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森　伸也

Mori Nobuya

工学研究科　電気電子情報通信工学専攻，教授

keyword 半導体物性

学歴

  • ～ 1991年，大阪大学，工学研究科，電子工学
  • ～ 1991年，大阪大学
  • ～ 1986年，大阪大学，工学部，電子工学
  • ～ 1986年，大阪大学

経歴

  • 2007年04月 ～ 2015年03月，大阪大学，大学院工学研究科，准教授
  • 2005年04月 ～ 2007年03月，大阪大学，大学院工学研究科，助教授
  • 2015年04月 ～ ，大阪大学，大学院工学研究科，教授

研究内容・専門分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学），電気電子材料工学

所属学会

  • 英国物理学会(Institute of Physics)
  • 応用物理学会
  • 日本物理学会
  • The Institue of Physics
  • The Japan Society of Applied Physics
  • The Physical Society of Japan

論文

  • Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC，Hajime Tanaka,Tsunenobu Kimoto,Nobuya Mori，Materials Science in Semiconductor Processing，Elsevier BV，Vol. 173，p. 108126-108126，2024年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Monte Carlo simulation of mobility enhancement in multilayer graphene with turbostratic structure，Seyed Ali Mojtahedzadeh,Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 63，No. 3，p. 031004-031004，2024年03月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Analysis of tunneling probability in heavily doped 4H-SiC Schottky barrier diodes based on complex band structure considering barrier potential，Yutoku Murakami,Sachika Nagamizo,Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，2024年01月23日，研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical analysis of electron scattering by step-terrace structures at SiC metal-oxide-semiconductor interface，Keisuke Utsumi,Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，2023年12月25日，研究論文（学術雑誌）
  • Wannier-Stark localization of electronic states in 4H-SiC MOS inversion layer，Sachika Nagamizo,Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，2023年12月25日，研究論文（学術雑誌）
  • Full-band Monte Carlo analysis of strain effects on carrier transport in GaN，Wataru Miyazaki,Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，2023年11月27日，研究論文（学術雑誌）
  • Numerical calculation method for the mean free path of single-mode semiconductor nanosheets with surface roughness，Jo Okada,Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Applied Physics Express，IOP Publishing，Vol. 16，No. 9，p. 091003-091003，2023年09月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Effects of hydrogen radical treatment on piezoresistance coefficients of germanium，Kazunori Matsuda,Masashi Yamamoto,Michio Mikawa,Shiro Nagaoka,Nobuya Mori,Kazuo Tsutsui，Applied Physics Express，IOP Publishing，Vol. 16，No. 4，p. 041003-041003，2023年04月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Tight-binding analysis of the effect of strain on the band structure of GaN，Wataru Miyazaki,Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 62，No. SC，p. SC1076-SC1076，2023年02月24日，研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical analysis of tunneling current in 4H-SiC Schottky barrier diodes under reverse-biased condition based on complex band structure，Yutoku Murakami,Sachika Nagamizo,Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 62，No. SC，p. SC1042-SC1042，2022年12月28日，研究論文（学術雑誌）
  • Simulation analysis of high-field carrier transport in wide-bandgap semiconductors considering tunable band structures and scattering processes，H. Tanaka,T. Kimoto,N. Mori，Journal of Applied Physics，AIP Publishing，Vol. 131，No. 22，p. 225701-225701，2022年06月14日，研究論文（学術雑誌）
  • Electron and Phonon Transport Simulation for Quantum Hybrid System，Nobuya Mori,Gennady Mil’nikov，Quantum Science and Technology，Springer Nature Singapore，p. 73-98，2022年05月，論文集(書籍)内論文
  • Analytical models for inter-layer tunneling in two-dimensional materials，Nobuya Mori,Futo Hashimoto,Takaya Mishima,Hajime Tanaka，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，2021年12月02日，研究論文（学術雑誌）
  • Crossover point of the field effect transistor and interconnect applications in turbostratic multilayer graphene nanoribbon channel，Ryota Negishi,Katsuma Yamamoto,Hirofumi Tanaka,Seyed Ali Mojtahedzadeh,Nobuya Mori,Yoshihiro Kobayashi，Scientific Reports，Springer Science and Business Media LLC，Vol. 11，No. 1，p. 10206-1-10206-11，2021年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Equivalent model for band-to-band tunneling simulation of direct-gap III–V semiconductor nanowires，Jo Okada,Futo Hashimoto,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 60，No. 9，p. 091002-1-091002-6，2021年09月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Comparison of linear and quadratic dispersion models for phonon transport in one-dimensional mass-disordered systems，N. Mori,A. Komada,G. Mil’nikov，APL Materials，AIP Publishing，Vol. 9，No. 8，p. 081112-1-081112-7，2021年08月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Comparative simulation study of intra-layer band-to-band tunneling in monolayer transition metal dichalcogenides，Futo Hashimoto,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 60，No. SB，p. SBBH12-SBBH12，2021年02月03日，研究論文（学術雑誌）
  • Reduction of order of device Hamiltonian with adaptive moment estimation，Jo Okada,Futo Hashimoto,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 60，No. SB，p. SBBH08-SBBH08，2021年01月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Thermoelectric Si1−xGex and Ge epitaxial films on Si(001) with controlled composition and strain for group IV element-based thermoelectric generators，Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Ryoya Hosoda,Youya Wagatsuma,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Mutsunori Uenuma,Yukiharu Uraoka,Yuichiro Yamashita,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura，Applied Physics Letters，AIP Publishing，Vol. 117，No. 14，p. 141602-141602，2020年10月05日，研究論文（学術雑誌）
  • TCAD simulation for transition metal dichalcogenide channel Tunnel FETs consistent with ab-initio based NEGF calculation，Hidehiro Asai,Tatsuya Kuroda,Koich Fukuda,Junichi Hattori,Tsutomu Ikegami,Nobuya Mori，International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD，Vol. 2020-September，p. 93-96，2020年09月23日，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Analysis of Hall mobility in two-dimensional disordered systems，Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Semiconductor Science and Technology，IOP Publishing，Vol. 35，No. 9，p. 095015-095015，2020年09月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Material dependence of band-to-band tunneling in van der Waals heterojunctions of transition metal dichalcogenides，Foto Hashimoto,Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Journal of Physics D: Applied Physics，2020年06月17日，研究論文（学術雑誌）
  • Interlayer Band‐to‐Band Tunneling and Negative Differential Resistance in van der Waals BP/InSe Field‐Effect Transistors，Quanshan Lv,Faguang Yan,Nobuya Mori,Wenkai Zhu,Ce Hu,Zakhar R. Kudrynskyi,Zakhar D. Kovalyuk,Amalia Patanè,Kaiyou Wang，Advanced Functional Materials，Wiley，Vol. 30，No. 15，p. 1910713-1910713，2020年04月，研究論文（学術雑誌）
  • A comparison of mechanisms for improving dark current characteristics in barrier infrared photodetectors，Yen Le Thi,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 59，No. 4，p. 044005-044005，2020年04月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical analysis of band structure effects on impact ionization coefficients in wide-bandgap semiconductors，Hajime Tanaka,Tsunenobu Kimoto,Nobuya Mori，APPLIED PHYSICS EXPRESS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 13，No. 4，2020年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Modeling of carrier scattering in MOS inversion layers with large density of interface states and simulation of electron Hall mobility in 4H-SiC MOSFETs，Hajime Tanaka,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，Vol. 59，No. 3，2020年03月
  • Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Nanoscale Thermal Management in Bulk SiGe Composites，Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Masato Kashino,Kentaro Watanabe,Takeshi Fujita,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura，ACS Applied Energy Materials，Vol. 3，p. 1235-1241，2019年12月30日，研究論文（学術雑誌）
  • Evaluation of the optical characteristics of a type-II InAs/GaSb superlattice infrared p–i–n photodetector，Y. Le Thi,Y. Kamakura,N. Mori，Japanese Journal of Applied Physics，Vol. 58，p. 081003-1-081003-8，2019年07月，研究論文（学術雑誌）
  • Electron mobility calculation for two-dimensional electron gas in InN/GaN digital alloy channel high electron mobility transistors，Tomoki Hoshino,Nobuya Mori，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 58，No. SC，p. SCCD10-SCCD10，2019年06月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures，Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Takeshi Fujita,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura，Materials Today Energy，Vol. 13，p. 56-63，2019年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Nonequilibrium Green function simulation of coupled electron–phonon transport in one-dimensional nanostructures，Y. Kajiwara,N. Mori，Japanese Journal of Applied Physics，Vol. 58，No. SD，p. SDDE05-1-SDDE05-8，2019年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Intra-collisional field effect in one-dimensional GaN nanowires，S. Makihira,N. Mori，Japanese Journal of Applied Physics，Vol. 58，No. SC，p. SCCB26-1-SCCB26-6，2019年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled si nanostructures，S. Sakane,T. Ishibe,T. Taniguchi,N. Naruse,Y. Mera,T. Fujita,Md. M. Alam,K. Sawano,N. Mori,Y. Nakamura，Materials Today Energy，Vol. 13，p. 56-63，2019年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Simulation of dark current characteristics of type-II InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared p–i–n photodetector，Y. Le Thi,Y. Kamakura,N. Mori，Japanese Journal of Applied Physics，Vol. 58，No. 4，p. 044002-1-044002-7，2019年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Methodology of thermoelectric power factor enhancement by controlling nanowire interface，T. Ishibe,A. Tomeda,K. Watanabe,Y. Kamakura,N. Mori,N. Naruse,Y. Mera,Y. Yamashita,Y. Nakamura，ACS Applied Materials & Interfaces，Vol. 10，p. 37709-37716，2018年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Electron mobility of two-dimensional electron gas in InGaN heterostructures: Effects of alloy disorder and random dipole scatterings，T. Hoshino,N. Mori，Japanese Journal of Applied Physics，2018年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Resonant enhancement of band-to-band tunneling in in-plane MoS2/WS2 heterojunctions，T. Kuroda,N. Mori，Japanese Journal of Applied Physics，Vol. 57，p. 04FP03-1-04FP03-6，2018年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Liquid-phase deposition of thin Si and Ge films based on ballistic hot electron incidence，Ryutaro Suda,Mamiko Yagi,Akira Kojima,Nobuya Mori,Jun-ichi Shirakashi,Nobuyoshi Koshida，MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING，ELSEVIER SCI LTD，Vol. 70，p. 44-49，2017年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Analysis of anisotropic ionization coefficient in bulk 4H-SiC with full-band Monte Carlo simulation，R. Fujita,K. Konaga,Y. Ueoka,Y. Kamakura,N. Mori,T. Kotani，International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD，Vol. 2017-September，p. 289-292，2017年10月25日，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Inter-layer coupling effects on vertical electron transport in multilayer graphene nanoribbons，F. Hashimoto,N. Mori，Journal of Physics: Conference Series，Vol. 906，p. 012004-1-012004-4，2017年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Enhancing optoelectronic properties of SiC-grown graphene by a surface layer of colloidal quantum dots，O. Makarovsky,L. Turyanska,N. Mori,M. Greenaway,L. Eaves,A. Patanè,M. Fromhold,S. Lara-Avila,S. Kubatkin,R. Yakimova，2D Materials，2017年06月，研究論文（学術雑誌）
  • The theoretical highest frame rate of silicon image sensors，T. G. Etoh,A. Q. Nguyen,Y. Kamakura,K. Shimonomura,T. Y. Le,N. Mori，Sensors，2017年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Electronic states of coupled graphene nanoribbons，F. Hashimoto,N. Mori,O. Kubo,M. Katayama，Japanese Journal of Applied Physics，2017年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Mobility enhancement of CVD graphene by spatially correlated charges，L. Turyanska,O. Makarovsky,L. Eaves,A. Patane,N. Mori，2D Materials，2017年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Resonant Zener tunnelling via zero-dimensional states in a narrow gap diode，D. M. Di Paola,M. Kesaria,O. Makarovsky,A. Velichko,L. Eaves,N. Mori,A. Krier,A. Patane，SCIENTIFIC REPORTS，NATURE PUBLISHING GROUP，Vol. 6，p. 32039-1-32039-8，2016年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Random phonon model of dissipative electron transport in nanowire MOSFETs，G. Mil'nikov,N. Mori，Journal of Computational Electronics，Vol. 15，p. 1179-1191，2016年07月，研究論文（学術雑誌）
  • Reductive Deposition of Thin Cu Films Using Ballistic Hot Electrons as a Printing Beam，R. Suda,M. Yagi,A. Kojima,N. Mori,J. Shirakashi,N. Koshida，JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY，ELECTROCHEMICAL SOC INC，Vol. 163，No. 6，p. E162-E165，2016年，研究論文（学術雑誌）
  • Computational Study of Effects of Surface Roughness and Impurity Scattering in Si Double-Gate Junctionless Transistors，Masato Ichii,Ryoma Ishida,Hideaki Tsuchiya,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Matsuto Ogawa，IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES，IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC，Vol. 62，No. 4，p. 1255-1261，2015年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Non-equilibrium Green function simulations of graphene, silicene, and germanene nanoribbon field-effect transistors，Casey Clendennen,Nobuya Mori,Hideaki Tsuchiya，Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering，Japan Society for Simulation Technology，Vol. 2，No. 1，p. 171-177，2015年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Deposition of thin Si and Ge films by ballistic hot electron reduction in a solution-dripping mode and its application to the growth of thin SiGe films，Ryutaro Suda,Mamiko Yagi,Akira Kojima,Romain Mentek,Nobuya Mori,Junichi Shirakashi,Nobuyoshi Koshida，Japanese Journal of Applied Physics，Institute of Physics，Vol. 54，No. 4S，p. 04DH11-1-04DH11-5，2015年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Deposition of thin Si and Ge films by ballistic hot electron reduction in a solution-dripping mode and its application to the growth of thin SiGe films，R. Suda,M. Yagi,A. Kojima,R. Mentek,N. Mori,J. Shirakashi,N. Koshida，Japanese Journal of Applied Physics，Institute of Physics，Vol. 54，No. 4S，p. 04DH11-1-04DH11-2，2015年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Effects of increased acoustic phonon deformation potential and surface roughness scattering on quasi-ballistic transport in ultrascaled Si-MOSFETs，Shunsuke Koba,Ryoma Ishida,Yuko Kubota,Hideaki Tsuchiya,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Matsuto Ogawa，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 53，No. 11，p. 114301-1-114301-8，2014年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Spectroscopic study of graphene nanoribbons formed by crystallographic etching of highly oriented pyrolytic graphite，Yoshihiro Sugiyama,Osamu Kubo,Ryosuke Omura,Masaaki Shigehara,Hiroshi Tabata,Nobuya Mori,Mitsuhiro Katayama，Applied Physics Letters，American Institute of Physics Inc.，Vol. 105，No. 12，p. 123116-1-123116-5，2014年09月22日，研究論文（学術雑誌）
  • Impact ionization and large room-temperature magnetoresistance in micron-sized high-mobility InAs channels，A. V. Velichko,O. Makarovsky,N. Mori,L. Eaves,A. Krier,Q. Zhuang,A. Patanè，Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics，Vol. 90，No. 8，2014年08月20日，研究論文（学術雑誌）
  • Impact ionization and large room-temperature magnetoresistance in micron-sized high-mobility InAs channels，A. V. Velichko,O. Makarovsky,N. Mori,L. Eaves,A. Krier,Q. Zhuang,A. Patane，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 90，No. 8，2014年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Electron mobility calculation for graphene on substrates，Hideki Hirai,Hideaki Tsuchiya,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Matsuto Ogawa，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，AMER INST PHYSICS，Vol. 116，No. 8，p. 083703-1-083703-6，2014年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Ballistic hot electron effects in nanosilicon dots and their photonic applications，N. Koshida,N. Ikegami,A. Kojima,R. Mentek,R. Suda,M. Yagi,J. Shirakashi,B. Gelloz,N. Mori，NANOSCALE LUMINESCENT MATERIALS 3，ELECTROCHEMICAL SOC INC，Vol. 61，No. 5，p. 47-54，2014年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Nonequilibrium green function simulations of graphene-nanoribbon resonant-tunneling transistors，Nobuya Mori,Takuya Edagawa,Yoshinari Kamakura,Laurence Eaves，Japanese Journal of Applied Physics，Japan Society of Applied Physics，Vol. 53，No. 4，2014年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Electro-Deposition of Thin Si and Ge Films Based on Ballistic Hot Electron Injection，N. Koshida,A. Kojima,T. Ohta,R. Mentek,B. Gelloz,N. Mori,J. Shirakashi，ECS SOLID STATE LETTERS，ELECTROCHEMICAL SOC INC，Vol. 3，No. 5，p. P57-P60，2014年，研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical performance estimation of silicene, germanene, and graphene nanoribbon field-effect transistors under ballistic transport，Shiro Kaneko,Hideaki Tsuchiya,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Matsuto Ogawa，Applied Physics Express，Japan Society of Applied Physics，Vol. 7，No. 3，2014年，研究論文（学術雑誌）
  • Channel length scaling limits of III-V channel MOSFETs governed by source-drain direct tunneling，Shunsuke Koba,Masaki Ohmori,Yosuke Maegawa,Hideaki Tsuchiya,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Matsuto Ogawa，Japanese Journal of Applied Physics，Japan Society of Applied Physics，Vol. 53，No. 4，2014年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Universal conductance statistics in a backscattering model: Solving the Dorokhov-Mello-Pereyra-Kumar equation with beta=1, 2, and 4，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 88，No. 15，2013年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Scattering basis representation in ballistic transport simulations of nanowire transistors，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura，MATHEMATICAL AND COMPUTER MODELLING，PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，Vol. 58，No. 1-2，p. 312-320，2013年07月，研究論文（学術雑誌）
  • Increased Subthreshold Current due to Source-Drain Direct Tunneling in Ultrashort-Channel III-V Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors，Shunsuke Koba,Yosuke Maegawa,Masaki Ohmori,Hideaki Tsuchiya,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Matsuto Ogawa，APPLIED PHYSICS EXPRESS，JAPAN SOC APPLIED PHYSICS，Vol. 6，No. 6，2013年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Analytic Circuit Model of Ballistic Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor for Transient Analysis，Tatsuhiro Numata,Shigeyasu Uno,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Kazuo Nakazato，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 52，No. 4，2013年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Disorder-Induced Enhancement of Avalanche Multiplication in a Silicon Nanodot Array，Nobuya Mori,Masanori Tomita,Hideki Minari,Takanobu Watanabe,Nobuyoshi Koshida，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 52，No. 4，2013年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Performance Comparison of InAs, InSb, and GaSb n-Channel Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors in the Ballistic Transport Limit，Kenta Shimoida,Hideaki Tsuchiya,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Matsuto Ogawa，APPLIED PHYSICS EXPRESS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 6，No. 3，2013年03月，研究論文（学術雑誌）
  • A Self-Consistent Compact Model of Ballistic Nanowire MOSFET With Rectangular Cross Section，Tatsuhiro Numata,Shigeyasu Uno,Junichi Hattori,Gennady Mil'nikov,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Kazuo Nakazato，IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES，IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC，Vol. 60，No. 2，p. 856-862，2013年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Random evolution approach to universal conductance statistics，Gennady Milnikov,Nobuya Mori，Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics，Vol. 87，No. 3，2013年01月30日，研究論文（学術雑誌）
  • Effects of Atomic Disorder on Impact Ionization Rate in Silicon Nanodots，N. Mori,M. Tomita,H. Minar,T. Watanabe,N. Koshida，PHYSICS OF SEMICONDUCTORS，AMER INST PHYSICS，Vol. 1566，p. 381-+，2013年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Discrete distribution of implanted and annealed arsenic atoms in silicon nanowires and its effect on device performance，Masashi Uematsu,Kohei M. Itoh,Gennady Mil'nikov,Hideki Minari,Nobuya Mori，NANOSCALE RESEARCH LETTERS，SPRINGER，Vol. 7，p. 1-6，2012年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Observation of large Zeeman splitting in GaGdN/AlGaN ferromagnetic semiconductor double quantum well superlattices，YiKai Zhou,Mohamed Almokhtar,Hitoshi Kubo,Nobuya Mori,Shuichi Emura,Shigehiko Hasegawa,Hajime Asahi，SOLID STATE COMMUNICATIONS，PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，Vol. 152，No. 14，p. 1270-1273，2012年07月，研究論文（学術雑誌）
  • Strain Effects on Avalanche Multiplication in a Silicon Nanodot Array，Nobuya Mori,Hideki Minari,Shigeyasu Uno,Hiroshi Mizuta,Nobuyoshi Koshida，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，JAPAN SOC APPLIED PHYSICS，Vol. 51，No. 4，2012年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Theory of Resonant Tunneling through a Donor State，Nobuya Mori,Amalia Patane,Laurence Eaves，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，JAPAN SOC APPLIED PHYSICS，Vol. 51，No. 2，2012年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Equivalent transport models in atomistic quantum wires，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura，Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics，Vol. 85，No. 3，2012年01月23日，研究論文（学術雑誌）
  • Erratum: Application of the R-matrix method in quantum transport simulations: Continuous model (Journal of Computational Electronics DOI: 10.1007/s10825-011-0345-z)，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura，Journal of Computational Electronics，Vol. 10，No. 1-2，2011年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Acoustic phonon modulation and electron-phonon interaction in semiconductor slabs and nanowires，Shigeyasu Uno,Junichi Hattori,Kazuo Nakazato,Nobuya Mori，JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS，SPRINGER，Vol. 10，No. 1-2，p. 104-120，2011年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Application of the R-matrix method in quantum transport simulations，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura，JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS，SPRINGER，Vol. 10，No. 1-2，p. 51-64，2011年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Ellipsoidal Band Structure Effects on Maximum Ballistic Current in Silicon Nanowires，Nobuya Mori,Hideki Minari,Shigeyasu Uno,Junichi Hattori，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 50，No. 4，2011年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Magnetophonon Resonance in Monolayer Graphene，Nobuya Mori,Tsuneya Ando，JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN，PHYSICAL SOC JAPAN，Vol. 80，No. 4，p. 044706-044706，2011年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Theory of quasiballistic transport through nanocrystalline silicon dots，Nobuya Mori,Hideki Minari,Shigeyasu Uno,Hiroshi Mizuta,Nobuyoshi Koshida，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 98，No. 6，2011年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Application of the R-matrix method in quantum transport simulations，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura，JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS，SPRINGER，Vol. 9，No. 3-4，p. 256-261，2010年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Manipulating and Imaging the Shape of an Electronic Wave Function by Magnetotunneling Spectroscopy，A. Patane,N. Mori,O. Makarovsky,L. Eaves,M. L. Zambrano,J. C. Arce,L. Dickinson,D. K. Maude，PHYSICAL REVIEW LETTERS，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 105，No. 23，2010年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Universality in electron-modulated-acoustic-phonon interactions in a free-standing semiconductor nanowire，Junichi Hattori,Shigeyasu Uno,Nobuya Mori,Kazuo Nakazato，MATHEMATICAL AND COMPUTER MODELLING，PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，Vol. 51，No. 7-8，p. 880-887，2010年04月，研究論文（学術雑誌）
  • A computationally cost-effective interleaving method for atomistic non-equilibrium Green's function simulation，Hideki Minari,Nobuya Mori，MATHEMATICAL AND COMPUTER MODELLING，PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，Vol. 51，No. 7-8，p. 888-892，2010年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Form factor increase and its physical origins in electron-modulated acoustic phonon interaction in a free-standing semiconductor plate，Shigeyasu Uno,Junichi Hattori,Kazuo Nakazato,Nobuya Mori，MATHEMATICAL AND COMPUTER MODELLING，PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，Vol. 51，No. 7-8，p. 863-872，2010年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Scaling consideration and compact model of electron scattering enhancement due to acoustic phonon modulation in an ultrafine free-standing cylindrical semiconductor nanowire，Junichi Hattori,Shigeyasu Uno,Kazuo Nakazato,Nobuya Mori，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，AMER INST PHYSICS，Vol. 107，No. 3，2010年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Impact of Attractive Ion in Undoped Channel on Characteristics of Nanoscale Multigate Field Effect Transistors: A Three-Dimensional Nonequilibrium Green's Function Study，Yoshinari Kamakura,Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Kenji Taniguchi，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 49，No. 4，2010年，研究論文（学術雑誌）
  • Analytical Compact Model of Ballistic Cylindrical Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，Tatsuhiro Numata,Shigeyasu Uno,Kazuo Nakazato,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 49，No. 4，2010年，研究論文（学術雑誌）
  • Electron-Modulated-Acoustic-Phonon Interactions in a Coated Silicon Nanowire，Junichi Hattori,Shigeyasu Uno,Nobuya Mori,Kazuo Nakazato，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 49，No. 4，2010年，研究論文（学術雑誌）
  • Impact of Interface Roughness on Threshold-Voltage Variation in Ultrasmall Gate-All-Around and Double-Gate Field-Effect Transistors，Nobuya Mori,Hideki Minari，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，JAPAN SOC APPLIED PHYSICS，Vol. 49，No. 4，2010年，研究論文（学術雑誌）
  • Hole Transport Mechanism in Silicon and Germanium Nanowire Field Effect Transistors，Hideki Minari,Nobuya Mori，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，JAPAN SOC APPLIED PHYSICS，Vol. 49，No. 4，2010年，研究論文（学術雑誌）
  • R-matrix method for quantum transport simulations in discrete systems，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 79，No. 23，2009年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Sum rules and universality in electron-modulated acoustic phonon interaction in a free-standing semiconductor plate，Shigeyasu Uno,Darryl Yong,Nobuya Mori，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 79，No. 23，2009年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Dopant-Induced Intrinsic Bistability in a Biased Nanowire，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura,Tatsuya Ezaki，PHYSICAL REVIEW LETTERS，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 102，No. 3，2009年01月，研究論文（学術雑誌）
  • Solution of the Poisson Equation with Coulomb Singularities，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura,Tatsuya Ezaki，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，JAPAN SOCIETY APPLIED PHYSICS，Vol. 47，No. 10，p. 7765-7770，2008年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Atomistic modeling of hole transport in ultra-thin body SOI pMOSFETs，Hideki Minari,Nobuya Mori，JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS，SPRINGER，Vol. 7，No. 3，p. 293-296，2008年09月，研究論文（学術雑誌）
  • Effects of phonon scattering on electron transport in double-gate MOSFETs，Nobuya Mori,Hiroshi Takeda,Hideki Minari，JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS，SPRINGER，Vol. 7，No. 3，p. 268-271，2008年09月，研究論文（学術雑誌）
  • R-matrix theory of quantum transport and recursive propagation method for device simulations，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura,Tatsuya Ezaki，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，AMER INST PHYSICS，Vol. 104，No. 4，2008年08月，研究論文（学術雑誌）
  • R-matrix theory of quantum transport in nanoscale electronic devices，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura,Tatsuya Ezaki，APPLIED PHYSICS EXPRESS，JAPAN SOC APPLIED PHYSICS，Vol. 1，No. 6，2008年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Impact of strain on ballistic current in Si n-i-n structures，Hideki Minari,Nobuya Mori，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，JAPAN SOCIETY APPLIED PHYSICS，Vol. 47，No. 4，p. 2621-2623，2008年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Phonon scattering of hot electrons in intense mid-infrared laser fields，H. Furuse,N. Mori,H. Kubo,H. Momose,M. Kondow，Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics，Vol. 5，No. 1，p. 286-289，2008年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Resonant tunneling through a dilute nitride quantum well，N. Mori,G. Allison,A. Patane,L. Eaves，PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1，WILEY-V C H VERLAG GMBH，Vol. 5，No. 1，p. 198-+，2008年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Magnetic-field-induced miniband conduction in semiconductor superlattices，Daivid Fowler,David P. A. Hardwick,Amalia Patane,Mark T. Greenaway,Alexander G. Balanov,Timothy M. Fromhold,Laurence Eaves,Mohamed Henini,Nadezda Kozlova,Jens Freudenberger,Nobuya Mori，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 76，No. 24，2007年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Analytical description of intravalley acoustic phonon limited electron mobility in ultrathin si plate incorporating phonon modulation due to plate interfaces，Shigeyasu Uno,Nobuya Mori，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS，JAPAN SOC APPLIED PHYSICS，Vol. 46，No. 36-40，p. L923-L926，2007年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Transmission study of germanium using free-electron laser，H. Furuse,N. Mori,H. Kubo,H. Momose,M. Kondow，JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS，SPRINGER，Vol. 18，p. S81-S85，2007年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Numerical simulation of hole transport in silicon nanostructures，Hideki Minari,Nobuya Mori，JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS，SPRINGER，Vol. 6，No. 1-3，p. 223-225，2007年09月，研究論文（学術雑誌）
  • Implementation of the Bloch operator method for solving the Poisson equation，Gennady V. Mil'Nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura,Tatsuya Ezakil，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS，INST PURE APPLIED PHYSICS，Vol. 46，No. 9A，p. 5734-5737，2007年09月，研究論文（学術雑誌）
  • Measurement of the temperature dependence of midinfrared optical absorption spectra of germanium in intense laser fields，H. Furuse,N. Mori,H. Kubo,H. Momose,M. Kondow，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 75，No. 20，2007年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Effects of strained layers on Zener tunneling in silicon nanostructures，Hideki Minari,Nobuya Mori，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS，INST PURE APPLIED PHYSICS，Vol. 46，No. 4B，p. 2076-2078，2007年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Midinfrared optical absorption in germanium measured with a free-electron laser at room temperature，H. Furuse,N. Mori,H. Kubo,H. Momose,M. Kondow，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 74，No. 20，2006年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Strong effect of resonant impurities on Landau-level quantization，G. Allison,N. Mori,A. Patane,J. Endicott,L. Eaves,D. K. Maude,M. Hopkinson，PHYSICAL REVIEW LETTERS，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 96，No. 23，2006年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Impurity cyclotron resonance in InGaAs/GaAs superlattice and InGaAs/AlAs superlattice grown on GaAs substrates，H Momose,H Okai,H Deguchi,N Mori,S Takeyama，PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 32，No. 1-2，p. 309-312，2006年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Periodic magnetoresistance oscillations in side-gated quantum dots，T. Suzuki,H. Momose,M. Morifuji,N. Mori,M. Kondow，SEVENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NEW PHENOMENA IN MESOSCOPIC STRUCTURES AND FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACES AND INTERFACES OF MESOSCOPIC DEVICES, 2005，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 38，p. 116-+，2006年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Current flow and energy dissipation in low-dimensional semiconductor superlattices，D Fowler,A Patane,A Ignatov,L Eaves,M Henini,N Mori,DK Maude,R Airey，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 88，No. 5，2006年01月，研究論文（学術雑誌）
  • Impurity cyclotron resonance in InGaAs/AlAs superlattice under ultra high magnetic fields，H Momose,H Deguchi,H Okai,N Mori,S Takeyama，PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 29，No. 3-4，p. 606-608，2005年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical investigation of electron-phonon interaction in one-dimensional silicon quantum dot array interconnected with silicon oxide layers，S Uno,N Mori,K Nakazato,N Koshida,H Mizuta，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 72，No. 3，2005年07月，研究論文（学術雑誌）
  • Reduction of acoustic-phonon deformation potential in one-dimensional array of Si quantum dot interconnected with tunnel oxides，S Uno,N Mori,K Nakazato,N Koshida,H Mizuta，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，AMER INST PHYSICS，Vol. 97，No. 11，2005年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Three-dimensional quantum transport simulation of ultra-small FinFETs，H. Takeda,N. Mori，Journal of Computational Electronics，Vol. 4，No. 1-2，p. 31-34，2005年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Effective-mass theory of graphite/porous-graphite quantum wires，H Takeda,N Mori,K Yoshino，JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 38，No. 8，p. 1205-1210，2005年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Mode-coupling effects in non-equilibrium Green's function device simulation，H Takeda,N Mori，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS，JAPAN SOC APPLIED PHYSICS，Vol. 44，No. 4B，p. 2664-2668，2005年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Electron-phonon interaction in si quantum dots interconnected with thin oxide layers，S Uno,N Mori,K Nakazato,N Koshida,H Mizuta，Physics of Semiconductors, Pts A and B，AMER INST PHYSICS，Vol. 772，p. 797-798，2005年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Resonant transport in semiconductor superlattices in a tilted magnetic field，N Mori,C Hamaguchi,A Patane,TM Fromhold,L Eaves，INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B，WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD，Vol. 18，No. 27-29，p. 3617-3620，2004年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Numerical Simulation for Direct Tunneling Current in Poly-Si-Gate MOS Capacitors，M. Okamoto,N. Mori，JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS，SPRINGER，Vol. 3，No. 3-4，p. 439-442，2004年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Magnetic-field-induced suppression of electronic conduction in a superlattice，A Patane,N Mori,D Fowler,L Eaves,M Henini,DK Maude,C Hamaguchi,R Airey，PHYSICAL REVIEW LETTERS，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 93，No. 14，2004年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Study of electron dynamics in n-type GaN using the Osaka free electron laser，T Takahashi,T Kambayashi,H Kubo,N Mori,N Tsubouchi,L Eaves,CT Foxon，NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 528，No. 1-2，p. 623-626，2004年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Full-band Monte Carlo study on free electron laser induced impact ionization in wurtzite GaN，T Takahashi,N Mori，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 19，No. 4，p. S457-S459，2004年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Monte Carlo study of two-dimensional hole transport in a GaAs quantum well，N Mori,H Takeda，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 19，No. 4，p. S17-S19，2004年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Nonequilibrium Green's function approach to resonant transport in semiconductor superlattices，N Mori,A Patane,L Eaves，PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 21，No. 2-4，p. 717-721，2004年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Quantum Effects on Transport Characteristics in Ultra-Small MOSFETs，H. Takeda,N. Mori,C. Hamaguchi，JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS，SPRINGER，Vol. 2，No. 2-4，p. 119-122，2003年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Electron transport in quantum dot arrays: self-consistent modeling，M Kobayashi,S Miyahara,N Mori,C Hamaguchi，PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 19，No. 1-2，p. 188-191，2003年07月，研究論文（学術雑誌）
  • Magneto-tunneling spectroscopy of quantum structures，N Mori,C Hamaguchi,A Patane,L Eaves,PC Main，MICROELECTRONIC ENGINEERING，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 63，No. 1-3，p. 109-114，2002年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Temperature dependence of the conductance in quasi-one-dimensional superlattices，N Mori,C Hamaguchi,L Eaves,PC Main，MICROELECTRONIC ENGINEERING，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 63，No. 1-3，p. 87-90，2002年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Probing the quantum states of self-assembled InAs dots by magnetotunneling spectroscopy，A Patane,RJA Hill,L Eaves,PC Main,M Henini,ML Zambrano,A Levin,N Mori,C Hamaguchi,YV Dubrovskii,EE Vdovin,DG Austing,S Tarucha,G Hill，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 65，No. 16，2002年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Transport in quantum dot arrays，N Mori,T Ishida,Y Takamura,C Hamaguchi，PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 13，No. 2-4，p. 667-670，2002年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Study of electron-hole generation and recombination in semiconductors using the Osaka free electron laser，N Mori,T Takahashi,T Kambayashi,H Kubo,C Hamaguchi,L Eaves,CT Foxon,A Patane,M Henini，PHYSICA B-CONDENSED MATTER，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 314，No. 1-4，p. 431-436，2002年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Self-consistent calculation of two-dimensional electronic states in SOI-MOSFETs using full-band modeling，H Takeda,N Mori,C Hamaguchi，PHYSICA B-CONDENSED MATTER，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 314，No. 1-4，p. 377-380，2002年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Luminescence from p-type GaAs crystals under intense mid-infrared irradiation，T Takahashi,T Kambayashi,N Mori,H Kubo,C Hamaguchi,N Tsubouchi，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS，INST PURE APPLIED PHYSICS，Vol. 41，No. 1，p. 88-89，2002年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Study of electron transport in SOI MOSFETs using Monte Carlo technique with full-band modeling，Journal of Computational Electronics，Vol. Vol. 1, pp. 467-474/,，2002年
  • Full-band {Monte Carlo} simulation of two-dimensional electron gas in SOI MOSFETs，Journal of Computational Electronics，Vol. Vol. 1, pp. 219-222/,，2002年
  • Monte Carlo simulation of miniband conduction in Landau-quantized superlattices，N Mori,C Hamaguchi,L Eaves,PC Main，PHYSICA B，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 298，No. 1-4，p. 329-332，2001年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Reduction of electron decay time using disordered tunnel barrier，JH Park,S Senzaki,N Mori,C Hamaguchi，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS，INST PURE APPLIED PHYSICS，Vol. 40，No. 3B，p. 1970-1972，2001年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Numerical studies of miniband conduction in quasi-one-dimensional superlattices，N Mori,C Hamaguchi,L Eaves,PC Main，VLSI DESIGN，TAYLOR & FRANCIS LTD，Vol. 13，No. 1-4，p. 45-50，2001年，研究論文（学術雑誌）
  • Conductance fluctuations in a double-barrier resonant tunneling device，PC Main,TJ Foster,P McDonnell,L Eaves,MJ Gompertz,N Mori,JW Sakai,A Henini,G Hill，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 62，No. 24，p. 16721-16726，2000年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Reduction in relaxation time due to ionized impurities in GaAs/AlGaAs quantum well structures，JH Park,S Senzaki,N Mori,C Hamaguchi，SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES，ACADEMIC PRESS LTD，Vol. 27，No. 5-6，p. 505-508，2000年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Cyclotron masses in InGaAs/GaAs superlattices and InGaAs/AlAs superlattices，H Momose,S Uehara,N Mori,C Hamaguchi,H Arimoto,T Ikaida,N Miura，SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES，ACADEMIC PRESS LTD，Vol. 27，No. 5-6，p. 525-528，2000年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Luminescence from GaAs/AlGaAs quantum wells induced by mid-infrared free electron laser pulses，H Nakano,H Kubo,N Mori,C Hamaguchi,L Eaves，PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 7，No. 3-4，p. 555-558，2000年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Conductance fluctuations in a double-barrier resonant tunneling device，Physical Review B，Vol. 62，No. 24，p. 16721-16726，2000年
  • Monte Carlo simulation of conductance characteristics in SOI-MOSFET，S Araya,K Yamasaki,H Ueno,N Mori,C Hamaguchi,LM Perron,AL Lacaita，PHYSICA B，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 272，No. 1-4，p. 565-567，1999年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Monte Carlo study on electron motion under mid-infrared free-electron-laser pulses，N Mori,H Nakano,H Kubo,C Hamaguchi,L Eaves，PHYSICA B-CONDENSED MATTER，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 272，No. 1-4，p. 431-433，1999年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Magnetic field quenching of miniband conduction in quasi-one-dimensional superlattices，L Eaves,HM Murphy,A Nogaret,ST Stoddart,PC Main,M Henini,N Mori,C Hamaguchi,DK Maude,JC Portal，PHYSICA B，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 272，No. 1-4，p. 190-193，1999年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Cyclotron resonance in (GaAs)(n)/(AlAs)(n) superlattices under ultra-high magnetic-fields，H Momose,N Mori,C Hamaguchi,T Ikaida,H Arimoto,N Miura，PHYSICA E，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 4，No. 4，p. 286-291，1999年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Impurity cyclotron resonance in type-I (GaAs)(n)/(AlAs)(n) superlattices，H Momose,N Mori,C Hamaguchi,T Ikaida,H Arimoto,N Miura，MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY，ELSEVIER SCIENCE SA，Vol. 64，No. 2，p. 137-141，1999年09月，研究論文（学術雑誌）
  • Conductance through zigzag quantum dots arrays，H Ueno,K Moriyasu,Y Wada,S Osako,H Kubo,N Mori,C Hamaguchi，MICROELECTRONIC ENGINEERING，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 47，No. 1-4，p. 127-129，1999年06月，研究論文（学術雑誌）
  • New developments in superlattice transport: quenching of miniband conduction in high magnetic fields，HM Murphy,L Eaves,A Nogaret,ST Stoddart,PC Main,M Henini,N Mori,C Hamaguchi,DK Maude,JC Portal，MICROELECTRONIC ENGINEERING，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 47，No. 1-4，p. 65-68，1999年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Monte Carlo simulation of one- and two-dimensional electron gases，K Yamasaki,T Ezaki,N Mori,C Hamaguchi，COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998，IOP PUBLISHING LTD，No. 162，p. 313-318，1999年，研究論文（学術雑誌）
  • Effect of ionized impurities on electron tunneling in GaAs/AlGaAs triple quantum wells，JH Park,S Ozaki,N Mori,C Hamaguchi，SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES，ACADEMIC PRESS LTD，Vol. 25，No. 1-2，p. 445-451，1999年01月，研究論文（学術雑誌）
  • Conductance through laterally coupled quantum dots，H Ueno,K Moriyasu,Y Wada,S Osako,H Kubo,N Mori,C Hamaguchi，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS，JAPAN J APPLIED PHYSICS，Vol. 38，No. 1B，p. 332-335，1999年01月，研究論文（学術雑誌）
  • A study of miniband conduction in Wannier-Stark superlattices at high magnetic fields，HM Murphy,A Nogaret,ST Stoddart,L Eaves,PC Main,M Henini,DK Maude,N Mori,JC Portal,C Hamaguchi，PHYSICA B-CONDENSED MATTER，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 256，p. 544-547，1998年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Luminescence of GaAs/AlGaAs asymmetric double-quantum-wells excited by a mid-IR free electron laser，H Nakano,JM Feng,H Kubo,N Mori,C Hamaguchi，NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 144，No. 1-4，p. 160-165，1998年09月，研究論文（学術雑誌）
  • Electronic properties in quantum dots with asymmetric confining potential，T Ezaki,Y Sugimoto,N Mori,C Hamaguchi，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 13，No. 8A，p. A1-A3，1998年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Magnetophonon and magneto-intersubband-scattering effects in InAs/AlGaSb heterostructures，S Osako,T Hamano,N Mori,C Hamaguchi,S Sasa,M Inoue，PHYSICA B-CONDENSED MATTER，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 249，p. 740-744，1998年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Electronic structures in a quantum dot with asymmetric confining potential，T Ezaki,Y Sugimoto,N Mori,C Hamaguchi，PHYSICA B-CONDENSED MATTER，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 249，p. 238-242，1998年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Combined oscillations of magnetoresistance due to inelastic and elastic scatterings in InAs/AlGaSb quantum well structures，S Osako,T Hamano,K Yamasaki,K Moriyasu,N Mori,C Hamaguchi,S Sasa,M Inoue，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 13，No. 2，p. 181-184，1998年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Electronic states in quantum dots: Effects of symmetry of the confining potential，T Ezaki,Y Sugimoto,N Mori,C Hamaguchi，COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 156，p. 543-546，1998年，研究論文（学術雑誌）
  • Electronic states in quantum dots: Effects of symmetry of the confining potential，T Ezaki,Y Sugimoto,N Mori,C Hamaguchi，1997 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS，IEEE，p. 543-546，1998年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Electron-LA phonon interaction in a quantum dot，T. Ezaki,N. Mori,C. Hamaguchi，VLSI Design，Taylor and Francis Inc.，Vol. 8，No. 1-4，p. 225-230，1998年，研究論文（学術雑誌）
  • Observation of resonant optical-phonon assisted tunneling in asymmetric double quantum wells，S Ozaki,JM Feng,JH Park,S Osako,H Kubo,M Morifuji,N Mori,C Hamaguchi，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，AMER INST PHYSICS，Vol. 83，No. 2，p. 962-965，1998年01月，研究論文（学術雑誌）
  • Optical-phonon assisted tunneling in an asymmetric double-quantum-well structure，JM Feng,S Ozaki,JH Park,H Kubo,N Mori,C Hamaguchi，PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH，AKADEMIE VERLAG GMBH，Vol. 204，No. 1，p. 412-415，1997年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Energy relaxation time of electrons in quantum dots，T Ezaki,N Mori,C Hamaguchi，PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH，AKADEMIE VERLAG GMBH，Vol. 204，No. 1，p. 272-274，1997年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Self-consistent approximation for electron-optical-phonon interaction in a quantum wire，N Mori,H Momose,C Hamaguchi，PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH，AKADEMIE VERLAG GMBH，Vol. 204，No. 1，p. 268-271，1997年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Resonant optical-phonon assisted tunnelling in an asymmetric double-quantum-well structure，JM Feng,JH Park,S Ozaki,H Kubo,N Mori,C Hamaguchi，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 12，No. 9，p. 1116-1120，1997年09月，研究論文（学術雑誌）
  • Effect of quantum confinement and lattice relaxation on electronic states in GaAs/In0.2Ga0.8As/GaAs quantum dots，K Moriyasu,S Osako,N Mori,C Hamaguchi，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS，JAPAN J APPLIED PHYSICS，Vol. 36，No. 6B，p. 3932-3935，1997年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Electronic structures in circular, elliptic, and triangular quantum dots，T. Ezaki,N. Mori,C. Hamaguchi，Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics，Vol. 56，No. 11，p. 6428-6431，1997年，研究論文（学術雑誌）
  • Low-dimensional systems in ultra-high magnetic fields: Magnetic-field-induced type I to type II transitions in short-period semiconductor superlattices，N Miura,Y Shimamoto,Y Imanaka,H Arimoto,H Nojiri,H Kunimatsu,K Uchida,T Fukuda,K Yamanaka,H Momose,N Mori,C Hamaguchi，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 11，No. 11，p. 1586-1590，1996年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Angular dependent cyclotron resonance in short period (GaAs)(n)/(AlAs)(n) superlattices，K Yamanaka,H Momose,N Mori,C Hamaguchi,H Arimoto,Y Imanaka,Y Shimamoto,N Miura，PHYSICA B，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 227，No. 1-4，p. 356-359，1996年09月，研究論文（学術雑誌）
  • D- centers probed by resonant tunneling spectroscopy，JGS Lok,AK Geim,JC Maan,Marmorkos, I,FM Peeters,N Mori,L Eaves,TJ Foster,PC Main,JW Sakai,M Henini，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 53，No. 15，p. 9554-9557，1996年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Mesoscopic conductance fluctuations in impurity-assisted resonant tunnelling，P McDonnell,TJ Foster,PC Main,L Eaves,N Mori,JW Sakai,M Henini,G Hill，SOLID-STATE ELECTRONICS，PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，Vol. 40，No. 1-8，p. 409-412，1996年，研究論文（学術雑誌）
  • Cyclotron resonance in short period (GaAs)(n)/(A1As)(n) superlattices，T Fukuda,K Yamanaka,H Momose,N Mori,C Hamaguchi,Y Imanaka,Y Shimamoto,N Miura，SURFACE SCIENCE，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 361，No. 1-3，p. 406-410，1996年，研究論文（学術雑誌）
  • Resonant tunnelling through D- states，JGS Lok,AK Geim,JC Maan,Marmorkos, I,FM Peeters,N Mori,L Eaves,P McDonnell,M Henini,JW Sakai,PC Main，SURFACE SCIENCE，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 361，No. 1-3，p. 247-250，1996年，研究論文（学術雑誌）
  • D<sup>∧</sup>-centers probed by resonant tunneling spectroscopy，Physical Review B，Vol. 53，No. 15，p. 9554-9557，1996年
  • A novel approach in fabrication and study of laterally quantum-confined resonant tunnelling diodes，JN Wang,PH Beton,N Mori,L Eaves,PC Main,TJ Foster,M Henini，MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY，ELSEVIER SCIENCE SA LAUSANNE，Vol. 35，No. 1-3，p. 192-197，1995年12月，研究論文（学術雑誌）
  • MEASURING THE PROBABILITY DENSITY OF QUANTUM-CONFINED STATES，PH BETON,J WANG,N MORI,L EAVES,PC MAIN,TJ FOSTER,M HENINI，PHYSICAL REVIEW LETTERS，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 75，No. 10，p. 1996-1999，1995年09月，研究論文（学術雑誌）
  • LANDAU-LEVEL POPULATIONS AND SLOW ENERGY RELAXATION OF A 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS PROBED BY TUNNELING SPECTROSCOPY，BRA NEVES,N MORI,PH BETON,L EAVES,J WANG,M HENINI，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 52，No. 7，p. 4666-4669，1995年08月
  • EFFECT OF A PARALLEL MAGNETIC-FIELD ON THE RESONANT-TUNNELING CURRENT THROUGH A QUANTUM-WIRE，N MORI,PH BETON,J WANG,L EAVES，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 52，No. 3，p. 1504-1507，1995年07月
  • RESONANT MAGNETOTUNNELING VIA QUANTUM-CONFINED STATES，PH BETON,J WANG,N MORI,L EAVES,H BUHMANN,L MANSOURI,PC MAIN,TJ FOSTER,M HENINI，PHYSICA B，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 211，No. 1-4，p. 423-429，1995年05月，研究論文（学術雑誌）
  • ELECTRON-CONCENTRATION-DEPENDENT QUANTUM-WELL LUMINESCENCE - EVIDENCE FOR A NEGATIVELY CHARGED EXCITON，H BUHMANN,L MANSOURI,J WANG,PH BETON,N MORI,L EAVES,M HENINI,M POTEMSKI，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 51，No. 12，p. 7969-7972，1995年03月
  • THEORY OF RESONANT-TUNNELING THROUGH A QUANTUM-WIRE，N MORI,PH BETON,J WANG,L EAVES，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 51，No. 3，p. 1735-1742，1995年01月，研究論文（学術雑誌）
  • RESONANT-TUNNELING QUANTUM DOTS AND WIRES - SOME RECENT PROBLEMS AND PROGRESS，PH BETON,H BUHMANN,L EAVES,TJ FOSTER,AK GEIM,N LASCALA,PC MAIN,L MANSOURI,N MORI,JW SAKAI,J WANG，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 9，No. 11，p. 1912-1918，1994年11月，研究論文（学術雑誌）
  • RESONANT-TUNNELING THROUGH DONOR MOLECULES，AK GEIM,TJ FOSTER,A NOGARET,N MORI,PJ MCDONNELL,N LASCALA,PC MAIN,L EAVES，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 50，No. 11，p. 8074-8077，1994年09月
  • SUBMICROMETER RESONANT-TUNNELING DIODES FABRICATED BY PHOTOLITHOGRAPHY AND SELECTIVE WET ETCHING，J WANG,PH BETON,N MORI,H BUHMANN,L MANSOURI,L EAVES,PC MAIN,TJ FOSTER,M HENINI，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 65，No. 9，p. 1124-1126，1994年08月，研究論文（学術雑誌）
  • RESONANT MAGNETOTUNNELING VIA ONE-DIMENSIONAL QUANTUM-CONFINED STATES，J WANG,PH BETON,N MORI,L EAVES,H BUHMANN,L MANSOURI,PC MAIN,TJ FOSTER,M HENINI，PHYSICAL REVIEW LETTERS，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 73，No. 8，p. 1146-1149，1994年08月，研究論文（学術雑誌）
  • MAGNETOPHONON RESONANCE IN QUANTUM WIRES，C HAMAGUCHI,N MORI,H MOMOSE,T EZAKI,G BERTHOLD,J SMOLINER,E GORNIK,G BOHM,G WEIMANN,T SUSKI,P WISNIEWSKI，PHYSICA B，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 201，p. 339-344，1994年07月，研究論文（学術雑誌）
  • NEW MODEL FOR MONTE-CARLO SIMULATION OF HOT-ELECTRONS IN QUANTUM WIRES，H MOMOSE,N MORI,K TANIGUCHI,C HAMAGUCHI，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 9，No. 5，p. 958-960，1994年05月，研究論文（学術雑誌）
  • HOT-ELECTRON TRANSPORT IN QUANTUM STRUCTURES，N MORI,C HAMAGUCHI，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 9，No. 5，p. 941-945，1994年05月，研究論文（学術雑誌）
  • GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELL INFRARED PHOTODETECTORS，T MIYATAKE,S HORIHATA,T EZAKI,H KUBO,N MORI,K TANIGUCHI,C HAMAGUCHI，SOLID-STATE ELECTRONICS，PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，Vol. 37，No. 4-6，p. 1187-1190，1994年04月，研究論文（学術雑誌）
  • MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES，G BERTHOLD,J SMOLINER,E GORNIK,G BOHM,G WEIMANN,T SUSKI,P WISNIEWSKI,C HAMAGUCHI,N MORI,H MOMOSE，SURFACE SCIENCE，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 305，No. 1-3，p. 637-642，1994年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Resonant tunnelling through donor molecules，Phsical Review B，Vol. 50，No. 11，p. 8074-8077，1994年
  • MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES，G BERTHOLD,J SMOLINER,C WIRNER,E GORNIK,G BOHM,G WEIMANN,M HAUSER,C HAMAGUCHI,N MORI,H MOMOSE，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 8，No. 5，p. 735-738，1993年05月
  • ELECTRON-TUNNELING IN GAAS/ALGAAS/GAAS SINGLE-BARRIER HETEROJUNCTION DIODES - ELECTRON PHONON INTERACTION EFFECTS，N MORI,C HAMAGUCHI，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 8，No. 2，p. 197-205，1993年02月，研究論文（学術雑誌）
  • EFFECTS OF ELECTRON INTERFACE-PHONON INTERACTION ON RESONANT TUNNELING IN DOUBLE-BARRIER HETEROSTRUCTURES，N MORI,K TANIGUCHI,C HAMAGUCHI，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 7，No. 3B，p. B83-B87，1992年03月，研究論文（学術雑誌）
  • MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES，N MORI,H MOMOSE,C HAMAGUCHI，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 45，No. 8，p. 4536-4539，1992年02月
  • MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES，N MORI,H MOMOSE,C HAMAGUCHI，INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES，IOP PUBLISHING LTD，No. 127，p. 55-58，1992年，研究論文（学術雑誌）
  • MAGNETOPHONON RESONANCES IN QUANTUM WIRES，N MORI,H MOMOSE,C HAMAGUCHI，QUANTUM EFFECT PHYSICS, ELECTRONICS AND APPLICATIONS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 127，p. 55-58，1992年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • MAGNETOPHONON RESONANCE IN SEMICONDUCTORS，C HAMAGUCHI,N MORI，PHYSICA B，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 164，No. 1-2，p. 85-96，1990年06月，研究論文（学術雑誌）
  • ELECTRON OPTICAL-PHONON INTERACTION IN SINGLE AND DOUBLE HETEROSTRUCTURES，N MORI,T ANDO，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 40，No. 9，p. 6175-6188，1989年09月，研究論文（学術雑誌）
  • MAGNETOPHONON-RESONANCE THEORY OF THE TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN ALXGA1-XAS/GAAS SINGLE HETEROSTRUCTURES，N MORI,H MURATA,K TANIGUCHI,C HAMAGUCHI，PHYSICAL REVIEW B，AMERICAN PHYSICAL SOC，Vol. 38，No. 11，p. 7622-7634，1988年10月，研究論文（学術雑誌）
  • ELECTRIC FIELD-INDUCED MAGNETOPHONON RESONANCE，N MORI,N NAKAMURA,K TANIGUCHI,C HAMAGUCHI，SOLID-STATE ELECTRONICS，PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，Vol. 31，No. 3-4，p. 777-780，1988年03月，研究論文（学術雑誌）
  • MAGNETOPHONON RESONANCE OF A TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN A QUANTUM WELL，N MORI,K TANIGUCHI,C HAMAGUCHI,S SASA,S HIYAMIZU，JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 21，No. 9，p. 1791-1805，1988年03月，研究論文（学術雑誌）
  • MAGNETOPHONON RESONANCE AT HIGH ELECTRIC AND MAGNETIC-FIELDS IN SMALL N+NN+ GAAS STRUCTURES，N MORI,N NAKAMURA,K TANIGUCHI,C HAMAGUCHI，JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN，PHYSICAL SOCIETY JAPAN，Vol. 57，No. 1，p. 205-216，1988年01月，研究論文（学術雑誌）
  • MAGNETOPHONON RESONANCE IN CROSSED HIGH ELECTRIC AND MAGNETIC-FIELDS IN SMALL N+NN+ GAAS STRUCTURES，N MORI,N NAKAMURA,K TANIGUCHI,C HAMAGUCHI，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 2，No. 8，p. 542-546，1987年08月

MISC

  • SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大，坂根駿也,石部貴史,藤田武志,池内賢朗,鎌倉良成,森伸也,中村芳明，応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，Vol. 66th，2019年02月25日
  • 招待講演 4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング (シリコン材料・デバイス)，田中 一,森 伸也，Vol. 118，No. 291，p. 35-40，2018年11月08日
  • Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子，坂根駿也,柏野真人,渡辺健太郎,鎌倉良成,鎌倉良成,森伸也,森伸也,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，Vol. 79th，2018年09月05日
  • 集積量子デバイス領域，森 伸也，Techno net : 大阪大学工業会誌，大阪大学工業会，No. 569，p. 3-6，2015年07月
  • モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 (シリコン材料・デバイス)，土屋 英昭,石田 良馬,鎌倉 良成,森 伸也,宇野 重康,小川 真人，電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報，一般社団法人電子情報通信学会，Vol. 114，No. 291，p. 53-58，2014年11月06日
  • ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細Ⅲ-Ⅴ MOSFETの量子輸送解析 (シリコン材料・デバイス)，大森 正規,木場 隼介,前川 容佑,土屋 英昭,鎌倉 良成,森 伸也,小川 真人，電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報，一般社団法人電子情報通信学会，Vol. 113，No. 296，p. 65-70，2013年11月14日
  • Discrete Dopant Effects on Threshold Voltage Variation in Double-Gate and Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors，Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura,Genaddy Mil&apos;nikov,Hideki Minari，TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS，TRANS TECH PUBLICATIONS LTD，Vol. 470，p. 218-223，2011年
  • Impact of Self-Heating Effect on the Electrical Characteristics of Nanoscale Devices，Yoshinari Kamakura,Tomofumi Zushi,Takanobu Watanabe,Nobuya Mori,Kenji Taniguchi，TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS，TRANS TECH PUBLICATIONS LTD，Vol. 470，p. 14-+，2011年
  • Discrete Dopant Effects on Threshold Voltage Variation in Double-Gate and Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors，Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura,Genaddy Mil&apos;nikov,Hideki Minari，TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS，TRANS TECH PUBLICATIONS LTD，Vol. 470，p. 218-223，2011年
  • Impact of Self-Heating Effect on the Electrical Characteristics of Nanoscale Devices，Yoshinari Kamakura,Tomofumi Zushi,Takanobu Watanabe,Nobuya Mori,Kenji Taniguchi，TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS，TRANS TECH PUBLICATIONS LTD，Vol. 470，p. 14-+，2011年
  • Numerical Simulation of Electron Motion in Graphene with Vacancies，2010年
  • Modulated Phonon Scattering in Graphene Nano-ribbons，2010年
  • ナノシリコンの最新技術と応用展開，シーエムシー出版，2010年
  • Discrete dopant effects on threshold voltage variation in double-gate and gate-all-around metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors，2010年
  • Impact of self-heating effect on the electrical characteristics of nanoscale devices，2010年
  • Ellipsoidal Band Structure Effects on Maximum Ballistic Current in Silicon Nanowires，2010年
  • Simplified Method of Electron Subband Profile Calculation in Ballistic Gate-All-Around MOSFET，2010年
  • Developing nanosilicon technologgy and device applications，2010年
  • 次世代MOS型デバイスの量子輸送シミュレーション，森 伸也,三成 英樹，応用物理，応用物理学会，Vol. Vol. 78, No. 6, pp. 540-54，No. 6，p. 540-543，2009年
  • Coarse-Grain 3D Quantum Simulations of Nanoscale MOSFET，MIL'NIKOV Gennady,MORI Nobuya,KAMAKURA Yoshinari,EZAKI Tatsuya，Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials，Vol. 2007，p. 50-51，2007年09月19日
  • 21pTG-10 超強磁場サイクロトロン共鳴を用いたInGaAs/AlAs超格子のΓ-Xクロスオーバ現象解析(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)，百瀬 英毅,岡井 宏樹,森藤 正人,森 伸也,近藤 正彦,嶽山 正二郎，日本物理学会講演概要集，一般社団法人日本物理学会，Vol. 62，No. 2，p. 682-682，2007年08月21日
  • Significant Reduction of Phonon Scattering Potential in 1D Si Quantum Dot Array Interconnected with Thin Oxide Layers，UNO Shigeyasu,MORI Nobuya,NAKAZATO Kazuo,KOSHIDA Nobuyoshi,MIZUTA Hiroshi，Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials，Vol. 2004，p. 116-117，2004年09月15日
  • 強磁場中における半導体超格子のワニエ・シュタルク効果，森 伸也,浜口 智尋，固体物理，アグネ技術センタ-，Vol. 34，No. 5，p. 351-358，1999年
  • 27a-YN-8 InGaAs/GaAs超格子におけるサイクロトロン共鳴，谷 英樹,百瀬 英毅,森 伸也,濱口 智尋,井海田 隆,有本 英生,三浦 登，日本物理学会講演概要集，一般社団法人日本物理学会，Vol. 53，No. 2，p. 184-184，1998年09月05日
  • 量子細線における磁気フォノン共鳴，浜口 智尋,百瀬 英毅,江崎 達也,森 伸也,エザキ タツヤ,ハマグチ チヒロ,モリ ノブヤ,モモセ ヒデキ，大阪大学低温センターだより，大阪大学低温センター，Vol. 89，p. 15-20，1995年01月
  • 28p-C-12 量子細線における磁気フォノン共鳴，百瀬 英毅,森 伸也,谷口 研二,浜口 智尋，年会講演予稿集，一般社団法人日本物理学会，Vol. 46，No. 2，p. 142-142，1991年09月12日

著書

  • 教科書・概説・概論，電子物性 ─電子デバイスの基礎─，浜口智尋,森伸也，朝倉書店，ISBN:9784254221602，2014年03月
  • Nonequilibrium Green's function method applied to Landau-quantized superlattices，Institute of Physics Conference Series，2002年
  • Cyclotron resonance in InGaAs/AlAs superlattices under pulsed high magnetic fields，Institute of Physics Conference Series，2002年
  • Phonon cycling in GaAs/AlAs superlattices，Institute of Physics Conference Series，2002年
  • メゾスコピック現象の基礎:表面超格子，オーム社，1994年
  • Basic Pheomena of Mesoscopic Structures : Lateral Superlattices，1994年

作品

  • 半導体ナノ構造における量子輸送現象に関する研究，2004年 ～
  • ゲート長10nm世代を見据えた量子輸送シミュレータの開発，2004年 ～
  • 半導体物理における強磁場に関する第16回国際会議、プログラム委員，2004年 ～
  • 16th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Program Comittee Member，2004年 ～
  • 第25回半導体物理学国際会議、副総務幹事，2000年 ～
  • 25th International Conference on the Physics of Semiconductors,Associate Secretary，2000年 ～
  • 第11回半導体における非平衡キャリア・ダイナミックスに関する国際会議、現地組織委員，1999年 ～
  • 11th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors,Local Organizing Comittee Member，1999年 ～
  • 第25回化合物半導体に関する国際シンポジウム、現地組織委員，1998年 ～
  • 25th International Symposium on Compound Semiconductors,Local Organizing Comittee Member，1998年 ～

講演・口頭発表等

  • 直接遷移型半導体におけるバンド間トンネルシミュレーションの高速化，岡田 丈,橋本 風渡,森 伸也，応用物理学会春季学術講演会，2021年03月16日
  • ゲルマニウムにおけるバンド間トンネル電流のNEGFシミュレーション，橋本 風渡,森 伸也，応用物理学会春季学術講演会，2021年03月16日
  • 極微細半導体デバイスの量子輸送シミュレーション，森 伸也，第11回材料系ワークショップ，2021年02月10日
  • Monte Carlo simulation of two-dimensional carrier mobility in wide-gap semiconductor devices，N. Mori,H. Tanaka,T. Hoshino,G. Mil'nikov，International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021，2021年01月20日
  • 経験的擬ポテンシャル法を用いた4H-SiCにおける浮遊電子状態の計算，永溝 幸周,田中 一,森 伸也，先進パワー半導体分科会第7回講演会，2020年12月10日
  • ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション，森 伸也,橋本 風渡,三島 嵩也,田中 一，シリコン材料・デバイス研究会，2020年11月20日
  • 第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション，浅井 栄大,黒田 龍哉,福田 浩一,服部 淳一,池上 努,森 伸也，シリコン材料・デバイス研究会，2020年11月20日
  • A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors，Yen Le Thi,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori，シリコン材料・デバイス研究会，2020年11月19日
  • Comparative simulation study of intra-layer band-to-band tunneling in monolayer transition metal dichalcogenides，F. Hashimoto,N. Mori，2020 International Conference on Solid State Devices and Materials，2020年09月29日
  • Reduction of order of device hamiltonian with adaptive moment estimation，J. Okada,F. Hashimoto,N. Mori，2020 International Conference on Solid State Devices and Materials，2020年09月29日
  • The RSDFT-EM representation and first principle transport simulations of realistic field-Effect transistors，G. Mil'nikov,N. Mori,J. Iwata,A. Oshiyama，International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020，2020年09月23日
  • TCAD simulation for transition metal dichalcogenide channel Tunnel FETs consistent with abinitio based NEGF calculation，H. Asai,T. Kuroda,K. Fukuda,J. Hattori,T. Ikegami,N. Mori，International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020，2020年09月23日
  • 適応モーメント推定を利用した量子輸送シミュレーションの高速化，岡田 丈,橋本 風渡,森 伸也，応用物理学会秋季学術講演会，2020年09月11日
  • TMDCナノリボンにおけるバンド間トンネル電流のNEGF解析，橋本 風渡,森 伸也，応用物理学会秋季学術講演会，2020年09月11日
  • 衝突イオン化係数のバンド構造に対する依存性の理論的解析，田中 一,木本 恒暢,森 伸也，応用物理学会秋季学術講演会，2020年09月10日
  • 界面制御した透明 ZnO 薄膜における熱電出力因子増大，石部 貴史,留田 純希,渡辺 健太郎,鎌倉 良成,森 伸也,成瀬 延康,目良 裕,山下 雄一郎,中村 芳明，応用物理学会秋季学術講演会，2020年09月08日
  • Coupled electron-phonon transport simulation of 1D nanostructures，Y. Kajiwara,N. Mori，International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017，2017年10月
  • Ballistic electron transport in coupled graphene nanoribbons，F. Hashimoto,N. Mori，International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017，2017年10月
  • Effects of boundary condition on phonon transport in two-dimensional harmonic lattice，A. Ueno,N. Mori，International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017，2017年10月
  • Analysis of type-II InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared p-i-n photodetector using device simulation，Y. L. Thi,Y. Kamakura,T. G. Etoh,N. Mori，Proceedings of the 7th International Conference on Integrated Circuits, Design, and Verification，2017年10月
  • Analysis of anisotropic ionization coefficient in bulk 4H-SiC with full-band monte carlo simulation，R. Fujita,K. Konaga,Y. Ueoka,T. Kotani,Y. Kamakura,N. Mori，Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017，2017年09月
  • First-principles calculations of the non-equilibrium polarization in ultra-small Si nanowire devices，G. Mil'nikov,J. Iwata,N. Mori,A. Oshiyama，Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017，2017年09月
  • Effects of dipole scattering on electron transport in gallium nitride-based HEMT，T. Hoshino,N. Mori，The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures，2017年07月
  • Nonequilibrium Green function simulations of band-to-band tunneling in in-plane MoS2/WS2 heterostructures，T. Kuroda,N. Mori，International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures，2017年07月
  • Inter-layer coupling effects on ballistic electron transport in multilayer graphene，F. Hashimoto,N. Mori，The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures，2017年07月
  • Equivalent model representation in first-principles transport simulations of nanowire MOSFETs，G. Mil'nikov,N. Mori,J. Iwata,A. Oshiyama，International Workshop on Computational Nanotechnology，2017年06月
  • The temporal resolution limit of the silicon image sensors，T. G. Etoh,A. Q. Nguyen,Y. Kamakura,K. Shimonomura,Y. L. Thi,N. Mori，2017 International Image Sensor Workshop，2017年06月
  • Inter-Layer Coupling Effects on Vertical Electron Transport in Multilayer Graphene Nanoribbons，F. Hashimoto,N. Mori，20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 20)，2017年
  • Inter-Layer Coupling Effects on Vertical Electron Transport in Multilayer Graphene Nanoribbons，F. Hashimoto,N. Mori，20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 20)，2017年
  • Full Band Monte Carlo Simulation of Impact Ionization in Wide Bandgap Semiconductors Based on Ab Initio Calculation，Y. Kamakura,R. Fujita,K. Konaga,Y. Ueoka,N. Mori,T. Kotani，2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)，2016年
  • Monte Carlo Study on Anomalous Carrier Diffusion in Inhomogeneous Semiconductors，N. Mori,R. J. A. Hill,A. Patane,L. Eaves，19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON' 19)，2015年
  • Ab Initio Study of Avalanche Breakdown in Diamond for Power Device Applications，Y. Kamakura,T. Kotani,K. Konaga,N. Minamitani,G. Wakimura,N. Mori，2015 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)，2015年
  • Effects of Internal Electric Field on Efficiency of Carrier Multiplication Solar Cells，Futo Hashimoto,Nobuya Mori，2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)，2015年
  • Quantum Transport Simulation of Ultra-small V-groove Junctionless Transistors，Tatsuya Yamana,Nobuya Mori，2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)，2014年
  • Extraction of Quasi-Ballistic Transport Parameters in Si Double-Gate MOSFETs Based on Monte Carlo Method，Ryoma Ishida,Shunsuke Koba,Hideaki Tsuchiya,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Shigeyasu Uno,Matsuto Ogawa，2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)，2014年
  • Low-Temperature Deposition of Thin Si, Ge, and SiGe Films Using Reducing Activity of Ballistic Hot Electrons，N. Koshida,R. Suda,M. Yagi,A. Kojima,R. Mentek,B. Gelloz,N. Mori,J. Shirakashi，SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES，2014年
  • Electron-phonon interaction in Si nanowire devices: Low field mobility and self-consistent EM NEGF simulations，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori，2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)，2014年
  • Coupled Monte Carlo Simulation of Transient Electron-Phonon Transport in Small FETs，Y. Kamakura,I. N. Adisusilo,K. Kukita,G. Wakimura,S. Koba,H. Tsuchiya,N. Mori，2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)，2014年
  • Effects of Atomic Disorder on Impact Ionization Rate in Silicon Nanodots，N. Mori,M. Tomita,H. Minar,T. Watanabe,N. Koshida，PHYSICS OF SEMICONDUCTORS，2013年
  • Nano-device Simulation from an Atomistic View，N. Mori,G. Mil'nikov,H. Minari,Y. Kamakura,T. Zushi,T. Watanabe,M. Uematsu,K. M. Itoh,S. Uno,H. Tsuchiya，2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)，2013年
  • The Impact of Increased Deformation Potential at MOS Interface on Quasi-Ballistic Transport in Ultrathin Channel MOSFETs Scaled down to Sub-10 nm Channel Length，S. Koba,R. Ishida,Y. Kubota,H. Tsuchiya,Y. Kamakura,N. Mori,M. Ogawa，2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)，2013年
  • Effects of phonon scattering on discrete-impurity-induced current fluctuation in silicon nanowire transistors，Nobuya Mori,Masashi Uematsu,Gennady Mil'Nikov,Hideki Minari,Kohei M. Itoh，International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD，2013年
  • Liquid-Phase Deposition of Thin Si and Ge Films Based on Ballistic Electro-reduction，T. Ohta,R. Mentek,B. Gelloz,N. Mori,N. Koshida，SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 5: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES，2012年
  • Simulation of the Effect of Arsenic Discrete Distribution on Device Characteristics in Silicon Nanowire Transistors，Masashi Uematsu,Kohei M. Itoh,Gennady Mil'nikov,Hideki Minari,Nobuya Mori，2012 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)，2012年
  • Atomic disorder effects on electronic states in InAs/GaAs intermediate-band solar cells，Hiroki Takahashi,Hideki Minari,Nobuya Mori，IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai，2012年
  • Impact of oxidation induced atomic disorder in narrow Si nanowires on transistor performance，H. Minari,T. Zushi,T. Watanabe,Y. Kamakura,S. Uno,N. Mori，2011 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers，2011年06月
  • Magnetic Field Modulated Photoreflectance Study of the Electron Effective Mass in Dilute Nitride Semiconductors，N. Mori,K. Hiejima,H. Kubo,A. Patane,L. Eaves，PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS，2011年
  • NEGF simulation of spin-transfer torque in magnetic tunnel junctions，Yuki Hiramatsu,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Kenji Taniguchi，IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai，2011年
  • Tailoring the electronic properties of vertically stacked quantum-dots by local potential modulation，Hiroki Takahashi,Hideki Minari,Nobuya Mori，IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai，2011年
  • Effects of a strained layer on transport characteristics of tunnel transistors，Masahiro Yamamoto,Tatsuro Kitayama,Hideki Minari,Nobuya Mori，IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai，2011年
  • Fully analytic compact model of ballistic gate-all-around MOSFET with rectangular cross section，Tatsuhiro Numata,Shigeyasu Uno,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Kazuo Nakazato，International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD，2011年
  • Effects of atomic disorder on carrier transport in Si nanowire transistors，Hideki Minari,Tomofumi Zushi,Takanobu Watanabe,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori，International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD，2011年
  • Low-dimensional quantum transport models in atomistic device simulations，Gennady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura，International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD，2011年
  • Numerical simulation of transient heat conduction in nanoscale Si devices，Yoshinari Kamakura,Tomofumi Zushi,Takanobu Watanabe,Nobuya Mori,Kenji Taniguchi，ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings，2010年
  • Quantum transport and electron-phonon interaction in nanoscale MOSFETs，Nobuya Mori,Hideki Minari,Genaddy Mil'nikov,Yoshinari Kamakura，ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings，2010年
  • Simplified Calculation Method of Electron Subband Profile in Ballistic Nanowire MOSFET，Tatsuhiro Numata,Shigeyasu Uno,Kazuo Nakazato,Anna Sawicka,Gennady Mil'nikov,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori，2010 14TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON COMPUTATIONAL ELECTRONICS (IWCE 2010)，2010年
  • Subband Representation in Atomistic Transport Simulation of Nanowire Transistors，G. V. Mil&apos;nikov,N. Mori,Y. Kamakura,H. Minari，2010 14TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON COMPUTATIONAL ELECTRONICS (IWCE 2010)，2010年
  • A Theoretical Study of Effect of Gate Voltage on Electron-Modulated-Acoustic-Phonon Interactions in Silicon Nanowire MOSFETs，Junichi Hattori,Shigeyasu Uno,Nobuya Mori,Kazuo Nakazato，SISPAD 2010 - 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES，2010年
  • Coupled Monte Carlo Simulation of Transient Electron-Phonon Transport in Nanoscale Devices，Yoshinari Kamakura,Nubuya Mori,Kenji Taniguchi,Tomofumi Zushi,Takanobu Watanabe，SISPAD 2010 - 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES，2010年
  • Strain Effects on Hole Current in Silicon Nanowire FETs，Hideki Minari,Tatsuro Kitayama,Masahiro Yamamoto,Nobuya Mori，SISPAD 2010 - 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES，2010年
  • Quasi-ballistic electron transport through silicon nano crystals，Nobuya Mori,Hideki Minari,Shigeyasu Uno,Hiroshi Mizuta,Nobuyuki Koshida，16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)，2009年
  • Full-band and atomistic study of electron-phonon interaction in graphene nanoribbons，Tatsuro Kitayama,Hideki Minari,Nobuya Mori，16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)，2009年
  • Comparative Study on Si and Ge p-type Nanowire FETs based on Full-Band Non-Equilibrium Green&apos;s Function Simulation，Hideki Minari,Nobuya Mori，2009 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES，2009年
  • Effect of random impurities on transport characteristics of nano-scale MOSFET，Gernnady Mil'nikov,Nobuya Mori,Yoshinari Kamakura,Tatsuya Ezaki，SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES，2008年
  • Effects of Wavefunction Modulation on Electron Transport in Ultrathin-Body DG MOSFETs，Nobuya Mori,Hideki Minari，SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES，2008年
  • Strain Effects on Ballistic Current in Ultrathin DG SOI MOSFETs，Hideki Minari,Nobuya Mori，SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES，2008年
  • A Theoretical Study of Electron Mobility Reduction due to Acoustic Phonon Modulation in a Free-Standing Semiconductor Nanowire，Junichi Hattori,Shigeyasu Uno,Nobuya Mori,Kazuo Nakazato，SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES，2008年
  • Probing the scattering potential of N-impurittes in GaAs by magneto-tunneling，G. Allison,A. Patane,J. Endicott,L. Eaves,N. Mori,N. Kozlova,J. Freudenberger,N. Miura,D. K. Maude,M. Hopkinson，INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B，2007年04月
  • Crystalline orientation effects on ballistic hole current in ultrathin DG SOI MOSFETs，H. Minari,N. Mori，SISPAD 2007: SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES 2007，2007年
  • Reduction of acoustic phonon limited electron mobility due to phonon confinement in silicon nanowire MOSFETs，Junichi Hattori,Shigeyasu Uno,Nobuya Mori,Kazuo Nakazato，65th DRC Device Research Conference，2007年
  • Three-dimensional quantum transport simulation of ultra-small FinFETs，H. Takeda,N. Mori，Journal of Computational Electronics，2005年04月
  • Doping profile effects on device characteristics of nano-scale MOSFETs，H Takeda,N Mori，SISPAD: 2005 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices，2005年
  • Phonon modification in SOI structures and its impact on electron transport，Shigeyasu Uno,Nobuya Mori，Device Research Conference - Conference Digest, DRC，2005年
  • Luminescence from GaN induced by midinfrared FEL pulses，T Takahashi,O Mizuno,H Kubo,N Mori,C Hamaguchi,CT Foxon,L Eaves，PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II，2001年
  • Monte Carlo simulation of one- and two-dimensional electron gases，K Yamasaki,T Ezaki,N Mori,C Hamaguchi，COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998，1999年
  • Electronic states in quantum dots: Effects of symmetry of the confining potential，T Ezaki,Y Sugimoto,N Mori,C Hamaguchi，1997 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS，1998年
  • Electronic states in quantum dots: Effects of symmetry of the confining potential，T Ezaki,Y Sugimoto,N Mori,C Hamaguchi，COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997，1998年
  • Electron transport in quantum wires at high temperature，T Ezaki,N Mori,H Momose,K Taniguchi,C Hamaguchi，HOT CARRIERS IN SEMICONDUCTORS，1996年
  • Tunneling spectroscopy as a probe of hot electrons in the upper Landau level of a 2DEG，BRA Neves,L Eaves,N Mori,M Henini,OH Hughes，HOT CARRIERS IN SEMICONDUCTORS，1996年
  • Monte Carlo simulation of hot electrons in quantum wires，H Momose,N Mori,K Taniguchi,C Hamaguchi，HOT CARRIERS IN SEMICONDUCTORS，1996年
  • A Fermi-edge singularity probed by resonant tunnelling spectroscopy，N LaScala,AK Geim,PC Main,TJ Foster,PH Beton,JW Sakai,FW Sheard,N Mori,L Eaves，COULOMB AND INTERFERENCE EFFECTS IN SMALL ELECTRONIC STRUCTURES，1994年