日本放射光学会
応用物理学会
日本物理学会
Compressed Sensing EEG Measurement Technique with Normally Distributed Sampling Series
Yuki OKABE, Daisuke KANEMOTO, Osamu MAIDA, Tetsuya HIROSE
IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences Vol. E105.A No. 10 p. 1429-1433 2022年10月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)
Image Quality Improvement for Capsule Endoscopy Based on Compressed Sensing with K-SVD Dictionary Learning
Yuuki HARADA, Daisuke KANEMOTO, Takahiro INOUE, Osamu MAIDA, Tetsuya HIROSE
IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences Vol. E105.A No. 4 p. 743-747 2022年4月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)
Characterization of deep interface states in SiO2/B-doped diamond using the transient photocapacitance method
Osamu Maida, Daiskuke Kanemoto, Tetsuya Hirose
Thin Solid Films Vol. 741 p. 139026-139026 2022年1月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
A self-bias NAND gate and its application to non-overlapping clock generator for extremely low-voltage CMOS LSIs
Hikaru Sebe, Kaori Matsumoto, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 60 No. SB p. SBBL06-SBBL06 2021年5月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
A 35-mV supply ring oscillator consisting of stacked body bias inverters for extremely low-voltage LSIs
Masaya Nishi, Kaori Matsumoto, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Hikaru Sebe, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose
IEICE ELECTRONICS EXPRESS Vol. 18 No. 6 2021年3月 研究論文（学術雑誌）
An 11.8 nA ultra-low power active diode using a hysteresis common gate comparator for low-power energy harvesting systems
Kaori Matsumoto, Hiroki Asano, Yuichiro Nakazawa, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose
IEICE Electronics Express Vol. 17 No. 11 p. 20200103-20200103 2020年6月10日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)
A 34-mV Startup Ring Oscillator Using Stacked Body Bias Inverters for Extremely Low-Voltage Thermoelectric Energy Harvesting
Masaya Nishi, Kaori Matsumoto, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Hikaru Sebe, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose
2020 18th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS) 2020年6月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：IEEE
Sub-0.1V Input, Low-Voltage CMOS driver circuit for multi-stage switched capacitor voltage boost converter
Masaya Nishi, Yuichiro Nakazawa, Kaori Matsumoto, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose
2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, ICECS 2019 p. 530-533 2019年11月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Transient photocapacitance measurement for characterization of deep defects in B-doped diamond films
Osamu Maida, Ryosuke Yamashita
2019年7月
Development of Highly-Sensitive Transient Photocapacitance Mesurement System for Deep Defects in Boron-Doped Diamond (100) Films
Kenta Miyawaki, Ryosuke Yamashita, Taishi Kodama, Osamu Maida
2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2018年6月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：IEEE
Characterization of the high-quality CVD diamond films for quantum information device
Osamu Maida, Toshimichi Ito
2018年2月
Improvement on p-type CVD diamond semiconducting properties by fabricating thin heavily-boron-doped multi-layer clusters isolated each other in unintentionally boron-doped diamond layer
Osamu Maida, Tomohiro Tabuchi, Toshimichi Ito
Journal of Crystal Growth Vol. 480 p. 51-55 2017年12月15日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier B.V.
Characterization of deep defects in boron-doped CVD diamond films using transient photocapacitance method
Osamu Maida, Takanori Hori, Taishi Kodama, Toshimichi Ito
Materials Science in Semiconductor Processing Vol. 70 p. 203-206 2017年11月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier Ltd
Behavior of nitrogen-related luminescence centers in laser-cut single-crystalline diamond under irradiation with keV electron beam
Kenji Maruoka, Taiki Naito, Osamu Maida, Toshimichi Ito
MRS Advances Vol. 2 No. 43 p. 2355-2360 2017年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：Materials Research Society
Transient photocapacitance study of deep-level defects in boron-doped diamond films
O. Maida, T. Hori, T. Kodama, T. Ito
2016年9月
Characterization of Deep Defects in Boron-Doped CVD Diamond Films Using Transient Photocapacitance Method
O. Maida, T. Hori, T. Kodama, T. Ito
2016年6月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Substrate temperature optimization for heavily-phosphorus-doped diamond films grown on vicinal (001) surfaces using high-power-density microwave-plasma chemical-vapor-deposition
Osamu Maida, Shuhei Tada, Haruki Nishio, Toshimichi Ito
Journal of Crystal Growth Vol. 424 p. 33-37 2015年8月15日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
Characterization of boron-doped CVD diamond films using transient photocapasitance method
O. Maida, T. Hori, T. Ito
2015年5月
Mutual relation among lattice distortion, Hall effect property and band edge cathodoluminescence of heavily-boron-doped microwave-plasma CVD diamond films homoepitaxially grown on vicinal (001) high-pressure/high-temperature-synthesized Ib substrates
Reona Mori, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Journal of Crystal Growth Vol. 415 p. 84-92 2015年4月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
単結晶CVDダイヤモンド積層構造の半導体特性における高濃度ホウ素ドープ薄膜層の分散状態依存性
田渕 智大, 毎田 修, 伊藤 利道
表面科学学術講演会要旨集 Vol. 35 p. 127-127 2015年
出版者・発行元：公益社団法人 日本表面科学会
High growth rate deposition of phosphorus-doped homoepitaxial (001) diamond films for deep-ultraviolet light emitting device
Osamu Maida, Shuhei Tada, Toshimichi Ito
Thin Solid Films Vol. 557 p. 227-230 2014年4月30日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
ホモエピCVDダイヤモンドの研究動向
伊藤 利道, 毎田 修
2013年4月
Growth and characterization of heavily phosphorus-doped homoepitaxial (001) diamond films for deep-ultraviolet light emitting device
O. Maida, S. Tada, T. Ito
2013年1月
Microwave-plasma chemical-vapor-deposition homoepitaxial processes suitable for heavily p-doped diamond films on vicinal (001) surfaces
S. Tada, H. Nishio, O. Maida, T. Ito
2012年10月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Carrier transport property of heavily boron-doped degenerate diamond single-crystalline thin layers etched with hydrogen plasma
T. Kuki, O. Maida, T. Ito
2012年9月
Sensitivity improvement of γ-ray detector fabricated with self-standing CVD diamond by attaching heavy element film
Hidenori Sato, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Diamond and Related Materials Vol. 29 p. 2-7 2012年9月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
Survey meter combining CVD diamond and silicon detectors for wide range of dose rates and high accumulated doses
Hidenori Sato, Akihito Yamaguchi, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Radiation Measurements Vol. 47 No. 4 p. 266-271 2012年4月 研究論文（学術雑誌）
Improvement of Crystalline Quality of CVD Diamond and Its Application to Electronic Devices
Toshimichi Ito, Hidenori Sato, Osamu Maida
2011年12月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Improvement on p-type Performance of CVD Diamond by Isolating Thin Heavily-boron-doped Layer as Innumerable Islands
Osamu Maida, Masayuki Aono, Toshimichi Ito
2011年11月
Performance of Radiation-Tolerant Diamond Detector Fabricated with Self-standing Single-crystalline CVD Film
H. Sato, A. Yamaguchi, O. Maida, T. Ito
2011年11月
Growth of Phosphorus-Doped Homoepitaxial CVD Diamond on Vicinal (001) Substrates
Haruki Nishio, Shuhei Tada, Osamu Maida, Toshimichi Ito
2011年11月
Improvement on Device Performance of Lateral p-i-p Diamond Transistors with Underlain Thin Nitrogen-Doped Layer
Takafumi Ukida, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Vol. 2 p. 159-160 2011年11月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Hall data analysis of heavily boron-doped CVD diamond films using a model considering an impurity band well separated from valence bands
Masayuki Aono, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Diamond and Related Materials Vol. 20 p. 1357-1362 2011年10月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：ElsevierStructure optimization of diamond personal dosimeters based on Monte Carlo simulations
Hidenori Sato, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Diamond and Related Materials Vol. 20 No. 2 p. 140-144 2011年2月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
Reduced influences of the HPHT substrates on the electronic quality of homoepitaxial CVD diamond layers and on their ultraviolet detector performance
Osamu Maida, Hidenori Sato, Masayuki Kanasugi, Shota Iguchi, Toshimichi Ito
Diamond and Related Materials Vol. 20 No. 2 p. 242-245 2011年2月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
Structure optimization of diamond personal dosimeters based on Monte Carlo simulations
Hidenori Sato, Osamu Maida, Toshimichi Ito
2010年9月
Improvement in low-voltage performance of surface-electrode soft-X-ray detectors composed of undoped homoepitaxial CVD/HPHT Ib diamond layers
M. Kanasugi, Y. Iwakaji, T. Yamamoto, O. Maida, Y. Takeda, Y. Saitoh, T. Ito
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment Vol. 621 No. 1-3 p. 650-655 2010年 研究論文（学術雑誌）
Electron detection performance of diamond avalanche diode
Hideo Morishita, Takashi Ohshima, Michio Hatano, Yoko Iwakaji, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics Vol. 28 No. 6 p. 1169-1172 2010年 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AVS Science and Technology Society
Self-standing device-quality single-crystalline diamond films on vicinal (001) surfaces fabricated using microwave-plasma chemical-vapor-deposition method
Shota Iguchi, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Thin Solid Films Vol. 518 No. 21 p. S38-S41 2010年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：Elsevier
Self-standing high-quality single-crystalline diamond films fabricated using high-power microwave-plasma CVD method
Shota Iguchi, Osamu Maida, Toshimichi Ito
2009年7月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Characterization of diamond ultraviolet detectors fabricated with high-quality single-crystalline chemical vapor deposition films
Y. Iwakaji, M. Kanasugi, O. Maida, T. Ito
Applied Physics Letters Vol. 94 No. 22 p. 223511-1-223511-3 2009年 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Institute of Physics
Homoepitaxial diamond films grown on vicinal substrates
S. Kawashima, O. Maida, T. Ito
2008年10月
Performance of stack-type soft-X-ray detectors fabricated with high-quality CVD diamond films
O. Maida, Y. Iwakaji, M. Kanasugi, S. Iguchi, Y. Takeda, Y. Saitoh, T. Ito
2008年10月
Characterization of soft-X-ray detectors fabricated with high-quality CVD diamond thin films
Y. Iwakaji, M. Kanasugi, O. Maida, Y. Takeda, Y. Saitoh, T. Ito
Applied Surface Science Vol. 254 No. 19 p. 6277-6280 2008年7月30日 研究論文（学術雑誌）
Characterization of phosphorus-doped homoepitaxial (1 0 0) diamond films grown using high-power-density MWPCVD method with a conventional quartz-tube chamber
Takahiro Nakai, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Applied Surface Science Vol. 254 No. 19 p. 6281-6284 2008年7月30日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
Applications of high quality diamond to radiation detectors
H. Sato, O. Maida, T. Ito, T. Yamano, T. Kato, S. Matsubara
2008年7月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
高品質ダイヤモンドセンサ
伊藤利道, 毎田 修, 寺地徳之
ニューダイヤモンド Vol. 24 No. 3 2008年7月
出版者・発行元：株式会社 オーム社Fabrication and characterization of ultra-violet detectors using high-quality CVD diamond films
Y. Iwakaji, M. Kanasugi, O. Maida, T. Ito
2008年5月
Characterization of substrate off-angle effects for high-quality homoepitaxial CVD diamond films
Osamu Maida, Hidetaka Miyatake, Tokuyuki Teraji, Toshimichi Ito
Diamond and Related Materials Vol. 17 No. 4-5 p. 435-439 2008年4月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
Complete prevention of reaction at HfO2/Si interfaces by 1 nm silicon nitride layer
H. Kobayashi, K. Imamura, K. Fukayama, S.-S. Im, O. Maida, Y.-B. Kim, H.-C. Kim, D.-K. Choi
Surf. Sci. 2008年1月 研究論文（学術雑誌）
Complete prevention of reaction at HfO2/Si interfaces by 1 nm silicon nitride layer
Hikaru Kobayashi, Kentaro Imamura, Ken-ichi Fukayama, Sung-Soon Im, Osamu Maida, Young-Bae Kim, Hyun-Chul Kim, Duck-Kyun Choi
Surface Science 2008年1月 研究論文（学術雑誌）
High-quality diamond films grown at high deposition rates using high-power-density MWPCVD method with conventional quartz-type chamber
Takahiro Nakai, Kazuya Arima, Osamu Maida, Toshimichi Ito
Journal of Crystal Growth Vol. 309 No. 2 p. 134-139 2007年12月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
Room temperature growth of crystalline Si thin films on nano-scaled substrates using DC magnetron sputtering deposition method
H. Yamaguchi, O. Maida, T. Ito
2007年11月
Diffusion control of soft-X-ray-excited carriers in high-quality CVD diamond layers to the HPHT substrate
M. Kanasugi, Y. Iwakaji, T. Yamamoto, O. Maida, Y. Takeda, Y. Saitoh, T. Ito
2007年11月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Crystalline quality improvements of the homoepitaxial CVD diamond films on the vicinal substrates
O. Maida, H. Miyatake, T. Teraji, T. Ito
2007年11月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Al2O3 微粒子を用いた光閉じ込め構造を有する a-Si 太陽電池の作製
毎田 修, 岡藤 麻子, 小林 克稔, 小林 光
真空 2007年8月 研究論文（学術雑誌）
Further improvement in high crystalline quality of homoepitaxial CVD diamond
H. Miyatake, K. Arima, O. Maida, T. Teraji, T. Ito
Diamond and Related Materials Vol. 16 No. 4-7 p. 679-684 2007年4月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
High-performance diamond soft-X-ray detectors with internal amplification function
H. Matsubara, Y. Saitoh, O. Maida, T. Teraji, K. Kobayashi, T. Ito
Diamond and Related Materials Vol. 16 No. 4-7 p. 1044-1048 2007年4月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier
Preparation of Fluorocarbon Thin Film Deposited by Soft X-Ray Ablation and its Electrical Characteristics and Thermal Stability
Takeshi Kanashima, Osamu Maida, Norihiro Kohma, Masaki Okumoto, Masato Ueno, Satoshi Kitai, Masanori Okuyama, Haruhiko Ohashi, Yusuke Tamenori
Applied Surface Science 2006年11月 研究論文（学術雑誌）
A method of observation of low density interface states by means of X-ray photoelectron spectroscopy under bias and passivation by cyanide ions
H. Kobayashi, T. Sakurai, Y. Yamashita, T. Kubota, O. Maida, M. Takahashi
Applied Surface Science 2006年8月 研究論文（学術雑誌）
Low temperature formation of SiO<inf>2</inf>/Si structure by nitric acid vapor
Kentarou Imamura, Osamu Maida, Kensaku Hattori, Masao Takahashi, Hikaru Kobayashi
Journal of Applied Physics Vol. 100 No. 11 2006年 研究論文（学術雑誌）
Interface states for HfO 2/Si structure observed by x-ray photoelectron spectroscopy measurements under bias
Osamu Maida, Ken-Ichi Fukayama, Masao Takahashi, Hikaru Kobayashi, Young-Bae Kim, Hyun-Chul Kim, Duck-Kyun Choi
Applied Physics Letters Vol. 89 No. 12 2006年 研究論文（学術雑誌）
Post-oxidation annealing treatments to improve Si/ultrathin SiO2 characteristics formed by nitric acid oxidation method
Asuha, Y.-L. Liu, O. Maida, M. Takahashi, H. Kobayashi
Journal of Electrochemical Society 2004年12月 研究論文（学術雑誌）
Semiconductor surface and interface passivation by cyanide treatment
H. Kobayashi, M. Takahashi, O. Maida, A. Asano, T. Kubota, J. Ivanco, A. Nakajima, K. Akimoto
Applied Surface Science 2004年7月 研究論文（学術雑誌）
Removal of copper and nickel contaminants from Si surface by use of cyanide solution
N. Fujiwara, Y.-L. Liu, T. Nakamura, O. Maida, M. Takahashi, H. Kobayashi
Applied Surface Science 2004年7月 研究論文（学術雑誌）
Control of flat-band voltage of Si-based metal-oxide-semiconductor diodes by inclusion of cesium ions in silicon dioxide
T. Kobayashi, K. Tanaka, O. Maida, H. Kobayashi
Applied Physics Letters 2004年6月 研究論文（学術雑誌）
Nitiric acid oxidation of Si to form ultrathin silicon dioxide layers with a low leakage current density
H. Kobayashi, Asuha, O. Maida, M. Takahashi, H. Iwasa
Journal of Applied Physics 2003年11月 研究論文（学術雑誌）
Preparation and Characterization of High-$k$ Praseodymium and Lanthanoid Oxide Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
Satoshi Kitai, Osamu Maida, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 42, pages 247-253 Vol. 42 No. 1 p. 247-253 2003年4月 研究論文（学術雑誌）
Preparation and characterization of fluorocarbon thin films deposited by soft X-ray ablation of polytetrafluoroethylene
Takeshi Kanashima, Osamu Maida, Norinao Kohma, M. Okumoto, Masato Ueno, Satoshi Kitai, Masanori Okuyama, Haruhiko Ohashi
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 42, pages L603-L606 2003年4月 研究論文（学術雑誌）
Experimental and theoretical studies of Si-CN bonds to eliminate interface states at Si/SiO2 interface
O. Maida, A. Asano, M. Takahashi, H. Iwasa, H. Kobayashi
Surface Science 2003年3月 研究論文（学術雑誌）
Passivation of defect states in Si and Si/SiO2 interface states by cyanide treatment: improvement of characteristics of pin-junction amorphous Si and crystalline Si-based metal-oxide-semiconductor junction solar cells
N. Fujiwara, T. Fujinaga, D. Niinobe, O. Maida, M. Takahashi, H. Kobayashi
Acta Physica Slovaca 2003年3月 研究論文（学術雑誌）
Ultrathin silicon dioxide layers with a low leakage current density formed by chemical oxidation of Si
Asuha, Takuya Kobayashi, Osamu Maida, Morio Inoue, Masao Takahashi, Yoshihiro Todokoro, Hikaru Kobayashi
Applied Physics Letters Vol. 81 No. 18 p. 3410-3412 2002年10月28日 研究論文（学術雑誌）
シアン処理によるシリコン欠陥準位の消滅と太陽電池の高性能化
高橋昌男, 毎田修, 小林光
Materials Integration, vol. 15 No. 8 2002年10月 研究論文（学術雑誌）
Decrease in the leakage current density of Si-based metal-oxide- semiconductor diodes by cyanide treatment
Akira Asano, Asuha, Osamu Maida, Yoshihiro Todokoro, Hikaru Kobayashi
Applied Physics Letters Vol. 80 No. 24 p. 4552-4554 2002年6月17日 研究論文（学術雑誌）
Effects of postmetallization annealing on ultrathin SiO2 layer properties
Asuha, Toshiro Yuasa, Osamu Maida, Hikaru Kobayashi
Applied Physics Letters Vol. 80 No. 22 p. 4175-4177 2002年6月3日 研究論文（学術雑誌）
Improvement of electrical characteristics of silicon oxynitride layers by a platinum method
T. Mizokuro, M. Tamura, T. Yuasa, T. Kobayashi, O. Maida, M. Takahashi, H. Kobayashi
Appl. Surf. Sci. 9397(2000)1-6 2002年6月 研究論文（学術雑誌）
Improvement of Amorphous Silicon pin Junction Solar Cell Characteristics by Crown-Ether Cyanide Treatment
Osamu Maida, Tetsushi Fujinaga, Masao Takahashi, Hikaru Kobayashi
2002年4月
出版者・発行元：WIP-Renewable EnergiesCOMPLETE PREVENTION OF PHOTO-DEGRADATION OF AMORPHOUS Si FILMS BY CROWN-ETHER CYANIDE TREATMENT
Hikaru KOBAYASHI, Naozumi FUJIWARA, Daisuke NIINOBE, Osamu MAIDA, Masao TAKAHASHI
2002年4月
出版者・発行元：WIP-Renewable EnergiesIMPROVEMENT OF POLYCRYSTALLINE Si-BASED SOLAR CELL CHARACTERISTICS BY CYANIDE TREATMENT
Masao Takahashi, Akira Asano, Osamu Maida, Hikaru Kobayashi
2002年4月
出版者・発行元：WIP-Renewable energiesPassivation of defect states in amorphous and crystalline Si by use of cyanide treatment and improvement of solar cell characteristics
Hikaru Kobayashi, Naozumi Fujiwara, Tetsushi Fujinaga, Daisuke Niinobe, Osamu Maida, Masao Takahashi
Materials Research Society Symposium - Proceedings Vol. 715 p. 441-452 2002年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Preparation and Characterization of High-k Lanthanoid Oxide Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition
Satoshi Kitai, Osamu Maida, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
2001年9月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Zr, HfおよびLanthanoide High-kゲート絶縁膜の作製
奥山, 金島, 北井, 上野, 毎田, 寒川, 神田
日本表面学会2001年度第１回研究会ー次世代のゲート絶縁膜,2001,大阪 2001年9月
Zr, HfおよびLanthanod酸化物High-kゲート絶縁膜の作製
奥山雅則, 金島岳, 北井聡, 上野正人, 毎田 修, 寒川雅之, 神田浩文
2001年6月
Synchrotron Radiation-Induced Nitrization and Oxidation on Si Surface at Low Temperature
T. Kanashima, O. Maida, N. Kohma, M. Agata, S. Yudate, M. Ueno, M. Okuyama, H. Ohashi
Jpn. J. Appl. Phys., 40,6A, 4195-4196 Vol. 40 No. 6 p. 4195-4196 2001年6月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会
Evaporation and Expansion of Poly-tetra-fluoro-ethylene Induced by Irradiation of Soft X-Rays from a Figure-8 Undulator
Osamu Maida, Norinao Kohma, Masato Ueno, Akira Shibuya, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama, Haruhiko Ohashi
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, pages 2435-2439 Vol. 40 No. 4 p. 2435-2439 2001年4月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会
Synchrotron Radiation-Induced Nitrization and Oxidation on Si Surface at Low Temperature
Takeshi Kanashima, Osamu Maida, Norinao Kohma, Masashi Agata, Shinji Yudate, Masato Ueno, Masanori Okuyama, Haruhiko Ohashi
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, pages 4195-4196 Vol. 40 No. 6 p. 4195-4196 2001年4月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会
Evaporation and Expansion of Poly-tetra-fluoro-ethylene Induced by Irradiation of Soft X-ray from Figure-8 Undulator
O. Maida, N. Kohma, M. Ueno, S. Yudate, A. Shibuya, T. Kanashima, M. Okuyama, H. Ohashi
Jpn. J. Appl. Phys., 40, 4A, 2435-2439 Vol. 40 No. 4 p. 2435-2439 2001年4月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会
Optical Characterization of Antenna-Area-Dependent Gate Oxide Charging Damage in MOS Capacitors by Photoreflectance Spectroscopy
Masashi Agata, Masayuki Sohgawa, Osamu Maida, Koji Eriguchi, Akira Fujimoto, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
2000年5月
Optical Characterization of Antenna-Area-Dependent Gate Oxide Charging Damage in MOS Capacitors by Photoreflectance Spectroscopy
Masashi Agata, Masayuki Sohgawa, Osamu Maida, Koji Eriguchi, Akira Fujimoto, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
2000年4月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Optical Characterization of Gate Oxide Charging Damage by Photoreflectance Spectroscopy
Masashi Agata, Hideo Wada, Osamu Maida, Koji Eriguchi, Akira Fujimoto, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39, pages 2040-2044 Vol. 39 No. 4 p. 2040-2044 2000年4月 研究論文（学術雑誌）
Optical Characterization of Gate Oxide Charging Damage by Photoreflectance Spectroscopy
M. Agata, H. Wada, O. Maida, K. Eriguchi, A. Fujimoto, T. Kanashima, M. Okuyama
Jpn. J. Appl. Phys., 39, 4B, 2040-2044 Vol. 39 No. 4 p. 2040-2044 2000年4月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会
SPring-8アンジュレータ光によるSiO2膜の軟X線エッチングとSiの酸化・窒化
奥山 雅則, 毎田 修, 高馬 悟覚, 金島 岳, 大橋 治彦
レーザー研究 Vol. 28 No. Supplement p. S7-S8 2000年
出版者・発行元：一般社団法人 レーザー学会
フォトレフレクタンス分光法によるゲート絶縁膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価
阿形眞司, 寒川雅之, 毎田修, 江利口浩二, 藤本晶, 金島岳, 奥山雅則
1999年12月
Optical Characterization of Gate Oxide Charging Damage by Photoreflectance Spectroscopy
Masashi Agata, Hideo Wada, Osamu Maida, Koji Eriguchi, Akira Fujimoto, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
Vol. 39 No. 4 p. 2040-2044 1999年9月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Evaluation of Interface SiOx Layer in Ultrathin SiOx Film by Oscillatory Tunneling Current-Voltage Characteristics in Photo-CVD SiOx-Si Diode
Osamu Maida, Norio Okada, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, pages 2341-2344 1999年4月 研究論文（学術雑誌）
Evaluation of Interface SiOx Transition Layer by Oscillatory Tunneling Current-Voltage Characteristics in Photo-CVD SiO2-Si Diode
O. Maida, N. Okada, T.Kanashima, M. Okuyama
Jpn. J. Appl. Phys., 38, 4B, 2341-2344 1999年4月 研究論文（学術雑誌）
Evaluation of Interface SiOx Transition Layer by Oscillatory Tunneling Current-Voltage Characteristics in Photo-CVD SiOx-Si Diode
Osamu Maida, Norio Okada, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
1998年9月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Electronic characterization of Si/SiO2 structure using photo-CVD SiO2 thin film on atomically flat Si substrate
Osamu Maida, Hideaki Yamamoto, Norio Okada, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
Appl. Surf. Sci., Vol. 130-132, pages 214-220 1998年4月 研究論文（学術雑誌）
Electronic Characterization of SiO2/Si Structure Using Photo-CVD SiO2 Thin Film on Atomically Flat Si Substrates
O. Maida, H. Yamamoto, N. Okada, T. Kanashima, M. Okuyama
Applied Surface Science,130-132,214-220 1998年4月 研究論文（学術雑誌）
Electronic Characterization of SiO2/Si Structure Using Photo-CVD SiO2 Thin Film on Atomically Flat Si Substrates
Osamu Maida, Hideaki Yamamoto, Norio Okada, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
1997年10月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Characterization of Photo-CVD SiO2 Thin Films and SiO2/Si Interface
Masanori Okuyama, Hideaki Yamamoto, Takaaki Imai, Osamu Maida, Takeshi Kanashima
1996年10月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Fabrication of the a-Si solar cells with the light trapping structure by the Al 2O 3 fine particles
Osamu Maida, Asako Okafuji, Katsutoshi Kobayashi, Hikaru Kobayashi
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan Vol. 50 No. 8 p. 534-536 2007年
Preparation and characterization of high-k praseodymium and lanthanoid oxide thin films prepared by pulsed laser deposition
S Kitai, O Maida, T Kanashima, M Okuyama
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS Vol. 42 No. 1 p. 247-253 2003年1月
直接遷移型半導体自立結晶における外部量子効率と自己吸収の関係
佐野 昂志, 市川 修平, 毎田 修, 小島 一信
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価
市川 修平, 上杉 謙次郎, 齊藤 一輝, 肖 世玉, 正直 花奈子, 中村 孝夫, 毎田 修, 三宅 秀人, 小島 一信
2023年3月17日
時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定
市川 修平, 松田 祥伸, 道上 平士郎, 毎田 修, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
ナノピラー型メタ表面を用いた円偏光InGaN発光素子の設計
鈴木 恭平, 村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 毎田 修, 小島 一信
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月15日
二光子光電子分光による GaAs (110) における表面再結合寿命の評価
市川修平, 毎田 修, 小島一信
第42回ナノテスティングシンポジウム 2022年11月10日
ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価
毎田 修, 市川修平, 小島一信
第42回ナノテスティングシンポジウム 2022年11月10日
Characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond
O. Maida, S. Ichikawa, K. Kojima
21th International Vacuum Congress 2022年9月12日
時間分解2光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の直接評価
市川修平, 毎田 修, 小島一信
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月
FVFを応用したPSRR帯域拡張回路を搭載した脳波計測ウェアラブルデバイス向け低消費LDO
三井 健司, 兼本 大輔, 毎田 修, 廣瀬 哲也
第196回システムとLSIの設計技術研究発表会 2021年12月1日
圧縮センシングを活用した心電図計測フレームワークの一設計法
松村 侑紀, 兼本 大輔, 毎田 修, 廣瀬 哲也
第196回システムとLSIの設計技術研究発表会 2021年12月1日
Transient photocapacitance measurement for characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond films
O. Maida, T. Kodama, D. Kanemoto, Tetsuya Hirose
The 9th International Symposium on Surface Science
SiO2/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた界面準位評価
毎田 修, 児玉 大志, 兼本 大輔, 廣瀬 哲也
2021年日本表面真空学会学術講演会 2021年11月4日
過渡光容量分光法による (111)ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の結晶欠陥評価
毎田 修, 児玉 大志, 兼本 大輔, 廣瀬 哲也
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月23日
高精度参照電流源回路を不要とする品質劣化モニタセンサLSI
渥美 光真, 瀬部 光, 中野 太地, 池田 隆希, 毎田 修, 兼本 大輔, 廣瀬 哲也
LSIとシステムのワークショップ2021 2021年5月10日
微小温度差発電のための極低電圧昇圧コンバータ用ドライバ回路
三原 柊平, 瀬部 光, 毎田 修, 兼本 大輔, 廣瀬 哲也
LSIとシステムのワークショップ2021 2021年5月10日
超低消費電力で動作するオンチップ電圧検知回路の設計
笹谷 昌平, 中野 太地, 瀬部 光, 毎田 修, 兼本 大輔, 廣瀬 哲也
LSIとシステムのワークショップ2021 2021年5月10日
圧縮センシングを用いた低消費電力脳波計測フレームワークのサンプリング間隔の検討
岡部 勇樹, 兼本 大輔, 望月 智弥, 毎田 修, 廣瀬 哲也
VLSI設計技術研究会 2021年1月25日
OD-ICAを利用した圧縮センシング脳波計測フレームワークにおけるICAアルゴリズムの比較
奥村 渡, 兼本 大輔, 毎田 修, 廣瀬 哲也
VLSI設計技術研究会 2021年1月25日
A Self-Bias NAND Gate and its Application to Non-Overlapping Clock Generator for Extremely Low-Voltage CMOS LSIs
H. Sebe, K. Matsumoto, R. Matsuzuka, O. Maida, D. Kanemoto, T. Hirose
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
A 34-mV startup ring oscillator using stacked body bias inverters for extremely low-voltage thermoelectric energy harvesting
M. Nishi, K. Matsumoto, N. Kuroki, M. Numa, H. Sebe, R. Matsuzuka, O. Maida, D. Kanemoto, T. Hirose
18th IEEE international new circuits and systems conference
高出力マイクロ波プラズマCVD法によるホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の基板品質及びオフ角依存性
川嶋慎也, 宮武秀宇, 有馬和也, 毎田修, 寺地徳之, 伊藤利道
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2008年
高出力マイクロ波プラズマCVD法により高速成長した高品質ホモエピタキシャル(001)ダイヤモンド薄膜のオフ角依存性
宮武秀宇, 有馬和也, 毎田修, 寺地徳之, 伊藤利道
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2007年
高品質単結晶CVDダイヤモンド薄膜を用いた軟X線検出器の特性評価
松原弘, 毎田修, 寺地徳之, 伊藤利道, 斎藤祐児, 小林啓介
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2006年
高品質単結晶CVDダイヤモンド薄膜を用いた軟X線および紫外線検出器の特性評価
松原弘, 毎田修, 寺地徳之, 斎藤祐児, 小林啓介, 伊藤利道
真空に関する連合講演会講演予稿集 2006年
CVDダイヤモンド中の生成キャリアの制御とその紫外線検出器への応用
山元貴, 松原弘, 毎田修, 寺地徳之, 伊藤利道
真空に関する連合講演会講演予稿集 2006年
M-I-M型薄膜電子エミッタの作製とその特性
小久保勇志, 毎田修, 寺地徳之, 伊藤利道
真空に関する連合講演会講演予稿集 2006年
高出力マイクロ波プラズマCVDによる高配向多結晶ダイヤモンド薄膜の高品質化の検討
長谷川哲視, 野呂雅和, 毎田修, 寺地徳之, 伊藤利道
真空に関する連合講演会講演予稿集 2006年
高品質CVDダイヤモンドにおけるキャリア拡散の制御とその応用
山元貴, 松原弘, 毎田修, 寺地徳之, 伊藤利道
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2006年
高品質ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド成長における成長前研磨処理及び基板表面ステップ密度依存性
宮武秀宇, 有馬一也, 毎田修, 寺地徳之, 伊藤利道
真空に関する連合講演会講演予稿集 2006年
15pXE-2 バイアス印加 XPS 法による極薄シリコンオキシナイトライド膜/シリコン界面の界面準位の観測(表面界面電子物性, 領域 9)
田中 和樹, 小林 琢也, 岡藤 麻子, 毎田 修, 小林 光
日本物理学会講演概要集 2004年8月25日
21aYD-1 バイアス XPS 法による極薄ゲート絶縁膜/シリコン界面の界面準位評価
田中 和樹, 小林 琢也, 岡藤 麻子, 毎田 修, 小林 光
日本物理学会講演概要集 2003年8月15日
28pPSB-19 化学的手法による極薄 SiO_2/Si 構造の低温形成とリーク電流密度の低減
アスハ, Liu Yueh Ling, 井上 森雄, 毎田 修, 高橋 昌男, 小林 光
日本物理学会講演概要集 2003年3月6日
6pPSB-25 シアン処理によるMOS構造のリーク電流密度の低減効果(表面界面結晶成長,領域9)
毎田 修, 浅野 明, 長山, 小林 光
日本物理学会講演概要集 2002年8月13日
8aSM-12 低速電子線衝撃で作製したシリコンオキシナイトライド膜中の化学種 : XPSと密度汎関数法による決定(表面界面構造・電子物性,領域9)
高橋 昌男, 溝黒 登志子, 毎田 修, 小林 光
日本物理学会講演概要集 2002年8月13日
19pPSB-14 化学的に形成した極薄SiO_2/Si構造の原子密度と価電子帯
毎田 修, 長山, 湯浅 俊郎, 高橋 昌男, 小林 光
日本物理学会講演概要集 2001年9月3日
29pPSA-7 化学的手法で形成した極薄SiO_2膜の物性とリーク電流低減
アスハ(長山), 湯浅 俊郎, 米田 健司, 毎田 修, 小林 光
日本物理学会講演概要集 2001年3月9日
27aXE-10 白金の触媒作用を用いたSi/SiO_2界面の平坦化とリーク電流の低減
湯浅 俊郎, 長山, 毎田 修, 米田 健司, 小林 光
日本物理学会講演概要集 2001年3月9日
レーザーアブレーション法によるランタノイド酸化物ゲート膜の作製と評価
北井聡, 上野正人, 毎田修, 金島岳, 奥山雅則
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2001年
PTFEの軟X線アブレーションによる低誘電率薄膜の評価
高馬悟覚, 毎田修, 奥本雅規, 金島岳, 奥山雅則, 大橋治彦
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2001年
クラウンエーテルシアン処理によるSi/SiO2界面準位密度の低減
浅野明, 毎田修, 毎田修, 高橋昌男, 高橋昌男, 西谷幹彦, 小林光, 小林光
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2001年
レーザーアブレーション法による高誘電率ZrO2薄膜の作製とその評価
上野正人, 毎田修, 北井聡, 金島岳, 奥山雅則
電子情報通信学会技術研究報告 2000年
軟X線アブレーションによるPTFE低誘電率膜の作製
高馬悟覚, 毎田修, 奥本雅規, 上野正人, 北井聡, 金島岳, 奥山雅則, 大橋治彦
電子情報通信学会技術研究報告 2000年
レーザーアブレーション法によるZrO2薄膜の製膜とその評価
上野正人, 毎田修, 北井聡, 金島岳, 奥山雅則
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2000年
PTFEの軟X線アブレーションによる低誘電率薄膜の作製と評価
高馬悟覚, 毎田修, 上野正人, 金島岳, 奥山雅則
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2000年
SPring-8アンジュレータを用いたSiO2膜の軟X線エッチング
毎田修, 高馬悟覚, 金島岳, 和田秀夫, 阿形真司, 弓達新治, 奥山雅則, 大橋治彦
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1999年
光CVD極薄SiO2膜の電気的特性
毎田修, 金島岳, 奥山雅則
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1998年
平坦なSi基板上の光CVD SiO2膜に関する電気的評価
山本英明, 毎田修, 金島岳, 奥山雅則
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1997年
水素終端Si表面の大気中経時変化のAFM観察
岡田規男, 毎田修, 金島岳, 奥山雅則
応用物理学会学術講演会講演予稿集 1997年
Si(100)表面の微視的構造の表面処理効果とSi/SiO2界面準位
山本英明, 毎田修, 金島岳, 奥山雅則
応用物理学会学術講演会講演予稿集 1996年
Compressed Sensing EEG Measurement Technique with Normally Distributed Sampling Series
Okabe Yuki, Kanemoto Daisuke, Maida Osamu, Hirose Tetsuya
IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences Vol. E105A No. 10 p. 1429-1433 2022年10月1日
Image Quality Improvement for Capsule Endoscopy Based on Compressed Sensing with K-SVD Dictionary Learning
Harada Yuuki, Kanemoto Daisuke, Inoue Takahiro, Maida Osamu, Hirose Tetsuya
IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences Vol. E105A No. 4 p. 743-747 2022年4月1日
