市川 修平
Ichikawa Shuuhei
工学研究科 電気電子情報通信工学専攻,准教授
学歴
- 2012年04月 ~ 2017年03月,京都大学,大学院工学研究科,電子工学専攻
- 2008年04月 ~ 2012年03月,京都大学,工学部,電気電子工学科
経歴
- 2024年03月 ~ 継続中,大阪大学,大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻,准教授
- 2022年03月 ~ 2024年02月,大阪大学,大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻,助教
- 2020年09月 ~ 2022年02月,大阪大学,超高圧電子顕微鏡センター,助教
- 2018年04月 ~ 2020年09月,大阪大学,大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻,助教
- 2017年04月 ~ 2018年03月,大阪大学,超高圧電子顕微鏡センター,特任助教
研究内容・専門分野
- ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学),電気電子材料工学
- ナノテク・材料,光工学、光量子科学
- ナノテク・材料,結晶工学
所属学会
- 応用物理学会
論文
- Optical Cooling of Dot-in-Crystal Halide Perovskites: Challenges of Nonlinear Exciton Recombination,Yasuhiro Yamada,Takeru Oki,Takeshi Morita,Takumi Yamada,Mitsuki Fukuda,Shuhei Ichikawa,Kazunobu Kojima,Yoshihiko Kanemitsu,Nano Letters,American Chemical Society (ACS),Vol. 24,No. 36,p. 11255-11261,2024年08月29日,研究論文(学術雑誌)
- イントラセンター・インターバンド遷移の複合システムが拓く窒化ガリウム系フルカラーLEDのモノリシック集積,市川 修平,藤原 康文,日本結晶成長学会誌,Vol. 51,No. 2,p. 51-2-05/1-51-2-05/9,2024年07月,研究論文(学術雑誌)
- Switching of major nonradiative recombination centers (NRCs) from carbon impurities to intrinsic NRCs in GaN crystals,K. Sano,H. Fujikura,T. Konno,S. Kaneki,S. Ichikawa,K. Kojima,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 124,No. 23,2024年06月03日,研究論文(学術雑誌)
- 230 nm wavelength range far-UVC LED with low Al-composition differentiation between well and barrier layers of MQWs,Kenjiro Uesugi,Ryota Akaike,Shuhei Ichikawa,Takao Nakamura,Kazunobu Kojima,Masahiko Tsuchiya,Hideto Miyake,Applied Physics Express,2024年04月01日,研究論文(学術雑誌)
- An efficiently excited Eu3+ luminescent site formed in Eu,O-codoped GaN,Takenori Iwaya,Shuhei Ichikawa,Volkmar Dierolf,Brandon Mitchell,Hayley Austin,Dolf Timmerman,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,AIP Advances,2024年02月01日,研究論文(学術雑誌)
- Ultrafast dynamics of a photoinduced phase transition in single-crystal trititanium pentoxide,Shuhei Hatanaka,Taro Tsuchiya,Shuhei Ichikawa,Jun Yamasaki,Kazuhisa Sato,Applied Physics Letters,2023年12月11日,研究論文(学術雑誌)
- Enhancement of Er luminescence from bridge-type photonic crystal nanocavities with Er, O-co-doped GaAs,Zhidong Fang,Jun Tatebayashi,Ryohei Homi,Masayuki Ogawa,Hirotake Kajii,Masahiko Kondow,Kyoko Kitamura,Brandon Mitchell,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Optics Continuum,2023年10月15日,研究論文(学術雑誌)
- Formation and Optical Characteristics of GaN:Eu/GaN Nanowires for Applications in Light-Emitting Diodes,Jun Tatebayashi,Takaya Otabara,Takuma Yoshimura,Raiki Hada,Ryo Yoshida,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,ECS Journal of Solid State Science and Technology,The Electrochemical Society,2023年09月06日,研究論文(学術雑誌)
- Electrically driven europium-doped GaN microdisk,T. Taniguchi,D. Timmerman,S. Ichikawa,J. Tatebayashi,Y. Fujiwara,Optics Letters,Optica Publishing Group,Vol. 48,No. 17,p. 4590-4590,2023年08月28日,研究論文(学術雑誌)
- Red Electroluminescence from Light Emitting Diodes Based on Eu-Doped ZnO Embedded in p-GaN/Al2O3/n-ZnO Heterostructures,Jun Tatebayashi,Kazuto Nishimura,Shuhei Ichikawa,Shinya Yamada,Yoshikata Nakajima,Kazuhisa Sato,Kohei Hamaya,Yasufumi Fujiwara,ECS Journal of Solid State Science and Technology,The Electrochemical Society,Vol. 12,No. 7,p. 076017-076017,2023年07月01日,研究論文(学術雑誌)
- 229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in a vertical polarity inverted AlN bilayer channel waveguide,Hiroto Honda,Soshi Umeda,Kanako Shojiki,Hideto Miyake,Shuhei Ichikawa,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Kazunori Serita,Hironaru Murakami,Masayoshi Tonouchi,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa,Ryuji Katayama,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 16,No. 6,p. 062006-062006,2023年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- Half‐Metallic Heusler Alloy/GaN Heterostructure for Semiconductor Spintronics Devices,Shinya Yamada,Masatoshi Kato,Shuhei Ichikawa,Michihiro Yamada,Takahiro Naito,Yasufumi Fujiwara,Kohei Hamaya,Advanced Electronic Materials,Wiley,2023年05月09日,研究論文(学術雑誌)
- Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire light emitting diodes grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy,T. Otabara,J. Tatebayashi,T. Yoshimura,D. Timmerman,S. Ichikawa,Y. Fujiwara,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 62,No. SG,p. SG1018-SG1018,2023年03月03日,研究論文(学術雑誌)
- Enhanced light output of Eu, O-codoped GaN caused by reconfiguration of luminescent sites during post-growth thermal annealing,T. Iwaya,S. Ichikawa,D. Timmerman,J. Tatebayashi,Y. Fujiwara,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 122,No. 3,p. 032102-032102,2023年01月16日,研究論文(学術雑誌)
- Formation and Optical Characteristics of Tm,Yb-Codoped ZnO Nanowires Towards Improvement of Photovoltaic Conversion Efficiency Via Downconversion,Jun TATEBAYASHI,Naoto NISHIYAMA,Dolf TIMMERMAN,Shuhei ICHIKAWA,Yasufumi FUJIWARA,Journal of the Society of Materials Science, Japan,Society of Materials Science, Japan,Vol. 71,No. 10,p. 811-818,2022年10月15日,研究論文(学術雑誌)
- Optical Anisotropy and Photopumped Lasing near 250 nm from Semipolar (11¯02) Al x Ga 1−x N / AlN Quantum Wells with Cleaved Mirrors,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Physical Review Applied,Vol. 18,2022年10月03日,研究論文(学術雑誌)
- Second harmonic generation in GaN transverse quasi-phase-matched waveguide pumped with femtosecond laser,Naoki Yokoyama,Yoshiki Morioka,Tomotaka Murata,Hiroto Honda,Kazunori Serita,Hironaru Murakami,Masayoshi Tonouchi,Shigeki TOKITA,Shuhei Ichikawa,Yasufumi FUJIWARA,TOSHIKI HIKOSAKA,Masahiro Uemukai,Tomoyuki TANIKAWA,Ryuji KATAYAMA,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 15,No. 11,p. 112002-112002,2022年09月26日,研究論文(学術雑誌)
- Improved Q-factors of III-nitride-based photonic crystal nanocavities by optical loss engineering,Takenori Iwaya,Shuhei Ichikawa,Dolf Timmerman,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Optics Express,Vol. 30,No. 16,p. 28853-28864,2022年08月01日,研究論文(学術雑誌)
- Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core–shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy,T. Otabara,J. Tatebayashi,S. Hasegawa,D. Timmerman,S. Ichikawa,M. Ichimiya,M. Ashida,Y. Fujiwara,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 61,No. SD,p. SD1022-SD1022,2022年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device,Tomoaki Nambu,Taketo Yano,Soshi Umeda,Naoki Yokoyama,Hiroto Honda,Yasunori Tanaka,Yutaka Maegaki,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Shuhei Kobayashi,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Ryota Ishii,Yoichi Kawakami,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa,Ryuji Katayama,Optics Express,Optica Publishing Group,Vol. 30,No. 11,p. 18628-18628,2022年05月23日,研究論文(学術雑誌)
- GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion,Naoki Yokoyama,Ryo Tanabe,Yuma Yasuda,Hiroto Honda,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Toshiki Hikosaka,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa,Ryuji Katayama,Japanese Journal of Applied Physics,{IOP} Publishing,Vol. 61,No. 5,p. 050902-050902,2022年05月01日,研究論文(学術雑誌)
- Elucidation of the excitation mechanism of Tb ions doped in AlxGa1−xN grown by OMVPE toward a wavelength-stable green emitter,R. Komai,S. Ichikawa,H. Hanzawa,J. Tatebayashi,Y. Fujiwara,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 131,No. 7,p. 073102-073102,2022年02月21日,研究論文(学術雑誌)
- Modeling defect mediated color-tunability in LEDs with Eu-doped GaN-based active layers,Hayley J. Austin,Brandon Mitchell,Dolf Timmerman,Jun Tatebayashi,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Volkmar Dierolf,Journal of Applied Physics,{AIP} Publishing,Vol. 131,No. 4,p. 045701-045701,2022年01月31日,研究論文(学術雑誌)
- Eu-Doped GaN Red LEDs for Next-Generation Micro-LED Displays,Shuhei Ichikawa,NIHON GAZO GAKKAISHI (Journal of the Imaging Society of Japan),Vol. 60,No. 6,p. 593-605,2021年12月10日,研究論文(学術雑誌)
- Design considerations of III-nitride-based two-dimensional photonic crystal cavities with crystallographically induced disorder,Takenori Iwaya,Shuhei Ichikawa,Masato Murakami,Dolf Timmerman,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Applied Physics Express,{IOP} Publishing,Vol. 14,No. 12,p. 122002-122002,2021年12月01日,研究論文(学術雑誌)
- Droop-free amplified red emission from Eu ions in GaN,Atsushi Takeo,Shuhei Ichikawa,Shogo Maeda,Dolf Timmerman,Jun Tatebayashi,Yasufumi FUJIWARA,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 60,No. 12,2021年11月19日,研究論文(学術雑誌)
- Critical layer thickness of wurtzite heterostructures with arbitrary pairs of growth planes and slip systems,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Semiconductor Science and Technology,{IOP} Publishing,Vol. 36,No. 8,p. 085016-085016,2021年08月01日,研究論文(学術雑誌)
- Formation and optical characteristics of ZnO:Eu/ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,J. Tatebayashi,M. Mishina,N. Nishiyama,D. Timmerman,S. Ichikawa,Y. Fujiwara,Japanese Journal of Applied Physics,{IOP} Publishing,Vol. 60,No. SC,p. SCCE05-SCCE05,2021年06月01日,研究論文(学術雑誌)
- Enhanced Red Emission of Eu,O-Codoped GaN Embedded in a Photonic Crystal Nanocavity with Hexagonal Air Holes,Shuhei Ichikawa,Yutaka Sasaki,Takenori Iwaya,Masato Murakami,Masaaki Ashida,Dolf Timmerman,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Physical Review Applied,American Physical Society (APS),Vol. 15,No. 3,p. 034086-034086,2021年03月30日,研究論文(学術雑誌)
- Enhanced nonradiative recombination in Al x Ga1−x N-based quantum wells thinner than the critical layer thickness determined by X-ray diffraction,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Applied Physics Express,{IOP} Publishing,Vol. 14,No. 3,p. 031007-031007,2021年03月01日,研究論文(学術雑誌)
- Eu-doped GaN and InGaN monolithically stacked full-color LEDs with a wide color gamut,Shuhei Ichikawa,Keishi Shiomi,Takaya Morikawa,Dolf Timmerman,Yutaka Sasaki,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Applied Physics Express,{IOP} Publishing,Vol. 14,No. 3,p. 031008-031008,2021年03月01日,研究論文(学術雑誌)
- Development of pulsed TEM equipped with nitride semiconductor photocathode for high-speed observation and material nanofabrication,Hidehiro Yasuda,Tomohiro Nishitani,Shuhei Ichikawa,Shuhei Hatanaka,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Quantum Beam Science,{MDPI} {AG},Vol. 5,No. 1,p. 5-5,2021年03月,研究論文(学術雑誌)
-
Promotion in solid phase reaction of Pt/SiO
x bilayer film by electron-orbital-selective-excitation,H. Yasuda,K. Sato,S. Ichikawa,M. Imamura,K. Takahashi,H. Mori,RSC Advances,Vol. 11,No. 2,p. 894-898,2020年12月18日,研究論文(学術雑誌) - Purcell-Effect-Enhanced Radiative Rate of Eu 3+ Ions in GaN Microdisks,D. Timmerman,Y. Matsude,Y. Sasaki,S. Ichikawa,J. Tatebayashi,Y. Fujiwara,Physical Review Applied,American Physical Society (APS),Vol. 14,No. 6,p. 064059-064059,2020年12月18日,研究論文(学術雑誌)
- Enhanced photoluminescence in high-Q photonic crystal nanocavities with Er,O-Codoped GaAs,Masayuki Ogawa,Jun Tatebayashi,Natsuki Fujioka,Ryoma Higashi,Shuhei Ichikawa,Masahiko Kondow,Dolf Timmerman,Yasufumi Fujiwara,Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan,Vol. 69,No. 11,p. 823-828,2020年11月15日,研究論文(学術雑誌)
- Investigation on suitable structure for laser oscillation in eu-doped gan with two-dimensional photonic crystal nanocavities,Takenori Iwaya,Shuhei Ichikawa,Masato Murakami,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan,Vol. 69,No. 10,p. 721-726,2020年10月15日,研究論文(学術雑誌)
- Perspective of semiconductor technologies contributed to the IoT society: II: Ultra-narrow-band light emitting diodes based on rare-earth-doped semiconductors towards display application,Shuhei Ichikawa,Tomohiro Inaba,Keishi Shiomi,Jun Tatebayashi,Dolf Timmerman,Yasufumi Fujiwara,Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan,Vol. 69,No. 10,p. 762-766,2020年10月15日,研究論文(学術雑誌)
- Enhanced Eu luminescence in GaN: Eu,O-based light emitting diodes via introduction of nanostructures and nanocavities,Jun Tatebayashi,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Proceedings of AM-FPD 2020 - 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials,p. 71-72,2020年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Size dependence of quantum efficiency of red emission from GaN:Eu structures for application in micro-LEDs,D. Denier Van Der Gon,D. Timmerman,Y. Matsude,S. Ichikawa,M. Ashida,P. Schall,Y. Fujiwara,Optics Letters,The Optical Society,Vol. 45,No. 14,p. 3973-3976,2020年07月15日,研究論文(学術雑誌)
- Enhancement of Er luminescence in microdisk resonators made of Er,O-codoped GaAs,R. Higashi,M. Ogawa,J. Tatebayashi,N. Fujioka,D. Timmerman,S. Ichikawa,Y. Fujiwara,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 127,No. 23,p. 233101-233101,2020年06月21日,研究論文(学術雑誌)
- Carrier dynamics and excitation of e u3+ ions in GaN,Dolf Timmerman,Brandon Mitchell,Shuhei Ichikawa,Masaya Nagai,Masaaki Ashida,Yasufumi Fujiwara,Physical Review B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 101,No. 24,2020年06月15日,研究論文(学術雑誌)
-
Lattice relaxation in semipolar Al
x Ga1-x N grown on (1102) AlN substrates,Ryota Akaike,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 13,No. 6,p. 061008-061008,2020年06月01日,研究論文(学術雑誌) - Quantitative evaluation of enhanced Er luminescence in GaAs-based two-dimensional photonic crystal nanocavities,M. Ogawa,J. Tatebayashi,N. Fujioka,R. Higashi,M. Fujita,S. Noda,D. Timmerman,S. Ichikawa,Y. Fujiwara,Applied Physics Letters,{AIP} Publishing,Vol. 116,No. 18,p. 181102-181102,2020年05月04日,研究論文(学術雑誌)
- GaN:Eu,O-Based Resonant-Cavity Light Emitting Diodes with Conductive AlInN/GaN Distributed Bragg Reflectors,Tomohiro Inaba,Jun Tatebayashi,Keishi Shiomi,Dolf Timmerman,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,ACS Applied Electronic Materials,American Chemical Society ({ACS}),Vol. 2,No. 3,p. 732-738,2020年03月24日,研究論文(学術雑誌)
- Room-temperature operation of near-infrared light-emitting diode based on Tm-doped GaN with ultra-stable emission wavelength,S. Ichikawa,N. Yoshioka,J. Tatebayashi,Y. Fujiwara,Journal of Applied Physics,{AIP} Publishing,Vol. 127,No. 11,p. 113103-113103,2020年03月21日,研究論文(学術雑誌)
- Excitation Efficiency and Limitations of the Luminescence of Eu3+ Ions in Ga N,D. Timmerman,B. Mitchell,S. Ichikawa,J. Tatebayashi,M. Ashida,Y. Fujiwara,Physical Review Applied,Vol. 13,No. 1,2020年01月24日,研究論文(学術雑誌)
- Direct detection of rare earth ion distributions in gallium nitride and its influence on growth morphology,B. Mitchell,D. Timmerman,W. Zhu,J. Y. Lin,H. X. Jiang,J. Poplawsky,R. Ishii,Y. Kawakami,V. Dierolf,J. Tatebayashi,S. Ichikawa,Y. Fujiwara,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 127,No. 1,p. 013102-013102,2020年01月07日,研究論文(学術雑誌)
- High brightness and RGB integration of eu-doped GaN-based red LEDs for ultrahigh-resolution micro-LED display,Yasufumi Fujiwara,Shuhei Ichikawa,Dolf Timmerman,Jun Tatebayashi,Digest of Technical Papers - SID International Symposium,Vol. 51,No. 1,p. 691-694,2020年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Strong crystal field splitting and polarization dependence observed in the emission from Eu3+ ions doped into GaN,S. Copelman,H. Austin,D. Timmerman,J. D. Poplawsky,M. Waite,J. Tatebayashi,S. Ichikawa,Y. Fujiwara,V. Dierolf,B. Mitchell,Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering,SPIE,Vol. 11302,2020年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Self-Limiting Growth of Ultrathin GaN/AlN Quantum Wells for Highly Efficient Deep Ultraviolet Emitters,Hirotsugu Kobayashi,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Advanced Optical Materials,Wiley,Vol. 7,No. 21,p. 1900860-1900860,2019年11月01日,研究論文(学術雑誌)
- Metalorganic vapor phase epitaxy of pit-free AlN homoepitaxial films on various semipolar substrates,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 522,p. 68-77,2019年09月15日,研究論文(学術雑誌)
- 16.3: Invited Paper: New development in Red Light‐emitting Diodes (LEDs) using Eu‐doped GaN for Monolithic Micro‐LED Displays,Yasufumi FUJIWARA,Shuhei ICHIKAWA,Jun TATEBAYASHI,SID Symposium Digest of Technical Papers,Wiley,Vol. 50,No. S1,p. 167-167,2019年09月,研究論文(学術雑誌)
- Localized-surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based red light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles,Jun Tatebayashi,Tomoya Yamada,Tomohiro Inaba,Dolf Timmerman,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Applied Physics Express,Vol. 12,No. 9,2019年09月01日,研究論文(学術雑誌)
- Picosecond time-resolved dynamics of energy transfer between GaN and the various excited states of e u3+ ions,Ruoqiao Wei,Brandon Mitchell,Dolf Timmerman,Tom Gregorkiewicz,Wanxin Zhu,Jun Tatebayashi,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Volkmar Dierolf,Physical Review B,Vol. 100,No. 8,2019年08月02日,研究論文(学術雑誌)
- Color-Tunablility in GaN LEDs Based on Atomic Emission Manipulation under Current Injection,Mitchell, B.,Wei, R.,Takatsu, J.,Timmerman, D.,Gregorkiewicz, T.,Zhu, W.,Ichikawa, S.,Tatebayashi, J.,Fujiwara, Y.,Dierolf, V.,ACS Photonics,Vol. 6,No. 5,p. 1153-1161,2019年04月,研究論文(学術雑誌)
- Broad range thickness identification of hexagonal boron nitride by colors,Anzai, Y.,Yamamoto, M.,Genchi, S.,Watanabe, K.,Taniguchi, T.,Ichikawa, S.,Fujiwara, Y.,Tanaka, H.,Applied Physics Express,Vol. 12,No. 5,p. 055007/1-055007/5,2019年03月,研究論文(学術雑誌)
-
Picosecond Time-Resolved Excitation Dynamics and Emission Manipulation of Eu3+ Ions Doped into GaN,Brandon Mitchell,Ruoqiao Wei,Dolf Timmerman,Tom Gregorkiewicz,Shuhei Ichikawa,Jun Tatebayashi,Volkmar Dierolf,Yasufumi Fujiwara,2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW),IEEE,2019年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
-
Control of the energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in ZnO nanowires for photovoltaic applications,Jun Tatebayashi,Tokuhito Nakajima,Masao Mishina,Dolf Timmerman,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW),IEEE,2019年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
-
High-quality epitaxial growth of half-metallic Co2FeSi films on a Co-terminated GaN(0001) surface,Shinya Yamada,Yuki Goto,Jun Tatebayashi,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Kohei Hamaya,2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW),IEEE,2019年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Enhanced luminescence efficiency of GaN:Eu-based light-emitting diodes by localized surface plasmons utilizing gold nanoparticles,Jun Tatebayashi,Tomoya Yamada,Tomohiro Inaba,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 58,No. SC,p. SCC09/1-SCC09/6,2019年,研究論文(学術雑誌)
-
Al
x Ga1− x N-Based Quantum Wells Fabricated on Macrosteps Effectively Suppressing Nonradiative Recombination,Hayakawa, M.,Ichikawa, S.,Funato, M.,Kawakami, Y.,Advanced Optical Materials,Wiley,Vol. 7,No. 2,p. 1801106-1801106,2019年01月,研究論文(学術雑誌) - Dominant Nonradiative Recombination Paths and Their Activation Processes in AlxGa1-x N -related Materials,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Physical Review Applied,Vol. 10,No. 6,2018年12月11日,研究論文(学術雑誌)
- 超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定,Shuhei Ichikawa,京都大学物性科学センター誌 : LTMセンター誌,京都大学物性科学センター誌 : LTMセンター誌,No. 33,p. 10-17,2018年12月,研究論文(学術雑誌)
- Synthesis of platinum silicide at platinum/silicon oxide interface by photon irradiation,K. Sato,H. Yasuda,S. Ichikawa,M. Imamura,K. Takahashi,S. Hata,S. Matsumura,S. Anada,J. G. Lee,H. Mori,Acta Materialia,Vol. 154,p. 284-294,2018年08月01日,研究論文(学術雑誌)
- AlxGa1−xN-based semipolar deep ultraviolet light-emitting diodes,R. Akaike,S. Ichikawa,M. Funato,Y. Kawakami,Applied Physics Express,Vol. 11,No. 6,p. 061001-061001,2018年06月01日,研究論文(学術雑誌)
-
Wavelength-stable and Narrow-band Red LED for monolithic micro-LED display,Yasufumi Fujiwara,Tomohiro Inaba,Keishi Shiomi,Shuhei Ichikawa,Jun Tatebayashi,Proceedings of the International Display Workshops,Vol. 1,p. 418-420,2018年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 (レーザ・量子エレクトロニクス),船戸 充,市川 修平,川上 養一,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,電子情報通信学会,Vol. 118,No. 332,p. 1-4,2018年01月,研究論文(学術雑誌)
- 半極性面AlGaN 量子井戸を利用した高効率深紫外発光素子の提案,市川 修平,まてりあ,Vol. 57,No. 3,p. 109-113,2018年,研究論文(学術雑誌)
- マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性,早川 峰洋,林 佑樹,長瀬 勇樹,市川 修平,熊本 恭介,柴岡 真美,船戸 充,川上 養一,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,電子情報通信学会,Vol. 117,No. 333,p. 15-18,2017年11月,研究論文(学術雑誌)
- Design of Al-rich AlGaN quantum well structures for efficient UV emitters,Mitsuru Funato,Shuhei Ichikawa,Kyosuke Kumamoto,Yoichi Kawakami,Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering,SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING,Vol. 10104,2017年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
-
Highly efficient UV emission with semipolar quantum wells,S. Ichikawa,M. Funato,Y. Kawakami,SPIE Newsroom Lasers & Sources,Vol. 2 February 2016,2016年02月,研究論文(学術雑誌)
- Approaches to highly efficient UV emitters based on AlGaN quantum wells,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering,Vol. 9748,2016年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surface,Minehiro Hayakawa,Yuki Hayashi,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering,SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING,Vol. 9926,2016年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Emission mechanisms in al-rich AlGaN/AlN quantum wells assessed by excitation power dependent photoluminescence spectroscopy,Yoshiya Iwata,Ryan G. Banal,Shuhei Ichikawa,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Journal of Applied Physics,AMER INST PHYSICS,Vol. 117,No. 7,2015年02月21日,研究論文(学術雑誌)
- High quality semipolar (1102) AIGaN/AIN quantum wells with remarkably enhanced optical transition probabilities,S. Ichikawa,Y. Iwata,M. Funato,S. Nagata,Y. Kawakami,Applied Physics Letters,AMER INST PHYSICS,Vol. 104,No. 25,2014年06月23日,研究論文(学術雑誌)
- Defect electronics in sic and fabrication of ultrahigh-voltage bipolar devices,T. Kimoto,J. Suda,G. Feng,H. Miyake,K. Kawahara,H. Niwa,T. Okuda,S. Ichikawa,Y. Nishi,ECS Transactions,ELECTROCHEMICAL SOC INC,Vol. 50,No. 3,p. 25-35,2013年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Carrier recombination in n-type 4H-SiC epilayers with long carrier lifetimes,Shuhei Ichikawa,Koutarou Kawahara,Jun Suda,Tsunenobu Kimoto,Applied Physics Express,Vol. 5,No. 10,2012年10月,研究論文(学術雑誌)
MISC
- 強磁性ホイスラー合金/n<sup>+</sup>-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出,加藤昌稔,山田晋也,山田晋也,市川修平,小林周平,山田道洋,山田道洋,内藤貴大,舘林潤,藤原康文,藤原康文,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 69th,2022年
- 内殻電子励起による界面固相反応の制御,佐藤和久,保田英洋,市川修平,今村真幸,高橋和敏,波多聰,松村晶,穴田智史,李正九,森博太郎,日本金属学会講演概要(CD-ROM),Vol. 164th,2019年03月06日
- フォトン照射によるPt/SiO<sub>x</sub>界面固相反応,佐藤和久,佐藤和久,保田英洋,保田英洋,市川修平,市川修平,今村真幸,高橋和敏,波多聰,波多聰,松村晶,松村晶,穴田智史,LEE J.-G.,森博太郎,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),Vol. 74,No. 2,2019年
- GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co<sub>2</sub>FeSi薄膜の低温MBE成長,山田晋也,山田晋也,本多遼成,後藤優貴,市川修平,舘林潤,藤原康文,藤原康文,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 80th,2019年
特許・実用新案・意匠
- 窒化物半導体デバイスとその基板、および希土類元素添加窒化物層の形成方法、並びに赤色発光デバイスとその製造方法,市川 修平,藤原 康文,舘林 潤,特許7158758,特願2020-541182,出願日:2019年08月30日,登録日:2022年10月14日
- 表示装置およびその製造方法,藤原 康文,上野山 雄,舘林 潤,市川 修平,特許7454854,特願2020-559950
受賞
- Young Researcher’s Paper Award,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Kazunobu Kojima,the 10th Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA 2024),2024年04月
- 第44回(2022年度)応用物理学会論文賞,市川 修平,塩見 圭史,Dolf Timmerman,佐々木 豊,舘林 潤,藤原 康文,応用物理学会,2023年03月
- CGCT Young Scientist Award,Shuhei Ichikawa,CGCT-8,2021年03月
- 研究奨励賞,市川 修平,日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会,2019年06月
- 平成30年度講演奨励賞,市川 修平,日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会,2019年04月
- Best Poster Presentation Award,市川 修平,ISPlasma2019/IC-PLANTS2019,2019年03月
- 小澤・吉川記念賞,市川 修平,公益信託小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成基金,2019年03月
- 講演奨励賞,市川 修平,2014年秋季第75回応用物理学会関係連合講演会,2014年09月
- 発表奨励賞,市川 修平,日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会,2014年07月
- EMS賞,市川 修平,第33回電子材料シンポジウム,2014年07月
- 優秀発表賞,市川 修平,京都大学 融合ナノ基盤工学研究部門第5回成果報告会,2013年03月
講演・口頭発表等
- Ultrafast Surface Carrier Recombination in Semiconductors Evaluated by Two-photon Photoemission Spectroscopy,S. Ichikawa,K. Kojima,<i>2024 Materials Research Society Fall Meeting (2024 MRS Fall Meeting)</i>, <b>CH06.07.04</b>, Boston, USA, December 1-6 (2024).,2024年12月04日
- メタサーフェス一体型InGaN円偏光デバイスの設計と作製,市川 修平,村田 雄生,田口 遥平,戸田 晋太郎,小島 一信,<i>Optics & Photonics Japan (OPJ2024)</i>, <b>30pMS2</b>, 電気通信大学, (Nov. 2024).,2024年11月30日
- Surface Carrier Dynamics of Nitride Semiconductors Evaluated by Time-resolved Photoemission Spectroscopy,S. Ichikawa,Y. Matsuda,M. Funato,Y. Kawakami,K. Kojima,<i>The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)</i>, <b>386</b>, Hawai’i, USA, November 3-8 (2024).,2024年11月
- Arbitrary control of optical polarization of (0001) InGaN radiation using anisotropic strain-relaxation in micro-LED structures,S. Ichikawa,Y. Matsuda,M. Funato,Y. Kawakami,K. Kojima,<i>The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)</i>, <b>384</b>, Hawai’i, USA, November 3-8 (2024).,2024年11月03日
- Strong far-UVC localized emissions from Ga-rich regions induced by atomic-step meandering of AlGaN on high-temperature annealed AlN templates,S. Ichikawa,K. Saito,R. Akaike,K. Uesugi,T. Nakamura,H. Miyake,K. Kojima,<i>The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)</i>, <b>391</b>, Hawai’i, USA, November 3-8 (2024).,2024年11月03日
- 光電子分光を活用した窒化物半導体表面でのキャリアダイナミクス評価,市川 修平,松田 祥伸,船戸 充,川上 養一,小島 一信,応用物理学会 応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会, 京都テルサ,2024年07月02日
- Combinational integration of Eu-doped GaN and InGaN LEDs and their prospects for miniaturization,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Kazunobu Kojima,<i>10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2024)</i>, <b>LEDIA5-01</b>, Yokohama, Japan, April 24-25 (2024).
- 成長表面の異なる深紫外AlGaN量子井戸の結晶成長と光物性,市川 修平,船戸 充,川上 養一,上杉 謙次郎,赤池 良太,中村 孝夫,三宅 秀人,小島 一信,ワイドギャップ半導体学会(WideG)第15回研究会「UV系デバイス」, コモレ四谷タワーコンファレンス,2024年03月01日
- Hybrid Integration of Eu-Doped GaN and InGaN LEDs towards Ultrahigh Definition Micro LED Display,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,<i>16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024)</i>, <b>06aD02I</b>, Nagoya, Japan, March 3-7 (2024).,2024年03月
- マイクロLEDディスプレイ実現に向けたGaN系RGB LEDのモノリシック集積と微細化に向けた展望,市川 修平,藤原 康文,小島 一信,電子情報通信学会 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会, <b>27</b>, 龍谷大学 響都ホール校友会館,2024年01月26日
- Localized deep-ultraviolet luminescence of AlGaN grown on high-temperature annealed AlN templates,S. Ichikawa,K. Uesugi,K. Saito,S. Xiao,K. Shojiki,T. Nakamura,H. Miyake,K. Kojima,<i>The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)</i>, <b>CH9-4</b>, Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023).
- Surface carrier lifetime of (0001) InGaN assessed by time-resolved photoemission spectroscopy,S. Ichikawa,Y. Matsuda,H. Dojo,M. Funato,Y. Kawakami,K. Kojima,<i>The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)</i>, <b>CH1-2</b>, Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023).,2023年11月
- マイクロLED 応用に向けたGaN 系LED の同一基板フルカラー集積と時間分解光電子分光法に基づく表面再結合評価の提案,市川 修平,藤原 康文,小島 一信,日本学術振興会光電相互変換第125委員会267回研究会「マイクロLEDに関する要素技術」, 明治大学,2023年09月29日
- Eu添加GaNの結晶成長とマイクロLEDディスプレイ用赤色LEDにむけた展開,市川 修平,舘林 潤,藤原 康文,日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 第13回研究会「ディスプレイ用LEDおよび関連発光材料」, ウインクあいち,2023年07月07日
- Eu添加GaNおよびInGaN量子井戸のハイブリッド積層による同一サファイア基板上フルカラーLEDの作製と室温動作,市川 修平,塩見 圭史,森川 隆哉,佐々木 豊,Dolf Timmerman,舘林 潤,藤原 康文,第70回応用物理学会春季学術講演会, <b>16p-B401-5</b>, 上智大学四谷キャンパス,2023年03月
- Eu添加GaN赤色LEDの進展と2光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ~マイクロLED素子応用に向けて~,市川 修平、藤原 康文、小島 一信,Sophia Open Research Week 2022 第3回半導体ナノフォトニクス研究会, <b>O-1</b>, 上智大学,2022年11月23日
- Monolithically-Stacked Tri-Colored LEDs towards Micro-LED Display with Eu-doped GaN and InGaN Layers,S. Ichikawa,K. Shiomi,T. Morikawa,Y. Sasaki,D. Timmerman,J. Tatebayashi,Y. Fujiwara,<i>International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022)</i>, <b>AT052</b>, Berlin, Germany, October 9-14 (2022).
- Visualization of excited-electron relaxation in InGaN quantum wells using time-resolved two-photon photoemission spectroscopy,S. Ichikawa,Y. Fujiwara,K. Kojima,<i>International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022)</i>, <b>AT003</b>, Berlin, Germany, October 9-14 (2022).
- Control of macrostep structures on vicinal (0001) GaN surfaces using Eu-doped GaN interlayers,Shuhei Ichikawa,<i>3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022)</i>, <b>S-15</b>, Nagoya Congress Center/on-line, January 11-13 (2022).,2022年01月12日
- 窒化物半導体成長におけるステップバンチング機構の制御と応用,市川修平,船戸充,川上養一,藤原康文,日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第12 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, <b>Th-I3</b>, オンライン,2020年07月
- 時間分解2光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の直接評価,市川 修平, 毎田 修, 小島 一信,第83回応用物理学会秋季学術講演会, <b>22p-B102-7</b>, 東北大学 川内北キャンパス,2022年09月
報道
- LEDで狙う次世代ディスプレー 高輝度・低電力 液晶・有機EL超え,2020年04月16日
委員歴
- 14th International Conference on Nitride Semiconductors Publication Committee,2019年 ~ 継続中
- 学協会,電子材料シンポジウム実行委員会,総務委員,2021年03月 ~ 2023年03月
- 第38回電子材料シンポジウム(EMS-38) 会場委員,2019年 ~ 2019年
- 日本結晶成長学会(JCCG-48)現地実行委員,2019年 ~ 2019年
- 第37回電子材料シンポジウム(EMS-37) 会場委員,2018年 ~ 2018年