顔写真

顔写真

垣内　弘章
Kakiuchi Hiroaki
垣内　弘章
Kakiuchi Hiroaki
機関リポジトリ
工学研究科　物理学系専攻，准教授
機関リポジトリ

経歴 10

  1. 2020年4月1日 ～ 継続中
    大阪大学 工学研究科 物理学系専攻　准教授

  2. 2001年8月 ～ 継続中
    大阪大学大学院工学研究科助教授

  3. 1998年4月 ～ 継続中
    大阪大学大学院工学研究科助手

  4. 1991年4月 ～ 継続中
    大阪大学工学部助手

  5. 2007年4月1日 ～ 2020年3月31日
    大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻　准教授

  6. 2001年8月1日 ～ 2007年3月31日
    大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻　助教授

  7. 1991年 ～ 2001年
    大阪大学 助手

  8. 1991年 ～ 2001年
    Osaka University, Research Associate

  9. 2001年 ～
    - 大阪大学 助教授

  10. 2001年 ～
    - Osaka University, Associate Proffesor

学歴 5

  1. 大阪大学　工学研究科　精密工学専攻

    ～ 1991年3月

  2. 大阪大学　工学研究科　精密工学専攻

    ～ 1991年

  3. 大阪大学

    ～ 1991年

  4. 大阪大学　工学部　精密工学科

    ～ 1989年3月

  5. 大阪大学

    ～ 1989年

所属学会 2

  1. 応用物理学会

  2. 精密工学会

研究内容・専門分野 2

  1. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

  2. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

受賞 5

  1. Poster award of excellence

    H.Takemoto, Y. Ishikawa, H. Kakiuchi, K. Yasutake, H. Ohmi　Taiwan Association for Coatings and Thin Films Technology　2015年11月

  2. 精密工学会沼田記念論文賞

    森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男　社団法人精密工学会　2004年3月

  3. 2003年度精密工学会秋季大会学術講演会ベストオーガナイザー賞「機能性薄膜」

    安武潔, 垣内弘章　精密工学会　2003年10月

  4. 1994年度精密工学会 関西支部講演論文賞

    1994年

  5. 精密工学会関西支部講演論文賞

    垣内 弘章　精密工学会　1992年8月

論文 212

  1. Pulsed very high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films for low-temperature (120 ◦C) thin film transistors

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 53　No. 41　p. 415201-415201　2020年7月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  2. Highly efficient formation process for functional silicon oxide layers at low temperatures (≤ 120 °C) using very high-frequency plasma under atmospheric pressure

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

    Precision Engineering　Vol. 60　p. 265-273　2019年2月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  3. Controllability of structural and electrical properties of silicon films grown in atmospheric-pressure very high-frequency plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 51　No. 35　2018年8月　研究論文（学術雑誌）

  4. Atmospheric-Pressure Low-Temperature Plasma Processes

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Encyclopedia of Plasma Technology　2016年11月

    出版者・発行元：CRC Press

  5. Characterization of Si and SiOx films deposited in very high-frequency excited atmospheric-pressure plasma and their application to bottom-gate thin film transistors

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, S. Tamaki, T. Sakaguchi, W. Lin, K. Yasutake

    Phys. Status Solidi A　Vol. 212　No. 7　p. 1571-1577　2015年5月　研究論文（学術雑誌）

  6. Atmospheric-pressure low-temperature plasma processes for thin film deposition

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    J. Vac. Sci. Technol. A　Vol. 32　No. 3　p. 030801-030801　2014年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  7. Effective phase control of silicon films during high-rate deposition in atmospheric-pressure very high-frequency plasma: Impacts of gas residence time on the performance of bottom-gate thin film transistors

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, W. Lin, K. Yasutake

    Surf. Coat. Technol.　Vol. 234　p. 2-7　2013年7月　研究論文（学術雑誌）

  8. Study on the growth of microcrystalline silicon films in atmospheric-pressure VHF plasma using porous carbon electrode

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, K. Yasutake

    Journal of Physics: Conference Series　Vol. 417　No. 1　2013年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Institute of Physics Publishing

  9. Silicon Oxide Coatings with Very High Rates (>10 nm/s) by Hexamethildisiloxane-Oxygen Fed Atmospheric-Pressure VHF Plasma: Film-Forming Behavior Using Cylindrical Rotary Electrode

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, K. Yokoyama, K. Okamura, K. Yasutake

    Plasma Chem. Plasma Process.　Vol. 32　No. 3　p. 533-545　2012年3月　研究論文（学術雑誌）

  10. High-Rate HMDSO-Based Coatings in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet

    H. Kakiuchi, K. Higashida, T. Shibata, H. Ohmi, T. Yamada, K. Yasutake

    Journal of Non-Crystalline Solids　Vol. 358　No. 17　p. 2462-2465　2012年1月　研究論文（学術雑誌）

  11. Room-Temperature Formation of Low Refractive Index Silicon Oxide Films Using Atmospheric-Pressure Plasma

    K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yokoyama, K. Higashida, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    J. Nanosci. Nanotechnol.　Vol. 11　No. 4　p. 2851-2855　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

  12. Study on the Growth of Heteroepitaxial Cubic Silicon Carbide Layers in Atmospheric-Pressure H2-based Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    J. Nanosci. Nanotechnol.　Vol. 11　No. 4　p. 2903-2909　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

  13. Low refractive index silicon oxide coatings at room temperature using atmospheric-pressure very high-frequency plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Yamaguchi, K. Nakamura, K. Yasutake

    Thin Solid Films　Vol. 519　No. 1　p. 235-239　2010年9月　研究論文（学術雑誌）

  14. Room-Temperature Silicon Nitrides Prepared with Very High Rates (>50 nm/s) in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yasutake

    Plasma Chem. Plasma Process.　Vol. 30　No. 5　p. 579-590　2010年9月　研究論文（学術雑誌）

  15. Investigation of structural properties of high-rate deposited SiNx films prepared at low temperatures (100-300 C) by atmospheric-pressure plasma CVD

    Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Phys. Stat. Sol. (c)　Vol. 7　No. 3-4　p. 824-827　2010年3月　研究論文（学術雑誌）

  16. Characterization of Microcrystalline Si Films Deposited at Low Temperatures with High Rates by Atmospheric-Pressure Plasma CVD

    K. Ouchi, K. Tabuchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Book of Abstracts of the 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors　Vol. 7　No. 3-4　p. 545-548　2009年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  17. Microcrystalline Si films grown at low temperatures (90-220 C) with high rates in atmospheric-pressure VHF plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Ouchi, K. Tabuchi, K. Yasutake

    J. Appl. Phys.　Vol. 106　No. 1　2009年7月　研究論文（学術雑誌）

  18. Enhancement of film-forming reactions for microcrystalline Si growth in atmospheric-pressure plasma using porous carbon electrode

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Inudzuka, K. Ouchi, K. Yasutake

    J. Appl. Phys.　Vol. 104　No. 5　2008年9月　研究論文（学術雑誌）

  19. Formation of Silicon Carbide at Low Temperatures by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Thin Solid Films　Vol. 516　No. 19　p. 6580-6584　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  20. Heteroepitaxial growth of cubic SiC on Si using very high frequency plasma at atmospheric pressure

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Aketa, R. Nakamura, K. Yasutake

    Surf. Interface Anal.　Vol. 40　No. 6-7　p. 974-978　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

  21. SiO2 Formation by Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si in Atmospheric Pressure Plasma Excited by Very High Frequency Power

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Jpn. J. Appl. Phys., Part 1　Vol. 47　No. 3　p. 1884-1888　2008年3月　研究論文（学術雑誌）

  22. Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O2 plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 90　No. 15　p. 151904-151904　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  23. Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Applied Physics Letters　Vol. 90　No. 9　p. 091909-091909　2007年2月26日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  24. Formation of silicon dioxide layers at low temperatures (150—400°C) by atmospheric pressure plasma oxidation of silicon

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, K. Yasutake

    Science and Technology of Advanced Materials　Vol. 8　No. 3　p. 137-141　2007年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Informa UK Limited

  25. Structural Characterization of Polycrystalline 3C-SiC Films Prepared at High Rates by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Monomethylsilane

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Nakamura, M. Aketa, K. Yasutake

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 45　No. 10B　p. 8381-8387　2006年10月　研究論文（学術雑誌）

  26. Effect of hydrogen on the structure of high-rate deposited SiC on Si by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition using high-power-density condition

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Aketa, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori

    Thin Solid Films　Vol. 496　No. 2　p. 259-265　2006年2月　研究論文（学術雑誌）

  27. High-Rate Deposition of Intrinsic Amorphous Silicon Layers for Solar Cells using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Yasuhito Kuwahara, Mitsuhiro Matsumoto, Yusuke Ebata, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 45　No. 4　p. 3587-3591　2005年9月　研究論文（学術雑誌）

  28. Characterization of intrinsic amorphous silicon layers for solar cells prepared at extremely high rates by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    H. Kakiuchi, M. Matsumoto, Y. Ebata, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori

    Journal of Non-Crystalline Solids 351 (2005) 741-747　Vol. 351　No. 8-9　p. 741-747　2005年4月　研究論文（学術雑誌）

  29. Investigation of deposition characteristics and properties of high-rate deposited silicon nitride films prepared by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    H. Kakiuchi, Y. Nakahama, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori

    Thin Solid Films 479 (2005) 17-23　Vol. 479　No. 1-2　p. 17-23　2005年4月　研究論文（学術雑誌）

  30. High-rate etching of silicon oxide and nitride using narrow-gap high-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

    Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 57　No. 27　p. 275204-275204　2024年4月12日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  31. Role of O2 and N2 addition on low-reflectance Si surface formation using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

    Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

    Physica Scripta　Vol. 98　No. 11　p. 115609-115609　2023年10月13日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  32. Shallow defect layer formation as Cu gettering layer of ultra-thin Si chips using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

    Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

    Journal of Applied Physics　Vol. 133　No. 16　2023年4月24日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  33. Improvement of deposition characteristics of silicon oxide layers using argon-based atmospheric-pressure very high-frequency plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Seiya Takeda, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 132　No. 10　p. 103302-103302　2022年9月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  34. Si nanocone structure fabricated by a relatively high-pressure hydrogen plasma in the range of 3.3–27 kPa

    Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    Journal of Vacuum Science & Technology B　Vol. 40　No. 3　p. 032801-032801　2022年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Vacuum Society

  35. Solution-based coating and printing of polycrystalline Ge films using GeO2 solution by moderate-pressure hydrogen plasma reduction

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

    Flexible and Printed Electronics　Vol. 6　No. 3　2021年9月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing Ltd

  36. Formation of indium nitride nanostructures by atmospheric pressure plasma nitridation of molten indium

    Kazushi Yoshida, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

    Journal of Applied Physics　Vol. 130　No. 6　p. 063301-063301　2021年8月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  37. Gas-phase kinetics in atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 130　No. 5　p. 053307-053307　2021年8月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  38. Diffusion of excessively adsorbed hydrogen atoms on hydrogen terminated Si(100)(2×1) surface

    Kouji Inagaki, Yoshitada Morikawa, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

    AIP Advances　Vol. 11　No. 8　p. 085318-085318　2021年8月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  39. Plasma parameters in very high frequency argon plasmas mixed with nitrogen at atmospheric pressure

    Kiyoshi Yasutake, Kazushi Yoshida, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi

    Journal of Applied Physics　Vol. 129　No. 17　p. 173302-173302　2021年5月7日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  40. Reactive ion etching process of SiO2 film using on-site synthesized C2F4 from CF4

    Daiki Iino, Satoshi Tanida, Kazuaki Kurihara, Hiroyuki Fukumizu, Itsuko Sakai, Junko Abe, Jota Fukuhara, Rei Tanaka, Tomoyuki Tanaka, Jou Kikura, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi, Hisataka Hayashi

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　No. 5　p. 050904-050904　2021年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  41. Study on silicon removal property and surface smoothing phenomenon by moderate-pressure microwave hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Kenta Kimoto, Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 129　p. 105780-105780　2021年3月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  42. Characterization of silicon oxide thin films deposited at low temperatures using an atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition technology

    Masaya Maegawa, Sigeto Nawata, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    2020年11月

  43. Study on the growth of silicon films at low temperatures in atmospheric-pressure plasma excited by very high-frequency power

    Shigeto Nawata, Masaya Maegawa, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    2020年11月

  44. High-rate Preparation of Hydrophobic Fluorocarbon Film from CF4 Feedstock Gas by Solid Source Aided Plasma Chemical Vapor Deposition Technique

    Hiromichi Nakatsuka, Rei Tanaka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    2020年11月

  45. Diamond synthesis from graphite by hydrogen plasma induced chemical transport

    Naoto Komatsu, Atsuhisa Togo, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    2020年11月

  46. Plasma parameters in very high frequency helium and argon plasmas at atmospheric pressure

    Kazushi Yoshida, Ken Nitta, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

    J. Appl. Phys.　Vol. 128　No. 13　p. 133303-133303　2020年10月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  47. On-site tetrafluoroethylene gas generation from moderate-pressure pure tetrafluoromethane plasma reactor

    Hiromasa Ohmi, Jou Kikura, Tomoyuki Tanaka, Rei Tanaka, Daiki Iino, Itsuko Sakai, Kazuaki Kurihara, Hiroyuki Fukumizu, Junko Abe, Jota Fukuhara, Hisataka Hayashi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Chemical Engineering Science　Vol. 229　p. 116125-116125　2020年9月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  48. The effect of pretreatment for SiH4 gas by microwave plasma on Si film formation behavior by thermal CVD

    Keiichi Hamanaka, Norihisa Takei, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    Plasma Process Polym.　Vol. 17　No. 4　p. e1900198-1900198　2020年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  49. Significant Improvement of Copper Dry Etching Property of a High-Pressure Hydrogen-Based Plasma by Nitrogen Gas Addition

    Ohmi Hiromasa, Sato Jumpei, Shirasu Yoshiki, Hirano Tatsuya, Kakiuchi Hiroaki, Yasutake Kiyoshi

    ACS OMEGA　Vol. 4　No. 2　p. 4360-4366　2019年2月

  50. On-site SiH4 generator using hydrogen plasma generated in slit-type narrow gap

    Norihisa Takei, Fumiya Shinoda, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    J. Phys. D: Appl. Phys.　Vol. 51　No. 24　2018年5月　研究論文（学術雑誌）

  51. Study of the interaction between molten indium and sub-atmospheric pressure hydrogen glow discharge for low-temperature nanostructured metallic particle film deposition

    H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Journal of Alloys and Compounds,　Vol. 728　p. 1217-1225　2017年9月　研究論文（学術雑誌）

  52. Study of the interaction between molten indium and sub-atmospheric pressure hydrogen glow discharge for low-temperature nanostructured metallic particle film deposition

    H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Journal of Alloys and Compounds,　Vol. 728　p. 1217-1225　2017年9月　研究論文（学術雑誌）

  53. Determination of plasma impedance of microwave plasma system by electric field simulation

    Mitsutoshi Shuto, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Takahiro Yamada, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 122　No. 4　p. 043303-1-043303-8　2017年7月　研究論文（学術雑誌）

  54. Copper dry etching by sub-atmospheric-pressure pure hydrogen glow plasma

    Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Tatsuya Hirano, Yusuke Kubota, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Applied Physics Letters　Vol. 109　No. 21　p. 211603-1-211603-5　2016年11月　研究論文（学術雑誌）

  55. Magnesium hydride film formation using subatmospheric pressure H-2 plasma at low temperature

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　Vol. 34　No. 4　2016年7月　研究論文（学術雑誌）

  56. Selective Boron Elimination from B2H6–SiH4 Gas Mixtures for Purifying Si

    Hiromasa Ohmi, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    ECS J. Solid State Sci. Technol.　Vol. 5　No. 9　p. P471-P477　2016年7月　研究論文（学術雑誌）

  57. Magnesium hydride film formation using subatmospheric pressure H2 plasma at low temperature

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Vacuum Science & Technology B　Vol. 34　No. 4　2016年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：

  58. Hydrogen atom density in narrow-gap microwave hydrogen plasma determined by calorimetry

    Takahiro Yamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 119　No. 6　2016年2月　研究論文（学術雑誌）

  59. Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Takeshi Funaki, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Physics D: Applied Physics　Vol. 49　No. 3　2015年12月　研究論文（学術雑誌）

  60. Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Takeshi Funaki, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Physics D: Applied Physics　2015年12月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  61. Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Journal of Applied Physics　Vol. 118　No. 4　2015年7月　研究論文（学術雑誌）

  62. Nucleation for Si film selective growth using GeO2 solution and high-pressure plasma

    Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Yuji Onoshita, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    ABSTRACT BOOKLET of 20th international colloquium of plasma processes　p. 99-99　2015年6月

  63. 高圧マイクロ波水素プラズマを用いたSi高速エッチングにおける高効率SiH4製造プロセスの開発 ―Siエッチング効率の決定と最適条件の検討―

    平野達也, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

    精密工学会 2015年度関西地方定期学術講演会 講演論文集　p. 8-9　2015年6月　研究論文（その他学術会議資料等）

  64. 低温薄膜トランジスタへの応用に向けた大気圧プラズマCVDによるSi成膜プロセスの研究

    田牧 祥吾, 坂口 尭之, 木元 雄一朗, 寺脇 功士, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2015　p. 511-512　2015年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  65. 高圧力マイクロ波水素プラズマ中のH密度評価（キーノートスピーチ）

    安武 潔, 山田 高寛, 垣内 弘章, 大参 宏昌

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2015　p. 1071-1072　2015年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  66. シミュレーションによる挟ギャップマイクロ波プラズマの解析

    足立 昂拓, 首藤 光利, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2015　p. 1073-1074　2015年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  67. 大気圧VHFプラズマによるSiの低温・高速成膜技術の開発

    坂口 尭之, 林 威成, 田牧 祥吾, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2015　p. 1075-1076　2015年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  68. Effect of H2 Flow Rate on High-Rate Etching of Si by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma

    Takahiro Yamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Plasma Chem Plasma Process　Vol. 33　No. 4　p. 797-806　2013年6月　研究論文（学術雑誌）

  69. Voltage distribution over capacitively coupled plasma electrode for atmospheric-pressure plasma generation

    Mitsutoshi Shuto, Fukumi Tomino, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Nanoscale Research Letters　Vol. 8　2013年5月　研究論文（学術雑誌）

  70. Interface properties of SiOxNy layer on Si prepared by atmospheric-pressure plasma oxidation-nitridation

    Z. Zhuo, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Nanoscale Research Letters　Vol. 8　2013年5月　研究論文（学術雑誌）

  71. 高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングプロセスの評価

    山田 高寛, 山田 浩輔, 足立 昴拓, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 551-552　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  72. 高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおけるプラズマ中でのシラン分解

    山田 浩輔, 山田 高寛, 足立 昂拓, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 553-554　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  73. 大気開放プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーョン技術の開発

    藤原 裕平, 金谷 優樹, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 583-584　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  74. 大気圧RF プラズマを用いたZnO薄膜の高速形成:成膜パラメータが成長様式に及ぼす影響

    長嶋 優, 水野 裕介, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 585-586　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  75. 大気圧VHFプラズマ によるSi の低温・ 高速成膜技術の開発:薄膜トランジスタの試作と性能評価

    林 威成, 岡村 康平, 坂口 尭之, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2013　p. 565-566　2013年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  76. Deposition of Functional Membranes by Through-Substrate Plane-Plate Dielectric-Barrier Discharge

    H. Kobayashi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, T. Suzuki, M. Noborisaka, N. Negishi

    11TH APCPST (ASIA PACIFIC CONFERENCE ON PLASMA SCIENCE AND TECHNOLOGY) AND 25TH SPSM (SYMPOSIUM ON PLASMA SCIENCE FOR MATERIALS)　Vol. 441　2013年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  77. Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation

    Zeteng Zhuo, Yuta Sannomiya, Kazuma Goto, Takahiro Yamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    CURRENT APPLIED PHYSICS　Vol. 12　p. S57-S62　2012年12月　研究論文（学術雑誌）

  78. Atmospheric Pressure Plasma Processes for Preparation of Si-Based Thin Films

    K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi

    Abst. 59th AVS Int. Symp.　2012年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  79. Siのマイクロ波水素プラズマエッチングにおける水素ガス流れと熱伝導のシミュレーション

    岡本 康平, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2012　p. 333-334　2012年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  80. Chemical transport technique in high-pressure plasma for crystalline Si based solar cell

    H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    TACT2011 International Thin Films Conference　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  81. Purified epitaxial Si film made from low-purity Si feedstock by high-pressure plasma gasification method (Oral)

    H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    ITFPC-MIATEC 2011，Innovations in Thin Film Processing and Characterisation &Magnetron, Ion processing and Arc Technologies European Conference　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  82. Study on the Growth of Hydrogenated Amorphous and Microcrystalline Silicon Films Deposited with High Rates Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, K. Yasutake

    Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  83. Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Si Surface Passivation

    Y. Sannnomiya, K. Goto, ZT. Zhuo, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  84. Structural Characterization of Room-Temperature Silicon Oxides Deposited from Hexamethyldisiloxane-O・xygen Mixtures Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    K. Yokoyama, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  85. Effects of Surface Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma

    T. Yamada, K. Okamoto, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference　Vol. 51　No. 10　2011年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  86. Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Functional Thin Films at Low-Temperatures

    K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi

    Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  87. Formation of SiOxNy Films for Passivation of Si Surfaces by Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation

    ZT. Zhuo, K. Goto, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  88. Silicon Oxide Anti-Reflection Coatings from Hexamethyldisiloxane at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure VHF plasma

    K. Yokoyama, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  89. Fundamental Study on the Film Growth from Organometallic precursors Using Atmospheric-Pressure Radio-Frequency Plasma

    S. Mine, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  90. Effects of Substrate Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Microwave H2 Plasma

    T. Yamada, K. Okamoto, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  91. Influence of the Electrode Configuration on the Growth of Microcrystalline Si Films in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

    A. Hirano, T. Tsushima, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2011年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  92. New Formation Processes for Solar-Grade Si and TCO Films Using Atmospheric-Pressure Plasma Technology

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, T. Yamada, H. Ohmi

    Proc. 2011 Korea & Japan Symposium on Solar Cells　2011年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  93. High-Rate Deposition of Amorphous and Microcrystalline Si Films Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    H. Kakiuchi, H.Ohmi, T. Yamada, K.Yasutake

    Proc. 2011 Korea & Japan Symposium on Solar Cells　2011年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  94. An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Inagaki, Y. Oshikane, M. Nakano

    Vol. 23　No. 39　2011年9月　研究論文（学術雑誌）

  95. Growth and Properties of Zinc Oxide Films Prepared in Atmospheric-Pressure Radio Frequency Plasma

    S. Mine, S. Okazaki, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Book of Abst. of The 24rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors　2011年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  96. Deposition Characteristics of Silicon Oxides in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet

    K. Higashida, K. Nakamura, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Book of Abst. of The 24rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors　2011年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  97. Purified Silicon Film Formation from Metallurgical-Grade Silicon by Hydrogen Plasma Induced Chemical Transport

    H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Jpn. J. Appl. Phys　Vol. 50　No. 8　2011年8月　研究論文（学術雑誌）

  98. Surface treatment for crystalline Si solar cell using a solid source high-pressure plasma etching method: texturing and affected layer removal

    H. Ohmi, K. Umehara, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    CIP 11 Abstract booklet　2011年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  99. Low-temperature synthesis of microcrystalline 3C-SiC film by high-pressure hydrogen-plasma-enhanced chemical transport

    H. Ohmi, T. Hori, T. Mori, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    J. Phys. D: Appl. Phys.　Vol. 44　No. 23　2011年6月　研究論文（学術雑誌）

  100. Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-Density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma

    Watanabe, Heiji, Ohmi, Hiromasa, Kakiuchi, Hiroaki, Hosoi, Takuji, Shimura, Takayoshi, Yasutake, Kiyoshi

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology　Vol. 11　No. 4　p. 2802-2808　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

  101. Preparation of Si-based thin films using atmospheric pressure plasma chemical vapour deposition (CVD)

    Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

    Generation and Applications of Atmospheric Pressure Plasmas　p. 141-162　2011年　論文集(書籍)内論文

    出版者・発行元：Nova Science Publishers, Inc.

  102. 結晶シリコン太陽電池用エミッタ層への応用を目指した高圧プラズマ化学輸送法による微結晶SiC薄膜の形成

    堀 貴博, 垣内 弘章, 安武 潔, 大参 宏昌

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2011　p. 521-522　2011年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  103. エッチャント原料ガスフリーなプラズマエッチング法による太陽電池用シリコン基板の表面改質特性

    梅原 弘毅, 垣内 弘章, 安武 潔, 大参 宏昌

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2011　p. 531-532　2011年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  104. 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発

    後藤 一磨, 卓 沢騰, 三宮 佑太, 金谷 優樹, 山田 高寛, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔

    精密工学会学術講演会講演論文集　Vol. 2011　p. 529-530　2011年

    出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会

  105. Open Air Deposition of Silicon Oxide Films at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet

    K. Higashida, K. Nakamura, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  106. Development of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Surface Passivation of Si

    Z. T. Zhuo, T. Ohnishi, K. Goto, Y. Sannomiya, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  107. Influence of Process Parameters on the Material Properties of Microcrystalline Si Prepared Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

    K. Tabuchi, A. Hirano, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  108. Atmospheric-Pressure Plasma Technology for the High-Rate and Low-Temperature Deposition of Si Thin Films

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Abst. 32nd Int. Symp. on Dry Process　2010年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  109. Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface

    Z.T. Zhuo, T. Ohnishi, K. Goto, Y. Sannomiya, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Conf. Proc. 7th ICRP and 63rd GEC　2010年10月

  110. Room-Temperature Deposition of Silicon Nitride Films with Very High Rates Using Atmospheric-Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Proc. 7th International Conference on Reactive Plasmas, 28th Symposium on Plasma Processing and 63rd Gaseous Electronics Conference, Paris, France, 2010　2010年10月

  111. Formation of microcrystalline SiC films by chemical transport with a high-pressure glow plasma of pure hydrogen

    Hiromaisa Ohmi, Yoshinori Hamaoka, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    THIN SOLID FILMS　Vol. 519　No. 1　p. 11-17　2010年10月　研究論文（学術雑誌）

  112. Chemical Transport Deposition of Purified Poly-Si Films from Metallurgical-Grade Si Using Subatmospheric-Pressure H2 Plasma

    K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi

    Abst. 2010 MRS Spring Meeting, Symposium A: Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology–2010, San Francisco, April 6-9, 2010 (A10.1).　Vol. 1245　p. 215-226　2010年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  113. New Formation Process of Solar-Grade Si from Metallurgical-Grade Si by Chemical Transport in Near Atmospheric-Pressure Plasma

    K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi

    Abst. The 3 rd Int. Conf. on Plasma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2010), Nagoya, March 11-12, 2010 (I-01).　2010年3月

  114. New Formation Process of Solar-Grade Si Material Based on Atmospheric-Pressure Plasma Science

    K. Yasutake, H. Ohmi, K. Inagaki, H. Kakiuchi

    Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2009年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  115. Low-Temperature Si Epitaxial Growth by Atmospheric-Pressure Plasma CVD

    T. Ohnishi, K. Goto, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2009年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  116. Characterization of Room-Temperature Silicon Oxide Films Deposited with High Rates in Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yokoyama, K. Higashida, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2009年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  117. Study on the Growth of Microcrystalline Si Films at Low Temperatures in Atmospheric-Pressure VHF Plasma

    K. Tabuchi, K. Ouchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology　2009年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  118. In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    T. Ohnishi, Y. Kirihata, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    ECS Transactions　Vol. 25　No. 8　p. 309-315　2009年10月　研究論文（学術雑誌）

  119. Characterization of High-Rate Deposited Microcrystalline Si Films Prepared Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

    K. Tabuchi, K. Ouchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    ECS Transactions　Vol. 25　No. 8　p. 405-412　2009年10月　研究論文（学術雑誌）

  120. Investigation of Deposition Characteristics and Properties of High-Rate Deposited SiNx Films Prepared at Low Temperatures (100-300 C) by Atmospheric-Pressure Plasma CVD

    Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Book of Abstracts of the 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors　2009年8月

  121. 大気圧・超高周波プラズマを用いた微結晶Siの低温・高速成膜

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    表面技術　Vol. 60　No. 6　p. 371-375　2009年6月

    出版者・発行元：（社）表面技術協会

  122. Reduction of titanium oxide in the presence of nickel by nonequilibrium hydrogen gas

    H. Sekimoto, Y. Nose, T. Uda, S. Sato, H. Kakiuchi, Y. Awakura

    J. Mater. Res.　Vol. 24　No. 7　p. 2391-2399　2009年4月　研究論文（学術雑誌）

  123. 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成

    安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章

    第44回応用物理学会スクール「安価,簡単,便利～大気圧プラズマの基礎と応用～」資料集　2009年4月

  124. Characterization of Microcrystalline Si Films Deposited with High Rates by Atmospheric-Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    K. Ouchi, K. Tabuchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 1st Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology, －Surface and Thin Film Processing－　2009年2月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  125. Room-Temperature Formation of Silicon Dioxide Films by Atmospheric-Pressure Plasma CVD Using Cylindrical Rotary Electrode

    Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Ext. Abst. 1st Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology, －Surface and Thin Film Processing－　2009年2月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  126. 大気圧プラズマプロセスによるSi系薄膜の低温形成

    安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章

    第2回プラズマ新領域研究会講演資料集　2008年12月

  127. Simple dry etching method for Si related materials without etching source gased by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport

    Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Abstracts of 11th international conference on plasma surface engineering　2008年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  128. Impacts of noble gas dilution on Si film structure prepared by atmosphericpressure plasma enhanced chemical transport

    Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    J.Phys. D:Applied Physics　Vol. 41　No. 19　2008年9月　研究論文（学術雑誌）

  129. High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD

    K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi

    Thin Solid Films　Vol. 517　No. 1　p. 242-244　2008年8月　研究論文（学術雑誌）

  130. 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成

    安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

    日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会 第87回研究会資料 「高密度媒体中の放電現象 －材料分野への応用の現状と課題－」　2008年6月

  131. In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD

    Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Surf. Interface Anal.　Vol. 40　No. 6-7　p. 984-987　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

  132. High-rate preparation of thin Si films by atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport

    Daiki Kamada, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

    Surf. Interface Anal.　Vol. 40　No. 6-7　p. 979-983　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

  133. Formation of Polycrystalline-Si Thin Films Using Nanocrystalline Ge Nuclei

    Chiaki Yoshimoto, Hiromasa Ohmi, Takayoshi Shimura, Hiroaki Kakiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Abstracts of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2008　2008年5月

  134. Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成

    吉本千秋, 大参宏昌, 志村考功, 垣内弘章, 渡部平司, 安武潔

    電子情報通信学会技術研究報告　2008年4月

  135. 大気圧プラズマ化学輸送法を用いた機能薄膜の形成

    大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

    学術振興会第147委員会 第100回研究会 予稿集　2008年2月

  136. Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO2 Thin Films at Low-Temperatures

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi

    Abstracts of The 18th Symposium of Materials Research Society of Japan　2007年12月

  137. Metal induced hydrogen effusion from amorphous silicon

    Hiromasa Ohmi, Yoshinori Hamaoka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 91　No. 24　2007年12月　研究論文（学術雑誌）

  138. High rate deposition of Si film at low temperature by atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport

    Daiki kamada, Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  139. sterilization process of B.atrophaeus using atmospheric pressure mist plasma

    Keiji Iwamoto, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月

  140. selective growth of silicon by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport

    Kazuya kishimoto, Hiromasa Ohmi, Tetusya Mori, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    ext. abstracts of international 21st century COE symposium on Atomistic fabrication technology 2007,Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  141. Atomospheic-pressure plasma enhanced chemical transport as earth-conscious manufacturing technology

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　2007年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  142. Preparation of Si1-xGex and SiC compound films by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport

    Hiromasa Ohmi, Yoshinori Hamaoka, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    2007年9月

  143. Si film preparation by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport in H2/He or H2/Ar mixture

    Daiki Kamada, Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    2007年8月

  144. Silicon film formation by chemical transport in atmospheric-pressure pure hydrogen plasma

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Yoshinori Hamaoka, Kiyoshi Yasutake

    J.Appl. Phys.　Vol. 102　No. 2　2007年7月　研究論文（学術雑誌）

  145. 大気圧プラズマ化学輸送法により作製されるSi薄膜の構造制御

    Kazuya Kishimoto, Daiki Kamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyosi Yasutake

    ext.abstracts of the 20th symposium on plasma science for materials　2007年6月

    出版者・発行元：SPSM-20実行委員会

  146. Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD

    Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Abstracts 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2007年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  147. High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD

    K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi

    Abstracts 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2007年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  148. Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Filmes Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    K. Yasutake, N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 46　No. 4B　p. 2510-2515　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

  149. Characterization of Silicon Carbide Layers Formed by Atmospheric Pressure Plasma Carbonization of Silicon

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Nakamura, M. Aketa, K. Yasutake

    Proc. of International Symposium on Dry Process (DPS 2006), 29-30 November 2006,Nagoya, Japan　2006年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  150. 大気圧プラズマによるSi表面の高速酸化

    原田真, 垣内弘章, 大参宏昌, 渡部平司, 安武潔

    薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会予稿集「薄膜デバイスの新展開」pp. 149.-150.　2006年11月

  151. High-Rate Deposition and Characterization of Microcrystalline Silicon Films Prepared by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Kuwahara, R. Inuzuka, K. Yasutake

    Proc. of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 4-8 September 2006, Dresden, Germany　2006年11月

  152. Lifetime measurement of metastable fluorine atoms using electron cyclotron resonance plasma source

    M. Shimizu, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    J. Vac. Sci. Technol. A　Vol. 24　No. 6　p. 2133-2138　2006年11月　研究論文（学術雑誌）

  153. atmospheric pressure plasma sterilization with water micro-mist

    Yoshiki Ogiyama, Hiromasa Ohmi, Keiji Iwamoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of 6th international symposium on dry process　2006年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  154. High Rate Oxidation of Si Surfaces by using Atmospheric Pressure Plasma

    M. Harada, H. Kakiuchi, H. Ohmi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  155. Fabrication of Polycrystalline Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands and Nuclei

    K. Minami, C. Yoshimoto, H. Ohmi, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  156. Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vappor Deposition

    N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  157. Atomospheric Pressure Hydrogen Plasma Treatment of 4H-SiC(0001) Surfaces Using Porous Carbon Electrode

    M. Harada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006　2006年10月

  158. Ro-vibronic Structure in the Q-branch in the Spectra of Hydrogen Fulcher-a Band Emission in the Atmospheric Pressure Plasma CVD Process Driven at 150 MHz

    Y. Oshikane, H. Kakiuchi, K. Yamamura, C. M. Western, K. Yasutake, K. Endo

    Extended Abstratcs of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology　2006年10月

  159. Fabrication of Si1-xGex and SiC films by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport

    Kazuya Kishimoto, Daiki Kamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology. pp.73-pp.74　2006年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  160. development of atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport toward Eco-friendly manufacturing

    Hiromasa Ohmi, Yoshinori Hamaoka, Yoshiki Ogiyama, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.9-10, Osaka, Japan.　2006年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  161. High Rate Oxidation of Si Surfaces by using Atmospheric Pressure Plasma

    M. Harada, H. Kakiuchi, H. Ohmi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.78-79, Osaka, Japan.　2006年10月

  162. Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma Treatment of 4H-SiC(0001) Surfaces Using Porous Carbon Electrode

    M. Harada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.75-76, Osaka, Japan.　2006年10月

  163. Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.69-70, Osaka, Japan.　2006年10月

  164. Fabrication of Polycrystalline Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands and Nuclei

    K. Minami, C. Yoshimoto, H. Ohmi, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.65-66, Osaka, Japan.　2006年10月

  165. Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates

    K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi

    ECS Transactions“Thin Film Transistor Technology 8”　Vol. 3　No. 8　p. 215-225　2006年10月　研究論文（学術雑誌）

  166. Low-Temperature Growth of Epitaxial Si Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Porous Carbon Electrode

    H. Ohmi, H. Kakiuchi, N. Tawara, T. Wakamiya, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 45　No. 10　p. 8424-8429　2006年10月　研究論文（学術雑誌）

  167. Characterization of Epitaxial Silicon Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures(450-600℃)

    N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara, K. Yasutake

    Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.1094-1095.　2006年9月

  168. N2 C3Pu-B3Pg band spectroscopy in open-air type CVM plasma with He/CF4/O2 and H2 Fulcher-a band spectroscopy in atmospheric He/H2/SiH4 CVD plasma

    Yasushi Oshikane, Kazuya Yamamura, Koji Ueno, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Takafumi Karasawa, Colin M. Western, Akinori Oda, Akihiko Nagao, Katsuyoshi Endo

    Europhysics Conference Abstract of 18th Europhysics Conference on the Atomic and Molecular Physics of Ionised Gases　2006年7月

  169. Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) using Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma

    Heiji Watanabe, Shigenari Okada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, 2006, San Francisco, CA.　2006年4月

  170. Influence of H2/SiH4 Ratio on the Deposition Rate and Morphology of Polycrystalline Silicon Films Deposited by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Yasuji Nakahama, Yusuke Ebata, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 45　No. 4B　p. 3581-3586　2006年4月　研究論文（学術雑誌）

  171. Characterization of Epitaxial Si Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Cylindrical Rotary Electrode

    K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi, T. Wakamiya, H. Watanabe

    Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 45　No. 4　p. 3592-3597　2006年4月　研究論文（学術雑誌）

  172. Surface photovoltage measurements of intrinsic hydrogenated amorphous Si films on Si wafers on the nanometer scale

    Kenta Arima, Takushi Shigetoshi, Hiroaki Kakiuchi, Mizuho Morita

    Physica B　Vol. 376-377　p. 893-896　2006年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier

  173. 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速・低温形成技術

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    MATERIAL STAGE　2006年3月

  174. Deposition Characteristics of Polycrystalline Silicon Carbide Films Prepared at High-Rates by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Ryota Nakamura, Masatoshi Aketa, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the 6th International Conference on Reactive Plasmas and 23rd Symposium on Plasma Processing　2006年1月

  175. Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Naotaka Tawara, Takuya Wakamiya, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  176. Characterization of high pressure (200-760Torr), stable glow plasma of pure hydrogen by measuring etching properties of Si and optical emission spectroscopy

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Yoshiki Ogiyama, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  177. low temperature crystallization of amorphous silicon by atmospheric pressure plasma treatment in H2/He or H2/Ar mixtures

    Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kenichi Nishijima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Proceedings of the 6th ICRP an 23rd SPP　Vol. 45　No. 10B　p. 8488-8493　2006年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  178. シリコン系薄膜の大気圧プラズマCVDおよびエピタキシャル成長

    安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 渡部平司

    薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会「低温プロセスの再発見」アブストラクト集（2005）　2005年11月

  179. 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH4濃度の影響

    大参宏昌, 垣内弘章, 中濱康治, 江畑祐介, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏

    精密工学会誌　Vol. 71　No. 11　p. 1393-1398　2005年11月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  180. Study of Effects of Metal layer on hydrogen desorption from hydrogenated amorphous silicon using temperature programmed desorption

    Y. Hamaoka, H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Proceedings of the SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, KOBE　2005年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  181. Influence of H2/SiH4 ratio on the deposition rate and morphology of polycrystalline silicon films deposited by atmospheric pressure plasma CVD

    H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, Y. Nakahama, Y. Ebata, K. Yoshii, Y.Mori

    Proceedings of the SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, KOBE　2005年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  182. High-Rate Growth of Defect-Free Epitaxial Si at Low Temperatures by Atmoshperis Pressure Plasma CVD

    Takuya Wakamiya, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, Yuso Mori

    Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials　2005年9月

  183. Surface photovoltage measurements of amorphous Si films on Si wafers by STM/STS

    K. Arima, T. Shigetoshi, H. Kakiuchi, M. Morita

    Program and Abstracts of the 23rd International Conference on Defects in Semiconductors, pp. 379-379　2005年7月

  184. 大気圧プラズマCVDによる超高速成膜技術の開発

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 森 勇藏

    先端放射線化学シンポジウム2005 要旨集　2005年6月

  185. 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速形成

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 森 勇藏, 中濱康治, 江畑裕介

    日本学術振興会 薄膜第131委員会 第226回研究会資料　2005年6月

  186. 大気圧プラズマCVD法によるSiNxの成膜特性

    森 勇藏, 垣内弘章, 大参宏昌, 芳井熊安, 安武 潔, 中濱康治

    精密工学会誌, 70, 2, pp.292-296 (2004)　Vol. 70　No. 2　p. 292-296　2004年2月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  187. 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性

    森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 中濱康治, 江畑祐介

    精密工学会誌, 70, 1, pp.144-148 (2004)　Vol. 70　No. 1　p. 144-148　2004年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  188. High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    Y. Mori, H. Kakiuchi, K. Yoshii, K. Yasutake

    Crystal Growth Technology, (2003) 645-652.　2003年12月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：John Wiley & Sons Ltd

  189. Visible Light Irradiation Effects on Atomic-Scale Observations of Hydrogenated Amorphous Silicon Films by Scanning Tunneling Microscopy

    Kenta Arima, Hiroaki Kakiuchi, Manabu Ikeda, Katsuyoshi Endo, Mizuho Morita, Yuzo Mori

    Extended Abstracts of the 2003 Int. Conf. on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2003年9月

  190. Extremely High-Rate Deposition of Silicon Thin Films Prepared by Atmospheric Plasma CVD Method with a Rotary Electrode

    M. Matsumoto, M. Shima, S. Okamoto, K. Murata, M. Tanaka, S. Kiyama, H. Kakiuchi, K. Yasutake, K. Yoshii, K. Endo, Y. Mori

    Proc. of 3rd World Conf. and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, (Osaka Japan 2003)　p. 1552-1555　2003年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  191. 大気圧プラズマCVD法の開発

    垣内弘章

    生産と技術, 54, 46 (2002)　Vol. 54　No. 1　p. 46-49　2002年1月

    出版者・発行元：社団法人・生産技術振興協会

  192. Dual mode amplification of dye laser by injection-seeding method

    H. Ohmi, K. Yasutake, Y. Matsui, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, K. Yoshii, Y. Mori

    Tech. Digest of the 4th Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO/Pacific Rim 2001, Makuhari Messe, 2001, Vol. II, p. 124-125.　p. 124-125　2001年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  193. Formation of MonoChromatic Atomic Beam for Nanofabrication

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Yuki Matsui, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 251-256　2001年3月

  194. High-Rate Growth of Epitaxial Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    Yuzo Mori, Kumayasu Yoshii, kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, amd, Katsuo Wada

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 205-210　2001年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  195. Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD-Growth Rate and Crystallinity-

    Yuzo Mori, Kumayasu Yoshii, kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, amd, Katsuo Wada

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 211-215　2001年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  196. Numerical Simulation of Reactive Gas Flow in Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (AP-PCVD) Process

    Motohiro NAKANO, Kiyoshi YASUTAKE, Hiroaki KAKIUCHI, Yoshiaki YAMAUCHI, Kumayasu YOSHII, Toshihiko KATAOKA, Yuzo MORI

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering - Creation of Perfect Surface -, (2001) pp.221-226　2001年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  197. Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD-Growth Rate and Crystallinity-

    Yuzo Mori, Kumayasu Yoshii, kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, amd, Katsuo Wada

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface-211-215　2001年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  198. High-Rate Growth of Epitaxial Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    Yuzo Mori, Kumayasu Yoshii, kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, amd, Katsuo Wada

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface-205-210　2001年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  199. Formation of MonoChromatic Atomic Beam for Nanofabrication

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Yuki Matsui, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface-251-256　2001年3月

  200. Development of New Machining Process for Ultra Precision Surface Preparation ---EEM,Plasma CVM,and Atmospheric Pressure Plasma CVD---

    Yuzo Mori, Kazuto Yamauhci, Kazuya Yamamura, Hiroaki Kakiuchi, Yasuhisa Sano

    The 2nd International School on Crystal Growth Technology, Book of Lecture Notes, pp.~212-232　2000年8月

  201. Development of Anisotropic Dry Etching Method Using Laser-Collimated Fluorine Radical Beam

    Masao Shimizu, Hiromasa Ohmi, Kiyosi Yasutake, Kazuaki Yamane, Ryo Tanaka, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Precision Science and Technology for Perfect Surfaces (Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering), pp.~450-455　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  202. development of anisotropic dry etching method using laser-collimated fluorine radical beam

    Masao Shimizu, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Kazuaki Yamane, Ryo Tanaka, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 450-455　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  203. Creation of mono-velocity neutral atomic beam

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Masao Shimizu, Takakiyo Yasukawa, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Masataka Umeno, Yuzo Mori

    Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 630-635　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  204. Creation of mono-velocity neutral atomic beam

    Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Masao Shimizu, Takakiyo Yasukawa, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Masataka Umeno, Yuzo Mori

    Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface-630-635　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  205. development of anisotropic dry etching method using laser-collimated fluorine radical beam

    Masao Shimizu, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Kazuaki Yamane, Ryo Tanaka, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface-450-455　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  206. Doping of Single Crystalline AlN Thin Films Grown on Si(111) by Plasma-Assisted MBE

    Akihiro Takeuchi, Mitsuru Ono, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii

    Precision Science and Technology for Perfect Surfaces (Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering), pp.~624-629　1999年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  207. Molecular Beam Epitaxial Growth of AlN Single Crystalline Films on Si (111) Using Radio-Frequency Plasma Assisted Nitrogen Radical Source

    Kiyoshi Yasutake, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii

    J. Vac.~Sci.~Tech.~A, Vol.~16, No.~4, pp.~2140-2147　Vol. 16　No. 4　p. 2140-2147　1998年7月　研究論文（学術雑誌）

  208. MBE Growth of AlN Single Crystalline Films on Si (111) Using RF-excited Nitrogen Source

    K.Yasutake, A.Takeuchi, H.Kakiuchi, T.Hagiwara, K.Yoshii

    Proceeding of 1996 The Japan-China Bilateral Symposium on Advanced Manufacturing Engineering,79-83 (1996)　1996年10月

  209. Plasma CVM (chemical vaporization machining): an ultra precision machining technique using high-pressure reactive plasma

    Y.Mori, K.Yamamura, K.Yamauchi, K.Yoshii, T.Kataoka, K.Endo, K.Inagaki, H.Kakiuchi

    Nanotechnology, 4, 225-229 (1993)　Vol. 4　No. 4　p. 225-229　1993年10月　研究論文（学術雑誌）

  210. Interface Parameters and Surface Recombination Velocity at PECVD SiO┣D22┫D2/Si Interface

    K.Yasutake, H.Kakiuchi, K.Yoshii, H.Kawabe, Z.Chen, S.K.Pang, A.Rohatgi

    Technical Digest of the Sixth Sunshine Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells, 113-116 (1993)　1993年6月

    出版者・発行元：Technical Digest of the Sixth Sunshine Workshop on Crystalline Silicon Solar cells

  211. Plasma CVM (chemical vaporization machining) -- A Chemical Machining Method With Equal Performances to Conventional Mechanical Methods from the Sense of Removal Rates and Spatial Resolutions

    Y.Mori, K.Yamamura, K.Yamauchi, K.Yoshii, T.Kataoka, K.Endo, K.Inagaki, H.Kakiuchi

    Proceeding of 7th International Precision Engineering Seminar, 78-87 (1993)　1993年5月

  212. Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Films by Plasma Chemical Vapor Deposition under Higher Pressure than Atmospheric Pressure

    H.Kawabe, Y.Mori, K.Yoshii, T.Kataoka, K.Yasutake, K.Endo, K.Yamauchi, K.Yamamura, H.Kakiuchi

    Proceeding of 7th International Precision Engineering Seminar, 554-565 (1993)　1993年5月

MISC 139

  1. Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 91　No. 16　p. 161908-161908　2007年10月

  2. 大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用 (特集 FPDの進化を担う薄膜技術)

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔

    ディスプレイ　Vol. 19　No. 11　p. 23-29　2013年11月

    出版者・発行元：テクノタイムズ社

  3. 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 (特集 大気圧プラズマと注目の応用)

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔

    オプトロニクス　Vol. 31　No. 6　p. 88-93　2012年6月

    出版者・発行元：オプトロニクス社

  4. 大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術 (特集 プラズマプロセスの応用技術)

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔

    ケミカルエンジニヤリング　Vol. 55　No. 12　p. 889-895　2010年12月

    出版者・発行元：化学工業社

  5. PFC-free dry etching method for Si using narrow-gap VHF plasma at subatmospheric pressure

    Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    J. Electrochem. Soc.,　Vol. Vol. 157, No.2, D85　2010年2月

  6. PFC-free dry etching method for Si using narrow-gap VHF plasma at subatmospheric pressure

    J. Electrochem. Soc.,　Vol. Vol. 157, No.2, D85　2010年

  7. Purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport

    Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Daiki Kamada, Yoshinori Hamaoka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 95　No. 18　2009年11月

  8. purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport

    Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Daiki Kamada, Yoshinori Hamaoka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 95　No. 18　2009年11月

  9. フィルムコーテイングのための大気圧・超高周波プラズマ技術 (特集 気相薄膜形成技術)

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔

    コンバーテック　Vol. 36　No. 3　p. 96-100　2008年3月

    出版者・発行元：加工技術研究会

  10. 大気圧プラズマCVDにより高速形成したSiNx薄膜の構造評価

    石本大輔, 山口賀人, 中村 慶, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武 潔

    薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会予稿集　2007年11月

  11. Deposition Characteristics of SiNx Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD Using Cylindrical Rotary Electrode

    D. Ishimoto, Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　Vol. pp. 93-94　2007年10月

  12. Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007　Vol. pp. 7-8　2007年10月

  13. 3C-SiC Formation by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　Vol. pp. 91-92　2007年10月

  14. Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 91　No. 16　2007年10月

  15. 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長

    安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌

    應用物理　Vol. 76　No. 9　p. 1031-1036　2007年9月10日

    出版者・発行元：応用物理学会

  16. Low-Temperature Oxidation Process of Silicon Using Atmospheric Pressure Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Digest of Technical Papers of the 14th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, 11–13 July 2007, Hyogo, Japan.　Vol. pp. 223–226　2007年7月

  17. Formation of Silicon Carbide at Low Temperatures by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Proc. of the 20th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-20), 21–22 June 2007, Nagoya, Japan.　Vol. p 45　2007年6月

  18. Formation of Silicon Dioxide Layers at Low Temperatures (150-400 C) by Atmospheric Pressure Plasma Oxidation of Silicon

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    Sci. Technol. Adv. Mater.　Vol. 8　No. 3　p. 137-141　2007年4月

  19. Formation of silicon dioxide layers at low temperatures (150-400 degrees C) by atmospheric pressure plasma oxidation of silicon

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS　Vol. 8　No. 3　p. 137-141　2007年4月

  20. Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O-2 plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 90　No. 15　2007年4月

  21. High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Trends in Thin Solid Films Research　Vol. pp. 1-49　2007年3月

    出版者・発行元：Nova Science Publishers

  22. Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 90　No. 9　2007年2月

  23. Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma

    Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

    Appl. Phys. Lett.　Vol. 90　No. 9　p. 091909-091909　2007年2月

  24. 大気圧プラズマCVDにより高速形成したSiNx薄膜の構造評価

    薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会予稿集　2007年

  25. Deposition Characteristics of SiNx Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD Using Cylindrical Rotary Electrode

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　Vol. pp. 93-94　2007年

  26. High-Rate Deposition Microcrystalline Silicon Films at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　Vol. pp. 95-96　2007年

  27. Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　Vol. pp. 7-8　2007年

  28. 3C-SiC Formation by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 plasma

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan　Vol. pp. 91-92　2007年

  29. Formation of Silicon Carbide at Low Temperatures by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma

    Proc. of the 20th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-20), 21–22 June 2007, Nagoya, Japan.　Vol. p 45　2007年

  30. Low-Temperature Oxidation Process of Silicon Using Atmospheric Pressure Plasma

    Digest of Technical Papers of the 14th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, 11–13 July 2007, Hyogo, Japan.　Vol. pp. 223–226　2007年

  31. High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure

    Trends in Thin Solid Films Research　Vol. pp. 1-49　2007年

  32. High-Rate Deposition of Microcrystalline Silicon Films at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Kuwahara, R. Inuzuka, K. Yasutake

    Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology　Vol. pp. 95-96　2006年10月

  33. Rotational and vibrational temperature of Fulcher-alpha band emitted by hydrogen molecules in capacitive VHF CVD plasma process at atmosphere

    Yasushi Oshikane, Hiroaki Kakiuchi, Kazuya Yamamura, Kiyoshi Yasutake, Takafumi Karasawa, Colin M. Western, Akinori Oda, Katsuyoshi Endo

    Abstractbook of the 8th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology　Vol. p.269　2006年7月

  34. Rotational and vibrational temperature of Fulcher-alpha band emitted by hydrogen molecules in capacitive VHF CVD plasma process at atmosphere

    Abstractbook of the 8th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology　Vol. p.269　2006年

  35. Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500-800 degrees C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    K Yasutake, H Kakiuchi, H Ohmi, K Yoshii, Y Mori

    APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING　Vol. 81　No. 6　p. 1139-1144　2005年11月

  36. Creation of Perfect Surfaces

    Yuzu Mori, Kazuya Yamamura, Katsuyoshi Endo, Kazuto Yamauchi, Kiyoshi Yasutake, Hidekazu Goto, Hiroaki Kakiuchi, Yasuhisa Sano, Hidekazu Mimura

    Journal of Crystal Growth　2005年4月

    出版者・発行元：Elsevier

  37. Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substratesfor Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films

    K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, S. Koyama, D. Nakajima, K. Minami

    Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nov.12-13, 2004, Nara-Shi Asunara Conference Hall, pp.19-24　Vol. pp.19-24　2005年2月

  38. Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500 - 800°C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yoshii, Y. Mori

    Applied Physics A　2005年2月

  39. Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films

    Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nov.12-13, 2004, Nara-Shi Asunara Conference Hall, pp.19-24　Vol. pp.19-24　2005年

  40. Size and density control of crystalline Ge islands on glass substrates by oxygen etching

    K Yasutake, H Ohmi, H Kakiuchi, H Watanabe, K Yoshii, Y Mori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　Vol. 43　No. 12A　p. L1552-L1554　2004年12月

  41. Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching

    Kiyoshi YASUTAKE, Hiromasa OHMI, Hiroaki KAKIUCHI, HeijiWATANABE, Kumayasu YOSHII, Yuzo MORI

    Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) No.12A pp.L1552-L1554　Vol. Vol.43 No.12A pp.L1552-L1554　2004年12月

  42. 大気圧プラズマCVDプロセスによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子

    大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 中濱康治, 江畑裕介, 芳井熊安, 森勇藏

    精密工学会誌 70 [11] (2004) 1418-1422.　Vol. 70　No. 11　p. 1418-1422　2004年11月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  43. Scanning tunneling microscopy/spectroscopy observation of intrinsic hydrogenated amorphous silicon surface under light irradiation

    Kenta Arima, Hiroaki Kakiuchi, Manabu Ikeda, Katsuyoshi Endo, Mizuho Morita, Yuzo Mori

    Surface Science　Vol. 572　No. 2-3　p. 449-458　2004年11月

  44. Creation of perfect surfaces

    Yuzo Mori, Kazuya Yamamura, Katsuyoshi Endo, Kazuto Yamauchi, Kiyoshi Yasutake, Hidekazu Goto, Hiroaki Kakiuchi, Yasuhisa Sano, Hidekazu Mimura

    The 14th international conference on crystal growth　2004年8月

  45. Visible light irradiation effects on STM observations of hydrogenated amorphous silicon surfaces

    K Arima, H Kakiuchi, M Ikeda, K Endo, M Morita, Y Mori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　Vol. 43　No. 4B　p. 1891-1895　2004年4月

  46. 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性

    森 勇藏, 垣内弘章, 芳井熊安, 安武 潔, 大参宏昌, 江畑裕介, 中村恒夫, 竹内博明, 北條義之, 古川和彦

    精密工学会誌, 70, 4, pp.562-567 (2004)　Vol. 70　No. 4　p. 562-567　2004年4月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  47. Visible Light Irradiation Effects on STM Observations of Hydrogenated Amorphous Silicon Surfaces

    Kenta ARIMA, Hiroaki KAKIUCHI, Manabu IKEDA, Katsuyoshi ENDO, Mizuho MORITA, Yuzo MORI

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 43　No. 4B　p. 1891-1895　2004年4月

  48. 大気圧プラズマＣＶＤ法による機能薄膜の超高速成形成技術の開発

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 遠藤勝義, 森 勇藏

    大阪大学低温センターだより，125,16-22　Vol. 125,16-22　p. 16-22　2004年1月

    出版者・発行元：大阪大学低温センター

  49. 大気圧プラズマCVDプロセスによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子

    大参 宏昌, 垣内 弘章, 安武 潔, 中濱 康治, 江畑 裕介, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌 70 [11] (2004) 1418-1422.　Vol. 70　No. 11　p. 1418-1422　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  50. 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性

    森 勇藏, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 安武 潔, 大参 宏昌, 江畑 裕介, 中村 恒夫, 竹内 博明, 北條 義之, 古川 和彦

    精密工学会誌, 70, 4, pp.562-567 (2004)　Vol. 70, 4, pp.562-567　No. 4　p. 562-567　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  51. 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiNx薄膜の構造と成膜パラメータの相関

    精密工学会誌 70 [7] (2004) 956-960.　2004年

  52. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究（第２報）－成膜パラメータの最適化による膜構造の改善－

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 中澤 弘一, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌 70 [8] (2004) 1075-1079.　Vol. 70　No. 8　p. 1075-1079　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  53. 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiN_x薄膜の構造と成膜パラメータの相関

    垣内 弘章, 中濱 康治, 大参 宏昌, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌論文集　Vol. 70　No. 7　p. 956-960　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  54. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報) : 成膜パラメータの最適化による膜構造の改善

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 中澤 弘一, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌論文集　Vol. 70　No. 8　p. 1075-1079　2004年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  55. Characterization of Hydrogenated Amorphous Si1-xCx Films Prepared at Extremely High Rates Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

    Y. Mori, H. Kakiuchi, K. Yoshii, K. Yasutake, H. Ohmi

    Journal of Physics D: Applied Physics, 36 [23] (2003) 3057-3063.　Vol. 36　No. 23　p. 3057-3063　2003年12月

  56. High-Rate Growth of Epitaxial Silicon at Low Temperatures (530-690℃) by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

    Y. Mori, K. Yoshii, K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Wada

    Thin Solid Films, 444 (2003) 138-145.　Vol. 444　No. 1-2　p. 138-145　2003年12月

  57. Scanning tunneling microscopy observations of intrinsic hydrogenated amorphous silicon surface under visible light irradiation

    Kenta Arima, Hiroaki Kakiuchi, Manabu Ikeda, Katsuyoshi Endo, Mizuho Morita, Yuzo Mori

    Program and Abstracts of the 7th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, pp. 256-256　Vol. 572　No. 2-3　p. 449-458　2003年11月

  58. 大気圧以上の高圧力下でのプラズマCVDによるダイヤモンドの高速形成

    豊田洋通, 井出 敞, 八木秀次, 垣内弘章, 森 勇藏

    精密工学会誌 69 [10] (2003), 1444-1448.　Vol. 69　No. 10　p. 1444-1448　2003年10月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  59. 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究

    安武 潔, 稲垣 耕司, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 芳井 熊安, 広瀬 喜久治

    日本物理学会講演概要集　Vol. 58　No. 2　p. 792-792　2003年8月15日

    出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

  60. 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長（第1報）―エピタキシャルSi成長条件の検討―

    森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男

    精密工学会誌 69 [6] (2003), 861-865.　Vol. 69　No. 6　p. 861-865　2003年6月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  61. 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の原子像観察

    有馬 健太, 池田 学, 垣内 弘章, 遠藤 勝義, 森田 瑞穂, 森 勇蔵

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 2　p. 147-147　2002年10月1日

  62. 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 山本 達志, 中濱 康冶

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 2　p. 370-370　2002年10月1日

  63. 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 和田 勝男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 2　p. 369-369　2002年10月1日

  64. 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜

    森勇藏, 垣内弘章, 芳井熊安, 安武潔, 松本光弘, 江畑裕介

    精密工学会誌 68 [8] (2002), 1077-1081.　Vol. 68　No. 8　p. 1077-1081　2002年8月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  65. 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 和田 勝男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 1　p. 614-614　2002年3月1日

  66. 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiN-X膜の成膜に関する研究(SiH4/NH3系成膜)

    中濱 康治, 山本 達志, 森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 1　p. 613-613　2002年3月1日

  67. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について

    江畑 裕介, 中村 恒夫, 竹内 博明, 北條 義之, 古川 和彦, 森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 1　p. 612-612　2002年3月1日

  68. 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析

    有馬 健太, 池田 学, 垣内 弘章, 遠藤 勝義, 森田 瑞穂, 森 勇蔵

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2002　No. 1　p. 44-44　2002年3月1日

  69. 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜

    森 勇藏, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 安武 潔, 松本 光弘, 江畑 裕介

    精密工学会誌　Vol. 68　No. 8　p. 1077-1081　2002年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  70. High-Rate Deposition of Device-Grade Amorphous Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    Y. Mori, H. Kakiuchi, K. Yoshii, K. Yasutake, M. Matsumoto, Y. Ebara

    Proc. of the COE Int. Symp. on Ultraprecision Science and Technology - Creation of Perfect Surface - , Osaka, 2001, p. 187-192.　2001年10月

  71. ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成

    松井 優貴, 安武 潔, 大参 宏昌, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇蔵

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2001　No. 2　p. 211-211　2001年9月1日

  72. 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究

    中濱 康治, 山本 達志, 森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2001　No. 2　p. 247-247　2001年9月1日

  73. 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 大参 宏昌, 和田 勝男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2001　No. 2　p. 249-249　2001年9月1日

  74. 紫外光半導体レーザ用AIN単結晶薄膜の作製

    竹内 昭博, 三宅 崇之, 谷屋 周平, 西嶋 健一, 安武 潔, 垣内 弘章, 芳井 熊安

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2001　No. 2　p. 255-255　2001年9月1日

  75. 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 森田 瑞穂, 安武 潔, 垣内 弘章, 押鐘 寧, 青木 稔

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2001　No. 2　p. 248-248　2001年9月1日

  76. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について

    江畑 裕介, 中村 恒夫, 竹内 博明, 北條 義之, 古川 和彦, 森 勇蔵, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2001　No. 2　p. 252-252　2001年9月1日

  77. 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析

    有馬 健太, 後藤 由光, 垣内 弘章, 遠藤 勝義, 森田 瑞穂, 森 勇蔵

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2001　No. 2　p. 287-287　2001年9月1日

  78. 注入同期法による色素レーザの増幅

    大参宏昌, 安武潔, 松井優貴, 竹内昭博, 垣内弘章, 芳井熊安, 森勇藏

    精密工学会誌, 67 [7] (2001) 1108-1113.　Vol. 67　No. 7　p. 1108-1113　2001年7月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  79. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究（第3報）---高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性---

    森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 木山精一, 樽井久樹, 堂本洋一

    精密工学会誌, Vol.~67, No.~5, pp.~829-833　Vol. 67　No. 5　p. 829-833　2001年5月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  80. Li原子ビームのレーザコリメーション

    大参宏昌, 安武 潔, 清水正男, 日本アイ・ビー・エム(株, 垣内弘章, 竹内昭博, 芳井熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌, Vol.~67, No.~3, pp.~433-437　Vol. 67　No. 3　p. 433-437　2001年3月

  81. Lifetime of Metastable Fluorine Atoms

    Masao Shimizu, IBM Japan, L, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Appl.~Phys.~B, Vol.~72, pp.~227-230　Vol. 72　No. 2　p. 227-230　2001年2月

  82. Li原子ビームのレーザコリメーション

    大参 宏昌, 安武 潔, 清水 正男, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌　Vol. 67　No. 3　p. 433-437　2001年

  83. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報) : 高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性

    森 勇藏, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 木山 精一, 樽井 久樹, 堂本 洋一

    精密工学会誌　Vol. 67　No. 5　p. 829-833　2001年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  84. 中性原子ビーム速度分光装置の開発

    大参宏昌, 安武 潔, 清水正男, 日本アイ・ビー・エム(株, 垣内弘章, 竹内昭博, 芳井熊安, 森 勇藏

    精密工学会誌, Vol.~66, No.~12, pp.~1938-1942　Vol. 66　No. 12　p. 1938-1942　2000年12月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  85. Velocity Spectrometer for neutral atomic beam

    Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi, Masao Shimizu, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

    Applied Phisics B, 71,787-793　Vol. 71　No. 6　p. 787-793　2000年12月

  86. 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化

    森 勇藏, 垣内弘章, 芳井熊安, 安武 潔

    精密工学会誌, Vol.~66, No.~11, pp.~1802-1806　Vol. 66　No. 11　p. 1802-1806　2000年11月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  87. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究（第2報）---成膜速度の高速化---

    森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 中野元博, 垣内弘章, 木山精一, 樽井久樹, 堂本洋一

    精密工学会誌, Vol.~66, No.~10, pp.~1636-1640　Vol. 66　No. 10　p. 1636-1640　2000年10月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  88. レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発 : フッ素ラジカルの生成と準安定状態の寿命測定

    清水 正男, 安武 潔, 大参 宏昌, 田中 亮, 村上 健, 竹内 昭博, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 森 勇蔵

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2000　No. 2　p. 480-480　2000年9月1日

  89. Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition System for High-rate Deposition of Functional Materials

    Yuzo Mori, Kumayasu Yoshii, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

    Rev.~Sci.~Instrum., Vol.~71, No.~8, pp.~3173-3177　Vol. 71　No. 8　p. 3173-3177　2000年8月

  90. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究（第1報）---成膜速度および膜構造の検討---

    森 勇藏, 垣内弘章, 芳井熊安, 安武 潔

    精密工学会誌, Vol.~66, No.~6, pp.~907-911　Vol. 66　No. 6　p. 907-911　2000年6月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  91. High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD

    Y.Mori, K.Yoshii, K.Yasutake, H.Kakiuchi

    Technology Reports of the Osaka University, 50 [2373] (2000), 55-62.　Vol. 50　No. 2373　2000年4月

  92. 大気圧プラズマによる超精密加工と高速成膜

    森 勇藏, 安武 潔, 山村和也, 垣内弘章

    精密工学会誌, Vol.~66, No.~4, pp.~517-522　Vol. 66　No. 4　2000年4月

  93. 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅

    大参 宏昌, 松井 優貴, 安武 潔, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇藏, 清水 正男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2000　No. 1　p. 380-380　2000年3月1日

  94. 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用

    大参 宏昌, 安川 貴清, 安武 潔, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇藏, 清水 正男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 2000　No. 1　p. 379-379　2000年3月1日

  95. 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化

    森 勇藏, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 安武 潔

    精密工学会誌　Vol. 66　No. 11　p. 1802-1806　2000年

  96. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報)-成膜速度および膜構造の検討-

    森 勇藏, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 安武 潔

    精密工学会誌　Vol. 66　No. 6　p. 907-911　2000年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  97. 大気圧プラズマによる超精密加工と高速成膜

    森 勇藏, 安武 潔, 山村 和也, 垣内 弘章

    精密工学会誌　Vol. 66　No. 4　p. 517-522　2000年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  98. Development of Velocity Spectrometer for Neutral Atomic Beam

    Journal of the Japan Society for Precision Engineering　Vol. 66　No. 12　2000年

  99. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第2報) : 成膜速度の高速化

    森 勇藏, 芳井 熊安, 安武 潔, 中野 元博, 垣内 弘章, 木山 精一, 樽井 久樹, 堂本 洋一

    精密工学会誌　Vol. 66　No. 10　p. 1636-1640　2000年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  100. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究（第1報） ---回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作---

    森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 木山精一, 樽井久樹, 堂本洋一

    精密工学会誌, Vol.~65, No.~11, pp.~1600-1604　Vol. 65　No. 11　p. 1600-1604　1999年11月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  101. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報)-回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作-

    森勇蔵, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 木山精一, 樽井久樹, 堂本洋一

    精密工学会誌　Vol. 65　No. 11　p. 1600-1604　1999年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  102. Si(111)基板上AIN単結晶薄膜のドーピングに関する研究

    竹内 昭博, 安武 潔, 垣内 弘章, 宮川 治, 浅香 浩, 芳井 熊安

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1998　No. 1　p. 425-425　1998年3月5日

  103. 中性原子ビームのコリメーションとナノリソグラフィーへの応用

    大参 宏昌, 安武 潔, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇藏, 角谷 哲司, 清水 正男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1998　No. 1　p. 520-520　1998年3月5日

  104. レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発

    清水 正男, 岩井 敬文, 大参 宏昌, 竹内 昭博, 垣内 弘章, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1998　No. 1　p. 521-521　1998年3月5日

  105. Si(111)基板上AlN単結晶薄膜のドーピングに関する研究

    竹内 昭博, 安武 潔, 垣内 弘章, 宮川 治, 浅香 浩, 芳井 熊安

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1997　No. 2　p. 112-112　1997年10月1日

  106. レーザー冷却法による中性原子ビームのコリメーション

    大参 宏昌, 安武 潔, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 森 勇蔵, 清水 正男

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1997　No. 2　p. 111-111　1997年10月1日

  107. 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第5報) -高速形成a-Si薄膜の特性-

    堂本 洋一, 樽井 久樹, 木山 精一, 垣内 弘章, 遠藤 勝義, 安武 潔, 広瀬 喜久治, 片岡 俊彦, 芳井 熊安, 森 勇藏

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1997　No. 2　p. 192-192　1997年10月1日

  108. 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第4報) -a-Siの成膜速度の高速化-

    森 勇藏, 芳井 熊安, 片岡 俊彦, 広瀬 喜久治, 安武 潔, 遠藤 勝義, 垣内 弘章, 堂本 洋一, 樽井 久樹, 木山 精一

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1997　No. 2　p. 191-191　1997年10月1日

  109. Deep-level Characterization in semi-insulating GaAs by photo-induced current and Hall effect transient spectroscopy

    K.Yasutake, H.Kakiuchi, A.Takeuchi, K.Yoshii, H.Kawabe

    J. Mater. Sci. : Materials in Electronics　Vol. 8　No. 4　p. 239-245　1997年8月

  110. Thermal and Photo-induced Surface Damage in Paratellurite

    Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Akihiro Takeuchi, Kumayasu Yoshii, Hirokazu Yamada, Hideaki Kawabe

    J. Mater. Sci., Vol. 32, pp. 6595-6600　Vol. 32　No. 24　p. 6595-6600　1997年4月

  111. Low Temperature Growth of InGaAs/GaAs Strained-layer Single Quantum Wells

    Kiyoshi Yasutake, Akihiro Takeuchi, Hiroaki Kakiuchi, Yoshimasa Okuyama, Kumayasu Yoshii, Hideaki Kawabe

    International Journal of The Japan Society for Precision Engineering, Vol.31, No.1, pp.47-52　Vol. 31　No. 1　p. 47-52　1997年3月

  112. 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究（第2報）-- Si薄膜の構造および電気・光学特性 --

    垣内弘章, 芳井熊安, 安武 潔, 竹内昭博, 広瀬喜久冶, 森 勇藏

    精密工学会誌, Vol.63, No.2, pp.233-237　Vol. 63　No. 2　p. 233-237　1997年2月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  113. 光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価

    安武 潔, 垣内弘章, 竹内昭博, 芳井熊安, 川邊秀昭

    精密工学会誌, Vol.63, No.2, pp.264-268　Vol. 63　No. 2　p. 264-268　1997年2月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  114. 光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価

    安武 潔, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 川邊 秀昭

    精密工学会誌　Vol. 63　No. 2　p. 264-268　1997年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  115. In Ga As/Ga As単一ひずみ量子井戸薄膜の低温成長に関する研究

    安武 潔, 竹内 昭博, 垣内 弘章, 奥山 佳正, 芳井 熊安, 川邉 秀昭

    精密工学会誌　Vol. 63　No. 1　p. 61-64　1997年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  116. InGaAs/GaAs単一ひずみ量子井戸薄膜の低温成長に関する研究

    安武 潔, 竹内昭博, 垣内弘章, 奥山佳正, 本た, 芳井熊安, 川邊秀昭

    精密工学会誌, Vol.63, No.1, pp.60-64　Vol. 63　No. 1　p. 60-64　1997年1月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  117. 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報) : Si薄膜の構造および電気・光学特性

    垣内 弘章, 芳井 熊安, 安武 潔, 竹内 昭博, 広瀬 喜久治, 森 勇藏

    精密工学会誌　Vol. 63　No. 2　p. 233-237　1997年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  118. Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Films with High Growth Rate

    Y.Mori, K.Yoshii, T.Kataoka, K.Hirose, K.Yasutake, K.Endo, Y.Domoto, H.Tarui, S.Kiyama, H.Kakiuchi

    Proceeding of 1996 The Japan-China Bilateral Symposium on Advanced Manufacturing Engineering,84(1996)　Vol. 84　1996年10月

  119. 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第3報) -a-Si : H成膜プロセスにおけるパウダーの影響-

    森 勇蔵, 芳井 熊安, 片岡 俊彦, 広瀬 喜久治, 安武 潔, 遠藤 勝義, 垣内 弘章, 堂本 洋一, 樽井 久樹, 木山 精一

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1996　No. 2　p. 85-86　1996年9月1日

  120. ラジカルソースMBE法によるSi(111)基板上AIN薄膜の成長第2報)-成膜条件の最適化-

    竹内 昭博, 安武 潔, 芳井 熊安, 垣内 弘章, 萩原 琢也

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1996　No. 2　p. 83-84　1996年9月1日

  121. TeO$_{2}$単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究

    安武 潔, 垣内弘章, 竹内昭博, 芳井熊安, 山田裕一, 川邊秀昭

    精密工学会誌, Vol.62, No.9, pp.1335-1339　Vol. 62　No. 9　p. 1335-1339　1996年9月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  122. 回転電極を用いた高圧力プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第1報) -成膜装置の試作とその成膜特性-

    森 勇藏, 芳井 熊安, 片岡 俊彦, 広瀬 喜久治, 安武 潔, 遠藤 勝義, 垣内 弘章

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1996　No. 1　p. 359-360　1996年3月1日

  123. 大気圧・高周波プラズマの特性-励起周波数, 圧力の違い-

    片岡 俊彦, 遠藤 勝義, 押鐘 寧, 森 勇蔵, 芳井 熊安, 垣内 弘章, 根岸 伸幸, 大山 貴裕, 川島 雅人

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1996　No. 1　p. 635-636　1996年3月1日

  124. 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Si薄膜の低温成長に関する研究(第4報) -結晶粒の大粒径化に関する検討-

    垣内 弘章, 芳井 熊安, 森 勇藏, 安武 潔, 竹内 昭博, 安見 正博

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1996　No. 1　p. 361-362　1996年3月1日

  125. TeO_2単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究

    安武 潔, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 芳井 熊安, 山田 裕一, 川邉 秀昭

    精密工学会誌　Vol. 62　No. 9　p. 1335-1339　1996年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  126. Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション

    広瀬喜久治, 後藤英和, 森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 坂本正雄, 堤 建一

    精密工学会誌，第61巻，第12号 (1995) pp.1755-1759.　Vol. 61　No. 12　p. 1755-1759　1995年12月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  127. ラジカルソースMBE法を用いたSi(111)基板上AIN薄膜のエピタキシャル成長

    安武 潔, 芳井 熊安, 垣内 弘章, 竹内 昭博, 西山 浩司

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1995　No. 2　p. 659-660　1995年9月1日

  128. 大気圧RFプラズマの特性

    片岡 俊彦, 遠藤 勝義, 押鐘 寧, 森 勇藏, 芳井 熊安, 垣内 弘章, 根岸 伸幸, 大山 貴裕

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1995　No. 2　p. 623-624　1995年9月1日

  129. 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究（第1報）

    垣内弘章, 川辺秀昭, 大阪職業能力開発短期大学校, 芳井熊安, 安武 潔, 竹内昭博, 広瀬喜久治, 森 勇藏

    精密工学会誌, Vol.61, No.6, pp.829-833　Vol. 61　No. 6　p. 829-833　1995年6月

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  130. Si(001)表面上におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション

    広瀬 喜久治, 後藤 英和, 森 勇藏, 芳井 熊安, 安武 潔, 垣内 弘章, 坂本 正雄, 堤 建一

    精密工学会誌　Vol. 61　No. 12　p. 1755-1759　1995年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  131. 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報)

    垣内 弘章, 川辺 秀昭, 芳井 熊安, 安武 潔, 竹内 昭博, 広瀬 喜久治, 森 勇藏

    精密工学会誌　Vol. 61　No. 6　p. 829-833　1995年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  132. イオンビームスパッタリング法によるa‐Si:H/a‐SiC:H超格子薄膜の作製とその評価

    須崎嘉文, 鹿間共一, 吹田義一, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 竹内昭博, 川辺秀昭

    精密工学会大会学術講演会講演論文集　Vol. 1994　No. Spring 1　p. 321-322　1994年3月

  133. スパッタ法により作製したa-Si(:H)/a-SiC(:H)超格子薄膜の量子井戸効果

    須崎嘉文, 鹿間共一, 垣内弘章, 芳井熊安, 川邊秀昭

    精密工学会誌, 60, 393 (1994).　Vol. 60　No. 3　p. 393-396　1994年3月

    出版者・発行元：精密工学会

  134. スパッタ法により作製したa-Si(:H)/a-SiC(:H)超格子薄膜の量子井戸効果

    須崎 嘉文, 鹿間 共一, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 川辺 秀昭

    精密工学会誌　Vol. 60　No. 3　p. 393-396　1994年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  135. スパッタ法により作製したa-Si/a-SiC超格子薄膜の構造

    須崎 嘉文, 中村 茂昭, 垣内 弘章, 芳井 熊安, 川辺 秀昭

    精密工学会誌　Vol. 60　No. 1　p. 138-142　1994年

    出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

  136. スパッタ法により作製したa-Si/a-SiC超格子薄膜の構造

    須崎嘉文, 中村茂昭, 垣内弘章, 芳井熊安, 川邊秀昭

    精密工学会誌, 60, 138 (1994).　Vol. 60　No. 1　p. 138-142　1994年1月

    出版者・発行元：精密工学会

  137. Plasma CVM (Chemical Vaporization Machining) - An Ultra Precision Machining with High Pressure Reactive Plasma-

    Y.Mori, K.Yamamura, K.Yamauchi, K.Yoshii, T.Kataoka, K.Endo, K.Inagaki, H.Kakiuchi

    TECHNOLOGY RERORTS OF THE OSAKA UNIVERSITY, 43, 261-266 (1993)　Vol. 43　No. 2156　p. 261-266　1993年10月

  138. Surface Recombination Velocities and Interface State Parameters at Si-SiO┣D22┫D2 Interface Prepared by Low Temperature Plasma Processes

    K.Yasutake, H.Kakiuchi, K.Yoshii, H.Kawabe, Z.Chen, S.K.Pang, A.Rohatgi

    Technical Digest of the International PVSEC-7, 549-550 (1993)　Vol. 549-550　p. 549-550　1993年6月

  139. Structure and quantum size effect of a-Si( : H)/a-SiC( : H) multilayer films

    Y.Suzaki, T.Shikama, H.Kakiuchi, A.Takeuchi, K.Yoshii, H.Kawabe

    Journal of Magnetism and magnetic Materials, 126, 22-24 (1993)　Vol. 126　No. 1-3　p. 22-24　1993年3月

著書 16

  1. 大気圧プラズマ技術と成膜応用（第25回プラズマエレクトロニクス講習会 ～プラズマプロセスの基礎とその応用・制御技術～ テキスト）

    垣内 弘章

    公益社団法人 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会　2014年11月　教科書・概説・概論

  2. 大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用 「月間ディスプレイ」

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    (株)テクノタイムズ社　2013年11月　その他

  3. 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 OPTRONICS, 2012, No. 6, 88-93. （共著）

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

    株式会社オプトロニクス社　2012年6月　学術書

  4. 大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成 「改訂版 大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 pp.197-219, 2012 （共著）

    安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

    サイエンス＆テクノロジー株式会社　2012年3月　学術書

    ISBN: 9784864280396

  5. 大気圧プラズマの技術とプロセス開発

    沖野, 晃俊

    シーエムシー出版　2011年8月　その他

    ISBN: 9784781304076

  6. Preparation of Si-Based Thin Films Using Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapour Deposition (CVD) （共著）

    K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi

    "Generation and Application of Atmospheric Pressure Plasmas" NOVA　2011年4月　学術書

  7. 大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術, ケミカルエンジニヤリング 55[12], pp. 1–7 (2010).

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    化学工業社　2010年12月　学術書

  8. 大気圧プラズマCVDによる低温・高速成膜（第21回プラズマエレクトロニクス講習会「プラズマプロセスの基礎から応用最前線」 実践的プラズマ制御技術～先進デバイスから環境基盤技術を中心に テキスト）

    垣内弘章

    応用物理学会　2010年10月　教科書・概説・概論

  9. 「大気圧プラズマ 基礎と応用」 第6章6.7.3[2] シリコン系CVD

    安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌

    オーム社　2009年10月　学術書

  10. 新コーティングのすべて

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    加工技術研究会　2009年10月　学術書

  11. フィルムベースエレクトロニクスの最新要素技術

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    シーエムシー出版　2008年10月　学術書

  12. Materials Science Research Trends

    H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

    Nova Science Publishers, New York　2008年10月　学術書

  13. 「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 第2章 第7節 大気圧プラズマCVDによる無機物膜堆積 (2006) pp.135-151.

    安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

    サイエンス＆テクノロジー　2006年11月　学術書

  14. High-rate deposition of amorphous silicon films by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

    Crystal Growth Technology, Edited by H. J. Scheel and T. Fukuda, John Wiley & Sons Ltd　2003年

  15. Plasma CVM (Chemical Vapor Machining) - A Chemical Machining Method with Equal Performance to Conventional Mechanical Methods from the sence of Removal Rates and Spatial Resolutions

    Proceedings of the 7th International Precision Engineering Seminar.　1993年

  16. Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Films by Plasma Chemical Vapor Deposition under Higher Pressure than Atmospheric Pressure

    Proceedings of the 7th International Precision Engineering Seminar.　1993年

作品 3

  1. グローバルCOE 高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点

    2008年 ～

  2. Center of Excellence for Atomically Controlled Fabrication Technology

    2008年 ～

  3. 原子論的生産技術の創出拠点

    2004年 ～

特許・実用新案・意匠 16

  1. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    5269414

    出願日:2006/09

    登録日:2013/05

  2. プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法，ガス発生装置及びガス発生方法， 並びに，フッ素含有高分子廃棄物処理方法

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    5028617

    出願日:2007/01

    登録日:2012/07

  3. エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章, 渡部平司

    4539985

    出願日:2005/11

    登録日:2010/07

  4. 選択的膜製造方法

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2008/08

  5. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2006/09

  6. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造法，精製膜製造方法及び装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2006/09

  7. 透明導電膜の成膜装置および形成方法

    垣内弘章, 安武 潔, 岡崎真也, 長谷川千尋

    出願日:2010/09

  8. 成膜装置

    柴田哲司, 平井孝彦, 垣内弘章, 安武潔

    出願日:2010/03

  9. 選択的膜製造方法

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2008/08

  10. 低屈折率SiO2反射防止膜の製造方法及びそれを用いて得られる反射防止処理基材

    垣内弘章, 安武 潔, 大参宏昌, 石岡宗悟, 畠山宏毅

    出願日:2008/06

  11. 選択的膜製造方法

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2007/08

  12. Si基板表面の炭化による結晶性SiCの形成方法及び結晶性SiC基板

    垣内弘章, 安武 潔, 大参宏昌

    PCT/JP2006/322656

    出願日:2006/11

  13. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2006/09

  14. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2006/09

  15. 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

    大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章

    出願日:2006/09

  16. Si基板表面の炭化による結晶性SiCの形成方法及び結晶性SiC基板

    垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔

    特願2005-329318

    出願日:2005/11

学術貢献活動 19

  1. NEDO技術委員

    2009年11月 ～ 2011年3月

  2. 第37回ドライプロセス国際シンポジウム

    応用物理学会（The Japan Society of Applied Physics）

    2015年11月 ～

  3. 第25回プラズマエレクトロニクス講習会 ～プラズマプロセスの基礎とその応用・制御技術～

    公益社団法人 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会

    2014年11月 ～

  4. グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第5回国際シンポジウム

    大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」

    2012年10月 ～

  5. グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第4回国際シンポジウム

    大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」

    2011年10月 ～

  6. グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第3回国際シンポジウム

    大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」

    2010年11月 ～

  7. 第21回プラズマエレクトロニクス講習会 「プラズマプロセスの基礎から応用最前線」

    （社）応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会

    2010年10月 ～

  8. 第4回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール

    （社）応用物理学会

    2010年9月 ～

  9. グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第2回国際シンポジウム

    大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」

    2009年11月 ～

  10. 新機能性材料展2009薄膜コーティングセッション「ドライおよびウェットコートによる機能薄膜形成」

    （株）技術情報協会

    2009年2月 ～

  11. グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第1回国際シンポジウム

    大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」

    2009年2月 ～

  12. セミナー

    （株）技術情報協会

    2008年4月 ～

  13. 原子論的製造技術に関する 第2回 21世紀COE国際シンポジウム

    大阪大学21世紀COEプログラム「原子論的製造技術」，（社）精密工学会

    2007年10月 ～

  14. セミナー

    （株）技術情報協会

    2006年12月 ～

  15. 原子論的製造技術に関する 第1回 21世紀COE国際シンポジウム

    大阪大学21世紀COEプログラム「原子論的製造技術」，（社）精密工学会

    2006年10月 ～

  16. セミナー

    （株）技術情報協会

    2006年9月 ～

  17. 応用電子物性分科会研究例会

    応用物理学会 応用電子物性分科会

    2006年5月 ～

  18. 薄膜第131委員会 第226回研究会

    独立行政法人 日本学術振興会

    2005年6月 ～

  19. 先端放射線化学シンポジウム2005

    日本放射線化学会、大阪大学産業科学研究所産業科学ナノテクノロジーセンター

    2005年6月 ～

機関リポジトリ 3

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. Shallow defect layer formation as Cu gettering layer of ultra-thin Si chips using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

    Nomura Toshimitsu, Kakiuchi Hiroaki, Ohmi Hiromasa

    Journal of Applied Physics　Vol. 133　No. 16　2023年4月28日

  2. 大気圧プラズマCVD法による機能薄膜の超高速形成技術の開発

    垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔, 芳井 熊安, 遠藤 勝義, 森 勇蔵

    大阪大学低温センターだより　Vol. 125　p. 16-22　2004年1月

  3. 大気圧プラズマCVDによる太陽電池用アモルファスSiの高速成膜に関する研究

    垣内 弘章