京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
2012年4月 ～ 2017年3月
京都大学 工学部 電気電子工学科
2008年4月 ～ 2012年3月
14th International Conference on Nitride Semiconductors Publication Committee
2019年 ～ 2024年
電子材料シンポジウム実行委員会 総務委員 学協会
2021年3月 ～ 2023年3月
第38回電子材料シンポジウム（EMS-38） 会場委員
2019年 ～ 2019年
日本結晶成長学会（JCCG-48）現地実行委員
2019年 ～ 2019年
第37回電子材料シンポジウム（EMS-37） 会場委員
2018年 ～ 2018年
応用物理学会
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /
ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 /
ナノテク・材料 / 結晶工学 /
Young Researcher’s Paper Award
Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Kazunobu Kojima the 10th Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA 2024) 2024年4月
第44回（2022年度）応用物理学会論文賞
市川 修平, 塩見 圭史, Dolf Timmerman, 佐々木 豊, 舘林 潤, 藤原 康文 応用物理学会 2023年3月
CGCT Young Scientist Award
Shuhei Ichikawa CGCT-8 2021年3月
研究奨励賞
市川 修平 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2019年6月
平成30年度講演奨励賞
市川 修平 日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 2019年4月
Best Poster Presentation Award
市川 修平 ISPlasma2019/IC-PLANTS2019 2019年3月
小澤・吉川記念賞
市川 修平 公益信託小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成基金 2019年3月
講演奨励賞
市川 修平 2014年秋季第75回応用物理学会関係連合講演会 2014年9月
発表奨励賞
市川 修平 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会 2014年7月
EMS賞
市川 修平 第33回電子材料シンポジウム 2014年7月
優秀発表賞
市川 修平 京都大学 融合ナノ基盤工学研究部門第5回成果報告会 2013年3月
Determination of deformation potentials in InGaN at visible light region
Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima
Journal of Applied Physics 2025年7月21日 研究論文（学術雑誌）
Optical Cooling of Dot-in-Crystal Halide Perovskites: Challenges of Nonlinear Exciton Recombination
Yasuhiro Yamada, Takeru Oki, Takeshi Morita, Takumi Yamada, Mitsuki Fukuda, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima, Yoshihiko Kanemitsu
Nano Letters Vol. 24 No. 36 p. 11255-11261 2024年8月29日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)
イントラセンター・インターバンド遷移の複合システムが拓く窒化ガリウム系フルカラーLEDのモノリシック集積
市川 修平, 藤原 康文
日本結晶成長学会誌 Vol. 51 No. 2 p. 51-2-05/1-51-2-05/9 2024年7月 研究論文（学術雑誌）
Switching of major nonradiative recombination centers (NRCs) from carbon impurities to intrinsic NRCs in GaN crystals
K. Sano, H. Fujikura, T. Konno, S. Kaneki, S. Ichikawa, K. Kojima
Applied Physics Letters Vol. 124 No. 23 2024年6月3日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
230 nm wavelength range far-UVC LED with low Al-composition differentiation between well and barrier layers of MQWs
Kenjiro Uesugi, Ryota Akaike, Shuhei Ichikawa, Takao Nakamura, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake
Applied Physics Express 2024年4月1日 研究論文（学術雑誌）
An efficiently excited Eu3+ luminescent site formed in Eu,O-codoped GaN
Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Volkmar Dierolf, Brandon Mitchell, Hayley Austin, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara
AIP Advances 2024年2月1日 研究論文（学術雑誌）
Ultrafast dynamics of a photoinduced phase transition in single-crystal trititanium pentoxide
Shuhei Hatanaka, Taro Tsuchiya, Shuhei Ichikawa, Jun Yamasaki, Kazuhisa Sato
Applied Physics Letters 2023年12月11日 研究論文（学術雑誌）
Enhancement of Er luminescence from bridge-type photonic crystal nanocavities with Er, O-co-doped GaAs
Zhidong Fang, Jun Tatebayashi, Ryohei Homi, Masayuki Ogawa, Hirotake Kajii, Masahiko Kondow, Kyoko Kitamura, Brandon Mitchell, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara
Optics Continuum 2023年10月15日 研究論文（学術雑誌）
Formation and Optical Characteristics of GaN:Eu/GaN Nanowires for Applications in Light-Emitting Diodes
Jun Tatebayashi, Takaya Otabara, Takuma Yoshimura, Raiki Hada, Ryo Yoshida, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara
ECS Journal of Solid State Science and Technology 2023年9月6日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：The Electrochemical Society
Electrically driven europium-doped GaN microdisk
T. Taniguchi, D. Timmerman, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara
Optics Letters Vol. 48 No. 17 p. 4590-4590 2023年8月28日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Optica Publishing Group
Red Electroluminescence from Light Emitting Diodes Based on Eu-Doped ZnO Embedded in p-GaN/Al2O3/n-ZnO Heterostructures
Jun Tatebayashi, Kazuto Nishimura, Shuhei Ichikawa, Shinya Yamada, Yoshikata Nakajima, Kazuhisa Sato, Kohei Hamaya, Yasufumi Fujiwara
ECS Journal of Solid State Science and Technology Vol. 12 No. 7 p. 076017-076017 2023年7月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：The Electrochemical Society
229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in a vertical polarity inverted AlN bilayer channel waveguide
Hiroto Honda, Soshi Umeda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama
Applied Physics Express Vol. 16 No. 6 p. 062006-062006 2023年6月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Half‐Metallic Heusler Alloy/GaN Heterostructure for Semiconductor Spintronics Devices
Shinya Yamada, Masatoshi Kato, Shuhei Ichikawa, Michihiro Yamada, Takahiro Naito, Yasufumi Fujiwara, Kohei Hamaya
Advanced Electronic Materials 2023年5月9日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Wiley
Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire light emitting diodes grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy
T. Otabara, J. Tatebayashi, T. Yoshimura, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 62 No. SG p. SG1018-SG1018 2023年3月3日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Enhanced light output of Eu, O-codoped GaN caused by reconfiguration of luminescent sites during post-growth thermal annealing
T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara
Applied Physics Letters Vol. 122 No. 3 p. 032102-032102 2023年1月16日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Formation and Optical Characteristics of Tm,Yb-Codoped ZnO Nanowires Towards Improvement of Photovoltaic Conversion Efficiency Via Downconversion
Jun TATEBAYASHI, Naoto NISHIYAMA, Dolf TIMMERMAN, Shuhei ICHIKAWA, Yasufumi FUJIWARA
Journal of the Society of Materials Science, Japan Vol. 71 No. 10 p. 811-818 2022年10月15日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Society of Materials Science, Japan
Optical Anisotropy and Photopumped Lasing near 250 nm from Semipolar (11¯02) Al x Ga 1−x N / AlN Quantum Wells with Cleaved Mirrors
Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Physical Review Applied Vol. 18 2022年10月3日 研究論文（学術雑誌）
Second harmonic generation in GaN transverse quasi-phase-matched waveguide pumped with femtosecond laser
Naoki Yokoyama, Yoshiki Morioka, Tomotaka Murata, Hiroto Honda, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Shigeki TOKITA, Shuhei Ichikawa, Yasufumi FUJIWARA, TOSHIKI HIKOSAKA, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA
Applied Physics Express Vol. 15 No. 11 p. 112002-112002 2022年9月26日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Improved Q-factors of III-nitride-based photonic crystal nanocavities by optical loss engineering
Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara
Optics Express Vol. 30 No. 16 p. 28853-28864 2022年8月1日 研究論文（学術雑誌）
Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core–shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy
T. Otabara, J. Tatebayashi, S. Hasegawa, D. Timmerman, S. Ichikawa, M. Ichimiya, M. Ashida, Y. Fujiwara
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 61 No. SD p. SD1022-SD1022 2022年6月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device
Tomoaki Nambu, Taketo Yano, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Yasunori Tanaka, Yutaka Maegaki, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Shuhei Kobayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Ryota Ishii, Yoichi Kawakami, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama
Optics Express Vol. 30 No. 11 p. 18628-18628 2022年5月23日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Optica Publishing Group
GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion
Naoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Yuma Yasuda, Hiroto Honda, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 61 No. 5 p. 050902-050902 2022年5月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{IOP} Publishing
Elucidation of the excitation mechanism of Tb ions doped in AlxGa1−xN grown by OMVPE toward a wavelength-stable green emitter
R. Komai, S. Ichikawa, H. Hanzawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara
Journal of Applied Physics Vol. 131 No. 7 p. 073102-073102 2022年2月21日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Modeling defect mediated color-tunability in LEDs with Eu-doped GaN-based active layers
Hayley J. Austin, Brandon Mitchell, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Volkmar Dierolf
Journal of Applied Physics Vol. 131 No. 4 p. 045701-045701 2022年1月31日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{AIP} Publishing
Eu-Doped GaN Red LEDs for Next-Generation Micro-LED Displays
Shuhei Ichikawa
NIHON GAZO GAKKAISHI (Journal of the Imaging Society of Japan) Vol. 60 No. 6 p. 593-605 2021年12月10日 研究論文（学術雑誌）
Design considerations of III-nitride-based two-dimensional photonic crystal cavities with crystallographically induced disorder
Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Masato Murakami, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara
Applied Physics Express Vol. 14 No. 12 p. 122002-122002 2021年12月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{IOP} Publishing
Droop-free amplified red emission from Eu ions in GaN
Atsushi Takeo, Shuhei Ichikawa, Shogo Maeda, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi FUJIWARA
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 60 No. 12 2021年11月19日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Critical layer thickness of wurtzite heterostructures with arbitrary pairs of growth planes and slip systems
Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Semiconductor Science and Technology Vol. 36 No. 8 p. 085016-085016 2021年8月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{IOP} Publishing
Formation and optical characteristics of ZnO:Eu/ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition
J. Tatebayashi, M. Mishina, N. Nishiyama, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 60 No. SC p. SCCE05-SCCE05 2021年6月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{IOP} Publishing
Enhanced Red Emission of Eu,O-Codoped GaN Embedded in a Photonic Crystal Nanocavity with Hexagonal Air Holes
Shuhei Ichikawa, Yutaka Sasaki, Takenori Iwaya, Masato Murakami, Masaaki Ashida, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara
Physical Review Applied Vol. 15 No. 3 p. 034086-034086 2021年3月30日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Physical Society (APS)
Enhanced nonradiative recombination in Al x Ga1−x N-based quantum wells thinner than the critical layer thickness determined by X-ray diffraction
Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Applied Physics Express Vol. 14 No. 3 p. 031007-031007 2021年3月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{IOP} Publishing
Eu-doped GaN and InGaN monolithically stacked full-color LEDs with a wide color gamut
Shuhei Ichikawa, Keishi Shiomi, Takaya Morikawa, Dolf Timmerman, Yutaka Sasaki, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara
Applied Physics Express Vol. 14 No. 3 p. 031008-031008 2021年3月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{IOP} Publishing
Development of pulsed TEM equipped with nitride semiconductor photocathode for high-speed observation and material nanofabrication
Hidehiro Yasuda, Tomohiro Nishitani, Shuhei Ichikawa, Shuhei Hatanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Quantum Beam Science Vol. 5 No. 1 p. 5-5 2021年3月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{MDPI} {AG}
Promotion in solid phase reaction of Pt/SiO<inf>x</inf>bilayer film by electron-orbital-selective-excitation
H. Yasuda, K. Sato, S. Ichikawa, M. Imamura, K. Takahashi, H. Mori
RSC Advances Vol. 11 No. 2 p. 894-898 2020年12月18日 研究論文（学術雑誌）
Purcell-Effect-Enhanced Radiative Rate of Eu 3+ Ions in GaN Microdisks
D. Timmerman, Y. Matsude, Y. Sasaki, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara
Physical Review Applied Vol. 14 No. 6 p. 064059-064059 2020年12月18日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Physical Society (APS)
Enhanced photoluminescence in high-Q photonic crystal nanocavities with Er,O-Codoped GaAs
Masayuki Ogawa, Jun Tatebayashi, Natsuki Fujioka, Ryoma Higashi, Shuhei Ichikawa, Masahiko Kondow, Dolf Timmerman, Yasufumi Fujiwara
Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan Vol. 69 No. 11 p. 823-828 2020年11月15日 研究論文（学術雑誌）
Investigation on suitable structure for laser oscillation in eu-doped gan with two-dimensional photonic crystal nanocavities
Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Masato Murakami, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara
Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan Vol. 69 No. 10 p. 721-726 2020年10月15日 研究論文（学術雑誌）
Perspective of semiconductor technologies contributed to the IoT society: II: Ultra-narrow-band light emitting diodes based on rare-earth-doped semiconductors towards display application
Shuhei Ichikawa, Tomohiro Inaba, Keishi Shiomi, Jun Tatebayashi, Dolf Timmerman, Yasufumi Fujiwara
Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan Vol. 69 No. 10 p. 762-766 2020年10月15日 研究論文（学術雑誌）
Enhanced Eu luminescence in GaN: Eu,O-based light emitting diodes via introduction of nanostructures and nanocavities
Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara
Proceedings of AM-FPD 2020 - 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials p. 71-72 2020年9月 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Size dependence of quantum efficiency of red emission from GaN:Eu structures for application in micro-LEDs
D. Denier Van Der Gon, D. Timmerman, Y. Matsude, S. Ichikawa, M. Ashida, P. Schall, Y. Fujiwara
Optics Letters Vol. 45 No. 14 p. 3973-3976 2020年7月15日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：The Optical Society
Enhancement of Er luminescence in microdisk resonators made of Er,O-codoped GaAs
R. Higashi, M. Ogawa, J. Tatebayashi, N. Fujioka, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara
Journal of Applied Physics Vol. 127 No. 23 p. 233101-233101 2020年6月21日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
Carrier dynamics and excitation of e u3+ ions in GaN
Dolf Timmerman, Brandon Mitchell, Shuhei Ichikawa, Masaya Nagai, Masaaki Ashida, Yasufumi Fujiwara
Physical Review B Vol. 101 No. 24 2020年6月15日 研究論文（学術雑誌）
Lattice relaxation in semipolar Al<inf>x</inf>Ga<inf>1-x</inf>N grown on (1102) AlN substrates
Ryota Akaike, Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Applied Physics Express Vol. 13 No. 6 p. 061008-061008 2020年6月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：IOP Publishing
Quantitative evaluation of enhanced Er luminescence in GaAs-based two-dimensional photonic crystal nanocavities
M. Ogawa, J. Tatebayashi, N. Fujioka, R. Higashi, M. Fujita, S. Noda, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara
Applied Physics Letters Vol. 116 No. 18 p. 181102-181102 2020年5月4日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{AIP} Publishing
GaN:Eu,O-Based Resonant-Cavity Light Emitting Diodes with Conductive AlInN/GaN Distributed Bragg Reflectors
Tomohiro Inaba, Jun Tatebayashi, Keishi Shiomi, Dolf Timmerman, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara
ACS Applied Electronic Materials Vol. 2 No. 3 p. 732-738 2020年3月24日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：American Chemical Society ({ACS})
Room-temperature operation of near-infrared light-emitting diode based on Tm-doped GaN with ultra-stable emission wavelength
S. Ichikawa, N. Yoshioka, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara
Journal of Applied Physics Vol. 127 No. 11 p. 113103-113103 2020年3月21日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：{AIP} Publishing
Excitation Efficiency and Limitations of the Luminescence of Eu3+ Ions in Ga N
D. Timmerman, B. Mitchell, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, M. Ashida, Y. Fujiwara
Physical Review Applied Vol. 13 No. 1 2020年1月24日 研究論文（学術雑誌）
Direct detection of rare earth ion distributions in gallium nitride and its influence on growth morphology
B. Mitchell, D. Timmerman, W. Zhu, J. Y. Lin, H. X. Jiang, J. Poplawsky, R. Ishii, Y. Kawakami, V. Dierolf, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara
Journal of Applied Physics Vol. 127 No. 1 p. 013102-013102 2020年1月7日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：AIP Publishing
High brightness and RGB integration of eu-doped GaN-based red LEDs for ultrahigh-resolution micro-LED display
Yasufumi Fujiwara, Shuhei Ichikawa, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi
Digest of Technical Papers - SID International Symposium Vol. 51 No. 1 p. 691-694 2020年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Strong crystal field splitting and polarization dependence observed in the emission from Eu3+ ions doped into GaN
S. Copelman, H. Austin, D. Timmerman, J. D. Poplawsky, M. Waite, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, V. Dierolf, B. Mitchell
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering Vol. 11302 2020年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
出版者・発行元：SPIE
Self-Limiting Growth of Ultrathin GaN/AlN Quantum Wells for Highly Efficient Deep Ultraviolet Emitters
Hirotsugu Kobayashi, Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Advanced Optical Materials Vol. 7 No. 21 p. 1900860-1900860 2019年11月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Wiley
Metalorganic vapor phase epitaxy of pit-free AlN homoepitaxial films on various semipolar substrates
Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Journal of Crystal Growth Vol. 522 p. 68-77 2019年9月15日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Elsevier BV
16.3: Invited Paper: New development in Red Light‐emitting Diodes (LEDs) using Eu‐doped GaN for Monolithic Micro‐LED Displays
Yasufumi FUJIWARA, Shuhei ICHIKAWA, Jun TATEBAYASHI
SID Symposium Digest of Technical Papers Vol. 50 No. S1 p. 167-167 2019年9月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Wiley
Localized-surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based red light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles
Jun Tatebayashi, Tomoya Yamada, Tomohiro Inaba, Dolf Timmerman, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara
Applied Physics Express Vol. 12 No. 9 2019年9月1日 研究論文（学術雑誌）
Picosecond time-resolved dynamics of energy transfer between GaN and the various excited states of e u3+ ions
Ruoqiao Wei, Brandon Mitchell, Dolf Timmerman, Tom Gregorkiewicz, Wanxin Zhu, Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Volkmar Dierolf
Physical Review B Vol. 100 No. 8 2019年8月2日 研究論文（学術雑誌）
Color-Tunablility in GaN LEDs Based on Atomic Emission Manipulation under Current Injection
Mitchell, B., Wei, R., Takatsu, J., Timmerman, D., Gregorkiewicz, T., Zhu, W., Ichikawa, S., Tatebayashi, J., Fujiwara, Y., Dierolf, V.
ACS Photonics Vol. 6 No. 5 p. 1153-1161 2019年4月 研究論文（学術雑誌）
Broad range thickness identification of hexagonal boron nitride by colors
Anzai, Y., Yamamoto, M., Genchi, S., Watanabe, K., Taniguchi, T., Ichikawa, S., Fujiwara, Y., Tanaka, H.
Applied Physics Express Vol. 12 No. 5 p. 055007/1-055007/5 2019年3月 研究論文（学術雑誌）
Picosecond Time-Resolved Excitation Dynamics and Emission Manipulation of Eu3+ Ions Doped into GaN
Brandon Mitchell, Ruoqiao Wei, Dolf Timmerman, Tom Gregorkiewicz, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Volkmar Dierolf, Yasufumi Fujiwara
2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) 2019年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Control of the energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in ZnO nanowires for photovoltaic applications
Jun Tatebayashi, Tokuhito Nakajima, Masao Mishina, Dolf Timmerman, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara
2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) 2019年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
High-quality epitaxial growth of half-metallic Co2FeSi films on a Co-terminated GaN(0001) surface
Shinya Yamada, Yuki Goto, Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Kohei Hamaya
2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) 2019年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Enhanced luminescence efficiency of GaN:Eu-based light-emitting diodes by localized surface plasmons utilizing gold nanoparticles
Jun Tatebayashi, Tomoya Yamada, Tomohiro Inaba, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 58 No. SC p. SCC09/1-SCC09/6 2019年 研究論文（学術雑誌）
Al<inf>x</inf>Ga<inf>1−</inf><inf>x</inf>N-Based Quantum Wells Fabricated on Macrosteps Effectively Suppressing Nonradiative Recombination
Hayakawa, M., Ichikawa, S., Funato, M., Kawakami, Y.
Advanced Optical Materials Vol. 7 No. 2 p. 1801106-1801106 2019年1月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：Wiley
Dominant Nonradiative Recombination Paths and Their Activation Processes in AlxGa1-x N -related Materials
Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Physical Review Applied Vol. 10 No. 6 2018年12月11日 研究論文（学術雑誌）
超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定
Shuhei Ichikawa
京都大学物性科学センター誌 : LTMセンター誌 No. 33 p. 10-17 2018年12月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：京都大学物性科学センター誌 : LTMセンター誌
Synthesis of platinum silicide at platinum/silicon oxide interface by photon irradiation
K. Sato, H. Yasuda, S. Ichikawa, M. Imamura, K. Takahashi, S. Hata, S. Matsumura, S. Anada, J. G. Lee, H. Mori
Acta Materialia Vol. 154 p. 284-294 2018年8月1日 研究論文（学術雑誌）
AlxGa1−xN-based semipolar deep ultraviolet light-emitting diodes
R. Akaike, S. Ichikawa, M. Funato, Y. Kawakami
Applied Physics Express Vol. 11 No. 6 p. 061001-061001 2018年6月1日 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
Wavelength-stable and Narrow-band Red LED for monolithic micro-LED display
Yasufumi Fujiwara, Tomohiro Inaba, Keishi Shiomi, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi
Proceedings of the International Display Workshops Vol. 1 p. 418-420 2018年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
船戸 充, 市川 修平, 川上 養一
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 118 No. 332 p. 1-4 2018年1月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：電子情報通信学会
半極性面AlGaN 量子井戸を利用した高効率深紫外発光素子の提案
市川 修平
まてりあ Vol. 57 No. 3 p. 109-113 2018年 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：
マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性
早川 峰洋, 林 佑樹, 長瀬 勇樹, 市川 修平, 熊本 恭介, 柴岡 真美, 船戸 充, 川上 養一
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 117 No. 333 p. 15-18 2017年11月 研究論文（学術雑誌）
出版者・発行元：電子情報通信学会
Design of Al-rich AlGaN quantum well structures for efficient UV emitters
Mitsuru Funato, Shuhei Ichikawa, Kyosuke Kumamoto, Yoichi Kawakami
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering Vol. 10104 2017年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Highly efficient UV emission with semipolar quantum wells
S. Ichikawa, M. Funato, Y. Kawakami
SPIE Newsroom Lasers & Sources Vol. 2 February 2016 2016年2月 研究論文（学術雑誌）
Approaches to highly efficient UV emitters based on AlGaN quantum wells
Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering Vol. 9748 2016年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surface
Minehiro Hayakawa, Yuki Hayashi, Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering Vol. 9926 2016年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Emission mechanisms in al-rich AlGaN/AlN quantum wells assessed by excitation power dependent photoluminescence spectroscopy
Yoshiya Iwata, Ryan G. Banal, Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
Journal of Applied Physics Vol. 117 No. 7 2015年2月21日 研究論文（学術雑誌）
High quality semipolar (1102) AIGaN/AIN quantum wells with remarkably enhanced optical transition probabilities
S. Ichikawa, Y. Iwata, M. Funato, S. Nagata, Y. Kawakami
Applied Physics Letters Vol. 104 No. 25 2014年6月23日 研究論文（学術雑誌）
Defect electronics in sic and fabrication of ultrahigh-voltage bipolar devices
T. Kimoto, J. Suda, G. Feng, H. Miyake, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, S. Ichikawa, Y. Nishi
ECS Transactions Vol. 50 No. 3 p. 25-35 2013年 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Carrier recombination in n-type 4H-SiC epilayers with long carrier lifetimes
Shuhei Ichikawa, Koutarou Kawahara, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto
Applied Physics Express Vol. 5 No. 10 2012年10月 研究論文（学術雑誌）
強磁性ホイスラー合金/n+-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出
加藤昌稔, 山田晋也, 山田晋也, 市川修平, 小林周平, 山田道洋, 山田道洋, 内藤貴大, 舘林潤, 藤原康文, 藤原康文, 浜屋宏平, 浜屋宏平
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 69th 2022年
内殻電子励起による界面固相反応の制御
佐藤和久, 保田英洋, 市川修平, 今村真幸, 高橋和敏, 波多聰, 松村晶, 穴田智史, 李正九, 森博太郎
日本金属学会講演概要(CD-ROM) Vol. 164th 2019年3月6日
フォトン照射によるPt/SiOx界面固相反応
佐藤和久, 佐藤和久, 保田英洋, 保田英洋, 市川修平, 市川修平, 今村真幸, 高橋和敏, 波多聰, 波多聰, 松村晶, 松村晶, 穴田智史, LEE J.-G., 森博太郎
日本物理学会講演概要集(CD-ROM) Vol. 74 No. 2 2019年
GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co2FeSi薄膜の低温MBE成長
山田晋也, 山田晋也, 本多遼成, 後藤優貴, 市川修平, 舘林潤, 藤原康文, 藤原康文, 浜屋宏平, 浜屋宏平
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) Vol. 80th 2019年
Impact of killer defects in Al-rich AlGaN on DUV luminescent properties
Shuhei Ichikawa
Advances in III-Nitride Materials & Photonic Devices (IIIN-MPD), Technical University of Berlin, Germany (Online webinar series, Invited lecturer), March 26 (2025). 2025年3月26日
Ultrafast Surface Carrier Recombination in Semiconductors Evaluated by Two-photon Photoemission Spectroscopy
S. Ichikawa, K. Kojima
2024 Materials Research Society Fall Meeting (2024 MRS Fall Meeting), CH06.07.04, Boston, USA, December 1-6 (2024). 2024年12月4日
メタサーフェス一体型InGaN円偏光デバイスの設計と作製
市川 修平, 村田 雄生, 田口 遥平, 戸田 晋太郎, 小島 一信
Optics & Photonics Japan (OPJ2024), 30pMS2, 電気通信大学, (Nov. 2024). 2024年11月30日
Surface Carrier Dynamics of Nitride Semiconductors Evaluated by Time-resolved Photoemission Spectroscopy
S. Ichikawa, Y. Matsuda, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima
The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 386, Hawai’i, USA, November 3-8 (2024). 2024年11月
Arbitrary control of optical polarization of (0001) InGaN radiation using anisotropic strain-relaxation in micro-LED structures
S. Ichikawa, Y. Matsuda, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima
The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 384, Hawai’i, USA, November 3-8 (2024). 2024年11月3日
Strong far-UVC localized emissions from Ga-rich regions induced by atomic-step meandering of AlGaN on high-temperature annealed AlN templates
S. Ichikawa, K. Saito, R. Akaike, K. Uesugi, T. Nakamura, H. Miyake, K. Kojima
The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 391, Hawai’i, USA, November 3-8 (2024). 2024年11月3日
光電子分光を活用した窒化物半導体表面でのキャリアダイナミクス評価
市川 修平, 松田 祥伸, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信
応用物理学会 応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会, 京都テルサ 2024年7月2日
Combinational integration of Eu-doped GaN and InGaN LEDs and their prospects for miniaturization
Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Kazunobu Kojima
10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2024), LEDIA5-01, Yokohama, Japan, April 24-25 (2024).
成長表面の異なる深紫外AlGaN量子井戸の結晶成長と光物性
市川 修平, 船戸 充, 川上 養一, 上杉 謙次郎, 赤池 良太, 中村 孝夫, 三宅 秀人, 小島 一信
ワイドギャップ半導体学会（WideG）第15回研究会「UV系デバイス」, コモレ四谷タワーコンファレンス 2024年3月1日
Hybrid Integration of Eu-Doped GaN and InGaN LEDs towards Ultrahigh Definition Micro LED Display
Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara
16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024), 06aD02I, Nagoya, Japan, March 3-7 (2024). 2024年3月
マイクロLEDディスプレイ実現に向けたGaN系RGB LEDのモノリシック集積と微細化に向けた展望
市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信
電子情報通信学会 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会, 27, 龍谷大学 響都ホール校友会館 2024年1月26日
Localized deep-ultraviolet luminescence of AlGaN grown on high-temperature annealed AlN templates
S. Ichikawa, K. Uesugi, K. Saito, S. Xiao, K. Shojiki, T. Nakamura, H. Miyake, K. Kojima
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), CH9-4, Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023).
Surface carrier lifetime of (0001) InGaN assessed by time-resolved photoemission spectroscopy
S. Ichikawa, Y. Matsuda, H. Dojo, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), CH1-2, Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023). 2023年11月
マイクロLED 応用に向けたGaN 系LED の同一基板フルカラー集積と時間分解光電子分光法に基づく表面再結合評価の提案
市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信
日本学術振興会光電相互変換第125委員会267回研究会「マイクロLEDに関する要素技術」, 明治大学 2023年9月29日
Eu添加GaNの結晶成長とマイクロLEDディスプレイ用赤色LEDにむけた展開
市川 修平, 舘林 潤, 藤原 康文
日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 第13回研究会「ディスプレイ用LEDおよび関連発光材料」, ウインクあいち 2023年7月7日
Eu添加GaNおよびInGaN量子井戸のハイブリッド積層による同一サファイア基板上フルカラーLEDの作製と室温動作
市川 修平, 塩見 圭史, 森川 隆哉, 佐々木 豊, Dolf Timmerman, 舘林 潤, 藤原 康文
第70回応用物理学会春季学術講演会, 16p-B401-5, 上智大学四谷キャンパス 2023年3月
Eu添加GaN赤色LEDの進展と２光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ～マイクロLED素子応用に向けて～
市川 修平、藤原 康文、小島 一信
Sophia Open Research Week 2022 第3回半導体ナノフォトニクス研究会, O-1, 上智大学 2022年11月23日
Monolithically-Stacked Tri-Colored LEDs towards Micro-LED Display with Eu-doped GaN and InGaN Layers
S. Ichikawa, K. Shiomi, T. Morikawa, Y. Sasaki, D. Timmerman, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), AT052, Berlin, Germany, October 9-14 (2022).
Visualization of excited-electron relaxation in InGaN quantum wells using time-resolved two-photon photoemission spectroscopy
S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Kojima
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), AT003, Berlin, Germany, October 9-14 (2022).
Control of macrostep structures on vicinal (0001) GaN surfaces using Eu-doped GaN interlayers
Shuhei Ichikawa
3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022), S-15, Nagoya Congress Center/on-line, January 11-13 (2022). 2022年1月12日
窒化物半導体成長におけるステップバンチング機構の制御と応用
市川修平, 船戸充, 川上養一, 藤原康文
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第12 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, Th-I3, オンライン 2020年7月
時間分解2光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の直接評価
市川 修平, 毎田 修, 小島 一信
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-B102-7, 東北大学 川内北キャンパス 2022年9月
窒化物半導体デバイスとその基板、および希土類元素添加窒化物層の形成方法、並びに赤色発光デバイスとその製造方法
市川 修平, 藤原 康文, 舘林 潤
特許7158758
出願日:2019/08/30
登録日:2022/10/14
表示装置およびその製造方法
藤原 康文, 上野山 雄, 舘林 潤, 市川 修平
特許7454854
LEDで狙う次世代ディスプレー 高輝度・低電力 液晶・有機EL超え
2020年4月16日
Switching of major nonradiative recombination centers (NRCs) from carbon impurities to intrinsic NRCs in GaN crystals
Sano K., Fujikura H., Konno T., Kaneki S., Ichikawa S., Kojima K.
Applied Physics Letters Vol. 124 2024年6月3日
Half-Metallic Heusler Alloy/GaN Heterostructure for Semiconductor Spintronics Devices
Yamada Shinya, Kato Masatoshi, Ichikawa Shuhei, Yamada Michihiro, Naito Takahiro, Fujiwara Yasufumi, Hamaya Kohei
Advanced Electronic Materials Vol. 9 No. 7 2023年7月1日
