxidation of 4H-SiC(0001) surface in O2/Ar gas mixture and its impact on SiO2/SiC interface quality

    Takuji Hosoi, Yoshihito Katsu, Kidist Moges, Daisuke Nagai, Mitsuru Sometani, Hidenori Tsuji, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 11　No. 9　p. 091301-1-091301-4　2018年8月　研究論文（学術雑誌）

  114. Advancement of X-ray radiography using microfocus X-ray source in conjunction with amplitude grating and SOI pixel detector, SOPHIAS

    Ryo Hosono, Tomoki Kawabata, Kiyoshi Hayashida, Togo Kudo, Kyosuke Ozaki, Nobukazu Teranishi, Takaki Hatsui, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura

    Optics Express　Vol. 26　No. 16　p. 21044-21053　2018年8月　研究論文（学術雑誌）

  115. Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology FOREWORD

    Watanabe Heiji, Nara Yasuo, Kamakura Yoshinari

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 57　No. 6　2018年6月　研究論文（学術雑誌）

  116. GaN-based Metal-Insulator-Semiconductor Transistors on Si for Power Switching Applications

    Satoshi Nakazawa, Hong-An Shih, Naohiro Tsurumi, Yoshiharu Anda, Tsuguyasu Hatsuda, Tetsuzo Ueda, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Tamotsu Hashizume

    2018年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  117. Effect of incorporation of nitrogen atoms in Al2O3 gate dielectric of wide-bandgap-semiconductor MOSFET on gate leakage current and negative fixed charge

    Eiji Kojima, Kenta Chokawa, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Kenji Shiraishi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 11　No. 6　p. 061501-1-061501-4　2018年6月　研究論文（学術雑誌）

  118. Implementation of atomic layer deposition-based AlON gate dielectrics in AlGaN/GaN MOS structure and its physical and electrical properties

    Mikito Nozaki, Kenta Watanabe, Takahiro Yamada, Hong-An Shih, Satoshi Nakazawa, Yoshiharu Anda, Tetsuzo Ueda, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 57　No. 6　p. 06KA02-1-06KA02-7　2018年6月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  119. Physical and electrical characterizations of AlGaN/GaN MOS gate stacks with AlGaN surface oxidation treatment

    Takahiro Yamada, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Hong-An Shih, Satoshi Nakazawa, Yoshiharu Anda, Tetsuzo Ueda, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 57　No. 6　p. 06KA07-1-06KA07-6　2018年6月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  120. 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御

    細井卓治, 山田高寛, 野崎幹人, 高橋言諸, 山田 永, 清水三聡, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司

    2018年6月

  121. SiO2/AlON stacked gate dielectrics for AlGaN/GaN MOS heterojunction field-effect transistors

    Kenta Watanabe, Daiki Terashima, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Satoshi Nakazawa, Masahiro Ishida, Yoshiharu Anda, Tetsuzo Ueda, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 57　No. 6　p. 06KA03-1-06KA03-6　2018年6月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  122. Annealing behavior of open spaces in AlON films studied by monoenergetic positron beams

    Akira Uedono, Takahiro Yamada, Takuji Hosoi, Werner Egger, Tönjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Marcel Dickmann, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 112　No. 18　2018年4月30日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  123. AlON/AlGaN/GaN MIS-HFETによる高速スイッチング動作

    中澤敏志, 施泓安, 鶴見直大, 按田義治, 初田次康, 上田哲三, 野﨑幹人, 山田高寛, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司, 橋詰保

    2018年3月

  124. 裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発

    岡博史, 井上慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    2018年3月

  125. High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing ucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic

    H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2018年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  126. Improvement of SiO2/4H-SiC(0001) interface properties by H2 and Ar mixture gas treatment prior to SiO2 deposition

    Hidenori Tsuji, Takuji Hosoi, Yutaka Terao, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 924　p. 461-464　2018年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  127. High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing ucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic

    H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2018年1月

  128. Si基板上MIS型GaNパワーデバイスの開発

    施 泓安, 中澤 敏志, 鶴見 直大, 按田 義治, 初田 次康, 上田 哲三, 野﨑 幹人, 山田 高寛, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司, 橋詰 保

    p. 87-90　2018年1月

  129. 横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成

    冨田 崇史, 岡 博史, 井上 慶太郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    p. 9-12　2018年1月

  130. 石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用

    細井 卓治, 岡 博史, 井上 慶太郎, 志村 考功, 渡部 平司

    p. 151-154　2018年1月

  131. Control of Ga-oxide interlayer growth and Ga diffusion in SiO2/GaN stacks for high-quality GaN-based metal–oxide–semiconductor devices with improved gate dielectric reliability

    Takahiro Yamada, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 11　No. 1　p. 015701-1-015701-4　2018年1月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  132. Lightly doped n-type tensile-strained single-crystalline GeSn-on-insulator structures formed by lateral liquid-phase crystallization

    Hiroshi Oka, Takashi Tomita, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 11　No. 1　p. 011304-1-011304-4　2018年1月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  133. Improvements of Grating-based X-ray Phase Contrast Imaging with a Microfocus X-ray Source by a SOI Pixel Detector, SOPHIAS

    R. Hosono, D. Tsukamoto, T. Kawabata, K. Hayashida, T. Kudo, K. Ozaki, T. Hatsui, N. Teranishi, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    2017年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  134. AlGaN/GaN MOS-HFET with high-quality and robust N-incorporated aluminum oxide (AlON) gate insulator

    K. Watanabe, M. Nozaki, T. Yamada, S. Nakazawa, M. Ishida, Y. Anda, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  135. Improved Channel Mobility of 4H-SiC N-MOSFETs by Ultrahigh-Temperature Oxidation with Low-Oxygen Partial-Pressure Cooling Procedure

    M. Sometani, Y. Katsu, D. Nagai, H. Tsuji, T. Hosoi, T. Shimura, Y. Yonezawa, H. Watanabe

    2017年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  136. 4H-SiC(0001) N- and P-channel MOSFETs with Pure SiO2 Gate Dielectrics Formed under Extreme Oxidation Conditions

    T. Hosoi, Y. Katsu, K. Moges, H. Tsuji, M. Sometani, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  137. Fast Switching Performance by 20 A / 730 V AlGaN/GaN MIS-HFET Using AlON Gate Insulator

    S. Nakazawa, H.-A. Shih, N. Tsurumi, Y. Anda, T. Hatsuda, T. Ueda, M. Nozaki, T. Yamada, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, T. Hashizume

    2017年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  138. Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip

    H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  139. SiO2/AlON Stacked Gate Dielectrics for AlGaN/GaN MOS-HFET

    K. Watanabe, D. Terashima, M. Nozaki, T. Yamada, S. Nakazawa, M. Ishida, Y. Anda, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  140. AlON Gate Dielectrics Formed by Repeating ALD-based Thin AlN Deposition and In situ Oxidation for AlGaN/GaN MOS-HFETs

    M. Nozaki, K. Watanabe, T. Yamada, H. Shih, S. Nakazawa, Y. Anda, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  141. Physical and Electrical Characterization of AlGaN/GaN MOS Gate Stacks with AlGaN Surface Oxidation Treatment

    T. Yamada, K. Watanabe, M. Nozaki, H. Shih, S. Nakazawa, Y. Anda, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  142. レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いた 4H-SiC ウエハ/熱酸化膜の特性評価

    西村辰彦, 中西英俊, 川山巌, 斗内政吉, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    2017年11月

  143. 紫外光照射とアニール処理による SiC MOS キャパシタの電気特性改善

    大迫 桃恵, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2017年11月

  144. プラズマ CVD 成膜した SiO2/AlGaN 界面特性の成膜電力依存性と堆積後熱処理の検討

    寺島 大貴, 渡邉 健太, 山田 高寛, 野﨑 幹人, 施 泓安, 中澤 敏志, 按田 義治, 上田 哲三, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2017年11月

  145. ジャンクションレス 4H-SiC(0001) MOSFET を用いた高濃度 n+層の電子移動度評価

    武田 紘典, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2017年11月

  146. Impact of ultrahigh-temperature gate oxidation and hydrogen annealing on the performance of 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs

    Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2017年11月

  147. AlGaN/GaN MOS デバイス向け ALD-AlON ゲート絶縁膜に対する窒素添加効果

    野崎 幹人, 渡邉 健太, 山田 高寛, 施 泓安, 中澤 敏志, 按田 義治, 上田 哲三, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2017年11月

  148. ICP エッチング表面のプラズマ酸化処理による SiO2/GaN 界面欠陥の低減

    山田 高寛, 渡邉 健太, 野崎 幹人, 高橋 言諸, 山田 永, 清水 三聡, 施 泓安, 中澤 敏志, 按田 義治, 上田 哲三, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2017年11月

  149. High Mobility In0.53Ga0.47As MOSFETs with Steep Sub-Threshold Slope Achieved by Remote Reduction of Native III-V Oxides with Metal Electrodes

    S. Yoshida, H. C. Lin, A. Vais, A. Alian, J. Franco, S. El Kazzi, Y. Mols, Y. Miyanami, M. Nakazawa, N. Collaert, H. Watanabe, A. Thean

    IEEE Journal of the Electron Devices Society　Vol. 5　No. 6　p. 480-484　2017年11月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  150. Reactivity of Water Vapor with Ultrathin GeO2/Ge and SiO2/Si Structures Investigated by Near-Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy

    Kenta Arima, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Ethan J Crumlin

    ECS Transactions　Vol. 80　No. 2　p. 131-140　2017年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：The Electrochemical Society

  151. マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いた多波長X線位相イメージング-SOI ピクセル検出器による高度化-

    細野凌, 塚本大裕, 川端智樹, 林田 清, 工藤統吾, 尾崎恭介, 初井宇記, 寺西信一, 細井卓治, 渡部平司, 志村考功

    2017年9月

  152. La埋め込みターゲットを用いたTalbot-Lau干渉計によるX線位相イメージング

    塚本大裕, 山崎周, 細野凌, 細井卓治, 渡部平司, 志村考功

    2017年9月

  153. Interface Property of SiO2/4H-SiC(0001) Structures Formed by Ultrahigh-Temperature Oxidation under Low Oxygen Partial Pressure

    T. Hosoi, Y. Katsu, D. Nagai, H. Tsuji, M. Sometani, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  154. Significant Performance Improvement in 4HSiC(0001) P-Channel MOSFETs with Gate Oxides Grown at Ultrahigh-Temperature

    Kidist Moges, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  155. Improvement of SiO2/4H-SiC(0001) Interface Properties by H2 and Ar Mixture Gas Treatment Prior to SiO2 Deposition

    H. Tsuji, T. Hosoi, Y. Terao, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  156. Enhancement-mode n-channel TFT and room-temperature near-infrared emission based on n+/p junction in single-crystalline GeSn on transparent substrate

    H. Oka, M. Koyama, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　p. T58-T59　2017年7月31日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  157. Design and control of interface reaction between Al-based dielectrics and AlGaN layer in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures

    Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Satoshi Nakazawa, Yoshiharu Anda, Masahiro Ishida, Tetsuzo Ueda, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 111　No. 4　2017年7月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  158. MOS Interface Engineering for Advanced SiC and GaN Power Devices

    T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2017年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  159. Improved interface properties of GaN-based metal-oxide-semiconductor devices with thin Ga-oxide interlayers

    Takahiro Yamada, Joyo Ito, Ryohei Asahara, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 110　No. 26　2017年6月26日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  160. Structure and Surface Morphology of Thermal SiO2 Grown on 4H-SiC by Metal-Enhanced Oxidation Using Barium

    Atthawut Chanthaphan, Yoshihito Katsu, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　2017年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Switzerland

  161. Ultrahigh Temperature Oxidation of 4H-SiC(0001) and an Impact of Cooling Process on SiO2/SiC Interface Properties

    Takuji Hosoi, Daisuke Nagai, Mitsuru Sometani, Takayoshi Shimura, Manabu Takei, Heiji Watanabe

    2017年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications,Switzerland

  162. Impact of rapid cooling process in ultrahigh-temperature oxidation of 4H-SiC(0001)

    Mitsuru Sometani, Daisuke Nagai, Yoshihito Katsu, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Manabu Takei, Yoshiyuki Yonezawa, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 56　No. 4　2017年4月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  163. High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing nucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic integration

    H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　p. 22.1.1-22.1.4　2017年1月31日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  164. Comprehensive study on initial thermal oxidation of GaN(0001) surface and subsequent oxide growth in dry oxygen ambient

    Takahiro Yamada, Joyo Ito, Ryohei Asahara, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Satoshi Nakazawa, Yoshiharu Anda, Masahiro Ishida, Tetsuzo Ueda, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 121　No. 3　2017年1月21日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  165. Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn on transparent substrate by nucleation-controlled liquid-phase crystallization

    Hiroshi Oka, Takashi Amamoto, Masahiro Koyama, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 110　No. 3　2017年1月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  166. Design and control of interface reaction between Al-based dielectrics and AlGaN layer for hysteresis-free AlGaN/GaN MOS-HFETs

    K. Watanabe, M. Nozaki, T. Yamada, S. Nakazawa, Y. Anda, M. Isliida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　p. 219-222　2017年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  167. Reliability-aware design of metal/high-k gate stack for high-performance SiC power MOSFET

    Takuji Hosoi, Shuji Azumo, Yusaku Kashiwagi, Shigetoshi Hosaka, Kenji Yamamoto, Masatoshi Aketa, Hirokazu Asahara, Takashi Nakamura, Tsunenobu Kimoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　p. 247-250　2017年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  168. Insight into metal-enhanced oxidation using barium on 4H-SiC surfaces

    Atthawut Chanthaphan, Yoshihito Katsu, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 12　2016年12月1日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  169. 超高温酸化と水冷プロセスによるSiC-MOS 界面の特性改善

    染谷 満, 永井 大介, 勝 義仁, 細井 卓治, 志村 考功, 武井 学, 米澤 喜幸, 渡部 平司

    2016年11月

  170. AlGaN/GaN MOS-HFET におけるAl 系ゲート絶縁膜の界面反応制御

    渡邉 健太, 野崎 幹人, 山田 高寛, 中澤 敏志, 按田 義治, 石田 昌宏, 上田 哲三, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2016年11月

  171. 超高温・低酸素分圧ゲート酸化で作製したSiC-MOSFET の電気特性評価

    勝 義仁, 辻 英徳, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2016年11月

  172. SiO2/GaN 構造の熱酸化処理による極薄GaOx 界面層形成とMOS 界面特性向上

    山田 高寛, 渡邉 健太, 野崎 幹人, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2016年11月

  173. SiO2/SiC 界面窒化処理を施したSiC-MOS デバイスにおける正孔捕獲挙動に関する考察

    細井 卓治, 勝 義仁, Atthawut Chanthaphan, 志村 考功, 渡部 平司

    2016年11月

  174. 先進パワーデバイスにおける新規ゲート絶縁膜開発－SiC 及びGaN 基板上MOS 構造形成技術の類似点と相違点－

    渡部 平司, 志村 考功, 細井 卓治

    2016年11月

  175. Ultrahigh-temperature rapid thermal oxidation of 4H-SiC(0001) surfaces and oxidation temperature dependence of SiO2/SiC interface properties

    Takuji Hosoi, Daisuke Nagai, Mitsuru Sometani, Yoshihito Katsu, Hironori Takeda, Takayoshi Shimura, Manabu Takei, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 109　No. 18　2016年10月31日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  176. Systematic study of interfacial reactions induced by metal electrodes in high- k /InGaAs gate stacks

    S. Yoshida, D. Lin, A. Vais, A. Alian, J. Franco, S. El Kazzi, Y. Mols, Y. Miyanami, M. Nakazawa, N. Collaert, H. Watanabe, A. Thean

    Applied Physics Letters　Vol. 109　No. 17　2016年10月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  177. Synchrotron radiation X-ray photoelectron spectroscopy of Ti/Al ohmic contacts to n-type GaN: Key role of Al capping layers in interface scavenging reactions

    Mikito Nozaki, Joyo Ito, Ryohei Asahara, Satoshi Nakazawa, Masahiro Ishida, Tetsuzo Ueda, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 9　No. 10　2016年10月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  178. Effect of nitrogen incorporation into Al-based gate insulators in AlON/AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor structures

    R. Asahara, M. Nozaki, T. Yamada, J. Ito, S. Nakazawa, M. shida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 9　No. 10　2016年10月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  179. Comparative study of GeO2/Ge and SiO2/Si structures on anomalous charging of oxide films upon water adsorption revealed by ambient-pressure X-ray photoelectron spectroscopy

    Daichi Mori, Hiroshi Oka, Takuji Hosoi, Kentaro Kawai, Mizuho Morita, Ethan J. Crumlin, Zhi Liu, Heiji Watanabe, Kenta Arima

    Journal of Applied Physics　Vol. 120　No. 9　p. 095306 1-095306 10　2016年9月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  180. Structure and Surface Morphology of Thermal SiO2 Grown on 4H-SiC by Metal-enhanced Oxidation using Barium

    A. Chanthaphan, Y. Katsu, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2016年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  181. Ultrahigh-tempearture Oxidation of 4H-SiC(0001) and an Impact of Cooling Process on SiO2/SiC Interface Properties

    T. Hosoi, D. Nagai, M. Sometani, T. Shimura, M. Takei, H. Watanabe

    2016年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  182. Impact of Rapid Cooling Process in Ultra-high-temperature Oxidation of 4H-SiC(0001)

    M. Sometani, D. Nagai, T. Hosoi, T. Shimura, Y. Yonezawa, M. Takei, H. Watanabe

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)　2016年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  183. Gate Stack Technology for Advanced AlGaN/GaN Mos-Hemt Power Devices

    H. Watanabe, R. Asahara, J. Ito, K. Watanabe, M. Nozaki, T. Yamada, S. Nakazawa, Y. Anda, M. Ishida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura

    2016年9月

  184. SiO2/SiC界面への異種元素添加による界面準位低減とその留意点

    細井 卓治, A. Chanthaphan, 勝 義仁, 志村 孝功, 渡部 平司

    2016年8月

  185. 7.2 High-mobility GeSn p-MOSFETs on Transparent Substrate Utilizing Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization

    H. Oka, T. Amamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2016年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  186. High-mobility GeSn-based MOSFETs on Transparent Substrates

    H. Watanabe

    2016年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  187. Origin of the unidentified positive mobile ions causing the bias temperature instability in SiC MOSFETs and their diffusion process

    Hiroki Shirakawa, Katsumasa Kamiya, Masaaki Araidai, Heiji Watanabe, Kenji Shiraishi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 9　No. 6　2016年6月　研究論文（学術雑誌）

  188. The impact of energy barrier height on border traps in the metal insulator semicondoctor gate stacks on III–V semiconductors

    S. Yoshida, S. Taniguchi, H. Minari, D. Lin, T. Ivanov, H. Watanabe, M. Nakazawa, N. Collaert, A. Thean

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 8　2016年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Institute of Physics

  189. 水分子が吸着した極薄GeO2/Geの構造と電気的性質のAP-XPS観察

    有馬 健太, 森 大地, 岡 博史, 細井 卓治, 川合 健太郎, 森田 瑞穂, 渡部 平司, Liu Zhi, Crumlin Ethan J.

    表面科学学術講演会要旨集　Vol. 36　p. 405-405　2016年

    出版者・発行元：公益社団法人 日本表面科学会

  190. Biotemplates and their application to electronic devices

    Yukiharu Uraoka, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa, Shinya Kumagai, Satoshi Tomita, Heiji Watanabe, Ichiro Yamashita

    Intelligent Nanosystems for Energy, Information and Biological Technologies　p. 119-143　2016年1月1日　論文集(書籍)内論文

    出版者・発行元：Springer Japan

  191. Impact of NO annealing on flatband voltage instability due to charge trapping in SiC MOS devices

    Yoshihito Katsu, Takuji Hosoi, Yuichiro Nanen, Tsunenobu Kimoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 858　p. 599-602　2016年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  192. Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing

    Atthawut Chanthaphan, Yuta Fukushima, Kenji Yamamoto, Masatoshi Aketa, Hirokazu Asahara, Takashi Nakamura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 858　p. 445-448　2016年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  193. Improvement of SiO2/4H-SiC interface quality by post-oxidation annealing in N2 at high-temperatures

    Atthawut Chanthaphan, Yen Hung Cheng, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 858　p. 627-630　2016年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  194. Flatband voltage shift depending on SiO2/SiC interface charges in 4H-SiC MOS capacitors with ALON/SiO2 stacked gate dielectrics

    Takuji Hosoi, Shuji Azumo, Kenji Yamamoto, Masatoshi Aketa, Yusaku Kashiwagi, Shigetoshi Hosaka, Hirokazu Asahara, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 858　p. 681-684　2016年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  195. トップダウン加工によるGeへの引張歪み印加とバンドギャップ変調

    田中 章吾, 岡 博史, 天本 隆史, 冨永 幸平, 小山 真広, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2016年1月

  196. GaN熱酸化における酸化物形成過程

    伊藤 丈予, 淺原 亮平, 野崎 幹人, 山田 高寛, 中澤 敏志, 石田 昌宏, 上田 哲三, パナソニック, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2016年1月

  197. 横方向液相エピタキシャル成長法によって作製したGeSn-on-insulatorの電気特性評価

    冨永 幸平, 岡 博史, 天本 隆史, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2016年1月

  198. 局所急速加熱による自己核形成を利用した石英基板上GeSn単結晶成長

    岡 博史, 天本 隆史, 小山 真広, 冨永 幸平, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    2016年1月

  199. Schottky source/drain germanium-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with self-aligned NiGe/Ge junction and aggressively scaled high- k gate stack

    Takuji Hosoi, Yuya Minoura, Ryohei Asahara, Hiroshi Oka, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 107　No. 25　p. 252104-1-252104-5　2015年12月21日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  200. Insights into thermal diffusion of germanium and oxygen atoms in HfO2/GeO2/Ge gate stacks and their suppressed reaction with atomically thin AlOx interlayers

    Shingo Ogawa, Ryohei Asahara, Yuya Minoura, Hideki Sako, Naohiko Kawasaki, Ichiko Yamada, Takashi Miyamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 118　No. 23　p. 23704-1-23704-5　2015年12月21日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  201. Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation for Metal S/D Ge CMOS Technology

    H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2015年12月

  202. Effect of Nitrogen Incorporation into Al-based Gate Insulator in AlGaN/GaN MOS-HEMT

    R. Asahara, M. Nozaki, T. Yamada, J. Ito, S. Nakazawa, M. Ishida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2015年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  203. SiO2/SiC Interface Nitridation by High Temperature Pure Nitrogen Annealing

    T. Hosoi, A. Chanthaphan, T. Shimura, H. Watanabe

    2015年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  204. Enhancement of photoluminescence from n-type tensile-strained GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy

    Takayoshi Shimura, Masahiro Matsue, Kohei Tominaga, Keiko Kajimura, Takashi Amamoto, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 107　No. 22　2015年11月30日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  205. Design and demonstration of phase gratings for 2D single grating interferometer

    Naoki Morimoto, Sho Fujino, Yasuhiro Ito, Amane Yamazaki, Issei Sano, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura

    Optics Express　Vol. 23　No. 23　p. 29399-29412　2015年11月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：OSA - The Optical Society

  206. The Impact of Energy Barrier Height on Border Traps in III-V Gate Stacks

    S. Yoshida, S. Taniguchi, H. Minari, D. Lin, Ts. Ivanov, H. Watanabe, M. Nakazawa, N. Collaert, A. Thean

    2015年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  207. Investigation of Initial Oxide Growth on GaN Epitaxial Films

    T. Yamada, J. Ito, R. Asahara, M. Nozaki, S. Nakazawa, M. Ishida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2015年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  208. Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process

    H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi

    2015年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  209. Improvement of SiO2/4H-SiC interface quality by post-oxidation annealing in N2 at high-temperatures

    A. Chanthaphan, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2015年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  210. Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing

    A. Chanthaphan, Y. Fukushima, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2015年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  211. Impact of NO annealing on flatband voltage instability due to charge trapping in SiC MOS devices

    Y. Katsu, T. Hosoi, Y. Nanen, T. Kimoto, T. Shimura, H. Watanabe

    2015年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  212. Origin of Anomalous Positive Charging of Water-adsorbed Thin GeO2 Films Studied by Ambient-pressure XPS

    K. Arima, D. Mori, Y. Saito, H. Oka, K. Kawai, T. Hosoi, M. Morita, H. Watanabe, Z. Liu

    Program and Exhibition of 16th European Conference on Application of Surface and Interface Analysis　p. 254-254　2015年10月

  213. Flatband voltage shift depending on SiO2/SiC interface charges in 4H-SiC MOS capacitors with AlON/SiO2 stacked gate dielectrics

    T. Hosoi, S. Azumo, K. Yamamoto, M. Aketa, Y. Kashiwagi, S. Hosaka, H. Asahara, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    2015年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  214. X-ray Talbot-Lau interferometer using lanthanum targets embedded in diamond substrates

    A. Yamazaki, N. Morimoto, S. Fujino, Y. Ito, I. Sano, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    2015年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  215. 2D x-ray single grating interferometry with embedded metal targets

    N. Morimoto, S. Fujino, Y. Ito, A. Yamazaki, I. Sano, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    2015年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  216. Development of single transmission grating Talbot-Lau interferometer with embedded tungsten targets for 30 keV x rays

    Y. Ito, N. Morimoto, S. Fujino, A. Yamazaki, I. Sano, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    2015年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  217. Study of SiO2/4H-SiC interface nitridation by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas

    Atthawut Chanthaphan, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    AIP Advances　Vol. 5　No. 9　2015年9月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  218. Synchrotron Radiation X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of Interface Reactions in Al/Ti/GaN Ohmic Contacts

    M. Nozaki, J. Ito, R. Asahara, S. Nakazawa, M. Ishida, T. Ueda, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    2015年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  219. Exact evaluation of interface-reaction-limited growth in dry and wet thermal oxidation of 4H-SiC(0001) Si-face surfaces

    Takuji Hosoi, Daisuke Nagai, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 54　No. 9　2015年9月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  220. SiCパワーデバイスの高性能化に向けた酸化膜/SiC界面の評価と制御

    渡部 平司

    2015年8月

  221. SiC-MOS 構造の物理分析と電気特性評価に基づいた界面欠陥の理解

    渡部 平司

    先進パワー半導体分科会 第１回個別討論会テキスト　2015年8月

  222. 第一原理計算によるSic界面欠陥発生メカニズム

    白石 賢二, 長川 健太, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 神谷 克政, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会 第１回講演会　2015年8月

  223. SiC/SiO2界面の計算科学による考察

    白石 賢二, 長川 健太, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 神谷 克政, 渡部 平司

    2015年7月

  224. ゲルマニウム半導体を基盤とした次世代光電子集積デバイスへの展開 （依頼講演）

    渡部 平司

    日本真空学会関西支部＆日本表面科学会関西支部合同セミナー2015テキスト　2015年7月

  225. Cathodoluminescence study of radiative interface defects in thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) structures

    Yuta Fukushima, Atthawut Chanthaphan, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 106　No. 26　2015年6月29日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  226. Two dimensional x-ray phase imaging Using single grating interferometer with embedded xray targets

    Naoki Morimoto, Sho Fujino, Amane Yamazaki, Yasuhiro Ito, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura

    Optics Express　Vol. 23　No. 13　p. 16582-16588　2015年6月29日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：OSA - The Optical Society

  227. Comprehensive study and design of scaled metal/high- k /Ge gate stacks with ultrathin aluminum oxide interlayers

    Ryohei Asahara, Iori Hideshima, Hiroshi Oka, Yuya Minoura, Shingo Ogawa, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 106　No. 23　2015年6月8日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  228. Schottky barrier height modulation at NiGe/Ge interface by phosphorous ion implantation and its application to Ge-based CMOS devices

    T. Hosoi, H. Oka, Y. Minoura, T. Shimura, H. Watanabe

    The 15th International Workshop on Junction Technology (IWJT2015)　2015年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  229. 表面界面科学を基軸としたSiCパワーデバイス開発

    渡部 平司, 細井 卓治

    JAEA放射光科学シンポジウム2015　2015年3月

  230. Fabrication of high-quality Ge-on-insulator structures by lateral liquid phase epitaxy

    T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, H. Watanabe

    ECS Transactions　Vol. 69　No. 5　p. 305-311　2015年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

  231. Improving interface quality of 4H-SiC MOS devices with high temperature oxidation process in mass produce furnace

    Heng Yu Xu, Qian Yang, Xiao Lei Wang, Xin Yu Liu, Yan Li Zhao, Cheng Zhan Li, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 821-823　p. 484-487　2015年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  232. 横方向液相エピタキシャル成長によって作製した絶縁体上GeSnワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調技術

    天本 隆史, 冨永 幸平, 梶村 恵子, 松江 将博, 細井 卓治, 志村 孝功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回研究会）　2015年1月

  233. SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討

    白川 裕規, 洗平 昌晃, 神谷 克政, 渡部 平司, 白石 賢二

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回研究会）　2015年1月

  234. Understanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices

    A. Chanthaphan, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回研究会）　2015年1月

  235. First Principles Study of SiC/SiO2 Interfaces towards Future Power Devices

    K. Shiraishi, K. Chokawa, H. Shirakawa, K. Endo, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe

    2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)　2014年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  236. Fabrication of GeSn-on-insulator Structure by Utilizing Lateral Liquid-Phase Epitaxy

    T. Hosoi, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts, 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2014年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  237. Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation for Metal S/D Ge CMOS Technology

    H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts, 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2014年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  238. 高温熱酸化による4H-SiC MOSキャパシタの電気特性改善

    鄭 彦宏, Chanthaphan Atthawut, 許 恒宇, 楊 謙, 劉 新宇, 趙 艷黎, 李 誠譫, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会 第１回講演会予稿集　2014年11月

  239. カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出

    福島 悠太, アラン フルカン, 樋口 直樹, チャンタパン アタウット, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会 第１回講演会予稿集　2014年11月

  240. 4H-SiC(0001)面の熱酸化における酸化種と酸化速度の関係

    永井 大介, 福島 悠太, 勝 義仁, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会 第１回講演会予稿集　2014年11月

  241. Mobility characterization of Ge-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with striped Ge channels fabricated by lateral liquid-phase epitaxy

    Takuji Hosoi, Yuichiro Suzuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 105　No. 17　p. 173502-1-173502-4　2014年10月27日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  242. Synchrotron radiation photoemission spectroscopy study of SiO2/4H-SiC(0001) interfaces with NO annealing

    T. Hosoi, Y. Nanen, T. Kimoto, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, H. Watanabe

    10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2014)　2014年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  243. Theoretical studies of carbon related defect generation in SiO2/4H-SiC(0001) interface induced by oxidation

    K. Endo, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Shiraishi

    10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2014)　2014年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  244. Survey approach for improving interface quality of 4H-SiC MOS devices with high temperature oxidation process in mass produce furnace

    H. Xu, Q. Yang, X. Liu, Y. Zhao, C. Li, H. Watanabe

    10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2014)　2014年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  245. Understanding and engineering of NiGe/Ge junction formed by phosphorous ion implantation after germanidation

    Hiroshi Oka, Yuya Minoura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 105　No. 6　p. 062107-1-062107-4　2014年8月11日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  246. X-ray Phase Contrast Imaging with a Single Grating Talbot-Lau Interferometer

    N. Morimoto, S. Fujino, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    International Union of Materials Research Societies- The 15th IUMRS International Conference in Asia 2014（IUMRS-ICA 2014)　2014年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  247. X-ray phase contrast imaging by compact Talbot–Lau interferometer with a single transmission grating

    N. Morimoto, S. Fujino, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    Optics Letters　Vol. 39　No. 15　p. 4297-4300　2014年7月　研究論文（学術雑誌）

  248. 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計

    淺原 亮平, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 信学技報　Vol. 114　No. 88　p. 1-5　2014年6月

  249. Schottky Barrier Height Reduction of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation for Metal Source/Drain Ge CMOS Devices

    H. Oka, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    The 2014 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2014年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  250. Sub-1-nm EOT Schottky Source/Drain Germanium CMOS Technology with Low-temperature Self-aligned NiGe/Ge Junctions

    T. Hosoi, Y. Minoura, R. Asahara, H. Oka, T. Shimura, H. Watanabe

    2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)　2014年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  251. Improved bias-temperature instability characteristics in SiC metal-oxide-semiconductor devices with aluminum oxynitride dielectrics

    Atthawut Chanthaphan, Takuji Hosoi, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 104　No. 12　p. 122105-1-122105-5　2014年3月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  252. Controlled charged amino acids of Ti-binding peptide forsurfactant-free selective adsorption

    M. Fukuta, B. Zheng, M. Uenumab, N. Okamoto, Y. Uraoka, I. Yamashita, H. Watanabe

    Colloids and Surfaces B: Biointerfaces　2014年3月　研究論文（学術雑誌）

  253. Development of Multiline Embedded X-ray Targets for Compact Talbot-Lau X-ray Interferometer

    N. Morimoto, S. Fujino, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    Program & Abstracts of International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology　2014年2月

  254. Bias-temperature instability of SiC-MOS devices induced by unusual generation of mobile ions in thermal oxides

    A. Chanthaphan, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Program & Abstracts of International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology　2014年2月

  255. Strain-induced direct band gap shrinkage in local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy

    Masahiro Matsue, Yuhsuke Yasutake, Susumu Fukatsu, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 104　No. 3　p. 031106-1-031106-4　2014年1月20日　研究論文（学術雑誌）

  256. Insights into ultraviolet-induced electrical degradation of thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) interface

    Daisuke Ikeguchi, Takuji Hosoi, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 104　No. 1　p. 012107-1-012107-4　2014年1月6日　研究論文（学術雑誌）

  257. Ambient-pressure XPS study of GeO2/Ge(100) and SiO2/Si(100) at controlled relative humidity

    K. Arima, Y. Kawai, Y. Minoura, Y. Saito, D. Mori, H. Oka, K. Kawai, T. Hosoi, Z. Liu, H. Watanabe, M. Morita

    ECS Transactions　Vol. 64　No. 8　p. 77-82　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

  258. Phosphorous ion implantation into NiGe layer for Ohmic contact formation on n-type Ge

    Yuya Minoura, Hiroshi Oka, Takuji Hosoi, Jin Matsugaki, Shin-Ichiro Kuroki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 8　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  259. Retarded oxide growth on 4H-SiC(0001) substrates due to sacrificial oxidation

    Takuji Hosoi, Yusuke Uenishi, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 778-780　p. 562-565　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  260. Degradation of SiO2/SiC interface properties due to mobile ions intrinsically generated by high-temperature hydrogen annealing

    Atthawut Chanthaphan, Takuji Hosoi, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 778-780　p. 541-544　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  261. X-ray phase contrast imaging by compact Talbot-Lau interferometer without absorption grating

    N. Morimoto, S. Fujino, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    International Workshop on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2014)　2014年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  262. Design of compact Talbot-Lau interferometer with embedded X-ray targets disregarding Talbot distance

    S. Fujino, N. Morimoto, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    International Workshop on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2014)　2014年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  263. 横方向液相エピタキシャル成長によって作製したGeワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調評価

    梶村 恵子, 松江 将博, 安武 裕輔, 深津 晋, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１9回研究会）　2014年1月

  264. NiGe/Ge接合へのP添加によるn型Ge基板上オーミックコンタクトの形成

    岡 博史, 箕浦 佑也, 細井 卓治, 松垣 仁, 黒木 伸一郎, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１9回研究会）　2014年1月

  265. 極限EOT実現に向けた極薄AlOx層によるHigh-k/Ge ゲートスタック界面制御

    田中 亮平, 秀島 伊織, 箕浦 佑也, 吉越 章隆, 寺岡 有殿, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１9回研究会）　2014年1月

  266. 湿度制御雰囲気下でのin-situ XPSを用いたGeO2/GeとSiO2/Siの吸湿性比較

    有馬 健太, 河合 佳枝, 箕浦 佑也, 齋藤 雄介, 森 大地, 川合 健太郎, 細井 卓治, 森田 瑞穂, 渡部 平司, Zhi Liu

    Extended Abstracts of the 19th Workshop on Gate Stack Technology and Physics　2014年1月

    出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

  267. 表面界面解析に基づいた次世代SiCパワーMOSデバイスの開発 （依頼講演）

    渡部 平司

    平成25年度 日本真空学会 12月研究例会予稿集　2013年12月

  268. HfO2絶縁膜を用いたSiC-MOS界面設計

    樋口 直樹, 福島 悠太, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集　2013年12月

  269. AlON/SiO2積層ゲート絶縁膜によるSiC MOSデバイスのBTI特性改善

    Chanthaphan Atthawut, 中野 佑紀, 中村 孝, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集　2013年12月

  270. Enhanced direct bandgap photoluminescence from local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy –Material and strain engineering toward CMOS compatible group-Ⅳ photonics-

    M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts, 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2013年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  271. High-k/Ge Gate Stack with an EOT of 0.56 nm by Controlling Interface Reaction Using Ultrathin AlOx Interlayer

    T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts, 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2013年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  272. Electrical and physical properties of SiO2 gate dielectrics grown on 4H-SiC (Invited)

    T. Hosoi, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, D. Ikeguchi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    The 8th international conference on advanced materials upon the proven concept and continues the tradition of its seven predecessors (THERMEC2013)　2013年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  273. Effective Hole Mobility of GOI MOSFET Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxiay

    T. Hosoi, Y. Suzuki, H. Nishikawa, M. Matsue, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of 2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2013)　2013年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  274. Phosphorous Ion Implantation into NiGe Layer for Ohmic Contact Formation on n-Ge

    Y. Minoura, T. Hosoi, J. Matsugaki, S. Kuroki, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of 2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2013)　2013年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  275. Interaction of Water Vapor with GeO2/Ge(100) Revealed by In Situ XPS under Controlled Relative Humidity

    K. Arima, A. Mura, I. Hideshima, T. Hosoi, H. Watanabe, Z. Liu

    Abstracts of 15th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis　2013年10月

  276. Retarded Oxide Growth on 4H-SiC(0001) Substrates Due to Sacrificial Oxidation

    T. Hosoi, Y. Uenishi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)　2013年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  277. Degradation of SiO2/SiC Interface Properties due to Mobile Ions Intrinsically Generated by High-Temperature Hydrogen Annealing

    A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)　2013年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  278. Suppression of Mobile Ion Diffusion with AlON/SiO2 Stacked Gate Dielectrics for Improving Bias-Temperature Instability in SiC-MOS Devices

    A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)　2013年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  279. Insight of Selective Adsorption Mechanism of Titanium-binding Peptide

    M. Fukuta, B. Zheng, M. Uenuma, I. Yamashita, Y. Uraoka, H. Watanabe

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  280. Design and control of Ge-based metal-oxide-semiconductor interfaces for high-mobility field-effect transistors with ultrathin oxynitride gate dielectrics

    Yuya Minoura, Atsushi Kasuya, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 103　No. 3　2013年7月15日　研究論文（学術雑誌）

  281. 山元 隆志, 小川 慎吾, 細井 卓治, 志村 考巧, 渡部 平司

    メタルゲート/High-k ゲート絶縁膜の界面構造解析

    第77回半導体・集積回路技術シンポジウム　2013年7月

  282. Nanoscale Interaction of Water with Germanium Surfaces: Wetting, Etching and Machining properties

    Kenta Arima, Kentaro Kawai, Takuji Hosoi, Junichi Uchikoshi, Zhi Liu, Heiji Watanabe, Mizuho Morita

    Program and Abstract of Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2013　2013年6月

  283. Implementation of High-k Gate Dielectrics in Silicon Carbide Power MOS Devices (Invited)

    H. Watanabe

    2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2013)　2013年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  284. 熱酸化SiC-MOS界面物性の理解と制御 (Invited)

    渡部 平司

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル 成長分科会主催SiC結晶成長講演会　2013年6月

  285. SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術 (依頼講演)

    細井 卓治, 東雲 秀司, 柏木 勇作, 保坂 重敏, 中村 亮太, 中野 佑紀, 浅原 浩和, 中村 孝, 木本 恒暢, 志村 考功, 渡部 平司

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催）　2013年6月

  286. Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響

    細井 卓治, 秀島 伊織, 箕浦 佑也, 田中 亮平, 吉越 章隆, 寺岡 有殿, 志村 考功, 渡部 平司

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催）　2013年6月

  287. 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 (依頼講演)

    渡部 平司, チャンタパン アタウット, 中野 佑紀, 中村 孝, 細井 卓治, 志村 考功

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催）　2013年6月

  288. Understanding and controlling bias-temperature instability in SiC metal-oxide-semiconductor devices induced by unusual generation of mobile ions

    Atthawut Chanthaphan, Takuji Hosoi, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 102　No. 9　2013年3月4日　研究論文（学術雑誌）

  289. Electrical detection of surface plasmon resonance phenomena by a photoelectronic device integrated with gold nanoparticle plasmon antenna

    Tatsuya Hashimoto, Yurie Fukunishi, Bin Zheng, Yukiharu Uraoka, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 102　No. 8　2013年2月25日　研究論文（学術雑誌）

  290. The adsorption mechanism of titanium-binding ferritin to amphoteric oxide.

    Megumi Fukuta, Nobuyuki Zettsu, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka, Heiji Watanabe

    Colloids and surfaces. B, Biointerfaces　Vol. 102　p. 435-40　2013年2月1日　研究論文（学術雑誌）

  291. Hard x-ray phase contrast imaging using a tabletop Talbot-Lau interferometer with multiline embedded x-ray targets

    Takayoshi Shimura, Naoki Morimoto, Sho Fujino, Takaharu Nagatomi, Keni-Chi Oshima, Jimpei Harada, Kazuhiko Omote, Naohisa Osaka, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

    Optics Letters　Vol. 38　No. 2　p. 157-159　2013年1月15日　研究論文（学術雑誌）

  292. Water growth on GeO2/Ge(100) stack and its effect on the electronic properties of GeO2

    Atsushi Mura, Iori Hideshima, Zhi Liu, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Kenta Arima

    Journal of Physical Chemistry C　Vol. 117　No. 1　p. 165-171　2013年1月10日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：ACS publications

  293. Crystallization of amorphous Ge thin film using Cu nanoparticle synthesized and delivered by ferritin

    Mutsunori Uenuma, Bin Zheng, Kosuke Bundo, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Heiji Watanabe, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka

    Journal of Crystal Growth　Vol. 382　p. 31-35　2013年　研究論文（学術雑誌）

  294. Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties

    Takuji Hosoi, Iori Hideshima, Ryohei Tanaka, Yuya Minoura, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Microelectronic Engineering　Vol. 109　p. 137-141　2013年　研究論文（学術雑誌）

  295. Dielectric properties of thermally grown SiO2 on 4H-SiC(0001) substrates

    Takuji Hosoi, Yusuke Uenishi, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 740-742　p. 605-608　2013年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  296. Novel approach for improving interface quality of 4H-SiC MOS devices with UV irradiation and subsequent thermal annealing

    Heiji Watanabe, Daisuke Ikeguchi, Takashi Kirino, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    Materials Science Forum　Vol. 740-742　p. 741-744　2013年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  297. AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上

    細井 卓治, 東雲 秀司, 柏木 勇作, 保坂 重敏, 中村 亮太, 箕谷 周平, 中野 佑紀, 浅原 浩和, 中村 孝, 木本 恒暢, 志村 考功, 渡部 平司

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）　2013年1月

  298. Effect of Water Adsorption on GeO2/Ge Structures Studied by In-situ XPS under Controlled Relative Humidity

    Kenta Arima, Atsushi Mura, Iori Hideshima, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Zhi Liu

    Extended Abstracts of the 18th Workshop on Gate Stack Technology and Physics　2013年1月

  299. 横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価

    松江 将博, 鈴木 雄一朗, 西川 弘晃, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会）　2013年1月

  300. Interface Engineering between Metal Electrode and GeO2 Dielectric for Future Ge-Based Metal-Oxide-Semiconductor Technologies

    S. Ogawa, I. Hideshima, Y. Minoura, T. Yamamoto, A. Yasui, H. Miyata, K. Kimura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会）　2013年1月

  301. SiC熱酸化膜特有の可動イオン生成とその除去

    Atthawut Chanthaphan, 箕谷 周平, 中野 佑紀, 中村 孝, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会）　2013年1月

  302. 高移動度Ge CMOSの実現に向けたGeON/Geゲートスタックのプロセス設計

    箕浦 佑也, 糟谷 篤志, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会）　2013年1月

  303. Effect of Water Growth on Quality of GeO2/Ge Revealed by in-situ XPS

    Kenta Arima, Atsushi Mura, Iori Hideshima, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Zhi Liu

    Symposium Program of SSNS'13　2013年1月

  304. The adsorption mechanism of titanium-binding ferritin to amphoteric oxide

    M. Fukuta, N. Zettsu, I. Yamashita, Y. Uraoka, H. Watanabe

    Colloid and Surfaces B: Biointerfaces　2013年1月　研究論文（学術雑誌）

  305. Fundamental Aspects of Silicon Carbide Oxidation

    H. Watanabe, T. Hosoi

    Physics and Technology of Silicon Carbide Devices, ISBN 978-953-51-0917-4　2012年12月

  306. Evaluation of Carrier Mobility Characteristics of Ge-on-Insulator MOSFET Formed by Lateral Liquid-Phase Epitaxy

    M. Matsue, Y. Suzuki, H. Nishikawa, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    8th Handai Nanoscience and nanotechnology International Symposium　2012年12月

  307. Improvement of Ultrathin GeON/Ge Interface Properties for High-mobility Ge MOSFETs

    I. Hideshima, Y. Minoura, A. Kasuya, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    8th Handai Nanoscience and nanotechnology International Symposium　2012年12月

  308. Mobile Ions Generated in Thermal SiO2 on SiC by Hydrogen Passivation and Its Impact on Interface Property

    T. Hosoi, A. Chanthaphan, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    The 43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2012年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  309. Implementation of GeON Gate Dielectrics for Dual-Channel Ge CMOS Technology

    Y. Minoura, A. Kasuya, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    The 43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2012年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  310. Al-inserted TiN Gate Electrodes with Low-Pressure Oxidation for Effective Work Function Control of Gate-First Poly-Si/TiN/HfSiO Stacks

    K. Chikaraishi, T. Minami, N. Kitano, T. Seino, N. Yamaguchi, T. Nakagawa, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    The 43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2012年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  311. Relationship between interface property and energy band alignment of thermally grown SiO2 on 4H-SiC(0001)

    Takuji Hosoi, Takashi Kirino, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Current Applied Physics　Vol. 12　No. 3　p. S79-S82　2012年12月　研究論文（学術雑誌）

  312. Synchrotron X-ray topography of supercritical-thickness strained silicon-on-insulator wafers for crystalline quality evaluation and electrical characterization using back-gate transistors

    T. Shimura, D. Shimokawa, T. Matsumiya, N. Morimoto, A. Ogura, S. Iida, T. Hosoi, H. Watanabe

    Current Applied Physics　Vol. 12　No. 3　p. S69-S74　2012年12月　研究論文（学術雑誌）

  313. Effective work function control of metal inserted poly-Si electrodes on HfSiO dielectrics by in-situ oxygen treatment of metal surface

    Naomu Kitano, Keisuke Chikaraishi, Hiroaki Arimura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Takashi Nakagawa, Heiji Watanabe

    Current Applied Physics　Vol. 12　No. 3　p. S83-S86　2012年12月　研究論文（学術雑誌）

  314. Al2O3/GeO2 stacked gate dielectrics formed by post-deposition oxidation of ultrathin metal Al layer directly grown on Ge substrates

    Iori Hideshima, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Current Applied Physics　Vol. 12　No. 3　p. S75-S78　2012年12月　研究論文（学術雑誌）

  315. Gate stack technology for advanced high-mobility Ge-channel metal-oxide-semiconductor devices - Fundamental aspects of germanium oxides and application of plasma nitridation technique for fabrication of scalable oxynitride dielectrics

    Heiji Watanabe, Katsuhiro Kutsuki, Atsushi Kasuya, Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Shoichiro Saito, Tomoya Ono, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    Current Applied Physics　Vol. 12　No. 3　p. S10-S19　2012年12月　研究論文（学術雑誌）

  316. High-mobility p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Ge-on-insulator structures formed by lateral liquid-phase epitaxy

    Yuichiro Suzuki, Shimpei Ogiwara, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 101　No. 20　2012年11月12日　研究論文（学術雑誌）

  317. Interface engineering between metal electrode and GeO2 dielectric for future Ge-based metal-oxide-semiconductor technologies

    Shingo Ogawa, Iori Hideshima, Yuya Minoura, Takashi Yamamoto, Asami Yasui, Hiroaki Miyata, Kosuke Kimura, Toshihiko Ito, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 101　No. 20　2012年11月12日　研究論文（学術雑誌）

  318. Fabrication of High-quality SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Structures by Rapid Melt Growth (Invited)

    T. Shimura, C. Yoshimoto, T. Hashimoto, S. Ogiwara, Y. Suzuki, T. Hosoi, H. Watanabe

    The Internationaｌ Symposium on Visualization in Joining & Welding Science through Advanced Measurements and Simulation (Visual-JW2012)　2012年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  319. Fabrication of Ge-on-insulator structure by lateral liquid-phase epitaxy and its electrical characterization using back-gate transistors

    T. Shimura, Y. Suzuki, S. Ogiwara, T. Hosoi, H. Watanabe

    The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials　2012年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  320. SiC熱酸化膜の比誘電率に関する考察

    細井 卓治, 上西 悠介, 箕谷 周平, 中野 佑紀, 中村 孝, 志村 考功, 渡部 平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第21回講演会予稿集　2012年11月

  321. 熱酸化SiO2/SiC構造における紫外線誘起欠陥生成機構の検討

    池口 大輔, 箕谷 周平, 中野 佑紀, 中村 孝, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第21回講演会予稿集　2012年11月

  322. バイアス温度ストレス印加を利用した4H-SiC熱酸化膜中の可動イオン除去

    Atthawut Chanthaphan, 箕谷 周平, 中野 佑紀, 中村 孝, 細井 卓治, 志村考功, 渡部 平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第21回講演会予稿集　2012年11月

  323. 熱酸化SiO2/SiC 界面原子構造と界面電気特性の評価

    渡部平司, 細井卓治

    表面科学　2012年11月

  324. High-k ゲートスタック技術の進展と最新動向

    渡部平司, 細井卓治

    電子情報通信学会誌　2012年11月

  325. Germanium Nitride Interface Layer for High-k/Ge Gate Stacks

    T. Hosoi, G. Okamoto, K. Kutsuki, I. Hideshima, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  326. Evaluation of Carrier Mobility in Local GOI Structures Formed by Lateral Liquid-Phase Epitaxy

    Y. Suzuki, S. Ogiwara, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  327. Application of Multiline Embedded X-ray Targets to X-ray Talbot-Lau Interferometer

    N. Morimoto, S. Fujino, T. Nagatomi, K. Ohshima, J. Harada, K. Omote, N. Osaka, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  328. High-quality Fully Relaxed SiGe Layers Fabricated on Silicon-on-Insulator Wafers by Rapid Melt Growth

    T. Shimura, S. Ogiwara, C. Yoshimoto, T. Hosoi, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  329. Improvement of Thermal SiO2/4H-SiC Interface by UV Irradiation and Subsequent High Temperature Annealing

    D. Ikeguchi, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  330. Interface Engineering between Metal Electrode and GeO2 Dielectric for Future Ge-based Metal-Oxide-Semiconductor Technologies

    S. Ogawa, I. Hideshima, Y. Minoura, T. Yamamoto, A. Yasui, H. Miyata, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  331. Process Optimization of GeON/Ge Gate Stacks for High-mobility Ge-based CMOS Devices

    Y. Minoura, A. Kasuya, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  332. Advanced Poly-Si/TiN Gate Electrode for Gate-first Metal/high-k PMOSFET

    K. Chikaraishi, T. Minami, N. Kitano, T. Seino, N. Yamaguchi, T. Nakagawa, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  333. Gate Stack Technology for Next-Generation Green Electronics

    H. Watanabe, T. Shimura, T. Hosoi

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  334. Elimination of Mobile Ions in Thermal Oxide of SiC MOS Devices

    A. Chanthaphan, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  335. Fabrication and Evaluation of Photoelectronic Devices Integrated with Gold Nanoparticle Plasmon Antenna

    T. Hashimoto, Y. Fukunishi, Z. Bin, Y. Uraoka, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2012年10月

  336. Fabrication of high-quality GOI and SGOI structures by rapid melt growth method - Novel platform for high-mobility transistors and photonic devices - (Invited)

    H. Watanabe, Y. Suzuki, S. Ogiwara, N. Kataoka, T. Hashimoto, T. Hosoi, T. Shimura

    Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science (PRiMe 2012)　2012年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  337. SiCパワーデバイス開発と評価技術 -高性能 SiC-MOSFET 実現に向けた熱酸化膜形成過程と MOS界面特性の理解-

    渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 News Letter -半導体SiCの基礎と応用-　2012年9月

  338. Characterization of multicrystalline Si in solar modules by synchrotron white x-ray microbeam diffraction

    T. Shimura, T. Matsumiya, N. Morimoto, S. Fujino, T. Hosoi, K. Kajiwara, J. Chen, T. Sekiguchi, H. Watanabe

    Abstracts of 11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2012)　2012年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  339. Effective Work Function Control of MIPS/High-k Gate Stacks by Al-Incorporation and in situ Low-Pressure Oxidation of TiN Surface

    K. Chikaraishi, T. Minami, N. Kitano, T. Seino, N. Yamaguchi, T. Nakagawa, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Program and Abstrats of Plenary, Forums, Somiya Award and Special Lecture, IUMRS-ICEM 2012　2012年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  340. Rapid Melt Growth of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Substrates

    T. Shimura, S. Ogiwara, Y. Suzuki, C. Yoshimoto, T. Hosoi, H. Watanabe

    Program and Abstrats of Plenary, Forums, Somiya Award and Special Lecture, IUMRS-ICEM 2012　2012年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  341. Development of multiline embedded X-ray targets for X-ray phase contrast imaging

    N. Morimoto, S. Fujino, T. Nagatomi, K. Ohshima, J. Harada, K. Omote, N. Osaka, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura

    Abstracts of 11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2012)　2012年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  342. Dielectric properties of thermally grown SiO2 on 4H-SiC (0001) substrates

    T. Hosoi, Y. Uenishi, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012)　2012年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  343. Novel approach for improving interface quality of 4H-SiC MOS devices with UV irradiation and subsequent thermal annealing

    H. Watanabe, D. Ikeguchi, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura

    9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012)　2012年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  344. Practical protein removal using atmospheric-pressure helium plasma for densely packed gold nanoparticle arrays assembled by ferritin-based encapsulation/transport system

    Tatsuya Hashimoto, Nobuyuki Zettsu, Bin Zheng, Megumi Fukuta, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 101　No. 7　2012年8月13日　研究論文（学術雑誌）

  345. Fabrication of Au / Pt Binary-Component Metal Nanodot Array by Electrostatistically-Driven Colloidal Self-Assembly

    R. Sumi, N. Zettsu, T. Ueno, T. Hosoi, H. Watanabe, N. Saito

    International Union of Materials Research Society - International Conference in Asia – 2012 (IUMRS-ICA-2012)　2012年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  346. Investigation of unusual mobile ion effects in thermally grown SiO 2 on 4H-SiC(0001) at high temperatures

    Atthawut Chanthaphan, Takuji Hosoi, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 100　No. 25　2012年6月18日　研究論文（学術雑誌）

  347. Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices (Invited)

    T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, D. Ikeguchi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)　2012年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  348. TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化

    細井 卓治, 大嶽 祐輝, 有村 拓晃, 力石 薫介, 北野 尚武, 志村 考功, 渡部 平司

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　Vol. 112　No. 92　p. 43-46　2012年6月

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  349. 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価

    箕浦 佑也, 糟谷 篤志, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　2012年6月

  350. Insight into Bias-temperature Instability of 4H-SiC MOS Devices with Thermally Grown SiO2 Dielectrics

    Atthawut Chanthaphan, Takashi Kirino, Yusuke Uenishi, Daisuke Ikeguchi, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2012 MRS Spring Meeting　2012年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  351. Comprehensive study of the X-ray photoelectron spectroscopy peak shift of La-incorporated Hf oxide for gate dielectrics

    Takashi Yamamoto, Shingo Ogawa, Jun-Ichi Tsuji, Koji Kita, Katsunori Tagami, Tsuyoshi Uda, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 51　No. 4　2012年4月　研究論文（学術雑誌）

  352. 放射光X 線トポグラフィによる極薄ひずみSi 層の結晶性評価

    志村考功, 細井卓治, 渡部平司

    日本結晶学会誌　2012年3月

  353. Compact X‐ray Talbot‐Lau interferometer with multiline embedded X‐ray targets

    N. Morimoto, S. Fujino, T. Nagatomi, K. Ohshima, J. Harada, K. Omote, N. Osaka, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Program of International Workshop on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings　2012年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  354. 湿度制御雰囲気下でのin situ XPSによる吸着水／GeO2／Ge(100)構造の観察

    有馬 健太, 村 敦史, 秀島 伊織, 細井 卓治, 渡部 平司, Liu Zhi

    表面科学学術講演会要旨集　Vol. 32　p. 75-75　2012年

    出版者・発行元：公益社団法人 日本表面科学会

  355. Performance and reliability improvement in SiC power MOSFETs by implementing AlON high-k gate dielectrics

    Takuji Hosoi, Shuji Azumo, Yusaku Kashiwagi, Shigetoshi Hosaka, Ryota Nakamura, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Hirokazu Asahara, Takashi Nakamura, Tsunenobu Kimoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  356. Fabrication of high-quality goi and sgoi structures by rapid melt growth method - Novel platform for high-mobility transistors and photonic devices - Novel p

    Heiji Watanabe, Yuichiro Suzuki, Shimpei Ogiwara, Nobuaki Kataoka, Tatsuya Hashimoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    ECS Transactions　Vol. 50　No. 4　p. 261-266　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  357. Analysis of lattice distortion in multicrystalline silicon for photovoltaic cells by synchrotron white x-ray micro beam diffraction

    Takayoshi Shimura, Takuya Matsumiya, Naoki Morimoto, Takuji Hosoi, Kentaro Kajiwara, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 725　p. 153-156　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  358. Oxygen-induced high-k degradation in TiN/HfSiO gate stacks

    Takuji Hosoi, Yuki Odake, Keisuke Chikaraishi, Hiroaki Arimura, Naomu Kitano, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  359. Impact of UV irradiation on thermally grown 4H-SiC MOS devices

    Daisuke Ikeguchi, Takashi Kirino, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 717-720　p. 765-768　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  360. Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of thermally grown oxides on 4H-SiC(0001) Si-face and (000-1) C-face substrates

    Heiji Watanabe, Takuji Hosoi, Takashi Kirino, Yusuke Uenishi, Atthawut Chanthaphan, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura

    Materials Science Forum　Vol. 717-720　p. 697-702　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  361. Impact of Si diffusion barrier formed on TiN surface by in-situ oxygen treatment process for advanced gate-first metal/high-k stacks

    N. Kitano, K. Chikaraishi, H. Arimura, T. Hosoi, T. Shimura, T. Seino, H. Watanabe, T. Nakagawa

    ECS Transactions　Vol. 45　No. 3　p. 145-149　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  362. Metal-nanoparticle-induced crystallization of amorphous Ge film using ferritin

    Mutsunori Uenuma, Bin Zheng, Takanori Imazawa, Masahiro Horita, Takashi Nishida, Yasuaki Ishikawa, Heiji Watanabe, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka

    Applied Surface Science　2012年1月　研究論文（学術雑誌）

  363. 横方向液相エピタキシャル成長により作製した単結晶GOI構造の電気特性評価

    鈴木 雄一朗, 荻原 伸平, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１７回研究会）　2012年1月

  364. ゲルマニウム熱酸化膜中の残留秩序構造

    志村 考功, 下川 大輔, 松宮 拓也, 細井 卓冶, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１７回研究会）　2012年1月

  365. 湿度制御雰囲気下でのin-situ XPSによるGeO2表面における吸着水形成過程の観測

    有馬 健太, 村 敦史, 秀島 伊織, 細井 卓治, 渡部 平司, Zhi Liu

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１７回研究会）　2012年1月

  366. TiN電極の減圧表面酸化処理によるpoly-Si/TiN/HfSiO/SiO2ゲートスタックの実効仕事関数制御

    力石 薫介, 北野 尚武, 有村 拓晃, 細井 卓治, 志村考功, 中川 隆史, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１７回研究会）　2012年1月

  367. Impact of interface defect passivation on conduction band offset at SiO 2/4H-SiC interface

    Takuji Hosoi, Takashi Kirino, Atthawut Chanthaphan, Yusuke Uenishi, Daisuke Ikeguchi, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 717-720　p. 721-724　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  368. Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of thermally grown oxides on 4H-SiC(0001) Si-face and (000-1) C-face substrates

    Heiji Watanabe, Takuji Hosoi, Takashi Kirino, Yusuke Uenishi, Atthawut Chanthaphan, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura

    Materials Science Forum　Vol. 717-720　p. 697-702　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  369. Control of selective adsorption behavior of Ti-binding ferritin on a SiO 2 substrate by atomic-scale modulation of local surface charges

    Tatsuya Hashimoto, Kentaro Gamo, Megumi Fukuta, Bin Zheng, Nobuyuki Zettsu, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 99　No. 26　2011年12月26日　研究論文（学術雑誌）

  370. 紫外線照射による熱酸化 SiO2/SiC 構造中の電気的欠陥生成

    池口大輔, 桐野嵩史, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会 予稿集　2011年12月

  371. 高温条件下における４H-SiC MOS デバイスの不安定性

    Atthawut Chanthaphan, 桐野嵩史, 上西悠介, 池口大輔, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会 予稿集　2011年12月

  372. Drastic degradation in dielectric properties of TiN/HfSiO/SiO2 gate stacks due to Hf uptake property of TiN electrodes

    T. Hosoi, H. Arimura, Y. Odake, N. Kitano, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts, 42nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2011年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  373. High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy

    Y. Suzuki, S. Ogiwara, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts, 42nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2011年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  374. High-mobility Ge MOSFETs with GeON gate dielectrics formed by plasma nitridation of ultrathin GeO2

    A. Kasuya, K. Kutsuki, I. Hideshima, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Program and Abstracts of 7th Handai Nanoscience and nanotechnology International Symposium　2011年11月

  375. Characterization of Grain Boundaries and Lattice Strain in Multicrystalline Si for Solar Cells by Synchrotron White X-ray Micro-beam Diffraction Method

    T. Matsumiya, N. Morimoto, S. Fujino, T. Hosoi, T. Shimura, K. Kajiwara, J. Chen, T. Sekiguchi, H. Watanabe

    Program and Abstracts of 7th Handai Nanoscience and nanotechnology International Symposium　2011年11月

  376. A protein removal technique with atmospheric-pressure He plasma for fabricating plasmonic device using porter-protein system

    Yurie Fukunishi, Tatsuya Hashimoto, Zheng Bin, Megumi Fukuta, Nobuyuki Zettsu, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka, Heiji Watanabe

    Program and Abstracts of 7th Handai Nanoscience and nanotechnology International Symposium　2011年11月

  377. High-Quality Al2O3/GeO2 Gate Dielectrics Formed by Post-Deposition Oxidation of Ultrathin Metal Al Layer on Ge Substrates

    Iori Hideshima, Atsushi Kasuya, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Abstracts of 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  378. Investigation of Mobile Ion Generation in Thermal Oxide of 4H-SiC(0001) MOS Devices with High-Temperature Hydrogen Annealing

    Atthawut Chanthaphan, Takashi Kirino, Yusuke Uenishi, Daisuke Ikeguchi, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Abstracts of 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  379. Modulation of Conduction Band Offset at SiO2/4H-SiC Interface Depending on Interface Defect Passivation Treatment

    T. Hosoi, T. Kitano, A. Chanthaphan, Y. Uenishi, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  380. Two-Dimensional Strain Measurement of Strained Silicon Wafer by Synchrotron X-ray Topography and its Electrical Characterization Using Back-Gate Transistors

    T. Shimura, D. Shimokawa, T. Matsumiya, N. Morimoto, A. Ogura, T. Hosoi, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  381. Effective Work Function Control of Metal Inserted Poly-Si Electroodes on HfSiO Dielectrics by In-situ Oxygen Treatment Process

    N. Kitano, K. Chikaraishi, H. Arimura, T. Hosoi, T. Shimura, T. Nakagawa, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  382. Unusual Impurity Absorbability of GeO2 in GeO2/Ge Stacks

    S. Ogawa, T. Suda, T. Yamamoto, K. Kutsuki, I. Hideshima, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  383. Drastic Degradation in Dielectric Properties of TiN/HfSiO/SiO2 Stacks due to Hf Uptake Property of TiN Electrodes

    K. Chikaraishi, H. Arimura, Y. Odake, N. Kitano, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  384. Al-based High-k/Ge Gate Stacks Fabricated by Post-Deposition Oxidation of Ultrathin Al Layer on Ge Substrates

    I. Hideshima, A. Kasuya, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  385. Investigation of UV-Induced Electrical Defects in Thermally Grown 4H-SiC MOS Devices

    D. Ikeguchi, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  386. Flatband Voltage Instability Due to Mobile Ions in 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices

    A. Chanthaphan, T. Kirino, Y. Uenishi, D. Ikeguchi, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  387. High-Quality Single-Crystalline Ge-on-Insulator P-Channel MOSFETs Formed by Lateral Liquid-Phase Epitaxy

    T. Suzuki, S. Ogiwara, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  388. Plasmonic Property of High-density Gold Nanoparticle Monolayer Arranged Using Ferritin Protein-base Encapsulation/transport System

    T. Hashimoto, Z. Bin, M. Fukuta, N. Zettsu, K. Gamo, Y. Fukunishi, I.Yamashita, T. Uraoka, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  389. Fabrication of High-quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method

    H. Watanabe, C. Yoshimoto, T. Hashimoto, S. Ogiwara, Y. Suzuki, T. Hosoi, T. Shimura

    Extended Abstracts of Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年11月

  390. Detrimental Hf penetration into TiN gate electrode and subsequent degradation in dielectric properties of HfSiO high-k film

    Hiroaki Arimura, Yuki Odake, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 99　No. 14　2011年10月3日　研究論文（学術雑誌）

  391. Insight into unusual impurity absorbability of GeO2 in GeO 2/Ge stacks

    Shingo Ogawa, Taichi Suda, Takashi Yamamoto, Katsuhiro Kutsuki, Iori Hideshima, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 99　No. 14　2011年10月3日　研究論文（学術雑誌）

  392. Passivation of High-k Bulk and Interface Defects by Incorporating La into Hf-silicate and its Impact on Carrier Mobility [SISC] (Invited)

    M. Saeki, H. Arimura, N. Kitano, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    IEEE 11th Kansai Colloquium, Electron Devices Workshop　2011年10月

  393. Synchrotron radiation photoemission study of Ge3N4/Ge structures formed by plasma nitridation

    Takuji Hosoi, Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 50　No. 10　2011年10月　研究論文（学術雑誌）

  394. Impact of thermally induced structural changes on the electrical properties of TiN/HfLaSiO gate stacks

    Takashi Yamamoto, Shingo Ogawa, Hiroaki Arimura, Masayuki Saeki, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 50　No. 10　2011年10月　研究論文（学術雑誌）

  395. La induced passivation of high-k bulk and interface defects in polycrystalline silicon/TiN/HfLaSiO/SiO2 stacks

    Masayuki Saeki, Hiroaki Arimura, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 50　No. 10　2011年10月　研究論文（学術雑誌）

  396. Ge p-MOSFET with GeON gate dielectrics formed by plasma nitridation of GeO2

    A. Kasuya, K. Kutsuki, I. Hideshima, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Program and Abstracts of International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics (QNN2011)　2011年10月

  397. Nanoparticle-Induced Crystallization of Amorphous Ge Film Using Ferritin

    Mutsunori Uenuma, Bin Zheng, Takanori Imazawa, Naofumi Okamoto, Masahiro Horita, Takashi Nishida, Yasuaki Ishikawa, Heiji Watanabe, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)　2011年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  398. Analysis of Grain Orientation and Lattice Strain in Multicrystalline Silicon for Photovoltaic Cells by Synchrotron White X-ray Micro-beam Diffraction Method

    T. Shimura, T. Matsumiya, N. Morimoto, T. Hosoi, K. Kajiwara, J. Chen, T. Sekiguchi, H. Watanabe

    Abstracts of 14the International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XIV)　2011年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  399. 走査型容量顕微鏡による誘電体／伝導性薄膜観察

    内藤裕一, 渡部平司

    「真空」　Vol. 54　No. 7　p. 437-444　2011年9月

    出版者・発行元：The Vacuum Society of Japan

  400. Impact of UV Irradiation on Thermally Grown 4H-SiC MOS Devices

    Daisuke Ikeguchi, Takashi Kirino, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials Abstract Book　2011年9月

  401. Synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy study on thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) interface and its correlation with electrical properties

    Heiji Watanabe, Takuji Hosoi, Takashi Kirino, Yusuke Kagei, Yusuke Uenishi, Atthawut Chanthaphan, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takayoshi Shimura

    Applied Physics Letters　Vol. 99　No. 2　2011年7月11日　研究論文（学術雑誌）

  402. （依頼講演）SiC-MOS 界面欠陥の評価とその改善策

    渡部 平司

    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第6回個別討論会 予稿冊子　2011年7月

  403. 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制

    大嶽祐輝, 有村拓晃, 佐伯雅之, 力石薫介, 北野尚武, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会誌　2011年7月

  404. Selective assembly of close-packed gold nanoparticle arrays on substrate by ferritin protein-base encapsulation system and their plasmonic properties

    Tatsuya Hashimoto, Megumi Fukuta, Kentaro Gamo, Nobuyuki Zettsu, Heiji Watanabe

    Abstracts Vol.2 of the 5th International Conference on Surface Plasmon Photonics　2011年5月

  405. Advantage of high-density plasma nitridation for improving thermal stability of ultrathin GeO2 on Ge(100)

    A. Kasuya, K. Kutsuki, I. Hideshima, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Technical Digest of 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2011年5月

  406. Correlation between surface morphology and breakdown characteristics of thermally grown SiO2 dielectrics in 4H-SiC MOS Devices

    Y. Uenishi, K. Kozono, S. Mitani, Y. Nakanob, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Technical Digest of 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2011年5月

  407. Versatile protein-based bifunctional nano-systems (encapsulation and directed assembly): Selective nanoscale positioning of gold nanoparticle-viral protein hybrids

    Bin Zheng, Nobuyuki Zettsu, Megumi Fukuta, Mutsunori Uenuma, Tatsuya Hashimoto, Kentaro Gamo, Yukiharu Uraoka, Ichiro Yamashita, Heiji Watanabe

    Chemical Physics Letters　Vol. 506　No. 1-3　p. 76-80　2011年4月11日　研究論文（学術雑誌）

  408. Fundamental Aspects and Interface Engineering of Ge-MOS Devices

    Heiji Watanabe, Katsuhiro Kutsuki, Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Shoichiro Saito, Tomoya Ono, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    2011 MRS Spring Meeting Program and Exhibit Guide　2011年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  409. (Invited) Understanding and Control of Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces for Advanced Nanoelectronics

    Heiji Watanabe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Kenji Shiraishi, Keisaku Yamada

    Abstracts of The 3rd Working Group Meeting of Asia Consortium on Computational Materials Science on "Advances in Nano Device Simulation" (accms WGM3)　2011年4月

  410. Maximized benefit of LaAlO higher-κ gate dielectrics by optimizing the La/Al atomic ratio

    Hiroaki Arimura, Stephen L. Brown, Alessandro Callegari, Andrew Kellock, John Bruley, Matt Copel, Heiji Watanabe, Vijay Narayanan, Takashi Ando

    IEEE Electron Device Letters　Vol. 32　No. 3　p. 288-290　2011年3月　研究論文（学術雑誌）

  411. Gate stack technologies for SiC power MOSFETs

    H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura

    ECS Transactions　Vol. 41　No. 3　p. 77-90　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  412. Low-temperature crystallization of amorphous Ge thin films using metal nanoparticles

    Kosuke Bundo, Takanori Imazawa, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa, Heiji Watanabe, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka

    IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　p. 116-117　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  413. High-quality single-crystal SiGe layers on insulator formed by rapid melt growth

    S. Ogiwara, Y. Suzuki, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　p. 70-71　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  414. Impact of stacked AlON/SiO2 gate dielectrics for SiC power devices

    H. Watanabe, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura

    ECS Transactions　Vol. 35　No. 2　p. 265-274　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  415. Reduction of charge trapping sites in Al2O3/SiO 2 stacked gate dielectrics by incorporating nitrogen for highly reliable 4H-SiC MIS devices

    Takuji Hosoi, Yusuke Kagei, Takashi Kirino, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 679-680　p. 496-499　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  416. Electrical characteristics of ge-based metal-insulator-semiconductor devices with Ge3N4 dielectrics formed by plasma nitridation

    Gaku Okamoto, Katsuhiro Kutsuki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology　Vol. 11　No. 4　p. 2856-2860　2011年　研究論文（学術雑誌）

  417. Surface cleaning and etching of 4H-SiC(0001) using high-density atmospheric pressure hydrogen plasma

    Heiji Watanabe, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology　Vol. 11　No. 4　p. 2802-2808　2011年　研究論文（学術雑誌）

  418. Improved electrical properties and thermal stability of GeON gate dielectrics formed by plasma nitridation of ultrathin oxides on Ge(100)

    Heiji Watanabe, Katsuhiro Kutsuki, Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    Key Engineering Materials　Vol. 470　p. 152-157　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  419. The rule of Electric Surface State for the Specific Binding of the Ti-recognizing Recombinant Ferritin with Amphoteric Oxides and Silicon Oxide Surfaces

    M. Fukuta, N. Zettsu, Y. Uraoka, H. Watanabe

    Abstracts of Eleventh International Simposium on Biomimetic Materials Processing (BMMP-11)　2011年1月

  420. 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製

    荻原 伸平, 鈴木 雄一朗, 吉本 千秋, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１６回研究会）　2011年1月

  421. (招待講演)High-k/Metalゲートスタックにおける酸素空孔形成要因と実効仕事関数変調機構

    細井 卓治, 佐伯 雅之, 奥 雄大, 北野 尚武, 有村 拓晃, 大嶽 祐輝, 白石 賢二, 山田 啓作, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１６回研究会）　2011年1月

  422. In situ Synchrotron Radiation Photoemission Study of Ge3N4/Ge Structures Formed by Plasma Nitridation

    Takuji Hosoi, Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Extended Abstracts of 2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2011)　2011年1月

  423. 極薄Ge熱酸化膜の高密度プラズマ窒化により形成したGeON絶縁膜の熱安定性評価

    糟谷 篤志, 朽木 克博, 秀島 伊織, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１６回研究会）　2011年1月

  424. Impact of Thermally Induced Structural Changes on the Electrical Properties of TiN/HfLaSiO Gate Stacks

    Takashi Yamamoto, Shingo Ogawa, Hiroaki Arimura, Masayuki Saeki, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Extended Abstracts of 2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2011)　2011年1月

  425. La Induced Passivation of High-k Bulk and Interface Defects in Poly-Si/TiN/HfLaSiO/SiO2 Stacks

    Masayuki Saeki, Hiroaki Arimura, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Extended Abstracts of 2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2011)　2011年1月

  426. Thermal robustness and improved electrical properties of ultrathin germanium oxynitride gate dielectric

    Katsuhiro Kutsuki, Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 50　No. 1　2011年1月　研究論文（学術雑誌）

  427. Characterization of sige layer during ge condensation process by X-ray diffraction methods

    Takayoshi Shimura, Tomoyuki Inoue, Daisuke Shimokawa, Takuji Hosoi, Yasuhiko Imai, Osami Sakata, Shigeru Kimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 50　No. 1　2011年1月　研究論文（学術雑誌）

  428. Investigation of surface and interface morphology of thermally grown SiO2 dielectrics on 4H-SiC(0001) substrates

    Takuji Hosoi, Kohei Kozono, Yusuke Uenishi, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 679-680　p. 342-345　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  429. Energy band structure of SiO2/4H-SiC interfaces and its modulation induced by intrinsic and extrinsic interface charge transfer

    Heiji Watanabe, Takashi Kirino, Yusuke Kagei, James Harries, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    Materials Science Forum　Vol. 679-680　p. 386-389　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  430. Electronic structure characterization of La incorporated Hf-based high-k gate dielectrics by NEXAFS

    Takashi Yamamoto, Singo Ogawa, Masahiro Kunisu, Junichi Tsuji, Koji Kita, Masayuki Saeki, Yudai Oku, Hiroaki Arimura, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology　Vol. 11　No. 4　p. 2823-2828　2011年　研究論文（学術雑誌）

  431. (依頼講演)ゲルマニウムMOSデバイスにおける界面設計と高移動度FETへの応用

    渡部平司, 朽木克博, 糟谷篤志, 秀島伊織, 斉藤正一朗, 小野倫也, 細井卓治, 志村考功

    応用物理学会 北海道支部講演会　2010年12月

  432. (招待講演)極限CMOS実現に向けた高機能化ゲートスタックの設計

    渡部 平司

    東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設主催 シンポジウム「次世代集積デバイス・プロセスの展望」　2010年12月

  433. Interfacial Design of High-k/Ge Gate Stacks with ZrO2 Dielectrics for Scaled Ge-based MOS devices

    Takuji Hosoi, Gaku Okamoto, Iori Hideshima, Atsushi Kasuya, Katsuhiro Kutsuki, James Harries, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Abstracts, 41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2010年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  434. Impact of Plasma Nitridation On Electrical properties and Thermal Stability of Ultrathin Thermal GeO2 on Ge(100)

    Katsuhiro Kutsuki, Atsushi Kasuya, Iori Hideshima, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Abstracts, 41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2010年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  435. Energy Band Structure of Thermally Grown SiO2/4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Post-oxidation Treatments

    Takashi Kirino, Yusuke Kagei, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Syuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Abstracts, 41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2010年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  436. Passivation of High-k Bulk and Interface Defects by Incorporating La into Hf-silicate and its Impact on Carrier Mobility

    Masayuki Saeki, Hiroaki Arimura, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Abstracts, 41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2010年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  437. Kinetics of interfacial layer scavenging and dipole formation for ultimate scaling of Hf-based high-k gate dielectrics

    Takashi Ando, Hiroaki Arimura, Richard Haight, Matt Copel, Heiji Watanabe, Vijay Nrayanan

    Abstracts, 41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2010年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  438. Autonomous Liquid-phase Nanoscale Processing for the Large-area Fabrication of Nanoparticle-based Parallel Device Arrays

    Nobuyuki Zettsu, Takuji Hosoi, Shin Matsuura, Akira Watanabe, Heiji Watanabe

    Abstracts for the 2010 MRS Fall Meeting technical symposia　2010年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  439. Ferritin Protein-base Versatile Encapsulation/Transport System for Selective Nanoscale Positioning of Targeted Plasmonic Au Nanoparticles

    Tatsuya Hashimoto, Nobuyuki Zettsu, Bin Zheng, Megumi Fukuta, Kentaro Gamo, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka, Heiji Watanabe

    Abstracts for the 2010 MRS Fall Meeting technical symposia　2010年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  440. Impact of Nitrogen Incorporation into A12O3 Gate Dielectrics on Flatband Voltage Stability in 4H-SiC MIS Devices

    T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  441. Excellent Electrical Property of Ge-MIS Devices with ZrO2 High-k Gate Dielectrics

    T. Hosoi, G. Okamoto, K. Kutsuki, J. Harries, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  442. Residual Order and Rate Enhancement of SiGe Thermal Oxidation

    T. Shimura, Y. Okamoto, D. Shimokawa, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  443. Investigation of Correlation between Thermally Grown SiO2 Thickness Fluctuation and Local Dielectric Breakdown in 4H-SiC MOS Devices

    Y. Uenishi, K. Kozono, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  444. Modulation on Thermally Grown SiO2/4H-SiC Energy Band Structure Depending on Surface Orientation

    T. Kirino, Y. Kagei, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  445. Critical Titanium Coverage on SiO2 for Selective Adsorption of Ti-binding Ferritin

    K. Gamo, M. Fukuta, T. Hashimoto, B. Zheng, N. Zettsu, I. Yamashita, Y. Uraoka, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  446. Selective Transportaion of Gold Nanoparticles Encapsulated with TFG Subunit Dimers and Their Plasmonic Characteristics

    T. Hashimoto, B. Zheng, M. Fukuta, K. Gamo, N. Zettsu, I. Yamashita, Y. Uraoka, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  447. Fabricatrion of High-quality SiGe-on-insulator Structures by Rapid Melt Growth

    S. Ogiwara, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  448. Investigation of High-k Bulk and Interface Defects in Poly-Si/TiN/HfLaSiO/SiO2 Stacks using Charge Pumping Technique

    M. Saeki, H. Arimura, N. Kitano, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  449. Investigation of Structural Change in TiN/HfLaSiO Gate Stack Induced by High-temperature Annealing

    T. Yamamoto, S. Ogawa, H. Arimura, M. Saeki, N. Kitano, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  450. Impact of La and A1 Composition Ratio on the Electrical Properties of La-A1-O Higher-k Gate Dielectrics

    H. Arimura, T. Ando, S. L. Brown, A. Kellock, A. Callegari, M. Copel, R. Haight, H. Watanabe, V. Narayanan

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2010年11月

  451. Thermal Robustness and Improved Electrical Properties of Ultrathin Germanium Oxynitride Gate Dielectric

    K. Kutuki, I. Hideshima, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　Vol. 50　No. 1　2010年11月

  452. Fabrication of Shape Controlled Metal Nanodot Arrays by Autonomous Liquid-phase Nanoscale Processing as well as Their Charge Injection Characteritics for Floating Nanodot Gate Memory

    N. Zettsu, S. Matsuura, A. Watanabe, K. Yamamura, T. Hosoi, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, 4.4, 42-43.　2010年11月

  453. (招待講演)金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解

    細井卓治, 佐伯雅之, 喜多祐起, 奥雄大, 有村拓晃, 北野尚武, 白石賢二, 山田啓作, 志村考功, 渡部平司

    信学技報 2010年11月.　Vol. 110　No. 274　p. 23-28　2010年11月

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  454. SiO2/4H-SiC断面構造解析による熱酸化SiO2信頼性低下要因の評価

    上西悠介, 小園幸平, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村 孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会 予稿集　2010年10月

  455. SiO2/4H-SiCエネルギーバンド構造に対する界面特性改善処理の影響

    細井卓治, 桐野嵩史, Atthawut Chanthaphan, 池口大輔, 吉越章隆, 寺岡有殿, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村 孝, 志村考功, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会 予稿集　2010年10月

  456. Control of Gate Metal Effective Work Functions and Interface Layer Thickness by Designing Interface Thermodynamics Based on Heteroatom Incorporation into High-k HfO2 Gate Dielectrics

    Kenji Shiraishi, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Keisaku Yamada

    ECS Trans　2010年10月　研究論文（学術雑誌）

  457. Fabrication of fully relaxed SiGe layers with high Ge concentration on silicon-on-insulator wafers by rapid melt growth

    Takayoshi Shimura, Shimpei Ogiwara, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 3　No. 10　2010年10月　研究論文（学術雑誌）

  458. Reduction of Charge Trapping Sites in Al2O3/SiO2 Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices diodes

    Takuji Hosoi, Yusuke Kagei, Takashi Kirino, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Abstract Booklet of the 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials　2010年8月

  459. ゲートファーストHigh-k MIPS構造の実効仕事関数制御に向けた指針

    細井卓治, 佐伯雅之, 奥雄大, 有村拓晃, 北野尚武, 白石賢二, 山田啓作, 志村考功, 渡部平司

    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第127回研究集会予稿集　2010年7月

  460. (Invited) Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method

    Heiji Watanabe, Chiaki Yoshimoto, Tatsuya Hashimoto, Shimpei Ogiwara, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    The Proceedings of AM-FPD 10　2010年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  461. Interface Engineering of ZrO2/Ge Gate Stacks by Post-deposition Annealing and Al2O3 Capping Layers

    H. Watanabe, G. Okamoto, K. Kutsuki, J. Harries, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Hosoi, T. Shimura

    Extended Abstracts of International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics　2010年6月

  462. Superior electrical properties and thermal stability of ultrathin GeON dielectrics formed by plasma nitridation of thermal oxides on Ge(100)

    K. Kutsuki, I. Hideshima, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics　2010年6月

  463. Synchrotron X-ray Diffraction Study of Lattice Inclination and Strain in Strained Si Wafers

    D. Shimokawa, T. Inoue, A. Ogura, M. Umeno, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstract Notebook of International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials　2010年6月

  464. Conductive AFM study on local dielectric degradation of thermal oxides in 4H-SiC MOS devices

    Y. Uenishi, K. Kozono, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstract Notebook of International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials　2010年6月

  465. Control of Thermally Grown GeO2/Ge MOS Characteristics - Effects of Vanuum Annealing, Capping Layers and Electrode Material -

    I. Hideshima, K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstract Notebook of International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials　2010年6月

  466. 次世代の高機能化 High-k 絶縁膜への研究開発の動き

    渡部平司

    月刊 MATERIAL STAGE　2010年5月

  467. (Invited) Ultimate EOT Scaling (< 5A) Using Hf-Based High-k Gate Dielectrics and Impact on Carrier Mobility

    Takashi Ando, Martin M. Frank, Kisik Choi, Changhwan Choi, Richard Haight, Matt Copel, Hiroaki Arimura, Heiji Watanabe, Vijay Narayanan

    Abstracts of 217th ECS Meeting - Vancouver, Canada　2010年4月

  468. Investigation of the Physical Origin of the Improved Electrical Properties of GeO2 Dielectric by Vacuum Annealing.

    Shingo Ogawa, Takashi Yamamoto, Gaku Okamoto, Katsuhiro Kutsuki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Program and Exhibit Guide of 2010 MRS spring meeting　2010年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  469. Oxidation Mechanism at Ge/GeO2 interfaces: An ab initio Study.

    Shoichiro Saito, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Tomoya Ono

    Program and Exhibit Guide of 2010 MRS spring meeting　2010年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  470. Optimization of Composition Ratio in La-Al-O Gate Dielectrics for Advanced Metal/Higher-k Devices.

    Hiroaki Arimura, Takashi Ando, Stephen L. Brown, Andrew Kellock, Alessandro Callegari, Matthew Copel, Richard Haight, Heiji Watanabe, Vijay Narayanan

    Program and Exhibit Guide of 2010 MRS spring meeting　2010年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  471. Comprehensive study and control of oxygen vacancy induced effective work function modulation in gate-first high-k/metal inserted poly-Si stacks

    T. Hosoi, M. Saeki, Y. Oku, H. Arimura, N. Kitano, K. Shiraishi, K. Yamada, T. Shimura, H. Watanabe

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　p. 179-180　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  472. High-quality GeON gate dielectrics formed by plasma nitridation of ultrathin thermal oxides on Ge(100)

    Heiji Watanabe, Katsuhiro Kutsuki, Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　p. 867-870　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  473. Control of gate metal effective work functions and interface layer thickness by designing interface thermodynamics based on heteroatom incorporation into high-k HfO2 gate dielectrics

    K. Shiraishi, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Yamada

    ECS Transactions　Vol. 33　No. 6　p. 479-486　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  474. Interface reaction and rate enhancement of SiGe thermal oxidation

    T. Shimura, Y. Okamoto, D. Shimokawa, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe

    ECS Transactions　Vol. 33　No. 6　p. 893-899　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  475. Thermal stability and electron irradiation damage of ordered structure in the thermal oxide layer on Si

    Takayoshi Shimura, Daisuke Shimokawa, Tomoyuki Inoue, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Osami Sakata, Masataka Umeno

    Journal of the Electrochemical Society　Vol. 157　No. 10　p. H977-H981　2010年　研究論文（学術雑誌）

  476. Comprehensive study and control of oxygen vacancy induced effective work function modulation in gate-first high-k/metal inserted poly-Si stacks

    T. Hosoi, M. Saeki, Y. Oku, H. Arimura, N. Kitano, K. Shiraishi, K. Yamada, T. Shimura, H. Watanabe

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　p. 179-180　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  477. Ultimate EOT scaling (&lt; 5Å) using Hf-based high-κ gate dielectrics and impact on carrier mobility

    Takashi Ando, Martin M. Frank, Kisik Choi, Changhwan Choi, John Bruley, Marinus Hopstaken, Richard Haight, Matt Copel, Hiroaki Arimura, Heiji Watanabe, Vijay Narayanan

    ECS Transactions　Vol. 28　No. 1　p. 115-123　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  478. Physical origins of mobility degradation in extremely scaled SiO 2 / HfO2 gate stacks with la and Al induced dipoles

    Takashi Ando, Matt Copel, John Bruley, Martin M. Frank, Heiji Watanabe, Vijay Narayanan

    Applied Physics Letters　Vol. 96　No. 13　2010年　研究論文（学術雑誌）

  479. Temperature-dependent La- and Al-induced dipole behavior monitored by femtosecond pump/probe photoelectron spectroscopy

    Hiroaki Arimura, Richard Haight, Stephen L. Brown, Andrew Kellock, Alessandro Callegari, Matthew Copel, Heiji Watanabe, Vijay Narayanan, Takashi Ando

    Applied Physics Letters　Vol. 96　No. 13　2010年　研究論文（学術雑誌）

  480. Fabrication of advanced La-incorporated Hf-silicate gate dielectrics using physical-vapor-deposition-based in situ method and its effective work function modulation of metal/high- k stacks

    Hiroaki Arimura, Yudai Oku, Masayuki Saeki, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 107　No. 3　2010年　研究論文（学術雑誌）

  481. Residual order in the thermal oxide of a fully strained SiGe alloy on Si

    Takayoshi Shimura, Yuki Okamoto, Tomoyuki Inoue, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

    Phys. Rev. B　2010年1月　研究論文（学術雑誌）

  482. 大気曝露に起因したGe-MOSキャパシタの電気特性劣化とその改善手法の提案

    秀島 伊織, 岡本 学, 朽木 克博, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１５回研究会）　2010年1月

  483. Ge/GeO2界面の欠陥と電子状態の第一原理計算

    小野 倫也, 齋藤 正一朗, 細井 卓治, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１５回研究会）　2010年1月

  484. ZrO2ゲート絶縁膜を用いたGe MOSデバイスの界面設計

    細井 卓治, 岡本 学, 朽木 克博, 景井 悠介, James Harries, 吉越 章隆, 寺岡 有殿, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１５回研究会）　2010年1月

  485. 炭素不純物に起因したTiN/HfSiONゲートスタックの電気特性劣化現象

    佐伯 雅之, 有村 拓晃, 奥 雄大, 北野 尚武, 小須田 求, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１５回研究会）　2010年1月

  486. 極薄Ge熱酸化膜の高密度プラズマ窒化により形成したGeON絶縁膜の評価

    朽木克博, 秀島伊織, 岡本学, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１５回研究会）　2010年1月

  487. Low threshold voltage and high mobility N-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using Hf-Si/HfO2 gate stack fabricated by gate-last process

    Takashi Ando, Tomoyuki Hirano, Kaori Tai, Shinpei Yamaguchi, Shinichi Yoshida, Hayato Iwamoto, Shingo Kadomura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 49　No. 1　2010年　研究論文（学術雑誌）

  488. Direct observation of dielectric breakdown spot in thermal oxides on 4H-SiC(0001) using conductive atomic force microscopy

    Kohei Kozono, Takuji Hosoi, Yusuke Kagei, Takashi Kirino, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 645-648　p. 821-824　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  489. Improved electrical properties of SiC-MOS interfaces by thermal oxidation of plasma nitrided 4H-SiC(0001) surfaces

    Yusuke Kagei, Takashi Kirino, Yuu Watanabe, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 645-648　p. 507-511　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  490. Improved characteristics of 4H-SiC MISFET with AlON/nitrided SiO 2 stacked gate dielectrics

    Takuji Hosoi, Yusuke Kagei, Takashi Kirino, Yuu Watanabe, Kohei Kozono, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 645-648　p. 991-994　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications Ltd

  491. 4H-SiC(0001)基板表面のプラズマ窒化と高温水素ガスアニール処理によるSiC-MOS界面特性向上

    景井悠介, 桐野嵩史, 小園幸平, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村 孝, 吉越章隆, 寺岡有殿, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第１8回講演会 予稿集　2009年12月

  492. 導電性原子間力顕微鏡による4H-SiC(0001)熱酸化膜の局所絶縁劣化現象の観察

    小園幸平, 景井悠介, 桐野嵩史, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村 孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第１8回講演会 予稿集　2009年12月

  493. 放射光XPSによる熱酸化SiO2/4H-SiC界面のエネルギーバンド構造分析

    桐野嵩史, 景井悠介, 岡本 学, James Harries, 吉越章隆, 寺岡有殿, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村 孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第１8回講演会 予稿集　2009年12月

  494. プラズマ窒化技術とAlON/SiO2積層絶縁膜によるSiC-MOSデバイスの高機能化

    渡部平司, 景井悠介, 小園幸平, 桐野崇史, 渡邊 優, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村 孝, 吉越章隆, 寺岡有殿, 細井卓治, 志村考功

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第１8回講演会 予稿集　2009年12月

  495. Development of Silane-coupling Silicon Substrate for Device Fabrication using Protein

    Megumi Fukuta, Heiji Watanabe, Ichiro Yamashita

    Program and Exhibit Guide of 2009 MRS fall meeting　2009年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  496. Effective Work Function Control of TaC/High-k Gate Stack by Post Metal Nitridation

    Takashi Ando, Allesandro Callegari, Changhwan Choi, Marinus Hopstaken, John Bruley, Michael Gordon, Heiji Watanabe, Vijay Narayanan

    Abstracts, 40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2009年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  497. New Insights into Flatband Voltage Shift and Minority Carrier Generation in GeO2/Ge MOS devices

    Takuji Hosoi, Marina Saito, Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Katsuhiro Kutsuki, Shingo Ogawa, Takashi Yamamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Abstracts, 40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2009年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  498. Impact of Plasma Nitridation on Physical and Electrical Properties of Ultrathin Thermal Oxides on Ge(100).

    Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Program and Exhibit Guide of 2009 MRS fall meeting　2009年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  499. Fabrication of Single-Crystal Local Germanium-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy

    Tatsuya Hashimoto, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Program and Exhibit Guide of 2009 MRS fall meeting　2009年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  500. Band-edge high-performance metal-gate/high-κ nMOSFET using Hf-Si/HfO 2 stack

    Takashi Ando, Tomoyuki Hirano, Kaori Tai, Shinpei Yamaguchi, Shinichi Yoshida, Hayato Iwamoto, Shingo Kadomura, Heiji Watanabe

    IEEE Transactions on Electron Devices　Vol. 56　No. 12　p. 3223-3227　2009年12月　研究論文（学術雑誌）

  501. First-Principles Study on Oxidation Mechanism at Ge/GeO2 Interface

    S. Saito, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Ono

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  502. Electrical Characteristics of Ge-based MIS Devices with Ge3N4 Dielectrics Formed by Plasma

    G. Okamoto, K. Kutsuki, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  503. Impact of gate electrode deposition process on effective work function of poly-Si/TiNHfSiO gate stacks

    Y. Oku, H. Arimura, M. Saeki, N. Kitano, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  504. Structural and electrical properties of GeON dielectrics formed by high-density plasma nitridation of ultrathin thermal GeO2

    K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  505. Observation of local dielectric degradation of thermal oxides on 4H-SiC using conductive AFM

    K. Kozono, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  506. Impact of Carbon Impurity on Electrical Properties of TiN/HfSiON/SiO2

    M. Saeki, H. Arimura, Y. Oku, N. Kitano, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  507. Thermal Instability of Effective Work Function of Metal/HfLaSiO Gate Stacks

    H. Arimura, Y. Oku, M. Saeki, N. Kitano, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  508. Selective Adsorption of Ti-binding Ferritin on Thin Ti Film with Various Oxidation Treatment

    T. Hashimoto, K. Gamo, M. Fukuta, B. Zheng, N. Okamoto, I. Yamashita, Y. Uraoka, N. Zettsu, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  509. Non-volatile Memory Applications in a 12 nm-sized Au Nanoparticle Array Fabricated by Preciously Controlled Colloidal Self-Assembly

    S. Saito, T. Hosoi, H. Watanabe, N. Zettu

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  510. Advanced Gate Stack Technology for SiC-MOS Power Devices

    H. Watanabe, Y. Kagei, K. Kozono, T. Kirino, Y. Watanabe, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura

    Extended Abstracts of Second International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology　2009年11月

  511. First-Principles Calculation of Oxidation Mechanism at Ge/GeO2 Interfaces

    Shouichiro Saito, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Tomoya Ono

    The 12th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations　2009年10月

  512. Observation of Two-Dimensional Distribution of Lattoce Inclination and Strain in Strained Si Wafers by Synchrotron X-Ray Topography

    Takayoshi Shimura, Tomoyuki Inoue, Daisuke Shimokawa, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Atsushi Ogura, Masataka Umeno

    DRIP XIII Conference　2009年9月

  513. Significant Improvement in GeO2/Ge MOS Characteristics by in Situ Vacuum Annealing

    T. Hosoi, G. Okamoto, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe

    Program & Abstracts of 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009年9月

  514. Experimental Verification of Interface Dipole Formation in Metal/high-k Gate Stacks

    T. Hosoi, Y. Kita, T. Shimura, K. Shiraishi, Y. Nara, K. Yamada, H. Watanabe

    Program & Abstracts of 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009年9月

  515. Improved Electrical Properties and Effective Work Function Control of Metal/HfLaSiO/SiO2/Si Gate Stacks Fabricated by PVD-Based In-situ Process

    M. Saeki, H. Arimura, Y. Oku, N. Kitano, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Program & Abstracts of 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009年9月

  516. Ge3N4 Gate Dielectrics Fabricated by High-Density Plasma Nitridation of Ge(100) Surfaces

    K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Program & Abstracts of 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009年9月

  517. Improved Physical and Electrical Properties of Ultrathin Germanium Oxides by High-Density Plasma Nitridation

    K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Program & Abstracts of 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009年9月

  518. Fabrication of Ge Nano-Wires on Insulators Using Lateral Liquid-Phase Epitaxy

    C. Yoshimoto, T. Hashimoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Program & Abstracts of 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009年9月

  519. GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術(依頼講演)

    渡部平司, 齊藤真里奈, 齊藤正一朗, 岡本学, 朽木克博, 細井卓治, 小野倫也, 志村考功

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会誌　2009年6月

  520. Mechanism of carrier mobility degradation induced by crystallization of HfO2 gate dielectrics

    Takashi Ando, Tomoyuki Hirano, Shinichi Yoshida, Kaori Tai, Shinpei Yamaguchi, Satoshi Toyoda, Hiroshi Kumihashira, Takayoshi Shimura, Hayato Iwamoto, Masaharu Oshima, Shingo Kadomura, Heiji Watanabe

    Appl. Phys. Express　Vol. 2　No. 7　2009年6月　研究論文（学術雑誌）

  521. Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy: Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth

    Tatsuya Hashimoto, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Appl. Phys. Express　Vol. 2　No. 6　2009年5月　研究論文（学術雑誌）

  522. Nitrogen Plasma Cleaning of Ge(100) Surfaces

    Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Surface Science　2009年3月　研究論文（学術雑誌）

  523. Systematic study on work-function-shift in metal/Hf-based high-k gate stacks

    Yuki Kita, Shinichi Yoshida, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Kenji Shiraishi, Yasuo Nara, Keisaku Yamada, Heiji Watanabe

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 94　No. 12　2009年3月　研究論文（学術雑誌）

  524. Investigation of Flatband Voltage Instability in Metal/High-k Gate Stacks

    Takuji Hosoi, Yuki Kita, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kenji Shiraishi, Yasuo Nara, Keisaku Yamada

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  525. Synchrotron X-ray Diffraction Studies of Thermal Oxide of Strained SiGe on Si

    Daisuke Shimokawa, Yuki Okamoto, Tomoyuki Inoue, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  526. Lateral Liquid-Phase Epitaxy of Single-Crystal Germanium Wires on La2O3 Dielectrics

    T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  527. 4H-SiC MIS Devices with AION/SiO2/SiC Gate Structures

    Y. Kagei, M. Harada, Y. Watanabe, T. Hosoi, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  528. Synchrotron Microbeam X-ray Diffraction Analysis of Strain Relaxation Process during Ge Condensation

    Tomoyuku Inoue, Daisuke Shimokawa, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Yasuhiko Imai, Osami Sakata, Shigeru Kimura, Heiji Watanabe

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  529. Excellent Electrical Property and Flatband Voltage Controllability of HfLaSiO High-k Gate Dielectrics Fabricated by In-situ Process

    H. Arimura, Y. Oku, N. Kitano, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  530. Advantages of Fluorine Ion Implantation for Improving Ge3N4/Ge Interfaces

    Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  531. Non-volatile Au Nanoparticle Memory Applications Enabled by Preciously Controlled Colloidal Self-Assembly

    S. Uchida, S. Saitoh, T. Hosoi, H. Watanabe, N. Zettsu

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  532. Fabrication of Advanced Metal/High-k Gate Stacks by Atomically Controlled in-situ PVD-based Method

    H. Watanabe, H. Arimura, N. Kitano, Y. Oku, M. Saeki, Y. Naitou, N. Yamaguchi, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  533. Ge-MIS Devices with Ge3N4 Gate Dielectrics Fabricated by High-Density Plasma Nitridation

    Takuji Hosoi, Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Marina Saito, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Extended Abstracts of First International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology - Surface and Thin Film Processing-　2009年2月

  534. Germanium oxynitride gate dielectrics formed by plasma nitridation of ultrathin thermal oxides on Ge(100)

    Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 95　No. 2　2009年　研究論文（学術雑誌）

  535. First-principles study to obtain evidence of low interface defect density at Ge/GeO2 interfaces

    Shoichiro Saito, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Tomoya Ono

    Applied Physics Letters　Vol. 95　No. 1　2009年　研究論文（学術雑誌）

  536. Origin of flatband voltage shift and unusual minority carrier generation in thermally grown GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor devices

    Takuji Hosoi, Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Marina Saito, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 94　No. 20　2009年　研究論文（学術雑誌）

  537. Synchrotron X-ray diffraction studies of thermal oxidation of Si and SiGe

    T. Shimura, Y. Okamoto, D. Shimokawa, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe, O. Sakata, M. Umeno

    ECS Transactions　Vol. 19　No. 2　p. 479-493　2009年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  538. AlON/SiO2 stacked gate dielectrics for 4H-SiC MIS devices

    Takuji Hosoi, Makoto Harada, Yusuke Kagei, Yuu Watanabe, Takayoshi Shimura, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Heiji Watanabe

    Materials Science Forum　Vol. 615　p. 541-544　2009年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  539. 高密度プラズマ窒化により形成したGe3N4膜の電気特性評価

    朽木克博, 岡本学, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１４回研究会）　2009年1月

  540. 窒化アルミナ絶縁層を有したＨｉｇh-k/Geゲートスタックの作製と特性評価

    岡本学, 朽木克博, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１４回研究会）　2009年1月

  541. Si基板上に直接成長させた歪みSiGe層の熱酸化膜中の残留秩序構造

    下川大輔, 岡本佑樹, 井上智之, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１４回研究会）　2009年1月

  542. 局所横方向液相エピタキシャル成長による絶縁膜上Geワイヤの作製

    橋元達也, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１４回研究会）　2009年1月

  543. 真空一貫プロセスによるLa添加HｆSｉＯ高誘電率絶縁膜の電気特性向上およびフラットバンド電圧制御

    有村拓晃, 奥雄大, 佐伯雅之, 北野尚武, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１４回研究会）　2009年1月

  544. Impact of a treatment combining nitrogen plasma exposure and forming gas annealing on defect passivation of SiO2/SiC interfaces

    Heiji Watanabe, Yuu Watanabe, Makoto Harada, Yusuke Kagei, Takashi Kirino, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura

    Materials Science Forum　Vol. 615　p. 525-528　2009年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  545. 走査型容量顕微鏡による高誘電率金属酸化物（high-k）薄膜中の電荷トラップサイトの観察

    内藤裕一, 安藤淳, 小木曽久人, 神山聡, 奈良安雄, 安武潔, 渡部平司

    顕微鏡　Vol. 43　No. 4　p. 287-291　2008年12月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：日本顕微鏡学会

  546. Formation of Advanced HfLaSiO/SiO2 Gate Dielectrics Utilizing PVD-based in-situ Fabrication Method

    T. Hosoi, Y. Oku, H. Arimura, M. Saeki, N. Kitano, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts, 39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2008年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  547. Improved Electrical Properties of Ge3N4/Ge Interfaces by Fluorine Ion Implantation

    K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts, 39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2008年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  548. AION/SiO2積層ゲート絶縁膜を用いた 4H-SiC MIS デバイスの作製と評価

    細井卓治, 景井悠介, 原田 真, 渡邊 優, 志村考功, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村 孝, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第１７回講演会 予稿集　2008年12月

  549. 窒素プラズマ照射および水素ガスアニールによるSiO2/SiC界面欠陥終端化とその熱劣化過程の評価

    渡邊 優, 景井悠介, 桐野崇史, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村 孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第１７回講演会 予稿集　2008年12月

  550. プラズマ窒化4H-SiC表面の熱酸化によるSiO2/SiC界面の特性向上

    景井悠介, 渡邊優, 原田真, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第１７回講演会 予稿集　2008年12月

  551. 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構

    渡部平司, 喜多祐起, 細井卓治, 志村考功, 白石賢二, 奈良安雄, 山田啓作

    電子情報通信学会技術研究報告[シリコン材料・デバイス]　2008年12月

  552. Investigation of Structural Defects in Strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Topography

    Takayoshi Shimura, Tomoyuki Inoue, Takuji Hosoi, Atsushi Ogura, Satoshi Iida, Masataka Umeno, Heiji Watanabe

    Abstracts of the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials　2008年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  553. Electrical Properties of Ge3N4/Ge Gate Stacks Fabricated Using High-Density Plasma Nitridation

    G. Okamoto, K. Kutsuki, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of 2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices Science and Technology　2008年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  554. Residual Order in Thermal Oxide of Fully Strained SiGe Alloy on Si

    T. Shimura, Y. Okamoto, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe

    Extended Abstracts of 2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices Science and Technology　2008年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  555. Characteristics of in-situ phosphorus-doped silicon selective epitaxial growth at atmospheric pressure

    Tetsuya Ikuta, Shigeru Fujita, Hayato Iwamoto, Shingo Kadomura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Crystal Growth　Vol. 310　No. 21　p. 4507-4510　2008年10月15日　研究論文（学術雑誌）

  556. Evaluation and Control of Strain in Si Induced by Patterned SiN Stressor

    Takayoshi Shimura, T. Inoue, Y. Okamoto, Takuji Hosoi, Atsushi Ogura, O. Sakata, S. Kimura, H. Edo, S. Iida, H. Watanabe

    ECS Transactions　Vol. 16　No. 4　2008年10月　研究論文（学術雑誌）

  557. 真空一貫界面固相反応法による高品質Metal/High-kゲートスタック作製技術

    渡部 平司

    第49回真空に関する連合講演会講演予稿集　2008年10月

  558. 真空一貫原子制御ＰＶＤプロセスによるＴｉＯ２/ＨfSiO/ＳiO２積層構造 High-k絶縁膜の作製と電気特性評価

    渡部平司, 有村拓晃, 奥 雄大, 細井卓治, 志村考功, 北野尚武, 内藤裕一, 山口述夫, 小須田求

    電気学会研究会資料-電子材料研究会EFM-08-24～34　2008年9月

  559. Fabrication of Advanced TiO2/HfSiO/SiO2 Layered Higher-k Dielectrics by Atomically Controlled In-situ PVD-Based Method

    H. Watanabe, H. Arimura, N. Kitano, Y. Naitou, Y. Oku, N. Yamaguchi, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura

    Abstracts of Fourth International WorkShop on New Group Ⅳ Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月

  560. Characterization of Strain Relaxation Process during Ge Condensation by Synchrotron Microbeam X-ray Diffraction

    T. Inoue, D. Shimokawa, T. Hosoi, T. Shimura, Y. Imai, O. Sakata, S. Kimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of the 2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2008年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  561. AlON/SiO2 Stacked Gate Dielectrics for 4H-SiC MIS Devices

    T. Hosoi, M. Harada, Y. Kagei, Y. Watanabe, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, H. Watanabe

    Abstract of 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Barcelona,Spain, September 7-11, 2008　2008年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  562. 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構

    渡部平司, 喜多祐起, 細井卓治, 志村考功, 白石賢二, 奈良安雄, 山田啓作

    半導体・集積回路技術第72回シンポジウム講演論文集　2008年7月

  563. Origins of interface dipoles at p-metal/Hf-based high-k gate stacks

    H. Watanabe, T. Hosoi, K. Kita, T. Shimura, K. Shiraishi, Y. Nara, K. Yamada

    Abstracts of International Conference on Quantum Simulators and Design 2008　2008年6月

  564. Improvement of thermally grown SiO2/SiC interfaces by plasma nitridation and post-metalization annealing

    Y. Kagei, Y. Watanabe, M. Harada, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2008　2008年5月

  565. Formation of Polycrystalline-Si Thin Films Using Nanocrystalline Ge Nuclei

    Chiaki Yoshimoto, Hiromasa Ohmi, Takayoshi Shimura, Hiroaki Kakiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Abstracts of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2008　2008年5月

  566. Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures using Liquid Phase Selective Lateral Epitaxy

    T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2008　2008年5月

  567. Fabrication of High-k/Ge Gate Stacks with Al-oxynitride Dielectric Films

    G. Okamoto, K. Kutsuki, M. Harada, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Abstracts of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2008　2008年5月

  568. Investigation of in-situ boron-doped Si selective epitaxial growth by comparison with arsenic doping

    Tetsuya Ikuta, Shigeru Fujita, Hayato Iwamoto, Shingo Kadomura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 47　No. 4　p. 2452-2455　2008年4月25日　研究論文（学術雑誌）

  569. Characteristics of pure Ge3N4 dielectric layers formed by high-density plasma nitridation

    Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 47　No. 4　p. 2415-2419　2008年4月25日　研究論文（学術雑誌）

  570. Landscape of Materials Design for Future Nano Electronics and Combinatorial materials Exploration

    T.Chikyow, T. Nagata, N. Umezawa, M. Yoshitake, K. Ohmori, T. Yamada, H. Watanabe, K. Shiraishi, H. Koinuma

    Proceedings of Technical Papaers of International Symposium on VLSI-TSA (Technology, Systems, and Applications)　2008年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  571. Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成

    吉本千秋, 大参宏昌, 志村考功, 垣内弘章, 渡部平司, 安武潔

    電子情報通信学会技術研究報告　2008年4月

  572. SiO2 formation by oxidation of crystalline and hydrogenated amorphous Si in atmospheric pressure plasma excited by very high frequency power

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 47　No. 3　p. 1884-1888　2008年3月21日　研究論文（学術雑誌）

  573. Structural Optimization of HfTiSiO High-k Gate Dielectrics by Utilizing In-Situ PVD-Based Fabrication Method

    H. Arimura, S. Horie, Y. Oku, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Applied Surface Science　2008年3月　研究論文（学術雑誌）

  574. Selective Epitaxial Growth of In Situ Carbon-Doped Silicon on Silicon Substrates

    T. Ikuta, S. Fujita, H. Iwamoto, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Surface and Interface Analysis　2008年3月　研究論文（学術雑誌）

  575. Extremely Low Leakage Current from Ultra-thin HfO2 Films Formed by Neutral Beam Enhanced Atomic Layer Deposition

    T. Ikoma, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, T. Koganezawa, I. Hirosawa, H. Watanabe, S. Samukawa

    Abstracts of 2008 MRS Spring Meeting, H4.46.　2008年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  576. MOSトランジスタ -ゲート絶縁膜形成技術の進展と今後の展開-

    渡部平司

    電気学会誌　Vol. 128　No. 3　p. 154-156　2008年3月

    出版者・発行元：The Institute of Electrical Engineers of Japan

  577. Characterization of Strained Si Wafers by Synchrotron X-Ray Topography

    Takayoshi SHIMURA, Kohta KAWAMURA, Masahiro ASAKAWA, Heiji WATANABE, Kiyoshi YASUTAKE, Atsushi OGURA

    Photon Factory Activity Report 2006　2008年2月　研究論文（大学，研究機関等紀要）

  578. Physical model of the PBTI and TDDB of la incorporated HfSiON gate dielectrics with pre-existing and stress-induced defects

    M. Sato, N. Umezawa, J. Shimokawa, H. Arimura, S. Sugino, A. Tachibana, M. Nakamura, N. Mise, S. Kamiyama, T. Morooka, T. Eimori, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, KYamada, T. Aoyama, T. Nabatame, Y. Nara, Y. Ohji

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  579. Theoretical investigations on metal/high-k interfaces

    K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Miyazaki, A. Ohta, Y. Akasaka, H. Watanabe, Y. Nara, K. Yamada

    International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings, ICSICT　p. 1256-1259　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  580. Observation of crystalline imperfections in supercritical thickness strained silicon on insulator wafers by synchrotron X-ray topography

    T. Shimura, T. Inouea, Y. Okamoto, T. Hosoi, H. Edo, S. Iida, A. Ogura, H. Watanabe

    ECS Transactions　Vol. 16　No. 10　p. 539-543　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  581. Dielectric and interface properties of TiO2/HfSiO/SiO 2 layered structures fabricated By in situ pvd method

    H. Arimura, Y. Naitou, N. Kitano, Y. Oku, N. Yamaguchi, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    ECS Transactions　Vol. 16　No. 5　p. 121-129　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  582. Effect of annealing on electronic characteristics of HfSiON films fabricated by Damascene gate process

    K. Yamabe, K. Murata, T. Hayashi, T. Tamura, M. Sato, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, R. Hasunuma

    ECS Transactions　Vol. 16　No. 5　p. 521-526　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  583. Fundamental Aspects of Effective Work Function Instability of Metal/Hf-based High-k Gate Stacks

    Heiji Watanabe, Shinichi Yoshida, Yuki Kita, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Kenji Shiraishi, Yasuo Nara, Keisaku Yamada

    PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K GATE DIELECTRICS 6　Vol. 16　No. 5　p. 27-+　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  584. Excellent electrical properties of TiO2/HfSiO/SiO2 layered higher-k gate dielectrics with sub-1 nm equivalent oxide thickness

    Hiroaki Arimura, Naomu Kitano, Yuichi Naitou, Yudai Oku, Takashi Minami, Motomu Kosuda, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 92　No. 21　2008年　研究論文（学術雑誌）

  585. Control of crystalline microstructures in metal gate electrodes for nano CMOS devices

    K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa, Y. Sugita, Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe

    ECS Transactions　Vol. 13　No. 2　p. 201-207　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  586. Application of synchrotron X-ray diffraction methods to gate stacks of advanced MOS Devices

    T. Shimura, T. Inoue, Y. Okamoto, T. Hosoi, A. Ogura, O. Sakata, S. Kimura, H. Edo, S. Iida, H. Watanabe

    ECS Transactions　Vol. 13　No. 2　p. 75-82　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  587. Characterization of strained Si wafers by X-ray diffraction techniques

    Takayoshi Shimura, Kohta Kawamura, Masahiro Asakawa, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Atsushi Ogura, Kazunori Fukuda, Osami Sakata, Shigeru Kimura, Hiroki Edo, Satoshi Iida, Masataka Umeno

    Journal of Materials Science: Materials in Electronics　Vol. 19　No. 1　p. S189-S193　2008年　研究論文（学術雑誌）

  588. In situ arsenic-doped Si1-y Cy selective epitaxial growth under atmospheric pressure

    Tetsuya Ikuta, Shigeru Fujita, Hayato Iwamoto, Shingo Kadomura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Applied Physics Letters　Vol. 92　No. 4　2008年　研究論文（学術雑誌）

  589. 放射光X線回折法を用いた歪みSiウェーハの評価

    井上智之, 岡本佑樹, 小椋厚志, 江戸太樹, 飯田敏, 福田一徳, 坂田修身, 木村滋, 梅野正隆, 志村考功, 安武潔, 渡部平司

    Extended Abstracts of the 13th Workshop on Gate Stack Technology and Physics　2008年1月

  590. Metal/High-k 界面状態に依存した実効仕事関数変調機構の理解

    景井悠介, 喜多祐起, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司, 白石賢二, 門島勝, 奈良安雄, 山田啓作

    Extended Abstracts of the 13th Workshop on Gate Stack Technology and Physics　2008年1月

  591. 真空一貫PVD成膜を用いて形成した TiN/HfSiON p-MISFETsの特性評価

    北野尚武, 有村拓晃, 堀江伸哉, 川原孝昭, 坂下真介, 西田征男, 由上二郎, 南卓士, 小須田求, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    Extended Abstracts of the 13th Workshop on Gate Stack Technology and Physics　2008年1月

  592. プラズマ窒化により形成したGe3N4膜の耐熱性おより耐湿性の評価

    朽木克博, 岡本学, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    Extended Abstracts of the 13th Workshop on Gate Stack Technology and Physics　2008年1月

  593. TiO2/HfSiO/SiO2 積層構造によるSub-1nm EOT 高誘導率 ゲー絶縁膜の実現

    有村拓晃, 堀江伸哉, 奥雄大, 南卓士, 北野尚武, 小須田求, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    Extended Abstracts of the 13th Workshop on Gate Stack Technology and Physics　2008年1月

  594. Metalゲート/HfSiON p-MOSFETにおける閾値上昇現象とその改善

    門島勝, 杉田義博, 白石賢二, 渡部平司, 大田晃生, 宮崎誠一, 中島清美, 知京豊裕, 山田啓作, 網中敏夫, 黒澤悦男, 松木武雄, 青山敬幸, 奈良安雄, 大路譲

    Extended Abstracts of the 13th Workshop on Gate Stack Technology and Physics　2008年1月

  595. Charge trapping properties in Ti O2 HfSiOSi O2 gate stacks probed by scanning capacitance microscopy

    Y. Naitou, H. Arimura, N. Kitano, S. Horie, T. Minami, M. Kosuda, H. Ogiso, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 92　No. 1　2008年　研究論文（学術雑誌）

  596. Enhanced performance of gate-first p-channel metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with polycrystalline silicon/TiN/HfSiON stacks fabricated by physical vapor deposition based in situ method

    Naomu Kitano, Shinya Horie, Hiroaki Arimura, Takaaki Kawahara, Shinsuke Sakashita, Yukio Nishida, Jiro Yugami, Takashi Minami, Motomu Kosuda, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters　Vol. 46　No. 45-49　p. L1111-L1113　2007年12月14日　研究論文（学術雑誌）

  597. A Comprehensive Study on Effective Work Function Modulation of Metal/High-k Gate Stacks

    T. Hosoi, Y. Kita, Y.Kagei, T.Shimura, H. Watanabe, K. Shiraishi, Y. Nara, K. Yamada

    Abstracts, 38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　2007年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  598. Enhanced Performance of Gate-First p-Channel Metal-Insulator-Srmiconductor Field-Effect Transistors with Polycrystalline Silicon/TiN/HfSiON Stacks Fabricated by Physical Vapor Deposition Based In situ Method

    N. Kitano, S. Horie, H. Arimura, T. Kawahara, S. Sakashita, Y. Nishida, J. Yugami, T. Minami, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Jpn.J.Appl.Phys. 46 (2007) L1111-L1113.　Vol. 14　p. 63-65　2007年11月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：キヤノンアネルバ

  599. Structural Optimization of HfTiSiO High-k Gate Dielectrics by Utilizing In-Situ PVD-Based Fabrication Method

    H. Arimura, S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts & ProgramFifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces - for Next Generation ULSI Process Integrations -　2007年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  600. Systematic Consideration on Si Substrate Depletion Appeared in p-Metal/Hf-Based HIGK-k Gate Stacks

    K. Shiraishi, Y. Akasaka, M. Kadoshima, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, Y. Ohji, K. Yamabe, K. Yamada

    The Sixth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing　2007年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  601. Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  602. Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　2007年10月　研究論文（学術雑誌）

  603. Enhanced Electrical Properties of TiN/HfSiON Gate Stacks by Using the PVD-based In-situ Fabrication Method

    N. Kitano, H. Arimura, S. Horie, T. Minami, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　2007年10月

  604. Selective Epitaxial Growth of In-situ Carbon-Doped Si on Si Substrates

    T. Ikuta, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　2007年10月

  605. Single electron trapping within high-temperature annealed high-k dielectric films detected by scanning capacitance microscopy

    Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　2007年10月

  606. Interface Properties of HfTiSiO Gate Dielectrics Formed by In-Situ PVD-Based Fabrication Method

    H. Arimura, S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　2007年10月

  607. Systematic Study on Interface Dipole of Metal/High-k Gate Stacks

    Y. Kita, S. Yoshida, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, K. Shiraishi, Y. Nara, K. Yamada

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　2007年10月

  608. Proposal of AION/SiO2 Layered Gate Dielectric for SiC MOS Devices

    M. Harada, Y. Watanabe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　2007年10月

  609. Thermal Stability of Pure Ge3N4 Dielectric Layers Formed by High-Density Plasma Nirridation

    K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　2007年10月

  610. Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　2007年10月

  611. Correlation between surface topography and static capacitance image of ultrathin SiO2 films evaluated by scanning capacitance microscopy

    Yuichi Naitou, Atsushi Ando, Hisato Ogiso, Siro Kamohara, Fumiko Yano, Akio Nishida, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 46　No. 9 A　p. 5992-5999　2007年9月7日　研究論文（学術雑誌）

  612. Extraction of gate-edge workfunction of metal gate and its impact on scaled MOSFETs

    N. Mise, T. Matsuki, T. Watanabe, T. Eimori, Y. Nara

    Microelectronic Engineering　Vol. 84　No. 9-10　p. 2201-2204　2007年9月　研究論文（学術雑誌）

  613. Characterization of Pure Ge3N4 Dielectric Layers Formed by High-Density Plasma Nitridation

    K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, K. Yasutake, H. Watanabe

    Extended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, TSUKUBA, 2007　2007年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  614. Systematic Study on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks

    K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, K. Ohmori, T.Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji, K. Yamada

    Extended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, TSUKUBA, 2007　2007年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  615. In-situ Doped Si Selective Epitaxial Growth for Raised Source/Drain Extension CMOSFET

    T. Ikuta, Y. Miyanami, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, TSUKUBA, 2007　2007年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  616. Low Threshold Voltage Gate-First pMISFETs with Poly-Si/TiN/HfSiON Stacks Fabricated with PVD-based In-situ Solid Phase Interface Reaction(SPIR) Method

    N. Kitano, H. Arimura, S. Horie, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kawahara, S. Sakashita, Y. Nishida, J. Yugami, T. Minami, M. Kosuda

    Extended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS TSUKUBA, 2007　Vol. 2007　p. 12-13　2007年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  617. First-principles study on electronic structures and dielectric properties of Si/SiO2 interface

    Tomoya Ono, Katsuhiro Kutsuki, Yoshiyuki Egami, Heiji Watanabe, Kikuji Hirose

    Journal of Physics: Condensed Matter　2007年8月　研究論文（学術雑誌）

  618. メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討

    門島勝, 杉田義博, 白石賢二, 渡部平司, 大田晃生, 宮崎誠一, 中島清美, 知京豊裕, 山田啓作, 網中敏夫, 黒澤悦男, 松木武雄, 青山敬幸, 奈良安雄, 大路譲

    第71回 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集　Vol. 71　p. 15-18　2007年7月

  619. Low-Temperature Oxidation Process of Silicon Using Atmospheric Pressure Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Digest of Technical Papers of the 14th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, 11–13 July 2007, Hyogo, Japan.　2007年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  620. ゲルマニウム窒化膜の形成と評価

    朽木克博, 岡本学, 細井卓治, 志村 考功, 安武潔, 渡部平司

    ゲルマニウム窒化膜の形成と評価　2007年6月

  621. Characterization of metal/high-k structures using monoenergetic positron beams

    Akira Uedono, Tatsuya Naito, Takashi Otsuka, Kenichi Ito, Kenji Shiraishi, Kikuo Yamabe, Seiichi Miyazaki, Heiji Watanabe, Naoto Umezawa, Toyohiro Chikyow, Toshiyuki Ohdaira, Ryoichi Suzuki, Yasushi Akasaka, Satoshi Kamiyama, Yasuo Nara, Keisaku Yamada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 46　No. 5B　p. 3214-3218　2007年5月　研究論文（学術雑誌）

  622. Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD

    Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Abstracts 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2007年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  623. Role of Nitrogen Atoms in Reduction of Electron Charge Traps in Hf-Based High- $\kappa$ Dielectrics

    N. Umezawa, K. Shiraishi, K. Torii, M. Boero, T. Chikyow, H. Watanabe, K. Yamabe, T. Ohno, K. Yamada, Y. Nara

    IEEE Electron Device Letters　Vol. 28　No. 5　p. 363-365　2007年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

  624. Atmospheric in situ arsenic-doped SiGe selective epitaxial growth for raised-extension N-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

    Tetsuya Ikuta, Yuki Miyanami, Shigeru Fujita, Hayato Iwamoto, Shingo Kadomura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 46　No. 4 B　p. 1916-1920　2007年4月24日　研究論文（学術雑誌）

  625. Impact of physical vapor deposition-based In situ fabrication method on metal/high-k gate stacks

    Heiji Watanabe, Shinya Horie, Takashi Minami, Naomu Kitano, Motomu Kosuda, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 46　No. 4 B　p. 1910-1915　2007年4月24日　研究論文（学術雑誌）

  626. Influences of annealing in reducing and oxidizing ambients on flatband voltage properties of HfO2 gate stack structures

    K. Ohmori, P. Ahmet, M. Yoshitake, T. Chikyow, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Akasaka, Y. Nara, K.-S. Chang, M. L. Green, K. Yamada

    Journal of Applied Physics　Vol. 101　No. 8　p. 084118-084118　2007年4月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  627. Formation of Silicon Dioxide Layers at Low Temperatures (150-400 C) by Atmospheric Pressure Plasma Oxidation of Silicon

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Sci. Technol. Adv. Mater.　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

  628. Controllability of Flatband Voltage in Metal/High-k Gate Stack Structures.

    K. Ohmori, P. Ahmet, K. Kakushima, H. Yoshikawa, K. Shiraishi, N. Umezawa, K. Nakajima, M. Yoshitake, K. Kobayashi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Nara, T. Nakayama, M. L. Green, H. Iwai, K. Yamada, T. Chikyow

    Abstracts of 2007MRS Spring Meeting Abstracts　2007年4月

  629. Investigation of 4H-SiC MIS Devices with AlON/SiO2 Layered Structures.

    M. Harada, Y. Watanabe, S. Okda, T. Shimura, K. Yasutake, H. Watanabe

    Abstracts of 2007 MRS Spring Meeting　2007年4月

  630. Formation of Low-Leakage-current Ultra-thin SiO2 Films Using Low-temperature Neutral Beam Oxidation.

    T. Ikoma, S. Fukuda, K. Endo, H. Watanabe, S. Samukawa

    Abstracts of 2007 MRS Spring Meeting　2007年4月

  631. Systematic Study on Effective Work Function Instability of Metal/High-k Gate Stacks.

    Y.Kita, S. Yoshida, T. Shimura, K. Yasutake, H. Watanabe, K. Shiraishi, Y. Nara, K. Yamada

    Abstracts of 2007 MRS Spring Meeting　2007年4月

  632. Improving the Electrical Properties of TiN/HfSiO Gate Stacks using the PVD-based In-situ Fabrication Method.

    N. Kitano, S. Horie, T. Minamo, M. Kosuda, T. Shimura, K. Shiraishi, H. Watanabe

    Abstracts of 2007 MRS Spring Meeting　2007年4月

  633. Two type of Oxgen Vacancies in Hf-based High-k Dielectrics-Existence of "Alive" and "Dead" Oxygen Vacancies.

    K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Miyazaki, N. Umezawa, K. Yamada, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada

    Abstracts of 2007 MRS Spring Meeting　2007年4月

  634. Characterization of TiN/HfSiON gate stacks fabricated by the PVD-based in-situ method

    H. Arimura, S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, T. Shimura, K. Shiraishi, H. Watanabe

    Extended Abstracts of 2007 IMFEDK International Meeting for Future of Electron Devices,Kansai　2007年4月

  635. Electric properties of 4H-SiC MIS devices with AlON/SiO2 stacked gate dielectrics

    Y. Watanabe, M. Harada, S. Okada, T. Shimura, K. Yasutake, H. Watanabe

    Extended Abstracts of 2007 IMFEDK International Meeting for Future of Electron Devices,Kansai　2007年4月

  636. Photoluminescence study of defect-free epitaxial silicon films grown at low temperatures by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    Kiyoshi Yasutake, Naotaka Tawara, Hiromasa Ohmi, Yoshikazu Terai, Hiroaki Kakiuchi, Heiji Watanabe, Yasufumi Fujiwara

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 46　No. 4 B　p. 2510-2515　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

  637. Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O2 plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

  638. Isotopic labeling study of the oxygen diffusion in HfO2∕SiO2∕Si

    Ming Zhao, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura, Masashi Uematsu, Kazuyoshi Torii, Satoshi Kamiyama, Yasuo Nara, Heiji Watanabe, Kenji Shiraishi, Toyohiro Chikyow, Keisaku Yamada

    Applied Physics Letters　Vol. 90　No. 13　p. 133510-133510　2007年3月26日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  639. 低損傷スパッタ成膜装置を用いた真空一貫メタル電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタック作製技術の提案

    渡部平司, 志村考功, 南卓士, 北野尚武, 小須田求

    キヤノンアネルバ技報　Vol. 13　p. 5-11　2007年3月

    出版者・発行元：キヤノンアネルバ

  640. Heavy arsenic doping of silicon grown by atmospheric pressure selective epitaxial cheical vapor deposition

    T.Ikuta, Y. Miyanami, S.Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Simura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Science and Technology of Advanced Marerials　2007年3月　研究論文（学術雑誌）

  641. Interface reactions at TiN/HfSiON gate stacs: Dependence on the electrode structure and deposition method

    S. Yoshida, Y. Watanabe, Y. Kita, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Yamada

    Science and Technology of Advanced Marerials　2007年3月　研究論文（学術雑誌）

  642. Residual Order in the Interfacial SiO2 Layer between a High-k Material and a Si Substrate

    Takayoshi SHIMURA, Eiji MISHIMA, Kohta KAWAMURA, Heiji WATANABE, Kiyoshi YASUTAKE

    Photon Factory Activity Report 2005　2007年2月　研究論文（大学，研究機関等紀要）

  643. 次世代nMOSFET用HfSix/HfO2/Siゲートスタックの界面反応メカニズム

    喜多 祐起, 吉田 慎一, 安藤 崇志, 田井 香織, 岩元 勇人, 志村 考功, 渡部 平司, 安武 潔

    ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理 第１２回研究会予稿集　2007年2月

  644. SiGe/SOI構造の酸化濃縮過程における自己停止現象とその解析

    志村考功, 清水教弘, 堀内慎一郎, 渡部平司, 安武 潔, 梅野正隆

    ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理 第１２回研究会予稿集　2007年2月

  645. TiN/HfSiONゲートスタック構造の実効仕事関数評価と制御指針

    大田 晃生, 宮崎 誠一, 赤坂 泰志, 渡部 平司, 白石 賢二, 山田 啓作, 犬宮 誠治, 奈良 安雄

    ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理 第１２回研究会予稿集　2007年2月

  646. 真空一貫PVD成膜により作製したTiN/HfSiONゲートスタックの構造および電気特性評価

    堀江 伸哉, 南 卓士, 北野 尚武, 小須田 求, 志村 考功, 白石 賢二, 渡部 平司

    ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理 第１２回研究会予稿集　2007年2月

  647. HfSix電極からのSi拡散を利用した極薄（EOT < 1nm）HfO2ゲート絶縁膜の形成とハイパフォーマンスデバイスへの適用

    安藤 崇志, 平野 智之, 田井 香織, 山口 晋平, 加藤 孝義, 萩本 賢哉, 渡辺 浩二, 山本 亮, 神田 さおり, 長野 香, 寺内 佐苗, 館下 八州志, 田川 幸雄, 斉藤 正樹, 岩元 勇人, 吉田 慎一, 渡部 平司, 長島 直樹, 門村 新吾

    ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理 第１２回研究会予稿集　2007年2月

  648. Mechanism of suppressed change in effective work functions for impurity-doped fully silicided NiSi electrodes on Hf-based gate dielectrics

    Kenzo Manabe, Takashi Hase, Toru Tatsumi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 46　No. 1　p. 91-97　2007年1月10日　研究論文（学術雑誌）

  649. Thermal and humidity stability of Ge3N4 thin layers fabricated by high-density plasma nitridation

    Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2007 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  650. Wide controllability of flatband voltage by tuning crystalline microstructures in metal gate electrodes

    K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa, Y. Sugita, Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　p. 345-348　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  651. Humidity-dependent stability of amorphous germanium nitrides fabricated by plasma nitridation

    Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 91　No. 16　2007年　研究論文（学術雑誌）

  652. Interface reaction of high-k gate stack structures observed by high-resolution RBS

    Zhao Ming, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura, Masashi Uematsu, Kazuyoshi Torii, Satoshi Kamiyama, Yasuo Nara, Heiji Watanabe, Kenji Shiraishi, Toyohiro Chikyow, Keisaku Yamada

    ECS Transactions　Vol. 11　No. 4　p. 103-115　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  653. Study of high-k gate dielectrics by means of positron annihilation

    A. Uedon, T. Naito, T. Otsuka, K. Ito, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, A. Hamid, T. Chikyow, T. Ohdaira, R. Suzuki, S. Ishibashi, S. Inumiya, S. Kamiyama, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Yamada

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 4　No. 10　p. 3599-3604　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  654. High performance gate-first pMISFET with TiN/HfSiON gate stacks fabricated with PVD-based in-situ method

    Takaaki Kawahara, Yukio Nishida, Shinsuke Sakashita, Jiro Yugami, Naomu Kitano, Takashi Minami, Motomu Kosuda, Shinya Horie, Hiroaki Arimura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    ECS Transactions　Vol. 11　No. 4　p. 585-599　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  655. Improvement in fermi-level pinning of p-MOS metal gate electrodes on HfSiON by employing Ru gate electrodes

    M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

    ECS Transactions　Vol. 11　No. 4　p. 169-180　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  656. Theoretical studies on fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks based on thermodynamics

    K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji, K. Yamada

    ECS Transactions　Vol. 11　No. 4　p. 125-133　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  657. Interface reaction of high-k gate stack structures observed by high-resolution RBS

    Zhao Ming, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura, Masashi Uematsu, Kazuyoshi Torii, Satoshi Kamiyama, Yasuo Nara, Heiji Watanabe, Kenji Shiraishi, Toyohiro Chikyow, Keisaku Yamada

    ECS Transactions　Vol. 11　No. 4　p. 103-115　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  658. Vacancy-type defects in MOSFETs with high-k gate dielectrics probed by monoenergetic positron beams

    A. Uedono, R. Hasunuma, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Inumiya, Y. Akasaka, S. Kamiyama, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, K. Yamada

    ECS Transactions　Vol. 11　No. 4　p. 81-90　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  659. Tight distribution of dielectric characteristics of HfSiON in metal gate devices

    R. Hasunuma, T. Naito, C. Tamura, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Inumiya, M. Sato, Y. Tamura, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, K. Yamabe

    ECS Transactions　Vol. 11　No. 4　p. 3-11　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  660. Suppression of surface segregation and heavy arsenic doping into silicon during selective epitaxial chemical vapor deposition under atmospheric pressure

    Tetsuya Ikuta, Shigeru Fujita, Hayato Iwamoto, Shingo Kadomura, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Applied Physics Letters　Vol. 91　No. 9　2007年　研究論文（学術雑誌）

  661. Fermi-level pinning position modulation by Al-containing metal gate for cost-effective dual-metal/dual-high-k CMOS

    M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　p. 66-67　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  662. Interface engineering by PVD-based in-situ fabrication method for advanced metal/high-k gate stacks

    Heiji Watanabe, Shinya Horie, Hiroaki Arimura, Naomu Kitano, Takashi Minami, Motomu Kosuda, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake

    ECS Transactions　Vol. 6　No. 3　p. 71-85　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  663. Theoretical studies on metal/high-k gate stacks

    Kenji Shiraishi, Yasushi Akasaka, Genji Nakamura, Takashi Nakayama, Seiichi Miyazaki, Heiji Watanabe, Akio Ohta, Kenji Ohmori, Toyohiro Chikyow, Yasuo Nara, Kikuo Yamabe, Keisaku Yamada

    ECS Transactions　Vol. 6　No. 1　p. 191-204　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  664. Interface engineering by PVD-based in-situ fabrication method for advanced metal/high-k gate stacks

    Heiji Watanabe, Shinya Horie, Hiroaki Arimura, Naomu Kitano, Takashi Minami, Motomu Kosuda, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake

    ECS Transactions　Vol. 6　No. 3　p. 71-85　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  665. Investigation of local charged defects within high-temperature annealed HfSiONSi O2 gate stacks by scanning capacitance spectroscopy

    Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Yasutake, H. Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 101　No. 8　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  666. Controllability of flatband voltage in high-k gate stack structures - Remarkable advantages of la2O3 over HfO2

    K. Ohmori, P. Ahmet, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Akasaka, N. Umezawa, K. Nakajima, M. Yoshitake, T. Nakayama, K. S. Chang, K. Kakushima, Y. Nara, M. L. Green, H. Iwai, K. Yamada, T. Chikyow

    ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　p. 376-379　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  667. Physics of interfaces between gate electrodes and high-k dielectrics

    K. Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, T. Nakayama, S. Miyazaki, T. Nakaoka, A. Ohta, H. Watanabe, N. Umezawa, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Toii, T. Chikyow, Y. Nara, T.-J. King Liu, H. Iwai, K. Yamada

    ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　p. 384-387　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  668. Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Applied Physics Letters　Vol. 90　No. 9　2007年　研究論文（学術雑誌）

  669. Recent Progress in Understanding the Mechanism of Schottky Barrier Height Formation at Various Interfaces (INVITED)

    K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Okada, S. Miyazaki, H. Watanabe, Y. Akasaka, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada

    Abstrasts of International Symposium on Theories of Organic/Metal Interfaces, p24.　2007年1月

  670. Theory of fermi level pinning of high-k dielectrics

    Kenji Shiraishi, Yasushi Akasaka, Naoto Umezawa, Yasuo Nara, Keisaku Yamada, Hideki Takeuchi, Heiji Watanabe, Toyohiro Chikyow, Tsu-Jae King Liu

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD　p. 306-313　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  671. Physics of interfaces between gate electrodes and high-k dielectrics

    K. Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, T. Nakayama, S. Miyazaki, T. Nakaoka, A. Ohta, H. Watanabe, N. Umezawa, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Toii, T. Chikyow, Y. Nara, T.-J. King Liu, H. Iwai, K. Yamada

    ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　p. 384-387　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  672. Study of high-k gate dielectrics by means of positron annihilation

    A. Uedon, T. Naito, T. Otsuka, K. Ito, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, A. Hamid, T. Chikyow, T. Ohdaira, R. Suzuki, S. Ishibashi, S. Inumiya, S. Kamiyama, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Yamada

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 4　No. 10　p. 3599-3604　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  673. Mechanism for fermi level pinning at electrode/Hf-based dielectric interface: Systematic study of dependence of effective work functions for polycrystalline silicon and fully silicided NiSi electrodes on Hf density at interface

    Kenzo Manabe, Takashi Hase, Toru Tatsumi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 45　No. 12　p. 9053-9057　2006年12月15日　研究論文（学術雑誌）

  674. Modified oxygen vacancy induced fermi level pinning model extendable to P-metal pinning

    Yasushi Akasaka, Genji Nakamura, Kenji Shiraishi, Naoto Umezawa, Kikuo Yamabe, Osamu Ogawa, Myoungbum Lee, Toshio Amiaka, Tooru Kasuya, Heiji Watanabe, Toyohiro Chikyow, Fumio Ootsuka, Yasuo Nara, Kunio Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters　Vol. 45　No. 46-50　p. L1289-L1292　2006年12月　研究論文（学術雑誌）

  675. A New Theoretical Insight for the Schottky Barrier Heights

    K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Okada, Y. Akasaka, S. Miyazaki, T. Nakaoka, A. Ohta, K. Torii, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada

    International Conference on Quantum Simulators and Design, O-9, Hiroshima, Japan, 2006.　2006年12月

  676. Physical and Electrical Characterization of HfSix/HfO2 Gate Stacks for High-Performance nMOSFET Application

    S. Yoshida, Y. Kita, T. Ando, K. Tai, H. Iwamoto, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Abstracts of 37th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 3-3.　2006年12月

  677. Structural Change of the Interfacial SiO$_2$ Layer between HfO$_2$ layers and Si Substrates

    Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Kohta Kawamura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology　2006年11月

  678. Interface Engineering of High-k Gate Dielectrics for Advanced CMOS (INVITED)

    H. Watanabe

    Abstracts of Handai Nanoscience and Technology International Symposium 2006, pp. 30, Osaka, Japan.　2006年11月

  679. 大気圧プラズマによるSi表面の高速酸化

    原田真, 垣内弘章, 大参宏昌, 渡部平司, 安武潔

    薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会予稿集「薄膜デバイスの新展開」pp. 149.-150.　2006年11月

  680. A. New Insight into Control of Fermi Level Pinning in TiN/HfSiON Gate Stacks

    A. Ohta, S. Miyazaki, Y. Akasaka, H. Watanabe, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, Y. Nara

    Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices –Science and Technology-, pp.61-62, Kanagawa, Japan　2006年11月

  681. Low-temperature crystallization of amorphous silicon by atmospheric-pressure plasma treatment in H2/He or H2/Ar mixture

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kenichi Nishijima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 45　No. 10 B　p. 8488-8493　2006年10月21日　研究論文（学術雑誌）

  682. Low-temperature growth of epitaxial Si films by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition using porous carbon electrode

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Naotaka Tawara, Takuya Wakamiya, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 45　No. 10 B　p. 8424-8429　2006年10月21日　研究論文（学術雑誌）

  683. The Origin of Long-range Contrast in Hf-silicate Films Observed by Scanning Capacitance Microscopy

    Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  684. Systematic Study on Effective Work Functions for Poly-Si and Fully Silicided NiSi Electrodes on Hf-based Gate Dielectrics

    K. Manabe, T. Hase, T. Tatsumi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  685. PVD-based In-situ Fabrication Method for Improving the Electrical Properties of Metal/High-k Gate Stacks

    S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  686. Oxidation Rate Diminidhment of SiGe Epitaxial Films on Silicon-on-insulator Wafers

    S. Horiuchi, M. Shimizu, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake

    2006年10月

  687. Interface Reactions at TiN/HfSiON Gate Stacks Depending on the Electrode Structure and Deposition Method

    S. Yoshida, Y. Watanabe, Y. Kita, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Yamada

    2006年10月

  688. High Rate Oxidation of Si Surfaces by using Atmospheric Pressure Plasma

    M. Harada, H. Kakiuchi, H. Ohmi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  689. Fabrication of Polycrystalline Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands and Nuclei

    K. Minami, C. Yoshimoto, H. Ohmi, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  690. Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vappor Deposition

    N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  691. Atomospheric Pressure Hydrogen Plasma Treatment of 4H-SiC(0001) Surfaces Using Porous Carbon Electrode

    M. Harada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  692. Structural Change of the Thermal Oxide Layer on Si Substrates by Diffusion of Atomic Oxygen

    Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Kohta Kawamura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology　2006年10月

  693. Oxidation Rate Diminishment of SiGe Epitaxial Films on Silicon-on-insulator Wafers

    S. Horiuchi, M. Shimizu, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.155-156, Osaka, Japan.　2006年10月

  694. The Origin of Long-range Contrast in Hf-silicate Films Observed by Scanning Capacitance Microscopy

    Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.153-154, Osaka, Japan.　2006年10月

  695. Systematic Study on Effective Work Functions for Poly-Si and Fully Silicided NiSi Electrodes on Hf-based Gate Dielectrics

    K. Manabe, T. Hase, T. Tatsumi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.151-152, Osaka, Japan.　2006年10月

  696. PVD-based In-situ Fabrication Method for Improving the Electrical Properties of Metal/High-k Gate Stacks

    S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.149-150, Osaka, Japan.　2006年10月

  697. Interface Reactions at TiN/HfSiON Gate Stacks Depending on the Electrode Structure and Deposition Method

    S. Yoshida, Y. Watanabe, Y. Kita, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Yamada

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.147-148, Osaka, Japan.　2006年10月

  698. High Rate Oxidation of Si Surfaces by using Atmospheric Pressure Plasma

    M. Harada, H. Kakiuchi, H. Ohmi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.78-79, Osaka, Japan.　2006年10月

  699. Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma Treatment of 4H-SiC(0001) Surfaces Using Porous Carbon Electrode

    M. Harada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.75-76, Osaka, Japan.　2006年10月

  700. Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.69-70, Osaka, Japan.　2006年10月

  701. Fabrication of Polycrystalline Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands and Nuclei

    K. Minami, C. Yoshimoto, H. Ohmi, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.65-66, Osaka, Japan.　2006年10月

  702. Dopant Concentration Influence on Scanning Capacitance Microscopy Imaging in Ultrathin SiO2 Films

    Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices –Science and Technology-, pp.21-22, Kanagawa, Japan　2006年10月

  703. Characterization of metal/high-k structures using a monoenergetic positron beam

    A. Uedono, T. Naito, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, T. Chikyow, Y. Akasaka, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Yamada

    Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices –Science and Technology-, pp.51-52, Kanagawa, Japan　2006年10月

  704. Oxidation process of HfO2/SiO2/Si structures observed by high-resolution RBS

    Z. Ming, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, M. Uematsu, K. Torii, S. Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe, K. Shiraishi, T. Chikyow, K. Yamada

    International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, Shanghai, China, 2006　p. 392-396　2006年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  705. Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates

    K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi

    Meeting Abst. MA2006-02 Joint Int. Meeting of 210th Meeting of The Electrochemical Society and XXI Congreso de la Sociedad Mexicana de Electroquimica, Oct. 29-Nov. 3, 2006. Cancun, Mexico, (2006) #1575.　2006年10月

    出版者・発行元：The Electrochemical Society

  706. Introduction of defects into HfO2 gate dielectrics by metal-gate deposition studied using x-ray photoelectron spectroscopy and positron annihilation

    A. Uedono, T. Naito, T. Otsuka, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, T. Chikyow, Y. Akasaka, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Yamada

    Journal of Applied Physics　Vol. 100　No. 6　p. 064501-064501　2006年9月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  707. High-resolution RBS analysis of Si-dielectric interfaces

    Z. Ming, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, M. Uematsu, K. Torii, S. Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe, K. Shiraishi, T. Chikyow, K. Yamada

    Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.380-381.　2006年9月

  708. Spatial Fluctuation of Electrical Properties in Hf-Silicate Film Observed with Scanning Capacitance Microscopy

    Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.392-393.　Vol. 2006　p. 392-393　2006年9月

  709. Impact of PVD-based In-situ Fabrication Method for Metal/High-k Gate Stacks

    S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.414-415.　2006年9月

  710. Low-Leakage-Current Ultra-thin SiO2 Films by Low-Temperature Neutral Beam Oxidation

    T. Ikoma, C. Taniguchi, S. Fukuda, K. Endo, H. Watanabe, S. Samukawa

    Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.448-449.　2006年9月

  711. Characterization of Epitaxial Silicon Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures(450-600℃)

    N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara, K. Yasutake

    Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.1094-1095.　2006年9月

  712. Sample Tilting Technique for Preventing Electrostatic Discharge during High-current FIB Gas-assisted Etching with XeF2

    H. Komoda, C. Moritani, K. Takahashi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Microelectronics Reliability (in press, online 19 June)　2006年6月　研究論文（学術雑誌）

  713. Novel Charge Neutralization Techniques Applicable to Wide Current Rage of FIB Processing in FIB-EB Combined System

    H. Komoda, M. Yoshida, Y. Yamamoto, K. Iwasaki, I. Nakatani, H. Watanabe, K. Yasutake

    Microelectronics Reliability (in press, online June 5)　2006年6月　研究論文（学術雑誌）

  714. Sub-1nm EOT HfSix/HfO2 Gate Stack Using Novel Si Extrusion Process for High Performance Application

    T. Ando, T. Hirano, K. Tai, S. Yamaguchi, T. Kato, Y. Hagimoto, K. Watanabe, R. Yamamoto, S. Kanda, K. Nagano, S. Terauchi, Y. Tateshita, Y. Tagawa, M. Saito, H. Iwamoto, S. Yoshida, H. Watanabe, N. Nagashima, S. Kadomura

    Digest of Technical Papers 2006 Symposium on VLSI Technilogy　2006年6月

  715. Mechanism of Fermi-Level Pinning for n-like Metal Silicides on Hf-based Gate Dielectrics

    K. Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, H. Watanabe, N. Umezawa, T. Chikyow, Y. Nara, T.-J. King Liu, K. Yamada

    Proceedings of 2006 IEEE Si Nanoelectronics Workshop　2006年6月

  716. Extensive Studies for Effects of Nitrogen Incorporation into Hf-based High-k Gate Dielectrics

    N. Umezawa, K. Shiraishi, H. Watanabe, K. Torii, Y. Akasaka, S. Inumiya, M. Boero, A. Uedono, S. Miyazaki, T. Ohno, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, K. Yamada

    Vol. 2　No. 1　p. 63-78　2006年5月　研究論文（学術雑誌）

  717. New Theory of Effective Workfunctions at Metal/High-k Dielectric Interfaces -Application to Metal/High-k HfO2 and La2O3 Dielectric Interfaces- (INVITED)

    K. Shiraishi, T. Nakayama, Y. Akasaka, S. Miyazaki, T. Nakaoka, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Torii, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai, K. Yamada

    209th Electrochemical Society Meeting, 2006, Denver　Vol. 2　No. 1　p. 25-40　2006年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  718. Extensive Studies for the Effect of Nitrogen Incorporation into Hf-based High-k Gate Dielectrics (INVITED)

    N. Umezawa, K. Shiraishi, H. Watanabe, K. Torii, Y. Akasaka, S. Inumiya, M. Boero, A. Uedono, S. Miyazaki, T. Ohno, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, K. Yamada

    209th Electrochemical Society Meeting, 2006, Denver　Vol. 2　No. 1　p. 63-78　2006年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  719. Characterization of epitaxial si films grown by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition using cylindrical rotary electrode

    Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Takuya Wakamiya, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 45　No. 4 B　p. 3592-3597　2006年4月25日　研究論文（学術雑誌）

  720. Thermal degradation of HfSiON dielectrics caused by TiN gate electrodes and its impact on electrical properties

    Heiji Watanabe, Shiniti Yoshida, Yasumasa Watanabe, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, Yasushi Akasaka, Yasuo Nara, Kunio Nakamura, Keisaku Yamada

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 45　No. 4 B　p. 2933-2938　2006年4月25日　研究論文（学術雑誌）

  721. Analysis of origin of threshold voltage change induced by impurity in fully silicided NiSi/SiO2 gate stacks

    Kenzo Manabe, Kensuke Takahashi, Takashi Hase, Nobuyuki Ikarashi, Makiko Oshida, Toru Tatsumi, Hirohito Watanabe, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 45　No. 4 B　p. 2919-2924　2006年4月25日　研究論文（学術雑誌）

  722. Unique behavior of F-centers in high-k Hf-based oxides

    N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, M. Boero, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, Y. Nara

    Physica B: Condensed Matter　Vol. 376-377　p. 392-394　2006年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  723. Application of Synchrotron X-ray Diffraction Methods to Thin Film Materials used in Semiconductor Devices

    Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstract of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2006年4月

  724. A new theory of the Schottky barrier heights at metal/metal oxide interfaces based on the first principles calculations (INVITED)

    K. Shiraishi, T. Nakayama, Y. Akasaka, S. Miyazaki, T. Nakaoka, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Torii, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai, K. Yamada

    Abstracts of Computational Science Workshop　2006年4月

  725. Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) using Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma

    Heiji Watanabe, Shigenari Okada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, 2006, San Francisco, CA.　2006年4月

  726. Novel Charge Neutralization Techniques Applicable to Wide Current Range of FIB Processing in FIB-SEM Combined System

    Hirotaka Komoda, Masaaki Yoshida, Yoh Yamamoto, Kouji Iwasaki, Ikuko Nakatani, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Microelectronics ReliabilityJournal (in press).　2006年4月　研究論文（学術雑誌）

  727. Theoretical Investigation of the Interface between Hf-based High-k Dielectrics and Poly-Si and Metal gates (INVITED)

    K. Shiraishi, T. Nakayama, Y. Akasaka, S. Miyazaki, T. Nakaoka, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Torii, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada

    ECS-SEMI International Semiconductor Technology Conference, 2006, Shanghai.　Vol. PV 2006-03　p. 320-329　2006年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  728. Si熱酸化膜中の残留秩序構造と絶縁膜／Si界面反応研究への応用

    志村考功, 三島永嗣, 渡部平司, 安武 潔, 梅野正隆, 辰村光介, 渡邉孝信, 大泊 巌

    ゲートスタック研究会 －材料・プロセス・評価の物理－（第11回研究会）　2006年2月

  729. メタル電極形成条件がMetal/HfSiON界面反応と電気特性に及ぼす影響

    吉田慎一, 渡辺康匡, 喜多祐起, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 赤坂泰志, 奈良安雄, 白石賢二, 山田啓作

    ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第11回研究会）　2006年2月

  730. NiSiフルシリサイド/SiO2ゲートスタックにおける不純物によるしきい値変化メカニズム

    間部謙三, 長谷卓, 五十嵐信行, 忍田真希子, 辰巳徹, 渡部平司, 安武潔, 渡辺啓仁

    ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第11回研究会）　2006年2月

  731. Ⅶ、ⅧおよびⅠB族金属材料のpMOS用メタルゲート適用検討

    中村源治志, 赤坂泰志, 渡部平司, 大塚文雄, 奈良安雄

    ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－　2006年2月

  732. 走査型容量顕微鏡によるHf系ゲート絶縁膜の誘電特性の空間分布

    内藤裕一, 安藤敦, 小木曽久人, 神山聡, 奈良安雄, 中村邦雄, 渡部平司, 安武潔

    ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第11回研究会）　2006年2月

  733. 酸素中性ビーム粒子を用いた極薄酸化膜の形成

    田口智啓, 生駒篤亨, 福田誠一, 遠藤和彦, 渡部平司, 寒川誠二

    ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第11回研究会）　2006年2月

  734. 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響

    大毛利健治, Parhat Ahmet, 白石賢二, 渡部平司, 赤坂泰志, 山部紀久夫, 吉武道子, K.-S. Chang, M.L.Green, 山田啓作, 知京豊裕

    ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第11回研究会）　2006年2月

  735. Oxidation saturation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers

    T. Shimura, M. Shimizu, S. Horiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    ECS Transactions　Vol. 3　No. 7　p. 1033-1037　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  736. Physics of metal/high-k interfaces

    Takashi Nakayama, Kenji Shiraishi, Seiichi Miyazaki, Yasushi Akasaka, Takashi Nakaoka, Kazuyoshi Torii, Akio Ohta, Parhat Ahmet, Kenji Ohmori, Naoto Umezawa, Heiji Watanabe, Toyohiro Chikyow, Yasuo Nara, Hiroshi Iwai, Keisaku Yamada

    ECS Transactions　Vol. 3　No. 3　p. 129-140　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  737. Wide controllability of flatband voltage in la2O3 gate stack structures - Remarkable advantages of la2O3 over HfO2 -

    K. Ohmori, P. Ahmet, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Akasaka, N. Umezawa, K. Nakajima, M. Yoshitake, T. Nakayama, K. S. Chang, K. Kakushima, Y. Nara, M. L. Green, H. Iwai, K. Yamada, T. Chikyow

    ECS Transactions　Vol. 3　No. 3　p. 351-362　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  738. Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers

    Takayoshi Shimura, Michihiro Shimizu, Shinichiro Horiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Masataka Umeno

    Applied Physics Letters　Vol. 89　No. 11　2006年　研究論文（学術雑誌）

  739. Wide Controllability of Flatband Voltage in La2O3 Gate Stack Structures –Remarkable Advantages of La2O3 ove HfO2-

    K. Ohmori, P. Ahmet, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Akasaka, N. Umezawa, K. Nakajima, M. Yoshitake, T. Nakayama, K.-S. Chang, K. Kakushima, Y. Nara, M.L. Green, H. Iwai, K. Yamada, T. Chikyow

    Abstracts of Meeting of 210th Meeting of The Electrochemical Society　Vol. 3　No. 3　p. 351-362　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  740. Physics of metal/high-k interfaces

    Takashi Nakayama, Kenji Shiraishi, Seiichi Miyazaki, Yasushi Akasaka, Takashi Nakaoka, Kazuyoshi Torii, Akio Ohta, Parhat Ahmet, Kenji Ohmori, Naoto Umezawa, Heiji Watanabe, Toyohiro Chikyow, Yasuo Nara, Hiroshi Iwai, Keisaku Yamada

    ECS Transactions　Vol. 3　No. 3　p. 129-140　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  741. Ge nuclei for fabrication of poly-Si thin films on glass substrates

    K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi

    ECS Transactions　Vol. 3　No. 8　p. 215-225　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  742. Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers

    Takayoshi Shimura, Michihiro Shimizu, Shinichiro Horiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Masataka Umeno

    Applied Physics Letters　Vol. 89　No. 11　2006年　研究論文（学術雑誌）

  743. Wide controllability of flatband voltage in la2O3 gate stack structures - Remarkable advantages of la2O3 over HfO2 -

    K. Ohmori, P. Ahmet, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Akasaka, N. Umezawa, K. Nakajima, M. Yoshitake, T. Nakayama, K. S. Chang, K. Kakushima, Y. Nara, M. L. Green, H. Iwai, K. Yamada, T. Chikyow

    ECS Transactions　Vol. 3　No. 3　p. 351-362　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  744. Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Naotaka Tawara, Takuya Wakamiya, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  745. Characterization of high pressure (200-760Torr), stable glow plasma of pure hydrogen by measuring etching properties of Si and optical emission spectroscopy

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Yoshiki Ogiyama, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  746. low temperature crystallization of amorphous silicon by atmospheric pressure plasma treatment in H2/He or H2/Ar mixtures

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kenichi Nishijima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of the 6th ICRP an 23rd SPP　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  747. 金属／Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 -ゲート金属の設計指針-

    白石賢二, 赤坂泰志, 宮崎誠一, 中山隆史, 中岡高司, 中村源治, 鳥居和功, 太田晃生, Parhat Ahmet, 大毛利健治, 渡部平司, 知京豊裕, Martin Green, 奈良安雄, 山田啓作

    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会 兼 電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会　Vol. 105　No. 541　p. 29-32　2006年1月

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  748. Influences of Annealing Conditions on Flatband Voltage Properties Using Continuously

    Kenji Ohmmori, Parhat Ahmet, Kenji Shiraishi, Heiji Watanabe, Yasushi Akasaka, Kikuo Yamabe, King, S. Chang, Martin G. Green, Keisaku Yamada, Toyohiro Chikyow

    International Workshop on Nano CMOS, 2006, Mishima, Shizuoka.　p. 160-162　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  749. New findings in nano-scale interface physics and their relations to nano-CMOS technologies

    K. Shiraishi, Y. Akasaka, K. Torii, T. Nakayama, S. Miyazaki, T. Nakaoka, H. Watanabe, K. Ohmori, P. Ahmet, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada

    2006 International Workshop on Nano CMOS - Proceedings, IWNC　p. 180-208　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  750. Universal theory of Workfunctions at Metal/Hf-based High-k Dielectrics Interfaces -Guiding principles for gate metal selection-

    K. Shiraishi, Y. Akasaka, S. Miyazaki, T. Nakayama, T. Nakaoka, G. Nakamura, K. Torii, H. Furutou, A. Ohta, P. Ahmet, K. Ohmori, H. Watanabe, T. Chikyow, M. L. Green, Y. Nara, K. Yamada

    Technical Digest of International Electron Devices Meeting, 2005, Washington DC, pp.2.5.1-4.　Vol. 2005　p. 39-42　2005年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  751. Influence of Continuous Work Function Variation on Electric Properties by Combinatorial Materials Deposition Method

    K. Ohmori, P. Ahmet, D. Kukuruznyak, T. Nagata, K. Nakajima, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, K. Yamada, G. Richter, T. Wagner, C. Chang, M. Green, T. Chikyow

    Abstracts of 36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, 2005, Arlington, VA.　2005年12月

  752. Effects of Intrinsic and Extrinsic Reactions at Metal/High-k Interfaces on Electrical Properties of Gate Stacks

    H. Watanabe, S. Yoshida, Y. Watanabe, E. Mishima, K. Kawamura, Y. Kita, T. Shimura, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Shiraishi, K. Yamada

    Abstracts of 36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, 2005, Arlington, VA.　2005年12月

  753. Antistatic technique for suppressing charging in focused ion beam systems using microprobing and ion-beam-assisted deposition

    Hirotaka Komoda, Ikuko Nakatani, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 44　No. 11　p. 7907-7909　2005年11月9日　研究論文（学術雑誌）

  754. Mapping of the local dielectric properties of Hf-based high-k films by scanning capacitance microscopy

    Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Nakamura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Abstracts of International Symposium on Surface Science and Nanotechnology, p.133.　2005年11月

  755. 次世代MOSFETゲート絶縁膜のナノスケール評価と新プロセス提案

    渡部平司

    第9回関西半導体解析技術研究会　2005年11月

  756. シリコン系薄膜の大気圧プラズマCVDおよびエピタキシャル成長

    安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 渡部平司

    薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会「低温プロセスの再発見」アブストラクト集（2005）　2005年11月

  757. Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates

    Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Masataka Umeno, Kousuke Tatsumura, Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari, Keisaku Yamada, Satoshi Kamiyama, Yasushi Akasaka, Yasuo Nara, Kunio Nakamura

    Physics and Chemistry of SiO$_2$ and the Si-SiO$_2$ Interface 5　2005年10月

  758. High-Rate Growth of Defect-Free Epitaxial Si at Low Temperatures by Atmoshperis Pressure Plasma CVD

    Takuya Wakamiya, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, Yuso Mori

    Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials　2005年9月

  759. Thermal Degradation of HfSiON Dielectrics Caused by TiN Gate Electrodes and Its Impact on Electrical Properties

    Heiji Watanabe, Shiniti Yoshida, Yasumasa Watanabe, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, Yasushi Akasaka, Yasuo Nara, Kunio Nakamura, Keisaku Yamada

    Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 45　No. 4　p. 2933-2938　2005年9月

  760. 高誘電率ゲート絶縁膜開発の現状

    渡部平司

    生産と技術　2005年7月　研究論文（学術雑誌）

  761. Negative-U Behavior in the Complex of an O Vacancy and a Metal Impurity in High-k Dielectrics HfO2

    K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Miyazaki, K.Torii, Y. Akasaka, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Yamada, Y. Nara

    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors　2005年7月

  762. Unique Behavior of F-Centers in High-k Hf-based Oxides

    Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi, Takahisa Ohno, Mauro Boero, Heiji Watanabe, Toyohiro Chikyow, Kazuyoshi Torii, Kikuo Yamabe, Keisaku Yamada, Yasuo Nara

    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors　2005年7月

  763. First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics

    N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, H. Kitajima, T. Arikado

    Applied Physics Letters　Vol. 86　No. 14　p. 143507-143507　2005年4月4日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  764. High-mobility dual metal gate MOS transistors with high-k gate dielectrics

    Kensuke Takahashi, Kenzo Manabe, Ayuka Morioka, Taeko Ikarashi, Takuya Yoshihara, Heiji Watanabe, Toru Tatsumi

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 44　No. 4 B　p. 2210-2213　2005年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  765. Fully silicided NiSi gate electrodes on HfSiON gate dielectrics for low-power applications

    Kenzo Manabe, Kensuke Takahashi, Taeko Ikarashi, Ayuka Morioka, Heiji Watanabe, Takuya Yoshihara, Toru Tatsumi

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 44　No. 4 B　p. 2205-2209　2005年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  766. 1.2 nm HfSiON/SiON stacked gate insulators for 65-nm-Node MISFETs

    Motofumi Saitoh, Masayuki Terai, Nobuyuki Ikarashi, Heiji Watanabe, Shinji Fujieda, Toshiyuki Iwamoto, Takashi Ogura, Ayuka Morioka, Koji Watanabe, Toru Tatsumi, Hirohito Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 44　No. 4 B　p. 2330-2335　2005年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  767. Intrinsic Effect of a Nitrogen Atom on Hf-based High-k Gate Dielectrics -A First Principles Study-

    Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi, Takahisa Ohno, Heiji Watanabe, Toyohiro Chikyow, Kazuyoshi Torii, Kikuo

    American Physical Society (APS) March Meeting 2005　2005年3月

  768. Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substratesfor Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films

    K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, S. Koyama, D. Nakajima, K. Minami

    Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nov.12-13, 2004, Nara-Shi Asunara Conference Hall, pp.19-24　2005年2月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  769. Spatial fluctuation of dielectric properties in Hf-based high- k gate films studied by scanning capacitance microscopy

    Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Nakamura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Applied Physics Letters　Vol. 87　No. 25　p. 1-3　2005年　研究論文（学術雑誌）

  770. Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-&amp; gate dielectrics for termination of local current leakage paths

    Heiji Watanabe, Satoshi Kamiyama, Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi, Shiniti Yoshida, Yasumasa Watanabe, Tsunetoshi Arikado, Toyohiro Chikyow, Keisaku Yamada, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters　Vol. 44　No. 42-45　p. L1333-L1336　2005年　研究論文（学術雑誌）

  771. The role of nitrogen incorporation in Hf-based high-k dielectrics: Reduction in electron charge traps

    Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi, Kazuyoshi Torii, Mauro Boero, Toyohiro Chikyow, Heiji Watanabe, Kikuo Yamabe, Takahisa Ohno, Keisaku Yamada, Yasuo Nara

    Proceedings of ESSDERC 2005: 35th European Solid-State Device Research Conference　Vol. 2005　p. 201-204　2005年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  772. Charge neutralization using focused 500 eV electron beam in focused ion beam system

    Hirotaka Komoda, Masaaki Yoshida, Yoh Yamamoto, Kouji Iwasaki, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters　Vol. 44　No. 16-19　p. L515-L517　2005年　研究論文（学術雑誌）

  773. HfSiON膜中の局所絶縁劣化箇所のC-AFM観測－窒化による信頼性向上メカニズムの検討－

    渡辺康匡, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 有門経敏, 白石賢二, 梅澤直人, 知京豊裕, 山田啓作

    ゲートスタック研究会（第10回特別研究会）講演予稿集 p.327-331.　2005年1月

  774. コンビナトリアル成膜Pt-Wメタルゲート電極の仕事関数マッピング

    吉田慎一, 渡部平司, 安武潔, Ahmet Parhat, 知京豊裕, 山田啓作

    ゲートスタック研究会（第10回特別研究会）講演予稿集 p.271-274.　2005年1月

  775. ニッケルフルシリサイド電極のHfSiONゲート絶縁膜への適用

    間部謙三, 高橋健介, 五十嵐多恵子, 森岡あゆ香, 渡部平司, 辰巳徹

    ゲートスタック研究会（第10回特別研究会）講演予稿集 p.231-236.　2005年1月

  776. デュアルメタル電極/HfSiOゲート絶縁膜MOSトランジスタの作製と電気特性の評価

    高橋健介, 間部謙三, 森岡あゆ香, 五十嵐多恵子, 吉原拓也, 渡部平司, 辰巳徹

    ゲートスタック研究会（第10回特別研究会）講演予稿集 p.221-225.　2005年1月

  777. Hfを基礎としたHigh-kゲート絶縁膜のリーク電流を減少させるN原子の本質的な効果：酸素原子空孔に起因するリークパスを遮断するN原子の役割

    梅澤直人, 白石賢二, 大野隆央, 渡部平司, 知京豊裕, 鳥居和功, 山部紀久夫, 山田啓作, 北島洋, 有門経敏

    ゲートスタック研究会（第10回特別研究会）講演予稿集 p.115-119.　2005年1月

  778. 高誘電率（High-k）膜形成技術の現状と今後の展望

    渡部平司

    第４回インテリジェント・ナノプロセス研究会予稿原稿p.47-55.　2004年12月

  779. Dual Workfunction Ni-Silicide/HfSiON Gate Stacks by Phase-Controlled Full-Silicidation (PC-FUSI) Technique for 45nm-node LSTP and LOP Devices

    K. Takahashi, K. Manabe, T. Ikarashi, N. Ikarashi, T. Hase, T. Yoshihara, H. Watanabe, T. Tatsumi, Y. Mochizuki

    Technical Digest of International Electron Devices Meeting, San Francisco, CA　2004年12月

  780. Intrinsic Effects of a Nitrogen Atom for Reduction in Leakage Current through Hf-based High-k Gate Dielectrics -Nitrogen Induced Atomistic Cutoff of O Vacancy Mediated Leakage Paths-

    N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, H. Watanabe, T. Chikow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, H. Kitajima, T. Arikado

    Extended Abstracts of 35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, San Diego, CA　2004年12月

  781. Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching

    Kiyoshi YASUTAKE, Hiromasa OHMI, Hiroaki KAKIUCHI, Heiji WATANABE, Kumayasu YOSHII, Yuzo MORI

    Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) No.12A pp.L1552-L1554　2004年12月　研究論文（学術雑誌）

  782. Origin of flatband voltage shift in poly-Si/Hf-bsed high-k gate dielectrics and flatband voltage dependence on gate stack structure

    Makoto Miyamura, Koji Masuzaki, Heiji Watanabe, Nobuyuki Ikarashi, Toru Tatsumi

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 43　No. 11 B　p. 7843-7847　2004年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  783. 大粒径多結晶Si薄膜作製のためのGe微結晶核を利用した基板表面制御

    小山晋, 中嶋大貴, 南綱介, 大参宏昌, 渡部平司, 安武潔, 森勇藏

    薄膜材料デバイス研究会第１回研究会「TFTのすべて」アブストラクト集(2004) p.36, p.67　2004年11月

  784. Fully Silicided NiSi Gates on HfSiON Gate Dielectrics for Low Power Application

    Kenzo Manabe, Kensuke Takahashi, Ayuka Morioka, Heiji Watanabe, Takuya Yoshihara, Toru Tatsumi

    Ext. Abst. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, 2004, Tokyo, pp.18-19.　2004年9月

  785. 1.2nm HfSiON/SiON Stacked Gate Insulators for 65nm-node MISFETs

    Motofumi Saitoh, Nobuyuki Ikarashi, Heiji Watanabe, Shinji Fujieda, Hirohito Watanabe, Toshiyuki Iwamoto, Ayuka Morioka, Takashi Ogura, Masayuki Terai, Koji Watanabe, Makoto Miyamura, Toru Tataumi, Taeko Ikarashi, Koji Masuzaki, Yukishige Saito, Yuko Yabe

    Ext. Abst. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, 2004, Tokyo, pp.38-39.　Vol. 2004　p. 38-39　2004年9月

  786. High Mobility Dual Metal Gate MOS Transisotrs with High-k Gate Dielectrics

    Kensuke Takahashi, Kenzo Manabe, Ayuka Morioka, Taeko Ikarashi, Takuya Yoshihara, Heiji Watanabe, Toru Tatsumi

    Ext. Abst. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, 2004, Tokyo, pp.22-23.　2004年9月

  787. A 65nm-node LSTP (Low Standby Power) Poly-Si/a-Si/HfSiON Transistor with High Ion-Istandby Ratio and Reliability

    Y. Yasuda, N. Kimizuka, T. Iwamoto, S. Fujieda, T. Ogura, H. Watanabe, T. Tatsumi, I. Yamamoto, K. Ito, H. Watanabe, Y. Yamagata, K. Imai

    Tech. Digest Symposium on VLSI Technology, 2004, Hawaii, pp.40-41.　2004年6月

  788. High-Quality HfSiO Gate Dielectrics Fabricated by Solid Phase Interface Reaction Between Physical-Vapor-Deposited Metal-Hf and SiO2 Underlayer

    Heiji Watanabe, Motofumi Saito, Nobuyuki Ikarashi, Toru Tatsumi

    Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 449-451.　Vol. 85　No. 3　p. 449-451　2004年6月　研究論文（学術雑誌）

  789. Origin of Flatband Voltage Shift in Poly-Si/Hf-based High-k Gate Dielectrics and Vfb Dependence on Gate Stack Structure

    Makoto Miyamura, Masakazu Masuzaki, Heiji Watanabe, Nobuyuki Ikarashi, Toru Tatsumi

    Ext. Abst. of International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULIS Devices - Science and Technology, 2004, Tokyo, pp.13-14.　2004年5月

  790. High Quality HfSixOy Gate Dielectrics Fabricated by Solid Phase Reaction Between Metal Hf and SiO2 Underlayer

    Heiji Watanabe, Motofumi Saitoh, Nobuyuki Ikarashi, Toru Tatsumi

    Abst. of Material Research Society Spring Meeting, 2004, San Francisco, pp.101.　2004年4月

  791. A Highly Manufacturable Low Power and High Speed HfSiO CMOS FET with Dual Poly-Si Gate Electrodes

    Toshiyuki Iwamoto, Takashi Ogura, Masayuki Terai, Hirohiro Watanabe, Heiji Watanabe, Nobuyuki Ikarashi, Makoto Miyamura, Toru Tatsumi, Motofumi Saitoh, Ayuka Morioka, Koji Watanabe, Yukishige Saito, Yuko Yabe, Taeko Ikarashi, Koji Masuzaki, Yukinori Mochizumi, Tohru Mogami

    Tech. Digest Int. Electron Devices Meeting, 2003, Washington DC, pp.639-642.　2003年12月

  792. Roughness at ZrO2/Si interfaces induced by accelerated oxidation due to the metal oxide overlayer

    Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 83　No. 20　p. 4175-4177　2003年11月17日　研究論文（学術雑誌）

  793. La-silicate gate dielectrics fabricated by solid phase reaction between La metal and SiO2 underlayers

    Heiji Watanabe, Nobuyuki Ikarashi, Fuminori Ito

    Applied Physics Letters　Vol. 83　No. 17　p. 3546-3548　2003年10月27日　研究論文（学術雑誌）

  794. High Mobility MISFET with Low Trapped Charge in HfSiO Films

    Ayuka Morioka, Hirohito Watanabe, Makoto Miyamura, Toru Tatsumi, Motofumi Saito, Takashi Ogura, Toshiyuki Iwamoto, Taeko Ikarashi, Yukishige Saito, Yuko Okada, Heiji Watanabe, Yasunori Mochizuki, Tohru Mogami

    Tech. Digest Symposium on VLSI Technology, 2003, Kyoto, pp.165-166.　p. 165-166　2003年1月

  795. Ultrathin zirconium silicate gate dielectrics with compositional gradation formed by self-organized reactions

    Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 81　No. 22　p. 4221-4223　2002年11月25日　研究論文（学術雑誌）

  796. Ultrathin Zr Silicate Gate Dielectrics with Compositional Gradation

    Heiji Watanabe

    Ext. Abst. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, 2002, Nagoya, pp.60-61.　2002年9月

  797. ZrO2/SiO2/Si界面制御とゲート絶縁膜への応用

    渡部平司

    Proc. the 62nd Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology, 2002, Tokyo, pp.13-18.　2002年6月　研究論文（学術雑誌）

  798. 2次電子像におけるSi(001)-2x1表面のドメインコントラストの起源

    渡部平司, 市川昌和, 川村隆明

    日本学術振興会第141委員会第107研究会資料、pp.46-51.　2002年3月　研究論文（学術雑誌）

  799. Thermal decomposition of ZrO2/SiO2 bilayer on Si(001) caused by void nucleation and its lateral growth

    Heiji Watanabe, Nobuyuki Ikarashi

    Applied Physics Letters　Vol. 80　No. 4　p. 559-561　2002年1月28日　研究論文（学術雑誌）

  800. Thermal Decomposition of ZrO2/SiO2 Bilayer on Si(001)

    Heiji Watanabe

    Proc. Int. Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices, 2001, Nara, pp.367-370.　2001年11月

  801. Interfacial Reactions of ZrO2/SiO2/Si Layered Structures

    Heiji Watanabe

    Ext. Abst. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, 2001, Tokyo, pp.492-493.　2001年9月

  802. Interface engineering of a ZrO2/SiO2/Si layered structure by in situ reoxidation and its oxygen-pressure-dependent thermal stability

    Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 78　No. 24　p. 3803-3805　2001年6月11日　研究論文（学術雑誌）

  803. Dependence of Thermal Stability of ZrO2/SiO2/Si Layered Structure on Ambient Oxygen

    Heiji Watanabe

    Abst. Electronic Materials Conference, 2001, Indiana, pp.25.　2001年6月

  804. Origin of the Domain Contrast on a Si(001)-2x1 Surface Imaged by Secondary Electrons

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa, Takaaki Kawamura

    Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 1255-1257.　2001年2月　研究論文（学術雑誌）

  805. Layer-by-layer oxidation of Si(001) surfaces

    Watanabe H, Miyata N, Ichikawa M

    Fundamental Aspects of Silicon Oxidation　Vol. 46　p. 89-105　2001年

  806. シリコン表面の原子層単位の酸化反応

    渡部平司, 宮田典幸, 市川昌和

    日本物理学会誌、2000年11月号、pp.846-853.　Vol. 55　No. 11　p. 846-853　2000年11月　研究論文（学術雑誌）

  807. Initial Oxynitridation of a Si(001)-2x1 Surface by NO

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Material Research Society Fall Meeting, 2000, Boston MRS Sym. Proc. 592, pp.233-238.　2000年11月

  808. Scanning reflection electron microscopy study of surface defects in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth

    Heiji Watanabe, Naotaka Kuroda, Haruo Sunakawa, Akira Usui

    Applied Physics Letters　Vol. 77　No. 12　p. 1786-1788　2000年9月18日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  809. Selective growth of nanocrystalline Si dots using an ultrathin-Si-oxide/oxynitride mask

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 77　No. 11　p. 1620-1622　2000年9月11日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  810. Crystallographic Structure of FIELO-GaN Films Studied by Scanning Reflection Electron Microscopy

    Heiji Watanabe, Naotaka Kuroda, Haruo Sunakawa, Akita Usui

    Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, 2000, Nagoya, pp.272-275.　2000年9月

  811. Initial Oxynitridation of a Si(001)-2x1 Surface by NO

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 3561-3563.　2000年6月　研究論文（学術雑誌）

  812. シリコン表面のLayer-by-layer酸化

    渡部平司, 宮田典幸, 市川昌和

    表面科学、2000年4月号、pp.32-37.　Vol. 20　No. 4　p. 250-255　2000年4月　研究論文（学術雑誌）

  813. Mechanism of Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces by Two-Dimensional Oxide-Island Nucleation at SiO2/Si Interfaces

    Heiji Watanabe, Toshio Baba, Masakazu Ichikawa

    Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 2015-202.　Vol. 39　No. 4　p. 2015-2020　2000年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  814. Nanometer-Scale Characterization of Layer-by-Layer Oxidation of Si Surfaces

    Heiji Watanabe, Noriyuki Miyata, Masakazu Ichikawa

    Proc. 3rd SANKEN Int. Symposium on Advanced Nanoelectronics: Devices, Materials and Computing, 2000, Osaka, pp.120-121.　2000年3月

  815. Thermal decomposition of an ultrathin si oxide layer around a Si(001)- (2×1) window

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Physical Review Letters　Vol. 84　No. 5　p. 1043-1046　2000年1月31日　研究論文（学術雑誌）

  816. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy characterization of ion-beam-induced dielectric degradation in ultrathin SiO2 films and its thermal recovery process

    Heiji Watanabe, Toshio Baba, Masakazu Ichikawa

    Journal of Applied Physics　Vol. 87　No. 1　p. 44-48　2000年1月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  817. Nanometer-Scale Characterization of Layer-by-Layer Oxidation of Si Surfaces and Local Dielectric Properties of Ultrathin SiO2 Films (INVITED)

    Heiji Watanabe, Toshio Baba, Masakazu Ichikw

    International Symposium on Surface Science for Micro-and Nano-Devices Fabrication, 1999, Tokyo.　1999年11月

  818. Layer-by-Layer Oxidation of Silicon Surfaces

    Heiji Watanabe, Noriyuki Miyata, Masakazu Ichikawa

    Material Research Society Spring Meeting, 1999, San Francisco, MRS Sym. Proc. 567, pp.189-200.　1999年11月

  819. Initial Oxynitridation of Si(001)-2x1 Surface by Nitric Oxide: Interfacial Structure and Application for Si Selective Growth

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 1999, Tokyo, pp.151-154.　1999年11月

  820. Local Dielectric Breakdown in Ultrathin SiO2 Films: Characterization by Scanning Tunneling Microscopy

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa, Toshio Baba

    NEC Research & Development 40 (1999) 410-413.　1999年10月　研究論文（学術雑誌）

  821. Mechanism of Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces Proceeded by Two-Dimensional Oxide Island Nucleation at SiO2/Si Interfaces

    Heiji Watanabe, Toshio Baba, Masakazu Ichikawa

    Ext, Abst, Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, 1999, Tokyo, pp.310-311.　1999年9月

  822. Nanometer-Scale Si-Selective Epitaxial Growth Using Ultrathin SiO2 Mask

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Abst. Int. Joint Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 1999, Miyagi, B-　1999年9月

  823. Nanometer-Scale Characterization of Electrical Degradation in Ultrathin SiO2 Films Using a Scanning Probe Technique

    Heiji Watanabe, Toshio Baba, Masakazu Ichikawa

    Proc. Int. Conf. on Production Engineering, 1999, Osaka, pp.865-870.　1999年8月

  824. Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillation during layer-by-layer oxidation of Si(001) surfaces

    Heiji Watanabe, Toshio Baba, Masakazu Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 74　No. 22　p. 3284-3286　1999年5月31日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  825. Nanometer-Scale Si-Selective Epitaxial Growth Using Ultrathin SiO2 Mask

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    J. Vac. Sci. Technol. B17 (1999) 978-982.　1999年5月　研究論文（学術雑誌）

  826. Characterization of local dielectric breakdown in ultrathin SiO2 films using scanning tunneling microscopy and spectroscopy

    Heiji Watanabe, Toshio Baba, Masakazu Ichikawa

    Journal of Applied Physics　Vol. 85　No. 9　p. 6704-6710　1999年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  827. Nanometer-Scale Si Selective Growth Using Ultrathin SiO2 Mask

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Material Research Society Fall Meeting, 1998, Boston.　1998年11月

  828. Nanometer-Scale Si Selective Epitaxial Growth Using Ultrathin SiO2 Mask

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 1998, Tokyo, pp.143-146.　1998年11月

  829. Atomic-Scale Structure of SiO2/Si Interfaces Formed by Furnace Oxidation

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Phys. Rev. B58 (1998) 13670-13676.　1998年11月　研究論文（学術雑誌）

  830. Nanometer Fabrication Using Selective Thermal Decomposition of SiO2 Induced by Focused Electron Beams and Electron Beam Interference Fringes

    Shinobu Fujita, Shigemitsu Maruno, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    J. Vac. Sci. Technol. B16 (1998) 2817-2821.　1998年9月　研究論文（学術雑誌）

  831. Scanning tunneling microscopy study on void formation by thermal decomposition of thin oxide layers on stepped Si surfaces

    Ken Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Journal of Applied Physics　Vol. 83　No. 8　p. 4091-4095　1998年4月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  832. Scanning Tunneling Microscopy Study on the Surface and Interface of Si(111) / SiO2 Structures

    Ken Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    J. Appl. Phys. 83 (1998) 3638-3642.　1998年4月　研究論文（学術雑誌）

  833. Preservation of Atomic Flatness at SiO2/Si(111) Interface During Furnace Oxidation

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    American Physical Society March Meeting, 1998, Los Angeles.　1998年3月

  834. Observation and Creation of Current Leakage Sites in Ultrathin SiO2 Films Using Scanning Tunneling Microscopy

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    American Physical Society March Meeting, 1998, Los Angeles.　1998年3月

  835. Nanometer Si Selective Homoepitaxial Growth Observed by Scanning Tunneling Microscopy

    Ken Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    J. Crystal Growth 188 (1998) 197-204.　1998年2月　研究論文（学術雑誌）

  836. Influence of the Initial Si Surface Structure on SiO2/Si(111) Interfaces and Thermal Decomposition of the Oxide Films

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Surf. Sci. 408 (1998) 95-100.　1998年2月　研究論文（学術雑誌）

  837. Atomic-scale structure of interface formed by furnace oxidation

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　Vol. 58　No. 20　p. 13670-13676　1998年　研究論文（学術雑誌）

  838. HF-chemical etching of the oxide layer near a SiO2/Si(111) interface

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 73　No. 26　p. 3923-3925　1998年　研究論文（学術雑誌）

  839. Void formation during thermal decomposition of ultrathin oxide layers on the Si(110) surface

    Ken Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Surface Science　Vol. 398　No. 1-2　p. 134-142　1998年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier

  840. Observation and creation of current leakage sites in ultrathin silicon dioxide films using scanning tunneling microscopy

    Heiji Watanabe, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 72　No. 16　p. 1987-1989　1998年　研究論文（学術雑誌）

  841. Preservation of atomic flatness at SiO2/Si(111) interfaces during thermal oxidation in a furnace

    Noriyuki Miyata, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 72　No. 14　p. 1715-1717　1998年　研究論文（学術雑誌）

  842. Kinetics of Initial Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces

    Heiji Watanabe, Koichi Kato, Tsuyoshi Uda, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa, Takaaki Kawamura, Kiyoyuki Terakura

    Physical Review Letters　Vol. 80　No. 2　p. 345-348　1998年　研究論文（学術雑誌）

  843. Self-organized Ge clustering on partially Ga-terminated Si(111) surfaces

    S. Maruno, S. Fujita, H. Watanabe, Y. Kusumi, M. Ichikawa

    Journal of Applied Physics　Vol. 83　No. 1　p. 205-211　1998年1月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  844. Electron-Beam-Induced Selective Thermal Decomposition of Ultrathin SiO2 Layers Used in Nanofabrication

    Heiji Watanabe, Shinobu Fujita, Shigemitsu Maruno, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa

    Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 7777-7781.　Vol. 36　No. 12　p. 7777-7781　1997年12月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  845. Layer-by-Layer Sputtering of Si(111) and (001) Surfaces Mediated by Surface Vacancy Diffusion: Surface Physics and Application for Nanofabrication

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    J. Vac. Sci. Technol. B15 (1997) 2666-2671.　1997年11月　研究論文（学術雑誌）

  846. Layer-by-Layer Oxidation of Si(111) Surfaces and Thermal Decomposition of the Ultrathin Oxide Layers

    Heiji Watanabe, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa

    Abst. Int. Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, 1997, Tokyo, pp.185-186.　1997年10月

  847. Oxidation of Partially Ga-Terminated Si(111) Surfaces

    Shigemitsu Maruno, Shinobu Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Surf. Sci. 377 (1997) 775-779.　1997年10月　研究論文（学術雑誌）

  848. Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces

    Heiji Watanabe, Ken Fujita, T. Kawamura, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. Int. Conf. Solid State Device and Materials, 1997, Hamamatsu, pp.538-539.　Vol. 39　No. 4　p. 2015-2020　1997年9月

  849. Selective thermal decomposition of ultrathin silicon oxide layers induced by electron-stimulated oxygen desorption

    Heiji Watanabe, Shinobu Fujita, Shigemitsu Maruno, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 71　No. 8　p. 1038-1040　1997年8月25日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  850. Observation of oxide/Si(001)-interface during layer-by-layer oxidation by scanning reflection electron microscopy

    S. Fujita, H. Watanabe, S. Maruno, M. Ichikawa, T. Kawamura

    Applied Physics Letters　Vol. 71　No. 7　p. 885-887　1997年8月18日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  851. In-situ Monitoring of Nanoscale Si Selective Epitaxial Growth on Si Surfaces Using Scanning Tunneling Microscopy

    Ken Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    International Conference on Chemical Beam Epitaxy, 1997, Switerland.　1997年8月

  852. Observation of selective thermal desorption of electron stimulated SiO2 with a combined scanning reflection electron microscope/scanning tunneling microscope

    S. Maruno, S. Fujita, H. Watanabe, M. Ichikawa

    Journal of Applied Physics　Vol. 82　No. 2　p. 639-643　1997年7月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  853. Observation and Fabrication of Si Nanostructures by Scanning Reflection Electron Microscopy

    Masakazu Ichikawa, Shinobu Fujita, Shigemitsu Maruno, Heiji Watanabe, Ken Fujita

    Proc. Int. Centennial Symposium on the Electron, 1997, Cambridge, pp.389-396.　1997年7月

  854. Electron-Beam-Induced Selective Thermal Decomposition of Ultrathin SiO2 Layers Used in Nanofabrication

    Heiji Watanabe, Shinobu Fujita, Shigemitsu Maruno, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa

    Digest Int. MicroProcess and Nanotechnology Conf., 1997, Nagoya, pp.12-13.　Vol. 36　No. 12　p. 7777-7781　1997年7月

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  855. Initial Oxidation of Si(111) and (001) Surfaces and Nanofabrication Using Oxide Layers

    Heiji Watanabe, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa

    Abst. One-Day Workshop on JRCAT Surface Science Activities, 1997, Tsukuba, pp.6.　1997年6月

  856. Nanoscale Si Selective Epitaxial Growth on Si(001) and Si(110) Surfaces Passivated with 0.3-nm-thick Oxide Layer

    Ken Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Abst. One-Day Workshop on JRCAT Surface Science Activities, 1997, Tsukuba, pp.5.　1997年6月

  857. Nanometer-scale Si selective epitaxial growth on Si(001) surfaces using the thermal decomposition of ultrathin oxide films

    Ken Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 70　No. 21　p. 2807-2809　1997年5月26日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  858. Layer-by-Layer Sputtering of Si(111) and (001) Surfaces Mediated by Surface Vacancy Diffusion

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Abst. Int. Conf. on Electron, Ion and Photon Beams and Nanotechnology, 1997, California, pp.57.　1997年5月

  859. Atomic-Step Observation at Buried SiO2/Si(111) Interfaces by Scanning Reflection Electron Microscopy

    Heiji Watanabe, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa

    Surf. Sci. 385 (1997) L952-L957.　1997年4月　研究論文（学術雑誌）

  860. Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(111) surfaces mediated by surface Si transport

    Heiji Watanabe, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 70　No. 9　p. 1095-1097　1997年3月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  861. Thermal Decomposition of Ultrathin Oxide Layers on Si(111) Surfaces Mediated by Surface Si Diffusion

    Heiji Watanabe, Ken Fujita, Masakazu Ichikawa

    Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1095-1097.　1997年3月　研究論文（学術雑誌）

  862. Structural Transformation of Hydrogen-Adsorbed Si(111)-√3x√3-Ag Surfaces Induced by Electron-Stimulated Desorption

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Surf. Sci. 383 (1997) 95-102.　1997年3月　研究論文（学術雑誌）

  863. Observation of Thermal Desorption of Electron Stimulated SiO2 with a Combined SREM/STM

    Shigemitsu Maruno, Shinobu Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 1997, Tokyo, pp.65-68.　1997年1月

  864. Nanoscale Selective Si Epitaxial Growth on Si Surfaces with 0.3-nm-thick Oxide MasksTechnology

    Ken Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom , 1997, Tokyo, pp.61-64.　1997年1月

  865. Observation of SiO2/Si(111) Interfaces and SiO2 Thermal Decomposition Using Scanning Reflection Electron Microscopy and Scanning Tunneling Microscopy

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 1997, Tokyo, pp.57-60.　1997年1月

  866. Vacancy Diffusion Kinetics on Si(111) and (001) Surfaces Studied by Scanning Reflection Electron Microscopy

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 1997, Tokyo, pp.53-56.　1997年1月

  867. Selective Thermal Reaction of SiO2 Induced by Electron Beams and their Applications to Nanofabrication

    Shinobu Fujita, Shigemitsu Maruno, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 1997, Tokyo, pp.13-16.　1997年1月

  868. Nanofabrication using selective thermal desorption of SiO2/Si induced by electron beams

    S. Fujita, S. Maruno, H. Watanabe, M. Ichikawa

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 15　No. 3　p. 1493-1498　1997年　研究論文（学術雑誌）

  869. Anisotropic kinetics of vacancy diffusion and annihilation on Si(001) surfaces studied by scanning reflection electron microscopy

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　Vol. 55　No. 15　p. 9699-9705　1997年　研究論文（学術雑誌）

  870. Microprobe RHEED/STM combined microscopy

    M. Ichikawa, S. Maruno, S. Fujita, H. Watanabe, Y. Kusumi

    Surface Review and Letters　Vol. 4　No. 3　p. 535-542　1997年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：World Scientific Publishing Co. Pte Ltd

  871. A combined apparatus of scanning reflection electron microscope and scanning tunneling microscope

    S. Maruno, H. Nakahara, S. Fujita, H. Watanabe, Y. Kusumi, M. Ichikawa

    Review of Scientific Instruments　Vol. 68　No. 1　p. 116-119　1997年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  872. Microstructure fabrication using oxidation on partially Ga-terminated Si(111) surfaces

    S. Maruno, S. Fujita, H. Watanabe, M. Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 69　No. 10　p. 1382-1384　1996年9月2日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  873. Oxidation of Patially Ga-Terminated Si(111) Surface

    Shigemitsu Maruno, Shinobu Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    European Conference on Surface Science, 1996, Genova.　1996年9月

  874. Nanostructure fabrication using the selective thermal desorption of SiO2 induced by electron beams

    S. Fujita, S. Maruno, H. Watanabe, M. Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 69　No. 5　p. 638-640　1996年7月29日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  875. Self-Organized Ge Clustering on Partially Ga-Terminated Si(111)

    Shigemitsu Maruno, Shinobu Fujita, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    American Physical Society March Meeting, 1996, St. Lous.　1996年3月

  876. Scanning Reflection Electron Microscopy Study of an Initial Stage of Layer-by-Layer Sputtering of Si(111) Surface

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    American Physical Society March Meeting, 1996, St. Lous.　1996年3月

  877. Development of Ultra-Fine Structure Etching Apparatus and its Application to Layer-by-Layer Sputtering of the Si(111) Surface

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 1996, Tokyo, pp.293-296.　1996年2月

  878. Selective Thermal-Desorption of SiO2/Si Induced by Electron Beams

    Shinobu Fujita, Shigemitsu Maruno, Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 1996, Tokyo, pp.289-292.　1996年2月

  879. Fabrication of periodical nanostructures using electron interference fringes

    S. Fujita, S. Maruno, H. Watanabe, Y. Kusumi, M. Ichikawa

    Microelectronic Engineering　Vol. 30　No. 1-4　p. 435-438　1996年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier

  880. Development of a multifunctional surface analysis system based on a nanometer scale scanning electron beam: Combination of ultrahigh vacuum-scanning electron microscopy, scanning reflection electron microscopy, Auger electron spectroscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Review of Scientific Instruments　Vol. 67　No. 12　p. 4185-4190　1996年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  881. Kinetics of vacancy diffusion on Si(111) surfaces studied by scanning reflection electron microscopy

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　Vol. 54　No. 8　p. 5574-5580　1996年　研究論文（学術雑誌）

  882. Initial stage of layer-by-layer sputtering of Si(111) surfaces studied by scanning reflection electron microscopy

    Heiji Watanabe, Masakazu Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 68　No. 18　p. 2514-2516　1996年　研究論文（学術雑誌）

  883. Surfactant-mediated epitaxy of Ge on partially Ga-terminated Si(111) surfaces

    S. Maruno, S. Fujita, H. Watanabe, Y. Kusumi, M. Ichikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 68　No. 16　p. 2213-2215　1996年　研究論文（学術雑誌）

  884. Sub-10-nm Lithography and Development Properties of Inorganic Resist by Scanning Electron Beams

    Jun-ichi Fujita, Heiji Watanabe, Yukinori Ochiai, Shoko Manako, Jaw-Shen Tsai, Shinji Matsui

    J. Vac. Sci. Technol. B13 (1995) 2757-2761.　1995年11月　研究論文（学術雑誌）

  885. Fabrication of Periodical Nanostructures by Transferring Electron Interference Fringes

    Shinobu Fujita, Shigemitsu Maruno, Heiji Watanabe, Yukihiro Kusumi, Masakazu Ichikawa

    Abst. Int. Conf. Micro- and Nano-Engineering, 1995, France.　1995年9月

  886. Development Properties and Sub-10 nm Lithography by Scanning Electron Beam Using Inorganic Resist

    Jun-ichi Fujita, Heiji Watanabe, Yukinori Ochiai, Shoko Manako, Jaw-Shen Tsai, Shinji Matsui

    Abst. Int. Symposium on Electron, Ion and Photon Beams, 1995, Arizona, pp.153-154.　1995年5月

  887. Sub-10 nm Lithography and Development Properties of Inorganic Resist by Scanning Electron Beam

    Jun-ichi Fujita, Heiji Watanabe, Yukinori Ochiai, Shoko Manako, Jaw-Shen Tsai, Shinji Matsui

    Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3065-3067.　1995年5月　研究論文（学術雑誌）

  888. Periodical Nanostructure Fabrication Using Electron Interference Fringes Produced by Scanning Interference Electron Microscope

    Shinobu Fujita, Shigemitsu Maruno, Heiji Watanabe, Yukihiro Kusumi, Masakazu Ichikawa

    Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 2754-2756.　1995年5月　研究論文（学術雑誌）

  889. Nanolithography Developed Through Electron Beam Induced Surface Reaction (INVITED)

    S. Matsui, Y. Ochiai, M. Baba, H. Watanabe

    Materials Research Society Spring Meeting, 1995, San Francisco.　1995年4月

  890. Self-Developing Properties of High Resolution LiF(AlF3) Inorganic Electron Beam Resist

    Heiji Watanabe, Jun-ichi Fujita, Yukinori Ochiai, Shinji Matsui, Masakazu Ichikawa

    Ext. Abst. JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 1995, Tokyo, pp.239-241.　1995年2月

  891. Self-developing properties of an inorganic electron beam resist and nanometer-scale patterning using a scanning electron beam

    Heiji Watanabe, Jun-Ichi Fujita, Yukinori Ochiai, Shinji Matsui, Masakazu Ichikawa

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 34　No. 12　p. 6950-6955　1995年　研究論文（学術雑誌）

  892. Electron-stimulated desorption and in situ scanning electron microscopy study on self-developing reaction of high-resolution inorganic electron beam resist

    Heiji Watanabe, Jun-Ichi Fujita, Yukinori Ochiai, Shiniji Matsui, Masakazu Ichikawa

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 34　No. 7　p. L948-L950　1995年　研究論文（学術雑誌）

  893. XPS and ESD Study on Cl2/GaAs(100) Surface

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Gordon Research Conferences; Excitation at Semiconductor Surfaces, 1994, Hawaii.　1994年10月

  894. Low-Damage Electron-Beam-Assisted Dry Etching of GaAs and AlGaAs Using Electron Cyclotron Resonance Plasma Electron Source

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    J. Vac. Sci. Technol. B11 (1993) 2288-2293.　1993年12月　研究論文（学術雑誌）

  895. Nanolithography Using Electron Beam Induced Surface Reaction

    Shinji Matsui, Yukinori Ochiai, Masakazu Baba, Heiji Watanabe

    NATO Workshop, 1993, Rome.　1993年6月

  896. Electron-Beam-Assisted ry Etching of GaAs Using Electron Cyclotron Resonance Plasma Electron Source (INVITED)

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Int. Conf. on Electron, Ion and Photon Beams and Nanotechnology, 1993, California.　1993年5月

  897. Visible Light Emission from Nanocrystalline Silicon-Oxide Phase of Porous Silicon

    Yukinori Ochiai, T. Ichihashi, N. Ookubo, H. Ono, S. Matsui, M. Matsudate, Heiji Watanabe

    American Physical Society March Meeting, 1993.　1993年3月

  898. Electron beam irradiation effects on cl2/gaas

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 32　No. 12 S　p. 6158-6162　1993年　研究論文（学術雑誌）

  899. Nanometer-scale direct carbon mask fabrication using electron-beam-assisted deposition

    Yukinori Ochiai, Heiji Watanabe, Jun-Ichi Fujita, Masakazu Baba, Shoko Manako, Shinji Matsui

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 32　No. 12 S　p. 6147-6152　1993年　研究論文（学術雑誌）

  900. Effects of electron-beam-assisted dry etching on optical and electrical properties

    Heiji Watanabe, Yukinori Ochiai, Shinji Matsui

    Applied Physics Letters　Vol. 63　No. 11　p. 1516-1518　1993年　研究論文（学術雑誌）

  901. Electron-Beam-Assisted Dry Etching for GaAs Using Electron Cyclotron Resonance Plasma Electron Source

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 3011-3013.　1992年12月　研究論文（学術雑誌）

  902. Electron-Beam-Assisted Dry Etching of GaAs

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Proc. Int. Symposium on Intelligent Design and Synthesis of Electron Material Systems, 1992, Osaka, pp.173-174.　1992年11月

  903. Dry Etching Utilizing Showered Electron Beam Assisted Etching

    Shinji Matsui, Heiji Watanabe

    Microelectronic Engineering 17 (1992) 337-340.　1992年9月　研究論文（学術雑誌）

  904. Electron Beam Assisted Dry Etching

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    NEC Research & Development 33 (1992) 481-493.　1992年6月　研究論文（学術雑誌）

  905. Electron Beam Assisted Dry Etching

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    NEC Research & Development　1992年6月　研究論文（学術雑誌）

  906. Low-Temperature Electron-Beam-Assisted Dry Etching for GaAs Using Electron-Stimulated Desorption

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L810-L812.　1992年6月　研究論文（学術雑誌）

  907. スパッタ法により作製したa-SiC:H薄膜中の水素の熱放出

    須崎嘉文, 渡部平司, 吹田義一, 鹿間共一, 芳井熊安, 川辺秀昭

    日本金属学会誌　Vol. 56　No. 9　p. 985-990　1992年　研究論文（学術雑誌）

  908. Low-Temperature Electron-Beam-Assisted Dry Etching for GaAs Using Electron-Stimulated Desorption

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Tech. Digest Int. Workshop on Science and Technology for Surface Reaction Process, 1992, Tokyo, pp.125-126.　1992年1月

  909. Nanotechnology Developed Through Electron Beam Induced Surface Reaction

    Shinji Matsui, Yukinori Ochiai, Masakazu Baba, Heiji Watanabe

    Proc. Int. Workshop on Quantum Functional Devices, 1992, Nasu, pp.25-43.　1992年1月

  910. Novel Process for Visible Light Emission from Si Prepared by Ion Irradiation

    Yukinori Ochiai, Norio Ookubo, Heiji Watanabe, Shinji Matsui, Yasunori Mochizuki, Toshinari Ichihashi, Haruhiko Ono, Shigeru Kimura

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 31　No. 5　p. L560-L563　1992年　研究論文（学術雑誌）

  911. Nanostructure Technology Developed Through Electron-Beam-Induced Surface Reaction

    Shinji Matsui, Toshinari Ichihashi, Yukinori Ochiai, Masakazu Baba, Heiji Watanabe, Akihiro Sato

    Abst. Int. Symposium on Science and Technology of Mesoscopic Structures, 1991, Nara, pp.26-27　1991年11月

  912. GaAs Dry Etching Using Electron Beam Induced Surface Reaction

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 3190-3194.　Vol. 5　No. 11　p. 223-227　1991年11月　研究論文（学術雑誌）

  913. Dry Etching Utilizing Showered Electron Beam Assisted Etching

    Shinji Matsui, Heiji Watanabe

    Abst. Int. Conf. on Microlithography, 1991, Roma, B4.4.　1991年9月

  914. 10-nm Resolution Nanolithography Using Newly Developed 50 kV Electron Beam Direct Writing System

    Yukinori Ochiai, Masakazu Baba, Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Digest Int. MicroProcess Conf., 1991, Chiba, pp.202-203.　1991年7月

  915. GaAs Dry Etching Using Electron Beam Induced Surface Reaction

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Digest Int. MicroProcess Conf., 1991, Chiba, pp.112-113.　Vol. 5　No. 11　p. 223-227　1991年7月

  916. Gaas dry etching using electron beam induced surface reaction

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 30　No. 11S　p. 3190-3194　1991年　研究論文（学術雑誌）

  917. Ten-nanometer resolution nanolithography using newly developed 50-kv electron beam direct writing system

    Yukinori Ochiai, Masakazu Baba, Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 30　No. 11S　p. 3266-3271　1991年　研究論文（学術雑誌）

  918. Si and GaAs dry etching utilizing showered electron-beam assisted etching through Cl2 gas

    S. Matsui, H. Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 59　No. 18　p. 2284-2286　1991年　研究論文（学術雑誌）

  919. Reverse dry etching using a high-selectivity carbon mask formed by electron beam deposition

    Heiji Watanabe, Shinji Matsui

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 30　No. 9　p. L1598-L1600　1991年　研究論文（学術雑誌）

MISC 11

  1. 10aAS-1 SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    白川 裕規, 神谷 克政, 渡部 平司, 白石 賢二

    日本物理学会講演概要集　Vol. 69　No. 2　p. 674-674　2014年8月22日

    出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

  2. AIONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

    細井 卓治, 東雲 秀司, 柏木 勇作, 保坂 重敏, 中村 亮太, 箕谷 周平, 中野 佑紀, 浅原 浩和, 中村 孝, 木本 恒暢, 志村 考功, 渡部 平司

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報　Vol. 112　No. 421　p. 19-22　2013年1月30日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  3. High-κゲートスタック技術の進展と最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)

    渡部 平司, 細井 卓治

    電子情報通信学会誌 : The Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers　Vol. 95　No. 11　p. 960-964　2012年11月

    出版者・発行元：電子情報通信学会

  4. X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価

    川村浩太, 三島永嗣, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2006　2006年3月1日

  5. 熱処理に伴うHfSiOx/SiO2/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定

    三島永嗣, 川村浩太, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2005　No. 0　p. J45-820　2005年9月1日

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  6. 高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極との界面反応の評価

    喜多祐起, 吉田慎一, 渡辺康匡, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2005　2005年9月1日

  7. 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価

    高橋 健介, 間部 謙三, 五十嵐 多恵子, 五十嵐 信行, 長谷 卓, 吉原 拓也, 渡部 平司, 辰巳 徹, 望月 康則

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会　Vol. 2005　No. 22　p. 31-35　2005年6月3日

  8. 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET

    高橋 健介, 間部 謙三, 五十嵐 多恵子, 五十嵐 信行, 長谷 卓, 吉原 拓也, 渡部 平司, 辰巳 徹, 望月 康則

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　Vol. 104　No. 577　p. 21-24　2005年1月14日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  9. シリコン酸化膜の原子スケール評価とAtomic Layer Depositionによる高誘電体薄膜形成

    渡部 平司

    表面科学　Vol. 21　No. 9　p. 597-597　2000年9月10日

  10. 23pZN-8 Siの層状酸化

    渡部 平司, 宮田 典幸, 市川 昌和

    日本物理学会講演概要集　Vol. 55　No. 1　p. 774-774　2000年3月10日

    出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

  11. 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法

    落合 幸徳, 望月 康則, 市橋 鋭也, 渡部 平司, 大久保 紀雄, 小野 晴彦, 木村 滋, 馬場 雅和, 松井 真二

    秋の分科会講演予稿集　Vol. 1992　No. 2　p. 187-188　1992年9月14日

    出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

著書 1

  1. Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.)

    H. Watanabe, N. Miyata, M. Ichikawa

    Springer　2001年2月　学術書

講演・口頭発表等 119

  1. Tunneling current in Schottky structures formed on heavily doped n-type GaN

    Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025年7月10日

  2. Thermal generation rate of hole traps in GaN MOS structures

    Masahiro Hara, Kenji Hirahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025年7月8日

  3. Reduction of hole traps in GaN MOS structures by introducing Mg atoms near SiO2/GaN interfaces

    Yuichi Sakagami, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025年7月7日

  4. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用

    横山 義希, 矢野 裕司, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 梅田 享英, 堀内 颯介, 福永 博生, 島袋 聞多

    第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025年3月16日

  5. 絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の形成

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

    第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025年3月16日

  6. 熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度

    原 征大, 平原 賢治, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025年3月17日

  7. 表面界面反応制御に基づく高品質 SiC MOS 界面の形成

    藤本 博貴, 小林 拓真, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月26日

  8. 低温 PECVD により作製した SiO2/p 型 GaN MOS 構造における正孔トラップの評価

    原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月26日

  9. 熱処理に対する高 Mg 濃度 p 型 GaN MOS 構造の安定性評価

    阪上 優一, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  10. 酸素および窒素熱処理による SiO2/β-Ga2O3 MOS 構造の高品質化

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  11. 高温ゲートストレス印加による SiC MOSFET のチャネル移動度劣化機構

    八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  12. 超高温酸化プロセスによる SiC MOSFET の高温高電界ストレス耐性の向上

    陳 強, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  13. 熱酸化及び水素エッチングによる SiC(0001)表面構造の変化

    神畠 真治, 小林 拓真, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  14. Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer

    Hidetoshi Mizobata, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024)　2024年11月4日

  15. Investigation of oxygen-related defects in 4H-SiC from ab initio calculations

    Sosuke Iwamoto, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月3日

  16. Control over the density of single photon emitters at SiO_2/SiC interfaces: CO_2 vs. Ar annealing

    Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Haruko Toyama, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月3日

  17. Suppression of luminescent spots at SiO_2/SiC interfaces by thermal oxidation at low oxygen partial pressure

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月2日

  18. Insight into the mobility-limiting factors of SiC MOSFETs: the impact of gate bias stress

    Takuma Kobayashi, Kaho Koyanagi, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Heiji Watanabe

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月2日

  19. Impurity-vacancy complexes in 4H-SiC: stability and properties

    Takuma Kobayashi, Sosuke Iwamoto, Heiji Watanabe

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月2日

  20. Impacts of thermal oxidation and forming gas annealing on surface morphology of SiC(0001)

    Shinji Kamihata, Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024).　2024年10月1日

  21. Impact of Post Deposition Annealing on SiO2/SiC Structures Formed by Plasma Nitridation of the SiC Surface

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年9月30日

  22. Carbon-related interface defects in p-channel 4H-SiC MOSFETs

    Bunta Shimabukuro, Sosuke Horiuchi, Hongyu Zeng, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Heiji Watanabe, Yusuke Nishiya, Yuichiro Matsushita, Takahide Umeda

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月2日

  23. Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs

    Sosuke Horiuchi, Hiroki Fukunaga, Bunta Shimabukuro, Hiroshi Yano, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Heiji Watanabe, Takahide Umeda

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月1日

  24. Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光

    堀内 颯介, 福永 博生, 島袋 聞多, 矢野 裕司, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 梅田 享英

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月18日

  25. p チャネル 4H-SiC MOSFET の界面欠陥の電流検出 ESR 分光

    島袋 聞多, 堀内 颯介, 曽 弘字, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 西谷 侑将, 松下 雄一郎, 梅田 享英

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月18日

  26. 広温度範囲に亘るSiO2/SiC界面発光中心の形成過程の調査

    兼子 悠, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  27. 負電圧ゲートストレス印加によるSiC MOSFETのチャネル移動度劣化

    八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  28. 高温酸化プロセスによるSiC MOSFETのゲートストレス耐性向上

    陳 強, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  29. 正孔捕獲を抑制した高Mg濃度p型GaN MOS構造の熱安定性

    阪上 優一, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  30. ナノチャネルスパッタエピタキシーによる歪み緩和GeSn薄膜成長

    石丸 賢昇, 田中 信敬, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  31. SiC(0001)表面モフォロジーに対する酸化及び水素エッチングの影響

    神畠 真治, 小林 拓真, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  32. SiO2/SiC界面発光中心の発光強度の酸化温度・酸素分圧依存性

    大西 健太郎, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  33. NO窒化SiC(0-33-8) MOS構造の界面特性及び信頼性評価

    岩本 隼登, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  34. 第一原理計算を用いた4H-SiC中不純物-空孔ペアに関する包括的調査

    岩本 蒼典, 渡部 平司, 小林 拓真

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  35. SiC 表面のプラズマ窒化と絶縁膜堆積により形成した SiO2/SiC 構造に対する後熱処理の効果

    藤本 博貴, 小林 拓真, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  36. SiO2/SiC界面発光中心の密度に対する熱処理雰囲気及び時間の影響

    中沼 貴澄, 田原 康佐, 遠山 晴子, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  37. PECVD-SiO2の成膜温度がp型GaN MOS界面正孔トラップに与える影響

    原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  38. SiO2堆積後熱処理によるp型GaN MOS界面正孔トラップ生成

    原 征大, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  39. Comprehensive Research on Nitrided SiO2/4H-SiC Interfaces

    Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024)　2024年9月4日

  40. 犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化

    八軒 慶慈, 藤本 博貴, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  41. Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化

    早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 孝功, 渡部 平司

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  42. 低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関

    大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  43. 第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査

    岩本 蒼典, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  44. Si 基板上 GeSn 細線のレーザー溶融結晶化における レーザー走査条件と下地 SiO2膜厚の最適化

    早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第 29 回 電子デバイス界面テクノロジー研究会　2024年2月2日

  45. a 面 4H-SiC MOS 界面の室温～低温 ESR/EDMR 評価

    近藤 蓮, 曽弘 宇, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 梅田 享英

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年12月1日

  46. SiO2/GaN界面酸化ガリウム層に対する熱処理の影響

    上沼 睦典, 大西 健太郎, 富田 広人, 川村 聡太, 多田村 充, 盛喜 琢也, 夏井 葉月, 橋本 由介, 小林 拓真, 藤井 茉美, 松下 智裕, 渡部 平司, 浦岡 行治

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年12月1日

  47. 量子技術応用に向けたSiC MOS界面単一光子源の制御

    中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年12月1日

  48. SiO2とSiCの直接貼り合わせによるSiO2/SiC構造の形成

    神畠 真治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  49. ゲートストレス印加によるSiC MOS界面の劣化とデバイス特性への影響

    小柳 香穂, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  50. プラズマ窒化・SiO2堆積・CO2熱処理の複合プロセスによる高品質SiC MOS構造の形成

    藤本 博貴, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  51. SiO2/GaOx/GaN構造の固定電荷に対するポストアニールの効果

    荒木 唯衣, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  52. Below-gap光照射によるn型GaN MOS 界面の正孔トラップ評価

    冨ケ原 一樹, 小林 拓真, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  53. 低温追酸化プロセスによるSiO2/SiC界面単一光子源の形成

    大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  54. Effects of doped Mg concentrations on the reduction of hole traps in the vicinity of the SiO2/p-GaN MOS interface

    Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月14日

  55. Hole Traps in SiO2/GaN MOS structures Evaluated by Below-gap Light Illumination

    Kazuki Tomigahara, Takuma Kobayashi, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月14日

  56. Characterizations of nitrogen profiles and interface properties in NO-nitrided SiO2/SiC(03̅38̅) structures

    Hayato Iwamoto, Takato Nakanuma, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY -　2023年10月25日

  57. 局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析

    岩本 蒼典, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月23日

  58. Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価

    冨ケ原 一樹, 小林 拓真, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月22日

  59. SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響

    溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月22日

  60. SiO2/SiC(0-33-8) 構造の NO 窒化過程の観察と電気特性評価

    岩本 隼登, 中沼 貴澄, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月21日

  61. 高エネルギーX線CT計測 -高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージングとの比較検証-

    志村 考功, 梶原 堅太郎, 辻 成希, 小林 拓真, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月19日

  62. Comparison of polar-face and non-polar faces 4H-SiC/SiO2 interfaces revealed by magnetic resonance and related techniques

    Ren Kondo, Hongyu Zeng, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Heiji Watanabe, Takahide Umeda

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月21日

  63. Formation of color centers at SiO2/SiC interfaces by thermal oxidation and its correlation with electrical properties

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月21日

  64. A SiO2/SiC interface formed by direct bonding of SiO2 and SiC

    Shinji Kamihata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月20日

  65. Ab initio study of oxygen-vacancy defect in 4H-SiC: A potential qubit

    Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月20日

  66. Controlling the properties of single photon emitters at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

    Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月19日

  67. Improved interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface prior to SiO2 deposition

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Yu Iwakata, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月19日

  68. Accurate analysis of leakage characteristics of SiC (1-100) MOS devices over a wide temperature range

    Asato Suzuki, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月19日

  69. Fabrication of SiO2/4H-SiC MOS devices by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing

    Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月18日

  70. 4H-SiC(11-20)面（a面）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光（ESR/EDMR）評価

    近藤 蓮, 染谷 満, 渡部 平司, 梅田 享英

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月16日

  71. SiO2/SiC界面発光中心密度と電気的特性の相関

    中沼 貴澄, 田原 康佐, 木村 大至, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    第70回 応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日

  72. Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価

    近藤 優聖, 田淵 直人, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第70回 応用物理学会春季学術講演会　2023年3月16日

  73. Beyond the temporal resolution limit of silicon image sensors"

    T. Shimura, G. T. Etoh, H. Watanabe

    Ultrafast Imaging and Tracking Instrumentation, Methods and Applications Conference (ULITIMA 2023)　2023年3月16日

  74. スパッタ成膜によるGe(100)基板上への高品質単結晶GeSn層のエピタキシャル成長

    田中 信敬, 國吉 望月, 安部 和弥, 星原 雅生, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第28回研究会）　2023年2月4日

  75. Challenges in SiO2/SiC Interface Engineering for SiC Power MOSFETs

    Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    The 48th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-48)　2023年1月17日

  76. 酸化および熱処理プロセスによる SiO2/SiC 界面発光中心の制御

    中沼 貴澄, 田原 康佐, 木村 大至, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月20日

  77. NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響

    藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月20日

  78. NO 窒化 SiC(1-100) MOS デバイスのリーク伝導機構

    鈴木 亜沙人, 中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月20日

  79. 酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜 SiO2/GaN MOS 構造の界面特性及び絶縁性向上

    大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月20日

  80. Fabrication of Tensile-strained Single-crystalline GeSn Wires on Amorphous Quartz Substrates by Local Liquid-phase Crystallization

    T. Shimura, H. Oka, T. Hosoi, Y. Imai, S. Kimura, H. Watanabe

    The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials　2022年11月7日

  81. Impact of Oxidation and Post Annealing on the Density and Optical Properties of Color Centers at SiO2/SiC Interfaces

    Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Kosuke Tahara, Taishi Kimura, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月14日

  82. Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月14日

  83. Improved Performance of SiC CMOS Ring Oscillators By Post-nitridation Treatment in CO2

    Mizuki Kuniyoshi, Kidist Moges, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Keita Tachiki, Tsunenobu Kimoto, Heiji Watanabe

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月14日

  84. Nitridation-induced degradation of SiC(1-100) MOS devices

    Takuma Kobayashi, Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月13日

  85. CO2 post-nitridation annealing for improving immunity to change trapping in SiC MOS devices

    Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Kidist Moges, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月13日

  86. Recent progress and challenges in SiC and GaN MOS devices: understanding of physics and chemistry near the MOS interface

    Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月13日

  87. Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices

    Takuma Kobayashi, Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)　2022年9月7日

  88. Fabrication and Luminescence Characterization of Uniaxial Tensile-strained Ge Wires using Internal Stress in Metal Thin Films

    T. Shimura, S. Tanaka, H. Watanabe, T. Hosoi

    The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP19)　2022年8月30日

  89. Interface science and engineering for GaN-based MOS devices

    H. Watanabe, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura

    14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM 2022)　2022年8月30日

  90. 電子の水平運動が卓越するブランチングイメージセンサ

    志村考功, ゴグエン ホアイ, 渡部平司, 下ノ村和弘, 武藤秀樹, 江藤剛治

    映像情報メディア学会 情報センシング研究会（IST）　2022年6月29日

  91. Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors

    Yutaka Terao, Takuji Hosoi, Shinya Takashima, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022)　2022年3月30日

  92. Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices

    Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022)　2022年3月29日

  93. NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性

    中沼貴澄, 小林拓真, 染谷満, 岡本光央, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    （一社）電気学会 電子デバイス研究会　2022年3月9日

  94. 高速イメージセンサの現状と展望 －ピコ秒を目指して－

    江藤剛治, 志村考功, 下ノ村和弘, 渡部平司

    （独）日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第 145 委員会 第 174回研究会　2022年1月31日

  95. NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価

    中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会)　2022年1月29日

  96. 光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化

    田淵 直人, 山口 凌雅, 近藤 雅斗, 國吉 望月, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会)　2022年1月28日

  97. AlGaNキャップ層によるMgドープp-GaNの活性化抑制と水素脱離過程の制御による特性改善

    溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 細井 卓治, 成田 哲生, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司

    「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会)　2022年1月28日

  98. 局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性

    志村 考功, 細井 卓治, 小林 拓真, 渡部 平司

    レーザー学会学術講演会第42回年次大会　2022年1月13日

  99. Gate stack technology for advanced wide bandgap power electronics

    Heiji Watanabe

    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022) /The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022)　2022年1月11日

  100. GaN(000-1)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

    冨ヶ原 一樹, 和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第8回講演会　2021年12月9日

  101. NO-POAを施したSiO2/4H-SiC(1-100)界面の電気特性評価および物理分析

    鈴木 亜沙人, 中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第8回講演会　2021年12月9日

  102. SiO2/GaN MOS構造におけるゲート絶縁膜信頼性への堆積後熱処理の効果

    見掛 文一郎, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    2021年12月9日

  103. エキシマ紫外光照射によるNO窒化SiC MOSデバイスの特性劣化

    藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第8回講演会　2021年12月9日

  104. 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたp型GaN MOSデバイスの電気特性評価

    溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第8回講演会　2021年12月10日

  105. ワイドバンドギャップ半導体MOS界面特性の類似性と相違点

    渡部平司

    先進パワー半導体分科会第8回講演会　2021年12月10日

  106. On the way to the super temporal resolution image sensor of visible light

    T. Shimura, N. H. Ngo, A. Q. Nguyen, F. M. Bufler, H. Watanabe, P. Matagne, E. Charbon, T. G. Etoh

    International Meet & Expo on Laser, Optics and Photonics (OPTICSMEET2021)　2021年11月4日

  107. 符号化開口を用いた後方散乱X線イメージング

    志村 考功,小林 拓真,細井 卓治,渡部 平司

    日本光学会年次学術講演会　2021年10月28日

  108. Dynamic Crosstalk Analysis for Branching Image Sensors

    Nguyen H. Ngo, Takayoshi Shimura, Taeko Ando, Heiji Watanabe, Kazuhiro Shimonomura, Yoshinari Kamakura, Hideki Mutoh, T. Goji Etoh

    2021 International Image Sensor Workshop (IISW)　2021年9月22日

  109. Toward Super Temporal Resolution by Controlling Horizontal Motions of Electrons

    T. Goji Etoh, Nguyen Hoai Ngo, Kazuhiro Shimonomura, Taeko Ando, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Hideki Mutoh, Yoshinari Kamakura, Edoardo Charbon

    2021 International Image Sensor Workshop (IISW)　2021年9月23日

  110. Comprehensive Physical and Electrical Characterizations of NO Nitrided SiO2/4H-SiC(11-20) Interfaces

    Takato Nakanuma, Yuu Iwakata, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)　2021年9月8日

  111. Fixed Charge Generation in SiO2/GaN MOS Structures by Forming Gas Annealing and its Suppression by Controlling Ga-oxide Interlayer Growth

    Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)　2021年9月9日

  112. A Branching Image Sensor for Sub-nanosecond Burst Imaging

    映像情報メディア学会 情報センシング研究会（IST）　2021年6月30日

  113. Super-temporal-resolution Image Sensor -- Beyond the Theoretical Highest Frame Rate of Silicon Image Sensors --

    映像情報メディア学会 情報センシング研究会（IST）　2021年6月30日

  114. Control of SiO2/SiC Interface for SiC-based Power MOSFET

    Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Thermec’2021)　2021年6月1日

  115. Optoelectronic Integration Based on High-quality GeSn Grown by Liquid Phase Crystallization

    Heiji Watanabe, Hiroshi Oka, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Thermec’2021)　2021年6月4日

  116. 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察

    武田 紘典, 染谷 満, 細井 卓治, 志村 考功, 矢野 裕司, 渡部 平司

    「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第24回研究会)　2019年1月25日

  117. Reactivity of Water Vapor with Ultrathin GeO2/Ge and SiO2/Si Structures Investigated by Near-Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy

    K. Arima, T. Hosoi, H. Watanabe, E.J. Crumlin

    232nd ECS MEETING　2017年10月3日

  118. Ge-on-Siストーンサークルイメージセンサ

    江藤剛治, 武藤秀樹, 澤野憲太郎, 渡部平司, 志村考功, Edoardo Charbon

    映像情報メディア学会 情報センシング研究会（IST）　2023年9月15日

  119. CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上

    細井卓治, 志村考功, 渡部平司

    電子情報通信学会, シリコン材料・デバイス研究会（SDM）　2022年10月19日

特許・実用新案・意匠 21

  1. 高誘電率薄膜を用いた半導体装置の製造方法

    渡部 平司

    4826971

    出願日:2009/04

    登録日:2011/09

  2. 半導体装置およびその製造方法

    間部 謙三, 五十嵐 信行, 吉原 拓也, 渡部 平司

    4792716

    出願日:2004/07

    登録日:2011/08

  3. 半導体装置およびその製造方法

    渡部 平司, 遠藤 和彦, 間部 謙三

    4643884

    出願日:2002/06

    登録日:2010/12

  4. エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章, 渡部平司

    4539985

    出願日:2005/11

    登録日:2010/07

  5. 高誘電率薄膜の成膜方法

    渡部 平司

    4367599

    出願日:2000/12

    登録日:2009/09

  6. 半導体装置の製造方法

    渡部 平司, 渡辺 啓仁, 辰巳 徹, 藤枝 信次

    4239015

    出願日:2003/07

    登録日:2009/01

  7. 高誘電率絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法

    渡部 平司, 小野 春彦, 五十嵐 信行

    4120938

    出願日:2002/08

    登録日:2008/05

  8. シリコン表面処理および素子作製方法

    渡部平司

    3386116

    出願日:1999/04

    登録日:2003/01

  9. 微細構造素子とその製造方法

    渡部平司

    3228250

    出願日:1998/12

    登録日:2001/09

  10. 半導体表面のパターニング方法

    丸野 茂光, 藤田 忍, 渡部 平司, 市川 昌和

    3115527

    出願日:1996/04

    登録日:2000/09

  11. 半導体微細構造の形成方法

    藤田 忍, 丸野 茂光, 渡部 平司, 市川 昌和

    3059121

    出願日:1997/04

    登録日:2000/04

  12. 半導体基板の表面処理方法、表面処理装置、並びに半導体装置の製造方法

    渡部 平司, 市川 昌和

    2912214

    出願日:1996/02

    登録日:1999/04

  13. 微細加工方法

    藤田 忍, 丸野 茂光, 渡部 平司, 市川 昌和

    2922149

    出願日:1996/02

    登録日:1999/04

  14. 半導体酸化膜の形成方法

    加藤 弘一, 渡部 平司

    2880993

    出願日:1998/03

    登録日:1999/01

  15. 半導体表面のパターニング方法及び半導体装置の製造方法

    藤田 忍, 丸野 茂光, 渡部 平司, 楠見 之博, 市川 昌和

    2831953

    出願日:1995/08

    登録日:1998/10

  16. 微細構造発光素子作製方法

    渡部平司

    2806136

    出願日:1992/03

    登録日:1998/07

  17. 微細パターン形成方法

    渡部平司

    2737613

    出願日:1993/11

    登録日:1998/01

  18. 電子ビーム励起ドライエッチングにおける選択エッチング方法

    渡部平司

    2104999

    出願日:1993/01

    登録日:1996/11

  19. X線位相差撮像装置

    佐野 哲, 田邊 晃一, 吉牟田 利典, 木村 健士, 岸原 弘之, 和田 幸久, 和泉 拓朗, 白井 太郎, 土岐 貴弘, 堀場 日明, 志村 考功, 渡部 平司, 細井 卓治

    出願日:2016/07

  20. 単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板

    志村考功, 渡部平司, 細井卓治

    出願日:2012/02

  21. 金属ナノ粒子の選択配置方法

    浦岡行治, 山下一郎, 鄭彬, 渡部平司, 是津信行

    出願日:2010/06

報道 15

  1. GaN製パワー半導体 パナソニックが基地局向け

    日本経済新聞（電子版）

    2018年2月

  2. 5G基地局向け半導体 小型で大電流耐える

    日経産業新聞

    2018年2月

  3. 大電力電源機器を高速・小型化 絶縁ゲート型GaNパワートランジスタ

    日刊工業新聞

    2018年2月

  4. 連続安定駆動が可能 MIS型GaNパワーTR

    電波新聞

    2018年2月

  5. 大阪大学ら SiC絶縁耐圧1.5倍 AlON膜で信頼性向上

    半導体産業新聞

    2012年12月

  6. 漏れ電流１ケタ低減 AlON採用のSiCトランジスタ 阪大など開発 長期信頼性も向上

    化学工業日報

    2012年12月

  7. 阪大/京大/ローム/東京エレ ゲート絶縁膜にAｌON採用 SiCパワーMOSFET開発 13年度にも実用化めざす

    電波新聞

    2012年12月

  8. 電力損失を大幅低減 パワー半導体 アルミ酸化物使う 阪大など

    日経産業新聞

    2012年12月

  9. SiC MOSFET 高誘電率ゲート絶縁膜採用 阪大など 漏れ電流9割低減

    日刊工業新聞

    2012年12月

  10. 新CMOSしきい値制御技術 -32/22ナノ世代、ばらつき低減に効果-

    電波新聞

    2007年12月

  11. 電極組成変え電圧制御

    日刊工業新聞

    2007年12月

  12. ゲート金属の結晶性制御 -早大などが新技術-

    化学工業日報

    2007年12月

  13. 消費電力を１／１０に -駆動能力が向上-

    日経産業新聞

    2007年12月

  14. しきい値電圧制御に成功（セリートなど） -45ナノ世代以降の次世代トランジスタ-

    日刊工業新聞

    2007年6月

  15. 金属・高誘電率膜の界面現象 電子レベルで解明

    日刊工業新聞

    2005年12月

機関リポジトリ 28

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. GaOₓ interlayer-originated hole traps in SiO₂/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

    Hara Masahiro, Kobayashi Takuma, Nozaki Mikito, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 2　2025年1月15日

  2. Formation of high-quality SiO₂/β-Ga₂O₃(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

    Kobayashi Takuma, Maeda Kensei, Hara Masahiro, Nozaki Mikito, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 1　2025年1月6日

  3. Gate stress-induced mobility degradation in NO-nitrided SiC(0001) MOSFETs

    Kobayashi Takuma, Koyanagi Kaho, Hirai Hirohisa, Sometani Mitsuru, Okamoto Mitsuo, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 125　No. 25　2024年12月16日

  4. Passivation of hole traps in SiO₂/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping

    Mizobata Hidetoshi, Nozaki Mikito, Kobayashi Takuma, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 10　2023年10月6日

  5. Control on the density and optical properties of color centers at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

    Nakanuma Takato, Tahara Kosuke, Kutsuki Katsuhiro, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji, Kobayashi Takuma

    Applied Physics Letters　Vol. 123　No. 10　2023年9月6日

  6. Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy

    Ogawa Shingo, Mizobata Hidetoshi, Kobayashi Takuma, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Journal of Applied Physics　Vol. 134　No. 9　2023年9月5日

  7. Formation of high-quality SiO₂/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO₂

    Onishi Kentaro, Kobayashi Takuma, Mizobata Hidetoshi, Nozaki Mikito, Yoshigoe Akitaka, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 5　2023年5月16日

  8. Reduction of interface and oxide traps in SiO₂/GaN MOS structures by oxygen and forming gas annealing

    Mikake Bunichiro, Kobayashi Takuma, Mizobata Hidetoshi, Nozaki Mikito, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 3　2023年3月20日

  9. Fabrication and Luminescence Characterization of Ge Wires with Uniaxial Tensile Strains Applied using Internal Stresses in Deposited Metal Thin Films

    Shimura Takayoshi, Tanaka Shogo, Hosoi Takuji, Watanabe Heiji

    Journal of Electronic Materials　Vol. 52　p. 5053-5058　2023年3月6日

  10. Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates

    Shimura Takayoshi, Yamaguchi Ryoga, Tabuchi Naoto, Kondoh Masato, Kuniyoshi Mizuki, Hosoi Takuji, Kobayashi Takuma, Watanabe Heiji

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　2023年3月1日

  11. Suppression of Brillouin oscillation in transparent free-standing diamond thin films in picosecond ultrasound

    Weng H. K., Nagakubo A., Watanabe H., Ogi H.

    Applied Physics Letters　Vol. 120　No. 11　2022年3月16日

  12. A pixel design of a branching ultra-highspeed image sensor

    Ngo Hoai Nguyen, Shimonomura Kazuhiro, Ando Taeko, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji, Takehara Kohsei, Nguyen Anh Quang, Charbon Edoardo, Etoh Takeharu

    Sensors　Vol. 21　No. 7　2021年4月1日

  13. Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on P bC center in various 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces

    Umeda T., Nakano Y., Higa E., Okuda T., Kimoto T., Hosoi T., Watanabe H., Sometani M., Harada S.

    Journal of Applied Physics　Vol. 127　No. 14　2020年4月9日

  14. Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements

    Fujita Eigo, Sometani Mitsuru, Hatakeyama Tetsuo, Harada Shinsuke, Yano Hiroshi, Hosoi Takuji, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    AIP Advances　Vol. 8　No. 8　2018年8月

  15. Comparative study of GeO2/Ge and SiO2/Si structures on anomalous charging of oxide films upon water adsorption revealed by ambient-pressure X-ray photoelectron spectroscopy

    Mori Daichi, Oka Hiroshi, Hosoi Takuji, Kawai Kentaro, Morita Mizuho, Crumlin Ethan J., Liu Zhi, Watanabe Heiji, Arima Kenta

    Journal of Applied Physics　Vol. 120　No. 9　p. 095306-1-095306-10　2016年9月2日

  16. Study of SiO2/4H-SiC interface nitridation by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas

    Chanthaphan Atthawut, Hosoi Takuji, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    AIP Advances　Vol. 5　No. 9　2015年9月

  17. Insight into unusual impurity absorbability of GeO2 in GeO2/Ge stacks

    Ogawa Shingo, Suda Taichi, Yamamoto Takashi, Kutsuki Katsuhiro, Hideshima Iori, Hosoi Takuji, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 99　No. 14　2011年10月3日

  18. Residual order in the thermal oxide of a fully strained SiGe alloy on Si

    Shimura Takayoshi, Okamoto Yuki, Inoue Tomoyuki, Hosoi Takuji, Watanabe Heiji

    Physical Review B　Vol. 81　No. 3　2010年1月15日

  19. Germanium oxynitride gate dielectrics formed by plasma nitridation of ultrathin thermal oxides on Ge(100)

    Kutsuki Katsuhiro, Okamoto Gaku, Hosoi Takuji, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 95　No. 2　2009年7月13日

  20. Origin of flatband voltage shift and unusual minority carrier generation in thermally grown GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor devices

    Hosoi Takuji, Kutsuki Katsuhiro, Okamoto Gaku, Saito Marina, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 94　No. 20　2009年5月18日

  21. Systematic study on work-function-shift in metal/Hf-based high-k gate stacks

    Kita Yuki, Yoshida Shinichi, Hosoi Takuji, Shimura Takayoshi, Shiraishi Kenji, Nara Yasuo, Yamada Keisaku, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 94　No. 12　2009年3月23日

  22. Excellent electrical properties of TiO2/HfSiO/SiO2 layered higher-k gate dielectrics with sub-1 nm equivalent oxide thickness

    Arimura Hiroaki, Kitano Naomu, Naitou Yuichi, Oku Yudai, Minami Takashi, Kosuda Motomu, Hosoi Takuji, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 92　No. 21　2008年5月26日

  23. Charge trapping properties in TiO2/HfSiO/SiO2 gate stacks probed by scanning capacitance microscopy

    Naitou Y., Arimura H., Kitano N., Horie S., Minami T., Kosuda M., Ogiso H., Hosoi T., Shimura T., Watanabe H.

    Applied Physics Letters　Vol. 92　No. 1　2008年1月7日

  24. Humidity-dependent stability of amorphous germanium nitrides fabricated by plasma nitridation

    Kutsuki Katsuhiro, Okamoto Gaku, Hosoi Takuji, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 91　No. 16　2007年10月15日

  25. Suppression of surface segregation and heavy arsenic doping into silicon during selective epitaxial chemical vapor deposition under atmospheric pressure

    Ikuta Tetsuya, Fujita Shigeru, Iwamoto Hayato, Kadomura Shingo, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji, Yasutake Kiyoshi

    Applied Physics Letters　Vol. 91　No. 9　2007年8月27日

  26. Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers

    Shimura Takayoshi, Shimizu Michihiro, Horiuchi Shinichiro, Watanabe Heiji, Yasutake Kiyoshi, Umeno Masataka

    Applied Physics Letters　Vol. 89　No. 11　2006年9月11日

  27. Si and GaAs dry etching utilizing showered electron-beam assisted etching through Cl2 gas

    Matsui S., Watanabe H.

    Applied Physics Letters　Vol. 59　No. 18　p. 2284-2286　1991年10月28日

  28. 電子ビーム励起ドライエッチングに関する研究

    渡部 平司