Suppression of Polycrystals During GaN Crystal Growth in Na-flux Method under the Higher Temperature and the Higher Nitrogen Pressure Conditions

Tomoki Tashiro, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

The Effect of Ga Composition of Melt on the Dislocation Density at the Coalescence Region of GaN Crystal Grown with the Na-flux Point Seed Technique

Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

Reduction of Threading Dislocations in GaN Crystals During Facet Growth Induced by Oxygen Impurity in the Na Flux Method

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

Fabricating Damage-Free Surface for Crystal Growth on Seed GaN Crystal Grown by Na-flux Method Using PEC Etching with Bias Voltage Application

Tatsuya Fukagawa, Kiyoto Kayao, Daisetsu Toh, Jumpei Yamada, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Yasuhisa Sano

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15)　2025/07/07

流体解析を用いたSrB₄O₇単結晶の大型化の検討

松岡 孝弥, 山本 大平, 小林 大也, 谷川 淳, 高橋 義典, 村井 良多, 南部 誠明, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会 関西支部、中国・四国支部連合 若手学術交流研究会　2025/05/12

CsLiB₆O₁₀を⽤いた深紫外光波⻑変換における出⼒変化の調査

原 拓海, 島田 恭介, 山本 果穂, 村井 良太, 南部 誠明, 高橋 義典, 岡田 壌治, 宇佐美 茂佳, 今⻄ 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会 関西支部、中国・四国支部連合 若手学術交流研究会　2025/05/12

CsLiB₆O₁₀結晶の深紫外光バルク損傷耐性評価

桐山 一輝, 井口 玄太郎, 村井 良太, 南部 誠明, 高橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会学術講演会第45回年次大会　2025/01/23

Investigation of bulk deep-ultraviolet laser-induced damage tolerance of CsLiB₆O₁₀ crystals

Kazuki Kiriyama, Gentaro Iguchi, Ryota Murai, Tomoaki Nambu, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 13th Asia Pacific Laser Symposium (APLS2025)　2025/05/15

OVPE法による(010)面β-Ga₂O₃成長における多結晶量のVI/III比依存性

岸本詠章, 白石智之, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学講演会　2024/11/22

Naフラックス法におけるLaser-Assisted Separation (LAS) 法を用いたGaN結晶の クラック抑制

田中唯意, 今西正幸, 鷲田奨吾, 住谷優, 村上航介, 宇佐美重佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第3回結晶工学講演会　2024/11/22

Naフラックス法によるGaN結晶育成における多結晶抑制に向けた成長温度・圧力条件の検討

田代知輝, 今西正幸, 鷲田将吾, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森 勇介

第3回結晶工学講演会　2024/11/22

Reduction of polycrystalline GaN crystals derived from melt back of seed substrate in the Na-flux method

Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/05

Thermodynamic and experimental studies of OVPE-GaN growth under the low nucleation frequency conditions

Tsubasa Nakazono, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/04

In situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices grown on OVPE-GaN substrates

Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akio Wakejima, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Akira Sakai

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/05

Reduction of Dislocations in {20-21}-Plane GaN Crystals during Facet Growthin Na Flux Method

Takumi Miyamoto, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/04

Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation propagation in the Na-flux point seed technique

Ryotaro Sasaki, Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/04

Repeated Homoepitaxial Growth of GaN crystals by Na-flux Method on a Native Seed

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/04

The effect of improving surface flatness of GaN crystals by Zn addition in the Na-flux method

Yu Sumitani, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)　2024/10/02

Relationship Between GaN Crystal Morphology during Coalescence and Dislocation Propagation in the Na-flux Point Seed Technique Na-flux

Ryoutaro Sasaki, Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masahi Yoshimura, Yusuke Mori

The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)　2024/10/03

Control of GaN Crystal Habit using Pull-up Growth in the Na-flux Method

Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori

The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)　2024/10/02

内部欠陥低減に向けたSrB₄O₇の種結晶の極性検討

畠山朋也, 小林大也, 谷川淳, 高澤秀生, 村井良多, 高橋義典, 五十嵐裕紀, 南部誠明, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/20

CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱欠陥形成機構の調査

片岡義博, 松實優斗, 大浦龍之介, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/20

CsLiB₆O₁₀を用いた深紫外光波長変換における出力変化の調査(Ⅱ)

島田恭丞, 原拓海, 山本果穂, 村井良多, 南部誠明, 高橋義典, 岡田穣治, 宇佐美茂佳, 今西 正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村 政志

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/20

β-Ga₂O₃結晶のOVPE成長における熱力学計算を用いた成長速度制御

白石智裕, 今西正幸, 細川敬介, 宇佐美茂佳, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/20

Naフラックス法におけるメルトバックを利用した低転位GaN結晶成長における多結晶の低減

鷲田将吾, 今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの大気圧活性化手法の提案

宇佐美茂佳, 伊藤佑太, 香川美幸, 横井創吾, 田中敦之, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 伊藤 瞭太, 秦雅彦, 吉村政志, 岡山芳央, 本田善央, 天野浩, 森勇介

第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/16

Effect of Water Reabsorption in CsLiB₆O₁₀ on Picosecond Deep-Ultraviolet Pulse Generation

Kyosuke Shimada, Nagi Yamamoto, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, George Okada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024)　2024/08/07

Investigations on Scattering Centers in CsLiB₆O₁₀ Crystals

Yoshihiro Kataoka, Yuto Matsumi, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Hideo Takazawa, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimur

The 16th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2024)　2024/08/07

Naフラックス法における{20-21}面及び{20-2-1}面上GaN結晶成長

宮本拓実, 今西正幸, 鷲田将吾, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 高知県立県民文化ホール　2024/05/31

フラックス法におけるGaN結晶表面凹凸のメルトバック条件依存性

鷲田将吾, 今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024/05/31

Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶結合様式が転位伝搬に与える影響

佐々木稜太郎, 鷲田将吾, 今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024/05/30

CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

片岡義博, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

レーザー学会学術講演会第44回年次大会　2024/01/19

点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響

西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023/12/06

CsLiB₆O₁₀結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響

片岡義博, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 高澤秀生, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023/12/06

フラックス過剰溶液からの非線形光学結晶CsLiB₆O₁₀の結晶成長

吉村政志, 松實優斗, 村井良多, 高橋義典, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023/12/06

ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察

道端詩, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 田尻理恵, 吉川洋史, 高野和文, 岡田淳志, 郡健二郎, 安井孝周, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）　2023/12/04

リン酸カルシウム結石形成プロセス解明に向けた結晶相転移の動的観察

高橋広登, 田中勇太朗, 吉川洋史, 吉村政志, 高野和文, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 丸山美帆子

第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)　2023/12/04

In-situ monitoring of GaN crystal growth via electroresistometry of Ga-Na solution in the Na-flux growth

Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/14

Influence of Carrier Concentration of GaN Substrate on Etch-pit Size of Dislocation in GaN Substrate

Bhavpreeta Pratap Charan, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/14

Origin of black color in heavily doped n-type GaN

Tomoaki Sumi, Takino Junichi, Yoshio Okayama, Shigeyoshi Usami, Msayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/13

Dislocation Reduction in GaN Crystals Using Facet Growth Caused by Meltback in the Na-flux Method

Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Kazuma Hamada, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/16

Recent Progress of Bulk GaN Growth by Na-Flux Method

Yusuke Mori, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/16

Effect of hydrogen partial pressure on GaN high-speed growth by OVPE

Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)　2023/11/13

Clarifying inclusions in GaN crystals which can burst at oxide vapor phase epitaxy growth temperature

Yu Sumitani, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kazuma Hamada, Ricksen Tandryo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42)　2023/10/13

Suppressing parasitic nucleation inbeta-Ga₂O₃ OVPE growth by low VI/Ⅲ ratio gas

Tomohiro Shiraishi, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42)　2023/10/12

Bulk laser-induced damage resistance of SrB₄O₇ single crystals under 266-nm DUV laser irradiation（II）

Ryoh Noguchi, Kota Sekigawa, Yasunori Tanaka, Yuya Tsunezuka, Tomoya Nakao, Ryohei Yasukuni, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 12th Advanced Lasers and Photon Sources Conference (ALPS2023)　2023/04/18

OVPE法によるGaN超高速成長における水素分圧の影響

宇佐美 茂佳, 東山 律子, 今西 正幸, 滝野 淳一, 隅 智亮, 岡山 芳央, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第70回応用物理学会 春季学術講演会　2023/03/18

ホウ酸系光学材料SrB₄O₇結晶の大型・バルク化

野口 凌, 関川 康太, 田中 康教, 村井 良多, 高橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

第70回応用物理学会 春季学術講演会　2023/03/15

HVPE基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する TR-PL 信号の相違

石井 達也, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史

第70回応用物理学会 春季学術講演会　2023/03/17

CsLiB₆O₁₀を用いた深紫外光出力の経時安定性評価

山本 凪, 村井 良多, 高橋 義典, 折井 庸亮, 岡田 穣治, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会学術講演会 第43回年次大会　2023/01/19

ホウ酸系光学結晶SrB₄O₇の育成と266nm深紫外光多重パルス照射に対するバルク損傷耐性

野口 凌, 関川 康太, 常塚 祐矢, 中尾 友哉, 安國 良平, 神村 共住, 村井 良多, 高橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

レーザー学会学術講演会 第43回年次大会　2023/01/19

Naフラックス法を用いた半極性(20-21)面GaN結晶成長における結晶表面モルフォロジーの過飽和度依存性

北野 春来, 髙橋 響, 中島 達彦, 濱田 和真, Tandryo Ricksen, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022/11/24

新Ga種考慮によるOVPE-GaN熱力学モデルの修正

櫻井 悠貴, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022/11/24

Naフラックス法におけるGaN結晶表面のエッチピットを起因としたファセット成長による転位低減効果

鷲田 将吾, 濱田 和真, Ricksen Tandryo, 中島 達彦, 村上 航介, 今西 正幸, 宇佐 美茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022/11/24

GaNの熱伝導率に対する点欠陥の影響

河村 貴宏, 西山 稜悟, 秋山 亨, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022/11/25

尿路結石形成機構の解明に向けたシュウ酸カルシウム結石における結晶相転移観察

道端 詩, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 田尻 理恵, 吉川 洋史, 高野 和文, 岡田 淳志, 安井 孝周, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/10/31

骨リモデリング機構解明に向けたマウス骨成分の結晶相分析

高橋 由利子, 丸山 美帆子, 小野 優河, 山下 英里華, 吉川 洋史, 松崎 賢寿, 杉浦 悠紀, 田尻 理恵, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 菊田 順一, 吉村 政志, 石井 優, 森 勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/10/31

Ga₂O, H₂Oを原料ガスとするGa₂O₃成長の熱力学解析

富樫 理恵, 鈴木 明香里, 石田 遥夏, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 湊 雅彦, 森 勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/11/01

OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長

今西 正幸, 細川 敬介, 奥村 加奈子, 宇佐美 茂佳, 富樫 理恵, 湊 雅彦, 森 勇介

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/11/01

ホウ酸系光学材料SrB₄O₇結晶の大型化と高品質化

関川 康太, 村井 良多, 髙橋 義典, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）　2022/11/01

Reduction of dislocations in OVPE-GaN by using free-standing substrate with low-dislocation density

Masami Aihara, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 41st Electronic Materials Symposium　2022/10/21

The suppression of parasitic polycrystal growth around the wall for high-rate growth of the thick OVPE-GaN crystal

Itsuki Kawanami, Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 41st Electronic Materials Symposium (EMS-41)　2022/10/21

Growth of a large-size and high-quality strontium tetraborate crystal

Kota Sekigawa, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/20

Growth rate monitoring in Na-flux GaN crystal growth via electrical resistance measurement of Ga-Na melt

Ricksen Tandryo, Koichi Itozawa, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

Planarization of $\{20\bar{2}1\}$GaN Single Crystals by Li Addition Usin g Na Flux Method

Hibiki Takahashi, Ricksen Tandryo, Kazuma Hamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

Effect of dislocation reduction through facet growth caused by decomposed substrate surf ace in the Na flux method

Shogo Washida, Ricksen Tandryo, Kazuma Hamada, Tatsuhiko Nakajima, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

Improvement of a GaN Crystal Quality by Isotropic Pyramidal Growth Through Low-Temperature Condition in the Na-Flux Method

Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Keisuke Kakinouchi, Kanako Okumura, Takumi Yamada, Kosuke Nakamura, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

The suppression of parasitic polycrystal growth around the wall for high-rate growth of the thick OVPE-GaN crysta

I. Kawanami, S. Usami, M. Imanishi, M. Maruyama, M. Yoshimura, M. Sumi, J. Takino, Y. Okayama, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

Thermodynamic analysis of Oxide Vapor Phase Epitaxy of GaN

Yuki Sakurai, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/21

Analysis of conductivity modulation of pn diodes fabricated on OVPE-GaN substrate

S. Usami, H. Ohta, J. Takino, H. Watanabe, T. Sumi, M. Imanishi, S. Nitta, Y. Honda, Y. Mori, T. Mishima, Y. Okayama, H. Amano

The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022/09/22

短パルスレーザー照射によるアントラセンの結晶化における濃度場の高速度観測

釣 優香, 丸山 美帆子, 吉川 洋史, 塚本 勝男, 高野 和文, 安達 宏昭, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 細川 陽一郎, 吉村 政志, 森 勇介

応用物理学会関西支部2022年度第1回講演会　2022/05/16

Effects of pulse duration on the laser-induced crystallization of urea

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Kazufumi Takano, Hiroaki Adachi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022)　2022/04/25

High-Speed Visualization of Concentration Field Associated with Laser-Induced Crystallization Process of an Anthracene

Mihoko Maruyama, Yuka Tsuri, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Takashi Onuma, Ryutaro Shimada, Tomohiko Tateshima, Kazufumi Takano, Hiroaki Adachi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

16th International Conference on Laser Ablation (COLA2021/2022)　2022/04/26

Analysis of Helical Dislocations observed in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate

Bhavpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/22

Growth of GaN Crystal with Low Dislocation Density and Low Oxygen Concentration by a Thin-Level Na-flux Growth with a Li Additive

Tatsuhiko Nakajima, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/23

Effect of Ga/flux composition ratio and the amount of dissolved nitrogen on the growth habit of GaN crystal by the Na-flux point seed method

Jumpei Fujiwara, Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/22

Dependence of crystallinity of GaN crystals grown by the Na flux point seed technique on the off-angle of the seed substrate

Shogo Washida, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/22

Influence of Point and Complex Defects on Electronic Structure of GaN

Takahiro Kawamura, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2021/04/22

Bulk laser-induced damage resistance of SrB4O7 single crystals under 266-nm DUV laser irradiation

Yutaka Maegaki, Yasunori Tanaka, Haruki Marui, Atsushi Koizumi, Kuta Tanaka, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John, F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)　2022/04/20

Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate

Bhavpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021/12/23

Naフラックス法におけるLi添加による(20-21)面GaN単結晶の表面平坦化効果

髙橋響, 糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021/12/23

Naフラックス法を用いた低転位GaN基板の再成長における転位増加の抑制

山内彪我, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会　2021/12/23

GaN中の点欠陥および複合欠陥が光学特性に与える影響の解明

大畑智嗣, 河村貴宏, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/03

窒化ガリウム中の反り低減に向けた初期高酸素濃度領域の薄膜化

濱田和真, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/02

超低核生成頻度条件での多結晶形成抑制による低転位バルクOVPE-GaN結晶の高速成長

清水歩, 宇佐美茂佳, 櫻井悠貴, 川波一貴, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/02

Naフラックス法における窒素溶解量の増加による核発声の促進

鷲田将吾, 中島達彦, 濱田和馬, 山田拓海, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2021/12/02

テラヘルツ自由電子レーザーを用いたアントラセンの結晶核形成誘起

丸山美帆子, 中島誠, 吉川洋史, 塚本勝男, 王有為, 太田雅人, 釣優香, 磯山悟朗, 大沼隼志, 島田竜太郎, 立嶋知彦, V.C.Agulto, V.K.Mag-usara, 高野和文, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/29

短パルスレーザー照射によるアントラセン結晶核形成の高速度観察

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 大沼隼志, 島田竜太郎, 立嶋知彦, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/29

ホウ酸系光学結晶SrB₄O₇の内部欠陥の抑制

前垣雄隆, 田中康教, 村井良太, 髙橋義典, 杉田剛, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 森勇介, 吉村政志

第50回結晶成長国内会議　2021/10/29

超低抵抗・低転位密度GaN基板の開発とデバイス応用

滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 岡山芳央, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/27

ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製

今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/27

レーザーアブレーションが誘起する結晶化現象の可視化

吉川洋史, 丸山美帆子, 釣優香, 塚本勝男, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/27

アスピリンの安定相と準安定相が作るintergrowth形成のその場観察

釣優香, 丸山美帆子, 吉川洋史, 塚本勝男, 高野和文, 安達宏昭, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議　2021/10/27

High-rate OVPE-GaN growth by the suppression of H₂O pressure with N₂O gas instead of H₂O gas in a high-temperature condition

Itsuki Kawanami, Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021/10/11

Fabrication of OVPE-GaN substrate with low absorption coefficient by defect suppression for laser slicing

Hiroaki Mifune, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021/10/11

In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement

Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021/10/11

High-rate GaN crystal growth by the suppression of polycrystal formation at a high temperature above 1250℃ using the OVPE method

Ayumu Shimizu, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)　2021/10/11

Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method

Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD21)　2021/07/01

ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

栗谷 淳, 藤平 哲也, 濱地 威明, 林 侑介, 滝野 淳一, 隅 智亮, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介, 隅谷 和嗣, 今井 康彦, 木村 滋, 酒井 朗

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/17

ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

濱地 威明, 藤平 哲也, 林 侑介, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介, 隅谷 和嗣, 今井 康彦, 木村 滋

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/19

OVPE-GaN（高濃度酸素添加GaN）結晶黒色化の起源

隅 智亮, 滝野 淳, 岡山 芳央, 北本 啓, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 森 勇介

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/17

High surface laser-induced damage threshold of SrB₄O₇ single crystals under 266-nm (DUV) laser irradiation

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Tsuyoshi Sugita, Daisetsu Toh, Kazuto Yamauchi, Sora Aikawa, Haruki Marui, Yuji Umeda, Yusuke Funamoto, Tomosumi Kamimura, Melvin John, F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/01

Laser pulse duration effects on laser-induced crystallization of urea

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Hiroshi Y. Yoshikawa, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The８th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/03

N2Oガス添加によるOVPE-GaN結晶の高速厚膜化の実現

清水 歩, 神山 将太, 北本 啓, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介

第 ３ 回 結 晶 工 学 × I S Y S E 合 同 研 究 会　2020/12/23

N2OガスをⅢ族供給源に用いたOVPE法によるGaN結晶成長

川波 一貴, 清水 歩, 三船 浩明, 神山 将太, 北本 啓, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 隅智 亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森勇介

第 ３ 回 結 晶 工 学 × I S Y S E 合 同 研 究 会　2020/12/23

レーザーのパルス時間幅が尿素結晶化に及ぼす影響

釣 優香, 丸山 美帆子, 吉川 洋史, 塚本 勝男, 安達 宏昭, 高野 和文, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020/11/10

ホウ酸系光学結晶SrB₄O₇の高品質化

前垣 雄隆, 田中 康教, 村井 良多, 高橋 義典, 杉田 剛, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 森 勇介, 吉村 政志

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020/11/09

尿路結石形成機序解明に向けたシュウ酸カルシウム結晶の溶媒媒介相転移の観察

久住 翔太, 丸山 美帆子, 門馬 鋼一, 古川 善博, 杉浦 悠紀, 田中 勇太朗, 田尻 理恵, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉川 洋史, 高野 和文, 岡田 淳志, 安井 孝周, 吉村 政志, 森 勇介

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020/11/10

Naフラックスポイントシード法による低転位・⼤⼝径GaN結晶成⻑

今⻄ 正幸, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 吉村 政志, 森 勇介

第12回ナノ構造・エピタキシャル成⻑講演会　2020/07/31

Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p−n diodes

S. Usami, A. Tanaka, H. Fukushima, Y. Ando, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano

Internatinal Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN-2018)　2018/12

GaN 自立基板上pn ダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性II

宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第79 回応用物理学会秋季学術講演会　3018/09/20

Dependency of the reverse leakage current on the MOVPE growth pressure of vertical pn diodes on a GaN free-standing substrate

S. Usami, A. Tanaka, H. Fukushima, Y. Ando, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano

Internatinal Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7　2018/08

GaN 自立基板上PN ダイオードにおけるリーク電流のMOCVD 成長圧力依存性

宇佐美茂佳, 安藤悠人, 福島颯太, 田中敦之, 出来真斗, 久志本希, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第10 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2018/07/13

Investigation of the origin of the leakage of pn diodes on a freestanding GaN substrate using 3DAP and LACBED methods

S. Usami, Y. Sugawara, Y. Yao, Y. Ishikawa, N. Mayama, K. Toda, Y. Ando, A. Tanaka, K. Nagamatsu, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano

Compound Semiconductor Week 2018　2018

3DAP およびLACBED 法によるGaN 自立基板上pn ダイオードのリーク起源調査

宇佐美茂佳, 菅原義弘, 姚永昭, 石川由加里, 間山憲仁, 戸田一也, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第65 回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/18

“GaN 自立基板上pn ダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性

宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第65 回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/18

Correlation between dislocation and leakage current of pn diodes on free-standing GaN substrate

2017/11

異なるGaN 自立基板上縦型PN ダイオードのキラー転位解析

宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162 委員会第 100 回記念特 別公開シンポジウ　2017/10

Evaluation of internal quantum efficiency of LED by photocurrent measurement

S. Usami, K. Kojima, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, S. Chichibu, H. Amano

11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices　2017

転位密度の異なるGaN 自立基板上PN ダイオードのキラー転位解析

宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第78 回応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/06

成長法の異なるGaN 自立基板上PN ダイオードのキラー転位解析

宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第9 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2017

Photocurrent and Photoluminescence Measurements for InGaN Based LED

S. Usami, Y. Honda, H. Amano

The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications　2017/04

絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

宇佐美茂佳, 小島一信, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 秩父重英, 天野 浩

第64 回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/17

GaN 自立基板上PN ダイオードの逆方向リークと転位の関係

宇佐美茂佳, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第64 回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/16

Effect of dislocation on the growth of p-type GaN and device characteristics

S. Usami, R. Miyagoshi, K. Nagamatsu, A. Tanaka, S. Nitta, M. Deki, Y. Honda, H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2016　2016/10

GaN自立基板上PINダイオードにおける順方向発光パターン解析

宇佐美茂佳, 安藤悠人, 田中敦之, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/15

Evaluation of internal quantum efficiency of InGaN based LEDs by photocurrent measurement

2016/07/07

光電流測定による窒化物系LEDの内部量子効率評価

宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩

第8 回窒化物半導体結晶成長講演会　2016/05/10

光電流測定によるLED内部量子効率評

宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩

63回応用物理学会春季学術講演　2016/03/20

Characteriterization of LightEmitting Diode Efficiency by Biased Photocurrent and Photoluminescence Measurement

S. Usami, T. Mitsunari, Y. Honda, H. Amano

The 3th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications　2015/04

バイアス印加光電流およびバイアス印加 PL測定によるLED評価

宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩

第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/12

逆バイアス下光電流測定によるSRHモデル修正

宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014/09/19