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宇佐美　茂佳
Usami Shigeyoshi
宇佐美　茂佳
Usami Shigeyoshi
機関リポジトリ
工学研究科　電気電子情報通信工学専攻，助教

keyword 第5世代通信システム(５G)，次世代パワー半導体材料，気相合成，結晶成長

機関リポジトリ

経歴 2

  1. 2020年7月 ～ 継続中
    大阪大学　工学研究科電気電子情報通信工学専攻

  2. 2019年4月 ～ 2020年6月
    三菱電機株式会社　先端技術総合研究所

学歴 2

  1. 名古屋大学　工学研究科　電子情報システム専攻

    2016年4月 ～ 2019年3月

  2. 名古屋大学　工学研究科　電子情報システム専攻

    2014年4月 ～ 2016年3月

研究内容・専門分野 1

  1. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

受賞 5

  1. 日本結晶成長学会第20回奨励賞

    宇佐美 茂佳　日本結晶成長学会　2022年11月

  2. 第35回 独創性を拓く 先端技術大賞 社会人部門 特別賞

    今西 正幸, 宇佐美 茂佳, 山田 拓海, 村上 航介, 滝野 淳一, 隅 智亮, 藤森 拓　フジサンケイ ビジネスアイ　2022年6月

  3. International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 Student Award(IWN2018)

    shigeyoshi Usami　2018年11月

  4. EMS賞（第36 回電子材料シンポジウム）

    宇佐美茂佳　電子材料シンポジウム運営委員会　2017年11月

  5. 第8 回 窒化物半導体結晶成長講演会発表奨励賞

    宇佐美茂佳　日本結晶成長学会, ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　2016年5月

論文 50

  1. Suppression of Inclusions in GaN Crystals Caused by Giant Steps During Na-Flux Growth through the Flux-Film-Coated Technique

    Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori

    Crystal Growth & Design　Vol. 25　No. 15　p. 6277-6286　2025年7月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)

  2. High-speed and long-time growth of GaN by suppressing gas-phase reaction in the oxide vapor phase epitaxy method

    Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 5　p. 055504-1-055504-5　2025年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  3. Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation behavior in the Na-flux point seed technique

    Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 5　p. 055502-1-055502-10　2025年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  4. Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect

    Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

    Journal of Crystal Growth　Vol. 649　p. 127948-1-127948-6　2025年1月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  5. Effects of adding methane on the growth and electrical properties of GaN in oxide vapor phase epitaxy

    S. Usami, R. Higashiyama, M. Imanishi, J. Takino, T. Sumi, Y. Okayama, M. Yoshimura, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori

    Journal of Applied Physics　Vol. 136　No. 8　2024年8月28日　研究論文（学術雑誌）

  6. Characteristics of Vertical Transistors on a GaN Substrate Fabricated via Na‐Flux Method and Enlargement of the Substrate Surpassing 6 Inches

    Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Kosuke Murakami, Kanako Okumura, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Yohei Otoki, Tomio Yamashita, Naohiro Tsurumi, Satoshi Tamura, Hiroshi Ohno, Yoshio Okayama, Taku Fujimori, Seiji Nagai, Miki Moriyama, Yusuke Mori

    physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters　p. 2400106-1-2400106-10　2024年6月26日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  7. Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in GaN substrates by nanobeam x-ray diffraction

    T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

    Journal of Applied Physics　Vol. 135　No. 22　2024年6月11日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  8. Calcium phosphate controls nucleation and growth of calcium oxalate crystal phases in kidney stones

    Uta MICHIBATA, Mihoko MARUYAMA, Yutaro TANAKA, Masashi YOSHIMURA, Hiroshi YOSHIKAWA, Kazufumi TAKANO, Yoshihiro FURUKAWA, Koichi MOMMA, Rie TAJIRI, Kazumi TAGUCHI, Shuzo HAMAMOTO, Atsushi OKADA, Kenjiro KOHRI, Takahiro YASUI, Shigeyoshi USAMI, Masayuki IMANISHI, Yusuke MORI

    Biomedical Research　Vol. 45　No. 3　p. 103-113　2024年6月3日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Biomedical Research Press

  9. The impact of crystal phase transition on the hardness and structure of kidney stones

    Uta Michibata, Mihoko Maruyama, Yutaro Tanaka, Masashi Yoshimura, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Yoshihiro Furukawa, Koichi Momma, Rie Tajiri, Kazumi Taguchi, Shuzo Hamamoto, Atsushi Okada, Kenjiro Kohri, Takahiro Yasui, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori

    Urolithiasis　Vol. 52　No. 1　2024年4月2日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

  10. Origin of Black Color in Heavily Doped n‐Type GaN Crystal

    Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    physica status solidi (b)　p. 2400027-1-2400027-7　2024年3月16日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Wiley

  11. Suppression of polycrystal nucleation by methane addition at moderate timing to maintain GaN crystal growth on point seeds in the Na-flux method

    Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    Journal of Crystal Growth　Vol. 627　p. 127522-1-127522-6　2024年2月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  12. Elastic constants of GaN grown by the oxide vapor phase epitaxy method

    Hiroki Fukuda, Akira Nagakubo, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hirotsugu Ogi

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 1　p. 016501-1-016501-4　2023年12月26日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  13. Preparation of a freestanding GaN substrate in the Na-flux method by laser-assisted separation

    Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 12　p. 125503-125503　2023年12月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  14. Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate

    Toshikazu Sato, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 167　2023年11月15日　研究論文（学術雑誌）

  15. Reducing GaN crystal dislocations through lateral growth on uneven seed crystal surfaces using the Na-flux method

    Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Kazuma Hamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. 10　p. 105503-1-105503-7　2023年10月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  16. Monitoring of GaN crystal growth rate in the Na flux growth via electroresistometry of Ga-Na solution

    Ricksen Tandryo, Koichi Itozawa, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    Journal of Crystal Growth　Vol. 617　p. 127292-1-127292-8　2023年9月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  17. Thermodynamic analysis of oxide vapor phase epitaxy of GaN

    Yuki Sakurai, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    Journal of Applied Physics　Vol. 134　No. 8　p. 085704-1-085704-8　2023年8月28日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  18. MP05-07 VALIDATING THE THEORY OF PHASE TRANSITION FROM CALCIUM OXALATE DIHYDRATE TO MONOHYDRATE IN THE STONE FORMATION: THE FIRST ARTIFICIAL IN VIVO EXPERIMENT

    Mihoko Maruyama, Uta Michibata, Yutaro Tanaka, Hiroshi Yoshikawa, Kazufumi Takano, Rie Tajiri, Kazumi Taguchi, Shuzo Hamamoto, Atsushi Okada, Takahiro Yasui, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    Journal of Urology　Vol. 209　No. Supplement 4　2023年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Ovid Technologies (Wolters Kluwer Health)

  19. Evidence for Solution-Mediated Phase Transitions in Kidney Stones: Phase Transition Exacerbates Kidney Stone Disease

    Mihoko Maruyama, Yutaro Tanaka, Koichi Momma, Yoshihiro Furukawa, Hiroshi Y. Yoshikawa, Rie Tajiri, Masanori Nakamura, Kazumi Taguchi, Shuzo Hamamoto, Ryosuke Ando, Katsuo Tsukamoto, Kazufumi Takano, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Kenjiro Kohri, Atsushi Okada, Takahiro Yasui, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    Crystal Growth & Design　2023年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Chemical Society ({ACS})

  20. Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates

    Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

    Scientific Reports　Vol. 13　No. 1　p. 2434-1-2434-14　2023年2月10日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

  21. OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

    河村 貴宏, 秋山 亨, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介, 森川 良忠, 寒川 義裕

    日本結晶成長学会誌　Vol. 50　No. 1　2023年

    出版者・発行元：日本結晶成長学会

  22. Low Surface Potential with Glycoconjugates Determines Insect Cell Adhesion at Room Temperature

    Takahisa Matsuzaki, Daigo Terutsuki, Shoma Sato, Kohei Ikarashi, Kohei Sato, Hidefumi Mitsuno, Ryu Okumura, Yudai Yoshimura, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Mai Fujii, Shota Takemi, Seiichiro Nakabayashi, Hiroshi Y. Yoshikawa, Ryohei Kanzaki

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS　p. 9494-9500　2022年10月　研究論文（学術雑誌）

  23. Effects of pulse duration on laser-induced crystallization of urea from 300 to 1200 fs: impact of cavitation bubbles on crystal nucleation

    Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Hiroshi Y. Yoshikawa, Yusuke Mori

    Applied Physics A　Vol. 128　No. 9　p. 803-1-803-7　2022年9月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

  24. Kyropoulos growth of a 300 g SrB4O7 single crystal using a twin-type stirring blade

    Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 7　p. 075503-075503　2022年7月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  25. Determination of the electron trap level in Fe-doped GaN by phonon-assisted conduction phenomenon

    Hiroki Fukuda, Akira Nagakubo, Shigeyoshi Usami, Masashi Ikeda, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Kanta Adachi, Hirotsugu Ogi

    Applied Physics Express　Vol. 15　No. 7　p. 071003-1-071003-5　2022年5月30日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  26. Bulk laser-induced damage resistance of SrB4O7 single crystals under 266 nm DUV laser irradiation

    Yutaka Maegaki, Yasunori Tanaka, Haruki Marui, Atsushi Koizumi, Kota Tanaka, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 5　p. 052005-1-052005-5　2022年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  27. Influence of oxygen-related defects on the electronic structure of GaN

    Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Tomoaki Sumi, Junichi Takino

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 6　p. 061004-1-061004-5　2022年5月　研究論文（学術雑誌）

  28. Suppression of newly generated threading dislocations at the regrowth interface of a GaN crystal by growth rate control in the Na-flux method

    Hyoga Yamauchi, Ricksen Tandryo, Takumi Yamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 61　No. 5　p. 055505/1-055505/6　2022年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  29. Effect of additional N2O gas on the suppression of polycrystal formation and high-rate GaN crystal growth by OVPE method

    Ayumu Shimizu, Akira Kitamoto, Masahiro Kamiyama, Shintaro Tsuno, Keiju Ishibashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    Journal of Crystal Growth　Vol. 581　p. 126495-1-12649-5　2022年3月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  30. High-rate OVPE-GaN crystal growth at a very high temperature of 1300 °C

    Ayumu Shimizu, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Itsuki Kawanami, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    Applied Physics Express　Vol. 15　No. 3　p. 035503-1-035503-5　2022年3月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  31. Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes

    Takayuki Nakano, Ken Mochizuki, Takuya Arikawa, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Adrian Vogt, Sebastian Schütt, Michael Fiederle, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki

    Journal of Applied Physics　Vol. 130　No. 12　p. 124501-124501　2021年9月22日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  32. Floral design GaN crystals: low-resistive and low-dislocation-density growth by oxide vapor phase epitaxy

    Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Akira Kitamoto, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　No. 9　p. 095501-095501　2021年9月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  33. Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method

    Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    2021年8月9日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

  34. Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates

    T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, Y. Mori, N. Ikarashi, A. Sakai

    Journal of Applied Physics　Vol. 129　No. 22　p. 225701-1-225701-19　2021年6月14日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  35. Screw dislocation that converts p-type GaN to n-type: Microscopic study on Mg condensation and leakage current in p–n diodes

    T. Nakano, Y. Harashima, K. Chokawa, K. Shiraishi, A. Oshiyama, Y. Kangawa, S. Usami, N. Mayama, K. Toda, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

    Applied Physics Letters　Vol. 117　No. 1　p. 012105-012105　2020年7月6日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  36. V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

    Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Michal Bockowski, Hiroshi Amano

    AIP Advances　Vol. 9　No. 9　p. 095002-1-095002-4　2019年9月　研究論文（学術雑誌）

  37. Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability

    Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Masaya Ogura, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. Sccd25-1-Sccd25-7　2019年6月　研究論文（学術雑誌）

  38. Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates

    Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hayata Fukushima, Yuto Ando, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　p. SCCB24-1-SCCB24-10　2019年6月　研究論文（学術雑誌）

  39. Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p-n diodes and its effect on reverse leakage current

    Shigeyoshi Usami, Norihito Mayama, Kazuya Toda, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Letters　Vol. 114　No. 23　p. 232105-1-232105-5　2019年6月　研究論文（学術雑誌）

  40. Transfer-free fabrication of a graphene transparent electrode on a GaN-based light-emitting diode using the direct precipitation method

    Jumpei Yamada, Shigeyoshi Usami, Yuki Ueda, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. 4　p. 040904-1-040904-5　2019年4月　研究論文（学術雑誌）

  41. Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Zhibin Liu, Shugo Nitta, Shigeyoshi Usami, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano

    Journal of Crystal Growth　Vol. 509　p. 50-53　2019年3月　研究論文（学術雑誌）

  42. Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown

    Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Masaya Ogura, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Express　Vol. 12　No. 2　p. 026502-1-026502-4　2019年2月　研究論文（学術雑誌）

  43. Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching

    Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Satoshi Murakami, Hiroshi Amano

    physica status solidi (b)　Vol. 255　No. 5　p. 1700387-1-1700387-7　2018年5月　研究論文（学術雑誌）

  44. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

    Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoshihiro Sugawara, Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa

    Applied Physics Letters　Vol. 112　No. 18　p. 182106-1-182106-4　2018年4月　研究論文（学術雑誌）

  45. Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes

    Luke Yates, Georges Pavlidis, Samuel Graham, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    PROCEEDINGS OF THE 17TH IEEE INTERSOCIETY CONFERENCE ON THERMAL AND THERMOMECHANICAL PHENOMENA IN ELECTRONIC SYSTEMS (ITHERM 2018)　p. 831-837　2018年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  46. Development of sustainable smart society based on transformative electronics

    M. Ogura, Y. Ando, S. Usami, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Kawai, S. Yagi, H. Amano

    2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)　p. 30.1.1-30.1.4　2017年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：IEEE

  47. Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes

    Liwen Sang, Bing Ren, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Atsushi Tanaka, Yujin Cho, Yoshitomo Harada, Toshihide Nabatame, Takashi Sekiguchi, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Letters　Vol. 111　No. 12　p. 122102-1-122102-5　2017年9月　研究論文（学術雑誌）

  48. Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes

    Shigeyoshi Usami, Ryosuke Miyagoshi, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    physica status solidi (a)　Vol. 214　No. 8　p. 1600837-1-1600837-5　2017年8月　研究論文（学術雑誌）

  49. Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering

    Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Tadashi Mitsunari, Kentaro Nagamatsu, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 5　p. 05fd03-1-05fd03-4　2016年5月　研究論文（学術雑誌）

  50. GaN/SiC Epitaxial growth for high power and high switching speed device applications

    Zheng Sun, Shigeyoshi Usami, Di Lu, Takahiro Ishii, Marc Olsson, Kouhei Yamashita, Tadashi Mitsunari, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Materials Research Society Symposium Proceedings　Vol. 1736　p. 65-69　2015年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

    出版者・発行元：Materials Research Society

MISC 10

  1. 点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響

    西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　Vol. 52nd　2023年

  2. OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

    河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

    日本結晶成長学会誌(CD-ROM)　Vol. 50　No. 1　2023年

  3. Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小GaN種結晶上の核発生成進

    TANDRYO Ricksen, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 69th　2022年

  4. Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性

    鷲田将吾, TANDRYO Ricksen, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 69th　2022年

  5. Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||

    Yamauchi Hyoga, Tandryo Ricksen, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

    Japanese Journal of Applied Physics (Web)　Vol. 61　No. 5　2022年

  6. 超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用

    滝野 淳一, 隅 智亮, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 岡山 芳央, 森 勇介

    日本結晶成長学会誌　Vol. 48　No. 3　2021年11月

    出版者・発行元：日本結晶成長学会

  7. ポイントシード技術を用いたN a フラックス法による高品質・大口径 G aN ウエハの作製

    今西 正幸, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

    日本結晶成長学会誌　Vol. 48　No. 3　2021年11月

    出版者・発行元：日本結晶成長学会

  8. Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査

    山内彪我, TANDRYO Ricksen, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 82nd　2021年

  9. ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

    濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 68th　2021年

  10. ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

    栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　Vol. 68th　2021年

講演・口頭発表等 137

  1. OVPE法による超低抵抗・高品質GaN結晶成長とそのデバイス応用

    宇佐美茂佳, 清水歩, 三船浩明, 今西正幸, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央, 太田博, 三島友義, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

    第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月3日

  2. Effect of temperature on high-speed growth of GaN using oxide vapor phase epitaxy

    Shigeyoshi Usami, Daisuke Yamada, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月6日

  3. Preparation of Highly Smooth Surfaces on OVPE-GaN Substrates via Photoelectrochemical Reaction-Assisted Polishing

    Kiyoto Kayao, Tatsuya Fukagawa, Daisetsu Toh, Jumpei Yamada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Yasuhisa Sano

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月10日

  4. Microscopic Raman study of GaN p-n junction diodes grown on OVPE GaN substrates

    Yusuke Hayashi, Kouto Tamamizu, Taisuke Ota, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日

  5. Investigation of electrochemical etching properties of heavily oxygen doped n-type GaN

    Sogo Yokoi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masafumi Yokoyama, Masahiko Hata, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日

  6. Suppression of Polycrystals During GaN Crystal Growth in Na-flux Method under the Higher Temperature and the Higher Nitrogen Pressure Conditions

    Tomoki Tashiro, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日

  7. The Effect of Ga Composition of Melt on the Dislocation Density at the Coalescence Region of GaN Crystal Grown with the Na-flux Point Seed Technique

    Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日

  8. Reduction of Threading Dislocations in GaN Crystals During Facet Growth Induced by Oxygen Impurity in the Na Flux Method

    Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日

  9. Fabricating Damage-Free Surface for Crystal Growth on Seed GaN Crystal Grown by Na-flux Method Using PEC Etching with Bias Voltage Application

    Tatsuya Fukagawa, Kiyoto Kayao, Daisetsu Toh, Jumpei Yamada, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Yasuhisa Sano

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025年7月7日

  10. 流体解析を用いたSrB4O7単結晶の大型化の検討

    松岡 孝弥, 山本 大平, 小林 大也, 谷川 淳, 高橋 義典, 村井 良多, 南部 誠明, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

    レーザー学会 関西支部、中国・四国支部連合 若手学術交流研究会　2025年5月12日

  11. CsLiB6O10を⽤いた深紫外光波⻑変換における出⼒変化の調査

    原 拓海, 島田 恭介, 山本 果穂, 村井 良太, 南部 誠明, 高橋 義典, 岡田 壌治, 宇佐美 茂佳, 今⻄ 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

    レーザー学会 関西支部、中国・四国支部連合 若手学術交流研究会　2025年5月12日

  12. CsLiB6O10結晶の深紫外光バルク損傷耐性評価

    桐山 一輝, 井口 玄太郎, 村井 良太, 南部 誠明, 高橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

    レーザー学会学術講演会第45回年次大会　2025年1月23日

  13. Investigation of bulk deep-ultraviolet laser-induced damage tolerance of CsLiB6O10 crystals

    Kazuki Kiriyama, Gentaro Iguchi, Ryota Murai, Tomoaki Nambu, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

    The 13th Asia Pacific Laser Symposium (APLS2025)　2025年5月15日

  14. OVPE法による(010)面β-Ga2O3成長における多結晶量のVI/III比依存性

    岸本詠章, 白石智之, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    第3回結晶工学講演会　2024年11月22日

  15. Naフラックス法におけるLaser-Assisted Separation (LAS) 法を用いたGaN結晶の クラック抑制

    田中唯意, 今西正幸, 鷲田奨吾, 住谷優, 村上航介, 宇佐美重佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    第3回結晶工学講演会　2024年11月22日

  16. Naフラックス法によるGaN結晶育成における多結晶抑制に向けた成長温度・圧力条件の検討

    田代知輝, 今西正幸, 鷲田将吾, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森 勇介

    第3回結晶工学講演会　2024年11月22日

  17. Reduction of polycrystalline GaN crystals derived from melt back of seed substrate in the Na-flux method

    Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月5日

  18. Thermodynamic and experimental studies of OVPE-GaN growth under the low nucleation frequency conditions

    Tsubasa Nakazono, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月4日

  19. In situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices grown on OVPE-GaN substrates

    Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akio Wakejima, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Akira Sakai

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月5日

  20. Reduction of Dislocations in {20-21}-Plane GaN Crystals during Facet Growthin Na Flux Method

    Takumi Miyamoto, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura Yusuke Mori

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月4日

  21. Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation propagation in the Na-flux point seed technique

    Ryotaro Sasaki, Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月4日

  22. Repeated Homoepitaxial Growth of GaN crystals by Na-flux Method on a Native Seed

    Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月4日

  23. The effect of improving surface flatness of GaN crystals by Zn addition in the Na-flux method

    Yu Sumitani, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)　2024年10月2日

  24. Relationship Between GaN Crystal Morphology during Coalescence and Dislocation Propagation in the Na-flux Point Seed Technique Na-flux

    Ryoutaro Sasaki, Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masahi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)　2024年10月3日

  25. Control of GaN Crystal Habit using Pull-up Growth in the Na-flux Method

    Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori

    The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)　2024年10月2日

  26. 内部欠陥低減に向けたSrB4O7の種結晶の極性検討

    畠山朋也, 小林大也, 谷川淳, 高澤秀生, 村井良多, 高橋義典, 五十嵐裕紀, 南部誠明, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月20日

  27. CsLiB6O10結晶中における光散乱欠陥形成機構の調査

    片岡義博, 松實優斗, 大浦龍之介, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月20日

  28. CsLiB6O10を用いた深紫外光波長変換における出力変化の調査(Ⅱ)

    島田恭丞, 原拓海, 山本果穂, 村井良多, 南部誠明, 高橋義典, 岡田穣治, 宇佐美茂佳, 今西 正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村 政志

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月20日

  29. β-Ga2O3結晶のOVPE成長における熱力学計算を用いた成長速度制御

    白石智裕, 今西正幸, 細川敬介, 宇佐美茂佳, 森勇介

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月20日

  30. Naフラックス法におけるメルトバックを利用した低転位GaN結晶成長における多結晶の低減

    鷲田将吾, 今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  31. OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの大気圧活性化手法の提案

    宇佐美茂佳, 伊藤佑太, 香川美幸, 横井創吾, 田中敦之, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 伊藤 瞭太, 秦雅彦, 吉村政志, 岡山芳央, 本田善央, 天野浩, 森勇介

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月16日

  32. Effect of Water Reabsorption in CsLiB6O10 on Picosecond Deep-Ultraviolet Pulse Generation

    Kyosuke Shimada, Nagi Yamamoto, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, George Okada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

    The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024)　2024年8月7日

  33. Investigations on Scattering Centers in CsLiB6O10 Crystals

    Yoshihiro Kataoka, Yuto Matsumi, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Hideo Takazawa, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimur

    The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024)　2024年8月7日

  34. Naフラックス法における{20-21}面及び{20-2-1}面上GaN結晶成長

    宮本拓実, 今西正幸, 鷲田将吾, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 高知県立県民文化ホール　2024年5月31日

  35. フラックス法におけるGaN結晶表面凹凸のメルトバック条件依存性

    鷲田将吾, 今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月31日

  36. Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶結合様式が転位伝搬に与える影響

    佐々木稜太郎, 鷲田将吾, 今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月30日

  37. CsLiB6O10結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

    片岡義博, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

    レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024年1月19日

  38. 点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響

    西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

    第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023年12月6日

  39. CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

    片岡義博, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

    第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023年12月6日

  40. フラックス過剰溶液からの非線形光学結晶CsLiB₆O₁₀の結晶成長

    吉村政志, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介

    第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023年12月6日

  41. ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察

    道端詩, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 田尻理恵, 吉川洋史, 高野和文, 岡田淳志, 郡健二郎, 安井孝周, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介

    第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023年12月4日

  42. リン酸カルシウム結石形成プロセス解明に向けた結晶相転移の動的観察

    高橋広登, 田中勇太朗, 吉川洋史, 吉村政志, 高野和文, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 丸山美帆子

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)　2023年12月4日

  43. In-situ monitoring of GaN crystal growth via electroresistometry of Ga-Na solution in the Na-flux growth

    Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月14日

  44. Influence of Carrier Concentration of GaN Substrate on Etch-pit Size of Dislocation in GaN Substrate

    Bhavpreeta Pratap Charan, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月14日

  45. Origin of black color in heavily doped n-type GaN

    Tomoaki Sumi, Takino Junichi, Yoshio Okayama, Shigeyoshi Usami, Msayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月13日

  46. Dislocation Reduction in GaN Crystals Using Facet Growth Caused by Meltback in the Na-flux Method

    Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kazuma Hamada, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月16日

  47. Recent Progress of Bulk GaN Growth by Na-Flux Method

    Yusuke Mori, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月16日

  48. Effect of hydrogen partial pressure on GaN high-speed growth by OVPE

    Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023年11月13日

  49. Clarifying inclusions in GaN crystals which can burst at oxide vapor phase epitaxy growth temperature

    Yu Sumitani, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kazuma Hamada, Ricksen Tandryo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42)　2023年10月13日

  50. Suppressing parasitic nucleation inbeta-Ga2O3 OVPE growth by low VI/Ⅲ ratio gas

    Tomohiro Shiraishi, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42)　2023年10月12日

  51. Bulk laser-induced damage resistance of SrB4O7 single crystals under 266-nm DUV laser irradiation（II）

    Ryoh Noguchi, Kota Sekigawa, Yasunori Tanaka, Yuya Tsunezuka, Tomoya Nakao, Ryohei Yasukuni, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

    The 12th Advanced Lasers and Photon Sources Conference (ALPS2023)　2023年4月18日

  52. OVPE法によるGaN超高速成長における水素分圧の影響

    宇佐美 茂佳, 東山 律子, 今西 正幸, 滝野 淳一, 隅 智亮, 岡山 芳央, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

    第70回応用物理学会 春季学術講演会　2023年3月18日

  53. ホウ酸系光学材料SrB4O7結晶の大型・バルク化

    野口 凌, 関川 康太, 田中 康教, 村井 良多, 高橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

    第70回応用物理学会 春季学術講演会　2023年3月15日

  54. HVPE基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する TR-PL 信号の相違

    石井 達也, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史

    第70回応用物理学会 春季学術講演会　2023年3月17日

  55. CsLiB6O10を用いた深紫外光出力の経時安定性評価

    山本 凪, 村井 良多, 高橋 義典, 折井 庸亮, 岡田 穣治, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

    レーザー学会学術講演会 第43回年次大会　2023年1月19日

  56. ホウ酸系光学結晶SrB4O7の育成と266nm深紫外光多重パルス照射に対するバルク損傷耐性

    野口 凌, 関川 康太, 常塚 祐矢, 中尾 友哉, 安國 良平, 神村 共住, 村井 良多, 高橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

    レーザー学会学術講演会 第43回年次大会　2023年1月19日

  57. Naフラックス法を用いた半極性(20-21)面GaN結晶成長における結晶表面モルフォロジーの過飽和度依存性

    北野 春来, 髙橋 響, 中島 達彦, 濱田 和真, Tandryo Ricksen, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

    第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月24日

  58. 新Ga種考慮によるOVPE-GaN熱力学モデルの修正

    櫻井 悠貴, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

    第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月24日

  59. Naフラックス法におけるGaN結晶表面のエッチピットを起因としたファセット成長による転位低減効果

    鷲田 将吾, 濱田 和真, Ricksen Tandryo, 中島 達彦, 村上 航介, 今西 正幸, 宇佐 美茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

    第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月24日

  60. GaNの熱伝導率に対する点欠陥の影響

    河村 貴宏, 西山 稜悟, 秋山 亨, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

    第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月25日

  61. 尿路結石形成機構の解明に向けたシュウ酸カルシウム結石における結晶相転移観察

    道端 詩, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 田尻 理恵, 吉川 洋史, 高野 和文, 岡田 淳志, 安井 孝周, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介

    第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年10月31日

  62. 骨リモデリング機構解明に向けたマウス骨成分の結晶相分析

    高橋 由利子, 丸山 美帆子, 小野 優河, 山下 英里華, 吉川 洋史, 松崎 賢寿, 杉浦 悠紀, 田尻 理恵, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 菊田 順一, 吉村 政志, 石井 優, 森 勇介

    第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年10月31日

  63. Ga2O, H2Oを原料ガスとするGa2O3成長の熱力学解析

    富樫 理恵, 鈴木 明香里, 石田 遥夏, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 湊 雅彦, 森 勇介

    第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年11月1日

  64. OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長

    今西 正幸, 細川 敬介, 奥村 加奈子, 宇佐美 茂佳, 富樫 理恵, 湊 雅彦, 森 勇介

    第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年11月1日

  65. ホウ酸系光学材料SrB4O7結晶の大型化と高品質化

    関川 康太, 村井 良多, 髙橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

    第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022年11月1日

  66. Reduction of dislocations in OVPE-GaN by using free-standing substrate with low-dislocation density

    Masami Aihara, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    The 41st Electronic Materials Symposium　2022年10月21日

  67. The suppression of parasitic polycrystal growth around the wall for high-rate growth of the thick OVPE-GaN crystal

    Itsuki Kawanami, Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    The 41st Electronic Materials Symposium (EMS-41)　2022年10月21日

  68. ホウ酸系光学材料SrB4O7 結晶の大型化と高品質化

    関川 康太, 村井 良多, 高橋 義典, 宇佐美 茂, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日

  69. Na フラックス法におけるGa-Na 融液の電気抵抗測定を用いたGaN 結晶成長速度のモニタリング

    Ricksen Tandryo, 糸澤 孝一, 村上 航介, 久保 等, 今西 正幸, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  70. Na フラックス法を用いた Li 添加による$\{11\bar{2}2\}$面GaN単結晶の平坦化

    髙橋 響, D)Ricksen Tandryo, 濱田和真, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  71. Na フラックス法における基板表面分解を起因としたファセット成長による転位減少効果

    鷲田 将吾, Ricksen Tandryo, 濱田 和真, 中島 達彦, 村上 航介, 今西 正幸, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  72. Na フラックス法における低温成長を用いたGaN 結晶の等方的な六角錐成長と品質の向上

    濱田 和真, 今西 正幸, 垣之内 啓介, 奥村 加奈子, 山田 拓海, 中村 幸介, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森勇介

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  73. 高速OVPE-GaN結晶の厚膜化に向けた炉壁多結晶抑制

    川波一貴, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  74. OVPE 法によるGaN 結晶成長の熱力学解析

    櫻井 悠貴, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  75. OVPE-GaN 基板上pn ダイオードにおける伝導度変調の解析

    宇佐美茂佳, 太田博, 滝野淳一, 渡邉 浩崇, 隅智亮, 今西正幸, 新田州吾, 本田善央, 森勇介, 三島友義, 岡山芳央, 天野浩

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月22日

  76. 短パルスレーザー照射によるアントラセンの結晶化における濃度場の高速度観測

    釣 優香, 丸山 美帆子, 吉川 洋史, 塚本 勝男, 高野 和文, 安達 宏昭, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 細川 陽一郎, 吉村 政志, 森 勇介

    応用物理学会関西支部2022年度第1回講演会　2022年5月16日

  77. Effects of pulse duration on the laser-induced crystallization of urea

    Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Kazufumi Takano, Hiroaki Adachi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022)　2022年4月25日

  78. High-Speed Visualization of Concentration Field Associated with Laser-Induced Crystallization Process of an Anthracene

    Mihoko Maruyama, Yuka Tsuri, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Takashi Onuma, Ryutaro Shimada, Tomohiko Tateshima, Kazufumi Takano, Hiroaki Adachi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022)　2022年4月26日

  79. Analysis of Helical Dislocations observed in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate

    Bhavpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月22日

  80. Growth of GaN Crystal with Low Dislocation Density and Low Oxygen Concentration by a Thin-Level Na-flux Growth with a Li Additive

    Tatsuhiko Nakajima, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月23日

  81. Effect of Ga/flux composition ratio and the amount of dissolved nitrogen on the growth habit of GaN crystal by the Na-flux point seed method

    Jumpei Fujiwara, Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月22日

  82. Dependence of crystallinity of GaN crystals grown by the Na flux point seed technique on the off-angle of the seed substrate

    Shogo Washida, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月22日

  83. Influence of Point and Complex Defects on Electronic Structure of GaN

    Takahiro Kawamura, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2021年4月22日

  84. Bulk laser-induced damage resistance of SrB4O7 single crystals under 266-nm DUV laser irradiation

    Yutaka Maegaki, Yasunori Tanaka, Haruki Marui, Atsushi Koizumi, Kuta Tanaka, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John, F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

    The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022年4月20日

  85. Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate

    Bhavpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021年12月23日

  86. Naフラックス法におけるLi添加による(20-21)面GaN単結晶の表面平坦化効果

    髙橋響, 糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021年12月23日

  87. Naフラックス法を用いた低転位GaN基板の再成長における転位増加の抑制

    山内彪我, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021年12月23日

  88. GaN中の点欠陥および複合欠陥が光学特性に与える影響の解明

    大畑智嗣, 河村貴宏, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

    第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月3日

  89. 窒化ガリウム中の反り低減に向けた初期高酸素濃度領域の薄膜化

    濱田和真, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月2日

  90. 超低核生成頻度条件での多結晶形成抑制による低転位バルクOVPE-GaN結晶の高速成長

    清水歩, 宇佐美茂佳, 櫻井悠貴, 川波一貴, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

    第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月2日

  91. Naフラックス法における窒素溶解量の増加による核発声の促進

    鷲田将吾, 中島達彦, 濱田和馬, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021年12月2日

  92. テラヘルツ自由電子レーザーを用いたアントラセンの結晶核形成誘起

    丸山美帆子, 中島誠, 吉川洋史, 塚本勝男, 王有為, 太田雅人, 釣優香, 磯山悟朗, 大沼隼志, 島田竜太郎, 立嶋知彦, V.C.Agulto, V.K.Mag-usara, 高野和文, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

    第50回結晶成長国内会議　2021年10月29日

  93. 短パルスレーザー照射によるアントラセン結晶核形成の高速度観察

    釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 大沼隼志, 島田竜太郎, 立嶋知彦, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

    第50回結晶成長国内会議　2021年10月29日

  94. ホウ酸系光学結晶SrB4O7の内部欠陥の抑制

    前垣雄隆, 田中康教, 村井良太, 髙橋義典, 杉田剛, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

    第50回結晶成長国内会議　2021年10月29日

  95. 超低抵抗・低転位密度GaN基板の開発とデバイス応用

    滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 岡山芳央, 森勇介

    第50回結晶成長国内会議　2021年10月27日

  96. ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製

    今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

    第50回結晶成長国内会議　2021年10月27日

  97. レーザーアブレーションが誘起する結晶化現象の可視化

    吉川洋史, 丸山美帆子, 釣優香, 塚本勝男, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

    第50回結晶成長国内会議　2021年10月27日

  98. アスピリンの安定相と準安定相が作るintergrowth形成のその場観察

    釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

    第50回結晶成長国内会議　2021年10月27日

  99. High-rate OVPE-GaN growth by the suppression of H2O pressure with N2O gas instead of H2O gas in a high-temperature condition

    Itsuki Kawanami, Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021年10月11日

  100. Fabrication of OVPE-GaN substrate with low absorption coefficient by defect suppression for laser slicing

    Hiroaki Mifune, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021年10月11日

  101. In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement

    Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021年10月11日

  102. High-rate GaN crystal growth by the suppression of polycrystal formation at a high temperature above 1250℃ using the OVPE method

    Ayumu Shimizu, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

    The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021年10月11日

  103. Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method

    Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD21)　2021年7月1日

  104. ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

    栗谷 淳, 藤平 哲也, 濱地 威明, 林 侑介, 滝野 淳一, 隅 智亮, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介, 隅谷 和嗣, 今井 康彦, 木村 滋, 酒井 朗

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月17日

  105. ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

    濱地 威明, 藤平 哲也, 林 侑介, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介, 隅谷 和嗣, 今井 康彦, 木村 滋

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月19日

  106. OVPE-GaN（高濃度酸素添加GaN）結晶黒色化の起源

    隅 智亮, 滝野 淳, 岡山 芳央, 北本 啓, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月17日

  107. High surface laser-induced damage threshold of SrB4O7 single crystals under 266-nm (DUV) laser irradiation

    Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Tsuyoshi Sugita, Daisetsu Toh, Kazuto Yamauchi, Sora Aikawa, Haruki Marui, Yuji Umeda, Yusuke Funamoto, Tomosumi Kamimura, Melvin John, F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

    The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月1日

  108. Laser pulse duration effects on laser-induced crystallization of urea

    Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

    The８th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月3日

  109. N2Oガス添加によるOVPE-GaN結晶の高速厚膜化の実現

    清水 歩, 神山 将太, 北本 啓, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

    第 ３ 回 結 晶 工 学 × I S Y S E 合 同 研 究 会　2020年12月23日

  110. N2OガスをⅢ族供給源に用いたOVPE法によるGaN結晶成長

    川波 一貴, 清水 歩, 三船 浩明, 神山 将太, 北本 啓, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 隅智 亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森勇介

    第 ３ 回 結 晶 工 学 × I S Y S E 合 同 研 究 会　2020年12月23日

  111. レーザーのパルス時間幅が尿素結晶化に及ぼす影響

    釣 優香, 丸山 美帆子, 吉川 洋史, 塚本 勝男, 安達 宏昭, 高野 和文, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

    第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020年11月10日

  112. ホウ酸系光学結晶SrB4O7の高品質化

    前垣 雄隆, 田中 康教, 村井 良多, 高橋 義典, 杉田 剛, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

    第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020年11月9日

  113. 尿路結石形成機序解明に向けたシュウ酸カルシウム結晶の溶媒媒介相転移の観察

    久住 翔太, 丸山 美帆子, 門馬 鋼一, 古川 善博, 杉浦 悠紀, 田中 勇太朗, 田尻 理恵, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉川 洋史, 高野 和文, 岡田 淳志, 安井 孝周, 吉村 政志, 森 勇介

    第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020年11月10日

  114. Naフラックスポイントシード法による低転位・⼤⼝径GaN結晶成⻑

    今⻄ 正幸, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 吉村 政志, 森 勇介

    第12回ナノ構造・エピタキシャル成⻑講演会　2020年7月31日

  115. Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p−n diodes

    S. Usami, A. Tanaka, H. Fukushima, Y. Ando, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano

    Internatinal Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN-2018)　2018年12月

  116. GaN 自立基板上pn ダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性II

    宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第79 回応用物理学会秋季学術講演会　3018年9月20日

  117. Dependency of the reverse leakage current on the MOVPE growth pressure of vertical pn diodes on a GaN free-standing substrate

    S. Usami, A. Tanaka, H. Fukushima, Y. Ando, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano

    Internatinal Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7　2018年8月

  118. GaN 自立基板上PN ダイオードにおけるリーク電流のMOCVD 成長圧力依存性

    宇佐美茂佳, 安藤悠人, 福島颯太, 田中敦之, 出来真斗, 久志本希, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第10 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2018年7月13日

  119. Investigation of the origin of the leakage of pn diodes on a freestanding GaN substrate using 3DAP and LACBED methods

    S. Usami, Y. Sugawara, Y. Yao, Y. Ishikawa, N. Mayama, K. Toda, Y. Ando, A. Tanaka, K. Nagamatsu, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano

    Compound Semiconductor Week 2018　2018年

  120. 3DAP およびLACBED 法によるGaN 自立基板上pn ダイオードのリーク起源調査

    宇佐美茂佳, 菅原義弘, 姚永昭, 石川由加里, 間山憲仁, 戸田一也, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第65 回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日

  121. “GaN 自立基板上pn ダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性

    宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第65 回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日

  122. Correlation between dislocation and leakage current of pn diodes on free-standing GaN substrate

    宇佐美茂佳, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第36 回電子材料シンポジウム（EMS-36)　2017年11月

  123. 異なるGaN 自立基板上縦型PN ダイオードのキラー転位解析

    宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162 委員会第 100 回記念特 別公開シンポジウ　2017年10月

  124. Evaluation of internal quantum efficiency of LED by photocurrent measurement

    S. Usami, K. Kojima, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, S. Chichibu, H. Amano

    11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices　2017年

  125. 転位密度の異なるGaN 自立基板上PN ダイオードのキラー転位解析

    宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第78 回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月6日

  126. 成長法の異なるGaN 自立基板上PN ダイオードのキラー転位解析

    宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第9 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2017年

  127. Photocurrent and Photoluminescence Measurements for InGaN Based LED

    S. Usami, Y. Honda, H. Amano

    The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications　2017年4月

  128. 絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

    宇佐美茂佳, 小島一信, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 秩父重英, 天野 浩

    第64 回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月17日

  129. GaN 自立基板上PN ダイオードの逆方向リークと転位の関係

    宇佐美茂佳, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第64 回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月16日

  130. Effect of dislocation on the growth of p-type GaN and device characteristics

    S. Usami, R. Miyagoshi, K. Nagamatsu, A. Tanaka, S. Nitta, M. Deki, Y. Honda, H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2016　2016年10月

  131. GaN自立基板上PINダイオードにおける順方向発光パターン解析

    宇佐美茂佳, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月15日

  132. Evaluation of internal quantum efficiency of InGaN based LEDs by photocurrent measurement

    宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩

    第35回電子材料シンポジウム( EMS-35)　2016年7月7日

  133. 光電流測定による窒化物系LEDの内部量子効率評価

    宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩

    第8 回窒化物半導体結晶成長講演会　2016年5月10日

  134. 光電流測定によるLED内部量子効率評

    宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩

    63回応用物理学会春季学術講演　2016年3月20日

  135. Characteriterization of LightEmitting Diode Efficiency by Biased Photocurrent and Photoluminescence Measurement

    S. Usami, T. Mitsunari, Y. Honda, H. Amano

    The 3th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications　2015年4月

  136. バイアス印加光電流およびバイアス印加 PL測定によるLED評価

    宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩

    第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月12日

  137. 逆バイアス下光電流測定によるSRHモデル修正

    宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩

    第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月19日

特許・実用新案・意匠 6

  1. 半導体装置

    中村 茉里香, 宇佐美 茂佳, 滝口 雄貴, 山田 高寛, 齋藤 尚史, 綿引 達郎, 柳生 栄治

    特許第7325631号

    出願日:2021/05/21

    登録日:2023/08/03

  2. 半導体装置

    齋藤 尚史, 滝口 雄貴, 宇佐美 茂佳, 山田 高寛, 中村 茉里香, 柳生 栄治

    特許第7170940号

    出願日:2020/05/13

    登録日:2022/11/04

  3. III族窒化物結晶の製造装置及びIII族窒化物結晶の製造方法

    森 勇介, 吉村 政志, 今西 正幸, 宇佐美 茂佳, 滝野 淳一, 布袋田 暢行, 松野 俊一

    出願日:2021/06/28

  4. III族窒化物結晶の製造方法

    森 勇介, 吉村 政志, 今西 正幸, 宇佐美 茂佳, 滝野 淳一, 松野 俊一

    出願日:2021/06/24

  5. III族窒化物結晶の製造装置及び製造方法

    森 勇介, 吉村 政志, 今西 正幸, 宇佐美 茂佳, 北本 啓, 滝野 淳一, 布袋田 暢行, 松野 俊一

    出願日:2021/04/23

  6. III族窒化物結晶の製造方法及びIII族窒化物結晶

    森 勇介, 吉村 政志, 今西 正幸, 宇佐美 茂佳, 北本 啓, 滝野 淳一

    出願日:2021/04/12

機関リポジトリ 7

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. High-speed and long-time growth of GaN by suppressing gas-phase reaction in the oxide vapor phase epitaxy method

    Usami Shigeyoshi, Shimizu Ayumu, Higashiyama Ritsuko, Imanishi Masayuki, Takino Junichi, Sumi Tomoaki, Okayama Yoshio, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi, Hata Masahiko, Isemura Masashi, Mori Yusuke

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 64　No. 5　2025年5月15日

  2. Characteristics of Vertical Transistors on a GaN Substrate Fabricated via Na-Flux Method and Enlargement of the Substrate Surpassing 6 Inches

    Imanishi Masayuki, Usami Shigeyoshi, Murakami Kosuke, Okumura Kanako, Nakamura Kosuke, Kakinouchi Keisuke, Otoki Yohei, Yamashita Tomio, Tsurumi Naohiro, Tamura Satoshi, Ohno Hiroshi, Okayama Yoshio, Fujimori Taku, Nagai Seiji, Moriyama Miki, Mori Yusuke

    Physica Status Solidi - Rapid Research Letters　Vol. 18　No. 11　2024年6月26日

  3. The impact of crystal phase transition on the hardness and structure of kidney stones

    Michibata Uta, Maruyama Mihoko, Tanaka Yutaro, Yoshimura Masashi, Yoshikawa Hiroshi Y., Takano Kazufumi, Furukawa Yoshihiro, Momma Koichi, Tajiri Rie, Taguchi Kazumi, Hamamoto Shuzo, Okada Atsushi, Kohri Kenjiro, Yasui Takahiro, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke

    Urolithiasis　Vol. 52　2024年4月2日

  4. Elastic constants of GaN grown by the oxide vapor phase epitaxy method

    Fukuda Hiroki, Nagakubo Akira, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke, Ogi Hirotsugu

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 1　2024年1月1日

  5. Evidence for Solution-Mediated Phase Transitions in Kidney Stones: Phase Transition Exacerbates Kidney Stone Disease

    Maruyama Mihoko, Tanaka Yutaro, Momma Koichi, Furukawa Yoshihiro, Yoshikawa Hiroshi Y., Tajiri Rie, Nakamura Masanori, Taguchi Kazumi, Hamamoto Shuzo, Ando Ryosuke, Tsukamoto Katsuo, Takano Kazufumi, Imanishi Masayuki, Usami Shigeyoshi, Kohri Kenjiro, Okada Atsushi, Yasui Takahiro, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

    Crystal Growth and Design　Vol. 23　No. 6　p. 4285-4293　2023年6月7日

  6. Low Surface Potential with Glycoconjugates Determines Insect Cell Adhesion at Room Temperature

    Matsuzaki Takahisa, Terutsuki Daigo, Sato Shoma, Ikarashi Kohei, Sato Kohei, Mitsuno Hidefumi, Okumura Ryu, Yoshimura Yudai, Usami Shigeyoshi, Mori Yusuke, Fujii Mai, Takemi Shota, Nakabayashi Seiichiro, Yoshikawa Hiroshi Y, Kanzaki Ryohei

    Journal of Physical Chemistry Letters　Vol. 13　No. 40　p. 9494-9500　2022年10月13日

  7. OVPE 法で作製したGaN 単結晶のフォトルミネッセンス評価

    今西 正幸, 宇佐美 茂佳

    大阪大学低温センターだより　Vol. 172　p. 9-12　2022年1月