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小林 拓真

Takuma Kobayashi

工学研究科 物理学系専攻,助教

keyword 欠陥,パワーデバイス,量子テクノロジー,ワイドギャップ半導体

学歴

  • 2015年04月 ~ 2018年03月,京都大学,大学院工学研究科,電子工学専攻 博士後期課程
  • 2013年04月 ~ 2015年03月,京都大学,大学院工学研究科,電子工学専攻 修士課程
  • 2009年04月 ~ 2013年03月,大阪大学,基礎工学部,電子物理科学科

経歴

  • 2023年04月 ~ 継続中,大阪大学,大学院工学研究科 CFi,次世代リーダー教員
  • 2022年10月 ~ 継続中,JST 戦略的創造研究推進事業 さきがけ,個人研究者
  • 2021年01月 ~ 継続中,大阪大学,大学院工学研究科 物理学系専攻,助教
  • 2019年10月 ~ 2020年12月,エアランゲン大学,物理学科,日本学術振興会海外特別研究員
  • 2018年08月 ~ 2019年10月,東京工業大学,科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所,研究員
  • 2018年04月 ~ 2018年07月,京都大学,大学院工学研究科 電子工学専攻,特定研究員
  • 2015年04月 ~ 2018年03月,京都大学,大学院工学研究科 電子工学専攻,日本学術振興会特別研究員-DC1
  • 2016年04月 ~ 2016年06月,東京大学,大学院工学系研究科 物理工学専攻,特別研究学生

研究内容・専門分野

  • ナノテク・材料,光工学、光量子科学
  • ナノテク・材料,薄膜、表面界面物性
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学),電気電子材料工学

所属学会

  • SAKIGAKEクラブ(大阪大学)
  • 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
  • 応用物理学会
  • IEEE

論文

  • Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy,Takuma Kobayashi,Asato Suzuki,Takato Nakanuma,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Akitaka Yoshigoe,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Materials Science in Semiconductor Processing,Elsevier BV,Vol. 175,p. 108251-1-108251-7,2024年02月28日,研究論文(学術雑誌)
  • Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO<sub>2</sub>/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation,Takuma Kobayashi,Kazuki Tomigahara,Mikito Nozaki,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 17,No. 1,p. 011003-1-011003-5,2023年12月29日,研究論文(学術雑誌)
  • Design of SiO<sub>2</sub>/4H–SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO<sub>2</sub> followed by high-temperature CO<sub>2</sub>-post deposition annealing,Tae-Hyeon Kil,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,AIP Advances,AIP Publishing,Vol. 13,No. 11,p. 115304-1-115304-5,2023年11月02日,研究論文(学術雑誌)
  • Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An <i>ab initio</i> study,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 134,No. 14,p. 145701-1-145701-9,2023年10月11日,研究論文(学術雑誌)
  • Passivation of hole traps in SiO<sub>2</sub>/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 16,No. 10,p. 105501-1-105501-4,2023年10月06日,研究論文(学術雑誌)
  • Impact of Sn incorporation on sputter epitaxy of GeSn,Nobuyuki Tanaka,Mizuki Kuniyoshi,Kazuya Abe,Masaki Hoshihara,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 16,No. 9,p. 095502-1-095502-5,2023年09月12日,研究論文(学術雑誌)
  • Control on the density and optical properties of color centers at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing,Takato Nakanuma,Kosuke Tahara,Katsuhiro Kutsuki,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Takuma Kobayashi,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 123,No. 10,p. 102102-1-102102-5,2023年09月06日,研究論文(学術雑誌)
  • Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy,Shingo Ogawa,Hidetoshi Mizobata,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 134,No. 9,p. 095704-1-095704-7,2023年09月05日,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface followed by SiO<sub>2</sub> deposition and CO<sub>2</sub> annealing,Hiroki Fujimoto,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 16,No. 7,p. 074004-1-074004-4,2023年07月28日,研究論文(学術雑誌)
  • The Optical Properties of the Carbon Di-Vacancy-Antisite Complex in the Light of the TS Photoluminescence Center,Maximilian Schober,Nicolas Jungwirth,Takuma Kobayashi,Johannes A.F. Lehmeyer,Michael Krieger,Heiko B. Weber,Michel Bockstedte,Defect and Diffusion Forum,Trans Tech Publications, Ltd.,Vol. 426,p. 43-48,2023年06月06日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of high-quality SiO<sub>2</sub>/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO<sub>2</sub>,Kentaro Onishi,Takuma Kobayashi,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Akitaka Yoshigoe,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 62,No. 5,p. 050903-1-050903-4,2023年05月16日,研究論文(学術雑誌)
  • Reduction of interface and oxide traps in SiO<sub>2</sub>/GaN MOS structures by oxygen and forming gas annealing,Bunichiro Mikake,Takuma Kobayashi,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 16,No. 3,p. 031004-1-031004-4,2023年03月20日,研究論文(学術雑誌)
  • Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates,Takayoshi Shimura,Ryoga Yamaguchi,Naoto Tabuchi,Masato Kondoh,Mizuki Kuniyoshi,Takuji Hosoi,Takuma Kobayashi,Heiji Watanabe,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 62,No. SC,p. SC1083-1-SC1083-5,2023年03月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation,Hiroki Fujimoto,Takuma Kobayashi,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 15,No. 10,p. 104004-1-104004-4,2022年09月28日,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical properties and energy band alignment of SiO<sub>2</sub>/GaN metal-oxide-semiconductor structures fabricated on N-polar GaN( 000-1) substrates,Hidetoshi Mizobata,Kazuki Tomigahara,Mikito Nozaki,Takuma Kobayashi,Akitaka Yoshigoe,Takuji Hosoi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 121,No. 6,p. 062104-1-062104-6,2022年08月09日,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of m-plane SiC MOS Capacitors,Yutaka Terao,Takuji Hosoi,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS),IEEE,p. P66-1-P66-4,2022年05月02日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1100) MOS devices,Takato Nakanuma,Asato Suzuki,Yu Iwakata,Takuma Kobayashi,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Takuji Hosoi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS),IEEE,p. 3B.2-1-3B.2-5,2022年05月02日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(11-20) MOS devices,Takato Nakanuma,Takuma Kobayashi,Takuji Hosoi,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Akitaka Yoshigoe,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 15,No. 4,p. 041002-1-041002-4,2022年03月16日,研究論文(学術雑誌)
  • Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices,Tsunenobu Kimoto,Mitsuaki Kaneko,Keita Tachiki,Koji Ito,Ryoya Ishikawa,Xilun Chi,Dionysios Stefanakis,Takuma Kobayashi,Hajime Tanaka,2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),IEEE,p. 36-1-1-36-1-4,2022年03月09日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO<sub>2</sub>/4H-SiC(11-20) interfaces,Takato Nakanuma,Yu Iwakata,Arisa Watanabe,Takuji Hosoi,Takuma Kobayashi,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Akitaka Yoshigoe,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 61,No. SC,p. SC1065-1-SC1065-8,2022年03月02日,研究論文(学術雑誌)
  • Insight into interface electrical properties of metal–oxide–semiconductor structures fabricated on Mg-implanted GaN activated by ultra-high-pressure annealing,Yuhei Wada,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Takuma Kobayashi,Takuji Hosoi,Tetsu Kachi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 120,No. 8,p. 082103-1-082103-6,2022年02月23日,研究論文(学術雑誌)
  • Fixed-charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Takuma Kobayashi,Takuji Hosoi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 61,No. SC,p. SC1034-1-SC1034-6,2022年02月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Intrinsic color centers in 4H-silicon carbide formed by heavy ion implantation and annealing,Takuma Kobayashi,Maximilian Rühl,Johannes Lehmeyer,Leonard K S Zimmermann,Michael Krieger,Heiko B Weber,Journal of Physics D: Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 55,No. 10,p. 105303-1-105303-7,2021年12月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Short-Channel Effects in SiC MOSFETs Based on Analyses of Saturation Drain Current,Keita Tachiki,Takahisa Ono,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,IEEE Transactions on Electron Devices,Vol. 68,No. 3,p. 1382-1384,2021年02月08日,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing,Keita Tachiki,Mitsuaki Kaneko,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Applied Physics Express,Vol. 13,No. 12,p. 121002-1-121002-4,2020年11月12日,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of quantum confinement on the defect-induced localized levels in 4H-SiC(0001)/SiO2 systems,Koji Ito,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Journal of Applied Physics,Vol. 128,No. 9,p. 095702-1-095702-6,2020年09月03日,研究論文(学術雑誌)
  • Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via Si deposition followed by low-temperature oxidation and high-temperature nitridation,Takuma Kobayashi,Takafumi Okuda,Keita Tachiki,Koji Ito,Yu-ichiro Matsushita,Tsunenobu Kimoto,Applied Physics Express,Vol. 13,No. 9,p. 091003-1-091003-4,2020年08月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface,Takahide Umeda,Takuma Kobayashi,Mitsuru Sometani,Hiroshi Yano,Yu-ichiro Matsushita,Shinsuke Harada,Applied Physics Letters,Vol. 116,No. 7,p. 071604-1-071604-5,2020年02月20日,研究論文(学術雑誌)
  • Structure and energetics of carbon defects in SiC (0001)/SiO2 systems at realistic temperatures: Defects in SiC, SiO2, and at their interface,Takuma Kobayashi,Yu-ichiro Matsushita,Journal of Applied Physics,Vol. 126,No. 14,p. 145302-1-145302-8,2019年10月10日,研究論文(学術雑誌)
  • Energetics and electronic structure of native point defects in α-Ga2O3,Takuma Kobayashi,Tomoya Gake,Yu Kumagai,Fumiyasu Oba,Yu-ichiro Matsushita,Applied Physics Express,Vol. 12,No. 9,p. 091001-1-091001-4,2019年08月12日,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of vacuum annealing on interface properties of SiC (0001) MOS structures,Koji Ito,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 58,No. 7,p. 078001-1-078001-3,2019年06月13日,研究論文(学術雑誌)
  • Native point defects and carbon clusters in 4H-SiC: A hybrid functional study,Takuma Kobayashi,Kou Harada,Yu Kumagai,Fumiyasu Oba,Yu-ichiro Matsushita,Journal of Applied Physics,Vol. 125,No. 12,p. 125701-1-125701-8,2019年03月22日,研究論文(学術雑誌)
  • Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by low-oxygen-partial-pressure annealing,Takuma Kobayashi,Keita Tachiki,Koji Ito,Tsunenobu Kimoto,Applied Physics Express,Vol. 12,No. 3,p. 031001-1-031001-3,2019年02月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Structural determination of phosphosilicate glass based on first-principles molecular dynamics calculation,Takuma Kobayashi,Yu-ichiro Matsushita,Tsunenobu Kimoto,Atsushi Oshiyama,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 58,No. 1,p. 011001-1-011001-4,2018年11月19日,研究論文(学術雑誌)
  • Microscopic mechanism of carbon annihilation upon SiC oxidation due to phosphorus treatment: Density functional calculations combined with ion mass spectrometry,Takuma Kobayashi,Yu-ichiro Matsushita,Takafumi Okuda,Tsunenobu Kimoto,Atsushi Oshiyama,Applied Physics Express,Vol. 11,No. 12,p. 121301-1-121301-4,2018年11月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Estimation of Threshold Voltage in SiC Short-Channel MOSFETs,Keita Tachiki,Takahisa Ono,Takuma Kobayashi,Hajime Tanaka,Tsunenobu Kimoto,IEEE Transactions on Electron Devices,Vol. 65,No. 7,p. 3077-3080,2018年05月28日,研究論文(学術雑誌)
  • Progress and future challenges of SiC power devices and process technology,Tsunenobu Kimoto,Hiroki Niwa,Naoki Kaji,Takuma Kobayashi,Ying Zhao,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),p. 9.5.1-9.5.4,2018年01月25日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Carbon ejection from a SiO2/SiC(0001) interface by annealing in high-purity Ar,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Applied Physics Letters,Vol. 111,No. 6,p. 062101-1-062101-4,2017年08月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Interface properties of NO-annealed 4H-SiC (0001), (11-20), and (1-100) MOS structures with heavily doped p-bodies,Takuma Kobayashi,Seiya Nakazawa,Takafumi Okuda,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,Journal of Applied Physics,Vol. 121,No. 14,p. 145703-1-145703-7,2017年04月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by post-oxidation Ar annealing at high temperature,Takuma Kobayashi,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,AIP Advances,Vol. 7,No. 4,p. 045008-1-045008-5,2017年04月12日,研究論文(学術雑誌)
  • Impact of annealing temperature on surface passivation of SiC epitaxial layers with deposited SiO2 followed by POCl3 annealing,Takafumi Okuda,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Jun Suda,2016 IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA),p. 233-235,2016年12月29日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of Thermal Oxides on 4H-SiC Epitaxial Substrates Using Fourier-Transform Infrared Spectroscopy,Hirofumi Seki,Masanobu Yoshikawa,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Yukihiro Ozaki,Applied Spectroscopy,Vol. 71,No. 5,p. 911-918,2016年07月12日,研究論文(学術雑誌)
  • Interface state density of SiO2/p-type 4H-SiC (0001), (11-20), (1-100) metal-oxide-semiconductor structures characterized by low-temperature subthreshold slopes,Takuma Kobayashi,Seiya Nakazawa,Takafumi Okuda,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,Applied Physics Letters,Vol. 108,No. 15,p. 152108-1-152108-4,2016年04月13日,研究論文(学術雑誌)
  • Surface passivation on 4H-SiC epitaxial layers by SiO2 with POCl3 annealing,Takafumi Okuda,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Jun Suda,Applied Physics Express,Vol. 9,No. 5,p. 051301-1-051301-4,2016年03月30日,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of conduction-type on thermal oxidation rate in SiC(0001) with various doping densities,Takuma Kobayashi,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,Materials Science Forum,Materials Science Forum,Vol. 821-823,p. 456-459,2015年06月30日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of inhomogeneity in SiO2 films on 4H-SiC epitaxial substrate by a combination of Fourier transform infrared spectroscopy and cathodoluminescence spectroscopy,Masanobu Yoshikawa,Hirohumi Seki,Keiko Inoue,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Materials Science Forum,Materials Science Forum,Vol. 821-823,p. 460-463,2015年06月30日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Impact of conduction type and doping density on thermal oxidation rate of SiC(0001),Takuma Kobayashi,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,Applied Physics Express,Vol. 7,No. 12,p. 121301-1-121301-3,2014年11月13日,研究論文(学術雑誌)
  • Conduction-type dependence of thermal oxidation rate on SiC(0001),Takuma Kobayashi,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK),p. 1-2,2014年07月31日,研究論文(国際会議プロシーディングス)

著書

  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化,小林拓真,木本恒暢,(株)エヌ・ティー・エス,ISBN:9784860437671,2022年02月25日

特許・実用新案・意匠

  • SiC半導体素子の製造方法及びSiC半導体素子,木本 恒暢,小林 拓真,立木 馨大,特許7412765,特願2020-098244,出願日:2020年06月05日,登録日:2024年01月04日
  • 半導体装置およびその製造方法,木本 恒暢,小林 拓真,中野 佑紀,明田 正俊,特許7241704,PCT/JP2019/000540,出願日:2019年01月10日,登録日:2023年03月09日
  • 半導体装置およびその製造方法,木本 恒暢,小林 拓真,中野 佑紀,明田 正俊,特願2022-178306,出願日:2022年11月17日

受賞

  • 第12回 エヌエフ基金研究開発奨励賞 優秀賞,小林 拓真,2023年12月
  • 第22回 船井研究奨励賞,小林 拓真,2023年05月
  • 第43回 応用物理学会論文奨励賞,小林 拓真,2022年03月
  • 研究奨励賞, 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第2回講演会,小林 拓真,2015年11月
  • 発表奨励賞, 第294回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会,小林 拓真,2015年01月
  • Student Paper Award, IMFEDK 2014,Takuma Kobayashi,2014年06月
  • 奨励賞, 第2回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール,小林 拓真,2013年08月

講演・口頭発表等

  • 犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化,八軒 慶慈,藤本 博貴,小林 拓真,平井 悠久,染谷 満,岡本 光央,志村 考功,渡部 平司,第71回応用物理学会春季学術講演会,2024年03月23日
  • Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化,早川 雄大,近藤 優聖,國吉 望月,小林 拓真,志村 孝功,渡部 平司,第71回応用物理学会春季学術講演会,2024年03月23日
  • 低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関,大西 健太郎,中沼 貴澄,田原 康佐,朽木 克博,志村 考功,渡部 平司,小林 拓真,第71回応用物理学会春季学術講演会,2024年03月23日
  • 第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査,岩本 蒼典,志村 考功,渡部 平司,小林 拓真,第71回応用物理学会春季学術講演会,2024年03月23日
  • Si 基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地SiO2膜厚の最適化,早川 雄大,近藤 優聖,國吉 望月,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第 29 回電子デバイス界面テクノロジー研究会,2024年02月02日
  • SiO2/GaN界面酸化ガリウム層に対する熱処理の影響,上沼 睦典,大西 健太郎,富田 広人,川村 聡太,多田村 充,盛喜 琢也,夏井 葉月,橋本 由介,小林 拓真,藤井 茉美,松下 智裕,渡部 平司,浦岡 行治,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会,2023年12月01日
  • 量子技術応用に向けたSiC MOS界面単一光子源の制御,中沼 貴澄,田原 康佐,朽木 克博,志村 考功,渡部 平司,小林 拓真,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会,2023年12月01日
  • SiO2とSiCの直接貼り合わせによるSiO2/SiC構造の形成,神畠 真治,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会,2023年11月30日
  • ゲートストレス印加によるSiC MOS界面の劣化とデバイス特性への影響,小柳 香穂,小林 拓真,平井 悠久,染谷 満,岡本 光央,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会,2023年11月30日
  • プラズマ窒化・SiO2堆積・CO2熱処理の複合プロセスによる高品質SiC MOS構造の形成,藤本 博貴,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会,2023年11月30日
  • SiO2/GaOx/GaN構造の固定電荷に対するポストアニールの効果,荒木 唯衣,小林 拓真,冨ケ原 一樹,野﨑 幹人,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会,2023年11月30日
  • Below-gap光照射によるn型GaN MOS 界面の正孔トラップ評価,冨ケ原 一樹,小林 拓真,野﨑 幹人,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会,2023年11月30日
  • 低温追酸化プロセスによるSiO2/SiC界面単一光子源の形成,大西 健太郎,中沼 貴澄,田原 康佐,朽木 克博,志村 考功,渡部 平司,小林 拓真,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会,2023年11月30日
  • Effects of doped Mg concentrations on the reduction of hole traps in the vicinity of the SiO2/p-GaN MOS interface,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14),2023年11月14日
  • Hole Traps in SiO2/GaN MOS structures Evaluated by Below-gap Light Illumination,Kazuki Tomigahara,Takuma Kobayashi,Mikito Nozaki,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14),2023年11月14日
  • Characterizations of nitrogen profiles and interface properties in NO-nitrided SiO2/SiC(03̅38̅) structures,Hayato Iwamoto,Takato Nakanuma,Hirohisa Hirai,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY -,2023年10月25日
  • 局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析,岩本 蒼典,細井 卓治,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第84回 応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月23日
  • Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価,冨ケ原 一樹,小林 拓真,野﨑 幹人,志村 考功,渡部 平司,第84回 応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月22日
  • SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響,溝端 秀聡,野﨑 幹人,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第84回 応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月22日
  • SiO2/SiC(0-33-8) 構造の NO 窒化過程の観察と電気特性評価,岩本 隼登,中沼 貴澄,平井 悠久,染谷 満,岡本 光央,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第84回 応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月21日
  • Formation of color centers at SiO2/SiC interfaces by thermal oxidation and its correlation with electrical properties,Kentaro Onishi,Takato Nakanuma,Kosuke Tahara,Katsuhiro Kutsuki,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Takuma Kobayashi,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023,2023年09月21日
  • A SiO2/SiC interface formed by direct bonding of SiO2 and SiC,Shinji Kamihata,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023,2023年09月20日
  • Ab initio study of oxygen-vacancy defect in 4H-SiC: A potential qubit,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023,2023年09月20日
  • 高エネルギーX線CT計測 -高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージングとの比較検証-,志村 考功,梶原 堅太郎,辻 成希,小林 拓真,渡部 平司,第84回 応用物理学会秋季学術講演会,2023年09月19日
  • Controlling the properties of single photon emitters at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing,Takato Nakanuma,Kosuke Tahara,Katsuhiro Kutsuki,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Takuma Kobayashi,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023,2023年09月19日
  • Improved interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface prior to SiO2 deposition,Hiroki Fujimoto,Takuma Kobayashi,Yu Iwakata,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023,2023年09月19日
  • Accurate analysis of leakage characteristics of SiC (1-100) MOS devices over a wide temperature range,Asato Suzuki,Takuma Kobayashi,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023,2023年09月19日
  • Fabrication of SiO2/4H-SiC MOS devices by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing,Tae-Hyeon Kil,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023,2023年09月18日
  • SiO2/SiC界面発光中心密度と電気的特性の相関,中沼 貴澄,田原 康佐,木村 大至,朽木 克博,志村 考功,渡部 平司,小林 拓真,第70回 応用物理学会春季学術講演会,2023年03月15日
  • Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価,近藤 優聖,田淵 直人,國吉 望月,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第70回 応用物理学会春季学術講演会,2023年03月16日
  • スパッタ成膜によるGe(100)基板上への高品質単結晶GeSn層のエピタキシャル成長,田中 信敬,國吉 望月,安部 和弥,星原 雅生,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第28回研究会),2023年02月04日
  • 酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜 SiO2/GaN MOS 構造の界面特性及び絶縁性向上,大西 健太郎,小林 拓真,溝端 秀聡,野﨑 幹人,吉越 章隆,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会,2022年12月20日
  • 酸化および熱処理プロセスによる SiO2/SiC 界面発光中心の制御,中沼 貴澄,田原 康佐,木村 大至,朽木 克博,志村 考功,渡部 平司,小林 拓真,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会,2022年12月20日
  • NO 窒化 SiC(1-100) MOS デバイスのリーク伝導機構,鈴木 亜沙人,中沼 貴澄,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,吉越 章隆,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会,2022年12月20日
  • NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響,藤本 博貴,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会,2022年12月20日
  • Control of oxidation and reduction reactions at SiO2/GaN interfaces towards high performance and reliability GaN MOSFETs,Takuma Kobayashi,Bunichiro Mikake,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022),2022年10月12日
  • Fabrication of stable and low leakage SiO2/GaN MOS devices by sputter deposition of SiO2 combined with post annealing processes,Kentaro Onishi,Takuma Kobayashi,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Akitaka Yoshigoe,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022),2022年10月11日
  • Evaluation of hole trap density at SiO2/GaN MOS interfaces through capacitance-voltage measurements under ultraviolet light illumination,Takuma Kobayashi,Kazuki Tomigahara,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022),2022年10月10日
  • Controllability of Luminescence Wavelength from GeSn Wires Fabricated by Laser Zone Melting on Quartz Substrates,Takayoshi Shimura,Ryoga Yamaguchi,Naoto Tabuchi,Masato Kondo,Mizuki Kuniyoshi,Takuji Hosoi,Takuma Kobayashi,Heiji Watanabe,2022 International Conference on Solid State Devices and Materials,2022年09月27日
  • Analysis of leakage current mechanisms in NO-nitrided SiC(1-100) MOS devices,Asato Suzuki,Takato Nakanuma,Takuma Kobayashi,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Akitaka Yoshigoe,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,2022 International Conference on Solid State Devices and Materials,2022年09月28日
  • Characterization of Trap States of SiO2/GaN Interface and SiO2 Layer by Deep Level Transient Spectroscopy,Shingo Ogawa,Hidetoshi Mizobata,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,2022 International Conference on Solid State Devices and Materials,2022年09月28日
  • Suppression of GaOx interlayer growth towards stable SiO2/GaN MOS devices,Kentaro Onishi,Takuma Kobayashi,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Akitaka Yoshigoe,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,2022 International Conference on Solid State Devices and Materials,2022年09月28日
  • Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価,田中 信敬,安部 和弥,星原 雅生,國吉 望月,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第83回 応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
  • スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長,國吉 望月,安部 和弥,田中 信敬,星原 雅生,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第83回 応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
  • スパッタ成膜SiO2/GaN構造におけるGa拡散抑制効果,大西 健太郎,小林 拓真,溝端 秀聡,野﨑 幹人,吉越 章隆,志村 考功,渡部 平司,第83回 応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月22日
  • スパッタSiO2成膜によるSiO2/GaN MOS界面のGaOx層抑制,大西 健太郎,小林 拓真,溝端 秀聡,野﨑 幹人,吉越 章隆,志村 考功,渡部 平司,第83回 応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月22日
  • 紫外光照射によるNO窒化4H-SiC(11-20) MOSデバイスの電気特性劣化,藤本 博貴,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,志村 孝功,渡部 平司,第83回 応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
  • NO窒化を施した非基底面上SiO2/SiC構造のバンドアライメント評価,中沼 貴澄,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,吉越 章隆,志村 考功,渡部 平司,第83回 応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
  • NO窒化処理を施したSiC(1-100) MOSデバイスのリーク電流特性,鈴木 亜沙人,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,志村 考功,渡部 平司,第83回 応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
  • 窒化後CO2熱処理による4H-SiC(0001) CMOSデバイスの性能向上,國吉 望月,Kidist Moges,小林 拓真,細井 卓治,志村 考功,立木 馨大,木本 恒暢,渡部 平司,第83回 応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
  • 高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージング,志村 考功,梶原 堅太郎,辻 成希,小林 拓真,渡部 平司,第83回 応用物理学会秋季学術講演会,2022年09月21日
  • The optical properties of the carbon di-vacancy-antisite complex in the light of the TS photoluminescence center,Maximilian Schober,Nicolas Jungwirth,Takuma Kobayashi,Johannes Lehmeyer,Michael Krieger,Heiko Weber,Michel Bockstedte,9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022),2022年09月12日
  • Improved Performance of SiC CMOS Ring Oscillators By Post-nitridation Treatment in CO2,Mizuki Kuniyoshi,Kidist Moges,Takuma Kobayashi,Takuji Hosoi,Takayoshi Shimura,Keita Tachiki,Tsunenobu Kimoto,Heiji Watanabe,9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022),2022年09月14日
  • Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination,Hiroki Fujimoto,Takuma Kobayashi,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022),2022年09月14日
  • Impact of Oxidation and Post Annealing on the Density and Optical Properties of Color Centers at SiO2/SiC Interfaces,Takato Nakanuma,Takuma Kobayashi,Kosuke Tahara,Taishi Kimura,Katsuhiro Kutsuki,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022),2022年09月14日
  • Nitridation-induced degradation of SiC (1-100) MOS devices,Takuma Kobayashi,Takato Nakanuma,Asato Suzuki,Mitsuru,Sometani,Mitsuo Okamoto,Akitaka Yoshigoe,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022),2022年09月13日
  • Recent progress and challenges in SiC and GaN MOS devices: understanding of physics and chemistry near the MOS interface,Heiji Watanabe,Takuma Kobayashi,Takuji Hosoi,Takayoshi Shimura,9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022),2022年09月13日
  • Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices,Takuma Kobayashi,Takato Nakanuma,Asato Suzuki,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Akitaka Yoshigoe,Takuji Hosoi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX),2022年09月07日
  • Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors,Yutaka Terao,Takuji Hosoi,Shinya Takashima,Takuma Kobayashi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022),2022年03月30日
  • Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices,Takato Nakanuma,Asato Suzuki,Yu Iwakata,Takuma Kobayashi,Takuji Hosoi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022),2022年03月29日
  • SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成,小林 拓真,奥田 貴史,立木 馨大,伊藤 滉二,松下 雄一郎,木本 恒暢,第69回 応用物理学会 春季学術講演会,2022年03月24日
  • 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響,溝端 秀聡,和田 悠平,野﨑 幹人,小林 拓真,細井 卓治,加地 徹,志村 考功,渡部 平司,第69回 応用物理学会 春季学術講演会,2022年03月24日
  • 紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価,冨ヶ原 一樹,中沼 貴澄,溝端 秀聡,野﨑 幹人,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第69回 応用物理学会 春季学術講演会,2022年03月24日
  • NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響,藤本 博貴,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,細井 卓治,志村 孝功,渡部 平司,第69回 応用物理学会 春季学術講演会,2022年03月24日
  • 酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO2/GaN MOS構造の形成,見掛 文一郎,溝端 秀聡,野﨑 幹人,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第69回 応用物理学会 春季学術講演会,2022年03月24日
  • スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成,大西 健太郎,見掛 文一郎,冨ヶ原 一樹,溝端 秀聡,野崎 幹人,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第69回 応用物理学会 春季学術講演会,2022年03月24日
  • DLTSによるSiO2/GaN界面およびSiO2膜中トラップ準位の評価,小川 慎吾,溝端 秀聡,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第69回 応用物理学会 春季学術講演会,2022年03月24日
  • NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性,中沼 貴澄,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,吉越 章隆,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,(一社)電気学会 電子デバイス研究会,2022年03月09日
  • NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価,中沼 貴澄,岩片 悠,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,吉越 章隆,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会),2022年01月29日
  • 光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化,田淵 直人,山口 凌雅,近藤 雅斗,國吉 望月,細井 卓治,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会),2022年01月28日
  • 局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性,志村 考功,細井 卓治,小林 拓真,渡部 平司,レーザー学会学術講演会第42回年次大会,2022年01月13日
  • Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices,Tsunenobu Kimoto,Mitsuaki Kaneko,Keita Tachiki,Koji Ito,Ryoya Ishikawa,Xilun Chi,Dionysios Stefanakis,Takuma Kobayashi,Hajime Tanaka,67th IEEE International Electron Devices Meeting,2021年12月15日
  • 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたp型GaN MOSデバイスの電気特性評価,溝端 秀聡,和田 悠平,野﨑 幹人,小林 拓真,細井 卓治,加地 徹,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会,2021年12月10日
  • GaN(000-1)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価,冨ヶ原 一樹,和田 悠平,溝端 秀聡,野﨑 幹人,吉越 章隆,細井 卓治,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会,2021年12月09日
  • エキシマ紫外光照射によるNO窒化SiC MOSデバイスの特性劣化,藤本 博貴,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会,2021年12月09日
  • SiO2/GaN MOS構造におけるゲート絶縁膜信頼性への堆積後熱処理の効果,見掛 文一郎,溝端 秀聡,野﨑 幹人,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会,2021年12月09日
  • NO-POAを施したSiO2/4H-SiC(1-100)界面の電気特性評価および物理分析,鈴木 亜沙人,中沼 貴澄,岩片 悠,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会,2021年12月09日
  • 炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化,小林 拓真,奥田 貴史,立木 馨大,伊藤 滉二,松下 雄一郎,木本 恒暢,令和3年11月度電子情報通信学会 (SDM) 研究会,2021年11月12日
  • 符号化開口を用いた後方散乱X線イメージング,志村 考功,小林 拓真,細井 卓治,渡部 平司,日本光学会年次学術講演会2021,2021年10月28日
  • A New Horizon of SiC Technology Driven by Deeper Understanding of Physics,Tsunenobu Kimoto,Mitsuaki Kaneko,Takuma Kobayashi,Hajime Tanaka,Keita Tachiki,Akifumi Iijima,Shoma Yamashita,Xilun Chi,Ying Xin Zhao,Dionysios Stefanakis,Yu-ichiro Matsushita,13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020・2021),2021年10月28日
  • Generation and transformation of intrinsic color centers in 4H-silicon carbide via ion implantation and annealing,Takuma Kobayashi,Maximilian Rühl,Johannes Lehmeyer,Leonard Zimmermann,Michael Krieger,Heiko Weber,13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020・2021),2021年10月25日
  • イオン注入および熱処理による4H-SiC中への発光中心の選択的形成,小林 拓真,Maximilian Rühl,Johannes Lehmeyer,Leonard Zimmermann,Michael Krieger,Heiko Weber,第82回 応用物理学会秋季学術講演会,2021年09月12日
  • 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価,和田 悠平,溝端 秀聡,野﨑 幹人,小林 拓真,細井 卓治,櫻井 秀樹,加地 徹,吉越 章隆,志村 考功,渡部 平司,第82回 応用物理学会秋季学術講演会,2021年09月12日
  • 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価,和田 悠平,溝端 秀聡,野﨑 幹人,小林 拓真,細井 卓治,櫻井 秀樹,加地 徹,志村 考功,渡部 平司,第82回 応用物理学会秋季学術講演会,2021年09月12日
  • Evaluation of long-term reliability of 4H-SiC(0001) CMOS ring oscillators at high temperature,Kidist Moges Ayele,Takuma Kobayashi,Takuji Hosoi,Takayoshi Shimura,Keita Tachiki,Tsunenobu Kimoto,Heiji Watanabe,第82回 応用物理学会秋季学術講演会,2021年09月11日
  • NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの信頼性評価,中沼 貴澄,岩片 悠,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,吉越 章隆,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,第82回 応用物理学会秋季学術講演会,2021年09月11日
  • SiO2/非基底面4H-SiC界面のNO窒化過程の観察と電気特性評価,中沼 貴澄,岩片 悠,小林 拓真,染谷 満,岡本 光央,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,第82回 応用物理学会秋季学術講演会,2021年09月11日
  • 石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における光吸収層の検討,田淵 直人,國吉 望月,細井 卓治,小林 拓真,志村 考功,渡部 平司,第82回 応用物理学会秋季学術講演会,2021年09月10日
  • Reduction of interface state density in the SiC MOS structures by a non-oxidation process,Tsunenobu Kimoto,Keita Tachiki,Takuma Kobayashi,Yu-ichiro Matsushita,2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021),2021年09月08日
  • Fixed Charge Generation in SiO2/GaN MOS Structures by Forming Gas Annealing and its Suppression by Controlling Ga-oxide Interlayer Growth,Hidetoshi Mizobata,Mikito Nozaki,Takuma Kobayashi,Takuji Hosoi,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021),2021年09月09日
  • Comprehensive Physical and Electrical Characterizations of NO Nitrided SiO2/4H-SiC(11-20) Interfaces,Takato Nakanuma,Yuu Iwakata,Takuji Hosoi,Takuma Kobayashi,Mitsuru Sometani,Mitsuo Okamoto,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021),2021年09月08日
  • Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs,Tsunenobu Kimoto,Takuma Kobayashi,Keita Tachiki,Koji Ito,Mitsuaki Kaneko,5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021,2021年04月11日
  • 水素エッチングとSiO2堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO2界面の形成,立木 馨大,金子 光顕,小林 拓真,木本 恒暢,第68回 応用物理学会 春季学術講演会,2021年03月18日
  • SiCパワーMOSFETおよび界面高品質化の進展,木本 恒暢,小林 拓真,立木 馨大,松下 雄一郎,第68回 応用物理学会 春季学術講演会,2021年03月16日
  • SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響,伊藤 滉二,小林 拓真,木本 恒暢,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会,2020年12月10日
  • H2エッチング、酸化膜堆積、N2アニール による4H-SiC/SiO2界⾯準位の低減,立木 馨大,金子 光顕,小林 拓真,木本 恒暢,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会,2020年12月09日
  • 酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成,立木 馨大,金子 光顕,小林 拓真,木本 恒暢,第81回 応用物理学会 秋季学術講演会,2020年09月10日
  • SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響,伊藤 滉二,小林 拓真,木本 恒暢,先進パワー半導体分科会 第6回講演会,2019年12月03日
  • Energy distributions of interface state density originating from tail states of the conduction band in SiC MOS structures,Koji Ito,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors,2019年11月14日
  • The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study,Takahide Umeda,Takuma Kobayashi,Yu-ichiro Matsushita,Eito Higa,Hiroshi Yano,Mitsuru Sometani,Shinsuke Harada,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019,2019年10月02日
  • Systematic investigation of carbon-related defects in SiC (0001)/SiO2 systems: A hybrid density functional study,Takuma Kobayashi,Yu-ichiro Matsushita,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019,2019年10月02日
  • Interface state density distributions near the conduction band edge originating from the conduction band fluctuation in SiO2/SiC systems,Koji Ito,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019,2019年10月01日
  • The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: A first-principles study,Takuma Kobayashi,Takahide Umeda,Yu-ichiro Matsushita,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019,2019年09月30日
  • α-Ga2O3中固有点欠陥の局所構造と電子状態,小林 拓真,我毛 智哉,熊谷 悠,大場 史康,松下 雄一郎,第80回 応用物理学会秋季学術講演会,2019年09月18日
  • SiC MOS界面における伝導帯端の異常なゆらぎの発見,伊藤 滉二,小林 拓真,木本 恒暢,第320回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会,2019年07月08日
  • Promise and Future Challenges of SiC Power MOSFETs,Tsunenobu Kimoto,Takuma Kobayashi,Keita Tachiki,Koji Ito,21st Conference on Insulating Films on Semiconductors,2019年07月01日
  • リン処理によるSiC/SiO2界面の炭素関連欠陥の低減機構,小林 拓真,松下 雄一郎,奥田 貴史,木本 恒暢,押山 淳,第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月11日
  • 第一原理計算によるSiC/SiO2界面近傍の炭素関連欠陥の構造同定,小林 拓真,松下 雄一郎,第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月11日
  • SiC MOSFETにおける界面準位密度分布のボディ層濃度依存性,伊藤 滉二,小林 拓真,堀田 昌宏,須田 淳,木本 恒暢,第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月11日
  • SiC 酸化膜中の窒素関連欠陥の構造とその電子状態,松下 雄一郎,小林 拓真,第66回 応用物理学会春季学術講演会,2019年03月10日
  • SiC MOSFETにおける高密度界面準位がロールオフ特性に及ぼす影響の解析,立木 馨大,小野 貴央,小林 拓真,木本 恒暢,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会,2018年11月06日
  • 第一原理計算による4H-SiC中のC欠陥の安定構造の同定,小林 拓真,原田 航,熊谷 悠,大場 史康,松下 雄一郎,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会,2018年11月06日
  • SiC MOSFETのゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価,伊藤 滉二,小林 拓真,堀田 昌宏,須田 淳,木本 恒暢,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会,2018年11月06日
  • 高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価,伊藤滉二,小林拓真,堀田昌宏,須田淳,木本恒暢,第79回 応用物理学会 秋季学術講演会,2018年09月20日
  • Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by very-low-oxygen-partial-pressure annealing,Takuma Kobayashi,Keita Tachiki,Koji Ito,Yu-ichiro Matsushita,Tsunenobu Kimoto,European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018,2018年09月04日
  • Influence of interface states on threshold voltage of SiC short-channel MOSFETs,Keita Tachiki,Takahisa Ono,Takuma Kobayashi,Hajime Tanaka,Tsunenobu Kimoto,European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018,2018年09月04日
  • Modeling of electron trapping in SiC MOSFETs considering interface-state-density distribution extracted from gate characteristics,Koji Ito,Takuma Kobayashi,Masahiro Horita,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018,2018年09月03日
  • 高密度界面欠陥の影響を考慮したSiC MOSFETにおける短チャネル効果の研究,立木馨大,小野貴央,小林拓真,田中一,木本恒暢,第315回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会,2018年07月18日
  • SiC MOSFETにおける界面準位が短チャネル効果に及ぼす影響,立木馨大,小野貴央,小林拓真,木本恒暢,第65回 応用物理学会 春季学術講演会,2018年03月20日
  • SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価,伊藤滉二,立木馨大,小林拓真,堀田昌宏,須田淳,木本恒暢,第65回 応用物理学会 春季学術講演会,2018年03月20日
  • Progress and future challenges of SiC power devices and process technology,Tsunenobu Kimoto,Hiroki Niwa,Naoki Kaji,Takuma Kobayashi,Ying Zhao,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,2017 IEEE International Electron Devices Meeting,2017年12月04日
  • SiC MOSFETにおける短チャネル効果発現と臨界チャネル長の検討,立木馨大,小野貴央,小林拓真,木本恒暢,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会,2017年11月01日
  • Microscopic mechanism of the removal of carbon-associated defects at a SiO2/SiC interface due to phosphorus treatment,Takuma Kobayashi,Yu-ichiro Matsushita,Tsunenobu Kimoto,Atsushi Oshiyama,CPMD 2017 Workshop,2017年10月19日
  • Evidence of carbon-related defects at the SiC MOS interface and mechanism of defect passivation by nitridation and phosphorus treatment - chemical analyses combined with DFT calculations,Takuma Kobayashi,Yu-ichiro Matsushita,Takafumi Okuda,Atsushi Oshiyama,Tsunenobu Kimoto,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017,2017年09月19日
  • Experimental study on short channel effects in 4H-SiC MOSFETs,Keita Tachiki,Takahisa Ono,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017,2017年09月19日
  • Observation of oxidation-induced carbon-rich region in the near-interface SiC by high-resolution STEM-EDX,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017,2017年09月18日
  • SiC MOSFET における短チャネル効果に関する実験的研究,立木馨大,小野貴央,小林拓真,木本恒暢,第78回 応用物理学会 秋季学術講演会,2017年09月05日
  • Impact of annealing temperature on surface passivation of SiC epitaxial layers with deposited SiO2 followed by POCl3 annealing,Takafumi Okuda,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Jun Suda,4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications,2016年11月09日
  • 高濃度AlドープSiCの酸化機構とMOS界面電子物性,小林拓真,中澤成哉,奥田貴史,須田淳,木本恒暢,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回講演会,2016年11月09日
  • Reduction of interface state density in SiC(0001) MOS structures by post-oxidation Ar annealing at high temperature,Takuma Kobayashi,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2016,2016年09月29日
  • 高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討,小林拓真,中澤成哉,奥田貴史,須田淳,木本恒暢,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第2回講演会,2015年11月09日
  • Surface passivation on p‐type 4H‐SiC epitaxial layers by deposited SiO2 with POCl3 annealing,Takafumi Okuda,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Jun Suda,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015,2015年10月08日
  • Cause for the mobility drop in SiC MOSFETs with heavily-doped p-bodies,Takuma Kobayashi,Seiya Nakazawa,Takafumi Okuda,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015,2015年10月05日
  • Characterization of the interfacial chemical structure of silicon dioxide on 4H‐SiC (0001) by Fourier transform infrared spectroscopy,Hirofumi Seki,Masanobu Yoshikawa,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015,2015年10月05日
  • Accurate evaluation of interface state densities of 4H-SiC (0001) MOS structures annealed in POCl3 by C–ψS method,Takuma Kobayashi,Takafumi Okuda,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015,2015年10月05日
  • SiC酸化速度の伝導型およびドーピング密度による依存性,小林拓真,須田淳,木本恒暢,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第1回講演会,2014年11月19日
  • Characterization of inhomogeneity in SiO2 films on 4H-SiC epitaxial substrate by a combination of Fourier transform infrared spectroscopy and cathodoluminescence spectroscopy,Masanobu Yoshikawa,Hirofumi Seki,Keiko Inoue,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014,2014年09月24日
  • Interface properties and mobility-limiting factors in 4H-SiC (0001), (11-20), and (1-100) MOS structures,Seiya Nakazawa,Takafumi Okuda,Takuma Kobayashi,Jun Suda,Takashi Nakamura,Tsunenobu Kimoto,European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014,2014年09月23日
  • Influence of conduction-type on thermal oxidation rate in SiC (0001) with various doping densities,Takuma Kobayashi,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2014,2014年09月23日
  • SiC酸化速度の伝導型依存性,小林拓真,須田淳,木本恒暢,第294回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会,2014年07月23日
  • Conduction-type dependence of thermal oxidation rate on SiC (0001),Takuma Kobayashi,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,The 2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai,2014年06月20日
  • 分光エリプソメトリと原子間力顕微鏡 (AFM) による4H-SiC (0001) 熱酸化膜厚の評価,小林拓真,中澤成哉,南園悠一郎,須田淳,木本恒暢,SiC及び関連半導体研究会 第22回講演会,2013年12月09日

報道

  • エヌエフ基金 研究開発奨励賞を発表 環境など3分野 若手研究者を支援,2023年12月08日
  • エヌエフ基金、若手研究者10人に奨励賞 都内で発表会・表彰式,2023年12月05日
  • SiCデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅低減,2023年08月07日
  • 阪大、独自技術を活用しSiC/絶縁膜界面の欠陥を低減する新手法を開発,2023年08月04日
  • 30年来の課題解決に道、SiC MOSFETのコストを激減,2020年09月23日
  • SiCパワー半導体を10倍に高性能化する製造方法を東工大などが開発,マイナビニュース,2020年09月08日
  • SiCパワー半導体の低コスト化へ前進,電波新聞,2020年08月21日
  • 新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に,2020年08月21日
  • 30年来の課題解決に道、SiC MOSFETのコストを数分の1へ,2020年08月21日

委員歴

  • 学協会,応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会,チュートリアル世話人,2022年 ~