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小林 拓真
Takuma Kobayashi
小林 拓真
Takuma Kobayashi
機関リポジトリ
工学研究科　物理学系専攻，准教授

keyword 欠陥，パワーデバイス，量子テクノロジー，ワイドギャップ半導体

機関リポジトリ

経歴 9

  1. 2024年4月 ～ 継続中
    大阪大学　大学院工学研究科 物理学系専攻　准教授

  2. 2023年4月 ～ 継続中
    大阪大学　大学院工学研究科 CFi　次世代リーダー教員

  3. 2022年10月 ～ 継続中
    JST 戦略的創造研究推進事業 さきがけ［情報担体］　個人研究者

  4. 2021年1月 ～ 2024年3月
    大阪大学　大学院工学研究科 物理学系専攻　助教

  5. 2019年10月 ～ 2020年12月
    エアランゲン大学　物理学科　日本学術振興会海外特別研究員

  6. 2018年8月 ～ 2019年10月
    東京工業大学　科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所　研究員

  7. 2018年4月 ～ 2018年7月
    京都大学　大学院工学研究科 電子工学専攻　特定研究員

  8. 2015年4月 ～ 2018年3月
    京都大学　大学院工学研究科 電子工学専攻　日本学術振興会特別研究員（DC1）

  9. 2016年4月 ～ 2016年6月
    東京大学　大学院工学系研究科 物理工学専攻　特別研究学生

学歴 3

  1. 京都大学　大学院工学研究科　電子工学専攻 博士後期課程

    2015年4月 ～ 2018年3月

  2. 京都大学　大学院工学研究科　電子工学専攻 修士課程

    2013年4月 ～ 2015年3月

  3. 大阪大学　基礎工学部　電子物理科学科

    2009年4月 ～ 2013年3月

委員歴 5

  1. 応用物理学会　未来ビジョン検討委員　学協会

    2025年5月 ～ 継続中

  2. ICSCRM2026　協賛委員会委員 庶務　学協会

    2025年4月 ～ 継続中

  3. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会　第 12 回講演会 実行委員会委員　学協会

    2025年1月 ～ 継続中

  4. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会　会計幹事（常任）　学協会

    2024年4月 ～ 継続中

  5. ICSCRM2026　実行準備委員会委員　学協会

    2024年7月 ～ 2025年3月

所属学会 4

  1. SAKIGAKEクラブ（大阪大学）

  2. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会

  3. 応用物理学会

  4. IEEE

研究内容・専門分野 3

  1. ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 /

  2. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

  3. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

受賞 8

  1. 令和6年度 大阪大学賞 若手教員部門

    小林 拓真　2024年11月

  2. 第12回 エヌエフ基金研究開発奨励賞 優秀賞

    小林 拓真　2023年12月

  3. 第22回 船井研究奨励賞

    小林 拓真　2023年5月

  4. 第43回 応用物理学会論文奨励賞

    小林 拓真　2022年3月

  5. 研究奨励賞, 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第2回講演会

    小林 拓真　2015年11月

  6. 発表奨励賞, 第294回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会

    小林 拓真　2015年1月

  7. Student Paper Award, IMFEDK 2014

    Takuma Kobayashi　2014年6月

  8. 奨励賞, 第2回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール

    小林 拓真　2013年8月

論文 50

  1. Design of annealing conditions for the formation of isolated single-photon emitters at SiO2/SiC interfaces

    Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    Journal of Applied Physics　Vol. 137　No. 20　p. 205702-1-205702-7　2025年5月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  2. Insight into the energy level structure and luminescence process of color centers at SiO2/SiC interfaces

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    APL Materials　Vol. 13　No. 2　p. 021119-1-021119-8　2025年2月27日　研究論文（学術雑誌）

  3. Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

    Takuma Kobayashi, Kensei Maeda, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 1　p. 012108-1-012108-4　2025年1月6日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  4. Gate stress-induced mobility degradation in NO-nitrided SiC(0001) MOSFETs

    Takuma Kobayashi, Kaho Koyanagi, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 125　No. 25　p. 252101-1-252101-5　2024年12月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  5. Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles

    Sosuke Iwamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 5　p. 051008-1-051008-5　2024年5月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  6. Generation of single photon emitters at a SiO2/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 5　p. 051004-1-051004-5　2024年5月10日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  7. Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation

    Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 1　p. 011003-1-011003-5　2023年12月29日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  8. Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study

    Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 134　No. 14　p. 145701-1-145701-9　2023年10月11日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  9. Control on the density and optical properties of color centers at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

    Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    Applied Physics Letters　Vol. 123　No. 10　p. 102102-1-102102-5　2023年9月6日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  10. Improvement of interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface followed by SiO2 deposition and CO2 annealing

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 7　p. 074004-1-074004-4　2023年7月28日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  11. Intrinsic color centers in 4H-silicon carbide formed by heavy ion implantation and annealing

    Takuma Kobayashi, Maximilian Rühl, Johannes Lehmeyer, Leonard K S Zimmermann, Michael Krieger, Heiko B Weber

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 55　No. 10　p. 105303-1-105303-7　2021年12月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  12. Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via Si deposition followed by low-temperature oxidation and high-temperature nitridation

    Takuma Kobayashi, Takafumi Okuda, Keita Tachiki, Koji Ito, Yu-ichiro Matsushita, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 13　No. 9　p. 091003-1-091003-4　2020年8月14日　研究論文（学術雑誌）

  13. Effect of Post‐Deposition Annealing on Atomic Ordered Structure of Gallium Oxide Layer at SiO2/GaN Interface

    Mutsunori Uenuma, Ryota Atsumi, Kentaro Onishi, Hiroto Tomita, Shougo Yamada, Yuya Yamada, Momoko Yoshida, Zexu Sun, Yusuke Hashimoto, Mami N. Fujii, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe, Tomohiro Matsushita, Yukiharu Uraoka

    physica status solidi (b)　p. 2500025-1-2500025-6　2025年6月23日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  14. GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

    Masahiro Hara, Takuma Kobayashi, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 2　p. 022113-1-022113-6　2025年1月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  15. Comprehensive research on nitrided SiO2/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes

    Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi, Hayato Iwamoto, Takato Nakanuma, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 1　p. 010801-1-010801-9　2025年1月13日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  16. Impact of post-deposition annealing on SiO2/SiC interfaces formed by plasma nitridation of the SiC surface and SiO2 deposition

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 11　p. 116503-1-116503-4　2024年11月26日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  17. Impacts of post-deposition annealing on hole trap generation at SiO2/p-type GaN MOS interfaces

    Kazuki Tomigahara, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 8　p. 081002-1-081002-4　2024年8月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  18. Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy

    Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 175　p. 108251-1-108251-7　2024年2月28日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  19. Design of SiO2/4H–SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing

    Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    AIP Advances　Vol. 13　No. 11　p. 115304-1-115304-5　2023年11月2日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  20. Passivation of hole traps in SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping

    Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 10　p. 105501-1-105501-4　2023年10月6日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  21. Impact of Sn incorporation on sputter epitaxy of GeSn

    Nobuyuki Tanaka, Mizuki Kuniyoshi, Kazuya Abe, Masaki Hoshihara, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 9　p. 095502-1-095502-5　2023年9月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  22. Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy

    Shingo Ogawa, Hidetoshi Mizobata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 134　No. 9　p. 095704-1-095704-7　2023年9月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  23. Formation of high-quality SiO2/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO2

    Kentaro Onishi, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 5　p. 050903-1-050903-4　2023年5月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  24. Reduction of interface and oxide traps in SiO2/GaN MOS structures by oxygen and forming gas annealing

    Bunichiro Mikake, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 3　p. 031004-1-031004-4　2023年3月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  25. Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates

    Takayoshi Shimura, Ryoga Yamaguchi, Naoto Tabuchi, Masato Kondoh, Mizuki Kuniyoshi, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. SC　p. SC1083-1-SC1083-5　2023年3月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  26. Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 15　No. 10　p. 104004-1-104004-4　2022年9月28日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  27. Electrical properties and energy band alignment of SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor structures fabricated on N-polar GaN( 000-1) substrates

    Hidetoshi Mizobata, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 121　No. 6　p. 062104-1-062104-6　2022年8月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  28. Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(11-20) MOS devices

    Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 15　No. 4　p. 041002-1-041002-4　2022年3月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  29. Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO2/4H-SiC(11-20) interfaces

    Takato Nakanuma, Yu Iwakata, Arisa Watanabe, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. SC　p. SC1065-1-SC1065-8　2022年3月2日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  30. Insight into interface electrical properties of metal–oxide–semiconductor structures fabricated on Mg-implanted GaN activated by ultra-high-pressure annealing

    Yuhei Wada, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Tetsu Kachi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 120　No. 8　p. 082103-1-082103-6　2022年2月23日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  31. Fixed-charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth

    Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. SC　p. SC1034-1-SC1034-6　2022年2月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  32. Short-Channel Effects in SiC MOSFETs Based on Analyses of Saturation Drain Current

    Keita Tachiki, Takahisa Ono, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    IEEE Transactions on Electron Devices　Vol. 68　No. 3　p. 1382-1384　2021年2月8日　研究論文（学術雑誌）

  33. Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing

    Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 13　No. 12　p. 121002-1-121002-4　2020年11月12日　研究論文（学術雑誌）

  34. Effect of quantum confinement on the defect-induced localized levels in 4H-SiC(0001)/SiO2 systems

    Koji Ito, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    Journal of Applied Physics　Vol. 128　No. 9　p. 095702-1-095702-6　2020年9月3日　研究論文（学術雑誌）

  35. Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface

    Takahide Umeda, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Hiroshi Yano, Yu-ichiro Matsushita, Shinsuke Harada

    Applied Physics Letters　Vol. 116　No. 7　p. 071604-1-071604-5　2020年2月20日　研究論文（学術雑誌）

  36. Structure and energetics of carbon defects in SiC (0001)/SiO2 systems at realistic temperatures: Defects in SiC, SiO2, and at their interface

    Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita

    Journal of Applied Physics　Vol. 126　No. 14　p. 145302-1-145302-8　2019年10月10日　研究論文（学術雑誌）

  37. Energetics and electronic structure of native point defects in α-Ga2O3

    Takuma Kobayashi, Tomoya Gake, Yu Kumagai, Fumiyasu Oba, Yu-ichiro Matsushita

    Applied Physics Express　Vol. 12　No. 9　p. 091001-1-091001-4　2019年8月12日　研究論文（学術雑誌）

  38. Influence of vacuum annealing on interface properties of SiC (0001) MOS structures

    Koji Ito, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. 7　p. 078001-1-078001-3　2019年6月13日　研究論文（学術雑誌）

  39. Native point defects and carbon clusters in 4H-SiC: A hybrid functional study

    Takuma Kobayashi, Kou Harada, Yu Kumagai, Fumiyasu Oba, Yu-ichiro Matsushita

    Journal of Applied Physics　Vol. 125　No. 12　p. 125701-1-125701-8　2019年3月22日　研究論文（学術雑誌）

  40. Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by low-oxygen-partial-pressure annealing

    Takuma Kobayashi, Keita Tachiki, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 12　No. 3　p. 031001-1-031001-3　2019年2月14日　研究論文（学術雑誌）

  41. Structural determination of phosphosilicate glass based on first-principles molecular dynamics calculation

    Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Tsunenobu Kimoto, Atsushi Oshiyama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. 1　p. 011001-1-011001-4　2018年11月19日　研究論文（学術雑誌）

  42. Microscopic mechanism of carbon annihilation upon SiC oxidation due to phosphorus treatment: Density functional calculations combined with ion mass spectrometry

    Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Takafumi Okuda, Tsunenobu Kimoto, Atsushi Oshiyama

    Applied Physics Express　Vol. 11　No. 12　p. 121301-1-121301-4　2018年11月1日　研究論文（学術雑誌）

  43. Estimation of Threshold Voltage in SiC Short-Channel MOSFETs

    Keita Tachiki, Takahisa Ono, Takuma Kobayashi, Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto

    IEEE Transactions on Electron Devices　Vol. 65　No. 7　p. 3077-3080　2018年5月28日　研究論文（学術雑誌）

  44. Carbon ejection from a SiO2/SiC(0001) interface by annealing in high-purity Ar

    Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Letters　Vol. 111　No. 6　p. 062101-1-062101-4　2017年8月7日　研究論文（学術雑誌）

  45. Interface properties of NO-annealed 4H-SiC (0001), (11-20), and (1-100) MOS structures with heavily doped p-bodies

    Takuma Kobayashi, Seiya Nakazawa, Takafumi Okuda, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    Journal of Applied Physics　Vol. 121　No. 14　p. 145703-1-145703-7　2017年4月14日　研究論文（学術雑誌）

  46. Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by post-oxidation Ar annealing at high temperature

    Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    AIP Advances　Vol. 7　No. 4　p. 045008-1-045008-5　2017年4月12日　研究論文（学術雑誌）

  47. Characterization of Thermal Oxides on 4H-SiC Epitaxial Substrates Using Fourier-Transform Infrared Spectroscopy

    Hirofumi Seki, Masanobu Yoshikawa, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, Yukihiro Ozaki

    Applied Spectroscopy　Vol. 71　No. 5　p. 911-918　2016年7月12日　研究論文（学術雑誌）

  48. Interface state density of SiO2/p-type 4H-SiC (0001), (11-20), (1-100) metal-oxide-semiconductor structures characterized by low-temperature subthreshold slopes

    Takuma Kobayashi, Seiya Nakazawa, Takafumi Okuda, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Letters　Vol. 108　No. 15　p. 152108-1-152108-4　2016年4月13日　研究論文（学術雑誌）

  49. Surface passivation on 4H-SiC epitaxial layers by SiO2 with POCl3 annealing

    Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda

    Applied Physics Express　Vol. 9　No. 5　p. 051301-1-051301-4　2016年3月30日　研究論文（学術雑誌）

  50. Impact of conduction type and doping density on thermal oxidation rate of SiC(0001)

    Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 7　No. 12　p. 121301-1-121301-3　2014年11月13日　研究論文（学術雑誌）

MISC 9

  1. The Optical Properties of the Carbon Di-Vacancy-Antisite Complex in the Light of the TS Photoluminescence Center

    Maximilian Schober, Nicolas Jungwirth, Takuma Kobayashi, Johannes A.F. Lehmeyer, Michael Krieger, Heiko B. Weber, Michel Bockstedte

    Defect and Diffusion Forum　Vol. 426　p. 43-48　2023年6月6日

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  2. Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of m-plane SiC MOS Capacitors

    Yutaka Terao, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)　p. P66-1-P66-4　2022年5月2日

    出版者・発行元：IEEE

  3. Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1100) MOS devices

    Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)　p. 3B.2-1-3B.2-5　2022年5月2日

    出版者・発行元：IEEE

  4. Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices

    Tsunenobu Kimoto, Mitsuaki Kaneko, Keita Tachiki, Koji Ito, Ryoya Ishikawa, Xilun Chi, Dionysios Stefanakis, Takuma Kobayashi, Hajime Tanaka

    2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)　p. 36-1-1-36-1-4　2022年3月9日　記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

    出版者・発行元：IEEE

  5. Progress and future challenges of SiC power devices and process technology

    Tsunenobu Kimoto, Hiroki Niwa, Naoki Kaji, Takuma Kobayashi, Ying Zhao, Seigo Mori, Masatoshi Aketa

    2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)　p. 9.5.1-9.5.4　2018年1月25日

  6. Impact of annealing temperature on surface passivation of SiC epitaxial layers with deposited SiO2 followed by POCl3 annealing

    Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda

    2016 IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)　p. 233-235　2016年12月29日

  7. Influence of conduction-type on thermal oxidation rate in SiC(0001) with various doping densities

    Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    Materials Science Forum　Vol. 821-823　p. 456-459　2015年6月30日

    出版者・発行元：Materials Science Forum

  8. Characterization of inhomogeneity in SiO2 films on 4H-SiC epitaxial substrate by a combination of Fourier transform infrared spectroscopy and cathodoluminescence spectroscopy

    Masanobu Yoshikawa, Hirohumi Seki, Keiko Inoue, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    Materials Science Forum　Vol. 821-823　p. 460-463　2015年6月30日

    出版者・発行元：Materials Science Forum

  9. Conduction-type dependence of thermal oxidation rate on SiC(0001)

    Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)　p. 1-2　2014年7月31日

著書 1

  1. 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

    小林 拓真, 木本 恒暢

    エヌ・ティー・エス　2022年2月18日　学術書

    ISBN: 9784860437671

講演・口頭発表等 176

  1. Investigation of oxygen-related defects in 4H-SiC from ab initio calculations

    Sosuke Iwamoto, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月3日

  2. Control over the density of single photon emitters at SiO_2/SiC interfaces: CO_2 vs. Ar annealing

    Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Haruko Toyama, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月3日

  3. Suppression of luminescent spots at SiO_2/SiC interfaces by thermal oxidation at low oxygen partial pressure

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月2日

  4. Insight into the mobility-limiting factors of SiC MOSFETs: the impact of gate bias stress

    Takuma Kobayashi, Kaho Koyanagi, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Heiji Watanabe

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月2日

  5. Impurity-vacancy complexes in 4H-SiC: stability and properties

    Takuma Kobayashi, Sosuke Iwamoto, Heiji Watanabe

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月2日

  6. Tunneling current in Schottky structures formed on heavily doped n-type GaN

    Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025年7月10日

  7. Thermal generation rate of hole traps in GaN MOS structures

    Masahiro Hara, Kenji Hirahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025年7月8日

  8. Reduction of hole traps in GaN MOS structures by introducing Mg atoms near SiO2/GaN interfaces

    Yuichi Sakagami, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025年7月7日

  9. 絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の形成

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

    第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025年3月16日

  10. 熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度

    原 征大, 平原 賢治, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025年3月17日

  11. 表面界面反応制御に基づく高品質 SiC MOS 界面の形成

    藤本 博貴, 小林 拓真, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月26日

  12. 低温 PECVD により作製した SiO2/p 型 GaN MOS 構造における正孔トラップの評価

    原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月26日

  13. 熱処理に対する高 Mg 濃度 p 型 GaN MOS 構造の安定性評価

    阪上 優一, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  14. 酸素および窒素熱処理による SiO2/β-Ga2O3 MOS 構造の高品質化

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  15. 高温ゲートストレス印加による SiC MOSFET のチャネル移動度劣化機構

    八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  16. 超高温酸化プロセスによる SiC MOSFET の高温高電界ストレス耐性の向上

    陳 強, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  17. 熱酸化及び水素エッチングによる SiC(0001)表面構造の変化

    神畠 真治, 小林 拓真, 渡部 平司

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月25日

  18. Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer

    Hidetoshi Mizobata, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024)　2024年11月4日

  19. Impacts of thermal oxidation and forming gas annealing on surface morphology of SiC(0001)

    Shinji Kamihata, Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年10月1日

  20. Impact of Post Deposition Annealing on SiO2/SiC Structures Formed by Plasma Nitridation of the SiC Surface

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024年9月30日

  21. 広温度範囲に亘るSiO2/SiC界面発光中心の形成過程の調査

    兼子 悠, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  22. 負電圧ゲートストレス印加によるSiC MOSFETのチャネル移動度劣化

    八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  23. 高温酸化プロセスによるSiC MOSFETのゲートストレス耐性向上

    陳 強, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  24. 正孔捕獲を抑制した高Mg濃度p型GaN MOS構造の熱安定性

    阪上 優一, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  25. ナノチャネルスパッタエピタキシーによる歪み緩和GeSn薄膜成長

    石丸 賢昇, 田中 信敬, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  26. SiC(0001)表面モフォロジーに対する酸化及び水素エッチングの影響

    神畠 真治, 小林 拓真, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  27. SiO2/SiC界面発光中心の発光強度の酸化温度・酸素分圧依存性

    大西 健太郎, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  28. NO窒化SiC(0-33-8) MOS構造の界面特性及び信頼性評価

    岩本 隼登, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  29. 第一原理計算を用いた4H-SiC中不純物-空孔ペアに関する包括的調査

    岩本 蒼典, 渡部 平司, 小林 拓真

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  30. SiC 表面のプラズマ窒化と絶縁膜堆積により形成した SiO2/SiC 構造に対する後熱処理の効果

    藤本 博貴, 小林 拓真, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  31. SiO2/SiC界面発光中心の密度に対する熱処理雰囲気及び時間の影響

    中沼 貴澄, 田原 康佐, 遠山 晴子, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  32. PECVD-SiO2の成膜温度がp型GaN MOS界面正孔トラップに与える影響

    原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  33. SiO2堆積後熱処理によるp型GaN MOS界面正孔トラップ生成

    原 征大, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  34. Comprehensive Research on Nitrided SiO2/4H-SiC Interfaces

    Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024)　2024年9月4日

  35. 犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化

    八軒 慶慈, 藤本 博貴, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  36. Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化

    早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 孝功, 渡部 平司

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  37. 低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関

    大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  38. 第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査

    岩本 蒼典, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  39. Si 基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地SiO2膜厚の最適化

    早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第 29 回電子デバイス界面テクノロジー研究会　2024年2月2日

  40. SiO2/GaN界面酸化ガリウム層に対する熱処理の影響

    上沼 睦典, 大西 健太郎, 富田 広人, 川村 聡太, 多田村 充, 盛喜 琢也, 夏井 葉月, 橋本 由介, 小林 拓真, 藤井 茉美, 松下 智裕, 渡部 平司, 浦岡 行治

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年12月1日

  41. 量子技術応用に向けたSiC MOS界面単一光子源の制御

    中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年12月1日

  42. SiO2とSiCの直接貼り合わせによるSiO2/SiC構造の形成

    神畠 真治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  43. ゲートストレス印加によるSiC MOS界面の劣化とデバイス特性への影響

    小柳 香穂, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  44. プラズマ窒化・SiO2堆積・CO2熱処理の複合プロセスによる高品質SiC MOS構造の形成

    藤本 博貴, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  45. SiO2/GaOx/GaN構造の固定電荷に対するポストアニールの効果

    荒木 唯衣, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  46. Below-gap光照射によるn型GaN MOS 界面の正孔トラップ評価

    冨ケ原 一樹, 小林 拓真, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  47. 低温追酸化プロセスによるSiO2/SiC界面単一光子源の形成

    大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  48. Effects of doped Mg concentrations on the reduction of hole traps in the vicinity of the SiO2/p-GaN MOS interface

    Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月14日

  49. Hole Traps in SiO2/GaN MOS structures Evaluated by Below-gap Light Illumination

    Kazuki Tomigahara, Takuma Kobayashi, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月14日

  50. Characterizations of nitrogen profiles and interface properties in NO-nitrided SiO2/SiC(03̅38̅) structures

    Hayato Iwamoto, Takato Nakanuma, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY -　2023年10月25日

  51. 局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析

    岩本 蒼典, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月23日

  52. Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価

    冨ケ原 一樹, 小林 拓真, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月22日

  53. SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響

    溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月22日

  54. SiO2/SiC(0-33-8) 構造の NO 窒化過程の観察と電気特性評価

    岩本 隼登, 中沼 貴澄, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月21日

  55. Formation of color centers at SiO2/SiC interfaces by thermal oxidation and its correlation with electrical properties

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月21日

  56. A SiO2/SiC interface formed by direct bonding of SiO2 and SiC

    Shinji Kamihata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月20日

  57. Ab initio study of oxygen-vacancy defect in 4H-SiC: A potential qubit

    Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月20日

  58. 高エネルギーX線CT計測 -高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージングとの比較検証-

    志村 考功, 梶原 堅太郎, 辻 成希, 小林 拓真, 渡部 平司

    第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月19日

  59. Controlling the properties of single photon emitters at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

    Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月19日

  60. Improved interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface prior to SiO2 deposition

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Yu Iwakata, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月19日

  61. Accurate analysis of leakage characteristics of SiC (1-100) MOS devices over a wide temperature range

    Asato Suzuki, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月19日

  62. Fabrication of SiO2/4H-SiC MOS devices by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing

    Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023年9月18日

  63. SiO2/SiC界面発光中心密度と電気的特性の相関

    中沼 貴澄, 田原 康佐, 木村 大至, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    第70回 応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日

  64. Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価

    近藤 優聖, 田淵 直人, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第70回 応用物理学会春季学術講演会　2023年3月16日

  65. スパッタ成膜によるGe(100)基板上への高品質単結晶GeSn層のエピタキシャル成長

    田中 信敬, 國吉 望月, 安部 和弥, 星原 雅生, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第28回研究会）　2023年2月4日

  66. 酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜 SiO2/GaN MOS 構造の界面特性及び絶縁性向上

    大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月20日

  67. 酸化および熱処理プロセスによる SiO2/SiC 界面発光中心の制御

    中沼 貴澄, 田原 康佐, 木村 大至, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月20日

  68. NO 窒化 SiC(1-100) MOS デバイスのリーク伝導機構

    鈴木 亜沙人, 中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月20日

  69. NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響

    藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月20日

  70. Control of oxidation and reduction reactions at SiO2/GaN interfaces towards high performance and reliability GaN MOSFETs

    Takuma Kobayashi, Bunichiro Mikake, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)　2022年10月12日

  71. Fabrication of stable and low leakage SiO2/GaN MOS devices by sputter deposition of SiO2 combined with post annealing processes

    Kentaro Onishi, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)　2022年10月11日

  72. Evaluation of hole trap density at SiO2/GaN MOS interfaces through capacitance-voltage measurements under ultraviolet light illumination

    Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)　2022年10月10日

  73. Controllability of Luminescence Wavelength from GeSn Wires Fabricated by Laser Zone Melting on Quartz Substrates

    Takayoshi Shimura, Ryoga Yamaguchi, Naoto Tabuchi, Masato Kondo, Mizuki Kuniyoshi, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials　2022年9月27日

  74. Analysis of leakage current mechanisms in NO-nitrided SiC(1-100) MOS devices

    Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials　2022年9月28日

  75. Characterization of Trap States of SiO2/GaN Interface and SiO2 Layer by Deep Level Transient Spectroscopy

    Shingo Ogawa, Hidetoshi Mizobata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials　2022年9月28日

  76. Suppression of GaOx interlayer growth towards stable SiO2/GaN MOS devices

    Kentaro Onishi, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials　2022年9月28日

  77. Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価

    田中 信敬, 安部 和弥, 星原 雅生, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  78. スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長

    國吉 望月, 安部 和弥, 田中 信敬, 星原 雅生, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  79. スパッタ成膜SiO2/GaN構造におけるGa拡散抑制効果

    大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

    第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月22日

  80. スパッタSiO2成膜によるSiO2/GaN MOS界面のGaOx層抑制

    大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

    第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月22日

  81. 紫外光照射によるNO窒化4H-SiC(11-20) MOSデバイスの電気特性劣化

    藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 孝功, 渡部 平司

    第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  82. NO窒化を施した非基底面上SiO2/SiC構造のバンドアライメント評価

    中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

    第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  83. NO窒化処理を施したSiC(1-100) MOSデバイスのリーク電流特性

    鈴木 亜沙人, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

    第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  84. 窒化後CO2熱処理による4H-SiC(0001) CMOSデバイスの性能向上

    國吉 望月, Kidist Moges, 小林 拓真, 細井 卓治, 志村 考功, 立木 馨大, 木本 恒暢, 渡部 平司

    第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  85. 高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージング

    志村 考功, 梶原 堅太郎, 辻 成希, 小林 拓真, 渡部 平司

    第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  86. The optical properties of the carbon di-vacancy-antisite complex in the light of the TS photoluminescence center

    Maximilian Schober, Nicolas Jungwirth, Takuma Kobayashi, Johannes Lehmeyer, Michael Krieger, Heiko Weber, Michel Bockstedte

    9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月12日

  87. Improved Performance of SiC CMOS Ring Oscillators By Post-nitridation Treatment in CO2

    Mizuki Kuniyoshi, Kidist Moges, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Keita Tachiki, Tsunenobu Kimoto, Heiji Watanabe

    9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月14日

  88. Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月14日

  89. Impact of Oxidation and Post Annealing on the Density and Optical Properties of Color Centers at SiO2/SiC Interfaces

    Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Kosuke Tahara, Taishi Kimura, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月14日

  90. Nitridation-induced degradation of SiC (1-100) MOS devices

    Takuma Kobayashi, Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Mitsuru, Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月13日

  91. Recent progress and challenges in SiC and GaN MOS devices: understanding of physics and chemistry near the MOS interface

    Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

    9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022年9月13日

  92. Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices

    Takuma Kobayashi, Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)　2022年9月7日

  93. Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors

    Yutaka Terao, Takuji Hosoi, Shinya Takashima, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022)　2022年3月30日

  94. Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices

    Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022)　2022年3月29日

  95. SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成

    小林 拓真, 奥田 貴史, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 松下 雄一郎, 木本 恒暢

    第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022年3月24日

  96. 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響

    溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司

    第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022年3月24日

  97. 紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価

    冨ヶ原 一樹, 中沼 貴澄, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022年3月24日

  98. NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響

    藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 孝功, 渡部 平司

    第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022年3月24日

  99. 酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO2/GaN MOS構造の形成

    見掛 文一郎, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022年3月24日

  100. スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成

    大西 健太郎, 見掛 文一郎, 冨ヶ原 一樹, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022年3月24日

  101. DLTSによるSiO2/GaN界面およびSiO2膜中トラップ準位の評価

    小川 慎吾, 溝端 秀聡, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022年3月24日

  102. NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性

    中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    （一社）電気学会 電子デバイス研究会　2022年3月9日

  103. NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価

    中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会)　2022年1月29日

  104. 光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化

    田淵 直人, 山口 凌雅, 近藤 雅斗, 國吉 望月, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会)　2022年1月28日

  105. 局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性

    志村 考功, 細井 卓治, 小林 拓真, 渡部 平司

    レーザー学会学術講演会第42回年次大会　2022年1月13日

  106. Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices

    Tsunenobu Kimoto, Mitsuaki Kaneko, Keita Tachiki, Koji Ito, Ryoya Ishikawa, Xilun Chi, Dionysios Stefanakis, Takuma Kobayashi, Hajime Tanaka

    67th IEEE International Electron Devices Meeting　2021年12月15日

  107. 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたp型GaN MOSデバイスの電気特性評価

    溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021年12月10日

  108. GaN(000-1)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

    冨ヶ原 一樹, 和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021年12月9日

  109. エキシマ紫外光照射によるNO窒化SiC MOSデバイスの特性劣化

    藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021年12月9日

  110. SiO2/GaN MOS構造におけるゲート絶縁膜信頼性への堆積後熱処理の効果

    見掛 文一郎, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021年12月9日

  111. NO-POAを施したSiO2/4H-SiC(1-100)界面の電気特性評価および物理分析

    鈴木 亜沙人, 中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021年12月9日

  112. 炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化

    小林 拓真, 奥田 貴史, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 松下 雄一郎, 木本 恒暢

    令和3年11月度電子情報通信学会 (SDM) 研究会　2021年11月12日

  113. 符号化開口を用いた後方散乱X線イメージング

    志村 考功, 小林 拓真, 細井 卓治, 渡部 平司

    日本光学会年次学術講演会2021　2021年10月28日

  114. A New Horizon of SiC Technology Driven by Deeper Understanding of Physics

    Tsunenobu Kimoto, Mitsuaki Kaneko, Takuma Kobayashi, Hajime Tanaka, Keita Tachiki, Akifumi Iijima, Shoma Yamashita, Xilun Chi, Ying Xin Zhao, Dionysios Stefanakis, Yu-ichiro Matsushita

    13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020・2021)　2021年10月28日

  115. Generation and transformation of intrinsic color centers in 4H-silicon carbide via ion implantation and annealing

    Takuma Kobayashi, Maximilian Rühl, Johannes Lehmeyer, Leonard Zimmermann, Michael Krieger, Heiko Weber

    13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020・2021)　2021年10月25日

  116. イオン注入および熱処理による4H-SiC中への発光中心の選択的形成

    小林 拓真, Maximilian Rühl, Johannes Lehmeyer, Leonard Zimmermann, Michael Krieger, Heiko Weber

    第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月12日

  117. 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

    和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 櫻井 秀樹, 加地 徹, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

    第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月12日

  118. 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価

    和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 櫻井 秀樹, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司

    第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月12日

  119. Evaluation of long-term reliability of 4H-SiC(0001) CMOS ring oscillators at high temperature

    Kidist Moges Ayele, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Keita Tachiki, Tsunenobu Kimoto, Heiji Watanabe

    第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月11日

  120. NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの信頼性評価

    中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月11日

  121. SiO2/非基底面4H-SiC界面のNO窒化過程の観察と電気特性評価

    中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

    第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月11日

  122. 石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における光吸収層の検討

    田淵 直人, 國吉 望月, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月10日

  123. Reduction of interface state density in the SiC MOS structures by a non-oxidation process

    Tsunenobu Kimoto, Keita Tachiki, Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)　2021年9月8日

  124. Fixed Charge Generation in SiO2/GaN MOS Structures by Forming Gas Annealing and its Suppression by Controlling Ga-oxide Interlayer Growth

    Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)　2021年9月9日

  125. Comprehensive Physical and Electrical Characterizations of NO Nitrided SiO2/4H-SiC(11-20) Interfaces

    Takato Nakanuma, Yuu Iwakata, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)　2021年9月8日

  126. Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs

    Tsunenobu Kimoto, Takuma Kobayashi, Keita Tachiki, Koji Ito, Mitsuaki Kaneko

    5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021　2021年4月11日

  127. 水素エッチングとSiO2堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO2界面の形成

    立木 馨大, 金子 光顕, 小林 拓真, 木本 恒暢

    第68回 応用物理学会 春季学術講演会　2021年3月18日

  128. SiCパワーMOSFETおよび界面高品質化の進展

    木本 恒暢, 小林 拓真, 立木 馨大, 松下 雄一郎

    第68回 応用物理学会 春季学術講演会　2021年3月16日

  129. SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響

    伊藤 滉二, 小林 拓真, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会　2020年12月10日

  130. H2エッチング、酸化膜堆積、N2アニール による4H-SiC/SiO2界⾯準位の低減

    立木 馨大, 金子 光顕, 小林 拓真, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会　2020年12月9日

  131. 酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成

    立木 馨大, 金子 光顕, 小林 拓真, 木本 恒暢

    第81回 応用物理学会 秋季学術講演会　2020年9月10日

  132. SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響

    伊藤 滉二, 小林 拓真, 木本 恒暢

    先進パワー半導体分科会 第6回講演会　2019年12月3日

  133. Energy distributions of interface state density originating from tail states of the conduction band in SiC MOS structures

    Koji Ito, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors　2019年11月14日

  134. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study

    Takahide Umeda, Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Eito Higa, Hiroshi Yano, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019　2019年10月2日

  135. Systematic investigation of carbon-related defects in SiC (0001)/SiO2 systems: A hybrid density functional study

    Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019　2019年10月2日

  136. Interface state density distributions near the conduction band edge originating from the conduction band fluctuation in SiO2/SiC systems

    Koji Ito, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019　2019年10月1日

  137. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: A first-principles study

    Takuma Kobayashi, Takahide Umeda, Yu-ichiro Matsushita

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019　2019年9月30日

  138. α-Ga2O3中固有点欠陥の局所構造と電子状態

    小林 拓真, 我毛 智哉, 熊谷 悠, 大場 史康, 松下 雄一郎

    第80回 応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日

  139. SiC MOS界面における伝導帯端の異常なゆらぎの発見

    伊藤 滉二, 小林 拓真, 木本 恒暢

    第320回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会　2019年7月8日

  140. Promise and Future Challenges of SiC Power MOSFETs

    Tsunenobu Kimoto, Takuma Kobayashi, Keita Tachiki, Koji Ito

    21st Conference on Insulating Films on Semiconductors　2019年7月1日

  141. リン処理によるSiC/SiO2界面の炭素関連欠陥の低減機構

    小林 拓真, 松下 雄一郎, 奥田 貴史, 木本 恒暢, 押山 淳

    第66回 応用物理学会春季学術講演会　2019年3月11日

  142. 第一原理計算によるSiC/SiO2界面近傍の炭素関連欠陥の構造同定

    小林 拓真, 松下 雄一郎

    第66回 応用物理学会春季学術講演会　2019年3月11日

  143. SiC MOSFETにおける界面準位密度分布のボディ層濃度依存性

    伊藤 滉二, 小林 拓真, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢

    第66回 応用物理学会春季学術講演会　2019年3月11日

  144. SiC 酸化膜中の窒素関連欠陥の構造とその電子状態

    松下 雄一郎, 小林 拓真

    第66回 応用物理学会春季学術講演会　2019年3月10日

  145. SiC MOSFETにおける高密度界面準位がロールオフ特性に及ぼす影響の解析

    立木 馨大, 小野 貴央, 小林 拓真, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会　2018年11月6日

  146. 第一原理計算による4H-SiC中のC欠陥の安定構造の同定

    小林 拓真, 原田 航, 熊谷 悠, 大場 史康, 松下 雄一郎

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会　2018年11月6日

  147. SiC MOSFETのゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価

    伊藤 滉二, 小林 拓真, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会　2018年11月6日

  148. 高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価

    伊藤滉二, 小林拓真, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢

    第79回 応用物理学会 秋季学術講演会　2018年9月20日

  149. Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by very-low-oxygen-partial-pressure annealing

    Takuma Kobayashi, Keita Tachiki, Koji Ito, Yu-ichiro Matsushita, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018　2018年9月4日

  150. Influence of interface states on threshold voltage of SiC short-channel MOSFETs

    Keita Tachiki, Takahisa Ono, Takuma Kobayashi, Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018　2018年9月4日

  151. Modeling of electron trapping in SiC MOSFETs considering interface-state-density distribution extracted from gate characteristics

    Koji Ito, Takuma Kobayashi, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018　2018年9月3日

  152. 高密度界面欠陥の影響を考慮したSiC MOSFETにおける短チャネル効果の研究

    立木馨大, 小野貴央, 小林拓真, 田中一, 木本恒暢

    第315回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会　2018年7月18日

  153. SiC MOSFETにおける界面準位が短チャネル効果に及ぼす影響

    立木馨大, 小野貴央, 小林拓真, 木本恒暢

    第65回 応用物理学会 春季学術講演会　2018年3月20日

  154. SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価

    伊藤滉二, 立木馨大, 小林拓真, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢

    第65回 応用物理学会 春季学術講演会　2018年3月20日

  155. Progress and future challenges of SiC power devices and process technology

    Tsunenobu Kimoto, Hiroki Niwa, Naoki Kaji, Takuma Kobayashi, Ying Zhao, Seigo Mori, Masatoshi Aketa

    2017 IEEE International Electron Devices Meeting　2017年12月4日

  156. SiC MOSFETにおける短チャネル効果発現と臨界チャネル長の検討

    立木馨大, 小野貴央, 小林拓真, 木本恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会　2017年11月1日

  157. Microscopic mechanism of the removal of carbon-associated defects at a SiO2/SiC interface due to phosphorus treatment

    Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Tsunenobu Kimoto, Atsushi Oshiyama

    CPMD 2017 Workshop　2017年10月19日

  158. Evidence of carbon-related defects at the SiC MOS interface and mechanism of defect passivation by nitridation and phosphorus treatment - chemical analyses combined with DFT calculations

    Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Takafumi Okuda, Atsushi Oshiyama, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017　2017年9月19日

  159. Experimental study on short channel effects in 4H-SiC MOSFETs

    Keita Tachiki, Takahisa Ono, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017　2017年9月19日

  160. Observation of oxidation-induced carbon-rich region in the near-interface SiC by high-resolution STEM-EDX

    Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017　2017年9月18日

  161. SiC MOSFET における短チャネル効果に関する実験的研究

    立木馨大, 小野貴央, 小林拓真, 木本恒暢

    第78回 応用物理学会 秋季学術講演会　2017年9月5日

  162. Impact of annealing temperature on surface passivation of SiC epitaxial layers with deposited SiO2 followed by POCl3 annealing

    Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda

    4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications　2016年11月9日

  163. 高濃度AlドープSiCの酸化機構とMOS界面電子物性

    小林拓真, 中澤成哉, 奥田貴史, 須田淳, 木本恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回講演会　2016年11月9日

  164. Reduction of interface state density in SiC(0001) MOS structures by post-oxidation Ar annealing at high temperature

    Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2016　2016年9月29日

  165. 高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討

    小林拓真, 中澤成哉, 奥田貴史, 須田淳, 木本恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第2回講演会　2015年11月9日

  166. Surface passivation on p‐type 4H‐SiC epitaxial layers by deposited SiO2 with POCl3 annealing

    Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015　2015年10月8日

  167. Cause for the mobility drop in SiC MOSFETs with heavily-doped p-bodies

    Takuma Kobayashi, Seiya Nakazawa, Takafumi Okuda, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015　2015年10月5日

  168. Characterization of the interfacial chemical structure of silicon dioxide on 4H‐SiC (0001) by Fourier transform infrared spectroscopy

    Hirofumi Seki, Masanobu Yoshikawa, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015　2015年10月5日

  169. Accurate evaluation of interface state densities of 4H-SiC (0001) MOS structures annealed in POCl3 by C–ψS method

    Takuma Kobayashi, Takafumi Okuda, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015　2015年10月5日

  170. SiC酸化速度の伝導型およびドーピング密度による依存性

    小林拓真, 須田淳, 木本恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第1回講演会　2014年11月19日

  171. Characterization of inhomogeneity in SiO2 films on 4H-SiC epitaxial substrate by a combination of Fourier transform infrared spectroscopy and cathodoluminescence spectroscopy

    Masanobu Yoshikawa, Hirofumi Seki, Keiko Inoue, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014　2014年9月24日

  172. Interface properties and mobility-limiting factors in 4H-SiC (0001), (11-20), and (1-100) MOS structures

    Seiya Nakazawa, Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Jun Suda, Takashi Nakamura, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014　2014年9月23日

  173. Influence of conduction-type on thermal oxidation rate in SiC (0001) with various doping densities

    Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2014　2014年9月23日

  174. SiC酸化速度の伝導型依存性

    小林拓真, 須田淳, 木本恒暢

    第294回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会　2014年7月23日

  175. Conduction-type dependence of thermal oxidation rate on SiC (0001)

    Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    The 2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2014年6月20日

  176. 分光エリプソメトリと原子間力顕微鏡 (AFM) による4H-SiC (0001) 熱酸化膜厚の評価

    小林拓真, 中澤成哉, 南園悠一郎, 須田淳, 木本恒暢

    SiC及び関連半導体研究会 第22回講演会　2013年12月9日

特許・実用新案・意匠 5

  1. 半導体装置およびその製造方法

    木本 恒暢, 小林 拓真, 中野 佑紀, 明田 正俊

    特許7512348

    出願日:2022/11/17

    登録日:2024/06/28

  2. ＳｉＣ半導体素子の製造方法及びＳｉＣ半導体素子

    木本 恒暢, 小林 拓真, 立木 馨大

    特許7412765

    出願日:2020/06/05

    登録日:2024/01/04

  3. 半導体装置およびその製造方法

    木本 恒暢, 小林 拓真, 中野 佑紀, 明田 正俊

    特許7241704

    出願日:2019/01/10

    登録日:2023/03/09

  4. 絶縁ゲート型半導体装置及び絶縁ゲート型半導体装置の製造方法

    渡部 平司, 小林 拓真, 志村 考功, 寺尾 豊, 大内 祐貴

    出願日:2023/07/14

  5. 半導体装置

    木本 恒暢, 小林 拓真, 中野 佑紀, 明田 正俊

    出願日:2024/06/26

社会貢献 1

  1. 博士進学と研究留学の魅力～アカデミアの立場から～

    名古屋工業大学　第3回 博士グローバルアカデミー講演会「エネルギー変換システムとアカデミア」

    2024年5月8日 ～

報道 24

  1. 阪大と豊田中央研、絶縁膜とSiC界面に局在する発光中心のエネルギー準位を解明

    2025年3月13日

  2. 阪大、豊田中央研究所と共同で絶縁膜と炭化ケイ素の界面に局在する発光中心のエネルギー準位を解明

    2025年2月28日

  3. Decoding the Origins of Exceptionally Bright Quantum Emitters

    2025年2月27日

  4. Unraveling the origin of extremely bright quantum emitters

    2025年2月27日

  5. 大阪大学、SiCパワー素子の欠陥低減 MOSFET性能向上へ

    2023年8月25日

  6. SiCデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅低減

    2023年8月7日

  7. 30年来の課題解決に道、SiC MOSFETのコストを激減

    2020年9月23日

  8. 新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に

    2020年8月21日

  9. 絶縁膜とSiC界面発光中心のエネルギー準位を解明

    2025年3月4日

  10. 阪大、不明だった絶縁膜/SiC界面発光中心のエネルギー準位を解明

    2025年3月4日

  11. 絶縁膜と炭化ケイ素の界面に局在する発光中心のエネルギー準位を解明

    2025年3月3日

  12. Unraveling Origin Of Extremely Bright Quantum Emitters

    2025年3月3日

  13. Unraveling the origin of extremely bright quantum emitters

    2025年3月1日

  14. 絶縁膜と炭化ケイ素（ＳｉＣ）の界面に局在する発光中心のエネルギー準位を解明 ～高輝度量子光源の起源に迫る～

    2025年2月28日

  15. Unraveling the origin of extremely bright quantum emitters

    2025年2月27日

  16. Decoding the Origins of Exceptionally Bright Quantum Emitters

    2025年2月27日

  17. Unraveling the origin of extremely bright quantum emitters

    2025年2月27日

  18. Unraveling the origin of extremely bright quantum emitters

    2025年2月27日

  19. 阪大、独自技術を活用しSiC/絶縁膜界面の欠陥を低減する新手法を開発

    2023年8月4日

  20. 阪大，SiCの絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減

    2023年8月3日

  21. SiCパワー半導体を10倍に高性能化する製造方法を東工大などが開発

    マイナビニュース TECH+

    2020年9月8日

  22. 逆転の発想によるSiCパワー半導体研究成果

    2020年8月26日

  23. SiCパワー半導体の低コスト化へ前進京大・木本教授らが独自のSiO₂/SiC形成法を発見

    電波新聞

    2020年8月21日

  24. 30年来の課題解決に道、SiC MOSFETのコストを数分の1へ

    2020年8月21日

その他の活動内容 2

  1. 大阪大学 工学部 応用自然科学科1年4組 クラス担任（准教授）

    2025年4月 ～ 2026年3月

  2. 大阪大学 工学部 応用自然科学科1年4組 クラス担任（助教）

    2022年4月 ～ 2023年3月

機関リポジトリ 9

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. GaOₓ interlayer-originated hole traps in SiO₂/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

    Hara Masahiro, Kobayashi Takuma, Nozaki Mikito, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 2　2025年1月15日

  2. Formation of high-quality SiO₂/β-Ga₂O₃(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

    Kobayashi Takuma, Maeda Kensei, Hara Masahiro, Nozaki Mikito, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 1　2025年1月6日

  3. Gate stress-induced mobility degradation in NO-nitrided SiC(0001) MOSFETs

    Kobayashi Takuma, Koyanagi Kaho, Hirai Hirohisa, Sometani Mitsuru, Okamoto Mitsuo, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 125　No. 25　2024年12月16日

  4. Passivation of hole traps in SiO₂/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping

    Mizobata Hidetoshi, Nozaki Mikito, Kobayashi Takuma, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 10　2023年10月6日

  5. Control on the density and optical properties of color centers at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

    Nakanuma Takato, Tahara Kosuke, Kutsuki Katsuhiro, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji, Kobayashi Takuma

    Applied Physics Letters　Vol. 123　No. 10　2023年9月6日

  6. Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy

    Ogawa Shingo, Mizobata Hidetoshi, Kobayashi Takuma, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Journal of Applied Physics　Vol. 134　No. 9　2023年9月5日

  7. Formation of high-quality SiO₂/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO₂

    Onishi Kentaro, Kobayashi Takuma, Mizobata Hidetoshi, Nozaki Mikito, Yoshigoe Akitaka, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 5　2023年5月16日

  8. Reduction of interface and oxide traps in SiO₂/GaN MOS structures by oxygen and forming gas annealing

    Mikake Bunichiro, Kobayashi Takuma, Mizobata Hidetoshi, Nozaki Mikito, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 3　2023年3月20日

  9. Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates

    Shimura Takayoshi, Yamaguchi Ryoga, Tabuchi Naoto, Kondoh Masato, Kuniyoshi Mizuki, Hosoi Takuji, Kobayashi Takuma, Watanabe Heiji

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　2023年3月1日