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舘林　潤
Tatebayashi Jun
舘林　潤
Tatebayashi Jun
工学研究科　マテリアル生産科学専攻，准教授

keyword 希土類添加半導体，半導体光デバイス，量子構造，ナノワイヤ

経歴 10

  1. 2022年4月 ～ 継続中
    大阪大学 先導的学際研究機構　スピン学際研究部門　准教授（兼任）

  2. 2021年4月 ～ 継続中
    大阪大学　量子情報・量子生命研究センター　准教授（兼任）

  3. 2019年3月 ～ 継続中
    大阪大学大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻　准教授

  4. 2017年3月 ～ 2019年2月
    大阪大学大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻　講師

  5. 2011年4月 ～ 2017年3月
    東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 特任助教

  6. 2010年4月 ～ 2011年3月
    独立行政法人物質・材料研究機構 ポスドク研究員

  7. 2008年2月 ～ 2010年3月
    米国カリフォルニア大学ロサンゼルス校研究員

  8. 2005年4月 ～ 2008年1月
    米国ニューメキシコ大学研究員

  9. 2004年4月 ～ 2005年3月
    東京大学生産技術研究所 産官学連携研究員

  10. 2003年4月 ～ 2004年3月
    東京大学生産技術研究所荒川研究室 日本学術振興会特別研究員

学歴 3

  1. 東京大学　工学系研究科　電子工学専攻

    ～ 2003年3月

  2. 東京大学　工学系研究科　電子工学専攻

    ～ 2000年3月

  3. 東京大学　工学部　電子工学科

    ～ 1998年3月

委員歴 18

  1. International Conference on Nano-photonics Nano-optoelectronics, and Quantum Technology　Organizing Committee, Secretary　その他

    2023年5月 ～ 継続中

  2. 先進プラズマ科学と窒化物及びナノ材料への応用に関する国際シンポジウム　プログラム委員　その他

    2021年5月 ～ 継続中

  3. 独立行政法人日本学術振興会　日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会　学協会

    2021年4月 ～ 継続中

  4. IEEE International Photonic Conference　Program committee　その他

    2021年1月 ～ 継続中

  5. 応用物理学会　プログラム委員　学協会

    2017年3月 ～ 継続中

  6. International Conference on Nanophotonics and Nanoelectronics　Organizing Committee, Secretary　その他

    2019年1月 ～ 2024年4月

  7. 14th International Conference on Nitride Semiconductors　プログラム委員庶務　その他

    2020年5月 ～ 2023年11月

  8. 日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会　委員　学協会

    2019年12月 ～ 2021年3月

  9. The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors　Local Arrangement Committee　その他

    2018年10月 ～ 2019年11月

  10. 第48回結晶成長国内会議　現地実行委員　その他

    2019年4月 ～ 2019年10月

  11. SemiconNano 2019　Steering Committee, Chair　その他

    2019年1月 ～ 2019年9月

  12. 第42回結晶成長討論会　現地実行委員　その他

    2019年4月 ～ 2019年8月

  13. Compound Semiconductor Week 2019　Local Arrangement Committee, Vice Chair　その他

    2018年10月 ～ 2019年5月

  14. 電子材料シンポジウム　実行委員総務　その他

    2017年3月 ～ 2018年12月

  15. The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018　Steering Committee　その他

    2017年3月 ～ 2018年11月

  16. International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy　Program and Local Arrangement Committee　その他

    2017年4月 ～ 2018年7月

  17. The 29th International Conference on Defects in Semiconductors　Organizing Committee, Secretary　学協会

    2017年3月 ～ 2017年7月

  18. International Microprocesses and Nanotechnology Conference　Program Committee (Section Head from 2021-2022)　その他

    2020年4月 ～

所属学会 4

  1. 日本金属学会

  2. 日本材料学会

  3. レーザー学会

  4. 応用物理学会

研究内容・専門分野 3

  1. ナノテク・材料 / 結晶工学 / 希土類添加半導体

  2. ナノテク・材料 / ナノ材料科学 / ナノワイヤ

  3. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 半導体レーザ

受賞 6

  1. Best Paper Award

    Yasufumi Fujiwara, Shuhei Ichikawa, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi　The 28th International Display Workshops　2021年12月

  2. Best Presentation Award of ISPlasma 2019/IC-PLANTS2019

    S. Ichikawa, J. Takatsu, R. Fuji, D. Timmerman, J. Tatebayashi and Y. Fujiwara　2019年3月

  3. 第42回（2018年度）レーザー学会奨励賞

    舘林 潤　社団法人レーザー学会　2018年5月

  4. 第39回（2017年度）応用物理学会 解説論文賞

    舘林潤, 荒川泰彦　応用物理学会　2017年9月

  5. the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials Best Paper Awards

    S. Iwamoto, J. Tatebayashi, T. Fukuda, T. Nakaoka, S. Ishida, and Y. Arakawa　2004年9月

  6. Photonic West Optoelectronics 2002 Best Paper Awards

    J. Tatebayashi, S. Ishida, T. Someya, Y. Arakawa　The international society for optics and photonics　2002年3月

論文 147

  1. Enhanced Extraction Efficiency of Erbium Luminescence in Erbium Oxygen Codoped Gallium Arsenide Using One-Dimensional Photonic Crystals

    Zhidong Fang, Hirotake Kajii, Masahiko Kondow, Yasufumi Fujiwara, Jun Tatebayashi

    MATERIALS TRANSACTIONS　Vol. 66　No. 6　p. 659-663　2025年6月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  2. Energy transfer up-conversion of Tm,Yb-codoped ZnO grown on ZnO nanowires by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition

    M. Ida, M. Tane, Y. Fujiwara, J. Tatebayashi

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 3　p. 03SP67-03SP67　2025年3月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  3. Circularly polarized cavity mode emission from quantum dots in a semiconductor three-dimensional chiral photonic crystal

    S. Takahashi, Y. Kinuta, S. Ito, H. Onishi, K. Yamashita, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 8　2025年2月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  4. Demonstration of enhanced Er luminescence in nanobeam photonic crystal nanocavities based on Er,O-codoped GaAs

    Zhidong Fang, Hirotake KAJII, Masahiko KONDOW, Yasufumi FUJIWARA, Jun Tatebayashi

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　2025年1月29日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  5. An efficiently excited Eu3+ luminescent site formed in Eu,O-codoped GaN

    Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Volkmar Dierolf, Brandon Mitchell, Hayley Austin, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

    AIP Advances　Vol. 14　No. 2　2024年2月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  6. Enhancement of Er luminescence from bridge-type photonic crystal nanocavities with Er, O-co-doped GaAs

    Zhidong Fang, Jun Tatebayashi, Ryohei Homi, Masayuki Ogawa, Hirotake Kajii, Masahiko Kondow, Kyoko Kitamura, Brandon Mitchell, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara

    Optics Continuum　Vol. 2　No. 10　p. 2178-2178　2023年10月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Optica Publishing Group

  7. Formation and Optical Characteristics of GaN:Eu/GaN Nanowires for Applications in Light-Emitting Diodes

    ECS Journal of Solid State Science and Technology　Vol. 12　p. 096003-096003　2023年9月6日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  8. Electrically driven europium-doped GaN microdisk

    T. Taniguchi, D. Timmerman, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    Optics Letters　Vol. 48　No. 17　p. 4590-4590　2023年8月28日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Optica Publishing Group

  9. Red Electroluminescence from Light Emitting Diodes Based on Eu-Doped ZnO Embedded in p-GaN/Al2O3/n-ZnO Heterostructures

    ECS Journal of Solid State Science and Technology　Vol. 12　No. 7　p. 076017-076017　2023年7月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  10. 229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in a vertical polarity inverted AlN bilayer channel waveguide

    Hiroto Honda, Soshi Umeda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 6　p. 062006-062006　2023年6月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  11. Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire light emitting diodes grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy

    T. Otabara, J. Tatebayashi, T. Yoshimura, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. SG　p. SG1018-SG1018　2023年3月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  12. Enhanced light output of Eu, O-codoped GaN caused by reconfiguration of luminescent sites during post-growth thermal annealing

    T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    Applied Physics Letters　Vol. 122　No. 3　p. 032102-032102　2023年1月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  13. ダウンコンバージョンによる太陽電池の変換効率向上を目指したTm,Yb共添加ZnOナノワイヤの作製と光学評価

    舘林 潤, 西山直登, Dolf Timmerman, 市川 修平, 藤原康文

    材料　Vol. 71　No. 10　p. 811-818　2022年10月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  14. Improved Q-factors of III-nitride-based photonic crystal nanocavities by optical loss engineering

    Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

    Optics Express　Vol. 30　No. 16　p. 28853-28864　2022年8月1日　研究論文（学術雑誌）

  15. Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core-shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy

    T. Otabara, J. Tatebayashi, S. Hasegawa, D. Timmerman, S. Ichikawa, M. Ichimiya, M. Ashida, Y. Fujiwara

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. SD　2022年6月　研究論文（学術雑誌）

  16. Elucidation of the excitation mechanism of Tb ions doped in AlxGa1−xN grown by OMVPE toward a wavelength-stable green emitter

    R. Komai, S. Ichikawa, H. Hanzawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    Journal of Applied Physics　Vol. 131　No. 7　p. 073102-073102　2022年2月21日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  17. Modeling defect mediated color-tunability in LEDs with Eu-doped GaN-based active layers

    Hayley J. Austin, Brandon Mitchell, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Volkmar Dierolf

    Journal of Applied Physics　Vol. 131　No. 4　p. 045701-045701　2022年1月31日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  18. Eu-Doped GaN Red LEDs for Next-Generation Micro-LED Displays

    Yasufumi FUJIWARA, Shuhei ICHIKAWA, Dolf TIMMERMAN, Jun TATEBAYASHI

    NIHON GAZO GAKKAISHI (Journal of the Imaging Society of Japan)　Vol. 60　No. 6　p. 593-605　2021年12月10日　研究論文（学術雑誌）

  19. Design considerations of III-nitride-based two-dimensional photonic crystal cavities with crystallographically induced disorder

    Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Masato Murakami, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 12　p. 122002-122002　2021年12月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  20. Droop-free amplified red emission from Eu ions in GaN

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　No. 12　p. 120905-120905　2021年11月19日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  21. Formation and optical characteristics of ZnO:Eu/ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, M. Mishina, N. Nishiyama, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　No. SC　p. SCCE05-SCCE05　2021年6月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  22. Enhanced Red Emission of Eu,O-Codoped GaN Embedded in a Photonic Crystal Nanocavity with Hexagonal Air Holes

    Shuhei Ichikawa, Yutaka Sasaki, Takenori Iwaya, Masato Murakami, Masaaki Ashida, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

    Physical Review Applied　Vol. 15　No. 3　2021年3月30日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Physical Society (APS)

  23. Eu-doped GaN and InGaN monolithically stacked full-color LEDs with a wide color gamut

    Shuhei Ichikawa, Keishi Shiomi, Takaya Morikawa, Dolf Timmerman, Yutaka Sasaki, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 3　p. 031008-031008　2021年3月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  24. Purcell-Effect-Enhanced Radiative Rate of Eu3+ Ions in GaN Microdisks

    D. Timmerman, Y. Matsude, Y. Sasaki, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    Physical Review Applied　Vol. 14　No. 6　2020年12月18日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Physical Society (APS)

  25. Er,O共添加GaAsを用いた高Q値フォトニック結晶ナノ共振器における発光強度増大

    小川雅之, 舘林潤, 藤岡夏輝, 東諒磨, 市川修平, 近藤正彦, Dolf Timmerman, 藤原康文

    材料　Vol. 69　No. 11　p. 823-828　2020年11月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  26. Perspective of Semiconductor Technologies Contributed to the IoT Society

    Shuhei ICHIKAWA, Tomohiro INABA, Keishi SHIOMI, Jun TATEBAYASHI, Dolf TIMMERMAN, Yasufumi FUJIWARA

    Journal of the Society of Materials Science, Japan　Vol. 69　No. 10　p. 762-766　2020年10月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Society of Materials Science, Japan

  27. Eu添加GaNレーザ発振に向けた２次元フォトニック結晶光ナノ共振器構造の検討

    岩谷孟学, 市川修平, 村上雅人, 舘林潤, 藤原康文

    材料　Vol. 69　No. 10　p. 721-726　2020年10月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  28. Evaluations of Selective Dry Etching of GaAs Core Layer having Embedded InAs Quantum Dots Using Optical Measurements towards Photonic Crystal Laser Fabrication

    Takumi Okunaga, Tatsuhiro Nozue, Yifan Xiong, Hirotake Kajii, Masato Morifuji, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Tsutomu Nishihashi, Masahiko Kondow

    2020 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)　2020年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：IEEE

  29. Enhanced Eu luminescence in GaN: Eu,O-based light emitting diodes via introduction of nanostructures and nanocavities

    Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara

    Proceedings of AM-FPD 2020 - 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials　p. 71-72　2020年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  30. Enhancement of Er luminescence in microdisk resonators with Er,O-codoped GaAs

    R. Higashi, M. Ogawa, J. Tatebayashi, N. Fujioka, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Journal of Applied Physics　Vol. 127　No. 23　2020年6月　研究論文（学術雑誌）

  31. Quantitative evaluation of enhanced Er luminescence in GaAs-based two-dimensional photonic crystal nanocavities

    M. Ogawa, J. Tatebayashi, N. Fujioka, R. Higashi, M. Fujita, S. Noda, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Applied Physics Letters　Vol. 116　No. 18　p. 181102-1-181102-5　2020年5月　研究論文（学術雑誌）

  32. Excitation Efficiency and Limitations of the Luminescence of Eu3+ Ions in GaN

    D. Timmerman, B. Mitchell, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, M. Ashida, Y. Fujiwara

    Physical Review Applied　Vol. 13　2020年4月　研究論文（学術雑誌）

  33. Room-temperature operation of near-infrared light emitting diode based on Tm-doped GaN with ultra-stable emission wavelength

    S. Ichikawa, N. Yoshioka, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    Journal of Applied Physics　Vol. 127　No. 11　2020年3月　研究論文（学術雑誌）

  34. GaN:Eu-based resonant-cavity light emitting diodes with conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors

    Tomohiro Inaba, Jun Tatebayashi, Keishi Shiomi, Takanori Kojima, Dolf Timmerman, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara

    ACS Applied Electronic Materials　Vol. 2　No. 3　2020年2月　研究論文（学術雑誌）

  35. Excitation Efficiency and Limitations of the Luminescence of Eu3+ Ions in Ga N

    D. Timmerman, B. Mitchell, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, M. Ashida, Y. Fujiwara

    Physical Review Applied　Vol. 13　No. 1　2020年1月24日　研究論文（学術雑誌）

  36. Direct detection of rare earth ion distributions in gallium nitride and its influence on growth morphology

    B. Mitchell, D. Timmerman, W. Zhu, J. Y. Lin, H. X. Jiang, J. Poplawsky, R. Ishii, Y. Kawakami, V. Dierolf, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Journal of Applied Physics　Vol. 127　No. 1　2020年1月7日　研究論文（学術雑誌）

  37. Strong crystal field splitting and polarization dependence observed in the emission from Eu3+ ions doped into GaN

    S. Copelman, H. Austin, D. Timmerman, J. D. Poplawsky, M. Waite, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, V. Dierolf, B. Mitchell

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　Vol. 11302　2020年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  38. High brightness and RGB integration of eu-doped GaN-based red LEDs for ultrahigh-resolution micro-LED display

    Yasufumi Fujiwara, Shuhei Ichikawa, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi

    Digest of Technical Papers - SID International Symposium　Vol. 51　No. 1　p. 691-694　2020年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  39. 16.3: Invited Paper: New development in Red Light‐emitting Diodes (LEDs) using Eu‐doped GaN for Monolithic Micro‐LED Displays

    Yasufumi FUJIWARA, Shuhei ICHIKAWA, Jun TATEBAYASHI

    SID Symposium Digest of Technical Papers　Vol. 50　No. S1　p. 167-167　2019年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Wiley

  40. Localized-surface-plasmon-enhanced GaN: Eu-based red light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles

    J Tatebayashi, T Yamada, T Inaba, D Timmerman, S Ichikawa, Y Fujiwara

    Applied Physics Express　Vol. 12　No. 9　2019年8月　研究論文（学術雑誌）

  41. Picosecond time-resolved dynamics of energy transfer between GaN and the various excited states of Eu3+ ions

    Ruoqiao Wei, Brandon Mitchell, Dolf Timmerman, Tom Gregorkiewicz, Wanxin Zhu, Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Volkmar Dierolf

    Physical Review B　Vol. 100　No. 8　2019年8月　研究論文（学術雑誌）

  42. Enhanced luminescence efficiency of GaN: Eu-based light-emitting diodes by localized surface plasmons utilizing gold nanoparticles

    J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCC09/1-SCC09/6　2019年5月　研究論文（学術雑誌）

  43. Color-tunablility in GaN LEDs Based on Atomic Emission Manipulation Under Current Injection

    B. Mitchell, R. Wei, J. Takatsu, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, W. Zhu, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, V. Dierolf

    ACS Photonics　Vol. 6　p. 1153-1161　2019年4月　研究論文（学術雑誌）

  44. Control of the energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in ZnO nanowires for photovoltaic applications

    Jun Tatebayashi, Tokuhito Nakajima, Masao Mishina, Dolf Timmerman, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)　2019年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  45. Picosecond Time-Resolved Excitation Dynamics and Emission Manipulation of Eu3+ Ions Doped into GaN

    Brandon Mitchell, Ruoqiao Wei, Dolf Timmerman, Tom Gregorkiewicz, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Volkmar Dierolf, Yasufumi Fujiwara

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)　2019年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  46. High-quality epitaxial growth of half-metallic Co2FeSi films on a Co-terminated GaN(0001) surface

    Shinya Yamada, Yuki Goto, Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Kohei Hamaya

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)　2019年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  47. Formation and optical properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, G. Yoshii, T. Nakajima, M. Mishina, Y. Fujiwara

    Journal of Crystal Growth　Vol. 503　p. 13-19　2018年9月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier

  48. InGaAs/GaAs nanowire-quantum dot lasers embedded on flexible membranes

    J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Appl. Phys. Express　Vol. 11　No. 06　2018年6月　研究論文（学術雑誌）

  49. Quantitative study on energy-transfer mechanism in Eu,O-codoped GaN by time-resolved photoluminescence spectroscopy

    T. Inaba, T. Kojima, G. Yamashita, E. Matsubara, B. Mitchell, R. Miyagawa, O. Eryu, J. Tatebayashi, M. Ashida, Y. Fujiwara

    Journal of Applied Physics　Vol. 123　2018年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics

  50. Growth and optical characteristics of Tm-doped AlGaN layer grown by organometallic vapor phase epitaxy

    J. Takatsu, R. Fuji, J. Tatebayashi, D. Timmerman, A. Lesage, T. Gregokiewicz, Y. Fujiwara

    Journal of Applied Physics　Vol. 123　2018年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics

  51. Control of the energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, G. Yoshii, T. Nakajima, H. Kamei, J. Takatsu, D. M. Lebrun, Y. Fujiwara

    Journal of Applied Physics　Vol. 123　No. 16　p. 161409-161409　2018年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics

  52. Recent progress in nanowire quantum-dot lasers

    Jun Tatebayashi, Yasuhiko Arakawa

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　Vol. 10543　2018年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：SPIE

  53. Wavelength-stable and Narrow-band Red LED for monolithic micro-LED display

    Yasufumi Fujiwara, Tomohiro Inaba, Keishi Shiomi, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi

    Proceedings of the International Display Workshops　Vol. 1　p. 418-420　2018年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  54. Circularly polarized vacuum field in three-dimensional chiral photonic crystals probed by quantum dot emission

    S. Takahashi, Y. Ota, T. Tajiri, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    arXiv:　2017年11月　研究論文（学術雑誌）

  55. Circularly polarized vacuum field in three-dimensional chiral photonic crystals probed by quantum dot emission

    S. Takahashi, Y. Ota, T. Tajiri, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Phys. Rev. B　2017年11月　研究論文（学術雑誌）

  56. Growth of InGaAs/GaAs nanowire-quantum dots on AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors for laser applications

    J. Tatebayashi, S. Kako, J. Ho, Y. Ota, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Journal of Crystal Growth　Vol. 468　p. 144-148　2016年12月　研究論文（学術雑誌）

  57. A Nanowire-Based Plasmonic Quantum Dot Laser

    Jinfa Ho, Jun Tatebayashi, Sylvain Sergen, Chee Fai Fong, Yasutomo Ota, Satoshi Iwamoto, Yasuhiko Arakawa

    Nano Letters　Vol. 16　No. 4　p. 2845-2850　2016年3月31日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  58. Demonstration of a Plasmonic Laser using Quantum Dot Gain Medium

    Jinfa Ho, Jun Tatebayashi, Sylvain Sergent, Chee Fai Fong, Yasutomo Ota, Satoshi Iwamoto, Yasuhiko Arakawa

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)　2016年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  59. Demonstration of a three-dimensional photonic crystal nanocavity in a 110-layered diamond structure

    T. Tajiri, S. Takahashi, Y. Ota, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Appl. Phys. Lett.　2015年8月　研究論文（学術雑誌）

  60. Room temperature lasing in a single nanowire with quantum dots

    J. Tatebayashi, S. Kako, J. Ho, Y. Ota, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Nature Photonics　Vol. 9　p. 501-506　2015年7月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Nature Publishing

  61. Circularly Polarized Light Emission of Quantum Dots at the Band Edge of Three-Dimensional Chiral Photonic Crystals

    Shun Takahashi, Takeyoshi Tajiri, Yasutomo Ota, Jun Tatebayashi, Satoshi Iwamoto, Yasuhiko Arakawa

    2015 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)　2015年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  62. Room-temperature lasing in GaAs nanowires embedding multi-stacked InGaAs/GaAs quantum dots

    Jun Tatebayashi, Satoshi Kako, Jinfa Ho, Yasutomo Ota, Satoshi Iwamoto, Yasuhiko Arakawa

    2015 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)　2015年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  63. Plate-Insertion Stacking Method for Three-Dimensional Photonic Crystal Fabrication

    T. Tajiri, S. Takahashi, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Proceedings of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　p. 572-573　2015年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  64. Low-threshold near-infrared GaAs-AlGaAs core-shell nanowire plasmon laser

    J. Ho, J. Tatebayashi, S. Sergent, C. F. Fong, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    ACS Photonics　2015年1月　研究論文（学術雑誌）

  65. Highly uniform, multi-stacked InGaAs/GaAs quantum dots embedded in a GaAs nanowire by selective metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 105　p. 103104-1-103104-5　2014年9月　研究論文（学術雑誌）

  66. Circular dichroism in a three-dimensional semiconductor chiral photonic crystal

    S. Takahashi, T. Tajiri, Y. Ota, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Appl. Phys. Lett.　2014年8月　研究論文（学術雑誌）

  67. Giant optical rotation in a three-dimensional semiconductor chiral photonic crystal

    S. Takahashi, A. Tandaechanurat, R. Igusa, Y. Ota, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Opt. Express　2013年12月　研究論文（学術雑誌）

  68. Formation and optical properties of multi-stack InGaAs quantum dots embedded in GaAs nanowires by selective metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Journal of Crystal Growth　2013年5月　研究論文（学術雑誌）

  69. Formation and optical properties of site-controlled InGaAs/GaAs quantum-dot-in-nanowires by selective metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Jpn J. Appl. Phys.　Vol. 51　No. 11S　p. 11PE13-11PE13-4　2012年11月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

  70. Site-controlled formation of InAs/GaAs quantum-dot-in-nanowires for single photon emitters

    J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Applied Physics Letters　Vol. 100　No. 26　p. 263101-263101　2012年6月25日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  71. Formation of a single in(Ga)As/GaAs quantum dot embedded in a site-controlled GaAs nanowire by metalorganic chemical vapor deposition for application to single photon sources

    J. Tatebayashi, Y. Ota, D. Karunathillake, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Materials Research Society Symposium Proceedings　Vol. 1439　p. 115-119　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  72. Coulomb-induced emission dynamics and self-consistent calculations of type-II Sb-containing quantum dot systems

    K. Gradkowski, T. J. Ochalski, N. Pavarelli, H. Y. Liu, J. Tatebayashi, D. P. Williams, D. J. Mowbray, G. Huyet, D. L. Huffaker

    Phys. Rev. B　2012年1月　研究論文（学術雑誌）

  73. Self-catalyzed vapor-liquid-solid growth of InP/InAsP core-shell nanopillars

    V. Evoen, Z. Hailong, L. Gao, M. Pozuelo, B. L. Liang, J. Tatebayashi, S. Kodambaka, D. L. Huffaker, R. F. Hicks

    Journal of Crystal Growth　Vol. 314　p. 34-38　2011年1月　研究論文（学術雑誌）

  74. Lateral interdot carrier transfer in InAs quantum dot cluster grown on pyramidal GaAs surface

    B. L. Liang, P. S. Wong, N. Pavarelli, J. Tatebayashi, T. J. Ochalski, G. Huyet, D. L. Huffaker

    Nanotechnology　2010年12月　研究論文（学術雑誌）

  75. 1.52 μm photoluminescence emissions from InAs quantum dots grown on nanopatterned GaAs buffers

    P. S. Wong, B. L. Liang, A. Lin, J. Tatebayashi, D. L. Huffaker

    Applied Physics Letters　Vol. 97　No. 14　p. 143111-143111　2010年10月4日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  76. Visible Light Emission from Self-Catalyzed GaInP/GaP Core-Shell Double Heterostructure Nanowires on Silicon

    J. Tatebayashi, A. Lin, P. S. Wong, R. F. Hicks, D. L. Huffaker

    J. Appl. Phys.　Vol. 108　No. 3　2010年8月　研究論文（学術雑誌）

  77. Optical characteristics of GaInP/GaP double-heterostructure core-shell nanowires embedded in polydimethylsiloxane membranes

    J. Tatebayashi, G. Mariani, A. Lin, R. F. Hicks, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 96　No. 25　2010年6月　研究論文（学術雑誌）

  78. Controlled Formation and Dynamic Wulff Simulation of Equilibrium Crystal Shapes of GaAs Pyramidal Structures on Nanopatterned Substrates

    P. S. Wong, B. L. Liang, R. Molecke, J. Tatebayashi, D. L. Huffaker

    Crystal Growth & Design　2010年4月　研究論文（学術雑誌）

  79. Continuous-Wave, Room-Temperature Operation of 2-μm Sb-Based Optically-Pumped Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser Monolithically Grown on GaAs Substrates

    Rotter Thomas J., Tatebayashi Jun, Senanayake Pradeep, Balakrishnan Ganesh, Rattunde Marcel, Wagner Joachim, Hader Jörg, Moloney Jerome V., Koch Stephan W., Dawson L. Ralph, Huffaker Diana L.

    Applied physics express　Vol. 2　No. 11　p. 112102-112102-3　2009年11月25日

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  80. Continuous-wave lasing at room-temperature of 2-μm Sb-based optically-pumped VECSELs monolithically grown on GaAs substrates

    T. J. Rotter, J. Tatebayashi, P. Senanayake, G. Balakrishnan, M. Rattunde, J. Wagner, J. Hader, J. V. Moloney, S. W. Koch, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Express.　2009年11月　研究論文（学術雑誌）

  81. GaSb/GaAs type-ІІ quantum dots grown by droplet epitaxy

    Baolai Liang, Andrew Lin, Nicola Pavarelli, Charles Reyner, Jun Tatebayashi, Kalyan Nunna, Jun He, Tomasz J. Ochalski, Guillaume Huyet, Diana L. Huffaker

    Nanotechnology　2009年10月　研究論文（学術雑誌）

  82. Complex emission dynamics of type-II GaSb/GaAs quantum dots

    Kamil Gradkowski, Nicola Pavarelli, Tomasz J. Ochalski, Jun Tatebayashi, Guillaume Huyet, Diana L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　2009年8月　研究論文（学術雑誌）

  83. Monolithically integrated III-Sb based laser diodes grown on miscut Si substrates

    J. Tatebayashi, A. Jallipalli, M. N. Kutty, S. H. Huang, K. Nunna, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electron.　2009年5月　研究論文（学術雑誌）

  84. Optical transition pathways in type-II Ga(As)Sb quantum dots

    K. Gradkowski, T. Ochalski, D. Williams, J. Tatebayashi, A. Khoshakhlagh, G. Balakrishnan, E. O'Reilly, G. Huyet, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    J. of Luminescence　2009年5月　研究論文（学術雑誌）

  85. Formation and optical characteristics of type-II strain-relieved GaSb/GaAs quantum dots by using an interfacial misfit growth mode

    J. Tatebayashi, B. L. Liang, D. A. Bussian, H. Htoon, S. H. Huang, G. Balakrishnan, V. Klimov, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    IEEE Transaction on Nanotechnology　Vol. 8　No. 2　p. 269-274　2009年3月　研究論文（学術雑誌）

  86. Strain-compensation technique in self-assembled InAs/GaAs quantum dots for applications to photonic devices

    J. Tatebayashi, N. Nuntawong, P. S. Wong, Y. C. Xin, L. F. Lester, D. L. Huffaker

    J. Phys. D: Appl. Phys.　Vol. 42　No. 7　2009年3月　研究論文（学術雑誌）

  87. Coulomb effects in type-II Ga(As)Sb quantum dots

    K. Gradkowski, T. J. Ochalski, D. P. Williams, S. B. Healy, J. Tatebayashi, G. Balakrishnan, E. P. O’Reilly, G. Huyet, D. L. Huffaker

    Phys. Stat. Sol.　2009年2月　研究論文（学術雑誌）

  88. Fabrication and electroluminescence characteristics of broad-area LEDs based on patterned quantum dots by MOCVD

    P. S. Wong, B. L. Liang, J. Tatebayashi, N. Nuntawong, M. N. Kutty, D. L. Huffaker

    Nanotechnology　2009年1月　研究論文（学術雑誌）

  89. Device characteristics of GaInSb/AlGaSb quantum well lasers monolithically grown on GaAs substrates by using an interfacial misfit array

    J. Tatebayashi, A. Jallipalli, M. N. Kutty, S. H. Huang, T. J. Rotter, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    J. Electronic Meterials　Vol. 37　2008年12月　研究論文（学術雑誌）

  90. Improved photoluminescence efficiency of patterned quantum dots incorporating a dots-in-the-well structure

    P. S. Wong, B. L. Liang, V. G. Dorogan, A. R. Albrecht, J. Tatebayashi, H. Xiang, N. Nuntawong, Yu. I. Mazur, G. J. Salamo, S. R. J. Brueck, D. L. Huffaker

    Nanotechnology　2008年10月　研究論文（学術雑誌）

  91. Electric field modulation of exciton recombination in InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 μm

    T. Miyazawa, T. Nakaoka, T. Usuki, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, S. Hirose, K. Takemoto, M. Takatsu, N. Yokoyama

    J. Appl. Phys.　2008年7月　研究論文（学術雑誌）

  92. Time-resolved photoluminescence of type-II Ga(As)Sb/GaAs quantum dots embedded in an InGaAs quantum well

    J. Tatebayashi, B. L. Liang, R. B. Laghumavarapu, D. A. Bussian, H. Htoon, V. Klimov, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    Nanotechnology　Vol. 19　No. 29　2008年7月　研究論文（学術雑誌）

  93. Effects of accumulated strain on the surface and optical properties of stacked 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot structures

    Tao Yang, Jun Tatebayashi, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa

    Physica E　2008年4月　研究論文（学術雑誌）

  94. Novel monolithic integration of III-Sb materials on Si substrates

    Diana L Huffaker, Ganesh Balakrishnan, Anitha Jallipalli, Maya Kutty, Shenghong Huang, Noppadon Nuntawong, Jun Tatebayashi, nd Larry R Dawson

    SPIE Newsroom　2008年1月　研究論文（学術雑誌）

  95. Room-temperature lasing at 1.82 μm of GaInSb/AlGaSb quantum wells grown on GaAs substrates using an interfacial misfit array

    J. Tatebayashi, A. Jallipalli, M. N. Kutty, S. H. Huang, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 91　No. 14　p. 141102-1-141102-3　2007年12月　研究論文（学術雑誌）

  96. Optical properties of patterned InAs quantum dot ensembles grown on GaAs nano-pyramids

    B. L. Liang, P. S. Wong, N. Nuntawong, A. R. Albrecht, J. Tatebayashi, T. J. Rotter, G. Balakrishnan, D. L. Huffaker

    2007年11月　研究論文（学術雑誌）

  97. 1.54 μm GaSb/AlGaSb multi quantum well monolithic laser at 77 K grown on miscut Si substrate using interfacial misfit (IMF) arrays

    A. Jallipalli, M. N. Kutty, G. Balakrishnan, J. Tatebayashi, N. Nuntawong, L. R. Dawson, D. L. Huffaker, Z. Mi, P. Bhattacharya

    Electron. Lett.　2007年10月　研究論文（学術雑誌）

  98. Single Dot Spectroscopy of Site-Controlled InAs Quantum Dots Nucleated on GaAs Nano-Pyramids

    T. Tran, A. Muller, C. K. Shih, P. S. Wong, G. Balakrishnan, N. Nuntawong, J. Tatebayashi, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　2007年9月　研究論文（学術雑誌）

  99. Room-temperature operation of buffer-free GaSb/AlGaSb quantum-well diode lasers grown on a GaAs platform emitting at 1.65 μm

    M. Mehta, A. Jallipalli, J. Tatebayashi, M. N. Kutty, A. Albrecht, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    IEEE Photonics Technol. Lett.　2007年9月　研究論文（学術雑誌）

  100. Lasing characteristics of GaSb/GaAs self-assembled quantum dots embedded in an InGaAs quantum well

    J. Tatebayashi, A. Khoshakhlagh, G. Balakrishnan, S. H. Huang, D. A. Bussian, H. Htoon, V. Klimov, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 90　No. 26　p. 261115-1-261115-3　2007年6月　研究論文（学術雑誌）

  101. Controlled InAs Quantum Dot Nucleation on Faceted Nano-patterned Pyramids

    P. S. Wong, G. Balakrishnan, N. Nuntawong, J. Tatebayashi, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

  102. Localized strain reduction in strain-compensated InAs/GaAs stacked quantum dot structures

    N. Nuntawong, J. Tatebayashi, P. S. Wong, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

  103. Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 µm

    Tao Yang, Jun Tatebayashi, Kanna Aoki, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa

    Appl. Phys. Lett.　2007年3月　研究論文（学術雑誌）

  104. Formation and optical characteristics of strain-relieved and densely stacked GaSb/GaAs quantum dots

    J. Tatebayashi, A. Khoshakhlagh, S. H. Huang, L. R. Dawson, G. Balakrishnan, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 89　No. 20　p. 203116-1-203116-3　2006年11月　研究論文（学術雑誌）

  105. III/V ratio based selectivity between strained Stranski-Krastanov and strain-free GaSb quantum dots on GaAs

    G. Balakrishnan, J. Tatebayashi, A. Khoshakhlagh, S. Huang, A. Jallipalli, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　2006年10月　研究論文（学術雑誌）

  106. Improved surface morphology of stacked 1.3 µm InAs/GaAs quantum dot active regions by introducing annealing processes

    Tao Yang, Jun Tatebayashi, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa

    Appl. Phys. Lett.　2006年8月　研究論文（学術雑誌）

  107. Ground-state lasing of stacked InAs/GaAs quantum dots with GaP strain-compensation layers grown by metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, N. Nuntawong, Y. C. Xin, P. S. Wong, S. H. Huang, C. P. Hains, L. F. Lester, D. L. Huffaker

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 88　No. 22　p. 221107-1-221107-3　2006年5月　研究論文（学術雑誌）

  108. Development of Electrically Driven Single-Quantum-Dot Device at Optical Fiber Bands

    Toshiyuki Miyazawa, Jun Tatebayashi, Shinichi Hirose, Toshihiro Nakaoka, Satomi Ishida, Satoshi Iwamoto, Kazuya Takemoto, Tatsuya Usuki, Naoki Yokoyama, Motomu Takatsu, Yasuhiko Arakawa

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 45　No. 4　p. 3621-3624　2006年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

  109. Lasing at 1.28 um of InAs/GaAs Quantum Dots with AlGaAs Cladding Layer Grown at Low Temperature by MOCVD

    J. Tatebayashi, M. Ishida, N. Hatori, H. Ebe, H. Sudo, A. Kuramata, M. Sugawara, Y. Arakawa

    IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electron　Vol. 11　No. 5　p. 1027-1034　2005年9月　研究論文（学術雑誌）

  110. A very narrow photoluminescence broadening (< 16 meV) from ∼ 1.5 μm self-assembled quantum dots at room temperature

    Tatsuya Fukuda, Jun Tatebayashi, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa

    AIP Conference Proceedings　Vol. 772　p. 655-656　2005年6月30日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  111. Tuning of g-factor in self-assembled In(Ga)As quantum dots through strain engineering

    T. Nakaoka, T. Saito, J. Tatebayashi, S. Hirose, T. Usuki, N. Yokoyama, Y. Arakawa

    Phys. Rev. B　2005年5月　研究論文（学術雑誌）

  112. Observation of 1.55 μm Light Emission from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity

    Iwamoto Satoshi, Tatebayashi Jun, Fukuda Tatsuya, Nakaoka Toshihiro, Ishida Satomi, Arakawa Yasuhiko

    Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes　Vol. 44　No. 4B　p. 2579-2583　2005年4月21日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

  113. InAs/AlAs quantum dots with InGaAs insertion layer: dependence of the indium composition and the thickness

    S.K. Park, J. Tatebayashi, T. Yang, J.S. Kim, E.K. Kim, Y. Arakawa

    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures　Vol. 26　No. 1-4　p. 138-142　2005年2月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  114. Highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3μm by metalorganic chemical vapor deposition

    Tao Yang, Jun Tatebayashi, Shiro Tsukamoto, Yasuhiko Arakawa

    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures　Vol. 26　No. 1-4　p. 77-80　2005年2月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  115. 1.28 um lasing from stacked InAs/GaAs quantum dots with low-temperature-grown AlGaAs cladding layer by metalorganic chemical vapor deposition

    Jun Tatebayashi, Nobuaki Hatori, Mitsuru Ishida, Hiroji Ebe, Mitsuru Sugawara, Yasuhiko Arakawa, Hisao Sudou, Akito Kuramata

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 86　No. 5　p. 053107-053107　2005年1月31日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  116. Formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with an ultranarrow phtoluminecence linewidth of ∼11 meV by rapid thermal annealing

    Tao Yang, Jun Tatebayashi, Kanna Aoki, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa

    Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials　Vol. 2005　p. 279-282　2005年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  117. Electroluminescence from a single quantum dot at telecommunication wavelength

    T. Miyazawa, J. Tatebayashi, T. Nakaoka, S. Ishida, S. Iwamoto, M. Takatsu, Y. Arakawa, S. Hirose, K. Takemoto, T. Usuki, N. Yokoyama

    Quantum Electronics and Laser Science Conference (QELS)　Vol. 1　p. 323-325　2005年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  118. Microdisk lasers - Quantum-dot lasing and bistability

    T. Baba, T. Ide, S. Ishii, A. Nakagawa, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa

    Progress in Biomedical Optics and Imaging - Proceedings of SPIE　Vol. 5738　p. 295-302　2005年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  119. 1.55-μm light emission from InAs QDs embedded in a high-Q photonic crystal microcavity

    Satoshi Iwamoto, Jun Tatebayashi, Tatsuya Fukuda, T. Nakaoka, S. Ishida, Yasuhiko Arakawa

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　Vol. 5733　p. 406-413　2005年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  120. Room temperature continuous wave lasing in InAs quantum-dot microdisks with air cladding

    Toshihide Ide, Toshihiko Baba, Jun Tatebayashi, Satoshi Iwamoto, Toshihiro Nakaoka, Yasuhiko Arakawa

    Optics Express　Vol. 13　No. 5　p. 1615-1615　2005年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：The Optical Society

  121. High density and high uniformity InAs/AlAs QDs by using insertion layer

    S. K. Park, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, C. J. Park, H. Y. Cho

    Journal of the Korean Physics Society　Vol. 45　p. S669-S672　2004年12月　研究論文（学術雑誌）

  122. Size, shape, and strain dependence of the g factor in self-assembled In(Ga)As quantum dots

    T. Nakaoka, T. Saito, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    Phys. Rev. B　2004年12月　研究論文（学術雑誌）

  123. Significant improvement of the uniformity of self-assembled InAs quantum dots grown on InGaAs/GaAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition

    T. Yang, S. Tsukamoto, J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 85　p. 2753-2755　2004年10月　研究論文（学術雑誌）

  124. InAs∕GaAs self-assembled quantum-dot lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition—Effects of postgrowth annealing on stacked InAs quantum dots

    Jun Tatebayashi, Yasuhiko Arakawa, Nobuaki Hatori, Hiroji Ebe, Mitsuru Sugawara, Hisao Sudo, Akito Kuramata

    Applied Physics Letters　Vol. 85　No. 6　p. 1024-1026　2004年8月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  125. Lasing characteristics of InAs quantum-dot microdisk from 3 K to room temperature

    Toshihide Ide, Toshihiko Baba, Jun Tatebayashi, Satoshi Iwamoto, Toshihiro Nakaoka, Yasuhiko Arakawa

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 85　No. 8　p. 1326-1328　2004年8月　研究論文（学術雑誌）

  126. Carrier relaxation in closely stacked InAs quantum dots

    T. Nakaoka, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, T. Saito

    Journal of Applied Physics　Vol. 96　No. 1　p. 150-154　2004年7月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  127. Effects of InGaAs Insertion Layer on the Properties of High-Density InAs/AlAs Quantum Dots

    Se-Ki Park, Jun Tatebayashi, Yasuhiko Arakawa

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 43　No. 6B　p. 3828-3830　2004年6月　研究論文（学術雑誌）

  128. Enhanced Optical Porperties of High-Density (>10^11/cm2) InAs/AlAs Quantum Dots by Hydrogen Passivation

    Se-Ki Park, Jun Tatebayashi, Toshihiro Nakaoka, Tomohiko Sato, Young Ju Park, Yasuhiko Arakawa

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 43　No. 4B　p. 2118-2121　2004年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  129. Control of InxGa1-xAs Capping Layer Induced Optical Polarization in Edge-Emitting Photoluminescence of InAs Quantum Dots

    Pachamuthu Jayavel, Hirokazu Tanaka, Takashi Kita, Osamu Wada, Hiroji Ebe, Mitsuru Sugawara, Jun Tatebayashi, Yasuhiko Arakawa, Yoshiaki Nakano, Tomoyuki Akiyama

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 43　No. 4B　p. 1978-1980　2004年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

  130. Narrow photoluminescence linewidth (<17 meV) from highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots grown by low-pressure metalorganic chemical vapor depostion

    Tao Yang, Jun Tatebayashi, Shiro Tsukamoto, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 84　No. 15　p. 2817-2819　2004年4月　研究論文（学術雑誌）

  131. Spectroscopy on single columns of vertically aligned InAs quantum dots

    T. Nakaoka, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    Physica E　Vol. 21　p. 409-413　2004年3月　研究論文（学術雑誌）

  132. Structural and optical properties of high-density (>10^11/cm2) InAs QDs with varying Al(Ga)As matrix layer thickness

    S. K. Park, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    Physica E　Vol. 21　p. 279-284　2004年3月　研究論文（学術雑誌）

  133. Numerical analysis of DFB lasing action in photonic crystals with quantum dots

    S. Iwamoto, J. Tatebayashi, S. Kako, S. Ishida, Y. Arakawa

    Physica E　Vol. 21　No. 2-4　p. 814-819　2004年3月　研究論文（学術雑誌）

  134. Formation of ultrahigh-density InAs/AlAs quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition

    Se-Ki Park, Jun Tatebayashi, Yasuhiko Arakawa

    Applied Physics Letters　Vol. 84　No. 11　p. 1877-1879　2004年3月　研究論文（学術雑誌）

  135. Control of optical polarization anisotropy in edge emitting luminescence of InAs/GaAs self-assembled quantum dots

    P. Jayavel, H. Tanaka, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, Y. Nakata, T. Akiyama

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 84　No. 11　p. 1820-1822　2004年3月　研究論文（学術雑誌）

  136. 1.28 μm InAs/GaAs quantum dot lasers with AlGaAs cladding layer grown at low temperature by metalorganic chemical vapor deposition

    Jun Tatebayashi, Nobuaki Hatori, Mitsuru Ishida, Hiroji Ebe, Hisao Sudou, Akito Kuramata, Mitsuru Sugawara, Yasuhiko Arakawa

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference　p. 55-56　2004年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  137. Controlling the uniformity of self-assembled InAs/GaAs quantum dots by a combined GaAs/InGaAs strained buffer layer

    T Yang, S Tsukamoto, J Tatebayashi, M Nishioka, Y Arakawa

    2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Conference Proceedings　p. 81-84　2004年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  138. Room-temperature lasing of self-assembled InAs/GaAs quantum dot grown by metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, H. Kakuma, N. Hatori, M. Ishida, H. Ebe, H. Sudo, A. Kuramata, Y. Nakata, M. Sugawara, Y. Arakawa

    Electron. Lett.　Vol. 39　No. 15　p. 1130-1131　2003年7月　研究論文（学術雑誌）

  139. Optical Characteristics of Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Nanocavities with Self-Assembled InAs Quantum Dots for 1.3 um light emission

    J. Tatebayashi, S. Iwamoto, S. Kako, S. Ishida, Y. Arakawa

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 42　No. 4B　p. 2391-2394　2003年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICS

  140. CW lasing of self-assembled InAs quantum dot lasers on GaAs substrates grown by metalorganic chemical vapour deposition

    J. Tatebayashi, H. Kakuma, N. Hatori, M. Ishida, H. Ebe, H. Sudo, A. Kuramata, Y. Nakata, M. Sugawara, Y. Arakawa

    Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest　Vol. 2　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  141. Enhanced PL of high density (≈ 4.7×101/cm2) InAs QDs by using graded interface of GaAs/AlAs/GaAs

    S. K. Park, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest　Vol. 1　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  142. Wideband polarization insensitivity in quantum dot optical amplifier

    T. Kita, P. Jayavel, H. Tanaka, K. Kho, O. Wada, Y. Nakata, T. Akiyama, H. Ehe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    OSA Trends in Optics and Photonics Series　Vol. 88　p. 534-535　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Optical Society of American (OSA)

  143. Room temperature lasing with low threshold current of InAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, N. Hatori, H. Ebe, H. Sudou, A. Kuramata, M. Sugawara, Y. Arakawa

    Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS　Vol. 1　p. 122-123　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  144. Luminescence in excess of 1.5 um at room-temperature of InAs quantum dots capped by a thin InGaAs strain-reducing layer

    J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa

    Journal of Crystal Growth　Vol. 237-239　No. 2　p. 1296-1300　2002年4月　研究論文（学術雑誌）

  145. Over 1.5 μm light emission from InAs quantum dots embedded in InGaAs strain-reducing layer grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Jun Tatebayashi, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 78　No. 22　p. 3469-3471　2001年5月28日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  146. Area-controlled growth of InAs quantum dots and improvement of density and size distribution

    TATEBAYASHI J.

    Appl. Phys. Lett　Vol. 77　No. 21　p. 3382-3384　2000年11月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  147. Area-Controlled Growth of InAs Quantum Dots by Selective MOCVD.

    Tatebayashi Jun, Ishida Satomi, Nishioka Masao, Someya Takao, Arakawa Yasuhiko

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 39　No. Part 1, No. 4B　p. 2344-2346　2000年4月30日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会

MISC 16

  1. 強磁性ホイスラー合金/n+-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出

    加藤昌稔, 山田晋也, 山田晋也, 市川修平, 小林周平, 山田道洋, 山田道洋, 内藤貴大, 舘林潤, 藤原康文, 藤原康文, 浜屋宏平, 浜屋宏平

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 69th　2022年

  2. Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

    Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 58　2019年6月　その他

  3. GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co2FeSi薄膜の低温MBE成長

    山田晋也, 山田晋也, 本多遼成, 後藤優貴, 市川修平, 舘林潤, 藤原康文, 藤原康文, 浜屋宏平, 浜屋宏平

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 80th　2019年

  4. Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現 (電子部品・材料)

    舘林 潤, 稲葉 智宏, 塩見 圭史, 藤原 康文

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　Vol. 117　No. 332　p. 45-48　2017年11月30日

    出版者・発行元：電子情報通信学会

  5. ナノワイヤ量子ドットレーザーの室温発振 (「微小レーザーおよび光源の最前線」特集号)

    舘林 潤, 岩本 敏, 荒川 泰彦

    レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌　Vol. 44　No. 8　p. 502-507　2016年8月

    出版者・発行元：レーザー学会

  6. ナノワイヤ量子ドットレーザーの進展

    荒川 泰彦, 舘林 潤

    応用物理　Vol. 85　No. 7　p. 568-574　2016年7月

    出版者・発行元：応用物理学会

  7. ナノワイヤ量子ドットレーザー : ナノレーザーの高性能化に向けて

    舘林 潤, 荒川 泰彦

    光アライアンス　Vol. 27　No. 5　p. 29-33　2016年5月

    出版者・発行元：日本工業出版

  8. Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands

    MIYAZAWA Toshiyuki, TATEBAYASHI Jun, NAKAOKA Toshihiro, TAKATSU Motomu, ISHIDA Satomi, IWAMOTO Satoshi, TAKEMOTO Kazuya, HIROSE Shinichi, USUKI Tatsuya, YOKOYAMA Naoki, ARAKAWA Yasuhiko

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2005　p. 404-405　2005年9月13日

  9. Sbを用いたMOCVD法自己形成InAs/GaAs量子ドットの高密度化・長波長化に関する検討

    館林潤, GUIMARD Denis, YANG T., 塚本史郎, 西岡政雄, 荒川泰彦

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　Vol. 52nd　No. 1　2005年

  10. InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性

    井手 利英, 馬場 俊彦, 館林 潤, 岩本 敏, 中岡 俊裕, 荒川 泰彦

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス　Vol. 104　No. 484　p. 11-14　2004年12月3日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  11. MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振

    館林 潤, 羽鳥 伸明, 石田 充, 江部 広治, 須藤 久男, 倉又 朗人, 菅原 充, 荒川 泰彦

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス　Vol. 104　No. 484　p. 45-50　2004年12月3日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  12. Optical Polarization Properties of InAs/GaAs Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier

    JAYAVEL P., KITA T., WADA O., EBE H., SUGAWARA M., TATEBAYASHI J., ARAKAWA Y., NAKATA Y., AKIYAMA T.

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2004　p. 560-561　2004年9月15日

  13. Observation of Light Emission at-1.5μm from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity

    IWAMOTO Satoshi, TATEBAYASHI Jun, FUKUDA Tatsuya, NAKAOKA Toshihiro, ISHIDA Satomi, ARAKAWA Yasuhiko

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2004　p. 918-919　2004年9月15日

  14. InP(100)基板上のInAs量子ドットのアニール効果

    角田浩二, 館林潤, 西岡政雄, 塚本史郎, 荒川泰彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 65th　No. 1　2004年

  15. 歪みバッファ層によるInAs量子ドットの高均一・高密度化

    楊涛, 館林潤, 塚本史郎, 西岡政雄, 荒川泰彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 64th　No. 1　2003年

  16. Over 1.5μm light emission from InAs quantum dots embedded in InGaAs

    TATEBAYASHI J.

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 77　p. 3382-3382　2000年

著書 3

  1. Engineering crystal habit : applications of polymorphism and microstexture learning from nature

    Ishikawa, Fumitaro, Ohfuji, Hiroaki, Kawano, Jun, Tohei, Tetsuya

    Springer,Array　2024年

    ISBN: 9789819602650

  2. Silicon Photonics for Telecommunication and Biomedicine

    D. L. Huffaker, J. Tatebayashi

    CRC Press　2016年4月　学術書

  3. ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開

    荒川泰彦, 有田宗貴, 舘林潤

    シーエムシー出版　2013年3月　学術書

    ISBN: 9784781307602

講演・口頭発表等 161

  1. Room-Temperature Simultaneous Luminescence at RGBY Four Colors in AlGaN:Tb/GaN Core-Shell Nanowires

    J. Tatebayashi, T. Yoshimura, K. Sato, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Compound Semiconductor Week 2005 (CSW 2005), D1-5　2025年5月28日

  2. Formation and optical characteristics of AlGaN:Tb/GaN core-shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy

    J. Tatebayashi, T. Yoshimura, K. Sato, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    International Conference on Nano-photonics Nano-optoelectronics, and Quantum Technology 2025　2025年4月22日

  3. Optical characterization of energy transfer process in Tm,Yb-codoped ZnO nanowires

    M. Ida, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, M. Tane, Y. Fujiwara

    37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference　2024年11月13日

  4. Red electroluminescence from Eu-doped ZnO in p-GaN/Al2O3/n-ZnO heterostructures

    K. Nishimura, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, S. Yamada, Y. Nakajima, K. Sato, K. Hamaya, Y. Fujiwara

    International Conference on Nitride Semiconductors 14, MoP-GR-47　2023年11月13日

  5. Monolithic integration of small blue and red LEDs for next-generation micro-LED displays with ultrahigh definition

    Toshihiro Ishihara, Shuhei Ichikawa, Genki Tanaka, Kazutsune Miyanaga, Tsuyoshi Uemura, Norio Kanzaki, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

    International Conference on Nitride Semiconductors 14, OD2-4　2023年11月

  6. 次世代ディスプレイ実現に向けたEu添加GaNナノワイヤの結晶成長

    舘林 潤, 藤原康文

    第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2023年6月14日

  7. Enhanced vertical light extraction in nanobeam photonic crystal nanocavities based on Er,O-codoped GaAs

    Zhidong Fang, Jun Tatebayashi, Hirotake Kajii, Sangmin Ji, Satoshi Iwamoto, Masahiko Kondow, Yasufumi Fujiwara

    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2023　2023年4月20日

  8. Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire light emitting diodes grown by selective metalorganic vapor phase epitaxy

    J. Tatebayashi, T. Otabara, T. Yoshimura, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2023　2023年4月20日

  9. III-Nitride-Based High-Q (>10000) Two-Dimensional Photonic Crystal Nanocavities in the Red Region

    T. Iwaya, S. Ichikawa, Dolf Timmerman, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2023　2023年4月19日

  10. 希土類添加半導体ナノフォトニクスの開拓

    舘林 潤, 藤原康文

    第389回蛍光体同学会講演会　2022年11月25日

  11. Influence of carrier diffusion length on quantum efficiency of red-emitting Eu-doped GaN micro-structures

    D. Timmerman, T. Ishihara, D. Denier, van, der Gon, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022)　2022年11月15日

  12. Eu-doped GaN-based red LEDs for micro-LED displays with extremely high resolution

    Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi

    29th Workshop on Active-Matrix Flatpanel Display and Devices -TFT Technologies and FPD Materials (AM-FPD 22)　2022年7月5日

  13. Eu-doped GaN-based red LEDs for next-generation micro-LED displays

    Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi

    2022 International Conference on Electronics Packaging (ICEP 2022)　2022年5月11日

  14. Demonstration of a GaN-Based High-Q (7900) H3 Photonic Crystal Cavity in the Red Region

    Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2022　2022年4月18日

  15. Room temperature red luminescence from GaN:Eu/GaN core-shell nanowires

    Takaya Otabara, Jun Tatebayashi, Dolf Timmerman, Shuhei Ichikawa, Masayoshi Ichimiya, Masaaki Ashida, Yasufumi Fujiwara

    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2022　2022年4月18日

  16. Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core-shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy

    T. Otabara, J. Tatebayashi, S. Hasegawa, S. Ichikawa, M. Ashida, Y. Fujiwara

    34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference　2021年10月28日

  17. “Enhancement of Er luminescence from bridge-type photonic crystal nanocavities with Er,O-codoped GaAs

    Z. Fang, R. Homi, M. Ogawa, H. Kajii, M. Kondow, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    31st International Conference on Defects in Semiconductors　2021年7月26日

  18. Formation and optical characteristics of ZnO:Tm,Yb/ZnO nanowires towards photovoltaic applications

    J. Tatebayashi, T. Nakajima, N. Nishiyama, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2021　2021年4月20日

  19. 超スマート社会実現に資するナノワイヤフォトニクスの開拓

    舘林 潤, 市川 修平, 藤原 康文

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月

  20. Formation and optical characteristics of ZnO:Eu/ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, M. Mishina, N. Nishiyama, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020)　2020年11月10日

  21. Enhanced Eu luminescence in GaN:Eu,O-based light emitting diodes via introduction of nanostructures and nanocavities

    J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    The 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices　2020年9月3日

  22. Strongly enhanced red emission from Eu-doped GaN in a two-dimensional photonic-crystal nanocavity

    T. Iwaya, S. Ichikawa, M. Murakami, D. Timmerman, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials　2020年9月

  23. Formation and optical characteristics of rare-earth-doped ZnO nanowires towards photovoltaic applications

    J. Tatebayashi

    16th Annual German-Japanese Colloquium　2019年12月

  24. Observation of down-conversion behavior in ZnO:Tm,Yb/ZnO core-shell nanowires

    J. Tatebayashi, T. Nakajima, M. Mishina, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2019, GR1-3　2019年11月11日

  25. Localized surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based red light-emitting diodes with silver nanoparticles

    J. Tatebayashi, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    SemiconNano2019, O-15　2019年9月27日

  26. Tm,Yb共添加ZnOナノワイヤ構造におけるダウンコンバージョン挙動の観測

    舘林 潤, 中島徳仁, 三品匡央, Dolf Timmerman, 市川修平, 藤原康文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月

  27. ナノ構造及び共振器導入によるEu添加窒化物半導体の高輝度化

    舘林 潤, Dolf Timmerman, 市川 修平, 藤原 康文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月

  28. Control of growth kinetics towards enhanced red emissions from strongly excited Eu-doped GaN

    S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), G09.03　2019年7月

  29. “Enhancement of Eu luminescence in GaN:Eu via introduction of nanostructures and nanocavities

    J. Tatebayashi, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Asia Pacific Society for Materials Research, 202-19　2019年7月

  30. Observation of strongly enhanced Er-related luminescence coupled with cavity modes in Er,O-codoped GaAs microdisks

    J. Tatebayashi, R. Higashi, M. Ogawa, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    International Conference on Defects in Semiconductors, ThP-18　2019年7月

  31. High-quality epitaxial growth of half-metallic Co2FeSi films on a Co-terminated GaN (0001) surface

    S. Yamada, Y. Goto, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Hamaya

    Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), TuP-A-5　2019年5月

  32. Picosecond time-resolved excitation dynamics and emission manipulation of Eu3+ ions doped in GaN

    B. Mitchell, R. Wei, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, V. Dierolf, Y. Fujiwara

    Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), TuP-G-11　2019年5月

  33. Control of the energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in ZnO nanowires for photovoltaic applications

    J. Tatebayashi, T. Nakajima, M. Mishina, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), WeC2-5　2019年5月

  34. Numerical analysis of luminescence enhancement in L3-type photonic crystal nanocavities with Er,O-codoped GaAs

    Masayuki Ogawa, Taiki Kishina, Ryoma Higashi, Masayuki Fujita, Susumu Noda, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2019, ICNN-4-05　2019年4月

  35. Manipulation of Eu luminescence in GaN:Eu-based microdisks

    Y. Sasaki, T. Inaba, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA’19), LEDIA-4-2　2019年4月

  36. Excitation and relaxation processes of narrow-band blue emission in Tm-doped AlGaN revealed by time-resolved photoluminescence spectroscopy

    S. Ichikawa, J. Takatsu, R. Fuji, D. Timmerman, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma 2019/IC-PLANTS2019), 19P3-35　2019年3月

  37. ナノワイヤ量子ドットレーザーの室温動作

    舘林 潤, 荒川泰彦

    一般社団法人レーザー学会学術講演会第39回年次大会　2019年1月

  38. Surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles

    J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, Y. Matsude, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), OD6-4　2018年11月

  39. Novel in-situ technique for dislocation-reduction during GaN growth using multi-layered GaN:Eu structure

    S. Ichikawa, W. Zhu, B. Mitchell, T. Morikawa, J. Tatebayashi, T. Gregorkiewicz, Y. Fujiwara

    19th International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), GR8-2　2018年11月

  40. Drastic surface-smoothing on vicinal (0001) GaN film via strong surfactant effect of doped-Eu

    S. Ichikawa, T. Morikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    19th International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), GR8-3　2018年11月

  41. Fabrication of Two-Dimensional GaN:Eu Plasmonic Crystals toward Highly Efficient Red Emitters

    Yoji Matsude, Tomoya Yamada, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), CR4-1　2018年11月

  42. 銀ナノ粒子を用いた表面プラズモン共鳴型GaN:Eu発光ダイオード

    舘林 潤, 山田智也, 稲葉智宏, 市川修平, 藤原康文

    第37回電子材料シンポジウム、We1-8　2018年10月

  43. Fabrication and optical properties of GaN:Eu-based microdisks

    Y. Sasaki, T. Inaba, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    the 12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON2018), O44　2018年7月

  44. Growth of thick (~600 nm) Al0.82In0.18N by temperature-modulation epitaxy for realization of GaN-based photonic crystal slab nanocavities

    T. Inaba, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, P2-24　2018年6月

  45. Formation and optical properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition

    G. Yoshii, T. Nakajima, M. Mishina, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    h International Conference on Metalorganic Vapor;Phase Epitaxy　2018年6月

  46. Morphological and optical properties of Tm-doped AlGaN on GaN and AlN templates grown by organometallic vapor phase epitaxy

    J. Takatsu, R. Fuji, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 7C-1.1　2018年6月

  47. Observation of anomalous Er emission in a Er,O-codoped GaAs-based two dimensional photonic crystal nanocavity

    N. Fujioka, M. Ogawa, T. Kishina, R. Higashi, M. Kondow, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2018, 1CNN-2-1　2018年4月

  48. Demonstration of red vertical microcavity LEDs with Eu-doped GaN as an active layer

    K. Shiomi, T. Inaba, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

    The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications, LEDIA8-3　2018年4月

  49. Recent progress in nanowire-quantum dot laser

    J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    SPIE Photonic West, 10543-2　2018年1月

  50. フレキシブル基板に埋め込まれた InGaAs/GaAs 量子ドットを有する単一ナノワイヤのレーザ発振

    舘林 潤, 太田泰友, 石田悟己, 西岡政雄, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第36回電子材料シンポジウム、We1-11　2017年10月

  51. ナノワイヤ量子ドットレーザーの進展

    舘林 潤, 荒川泰彦

    2017年秋季 第78回 応用物理学会秋季学術講演会、6p-A405-1　2017年9月

  52. Energy transfer processes in Eu-doped GaN by two-wavelength excited photoluminescence measurements

    J. Tatebayashi, H. Kogame, T. Kojima, Y. Fujiwara

    The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Qingdao, China　2017年9月

  53. Nanowire-quantum dot lasers embedded in polydimethylsiloxane membranes for applications in flexible devices

    J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24), Tu1J-03　2017年8月

  54. Recent progress and future prospects of nanowire-based light emitters

    J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, Y. Arakawa

    International Workshop on Advanced Smart Materials and Engineering for Nano- and Bio-Technologies　2017年7月

  55. Nanowire-quantum dot lasers on flexible substrates

    J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2017, ICNN6-2　2017年4月

  56. フレキシブル基板上ナノワイヤ量子ドットレーザの実現

    舘林 潤, 太田泰友, 石田悟己, 西岡政雄, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第64回応用物理学会春季学術講演会、15p-421-8　2017年3月

  57. Lasing in a single nanowire with quantum dots

    J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    SPIE Photonic West, 10114-4　2017年1月

  58. Nanowire-quantum dot lasers grown on AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors

    J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, P-41　2016年11月

  59. DBR上ナノワイヤ量子ドットレーザにおける閾値特性の向上

    舘林 潤, 太田泰友, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第77回応用物理学会秋季学術講演会、15p-B4-1　2016年9月

  60. 半導体－空気周期ブラッグ反射膜を有するナノワイヤ共振器構造の検討

    舘林 潤, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第77回応用物理学会秋季学術講演会、15p-B4-17　2016年9月

  61. Growth of InGaAs/GaAs nanowire-quantum dots on AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors for laser applications

    J. Tatebayashi, S. Kako, J. Ho, Y. Ota, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Mo1-G03-3　2016年8月

  62. Demonstration of a Plasmonic Laser using Quantum Dot Gain Medium

    J. Ho, J. Tatebayashi, S. Sergen, C. F. Fong, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Compound Semiconductor Week 2016, TuB-3-3　2016年6月

  63. 分布ブラッグ反射膜上に形成したInGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットレーザ

    舘林 潤, Jinfa Ho, 太田泰友, 加古 敏, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第63回応用物理学会春季学術講演会、19p-W834-7　2016年3月

  64. ナノワイヤ量子ドットレーザーの室温発振－高性能ナノレーザー実現に向けて－

    舘林 潤, 荒川泰彦

    一般社団法人レーザー学会学術講演会第36回年次大会、A-10pI-1　2016年1月

  65. Room-temperature lasing in a single GaAs nanowire with InGaAs/GaAs quantum dots

    J. Tatebayashi, S. Kako, J. Ho, Y. Ota, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    The 5th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, P-19　2015年11月

  66. Room-temperature lasing in GaAs nanowires embedding multi-stacked InGaAs/GaAs quantum dots

    J. Tatebayashi, S. Kako, J. Ho, Y. Ota, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    Conference on Lasers and Electro-Optics:2015, SM2F.1　2015年5月

  67. InGaAs/GaAs量子ドットを有するナノワイヤレーザの室温発振

    舘林 潤, 加古 敏, Jinfa Ho, 太田泰友, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第62回応用物理学会春季学術講演会、12a-A10-3　2015年3月12日

  68. Lasing oscillation in a single GaAs nanowire cavity with multi-stacked InGaAs/GaAs quantum dots

    J. Tatebayashi, S. Kako, J. Ho, Y. Ota, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    The 4th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, P-61　2014年11月

  69. InGaAs/GaAs 積層量子ドットを有するGaAs ナノワイヤ光共振器からのレーザ発振

    舘林 潤, 加古 敏, Jinfa Ho, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第73回応用物理学会学術講演会、18a-A6-4　2014年9月18日

  70. Lasing oscillation in multi-stacked InGaAs/GaAs quantum dots with a single GaAs nanowire cavity

    J. Tatebayashi, S. Kako, J. F. Ho, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    the 46th International Conference on Solid State Devices and Materials 2014, P-6-2　2014年9月

  71. Demonstration of GaAs based Nanowire Plasmonic Laser

    J. F. Ho, J. Tatebayashi, S. Sergen, C. F. Fong, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2014　2014年9月

  72. High-Q Three-Dimensional Photonic Crystal Nanocavity with a <110>-Layered Diamond Structure

    T. Tajiri, S. Takahashi, Y. Ota, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    The 11th International Symposium on Photonic and Electromagnetic Crystal Structures　2014年5月

  73. Circular Dichroism in a Three-Dimensional Semiconductor Chiral Photonic Crystal

    S. Takahashi, T. Tajiri, Y. Ota, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    The 11th International Symposium on Photonic and Electromagnetic Crystal Structures, O-18　2014年5月

  74. AlGaAs窓層導入によるInGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドット太陽電池の変換効率改善

    舘林 潤, 田辺克明, 西岡政雄, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第61回応用物理学会春季学術講演会，18p-F11-3　2014年3月18日

  75. AlGaAs/GaAsコア・シェル構造導入による InGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの発光特性改善

    舘林 潤, 西岡政雄, 荒川泰彦

    第74回応用物理学会学術講演会,18p-C11-9　2013年9月18日

  76. Formation of highly-uniform multi-stacked InGaAs/GaAs quantum-dots-in-nanowires for photovoltaic applications

    J. Tatebayashi, Y. Ota, K. Tanabe, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    International Symposium on Compound Semiconductors 2013, WeB1-1　2013年5月

  77. 選択MOCVD法GaAsナノワイヤの軸・径方向成長ダイナミクス

    舘林 潤, 西岡政雄, 荒川泰彦

    第60回応用物理学会春季学術講演会, 28a-B8-2　2013年3月28日

  78. InGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットを有する太陽電池の試作

    舘林 潤, 田辺克明, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第60回応用物理学会春季学術講演会, 29a-G4-3　2013年3月29日

  79. Growth of High Density InAs-Stacked Quantum Dots on Germanium-on-Insulator-on-Silicon Substrate Emitting at 1.3-μm for Silicon Photonics

    M. Rajesh, J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa

    2nd International Symposium on Photonic and Electronics Convergence, P-31　2012年12月

  80. 単一GaAsナノワイヤ中に埋め込まれた積層InGaAs量子ドットの均一性制御

    舘林 潤, 太田泰友, 石田悟己, 西岡政雄, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第73回応用物理学会学術講演会, 12a-J-7　2012年9月12日

  81. Site-controlled InAs/GaAs quantum-dot-in-nanowires for non-classical photon emitters

    J. Tatebayashi, Y. Ota, D. Karunathillake, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    7th International Conference on Quantum Dots (QD 2012), 10-3　2012年5月

  82. Formation and optical properties of multi-stack InAs/GaAs quantum dots embedded in GaAs nanowires grown by selective metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, D. Karunathillake, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, Y. Takayama, T. Ishida, H. Fujita, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, MoB3-2　2012年5月

  83. High density InAs-stacked quantum dots emitting in the 1.3 μm band grown on germanium-on-insulator-on-silicon (GeOI) substrate

    M. Rajesh, J. Tatebayashi, M. Nishioka, S. Faure, Y. Arakawa

    16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, WeA1-1　2012年5月

  84. Formation and optical properties of multi-stack InAs/GaAs quantum dots embedded in GaAs nanowires grown by selective metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, D. Karunathillake, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    2012 Materials Research Society Spring Meeting, AA11.2　2012年4月

  85. 高効率太陽電池実現に向けた高品質積層InGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの形成と光学特性

    舘林 潤, Dumindu Karunathillake, 太田泰友, 石田悟己, 西岡政雄, 岩本 敏, 荒川泰彦

    第59回応用物理学会関係連合講演会, 16p-GP6-8　2012年3月16日

  86. Formation and optical properties of single InGaAs quantum dots embedded in GaAs nanowires grown by selective metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa

    International Conference on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics, Mo-10　2011年10月

  87. GaAs ナノワイヤ中のInGaAs 量子ドットの形成と光学特性

    舘林 潤, Dumindu Karunathillake, 石田悟己, 西岡政雄, 荒川泰彦

    第72回応用物理学会学術講演会,31p-ZA-8　2011年8月31日

  88. Influence of Coulomb interactions on emission dynamics in semiconductor quantum dot systems

    K. Gradkowski, T. J. Ochalski, N. Pavarelli, D. P. Williams, E. P. O’Reilly, J. Tatebayashi, B. L. Liang, D. L. Huffaker, D. J. Mowbray, G. Huye

    Photonic West 2011, 7937-05　2011年1月

  89. Emission dynamics of GaInP/GaP core/shell NWs grown on Si substrate

    T. J. Ochalski, J. Tatebayashi, B. L. Liang, G. Huye, D. L. Huffaker

    Photonic West 2011, 7947-15　2011年1月

  90. Ga液滴を用いた自己触媒化法によるSi基板上GaInP/GaPコア・シェル型ダブルヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長及び光学・構造評価

    舘林 潤, 佐久間芳樹, 迫田和彰, Andrew Lin, Robert F. Hicks, Diana L. Huffaker

    第71回 応用物理学会学術講演会、15p-ZV-16　2010年9月15日

  91. Visible light emission and carrier dynamics of GaP/GaInP core/shell nano-wires grown on silicon substrate

    N. Pavarelli, T. Ochalski, J. Tatebayashi, G. Huye, D. L. Huffaker

    30th International Conference on the Physics of Semiconductors, P1-145　2010年7月

  92. Modelling of the Optical Matrix Element in Type-II Ga(As)Sb/GaAs Quantum Dots

    K. Gradkowski, T. J. Ochalski, D. P. Williams, E. P. O’Reilly, G. Huye, J. Tatebayashi, D. L. Huffaker

    Conference on Lasers and Electro Optics/ Quantum Electronics and Laser Science Conference　2009年5月

  93. Energy transfer in patterned InAs quantum dot cluster grown on GaAs nano-pyramid

    B. L. Liang, P. S. Wong, J. Tatebayashi, D. L. Huffaker

    2009 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 10.3　2009年5月

  94. Photoluminescence investigation of InAs quantum dots incorporating DWELL structures on patterned and planar GaAs (100) substrate

    B. L. Liang, P. S. Wong, B. V., G. Dorogan, A. R. Albrech, H. Xiang, J. Tatebayashi, Yu. I. Mazur, G. J. Salamo, S. R. J. Brueck, D. L. Huffaker

    Photonic West 2009, 7224-08　2009年1月

  95. Carrier-density effects in type-II GaSb/GaAs quantum dot lasers

    K. Gradkowski, T. J. Oschalski, E. P. O’Reilly, G. Huye, J. Tatebayashi, D. L. Huffaker

    Photonic West 2009, 7224-42　2009年1月

  96. Growth of AlGaInSb Active Regions on GaAs/AlGaAs DBRs for High-Power 2 μm VECSELs

    Thomas Rotter, Ganesh Balakrishnan, Anitha Jallipalli, Jun Tatebayashi, L. R. Dawson, Diana Huffaker

    TMS 2008 Electronic Materials Conference (EMC), E9　2008年6月

  97. Photoluminescence Comparison Analysis of Patterned and Self-Assembled Quantum Dots by MOCVD

    P. S. Wong, B. L. Liang, N. Nuntawong, J. Tatebayashi, D. L. Huffaker, V. Dorogan, Y. Mazur, G. J. Salamo

    Conference on Lasers and Electro Optics / International Quantum Electronics Conference, JTuA37　2008年5月

  98. Monolithically integrated III-Sb based laser diodes grown on miscut Si substrates

    J. Tatebayashi, A. Jallipalli, M. N. Kutty, S. H. Huang, N. Nuntawong, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    Photonic West 2008, 6909-21　2008年1月

  99. Optical transition pathways in type-II Ga(As)Sb quantum dots

    T. Ochalski, K. Gradkowski, D. Williams, E. O’Reilly, G. Huye, J. Tatebayashi, A. Khoshakhlagh, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    Photonic West 2008, 6902-17　2008年1月

  100. Room-temperature lasing at 1.6 - 1.8 um of (In)GaSb/AlGaSb quantum well on GaAs substrates using interfacial misfit array

    J. Tatebayashi, G. Balakrishnan, A. Jallipalli, M. N. Kutty, M. Mehta, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    The North American Molecular Beam Epitaxy conference (NAMBE 2007), Abstract #6026　2007年9月

  101. Type-II recombination pathways in Sb based quantum dots

    T. J. Ochalski, K. Gradkowski, G. Huye, A. Khoshakhlagh, J. Tatebayashi, A. Khoshakhlagh, D. L. Huffaker

    International Workshop on Long Wavelength Quantum Dots (LWQD)　2007年7月

  102. 1.65- 1.82 um buffer-free Ga(In)Sb/AlGaSb quantum-well diode lasers grown on a GaAs substrate operating at room temperature

    M. Mehta, A. Jallipalli, M. N. Kutty, J. Tatebayashi, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    TMS 2007 Device Research Conference (DRC), V.A-6　2007年6月

  103. 1.54 um monolithically integrated GaSb quantum well laser diode on silicon operating at 77K

    G. Balakrishnan, A. Jallipalli, M. N. Kutty, J. Tatebayashi, S. H. Huang, L. R. Dawson, Z. Mi, P. Bhattacharya, D. L. Huffaker

    TMS 2007 Device Research Conference (DRC), V.B-8　2007年6月

  104. Room-temperature lasing of type-II "W" GaSb/GaAs quantum dots embedded in InGaAs quantum well

    J. Tatebayashi, A. Khoshakhlagh, G. Balakrishnan, S. H. Huang, M. Mehta, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    TMS 2007 Device Research Conference (DRC), III-4　2007年6月

  105. Controlled Growth of Quantum Dots and Nanopillars on Patterned GaAs Substrate by MOCVD

    P. S. Wong, G. Balakrishnan, N. Nuntawong, J. Tatebayashi, D. L. Huffaker

    TMS 2007 Electronic Materials Conference (EMC), I3　2007年6月

  106. Fabrication and optical characteristics of type-II self-assembled GaSb quantum dots embedded in InGaAs quantum well

    A. Khoshakhlagh, J. Tatebayashi, S. H. Huang, R. B. Laghumavarapu, B. L. Liang, D. A. Bussian, H. Htoon, V. Klimov, G. Balakrishnan, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    TMS 2007 Electronic Materials Conference (EMC), I7　2007年6月20日

  107. Optical Properties of Stranski-Krastanov and Strain-Free GaSb Quantum Dots on GaAs Substrates - Towards Sb-based Type-II Quantum Dot Light Emitters -

    J. Tatebayashi, G. Balakrishnan, S. H. Huang, A. Khoshakhlagh, M. Mehta, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    The 6th IEEE Conference on Nanotechnology, Cincinnati, S8　2006年7月

  108. Growth of High Quality Stranski-Krastanov GaSb Quantum Dots on a GaAs Substrate

    G. Balakrishnan, S. H. Huang, A. Khoshakhlagh, J. Tatebayashi, L. R. Dawson, D. L. Huffaker

    TMS 2006 Electronic Materials Conference (EMC)/Device Research Conference (DRC), G1　2006年6月

  109. Low Threshold Current Operation of Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Lasers with GaP Strain-Compensation Layers

    J. Tatebayashi, N. Nuntawong, Y. C. Xin, P. S. Wong, S. Huang, C. P. Hains, L. F. Lester, D. L. Huffaker

    The 2006 IEEE 18th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), TuA1.1　2006年5月

  110. Strain-compensation in closely-stacked quantum dot active regions grown by metal organic chemical vapor deposition

    N. Nuntawong, J. Tatebayashi, P. S. Wong, Y. C. Xin, C. P. Hains, S. Huang, L. F. Lester, D. L. Huffaker

    Proceedings of the International Society for Optical Engineering 2006, code number 6129-15　2006年1月

  111. Electroluminescence from a single quantum dot at telecommunication wavelength

    T. Miyazawa, J. Tatebayashi, T. Nakaoka, S. Ishida, S. Iwamoto, M. Takatsu, Y. Arakawa, S. Hirose, K. Takemoto, T. Usuki, N. Yokoyama

    Conference on Lasers and Electro Optics/ Quantum Electronics and Laser Science Conference 2005, QTuH5　2005年5月

  112. Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands

    T. Miyazawa, J. Tatebayashi, T. Nakaoka, M. Takatsu, S. Ishida, S. Iwamoto, S. Hirose, K. Takemoto, T. Usuki, N. Yokoyama, Y. Arakawa

    The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference　2005年5月

  113. Improvement of the emission intensity of InAs/GaAs quantum dot over 1.5 μm by MOCVD

    T. Fukuda, J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-1　2005年3月

  114. Improving growth surface morphology of GaAs during stacking InAs/GaAs quantum dot layers for 1.3 μm laser devices by inserting annealing steps

    Tao Yang, J. Tatebayashi, M. Nishioka, Yasuhiko Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-2　2005年3月

  115. Fabrication of self-assembled InAs/GaSb/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition

    D. Guimard, J. Tatebayashi, T. Yang, S. Tsukamoto, M. Nishioka, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-8　2005年3月

  116. Effect of strain on tuning of g-factor in self-assembled In(Ga)As quantum dots

    T. Nakaoka, T. Saito, J. Tatebayashi, S. Hirose, T. Usuki, N. Yokoyama, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-29　2005年3月

  117. Single InAs Quantum Dots LED with Self-Aligned SiO2 Lens Operating at Telecommunication Wavelengths

    T. Miyazawa, J. Tatebayashi, T. Nakaoka, M. Takatsu, S. Ishida, S. Iwamoto, K. Takemoto, S. Hirose, T. Usuki, N. Yokoyama, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-33　2005年3月

  118. New Realization Method for Photonic Crystals of Rod-Connected Diamond Structures

    K. Aoki, S. Iwamoto, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-39　2005年3月

  119. Fabrication of InAs Quantum-Dot Microdisk Injection Laser

    T. Ide, T. Baba, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-45　2005年3月

  120. Self-assembled InAs/GaAs quantum-dot lasers emitting at 1.3-μm grown by metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, M. Ishida, N. Hatori, H. Ebe, H. Sudo, A. Kuramata, M. Sugawara, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-54　2005年3月

  121. 1.55 μm light emission from InAs QDs embedded in a high-Q photonic crystal microcavity

    S. Iwamoto, J. Tatebayashi, T. Fukuda, T. Nakaoka, S. Ishida, Y. Arakawa

    Photonic West 2005, San Jose, USA, 57, 5733　2005年1月

  122. MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.28μm室温連続発振

    館林 潤, 羽鳥伸明, 石田 充, 江部広治, 須藤久男, 倉又朗人, 菅原 充, 荒川泰彦

    電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会　2004年12月

  123. A very narrow photoluminescence broadening (< 16 meV) from ~ 1.5 μm self-assembled InAs quantum dots at room temperature

    T. Fukuda, J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa

    The 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, J5.111　2004年11月

  124. MOCVD法による高性能量子ドットレーザ実現に向けた自己形成InAs/GaAs量子ドットの結晶成長

    館林 潤, 羽鳥伸明, 江部広治, 須藤久男, 倉又朗人, 菅原 充, 荒川泰彦

    第65回応用物理学関係連合講演会 3p-V-2　2004年9月3日

  125. 1.28 μm InAs/GaAs quantum dot lasers with AlGaAs cladding layer grown at low temperature by metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, N. Hatori, M. Ishida, H. Ebe, H. Sudo, A. Kuramata, M. Sugawara, Y. Arakawa

    The 19th IEEE International Semiconductor Laser Conference, ThB-3　2004年9月

  126. Observation of Light Emission at ~1.5 μm from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity

    S. Iwamoto, J. Tatebayashi, T. Fukuda, T. Nakaoka, S. Ishida, Y. Arakawa

    The 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials, H-7-4　2004年9月

  127. Controlling the uniformity of self-assembled InAs/GaAs quantum dots by a combined GaAs/InGaAs strained buffer layer

    T. Yang, S. Tsukamoto, J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa

    The 16th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, TuB-2-4　2004年6月

  128. Room temperature lasing in InAs quantum-dot microdisk laser

    T. Ide, T. Baba, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa

    Conference on Lasers and Electro Optics / International Quantum Electronics Conference　2004年5月

  129. InAs/AlAs Quantum Dots with InGaAs Insertion Layer: Dependence of the Indium Composition and the Thickness

    S. K. Park, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    Quantum Dots Conference 2004, WP13　2004年5月

  130. A Narrow Photoluminescence Linewidth (< 17 meV) from Highly Uniform Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots

    Tao Yang, Jun Tatebayashi, Shiro Tsukamoto, Yasuhiko Arakawa

    Quantum Dots Conference 2004, TP1　2004年5月

  131. 高性能量子ドットレーザ実現に向けた基盤技術の開発

    館林 潤, 羽鳥伸明, 江部広治, 須藤久男, 倉又朗人, 菅原 充, 荒川泰彦

    第2回ナノテクノロジー総合シンポジウム（JAPAN NANO 2004）　2004年3月

  132. MOCVD法による積層InAs/GaAs量子ドットレーザの長波長帯室温レーザ発振

    館林 潤, 羽鳥伸明, 江部広治, 須藤久男, 倉又朗人, 菅原 充, 荒川泰彦

    第51回応用物理学関係連合講演会 29a-ZE-6　2004年3月29日

  133. Prospects of Semiconductor Nanostrcutures for Future Photonic Devices

    Y. Arakawa, S. Iwamoto, T. Nakaoka, S. Kako, J. Tatebayashi, M. Arita, T. Yukutake, M. Ito, T. Fukuda, T. Sato, M. Nishioka, S. Ishida

    International Symposium on Electronics for Future Generations　2004年3月

  134. Long-wavelength lasing of InAs quantum dot lasers on GaAs substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, N. Hatori, H. Ebe, H. Sudo, A. Kuramata, M. Sugawara, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), P-27　2003年12月

  135. CW lasing of self-assembled InAs quantum dot lasers on GaAs substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition

    J. Tatebayashi, H. Kakuma, N. Hatori, M. Ishida, H. Ebe, H. Sudo, A. Kuramata, Y. Nakata, M. Sugawara, Y. Arakawa

    The fifth Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, TH4B-(SS2)-2　2003年12月

  136. Enhanced PL of High Density (up to 4.7 × 1011/cm2) InAs QDs by Using Graded Interface of GaAs/AlAs/GaAs

    S. K. Park, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    The fifth Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, WP-(7)-8　2003年12月

  137. Highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition

    T. Yang, J. Tatebayashi, S. Tsukamoto, M. Nishioka, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), P-1　2003年11月

  138. Improvement of Optical Properties of High Density InAs/AlAs QDs by Using Insertion Layer

    S. K. Park, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), P-5　2003年11月

  139. Optical Polarization Control in Edge-Emitting InAs/GaAs Quantum Dots

    P. Jayavel, H. Tanaka, M. Uchigami, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, Y. Nakata, T. Akiyama

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), P-19　2003年11月

  140. Non-resonant tunneling processes in vertically stacked InAs quantum dots

    T. Nakaoka, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), P-21　2003年11月

  141. Room Temperature Lasing with Low Threshold Current of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    J. Tatebayashi, N. Hatori, H. Ebe, H. Sudou, A. Kuramata, M. Sugawara, Y. Arakawa

    The 16th Annual Meeting of the IEEE Lasers & Electro-Optics Society, ML5　2003年10月

  142. Effects of InGaAs Insertion Layer on the Properties of High-Density InAs/AlAs Quantum Dots

    Se-Ki Park, Jun Tatebayashi, Yasuhiko Arakawa

    International Microprocesses and Nanotechnology Conference, 30P-7-35　2003年10月

  143. MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザ －活性層の積層条件依存性－

    館林 潤, 羽鳥伸明, 江部広治, 須藤久男, 倉又朗人, 菅原 充, 荒川泰彦

    第64回応用物理学関係連合講演会 1p-ZF-9　2003年9月1日

  144. Enhanced Optical Properties of High Density (<1011/cm2) InAs/AlAs Quantum Dots by Using Hydrogen Passivation

    Se-Ki Park, J. Tatebayashi, Young Ju Park, Yasuhiko Arakawa

    2003 International Conference on Solid State Devices and Materials　2003年9月

  145. Structual and Optical Properties of High Density (up to 4.7 × 1011/cm2) InAs QDs with Varying Al(Ga)As Matrix Layer Thickness

    S. K. Park, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    The eleventh international conference on modulated semiconductor structures, PA25　2003年7月

  146. Numerical analysis of DFB lasing action in photonic crystals with quantum dots

    S. Iwamoto, J. Tatebayashi, S. Kako, S. Ishida, Y. Arakawa

    The eleventh international conference on modulated semiconductor structures　2003年7月

  147. Spectroscopy on single columns of vertically aligned InAs quantum dots

    T. Nakaoka, J. Tatebayashi, Y. Arakawa

    The eleventh international conference on modulated semiconductor structures, PC28　2003年7月

  148. MOCVD法により作製したGaAs基板上InAs量子ドットレーザの室温連続発振

    館林 潤, 鹿熊秀雄, 羽鳥伸明, 石田 充, 江部広治, 須藤久男, 倉又朗人, 中田義明, 菅原 充, 荒川泰彦

    第50回応用物理学関係連合講演会、28p-YF-5　2003年3月28日

  149. Observation of Defect Modes of Two-Dimensional Photonic Crystal Slab with Self-Assembled InAs Quantum Dots

    J. Tatebayashi, S. Iwamoto, S. Kako, S. Ishida, Y. Arakawa

    2002 International Workshop on Photonic and Electromagnetic Crystal Structures, p. 95　2002年10月

  150. 1.3 μm帯InAs量子ドットを有する２次元フォトニック結晶スラブにおける複数の欠陥モードの観測

    館林 潤, 岩本 敏, 加古 敏, 石田悟己, 荒川泰彦

    第63回応用物理学関係連合講演会 26p-YA-1　2002年9月26日

  151. Optical Characteristics of Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Nanocavities with Self-Assembled InAs Quantum Dots Emitting at Over 1.3-μm

    J. Tatebayashi, S. Iwamoto, S. Kako, S. Ishida, Y. Arakawa

    2002 International Conference on Solid State Devices and Materials　2002年9月

  152. InAs量子ドットを活性層に持つ中空スラブ型２次元フォトニック結晶の作製・光学評価

    館林 潤, 加古 敏, 中岡俊裕, 石田悟己, 荒川泰彦

    第49回応用物理学関係連合講演会 28p-ZF-7　2002年3月28日

  153. "Over-1.5-μm Luminescence at Room-Temperature of InAs Quantum Dots Capped by Thin InGaAs Strain-Reducing Layer

    J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa

    The Thirteenth International Conference on Crystal Growth / The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy　2001年7月

  154. Over-1.5-μm emissions at room temperature of InAs quantum dots in strained InGaAs quantum well

    J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa

    Conference on Lasers and Electro Optics/ Quantum Electronics and Laser Science Conference　2001年5月

  155. InGaAs歪量子井戸中に埋め込まれたInAs量子ドットの1.5 μm室温発光

    館林 潤, 西岡政雄, 荒川泰彦

    第48回応用物理学関係連合講演会30p-YD-4　2001年3月30日

  156. Self-assembled growth of InAs quantum dots for 1.5-μm emissions

    J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa

    The Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, pp. 17-19　2001年3月

  157. Growth area control of InAs quantum dots for photonic crystal-based optical devices by selective MOCVD

    J. Tatebayashi, S. Ishida, T. Someya, Y. Arakawa

    The International Society for Optical Engineering, code number 4283-53　2001年1月

  158. Control of Formation Area of Self-Assembled InAs Quantum Dots Using Selective MOCVD Growth

    J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa

    The Fourth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, pp. 33-36　2000年3月

  159. InAs量子ドットの形成領域制御－密度分布の改善－

    館林 潤, 石田悟己, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦

    第60回応用物理学会学術講演会2p-D-9　1999年9月2日

  160. Area-Controlled Growth of InAs Quantum Dots by Selective MOCVD

    J. Tatebayashi, S. Ishida, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa

    1999 International Conference on Solid State Devices and Materials　1999年9月

  161. MOCVD領域選択成長を用いたフォトニック結晶を有するInAs量子ドットレーザ構造の試作

    館林 潤, 石田悟己, 西岡政雄, 染谷隆夫, A. Larsson, 荒川泰彦

    第46回応用物理学関係連合講演会29p-ZL-18　1999年3月29日

特許・実用新案・意匠 3

  1. 光電変換素子

    野澤 朋宏, 荒川 泰彦, 舘林 潤

    出願日:2013/04

  2. 超格子構造、前記超格子構造を備えた半導体装置および半導体発光装置、ならびに前記超格子構造の製造方法

    野澤 朋宏, 荒川 泰彦, 舘林 潤

    出願日:2012/03

  3. 半導体量子ドット素子及びその製造方法

    楊 涛, 館林 潤, 塚本 史郎, 荒川 泰彦

    出願日:2003/03

学術貢献活動 11

  1. 14th International Conference on Nitride Semiconductors

    日本結晶成長学会

    2021年11月 ～

  2. 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference

    応用物理学会

    2020年11月 ～

  3. International Conference on Nanophotonics and Nanoelectronics 2020

    OPTICS & PHOTONICS International Council

    2020年4月 ～

  4. Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

    The 162nd Committee on Wide Bandgap Semiconductor Photonic and Electronic Devices, Japan Society for the Promotion of Science

    2019年11月 ～

  5. Compound Semiconductor Week 2019

    CSW2019 Committee

    2019年5月 ～

  6. International Conference on Nanophotonics and Nanoelectronics

    OPIC

    2019年4月 ～

  7. The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018

    The Japanese Association for Crystal Growth

    2018年11月 ～

  8. 第37回電子材料シンポジウム

    電子材料シンポジウム実行委員会

    2018年10月 ～

  9. The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    The Japanese Association for Crystal Growth

    2018年6月 ～

  10. 第36回電子材料シンポジウム

    電子材料シンポジウム実行委員会

    2017年11月 ～

  11. The 29th International Conference on Defects in Semiconductors

    Japan Society of Applied Physics.

    2017年7月 ～