Tunneling current in Schottky structures formed on heavily doped n-type GaN

Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025/07/10

Thermal generation rate of hole traps in GaN MOS structures

Masahiro Hara, Kenji Hirahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025/07/08

Reduction of hole traps in GaN MOS structures by introducing Mg atoms near SiO2/GaN interfaces

Yuichi Sakagami, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025/07/07

絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の形成

前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025/03/16

熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度

原 征大, 平原 賢治, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025/03/17

表面界面反応制御に基づく高品質 SiC MOS 界面の形成

藤本 博貴, 小林 拓真, 渡部 平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024/11/26

低温 PECVD により作製した SiO2/p 型 GaN MOS 構造における正孔トラップの評価

原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024/11/26

熱処理に対する高 Mg 濃度 p 型 GaN MOS 構造の安定性評価

阪上 優一, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 渡部 平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024/11/25

酸素および窒素熱処理による SiO2/β-Ga2O3 MOS 構造の高品質化

前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024/11/25

高温ゲートストレス印加による SiC MOSFET のチャネル移動度劣化機構

八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024/11/25

超高温酸化プロセスによる SiC MOSFET の高温高電界ストレス耐性の向上

陳 強, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024/11/25

熱酸化及び水素エッチングによる SiC(0001)表面構造の変化

神畠 真治, 小林 拓真, 渡部 平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024/11/25

Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer

Hidetoshi Mizobata, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024)　2024/11/04

Impacts of thermal oxidation and forming gas annealing on surface morphology of SiC(0001)

Shinji Kamihata, Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024/10/01

Impact of Post Deposition Annealing on SiO2/SiC Structures Formed by Plasma Nitridation of the SiC Surface

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)　2024/09/30

広温度範囲に亘るSiO2/SiC界面発光中心の形成過程の調査

兼子 悠, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

負電圧ゲートストレス印加によるSiC MOSFETのチャネル移動度劣化

八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

高温酸化プロセスによるSiC MOSFETのゲートストレス耐性向上

陳 強, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

正孔捕獲を抑制した高Mg濃度p型GaN MOS構造の熱安定性

阪上 優一, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 渡部 平司

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

ナノチャネルスパッタエピタキシーによる歪み緩和GeSn薄膜成長

石丸 賢昇, 田中 信敬, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

SiC(0001)表面モフォロジーに対する酸化及び水素エッチングの影響

神畠 真治, 小林 拓真, 渡部 平司

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

SiO2/SiC界面発光中心の発光強度の酸化温度・酸素分圧依存性

大西 健太郎, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

NO窒化SiC(0-33-8) MOS構造の界面特性及び信頼性評価

岩本 隼登, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

第一原理計算を用いた4H-SiC中不純物-空孔ペアに関する包括的調査

岩本 蒼典, 渡部 平司, 小林 拓真

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

SiC 表面のプラズマ窒化と絶縁膜堆積により形成した SiO2/SiC 構造に対する後熱処理の効果

藤本 博貴, 小林 拓真, 渡部 平司

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

SiO2/SiC界面発光中心の密度に対する熱処理雰囲気及び時間の影響

中沼 貴澄, 田原 康佐, 遠山 晴子, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

PECVD-SiO2の成膜温度がp型GaN MOS界面正孔トラップに与える影響

原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

SiO2堆積後熱処理によるp型GaN MOS界面正孔トラップ生成

原 征大, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

Comprehensive Research on Nitrided SiO2/4H-SiC Interfaces

Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024)　2024/09/04

犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化

八軒 慶慈, 藤本 博貴, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/23

Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化

早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 孝功, 渡部 平司

第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/23

低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関

大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/23

第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査

岩本 蒼典, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/23

Optimization of Laser Scanning Conditions and Thickness of SiO2 Underlayer in Laser-induced Liquid-phase Crystallization of GeSn Wires on Si substrates

2024/02/02

SiO2/GaN界面酸化ガリウム層に対する熱処理の影響

上沼 睦典, 大西 健太郎, 富田 広人, 川村 聡太, 多田村 充, 盛喜 琢也, 夏井 葉月, 橋本 由介, 小林 拓真, 藤井 茉美, 松下 智裕, 渡部 平司, 浦岡 行治

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/12/01

量子技術応用に向けたSiC MOS界面単一光子源の制御

中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/12/01

SiO2とSiCの直接貼り合わせによるSiO2/SiC構造の形成

神畠 真治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/11/30

ゲートストレス印加によるSiC MOS界面の劣化とデバイス特性への影響

小柳 香穂, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/11/30

プラズマ窒化・SiO2堆積・CO2熱処理の複合プロセスによる高品質SiC MOS構造の形成

藤本 博貴, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/11/30

SiO2/GaOx/GaN構造の固定電荷に対するポストアニールの効果

荒木 唯衣, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/11/30

Below-gap光照射によるn型GaN MOS 界面の正孔トラップ評価

冨ケ原 一樹, 小林 拓真, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/11/30

低温追酸化プロセスによるSiO2/SiC界面単一光子源の形成

大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/11/30

Effects of doped Mg concentrations on the reduction of hole traps in the vicinity of the SiO2/p-GaN MOS interface

Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/14

Hole Traps in SiO2/GaN MOS structures Evaluated by Below-gap Light Illumination

Kazuki Tomigahara, Takuma Kobayashi, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/14

Characterizations of nitrogen profiles and interface properties in NO-nitrided SiO2/SiC(03̅38̅) structures

Hayato Iwamoto, Takato Nakanuma, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY -　2023/10/25

局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析

岩本 蒼典, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/23

Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価

冨ケ原 一樹, 小林 拓真, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司

第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/22

SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響

溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/22

SiO2/SiC(0-33-8) 構造の NO 窒化過程の観察と電気特性評価

岩本 隼登, 中沼 貴澄, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/21

Formation of color centers at SiO2/SiC interfaces by thermal oxidation and its correlation with electrical properties

Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023/09/21

A SiO2/SiC interface formed by direct bonding of SiO2 and SiC

Shinji Kamihata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023/09/20

Ab initio study of oxygen-vacancy defect in 4H-SiC: A potential qubit

Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023/09/20

高エネルギーX線CT計測 -高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージングとの比較検証-

志村 考功, 梶原 堅太郎, 辻 成希, 小林 拓真, 渡部 平司

第84回 応用物理学会秋季学術講演会　2023/09/19

Controlling the properties of single photon emitters at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023/09/19

Improved interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface prior to SiO2 deposition

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Yu Iwakata, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023/09/19

Accurate analysis of leakage characteristics of SiC (1-100) MOS devices over a wide temperature range

Asato Suzuki, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023/09/19

Fabrication of SiO2/4H-SiC MOS devices by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing

Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2023　2023/09/18

SiO2/SiC界面発光中心密度と電気的特性の相関

中沼 貴澄, 田原 康佐, 木村 大至, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

第70回 応用物理学会春季学術講演会　2023/03/15

Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価

近藤 優聖, 田淵 直人, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第70回 応用物理学会春季学術講演会　2023/03/16

スパッタ成膜によるGe(100)基板上への高品質単結晶GeSn層のエピタキシャル成長

田中 信敬, 國吉 望月, 安部 和弥, 星原 雅生, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第28回研究会）　2023/02/04

酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜 SiO2/GaN MOS 構造の界面特性及び絶縁性向上

大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022/12/20

酸化および熱処理プロセスによる SiO2/SiC 界面発光中心の制御

中沼 貴澄, 田原 康佐, 木村 大至, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022/12/20

NO 窒化 SiC(1-100) MOS デバイスのリーク伝導機構

鈴木 亜沙人, 中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022/12/20

NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響

藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022/12/20

Control of oxidation and reduction reactions at SiO2/GaN interfaces towards high performance and reliability GaN MOSFETs

Takuma Kobayashi, Bunichiro Mikake, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)　2022/10/12

Fabrication of stable and low leakage SiO2/GaN MOS devices by sputter deposition of SiO2 combined with post annealing processes

Kentaro Onishi, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)　2022/10/11

Evaluation of hole trap density at SiO2/GaN MOS interfaces through capacitance-voltage measurements under ultraviolet light illumination

Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)　2022/10/10

Controllability of Luminescence Wavelength from GeSn Wires Fabricated by Laser Zone Melting on Quartz Substrates

Takayoshi Shimura, Ryoga Yamaguchi, Naoto Tabuchi, Masato Kondo, Mizuki Kuniyoshi, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials　2022/09/27

Analysis of leakage current mechanisms in NO-nitrided SiC(1-100) MOS devices

Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials　2022/09/28

Characterization of Trap States of SiO2/GaN Interface and SiO2 Layer by Deep Level Transient Spectroscopy

Shingo Ogawa, Hidetoshi Mizobata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials　2022/09/28

Suppression of GaOx interlayer growth towards stable SiO2/GaN MOS devices

Kentaro Onishi, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials　2022/09/28

Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価

田中 信敬, 安部 和弥, 星原 雅生, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長

國吉 望月, 安部 和弥, 田中 信敬, 星原 雅生, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

スパッタ成膜SiO2/GaN構造におけるGa拡散抑制効果

大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/22

スパッタSiO2成膜によるSiO2/GaN MOS界面のGaOx層抑制

大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/22

紫外光照射によるNO窒化4H-SiC(11-20) MOSデバイスの電気特性劣化

藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 孝功, 渡部 平司

第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

NO窒化を施した非基底面上SiO2/SiC構造のバンドアライメント評価

中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

NO窒化処理を施したSiC(1-100) MOSデバイスのリーク電流特性

鈴木 亜沙人, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司

第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

窒化後CO2熱処理による4H-SiC(0001) CMOSデバイスの性能向上

國吉 望月, Kidist Moges, 小林 拓真, 細井 卓治, 志村 考功, 立木 馨大, 木本 恒暢, 渡部 平司

第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージング

志村 考功, 梶原 堅太郎, 辻 成希, 小林 拓真, 渡部 平司

第83回 応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

The optical properties of the carbon di-vacancy-antisite complex in the light of the TS photoluminescence center

Maximilian Schober, Nicolas Jungwirth, Takuma Kobayashi, Johannes Lehmeyer, Michael Krieger, Heiko Weber, Michel Bockstedte

9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022/09/12

Improved Performance of SiC CMOS Ring Oscillators By Post-nitridation Treatment in CO2

Mizuki Kuniyoshi, Kidist Moges, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Keita Tachiki, Tsunenobu Kimoto, Heiji Watanabe

9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022/09/14

Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022/09/14

Impact of Oxidation and Post Annealing on the Density and Optical Properties of Color Centers at SiO2/SiC Interfaces

Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Kosuke Tahara, Taishi Kimura, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022/09/14

Nitridation-induced degradation of SiC (1-100) MOS devices

Takuma Kobayashi, Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Mitsuru, Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022/09/13

Recent progress and challenges in SiC and GaN MOS devices: understanding of physics and chemistry near the MOS interface

Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022)　2022/09/13

Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices

Takuma Kobayashi, Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)　2022/09/07

Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors

Yutaka Terao, Takuji Hosoi, Shinya Takashima, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022)　2022/03/30

Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices

Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022)　2022/03/29

SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成

小林 拓真, 奥田 貴史, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 松下 雄一郎, 木本 恒暢

第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022/03/24

超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響

溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司

第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022/03/24

紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価

冨ヶ原 一樹, 中沼 貴澄, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022/03/24

NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響

藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 孝功, 渡部 平司

第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022/03/24

酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO2/GaN MOS構造の形成

見掛 文一郎, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022/03/24

スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成

大西 健太郎, 見掛 文一郎, 冨ヶ原 一樹, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022/03/24

DLTSによるSiO2/GaN界面およびSiO2膜中トラップ準位の評価

小川 慎吾, 溝端 秀聡, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022/03/24

NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性

中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

（一社）電気学会 電子デバイス研究会　2022/03/09

NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価

中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会)　2022/01/29

光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化

田淵 直人, 山口 凌雅, 近藤 雅斗, 國吉 望月, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会)　2022/01/28

局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性

志村 考功, 細井 卓治, 小林 拓真, 渡部 平司

レーザー学会学術講演会第42回年次大会　2022/01/13

Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices

Tsunenobu Kimoto, Mitsuaki Kaneko, Keita Tachiki, Koji Ito, Ryoya Ishikawa, Xilun Chi, Dionysios Stefanakis, Takuma Kobayashi, Hajime Tanaka

67th IEEE International Electron Devices Meeting　2021/12/15

超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたp型GaN MOSデバイスの電気特性評価

溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021/12/10

GaN(000-1)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

冨ヶ原 一樹, 和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021/12/09

エキシマ紫外光照射によるNO窒化SiC MOSデバイスの特性劣化

藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021/12/09

SiO2/GaN MOS構造におけるゲート絶縁膜信頼性への堆積後熱処理の効果

見掛 文一郎, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021/12/09

NO-POAを施したSiO2/4H-SiC(1-100)界面の電気特性評価および物理分析

鈴木 亜沙人, 中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021/12/09

炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化

小林 拓真, 奥田 貴史, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 松下 雄一郎, 木本 恒暢

令和3年11月度電子情報通信学会 (SDM) 研究会　2021/11/12

符号化開口を用いた後方散乱X線イメージング

志村 考功, 小林 拓真, 細井 卓治, 渡部 平司

日本光学会年次学術講演会2021　2021/10/28

A New Horizon of SiC Technology Driven by Deeper Understanding of Physics

Tsunenobu Kimoto, Mitsuaki Kaneko, Takuma Kobayashi, Hajime Tanaka, Keita Tachiki, Akifumi Iijima, Shoma Yamashita, Xilun Chi, Ying Xin Zhao, Dionysios Stefanakis, Yu-ichiro Matsushita

13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020・2021)　2021/10/28

Generation and transformation of intrinsic color centers in 4H-silicon carbide via ion implantation and annealing

Takuma Kobayashi, Maximilian Rühl, Johannes Lehmeyer, Leonard Zimmermann, Michael Krieger, Heiko Weber

13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020・2021)　2021/10/25

イオン注入および熱処理による4H-SiC中への発光中心の選択的形成

小林 拓真, Maximilian Rühl, Johannes Lehmeyer, Leonard Zimmermann, Michael Krieger, Heiko Weber

第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/12

超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 櫻井 秀樹, 加地 徹, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司

第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/12

超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価

和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 櫻井 秀樹, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司

第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/12

Evaluation of long-term reliability of 4H-SiC(0001) CMOS ring oscillators at high temperature

Kidist Moges Ayele, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Keita Tachiki, Tsunenobu Kimoto, Heiji Watanabe

第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/11

NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの信頼性評価

中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/11

SiO2/非基底面4H-SiC界面のNO窒化過程の観察と電気特性評価

中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/11

石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における光吸収層の検討

田淵 直人, 國吉 望月, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

第82回 応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/10

Reduction of interface state density in the SiC MOS structures by a non-oxidation process

Tsunenobu Kimoto, Keita Tachiki, Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)　2021/09/08

Fixed Charge Generation in SiO2/GaN MOS Structures by Forming Gas Annealing and its Suppression by Controlling Ga-oxide Interlayer Growth

Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)　2021/09/09

Comprehensive Physical and Electrical Characterizations of NO Nitrided SiO2/4H-SiC(11-20) Interfaces

Takato Nakanuma, Yuu Iwakata, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)　2021/09/08

Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs

Tsunenobu Kimoto, Takuma Kobayashi, Keita Tachiki, Koji Ito, Mitsuaki Kaneko

5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021　2021/04/11

水素エッチングとSiO2堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO2界面の形成

立木 馨大, 金子 光顕, 小林 拓真, 木本 恒暢

第68回 応用物理学会 春季学術講演会　2021/03/18

SiCパワーMOSFETおよび界面高品質化の進展

木本 恒暢, 小林 拓真, 立木 馨大, 松下 雄一郎

第68回 応用物理学会 春季学術講演会　2021/03/16

SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響

伊藤 滉二, 小林 拓真, 木本 恒暢

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会　2020/12/10

H2エッチング、酸化膜堆積、N2アニール による4H-SiC/SiO2界⾯準位の低減

立木 馨大, 金子 光顕, 小林 拓真, 木本 恒暢

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会　2020/12/09

酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成

立木 馨大, 金子 光顕, 小林 拓真, 木本 恒暢

第81回 応用物理学会 秋季学術講演会　2020/09/10

SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響

伊藤 滉二, 小林 拓真, 木本 恒暢

先進パワー半導体分科会 第6回講演会　2019/12/03

Energy distributions of interface state density originating from tail states of the conduction band in SiC MOS structures

Koji Ito, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors　2019/11/14

The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study

Takahide Umeda, Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Eito Higa, Hiroshi Yano, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019　2019/10/02

Systematic investigation of carbon-related defects in SiC (0001)/SiO2 systems: A hybrid density functional study

Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019　2019/10/02

Interface state density distributions near the conduction band edge originating from the conduction band fluctuation in SiO2/SiC systems

Koji Ito, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019　2019/10/01

The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: A first-principles study

Takuma Kobayashi, Takahide Umeda, Yu-ichiro Matsushita

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019　2019/09/30

α-Ga2O3中固有点欠陥の局所構造と電子状態

小林 拓真, 我毛 智哉, 熊谷 悠, 大場 史康, 松下 雄一郎

第80回 応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/18

SiC MOS界面における伝導帯端の異常なゆらぎの発見

伊藤 滉二, 小林 拓真, 木本 恒暢

第320回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会　2019/07/08

Promise and Future Challenges of SiC Power MOSFETs

Tsunenobu Kimoto, Takuma Kobayashi, Keita Tachiki, Koji Ito

21st Conference on Insulating Films on Semiconductors　2019/07/01

リン処理によるSiC/SiO2界面の炭素関連欠陥の低減機構

小林 拓真, 松下 雄一郎, 奥田 貴史, 木本 恒暢, 押山 淳

第66回 応用物理学会春季学術講演会　2019/03/11

第一原理計算によるSiC/SiO2界面近傍の炭素関連欠陥の構造同定

小林 拓真, 松下 雄一郎

第66回 応用物理学会春季学術講演会　2019/03/11

SiC MOSFETにおける界面準位密度分布のボディ層濃度依存性

伊藤 滉二, 小林 拓真, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢

第66回 応用物理学会春季学術講演会　2019/03/11

SiC 酸化膜中の窒素関連欠陥の構造とその電子状態

松下 雄一郎, 小林 拓真

第66回 応用物理学会春季学術講演会　2019/03/10

SiC MOSFETにおける高密度界面準位がロールオフ特性に及ぼす影響の解析

立木 馨大, 小野 貴央, 小林 拓真, 木本 恒暢

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会　2018/11/06

第一原理計算による4H-SiC中のC欠陥の安定構造の同定

小林 拓真, 原田 航, 熊谷 悠, 大場 史康, 松下 雄一郎

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会　2018/11/06

SiC MOSFETのゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価

伊藤 滉二, 小林 拓真, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会　2018/11/06

高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価

伊藤滉二, 小林拓真, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢

第79回 応用物理学会 秋季学術講演会　2018/09/20

Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by very-low-oxygen-partial-pressure annealing

Takuma Kobayashi, Keita Tachiki, Koji Ito, Yu-ichiro Matsushita, Tsunenobu Kimoto

European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018　2018/09/04

Influence of interface states on threshold voltage of SiC short-channel MOSFETs

Keita Tachiki, Takahisa Ono, Takuma Kobayashi, Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto

European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018　2018/09/04

Modeling of electron trapping in SiC MOSFETs considering interface-state-density distribution extracted from gate characteristics

Koji Ito, Takuma Kobayashi, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018　2018/09/03

高密度界面欠陥の影響を考慮したSiC MOSFETにおける短チャネル効果の研究

立木馨大, 小野貴央, 小林拓真, 田中一, 木本恒暢

第315回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会　2018/07/18

SiC MOSFETにおける界面準位が短チャネル効果に及ぼす影響

立木馨大, 小野貴央, 小林拓真, 木本恒暢

第65回 応用物理学会 春季学術講演会　2018/03/20

SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価

伊藤滉二, 立木馨大, 小林拓真, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢

第65回 応用物理学会 春季学術講演会　2018/03/20

Progress and future challenges of SiC power devices and process technology

Tsunenobu Kimoto, Hiroki Niwa, Naoki Kaji, Takuma Kobayashi, Ying Zhao, Seigo Mori, Masatoshi Aketa

2017 IEEE International Electron Devices Meeting　2017/12/04

SiC MOSFETにおける短チャネル効果発現と臨界チャネル長の検討

立木馨大, 小野貴央, 小林拓真, 木本恒暢

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会　2017/11/01

Microscopic mechanism of the removal of carbon-associated defects at a SiO2/SiC interface due to phosphorus treatment

Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Tsunenobu Kimoto, Atsushi Oshiyama

CPMD 2017 Workshop　2017/10/19

Evidence of carbon-related defects at the SiC MOS interface and mechanism of defect passivation by nitridation and phosphorus treatment - chemical analyses combined with DFT calculations

Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Takafumi Okuda, Atsushi Oshiyama, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017　2017/09/19

Experimental study on short channel effects in 4H-SiC MOSFETs

Keita Tachiki, Takahisa Ono, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017　2017/09/19

Observation of oxidation-induced carbon-rich region in the near-interface SiC by high-resolution STEM-EDX

Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017　2017/09/18

SiC MOSFET における短チャネル効果に関する実験的研究

立木馨大, 小野貴央, 小林拓真, 木本恒暢

第78回 応用物理学会 秋季学術講演会　2017/09/05

Impact of annealing temperature on surface passivation of SiC epitaxial layers with deposited SiO2 followed by POCl3 annealing

Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda

4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications　2016/11/09

高濃度AlドープSiCの酸化機構とMOS界面電子物性

小林拓真, 中澤成哉, 奥田貴史, 須田淳, 木本恒暢

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回講演会　2016/11/09

Reduction of interface state density in SiC(0001) MOS structures by post-oxidation Ar annealing at high temperature

Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2016　2016/09/29

高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討

小林拓真, 中澤成哉, 奥田貴史, 須田淳, 木本恒暢

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第2回講演会　2015/11/09

Surface passivation on p‐type 4H‐SiC epitaxial layers by deposited SiO2 with POCl3 annealing

Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015　2015/10/08

Cause for the mobility drop in SiC MOSFETs with heavily-doped p-bodies

Takuma Kobayashi, Seiya Nakazawa, Takafumi Okuda, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015　2015/10/05

Characterization of the interfacial chemical structure of silicon dioxide on 4H‐SiC (0001) by Fourier transform infrared spectroscopy

Hirofumi Seki, Masanobu Yoshikawa, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015　2015/10/05

Accurate evaluation of interface state densities of 4H-SiC (0001) MOS structures annealed in POCl3 by C–ψS method

Takuma Kobayashi, Takafumi Okuda, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2015　2015/10/05

SiC酸化速度の伝導型およびドーピング密度による依存性

小林拓真, 須田淳, 木本恒暢

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第1回講演会　2014/11/19

Characterization of inhomogeneity in SiO2 films on 4H-SiC epitaxial substrate by a combination of Fourier transform infrared spectroscopy and cathodoluminescence spectroscopy

Masanobu Yoshikawa, Hirofumi Seki, Keiko Inoue, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto

European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014　2014/09/24

Interface properties and mobility-limiting factors in 4H-SiC (0001), (11-20), and (1-100) MOS structures

Seiya Nakazawa, Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Jun Suda, Takashi Nakamura, Tsunenobu Kimoto

European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014　2014/09/23

Influence of conduction-type on thermal oxidation rate in SiC (0001) with various doping densities

Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2014　2014/09/23

SiC酸化速度の伝導型依存性

小林拓真, 須田淳, 木本恒暢

第294回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会　2014/07/23

Conduction-type dependence of thermal oxidation rate on SiC (0001)

Takuma Kobayashi, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

The 2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2014/06/20

分光エリプソメトリと原子間力顕微鏡 (AFM) による4H-SiC (0001) 熱酸化膜厚の評価

小林拓真, 中澤成哉, 南園悠一郎, 須田淳, 木本恒暢

SiC及び関連半導体研究会 第22回講演会　2013/12/09