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寺川　成海
Terakawa Shigemi
寺川　成海
Terakawa Shigemi
機関リポジトリ
工学研究科　附属フューチャーイノベーションセンター，助教

keyword 光電子分光，ファンデルワールスヘテロ構造，低次元物質，表面物性

機関リポジトリ

経歴 3

  1. 2024年1月 ～ 継続中
    大阪大学　大学院工学研究科　助教

  2. 2022年4月 ～ 2023年12月
    Max Planck Institute of Microstructure Physics　NISE - Nano Systems from Ions, Spins and Electrons　Postdoc

  3. 2020年4月 ～ 2022年3月
    日本学術振興会　特別研究員(DC2)

学歴 3

  1. 京都大学　大学院理学研究科　化学専攻

    2019年4月 ～ 2022年3月

  2. 京都大学　大学院理学研究科　化学専攻

    2017年4月 ～ 2019年3月

  3. 京都大学　理学部

    2013年4月 ～ 2017年3月

所属学会 2

  1. 日本表面真空学会

  2. 日本物理学会

研究内容・専門分野 2

  1. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

  2. 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 表面科学

受賞 4

  1. Springer Theses Award

    Shigemi Terakawa　Springer　2022年4月

  2. 学生優秀発表賞（領域9）

    寺川成海　日本物理学会　2022年3月

  3. 講演奨励賞（スチューデント部門）

    寺川成海　日本表面真空学会　2019年10月

  4. Student Award

    Shigemi Terakawa　ACSIN-14 & ICSPM26　2018年10月

論文 7

  1. Determination of the actual valence band of a topological insulator Bi2Se3

    Yuki Higuchi, Ryota Itaya, Harutaka Saito, Yuichiro Toichi, Takahiro Kobayashi, Mito Tomita, Shigemi Terakawa, Katsuhiro Suzuki, Kenta Kuroda, Takao Kotani, Fumihiko Matsui, Shigemasa Suga, Hitoshi Sato, Kazunori Sato, Kazuyuki Sakamoto

    Vacuum　Vol. 233　2025年3月　研究論文（学術雑誌）

  2. Epitaxial Growth and Electronic Properties of Single- and Few-Layer FeBr2 on Bi(111)

    Shigemi Terakawa, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga

    The Journal of Physical Chemistry C　Vol. 127　No. 30　p. 14898-14905　2023年7月19日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)

  3. Ultrathin (In, Mg) films on Si(111): A nearly freestanding double-layer metal

    Shigemi Terakawa, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga

    Physical Review B　Vol. 105　p. 125402-125402　2022年3月1日　研究論文（学術雑誌）

  4. Structure and Electronic Properties of Ultrathin In Films on Si(111)

    Shigemi Terakawa

    2022年

    出版者・発行元：Springer Nature Singapore

  5. Si(111)表面上のIn単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移

    寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也

    表面と真空　Vol. 63　No. 8　p. 425-430　2020年8月10日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  6. Structure and phase transition of a uniaxially incommensurate In monolayer on Si(111)

    Shigemi Terakawa

    Physical Review B　Vol. 100　p. 115428-115428　2019年9月16日　研究論文（学術雑誌）

  7. Identification of single-layer metallic structure of indium on Si(1 1 1)

    Shigemi Terakawa, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga

    Journal of Physics: Condensed Matter　Vol. 30　No. 36　p. 365002-365002　2018年8月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{IOP} Publishing

MISC 1

  1. 分子線エピタキシー法による原子層物質の創製と電子状態の解明—Electronic properties and growth of 2D materials using molecular beam epitaxy

    寺川 成海

    生産と技術 = Manufacturing & technology / 大阪大学生産技術研究会 編　Vol. 77　No. 1　p. 87-90　2025年

    出版者・発行元：大阪 : 生産技術振興協会

著書 1

  1. Structure and Electronic Properties of Ultrathin In Films on Si(111)

    Shigemi Terakawa

    Springer　2022年11月

    ISBN: 9789811968723

講演・口頭発表等 35

  1. 原子層磁性体FeCl2の磁性と電子状態

    寺川成海

    ナノテラスARPES若手シンポジウム 〜放射光ARPESによる新たなサイエンスと将来展望〜　2025年3月21日

  2. Electronic structure of a nitride superconducting material: TiN(001) thin film

    Z. H. Wang, Y. Higuchi, S. Terakawa, S. Takagi, K. Sato, I. Yamamoto, H. Terai, K. Sakamoto

    2024 年度 関西薄膜・表面物理セミナー　2024年11月30日

  3. Moiré-induced interface electronic states and magnetic properties of monolayer FeCl2 on Bi(111)

    Shigemi Terakawa, Amilcar Bedoya-Pinto, Jingrong Ji, Gabriele Domaine, Emily C. McFarlane, Stuart S. P. Parkin, Niels B. M. Schröter

    the 10th International Symposium on Surface Science, ISSS-10　2024年10月21日

  4. Bi(111) 表面上の単層FeCl2 超薄膜の磁性と界面電子状態

    寺川成海, A. Bedoya-Pinto, J. Ji, G. Domaine, E. C. McFarlane, S. S. P. Parkin, N. B. M. Schröter

    日本物理学会 第79回年次大会（2024年）　2024年9月19日

  5. 窒化物超伝導体TiN薄膜における電子状態

    樋口裕紀, 王子豪, 西岡知希, 山本翔太, 石川輝, 寺川成海, 山本勇, 寺井弘高, 坂本一之

    日本物理学会 第79回年次大会（2024年）　2024年9月16日

  6. Moiré-induced interface electronic states and magnetic properties of monolayer FeCl2 on Bi(111)

    Shigemi Terakawa, Jingrong Ji, Gabriele Domaine, Emily C. McFarlane, Stuart S, P. Parkin, Niels B. M. Schröter

    DPG (German Physical Society) Spring Meeting of the Condensed Matter Section　2024年3月22日

  7. Moiré-superlattice-induced interface electronic properties of 2D FeCl2 and FeBr2 on Bi(111)

    Shigemi Terakawa, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga, Stuart S, P. Parkin, Niels B. M. Schröter

    New Generation in Strongly Correlated Electron Systems (NGSCES) 2023　2023年9月1日

  8. Electronic and magnetic properties of ultrathin FeBr2 films grown on Bi/Si(111)

    Shigemi Terakawa, Jiabao Yang, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga, Niels Schröter, Stuart Parkin

    DPG (German Physical Society) Spring Meeting of the Condensed Matter Section　2023年3月28日

  9. Structure and Electronic Properties of Ultrathin Indium Films on Si(111)

    Shigemi Terakawa

    Fritz Haber Institute Department Seminar　2023年2月23日

  10. Si(111)上の(In, Mg)超薄膜の構造と電子状態

    寺川成海

    第5回日本表面真空学会若手部会研究会　2022年11月10日

  11. Si(111)上の(In, Mg)超薄膜の構造と電子状態：準自立2原子層金属の形成

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第77回年次大会　2022年3月

  12. Mg蒸着による In２原子層金属の構造と電子状態の変化

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2021年日本表面真空学会学術講演会　2021年11月

  13. Si(111)上の(Mg, In)表面合金の電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲

    日本物理学会 2021年秋季大会　2021年9月

  14. Bi/Si(111)表面上におけるFeBr2原子層超薄膜の成長と電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第76回年次大会　2021年3月

  15. Mg吸着によるPb/Si(111)表面の構造と電子状態の変化

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2020年日本表面真空学会学術講演会　2020年11月

  16. Mg吸着Pb/Si(111)表面の電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会 2020年秋季大会　2020年9月

  17. Si(111)表面上のIn単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    第18回物性科学センター講演会・研究交流会　2020年2月

  18. Uniaxially incommensurate structure and metal-insulator transition of In monolayer on Si(111)

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    The 81st Okazaki Conference: Forefront of Measurement Technologies for Surface Chemistry and Physics in Real-Space, k-Space, and Real-Time　2019年12月

  19. Si(111) 表面上のIn 単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2019年日本表面真空学会学術講演会　2019年10月

  20. Si(111) 表面上のIn 単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会 2019年秋季大会　2019年9月

  21. SrTiO3(100), (111)表面での2次元物質成長

    寺川 成海, 力丸 英史, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会 2019年秋季大会　2019年9月

  22. Structure and phase transition of a dense monolayer phase of indium on Si(111)

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    21st International Vacuum Congress　2019年7月

  23. Si(111)表面上のIn単原子層金属の構造：LEEDとSTMによる研究

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第74回年次大会　2019年3月

  24. Si(111)表面上の In 単原子層金属の構造：LEED と STM による研究

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    第17回物性科学センター講演会・研究交流会　2019年2月

  25. Si(111)表面上のIn単原子層金属の形成と電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2018年度関西薄膜・表面物理セミナー　2018年11月24日

  26. Si(111)表面上のIn単原子層金属の形成と電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2018年日本表面真空学会学術講演会　2018年11月

  27. Single Layer Metallic Phase of Indium on Si(111)

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 14) & 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)　2018年10月

  28. Si(111)表面上のIn単原子層金属の形成と電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会2018年秋季大会　2018年9月

  29. Electronic structure and phase transition of In/Si(111) √7×√3 hex surface

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    Forefront of Molecular Dynamics at Surfaces and Interfaces: from a single molecule to catalytic reaction　2017年11月

  30. In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造と相転移

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会2017年秋季大会　2017年9月

  31. In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    第37回表面科学学術講演会　2017年8月

  32. In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第72回年次大会　2017年3月

  33. In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    京都大学物性科学センター第15回講演会・研究交流会　2017年2月

  34. Electronic Structure of In/Si(111) √7×√3 hex Surface

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    Symposium on Surface Science & Nanotechnology 25th Anniversary of SSSJ Kansai--　2017年1月

  35. Mg蒸着によるPb/Si(111)表面の構造と電子状態の変化

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第75回年次大会

機関リポジトリ 1

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. Determination of the actual valence band of a topological insulator Bi₂Se₃

    Higuchi Yuki, Itaya Ryota, Saito Harutaka, Toichi Yuichiro, Kobayashi Takahiro, Tomita Mito, Terakawa Shigemi, Suzuki Katsuhiro, Kuroda Kenta, Kotani Takao, Matsui Fumihiko, Suga Shigemasa, Sato Hitoshi, Sato Kazunori, Sakamoto Kazuyuki

    Vacuum　Vol. 233　2025年3月1日