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垣内 弘章

Kakiuchi Hiroaki

工学研究科 物理学系専攻,准教授

学歴

  • ~ 1991年03月,大阪大学,工学研究科,精密工学専攻
  • ~ 1991年,大阪大学,工学研究科,精密工学専攻
  • ~ 1991年,大阪大学
  • ~ 1989年03月,大阪大学,工学部,精密工学科
  • ~ 1989年,大阪大学

経歴

  • 2020年04月01日 ~ 継続中,大阪大学 工学研究科 物理学系専攻,准教授
  • 2001年08月 ~ 継続中,大阪大学大学院工学研究科助教授
  • 1998年04月 ~ 継続中,大阪大学大学院工学研究科助手
  • 1991年04月 ~ 継続中,大阪大学工学部助手
  • 2007年04月01日 ~ 2020年03月31日,大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,准教授
  • 2001年08月01日 ~ 2007年03月31日,大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,助教授
  • 1991年 ~ 2001年,大阪大学 助手
  • 1991年 ~ 2001年,Osaka University, Research Associate
  • 2001年 ~ ,- 大阪大学 助教授
  • 2001年 ~ ,- Osaka University, Associate Proffesor

研究内容・専門分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学),電気電子材料工学
  • ナノテク・材料,薄膜、表面界面物性

所属学会

  • 応用物理学会
  • 精密工学会

論文

  • Pulsed very high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films for low-temperature (120 ◦C) thin film transistors,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Journal of Physics D: Applied Physics,Vol. 53,No. 41,p. 415201-415201,2020年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Highly efficient formation process for functional silicon oxide layers at low temperatures (≤ 120 °C) using very high-frequency plasma under atmospheric pressure,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Precision Engineering,Vol. 60,p. 265-273,2019年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Controllability of structural and electrical properties of silicon films grown in atmospheric-pressure very high-frequency plasma,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Journal of Physics D: Applied Physics,Vol. 51,No. 35,2018年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Atmospheric-Pressure Low-Temperature Plasma Processes,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,Encyclopedia of Plasma Technology,CRC Press,2016年11月
  • Characterization of Si and SiOx films deposited in very high-frequency excited atmospheric-pressure plasma and their application to bottom-gate thin film transistors,H. Kakiuchi,H. Ohmi,T. Yamada,S. Tamaki,T. Sakaguchi,W. Lin,K. Yasutake,Phys. Status Solidi A,Vol. 212,No. 7,p. 1571-1577,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Atmospheric-pressure low-temperature plasma processes for thin film deposition,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,J. Vac. Sci. Technol. A,Vol. 32,No. 3,p. 030801-030801,2014年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Effective phase control of silicon films during high-rate deposition in atmospheric-pressure very high-frequency plasma: Impacts of gas residence time on the performance of bottom-gate thin film transistors,H. Kakiuchi,H. Ohmi,T. Yamada,A. Hirano,T. Tsushima,W. Lin,K. Yasutake,Surf. Coat. Technol.,Vol. 234,p. 2-7,2013年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Study on the growth of microcrystalline silicon films in atmospheric-pressure VHF plasma using porous carbon electrode,H. Kakiuchi,H. Ohmi,T. Yamada,A. Hirano,T. Tsushima,K. Yasutake,Journal of Physics: Conference Series,Institute of Physics Publishing,Vol. 417,No. 1,2013年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Silicon Oxide Coatings with Very High Rates (>10 nm/s) by Hexamethildisiloxane-Oxygen Fed Atmospheric-Pressure VHF Plasma: Film-Forming Behavior Using Cylindrical Rotary Electrode,H. Kakiuchi,H. Ohmi,T. Yamada,K. Yokoyama,K. Okamura,K. Yasutake,Plasma Chem. Plasma Process.,Vol. 32,No. 3,p. 533-545,2012年03月,研究論文(学術雑誌)
  • High-Rate HMDSO-Based Coatings in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet,H. Kakiuchi,K. Higashida,T. Shibata,H. Ohmi,T. Yamada,K. Yasutake,Journal of Non-Crystalline Solids,Vol. 358,No. 17,p. 2462-2465,2012年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Room-Temperature Formation of Low Refractive Index Silicon Oxide Films Using Atmospheric-Pressure Plasma,K. Nakamura,Y. Yamaguchi,K. Yokoyama,K. Higashida,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,J. Nanosci. Nanotechnol.,Vol. 11,No. 4,p. 2851-2855,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Study on the Growth of Heteroepitaxial Cubic Silicon Carbide Layers in Atmospheric-Pressure H2-based Plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,J. Nanosci. Nanotechnol.,Vol. 11,No. 4,p. 2903-2909,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Low refractive index silicon oxide coatings at room temperature using atmospheric-pressure very high-frequency plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,Y. Yamaguchi,K. Nakamura,K. Yasutake,Thin Solid Films,Vol. 519,No. 1,p. 235-239,2010年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Room-Temperature Silicon Nitrides Prepared with Very High Rates (>50 nm/s) in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Nakamura,Y. Yamaguchi,K. Yasutake,Plasma Chem. Plasma Process.,Vol. 30,No. 5,p. 579-590,2010年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Investigation of structural properties of high-rate deposited SiNx films prepared at low temperatures (100-300 C) by atmospheric-pressure plasma CVD,Y. Yamaguchi,K. Nakamura,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Phys. Stat. Sol. (c),Vol. 7,No. 3-4,p. 824-827,2010年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of Microcrystalline Si Films Deposited at Low Temperatures with High Rates by Atmospheric-Pressure Plasma CVD,K. Ouchi,K. Tabuchi,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Book of Abstracts of the 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors,Vol. 7,No. 3-4,p. 545-548,2009年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Microcrystalline Si films grown at low temperatures (90-220 C) with high rates in atmospheric-pressure VHF plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Ouchi,K. Tabuchi,K. Yasutake,J. Appl. Phys.,Vol. 106,No. 1,2009年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Enhancement of film-forming reactions for microcrystalline Si growth in atmospheric-pressure plasma using porous carbon electrode,H. Kakiuchi,H. Ohmi,R. Inudzuka,K. Ouchi,K. Yasutake,J. Appl. Phys.,Vol. 104,No. 5,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of Silicon Carbide at Low Temperatures by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,Thin Solid Films,Vol. 516,No. 19,p. 6580-6584,2008年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Heteroepitaxial growth of cubic SiC on Si using very high frequency plasma at atmospheric pressure,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Aketa,R. Nakamura,K. Yasutake,Surf. Interface Anal.,Vol. 40,No. 6-7,p. 974-978,2008年06月,研究論文(学術雑誌)
  • SiO2 Formation by Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si in Atmospheric Pressure Plasma Excited by Very High Frequency Power,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Harada,H. Watanabe,K. Yasutake,Jpn. J. Appl. Phys., Part 1,Vol. 47,No. 3,p. 1884-1888,2008年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O2 plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Harada,H. Watanabe,K. Yasutake,Appl. Phys. Lett.,Vol. 90,No. 15,p. 151904-151904,2007年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Makoto Harada,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 90,No. 9,p. 091909-091909,2007年02月26日,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of silicon dioxide layers at low temperatures (150—400°C) by atmospheric pressure plasma oxidation of silicon,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Harada,K. Yasutake,Science and Technology of Advanced Materials,Informa UK Limited,Vol. 8,No. 3,p. 137-141,2007年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural Characterization of Polycrystalline 3C-SiC Films Prepared at High Rates by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Monomethylsilane,H. Kakiuchi,H. Ohmi,R. Nakamura,M. Aketa,K. Yasutake,Jpn. J. Appl. Phys.,Vol. 45,No. 10B,p. 8381-8387,2006年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of hydrogen on the structure of high-rate deposited SiC on Si by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition using high-power-density condition,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Aketa,K. Yasutake,K. Yoshii,Y. Mori,Thin Solid Films,Vol. 496,No. 2,p. 259-265,2006年02月,研究論文(学術雑誌)
  • High-Rate Deposition of Intrinsic Amorphous Silicon Layers for Solar Cells using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Yasuhito Kuwahara,Mitsuhiro Matsumoto,Yusuke Ebata,Kiyoshi Yasutake,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials,Vol. 45,No. 4,p. 3587-3591,2005年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of intrinsic amorphous silicon layers for solar cells prepared at extremely high rates by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition,H. Kakiuchi,M. Matsumoto,Y. Ebata,H. Ohmi,K. Yasutake,K. Yoshii,Y. Mori,Journal of Non-Crystalline Solids 351 (2005) 741-747,Vol. 351,No. 8-9,p. 741-747,2005年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Investigation of deposition characteristics and properties of high-rate deposited silicon nitride films prepared by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition,H. Kakiuchi,Y. Nakahama,H. Ohmi,K. Yasutake,K. Yoshii,Y. Mori,Thin Solid Films 479 (2005) 17-23,Vol. 479,No. 1-2,p. 17-23,2005年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Role of O<sub>2</sub> and N<sub>2</sub> addition on low-reflectance Si surface formation using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma,Toshimitsu Nomura,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Physica Scripta,IOP Publishing,Vol. 98,No. 11,p. 115609-115609,2023年10月13日,研究論文(学術雑誌)
  • Shallow defect layer formation as Cu gettering layer of ultra-thin Si chips using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma,Toshimitsu Nomura,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 133,No. 16,2023年04月24日,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of deposition characteristics of silicon oxide layers using argon-based atmospheric-pressure very high-frequency plasma,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Seiya Takeda,Kiyoshi Yasutake,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 132,No. 10,p. 103302-103302,2022年09月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Si nanocone structure fabricated by a relatively high-pressure hydrogen plasma in the range of 3.3–27 kPa,Toshimitsu Nomura,Kenta Kimoto,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Hiromasa Ohmi,Journal of Vacuum Science &amp; Technology B,American Vacuum Society,Vol. 40,No. 3,p. 032801-032801,2022年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of indium nitride nanostructures by atmospheric pressure plasma nitridation of molten indium,Kazushi Yoshida,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 130,No. 6,p. 063301-063301,2021年08月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Gas-phase kinetics in atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 130,No. 5,p. 053307-053307,2021年08月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Diffusion of excessively adsorbed hydrogen atoms on hydrogen terminated Si(100)(2×1) surface,Kouji Inagaki,Yoshitada Morikawa,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi,AIP Advances,AIP Publishing,Vol. 11,No. 8,p. 085318-085318,2021年08月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Plasma parameters in very high frequency argon plasmas mixed with nitrogen at atmospheric pressure,Kiyoshi Yasutake,Kazushi Yoshida,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 129,No. 17,p. 173302-173302,2021年05月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Reactive ion etching process of SiO2 film using on-site synthesized C2F4 from CF4,Daiki Iino,Satoshi Tanida,Kazuaki Kurihara,Hiroyuki Fukumizu,Itsuko Sakai,Junko Abe,Jota Fukuhara,Rei Tanaka,Tomoyuki Tanaka,Jou Kikura,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Hiromasa Ohmi,Hisataka Hayashi,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 60,No. 5,p. 050904-050904,2021年05月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Study on silicon removal property and surface smoothing phenomenon by moderate-pressure microwave hydrogen plasma,Hiromasa Ohmi,Kenta Kimoto,Toshimitsu Nomura,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Materials Science in Semiconductor Processing,Vol. 129,p. 105780-105780,2021年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of silicon oxide thin films deposited at low temperatures using an atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition technology,Masaya Maegawa,Sigeto Nawata,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,2020年11月
  • Study on the growth of silicon films at low temperatures in atmospheric-pressure plasma excited by very high-frequency power,Shigeto Nawata,Masaya Maegawa,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,2020年11月
  • High-rate Preparation of Hydrophobic Fluorocarbon Film from CF4 Feedstock Gas by Solid Source Aided Plasma Chemical Vapor Deposition Technique,Hiromichi Nakatsuka,Rei Tanaka,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Hiromasa Ohmi,2020年11月
  • Diamond synthesis from graphite by hydrogen plasma induced chemical transport,Naoto Komatsu,Atsuhisa Togo,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Hiromasa Ohmi,2020年11月
  • Plasma parameters in very high frequency helium and argon plasmas at atmospheric pressure,Kazushi Yoshida,Ken Nitta,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi,J. Appl. Phys.,Vol. 128,No. 13,p. 133303-133303,2020年10月,研究論文(学術雑誌)
  • On-site tetrafluoroethylene gas generation from moderate-pressure pure tetrafluoromethane plasma reactor,Hiromasa Ohmi,Jou Kikura,Tomoyuki Tanaka,Rei Tanaka,Daiki Iino,Itsuko Sakai,Kazuaki Kurihara,Hiroyuki Fukumizu,Junko Abe,Jota Fukuhara,Hisataka Hayashi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Chemical Engineering Science,Vol. 229,p. 116125-116125,2020年09月,研究論文(学術雑誌)
  • The effect of pretreatment for SiH4 gas by microwave plasma on Si film formation behavior by thermal CVD,Keiichi Hamanaka,Norihisa Takei,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Hiromasa Ohmi,Plasma Process Polym.,Vol. 17,No. 4,p. e1900198-1900198,2020年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Significant Improvement of Copper Dry Etching Property of a High-Pressure Hydrogen-Based Plasma by Nitrogen Gas Addition,Ohmi Hiromasa,Sato Jumpei,Shirasu Yoshiki,Hirano Tatsuya,Kakiuchi Hiroaki,Yasutake Kiyoshi,ACS OMEGA,Vol. 4,No. 2,p. 4360-4366,2019年02月
  • On-site SiH4 generator using hydrogen plasma generated in slit-type narrow gap,Norihisa Takei,Fumiya Shinoda,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Hiromasa Ohmi,J. Phys. D: Appl. Phys.,Vol. 51,No. 24,2018年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Study of the interaction between molten indium and sub-atmospheric pressure hydrogen glow discharge for low-temperature nanostructured metallic particle film deposition,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Journal of Alloys and Compounds,,Vol. 728,p. 1217-1225,2017年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Study of the interaction between molten indium and sub-atmospheric pressure hydrogen glow discharge for low-temperature nanostructured metallic particle film deposition,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Journal of Alloys and Compounds,,Vol. 728,p. 1217-1225,2017年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Determination of plasma impedance of microwave plasma system by electric field simulation,Mitsutoshi Shuto,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Takahiro Yamada,Kiyoshi Yasutake,Journal of Applied Physics,Vol. 122,No. 4,p. 043303-1-043303-8,2017年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Copper dry etching by sub-atmospheric-pressure pure hydrogen glow plasma,Hiromasa Ohmi,Jumpei Sato,Tatsuya Hirano,Yusuke Kubota,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Applied Physics Letters,Vol. 109,No. 21,p. 211603-1-211603-5,2016年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Magnesium hydride film formation using subatmospheric pressure H-2 plasma at low temperature,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,A V S AMER INST PHYSICS,Vol. 34,No. 4,2016年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Selective Boron Elimination from B2H6–SiH4 Gas Mixtures for Purifying Si,Hiromasa Ohmi,Daiki Kamada,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,ECS J. Solid State Sci. Technol.,Vol. 5,No. 9,p. P471-P477,2016年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Magnesium hydride film formation using subatmospheric pressure H2 plasma at low temperature,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Journal of Vacuum Science & Technology B,Vol. 34,No. 4,2016年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Hydrogen atom density in narrow-gap microwave hydrogen plasma determined by calorimetry,Takahiro Yamada,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 119,No. 6,2016年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma,Hiromasa Ohmi,Takeshi Funaki,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Journal of Physics D: Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 49,No. 3,2015年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma,Hiromasa Ohmi,Takeshi Funaki,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Journal of Physics D: Applied Physics,IOP Publishing,2015年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Journal of Applied Physics,Vol. 118,No. 4,2015年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Nucleation for Si film selective growth using GeO2 solution and high-pressure plasma,Hiromasa Ohmi,Akihiro Goto,Yuji Onoshita,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,ABSTRACT BOOKLET of 20th international colloquium of plasma processes,p. 99-99,2015年06月
  • 高圧マイクロ波水素プラズマを用いたSi高速エッチングにおける高効率SiH4製造プロセスの開発 ―Siエッチング効率の決定と最適条件の検討―,平野達也,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔,精密工学会 2015年度関西地方定期学術講演会 講演論文集,p. 8-9,2015年06月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • 低温薄膜トランジスタへの応用に向けた大気圧プラズマCVDによるSi成膜プロセスの研究,田牧 祥吾,坂口 尭之,木元 雄一朗,寺脇 功士,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2015,p. 511-512,2015年
  • 高圧力マイクロ波水素プラズマ中のH密度評価(キーノートスピーチ),安武 潔,山田 高寛,垣内 弘章,大参 宏昌,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2015,p. 1071-1072,2015年
  • シミュレーションによる挟ギャップマイクロ波プラズマの解析,足立 昂拓,首藤 光利,山田 高寛,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2015,p. 1073-1074,2015年
  • 大気圧VHFプラズマによるSiの低温・高速成膜技術の開発,坂口 尭之,林 威成,田牧 祥吾,山田 高寛,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2015,p. 1075-1076,2015年
  • Effect of H2 Flow Rate on High-Rate Etching of Si by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma,Takahiro Yamada,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Plasma Chem Plasma Process,Vol. 33,No. 4,p. 797-806,2013年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Voltage distribution over capacitively coupled plasma electrode for atmospheric-pressure plasma generation,Mitsutoshi Shuto,Fukumi Tomino,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Nanoscale Research Letters,Vol. 8,2013年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Interface properties of SiOxNy layer on Si prepared by atmospheric-pressure plasma oxidation-nitridation,Z. Zhuo,Y. Sannomiya,Y. Kanetani,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Nanoscale Research Letters,Vol. 8,2013年05月,研究論文(学術雑誌)
  • 高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングプロセスの評価,山田 高寛,山田 浩輔,足立 昴拓,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2013,p. 551-552,2013年
  • 高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおけるプラズマ中でのシラン分解,山田 浩輔,山田 高寛,足立 昂拓,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2013,p. 553-554,2013年
  • 大気開放プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーョン技術の開発,藤原 裕平,金谷 優樹,山田 高寛,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2013,p. 583-584,2013年
  • 大気圧RF プラズマを用いたZnO薄膜の高速形成:成膜パラメータが成長様式に及ぼす影響,長嶋 優,水野 裕介,山田 高寛,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2013,p. 585-586,2013年
  • 大気圧VHFプラズマ によるSi の低温・ 高速成膜技術の開発:薄膜トランジスタの試作と性能評価,林 威成,岡村 康平,坂口 尭之,山田 高寛,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2013,p. 565-566,2013年
  • Deposition of Functional Membranes by Through-Substrate Plane-Plate Dielectric-Barrier Discharge,H. Kobayashi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,T. Suzuki,M. Noborisaka,N. Negishi,11TH APCPST (ASIA PACIFIC CONFERENCE ON PLASMA SCIENCE AND TECHNOLOGY) AND 25TH SPSM (SYMPOSIUM ON PLASMA SCIENCE FOR MATERIALS),IOP PUBLISHING LTD,Vol. 441,2013年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation,Zeteng Zhuo,Yuta Sannomiya,Kazuma Goto,Takahiro Yamada,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,CURRENT APPLIED PHYSICS,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 12,p. S57-S62,2012年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Atmospheric Pressure Plasma Processes for Preparation of Si-Based Thin Films,K. Yasutake,H. Ohmi,T. Yamada,H. Kakiuchi,Abst. 59th AVS Int. Symp.,2012年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Siのマイクロ波水素プラズマエッチングにおける水素ガス流れと熱伝導のシミュレーション,岡本 康平,山田 高寛,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2012,p. 333-334,2012年
  • Chemical transport technique in high-pressure plasma for crystalline Si based solar cell,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,TACT2011 International Thin Films Conference,2011年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Purified epitaxial Si film made from low-purity Si feedstock by high-pressure plasma gasification method (Oral),H. Ohmi,T. Yamada,H. Kakiuchi,K. Yasutake,ITFPC-MIATEC 2011,Innovations in Thin Film Processing and Characterisation &Magnetron, Ion processing and Arc Technologies European Conference,2011年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Study on the Growth of Hydrogenated Amorphous and Microcrystalline Silicon Films Deposited with High Rates Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,T. Yamada,A. Hirano,T. Tsushima,K. Yasutake,Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011,2011年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Si Surface Passivation,Y. Sannnomiya,K. Goto,ZT. Zhuo,Y. Kanetani,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011,2011年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural Characterization of Room-Temperature Silicon Oxides Deposited from Hexamethyldisiloxane-O・xygen Mixtures Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma,K. Yokoyama,K. Okamura,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011,2011年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Effects of Surface Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma,T. Yamada,K. Okamoto,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference,Vol. 51,No. 10,2011年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Functional Thin Films at Low-Temperatures,K. Yasutake,H. Ohmi,T. Yamada,H. Kakiuchi,Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2011年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of SiOxNy Films for Passivation of Si Surfaces by Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation,ZT. Zhuo,K. Goto,Y. Sannomiya,Y. Kanetani,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2011年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Silicon Oxide Anti-Reflection Coatings from Hexamethyldisiloxane at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure VHF plasma,K. Yokoyama,K. Okamura,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2011年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fundamental Study on the Film Growth from Organometallic precursors Using Atmospheric-Pressure Radio-Frequency Plasma,S. Mine,K. Okamura,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2011年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Effects of Substrate Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Microwave H2 Plasma,T. Yamada,K. Okamoto,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2011年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Influence of the Electrode Configuration on the Growth of Microcrystalline Si Films in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma,A. Hirano,T. Tsushima,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2011年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • New Formation Processes for Solar-Grade Si and TCO Films Using Atmospheric-Pressure Plasma Technology,K. Yasutake,H. Kakiuchi,T. Yamada,H. Ohmi,Proc. 2011 Korea & Japan Symposium on Solar Cells,2011年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • High-Rate Deposition of Amorphous and Microcrystalline Si Films Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma,H. Kakiuchi,H.Ohmi,T. Yamada,K.Yasutake,Proc. 2011 Korea & Japan Symposium on Solar Cells,2011年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma,K. Yasutake,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Inagaki,Y. Oshikane,M. Nakano,Vol. 23,No. 39,2011年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth and Properties of Zinc Oxide Films Prepared in Atmospheric-Pressure Radio Frequency Plasma,S. Mine,S. Okazaki,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Book of Abst. of The 24rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors,2011年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Deposition Characteristics of Silicon Oxides in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet,K. Higashida,K. Nakamura,T. Shibata,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Book of Abst. of The 24rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors,2011年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Purified Silicon Film Formation from Metallurgical-Grade Silicon by Hydrogen Plasma Induced Chemical Transport,H. Ohmi,T. Yamada,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Jpn. J. Appl. Phys,Vol. 50,No. 8,2011年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface treatment for crystalline Si solar cell using a solid source high-pressure plasma etching method: texturing and affected layer removal,H. Ohmi,K. Umehara,H. Kakiuchi,K. Yasutake,CIP 11 Abstract booklet,2011年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Low-temperature synthesis of microcrystalline 3C-SiC film by high-pressure hydrogen-plasma-enhanced chemical transport,H. Ohmi,T. Hori,T. Mori,H. Kakiuchi,K. Yasutake,J. Phys. D: Appl. Phys.,Vol. 44,No. 23,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-Density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma,Watanabe, Heiji,Ohmi, Hiromasa,Kakiuchi, Hiroaki,Hosoi, Takuji,Shimura, Takayoshi,Yasutake, Kiyoshi,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,Vol. 11,No. 4,p. 2802-2808,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • 結晶シリコン太陽電池用エミッタ層への応用を目指した高圧プラズマ化学輸送法による微結晶SiC薄膜の形成,堀 貴博,垣内 弘章,安武 潔,大参 宏昌,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2011,p. 521-522,2011年
  • エッチャント原料ガスフリーなプラズマエッチング法による太陽電池用シリコン基板の表面改質特性,梅原 弘毅,垣内 弘章,安武 潔,大参 宏昌,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2011,p. 531-532,2011年
  • 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発,後藤 一磨,卓 沢騰,三宮 佑太,金谷 優樹,山田 高寛,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,精密工学会学術講演会講演論文集,公益社団法人 精密工学会,Vol. 2011,p. 529-530,2011年
  • Open Air Deposition of Silicon Oxide Films at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet,K. Higashida,K. Nakamura,T. Shibata,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2010年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Development of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Surface Passivation of Si,Z. T. Zhuo,T. Ohnishi,K. Goto,Y. Sannomiya,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2010年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Influence of Process Parameters on the Material Properties of Microcrystalline Si Prepared Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma,K. Tabuchi,A. Hirano,T. Yamada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2010年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Atmospheric-Pressure Plasma Technology for the High-Rate and Low-Temperature Deposition of Si Thin Films,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,Abst. 32nd Int. Symp. on Dry Process,2010年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface,Z.T. Zhuo,T. Ohnishi,K. Goto,Y. Sannomiya,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Conf. Proc. 7th ICRP and 63rd GEC,2010年10月
  • Room-Temperature Deposition of Silicon Nitride Films with Very High Rates Using Atmospheric-Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,Proc. 7th International Conference on Reactive Plasmas, 28th Symposium on Plasma Processing and 63rd Gaseous Electronics Conference, Paris, France, 2010,2010年10月
  • Formation of microcrystalline SiC films by chemical transport with a high-pressure glow plasma of pure hydrogen,Hiromaisa Ohmi,Yoshinori Hamaoka,Daiki Kamada,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,THIN SOLID FILMS,ELSEVIER SCIENCE SA,Vol. 519,No. 1,p. 11-17,2010年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Chemical Transport Deposition of Purified Poly-Si Films from Metallurgical-Grade Si Using Subatmospheric-Pressure H2 Plasma,K. Yasutake,H. Ohmi,H. Kakiuchi,Abst. 2010 MRS Spring Meeting, Symposium A: Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology–2010, San Francisco, April 6-9, 2010 (A10.1).,Vol. 1245,p. 215-226,2010年04月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • New Formation Process of Solar-Grade Si from Metallurgical-Grade Si by Chemical Transport in Near Atmospheric-Pressure Plasma,K. Yasutake,H. Ohmi,H. Kakiuchi,Abst. The 3 rd Int. Conf. on Plasma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2010), Nagoya, March 11-12, 2010 (I-01).,2010年03月
  • New Formation Process of Solar-Grade Si Material Based on Atmospheric-Pressure Plasma Science,K. Yasutake,H. Ohmi,K. Inagaki,H. Kakiuchi,Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2009年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Low-Temperature Si Epitaxial Growth by Atmospheric-Pressure Plasma CVD,T. Ohnishi,K. Goto,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2009年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of Room-Temperature Silicon Oxide Films Deposited with High Rates in Atmospheric-Pressure VHF Plasma,K. Nakamura,Y. Yamaguchi,K. Yokoyama,K. Higashida,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2009年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Study on the Growth of Microcrystalline Si Films at Low Temperatures in Atmospheric-Pressure VHF Plasma,K. Tabuchi,K. Ouchi,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,2009年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD,T. Ohnishi,Y. Kirihata,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,ECS Transactions,Vol. 25,No. 8,p. 309-315,2009年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of High-Rate Deposited Microcrystalline Si Films Prepared Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma,K. Tabuchi,K. Ouchi,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,ECS Transactions,Vol. 25,No. 8,p. 405-412,2009年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Investigation of Deposition Characteristics and Properties of High-Rate Deposited SiNx Films Prepared at Low Temperatures (100-300 C) by Atmospheric-Pressure Plasma CVD,Y. Yamaguchi,K. Nakamura,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Book of Abstracts of the 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors,2009年08月
  • 大気圧・超高周波プラズマを用いた微結晶Siの低温・高速成膜,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,表面技術,(社)表面技術協会,Vol. 60,No. 6,p. 371-375,2009年06月
  • Reduction of titanium oxide in the presence of nickel by nonequilibrium hydrogen gas,H. Sekimoto,Y. Nose,T. Uda,S. Sato,H. Kakiuchi,Y. Awakura,J. Mater. Res.,Vol. 24,No. 7,p. 2391-2399,2009年04月,研究論文(学術雑誌)
  • 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成,安武潔,大参宏昌,垣内弘章,第44回応用物理学会スクール「安価,簡単,便利~大気圧プラズマの基礎と応用~」資料集,2009年04月
  • Characterization of Microcrystalline Si Films Deposited with High Rates by Atmospheric-Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,K. Ouchi,K. Tabuchi,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 1st Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology, -Surface and Thin Film Processing-,2009年02月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Room-Temperature Formation of Silicon Dioxide Films by Atmospheric-Pressure Plasma CVD Using Cylindrical Rotary Electrode,Y. Yamaguchi,K. Nakamura,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Ext. Abst. 1st Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology, -Surface and Thin Film Processing-,2009年02月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 大気圧プラズマプロセスによるSi系薄膜の低温形成,安武潔,大参宏昌,垣内弘章,第2回プラズマ新領域研究会講演資料集,2008年12月
  • Simple dry etching method for Si related materials without etching source gased by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport,Hiromasa Ohmi,Kazuya Kishimoto,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Abstracts of 11th international conference on plasma surface engineering,2008年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Impacts of noble gas dilution on Si film structure prepared by atmosphericpressure plasma enhanced chemical transport,Hiromasa Ohmi,Kazuya Kishimoto,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,J.Phys. D:Applied Physics,Institute of Physics,Vol. 41,No. 19,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD,K. Yasutake,H. Ohmi,Y. Kirihata,H. Kakiuchi,Thin Solid Films,Vol. 517,No. 1,p. 242-244,2008年08月,研究論文(学術雑誌)
  • 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成,安武潔,垣内弘章,大参宏昌,日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会 第87回研究会資料 「高密度媒体中の放電現象 -材料分野への応用の現状と課題-」,2008年06月
  • In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD,Y. Kirihata,T. Nomura,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Surf. Interface Anal.,Vol. 40,No. 6-7,p. 984-987,2008年06月,研究論文(学術雑誌)
  • High-rate preparation of thin Si films by atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport,Daiki Kamada,Kazuya Kishimoto,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Hiromasa Ohmi,Surf. Interface Anal.,Vol. 40,No. 6-7,p. 979-983,2008年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of Polycrystalline-Si Thin Films Using Nanocrystalline Ge Nuclei,Chiaki Yoshimoto,Hiromasa Ohmi,Takayoshi Shimura,Hiroaki Kakiuchi,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,Abstracts of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2008,2008年05月
  • Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成,吉本千秋,大参宏昌,志村考功,垣内弘章,渡部平司,安武潔,電子情報通信学会技術研究報告,2008年04月
  • 大気圧プラズマ化学輸送法を用いた機能薄膜の形成,大参宏昌,垣内弘章,安武潔,学術振興会第147委員会 第100回研究会 予稿集,2008年02月
  • Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO2 Thin Films at Low-Temperatures,K. Yasutake,H. Kakiuchi,H. Ohmi,Abstracts of The 18th Symposium of Materials Research Society of Japan,2007年12月
  • Metal induced hydrogen effusion from amorphous silicon,Hiromasa Ohmi,Yoshinori Hamaoka,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Appl. Phys. Lett.,American Institute of Physics,Vol. 91,No. 24,2007年12月,研究論文(学術雑誌)
  • High rate deposition of Si film at low temperature by atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport,Daiki kamada,Hiromasa Ohmi,Kazuya Kishimoto,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan,2007年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • sterilization process of B.atrophaeus using atmospheric pressure mist plasma,Keiji Iwamoto,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan,2007年10月
  • selective growth of silicon by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport,Kazuya kishimoto,Hiromasa Ohmi,Tetusya Mori,Daiki Kamada,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,ext. abstracts of international 21st century COE symposium on Atomistic fabrication technology 2007,Osaka, Japan,2007年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Atomospheic-pressure plasma enhanced chemical transport as earth-conscious manufacturing technology,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan,2007年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Preparation of Si1-xGex and SiC compound films by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport,Hiromasa Ohmi,Yoshinori Hamaoka,Daiki Kamada,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,2007年09月
  • Si film preparation by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport in H2/He or H2/Ar mixture,Daiki Kamada,Hiromasa Ohmi,Kazuya Kishimoto,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,2007年08月
  • Silicon film formation by chemical transport in atmospheric-pressure pure hydrogen plasma,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Yoshinori Hamaoka,Kiyoshi Yasutake,J.Appl. Phys.,American Institute of Physics,Vol. 102,No. 2,2007年07月,研究論文(学術雑誌)
  • 大気圧プラズマ化学輸送法により作製されるSi薄膜の構造制御,Kazuya Kishimoto,Daiki Kamada,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyosi Yasutake,ext.abstracts of the 20th symposium on plasma science for materials,SPSM-20実行委員会,2007年06月
  • Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD,Y. Kirihata,N. Tawara,H. Ohmi,H. Kakiuchi,H. Watanabe,K. Yasutake,Abstracts 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2007年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD,K. Yasutake,H. Ohmi,Y. Kirihata,H. Kakiuchi,Abstracts 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2007年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Filmes Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,K. Yasutake,N. Tawara,H. Ohmi,Y. Terai,H. Kakiuchi,H. Watanabe,Y. Fujiwara,Jpn. J. Appl. Phys.,Vol. 46,No. 4B,p. 2510-2515,2007年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of Silicon Carbide Layers Formed by Atmospheric Pressure Plasma Carbonization of Silicon,H. Kakiuchi,H. Ohmi,R. Nakamura,M. Aketa,K. Yasutake,Proc. of International Symposium on Dry Process (DPS 2006), 29-30 November 2006,Nagoya, Japan,2006年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 大気圧プラズマによるSi表面の高速酸化,原田真,垣内弘章,大参宏昌,渡部平司,安武潔,薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会予稿集「薄膜デバイスの新展開」pp. 149.-150.,2006年11月
  • High-Rate Deposition and Characterization of Microcrystalline Silicon Films Prepared by Atmospheric Pressure Plasma CVD,H. Kakiuchi,H. Ohmi,Y. Kuwahara,R. Inuzuka,K. Yasutake,Proc. of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 4-8 September 2006, Dresden, Germany,2006年11月
  • Lifetime measurement of metastable fluorine atoms using electron cyclotron resonance plasma source,M. Shimizu,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,J. Vac. Sci. Technol. A,Vol. 24,No. 6,p. 2133-2138,2006年11月,研究論文(学術雑誌)
  • atmospheric pressure plasma sterilization with water micro-mist,Yoshiki Ogiyama,Hiromasa Ohmi,Keiji Iwamoto,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Proceedings of 6th international symposium on dry process,2006年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • High Rate Oxidation of Si Surfaces by using Atmospheric Pressure Plasma,M. Harada,H. Kakiuchi,H. Ohmi,H. Watanabe,K. Yasutake,Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006,2006年10月
  • Fabrication of Polycrystalline Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands and Nuclei,K. Minami,C. Yoshimoto,H. Ohmi,T. Shimura,H. Kakiuchi,H. Watanabe,K. Yasutake,Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006,2006年10月
  • Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vappor Deposition,N. Tawara,H. Ohmi,Y. Terai,T. Shimura,H. Kakiuchi,H. Watanabe,Y. Fujiwara,K. Yasutake,Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006,2006年10月
  • Atomospheric Pressure Hydrogen Plasma Treatment of 4H-SiC(0001) Surfaces Using Porous Carbon Electrode,M. Harada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,H. Watanabe,K. Yasutake,Extenden Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2006,2006年10月
  • Ro-vibronic Structure in the Q-branch in the Spectra of Hydrogen Fulcher-a Band Emission in the Atmospheric Pressure Plasma CVD Process Driven at 150 MHz,Y. Oshikane,H. Kakiuchi,K. Yamamura,C. M. Western,K. Yasutake,K. Endo,Extended Abstratcs of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology,2006年10月
  • Fabrication of Si1-xGex and SiC films by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport,Kazuya Kishimoto,Daiki Kamada,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology. pp.73-pp.74,2006年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • development of atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport toward Eco-friendly manufacturing,Hiromasa Ohmi,Yoshinori Hamaoka,Yoshiki Ogiyama,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.9-10, Osaka, Japan.,2006年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • High Rate Oxidation of Si Surfaces by using Atmospheric Pressure Plasma,M. Harada,H. Kakiuchi,H. Ohmi,H. Watanabe,K. Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.78-79, Osaka, Japan.,2006年10月
  • Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma Treatment of 4H-SiC(0001) Surfaces Using Porous Carbon Electrode,M. Harada,H. Ohmi,H. Kakiuchi,H. Watanabe,K. Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.75-76, Osaka, Japan.,2006年10月
  • Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,N. Tawara,H. Ohmi,Y. Terai,T. Shimura,H. Kakiuchi,H. Watanabe,Y. Fujiwara,K. Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.69-70, Osaka, Japan.,2006年10月
  • Fabrication of Polycrystalline Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands and Nuclei,K. Minami,C. Yoshimoto,H. Ohmi,T. Shimura,H. Kakiuchi,H. Watanabe,K. Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.65-66, Osaka, Japan.,2006年10月
  • Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates,K. Yasutake,H. Watanabe,H. Ohmi,H. Kakiuchi,ECS Transactions“Thin Film Transistor Technology 8”,Vol. 3,No. 8,p. 215-225,2006年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Low-Temperature Growth of Epitaxial Si Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Porous Carbon Electrode,H. Ohmi,H. Kakiuchi,N. Tawara,T. Wakamiya,T. Shimura,H. Watanabe,K. Yasutake,Jpn. J. Appl. Phys.,Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics,Vol. 45,No. 10,p. 8424-8429,2006年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of Epitaxial Silicon Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures(450-600℃),N. Tawara,H. Ohmi,Y. Terai,H. Kakiuchi,H. Watanabe,Y. Fujiwara,K. Yasutake,Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.1094-1095.,2006年09月
  • N2 C3Pu-B3Pg band spectroscopy in open-air type CVM plasma with He/CF4/O2 and H2 Fulcher-a band spectroscopy in atmospheric He/H2/SiH4 CVD plasma,Yasushi Oshikane,Kazuya Yamamura,Koji Ueno,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Takafumi Karasawa,Colin M. Western,Akinori Oda,Akihiko Nagao,Katsuyoshi Endo,Europhysics Conference Abstract of 18th Europhysics Conference on the Atomic and Molecular Physics of Ionised Gases,2006年07月
  • Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) using Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma,Heiji Watanabe,Shigenari Okada,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, 2006, San Francisco, CA.,2006年04月
  • Influence of H2/SiH4 Ratio on the Deposition Rate and Morphology of Polycrystalline Silicon Films Deposited by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Yasuji Nakahama,Yusuke Ebata,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 45,No. 4B,p. 3581-3586,2006年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of Epitaxial Si Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Cylindrical Rotary Electrode,K. Yasutake,H. Ohmi,H. Kakiuchi,T. Wakamiya,H. Watanabe,Jpn. J. Appl. Phys.,Vol. 45,No. 4,p. 3592-3597,2006年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface photovoltage measurements of intrinsic hydrogenated amorphous Si films on Si wafers on the nanometer scale,Kenta Arima,Takushi Shigetoshi,Hiroaki Kakiuchi,Mizuho Morita,Physica B,Elsevier,Vol. 376-377,p. 893-896,2006年04月,研究論文(学術雑誌)
  • 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速・低温形成技術,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,MATERIAL STAGE,2006年03月
  • Deposition Characteristics of Polycrystalline Silicon Carbide Films Prepared at High-Rates by Atmospheric Pressure Plasma CVD,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Ryota Nakamura,Masatoshi Aketa,Kiyoshi Yasutake,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Proceedings of the 6th International Conference on Reactive Plasmas and 23rd Symposium on Plasma Processing,2006年01月
  • Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Naotaka Tawara,Takuya Wakamiya,Takayoshi Shimura,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP,2006年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of high pressure (200-760Torr), stable glow plasma of pure hydrogen by measuring etching properties of Si and optical emission spectroscopy,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Yoshiki Ogiyama,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP,2006年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • low temperature crystallization of amorphous silicon by atmospheric pressure plasma treatment in H2/He or H2/Ar mixtures,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Kenichi Nishijima,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,Proceedings of the 6th ICRP an 23rd SPP,Vol. 45,No. 10B,p. 8488-8493,2006年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • シリコン系薄膜の大気圧プラズマCVDおよびエピタキシャル成長,安武潔,垣内弘章,大参宏昌,渡部平司,薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会「低温プロセスの再発見」アブストラクト集(2005),2005年11月
  • 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH4濃度の影響,大参宏昌,垣内弘章,中濱康治,江畑祐介,安武潔,芳井熊安,森勇藏,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 71,No. 11,p. 1393-1398,2005年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Study of Effects of Metal layer on hydrogen desorption from hydrogenated amorphous silicon using temperature programmed desorption,Y. Hamaoka,H.Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Proceedings of the SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, KOBE,2005年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Influence of H2/SiH4 ratio on the deposition rate and morphology of polycrystalline silicon films deposited by atmospheric pressure plasma CVD,H.Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Y. Nakahama,Y. Ebata,K. Yoshii,Y.Mori,Proceedings of the SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, KOBE,2005年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • High-Rate Growth of Defect-Free Epitaxial Si at Low Temperatures by Atmoshperis Pressure Plasma CVD,Takuya Wakamiya,Hiromasa Ohmi,Hiroaki Kakiuchi,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,Kumayasu Yoshii,Yuso Mori,Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials,2005年09月
  • Surface photovoltage measurements of amorphous Si films on Si wafers by STM/STS,K. Arima,T. Shigetoshi,H. Kakiuchi,M. Morita,Program and Abstracts of the 23rd International Conference on Defects in Semiconductors, pp. 379-379,2005年07月
  • 大気圧プラズマCVDによる超高速成膜技術の開発,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,芳井熊安,森 勇藏,先端放射線化学シンポジウム2005 要旨集,2005年06月
  • 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速形成,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,芳井熊安,森 勇藏,中濱康治,江畑裕介,日本学術振興会 薄膜第131委員会 第226回研究会資料,2005年06月
  • 大気圧プラズマCVD法によるSiNxの成膜特性,森 勇藏,垣内弘章,大参宏昌,芳井熊安,安武 潔,中濱康治,精密工学会誌, 70, 2, pp.292-296 (2004),公益社団法人精密工学会,Vol. 70,No. 2,p. 292-296,2004年02月,研究論文(学術雑誌)
  • 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性,森 勇藏,芳井熊安,安武 潔,垣内弘章,大参宏昌,中濱康治,江畑祐介,精密工学会誌, 70, 1, pp.144-148 (2004),公益社団法人精密工学会,Vol. 70,No. 1,p. 144-148,2004年01月,研究論文(学術雑誌)
  • High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,Y. Mori,H. Kakiuchi,K. Yoshii,K. Yasutake,Crystal Growth Technology, (2003) 645-652.,John Wiley & Sons Ltd,2003年12月,研究論文(学術雑誌)
  • High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,Y. Mori,H. Kakiuchi,K. Yoshii,K. Yasutake,Crystal Growth Technology, (2003) 645-652.,John Wiley & Sons Ltd,2003年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Visible Light Irradiation Effects on Atomic-Scale Observations of Hydrogenated Amorphous Silicon Films by Scanning Tunneling Microscopy,Kenta Arima,Hiroaki Kakiuchi,Manabu Ikeda,Katsuyoshi Endo,Mizuho Morita,Yuzo Mori,Extended Abstracts of the 2003 Int. Conf. on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS,2003年09月
  • Extremely High-Rate Deposition of Silicon Thin Films Prepared by Atmospheric Plasma CVD Method with a Rotary Electrode,M. Matsumoto,M. Shima,S. Okamoto,K. Murata,M. Tanaka,S. Kiyama,H. Kakiuchi,K. Yasutake,K. Yoshii,K. Endo,Y. Mori,Proc. of 3rd World Conf. and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, (Osaka Japan 2003),p. 1552-1555,2003年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 大気圧プラズマCVD法の開発,垣内弘章,生産と技術, 54, 46 (2002),社団法人・生産技術振興協会,Vol. 54,No. 1,p. 46-49,2002年01月
  • Dual mode amplification of dye laser by injection-seeding method,H. Ohmi,K. Yasutake,Y. Matsui,A. Takeuchi,H. Kakiuchi,K. Yoshii,Y. Mori,Tech. Digest of the 4th Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO/Pacific Rim 2001, Makuhari Messe, 2001, Vol. II, p. 124-125.,p. 124-125,2001年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of MonoChromatic Atomic Beam for Nanofabrication,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Yuki Matsui,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 251-256,2001年03月
  • High-Rate Growth of Epitaxial Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD,Yuzo Mori,Kumayasu Yoshii,kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,amd,Katsuo Wada,Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 205-210,2001年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD-Growth Rate and Crystallinity-,Yuzo Mori,Kumayasu Yoshii,kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,amd,Katsuo Wada,Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 211-215,2001年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Numerical Simulation of Reactive Gas Flow in Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (AP-PCVD) Process,Motohiro NAKANO,Kiyoshi YASUTAKE,Hiroaki KAKIUCHI,Yoshiaki YAMAUCHI,Kumayasu YOSHII,Toshihiko KATAOKA,Yuzo MORI,Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering - Creation of Perfect Surface -, (2001) pp.221-226,2001年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Numerical Simulation of Reactive Gas Flow in Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (AP-PCVD) Process,Motohiro NAKANO,Kiyoshi YASUTAKE,Hiroaki KAKIUCHI,Yoshiaki YAMAUCHI,Kumayasu YOSHII,Toshihiko KATAOKA,Yuzo MORI,Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering - Creation of Perfect Surface -, (2001) pp.221-226,2001年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD-Growth Rate and Crystallinity-,Yuzo Mori,Kumayasu Yoshii,kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,amd,Katsuo Wada,Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface-211-215,2001年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • High-Rate Growth of Epitaxial Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD,Yuzo Mori,Kumayasu Yoshii,kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,amd,Katsuo Wada,Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface-205-210,2001年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of MonoChromatic Atomic Beam for Nanofabrication,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Yuki Matsui,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering-Creation of Perfect Surface-251-256,2001年03月
  • Development of New Machining Process for Ultra Precision Surface Preparation ---EEM,Plasma CVM,and Atmospheric Pressure Plasma CVD---,Yuzo Mori,Kazuto Yamauhci,Kazuya Yamamura,Hiroaki Kakiuchi,Yasuhisa Sano,The 2nd International School on Crystal Growth Technology, Book of Lecture Notes, pp.~212-232,2000年08月
  • Development of Anisotropic Dry Etching Method Using Laser-Collimated Fluorine Radical Beam,Masao Shimizu,Hiromasa Ohmi,Kiyosi Yasutake,Kazuaki Yamane,Ryo Tanaka,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Precision Science and Technology for Perfect Surfaces (Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering), pp.~450-455,1999年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • development of anisotropic dry etching method using laser-collimated fluorine radical beam,Masao Shimizu,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Kazuaki Yamane,Ryo Tanaka,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 450-455,1999年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Creation of mono-velocity neutral atomic beam,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Masao Shimizu,Takakiyo Yasukawa,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Masataka Umeno,Yuzo Mori,Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface- 630-635,1999年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Creation of mono-velocity neutral atomic beam,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Masao Shimizu,Takakiyo Yasukawa,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Masataka Umeno,Yuzo Mori,Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface-630-635,1999年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • development of anisotropic dry etching method using laser-collimated fluorine radical beam,Masao Shimizu,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Kazuaki Yamane,Ryo Tanaka,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering-Creation of Perfect Surface-450-455,1999年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Doping of Single Crystalline AlN Thin Films Grown on Si(111) by Plasma-Assisted MBE,Akihiro Takeuchi,Mitsuru Ono,Kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Precision Science and Technology for Perfect Surfaces (Proceedings of the 9th International Conference on Production Engineering), pp.~624-629,1999年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Molecular Beam Epitaxial Growth of AlN Single Crystalline Films on Si (111) Using Radio-Frequency Plasma Assisted Nitrogen Radical Source,Kiyoshi Yasutake,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,J. Vac.~Sci.~Tech.~A, Vol.~16, No.~4, pp.~2140-2147,Vol. 16,No. 4,p. 2140-2147,1998年07月,研究論文(学術雑誌)
  • MBE Growth of AlN Single Crystalline Films on Si (111) Using RF-excited Nitrogen Source,K.Yasutake,A.Takeuchi,H.Kakiuchi,T.Hagiwara,K.Yoshii,Proceeding of 1996 The Japan-China Bilateral Symposium on Advanced Manufacturing Engineering,79-83 (1996),1996年10月
  • Plasma CVM (chemical vaporization machining): an ultra precision machining technique using high-pressure reactive plasma,Y.Mori,K.Yamamura,K.Yamauchi,K.Yoshii,T.Kataoka,K.Endo,K.Inagaki,H.Kakiuchi,Nanotechnology, 4, 225-229 (1993),Vol. 4,No. 4,p. 225-229,1993年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Interface Parameters and Surface Recombination Velocity at PECVD SiO┣D22┫D2/Si Interface,K.Yasutake,H.Kakiuchi,K.Yoshii,H.Kawabe,Z.Chen,S.K.Pang,A.Rohatgi,Technical Digest of the Sixth Sunshine Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells, 113-116 (1993),Technical Digest of the Sixth Sunshine Workshop on Crystalline Silicon Solar cells,1993年06月
  • Plasma CVM (chemical vaporization machining) -- A Chemical Machining Method With Equal Performances to Conventional Mechanical Methods from the Sense of Removal Rates and Spatial Resolutions,Y.Mori,K.Yamamura,K.Yamauchi,K.Yoshii,T.Kataoka,K.Endo,K.Inagaki,H.Kakiuchi,Proceeding of 7th International Precision Engineering Seminar, 78-87 (1993),1993年05月
  • Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Films by Plasma Chemical Vapor Deposition under Higher Pressure than Atmospheric Pressure,H.Kawabe,Y.Mori,K.Yoshii,T.Kataoka,K.Yasutake,K.Endo,K.Yamauchi,K.Yamamura,H.Kakiuchi,Proceeding of 7th International Precision Engineering Seminar, 554-565 (1993),1993年05月

MISC

  • Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Harada,H. Watanabe,K. Yasutake,Appl. Phys. Lett.,Vol. 91,No. 16,p. 161908-161908,2007年10月
  • 大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用 (特集 FPDの進化を担う薄膜技術),垣内 弘章,大参 宏昌,安武 潔,ディスプレイ,テクノタイムズ社,Vol. 19,No. 11,p. 23-29,2013年11月
  • 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 (特集 大気圧プラズマと注目の応用),垣内 弘章,大参 宏昌,安武 潔,オプトロニクス,オプトロニクス社,Vol. 31,No. 6,p. 88-93,2012年06月
  • 大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術 (特集 プラズマプロセスの応用技術),垣内 弘章,大参 宏昌,安武 潔,ケミカルエンジニヤリング,化学工業社,Vol. 55,No. 12,p. 889-895,2010年12月
  • PFC-free dry etching method for Si using narrow-gap VHF plasma at subatmospheric pressure,Hiromasa Ohmi,Kazuya Kishimoto,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,J. Electrochem. Soc.,,Vol. Vol. 157, No.2, D85,2010年02月
  • PFC-free dry etching method for Si using narrow-gap VHF plasma at subatmospheric pressure,J. Electrochem. Soc.,,Vol. Vol. 157, No.2, D85,2010年
  • Purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport,Hiromasa Ohmi,Akihiro Goto,Daiki Kamada,Yoshinori Hamaoka,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 95,No. 18,2009年11月
  • purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport,Hiromasa Ohmi,Akihiro Goto,Daiki Kamada,Yoshinori Hamaoka,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Appl. Phys. Lett.,Vol. 95,No. 18,2009年11月
  • フィルムコーテイングのための大気圧・超高周波プラズマ技術 (特集 気相薄膜形成技術),垣内 弘章,大参 宏昌,安武 潔,コンバーテック,加工技術研究会,Vol. 36,No. 3,p. 96-100,2008年03月
  • 大気圧プラズマCVDにより高速形成したSiNx薄膜の構造評価,石本大輔,山口賀人,中村 慶,大参宏昌,垣内弘章,安武 潔,薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会予稿集,2007年11月
  • Deposition Characteristics of SiNx Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD Using Cylindrical Rotary Electrode,D. Ishimoto,Y. Yamaguchi,K. Nakamura,H. Ohmi,H. Kakiuchi,K. Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan,Vol. pp. 93-94,2007年10月
  • Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Harada,H. Watanabe,K. Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007,Vol. pp. 7-8,2007年10月
  • 3C-SiC Formation by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan,Vol. pp. 91-92,2007年10月
  • Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Makoto Harada,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 91,No. 16,2007年10月
  • 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長,安武 潔,垣内 弘章,大参 宏昌,應用物理,応用物理学会,Vol. 76,No. 9,p. 1031-1036,2007年09月10日
  • Low-Temperature Oxidation Process of Silicon Using Atmospheric Pressure Plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Harada,H. Watanabe,K. Yasutake,Digest of Technical Papers of the 14th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, 11–13 July 2007, Hyogo, Japan.,Vol. pp. 223–226,2007年07月
  • Formation of Silicon Carbide at Low Temperatures by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,Proc. of the 20th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-20), 21–22 June 2007, Nagoya, Japan.,Vol. p 45,2007年06月
  • Formation of Silicon Dioxide Layers at Low Temperatures (150-400 C) by Atmospheric Pressure Plasma Oxidation of Silicon,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Harada,H. Watanabe,K. Yasutake,Sci. Technol. Adv. Mater.,Vol. 8,No. 3,p. 137-141,2007年04月
  • Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O-2 plasma,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Makoto Harada,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 90,No. 15,2007年04月
  • Formation of silicon dioxide layers at low temperatures (150-400 degrees C) by atmospheric pressure plasma oxidation of silicon,H. Kakiuchi,H. Ohmi,M. Harada,H. Watanabe,K. Yasutake,SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS,NATL INST MATERIALS SCIENCE,Vol. 8,No. 3,p. 137-141,2007年04月
  • Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O-2 plasma,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Makoto Harada,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 90,No. 15,2007年04月
  • High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,Trends in Thin Solid Films Research,Nova Science Publishers,Vol. pp. 1-49,2007年03月
  • Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Makoto Harada,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 90,No. 9,2007年02月
  • Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma,Hiroaki Kakiuchi,Hiromasa Ohmi,Makoto Harada,Heiji Watanabe,Kiyoshi Yasutake,Appl. Phys. Lett.,Vol. 90,No. 9,p. 091909-091909,2007年02月
  • 大気圧プラズマCVDにより高速形成したSiNx薄膜の構造評価,薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会予稿集,2007年
  • Deposition Characteristics of SiNx Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD Using Cylindrical Rotary Electrode,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan,Vol. pp. 93-94,2007年
  • High-Rate Deposition Microcrystalline Silicon Films at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan,Vol. pp. 95-96,2007年
  • Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan,Vol. pp. 7-8,2007年
  • 3C-SiC Formation by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 plasma,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan,Vol. pp. 91-92,2007年
  • Formation of Silicon Carbide at Low Temperatures by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma,Proc. of the 20th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-20), 21–22 June 2007, Nagoya, Japan.,Vol. p 45,2007年
  • Low-Temperature Oxidation Process of Silicon Using Atmospheric Pressure Plasma,Digest of Technical Papers of the 14th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, 11–13 July 2007, Hyogo, Japan.,Vol. pp. 223–226,2007年
  • High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure,Trends in Thin Solid Films Research,Vol. pp. 1-49,2007年
  • High-Rate Deposition of Microcrystalline Silicon Films at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,H. Kakiuchi,H. Ohmi,Y. Kuwahara,R. Inuzuka,K. Yasutake,Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology,Vol. pp. 95-96,2006年10月
  • Rotational and vibrational temperature of Fulcher-alpha band emitted by hydrogen molecules in capacitive VHF CVD plasma process at atmosphere,Yasushi Oshikane,Hiroaki Kakiuchi,Kazuya Yamamura,Kiyoshi Yasutake,Takafumi Karasawa,Colin M. Western,Akinori Oda,Katsuyoshi Endo,Abstractbook of the 8th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology,Vol. p.269,2006年07月
  • Rotational and vibrational temperature of Fulcher-alpha band emitted by hydrogen molecules in capacitive VHF CVD plasma process at atmosphere,Abstractbook of the 8th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology,Vol. p.269,2006年
  • Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500-800 degrees C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition,K Yasutake,H Kakiuchi,H Ohmi,K Yoshii,Y Mori,APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,SPRINGER,Vol. 81,No. 6,p. 1139-1144,2005年11月
  • Creation of Perfect Surfaces,Yuzu Mori,Kazuya Yamamura,Katsuyoshi Endo,Kazuto Yamauchi,Kiyoshi Yasutake,Hidekazu Goto,Hiroaki Kakiuchi,Yasuhisa Sano,Hidekazu Mimura,Journal of Crystal Growth,Elsevier,2005年04月
  • Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substratesfor Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films,K. Yasutake,H. Watanabe,H. Ohmi,H. Kakiuchi,S. Koyama,D. Nakajima,K. Minami,Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nov.12-13, 2004, Nara-Shi Asunara Conference Hall, pp.19-24,Vol. pp.19-24,2005年02月
  • Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500 - 800°C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition,K. Yasutake,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yoshii,Y. Mori,Applied Physics A,2005年02月
  • Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films,Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nov.12-13, 2004, Nara-Shi Asunara Conference Hall, pp.19-24,Vol. pp.19-24,2005年
  • Size and density control of crystalline Ge islands on glass substrates by oxygen etching,K Yasutake,H Ohmi,H Kakiuchi,H Watanabe,K Yoshii,Y Mori,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS,INST PURE APPLIED PHYSICS,Vol. 43,No. 12A,p. L1552-L1554,2004年12月
  • Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching,Kiyoshi YASUTAKE,Hiromasa OHMI,Hiroaki KAKIUCHI,HeijiWATANABE,Kumayasu YOSHII,Yuzo MORI,Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) No.12A pp.L1552-L1554,Vol. Vol.43 No.12A pp.L1552-L1554,2004年12月
  • 大気圧プラズマCVDプロセスによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子,大参宏昌,垣内弘章,安武潔,中濱康治,江畑裕介,芳井熊安,森勇藏,精密工学会誌 70 [11] (2004) 1418-1422.,公益社団法人精密工学会,Vol. 70,No. 11,p. 1418-1422,2004年11月
  • Scanning tunneling microscopy/spectroscopy observation of intrinsic hydrogenated amorphous silicon surface under light irradiation,Kenta Arima,Hiroaki Kakiuchi,Manabu Ikeda,Katsuyoshi Endo,Mizuho Morita,Yuzo Mori,Surface Science,Elsevier,Vol. 572,No. 2-3,p. 449-458,2004年11月
  • Creation of perfect surfaces,Yuzo Mori,Kazuya Yamamura,Katsuyoshi Endo,Kazuto Yamauchi,Kiyoshi Yasutake,Hidekazu Goto,Hiroaki Kakiuchi,Yasuhisa Sano,Hidekazu Mimura,The 14th international conference on crystal growth,2004年08月
  • Visible light irradiation effects on STM observations of hydrogenated amorphous silicon surfaces,K Arima,H Kakiuchi,M Ikeda,K Endo,M Morita,Y Mori,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,INST PURE APPLIED PHYSICS,Vol. 43,No. 4B,p. 1891-1895,2004年04月
  • 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性,森 勇藏,垣内弘章,芳井熊安,安武 潔,大参宏昌,江畑裕介,中村恒夫,竹内博明,北條義之,古川和彦,精密工学会誌, 70, 4, pp.562-567 (2004),公益社団法人精密工学会,Vol. 70,No. 4,p. 562-567,2004年04月
  • Visible Light Irradiation Effects on STM Observations of Hydrogenated Amorphous Silicon Surfaces,Kenta ARIMA,Hiroaki KAKIUCHI,Manabu IKEDA,Katsuyoshi ENDO,Mizuho MORITA,Yuzo MORI,Japanese Journal of Applied Physics,The Japan Society of Applied Physics,Vol. 43,No. 4B,p. 1891-1895,2004年04月
  • 大気圧プラズマCVD法による機能薄膜の超高速成形成技術の開発,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,芳井熊安,遠藤勝義,森 勇藏,大阪大学低温センターだより,125,16-22,大阪大学低温センター,Vol. 125,16-22,p. 16-22,2004年01月
  • 大気圧プラズマCVDプロセスによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子,大参 宏昌,垣内 弘章,安武 潔,中濱 康治,江畑 裕介,芳井 熊安,森 勇藏,精密工学会誌 70 [11] (2004) 1418-1422.,公益社団法人精密工学会,Vol. 70,No. 11,p. 1418-1422,2004年
  • 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性,森 勇藏,垣内 弘章,芳井 熊安,安武 潔,大参 宏昌,江畑 裕介,中村 恒夫,竹内 博明,北條 義之,古川 和彦,精密工学会誌, 70, 4, pp.562-567 (2004),公益社団法人精密工学会,Vol. 70, 4, pp.562-567,No. 4,p. 562-567,2004年
  • 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiNx薄膜の構造と成膜パラメータの相関,精密工学会誌 70 [7] (2004) 956-960.,2004年
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報)-成膜パラメータの最適化による膜構造の改善-,垣内 弘章,大参 宏昌,中澤 弘一,安武 潔,芳井 熊安,森 勇藏,精密工学会誌 70 [8] (2004) 1075-1079.,公益社団法人精密工学会,Vol. 70,No. 8,p. 1075-1079,2004年
  • 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiN_x薄膜の構造と成膜パラメータの相関,垣内 弘章,中濱 康治,大参 宏昌,安武 潔,芳井 熊安,森 勇藏,精密工学会誌論文集,公益社団法人精密工学会,Vol. 70,No. 7,p. 956-960,2004年
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報) : 成膜パラメータの最適化による膜構造の改善,垣内 弘章,大参 宏昌,中澤 弘一,安武 潔,芳井 熊安,森 勇藏,精密工学会誌論文集,公益社団法人精密工学会,Vol. 70,No. 8,p. 1075-1079,2004年
  • Characterization of Hydrogenated Amorphous Si1-xCx Films Prepared at Extremely High Rates Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure,Y. Mori,H. Kakiuchi,K. Yoshii,K. Yasutake,H. Ohmi,Journal of Physics D: Applied Physics, 36 [23] (2003) 3057-3063.,Vol. 36,No. 23,p. 3057-3063,2003年12月
  • High-Rate Growth of Epitaxial Silicon at Low Temperatures (530-690℃) by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,Y. Mori,K. Yoshii,K. Yasutake,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Wada,Thin Solid Films, 444 (2003) 138-145.,Vol. 444,No. 1-2,p. 138-145,2003年12月
  • Scanning tunneling microscopy observations of intrinsic hydrogenated amorphous silicon surface under visible light irradiation,Kenta Arima,Hiroaki Kakiuchi,Manabu Ikeda,Katsuyoshi Endo,Mizuho Morita,Yuzo Mori,Program and Abstracts of the 7th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, pp. 256-256,Vol. 572,No. 2-3,p. 449-458,2003年11月
  • 大気圧以上の高圧力下でのプラズマCVDによるダイヤモンドの高速形成,豊田洋通,井出 敞,八木秀次,垣内弘章,森 勇藏,精密工学会誌 69 [10] (2003), 1444-1448.,公益社団法人精密工学会,Vol. 69,No. 10,p. 1444-1448,2003年10月
  • 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究,安武 潔,稲垣 耕司,垣内 弘章,大参 宏昌,芳井 熊安,広瀬 喜久治,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 58,No. 2,p. 792-792,2003年08月15日
  • 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報)―エピタキシャルSi成長条件の検討―,森 勇藏,芳井熊安,安武 潔,垣内弘章,大参宏昌,和田勝男,精密工学会誌 69 [6] (2003), 861-865.,公益社団法人精密工学会,Vol. 69,No. 6,p. 861-865,2003年06月
  • 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の原子像観察,有馬 健太,池田 学,垣内 弘章,遠藤 勝義,森田 瑞穂,森 勇蔵,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2002,No. 2,p. 147-147,2002年10月01日
  • 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化,森 勇蔵,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,大参 宏昌,山本 達志,中濱 康冶,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2002,No. 2,p. 370-370,2002年10月01日
  • 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係,森 勇蔵,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,大参 宏昌,和田 勝男,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2002,No. 2,p. 369-369,2002年10月01日
  • 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜,森勇藏,垣内弘章,芳井熊安,安武潔,松本光弘,江畑裕介,精密工学会誌 68 [8] (2002), 1077-1081.,公益社団法人精密工学会,Vol. 68,No. 8,p. 1077-1081,2002年08月
  • 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響,森 勇蔵,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,大参 宏昌,和田 勝男,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2002,No. 1,p. 614-614,2002年03月01日
  • 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiN-X膜の成膜に関する研究(SiH4/NH3系成膜),中濱 康治,山本 達志,森 勇蔵,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2002,No. 1,p. 613-613,2002年03月01日
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について,江畑 裕介,中村 恒夫,竹内 博明,北條 義之,古川 和彦,森 勇蔵,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2002,No. 1,p. 612-612,2002年03月01日
  • 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析,有馬 健太,池田 学,垣内 弘章,遠藤 勝義,森田 瑞穂,森 勇蔵,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2002,No. 1,p. 44-44,2002年03月01日
  • 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜,森 勇藏,垣内 弘章,芳井 熊安,安武 潔,松本 光弘,江畑 裕介,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 68,No. 8,p. 1077-1081,2002年
  • High-Rate Deposition of Device-Grade Amorphous Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD,Y. Mori,H. Kakiuchi,K. Yoshii,K. Yasutake,M. Matsumoto,Y. Ebara,Proc. of the COE Int. Symp. on Ultraprecision Science and Technology - Creation of Perfect Surface - , Osaka, 2001, p. 187-192.,2001年10月
  • ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成,松井 優貴,安武 潔,大参 宏昌,垣内 弘章,竹内 昭博,芳井 熊安,森 勇蔵,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2001,No. 2,p. 211-211,2001年09月01日
  • 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究,中濱 康治,山本 達志,森 勇蔵,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2001,No. 2,p. 247-247,2001年09月01日
  • 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長,森 勇蔵,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,大参 宏昌,和田 勝男,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2001,No. 2,p. 249-249,2001年09月01日
  • 紫外光半導体レーザ用AIN単結晶薄膜の作製,竹内 昭博,三宅 崇之,谷屋 周平,西嶋 健一,安武 潔,垣内 弘章,芳井 熊安,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2001,No. 2,p. 255-255,2001年09月01日
  • 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性,森 勇蔵,芳井 熊安,森田 瑞穂,安武 潔,垣内 弘章,押鐘 寧,青木 稔,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2001,No. 2,p. 248-248,2001年09月01日
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について,江畑 裕介,中村 恒夫,竹内 博明,北條 義之,古川 和彦,森 勇蔵,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2001,No. 2,p. 252-252,2001年09月01日
  • 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析,有馬 健太,後藤 由光,垣内 弘章,遠藤 勝義,森田 瑞穂,森 勇蔵,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2001,No. 2,p. 287-287,2001年09月01日
  • 注入同期法による色素レーザの増幅,大参宏昌,安武潔,松井優貴,竹内昭博,垣内弘章,芳井熊安,森勇藏,精密工学会誌, 67 [7] (2001) 1108-1113.,公益社団法人精密工学会,Vol. 67,No. 7,p. 1108-1113,2001年07月
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報)---高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性---,森 勇藏,芳井熊安,安武 潔,垣内弘章,木山精一,樽井久樹,堂本洋一,精密工学会誌, Vol.~67, No.~5, pp.~829-833,公益社団法人精密工学会,Vol. 67,No. 5,p. 829-833,2001年05月
  • Li原子ビームのレーザコリメーション,大参宏昌,安武 潔,清水正男,日本アイ・ビー・エム(株,垣内弘章,竹内昭博,芳井熊安,森 勇藏,精密工学会誌, Vol.~67, No.~3, pp.~433-437,Vol. 67,No. 3,p. 433-437,2001年03月
  • Lifetime of Metastable Fluorine Atoms,Masao Shimizu,IBM Japan,L,Kiyoshi Yasutake,Hiromasa Ohmi,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Appl.~Phys.~B, Vol.~72, pp.~227-230,Vol. 72,No. 2,p. 227-230,2001年02月
  • Li原子ビームのレーザコリメーション,大参 宏昌,安武 潔,清水 正男,垣内 弘章,竹内 昭博,芳井 熊安,森 勇藏,精密工学会誌,Vol. 67,No. 3,p. 433-437,2001年
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報) : 高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性,森 勇藏,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,木山 精一,樽井 久樹,堂本 洋一,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 67,No. 5,p. 829-833,2001年
  • 中性原子ビーム速度分光装置の開発,大参宏昌,安武 潔,清水正男,日本アイ・ビー・エム(株,垣内弘章,竹内昭博,芳井熊安,森 勇藏,精密工学会誌, Vol.~66, No.~12, pp.~1938-1942,公益社団法人精密工学会,Vol. 66,No. 12,p. 1938-1942,2000年12月
  • Velocity Spectrometer for neutral atomic beam,Kiyoshi Yasutake,Hiromasa Ohmi,Masao Shimizu,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Kumayasu Yoshii,Yuzo Mori,Applied Phisics B, 71,787-793,Vol. 71,No. 6,p. 787-793,2000年12月
  • 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化,森 勇藏,垣内弘章,芳井熊安,安武 潔,精密工学会誌, Vol.~66, No.~11, pp.~1802-1806,公益社団法人精密工学会,Vol. 66,No. 11,p. 1802-1806,2000年11月
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第2報)---成膜速度の高速化---,森 勇藏,芳井熊安,安武 潔,中野元博,垣内弘章,木山精一,樽井久樹,堂本洋一,精密工学会誌, Vol.~66, No.~10, pp.~1636-1640,公益社団法人精密工学会,Vol. 66,No. 10,p. 1636-1640,2000年10月
  • レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発 : フッ素ラジカルの生成と準安定状態の寿命測定,清水 正男,安武 潔,大参 宏昌,田中 亮,村上 健,竹内 昭博,垣内 弘章,芳井 熊安,森 勇蔵,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2000,No. 2,p. 480-480,2000年09月01日
  • Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition System for High-rate Deposition of Functional Materials,Yuzo Mori,Kumayasu Yoshii,Hiroaki Kakiuchi,Kiyoshi Yasutake,Rev.~Sci.~Instrum., Vol.~71, No.~8, pp.~3173-3177,Vol. 71,No. 8,p. 3173-3177,2000年08月
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報)---成膜速度および膜構造の検討---,森 勇藏,垣内弘章,芳井熊安,安武 潔,精密工学会誌, Vol.~66, No.~6, pp.~907-911,公益社団法人精密工学会,Vol. 66,No. 6,p. 907-911,2000年06月
  • High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD,Y.Mori,K.Yoshii,K.Yasutake,H.Kakiuchi,Technology Reports of the Osaka University, 50 [2373] (2000), 55-62.,Vol. 50,No. 2373,2000年04月
  • 大気圧プラズマによる超精密加工と高速成膜,森 勇藏,安武 潔,山村和也,垣内弘章,精密工学会誌, Vol.~66, No.~4, pp.~517-522,Vol. 66,No. 4,2000年04月
  • 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅,大参 宏昌,松井 優貴,安武 潔,垣内 弘章,竹内 昭博,芳井 熊安,森 勇藏,清水 正男,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2000,No. 1,p. 380-380,2000年03月01日
  • 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用,大参 宏昌,安川 貴清,安武 潔,垣内 弘章,竹内 昭博,芳井 熊安,森 勇藏,清水 正男,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 2000,No. 1,p. 379-379,2000年03月01日
  • 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化,森 勇藏,垣内 弘章,芳井 熊安,安武 潔,精密工学会誌,Vol. 66,No. 11,p. 1802-1806,2000年
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報)-成膜速度および膜構造の検討-,森 勇藏,垣内 弘章,芳井 熊安,安武 潔,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 66,No. 6,p. 907-911,2000年
  • 大気圧プラズマによる超精密加工と高速成膜,森 勇藏,安武 潔,山村 和也,垣内 弘章,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 66,No. 4,p. 517-522,2000年
  • Development of Velocity Spectrometer for Neutral Atomic Beam,Journal of the Japan Society for Precision Engineering,Vol. 66,No. 12,2000年
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第2報) : 成膜速度の高速化,森 勇藏,芳井 熊安,安武 潔,中野 元博,垣内 弘章,木山 精一,樽井 久樹,堂本 洋一,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 66,No. 10,p. 1636-1640,2000年
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報) ---回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作---,森 勇藏,芳井熊安,安武 潔,垣内弘章,木山精一,樽井久樹,堂本洋一,精密工学会誌, Vol.~65, No.~11, pp.~1600-1604,公益社団法人精密工学会,Vol. 65,No. 11,p. 1600-1604,1999年11月
  • 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報)-回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作-,森勇蔵,芳井熊安,安武潔,垣内弘章,木山精一,樽井久樹,堂本洋一,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 65,No. 11,p. 1600-1604,1999年
  • Si(111)基板上AIN単結晶薄膜のドーピングに関する研究,竹内 昭博,安武 潔,垣内 弘章,宮川 治,浅香 浩,芳井 熊安,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1998,No. 1,p. 425-425,1998年03月05日
  • 中性原子ビームのコリメーションとナノリソグラフィーへの応用,大参 宏昌,安武 潔,垣内 弘章,竹内 昭博,芳井 熊安,森 勇藏,角谷 哲司,清水 正男,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1998,No. 1,p. 520-520,1998年03月05日
  • レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発,清水 正男,岩井 敬文,大参 宏昌,竹内 昭博,垣内 弘章,安武 潔,芳井 熊安,森 勇藏,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1998,No. 1,p. 521-521,1998年03月05日
  • Si(111)基板上AlN単結晶薄膜のドーピングに関する研究,竹内 昭博,安武 潔,垣内 弘章,宮川 治,浅香 浩,芳井 熊安,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1997,No. 2,p. 112-112,1997年10月01日
  • レーザー冷却法による中性原子ビームのコリメーション,大参 宏昌,安武 潔,垣内 弘章,竹内 昭博,芳井 熊安,森 勇蔵,清水 正男,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1997,No. 2,p. 111-111,1997年10月01日
  • 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第5報) -高速形成a-Si薄膜の特性-,堂本 洋一,樽井 久樹,木山 精一,垣内 弘章,遠藤 勝義,安武 潔,広瀬 喜久治,片岡 俊彦,芳井 熊安,森 勇藏,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1997,No. 2,p. 192-192,1997年10月01日
  • 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第4報) -a-Siの成膜速度の高速化-,森 勇藏,芳井 熊安,片岡 俊彦,広瀬 喜久治,安武 潔,遠藤 勝義,垣内 弘章,堂本 洋一,樽井 久樹,木山 精一,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1997,No. 2,p. 191-191,1997年10月01日
  • Deep-level Characterization in semi-insulating GaAs by photo-induced current and Hall effect transient spectroscopy,K.Yasutake,H.Kakiuchi,A.Takeuchi,K.Yoshii,H.Kawabe,J. Mater. Sci. : Materials in Electronics,Vol. 8,No. 4,p. 239-245,1997年08月
  • Thermal and Photo-induced Surface Damage in Paratellurite,Kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi,Akihiro Takeuchi,Kumayasu Yoshii,Hirokazu Yamada,Hideaki Kawabe,J. Mater. Sci., Vol. 32, pp. 6595-6600,Vol. 32,No. 24,p. 6595-6600,1997年04月
  • Low Temperature Growth of InGaAs/GaAs Strained-layer Single Quantum Wells,Kiyoshi Yasutake,Akihiro Takeuchi,Hiroaki Kakiuchi,Yoshimasa Okuyama,Kumayasu Yoshii,Hideaki Kawabe,International Journal of The Japan Society for Precision Engineering, Vol.31, No.1, pp.47-52,Vol. 31,No. 1,p. 47-52,1997年03月
  • 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報)-- Si薄膜の構造および電気・光学特性 --,垣内弘章,芳井熊安,安武 潔,竹内昭博,広瀬喜久冶,森 勇藏,精密工学会誌, Vol.63, No.2, pp.233-237,公益社団法人精密工学会,Vol. 63,No. 2,p. 233-237,1997年02月
  • 光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価,安武 潔,垣内弘章,竹内昭博,芳井熊安,川邊秀昭,精密工学会誌, Vol.63, No.2, pp.264-268,公益社団法人精密工学会,Vol. 63,No. 2,p. 264-268,1997年02月
  • 光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価,安武 潔,垣内 弘章,竹内 昭博,芳井 熊安,川邊 秀昭,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 63,No. 2,p. 264-268,1997年
  • In Ga As/Ga As単一ひずみ量子井戸薄膜の低温成長に関する研究,安武 潔,竹内 昭博,垣内 弘章,奥山 佳正,芳井 熊安,川邉 秀昭,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 63,No. 1,p. 61-64,1997年
  • InGaAs/GaAs単一ひずみ量子井戸薄膜の低温成長に関する研究,安武 潔,竹内昭博,垣内弘章,奥山佳正,本た,芳井熊安,川邊秀昭,精密工学会誌, Vol.63, No.1, pp.60-64,公益社団法人精密工学会,Vol. 63,No. 1,p. 60-64,1997年01月
  • 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報) : Si薄膜の構造および電気・光学特性,垣内 弘章,芳井 熊安,安武 潔,竹内 昭博,広瀬 喜久治,森 勇藏,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 63,No. 2,p. 233-237,1997年
  • Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Films with High Growth Rate,Y.Mori,K.Yoshii,T.Kataoka,K.Hirose,K.Yasutake,K.Endo,Y.Domoto,H.Tarui,S.Kiyama,H.Kakiuchi,Proceeding of 1996 The Japan-China Bilateral Symposium on Advanced Manufacturing Engineering,84(1996),Vol. 84,1996年10月
  • 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第3報) -a-Si : H成膜プロセスにおけるパウダーの影響-,森 勇蔵,芳井 熊安,片岡 俊彦,広瀬 喜久治,安武 潔,遠藤 勝義,垣内 弘章,堂本 洋一,樽井 久樹,木山 精一,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1996,No. 2,p. 85-86,1996年09月01日
  • ラジカルソースMBE法によるSi(111)基板上AIN薄膜の成長第2報)-成膜条件の最適化-,竹内 昭博,安武 潔,芳井 熊安,垣内 弘章,萩原 琢也,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1996,No. 2,p. 83-84,1996年09月01日
  • TeO$_{2}$単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究,安武 潔,垣内弘章,竹内昭博,芳井熊安,山田裕一,川邊秀昭,精密工学会誌, Vol.62, No.9, pp.1335-1339,公益社団法人精密工学会,Vol. 62,No. 9,p. 1335-1339,1996年09月
  • 回転電極を用いた高圧力プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第1報) -成膜装置の試作とその成膜特性-,森 勇藏,芳井 熊安,片岡 俊彦,広瀬 喜久治,安武 潔,遠藤 勝義,垣内 弘章,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1996,No. 1,p. 359-360,1996年03月01日
  • 大気圧・高周波プラズマの特性-励起周波数, 圧力の違い-,片岡 俊彦,遠藤 勝義,押鐘 寧,森 勇蔵,芳井 熊安,垣内 弘章,根岸 伸幸,大山 貴裕,川島 雅人,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1996,No. 1,p. 635-636,1996年03月01日
  • 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Si薄膜の低温成長に関する研究(第4報) -結晶粒の大粒径化に関する検討-,垣内 弘章,芳井 熊安,森 勇藏,安武 潔,竹内 昭博,安見 正博,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1996,No. 1,p. 361-362,1996年03月01日
  • TeO_2単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究,安武 潔,垣内 弘章,竹内 昭博,芳井 熊安,山田 裕一,川邉 秀昭,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 62,No. 9,p. 1335-1339,1996年
  • Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション,広瀬喜久治,後藤英和,森 勇藏,芳井熊安,安武 潔,垣内弘章,坂本正雄,堤 建一,精密工学会誌,第61巻,第12号 (1995) pp.1755-1759.,公益社団法人精密工学会,Vol. 61,No. 12,p. 1755-1759,1995年12月
  • ラジカルソースMBE法を用いたSi(111)基板上AIN薄膜のエピタキシャル成長,安武 潔,芳井 熊安,垣内 弘章,竹内 昭博,西山 浩司,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1995,No. 2,p. 659-660,1995年09月01日
  • 大気圧RFプラズマの特性,片岡 俊彦,遠藤 勝義,押鐘 寧,森 勇藏,芳井 熊安,垣内 弘章,根岸 伸幸,大山 貴裕,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1995,No. 2,p. 623-624,1995年09月01日
  • 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報),垣内弘章,川辺秀昭,大阪職業能力開発短期大学校,芳井熊安,安武 潔,竹内昭博,広瀬喜久治,森 勇藏,精密工学会誌, Vol.61, No.6, pp.829-833,公益社団法人精密工学会,Vol. 61,No. 6,p. 829-833,1995年06月
  • Si(001)表面上におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション,広瀬 喜久治,後藤 英和,森 勇藏,芳井 熊安,安武 潔,垣内 弘章,坂本 正雄,堤 建一,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 61,No. 12,p. 1755-1759,1995年
  • 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報),垣内 弘章,川辺 秀昭,芳井 熊安,安武 潔,竹内 昭博,広瀬 喜久治,森 勇藏,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 61,No. 6,p. 829-833,1995年
  • イオンビームスパッタリング法によるa‐Si:H/a‐SiC:H超格子薄膜の作製とその評価,須崎嘉文,鹿間共一,吹田義一,芳井熊安,安武潔,垣内弘章,竹内昭博,川辺秀昭,精密工学会大会学術講演会講演論文集,Vol. 1994,No. Spring 1,p. 321-322,1994年03月
  • スパッタ法により作製したa-Si(:H)/a-SiC(:H)超格子薄膜の量子井戸効果,須崎嘉文,鹿間共一,垣内弘章,芳井熊安,川邊秀昭,精密工学会誌, 60, 393 (1994).,精密工学会,Vol. 60,No. 3,p. 393-396,1994年03月
  • スパッタ法により作製したa-Si(:H)/a-SiC(:H)超格子薄膜の量子井戸効果,須崎 嘉文,鹿間 共一,垣内 弘章,芳井 熊安,川辺 秀昭,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 60,No. 3,p. 393-396,1994年
  • スパッタ法により作製したa-Si/a-SiC超格子薄膜の構造,須崎 嘉文,中村 茂昭,垣内 弘章,芳井 熊安,川辺 秀昭,精密工学会誌,公益社団法人精密工学会,Vol. 60,No. 1,p. 138-142,1994年
  • スパッタ法により作製したa-Si/a-SiC超格子薄膜の構造,須崎嘉文,中村茂昭,垣内弘章,芳井熊安,川邊秀昭,精密工学会誌, 60, 138 (1994).,精密工学会,Vol. 60,No. 1,p. 138-142,1994年01月
  • Plasma CVM (Chemical Vaporization Machining) - An Ultra Precision Machining with High Pressure Reactive Plasma-,Y.Mori,K.Yamamura,K.Yamauchi,K.Yoshii,T.Kataoka,K.Endo,K.Inagaki,H.Kakiuchi,TECHNOLOGY RERORTS OF THE OSAKA UNIVERSITY, 43, 261-266 (1993),Vol. 43,No. 2156,p. 261-266,1993年10月
  • Surface Recombination Velocities and Interface State Parameters at Si-SiO┣D22┫D2 Interface Prepared by Low Temperature Plasma Processes,K.Yasutake,H.Kakiuchi,K.Yoshii,H.Kawabe,Z.Chen,S.K.Pang,A.Rohatgi,Technical Digest of the International PVSEC-7, 549-550 (1993),Vol. 549-550,p. 549-550,1993年06月
  • Structure and quantum size effect of a-Si( : H)/a-SiC( : H) multilayer films,Y.Suzaki,T.Shikama,H.Kakiuchi,A.Takeuchi,K.Yoshii,H.Kawabe,Journal of Magnetism and magnetic Materials, 126, 22-24 (1993),Journal of Magnetism and Magnetic Materials,Vol. 126,No. 1-3,p. 22-24,1993年03月

著書

  • 教科書・概説・概論,大気圧プラズマ技術と成膜応用(第25回プラズマエレクトロニクス講習会 ~プラズマプロセスの基礎とその応用・制御技術~ テキスト),垣内 弘章,公益社団法人 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会,2014年11月
  • 大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用 「月間ディスプレイ」,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,(株)テクノタイムズ社,2013年11月
  • 学術書,大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 OPTRONICS, 2012, No. 6, 88-93. (共著),垣内弘章,大参宏昌,安武潔,株式会社オプトロニクス社,2012年06月
  • 学術書,大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成 「改訂版 大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 pp.197-219, 2012 (共著),安武潔,垣内弘章,大参宏昌,サイエンス&テクノロジー株式会社,ISBN:9784864280396,2012年03月
  • 大気圧プラズマの技術とプロセス開発,沖野, 晃俊,シーエムシー出版,ISBN:9784781304076,2011年08月
  • 学術書,Preparation of Si-Based Thin Films Using Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapour Deposition (CVD) (共著),K. Yasutake,H. Kakiuchi,H. Ohmi,"Generation and Application of Atmospheric Pressure Plasmas" NOVA,2011年04月
  • 学術書,大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術, ケミカルエンジニヤリング 55[12], pp. 1–7 (2010).,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,化学工業社,2010年12月
  • 教科書・概説・概論,大気圧プラズマCVDによる低温・高速成膜(第21回プラズマエレクトロニクス講習会「プラズマプロセスの基礎から応用最前線」 実践的プラズマ制御技術~先進デバイスから環境基盤技術を中心に テキスト),垣内弘章,応用物理学会,2010年10月
  • 学術書,「大気圧プラズマ 基礎と応用」 第6章6.7.3[2] シリコン系CVD,安武 潔,垣内弘章,大参宏昌,オーム社,2009年10月
  • 学術書,新コーティングのすべて,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,加工技術研究会,2009年10月
  • 学術書,フィルムベースエレクトロニクスの最新要素技術,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,シーエムシー出版,2008年10月
  • 学術書,Materials Science Research Trends,H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake,Nova Science Publishers, New York,2008年10月
  • 学術書,「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 第2章 第7節 大気圧プラズマCVDによる無機物膜堆積 (2006) pp.135-151.,安武潔,垣内弘章,大参宏昌,サイエンス&テクノロジー,2006年11月
  • High-rate deposition of amorphous silicon films by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition,Crystal Growth Technology, Edited by H. J. Scheel and T. Fukuda, John Wiley & Sons Ltd,2003年
  • Plasma CVM (Chemical Vapor Machining) - A Chemical Machining Method with Equal Performance to Conventional Mechanical Methods from the sence of Removal Rates and Spatial Resolutions,Proceedings of the 7th International Precision Engineering Seminar.,1993年
  • Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Films by Plasma Chemical Vapor Deposition under Higher Pressure than Atmospheric Pressure,Proceedings of the 7th International Precision Engineering Seminar.,1993年

特許・実用新案・意匠

  • 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,5269414,2007-542265,出願日:2006年09月,登録日:2013年05月
  • プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法,ガス発生装置及びガス発生方法, 並びに,フッ素含有高分子廃棄物処理方法,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,5028617,特願2007-009637,出願日:2007年01月,登録日:2012年07月
  • エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,渡部平司,4539985,2005-319273,出願日:2005年11月,登録日:2010年07月
  • 選択的膜製造方法,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,PCT/JP2008/002337,出願日:2008年08月
  • 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,6797672,出願日:2006年09月
  • 大気圧水素プラズマを用いた膜製造法,精製膜製造方法及び装置,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,PCT/JP2006/317817,出願日:2006年09月
  • 透明導電膜の成膜装置および形成方法,垣内弘章,安武 潔,岡崎真也,長谷川千尋,特願2010-209158,出願日:2010年09月
  • 成膜装置,柴田哲司,平井孝彦,垣内弘章,安武潔,特願2010-070769,出願日:2010年03月
  • 選択的膜製造方法,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,WO2009/028188,出願日:2008年08月
  • 低屈折率SiO2反射防止膜の製造方法及びそれを用いて得られる反射防止処理基材,垣内弘章,安武 潔,大参宏昌,石岡宗悟,畠山宏毅,特願2008-155333,出願日:2008年06月
  • 選択的膜製造方法,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,特願 2007-225020,出願日:2007年08月
  • Si基板表面の炭化による結晶性SiCの形成方法及び結晶性SiC基板,垣内弘章,安武 潔,大参宏昌,PCT/JP2006/322656,出願日:2006年11月
  • 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,12/084137,出願日:2006年09月
  • 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,2606/CHENP/2008,出願日:2006年09月
  • 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置,大参宏昌,安武潔,垣内弘章,200680049202.9,出願日:2006年09月
  • Si基板表面の炭化による結晶性SiCの形成方法及び結晶性SiC基板,垣内弘章,大参宏昌,安武 潔,特願2005-329318,出願日:2005年11月

作品

  • グローバルCOE 高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点,2008年 ~
  • Center of Excellence for Atomically Controlled Fabrication Technology,2008年 ~
  • 原子論的生産技術の創出拠点,2004年 ~
  • 原子論的生産技術の創出拠点,2004年 ~

受賞

  • Poster award of excellence,H.Takemoto,Y. Ishikawa,H. Kakiuchi,K. Yasutake,H. Ohmi,Taiwan Association for Coatings and Thin Films Technology,2015年11月
  • 精密工学会沼田記念論文賞,森 勇藏,芳井熊安,安武 潔,垣内弘章,大参宏昌,和田勝男,社団法人精密工学会,2004年03月
  • 2003年度精密工学会秋季大会学術講演会ベストオーガナイザー賞「機能性薄膜」,安武潔,垣内弘章,精密工学会,2003年10月
  • 1994年度精密工学会 関西支部講演論文賞,1994年
  • 精密工学会関西支部講演論文賞,垣内 弘章,精密工学会,1992年08月

学術貢献

  • NEDO技術委員,2009年11月 ~ 2011年03月
  • 第37回ドライプロセス国際シンポジウム,応用物理学会(The Japan Society of Applied Physics),2015年11月 ~
  • 第25回プラズマエレクトロニクス講習会 ~プラズマプロセスの基礎とその応用・制御技術~,公益社団法人 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会,2014年11月 ~
  • グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第5回国際シンポジウム,大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」,2012年10月 ~
  • グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第4回国際シンポジウム,大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」,2011年10月 ~
  • グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第3回国際シンポジウム,大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」,2010年11月 ~
  • 第21回プラズマエレクトロニクス講習会 「プラズマプロセスの基礎から応用最前線」,(社)応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会,2010年10月 ~
  • 第4回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール,(社)応用物理学会,2010年09月 ~
  • グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第2回国際シンポジウム,大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」,2009年11月 ~
  • 新機能性材料展2009薄膜コーティングセッション「ドライおよびウェットコートによる機能薄膜形成」,(株)技術情報協会,2009年02月 ~
  • グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 第1回国際シンポジウム,大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」,2009年02月 ~
  • セミナー,(株)技術情報協会,2008年04月 ~
  • 原子論的製造技術に関する 第2回 21世紀COE国際シンポジウム,大阪大学21世紀COEプログラム「原子論的製造技術」,(社)精密工学会,2007年10月 ~
  • セミナー,(株)技術情報協会,2006年12月 ~
  • 原子論的製造技術に関する 第1回 21世紀COE国際シンポジウム,大阪大学21世紀COEプログラム「原子論的製造技術」,(社)精密工学会,2006年10月 ~
  • セミナー,(株)技術情報協会,2006年09月 ~
  • 応用電子物性分科会研究例会,応用物理学会 応用電子物性分科会,2006年05月 ~
  • 薄膜第131委員会 第226回研究会,独立行政法人 日本学術振興会,2005年06月 ~
  • 先端放射線化学シンポジウム2005,日本放射線化学会、大阪大学産業科学研究所産業科学ナノテクノロジーセンター,2005年06月 ~