顔写真

顔写真

森　伸也
Mori Nobuya
森　伸也
Mori Nobuya
機関リポジトリ
工学研究科　電気電子情報通信工学専攻，教授

keyword 半導体物性

機関リポジトリ

経歴 3

  1. 2007年4月 ～ 2015年3月
    大阪大学　大学院工学研究科　准教授

  2. 2005年4月 ～ 2007年3月
    大阪大学　大学院工学研究科　助教授

  3. 2015年4月 ～
    大阪大学　大学院工学研究科　教授

学歴 4

  1. 大阪大学　工学研究科　電子工学

    ～ 1991年

  2. 大阪大学

    ～ 1991年

  3. 大阪大学　工学部　電子工学

    ～ 1986年

  4. 大阪大学

    ～ 1986年

所属学会 6

  1. 英国物理学会(Institute of Physics)

  2. 応用物理学会

  3. 日本物理学会

  4. The Institue of Physics

  5. The Japan Society of Applied Physics

  6. The Physical Society of Japan

研究内容・専門分野 1

  1. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

論文 223

  1. Acceleration theorem for low-dimensional electron systems with off-diagonal effective-mass components

    Nobuya Mori, Hajime Tanaka, Jo Okada

    Journal of Applied Physics　2025年6月28日　研究論文（学術雑誌）

  2. Acoustic Phonon Scattering in Free‐Standing Anisotropic Silicon Plates

    Nobuya Mori

    physica status solidi (b)　2024年12月23日　研究論文（学術雑誌）

  3. Effect of random potential on two-dimensional electronic states

    Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　2024年12月10日　研究論文（学術雑誌）

  4. Impact of interface structure on electronic states in 4H-SiC inversion layer

    Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　2024年12月4日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  5. Carrier transport simulations in twisted bilayer and turbostratic multilayer graphene systems

    Seyed Ali Mojtahedzadeh, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 63　No. 5　p. 05SP09-05SP09　2024年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  6. Modeling and Simulation of Carrier Transport Properties in 4H-SiC

    Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA)　2024年4月22日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：IEEE

  7. Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC

    Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto, Nobuya Mori

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 173　p. 108126-108126　2024年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  8. Monte Carlo simulation of mobility enhancement in multilayer graphene with turbostratic structure

    Seyed Ali Mojtahedzadeh, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 63　No. 3　p. 031004-031004　2024年3月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  9. Statistical model of electronic structure in InAs, InP, GaSb, and Si quantum dots with surface roughness

    Jin Hyong Lim, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　2024年2月29日　研究論文（学術雑誌）

  10. Analysis of tunneling probability in heavily doped 4H-SiC Schottky barrier diodes based on complex band structure considering barrier potential

    Yutoku Murakami, Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　2024年1月23日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  11. Theoretical analysis of electron scattering by step-terrace structures at SiC metal-oxide-semiconductor interface

    Keisuke Utsumi, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　2023年12月25日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  12. Wannier-Stark localization of electronic states in 4H-SiC MOS inversion layer

    Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　2023年12月25日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  13. Full-band Monte Carlo analysis of strain effects on carrier transport in GaN

    Wataru Miyazaki, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　2023年11月27日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  14. RSDFT-NEGF transport simulations in realistic nanoscale transistors

    Gennady Mil’nikov, Jun-ichi Iwata, Nobuya Mori, Atsushi Oshiyama

    Journal of Computational Electronics　2023年10月　研究論文（学術雑誌）

  15. Numerical calculation method for the mean free path of single-mode semiconductor nanosheets with surface roughness

    Jo Okada, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 9　p. 091003-091003　2023年9月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  16. Effects of hydrogen radical treatment on piezoresistance coefficients of germanium

    Kazunori Matsuda, Masashi Yamamoto, Michio Mikawa, Shiro Nagaoka, Nobuya Mori, Kazuo Tsutsui

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 4　p. 041003-041003　2023年4月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  17. Tight-binding analysis of the effect of strain on the band structure of GaN

    Wataru Miyazaki, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. SC　p. SC1076-SC1076　2023年2月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  18. Theoretical analysis of tunneling current in 4H-SiC Schottky barrier diodes under reverse-biased condition based on complex band structure

    Yutoku Murakami, Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. SC　p. SC1042-SC1042　2022年12月28日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  19. Simulation analysis of high-field carrier transport in wide-bandgap semiconductors considering tunable band structures and scattering processes

    H. Tanaka, T. Kimoto, N. Mori

    Journal of Applied Physics　Vol. 131　No. 22　p. 225701-225701　2022年6月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  20. Electron and Phonon Transport Simulation for Quantum Hybrid System

    Nobuya Mori, Gennady Mil’nikov

    Quantum Science and Technology　p. 73-98　2022年5月　論文集(書籍)内論文

    出版者・発行元：Springer Nature Singapore

  21. Analytical models for inter-layer tunneling in two-dimensional materials

    Nobuya Mori, Futo Hashimoto, Takaya Mishima, Hajime Tanaka

    Japanese Journal of Applied Physics　2021年12月2日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  22. Crossover point of the field effect transistor and interconnect applications in turbostratic multilayer graphene nanoribbon channel

    Ryota Negishi, Katsuma Yamamoto, Hirofumi Tanaka, Seyed Ali Mojtahedzadeh, Nobuya Mori, Yoshihiro Kobayashi

    Scientific Reports　Vol. 11　No. 1　p. 10206-1-10206-11　2021年12月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

  23. Invited: Monte Carlo Simulation of Electron Mobility in SiC MOSFETs

    Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK)　2021年11月17日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：IEEE

  24. Analysis of Electronic States at SiC MOS Interface Based on Empirical Pseudopotential Method

    Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK)　p. 1-2　2021年11月17日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：IEEE

  25. Equivalent model for band-to-band tunneling simulation of direct-gap III–V semiconductor nanowires

    Jo Okada, Futo Hashimoto, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　No. 9　p. 091002-1-091002-6　2021年9月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  26. Comparison of linear and quadratic dispersion models for phonon transport in one-dimensional mass-disordered systems

    N. Mori, A. Komada, G. Mil’nikov

    APL Materials　Vol. 9　No. 8　p. 081112-1-081112-7　2021年8月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  27. Comparative simulation study of intra-layer band-to-band tunneling in monolayer transition metal dichalcogenides

    Futo Hashimoto, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　No. SB　p. SBBH12-SBBH12　2021年2月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  28. Reduction of order of device Hamiltonian with adaptive moment estimation

    Jo Okada, Futo Hashimoto, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　No. SB　p. SBBH08-SBBH08　2021年1月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  29. Thermoelectric Si1−xGex and Ge epitaxial films on Si(001) with controlled composition and strain for group IV element-based thermoelectric generators

    Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Ryoya Hosoda, Youya Wagatsuma, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Yuichiro Yamashita, Nobuya Mori, Yoshiaki Nakamura

    Applied Physics Letters　Vol. 117　No. 14　p. 141602-141602　2020年10月5日　研究論文（学術雑誌）

  30. TCAD simulation for transition metal dichalcogenide channel Tunnel FETs consistent with ab-initio based NEGF calculation

    Hidehiro Asai, Tatsuya Kuroda, Koich Fukuda, Junichi Hattori, Tsutomu Ikegami, Nobuya Mori

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD　Vol. 2020-September　p. 93-96　2020年9月23日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  31. Analysis of Hall mobility in two-dimensional disordered systems

    Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Semiconductor Science and Technology　Vol. 35　No. 9　p. 095015-095015　2020年9月1日　研究論文（学術雑誌）

  32. Material dependence of band-to-band tunneling in van der Waals heterojunctions of transition metal dichalcogenides

    Foto Hashimoto, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Journal of Physics D: Applied Physics　2020年6月17日　研究論文（学術雑誌）

  33. Interlayer Band‐to‐Band Tunneling and Negative Differential Resistance in van der Waals BP/InSe Field‐Effect Transistors

    Quanshan Lv, Faguang Yan, Nobuya Mori, Wenkai Zhu, Ce Hu, Zakhar R. Kudrynskyi, Zakhar D. Kovalyuk, Amalia Patanè, Kaiyou Wang

    Advanced Functional Materials　Vol. 30　No. 15　p. 1910713-1910713　2020年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  34. A comparison of mechanisms for improving dark current characteristics in barrier infrared photodetectors

    Yen Le Thi, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 59　No. 4　p. 044005-044005　2020年4月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  35. Theoretical analysis of band structure effects on impact ionization coefficients in wide-bandgap semiconductors

    Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto, Nobuya Mori

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 13　No. 4　2020年4月　研究論文（学術雑誌）

  36. Modeling of carrier scattering in MOS inversion layers with large density of interface states and simulation of electron Hall mobility in 4H-SiC MOSFETs

    Hajime Tanaka, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 59　No. 3　2020年3月

  37. Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Nanoscale Thermal Management in Bulk SiGe Composites

    Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Masato Kashino, Kentaro Watanabe, Takeshi Fujita, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Yoshiaki Nakamura

    ACS Applied Energy Materials　Vol. 3　p. 1235-1241　2019年12月30日　研究論文（学術雑誌）

  38. Evaluation of the optical characteristics of a type-II InAs/GaSb superlattice infrared p–i–n photodetector

    Y. Le Thi, Y. Kamakura, N. Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　p. 081003-1-081003-8　2019年7月　研究論文（学術雑誌）

  39. Electron mobility calculation for two-dimensional electron gas in InN/GaN digital alloy channel high electron mobility transistors

    Tomoki Hoshino, Nobuya Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCD10-SCCD10　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  40. Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures

    Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Takeshi Fujita, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Nobuya Mori, Yoshiaki Nakamura

    Materials Today Energy　Vol. 13　p. 56-63　2019年5月　研究論文（学術雑誌）

  41. Nonequilibrium Green function simulation of coupled electron–phonon transport in one-dimensional nanostructures

    Y. Kajiwara, N. Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SD　p. SDDE05-1-SDDE05-8　2019年5月　研究論文（学術雑誌）

  42. Intra-collisional field effect in one-dimensional GaN nanowires

    S. Makihira, N. Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCB26-1-SCCB26-6　2019年5月　研究論文（学術雑誌）

  43. Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled si nanostructures

    S. Sakane, T. Ishibe, T. Taniguchi, N. Naruse, Y. Mera, T. Fujita, Md. M. Alam, K. Sawano, N. Mori, Y. Nakamura

    Materials Today Energy　Vol. 13　p. 56-63　2019年5月　研究論文（学術雑誌）

  44. Simulation of dark current characteristics of type-II InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared p–i–n photodetector

    Y. Le Thi, Y. Kamakura, N. Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. 4　p. 044002-1-044002-7　2019年3月　研究論文（学術雑誌）

  45. Methodology of thermoelectric power factor enhancement by controlling nanowire interface

    T. Ishibe, A. Tomeda, K. Watanabe, Y. Kamakura, N. Mori, N. Naruse, Y. Mera, Y. Yamashita, Y. Nakamura

    ACS Applied Materials & Interfaces　Vol. 10　p. 37709-37716　2018年10月　研究論文（学術雑誌）

  46. Electron mobility of two-dimensional electron gas in InGaN heterostructures: Effects of alloy disorder and random dipole scatterings

    T. Hoshino, N. Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　2018年2月　研究論文（学術雑誌）

  47. Resonant enhancement of band-to-band tunneling in in-plane MoS2/WS2 heterojunctions

    T. Kuroda, N. Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 57　p. 04FP03-1-04FP03-6　2018年2月　研究論文（学術雑誌）

  48. Liquid-phase deposition of thin Si and Ge films based on ballistic hot electron incidence

    Ryutaro Suda, Mamiko Yagi, Akira Kojima, Nobuya Mori, Jun-ichi Shirakashi, Nobuyoshi Koshida

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　Vol. 70　p. 44-49　2017年11月　研究論文（学術雑誌）

  49. Analysis of anisotropic ionization coefficient in bulk 4H-SiC with full-band Monte Carlo simulation

    R. Fujita, K. Konaga, Y. Ueoka, Y. Kamakura, N. Mori, T. Kotani

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD　Vol. 2017-September　p. 289-292　2017年10月25日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  50. Inter-layer coupling effects on vertical electron transport in multilayer graphene nanoribbons

    F. Hashimoto, N. Mori

    Journal of Physics: Conference Series　Vol. 906　p. 012004-1-012004-4　2017年8月　研究論文（学術雑誌）

  51. Enhancing optoelectronic properties of SiC-grown graphene by a surface layer of colloidal quantum dots

    O. Makarovsky, L. Turyanska, N. Mori, M. Greenaway, L. Eaves, A. Patanè, M. Fromhold, S. Lara-Avila, S. Kubatkin, R. Yakimova

    2D Materials　2017年6月　研究論文（学術雑誌）

  52. The theoretical highest frame rate of silicon image sensors

    T. G. Etoh, A. Q. Nguyen, Y. Kamakura, K. Shimonomura, T. Y. Le, N. Mori

    Sensors　2017年2月　研究論文（学術雑誌）

  53. Electronic states of coupled graphene nanoribbons

    F. Hashimoto, N. Mori, O. Kubo, M. Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　2017年2月　研究論文（学術雑誌）

  54. Mobility enhancement of CVD graphene by spatially correlated charges

    L. Turyanska, O. Makarovsky, L. Eaves, A. Patane, N. Mori

    2D Materials　2017年2月　研究論文（学術雑誌）

  55. Resonant Zener tunnelling via zero-dimensional states in a narrow gap diode

    D. M. Di Paola, M. Kesaria, O. Makarovsky, A. Velichko, L. Eaves, N. Mori, A. Krier, A. Patane

    SCIENTIFIC REPORTS　Vol. 6　p. 32039-1-32039-8　2016年8月　研究論文（学術雑誌）

  56. Random phonon model of dissipative electron transport in nanowire MOSFETs

    G. Mil'nikov, N. Mori

    Journal of Computational Electronics　Vol. 15　p. 1179-1191　2016年7月　研究論文（学術雑誌）

  57. Reductive Deposition of Thin Cu Films Using Ballistic Hot Electrons as a Printing Beam

    R. Suda, M. Yagi, A. Kojima, N. Mori, J. Shirakashi, N. Koshida

    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　Vol. 163　No. 6　p. E162-E165　2016年　研究論文（学術雑誌）

  58. Computational Study of Effects of Surface Roughness and Impurity Scattering in Si Double-Gate Junctionless Transistors

    Masato Ichii, Ryoma Ishida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　Vol. 62　No. 4　p. 1255-1261　2015年4月　研究論文（学術雑誌）

  59. Non-equilibrium Green function simulations of graphene, silicene, and germanene nanoribbon field-effect transistors

    Casey Clendennen, Nobuya Mori, Hideaki Tsuchiya

    Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering　Vol. 2　No. 1　p. 171-177　2015年3月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Japan Society for Simulation Technology

  60. Deposition of thin Si and Ge films by ballistic hot electron reduction in a solution-dripping mode and its application to the growth of thin SiGe films

    Ryutaro Suda, Mamiko Yagi, Akira Kojima, Romain Mentek, Nobuya Mori, Junichi Shirakashi, Nobuyoshi Koshida

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 54　No. 4S　p. 04DH11-1-04DH11-5　2015年3月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Institute of Physics

  61. Deposition of thin Si and Ge films by ballistic hot electron reduction in a solution-dripping mode and its application to the growth of thin SiGe films

    R. Suda, M. Yagi, A. Kojima, R. Mentek, N. Mori, J. Shirakashi, N. Koshida

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 54　No. 4S　p. 04DH11-1-04DH11-2　2015年3月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Institute of Physics

  62. Effects of increased acoustic phonon deformation potential and surface roughness scattering on quasi-ballistic transport in ultrascaled Si-MOSFETs

    Shunsuke Koba, Ryoma Ishida, Yuko Kubota, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 53　No. 11　p. 114301-1-114301-8　2014年11月　研究論文（学術雑誌）

  63. Spectroscopic study of graphene nanoribbons formed by crystallographic etching of highly oriented pyrolytic graphite

    Yoshihiro Sugiyama, Osamu Kubo, Ryosuke Omura, Masaaki Shigehara, Hiroshi Tabata, Nobuya Mori, Mitsuhiro Katayama

    Applied Physics Letters　Vol. 105　No. 12　p. 123116-1-123116-5　2014年9月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  64. Impact ionization and large room-temperature magnetoresistance in micron-sized high-mobility InAs channels

    A. V. Velichko, O. Makarovsky, N. Mori, L. Eaves, A. Krier, Q. Zhuang, A. Patanè

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　Vol. 90　No. 8　2014年8月20日　研究論文（学術雑誌）

  65. Impact ionization and large room-temperature magnetoresistance in micron-sized high-mobility InAs channels

    A. V. Velichko, O. Makarovsky, N. Mori, L. Eaves, A. Krier, Q. Zhuang, A. Patane

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 90　No. 8　2014年8月　研究論文（学術雑誌）

  66. Electron mobility calculation for graphene on substrates

    Hideki Hirai, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 116　No. 8　p. 083703-1-083703-6　2014年8月　研究論文（学術雑誌）

  67. Ballistic hot electron effects in nanosilicon dots and their photonic applications

    N. Koshida, N. Ikegami, A. Kojima, R. Mentek, R. Suda, M. Yagi, J. Shirakashi, B. Gelloz, N. Mori

    NANOSCALE LUMINESCENT MATERIALS 3　Vol. 61　No. 5　p. 47-54　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  68. Nonequilibrium green function simulations of graphene-nanoribbon resonant-tunneling transistors

    Nobuya Mori, Takuya Edagawa, Yoshinari Kamakura, Laurence Eaves

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 4　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  69. Electro-Deposition of Thin Si and Ge Films Based on Ballistic Hot Electron Injection

    N. Koshida, A. Kojima, T. Ohta, R. Mentek, B. Gelloz, N. Mori, J. Shirakashi

    ECS SOLID STATE LETTERS　Vol. 3　No. 5　p. P57-P60　2014年　研究論文（学術雑誌）

  70. Theoretical performance estimation of silicene, germanene, and graphene nanoribbon field-effect transistors under ballistic transport

    Shiro Kaneko, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

    Applied Physics Express　Vol. 7　No. 3　2014年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  71. Channel length scaling limits of III-V channel MOSFETs governed by source-drain direct tunneling

    Shunsuke Koba, Masaki Ohmori, Yosuke Maegawa, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 4　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

  72. Universal conductance statistics in a backscattering model: Solving the Dorokhov-Mello-Pereyra-Kumar equation with beta=1, 2, and 4

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 88　No. 15　2013年10月　研究論文（学術雑誌）

  73. Scattering basis representation in ballistic transport simulations of nanowire transistors

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura

    MATHEMATICAL AND COMPUTER MODELLING　Vol. 58　No. 1-2　p. 312-320　2013年7月　研究論文（学術雑誌）

  74. Increased Subthreshold Current due to Source-Drain Direct Tunneling in Ultrashort-Channel III-V Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

    Shunsuke Koba, Yosuke Maegawa, Masaki Ohmori, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 6　No. 6　2013年6月　研究論文（学術雑誌）

  75. Analytic Circuit Model of Ballistic Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor for Transient Analysis

    Tatsuhiro Numata, Shigeyasu Uno, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Kazuo Nakazato

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 52　No. 4　2013年4月　研究論文（学術雑誌）

  76. Disorder-Induced Enhancement of Avalanche Multiplication in a Silicon Nanodot Array

    Nobuya Mori, Masanori Tomita, Hideki Minari, Takanobu Watanabe, Nobuyoshi Koshida

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 52　No. 4　2013年4月　研究論文（学術雑誌）

  77. Performance Comparison of InAs, InSb, and GaSb n-Channel Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors in the Ballistic Transport Limit

    Kenta Shimoida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 6　No. 3　2013年3月　研究論文（学術雑誌）

  78. A Self-Consistent Compact Model of Ballistic Nanowire MOSFET With Rectangular Cross Section

    Tatsuhiro Numata, Shigeyasu Uno, Junichi Hattori, Gennady Mil'nikov, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Kazuo Nakazato

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　Vol. 60　No. 2　p. 856-862　2013年2月　研究論文（学術雑誌）

  79. Random evolution approach to universal conductance statistics

    Gennady Milnikov, Nobuya Mori

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　Vol. 87　No. 3　2013年1月30日　研究論文（学術雑誌）

  80. Effects of Atomic Disorder on Impact Ionization Rate in Silicon Nanodots

    N. Mori, M. Tomita, H. Minar, T. Watanabe, N. Koshida

    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS　Vol. 1566　p. 381-+　2013年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  81. Discrete distribution of implanted and annealed arsenic atoms in silicon nanowires and its effect on device performance

    Masashi Uematsu, Kohei M. Itoh, Gennady Mil'nikov, Hideki Minari, Nobuya Mori

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS　Vol. 7　p. 1-6　2012年12月　研究論文（学術雑誌）

  82. Observation of large Zeeman splitting in GaGdN/AlGaN ferromagnetic semiconductor double quantum well superlattices

    YiKai Zhou, Mohamed Almokhtar, Hitoshi Kubo, Nobuya Mori, Shuichi Emura, Shigehiko Hasegawa, Hajime Asahi

    SOLID STATE COMMUNICATIONS　Vol. 152　No. 14　p. 1270-1273　2012年7月　研究論文（学術雑誌）

  83. Strain Effects on Avalanche Multiplication in a Silicon Nanodot Array

    Nobuya Mori, Hideki Minari, Shigeyasu Uno, Hiroshi Mizuta, Nobuyoshi Koshida

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 51　No. 4　2012年4月　研究論文（学術雑誌）

  84. Theory of Resonant Tunneling through a Donor State

    Nobuya Mori, Amalia Patane, Laurence Eaves

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 51　No. 2　2012年2月　研究論文（学術雑誌）

  85. Equivalent transport models in atomistic quantum wires

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　Vol. 85　No. 3　2012年1月23日　研究論文（学術雑誌）

  86. Erratum: Application of the R-matrix method in quantum transport simulations: Continuous model (Journal of Computational Electronics DOI: 10.1007/s10825-011-0345-z)

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura

    Journal of Computational Electronics　Vol. 10　No. 1-2　2011年6月　研究論文（学術雑誌）

  87. Acoustic phonon modulation and electron-phonon interaction in semiconductor slabs and nanowires

    Shigeyasu Uno, Junichi Hattori, Kazuo Nakazato, Nobuya Mori

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS　Vol. 10　No. 1-2　p. 104-120　2011年6月　研究論文（学術雑誌）

  88. Application of the R-matrix method in quantum transport simulations

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS　Vol. 10　No. 1-2　p. 51-64　2011年6月　研究論文（学術雑誌）

  89. Ellipsoidal Band Structure Effects on Maximum Ballistic Current in Silicon Nanowires

    Nobuya Mori, Hideki Minari, Shigeyasu Uno, Junichi Hattori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 4　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

  90. Magnetophonon Resonance in Monolayer Graphene

    Nobuya Mori, Tsuneya Ando

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　Vol. 80　No. 4　p. 044706-044706　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

  91. Theory of quasiballistic transport through nanocrystalline silicon dots

    Nobuya Mori, Hideki Minari, Shigeyasu Uno, Hiroshi Mizuta, Nobuyoshi Koshida

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 98　No. 6　2011年2月　研究論文（学術雑誌）

  92. Impact of oxidation induced atomic disorder in narrow Si nanowires on transistor performance

    Hideki Minari, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe, Yoshinari Kamakura, Shigeyasu Uno, Nobuya Mori

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　p. 122-123　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  93. Application of the R-matrix method in quantum transport simulations

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS　Vol. 9　No. 3-4　p. 256-261　2010年12月　研究論文（学術雑誌）

  94. Manipulating and Imaging the Shape of an Electronic Wave Function by Magnetotunneling Spectroscopy

    A. Patane, N. Mori, O. Makarovsky, L. Eaves, M. L. Zambrano, J. C. Arce, L. Dickinson, D. K. Maude

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　Vol. 105　No. 23　2010年12月　研究論文（学術雑誌）

  95. Universality in electron-modulated-acoustic-phonon interactions in a free-standing semiconductor nanowire

    Junichi Hattori, Shigeyasu Uno, Nobuya Mori, Kazuo Nakazato

    MATHEMATICAL AND COMPUTER MODELLING　Vol. 51　No. 7-8　p. 880-887　2010年4月　研究論文（学術雑誌）

  96. A computationally cost-effective interleaving method for atomistic non-equilibrium Green's function simulation

    Hideki Minari, Nobuya Mori

    MATHEMATICAL AND COMPUTER MODELLING　Vol. 51　No. 7-8　p. 888-892　2010年4月　研究論文（学術雑誌）

  97. Form factor increase and its physical origins in electron-modulated acoustic phonon interaction in a free-standing semiconductor plate

    Shigeyasu Uno, Junichi Hattori, Kazuo Nakazato, Nobuya Mori

    MATHEMATICAL AND COMPUTER MODELLING　Vol. 51　No. 7-8　p. 863-872　2010年4月　研究論文（学術雑誌）

  98. Scaling consideration and compact model of electron scattering enhancement due to acoustic phonon modulation in an ultrafine free-standing cylindrical semiconductor nanowire

    Junichi Hattori, Shigeyasu Uno, Kazuo Nakazato, Nobuya Mori

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 107　No. 3　2010年2月　研究論文（学術雑誌）

  99. Impact of Attractive Ion in Undoped Channel on Characteristics of Nanoscale Multigate Field Effect Transistors: A Three-Dimensional Nonequilibrium Green's Function Study

    Yoshinari Kamakura, Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Kenji Taniguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 49　No. 4　2010年　研究論文（学術雑誌）

  100. Analytical Compact Model of Ballistic Cylindrical Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

    Tatsuhiro Numata, Shigeyasu Uno, Kazuo Nakazato, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 49　No. 4　2010年　研究論文（学術雑誌）

  101. Electron-Modulated-Acoustic-Phonon Interactions in a Coated Silicon Nanowire

    Junichi Hattori, Shigeyasu Uno, Nobuya Mori, Kazuo Nakazato

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 49　No. 4　2010年　研究論文（学術雑誌）

  102. Impact of Interface Roughness on Threshold-Voltage Variation in Ultrasmall Gate-All-Around and Double-Gate Field-Effect Transistors

    Nobuya Mori, Hideki Minari

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 49　No. 4　2010年　研究論文（学術雑誌）

  103. Hole Transport Mechanism in Silicon and Germanium Nanowire Field Effect Transistors

    Hideki Minari, Nobuya Mori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 49　No. 4　2010年　研究論文（学術雑誌）

  104. R-matrix method for quantum transport simulations in discrete systems

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 79　No. 23　2009年6月　研究論文（学術雑誌）

  105. Sum rules and universality in electron-modulated acoustic phonon interaction in a free-standing semiconductor plate

    Shigeyasu Uno, Darryl Yong, Nobuya Mori

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 79　No. 23　2009年6月　研究論文（学術雑誌）

  106. Dopant-Induced Intrinsic Bistability in a Biased Nanowire

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura, Tatsuya Ezaki

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　Vol. 102　No. 3　2009年1月　研究論文（学術雑誌）

  107. Solution of the Poisson Equation with Coulomb Singularities

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura, Tatsuya Ezaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 47　No. 10　p. 7765-7770　2008年10月　研究論文（学術雑誌）

  108. Atomistic modeling of hole transport in ultra-thin body SOI pMOSFETs

    Hideki Minari, Nobuya Mori

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS　Vol. 7　No. 3　p. 293-296　2008年9月　研究論文（学術雑誌）

  109. Effects of phonon scattering on electron transport in double-gate MOSFETs

    Nobuya Mori, Hiroshi Takeda, Hideki Minari

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS　Vol. 7　No. 3　p. 268-271　2008年9月　研究論文（学術雑誌）

  110. R-matrix theory of quantum transport and recursive propagation method for device simulations

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura, Tatsuya Ezaki

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 104　No. 4　2008年8月　研究論文（学術雑誌）

  111. R-matrix theory of quantum transport in nanoscale electronic devices

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura, Tatsuya Ezaki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 1　No. 6　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

  112. Impact of strain on ballistic current in Si n-i-n structures

    Hideki Minari, Nobuya Mori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 47　No. 4　p. 2621-2623　2008年4月　研究論文（学術雑誌）

  113. Phonon scattering of hot electrons in intense mid-infrared laser fields

    H. Furuse, N. Mori, H. Kubo, H. Momose, M. Kondow

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 5　No. 1　p. 286-289　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  114. Resonant tunneling through a dilute nitride quantum well

    N. Mori, G. Allison, A. Patane, L. Eaves

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1　Vol. 5　No. 1　p. 198-+　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  115. Magnetic-field-induced miniband conduction in semiconductor superlattices

    Daivid Fowler, David P. A. Hardwick, Amalia Patane, Mark T. Greenaway, Alexander G. Balanov, Timothy M. Fromhold, Laurence Eaves, Mohamed Henini, Nadezda Kozlova, Jens Freudenberger, Nobuya Mori

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 76　No. 24　2007年12月　研究論文（学術雑誌）

  116. Analytical description of intravalley acoustic phonon limited electron mobility in ultrathin si plate incorporating phonon modulation due to plate interfaces

    Shigeyasu Uno, Nobuya Mori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　Vol. 46　No. 36-40　p. L923-L926　2007年10月　研究論文（学術雑誌）

  117. Transmission study of germanium using free-electron laser

    H. Furuse, N. Mori, H. Kubo, H. Momose, M. Kondow

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS　Vol. 18　p. S81-S85　2007年10月　研究論文（学術雑誌）

  118. Numerical simulation of hole transport in silicon nanostructures

    Hideki Minari, Nobuya Mori

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS　Vol. 6　No. 1-3　p. 223-225　2007年9月　研究論文（学術雑誌）

  119. Implementation of the Bloch operator method for solving the Poisson equation

    Gennady V. Mil'Nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura, Tatsuya Ezakil

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 46　No. 9A　p. 5734-5737　2007年9月　研究論文（学術雑誌）

  120. Measurement of the temperature dependence of midinfrared optical absorption spectra of germanium in intense laser fields

    H. Furuse, N. Mori, H. Kubo, H. Momose, M. Kondow

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 75　No. 20　2007年5月　研究論文（学術雑誌）

  121. Effects of strained layers on Zener tunneling in silicon nanostructures

    Hideki Minari, Nobuya Mori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 46　No. 4B　p. 2076-2078　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

  122. Midinfrared optical absorption in germanium measured with a free-electron laser at room temperature

    H. Furuse, N. Mori, H. Kubo, H. Momose, M. Kondow

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 74　No. 20　2006年11月　研究論文（学術雑誌）

  123. Strong effect of resonant impurities on Landau-level quantization

    G. Allison, N. Mori, A. Patane, J. Endicott, L. Eaves, D. K. Maude, M. Hopkinson

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　Vol. 96　No. 23　2006年6月　研究論文（学術雑誌）

  124. Impurity cyclotron resonance in InGaAs/GaAs superlattice and InGaAs/AlAs superlattice grown on GaAs substrates

    H Momose, H Okai, H Deguchi, N Mori, S Takeyama

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　Vol. 32　No. 1-2　p. 309-312　2006年5月　研究論文（学術雑誌）

  125. Periodic magnetoresistance oscillations in side-gated quantum dots

    T. Suzuki, H. Momose, M. Morifuji, N. Mori, M. Kondow

    SEVENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NEW PHENOMENA IN MESOSCOPIC STRUCTURES AND FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACES AND INTERFACES OF MESOSCOPIC DEVICES, 2005　Vol. 38　p. 116-+　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  126. Current flow and energy dissipation in low-dimensional semiconductor superlattices

    D Fowler, A Patane, A Ignatov, L Eaves, M Henini, N Mori, DK Maude, R Airey

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 88　No. 5　2006年1月　研究論文（学術雑誌）

  127. Impurity cyclotron resonance in InGaAs/AlAs superlattice under ultra high magnetic fields

    H Momose, H Deguchi, H Okai, N Mori, S Takeyama

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　Vol. 29　No. 3-4　p. 606-608　2005年11月　研究論文（学術雑誌）

  128. Theoretical investigation of electron-phonon interaction in one-dimensional silicon quantum dot array interconnected with silicon oxide layers

    S Uno, N Mori, K Nakazato, N Koshida, H Mizuta

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 72　No. 3　2005年7月　研究論文（学術雑誌）

  129. Reduction of acoustic-phonon deformation potential in one-dimensional array of Si quantum dot interconnected with tunnel oxides

    S Uno, N Mori, K Nakazato, N Koshida, H Mizuta

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 97　No. 11　2005年6月　研究論文（学術雑誌）

  130. Three-dimensional quantum transport simulation of ultra-small FinFETs

    H. Takeda, N. Mori

    Journal of Computational Electronics　Vol. 4　No. 1-2　p. 31-34　2005年4月　研究論文（学術雑誌）

  131. Effective-mass theory of graphite/porous-graphite quantum wires

    H Takeda, N Mori, K Yoshino

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　Vol. 38　No. 8　p. 1205-1210　2005年4月　研究論文（学術雑誌）

  132. Mode-coupling effects in non-equilibrium Green's function device simulation

    H Takeda, N Mori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 44　No. 4B　p. 2664-2668　2005年4月　研究論文（学術雑誌）

  133. Electron-phonon interaction in si quantum dots interconnected with thin oxide layers

    S Uno, N Mori, K Nakazato, N Koshida, H Mizuta

    Physics of Semiconductors, Pts A and B　Vol. 772　p. 797-798　2005年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  134. Resonant transport in semiconductor superlattices in a tilted magnetic field

    N Mori, C Hamaguchi, A Patane, TM Fromhold, L Eaves

    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B　Vol. 18　No. 27-29　p. 3617-3620　2004年11月　研究論文（学術雑誌）

  135. Numerical Simulation for Direct Tunneling Current in Poly-Si-Gate MOS Capacitors

    M. Okamoto, N. Mori

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS　Vol. 3　No. 3-4　p. 439-442　2004年10月　研究論文（学術雑誌）

  136. Magnetic-field-induced suppression of electronic conduction in a superlattice

    A Patane, N Mori, D Fowler, L Eaves, M Henini, DK Maude, C Hamaguchi, R Airey

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　Vol. 93　No. 14　2004年10月　研究論文（学術雑誌）

  137. Study of electron dynamics in n-type GaN using the Osaka free electron laser

    T Takahashi, T Kambayashi, H Kubo, N Mori, N Tsubouchi, L Eaves, CT Foxon

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT　Vol. 528　No. 1-2　p. 623-626　2004年8月　研究論文（学術雑誌）

  138. Full-band Monte Carlo study on free electron laser induced impact ionization in wurtzite GaN

    T Takahashi, N Mori

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 19　No. 4　p. S457-S459　2004年4月　研究論文（学術雑誌）

  139. Monte Carlo study of two-dimensional hole transport in a GaAs quantum well

    N Mori, H Takeda

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 19　No. 4　p. S17-S19　2004年4月　研究論文（学術雑誌）

  140. Nonequilibrium Green's function approach to resonant transport in semiconductor superlattices

    N Mori, A Patane, L Eaves

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　Vol. 21　No. 2-4　p. 717-721　2004年3月　研究論文（学術雑誌）

  141. Quantum Effects on Transport Characteristics in Ultra-Small MOSFETs

    H. Takeda, N. Mori, C. Hamaguchi

    JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS　Vol. 2　No. 2-4　p. 119-122　2003年12月　研究論文（学術雑誌）

  142. Electron transport in quantum dot arrays: self-consistent modeling

    M Kobayashi, S Miyahara, N Mori, C Hamaguchi

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　Vol. 19　No. 1-2　p. 188-191　2003年7月　研究論文（学術雑誌）

  143. Magneto-tunneling spectroscopy of quantum structures

    N Mori, C Hamaguchi, A Patane, L Eaves, PC Main

    MICROELECTRONIC ENGINEERING　Vol. 63　No. 1-3　p. 109-114　2002年8月　研究論文（学術雑誌）

  144. Temperature dependence of the conductance in quasi-one-dimensional superlattices

    N Mori, C Hamaguchi, L Eaves, PC Main

    MICROELECTRONIC ENGINEERING　Vol. 63　No. 1-3　p. 87-90　2002年8月　研究論文（学術雑誌）

  145. Probing the quantum states of self-assembled InAs dots by magnetotunneling spectroscopy

    A Patane, RJA Hill, L Eaves, PC Main, M Henini, ML Zambrano, A Levin, N Mori, C Hamaguchi, YV Dubrovskii, EE Vdovin, DG Austing, S Tarucha, G Hill

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 65　No. 16　2002年4月　研究論文（学術雑誌）

  146. Transport in quantum dot arrays

    N Mori, T Ishida, Y Takamura, C Hamaguchi

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　Vol. 13　No. 2-4　p. 667-670　2002年3月　研究論文（学術雑誌）

  147. Study of electron-hole generation and recombination in semiconductors using the Osaka free electron laser

    N Mori, T Takahashi, T Kambayashi, H Kubo, C Hamaguchi, L Eaves, CT Foxon, A Patane, M Henini

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER　Vol. 314　No. 1-4　p. 431-436　2002年3月　研究論文（学術雑誌）

  148. Self-consistent calculation of two-dimensional electronic states in SOI-MOSFETs using full-band modeling

    H Takeda, N Mori, C Hamaguchi

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER　Vol. 314　No. 1-4　p. 377-380　2002年3月　研究論文（学術雑誌）

  149. Luminescence from p-type GaAs crystals under intense mid-infrared irradiation

    T Takahashi, T Kambayashi, N Mori, H Kubo, C Hamaguchi, N Tsubouchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　Vol. 41　No. 1　p. 88-89　2002年2月　研究論文（学術雑誌）

  150. Study of electron transport in SOI MOSFETs using Monte Carlo technique with full-band modeling

    Journal of Computational Electronics　Vol. Vol. 1, pp. 467-474/,　2002年

  151. Full-band {Monte Carlo} simulation of two-dimensional electron gas in SOI MOSFETs

    Journal of Computational Electronics　Vol. Vol. 1, pp. 219-222/,　2002年

  152. Monte Carlo simulation of miniband conduction in Landau-quantized superlattices

    N Mori, C Hamaguchi, L Eaves, PC Main

    PHYSICA B　Vol. 298　No. 1-4　p. 329-332　2001年4月　研究論文（学術雑誌）

  153. Reduction of electron decay time using disordered tunnel barrier

    JH Park, S Senzaki, N Mori, C Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　Vol. 40　No. 3B　p. 1970-1972　2001年3月　研究論文（学術雑誌）

  154. Numerical studies of miniband conduction in quasi-one-dimensional superlattices

    N Mori, C Hamaguchi, L Eaves, PC Main

    VLSI DESIGN　Vol. 13　No. 1-4　p. 45-50　2001年　研究論文（学術雑誌）

  155. Conductance fluctuations in a double-barrier resonant tunneling device

    PC Main, TJ Foster, P McDonnell, L Eaves, MJ Gompertz, N Mori, JW Sakai, A Henini, G Hill

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 62　No. 24　p. 16721-16726　2000年12月　研究論文（学術雑誌）

  156. Reduction in relaxation time due to ionized impurities in GaAs/AlGaAs quantum well structures

    JH Park, S Senzaki, N Mori, C Hamaguchi

    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES　Vol. 27　No. 5-6　p. 505-508　2000年5月　研究論文（学術雑誌）

  157. Cyclotron masses in InGaAs/GaAs superlattices and InGaAs/AlAs superlattices

    H Momose, S Uehara, N Mori, C Hamaguchi, H Arimoto, T Ikaida, N Miura

    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES　Vol. 27　No. 5-6　p. 525-528　2000年5月　研究論文（学術雑誌）

  158. Luminescence from GaAs/AlGaAs quantum wells induced by mid-infrared free electron laser pulses

    H Nakano, H Kubo, N Mori, C Hamaguchi, L Eaves

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　Vol. 7　No. 3-4　p. 555-558　2000年5月　研究論文（学術雑誌）

  159. Conductance fluctuations in a double-barrier resonant tunneling device

    Physical Review B　Vol. 62　No. 24　p. 16721-16726　2000年

  160. Monte Carlo simulation of conductance characteristics in SOI-MOSFET

    S Araya, K Yamasaki, H Ueno, N Mori, C Hamaguchi, LM Perron, AL Lacaita

    PHYSICA B　Vol. 272　No. 1-4　p. 565-567　1999年12月　研究論文（学術雑誌）

  161. Monte Carlo study on electron motion under mid-infrared free-electron-laser pulses

    N Mori, H Nakano, H Kubo, C Hamaguchi, L Eaves

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER　Vol. 272　No. 1-4　p. 431-433　1999年12月　研究論文（学術雑誌）

  162. Magnetic field quenching of miniband conduction in quasi-one-dimensional superlattices

    L Eaves, HM Murphy, A Nogaret, ST Stoddart, PC Main, M Henini, N Mori, C Hamaguchi, DK Maude, JC Portal

    PHYSICA B　Vol. 272　No. 1-4　p. 190-193　1999年12月　研究論文（学術雑誌）

  163. Cyclotron resonance in (GaAs)(n)/(AlAs)(n) superlattices under ultra-high magnetic-fields

    H Momose, N Mori, C Hamaguchi, T Ikaida, H Arimoto, N Miura

    PHYSICA E　Vol. 4　No. 4　p. 286-291　1999年10月　研究論文（学術雑誌）

  164. Impurity cyclotron resonance in type-I (GaAs)(n)/(AlAs)(n) superlattices

    H Momose, N Mori, C Hamaguchi, T Ikaida, H Arimoto, N Miura

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　Vol. 64　No. 2　p. 137-141　1999年9月　研究論文（学術雑誌）

  165. Conductance through zigzag quantum dots arrays

    H Ueno, K Moriyasu, Y Wada, S Osako, H Kubo, N Mori, C Hamaguchi

    MICROELECTRONIC ENGINEERING　Vol. 47　No. 1-4　p. 127-129　1999年6月　研究論文（学術雑誌）

  166. New developments in superlattice transport: quenching of miniband conduction in high magnetic fields

    HM Murphy, L Eaves, A Nogaret, ST Stoddart, PC Main, M Henini, N Mori, C Hamaguchi, DK Maude, JC Portal

    MICROELECTRONIC ENGINEERING　Vol. 47　No. 1-4　p. 65-68　1999年6月　研究論文（学術雑誌）

  167. Monte Carlo simulation of one- and two-dimensional electron gases

    K Yamasaki, T Ezaki, N Mori, C Hamaguchi

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998　No. 162　p. 313-318　1999年　研究論文（学術雑誌）

  168. Effect of ionized impurities on electron tunneling in GaAs/AlGaAs triple quantum wells

    JH Park, S Ozaki, N Mori, C Hamaguchi

    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES　Vol. 25　No. 1-2　p. 445-451　1999年1月　研究論文（学術雑誌）

  169. Conductance through laterally coupled quantum dots

    H Ueno, K Moriyasu, Y Wada, S Osako, H Kubo, N Mori, C Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　Vol. 38　No. 1B　p. 332-335　1999年1月　研究論文（学術雑誌）

  170. A study of miniband conduction in Wannier-Stark superlattices at high magnetic fields

    HM Murphy, A Nogaret, ST Stoddart, L Eaves, PC Main, M Henini, DK Maude, N Mori, JC Portal, C Hamaguchi

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER　Vol. 256　p. 544-547　1998年12月　研究論文（学術雑誌）

  171. Luminescence of GaAs/AlGaAs asymmetric double-quantum-wells excited by a mid-IR free electron laser

    H Nakano, JM Feng, H Kubo, N Mori, C Hamaguchi

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　Vol. 144　No. 1-4　p. 160-165　1998年9月　研究論文（学術雑誌）

  172. Electronic properties in quantum dots with asymmetric confining potential

    T Ezaki, Y Sugimoto, N Mori, C Hamaguchi

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 13　No. 8A　p. A1-A3　1998年8月　研究論文（学術雑誌）

  173. Magnetophonon and magneto-intersubband-scattering effects in InAs/AlGaSb heterostructures

    S Osako, T Hamano, N Mori, C Hamaguchi, S Sasa, M Inoue

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER　Vol. 249　p. 740-744　1998年6月　研究論文（学術雑誌）

  174. Electronic structures in a quantum dot with asymmetric confining potential

    T Ezaki, Y Sugimoto, N Mori, C Hamaguchi

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER　Vol. 249　p. 238-242　1998年6月　研究論文（学術雑誌）

  175. Combined oscillations of magnetoresistance due to inelastic and elastic scatterings in InAs/AlGaSb quantum well structures

    S Osako, T Hamano, K Yamasaki, K Moriyasu, N Mori, C Hamaguchi, S Sasa, M Inoue

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 13　No. 2　p. 181-184　1998年2月　研究論文（学術雑誌）

  176. Electronic states in quantum dots: Effects of symmetry of the confining potential

    T Ezaki, Y Sugimoto, N Mori, C Hamaguchi

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997　Vol. 156　p. 543-546　1998年　研究論文（学術雑誌）

  177. Electronic states in quantum dots: Effects of symmetry of the confining potential

    T Ezaki, Y Sugimoto, N Mori, C Hamaguchi

    1997 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS　p. 543-546　1998年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  178. Electron-LA phonon interaction in a quantum dot

    T. Ezaki, N. Mori, C. Hamaguchi

    VLSI Design　Vol. 8　No. 1-4　p. 225-230　1998年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Taylor and Francis Inc.

  179. Observation of resonant optical-phonon assisted tunneling in asymmetric double quantum wells

    S Ozaki, JM Feng, JH Park, S Osako, H Kubo, M Morifuji, N Mori, C Hamaguchi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 83　No. 2　p. 962-965　1998年1月　研究論文（学術雑誌）

  180. Optical-phonon assisted tunneling in an asymmetric double-quantum-well structure

    JM Feng, S Ozaki, JH Park, H Kubo, N Mori, C Hamaguchi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 204　No. 1　p. 412-415　1997年11月　研究論文（学術雑誌）

  181. Energy relaxation time of electrons in quantum dots

    T Ezaki, N Mori, C Hamaguchi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 204　No. 1　p. 272-274　1997年11月　研究論文（学術雑誌）

  182. Self-consistent approximation for electron-optical-phonon interaction in a quantum wire

    N Mori, H Momose, C Hamaguchi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 204　No. 1　p. 268-271　1997年11月　研究論文（学術雑誌）

  183. Resonant optical-phonon assisted tunnelling in an asymmetric double-quantum-well structure

    JM Feng, JH Park, S Ozaki, H Kubo, N Mori, C Hamaguchi

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 12　No. 9　p. 1116-1120　1997年9月　研究論文（学術雑誌）

  184. Effect of quantum confinement and lattice relaxation on electronic states in GaAs/In0.2Ga0.8As/GaAs quantum dots

    K Moriyasu, S Osako, N Mori, C Hamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　Vol. 36　No. 6B　p. 3932-3935　1997年6月　研究論文（学術雑誌）

  185. Magnetotransport of low dimensional electron gas in InAs/AlGaSb heterostructures

    Takafumi Hamano, Katsuji Moriyasu, Shin-Ichi Osako, Nobuya Mori, Chihiro Hamaguchi, Shigehiko Sasa, Masataka Inoue

    Technology Reports of the Osaka University　Vol. 47　No. 2267-2282　p. 61-69　1997年4月15日　研究論文（学術雑誌）

  186. Electronic structures in circular, elliptic, and triangular quantum dots

    T. Ezaki, N. Mori, C. Hamaguchi

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　Vol. 56　No. 11　p. 6428-6431　1997年　研究論文（学術雑誌）

  187. Low-dimensional systems in ultra-high magnetic fields: Magnetic-field-induced type I to type II transitions in short-period semiconductor superlattices

    N Miura, Y Shimamoto, Y Imanaka, H Arimoto, H Nojiri, H Kunimatsu, K Uchida, T Fukuda, K Yamanaka, H Momose, N Mori, C Hamaguchi

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 11　No. 11　p. 1586-1590　1996年11月　研究論文（学術雑誌）

  188. Angular dependent cyclotron resonance in short period (GaAs)(n)/(AlAs)(n) superlattices

    K Yamanaka, H Momose, N Mori, C Hamaguchi, H Arimoto, Y Imanaka, Y Shimamoto, N Miura

    PHYSICA B　Vol. 227　No. 1-4　p. 356-359　1996年9月　研究論文（学術雑誌）

  189. D- centers probed by resonant tunneling spectroscopy

    JGS Lok, AK Geim, JC Maan, Marmorkos, I, FM Peeters, N Mori, L Eaves, TJ Foster, PC Main, JW Sakai, M Henini

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 53　No. 15　p. 9554-9557　1996年4月　研究論文（学術雑誌）

  190. Mesoscopic conductance fluctuations in impurity-assisted resonant tunnelling

    P McDonnell, TJ Foster, PC Main, L Eaves, N Mori, JW Sakai, M Henini, G Hill

    SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 40　No. 1-8　p. 409-412　1996年　研究論文（学術雑誌）

  191. Cyclotron resonance in short period (GaAs)(n)/(A1As)(n) superlattices

    T Fukuda, K Yamanaka, H Momose, N Mori, C Hamaguchi, Y Imanaka, Y Shimamoto, N Miura

    SURFACE SCIENCE　Vol. 361　No. 1-3　p. 406-410　1996年　研究論文（学術雑誌）

  192. Resonant tunnelling through D- states

    JGS Lok, AK Geim, JC Maan, Marmorkos, I, FM Peeters, N Mori, L Eaves, P McDonnell, M Henini, JW Sakai, PC Main

    SURFACE SCIENCE　Vol. 361　No. 1-3　p. 247-250　1996年　研究論文（学術雑誌）

  193. D∧-centers probed by resonant tunneling spectroscopy

    Physical Review B　Vol. 53　No. 15　p. 9554-9557　1996年

  194. A novel approach in fabrication and study of laterally quantum-confined resonant tunnelling diodes

    JN Wang, PH Beton, N Mori, L Eaves, PC Main, TJ Foster, M Henini

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　Vol. 35　No. 1-3　p. 192-197　1995年12月　研究論文（学術雑誌）

  195. MEASURING THE PROBABILITY DENSITY OF QUANTUM-CONFINED STATES

    PH BETON, J WANG, N MORI, L EAVES, PC MAIN, TJ FOSTER, M HENINI

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　Vol. 75　No. 10　p. 1996-1999　1995年9月　研究論文（学術雑誌）

  196. LANDAU-LEVEL POPULATIONS AND SLOW ENERGY RELAXATION OF A 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS PROBED BY TUNNELING SPECTROSCOPY

    BRA NEVES, N MORI, PH BETON, L EAVES, J WANG, M HENINI

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 52　No. 7　p. 4666-4669　1995年8月

  197. EFFECT OF A PARALLEL MAGNETIC-FIELD ON THE RESONANT-TUNNELING CURRENT THROUGH A QUANTUM-WIRE

    N MORI, PH BETON, J WANG, L EAVES

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 52　No. 3　p. 1504-1507　1995年7月

  198. RESONANT MAGNETOTUNNELING VIA QUANTUM-CONFINED STATES

    PH BETON, J WANG, N MORI, L EAVES, H BUHMANN, L MANSOURI, PC MAIN, TJ FOSTER, M HENINI

    PHYSICA B　Vol. 211　No. 1-4　p. 423-429　1995年5月　研究論文（学術雑誌）

  199. ELECTRON-CONCENTRATION-DEPENDENT QUANTUM-WELL LUMINESCENCE - EVIDENCE FOR A NEGATIVELY CHARGED EXCITON

    H BUHMANN, L MANSOURI, J WANG, PH BETON, N MORI, L EAVES, M HENINI, M POTEMSKI

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 51　No. 12　p. 7969-7972　1995年3月

  200. THEORY OF RESONANT-TUNNELING THROUGH A QUANTUM-WIRE

    N MORI, PH BETON, J WANG, L EAVES

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 51　No. 3　p. 1735-1742　1995年1月　研究論文（学術雑誌）

  201. RESONANT-TUNNELING QUANTUM DOTS AND WIRES - SOME RECENT PROBLEMS AND PROGRESS

    PH BETON, H BUHMANN, L EAVES, TJ FOSTER, AK GEIM, N LASCALA, PC MAIN, L MANSOURI, N MORI, JW SAKAI, J WANG

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 9　No. 11　p. 1912-1918　1994年11月　研究論文（学術雑誌）

  202. RESONANT-TUNNELING THROUGH DONOR MOLECULES

    AK GEIM, TJ FOSTER, A NOGARET, N MORI, PJ MCDONNELL, N LASCALA, PC MAIN, L EAVES

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 50　No. 11　p. 8074-8077　1994年9月

  203. SUBMICROMETER RESONANT-TUNNELING DIODES FABRICATED BY PHOTOLITHOGRAPHY AND SELECTIVE WET ETCHING

    J WANG, PH BETON, N MORI, H BUHMANN, L MANSOURI, L EAVES, PC MAIN, TJ FOSTER, M HENINI

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 65　No. 9　p. 1124-1126　1994年8月　研究論文（学術雑誌）

  204. RESONANT MAGNETOTUNNELING VIA ONE-DIMENSIONAL QUANTUM-CONFINED STATES

    J WANG, PH BETON, N MORI, L EAVES, H BUHMANN, L MANSOURI, PC MAIN, TJ FOSTER, M HENINI

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　Vol. 73　No. 8　p. 1146-1149　1994年8月　研究論文（学術雑誌）

  205. MAGNETOPHONON RESONANCE IN QUANTUM WIRES

    C HAMAGUCHI, N MORI, H MOMOSE, T EZAKI, G BERTHOLD, J SMOLINER, E GORNIK, G BOHM, G WEIMANN, T SUSKI, P WISNIEWSKI

    PHYSICA B　Vol. 201　p. 339-344　1994年7月　研究論文（学術雑誌）

  206. NEW MODEL FOR MONTE-CARLO SIMULATION OF HOT-ELECTRONS IN QUANTUM WIRES

    H MOMOSE, N MORI, K TANIGUCHI, C HAMAGUCHI

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 9　No. 5　p. 958-960　1994年5月　研究論文（学術雑誌）

  207. HOT-ELECTRON TRANSPORT IN QUANTUM STRUCTURES

    N MORI, C HAMAGUCHI

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 9　No. 5　p. 941-945　1994年5月　研究論文（学術雑誌）

  208. GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELL INFRARED PHOTODETECTORS

    T MIYATAKE, S HORIHATA, T EZAKI, H KUBO, N MORI, K TANIGUCHI, C HAMAGUCHI

    SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 37　No. 4-6　p. 1187-1190　1994年4月　研究論文（学術雑誌）

  209. MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES

    G BERTHOLD, J SMOLINER, E GORNIK, G BOHM, G WEIMANN, T SUSKI, P WISNIEWSKI, C HAMAGUCHI, N MORI, H MOMOSE

    SURFACE SCIENCE　Vol. 305　No. 1-3　p. 637-642　1994年3月　研究論文（学術雑誌）

  210. Resonant tunnelling through donor molecules

    Phsical Review B　Vol. 50　No. 11　p. 8074-8077　1994年

  211. MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES

    G BERTHOLD, J SMOLINER, C WIRNER, E GORNIK, G BOHM, G WEIMANN, M HAUSER, C HAMAGUCHI, N MORI, H MOMOSE

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 8　No. 5　p. 735-738　1993年5月

  212. ELECTRON-TUNNELING IN GAAS/ALGAAS/GAAS SINGLE-BARRIER HETEROJUNCTION DIODES - ELECTRON PHONON INTERACTION EFFECTS

    N MORI, C HAMAGUCHI

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 8　No. 2　p. 197-205　1993年2月　研究論文（学術雑誌）

  213. EFFECTS OF ELECTRON INTERFACE-PHONON INTERACTION ON RESONANT TUNNELING IN DOUBLE-BARRIER HETEROSTRUCTURES

    N MORI, K TANIGUCHI, C HAMAGUCHI

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 7　No. 3B　p. B83-B87　1992年3月　研究論文（学術雑誌）

  214. MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES

    N MORI, H MOMOSE, C HAMAGUCHI

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 45　No. 8　p. 4536-4539　1992年2月

  215. MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES

    N MORI, H MOMOSE, C HAMAGUCHI

    INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES　No. 127　p. 55-58　1992年　研究論文（学術雑誌）

  216. MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES

    N MORI, H MOMOSE, C HAMAGUCHI

    QUANTUM EFFECT PHYSICS, ELECTRONICS AND APPLICATIONS　Vol. 127　p. 55-58　1992年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  217. MAGNETOPHONON RESONANCE IN SEMICONDUCTORS

    C HAMAGUCHI, N MORI

    PHYSICA B　Vol. 164　No. 1-2　p. 85-96　1990年6月　研究論文（学術雑誌）

  218. ELECTRON OPTICAL-PHONON INTERACTION IN SINGLE AND DOUBLE HETEROSTRUCTURES

    N MORI, T ANDO

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 40　No. 9　p. 6175-6188　1989年9月　研究論文（学術雑誌）

  219. MAGNETOPHONON-RESONANCE THEORY OF THE TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN ALXGA1-XAS/GAAS SINGLE HETEROSTRUCTURES

    N MORI, H MURATA, K TANIGUCHI, C HAMAGUCHI

    PHYSICAL REVIEW B　Vol. 38　No. 11　p. 7622-7634　1988年10月　研究論文（学術雑誌）

  220. ELECTRIC FIELD-INDUCED MAGNETOPHONON RESONANCE

    N MORI, N NAKAMURA, K TANIGUCHI, C HAMAGUCHI

    SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 31　No. 3-4　p. 777-780　1988年3月　研究論文（学術雑誌）

  221. MAGNETOPHONON RESONANCE OF A TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN A QUANTUM WELL

    N MORI, K TANIGUCHI, C HAMAGUCHI, S SASA, S HIYAMIZU

    JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS　Vol. 21　No. 9　p. 1791-1805　1988年3月　研究論文（学術雑誌）

  222. MAGNETOPHONON RESONANCE AT HIGH ELECTRIC AND MAGNETIC-FIELDS IN SMALL N+NN+ GAAS STRUCTURES

    N MORI, N NAKAMURA, K TANIGUCHI, C HAMAGUCHI

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　Vol. 57　No. 1　p. 205-216　1988年1月　研究論文（学術雑誌）

  223. MAGNETOPHONON RESONANCE IN CROSSED HIGH ELECTRIC AND MAGNETIC-FIELDS IN SMALL N+NN+ GAAS STRUCTURES

    N MORI, N NAKAMURA, K TANIGUCHI, C HAMAGUCHI

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 2　No. 8　p. 542-546　1987年8月

MISC 24

  1. SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大

    坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 池内賢朗, 鎌倉良成, 森伸也, 中村芳明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 66th　2019年2月25日

  2. 招待講演 4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング (シリコン材料・デバイス)

    田中 一, 森 伸也

    Vol. 118　No. 291　p. 35-40　2018年11月8日

    出版者・発行元：電子情報通信学会

  3. Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子

    坂根駿也, 柏野真人, 渡辺健太郎, 鎌倉良成, 鎌倉良成, 森伸也, 森伸也, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 79th　2018年9月5日

  4. 集積量子デバイス領域

    森 伸也

    Techno net : 大阪大学工業会誌　No. 569　p. 3-6　2015年7月

    出版者・発行元：大阪大学工業会

  5. モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 (シリコン材料・デバイス)

    土屋 英昭, 石田 良馬, 鎌倉 良成, 森 伸也, 宇野 重康, 小川 真人

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　Vol. 114　No. 291　p. 53-58　2014年11月6日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  6. ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細Ⅲ-Ⅴ MOSFETの量子輸送解析 (シリコン材料・デバイス)

    大森 正規, 木場 隼介, 前川 容佑, 土屋 英昭, 鎌倉 良成, 森 伸也, 小川 真人

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　Vol. 113　No. 296　p. 65-70　2013年11月14日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  7. Discrete Dopant Effects on Threshold Voltage Variation in Double-Gate and Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors

    Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura, Genaddy Mil'nikov, Hideki Minari

    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　Vol. 470　p. 218-223　2011年

  8. Impact of Self-Heating Effect on the Electrical Characteristics of Nanoscale Devices

    Yoshinari Kamakura, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe, Nobuya Mori, Kenji Taniguchi

    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　Vol. 470　p. 14-+　2011年

  9. Numerical Simulation of Electron Motion in Graphene with Vacancies

    2010年

  10. Modulated Phonon Scattering in Graphene Nano-ribbons

    2010年

  11. ナノシリコンの最新技術と応用展開

    シーエムシー出版　2010年

  12. Discrete dopant effects on threshold voltage variation in double-gate and gate-all-around metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors

    2010年

  13. Impact of self-heating effect on the electrical characteristics of nanoscale devices

    2010年

  14. Ellipsoidal Band Structure Effects on Maximum Ballistic Current in Silicon Nanowires

    2010年

  15. Simplified Method of Electron Subband Profile Calculation in Ballistic Gate-All-Around MOSFET

    2010年

  16. Developing nanosilicon technologgy and device applications

    2010年

  17. 次世代MOS型デバイスの量子輸送シミュレーション

    森 伸也, 三成 英樹

    応用物理　Vol. Vol. 78, No. 6, pp. 540-54　No. 6　p. 540-543　2009年

    出版者・発行元：応用物理学会

  18. Coarse-Grain 3D Quantum Simulations of Nanoscale MOSFET

    MIL'NIKOV Gennady, MORI Nobuya, KAMAKURA Yoshinari, EZAKI Tatsuya

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2007　p. 50-51　2007年9月19日

  19. 21pTG-10 超強磁場サイクロトロン共鳴を用いたInGaAs/AlAs超格子のΓ-Xクロスオーバ現象解析(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

    百瀬 英毅, 岡井 宏樹, 森藤 正人, 森 伸也, 近藤 正彦, 嶽山 正二郎

    日本物理学会講演概要集　Vol. 62　No. 2　p. 682-682　2007年8月21日

    出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

  20. Significant Reduction of Phonon Scattering Potential in 1D Si Quantum Dot Array Interconnected with Thin Oxide Layers

    UNO Shigeyasu, MORI Nobuya, NAKAZATO Kazuo, KOSHIDA Nobuyoshi, MIZUTA Hiroshi

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2004　p. 116-117　2004年9月15日

  21. 強磁場中における半導体超格子のワニエ・シュタルク効果

    森 伸也, 浜口 智尋

    固体物理　Vol. 34　No. 5　p. 351-358　1999年

    出版者・発行元：アグネ技術センタ-

  22. 27a-YN-8 InGaAs/GaAs超格子におけるサイクロトロン共鳴

    谷 英樹, 百瀬 英毅, 森 伸也, 濱口 智尋, 井海田 隆, 有本 英生, 三浦 登

    日本物理学会講演概要集　Vol. 53　No. 2　p. 184-184　1998年9月5日

    出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

  23. 量子細線における磁気フォノン共鳴

    浜口 智尋, 百瀬 英毅, 江崎 達也, 森 伸也, エザキ タツヤ, ハマグチ チヒロ, モリ ノブヤ, モモセ ヒデキ

    大阪大学低温センターだより　Vol. 89　p. 15-20　1995年1月

    出版者・発行元：大阪大学低温センター

  24. 28p-C-12 量子細線における磁気フォノン共鳴

    百瀬 英毅, 森 伸也, 谷口 研二, 浜口 智尋

    年会講演予稿集　Vol. 46　No. 2　p. 142-142　1991年9月12日

    出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

著書 6

  1. 電子物性 ─電子デバイスの基礎─

    浜口智尋, 森伸也

    朝倉書店　2014年3月　教科書・概説・概論

    ISBN: 9784254221602

  2. Nonequilibrium Green's function method applied to Landau-quantized superlattices

    Institute of Physics Conference Series　2002年

  3. Cyclotron resonance in InGaAs/AlAs superlattices under pulsed high magnetic fields

    Institute of Physics Conference Series　2002年

  4. Phonon cycling in GaAs/AlAs superlattices

    Institute of Physics Conference Series　2002年

  5. メゾスコピック現象の基礎:表面超格子

    オーム社　1994年

  6. Basic Pheomena of Mesoscopic Structures : Lateral Superlattices

    1994年

講演・口頭発表等 80

  1. 直接遷移型半導体におけるバンド間トンネルシミュレーションの高速化

    岡田 丈, 橋本 風渡, 森 伸也

    応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  2. ゲルマニウムにおけるバンド間トンネル電流のNEGFシミュレーション

    橋本 風渡, 森 伸也

    応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  3. 極微細半導体デバイスの量子輸送シミュレーション

    森 伸也

    第11回材料系ワークショップ　2021年2月10日

  4. Monte Carlo simulation of two-dimensional carrier mobility in wide-gap semiconductor devices

    N. Mori, H. Tanaka, T. Hoshino, G. Mil'nikov

    International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021　2021年1月20日

  5. 経験的擬ポテンシャル法を用いた4H-SiCにおける浮遊電子状態の計算

    永溝 幸周, 田中 一, 森 伸也

    先進パワー半導体分科会第7回講演会　2020年12月10日

  6. ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション

    森 伸也, 橋本 風渡, 三島 嵩也, 田中 一

    シリコン材料・デバイス研究会　2020年11月20日

  7. 第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション

    浅井 栄大, 黒田 龍哉, 福田 浩一, 服部 淳一, 池上 努, 森 伸也

    シリコン材料・デバイス研究会　2020年11月20日

  8. A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors

    Yen Le Thi, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori

    シリコン材料・デバイス研究会　2020年11月19日

  9. Comparative simulation study of intra-layer band-to-band tunneling in monolayer transition metal dichalcogenides

    F. Hashimoto, N. Mori

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials　2020年9月29日

  10. Reduction of order of device hamiltonian with adaptive moment estimation

    J. Okada, F. Hashimoto, N. Mori

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials　2020年9月29日

  11. The RSDFT-EM representation and first principle transport simulations of realistic field-Effect transistors

    G. Mil'nikov, N. Mori, J. Iwata, A. Oshiyama

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020　2020年9月23日

  12. TCAD simulation for transition metal dichalcogenide channel Tunnel FETs consistent with abinitio based NEGF calculation

    H. Asai, T. Kuroda, K. Fukuda, J. Hattori, T. Ikegami, N. Mori

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020　2020年9月23日

  13. 適応モーメント推定を利用した量子輸送シミュレーションの高速化

    岡田 丈, 橋本 風渡, 森 伸也

    応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月11日

  14. TMDCナノリボンにおけるバンド間トンネル電流のNEGF解析

    橋本 風渡, 森 伸也

    応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月11日

  15. 衝突イオン化係数のバンド構造に対する依存性の理論的解析

    田中 一, 木本 恒暢, 森 伸也

    応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月10日

  16. 界面制御した透明 ZnO 薄膜における熱電出力因子増大

    石部 貴史, 留田 純希, 渡辺 健太郎, 鎌倉 良成, 森 伸也, 成瀬 延康, 目良 裕, 山下 雄一郎, 中村 芳明

    応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日

  17. Coupled electron-phonon transport simulation of 1D nanostructures

    Y. Kajiwara, N. Mori

    International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017　2017年10月

  18. Ballistic electron transport in coupled graphene nanoribbons

    F. Hashimoto, N. Mori

    International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017　2017年10月

  19. Effects of boundary condition on phonon transport in two-dimensional harmonic lattice

    A. Ueno, N. Mori

    International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017　2017年10月

  20. Analysis of type-II InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared p-i-n photodetector using device simulation

    Y. L. Thi, Y. Kamakura, T. G. Etoh, N. Mori

    Proceedings of the 7th International Conference on Integrated Circuits, Design, and Verification　2017年10月

  21. Analysis of anisotropic ionization coefficient in bulk 4H-SiC with full-band monte carlo simulation

    R. Fujita, K. Konaga, Y. Ueoka, T. Kotani, Y. Kamakura, N. Mori

    Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017　2017年9月

  22. First-principles calculations of the non-equilibrium polarization in ultra-small Si nanowire devices

    G. Mil'nikov, J. Iwata, N. Mori, A. Oshiyama

    Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017　2017年9月

  23. Effects of dipole scattering on electron transport in gallium nitride-based HEMT

    T. Hoshino, N. Mori

    The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures　2017年7月

  24. Nonequilibrium Green function simulations of band-to-band tunneling in in-plane MoS2/WS2 heterostructures

    T. Kuroda, N. Mori

    International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures　2017年7月

  25. Inter-layer coupling effects on ballistic electron transport in multilayer graphene

    F. Hashimoto, N. Mori

    The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures　2017年7月

  26. Equivalent model representation in first-principles transport simulations of nanowire MOSFETs

    G. Mil'nikov, N. Mori, J. Iwata, A. Oshiyama

    International Workshop on Computational Nanotechnology　2017年6月

  27. The temporal resolution limit of the silicon image sensors

    T. G. Etoh, A. Q. Nguyen, Y. Kamakura, K. Shimonomura, Y. L. Thi, N. Mori

    2017 International Image Sensor Workshop　2017年6月

  28. Inter-Layer Coupling Effects on Vertical Electron Transport in Multilayer Graphene Nanoribbons

    F. Hashimoto, N. Mori

    20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 20)　2017年

  29. Full Band Monte Carlo Simulation of Impact Ionization in Wide Bandgap Semiconductors Based on Ab Initio Calculation

    Y. Kamakura, R. Fujita, K. Konaga, Y. Ueoka, N. Mori, T. Kotani

    2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)　2016年

  30. Monte Carlo Study on Anomalous Carrier Diffusion in Inhomogeneous Semiconductors

    N. Mori, R. J. A. Hill, A. Patane, L. Eaves

    19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON' 19)　2015年

  31. Ab Initio Study of Avalanche Breakdown in Diamond for Power Device Applications

    Y. Kamakura, T. Kotani, K. Konaga, N. Minamitani, G. Wakimura, N. Mori

    2015 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　2015年

  32. Effects of Internal Electric Field on Efficiency of Carrier Multiplication Solar Cells

    Futo Hashimoto, Nobuya Mori

    2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)　2015年

  33. Quantum Transport Simulation of Ultra-small V-groove Junctionless Transistors

    Tatsuya Yamana, Nobuya Mori

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)　2014年

  34. Extraction of Quasi-Ballistic Transport Parameters in Si Double-Gate MOSFETs Based on Monte Carlo Method

    Ryoma Ishida, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Shigeyasu Uno, Matsuto Ogawa

    2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)　2014年

  35. Low-Temperature Deposition of Thin Si, Ge, and SiGe Films Using Reducing Activity of Ballistic Hot Electrons

    N. Koshida, R. Suda, M. Yagi, A. Kojima, R. Mentek, B. Gelloz, N. Mori, J. Shirakashi

    SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　2014年

  36. Electron-phonon interaction in Si nanowire devices: Low field mobility and self-consistent EM NEGF simulations

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori

    2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)　2014年

  37. Coupled Monte Carlo Simulation of Transient Electron-Phonon Transport in Small FETs

    Y. Kamakura, I. N. Adisusilo, K. Kukita, G. Wakimura, S. Koba, H. Tsuchiya, N. Mori

    2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　2014年

  38. Effects of Atomic Disorder on Impact Ionization Rate in Silicon Nanodots

    N. Mori, M. Tomita, H. Minar, T. Watanabe, N. Koshida

    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS　2013年

  39. Nano-device Simulation from an Atomistic View

    N. Mori, G. Mil'nikov, H. Minari, Y. Kamakura, T. Zushi, T. Watanabe, M. Uematsu, K. M. Itoh, S. Uno, H. Tsuchiya

    2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　2013年

  40. The Impact of Increased Deformation Potential at MOS Interface on Quasi-Ballistic Transport in Ultrathin Channel MOSFETs Scaled down to Sub-10 nm Channel Length

    S. Koba, R. Ishida, Y. Kubota, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, M. Ogawa

    2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　2013年

  41. Effects of phonon scattering on discrete-impurity-induced current fluctuation in silicon nanowire transistors

    Nobuya Mori, Masashi Uematsu, Gennady Mil'Nikov, Hideki Minari, Kohei M. Itoh

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD　2013年

  42. Liquid-Phase Deposition of Thin Si and Ge Films Based on Ballistic Electro-reduction

    T. Ohta, R. Mentek, B. Gelloz, N. Mori, N. Koshida

    SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 5: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　2012年

  43. Simulation of the Effect of Arsenic Discrete Distribution on Device Characteristics in Silicon Nanowire Transistors

    Masashi Uematsu, Kohei M. Itoh, Gennady Mil'nikov, Hideki Minari, Nobuya Mori

    2012 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　2012年

  44. Atomic disorder effects on electronic states in InAs/GaAs intermediate-band solar cells

    Hiroki Takahashi, Hideki Minari, Nobuya Mori

    IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2012年

  45. Impact of oxidation induced atomic disorder in narrow Si nanowires on transistor performance

    H. Minari, T. Zushi, T. Watanabe, Y. Kamakura, S. Uno, N. Mori

    2011 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers　2011年6月

  46. Magnetic Field Modulated Photoreflectance Study of the Electron Effective Mass in Dilute Nitride Semiconductors

    N. Mori, K. Hiejima, H. Kubo, A. Patane, L. Eaves

    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS　2011年

  47. NEGF simulation of spin-transfer torque in magnetic tunnel junctions

    Yuki Hiramatsu, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Kenji Taniguchi

    IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2011年

  48. Tailoring the electronic properties of vertically stacked quantum-dots by local potential modulation

    Hiroki Takahashi, Hideki Minari, Nobuya Mori

    IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2011年

  49. Effects of a strained layer on transport characteristics of tunnel transistors

    Masahiro Yamamoto, Tatsuro Kitayama, Hideki Minari, Nobuya Mori

    IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai　2011年

  50. Fully analytic compact model of ballistic gate-all-around MOSFET with rectangular cross section

    Tatsuhiro Numata, Shigeyasu Uno, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Kazuo Nakazato

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD　2011年

  51. Effects of atomic disorder on carrier transport in Si nanowire transistors

    Hideki Minari, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD　2011年

  52. Low-dimensional quantum transport models in atomistic device simulations

    Gennady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD　2011年

  53. Numerical simulation of transient heat conduction in nanoscale Si devices

    Yoshinari Kamakura, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe, Nobuya Mori, Kenji Taniguchi

    ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　2010年

  54. Quantum transport and electron-phonon interaction in nanoscale MOSFETs

    Nobuya Mori, Hideki Minari, Genaddy Mil'nikov, Yoshinari Kamakura

    ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　2010年

  55. Simplified Calculation Method of Electron Subband Profile in Ballistic Nanowire MOSFET

    Tatsuhiro Numata, Shigeyasu Uno, Kazuo Nakazato, Anna Sawicka, Gennady Mil'nikov, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori

    2010 14TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON COMPUTATIONAL ELECTRONICS (IWCE 2010)　2010年

  56. Subband Representation in Atomistic Transport Simulation of Nanowire Transistors

    G. V. Mil'nikov, N. Mori, Y. Kamakura, H. Minari

    2010 14TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON COMPUTATIONAL ELECTRONICS (IWCE 2010)　2010年

  57. A Theoretical Study of Effect of Gate Voltage on Electron-Modulated-Acoustic-Phonon Interactions in Silicon Nanowire MOSFETs

    Junichi Hattori, Shigeyasu Uno, Nobuya Mori, Kazuo Nakazato

    SISPAD 2010 - 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES　2010年

  58. Coupled Monte Carlo Simulation of Transient Electron-Phonon Transport in Nanoscale Devices

    Yoshinari Kamakura, Nubuya Mori, Kenji Taniguchi, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe

    SISPAD 2010 - 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES　2010年

  59. Strain Effects on Hole Current in Silicon Nanowire FETs

    Hideki Minari, Tatsuro Kitayama, Masahiro Yamamoto, Nobuya Mori

    SISPAD 2010 - 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES　2010年

  60. Quasi-ballistic electron transport through silicon nano crystals

    Nobuya Mori, Hideki Minari, Shigeyasu Uno, Hiroshi Mizuta, Nobuyuki Koshida

    16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　2009年

  61. Full-band and atomistic study of electron-phonon interaction in graphene nanoribbons

    Tatsuro Kitayama, Hideki Minari, Nobuya Mori

    16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　2009年

  62. Comparative Study on Si and Ge p-type Nanowire FETs based on Full-Band Non-Equilibrium Green's Function Simulation

    Hideki Minari, Nobuya Mori

    2009 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES　2009年

  63. Effect of random impurities on transport characteristics of nano-scale MOSFET

    Gernnady Mil'nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura, Tatsuya Ezaki

    SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES　2008年

  64. Effects of Wavefunction Modulation on Electron Transport in Ultrathin-Body DG MOSFETs

    Nobuya Mori, Hideki Minari

    SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES　2008年

  65. Strain Effects on Ballistic Current in Ultrathin DG SOI MOSFETs

    Hideki Minari, Nobuya Mori

    SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES　2008年

  66. A Theoretical Study of Electron Mobility Reduction due to Acoustic Phonon Modulation in a Free-Standing Semiconductor Nanowire

    Junichi Hattori, Shigeyasu Uno, Nobuya Mori, Kazuo Nakazato

    SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES　2008年

  67. Probing the scattering potential of N-impurittes in GaAs by magneto-tunneling

    G. Allison, A. Patane, J. Endicott, L. Eaves, N. Mori, N. Kozlova, J. Freudenberger, N. Miura, D. K. Maude, M. Hopkinson

    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B　2007年4月

  68. Crystalline orientation effects on ballistic hole current in ultrathin DG SOI MOSFETs

    H. Minari, N. Mori

    SISPAD 2007: SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES 2007　2007年

  69. Reduction of acoustic phonon limited electron mobility due to phonon confinement in silicon nanowire MOSFETs

    Junichi Hattori, Shigeyasu Uno, Nobuya Mori, Kazuo Nakazato

    65th DRC Device Research Conference　2007年

  70. Three-dimensional quantum transport simulation of ultra-small FinFETs

    H. Takeda, N. Mori

    Journal of Computational Electronics　2005年4月

  71. Doping profile effects on device characteristics of nano-scale MOSFETs

    H Takeda, N Mori

    SISPAD: 2005 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices　2005年

  72. Phonon modification in SOI structures and its impact on electron transport

    Shigeyasu Uno, Nobuya Mori

    Device Research Conference - Conference Digest, DRC　2005年

  73. Luminescence from GaN induced by midinfrared FEL pulses

    T Takahashi, O Mizuno, H Kubo, N Mori, C Hamaguchi, CT Foxon, L Eaves

    PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II　2001年

  74. Monte Carlo simulation of one- and two-dimensional electron gases

    K Yamasaki, T Ezaki, N Mori, C Hamaguchi

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998　1999年

  75. Electronic states in quantum dots: Effects of symmetry of the confining potential

    T Ezaki, Y Sugimoto, N Mori, C Hamaguchi

    1997 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS　1998年

  76. Electronic states in quantum dots: Effects of symmetry of the confining potential

    T Ezaki, Y Sugimoto, N Mori, C Hamaguchi

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997　1998年

  77. Electron transport in quantum wires at high temperature

    T Ezaki, N Mori, H Momose, K Taniguchi, C Hamaguchi

    HOT CARRIERS IN SEMICONDUCTORS　1996年

  78. Tunneling spectroscopy as a probe of hot electrons in the upper Landau level of a 2DEG

    BRA Neves, L Eaves, N Mori, M Henini, OH Hughes

    HOT CARRIERS IN SEMICONDUCTORS　1996年

  79. Monte Carlo simulation of hot electrons in quantum wires

    H Momose, N Mori, K Taniguchi, C Hamaguchi

    HOT CARRIERS IN SEMICONDUCTORS　1996年

  80. A Fermi-edge singularity probed by resonant tunnelling spectroscopy

    N LaScala, AK Geim, PC Main, TJ Foster, PH Beton, JW Sakai, FW Sheard, N Mori, L Eaves

    COULOMB AND INTERFERENCE EFFECTS IN SMALL ELECTRONIC STRUCTURES　1994年

作品 10

  1. 半導体ナノ構造における量子輸送現象に関する研究

    2004年 ～

  2. ゲート長10nm世代を見据えた量子輸送シミュレータの開発

    2004年 ～

  3. 半導体物理における強磁場に関する第16回国際会議、プログラム委員

    2004年 ～

  4. 16th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Program Comittee Member

    2004年 ～

  5. 第25回半導体物理学国際会議、副総務幹事

    2000年 ～

  6. 25th International Conference on the Physics of Semiconductors,Associate Secretary

    2000年 ～

  7. 第11回半導体における非平衡キャリア・ダイナミックスに関する国際会議、現地組織委員

    1999年 ～

  8. 11th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors,Local Organizing Comittee Member

    1999年 ～

  9. 第25回化合物半導体に関する国際シンポジウム、現地組織委員

    1998年 ～

  10. 25th International Symposium on Compound Semiconductors,Local Organizing Comittee Member

    1998年 ～

機関リポジトリ 9

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. 低温センターと低温センターだよりの思い出

    森 伸也

    大阪大学低温センター 50周年記念誌　p. 53-53　2025年6月

  2. Acoustic Phonon Scattering in Free-Standing Anisotropic Silicon Plates

    Mori Nobuya

    Physica Status Solidi (B): Basic Research　2024年12月23日

  3. 半導体トランジスタの第一原理デバイスシミュレーション

    森 伸也

    サイバーメディアHPCジャーナル　Vol. 9　p. 3-6　2019年12月

  4. 自己形成量子ドットの波動関数マッピング

    森 伸也

    大阪大学低温センターだより　Vol. 123　p. 9-14　2003年7月

  5. アルフェロフ教授のノーベル物理学賞受賞について

    森 伸也

    大阪大学低温センターだより　Vol. 113　p. 22-22　2001年1月

  6. 第25回半導体物理学国際会議

    森 伸也

    大阪大学低温センターだより　Vol. 112　p. 15-18　2000年10月

  7. 量子細線における磁気フォノン共鳴

    百瀬 英毅, 江崎 達也, 森 伸也, 浜口 智尋

    大阪大学低温センターだより　Vol. 89　p. 15-20　1995年1月

  8. 高電界下におけるGaAs結晶の磁気フォノン共鳴

    森 伸也, 谷口 研二, 浜口 智尋

    大阪大学低温センターだより　Vol. 60　p. 5-8　1987年10月

  9. 半導体ヘテロ構造における磁気フォノン共鳴と電子-フォノン相互作用に関する研究

    森 伸也