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片山　竜二
Katayama Ryuuji
片山　竜二
Katayama Ryuuji
機関リポジトリ
工学研究科　電気電子情報通信工学専攻，教授

keyword 薄膜結晶成長，フォトニック結晶，非線形光学，ワイドギャップ半導体

機関リポジトリ

経歴 4

  1. 2016年4月 ～ 継続中
    大阪大学　大学院工学研究科　教授

  2. 2009年4月 ～ 2016年3月
    東北大学　金属材料研究所　准教授

  3. 2007年4月 ～ 2009年3月
    東京大学　大学院新領域創成科学研究科　助教

  4. 2001年10月 ～ 2007年3月
    東京大学　大学院新領域創成科学研究　助手

委員歴 22

  1. 第16回結晶成長国際スクール　実行委員　学協会

    2014年 ～ 2016年

  2. The 16th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-16)　Executive Committee　学協会

    2014年 ～ 2016年

  3. 第7回窒化物半導体結晶成長講演会　プログラム編集委員長　学協会

    2014年 ～ 2015年

  4. 窒化物半導体結晶成長に関する国際シンポジウム（ISGN-6）　実行委員　学協会

    2014年 ～ 2015年

  5. The 7th Symposium on Growth of Nitride Semiconductors　Program Committee Chair　学協会

    2014年 ～ 2015年

  6. The 6th International Symposium on Growth of Nitride Semiconductors　Executive Committee　学協会

    2014年 ～ 2015年

  7. 第40回化合物半導体国際シンポジウム　論文委員　学協会

    2012年 ～ 2013年

  8. The 40th International Symposium on Conpound Semiconductors　Program Committee　学協会

    2012年 ～ 2013年

  9. 独立行政法人 科学技術振興機構 さきがけ 研究員

    2008年 ～ 2012年

  10. JSTさきがけ研究員

    2008年 ～ 2012年

  11. - 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 委員

    2015年 ～

  12. - 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 Committee Member

    2015年 ～

  13. レーザー学会　プログラム編集委員　学協会

    2013年 ～

  14. The Laser Society of Japan　Program Committee　学協会

    2013年 ～

  15. 応用物理学会 東北支部　企画委員長　学協会

    2012年 ～

  16. 窒化物半導体に関する国際ワークショップ（IWN2012）　論文委員　学協会

    2012年 ～

  17. The Japan Society of Applied Physics (JSAP), Tohoku Chapter　project supervisor　学協会

    2012年 ～

  18. International Workshop on Nitride Semiconsuctors 2012　Program Committee　学協会

    2012年 ～

  19. 応用物理学会 結晶工学大分類窒化物結晶中分類　セッションオーガナイザ　学協会

    2010年 ～

  20. The Japan Society of Applied Physics (JSAP)　Session Organizer　学協会

    2010年 ～

  21. 電子材料シンポジウム　論文委員　学協会

    2007年 ～

  22. Electronic Materials Symposium　Program Committee　学協会

    2007年 ～

所属学会 24

  1. レーザー学会

  2. 応用物理学会 東北支部

  3. 応用物理学会 結晶工学大分類窒化物結晶中分類

  4. 電子材料シンポジウム

  5. 第16回結晶成長国際スクール

  6. 第7回窒化物半導体結晶成長講演会

  7. 窒化物半導体結晶成長に関する国際シンポジウム（ISGN-6）

  8. 第40回化合物半導体国際シンポジウム

  9. 窒化物半導体に関する国際ワークショップ（IWN2012）

  10. 一般社団法人 レーザー学会

  11. 日本結晶成長学会

  12. 応用物理学会

  13. The Laser Society of Japan

  14. Tohoku Chapter

  15. The Japan Society of Applied Physics (JSAP)

  16. Electronic Materials Symposium

  17. The 16th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-16)

  18. The 7th Symposium on Growth of Nitride Semiconductors

  19. The 6th International Symposium on Growth of Nitride Semiconductors

  20. The 40th International Symposium on Conpound Semiconductors

  21. International Workshop on Nitride Semiconsuctors 2012

  22. 一般社団法人 レーザー学会

  23. The Japanese Association for Crystal Growth

  24. The Japan Society of Applied Physics

研究内容・専門分野 3

  1. ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 /

  2. ナノテク・材料 / 結晶工学 /

  3. ナノテク・材料 / 応用物性 /

受賞 12

  1. 第19回応用物理学会東北支部学術講演会 講演奨励賞

    2015年

  2. Young Researcher's Paper Award, LEDIA'14

    2014年

  3. 第127回金属材料研究所講演会（2014年春季） 優秀ポスター賞

    2014年

  4. 第33回電子材料シンポジウム EMS賞

    2014年

  5. 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2014春季講演会 第6回 窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞

    2014年

  6. 第37回 応用物理学会秋季学術講演会 講演奨励賞

    2014年

  7. 第128回金属材料研究所講演会（2014年秋季） 優秀ポスター賞

    2014年

  8. 2013 Annual Meeting of Excellent Graduate School for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" & International Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure，Poster Presentation Award

    2013年

  9. 第74回応用物理学会秋季学術講演会 Poster Award

    2013年

  10. 第126回金属材料研究所講演会（2013年秋季）優秀ポスター賞

    2013年

  11. 応用物理学会東北支部 講演奨励賞

    2012年

  12. 応用物理学会 講演奨励賞

    2002年

論文 140

  1. Analysis of inversion-domain boundaries in four-layer polarity-inverted AlN structure

    Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Toru Akiyama, Ryota Akaike, Takao Nakamura, Hiroto Honda, Eiki Sato, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Hideto Miyake

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 3　p. 032108-1-032108-6　2025年1月23日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  2. 199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laser

    Tomoaki Nambu, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yasufumi Fujiwara, Ryota Ishii, Yoichi Kawakami, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 8　p. 082004-1-082004-6　2024年8月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  3. Continuous-wave operation of InGaN tunable single-mode laser with periodically slotted structure

    Taisei Kusui, Takumi Wada, Naritoshi Matsushita, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 8　p. 082003-1-082003-4　2024年8月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  4. Far-Reaching Remote Doping for Monolayer MoS2 Using a Ferroelectric Substrate: Unveiling the Impact of h-BN Spacer Thickness

    Kaipeng Rong, Ryosuke Noro, Hayato Nishigaki, Mingda Ding, Yao Yao, Taiki Inoue, Ryuji Katayama, Yoshihiro Kobayashi, Kazunari Matsuda, Shinichiro Mouri

    ACS Applied Electronic Materials　Vol. 6　p. 5914-5922　2024年8月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)

  5. Design of Horizontally Stacked AlN and Dielectric Cores Transverse Quasi‐Phase‐Matched Channel Waveguide for Squeezed Light Generation

    Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    physica status solidi (a)　Vol. 2024　p. 2400380-1-2400380-5　2024年7月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  6. Buried annealed proton-exchanged waveguide in periodically-poled MgO:LiTaO<inf>3</inf> fabricated by surface-activated bonding for high-power wavelength conversion

    Ryosuke Noro, Masahide Okazaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 63　No. 6　2024年6月3日　研究論文（学術雑誌）

  7. Demonstration of a violet-distributed feedback laser with fairly small temperature dependence in current-light characteristics

    Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 5　p. 052004-1-052004-5　2024年5月20日　研究論文（学術雑誌）

  8. Fabrication of polarity inverted LiNbO3/GaN channel waveguide by surface activated bonding for high-efficiency transverse quasi-phase-matched wavelength conversion

    Ryosuke Noro, Mariko Adachi, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 10　p. 102001-1-102001-6　2023年10月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  9. Second harmonic generation from a-plane GaN vertical monolithic microcavity pumped with femtosecond laser

    Tomoaki Nambu, Tomohiro Nakahara, Yuma Yasuda, Yasufumi Fujiwara, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 7　p. 072005-1-072005-6　2023年7月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  10. 229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in a vertical polarity inverted AlN bilayer channel waveguide

    Hiroto Honda, Soshi Umeda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 16　No. 6　p. 062006-1-062006-4　2023年6月19日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  11. Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer Using Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy

    Tomotaka Murata, Kazuhisa Ikeda, Jun Yamasaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    physica status solidi (b)　Vol. 2023　p. 2200583-1-2200583-8　2023年3月22日　研究論文（学術雑誌）

  12. Second harmonic generation in GaN transverse quasi-phase-matched waveguide pumped with femtosecond laser

    Naoki Yokoyama, Yoshiki Morioka, Tomotaka Murata, Hiroto Honda, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Shigeki Tokita, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 15　No. 10　p. 112002-1-112002-6　2022年10月17日　研究論文（学術雑誌）

  13. DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device

    Tomoaki Nambu, Taketo Yano, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Yasunori Tanaka, Yutaka Maegaki, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Shuhei Kobayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Ryota Ishii, Yoichi Kawakami, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Optics Express　Vol. 30　No. 11　p. 18628-1-18628-10　2022年5月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Optica Publishing Group

  14. GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion

    Naoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Yuma Yasuda, Hiroto Honda, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 5　p. 050902-1-050902-6　2022年2月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  15. Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure

    Tomoaki Nambu, Takumi Nagata, Soshi Umeda, Keishi Shiomi, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Abdul Mannan, Filchito Renee G. Bagsican, Kazunori Serita, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 6　p. 061004-061004　2021年6月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  16. Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping

    Mayuko Tsukakoshi, Tomoyuki Tanikawa, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 5　p. 055504-055504　2021年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  17. Polarity inversion of aluminum nitride by direct wafer bonding

    Yusuke Hayashi, Ryuji Katayama, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Hideto Miyake

    Applied Physics Express　Vol. 11　No. 3　p. 031003-1-031003-4　2018年3月　研究論文（学術雑誌）

  18. Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Express　Vol. 10　No. 8　p. 082101-1-082101-4　2017年8月　研究論文（学術雑誌）

  19. Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000(1)over-bar) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Ryohei Nonoda, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 55　No. 5　p. 05FE01-1-05FE01-4　2016年5月　研究論文（学術雑誌）

  20. Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of gallium nitride

    Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Hiroyuki Yaguchi, Tomonori Matsushita, Takashi Kondo

    Applied Physics Letters　Vol. 91　No. 6　2007年8月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  21. Fabrication of lateral lattice-polarity-inverted GaN heterostructure

    Ryuji Katayama, Yoshihiro Kuge, Takashi Kondo, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 301-302　p. 447-451　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  22. Complementary analyses on the local polarity in lateral polarity-inverted GaN heterostructure on sapphire (0001) substrate

    Ryuji Katayama, Yoshihiro Kuge, Kentaro Onabe, Tomonori Matsushita, Takashi Kondo

    Applied Physics Letters　Vol. 89　No. 23　p. 231910-1-231910-3　2006年12月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  23. Buffer design for nitrogen polarity GaN on sapphire (0001) by RF-MBE and application to the nanostructure formation using KOH etching

    Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures　Vol. 32　No. 1-2　p. 245-248　2006年2月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  24. Built-in electric field at cubic GaN/GaAs(001) heterointerfaces investigated by phase-selected photoreflectance excitation

    Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki

    physica status solidi (b)　Vol. 241　No. 12　p. 2749-2753　2004年9月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  25. Electrically biased photoreflectance study of cubic GaN/GaAs(001) heterointerface

    Ryuji Katayama, Masayuki Kuroda, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki

    physica status solidi (c)　Vol. 0　No. 7　p. 2597-2601　2003年10月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  26. Photoconductivity and Electroreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures by Optical-Biasing Technique

    R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, Y. Shiraki

    physica status solidi (b)　Vol. 234　No. 3　p. 877-81　2002年12月3日　研究論文（学術雑誌）

  27. Optically-Biased Photoconductivity Spectrum Measurements of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures

    R Katayama, M Kobayakawa, A Nagayama, J Wu, K Onabe, Y Shiraki

    Compound Semiconductors　Vol. 170　p. 725-730　2002年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：CRC Press

  28. Design and Fabrication of Organic Waveguiding Devices for Quasi-Phase-Matched Second-Harmonic Generation

    E. Nishina, R. Katayama, T. Kondo, R. Ito, J.C. Kim, T. Watanabe, S. Miyata

    Nonlinear Optics　Vol. 22　p. 433-436　1999年1月　研究論文（学術雑誌）

  29. Investigation of characteristics of GaN-based blue DFB laser diodes over a wide detuning range

    Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Kohei Miyoshi, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 5　p. 052001-1-052001-8　2025年5月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  30. Epitaxial Growth of AlGaN/AlN Strained-Layer Superlattices by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Far-UV Second Harmonic Generation

    Shahzeb Malik, Masaaki Ito, Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Crystal Growth &amp; Design　Vol. 25　No. 10　p. 3266-3273　2025年5月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)

  31. Polarity inversion of N-polar GaN by metalorganic vapor phase epitaxy via thermal oxidation

    Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 2　p. 020903-1-020903-6　2025年2月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  32. Polarity inversion of GaN from +c to −c polarity by metalorganic vapor phase epitaxy

    Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 2　p. 020901-1-020901-5　2025年2月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  33. Detuning dependence in current-light-output characteristics of GaN-based DFB laser diodes

    Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 2　p. 022001-1-022001-10　2025年2月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  34. Metalorganic Vapor‐Phase Epitaxy of +c/−c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi‐Phase‐Matched Wavelength Conversion Device

    Kazuhisa Ikeda, Shahzeb Malik, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    physica status solidi (b)　Vol. 261　No. 11　p. 2400161-1-2400161-9　2024年9月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  35. Large Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1(Formula Presented)01) GaN Stripes on Patterned Si Substrates Prepared using Maskless Lithography

    Naofumi Takeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　Vol. 2024　p. 2400071-1-2400071-6　2024年6月21日　研究論文（学術雑誌）

  36. Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks

    Tomoka Nishikawa, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 3　p. SF1015-1-SF1015-7　2023年3月31日　研究論文（学術雑誌）

  37. Enlargement of mode size in annealed proton-exchanged periodically-poled MgO doped stoichiometric LiTaO3 waveguide for high power second harmonic generation

    Ryosuke Noro, Masahide Okazaki, Ikuo Mizobata, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 7　p. 072006-1-072006-6　2022年7月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  38. Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystals

    Hiroki Ishihara, Keiya Shimada, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Kazuhiro Kurose, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takayuki Nakano

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 6　p. SK1020-1-SK1020-7　2022年6月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  39. Emission color modulation of InGaN/GaN multiple quantum wells by selective area metalorganic vapor phase epitaxy on hexagonal windows

    Shin Yoshida, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 3　p. 030904-030904　2022年3月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  40. Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

    V. Suresh Kumar, Shiyang Ji, Yuantao Zhang, Kanako Shojiki, Jung Hun Choi, Takeshi Kimura, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology　Vol. 20　No. 5　p. 2979-2986　2020年5月1日　研究論文（学術雑誌）

  41. Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    Kengo Takamiya, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, Hidefumi Akiyama, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　Vol. 255　No. 5　2018年5月　研究論文（学術雑誌）

  42. Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films using a Cu-Zn-Sn-O amorphous precursor and supercritical fluid sulfurization

    Yuta Nakayasu, Takaaki Tomai, Nobuto Oka, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Liwen Sang, Masatomo Sumiya, Itaru Honma

    THIN SOLID FILMS　Vol. 638　p. 244-250　2017年9月　研究論文（学術雑誌）

  43. Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4(0001) substrate with millimeter-scale wide terraces

    Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka

    physica status solidi (a)　Vol. 214　No. 9　p. 1600754-1-1600754-8　2016年12月27日　研究論文（学術雑誌）

  44. Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disks

    Yi-Chun Lai, Akio Higo, Takayuki Kiba, Cedric Thomas, Shula Chen, Chang Yong Lee, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kanako Shojiki, Junichi Takayama, Ichiro Yamashita, Akihiro Murayama, Gou-Chung Chi, Peichen Yu, Seiji Samukawa

    Nanotechnology　Vol. 27　No. 42　p. 425401-1-425401-5　2016年9月15日　研究論文（学術雑誌）

  45. Homogeneity improvement of N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane

    Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 5S　p. 05FA09-1-05FA09-8　2016年4月13日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  46. Electrical characteristics of N-polar (000(1)over-bar) p-type GaN Schottky contacts

    Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, Kenji Shiojima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 55　No. 4　p. 04EJ09-1-04EJ09-5　2016年4月　研究論文（学術雑誌）

  47. Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metalorganic vapor phase epitaxy

    Jinyeop Yoo, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 5S　p. 05FA04-1-05FA04-5　2016年3月31日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  48. Large Stokes-like shift in N-polar InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 5S　p. 05FJ03-1-05FJ03-4　2016年3月30日　研究論文（学術雑誌）

  49. MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface

    K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)　2016年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  50. Red to blue wavelength emission of N-polar $(000\bar{1})$ InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Jung-Hun Choi, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Applied Physics Express　Vol. 8　No. 6　p. 061005-1-061005-4　2015年6月4日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  51. Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (0001¯) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Takuya Iwabuchi, Noritaka Usami, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Applied Physics Letters　Vol. 106　No. 22　p. 222102-1-222102-4　2015年6月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  52. Fabrication of InGaN/GaN Nanodisk Structure by using Bio-template and Neutral Beam Etching Process

    Yi-Chun Lai, Akio Higo, Chang Yong Lee, Cedric Thomas, Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takayuki Kiba, Peichen Yu, Ichiro Yamashita, Akihiro Murayama, Seiji Samukawa

    2015 IEEE 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO)　p. 1278-1281　2015年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  53. Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Jung-Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology　Vol. 14　No. 8　p. 6112-6115　2014年8月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Scientific Publishers

  54. Improvement of surface morphology of nitrogen-polar GaN by introducing indium surfactant during MOVPE growth

    Takashi Aisaka, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 8　p. 085501-1-085501-4　2014年7月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  55. Effect ofc-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN

    Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 5S1　p. 05FL07-1-05FL07-5　2014年4月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  56. Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar GaN/sapphire

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 5S1　p. 05FL05-1-05FL05-4　2014年4月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  57. Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy

    Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Thin Solid Films　Vol. 536　p. 152-155　2013年4月17日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  58. Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE

    Jung‐Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    physica status solidi (c)　Vol. 10　No. 3　p. 417-420　2013年2月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  59. AlGaN/GaN MIS‐gate HEMTs with SiCN gate stacks

    Kengo Kobayashi, Masaki Kano, Tomohiro Yoshida, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

    physica status solidi (c)　Vol. 10　No. 5　p. 790-793　2013年2月6日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  60. RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer

    Masahiro Kakuda, Sei Morikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 378　p. 307-309　2013年1月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  61. Growth Temperature Dependence of Phase Purity in InN Grown by Pressurized Reactor MOVPE

    T. Kimura, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, J. G. Kim, N. Hasuike, H. Harima, R. Katayama, T. Matsuoka

    J. Appl. Phys　2013年　研究論文（学術雑誌）

  62. Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates

    Ri Guo Jin, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi

    Journal of Crystal Growth　Vol. 378　p. 85-87　2012年12月31日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  63. Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in Nitrogen $\delta$-Doped GaAs

    Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi

    Applied Physics Express　Vol. 5　No. 11　p. 111201-1-111201-3　2012年10月25日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  64. Effect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Grown InN

    Takuya Iwabuchi, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Kiattiwut Prasertsuk, Haruna Watanabe, Noritaka Usami, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 51　No. 4S　p. 04DH02-1-04DH02-4　2012年4月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  65. Tilted Domain and Indium Content of InGaN Layer on m-Plane GaN Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Takaaki Shimada, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 51　No. 4S　p. 04DH01-1-04DH01-4　2012年4月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  66. Effect of Nitridation on Indium-Composition of InGaN Films

    Jung Hun Choi, Suresh Kumar, Shi Yang Ji, Shojiki Kanako, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Key Engineering Materials　Vol. 508　p. 193-198　2012年3月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  67. Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure

    Kentaro Watanabe, Masakazu Ichikawa, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Vacuum Science &amp; Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena　Vol. 30　No. 2　p. 021802-1-021802-6　2012年2月13日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Vacuum Society

  68. Phase diagram on phase purity of InN grown pressurized‐reactor MOVPE

    Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertsuk, Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    physica status solidi (c)　Vol. 9　No. 3-4　p. 654-657　2012年2月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  69. Relationship between residual carrier density and phase purity in InN grown by pressurized‐reactor MOVPE

    Kiattiwut Prasertsuk, Masaki Hirata, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Takuya Iwabuchi, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    physica status solidi c　Vol. 9　No. 3-4　p. 681-684　2012年1月25日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  70. Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide

    Kengo Takamiya, Yuta Endo, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi

    Materials Science Forum　Vol. 706-709　p. 2916-2921　2012年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  71. Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence Nanospectroscopies

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Masakazu Ichikawa

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 50　No. 8S3　p. 08LB18-1-08LB18-4　2011年8月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  72. Carrier-concentration dependent photoluminescence of InAsN films grown by RF-MBE

    Shigeyuki Kuboya, Masayuki Kuroda, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 323　No. 1　p. 26-29　2010年12月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  73. Effect of growth temperature on structure properties of InN grown by pressurized‐reactor metalorganic vapor phase epitaxy

    Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Masaki Hirata, Kiattiwut Prasertusk, Shiyang Ji, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    physica status solidi (c)　Vol. 8　No. 2　p. 482-484　2010年12月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  74. Lateral patterning of GaN polarity using wet etching process

    Yujiro Fukuhara, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    physica status solidi (c)　Vol. 7　No. 7-8　p. 1922-1924　2010年6月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  75. MOVPE growth and optical characterization of InGaAsN T-shaped quantum wires lattice-matched to GaAs

    Pawinee Klangtakai, Sakuntam Sanorpim, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    physica status solidi (a)　Vol. 207　No. 6　p. 1418-1420　2010年5月17日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  76. MOVPE growth of high optical quality InGaPN layers on GaAs (001) substrates

    Dares Kaewket, Sakuntam Sanorpim, Sukkaneste Tungasmita, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    physica status solidi c　Vol. 7　No. 7-8　p. 2079-2081　2010年5月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  77. Lattice-Latching Effect in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAsN Film Lattice-Matched to Bulk InGaAs Substrate

    S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe, N. Usami, K. Nakajima

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 49　No. 4R　p. 040202-1-040202-3　2010年4月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

  78. Photoreflectance Study of Strained GaAsN/GaAs T-junction Quantum Wires Grown by MOVPE

    Pawinee Klangtakai, Sakuntam Sanorpim, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2　p. 402-+　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  79. Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A

    T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe

    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures　Vol. 42　No. 10　p. 2529-2531　2009年12月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  80. Band alignment of lattice-matched InGaPN/GaAs and GaAs/InGaPN quantum wells grown by MOVPE

    Dares Kaewket, Sakuntam Sanorpim, Sukkaneste Tungasmita, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures　Vol. 42　No. 4　p. 1176-1179　2009年12月6日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  81. Photoluminescence Study of Type-II InGaPN/GaAs Quantum Wells

    Dares Kaewket, Sakuntam Sanorpim, Sukkaneste Tungasmita, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology　Vol. 10　No. 11　p. 7154-7157　2009年10月30日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Scientific Publishers

  82. Scanning tunneling microscope–cathodoluminescence measurement of the GaAs/AlGaAs heterostructure

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Vacuum Science &amp; Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena　Vol. 27　No. 4　p. 1874-1880　2009年6月29日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Vacuum Society

  83. Metastable cubic InN layers on GaAs (001) substrates grown by MBE: Growth condition and crystal structure

    Sakuntam Sanorpim, Papaporn Jantawongrit, Sman Kuntharin, Chanchana Thanachayanont, Teruyuki Nakamura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    physica status solidi (c)　Vol. 6　No. S2　p. S376-S380　2009年5月8日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  84. MOVPE growth of InN films using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen precursor

    Quang Tu Thieu, Yuki Seki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 311　No. 10　p. 2802-2805　2009年1月13日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  85. InGaPN/GaP Lattice-Matched Single Quantum Wells on GaP (001) Grown by MOVPE

    D. Kaewket, S. Sanorpim, Sukkaneste Tungasmita, R. Katayama, Kentaro Onabe

    Advanced Materials Research　Vol. 55-57　p. 821-824　2008年8月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  86. Effect of Substrate-Surface Orientation on the N Incorporation in GaAsN Films on GaAs Grown by MOVPE

    P. Klangtakai, S. Sanorpim, S. Kuboya, R. Katayama, Kentaro Onabe

    Advanced Materials Research　Vol. 55-57　p. 825-828　2008年8月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  87. Incorporation of N in high N‐content GaAsN films investigated by Raman scattering

    S. Sanorpim, P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, F. Nakajima, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe

    physica status solidi (c)　Vol. 5　No. 9　p. 2923-2925　2008年6月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  88. Electrical conduction in cubic GaN films grown on GaAs(001) by RF‐MBE

    Masatoshi Kohno, Teruyuki Nakamura, Takahiro Kataoka, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    physica status solidi (c)　Vol. 5　No. 6　p. 1805-1807　2008年4月25日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  89. MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs

    Shigeyuki Kuboya, Shun Takahashi, Quan Tu. Thieu, Fumihiro Nakajima, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    physica status solidi (c)　Vol. 5　No. 6　p. 1715-1718　2008年4月17日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  90. RF‐MBE growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates

    Teruyuki Nakamura, Takahiro Kataoka, Ryuji Katayama, Takahisa Yamamoto, Kentaro Onabe

    physica status solidi (c)　Vol. 5　No. 6　p. 1712-1714　2008年4月17日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  91. Band gap energy fluctuations in InGaN films grown by RF‐MBE with changing nitrogen supply rate investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy

    Hironori Komaki, Takashi Shimohara, K. Sakai, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Atsushi Fukuyama, Tetsuo Ikari

    physica status solidi (c)　Vol. 5　No. 2　p. 499-502　2007年12月18日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  92. Optical Transitions in InGaPN/GaP Single Quantum Wells on GaP(100) Substrates by MOVPE

    S. Sanorpim, D. Kaewket, Sukkaneste Tungasmita, R. Katayama, Kentaro Onabe

    Advanced Materials Research　Vol. 31　p. 224-226　2007年11月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  93. A Comparison of the Structural Quality of High-In Content InGaAsN Films Grown on InGaAs Pseudosubstrate and on GaAs Substrate

    S. Sanorpim, P. Kongjaeng, R. Katayama, Kentaro Onabe

    Advanced Materials Research　Vol. 31　p. 221-223　2007年11月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  94. MOVPE Growth Window for High-Nitrogen GaAsN Alloy Films for Long Wavelength Emission

    Sakuntam Sanorpim, Fumihiro Nakajima, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Advanced Materials Research　Vol. 31　p. 218-220　2007年11月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  95. Structural Investigation of Cubic-Phase InN on GaAs (001) Grown by MBE under In- and N-Rich Growth Conditions

    Sman Kuntharin, Sakuntam Sanorpim, Teruyuki Nakamura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Advanced Materials Research　Vol. 31　p. 215-217　2007年11月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Trans Tech Publications, Ltd.

  96. Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs

    Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures　Vol. 40　No. 6　p. 2110-2112　2007年10月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  97. InAsN quantum dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPE

    S. Kuboya, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    physica status solidi c　Vol. 4　No. 7　p. 2387-2390　2007年5月31日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  98. Structural and optical characterization of high In content cubic InGaN on GaAs(001) substrates by RF‐MBE

    Teruyuki Nakamura, Yuta Endo, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe

    physica status solidi (c)　Vol. 4　No. 7　p. 2437-2440　2007年5月31日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  99. Structural transition control of laterally overgrown c-GaN and h-GaN on stripe-patterned GaAs (001) substrates by MOVPE

    S. Sanorpim, E. Takuma, H. Ichinose, R. Katayama, K. Onabe

    physica status solidi (b)　Vol. 244　No. 6　p. 1769-1774　2007年5月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  100. Growth of In-rich InGaN films on sapphire via GaN layer by RF-MBE

    Hironori Komaki, Teruyuki Nakamura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Masashi Ozeki, Tetsuo Ikari

    Journal of Crystal Growth　Vol. 301-302　p. 473-477　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  101. RF–MBE growth and structural characterization of cubic InN films on yttria-stabilized zirconia (001) substrates

    Teruyuki Nakamura, Yuki Tokumoto, Ryuji Katayama, Takahisa Yamamoto, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 301-302　p. 508-512　2007年3月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  102. Nitrogen supply rate dependence of InGaN growth properties, by RF-MBE

    Hironori Komaki, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Masashi Ozeki, Tetsuo Ikari

    Journal of Crystal Growth　Vol. 305　No. 1　p. 12-18　2007年3月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  103. Surface photovoltage spectroscopy characterization of InGaPN alloys grown on GaP substrates

    H P Hsu, P Y Wu, Y S Huang, S Sanorpim, K K Tiong, R Katayama, K Onabe

    Journal of Physics: Condensed Matter　Vol. 19　No. 9　p. 096009-1--8　2007年2月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  104. Post-growth thermal annealing of high N-content GaAsN by MOVPE and its effect on strain relaxation

    Pawinee Klangtakai, Sakuntam Sanorpim, Kajornyod Yoodee, Wataru Ono, Fumio Nakajima, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　p. 140-144　2007年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  105. Growth and post-growth rapid thermal annealing of InGaPN on GaP grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Sakuntam Sanorpim, Fumihiro Nakajima, Nobuhiro Nakadan, Tokuharu Kimura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　p. 150-153　2007年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  106. MOVPE growth and optical characterization of GaPN films using tertiarybutylphosphine (TBP) and 1,1-dimethylhydrazine (DMHy)

    Fumihiro Nakajima, Wataru Ono, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　p. 103-106　2007年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  107. Shutterless nitrogen flux modulation using a dual-mode rf-plasma operation during RF-MBE growth of GaN

    Ryuji Katayama, Hideyo Tsurusawa, Teruyuki Nakamura, Hironori Komaki, Kentaro Onabe

    physica status solidi (a)　Vol. 204　No. 1　p. 277-281　2007年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  108. Characterization of MOVPE grown GaAs1-xNx/GaAs multiple quantum wells emitting around 1.3-mu m-wavelength region

    P. Klangtakai, S. Sanorpim, K. Yoodee, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    2007 2ND IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, VOLS 1-3　p. 435-+　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  109. Visible photoluminescence from InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE

    D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe

    2007 2ND IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, VOLS 1-3　p. 429-+　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  110. Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE

    Dares Kaewket, Sukkaneste Tungasmita, Sakuntam Sanorpim, Fumihiro Nakajima, Nobuhiro Nakadan, Tokuharu Kimura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　p. 531-535　2006年12月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  111. Micro-photoluminescence study of nitrogen delta-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　p. 73-75　2006年12月18日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  112. Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

    Pornsiri Kongjaeng, Sakuntam Sanorpim, Takahisa Yamamoto, Wataru Ono, Fumio Nakajima, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　p. 111-115　2006年12月6日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  113. MOVPE and characterization of InAsN/GaAs multiple quantum wells

    S. Kuboya, Q.T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　p. 544-547　2006年11月29日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  114. Substrate-surface orientation dependence of N content in MOVPE growth of GaAsN films on GaAs

    W. Ono, F. Nakajima, S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　p. 135-139　2006年11月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  115. Correlation between Raman intensity of the N-related local vibrational mode and N content in GaAsN strained layers grown by MOVPE

    P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, S. Sanorpim, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　p. 107-110　2006年11月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  116. Growth and optical characterization of InAsN quantum dots

    Hideyo Tsurusawa, Atsushi Nishikawa, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    physica status solidi (b)　Vol. 243　No. 7　p. 1657-1660　2006年6月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  117. MOVPE growth of InAsN films on GaAs(001) substrates with an InAs buffer layer

    Shigeyuki Kuboya, Fumihiro Nakajima, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    physica status solidi (b)　Vol. 243　No. 7　p. 1411-1415　2006年6月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  118. RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on GaAs

    T. Nakamura, K. Iida, R. Katayama, T. Yamamoto, K. Onabe

    physica status solidi (b)　Vol. 243　No. 7　p. 1451-1455　2006年6月9日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  119. Piezoelectric Photothermal and Photoreflectance Spectra of InxGa1-xN Grown by Radio-Frequency Molecular Beam Epitaxy

    Eiki Kawano, Yuki Uchibori, Takashi Shimohara, Hironori Komaki, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 45　No. 5B　p. 4601-4603　2006年5月25日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  120. High-nitrogen-content InGaAsN films on GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy with TBAs and DMHy

    Sakuntam Sanorpim, Fumihiro Nakajima, Wataru Ono, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    physica status solidi (a)　Vol. 203　No. 7　p. 1612-1617　2006年5月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  121. MOVPE growth and optical characterization of GaAsN films with higher nitrogen concentrations

    F. Nakajima, S. Sanorpim, W. Ono, R. Katayama, K. Onabe

    physica status solidi (a)　Vol. 203　No. 7　p. 1641-1644　2006年5月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  122. Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(0 0 1) substrates with relatively thin low-temperature GaN buffer layer

    Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 278　No. 1-4　p. 431-436　2005年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  123. Growth and characterization of InAsN alloy films and quantum wells

    Masayuki Kuroda, Atsushi Nishikawa, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 278　No. 1-4　p. 254-258　2005年3月2日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  124. Excitation power dependent photoluminescence of In0.7Ga0.3As1−xNx quantum dots grown on GaAs (001)

    A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, Y.G. Hong, C.W. Tu

    Journal of Crystal Growth　Vol. 278　No. 1-4　p. 244-248　2005年1月23日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  125. Growth mechanism and structural characterization of hexagonal GaN films grown on cubic GaN (111)/GaAs (111)B substrates by MOVPE

    Sakuntam Sanorpim, Ryuji Katayama, Kajornyod Yoodee, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 275　No. 1-2　p. e1023-e1027　2004年12月20日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  126. MOVPE growth and optical investigations of InGaPN alloys

    Sakuntam Sanorpim, Fumihiro Nakajima, Nobuhiro Nakadan, Tokuharu Kimura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 275　No. 1-2　p. e1017-e1021　2004年12月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  127. Optical characterization of InAsN single quantum wells grown by RF-MBE

    Masayuki Kuroda, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki

    physica status solidi (b)　Vol. 241　No. 12　p. 2791-2794　2004年9月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  128. Highly luminescent cubic GaN microcrystals grown on GaAs(001) substrates by RF-MBE

    Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki

    physica status solidi (b)　Vol. 241　No. 12　p. 2739-2743　2004年9月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  129. Microstructures, defects, and localization luminescence in InGaAsN alloy films

    F. Nakajima, S. Sanorpim, T. Yamamoto, E. Takuma, R. Katayama, H. Ichinose, K. Onabe, Y. Shiraki

    physica status solidi (c)　No. 7　p. 2778-2781　2003年11月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  130. Hall effect measurement of InAsN alloy films grown directly on GaAs(001) substrates by RF‐MBE

    M. Kuroda, R. Katayama, S. Nishio, K. Onabe, Y. Shiraki

    physica status solidi (c)　Vol. 0　No. 7　p. 2765-2768　2003年11月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  131. MOVPE growth and characterization of high‐N content InGaPN alloy lattice‐matched to GaP

    S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, N. Nakadan, T. Kimura, K. Onabe, Y. Shiraki

    physica status solidi (c)　Vol. 0　No. 7　p. 2773-2777　2003年11月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  132. Characterization of MOVPE-grown GaN layers on GaAs (111)B with a cubic-GaN (111) epitaxial intermediate layer

    S. Sanorpim, E. Takuma, R. Katayama, H. Ichinose, K. Onabe, Y. Shiraki

    physica status solidi (b)　Vol. 240　No. 2　p. 305-309　2003年11月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  133. RF-MBE growth of InAsN layers on GaAs (001) substrates using a thick InAs buffer layer

    Susumu Nishio, Atsushi Nishikawa, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki

    Journal of Crystal Growth　Vol. 251　No. 1-4　p. 422-426　2003年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  134. MBE growth and photoreflectance study of GaAsN alloy films grown on GaAs (001)

    Atsushi Nishikawa, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki

    Journal of Crystal Growth　Vol. 251　No. 1-4　p. 427-431　2003年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  135. The compositional and optical characterizations of InGaAsN alloy semiconductor grown by MOVPE

    S Sanorpim, F Nakajima, R Katayama, K Onabe, Y Shiraki

    PROGRESS IN SEMICONDUCTORS II- ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC APPLICATIONS　Vol. 744　p. 665-670　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  136. Physical Mechanisms of Photoluminescence of InGaAs(N) Alloy Films Grown by MOVPE

    S. Sanorpim, F. Nakajima, S. Imura, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, Y. Shiraki

    physica status solidi (b)　Vol. 234　p. 782-786　2002年12月3日　研究論文（学術雑誌）

  137. Reduction of Planar Defect Density in Laterally Overgrown Cubic-GaN on Patterned GaAs(001) Substrates by MOVPE

    S. Sanorpim, E. Takuma, R. Katayama, K. Onabe, H. Ichinose, Y. Shiraki

    physica status solidi (b)　Vol. 234　No. 3　p. 840-844　2002年12月3日　研究論文（学術雑誌）

  138. Structural Study on Stacking Faults in GaN/GaAs (001) Heterostructures

    A Nagayama, H Sawada, E Takuma, R Katayama, K Onabe, H Ichinose, Y Shiraki

    Compound Semiconductors　Vol. 170　p. 749-730　2002年1月　研究論文（学術雑誌）

  139. Cubic-GaN Films on GaAs(001) Substrates without Deep-Level Luminescence Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    K. Onabe, J. Wu, R. Katayama, F.H. Zhao, A. Nagayama, Y. Shiraki

    physica status solidi (a)　Vol. 180　No. 1　p. 15-19　2000年7月21日　研究論文（学術雑誌）

  140. Substrate Misorientation Dependence of the Hexagonal Phase Inclusion in Cubic GaN Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    A. Nagayama, R. Katayama, N. Nakadan, K. Miwa, H. Yaguchi, J. Wu, K. Onabe, Y. Shiraki

    physica status solidi (a)　Vol. 176　No. 1　p. 513-517　1999年11月22日　研究論文（学術雑誌）

MISC 162

  1. 近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製

    林侑介, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 片山竜二, 酒井朗, 三宅秀人

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 80th　2019年

  2. N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 (電子デバイス)

    青木 俊周, 谷川 智之, 片山 竜二

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　Vol. 115　No. 156　p. 1-4　2015年7月24日

    出版者・発行元：電子情報通信学会

  3. Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　Vol. 14　No. 8　p. 6112-6115　2014年8月

  4. Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (000(1) over bar) GaN/sapphire

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 53　No. 5　2014年5月

  5. Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN

    Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 53　No. 5　2014年5月

  6. Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar GaN/sapphire

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 5S1　p. 05FL05-1-05FL05-4　2014年4月7日

  7. RF‐MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長

    五十嵐健, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 片山竜二, 矢口裕之

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 61st　2014年3月3日

  8. 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定

    高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 74th　2013年8月31日

  9. Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy

    Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Thin Solid Films　Vol. 536　p. 152-155　2013年6月1日

  10. AlGaN/GaN MIS‐gate HEMTs with SiCN gate stacks

    K Kobayashi, M Kano, T Yoshida, R Katayama, T Matsuoka, T Otsuji, T Suemitsu

    physica status solidi (c )　Vol. 10　No. 5　p. 790-793　2013年5月

  11. AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks

    K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 10　No. 5　p. 790-793　2013年5月

  12. Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE

    Jung-Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3　Vol. 10　No. 3　p. 417-420　2013年

  13. RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer

    M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 378　p. 307-309　2013年

  14. Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (0 0 1) substrates

    Ri Guo Jin, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi

    Journal of Crystal Growth　Vol. 378　p. 85-87　2013年

  15. Key factors for metal organic chemical vapor deposition of InGaN films with high InN molar fraction

    Yu Huai Liu, Fang Wang, Wei Zhang, Shou Yi Yang, Yuan Tao Zhang, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Applied Mechanics and Materials　Vol. 341-342　p. 204-207　2013年

  16. Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs

    Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi

    AIP Conference Proceedings　Vol. 1566　No. 1　p. 538-539　2013年

  17. Biexciton luminescence from individual isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs

    Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi

    Applied Physics Express　Vol. 5　No. 11　2012年11月

  18. 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定

    高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 73rd　2012年8月27日

  19. MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長

    JIN R, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 73rd　2012年8月27日

  20. Effect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Grown InN

    Takuya Iwabuchi, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Kiattiwut Prasertsuk, Haruna Watanabe, Noritaka Usami, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 51　No. 4　2012年4月

  21. Tilted Domain and Indium Content of InGaN Layer on m-Plane GaN Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Takaaki Shimada, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 51　No. 4　2012年4月

  22. Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure

    Kentaro Watanabe, Masakazu Ichikawa, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　Vol. 30　No. 2　2012年3月

  23. 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光

    高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 59th　2012年2月29日

  24. Relationship between residual carrier density and phase purity in InN grown by pressurized-reactor MOVPE

    Kiattiwut Prasertsuk, Masaki Hirata, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Takuya Iwabuchi, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4　Vol. 9　No. 3-4　p. 681-684　2012年

  25. Phase diagram on phase purity of InN grown pressurized-reactor MOVPE

    Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertsuk, Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4　Vol. 9　No. 3-4　p. 654-657　2012年

  26. Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films

    Jung-Hun Choi, Suresh Kumar, Shi-Yang Ji, Shojiki Kanako, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    MATERIALS INTEGRATION　Vol. 508　p. 193-+　2012年

  27. III-V-N alloys grown by MOVPE in H-2 and N-2 mixed carrier gases

    S. Kuboya, Q. T. Thieu, S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES IX　Vol. 8268　2012年

  28. Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides

    Ryuji Katayama, Yujiro Fukuhara, Masahiro Kakuda, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Syusai Kurokawa, Naoto Fujii, Takashi Matsuoka

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES IX　Vol. 8268　2012年

  29. Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence Nanospectroscopies

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Masakazu Ichikawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 8　2011年8月

  30. Carrier-concentration dependent photoluminescence of InAsN films grown by RF-MBE

    S. Kuboya, M. Kuroda, R. Katayama, K. Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 323　No. 1　p. 26-29　2011年5月

  31. Possibility of Pressurized-Reactor MOVPE for Nitride Semiconductors

    T. Matsuoka, Y. Liu, T. Kimura, R. Katayama

    Proceedings of LED 2011　2011年

  32. Effect of growth temperature on structure properties of InN grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy

    Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Masaki Hirata, Kiattiwut Prasertusk, Shiyang Ji, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　Vol. 8　No. 2　p. 483-484　2011年

  33. Optical Properties of narrow-bandgap dilute nitrides

    S. Kuboya, M. Kuroda, Q. T. Thieu, R. Katayama, K. Onabe

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES VIII　Vol. 7945　p. 794518-794518　2011年

  34. Possibility of Pressurized-Reactor MOVPE for Nitride Semiconductors

    T. Matsuoka, Y. Liu, T. Kimura, R. Katayama

    Proceedings of LED 2011　2011年

  35. Cubic III-nitrides: potential photonic materials

    K. Onabe, S. Sanorpim, H. Kato, M. Kakuda, T. Nakamura, K. Nakamura, S. Kuboya, R. Katayama

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES VIII　Vol. 7945　p. 794517-794517　2011年

  36. Paving the way to high-quality Indium Nitride -The effects of pressurized reactor -

    Takashi Matsuoka, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Kiattiwut Prasertsuk, Ryuji Katayama

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES VIII　Vol. 7945　p. 794519-794519　2011年

  37. Photoluminescence Study of Type-II InGaPN/GaAs Quantum Wells

    Dares Kaewket, Sakuntam Sanorpim, Sukkaneste Tungasmita, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　Vol. 10　No. 11　p. 7154-7157　2010年11月

  38. Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(1 1 1)A

    T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe

    Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures　Vol. 42　No. 10　p. 2529-2531　2010年9月

  39. 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル

    大久保航, 石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 71st　2010年8月30日

  40. 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響

    新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 71st　2010年8月30日

  41. MOVPE growth and optical characterization of InGaAsN T-shaped quantum wires lattice-matched to GaAs

    Pawinee Klangtakai, Sakuntam Sanorpim, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　Vol. 207　No. 6　p. 1418-1420　2010年6月

  42. Band alignment of lattice-matched InGaPN/GaAs and GaAs/InGaPN quantum wells grown by MOVPE

    Dares Kaewket, Sakuntam Sanorpim, Sukkaneste Tungasmita, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　Vol. 42　No. 4　p. 1176-1179　2010年2月

  43. Lateral patterning of GaN polarity using wet etching process

    Yujiro Fukuhara, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8　Vol. 7　No. 7-8　p. 1922-1924　2010年

  44. MOVPE growth of high optical quality InGaPN layers on GaAs (001) substrates

    Dares Kaewket, Sakuntam Sanorpim, Sukkaneste Tungasmita, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8　Vol. 7　No. 7-8　p. 2079-2081　2010年

  45. Scanning tunneling microscope-cathodoluminescence measurement of the GaAs/AlGaAs heterostructure

    Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　Vol. 27　No. 4　p. 1874-1880　2009年7月

  46. MOVPE growth of InN films using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen precursor

    Quang Tu Thieu, Yuki Seki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 311　No. 10　p. 2802-2805　2009年5月

  47. Metastable cubic InN layers on GaAs (001) substrates grown by MBE: Growth condition and crystal structure

    Sakuntam Sanorpim, Papaporn Jantawongrit, Sman Kuntharin, Chanchana Thanachayanont, Teruyuki Nakamura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2　Vol. 6　No. S2　p. S376-S380　2009年

  48. “Twin Photoluminescence Peaks from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen -doped GaAs”,

    Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    Physica E　Vol. 40　No. 6　p. 2110-2112　2008年4月

  49. Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs

    Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures　Vol. 40　No. 6　p. 2110-2112　2008年4月

  50. Optical transitions in InGaPN/GaP single quantum wells on GaP(100) substrates by MOVPE

    S. Sanorpim, D. Kaewket, S. Tungasmita, R. Katayama, K. Onabe

    SEMICONDUCTOR PHOTONICS: NANO-STRUCTURED MATERIALS AND DEVICES　Vol. 31　p. 224-+　2008年

  51. “Incorporation of N in High N-Content GaAsN Films Investigated by Raman Scattering”,

    S. Sanorpim, P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, F. Nakajima, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe

    phys. stat. sol. (c)　Vol. 5　No. 9　p. 2923-+　2008年

  52. “RF-MBE Growth of Cubic InN Films on YSZ(001) Vicinal Substrates”,

    T. Nakamura, T. Kataoka, R. Katayama, T. Yamamoto, K. Onabe

    phys. stat. sol. (c),　Vol. 5　No. 6　p. 1712-1714　2008年

  53. Structural investigation of cubic-phase InN on GaAs (001) grown by MBE under In- and N-rich growth conditions

    S. Kuntharin, S. Sanorpim, T. Nakamura, R. Katayama, K. Onabe

    SEMICONDUCTOR PHOTONICS: NANO-STRUCTURED MATERIALS AND DEVICES　Vol. 31　p. 215-+　2008年

  54. Electrical conduction in cubic GaN films grown on GaAs(001) by RF-MBE

    M. Kohno, T. Nakamura, T. Kataoka, R. Katayama, K. Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6　Vol. 5　No. 6　p. 1805-1807　2008年

  55. Effect of Substrate-surface Orientation on the N Incorporation in GaAsN Films on GaAs Grown by MOVPE

    P. Klangtakai, S. Sanorpim, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe

    SMART MATERIALS　Vol. 55-57　No. 57　p. 825-+　2008年

  56. InGaPN/GaP Lattice-matched Single Quantum Wells on GaP (001) Grown by MOVPE

    D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, K. Onabe

    SMART MATERIALS　Vol. 55-57　No. 57　p. 821-+　2008年

  57. MOVPE growth window for high-Nitrogen GaAsN alloy films for long wavelength emission

    S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    SEMICONDUCTOR PHOTONICS: NANO-STRUCTURED MATERIALS AND DEVICES　Vol. 31　p. 218-+　2008年

  58. A comparison of the structural quality of high-In content InGaAsN films grown on InGaAs pseudosubstrate and on GaAs substrate

    S. Sanorpim, P. Kongjaeng, R. Katayama, K. Onabe

    SEMICONDUCTOR PHOTONICS: NANO-STRUCTURED MATERIALS AND DEVICES　Vol. 31　p. 221-+　2008年

  59. MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs

    S. Kuboya, S. Takahashi, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6　Vol. 5　No. 6　p. 1715-1718　2008年

  60. Incorporation of N in high N-content GaAsN films investigated by Raman scattering

    S. Sanorpim, P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, F. Nakajima, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9　Vol. 5　No. 9　p. 2923-+　2008年

  61. RF-MBE growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates

    T. Nakamura, T. Kataoka, R. Katayama, T. Yamamoto, K. Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6　Vol. 5　No. 6　p. 1712-1714　2008年

  62. “Nitrogen Supply Rate Dependence of InGaN Growth Properties by RF-MBE”,

    H. Komaki, R. Katayama, K. Onabe, M. Ozeki, T. Ikari

    J. Cryst. Growth　Vol. 305　No. 1　p. 12-18　2007年7月

  63. Nitrogen supply rate dependence of InGaN growth properties, by RF-MBE

    Hironori Komaki, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Masashi Ozeki, Tetsuo Ikari

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 305　No. 1　p. 12-18　2007年7月

  64. Structural transition control of laterally overgrown c-GaN and h-GaN on stripe-patterned GaAs (001) substrates by MOVPE

    S. Sanorpim, E. Takuma, H. Ichinose, R. Katayama, K. Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　Vol. 244　No. 6　p. 1769-1774　2007年6月

  65. “RF-MBE Growth and Structural Characterization of Cubic InN Films on Yttria-Stabilized Zirconia (001) Substrates”,

    T. Nakamura, Y. Tokumoto, R. Katayama, T. Yamamoto, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 301　No. 302　p. 508-512　2007年4月

  66. “Growth of In-Rich InGaN Films on Sapphire via GaN Layer by RF-MBE”,

    H. Komaki, T. Nakamura, R. Katayama, K. Onabe, M. Ozeki, T. Ikari

    J. Cryst. Growth　Vol. 301　No. 302　p. 473-477　2007年4月

  67. Fabrication of lateral lattice-polarity-inverted GaN heterostructure

    Ryuji Katayama, Yoshihiro Kuge, Takashi Kondo, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 301　No. 302　p. 447-451　2007年4月

  68. RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on yttria-stabilized zirconia (001) substrates

    T. Nakamura, Y. Tokumoto, R. Katayama, T. Yamamoto, K. Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 301　No. 302　p. 508-512　2007年4月

  69. Growth of In-rich InGaN films on sapphire via GaN layer by RF-MBE

    Hironori Komaki, Teruyuki Nakamura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Masashi Ozeki, Tetsuo Ikari

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 301　No. 302　p. 473-477　2007年4月

  70. “Surface Photovoltage Spectroscopy Characterization of InGaPN Alloys Grown on GaP Substrates”,

    H. P. Hus, P. Y. Wu, Y. S. Huang, S. Sanorpim, K. K. Tiong, R. Katayama, K. Onabe

    J. Phys. Condens. Matter,　Vol. 19　No. 9　2007年3月

  71. Surface photovoltage spectroscopy characterization of InGaPN alloys grown on GaP substrates

    H. P. Hsu, P. Y. Wu, Y. S. Huang, S. Sanorpim, K. KTiong, R. Katayama, K. Onabe

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　Vol. 19　No. 9　2007年3月

  72. “Shutterless Nitrogen Flux Modulation using a Dual-Mode Rf-Plasma Operation during RF-MBE Growth of Nitrides

    R. Katayama, H. Tsurusawa, T. Nakamura, H. Komaki, K. Onabe

    phys. stat. sol(a)　Vol. 204　No. 1　p. 277-281　2007年1月

  73. “Substrate-Surface Orientation Dependence of N Content in MOVPE Growth of GaAsN Films on GaAs”,

    R. Katayama, W. Ono, F. Nakajima, S. Sanorpim, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 298　p. 135-139　2007年1月

  74. “MOVPE Growth and Optical Characterization of GaPN Films using Tertiarybutylphosphine (TBP) and 1,1-dimethylhydrazine (DMHy)”,

    F. Nakajima, W. Ono, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 298　p. 103-106　2007年1月

  75. “MOVPE and Characterization of InAsN/GaAs Multiple Quantum Wells”,

    S. Kuboya, Q. T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 298　p. 544-547　2007年1月

  76. “Growth and Post-Growth Rapid Thermal Annealing of InGaPN on GaP Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”,

    S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 298　p. 150-153　2007年1月

  77. “Correlation between Raman Intensity of the N-Related Local Vibrational Mode and N Content in GaAsN Strained Layers Grown by MOVPE”,

    P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, S. Sanorpim, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 298　p. 107-110　2007年1月

  78. “Structural Investigation of InGaAsN Films Grown on Pseudo-Lattice-Matched InGaAs Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”,

    P. Kongjaeng, S. Sanorpim, T. Yamamoto, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 298　p. 111-115　2007年1月

  79. “Post-Growth Thermal Annealing of High-N Content GaAsN by MOVPE and its Effect on Strain Relaxation”,

    P. Klangtakai, S. Sanorpim, K. Yoodee, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 298　p. 140-144　2007年1月

  80. “Photoluminescence and Photoluminescence-Excitation Spectroscopy of InGaPN/GaP Lattice- Matched Single Quantum Well Structures Grown by MOVPE”,

    D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 298　p. 531-535　2007年1月

  81. “Micro-Photoluminescence Study of Nitrogen -doped GaAs Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”,

    Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 298　No. SPEC. ISS　p. 73-75　2007年1月

  82. “InAsN Quantum Dots Grown on GaAs(001) Substrates by MOVPE”,

    S. Kuboya, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    phys. stat. sol. (c)　Vol. 4　No. 7　p. 2387-+　2007年

  83. “Structural and Optical Characterization of High In Content Cubic InGaN on GaAs(001) Substrates by RF-MBE”,

    T. Nakamura, Y. Endo, R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe

    phys. stat. sol. (c),　Vol. 4　No. 7　p. 2437-2440　2007年

  84. “Self-Assembled InAsN Quantum Dots grown on GaAs by MOVPE”,

    S. Kuboya, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    Proceeding of 3rd Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors　p. 359-364　2007年

  85. Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of gallium nitride

    Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Hiroyuki Yaguchi, Tomonori Matsushita, Takashi Kondo

    Applied Physics Letters　Vol. 91　No. 6　2007年

  86. Shutterless nitrogen flux modulation using a dual-mode rf-plasma operation during RE-MBE growth of GaN

    Ryuji Katayama, Hideyo Tsurusawa, Teruyuki Nakamura, Hironori Komaki, Kentaro Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　Vol. 204　No. 1　p. 277-281　2007年1月

  87. Substrate-surface orientation dependence of N content in MOVPE growth of GaAsN films on GaAs

    W. Ono, F. Nakajima, S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 298　p. 135-139　2007年1月

  88. MOVPE growth and optical characterization of GaPN films using tertiarybutylphosphine (TBP) and 1,1-dimethylhydrazine (DMHy)

    F. Nakajima, W. Ono, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 298　p. 103-106　2007年1月

  89. MOVPE and characterization of InAsN/GaAs multiple quantum wells

    S. Kuboya, Q. T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 298　p. 544-547　2007年1月

  90. Growth and post-growth rapid thermal annealing of InGaPN on GaP grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Sakuntam Sanorpim, Fumihiro Nakajima, Nobuhiro Nakadan, Tokuharu Kimura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 298　p. 150-153　2007年1月

  91. Correlation between Raman intensity of the N-related local vibrational mode and N content in GaAsN strained layers grown by MOVPE

    P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, S. Sanorpim, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 298　p. 107-110　2007年1月

  92. Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

    Pornsiri Kongjaeng, Sakuntam Sanorpim, Takahisa Yamamoto, Wataru Ono, Fumio Nakajima, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 298　p. 111-115　2007年1月

  93. Post-growth thermal annealing of high N-content GaAsN by MOVPE and its effect on strain relaxation

    Pawinee Klangtakai, Sakuntam Sanorpim, Kajornyod Yoodee, Wataru Ono, Fumio Nakajima, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 298　p. 140-144　2007年1月

  94. Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE

    Dares Kaewket, Sukkaneste Tungasmita, Sakuntam Sanorpim, Fumihiro Nakajima, Nobuhiro Nakadan, Tokuharu Kimura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 298　p. 531-535　2007年1月

  95. Micro-photoluminescence study of nitrogen delta-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    Journal of Crystal Growth　Vol. 298　No. SPEC. ISS　p. 73-75　2007年1月

  96. InAsN quantum dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPE

    S. Kuboya, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007　Vol. 4　No. 7　p. 2387-+　2007年

  97. Structural and optical characterization of high In content cubic InGaN on GaAs(001) substrates by RF-MBE

    Teruyuki Nakamura, Yuta Endo, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　Vol. 4　No. 7　p. 2437-2440　2007年

  98. “Self-Assembled InAsN Quantum Dots grown on GaAs by MOVPE”,

    S. Kuboya, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    Proceeding of 3rd Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors　p. 359-364　2007年

  99. Complementary analyses on the local polarity in lateral polarity-inverted GaN heterostructure on sapphire (0001) substrate

    Ryuji Katayama, Yoshihiro Kuge, Kentaro Onabe, Tomonori Matsushita, Takashi Kondo

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 89　No. 23　2006年12月

  100. “MOVPE Growth of InAsN Films on GaAs(001) Substrates with an InAs Buffer Layer”,

    S. Kuboya, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe

    phys. stat. sol. (b)　Vol. 243　No. 7　p. 1411-1415　2006年6月

  101. “Growth and Optical Characterization of InAsN Quantum Dots”,

    H. Tsurusawa, A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe

    phys. stat. sol. (b)　Vol. 243　No. 7　p. 1657-1660　2006年6月

  102. “RF-MBE Growth and Structural Characterization of Cubic InN Films on GaAs”,

    T. Nakamura, K. Iida, R. Katayama, K. Onabe

    phys. stat. sol. (b),　Vol. 243　No. 7　p. 1451-1455　2006年6月

  103. MOVPE growth of InAsN films on GaAs(001) substrates with an InAs buffer layer

    S Kuboya, F Nakajima, R Katayama, K Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　Vol. 243　No. 7　p. 1411-1415　2006年6月

  104. Growth and optical characterization of InAsN quantum dots

    H Tsurusawa, A Nishikawa, R Katayama, K Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　Vol. 243　No. 7　p. 1657-1660　2006年6月

  105. RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on GaAs

    T Nakamura, K Iida, R Katayama, T Yamamoto, K Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　Vol. 243　No. 7　p. 1451-1455　2006年6月

  106. “MOVPE Growth and Optical Characterization of GaAsN Films with Higher Nitrogen Concentrations”,

    F. Nakajima, S. Sanorpim, W. Ono, R. Katayama, K. Onabe

    phys. stat. sol. (a)　Vol. 203　No. 7　p. 1641-1644　2006年5月

  107. “High-Nitrogen-Content InGaAsN Films on GaAs Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”,

    S. Sanorpim, F. Nakajima, W. Ono, R. Katayama, K. Onabe

    phys. stat. sol. (a)　Vol. 203　No. 7　p. 1612-1617　2006年5月

  108. “Piezoelectric Photothermal and Photoreflectance Spectra of InxGa1-xN Grown by Radio- Frequency Molecular Beam Epitaxy”,

    E. Kawano, Y. Uchibori, T. Shimohara, H. Komaki, R. Katayama, K. Onabe, A. Fukuyama, T. Ikari

    Jpn. J. Appl. Phys.,　Vol. 45　No. 5B　p. 4601-4603　2006年5月

  109. Buffer design for nitrogen polarity GaN on sapphire(0001) by RF-MBE and application to the nanostructure formation using KOH etching

    R Katayama, K Onabe

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　Vol. 32　No. 1-2　p. 245-248　2006年5月

  110. MOVPE growth and optical characterization of GaAsN films with higher nitrogen concentrations

    F Nakajima, S Sanorpim, W Ono, R Katayama, K Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　Vol. 203　No. 7　p. 1641-1644　2006年5月

  111. High-nitrogen-content InGaAsN films on GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy with TBAs and DMHy

    S. Sanorpim, F. Nakajima, W. Ono, R. Katayama, K. Onabe

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　Vol. 203　No. 7　p. 1612-1617　2006年5月

  112. Piezoelectric photothermal and photoreflectance spectra of InxGa1-xN grown by radio-frequency molecular beam epitaxy

    Eiki Kawano, Yuki Uchibori, Takashi Shimohara, Hironori Komaki, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 45　No. 5B　p. 4601-4603　2006年5月

  113. “Excitation Power Dependent Photoluminescence of In0.7Ga0.3As1-xNx Quantum Dots Grown on GaAs(001)”,

    A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, Y.G. Hong, C.W. Tu

    J. Cryst. Growth　Vol. 278　No. 1-4　p. 244-248　2005年5月

  114. “Growth and Characterization of InAsN Alloy Films and Quantum Wells”,

    M. Kuroda, A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 278　No. 1-4　p. 254-258　2005年5月

  115. Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(001) substrates with relatively thin low-temperature GaN buffer layer

    R Katayama, K Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 278　No. 1-4　p. 431-436　2005年5月

  116. Excitation power dependent photoluminescence of In0.7Ga0.3As1-xNx quantum dots grown on GaAs (001)

    A Nishikawa, R Katayama, K Onabe, YG Hong, CW Tu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 278　No. 1-4　p. 244-248　2005年5月

  117. Growth and characterization of InAsN alloy films and quantum wells

    M Kuroda, A Nishikawa, R Katayama, K Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 278　No. 1-4　p. 254-258　2005年5月

  118. “MOVPE Growth and Optical Investigations of InGaPN Alloys”,

    S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe

    J. Cryst. Growth　Vol. 275　No. 1-2　p. E1017-E1021　2005年2月

  119. Growth mechanism and structural characterization of hexagonal GaN films grown on cubic GaN (111)/GaAs (111)B substrates by MOVPE

    Sakuntam Sanorpim, Ryuji Katayama, Kajornyod Yoodee, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 275　No. 1-2　p. E1023-E1027　2005年2月

  120. MOVPE growth and optical investigations of InGaPN alloys

    Sakuntam Sanorpim, Fumihiro Nakajima, Nobuhiro Nakadan, Tokuharu Kimura, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 275　No. 1-2　p. E1017-E1021　2005年2月

  121. “High Optical Quality Cubic GaN Microcrystals Grown on a GaAs Substrate by RF-MBE”,

    R. Katayama, K. Onabe

    Proceeding of 2nd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors　2005年

  122. “High Optical Quality Cubic GaN Microcrystals Grown on a GaAs Substrate by RF-MBE”,

    R. Katayama, K. Onabe

    Proceeding of 2nd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors　2005年

  123. “Optical Characterization of InAsN Single Quantum Wells Grown by RF-MBE”,

    M. Kuroda, R. Katayama, K. Onabe, Y. Shiraki

    phys. stat. sol. (b),　Vol. 241　No. 12　p. 2791-2794　2004年10月

  124. Built-in electric field at cubic GaN/GaAs(001) heterointerfaces investigated by phase-selected photoreflectance excitation

    R Katayama, K Onabe, Y Shiraki

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 241　No. 12　p. 2749-2753　2004年10月

  125. Highly luminescent cubic GaN microcrystals grown on GaAs(001) substrates by RF-MBE

    R Katayama, K Onabe, Y Shiraki

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 241　No. 12　p. 2739-2743　2004年10月

  126. Optical characterization of InAsN single quantum wells grown by RF-MBE

    M Kuroda, R Katayama, K Onabe, Y Shiraki

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 241　No. 12　p. 2791-2794　2004年10月

  127. “Built-in Electric Field at Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerfaces Investigated by Phase- Selected Photoreflectance Excitation

    R. Katayama, K. Onabe, Y. Shiraki

    phys. stat. sol. (b)　Vol. 1　No. 10　p. 2749-2753　2004年

  128. Highly luminescent cubic GaN microcrystals grown on GaAs(001) substrates by RF-MBE

    Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki

    Physica Status Solidi C: Conferences　Vol. 1　No. 10　p. 2739-2743　2004年

  129. Characterization of MOVPE-grown GaN layers on GaAs (111)B with a cubic-GaN (111) epitaxial intermediate layer

    S Sanorpim, E Takuma, R Katayama, H Ichinose, K Onabe, Y Shiraki

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 240　No. 2　p. 305-309　2003年11月

  130. “MBE Growth and Photoreflectance Study of GaAsN Alloy Films Grown on GaAs(001)”,

    A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, Y. Shiraki

    J. Cryst. Growth　Vol. 251　No. 1-4　p. 427-431　2003年4月

  131. “RF-MBE Growth of InAsN Layers on GaAs(001) Substrates using a Thick InAs Buffer Layer”,

    S. Nishio, A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, Y. Shiraki

    J. Cryst. Growth　Vol. 251　No. 1-4　p. 422-426　2003年4月

  132. MBE growth and photoreflectance study of GaAsN alloy films grown on GaAs (001)

    A Nishikawa, R Katayama, K Onabe, Y Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 251　No. 1-4　p. 427-431　2003年4月

  133. RF-MBE growth of InAsN layers on GaAs (001) substrates using a thick InAs buffer layer

    S Nishio, A Nishikawa, R Katayama, K Onabe, Y Shiraki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 251　No. 1-4　p. 422-426　2003年4月

  134. “MOVPE Growth and Characterization of High-In Content InGaPN Alloy Films Lattice-Matched to GaP”,

    S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, N. Nakadan, T. Kimura, K. Onabe, Y. Shiraki

    phys. stat. sol. (c),　Vol. 0　No. 7　p. 2773-2777　2003年

  135. “Microstructures, Defects, and Localization Luminescence in InGaAsN Alloy Films”,

    F. Nakajima, S. Sanorpim, E. Takuma, R. Katayama, H. Ichinose, K. Onabe, Y. Shiraki

    phys. stat. sol. (c),　Vol. 0　No. 7　p. 2778-2781　2003年

  136. “Hall Effect Measurements Study of InAsN Alloy Films Grown Directly on GaAs(001) Substrates by RF-MBE”,

    M. Kuroda, R. Katayama, K. Onabe, Y. Shiraki

    phys. stat. sol. (c),　Vol. 0　No. 7　p. 2765-2768　2003年

  137. “Electroreflectance and Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructure”,

    R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, Y. Shiraki

    Proceeding of 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors,　p. 170-174　2003年

  138. “The Compositional and Optical Characterizations of InGaAsN Alloy Semiconductor Grown by MOVPE”,

    S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe, Y. Shiraki

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.　Vol. 744　No. M10.9　p. 1-6　2003年

  139. Electrically biased photoreflectance study of cubic GaN/GaAs(001) heterointerface

    R Katayama, M Kuroda, K Onabe, Y Shiraki

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　Vol. 0　No. 7　p. 2597-2601　2003年

  140. MOVPE growth and characterization of high-N content InGaPN alloy lattice-matched to GaP

    S Sanorpim, F Nakajima, R Katayama, N Nakadan, T Kimura, K Onabe, Y Shiraki

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　Vol. 0　No. 7　p. 2773-2777　2003年

  141. Microstructures, defects, and localization luminescence in InGaAsN alloy films

    F Nakajima, S Sanorpim, T Yamamoto, E Takuma, R Katayama, H Ichinose, K Onabe, Y Shiraki

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　Vol. 0　No. 7　p. 2778-2781　2003年

  142. Hall effect measurement of InAsN alloy films grown directly on GaAs(001) substrates by RF-MBE

    M Kuroda, R Katayama, S Nishio, K Onabe, Y Shiraki

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　Vol. 0　No. 7　p. 2765-2768　2003年

  143. “Electroreflectance and Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructure”,

    R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, Y. Shiraki

    Proceeding of 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors,　p. 170-174　2003年

  144. “The Compositional and Optical Characterizations of InGaAsN Alloy Semiconductor Grown by MOVPE”,

    S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe, Y. Shiraki

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.　Vol. 744　No. M10.9　p. 1-6　2003年

  145. “Physical Mechanisms of Photoluminescence of InGaAs(N) Alloy Films Grown by MOVPE”,

    S. Sanorpim, F. Nakajima, S. Imura, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, Y. Shiraki

    phys. stat. sol. (b),　Vol. 234　No. 3　p. 782-786　2002年12月

  146. Photoconductivity and electroreflectance study of cubic GaN/GaAs(001) heterostructures by optical-biasing technique

    R Katayama, M Kuroda, K Onabe, Y Shiraki

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 234　No. 3　p. 877-881　2002年12月

  147. Reduction of planar defect density in laterally overgrown cubic-GaN on patterned GaAs(001) substrates by MOVPE

    S Sanorpim, E Takuma, R Katayama, K Onabe, H Ichinose, Y Shiraki

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 234　No. 3　p. 840-844　2002年12月

  148. Physical mechanisms of photoluminescence of InGaAs(N) alloy films grown by MOVPE

    S Sanorpim, F Nakajima, S Imura, R Katayama, J Wu, K Onabe, Y Shiraki

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　Vol. 234　No. 3　p. 782-786　2002年12月

  149. Structural Disorder and Optical Property of InGaAsN Alloy Semiconductor (小特集テーマ 進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

    Sanorpim Sakuntam, Nakajima Fumihiro, Imura Shigeyuki, TAKUMA Eriko, KATAYAMA Ryuji, ONABE Kentaro, ICHINOSE Hideki, SHIRAKI Yasuhiro

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス　Vol. 102　No. 118　p. 5-8　2002年6月7日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  150. 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス

    片山 竜二, 黒田 正行, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス　Vol. 102　No. 118　p. 29-32　2002年6月7日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  151. RF-MBE法によるGaAsN混晶の作製と光学特性評価

    西川 敦, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス　Vol. 102　No. 117　p. 69-72　2002年6月6日

    出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

  152. Optically-Biased Photoconductivity Spectrum Measurements of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures”

    R. Katayama, M. Kobayakawa, A. Nagayama, K. Onabe, Y. Shiraki

    Compound Semiconductors　Vol. 170　No. 170　p. 725-730　2002年

  153. Optically-biased photoconductivity spectrum measurements of cubic GaN/GaAs(001) fleterostructures

    R Katayama, M Kobayakawa, A Nagayama, J Wu, K Onabe, Y Shiraki

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2001　Vol. 170　No. 170　p. 725-730　2002年

  154. Structural study on stacking faults in GaN/GaAs (001) heterostructures

    A Nagayama, H Sawada, E Takuma, R Katayama, K Onabe, H Ichinose, Y Shiraki

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2001　Vol. 170　No. 170　p. 749-754　2002年

  155. Cubic GaN films on GaAs (001) substrates without deep-level luminescence grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    K Onabe, J Wu, R Katayama, FH Zhao, A Nagayama, Y Shiraki

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　Vol. 180　No. 1　p. 15-19　2000年7月

  156. “Surface Modification of Cubic GaN Buffer Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”,

    A. Nagayama, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, H. Sawada, E. Takuma, H. Ichinose, Y. Shiraki

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.　Vol. 639　No. H5.10　p. 1-6　2000年

  157. “Surface Modification of Cubic GaN Buffer Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”,

    A. Nagayama, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, H. Sawada, E. Takuma, H. Ichinose, Y. Shiraki

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.　Vol. 639　No. H5.10　p. 1-6　2000年

  158. Substrate misorientation dependence of the hexagonal phase inclusion in cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    A. Nagayama, R. Katayama, N. Nakadan, K. Miwa, H. Yaguchi, J. Wu, K. Onabe, Y. Shiraki

    Physica Status Solidi (A) Applied Research　Vol. 176　No. 1　p. 513-517　1999年11月

  159. “Design and Fabrication of Organic Waveguiding Devices for Quasi-Phase-Matched Second- Harmonic Generation”,

    E. Nishina, R. Katayama, T. Kondo, R. Ito, J.-C. Kim, T. Watanabe, S. Miyata

    Nonlinear Opt.,　Vol. 22　p. 433-436　1999年

  160. “Design and Fabrication of Organic Waveguiding Devices for Quasi-Phase-Matched Second- Harmonic Generation”,

    E. Nishina, R. Katayama, T. Kondo, R. Ito, J.-C. Kim, T. Watanabe, S. Miyata

    Nonlinear Opt.,　Vol. 22　p. 433-436　1999年

  161. “Sublattice Inversion Epitaxy of Compound Semiconductor for Quadratic Nonlinear Optical Devices”,

    S. Koh, A. Ebihara, R. Katayama, T. Kondo, R. Ito

    Nonlinear Opt.,　Vol. 98　p. 230-232　1998年

  162. “Sublattice Inversion Epitaxy of Compound Semiconductor for Quadratic Nonlinear Optical Devices”,

    S. Koh, A. Ebihara, R. Katayama, T. Kondo, R. Ito

    Nonlinear Opt.,　Vol. 98　p. 230-232　1998年

講演・口頭発表等 72

  1. 窒化物半導体極性反転ヘテロ構造の非線形光学素子応用

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162 委員会 第90 回研究会　2014年

  2. nvestigation of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by m-line Spectroscopy

    The 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)　2014年

  3. Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique

    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年

  4. 窒化物半導体極性反転ヘテロ構造の非線形光学素子応用

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162 委員会 第90 回研究会　2014年

  5. nvestigation of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by m-line Spectroscopy

    The 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)　2014年

  6. Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique

    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年

  7. 窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用

    第5回 窒化物半導体結晶成長講演会　2013年

  8. Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年

  9. 窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用

    第5回 窒化物半導体結晶成長講演会　2013年

  10. Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年

  11. Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides

    SPIE Photonics West　2012年

  12. 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム　2012年

  13. Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity- inverted GaN waveguide

    The 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31)　2012年

  14. Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity-inverted GaN waveguides

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012年

  15. Enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide

    International Conference on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN2012)　2012年

  16. Enhancement of violet second harmonic generation in periodic polarity-inverted GaN waveguides

    17th Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy　2012年

  17. Violet second harmonic generation from polarity inverted GaN waveguides

    Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)　2012年

  18. Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides

    SPIE Photonics West　2012年

  19. 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム　2012年

  20. Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity- inverted GaN waveguide

    The 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31)　2012年

  21. Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity-inverted GaN waveguides

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012年

  22. Enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide

    International Conference on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN2012)　2012年

  23. Enhancement of violet second harmonic generation in periodic polarity-inverted GaN waveguides

    17th Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy　2012年

  24. Violet second harmonic generation from polarity inverted GaN waveguides

    Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)　2012年

  25. Piezoelectric and Kelvin force microscopic studies on microstructure of periodic polarity-inverted GaN structures on N-polar GaN template

    16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)　2010年

  26. Piezoelectric and Kelvin force microscopic studies on microstructure of periodic polarity-inverted GaN structures on N-polar GaN template

    16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)　2010年

  27. 「MBE法を用いたGaN格子極性反転構造の作製」,

    2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム　2009年

  28. “Optical Properties of Polar-Domain Boundary in Lateral Polarity-Inverted GaN Heterostructure”,

    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)　2009年

  29. “Modulation Spectroscopic Investigation on Lattice Polarity of GaN”,

    The Asia Core Workshop on Wide Band-gap Semiconductors(ACW2009)　2009年

  30. 「MBE法を用いたGaN格子極性反転構造の作製」,

    2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム　2009年

  31. “Optical Properties of Polar-Domain Boundary in Lateral Polarity-Inverted GaN Heterostructure”,

    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)　2009年

  32. “Modulation Spectroscopic Investigation on Lattice Polarity of GaN”,

    The Asia Core Workshop on Wide Band-gap Semiconductors(ACW2009)　2009年

  33. Modulation Spectroscopic Assessment of Band-Bending at Semiconductor Surfaces

    Workshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices　2008年

  34. Multilateral Investigations on Electrical Property of Cubic GaN: Micro-Raman Scattering, Photoluminescence and Photoreflectance

    ICMOVPE-XIV　2008年

  35. “All Wet Processing of GaN for Fabricating Polarity Inverted Heterostructure”

    ISGN-2　2008年

  36. 「高次光学効果発現を目指したワイドギャップ半導体ナノ構造の作製」,

    第38回結晶成長国内会議　2008年

  37. Modulation Spectroscopic Assessment of Band-Bending at Semiconductor Surfaces

    Workshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices　2008年

  38. Multilateral Investigations on Electrical Property of Cubic GaN: Micro-Raman Scattering, Photoluminescence and Photoreflectance

    ICMOVPE-XIV　2008年

  39. “All Wet Processing of GaN for Fabricating Polarity Inverted Heterostructure”

    ISGN-2　2008年

  40. 「高次光学効果発現を目指したワイドギャップ半導体ナノ構造の作製」,

    第38回結晶成長国内会議　2008年

  41. Lattice Polarity Determination for GaN using Modulation Spectroscopy

    ICNS-7　2007年

  42. 「サファイア基板上GaN格子極性反転へテロ構造の作製と評価」,

    第37回結晶成長国内会議　2007年

  43. Lattice Polarity Determination for GaN using Modulation Spectroscopy

    ICNS-7　2007年

  44. 「サファイア基板上GaN格子極性反転へテロ構造の作製と評価」,

    第37回結晶成長国内会議　2007年

  45. Shutterless Nitrogen Flux Modulation using a Dual-Mode Rf-Plasma Operation during RF-MBE Growth of Nitrides

    ISBLLED 2006　2006年

  46. 「立方晶窒化物半導体の結晶成長」,

    東北大学多元研ミニワークショップ　2006年

  47. Fabrication of Lateral Lattice-Polarity-Inverted GaN Heterostructure

    ICMBE 2006　2006年

  48. Micro-Raman Scattering Investigation of Polarity-Inverted GaN Heterostructure

    IWN 2006　2006年

  49. Shutterless Nitrogen Flux Modulation using a Dual-Mode Rf-Plasma Operation during RF-MBE Growth of Nitrides

    ISBLLED 2006　2006年

  50. 「立方晶窒化物半導体の結晶成長」,

    東北大学多元研ミニワークショップ　2006年

  51. Fabrication of Lateral Lattice-Polarity-Inverted GaN Heterostructure

    ICMBE 2006　2006年

  52. Micro-Raman Scattering Investigation of Polarity-Inverted GaN Heterostructure

    IWN 2006　2006年

  53. High Optical Quality Cubic GaN Microcrystals Grown on a GaAs Substrate by RF-MBE

    APWS 2005　2005年

  54. Buffer Design for Nitrogen Polarity GaN on Sapphire (0001) by RF-MBE and Application to the Nanostructure Formation using KOH Etching

    MSS-12　2005年

  55. 「GaAs (001)基板上の高品質立方晶GaN微結晶およびInN薄膜のRF-MBE成長」,

    第35回結晶成長国内会議　2005年

  56. High Optical Quality Cubic GaN Microcrystals Grown on a GaAs Substrate by RF-MBE

    APWS 2005　2005年

  57. Buffer Design for Nitrogen Polarity GaN on Sapphire (0001) by RF-MBE and Application to the Nanostructure Formation using KOH Etching

    MSS-12　2005年

  58. 「GaAs (001)基板上の高品質立方晶GaN微結晶およびInN薄膜のRF-MBE成長」,

    第35回結晶成長国内会議　2005年

  59. Built-in Electric Field at Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerfaces Investigated by Phase- Selected Photoreflectance Excitation

    ISBLLED 2004　2004年

  60. Highly Luminescent Cubic GaN Micro-Crystals Grown on GaAs(001) Substrates by RF- MBE

    ISBLLED 2004　2004年

  61. Fabrication of Cubic and Hexagonal GaN Micro-Crystals on GaAs(001) Substrates with Relatively Thin Low-Temperature GaN Buffer Layer

    ICMBE 2004　2004年

  62. Built-in Electric Field at Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerfaces Investigated by Phase- Selected Photoreflectance Excitation

    ISBLLED 2004　2004年

  63. Highly Luminescent Cubic GaN Micro-Crystals Grown on GaAs(001) Substrates by RF- MBE

    ISBLLED 2004　2004年

  64. Fabrication of Cubic and Hexagonal GaN Micro-Crystals on GaAs(001) Substrates with Relatively Thin Low-Temperature GaN Buffer Layer

    ICMBE 2004　2004年

  65. Electrically Biased Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerface

    ICNS-5　2003年

  66. Electrically Biased Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerface

    ICNS-5　2003年

  67. Photoconductivity and Electroreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures by Optical-Biasing Technique

    IWN 2002　2002年

  68. Photoconductivity and Electroreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures by Optical-Biasing Technique

    IWN 2002　2002年

  69. Optically-Biased Photoconductivity Spectrum Measurements of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures

    ISCS 2001　2001年

  70. Optically-Biased Photoconductivity Spectrum Measurements of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures

    ISCS 2001　2001年

  71. Buffer Layer Annealing in Arsenic Ambient Affecting the Hexagonal Phase Generation in Cubic GaN Films Grown by MOVPE

    10th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitax　2000年

  72. Buffer Layer Annealing in Arsenic Ambient Affecting the Hexagonal Phase Generation in Cubic GaN Films Grown by MOVPE

    10th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitax　2000年

作品 10

  1. 窒化物半導体微小共振器を用いた量子相関光子対光源の開発

    2014年 ～ 2016年

  2. 窒化物半導体微小共振器を用いた量子相関光子対光源の開発

    2014年 ～ 2016年

  3. 極性窒化物半導体ナノ構造による量子もつれ光子対発生と量子暗号通信応用

    2011年 ～ 2012年

  4. 極性窒化物半導体ナノ構造による量子もつれ光子対発生と量子暗号通信応用

    2011年 ～ 2012年

  5. 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

    2008年 ～ 2012年

  6. 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

    2008年 ～ 2012年

  7. 窒化物半導体格子極性反転へテロ構造の作製と微視的評価技術の開発

    2006年 ～ 2007年

  8. 窒化物半導体格子極性反転へテロ構造の作製と微視的評価技術の開発

    2006年 ～ 2007年

  9. 立方晶窒化物半導体ヘテロ構造における寄生伝導の移動度スペクトル解析

    2003年 ～ 2004年

  10. 立方晶窒化物半導体ヘテロ構造における寄生伝導の移動度スペクトル解析

    2003年 ～ 2004年

特許・実用新案・意匠 5

  1. 複合ターゲット、複合ターゲットの製造方法及び窒化物半導体膜の形成方法

    高橋 伸明, 三浦 仁嗣, 片山 竜二, 谷川 智之

    特許7302791

    登録日:2023/06/26

  2. 窒化物結晶、光学装置、半導体装置、窒化物結晶の製造方法

    彦坂 年輝, 布上 真也, 谷川 智之, 片山 竜二, 上向井 正裕

    特許7269190

    出願日:2020/02/27

    登録日:2023/04/25

  3. 窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板の製造装置及び窒化物半導体デバイス

    林 侑介, 三宅 秀人, 片山 竜二

    特許7100309

    出願日:2017/10/12

    登録日:2022/07/05

  4. 窒化物半導体膜の形成方法

    発明者, 高橋 伸明, 三浦 仁嗣, 根石 浩司, 片山 竜二, 森 勇介, 今西 正幸

    特許7029715

    WO2020/075599

    出願日:2019/10/02

    登録日:2022/02/24

  5. 太陽電池

    松岡 隆志, 片山 竜二, 谷川 智之

    特許6164685

    出願日:2013/07/03

    登録日:2017/06/30

機関リポジトリ 2

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy of +c/−c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device

    Ikeda Kazuhisa, Malik Shahzeb, Uemukai Masahiro, Tanikawa Tomoyuki, Katayama Ryuji

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　Vol. 261　No. 11　2024年9月9日

  2. Large Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1(Formula Presented)01) GaN Stripes on Patterned Si Substrates Prepared using Maskless Lithography

    Takeda Naofumi, Uemukai Masahiro, Tanikawa Tomoyuki, Katayama Ryuji

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　Vol. 261　No. 11　2024年6月21日