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Terakawa Shigemi
寺川 成海
Terakawa Shigemi
寺川 成海
Graduate School of Engineering Center for Future Innovation, Assistant Professor

keyword ARPES,van der Waals heterostructures,Low-dimensional materials,Surface phenomena

Research History 3

  1. 2024/01 - Present
    Osaka University Graduate School of Engineering Assistant Professor

  2. 2022/04 - 2023/12
    Max Planck Institute of Microstructure Physics NISE - Nano Systems from Ions, Spins and Electrons Postdoc

  3. 2020/04 - 2022/03
    Japan Society for the Promotion of Science

Education 3

  1. Kyoto University Graduate School of Science Department of Chemistry

    2019/04 - 2022/03

  2. Kyoto University Graduate School of Science Department of Chemistry

    2017/04 - 2019/03

  3. Kyoto University Faculty of Science

    2013/04 - 2017/03

Professional Memberships 2

  1. The Japan Society of Vacuum and Surface Science

  2. The Physical Society of Japan

Research Areas 2

  1. Nanotechnology/Materials / Thin-film surfaces and interfaces /

  2. Natural sciences / Semiconductors, optical and atomic physics / Surface science

Awards 4

  1. Springer Theses Award

    Shigemi Terakawa Springer 2022/04

  2. Student Presentation Award

    Shigemi Terakawa The Physical Society of Japan 2022/03

  3. Student Presentation Award

    Shigemi Terakawa The Japan Society of Vacuum and Surface Science 2019/10

  4. Student Award

    Shigemi Terakawa ACSIN-14 & ICSPM26 2018/10

Papers 7

  1. Determination of the actual valence band of a topological insulator Bi2Se3

    Yuki Higuchi, Ryota Itaya, Harutaka Saito, Yuichiro Toichi, Takahiro Kobayashi, Mito Tomita, Shigemi Terakawa, Katsuhiro Suzuki, Kenta Kuroda, Takao Kotani, Fumihiko Matsui, Shigemasa Suga, Hitoshi Sato, Kazunori Sato, Kazuyuki Sakamoto

    Vacuum Vol. 233 2025/03 Research paper (scientific journal)

  2. Epitaxial Growth and Electronic Properties of Single- and Few-Layer FeBr2 on Bi(111)

    Shigemi Terakawa, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga

    The Journal of Physical Chemistry C Vol. 127 No. 30 p. 14898-14905 2023/07/19 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Chemical Society (ACS)
  3. Ultrathin (In, Mg) films on Si(111): A nearly freestanding double-layer metal

    Shigemi Terakawa, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga

    Physical Review B Vol. 105 p. 125402-125402 2022/03/01 Research paper (scientific journal)

  4. Structure and Electronic Properties of Ultrathin In Films on Si(111)

    Shigemi Terakawa

    2022

    Publisher: Springer Nature Singapore
  5. Uniaxially Incommensurate Structure and Metal-insulator Transition of Metallic Indium Monolayer on Si(111)

    Shigemi TERAKAWA, Shinichiro HATTA, Hiroshi OKUYAMA, Tetsuya ARUGA

    Vacuum and Surface Science Vol. 63 No. 8 p. 425-430 2020/08/10 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Surface Science Society Japan
  6. Structure and phase transition of a uniaxially incommensurate In monolayer on Si(111)

    Shigemi Terakawa

    Physical Review B Vol. 100 p. 115428-115428 2019/09/16 Research paper (scientific journal)

  7. Identification of single-layer metallic structure of indium on Si(1 1 1)

    Shigemi Terakawa, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga

    Journal of Physics: Condensed Matter Vol. 30 No. 36 p. 365002-365002 2018/08/16 Research paper (scientific journal)

    Publisher: {IOP} Publishing

Misc. 1

  1. 分子線エピタキシー法による原子層物質の創製と電子状態の解明—Electronic properties and growth of 2D materials using molecular beam epitaxy

    寺川 成海

    生産と技術 = Manufacturing & technology / 大阪大学生産技術研究会 編 Vol. 77 No. 1 p. 87-90 2025

    Publisher: 大阪 : 生産技術振興協会

Publications 1

  1. Structure and Electronic Properties of Ultrathin In Films on Si(111)

    Shigemi Terakawa

    Springer 2022/11

    ISBN: 9789811968723

Presentations 35

  1. 原子層磁性体FeCl2の磁性と電子状態

    寺川成海

    ナノテラスARPES若手シンポジウム 〜放射光ARPESによる新たなサイエンスと将来展望〜 2025/03/21

  2. Electronic structure of a nitride superconducting material: TiN(001) thin film

    2024/11/30

  3. Moiré-induced interface electronic states and magnetic properties of monolayer FeCl2 on Bi(111)

    Shigemi Terakawa, Amilcar Bedoya-Pinto, Jingrong Ji, Gabriele Domaine, Emily C. McFarlane, Stuart S. P. Parkin, Niels B. M. Schröter

    the 10th International Symposium on Surface Science, ISSS-10 2024/10/21

  4. Magnetic properties and moir´e-induced interface electronic states of monolayer FeCl2 on Bi(111)

    2024/09/19

  5. 窒化物超伝導体TiN薄膜における電子状態

    樋口裕紀, 王子豪, 西岡知希, 山本翔太, 石川輝, 寺川成海, 山本勇, 寺井弘高, 坂本一之

    日本物理学会 第79回年次大会(2024年) 2024/09/16

  6. Moiré-induced interface electronic states and magnetic properties of monolayer FeCl2 on Bi(111)

    Shigemi Terakawa, Jingrong Ji, Gabriele Domaine, Emily C. McFarlane, Stuart S, P. Parkin, Niels B. M. Schröter

    DPG (German Physical Society) Spring Meeting of the Condensed Matter Section 2024/03/22

  7. Moiré-superlattice-induced interface electronic properties of 2D FeCl2 and FeBr2 on Bi(111)

    Shigemi Terakawa, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga, Stuart S, P. Parkin, Niels B. M. Schröter

    New Generation in Strongly Correlated Electron Systems (NGSCES) 2023 2023/09/01

  8. Electronic and magnetic properties of ultrathin FeBr2 films grown on Bi/Si(111)

    Shigemi Terakawa, Jiabao Yang, Shinichiro Hatta, Hiroshi Okuyama, Tetsuya Aruga, Niels Schröter, Stuart Parkin

    DPG (German Physical Society) Spring Meeting of the Condensed Matter Section 2023/03/28

  9. Structure and Electronic Properties of Ultrathin Indium Films on Si(111)

    Shigemi Terakawa

    Fritz Haber Institute Department Seminar 2023/02/23

  10. Si(111)上の(In, Mg)超薄膜の構造と電子状態

    寺川成海

    第5回日本表面真空学会若手部会研究会 2022/11/10

  11. Si(111)上の(In, Mg)超薄膜の構造と電子状態:準自立2原子層金属の形成

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第77回年次大会 2022/03

  12. Mg蒸着による In2原子層金属の構造と電子状態の変化

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2021年日本表面真空学会学術講演会 2021/11

  13. Si(111)上の(Mg, In)表面合金の電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲

    日本物理学会 2021年秋季大会 2021/09

  14. Bi/Si(111)表面上におけるFeBr2原子層超薄膜の成長と電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第76回年次大会 2021/03

  15. Mg吸着によるPb/Si(111)表面の構造と電子状態の変化

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2020年日本表面真空学会学術講演会 2020/11

  16. Mg吸着Pb/Si(111)表面の電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会 2020年秋季大会 2020/09

  17. Si(111)表面上のIn単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    第18回物性科学センター講演会・研究交流会 2020/02

  18. Uniaxially incommensurate structure and metal-insulator transition of In monolayer on Si(111)

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    The 81st Okazaki Conference: Forefront of Measurement Technologies for Surface Chemistry and Physics in Real-Space, k-Space, and Real-Time 2019/12

  19. Si(111) 表面上のIn 単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2019年日本表面真空学会学術講演会 2019/10

  20. Si(111) 表面上のIn 単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会 2019年秋季大会 2019/09

  21. SrTiO3(100), (111)表面での2次元物質成長

    寺川 成海, 力丸 英史, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会 2019年秋季大会 2019/09

  22. Structure and phase transition of a dense monolayer phase of indium on Si(111)

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    21st International Vacuum Congress 2019/07

  23. Si(111)表面上のIn単原子層金属の構造:LEEDとSTMによる研究

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第74回年次大会 2019/03

  24. Si(111)表面上の In 単原子層金属の構造:LEED と STM による研究

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    第17回物性科学センター講演会・研究交流会 2019/02

  25. Si(111)表面上のIn単原子層金属の形成と電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2018年度関西薄膜・表面物理セミナー 2018/11/24

  26. Si(111)表面上のIn単原子層金属の形成と電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    2018年日本表面真空学会学術講演会 2018/11

  27. Single Layer Metallic Phase of Indium on Si(111)

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 14) & 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 2018/10

  28. Si(111)表面上のIn単原子層金属の形成と電子状態

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会2018年秋季大会 2018/09

  29. Electronic structure and phase transition of In/Si(111) √7×√3 hex surface

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    Forefront of Molecular Dynamics at Surfaces and Interfaces: from a single molecule to catalytic reaction 2017/11

  30. In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造と相転移

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会2017年秋季大会 2017/09

  31. In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    第37回表面科学学術講演会 2017/08

  32. In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第72回年次大会 2017/03

  33. In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    京都大学物性科学センター第15回講演会・研究交流会 2017/02

  34. Electronic Structure of In/Si(111) √7×√3 hex Surface

    S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

    Symposium on Surface Science & Nanotechnology 25th Anniversary of SSSJ Kansai-- 2017/01

  35. Mg蒸着によるPb/Si(111)表面の構造と電子状態の変化

    寺川 成海, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也

    日本物理学会第75回年次大会

Institutional Repository 1

Content Published in the University of Osaka Institutional Repository (OUKA)
  1. Determination of the actual valence band of a topological insulator Bi₂Se₃

    Higuchi Yuki, Itaya Ryota, Saito Harutaka, Toichi Yuichiro, Kobayashi Takahiro, Tomita Mito, Terakawa Shigemi, Suzuki Katsuhiro, Kuroda Kenta, Kotani Takao, Matsui Fumihiko, Suga Shigemasa, Sato Hitoshi, Sato Kazunori, Sakamoto Kazuyuki

    Vacuum Vol. 233 2025/03/01