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毎田　修

Maida Osamu

工学研究科　電気電子情報通信工学専攻，助教

経歴

  • 2007年04月01日 ～ 継続中，大阪大学 工学研究科 電気電子情報工学専攻，助教
  • 2006年04月 ～ 継続中，大阪大学・大学院工学研究科・助手
  • 2006年04月01日 ～ 2007年03月31日，大阪大学 工学研究科 電気電子情報工学専攻，助手
  • 2000年10月01日 ～ 2006年03月31日，大阪大学 産業科学研究所，助手
  • 2000年10月 ～ 2006年03月，大阪大学・産業科学研究所・助手

所属学会

  • 日本放射光学会
  • 応用物理学会
  • 日本物理学会

論文

  • Compressed Sensing EEG Measurement Technique with Normally Distributed Sampling Series，Yuki OKABE,Daisuke KANEMOTO,Osamu MAIDA,Tetsuya HIROSE，IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences，Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)，Vol. E105.A，No. 10，p. 1429-1433，2022年10月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Image Quality Improvement for Capsule Endoscopy Based on Compressed Sensing with K-SVD Dictionary Learning，Yuuki HARADA,Daisuke KANEMOTO,Takahiro INOUE,Osamu MAIDA,Tetsuya HIROSE，IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences，Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)，Vol. E105.A，No. 4，p. 743-747，2022年04月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Characterization of deep interface states in SiO2/B-doped diamond using the transient photocapacitance method，Osamu Maida,Daiskuke Kanemoto,Tetsuya Hirose，Thin Solid Films，Elsevier BV，Vol. 741，p. 139026-139026，2022年01月，研究論文（学術雑誌）
  • A self-bias NAND gate and its application to non-overlapping clock generator for extremely low-voltage CMOS LSIs，Hikaru Sebe,Kaori Matsumoto,Ryo Matsuzuka,Osamu Maida,Daisuke Kanemoto,Tetsuya Hirose，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 60，No. SB，p. SBBL06-SBBL06，2021年05月01日，研究論文（学術雑誌）
  • A 35-mV supply ring oscillator consisting of stacked body bias inverters for extremely low-voltage LSIs，Masaya Nishi,Kaori Matsumoto,Nobutaka Kuroki,Masahiro Numa,Hikaru Sebe,Ryo Matsuzuka,Osamu Maida,Daisuke Kanemoto,Tetsuya Hirose，IEICE ELECTRONICS EXPRESS，IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG，Vol. 18，No. 6，2021年03月，研究論文（学術雑誌）
  • An 11.8 nA ultra-low power active diode using a hysteresis common gate comparator for low-power energy harvesting systems，Kaori Matsumoto,Hiroki Asano,Yuichiro Nakazawa,Nobutaka Kuroki,Masahiro Numa,Osamu Maida,Daisuke Kanemoto,Tetsuya Hirose，IEICE Electronics Express，Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)，Vol. 17，No. 11，p. 20200103-20200103，2020年06月10日，研究論文（学術雑誌）
  • A 34-mV Startup Ring Oscillator Using Stacked Body Bias Inverters for Extremely Low-Voltage Thermoelectric Energy Harvesting，Masaya Nishi,Kaori Matsumoto,Nobutaka Kuroki,Masahiro Numa,Hikaru Sebe,Ryo Matsuzuka,Osamu Maida,Daisuke Kanemoto,Tetsuya Hirose，2020 18th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS)，IEEE，2020年06月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Sub-0.1V Input, Low-Voltage CMOS driver circuit for multi-stage switched capacitor voltage boost converter，Masaya Nishi,Yuichiro Nakazawa,Kaori Matsumoto,Nobutaka Kuroki,Masahiro Numa,Ryo Matsuzuka,Osamu Maida,Daisuke Kanemoto,Tetsuya Hirose，2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, ICECS 2019，p. 530-533，2019年11月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Transient photocapacitance measurement for characterization of deep defects in B-doped diamond films，Osamu Maida,Ryosuke Yamashita，2019年07月
  • Development of Highly-Sensitive Transient Photocapacitance Mesurement System for Deep Defects in Boron-Doped Diamond (100) Films，Kenta Miyawaki,Ryosuke Yamashita,Taishi Kodama,Osamu Maida，2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)，IEEE，2018年06月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Characterization of the high-quality CVD diamond films for quantum information device，Osamu Maida,Toshimichi Ito，2018年02月
  • Improvement on p-type CVD diamond semiconducting properties by fabricating thin heavily-boron-doped multi-layer clusters isolated each other in unintentionally boron-doped diamond layer，Osamu Maida,Tomohiro Tabuchi,Toshimichi Ito，Journal of Crystal Growth，Elsevier B.V.，Vol. 480，p. 51-55，2017年12月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Characterization of deep defects in boron-doped CVD diamond films using transient photocapacitance method，Osamu Maida,Takanori Hori,Taishi Kodama,Toshimichi Ito，Materials Science in Semiconductor Processing，Elsevier Ltd，Vol. 70，p. 203-206，2017年11月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Behavior of nitrogen-related luminescence centers in laser-cut single-crystalline diamond under irradiation with keV electron beam，Kenji Maruoka,Taiki Naito,Osamu Maida,Toshimichi Ito，MRS Advances，Materials Research Society，Vol. 2，No. 43，p. 2355-2360，2017年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Transient photocapacitance study of deep-level defects in boron-doped diamond films，O. Maida,T. Hori,T. Kodama,T. Ito，2016年09月
  • Characterization of Deep Defects in Boron-Doped CVD Diamond Films Using Transient Photocapacitance Method，O. Maida,T. Hori,T. Kodama,T. Ito，2016年06月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Substrate temperature optimization for heavily-phosphorus-doped diamond films grown on vicinal (001) surfaces using high-power-density microwave-plasma chemical-vapor-deposition，Osamu Maida,Shuhei Tada,Haruki Nishio,Toshimichi Ito，Journal of Crystal Growth，Elsevier，Vol. 424，p. 33-37，2015年08月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Characterization of boron-doped CVD diamond films using transient photocapasitance method，O. Maida,T. Hori,T. Ito，2015年05月
  • Mutual relation among lattice distortion, Hall effect property and band edge cathodoluminescence of heavily-boron-doped microwave-plasma CVD diamond films homoepitaxially grown on vicinal (001) high-pressure/high-temperature-synthesized Ib substrates，Reona Mori,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Journal of Crystal Growth，Elsevier，Vol. 415，p. 84-92，2015年04月01日，研究論文（学術雑誌）
  • 単結晶CVDダイヤモンド積層構造の半導体特性における高濃度ホウ素ドープ薄膜層の分散状態依存性，田渕 智大,毎田 修,伊藤 利道，表面科学学術講演会要旨集，公益社団法人 日本表面科学会，Vol. 35，p. 127-127，2015年
  • High growth rate deposition of phosphorus-doped homoepitaxial (001) diamond films for deep-ultraviolet light emitting device，Osamu Maida,Shuhei Tada,Toshimichi Ito，Thin Solid Films，Elsevier，Vol. 557，p. 227-230，2014年04月30日，研究論文（学術雑誌）
  • ホモエピCVDダイヤモンドの研究動向，伊藤 利道,毎田 修，2013年04月
  • Growth and characterization of heavily phosphorus-doped homoepitaxial (001) diamond films for deep-ultraviolet light emitting device，O. Maida,S. Tada,T. Ito，2013年01月
  • Microwave-plasma chemical-vapor-deposition homoepitaxial processes suitable for heavily p-doped diamond films on vicinal (001) surfaces，S. Tada,H. Nishio,O. Maida,T. Ito，2012年10月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Carrier transport property of heavily boron-doped degenerate diamond single-crystalline thin layers etched with hydrogen plasma，T. Kuki,O. Maida,T. Ito，2012年09月
  • Sensitivity improvement of γ-ray detector fabricated with self-standing CVD diamond by attaching heavy element film，Hidenori Sato,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Diamond and Related Materials，Elsevier，Vol. 29，p. 2-7，2012年09月，研究論文（学術雑誌）
  • Survey meter combining CVD diamond and silicon detectors for wide range of dose rates and high accumulated doses，Hidenori Sato,Akihito Yamaguchi,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Radiation Measurements，Vol. 47，No. 4，p. 266-271，2012年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Improvement of Crystalline Quality of CVD Diamond and Its Application to Electronic Devices，Toshimichi Ito,Hidenori Sato,Osamu Maida，2011年12月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Improvement on p-type Performance of CVD Diamond by Isolating Thin Heavily-boron-doped Layer as Innumerable Islands，Osamu Maida,Masayuki Aono,Toshimichi Ito，2011年11月
  • Performance of Radiation-Tolerant Diamond Detector Fabricated with Self-standing Single-crystalline CVD Film，H. Sato,A. Yamaguchi,O. Maida,T. Ito，2011年11月
  • Growth of Phosphorus-Doped Homoepitaxial CVD Diamond on Vicinal (001) Substrates，Haruki Nishio,Shuhei Tada,Osamu Maida,Toshimichi Ito，2011年11月
  • Improvement on Device Performance of Lateral p-i-p Diamond Transistors with Underlain Thin Nitrogen-Doped Layer，Takafumi Ukida,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Vol. 2，p. 159-160，2011年11月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Hall data analysis of heavily boron-doped CVD diamond films using a model considering an impurity band well separated from valence bands，Masayuki Aono,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Diamond and Related Materials，Elsevier，Vol. 20，p. 1357-1362，2011年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Structure optimization of diamond personal dosimeters based on Monte Carlo simulations，Hidenori Sato,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Diamond and Related Materials，Elsevier，Vol. 20，No. 2，p. 140-144，2011年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Reduced influences of the HPHT substrates on the electronic quality of homoepitaxial CVD diamond layers and on their ultraviolet detector performance，Osamu Maida,Hidenori Sato,Masayuki Kanasugi,Shota Iguchi,Toshimichi Ito，Diamond and Related Materials，Elsevier，Vol. 20，No. 2，p. 242-245，2011年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Structure optimization of diamond personal dosimeters based on Monte Carlo simulations，Hidenori Sato,Osamu Maida,Toshimichi Ito，2010年09月
  • Improvement in low-voltage performance of surface-electrode soft-X-ray detectors composed of undoped homoepitaxial CVD/HPHT Ib diamond layers，M. Kanasugi,Y. Iwakaji,T. Yamamoto,O. Maida,Y. Takeda,Y. Saitoh,T. Ito，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment，Vol. 621，No. 1-3，p. 650-655，2010年，研究論文（学術雑誌）
  • Electron detection performance of diamond avalanche diode，Hideo Morishita,Takashi Ohshima,Michio Hatano,Yoko Iwakaji,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics，AVS Science and Technology Society，Vol. 28，No. 6，p. 1169-1172，2010年，研究論文（学術雑誌）
  • Self-standing device-quality single-crystalline diamond films on vicinal (001) surfaces fabricated using microwave-plasma chemical-vapor-deposition method，Shota Iguchi,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Thin Solid Films，Elsevier，Vol. 518，No. 21，p. S38-S41，2010年，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Self-standing high-quality single-crystalline diamond films fabricated using high-power microwave-plasma CVD method，Shota Iguchi,Osamu Maida,Toshimichi Ito，2009年07月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Characterization of diamond ultraviolet detectors fabricated with high-quality single-crystalline chemical vapor deposition films，Y. Iwakaji,M. Kanasugi,O. Maida,T. Ito，Applied Physics Letters，American Institute of Physics，Vol. 94，No. 22，p. 223511-1-223511-3，2009年，研究論文（学術雑誌）
  • Homoepitaxial diamond films grown on vicinal substrates，S. Kawashima,O. Maida,T. Ito，2008年10月
  • Performance of stack-type soft-X-ray detectors fabricated with high-quality CVD diamond films，O. Maida,Y. Iwakaji,M. Kanasugi,S. Iguchi,Y. Takeda,Y. Saitoh,T. Ito，2008年10月
  • Characterization of soft-X-ray detectors fabricated with high-quality CVD diamond thin films，Y. Iwakaji,M. Kanasugi,O. Maida,Y. Takeda,Y. Saitoh,T. Ito，Applied Surface Science，Vol. 254，No. 19，p. 6277-6280，2008年07月30日，研究論文（学術雑誌）
  • Characterization of phosphorus-doped homoepitaxial (1 0 0) diamond films grown using high-power-density MWPCVD method with a conventional quartz-tube chamber，Takahiro Nakai,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Applied Surface Science，Elsevier，Vol. 254，No. 19，p. 6281-6284，2008年07月30日，研究論文（学術雑誌）
  • Applications of high quality diamond to radiation detectors，H. Sato,O. Maida,T. Ito,T. Yamano,T. Kato,S. Matsubara，2008年07月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • 高品質ダイヤモンドセンサ，伊藤利道,毎田 修,寺地徳之，ニューダイヤモンド，株式会社 オーム社，Vol. 24，No. 3，2008年07月
  • Fabrication and characterization of ultra-violet detectors using high-quality CVD diamond films，Y. Iwakaji,M. Kanasugi,O. Maida,T. Ito，2008年05月
  • Characterization of substrate off-angle effects for high-quality homoepitaxial CVD diamond films，Osamu Maida,Hidetaka Miyatake,Tokuyuki Teraji,Toshimichi Ito，Diamond and Related Materials，Elsevier，Vol. 17，No. 4-5，p. 435-439，2008年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Complete prevention of reaction at HfO2/Si interfaces by 1 nm silicon nitride layer，H. Kobayashi,K. Imamura,K. Fukayama,S.-S. Im,O. Maida,Y.-B. Kim,H.-C. Kim,D.-K. Choi，Surf. Sci.，2008年01月，研究論文（学術雑誌）
  • Complete prevention of reaction at HfO2/Si interfaces by 1 nm silicon nitride layer，Hikaru Kobayashi,Kentaro Imamura,Ken-ichi Fukayama,Sung-Soon Im,Osamu Maida,Young-Bae Kim,Hyun-Chul Kim,Duck-Kyun Choi，Surface Science，2008年01月，研究論文（学術雑誌）
  • High-quality diamond films grown at high deposition rates using high-power-density MWPCVD method with conventional quartz-type chamber，Takahiro Nakai,Kazuya Arima,Osamu Maida,Toshimichi Ito，Journal of Crystal Growth，Elsevier，Vol. 309，No. 2，p. 134-139，2007年12月01日，研究論文（学術雑誌）
  • Room temperature growth of crystalline Si thin films on nano-scaled substrates using DC magnetron sputtering deposition method，H. Yamaguchi,O. Maida,T. Ito，2007年11月
  • Diffusion control of soft-X-ray-excited carriers in high-quality CVD diamond layers to the HPHT substrate，M. Kanasugi,Y. Iwakaji,T. Yamamoto,O. Maida,Y. Takeda,Y. Saitoh,T. Ito，2007年11月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Crystalline quality improvements of the homoepitaxial CVD diamond films on the vicinal substrates，O. Maida,H. Miyatake,T. Teraji,T. Ito，2007年11月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Al2O3 微粒子を用いた光閉じ込め構造を有する a-Si 太陽電池の作製，毎田 修,岡藤 麻子,小林 克稔,小林 光，真空，2007年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Further improvement in high crystalline quality of homoepitaxial CVD diamond，H. Miyatake,K. Arima,O. Maida,T. Teraji,T. Ito，Diamond and Related Materials，Elsevier，Vol. 16，No. 4-7，p. 679-684，2007年04月，研究論文（学術雑誌）
  • High-performance diamond soft-X-ray detectors with internal amplification function，H. Matsubara,Y. Saitoh,O. Maida,T. Teraji,K. Kobayashi,T. Ito，Diamond and Related Materials，Elsevier，Vol. 16，No. 4-7，p. 1044-1048，2007年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Preparation of Fluorocarbon Thin Film Deposited by Soft X-Ray Ablation and its Electrical Characteristics and Thermal Stability，Takeshi Kanashima,Osamu Maida,Norihiro Kohma,Masaki Okumoto,Masato Ueno,Satoshi Kitai,Masanori Okuyama,Haruhiko Ohashi,Yusuke Tamenori，Applied Surface Science，2006年11月，研究論文（学術雑誌）
  • A method of observation of low density interface states by means of X-ray photoelectron spectroscopy under bias and passivation by cyanide ions，H. Kobayashi,T. Sakurai,Y. Yamashita,T. Kubota,O. Maida,M. Takahashi，Applied Surface Science，2006年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Interface states for HfO 2/Si structure observed by x-ray photoelectron spectroscopy measurements under bias，Osamu Maida,Ken-Ichi Fukayama,Masao Takahashi,Hikaru Kobayashi,Young-Bae Kim,Hyun-Chul Kim,Duck-Kyun Choi，Applied Physics Letters，Vol. 89，No. 12，2006年，研究論文（学術雑誌）
  • Post-oxidation annealing treatments to improve Si/ultrathin SiO2 characteristics formed by nitric acid oxidation method，Asuha,Y.-L. Liu,O. Maida,M. Takahashi,H. Kobayashi，Journal of Electrochemical Society，2004年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Semiconductor surface and interface passivation by cyanide treatment，H. Kobayashi,M. Takahashi,O. Maida,A. Asano,T. Kubota,J. Ivanco,A. Nakajima,K. Akimoto，Applied Surface Science，2004年07月，研究論文（学術雑誌）
  • Removal of copper and nickel contaminants from Si surface by use of cyanide solution，N. Fujiwara,Y.-L. Liu,T. Nakamura,O. Maida,M. Takahashi,H. Kobayashi，Applied Surface Science，2004年07月，研究論文（学術雑誌）
  • Control of flat-band voltage of Si-based metal-oxide-semiconductor diodes by inclusion of cesium ions in silicon dioxide，T. Kobayashi,K. Tanaka,O. Maida,H. Kobayashi，Applied Physics Letters，2004年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Nitiric acid oxidation of Si to form ultrathin silicon dioxide layers with a low leakage current density，H. Kobayashi,Asuha,O. Maida,M. Takahashi,H. Iwasa，Journal of Applied Physics，2003年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Preparation and Characterization of High-$k$ Praseodymium and Lanthanoid Oxide Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition，Satoshi Kitai,Osamu Maida,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 42, pages 247-253，Vol. 42，No. 1，p. 247-253，2003年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Preparation and characterization of fluorocarbon thin films deposited by soft X-ray ablation of polytetrafluoroethylene，Takeshi Kanashima,Osamu Maida,Norinao Kohma,M. Okumoto,Masato Ueno,Satoshi Kitai,Masanori Okuyama,Haruhiko Ohashi，Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 42, pages L603-L606，2003年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Experimental and theoretical studies of Si-CN bonds to eliminate interface states at Si/SiO2 interface，O. Maida,A. Asano,M. Takahashi,H. Iwasa,H. Kobayashi，Surface Science，2003年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Passivation of defect states in Si and Si/SiO2 interface states by cyanide treatment: improvement of characteristics of pin-junction amorphous Si and crystalline Si-based metal-oxide-semiconductor junction solar cells，N. Fujiwara,T. Fujinaga,D. Niinobe,O. Maida,M. Takahashi,H. Kobayashi，Acta Physica Slovaca，2003年03月，研究論文（学術雑誌）
  • Ultrathin silicon dioxide layers with a low leakage current density formed by chemical oxidation of Si，Asuha,Takuya Kobayashi,Osamu Maida,Morio Inoue,Masao Takahashi,Yoshihiro Todokoro,Hikaru Kobayashi，Applied Physics Letters，Vol. 81，No. 18，p. 3410-3412，2002年10月28日，研究論文（学術雑誌）
  • シアン処理によるシリコン欠陥準位の消滅と太陽電池の高性能化，高橋昌男,毎田修,小林光，Materials Integration, vol. 15 No. 8，2002年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Decrease in the leakage current density of Si-based metal-oxide- semiconductor diodes by cyanide treatment，Akira Asano,Asuha,Osamu Maida,Yoshihiro Todokoro,Hikaru Kobayashi，Applied Physics Letters，Vol. 80，No. 24，p. 4552-4554，2002年06月17日，研究論文（学術雑誌）
  • Decrease in the leakage current density of Si-based metal-oxide- semiconductor diodes by cyanide treatment，Akira Asano,Asuha,Osamu Maida,Yoshihiro Todokoro,Hikaru Kobayashi，Applied Physics Letters，Vol. 80，No. 24，p. 4552-4554，2002年06月17日，研究論文（学術雑誌）
  • Effects of postmetallization annealing on ultrathin SiO2 layer properties，Asuha,Toshiro Yuasa,Osamu Maida,Hikaru Kobayashi，Applied Physics Letters，Vol. 80，No. 22，p. 4175-4177，2002年06月03日，研究論文（学術雑誌）
  • Improvement of electrical characteristics of silicon oxynitride layers by a platinum method，T. Mizokuro,M. Tamura,T. Yuasa,T. Kobayashi,O. Maida,M. Takahashi,H. Kobayashi，Appl. Surf. Sci. 9397(2000)1-6，2002年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Improvement of Amorphous Silicon pin Junction Solar Cell Characteristics by Crown-Ether Cyanide Treatment，Osamu Maida,Tetsushi Fujinaga,Masao Takahashi,Hikaru Kobayashi，WIP-Renewable Energies，2002年04月
  • COMPLETE PREVENTION OF PHOTO-DEGRADATION OF AMORPHOUS Si FILMS BY CROWN-ETHER CYANIDE TREATMENT，Hikaru KOBAYASHI,Naozumi FUJIWARA,Daisuke NIINOBE,Osamu MAIDA,Masao TAKAHASHI，WIP-Renewable Energies，2002年04月
  • IMPROVEMENT OF POLYCRYSTALLINE Si-BASED SOLAR CELL CHARACTERISTICS BY CYANIDE TREATMENT，Masao Takahashi,Akira Asano,Osamu Maida,Hikaru Kobayashi，WIP-Renewable energies，2002年04月
  • Preparation and Characterization of High-k Lanthanoid Oxide Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition，Satoshi Kitai,Osamu Maida,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，2001年09月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Zr, HfおよびLanthanoide High-kゲート絶縁膜の作製，奥山,金島,北井,上野,毎田,寒川,神田，日本表面学会2001年度第１回研究会ー次世代のゲート絶縁膜,2001,大阪，2001年09月
  • Zr, HfおよびLanthanod酸化物High-kゲート絶縁膜の作製，奥山雅則,金島岳,北井聡,上野正人,毎田 修,寒川雅之,神田浩文，2001年06月
  • Synchrotron Radiation-Induced Nitrization and Oxidation on Si Surface at Low Temperature，T. Kanashima,O. Maida,N. Kohma,M. Agata,S. Yudate,M. Ueno,M. Okuyama,H. Ohashi，Jpn. J. Appl. Phys., 40,6A, 4195-4196，公益社団法人 応用物理学会，Vol. 40，No. 6，p. 4195-4196，2001年06月，研究論文（学術雑誌）
  • Evaporation and Expansion of Poly-tetra-fluoro-ethylene Induced by Irradiation of Soft X-Rays from a Figure-8 Undulator，Osamu Maida,Norinao Kohma,Masato Ueno,Akira Shibuya,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Haruhiko Ohashi，Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, pages 2435-2439，公益社団法人 応用物理学会，Vol. 40，No. 4，p. 2435-2439，2001年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Synchrotron Radiation-Induced Nitrization and Oxidation on Si Surface at Low Temperature，Takeshi Kanashima,Osamu Maida,Norinao Kohma,Masashi Agata,Shinji Yudate,Masato Ueno,Masanori Okuyama,Haruhiko Ohashi，Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, pages 4195-4196，公益社団法人 応用物理学会，Vol. 40，No. 6，p. 4195-4196，2001年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Evaporation and Expansion of Poly-tetra-fluoro-ethylene Induced by Irradiation of Soft X-ray from Figure-8 Undulator，O. Maida,N. Kohma,M. Ueno,S. Yudate,A. Shibuya,T. Kanashima,M. Okuyama,H. Ohashi，Jpn. J. Appl. Phys., 40, 4A, 2435-2439，公益社団法人 応用物理学会，Vol. 40，No. 4，p. 2435-2439，2001年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Optical Characterization of Antenna-Area-Dependent Gate Oxide Charging Damage in MOS Capacitors by Photoreflectance Spectroscopy，Masashi Agata,Masayuki Sohgawa,Osamu Maida,Koji Eriguchi,Akira Fujimoto,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，2000年05月
  • Optical Characterization of Antenna-Area-Dependent Gate Oxide Charging Damage in MOS Capacitors by Photoreflectance Spectroscopy，Masashi Agata,Masayuki Sohgawa,Osamu Maida,Koji Eriguchi,Akira Fujimoto,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，2000年04月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Optical Characterization of Gate Oxide Charging Damage by Photoreflectance Spectroscopy，Masashi Agata,Hideo Wada,Osamu Maida,Koji Eriguchi,Akira Fujimoto,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39, pages 2040-2044，Vol. 39，No. 4，p. 2040-2044，2000年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Optical Characterization of Gate Oxide Charging Damage by Photoreflectance Spectroscopy，M. Agata,H. Wada,O. Maida,K. Eriguchi,A. Fujimoto,T. Kanashima,M. Okuyama，Jpn. J. Appl. Phys., 39, 4B, 2040-2044，公益社団法人 応用物理学会，Vol. 39，No. 4，p. 2040-2044，2000年04月，研究論文（学術雑誌）
  • SPring-8アンジュレータ光によるSiO<SUB>2</SUB>膜の軟X線エッチングとSiの酸化・窒化，奥山 雅則,毎田 修,高馬 悟覚,金島 岳,大橋 治彦，レーザー研究，一般社団法人 レーザー学会，Vol. 28，No. Supplement，p. S7-S8，2000年
  • フォトレフレクタンス分光法によるゲート絶縁膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価，阿形眞司,寒川雅之,毎田修,江利口浩二,藤本晶,金島岳,奥山雅則，1999年12月
  • Optical Characterization of Gate Oxide Charging Damage by Photoreflectance Spectroscopy，Masashi Agata,Hideo Wada,Osamu Maida,Koji Eriguchi,Akira Fujimoto,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，Vol. 39，No. 4，p. 2040-2044，1999年09月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Evaluation of Interface SiO<sub>x</sub> Layer in Ultrathin SiO<sub>x</sub> Film by Oscillatory Tunneling Current-Voltage Characteristics in Photo-CVD SiO<sub>x</sub>-Si Diode，Osamu Maida,Norio Okada,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, pages 2341-2344，1999年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Evaluation of Interface SiOx Transition Layer by Oscillatory Tunneling Current-Voltage Characteristics in Photo-CVD SiO2-Si Diode，O. Maida,N. Okada,T.Kanashima,M. Okuyama，Jpn. J. Appl. Phys., 38, 4B, 2341-2344，1999年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Evaluation of Interface SiO<sub>x</sub> Transition Layer by Oscillatory Tunneling Current-Voltage Characteristics in Photo-CVD SiO<sub>x</sub>-Si Diode，Osamu Maida,Norio Okada,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，1998年09月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Electronic characterization of Si/SiO<sub>2</sub> structure using photo-CVD SiO<sub>2</sub> thin film on atomically flat Si substrate，Osamu Maida,Hideaki Yamamoto,Norio Okada,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，Appl. Surf. Sci., Vol. 130-132, pages 214-220，1998年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Electronic Characterization of SiO2/Si Structure Using Photo-CVD SiO2 Thin Film on Atomically Flat Si Substrates，O. Maida,H. Yamamoto,N. Okada,T. Kanashima,M. Okuyama，Applied Surface Science,130-132,214-220，1998年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Electronic Characterization of SiO2/Si Structure Using Photo-CVD SiO<sub>2</sub> Thin Film on Atomically Flat Si Substrates，Osamu Maida,Hideaki Yamamoto,Norio Okada,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama，1997年10月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Characterization of Photo-CVD SiO<sub>2</sub> Thin Films and SiO<sub>2</sub>/Si Interface，Masanori Okuyama,Hideaki Yamamoto,Takaaki Imai,Osamu Maida,Takeshi Kanashima，1996年10月，研究論文（国際会議プロシーディングス）

MISC

  • Fabrication of the a-Si solar cells with the light trapping structure by the Al 2O 3 fine particles，Osamu Maida,Asako Okafuji,Katsutoshi Kobayashi,Hikaru Kobayashi，Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan，Vol. 50，No. 8，p. 534-536，2007年
  • Preparation and characterization of high-k praseodymium and lanthanoid oxide thin films prepared by pulsed laser deposition，S Kitai,O Maida,T Kanashima,M Okuyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS，INST PURE APPLIED PHYSICS，Vol. 42，No. 1，p. 247-253，2003年01月

講演・口頭発表等

  • 直接遷移型半導体自立結晶における外部量子効率と自己吸収の関係，佐野 昂志,市川 修平,毎田 修,小島 一信，第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年03月17日
  • スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価，市川 修平,上杉 謙次郎,齊藤 一輝,肖 世玉,正直 花奈子,中村 孝夫,毎田 修,三宅 秀人,小島 一信，2023年03月17日
  • 時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定，市川 修平,松田 祥伸,道上 平士郎,毎田 修,船戸 充,川上 養一,小島 一信，第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年03月17日
  • ナノピラー型メタ表面を用いた円偏光InGaN発光素子の設計，鈴木 恭平,村田 雄生,市川 修平,戸田 晋太郎,毎田 修,小島 一信，第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年03月15日
  • 二光子光電子分光による GaAs (110) における表面再結合寿命の評価，市川修平,毎田 修,小島一信，第42回ナノテスティングシンポジウム，2022年11月10日
  • ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価，毎田 修,市川修平,小島一信，第42回ナノテスティングシンポジウム，2022年11月10日
  • Characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond，O. Maida,S. Ichikawa,K. Kojima，21th International Vacuum Congress，2022年09月12日
  • 時間分解2光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の直接評価，市川修平,毎田 修,小島一信，第83回応用物理学会秋季学術講演会，2022年09月
  • FVFを応用したPSRR帯域拡張回路を搭載した脳波計測ウェアラブルデバイス向け低消費LDO，三井 健司,兼本 大輔,毎田 修,廣瀬 哲也，第196回システムとLSIの設計技術研究発表会，2021年12月01日
  • 圧縮センシングを活用した心電図計測フレームワークの一設計法，松村 侑紀,兼本 大輔,毎田 修,廣瀬 哲也，第196回システムとLSIの設計技術研究発表会，2021年12月01日
  • Transient photocapacitance measurement for characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond films，O. Maida,T. Kodama,D. Kanemoto,Tetsuya Hirose，The 9th International Symposium on Surface Science
  • SiO2/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた界面準位評価，毎田 修,児玉 大志,兼本 大輔,廣瀬 哲也，2021年日本表面真空学会学術講演会，2021年11月04日
  • 過渡光容量分光法による (111)ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の結晶欠陥評価，毎田 修,児玉 大志,兼本 大輔,廣瀬 哲也，第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年09月23日
  • 高精度参照電流源回路を不要とする品質劣化モニタセンサLSI，渥美 光真,瀬部 光,中野 太地,池田 隆希,毎田 修,兼本 大輔,廣瀬 哲也，LSIとシステムのワークショップ2021，2021年05月10日
  • 微小温度差発電のための極低電圧昇圧コンバータ用ドライバ回路，三原 柊平,瀬部 光,毎田 修,兼本 大輔,廣瀬 哲也，LSIとシステムのワークショップ2021，2021年05月10日
  • 超低消費電力で動作するオンチップ電圧検知回路の設計，笹谷 昌平,中野 太地,瀬部 光,毎田 修,兼本 大輔,廣瀬 哲也，LSIとシステムのワークショップ2021，2021年05月10日
  • 圧縮センシングを用いた低消費電力脳波計測フレームワークのサンプリング間隔の検討，岡部 勇樹,兼本 大輔,望月 智弥,毎田 修,廣瀬 哲也，VLSI設計技術研究会，2021年01月25日
  • OD-ICAを利用した圧縮センシング脳波計測フレームワークにおけるICAアルゴリズムの比較，奥村 渡,兼本 大輔,毎田 修,廣瀬 哲也，VLSI設計技術研究会，2021年01月25日
  • A Self-Bias NAND Gate and its Application to Non-Overlapping Clock Generator for Extremely Low-Voltage CMOS LSIs，H. Sebe,K. Matsumoto,R. Matsuzuka,O. Maida,D. Kanemoto,T. Hirose，2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • A 34-mV startup ring oscillator using stacked body bias inverters for extremely low-voltage thermoelectric energy harvesting，M. Nishi,K. Matsumoto,N. Kuroki,M. Numa,H. Sebe,R. Matsuzuka,O. Maida,D. Kanemoto,T. Hirose，18th IEEE international new circuits and systems conference
  • 高出力マイクロ波プラズマCVD法によるホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の基板品質及びオフ角依存性，川嶋慎也,宮武秀宇,有馬和也,毎田修,寺地徳之,伊藤利道，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2008年
  • 高出力マイクロ波プラズマCVD法により高速成長した高品質ホモエピタキシャル(001)ダイヤモンド薄膜のオフ角依存性，宮武秀宇,有馬和也,毎田修,寺地徳之,伊藤利道，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2007年
  • 高品質単結晶CVDダイヤモンド薄膜を用いた軟X線検出器の特性評価，松原弘,毎田修,寺地徳之,伊藤利道,斎藤祐児,小林啓介，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2006年
  • 高品質単結晶CVDダイヤモンド薄膜を用いた軟X線および紫外線検出器の特性評価，松原弘,毎田修,寺地徳之,斎藤祐児,小林啓介,伊藤利道，真空に関する連合講演会講演予稿集，2006年
  • CVDダイヤモンド中の生成キャリアの制御とその紫外線検出器への応用，山元貴,松原弘,毎田修,寺地徳之,伊藤利道，真空に関する連合講演会講演予稿集，2006年
  • M-I-M型薄膜電子エミッタの作製とその特性，小久保勇志,毎田修,寺地徳之,伊藤利道，真空に関する連合講演会講演予稿集，2006年
  • 高出力マイクロ波プラズマCVDによる高配向多結晶ダイヤモンド薄膜の高品質化の検討，長谷川哲視,野呂雅和,毎田修,寺地徳之,伊藤利道，真空に関する連合講演会講演予稿集，2006年
  • 高品質CVDダイヤモンドにおけるキャリア拡散の制御とその応用，山元貴,松原弘,毎田修,寺地徳之,伊藤利道，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2006年
  • 高品質ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド成長における成長前研磨処理及び基板表面ステップ密度依存性，宮武秀宇,有馬一也,毎田修,寺地徳之,伊藤利道，真空に関する連合講演会講演予稿集，2006年
  • 15pXE-2 バイアス印加 XPS 法による極薄シリコンオキシナイトライド膜/シリコン界面の界面準位の観測(表面界面電子物性, 領域 9)，田中 和樹,小林 琢也,岡藤 麻子,毎田 修,小林 光，日本物理学会講演概要集，2004年08月25日
  • 21aYD-1 バイアス XPS 法による極薄ゲート絶縁膜/シリコン界面の界面準位評価，田中 和樹,小林 琢也,岡藤 麻子,毎田 修,小林 光，日本物理学会講演概要集，2003年08月15日
  • 28pPSB-19 化学的手法による極薄 SiO_2/Si 構造の低温形成とリーク電流密度の低減，アスハ,Liu Yueh Ling,井上 森雄,毎田 修,高橋 昌男,小林 光，日本物理学会講演概要集，2003年03月06日
  • 6pPSB-25 シアン処理によるMOS構造のリーク電流密度の低減効果(表面界面結晶成長,領域9)，毎田 修,浅野 明,長山,小林 光，日本物理学会講演概要集，2002年08月13日
  • 8aSM-12 低速電子線衝撃で作製したシリコンオキシナイトライド膜中の化学種 : XPSと密度汎関数法による決定(表面界面構造・電子物性,領域9)，高橋 昌男,溝黒 登志子,毎田 修,小林 光，日本物理学会講演概要集，2002年08月13日
  • 19pPSB-14 化学的に形成した極薄SiO_2/Si構造の原子密度と価電子帯，毎田 修,長山,湯浅 俊郎,高橋 昌男,小林 光，日本物理学会講演概要集，2001年09月03日
  • 29pPSA-7 化学的手法で形成した極薄SiO_2膜の物性とリーク電流低減，アスハ(長山),湯浅 俊郎,米田 健司,毎田 修,小林 光，日本物理学会講演概要集，2001年03月09日
  • 27aXE-10 白金の触媒作用を用いたSi/SiO_2界面の平坦化とリーク電流の低減，湯浅 俊郎,長山,毎田 修,米田 健司,小林 光，日本物理学会講演概要集，2001年03月09日
  • レーザーアブレーション法によるランタノイド酸化物ゲート膜の作製と評価，北井聡,上野正人,毎田修,金島岳,奥山雅則，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2001年
  • PTFEの軟X線アブレーションによる低誘電率薄膜の評価，高馬悟覚,毎田修,奥本雅規,金島岳,奥山雅則,大橋治彦，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2001年
  • クラウンエーテルシアン処理によるSi/SiO<sub>2</sub>界面準位密度の低減，浅野明,毎田修,毎田修,高橋昌男,高橋昌男,西谷幹彦,小林光,小林光，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2001年
  • レーザーアブレーション法による高誘電率ZrO<sub>2</sub>薄膜の作製とその評価，上野正人,毎田修,北井聡,金島岳,奥山雅則，電子情報通信学会技術研究報告，2000年
  • 軟X線アブレーションによるPTFE低誘電率膜の作製，高馬悟覚,毎田修,奥本雅規,上野正人,北井聡,金島岳,奥山雅則,大橋治彦，電子情報通信学会技術研究報告，2000年
  • レーザーアブレーション法によるZrO<sub>2</sub>薄膜の製膜とその評価，上野正人,毎田修,北井聡,金島岳,奥山雅則，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2000年
  • PTFEの軟X線アブレーションによる低誘電率薄膜の作製と評価，高馬悟覚,毎田修,上野正人,金島岳,奥山雅則，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2000年
  • SPring-8アンジュレータを用いたSiO<sub>2</sub>膜の軟X線エッチング，毎田修,高馬悟覚,金島岳,和田秀夫,阿形真司,弓達新治,奥山雅則,大橋治彦，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，1999年
  • 光CVD極薄SiO<sub>2</sub>膜の電気的特性，毎田修,金島岳,奥山雅則，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，1998年
  • 平坦なSi基板上の光CVD SiO<sub>2</sub>膜に関する電気的評価，山本英明,毎田修,金島岳,奥山雅則，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，1997年
  • 水素終端Si表面の大気中経時変化のAFM観察，岡田規男,毎田修,金島岳,奥山雅則，応用物理学会学術講演会講演予稿集，1997年
  • Si(100)表面の微視的構造の表面処理効果とSi/SiO<sub>2</sub>界面準位，山本英明,毎田修,金島岳,奥山雅則，応用物理学会学術講演会講演予稿集，1996年