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基本情報

研究

社会活動

その他の活動

酒井 朗

Sakai Akira

基礎工学研究科 システム創成専攻,教授

研究内容・専門分野

  • ナノテク・材料,無機材料、物性
  • ナノテク・材料,薄膜、表面界面物性
  • ナノテク・材料,結晶工学
  • ナノテク・材料,応用物性

論文

  • Gate Tuning of Synaptic Functions Based on Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2−x Memristive Devices,Vol. 9,No. 1,p. 10013-1-10013-7,2019年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction,Vol. 58,No. SC,p. SCCB16-1-SCCB16-6,2019年06月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Correlation between current leakage and structural properties of threading dislocations in GaN bulk single crystals grown using a Na-flux method,Vol. 58,No. SC,p. SCCB23-SCCB23,2019年06月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method,Vol. 58,No. 5,p. 050918-050918,2019年05月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Demonstrative operation of four-terminal memristive devices fabricated on reduced TiO2 single crystals,Shotaro Takeuchi,Takuma Shimizu,Tsuyoshi Isaka,Tetsuya Tohei,Nobuyuki Ikarashi,Akira Sakai,Scientific Reports,Vol. 9,p. 2601-1-2601-9,2019年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Depth-resolved analysis of lattice distortions in high-Ge-content SiGe/compositionally graded SiGe films using nanobeam x-ray diffraction,Vol. 33,No. 12,p. 124005-124005,2018年12月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction,2018年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Dislocation Properties in Bulk GaN Substrates,Akira Sakai,IDGN-4,2018年11月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Local electrical and structural analysis for threading dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystals,2018年11月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Defect characterization in nitride semiconductor bulk materials,2018年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Gate-Tuning of Synaptic Functions Based on The Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices,2018年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Nanobeam X-ray diffraction analysis of local lattice distortions in the growth direction of a modified Na-flux GaN bulk crystal,2018年08月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Leakage current analysis for individual dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystal,2018年08月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Three-dimensional structural and defect analysis by nanobeam X-ray diffraction for semiconductor materials,2018年07月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Facile Synthesis Route of Au-Ag Nanostructures Soaked in PEG,E. K. Fodjo,A. Canlier,C. Kong,A. Yurtsever,P. L. A. Guillaume,F. T. Patrice,M. Abe,T. Tohei,A. Sakai,Advances in Nanoparticles,2018年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Analysis of Ti valence states in resistive switching regions of a rutile TiO2%x four-terminal memristive device,Vol. 57,No. 6,p. 06KB02-1-06KB02-4,2018年06月01日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Tomographic mapping analysis of lattice distortions in the depth direction of high-Ge-content SiGe films with compositionally graded buffer layers using nanobeam X-ray diffraction,2018年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Leakage current analysis for dislocations in Na-flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy,Vol. 123,No. 16,p. 161417-161417,2018年04月28日,研究論文(学術雑誌)
  • Microstructural analysis in the depth direction of a heteroepitaxial AlN thick film grown on a trench-patterned template by nanobeam X-ray diffraction,Vol. 123,No. 16,p. 161563-161563,2018年04月28日,研究論文(学術雑誌)
  • Three-dimensional analysis of defect-related singularity structures in semiconductor materials,2018年04月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide/germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates,Vol. 112,No. 3,p. 031601-1-031601-4,2018年01月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Nanobeam X-ray diffraction analysis of lattice deformation in thin nano-indented single crystal Si wafers,Y. Mametsuka,S. Takeuchi,T. Tohei,K. Sumitani,Y. Imai,S. Kimura,J. Fujise,T. Ono,A. Sakai,2018年01月
  • Leakage current analysis in GaN-on-GaN p-n diode by conductive atomic force microscopy,S. Mizutani,T. Hamachi,S. Takeuchi,T. Tohei,T. Kachi,S. Sarayama,A. Sakai,21st SANKEN International Symposium /The 16th SANKEN Nanotechonology International Symposium,2018年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Resistive switching characteristics of four-terminal TiO2-x single crystal memristive devices,2017年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Analysis of Ti valence state in resistive switching region of rutile TiO2-x four-terminal memristive device,Kengo Yamaguchi,Shotaro Takeuchi,Tetsuya Tohei,Nobuyuki Ikarashi,Akira Sakai,2017年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Quantification of local strain distributions in nanoscale strained SiGe FinFET structures,Vol. 122,No. 13,p. 135705-1-135705-10,2017年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Valence state analysis of Ti in resistive switching region of rutile TiO2-x single crystals memristor,Kengo Yamaguchi,Shotaro Takeuchi,Takuma Shimizu,Tetsuya Tohei,Nobuyuki Ikarasi,Akira Sakai,2017年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control of dislocation morphology and lattice distortion in Na-flux GaN crystals,Vol. 122,No. 10,p. 105303-1-105303-6,2017年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial multilayers of β-FeSi2 nanodots/Si for Si-based nanostructured electronic materials,Shunya Sakane,Masayuki Isogawa,Kentaro Watanabe,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Yoshiaki Nakamura,Journal of Vacuum Science and Technology A,Vol. 35,No. 4,2017年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of local piezoelectric property in Na flux GaN bulk single crystals,2017年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Leakage current analysis for dislocations in Na flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy,2017年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • In-depth microstructural analysis of heteroepitaxial AlN thick films grown on trench-patterned templates by nanobeam X-ray diffraction,2017年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control of dislocation propagation behaviors in Na flux GaN bulk crystals,2017年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Nano beam X-ray diffraction analysis of Na flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode,2017年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Tomographic Mapping Analysis in the Depth Direction of High-Ge- Content SiGe Layers with Compositionally Graded Buffers Using Nanobeam X‑ray Diffraction,K. Shida,S. Takeuchi,Y. Imai,S. Kimura,A. Schulze,M. Caymax,A. Sakai,ACS Applied Materials and Interfaces,ACS Publications,Vol. 9,No. 15,p. 13726-13732,2017年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Study on the influence of different trench-patterned templates on the crystalline microstructure of AIN epitaxial films by X-ray microdiffraction,Vol. 56,No. 2,p. 025502-1-025502-5,2017年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural characterization of defects in nitride semiconductor materials,A. Sakai,2017年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Reversible resistive switching by the voltage-driven control of oxygen vacancy distribution in four terminal planar TiO2-x-based devices,T. Shimizu,M. Shimotani,S. Takeuchi,A. Sakai,2016年12月
  • Nanobeam X-ray diffraction for tomographic mapping analysis of high Ge content Si1-yGey/compositionally graded Si1-xGex stacked structure,K. Shida,S. Takeuchi,Y. Imai,S. Kimura,A. Shulze,M. Caymax,A. Sakai,2016年12月
  • Demonstration of reversible resistive switching by the control of oxygen vacancy distribution in rutile TiO2-x single crystals,T. Shimizu,M. Shimotani,S. Takeuchi,A. Sakai,2016年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Nano beam X-ray diffraction analysis of microstructures in Na-flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode,Y. Mizuta,S. Takeuchi,M. Imanishi,M. Imade,Y. Imai,S. Kimura,Y. Mori,A. Sakai,2016年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Tomographic mapping analysis of high Ge composition SiGe layers with compositionally graded buffers by nanobeam X-ray diffraction,K. Shida,S. Takeuchi,Y. Imai,S. Kimura,A. Shulze,M. Caymax,A. Sakai,2016年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Microstructural analysis of an epitaxial AlN thick film/trench-patterned template by three-dimensional reciprocal lattice space mapping technique,Vol. 9,No. 11,p. 111001-1-111001-4,2016年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Three-dimensional reciprocal space mapping analysis for localized structures and defects in nitride semiconductor materials,A. Sakai,S. Takeuchi,2016年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Tomographic mapping analysis of high Ge content SiGe epitaxial films with compositionally graded layers by X-ray microdiffraction,K. Shida,S. Takeuchi,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2016年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Interface and dislocation structures in Na flux GaN grown on MOCVD-GaN,S. Takeuchi,H. Asazu,Y. Mizuta,M. Imanishi,M. Imade,Y. Mori,A. Sakai,2016年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Crystalline structure of TiC ultrathin layers formed on highly oriented pyrolytic graphite by chemical reaction from Ti/graphite system,Nakatsuka Osamu,Hisada Kenji,Oida Satoshi,Sakai Akira,Zaima Shigeaki,Japanese Journal of Applied Physics,IOP publishing,Vol. 55,No. 6,p. 06JE02-06JE02,2016年06月
  • Characterization of local strain in nanoscale strained SiGe FinFET structures,S. Mochizuki,C. E. Murray,A. Madan,T. Pinto,Y. Y. Wang,J. Li,W. Weng,H. Jagannathan,Y. Imai,S. Kimura,S. Takeuchi,A. Sakai,2016年06月
  • Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method,A. Sakai,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,M.Imanishi,M. Imade,Y. Mori,2016年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates,Vol. 9,No. 5,p. 055508-1-055508-4,2016年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Positional dependence of defect distribution in semipolar (20(2)over-bar1) hydride vapor phase epitaxy-GaN films grown on (22(4)over-bar3) patterned sapphire substrates,Vol. 55,No. 5,2016年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials,Vol. 6,2016年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique,Vol. 45,No. 3,p. 1914-1920,2016年03月,研究論文(学術雑誌)
  • In-situ doped epitaxial growth of highly dopant-activated n+-Ge layers for reduction of parasitic resistance of Ge-nMISFETs,Vol. 75,No. 8,p. 373-385,2016年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coated Ge nuclei,T. Ishibe,K. Watanabe,S. Takeuchi,A. Sakai,Y. Nakamura,2015年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures,S. Sakane,K. Watanabe,M. Isogawa,S. Takeuchi,A. Sakai,Y. Nakamura,2015年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN,Vol. 118,No. 24,p. 245306-1-245306-7,2015年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation and optical properties of Ge films grown on Si(111) substrates using nanocontact epitaxy,Kazuki Tanaka,Yoshiaki Nakamura,Shuto Yamasaka,Jun Kikkawa,Takenobu Sakai,Akira Sakai,Appl. Surf. Sci.,Vol. 325,p. 170-174,2015年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) HVPE-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates,T. Uchiyama,S. Takeuchi,S. Kamada,T. Arauchi,Y. Hashimoto,K. Yamane,N. Okada,Y. Imai,S. Kimura,K. Tadamoto,A. Sakai,2015年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Phonon transport control by nanoarchitecture including epitaxial Ge nanodots for Si-based thermoelectric materials,Vol. 5,No. 14490,p. 1-9,2015年10月05日,研究論文(学術雑誌)
  • Phonon scattering control by structure of epitaxial Ge nanodots in Si,S. Yamanaka,Y. Nakamura,S. Takeuchi,A. Sakai,2015年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Thermal conductivity reduction and carrier doping in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots,Y. Nakamura,T. Ueda,M. Isogawa,S. Yamasaka,S. Takeuchi,A. Sakai,2015年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • X-ray microdiffraction as a promising method to characterize nanometer-scale structures and textures in semiconductor materials,A. Sakai,2015年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication of Si Thermoelectric Nanomaterials Containing Ultrasmall Epitaxial Ge Nanodots with an Ultrahigh Density,Vol. 44,No. 6,p. 2015-2020,2015年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Multi-scale characterization of defects in nitride semiconductor materials,A. Sakai,2015年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction and transmission electron microscopy,Vol. 252,No. 5,p. 1149-1154,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates,Vol. 252,No. 5,p. 1142-1148,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous reduction of thermal conductivity in coherent nanocrystal architecture for silicon thermoelectric material,Nakamura Yoshiaki,Isogawa Masayuki,Ueda Tomohiro,Yamasaka Shuto,Matsui Hideki,Kikkawa Jun,Ikeuchi Satoaki,Oyake Takafumi,Hori Takuma,Shiomi Junichiro,Sakai Akira,NANO ENERGY,Vol. 12,p. 845-851,2015年03月
  • Microscopic crystalline structure of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template,Vol. 411,p. 38-44,2015年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Myoglobin-based non-precious metal carbon catalysts for an oxygen reduction reaction,Vol. 19,No. 1-3,p. 510-516,2015年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Microstructure Analysis of a Thick AIN Film Grown on a Trench-Patterned AIN/Sapphire Template by X-Ray Microdiffraction,S. Takeuchi,D. T. Khan,Y. Nakamura,Y. Imai,S. Kimura,H. Miyake,K. Hiramatsu,A. Sakai,2014年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • In situ doped epitaxial growth of highly dopant-activated n(+)-Ge layers for reduction of parasitic resistance in Ge-nMISFETs,Vol. 7,No. 10,2014年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-assembly of Ge clusters on highly oriented pyrolytic graphite surfaces,Vol. 628,p. 82-85,2014年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films on (22-43) patterned sapphire substrate,T. Uchiyama,S. Takeuchi,T .Arauchi,Y. Nakamura,K. Yamane,N. Okada,K. Tadatomo,A. Sakai,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction,T. Arauchi,S. Takeuchi,Y. Nakamura,Y. Imai,K. Yamane,N. Okada,S. Kimura,K. Tadatomo,A. Sakai,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth,M. Imanishi,K. Murakami,K. Nakamura,H. Imabayashi,H. Takazawa,D. Matsuo,Y. Todoroki,M. Maruyama,H. Asazu,S. Takeuchi,Y. Nakamura,A. Sakai,M. Imade,M. Yoshimura,Y. Mori,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electrical conduction characteristics of single crystal and directly-bonded Nb-doped SrTiO3,R. Asada,S. Kondo,S. Takeuchi,Y. Sugi,Y. Nakamura,A. Sakai,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ultrathin-body Ge-on-insulator wafers fabricated with strongly bonded thin Al2O3/SiO2 hybrid buried oxide layers,Vol. 7,No. 8,p. 086501-1-086501-4,2014年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal and electrical properties of Si films including epitaxial Ge nanodot phonon-scatterers,S. Yamasaka,Y. Nakamura,T. Ueda,S. Takeuchi,A. Sakai,2014年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers,Vol. 557,p. 106-109,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template,Vol. 211,No. 4,p. 731-735,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement effect of electrical properties in post- annealed waferbonded Ge(001)- OI substrate,Vol. 211,No. 3,p. 601-605,2014年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodot structures,Y. Nakamura,A.Sakai,2014年02月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials,S. Yamasaka,Y. Nakamura,T. Ueda,S. Takeuchi,A. Sakai,2014年02月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Erratum: cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template (J. Cryst. Growth (2013) 381 (37-42), DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.07.012),Vol. 388,2014年,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of Current Drive of Ge-nMISFETs by Epitaxially Grown n(+)-Ge:P Source and Drain,p. 35-36,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Improvement effect of electrical properties in post-annealed wafer-bonded Ge(001)-OI substrate,Vol. 211,No. 3,p. 601-605,2014年,研究論文(学術雑誌)
  • Syncnrotron kadiation based X-ray iviicroaiffraction of advanced semiconductor materials,Vol. 64,No. 11,p. 255-263,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Improvement of Current Drive of Ge-nMISFETs by Epitaxially Grown n(+)-Ge:P Source and Drain,p. 35-36,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control of epitaxial growth of Fe-based nanocrystals on Si substrates using well-controlled nanometer-sized interface,Vol. 115,No. 4,2014年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Local strain distribution in AlN thick films analyzed by X-ray microdiffraction,A. Sakai,2013年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction,D. T. Khan,S. Takeuchi,K. Nakamura,T. Arauchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2013年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates,K. Nakamura,S. Takeuchi,D. T. Khan,T. Arauchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2013年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • In-situ P-doped Ge-rich SiGe selective epitaxy for strained Ge-nMISFETs,Y. Moriyama,Y. Kamimuta,Y. Kamata,K. Ikeda,S. Takeuchi,A. Sakai,T. Tezuka,2013年09月
  • Influence of nanometer-sized interface on reaction of iron nanocrystals epitaxially grown on silicon substrates with oxygen gas,Vol. 114,No. 11,2013年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy,Vol. 52,No. 9,2013年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AIN films grown on triangular-striped AIN/sapphire template,T. Arauchi,S. Takeuchi,K. Nakamura,D. T. Khan,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,A. Sakai,2013年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial growth of stacked β-FeSi2 nanodots on Si substrates and their thermoelectric properties,M. Isogawa,Y. Nakamura,J. Kikkawa,S.Takeuchi,A. Sakai,2013年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Introduction of Ge nanodots in Si films as phonon scatterers and the thermal conductivity reduction,S. Yamasaka,Y. Nakamura,T. Ueda,S.Takeuchi,Y. Yamamoto,S. Arai,T. Tenji,N. Tanaka,A. Sakai,2013年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers,H. Asazu,S. Takeuchi,H. Sannai,H. Sudo,K. Araki,Y. Nakamura,K. Izunome,A. Sakai,2013年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Quantitative evaluation of bonding strength of hybrid-box GeOI,Y. Moriyama,S. Takeuchi,K. Ikeda,Y. Kamimuta,A. Sakai,K. Izunome,T. Tezuka,8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI),2013年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers,Y. Moriyama,Y. Kamata,K. Ikeda,S. Takeuchi,Y. Nakamura,A. Sakai,T. Tezuka,8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI),2013年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Semiconductor wafer bonding -Structural and electrical characteristics of GeOI substrates-,A. Sakai,S. Yamasaka,Y. Moriyama,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,T. Tezuka,K. Izunome,2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and applications of Advanced Semmiconductor Devices,2013年06月
  • Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers,Vol. 83,p. 42-45,2013年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(1 1 0) surfaces,Vol. 267,p. 53-57,2013年02月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles,Vol. 267,p. 136-140,2013年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> template,Vol. 381,p. 37-42,2013年,研究論文(学術雑誌)
  • Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction,K. Nakamura,S. Harada,D. T. Khan,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2012年12月
  • Cross-sectional X-ray Microdiffraction Study of Residual Strain Distribution in a Thick AlN Film Grown on a Trench-patterned AlN/α-Al2O3 Template,D. T. Khan,J. Kikkawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,A. Sakai,8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2012年12月
  • Structural- and electrical characteristics of GeOI/BOX interfaces of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 hybrid BOX layers,Y. Moriyama,K. Ikeda,Y. Kamimuta,M. Oda,T. Irisawa,S. Takeuchi,Y. Nakamura,A. Sakai,T. Tezuka,The 6th International Symposiiium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium),2012年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Investigation of semiconductor nanostructures using focused X-ray beams,A. Sakai,NanoMalaysia Summit and Expo 2012,2012年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation technique of stacked epitaxial Si nanodot structures and their thermal conductivity,Y. Nakamura,M. Isogawa,T. Ueda,J. Kikkawa,A. Sakai,2012年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Local strain distribution in a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template measured by X-ray microdiffraction,D. T. Khan,S. Takeuchi,J. Kikkawa,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,A. Sakai,2012年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Vertical dislocations in Ge films selectively grown in submicron Si windows of patterned substrates,Vol. 520,No. 8,p. 3245-3248,2012年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using four-point-probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor method,Vol. 520,No. 8,p. 3232-3235,2012年02月,研究論文(学術雑誌)
  • GOI Substrates -Fabrication and Characterization-,Vol. 50,No. 9,p. 709-725,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of Ge films on Si(001) substrates grown by nanocontact epitaxy,p. 158-159,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al 2O 3/SiO 2 buried oxide layers,p. 34-35,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electron-Beam-Induced Current Study of Electronic Property Change at SrTiO3 Bicrystal Interface Induced by Forming Process,Vol. 725,p. 261-264,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al 2O 3/SiO 2 buried oxide layers,p. 34-35,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • First Demonstration of Threshold Voltage Control by Sub-1V Back-gate Biasing for Thin Body and Buried-oxide (TBB) Ge-on-Insulator (GOI) MOSFETs for Low-power Operation,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • GOI Substrates -Fabrication and Characterization-,Vol. 50,No. 9,p. 709-725,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electron-Beam-Induced Current Study of Electronic Property Change at SrTiO3 Bicrystal Interface Induced by Forming Process,Vol. 725,p. 261-264,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • X-ray microdiffraction study of three-dimensional distribution of local strain in thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/a-Al2O3 template,D. T. Khan,S. Harada,J. Kikkawa,Y. Nakamura,H. Miyake,K. Hiramatsu,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,A. Sakai,15th International Conference on Thin Films,2011年11月
  • Formation of ultrahigh density iron oxide nanodots on Si substrates with nanometer-sized interfaces,K. Tanaka,Y. Nakamura,H. Harada,J. Kikkawa,A. Sakai,7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2011年11月
  • Growth of vanadium dioxides nanowires using vanadyl acetylacetonate,T. Ishibe,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2011年11月
  • Electric-field control of spin accumulation signals in silicon at room temperature,Vol. 99,No. 13,p. 132511-1-132511-3,2011年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using a four-point-probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor method,K. Minami,Y. Nakamura,S. Yamasaka,O. Yoshitake,J. Kikkawa,K. Izunome,A. Sakai,7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7),2011年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ge1-xSnx stressors for strained-Ge CMOS,Vol. 60,No. 1,p. 53-57,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Low-Energy Ga Ion Implantation on Selective Growth of Gallium Nitride Layer on Silicon Nitride Surfaces Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition,Kazuya Isiizumi,Jun Kikkawa,Yoshiaki Nakamura,Akira Sakai,Junichi Yanagisawa,Jpn. J. Appl. Phys.,Vol. 50,No. 6,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Control of strain relaxation behavior of Ge1-xSnx buffer layers,Vol. 60,No. 1,p. 84-88,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • X-ray microdiffraction investigation of crystallinity and strain relaxation in Ge thin lines selectively grown on Si(001) substrates,Vol. 60,No. 1,p. 26-30,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Annealing Effects on Ge/SiO2 Interface Structure in Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates,Vol. 50,No. 4,p. 04DA13-1-04DA13-4,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical Characterization of Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates Using a Four-Point-Probe Pseudo-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,Vol. 50,No. 4,p. 04DA14-1-04DA14-4,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-organization of two-dimensional SiGe nanodot arrays using selective etching of pure-edge dislocation network,Vol. 109,No. 4,p. 044301-1-044301-4,2011年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanometer-scale Characterization Technique for Si Nanoelectric Materials using Synchrotron Radiation Microdiffraction,Vol. 470,p. 104-+,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Microscopic Structure of Directly Bonded Silicon Substrates,Vol. 470,p. 164-+,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates,Vol. 470,p. 158-+,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Strained Ge and Ge1-xSnx Technology for Future CMOS Devices,Vol. 470,p. 146-+,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Nanometer-scale Characterization Technique for Si Nanoelectric Materials using Synchrotron Radiation Microdiffraction,Vol. 470,p. 104-+,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Microscopic Structure of Directly Bonded Silicon Substrates,Vol. 470,p. 164-+,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates,Vol. 470,p. 158-+,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural Analysis of Si-based Nanodot Arrays Self-organized by Selective Etching of SiGe/Si Films,M. Takahashi,Y. Nakamura,J. Kikkawa,O. Nakatsuka,S. Zaima,A. Sakai,18th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18),2010年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electrical characterization of wafer-bonded germanium-on-insulator substrates using a four-point-probe pseudo-MOSFET,Y. Iwasaki,Y. Nakamura,J. Kikkawa,A. Sakai,M. Sato,E. Toyoda,H. Isogai,K. Izunome,2010年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Annealing effects on Ge/SiO<sup>2</sup> interface structure in wafer-bonded germanium-on-insulator substrates,O. Yoshitake,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,E. Toyoda,H. Isogai,K. Izunome,2010年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with high Sn content,Y. Shimura,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE),2010年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of ultrahigh density iron-based nanodots on Si (111) substrates using ultrathin SiO2 films,H. Hamanaka,Y. Nakamura,K. Tanaka,J. Kikkawa,A. Sakai,Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010),2010年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Four-point-probe pseudo-MOSFET analysis of wafer-bonded germanium-on-insulator substrates,Y. Iwasaki,Y. Nakamura,J. Kikkawa,A. Sakai,M. Sato,E. Toyoda,H. Isogai,K. Izunome,Intenational Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics,2010年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Transmission electron microscopy observation of Ge/SiO2 interfaces in wafer-bonded germanium-on-insulator substrates,O. Yoshitake,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,E. Toyoda,H. Isogai,K. Izunome,Intenational Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics,2010年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with high Sn content,Y. Shimura,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,Intenational Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics,2010年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Bi-axially strained Ge grown on GeSn SRBs,O. Nakatsuka,S. Takeuchi,Y. Shimura,A. Sakai,S. Zaima,International Workshop of GeSn Developments and Future Applications,2010年05月
  • Strain and domain texture of Ge films selectively grown in localized regions on Si(001) substrates,K. Ebihara,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,G. Wang,M. Caymax,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,The fifth International SiGe Technology and Device Meeting,2010年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Annealing Effects on Ge/SiO2 Interfaces in Wafer-Bonded GOI Substrates,O. Yoshitake,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,E. Toyoda,H. Isogai,K. Izunome,International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials (Global COE Program) & Third International Conference on Nanospintronics Design and Realization, 3rd-ICNDR,2010年05月
  • High-resolution X-ray microdiffraction analysis of local strain in semiconductor materials,p. 1506-1509,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 刃状転位ネットワークの選択エッチングによるSiGeナノドット二次元配列構造の形成,中村 芳明,高橋 雅彦,吉川 純,中塚 理,財満 鎭明,酒井 朗,表面科学学術講演会要旨集,公益社団法人 日本表面科学会,Vol. 30,No. 0,p. 223-223,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of wafer-bonded substrates for advanced channels in Si-based MOSFET,p. 1517-1520,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Assessment of Ge1-xSnx Alloys for Strained Ge CMOS Devices,Vol. 33,No. 6,p. 529-535,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • X-Ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates,Vol. 33,No. 6,p. 887-892,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Strain relaxation behavior of Ge1-xSnx buffer layers on Si and virtual Ge substrates,Y. Shimura,S. Takeuchi,N. Tsutsui,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,2010年01月
  • Potential of Ge1-xSnx alloys as high mobility channel materials and stressors,S. Takeuchi,Y. Shimura,T. Tsutsui,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,2010年01月
  • Microscopic characterization of Si(011)/Si(001) direct silicon bonding substrates,T. Kato,T. Ueda,Y. Ohara,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,O. Nakatsuka,S. Zaima,E. Toyoda,K. Izunome,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,2010年01月
  • Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor,Vol. 96,No. 1,2010年,研究論文(学術雑誌)
  • Assessment of Ge1-xSnx Alloys for Strained Ge CMOS Devices,Vol. 33,No. 6,p. 529-535,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • X-Ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates,Vol. 33,No. 6,p. 887-892,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor,Vol. 96,No. 1,p. 12105-1-12105-3,2010年01月,研究論文(学術雑誌)
  • High-Angular-Resolution Microbeam X-Ray Diffraction with CCD Detector,Vol. 1221,No. 1,p. 30-+,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Mobility Behavior of Ge1-xSnx Layers Grown on Silicon-on-Insulator Substrates,Vol. 49,No. 4,p. 04DA10-1-04DA10-4,2010年,研究論文(学術雑誌)
  • Use of p- and n-type vapor phase doping and sub-melt laser anneal for extension junctions in sub-32 nm CMOS technology,Vol. 518,No. 6,p. S48-S52,2010年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing,Vol. 518,No. 6,p. S147-S150,2010年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Novel method to introduce uniaxial tensile strain in Ge by microfabrication of Ge/Si1-xGex structures on Si(001) substrates,Vol. 53,No. 11,p. 1198-1201,2009年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface structural analysis of off-angled Si(110) substrates,M. Yamashita,Y. Nakamura,J. Kikkawa,A. Sakai,E. Toyoda,M. Sato,H. Isogai,K. Izunome,5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2009年09月
  • Microstructures in directly bonded Si substrates,Vol. 53,No. 8,p. 837-840,2009年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of annealing on mechanical properties of materials formed by focused au or si lon-beam-induced chemical vapor deposition using phenanthrene,Vol. 48,No. 6,p. 06-FB034,2009年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation and characterization of tensile-strained Ge layers on Ge1-xSnx buffer layers,S. Zaima,O. Nakatsuka,Y. Shimura,N. Tsutsui,A. Sakai,The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2009年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Low Temperature Growth of Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers,Y. Shimura,N. Tsutsui,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2009年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Analysis of Local Strain in Ge1-xSnx /Ge/Si(001) Heterostructures by X-ray Microdiffraction,O. Nakatsuka,Y. Shimura,N. Tsutsui,A. Sakai,Y. Imai,H. Tajiri,O. Sakata,S. Kimura,S. Zaima,The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2009年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing,T. Kato,T. Ueda,Y. Ohara,J. Kikkawa,Y. Nakamura,A. Sakai,O. Nakatsuka,S. Zaima,E. Toyoda,K. Izunome,Y. Imai,S. Kimura,O. Sakata,The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2009年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control of Sn Precipitation and Strain Relaxation in Compositionally Step-Graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-Strained Ge Layers,Vol. 48,No. 4,p. 04C130-1-04C130-4,2009年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes,Vol. 48,No. 4,p. 04C012-1-04C012-5,2009年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates,Vol. 48,No. 2,p. 021208-1-021208-4,2009年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Control of Dislocations and Sn Precipitations for Fabrication of Tensile-strained Ge on Ge<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub> Buffer Layer,Shimura Yosuke,Tsutsui Norimasa,Nakatsuka Osamu,Sakai Akira,Zaima Shigeaki,Transactions of the Materials Research Society of Japan,一般社団法人 日本MRS,Vol. 34,No. 2,p. 301-304,2009年,研究論文(学術雑誌)
  • Mechanical Properties and Chemical Reactions at the Directly Bonded Si-Si Interface,Vol. 48,No. 1,p. 011202-1-011202-5,2009年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of Uniaxial Tensile-strained Ge by using Micro-patterning of Ge/Si1-xGex/Si Structures,T. Mizutani,O. Nakatsuka,A. Sakai,H. Kondo,S. Zaima,The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008),2008年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation and Characterization of Tensile-strained Ge layers on Ge1-xSnx Buffer Layers,Y. Shimura,N. Tsutsui,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008),2008年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Strain and interfacial defects in directly bonded Si substrates,Y. Ohara,T. Ueda,A. Sakai,O. Nakatsuka,S. Zaima,E. Toyoda,K. Izunome,H. Tajiri,O. Sakata,S. Kimura,The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008),2008年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Atomistic analysis of directly bonded Si substrate interface,T. Ueda,Y. Ohara,A. Sakai,O. Nakatsuka,S. Zaima,E. Toyoda,K. Izunome,T. Sakata,H. Mori,The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008),2008年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization and analyses of interface structures in directly bonded Si(011)/Si(001) substrates,E. Toyoda,A. Sakai,O. Nakatsuka,H. Isogai,T. Senda,K. Izunome,K. Omote,S. Zaima,The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials,Vol. 48,No. 2,2008年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge substrates,Vol. 517,No. 1,p. 159-162,2008年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications,Vol. 517,No. 1,p. 80-83,2008年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of high-density Si nanodots by agglomeration of ultra-thin amorphous Si films,Vol. 517,No. 1,p. 297-299,2008年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates,Vol. 517,No. 1,p. 323-326,2008年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Annealing Effect of Deposited Materials formed by Focused Au Ion Beam-induced Chemical Vapor Deposition using Phenanthrene,T. Yo,H. Tanaka,T. Nagata,N. Fukata,T. Chikyow,A. Sakai,J. Yanagisawa,Digest of Papers 2008 International Microprocess and Nanotechnology Conference,2008年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ge_<1-x>Sn_xバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御,中塚 理,志村 洋介,財満 鎭明,酒井 朗,電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会,Vol. 2008,No. 24,p. 25-29,2008年09月27日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control of Sn Precipitation and Strain relaxation in Compositionally Step-graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers,Y. Shimura,N. Tsutsui,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),2008年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Analysis of Uniaxial Tensile Strain in Microfabricated Ge/Si1-x Gex Structures on Si(001) Substrates,T. Mizutani,O. Nakatsuka,A. Sakai,H. Kondo,S. Zaima,4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,2008年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation and Characterization of Compositionally Step-graded Ge1-x Snx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers,Y. Shimura,N. Tsutsui,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,2008年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Effect of alcohol sources on synthesis of single-walled carbon nanotubes,Vol. 254,No. 23,p. 7697-7702,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Scanning tunneling microscopy observation of initial growth of Sn and Ge1-xSnx layers on Ge(001) substrates,Vol. 254,No. 19,p. 6048-6051,2008年07月,研究論文(学術雑誌)
  • MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価,近藤博基,櫻井晋也,酒井朗,小川正毅,財満鎭明,信学技報,Vol. 108,No. 80,2008年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of deposited materials formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition using AuSi alloyed metal source,Vol. 47,No. 6,p. 5018-5021,2008年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of highly strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method,Vol. 92,No. 23,p. 231916-1-231916-3,2008年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Microstructures in Directly Bonded Si Substrates,A. Sakai,Y. Ohara,T. Ueda,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,E. Toyoda,Abstract Book of The fourth International SiGe Technology and Device Meeting,2008年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Effect of Hydrogen on Initial Growth of Sn and Ge1-xSnx on Ge(001) substrates,M. Yamazaki,O. Nakatsuka,T. Shinoda,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,Abstract Book of The fourth International SiGe Technology and Device Meeting,2008年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates,E. Toyoda,A. Sakai,O. Nakatuka,S. Zaima,M. Ogawa,H. Isogai,T. Senda,K. Izunome,K. Omote,Abstract Book of The fourth International SiGe Technology and Device Meeting,Vol. 48,No. 2,2008年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial Ag Layers on Si Substrates as a Buffer Layer for Carbon Nanotube Growth,Vol. 47,No. 5,p. 3742-3747,2008年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si1-xGex Structures on Si(001) Substrates,T. Mizutani,O. Nakatsuka,A. Sakai,H. Kondo,M. Ogawa,S. Zaima,Abstract Book of The fourth International SiGe Technology and Device Meeting,p. 149-150,2008年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate metal-oxcide-semiconductor capacitors,Vol. 47,No. 4,p. 2420-2424,2008年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Development of high-density radical source for radical nitridation process in ULSI technology development of high-density radical source for radical nitridation process in ULSI technology,H. Kondo,S. Oda,S. Takashima,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,M. Hori,S. Den,H. Kano,The International Conference on Plasma-NanoTechnology and Science,2008年03月
  • Contact properties of epitaxial NiSi<inf>2</inf>/heavily doped Si structures formed from Ni/Ti/Si systems,p. 101-105,2008年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Interface and defect control for group IV channel engineering,Vol. 16,No. 10,p. 687-+,2008年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 窒素ラジカル暴露によるGe(001)表面処理,近藤博基,藤田美里,酒井朗,小川正毅,財満鎭明,ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第13回研究会),2008年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Ge基板上に作製したPr酸化膜の評価,坂下満男,鬼頭伸幸,加藤亮祐,近藤博基,中塚理,酒井朗,小川正毅,財満鎭明,ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第13回研究会),2008年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • ミクタミクトTiSiNゲートMOSキャパシタの結晶構造及び電気的特性の評価,古米孝平,近藤博基,坂下満男,酒井朗,小川正毅,財満鎭明,ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第13回研究会),2008年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Contact properties of epitaxial NiSi2/heavily doped Si structures formed from Ni/Ti/Si systems,Vol. 23,p. 101-105,2008年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Interface and defect control for group IV channel engineering,Vol. 16,No. 10,p. 687-+,2008年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Growth and characterization of tensile-strained Ge layers on strain relaxed Ge1-xSnx buffer layers,O. Nakatsuka,S. Takeuchi,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,3rd International WorkShop on New Group IV Simiconductor Nanoelectronics,2007年11月
  • Tensile strained Ge layers grown on compositionally step-graded Ge1-xSnx buffer layers,Y. Shimura,S. Takeuchi,A. Sakai,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,3rd International WorkShop on New Group IV Simiconductor Nanoelectronics,2007年11月
  • Scanning tunneling microscopy observation of initial growth of Sn and Ge1-xSnx layers on Ge(001) substrates,M. Yamazaki,S. Takeuchi,A. Sakai,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V),2007年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Defect control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si heterostructures,A. Sakai,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V),2007年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of Local Strains in Si1-xGex Hetero-mesa Structures on Si(001) Substrates by Using X-ray Microdiffraction,O. Nakatsuka,K. Yukawa,S. Mochizuki,A. Sakai,K. Fukuda,S. Kimura,O. Sakata,K. Izunome,T. Senda,E. Toyoda,M. Ogawa,S. Zaima,Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces,2007年11月
  • Defect Control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si Heterostructures,A. Sakai,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces,2007年11月
  • Growth and Characterization of Tensile-Strained Ge Layers on Strain Relaxed Ge1-xSnx Buffer Layers,O. Nakatsuka,S. Takeuchi,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,The 3nd international workshop on new group IV semiconductor nanoelectronics,2007年11月
  • Electrical and Crystalline Properties of Epitaxial NiSi2/Si Contacts Fromed in Ni/Ti/Si(001) Systems,O. Nakatsuka,A. Suzuki,S. Akimoto,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,The Sixth Pacific Rim Inernational Conference on Advanced Materials and Processing,2007年11月
  • Structural and Electrical Properties of Metal-germanide MOS Gate Electrodes,H. Kondo,D. Ikeno,Y. Kaneko,M. Sakashita,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,The Sixth Pacific Rim Inernational Conference on Advanced Materials and Processing,2007年11月
  • シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドキャップの形成,近藤博基,財満鎭明,堀勝,酒井朗,小川正毅,真空,2007年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System,NAKATSUKA Osamu,SUZUKI Atsushi,AKIMOTO Shingo,SAKAI Akira,OGAWA Masaki,ZAIMA Shigeaki,Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials,Vol. 2007,p. 1038-1039,2007年09月19日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates,SAKASHITA Mitsuo,KITO Nobuyuki,SAKAI Akira,KONDO Hiroki,NAKATSUKA Osamu,OGAWA Masaki,ZAIMA Shigeaki,Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials,Vol. 2007,No. 85,p. 330-331,2007年09月19日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Surface treatment of Ge(001) surface by radical nitridation,H. Kondo,M. Fujita,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Device and Materials,2007年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors,K. Furumai,H. Kondo,M. Sakashita,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Device and Materials,2007年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Development of new high-density radical sources and its application to radical nitridation of Ge surfaces,H. Kondo,S. Oda,S. Takashima,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,M. Hori,S. Den,H. Kano,The 20th Symposium on Plasma Science for Materials,2007年06月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge substrates,S. Takeuchi,A. Sakai,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2007年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of high-density Si nanodots by agglomeration of ultra-thin amorphous Si films,H. Kondo,T. Ueyama,E. Ikenaga,K. Kobayashi,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2007年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates,E. Toyoda,A. Sakai,H. Isogai,T. Senda,K. Izunome,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2007年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Strain and dislocations in group IV semiconductor heterostructures,A. Sakai,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,2007年04月
  • Behavior of local charge-trapping sites in La2O3-Al2O3 composite films under constant voltage stress,Vol. 46,No. 4B,p. 1879-1884,2007年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Composition dependence of work function in metal (Ni,Pt)-germanide gate electrodes,Vol. 46,No. 4B,p. 1865-1869,2007年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of deposited materials formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition using an AuSi alloyed metal source,p. 150-+,2007年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Silicide and germanide technology for contacts and metal gates in MOSFET applications,Vol. 11,No. 6,p. 197-205,2007年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Impact of Pt incorporation on thermal stability of NiGe layers on Ge(001) substrates,p. 87-88,2007年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価”,池野大輔,古米孝平,近藤博基,坂下満男,酒井朗,小川正毅,財満鎭明,特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”(第12回研究会),2007年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価,鬼頭伸幸,坂下満男,酒井朗,中塚理,近藤博基,小川正毅,財満鎭明,特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”(第12回研究会),2007年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価,山崎理弘,若園恭伸,酒井朗,中塚理,竹内正太郎,小川正毅,財満鎭明,特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”(第12回研究会),2007年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Growth and energy bandgap formation of silicon nitride films in radical nitridation,Vol. 46,No. 1,p. 71-75,2007年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Rare-earth metal oxides and their silicates/aluminates as future gate dielectric films,Vol. 6,No. 3,p. 99-118,2007年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates,Vol. 22,No. 1,p. S132-S136,2007年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge1-xSnx buffer layers grown on various types of substrates,Vol. 22,No. 1,p. S231-S235,2007年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial growth of (111)ZrN thin films on (111)Si substrate by reactive sputtering and their surface morphologies,Vol. 297,No. 1,p. 80-86,2006年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Evaluation of trapped charge distributions in stressed gate SiO2 films using conductive atomic force microscopy,A. Seko,Y. Watanabe,M. Sakashita,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,2006年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(001) system,Vol. 83,No. 11-12,p. 2272-2276,2006年11月,研究論文(学術雑誌)
  • 仮想Ge基板上におけるGe_<1-x>Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御,竹内 正太郎,酒井 朗,中塚 理,小川 正毅,財満 鎭明,電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会,Vol. 2006,No. 15,p. 19-24,2006年10月03日
  • Development of high-angular-resolution microdiffraction system for reciprocal space map measurements,Vol. 45,No. 37-41,p. L1054-L1056,2006年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Mosaicity and dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates,O. Nakatsuka,N. Taoka,A. Sakai,S. Mochizuki,M. Ogawa,S. Zaima,2006年10月
  • Dislocation structure and strain relaxation of SiGe and Ge sub-micron stripe lines on Si(001) substrates,O. Nakatsuka,S. Mochizuki,A. Sakai,H. Kondo,K. Yukawa,M. Ogawa,S. Zaima,2006年10月
  • Buffer layer technology with misfit dislocation engineering,A. Sakai,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,2006年10月
  • Composition Dependence of Work Function in Metal (Ni, Pt)-Germanide Gate Electrodes,IKENO Daisuke,FURUMAI Kouhei,KONDO Hiroki,SAKASHITA Mitsuo,SAKAI Akira,OGAWA Masaki,ZAIMA Shigeaki,Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials,Vol. 2006,p. 442-443,2006年09月13日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Behavior of Local Charge Trapping Sites in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films under Constant Voltage Stress,SAGO Toshifumi,SEKO Akiyoshi,SAKASHITA Mitsuo,SAKAI Akira,OGAWA Masaki,ZAIMA Shigeaki,Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials,Vol. 2006,p. 418-419,2006年09月13日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Dislocations and related strain in group IV semiconductor heterostructures - Practical control for Si-based electronic devices,A. Sakai,S. Zaima,2006年09月
  • Interfacial structure of HfON/SiN/Si gate stacks,O. Nakatsuka,M. Sakashita,H. Kondo,E. Ikenaga,M. Kobata,J.-J. Kim,H. Nohira,T. Hattori,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,The 2nd International Workshop on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy,2006年09月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ,酒井 朗,田岡 紀之,中塚 理,小川 正毅,財満 鎭明,電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society,一般社団法人 電気学会,Vol. 126,No. 9,p. 1083-1087,2006年09月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Silicide and related materials for ULSI applications,S. Zaima,A. Sakai,M. Ogawa,2006年07月
  • Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates,Vol. 508,No. 1-2,p. 147-151,2006年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction,Vol. 508,No. 1-2,p. 128-131,2006年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Nano-scale observation for local current leakage in high-k gate dielectrics using conductive atomic force microscopy,S. Zaima,A. Seko,T. Sago,M. Sakashita,A. Sakai,M. Ogawa,2006年05月
  • 歪緩和Si1-xGex/Si(001)界面の刃状転位ネットワーク,酒井朗,材料開発のための顕微鏡法と応用写真集,2006年04月
  • Systematic characterization of Ni full silicide in sub-100 nm gate regions,D. Ito,A. Sakai,O. Nakatsuka,H. Kondo,Y. Akasaka,M. Ogawa,S. Zaima,2006年04月
  • 次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体へテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価,酒井朗,財満鎭明,応用物理,Vol. 75,p. 426-434,2006年04月
  • Characterization of local current leakage in La2O3-Al2O3 composite films by conductive atomic force microscopy,Vol. 45,No. 4B,p. 2954-2960,2006年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Film structures and electrical properties of Pr silicate formed by pulsed laser deposition,Vol. 45,No. 4B,p. 2903-2907,2006年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(001) system,O. Nakatsuka,A. Suzuki,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,Materials for Advanced Metallization Conference 2006,2006年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Dislocation morphology and crystalline mosaicity in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI,A. Sakai,N. Taoka,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems,Vol. 126,No. 9,2006年,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical properties and bonding structures of germanium nitride/Ge(100) structures formed by radical nitridation,Vol. 3,No. 7,p. 287-289,2006年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • La2O3-Al2O3複合膜中の局所電流リークの起源と酸素熱処理の効果,世古明義,佐合寿文,坂下満男,酒井朗,小川正毅,財満鎭明,応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告 ゲートスタック研究会 ‐材料・プロセス・評価の物理‐(第11回研究会),2006年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程,佐合寿文,世古明義,坂下満男,酒井朗,小川正毅,財満鎭明,Technical report of IEICE (信学技報),Vol. 106,No. 108,p. 19-24,2006年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Scanning tunneling microscopy study on the reaction of oxygen with clean Ge(001) surfaces,Vol. 3,No. 7,p. 1197-1203,2006年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ni-silicide/Si and SiGe(C) contact technology for ULSI applications,p. 31-37,2006年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates,Vol. 2006,2006年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge<inf>1-x</inf>Sn <inf>x</inf> buffer layers on virtual Ge(001) substrates,Vol. 2006,2006年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control and characterization of strain in SiGe/Si heterostructures with engineered misfit dislocations,Vol. 2006,2006年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール),世古 明義,坂下 満男,酒井 朗,財満 鎭明,日本信頼性学会誌 信頼性,日本信頼性学会,Vol. 28,No. 3,p. 163-174,2006年
  • Initial growth process of TiN films in ultrahigh-vacuum rapid thermal chemical vapor deposition,Vol. 45,No. 1A,p. 49-53,2006年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement in NiSi/Si contact properties with gimplantation,Vol. 82,No. 3-4,p. 479-484,2005年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties,Vol. 59,No. 7-8,p. 153-207,2005年11月
  • Epitaxial NiSi2 layers with extremely flat interfaces in Ni/Ti/Si(001) system,A. Suzuki,K. Okubo,O. Nakatsuka,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,2005年10月
  • Analysis of microstructures in SiGe buffer layers on silicon-on-insulator substrates,Vol. 44,No. 10,p. 7356-7363,2005年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Analysis of local breakdown process in stressed gate SiO2 films by conductive atomic force microscopy,Vol. 44,No. 10,p. 7582-7587,2005年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Local Current Leakage Characterization in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy,SEKO Akiyoshi,SAGO Toshifumi,SAKASHITA Mitsuo,SAKAI Akira,OGAWA Masaki,ZAIMA Shigeaki,Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials,Vol. 2005,p. 246-247,2005年09月13日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Nanoscale Observations for Degradation Phenomena in SiO_2 and High-k Gate Insulators Using Conductive-Atomic Force Microscopy,ZAIMA Shigeaki,SEKO Akiyoshi,WATANABE Yukihiko,SAGO Toshifumi,SAKASHITA Mitsuo,KONDO Hiroki,SAKAI Akira,OGAWA Masaki,Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials,Vol. 2005,p. 236-237,2005年09月13日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Film structures and electrical properties of Pr silicate formed by pulsed laser deposition,K. Ariyoshi,M. Sakashita,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Device and Materials,Vol. 45,No. 4,p. 2903-2907,2005年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication and evaluation of floating gate memories with surface-nitrided Si nanocrystals,Vol. 44,No. 7B,p. 5687-5691,2005年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface structures in the initial growth of epitaxial Si1-x-yGexCy layers in SiGe and C alternate deposition,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,Y. Wakazono,A. Sakai,M. Ogawa,Y. Yasuda,S. Zaima,First International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,2005年05月
  • Control of solid-phase reaction and electrical properties of Ni silicide/Si contacts by Ge and C incorporation,O. Nakatsuka,K. Okubo,A. Sakai,J. Murota,Y. Yasuda,M. Ogawa,S. Zaima,2005年05月
  • Surface structures in the initial growth of epitaxial Si1-x-yGexCy layers in SiGe and C alternate deposition,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,Y. Wakazono,A. Sakai,M. Ogawa,Y. Yasuda,S. Zaima,2005年05月
  • Hard x-ray photoelectron spectroscopy for HfON/SiN/Si system,O. Nakatsuka,R. Takahashi,M. Sakashita,E. Ikenaga,K. Kobayashi,H. Nohira,T. Hattori,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,2005年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction,S. Mochizuki,A. Sakai,N. Taoka,O. Nakatsuka,S. Takeda,S. Kimura,M. Ogawa,S. Zaima,2005年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates,N. Taoka,A. Sakai,S. Mochizuki,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,2005年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Pure-edge dislocation network for strain-relaxed SiGe/Si(001) systems,Vol. 86,No. 22,p. 221916-1-221916-3,2005年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Low-temperature formation of epitaxial NiSi2 layers with solid-phase reaction in Ni/Ti/Si(001) systems,Vol. 44,No. 5A,p. 2945-2947,2005年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of high-quality carbon nanotubes by grid-inserted plasma-enhanced chemical vapor deposition for field emitters,Vol. 44,No. 4B,p. 2600-2603,2005年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal stability and electrical properties of (La2O3)(1-x)(Al2O3)(x) composite films,Vol. 44,No. 4B,p. 2428-2432,2005年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement on NiSi/Si contact properties with C-implantation,S. Zaima,O. Nakatsuka,K. Okubo,A. Sakai,M. Ogawa,Y. Yasuda,Materials for Advanced Metallization Conference 2005,2005年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition,Vol. 8,No. 1-3,p. 5-9,2005年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations,Vol. 8,No. 1-3,p. 131-135,2005年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition,Vol. 8,No. 1-3,p. 5-9,2005年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Si1-xGexバッファ層の歪緩和および転位構造制御,田岡紀之,酒井朗,望月省吾,中塚理,小川正毅,財満鎭明,日本結晶成長学会誌,2005年01月
  • Transmission electron microscopy analysis of dislocation structures in the strain-relaxed SiGe films on Si and silicon-on-insulator substrates,N. Taoka,A. Sakai,S. Mochizuki,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,Y. Yasuda,2005年01月
  • Fabrication and Evaluation of Floating Gate Memories with Surface-Nitrided Si Nanocrystals,Naito Shinya,Ueyama Tomonori,Kondo Hiroki,Sakashita Mitsuo,Sakai Akira,Ogawa Masaki,Zaima Shigeaki,Japanese Journal of Applied Physics,The Japan Society of Applied Physics,Vol. 44,No. 7,p. 5687-5691,2005年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Impact of C implantation on electrical properties of NiSi/Si contact,p. 91-92,2005年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa2O3-Al2O3 複合膜の局所リーク電流評価,世古明義,佐合寿文,坂下満男,酒井朗,小川正毅,財満鎭明,Technical Report of IEICE(信学技報),2005年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial growth of (001)ZrN thin films on (001)Si by low temperature process,Vol. 44,No. 1A,p. 343-349,2005年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Dislocation and strain engineering for SiGe buffer layers on Si,Vol. PV 2005-10,p. 16-29,2005年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Analysis of stressed-gate SiO2 films with electron injection by conductive atomic force microscopy,Vol. 88,No. 6,p. 18-26,2005年,研究論文(学術雑誌)
  • Synthesis of carbon nanotube peapods directly on Si substrates,Vol. 86,No. 2,p. 023109-1-023109-3,2005年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Control of Ni/Si interfacial reaction and NiSi technology for ULSI applications,S. Zaima,O. Nakatsuka,A. Sakai,Y. Yasuda,2004年12月
  • Dislocation and strain distribution analysis for SiGe buffer layers formed on silicon on insulator substrates,N. Taoka,A. Sakai,S. Mochizuki,O. Nakatsuka,S. Zaima,Y. Yasuda,M. Ogawa,T. Tezuka,N. Sugiyama,S. Takagi,2004年11月
  • Dislocation Engineering for high-quality SiGe epitaxial films on Si substrates,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2004年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • HfO2 film formation combined with radical nitridation and its electrical characteristic,Vol. 43,No. 11B,p. 7821-7825,2004年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Praseodymium silicate formed by postdeposition high-temperature annealing,Vol. 85,No. 22,p. 5322-5324,2004年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Scanning tunneling microscopy observation of C adsorption behavior in the initial growth of SiGeC on Si(100),Y. Wakazono,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,A. Sakai,M. Ogawa,Y. Yasuda,S. Zaima,Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2004年10月
  • Evolution of surface morphology in the initial growth of Si1-x-yGexCy layers,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,Y. Wakazono,A. Sakai,M. Ogawa,Y. Yasuda,S. Zaima,Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2004年10月
  • Evolution of surface morphology in the initial growth of Si1-x-yGexCy layers,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,Y. Wakazono,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,Y. Yasuda,Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2004年10月
  • Improvement in the Ni silicide/Si contact properties by C implantation,K. Okubo,O. Nakatsuka,A. Sakai,M. Ogawa,S. Zaima,J. Murota,Y. Yasuda,Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2004年10月
  • Analysis of microstructures in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates with pure-edge dislocation networks,N. Taoka,A. Sakai,S. Mochizuki,O. Nakatsuka,S. Zaima,M. Ogawa,Y. Yasuda,T. Tezuka,N. Sugiyama,S. Takagi,Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2004年10月
  • Anisotropic strain-relaxation mechanism in SiGe/Si(001) heterostructures with 60° misfit dislocations,S. Mochizuki,T. Egawa,A. Sakai,N. Taoka,O. Nakatsuka,M. Ogawa,S. Zaima,Y. Yasuda,Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2004年10月
  • Scanning tunneling microscopy observation of C adsorption behavior in the initial growth of SiGeC on Si(001),Y. Wakazono,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,M. Ogawa,Y. Yasuda,Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2004年10月
  • Control of initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(001) with C incorporation,O. Nakatsuka,E. Okada,D. Ito,A. Sakai,S. Zaima,M. Ogawa,Y. Yasuda,Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2004年10月
  • Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(100),Vol. 237,No. 1-4,p. 150-155,2004年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth and dislocation control of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates,Y. Yasuda,A. Sakai,S. Zaima,2004年09月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Nickel silicide technology for low resistivity contacts in ULSI devices,S. Zaima,O. Nakatsuka,A. Sakai,Y. Yasuda,2004年09月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Fabrication of peapod FETs using peapods synthesized directly on Si substrate,Y. Kurokawa,Y. Ohno,T. Shimada,Y. Murakami,A. Sakai,M. Ishida,S. Kishimoto,T. Okazaki,S. Maruyama,H. Shinohara,T. Mizutani,Extended Abstracts of the 2004 International Conference on Solid State Device and Materials,2004年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Thermal stability and electrical properties of (La2O3)1-x(Al2O3) composite films,R. Fujitsuka,M. Sakashita,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Extended Abstracts of the 2004 International Conference on Solid State Device and Materials,2004年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Synthesis of peapods directly on substrates,Y. Ohno,Y. Kurokawa,T. Shimada,Y. Murakami,A. Sakai,K. Hiraga,M. Ishida,T. Okazaki,S. Kishimoto,S. Maruyama,H. Shinohara,T. Mizutani,2004年07月
  • Detection and characterization of stress-induced defects in gate SiO2 films by conductive atomic force microscopy,Vol. 43,No. 7B,p. 4679-4682,2004年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Behavior of local current leakage in stressed gate SiO2 films analyzed by conductive atomic force microscopy,Vol. 43,No. 7B,p. 4683-4686,2004年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanoscale analysis of degradation phenomena in MOS gate insulators using conductive atomic force microscopy,S. Zaima,H. Kondo,M. Sakashita,A. Sakai,Y. Yasuda,2004年06月
  • Growth of silicon nanocrystal dots with high number density by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition,Vol. 43,No. 6B,p. 3779-3783,2004年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate depostion,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,Y. Wakazono,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2004),2004年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Growth process and energy bandgap formation of silicon nitride films in radical nitridation process,H. Kondo,K. Kawaai,A. Sakai,K. Miyazaki,S. Zaima,Y. Yasuda,2004年05月
  • Thickness dependence of microscopic current-voltage characteristics in stressed SiO2 films,Y. Watanabe,A. Seko,H. Kondo,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2004年05月
  • Growth process and energy bandgap formation of silicon nitride films in radical nitridation process,H. Kondo,K. Kawaai,A. Sakai,K. Miyazaki,S. Zaima,Y. Yasuda,2004年05月
  • Analysis of breakdown phenomena in stressed gate SiO2 films by conductive atomic force microscopy,A. Seko,Y. Watanabe,H. Kondo,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2004年05月
  • Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations,N. Taoka,A. Sakai,T. Egawa,O. Nakatsuka,S. Zaima,Y. Yasuda,Vol. 8,No. 1,p. 131-135,2004年05月
  • Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternative deposition,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,Y. Wakazono,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2004年05月
  • The initial growth of Si1-x-yGexCy thin films with large fractions of C atoms on Si(100),S. Zaima,A. Sakai,Y. Yasuda,2004年05月
  • Growth of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with controlled generation and propagation of dislocations,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2004年04月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Influence of structural variation of Ni silicide thin films on electrical property for contact materials,Vol. 43,No. 4B,p. 1896-1900,2004年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Conductive atomic force microscopy analysis for local electrical characteristics in stressed SiO2 gate films,Vol. 43,No. 4B,p. 1843-1847,2004年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Pulsed laser deposition and analysis for structural and electrical properties of HfO2-TiO2 composite films,Vol. 43,No. 4A,p. 1571-1576,2004年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of Si1-xGex interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(100),Vol. 224,No. 1-4,p. 117-121,2004年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Dislocation structures and strain-relaxation in SiGe buffer layers on Si(001) substrates with an ultra-thin Ge interlayer,Vol. 224,No. 1-4,p. 108-112,2004年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of Si1-xGex interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(100),Vol. 224,No. 1-4,p. 117-121,2004年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Interfacial reaction and electrical properties in Ni/Si and Ni/SiGe(C) contacts,Vol. 224,No. 1-4,p. 215-221,2004年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Microscopic analysis of stress-induced leakage current in stressed gate SiO2 films using conductive atomic force microscopy,Vol. 43,No. 2A,p. L144-L147,2004年02月,研究論文(学術雑誌)
  • GV and C-P characterization sensitivities for fast and slow-state traps in very thin oxide mosfets,p. 353-356,2004年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Si及びSi1-x-yGexCy上のNiシリサイド形成,中塚理,酒井朗,財満鎭明,電気学会研究会資料 電子材料研究会,Vol. EFM-04,No. 41-48,2004年,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si,p. 293-298,2004年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Preparation and evaluation of NiGe gate electrodes for metal-oxide- semiconductor devices,Vol. 7,p. 1107-1111,2004年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Group IV semiconductor materials engineering for advanced device technology,Vol. 7,p. 555-568,2004年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • HfO2 Film Formation Combined with Radical Nitridation and Its Electrical Characteristic,Takahashi Ryoya,Sakashita Mitsuo,Sakai Akira,Zaima Shigeaki,Yasuda Yukio,Japanese Journal of Applied Physics,The Japan Society of Applied Physics,Vol. 43,No. 11,p. 7821-7825,2004年
  • Growth mechanism of epitaxial NiSi<inf>2</inf> layer in the Ni/Ti/Si(001) contact for atomically flat interfaces,Vol. 4,p. 143-146,2004年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • エピタキシャル成長技術の進展を振り返って,酒井朗,日本結晶成長学会誌,2004年01月
  • Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si,p. 293-298,2004年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Growth of carbon nanotubes by microwave-excited non-equilibrium atmospheric-pressure plasma,Vol. 43,No. 1,p. 424-425,2004年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(001) substrates,T. Egawa,A. Sakai,T. Yamamoto,N. Taoka,O. Nakatsuka,S. Zaima,Y. Yasuda,Applied Surface Science,2004年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Local discharging of carriers at nanometer scale defects in gate SiO2 thin films observed by conducting atomic force microscopy,A. Seko,Y. Watanabe,H. Kondo,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2003年12月
  • Detection of stress-induced defects in gate SiO2 films by conducting atomic force microscopy,Y. Watanabe,A. Seko,H. Kondo,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2003年12月
  • Nanoscale analysis of local leakage currents in stressed gate SiO2 films by conducting atomic force microscopy,H. Kondo,A. Seko,Y. Watanabe,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2003年12月
  • Praseodymium silicate formation by post-growth high temperature annealing,A. Sakai,S. Sakashita,M. Sakashita,S. Zaima,Y. Yasuda,S. Miyazaki,2003年12月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Reactive deposition epitaxy of CoSi2 films on clean and oxygen-adsorbed Si(001) surfaces,Vol. 42,No. 12,p. 7482-7488,2003年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of C incorporation in the initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(100),E. Okada,S. Oida,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Program and Abstracts of The 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures,2003年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Low temperature formation of epitaxial NiSi2 in Ni/Ti/Si(100) system,O. Nakatsuka,K. Okubo,Y. Tsuchiya,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Advanced Metallization Conference 2003: Asian Session,2003年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Chemical structures of HfO2/Si interfacial transition layer,H. Nohira,Y. Tanaka,K. Kobayashi,M. B. Seman,S. Joumori,K. Nakajima,M. Suzuki,K. Kimura,Y. Sugita,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,T. Ishikawa,S. Shin,T. Hattori,Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Device and Materials,2003年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Influence of structural variation of Ni silicide thin films on electrical property for contact materials,K. Okubo,Y. Tsuchiya,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Device and Materials,Vol. 43,No. 4,p. 1896-1900,2003年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Conductive atomic force microscopy analysis for local electrical characteristics in stressed SiO2 gate films,Y. Watanabe,A. Seko,H. Kondo,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Device and Materials,Vol. 43,No. 4,p. 1843-1847,2003年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems,Vol. 83,No. 5,p. 1005-1007,2003年08月,研究論文(学術雑誌)
  • 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価,世古 明義,渡辺 行彦,近藤 博基,酒井 朗,財満 鎭明,安田 幸夫,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 103,No. 148,p. 1-6,2003年06月26日,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Al interlayers on two-step epitaxial growth of CoSi2 on Si(100),Vol. 216,No. 1-4,p. 174-180,2003年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Solid phase growth of nickel silicide for low resistance contacts in Si and SiGe(C) devices,S. Zaima,Y. Tsuchiya,K. Okubo,O. Nakatsuka,A. Sakai,J. Murota,Y. Yasuda,3rd International SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures Conference,2003年05月
  • Scanning tunneling microscopy of initial nitridation processes on oxidized Si(100) surface with radical nitrogen,Vol. 42,No. 4B,p. 1966-1970,2003年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Novel nonvolatile random-access memory with Si nanocrystals for ultralow-power scheme,Vol. 42,No. 4B,p. 2387-2390,2003年04月,研究論文(学術雑誌)
  • 22pXB-10 HRTEM, EELS, EDX を用いた Ni/Si 界面反応への添加元素の影響とナノ構造の研究,杉江 尚,山崎 順,田中 信夫,中塚 理,大久保 和哉,酒井 朗,財満 鎭明,安田 幸夫,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 58,No. 0,p. 874-874,2003年
  • Growth of silicon nanocrystals with high number density for floating dot memory,p. 20-21,2003年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • HRTEM and EELS analysis of interfacial reactions in Ti/Si <inf>1-x</inf>Ge<inf>x</inf>/Si(100),Vol. 9,No. SUPPL. 2,p. 470-471,2003年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Influence of Si1-xGex interlayers on the initial growth of SiGeC on Si(100),S. Ariyoshi,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2003),2003年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Influence of SiGe interlayer on the initial growth of Si1-x-yGexCy on Si(100),S. Ariyoshi,S. Takeuchi,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,First International SiGe Technology and Device Meeting,2003年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Dislocation structures and strain-relaxation in SiGe buffer layers on Si (001) with thin Ge interlayer,T. Yamamoto,T. Egawa,N. Taoka,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,First International SiGe Technology and Device Meeting,2003年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(001),T. Egawa,T. Yamamoto,N. Taoka,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,First International SiGe Technology and Device Meeting,2003年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Interfacial reaction and electrical properties in Ni/Si and Ni/SiGe contacts,S. Zaima,O. Nakatsuka,A. Sakai,J. Murota,Y. Yasuda,First International SiGe Technology and Device Meeting,2003年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Non-stoichiometric phase and superlattice in InSb as observed by in situ heating inside an electron microscope,A. Sakai,T. Kamino,H. Saka,T. Imura,2003年01月
  • Atomistic characterization of radical nitridation process on Si(100) surfaces,Y. Yasuda,A. Sakai,S. Zaima,Proceedings of the International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films VII, Electrochemical Society Proceedings,2003年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Surface and interface smoothing and growth mechanism of epitaxial CoSi2 films by solid-phase epitaxy using adsorbed oxygen layers and the applied two-step growth on Si(001) surfaces,Y. Hayashi,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Japanese Journal of Applied Physics,2003年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Ultra-high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition for formation of TiN as barrier metals,p. 29-35,2003年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control in the initial growth stage of heteroepitaxial Si1-x-yGexCy on Si(001) substrates,S. Zaima,A. Sakai,Y. Yasuda,Applied Surface Science,2003年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Novel Nonvolatile Random-Access Memory with Si Nanocrystals for Ultralow-Power Scheme,Shibata Akihide,Yasuda Yukio,Kotaki Hiroshi,Ogura Takayuki,Arai Nobutoshi,Adachi Kouichiro,Kito Atsunori,Kakimoto Seizo,Sakai Akira,Zaima Shigeaki,Japanese Journal of Applied Physics,The Japan Society of Applied Physics,Vol. 42,No. 4,p. 2387-2390,2003年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Scanning Tunneling Microscopy of Initial Nitridation Processes on Oxidized Si(100) Surface with Radical Nitrogen,Takahashi Ryoya,Kobayashi Yasushi,Ikeda Hiroya,Sakashita Mitsuo,Nakatsuka Osamu,Sakai Akira,Zaima Shigeaki,Yasuda Yukio,Japanese Journal of Applied Physics,The Japan Society of Applied Physics,Vol. 42,No. 4,p. 1966-1970,2003年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Local Leakage Current of HfO2 Thin Films Characterized by Conducting Atomic Force Microscopy,Ikeda Hiroya,Goto Tomokazu,Sakashita Mitsuo,Sakai Akira,Zaima Shigeaki,Yasuda Yukio,Japanese Journal of Applied Physics,The Japan Society of Applied Physics,Vol. 42,No. 4,p. 1949-1953,2003年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ultra-high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition for formation of TiN as barrier metals,p. 29-35,2003年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Low resistance contact with NiSi for sub-0.1 um Si ULSI devices,O. Nakatsuka,Y. Tsuchiya,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2002年10月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Epitaxial growth of CoSi2 films on oxygen-adsorbed Si(100) surfaces,Y. Hayashi,A. Sakai,O. Nakatsuka,S. Zaima,Y. Yasuda,Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces,2002年10月
  • Effect of Al interlayer on two-Step growth of CoSi2 on Si(100),E. Okada,H. Onoda,O. Nakatsuka,H. Ikeda,M. Sakashita,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa,2002年10月
  • Initial growth process of TiN films in ultra-high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition,Y. Okuda,S. Naito,O. Nakatsuka,T. Okuhara,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Advanced Metallization Conference 2002: 12th Asian Session,2002年10月
  • Structural and electrical properties of HfO2-TiO2 composite films formed by pulsed laser deposition,K. Honda,S. Goto,M. Sakashita,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Device and Materials,2002年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Influence of Ge and C for reaction in Ni/p+-Si1-x-yGexCy/Si(100) contacts,Y. Tsuchiya,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,J. Murota,Y. Yasuda,Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Device and Materials,2002年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control in the initial growth of heteroepitaxial Si1-x-yGexCy on Si(100) substrates,S. Zaima,A. Sakai,Y. Yasuda,2002年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 190. Surface smoothing of strain-relaxed SiGe layers on Si substrates in two-step strain relaxation procedure,T. Egawa,T. Yamamoto,O. Nakatsuka,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2002年06月
  • Control of residual strain in SiGe buffer layers on Si substrates with ultra-thin Ge interlayers,T. Yamamoto,T. Egawa,O. Nakatsuka,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2002年06月
  • Effect of Ge on solid phase epitaxy of CoSi2 on Si(100),O. Nakatsuka,H. Onoda,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Second International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2002年06月
  • Structural and electrical properties in Ni/Si(100) contacts,Y. Tsuchiya,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2002年06月
  • Formation mechanism of low resistance contact in NiSi/Si system Ni/Si,O. Nakatsuka,Y. Tsuchiya,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2002年06月
  • Novel growth method of thin strain-relaxed SiGe films on Si substrates,A. Sakai,K. Sugimoto,T. Yamamoto,M. Okada,H. Ikeda,O. Nakatsuka,S. Zaima,Y. Yasuda,Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2002年06月
  • Characterization of defect traps in SiO2 thin films influence of temperature on defects,Vol. 33,No. 5-6,p. 429-436,2002年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical properties and solid-phase reactions in Ni/Si(100) contacts,Vol. 41,No. 4B,p. 2450-2454,2002年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth processes and electrical characteristics of silicon nitride films formed on Si(100) by radical nitrogen,Vol. 41,No. 4B,p. 2463-2467,2002年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural and electrical characteristics of HfO2 films fabricated by pulsed laser deposition,Vol. 41,No. 4B,p. 2476-2479,2002年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Study on solid-phase reactions in Ti/p(+)-Si1-x-yGexCy/Si(100) contacts,Vol. 89,No. 1-3,p. 373-377,2002年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement in morphology of nickel silicide film with carbon,p. 71-72,2002年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Growth Processes and Electrical Characteristics of Silicon Nitride Films Formed on Si(100) by Radical Nitrogen.,Ikeda Hiroya,Matsushita Daisuke,Naito Shinya,Ohmori Kenji,Sakai Akira,Zaima Shigeaki,Yasuda Yukio,Japanese Journal of Applied Physics,The Japan Society of Applied Physics,Vol. 41,No. 4,p. 2463-2467,2002年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Growth of SiGe layers with low threading dislocation density on Si(001) substrates using a two-step strain relaxation procedure,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Proceedings of the Sixth China-Japan Symposium on Thin Films,2001年11月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Atomistic observation of SiGeC thin film growth on Si(001) surfaces,Y. Yasuda,S. Zaima,A. Sakai,Proceedings of the Sixth China-Japan Symposium on Thin Films,2001年11月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Effect of rapid thermal annealing on structural and electrical properties of HfO2 films formed by pulsed laser deposition,K. Honda,S. Goto,M. Sakashita,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2001 International Conference on Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices,2001年11月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Local electrical characteristics of ultra-thin SiO2 films formed on Si(001) surfaces,Vol. 493,No. 1-3,p. 653-658,2001年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Atomistic evolution of Si1-x-yGexCy thin films on Si(001) surfaces,Vol. 79,No. 20,p. 3242-3244,2001年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Reduction of threading dislocation density in SiGe layers on Si (001) using a two-step strain-relaxation procedure,Vol. 79,No. 21,p. 3398-3400,2001年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Dislocations and microstructure evolution in semiconductor thin films,A. Sakai,Abstracts of IUVSTA 15th International Vacuum Congress, AVS 48th International Symposium, 11th International Conference on Solid Surfaces, San Francisco,2001年10月
  • Structural relaxation at SiO2/Si(100) interfaces studied by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy,H. Ikeda,M. Wasekura,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Abstracts of IUVSTA 15th International Vacuum Congress, AVS 48th International Symposium, 11th International Conference on Solid Surfaces, San Francisco,2001年10月
  • Formation of TiN films by ultra-high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition,S. Naito,M. Okada,O. Nakatsuka,T. Okuhara,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2001年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Study on solid phase Reactions in Ti/p+-Si1-x-yGexCy/Si(100) contacts,A. Tobioka,Y. Tsuchiya,O. Nakatsuka,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Advanced Metallization Conference 2001: Asian Session,2001年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electrical properties and solid-phase reactions in Ni/Si(100) contacts,Y. Tsuchiya,A. Tobioka,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Extended Abstracts of the 2001 International conference on Solid State Devices and Materials,Vol. 41,No. 4,p. 2450-2454,2001年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural and electronic properties of metal-silicide/silicon interfaces: A first-principles study,Vol. 19,No. 4,p. 1180-1185,2001年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of strain-relaxed SiGe films on Si substrates with cap layers,K. Sugimoto,T. Yamamoto,M. Okada,H. Ikeda,A. Sakai,Y. Yasuda,S. Zaima,European Materials Research Society 2001 Spring Meeting E-MRS 2001 (Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2001年06月
  • Study on solid-phase reaction in Ti/p+-Si1-x-yGexCy/Si(100) contacts,A. Tobioka,Y. Tsuchiya,H. Ikeda,A. Sakai,Y. Yasuda,S. Zaima,J. Murota,European Materials Research Society 2001 Spring Meeting E-MRS 2001 (Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2001年06月
  • STM study of the initial growth process of SiGeC films on Si(100) surfaces,Y .Torige,M. Okada,H. Ikeda,A. Sakai,Y. Yasuda,S. Zaima,European Materials Research Society 2001 Spring Meeting E-MRS 2001 (Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,2001年06月
  • Microscopic observation of X-ray irradiation damage in ultra-thin SiO2 films,Vol. 40,No. 4B,p. 2823-2826,2001年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Atomic-scale characterization of nitridation processes on Si(100)-21 surfaces by radical nitrogen,D. Matsushita,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 40,No. 4B,p. 2827-2829,2001年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Local electrical properties of HfO<inf>2</inf> thin films measured by conducting atomic force microscopy,p. 180-183,2001年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electrical properties of Ni silicide/silicon contact,p. 679-684,2001年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial lateral overgrowth of GaN,p. 191-209,2001年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Electrical properties of Ni silicide/silicon contact,p. 679-684,2001年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 選択横方向エピタキシャル成長により形成したGaN膜中の転位構造,酒井朗,まてりあ,2001年01月
  • Scanning tunneling microscopy study of Ge epitaxy on C-adsorbed Si(100) surfaces,Y. Torige,M. Okada,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,First International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Application to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices, Sendai,2001年01月
  • Solid-phase reactions of a Ti/Si1-xGex/Si(100) system,A. Tobioka,A. Yamanaka,O. Nakatsuka,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,First International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Application to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices,2001年01月
  • Application of a two-step growth to the formation of epitaxial CoSi2 films on Si(001) surfaces: Comparative study using reactive deposition epitaxy,Vol. 40,No. 1,p. 269-275,2001年01月,研究論文(学術雑誌)
  • パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性,池田浩也,後藤覚,本多一隆,坂下満男,酒井朗,財満鎭明,安田幸夫,電子情報通信学会信学技報, SDM2001-57,Vol. 101,No. 108,p. 25-29,2001年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical properties of Ni silicide/silicon contact,p. 679-684,2001年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Application of a two-step growth to the formation of epitaxial CoSi2 films on Si(001) surfaces: Comparative study using reactive deposition epitaxy,Vol. 40,No. 1,p. 269-275,2001年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Real-time observation of initial oxidation on highly B-doped Si(100)-21 surfaces using scanning tunneling microscopy,K. Ohmori,M. Tsukakoshi,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors,Vol. 87,p. 329-330,2001年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of defect traps in SiO<inf>2</inf> thin films,Vol. 24,No. 3,p. 169-175,2001年,研究論文(学術雑誌)
  • Real-time observation of initial oxidation on highly B-doped Si(100)-2x1 surfaces using scanning tunneling microscopy,Vol. 87,p. 329-330,2001年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control of crystal structure and ferroelectric properties of Pb(ZrxTi1-x)O-3 films formed by pulsed laser deposition,Vol. 39,No. 12B,p. 7035-7039,2000年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Effects of Sb and O atoms on epitaxial growth of CoSi2(100) films on Si(100) surfaces,H. Onoda,Y. Hayashi,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2000年11月
  • Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy,M. Okada,I. Suzumura,Y. Torige,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2000年11月
  • Study on nitridation process of Si(100) surfaces using scanning tunneling microscopy,D. Matsushita,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2000年11月
  • Hydrogen effects on initial oxidation processes of Si surfaces and relaxation in SiO2 local bonding structures,H. Ikeda,K. Sato,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2000年11月
  • Local electrical characteristics of ultra-thin SiO2 films formed on Si(100) surfaces,H. Ikeda,N. Kurumado,K. Ohmori,M. Sakashita,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2000年11月
  • Characterization of defect traps in SiO2 films,J. -Y. Rosaye,N. Kurumado,M. Sakashita,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2000年11月
  • Studies on electrical characteristics and solid-phase reactions at metal/silicon interfaces for low-resistivity contacts,S. Zaima,H. Ikeda,A. Sakai,Y. Yasuda,2000年11月
  • Solid-phase reactions of a Ti/Si1-xGex/Si(100) system,A. Tobioka,A. Yamanaka,O. Nakatsuka,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2000年10月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Effect of Sb atoms on epitaxial growth of CoSi2(100) films on Si(100) surfaces,H. Onoda,Y. Hayashi,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,2000年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Coulomb blockade phenomena in Si MOSFETs with nano-scale channels fabricated by focused-ion beam implantation,K. Izumikawa,M. Kado,M. Sakurai,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Final program and collected abstracts of 2000 International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures,2000年09月
  • Atomic scale characterization of nitridation process on Si(100)-21 surfaces by radical nitrogen,D. Matsushita,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials,2000年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Microscopic observation of X-ray irradiation damages in ultra-thin SiO2 films,K. Ohmori,T. Goto,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials,2000年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy,Vol. 369,No. 1-2,p. 116-120,2000年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co/Si systems,Vol. 159,p. 149-153,2000年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Study on initial oxidation of Si(100)-2×1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy,Vol. 159,p. 35-40,2000年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co/Si systems,Vol. 159,p. 149-153,2000年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Orientation dependence of ferroelectric properties of Pb(Zr<inf>x</inf>Ti<inf>1-x</inf>)O<inf>3</inf> thin films on Pt/SiO<inf>2</inf>/Si substrates,Vol. 159,p. 134-137,2000年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Study on initial oxidation of Si(100)-2×1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy,Vol. 159,p. 35-40,2000年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Control of crystalline structure and ferroelectric properties of Pb(ZrxTi1-x)O-3 films by pulsed laser deposition,p. 276-277,2000年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • The origin and the creation mechanism of positive charges in silicon oxide films,Vol. 2000,No. 2,p. 345-352,2000年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Control of crystalline structure and ferroelectric properties of Pb(ZrxTi1-x)O-3 films by pulsed laser deposition,p. 276-277,2000年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • The origin and the creation mechanism of positive charges in silicon oxide films,Vol. 2000,No. 2,p. 345-352,2000年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象,安田幸夫,泉川健太,酒井朗,財満鎭明,電子情報通信学会信学技報,Vol. 99,No. 617,p. 7-11,2000年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy of initial nitridation process of Si(100)-2x1 surfaces,D. Matsushita,H. Ikeda,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Thin Solid Films,2000年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Dislocation propagation in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth,Vol. 49,No. 2,p. 323-330,2000年,研究論文(学術雑誌)
  • Self-organized propagation of dislocations in GaN films during epitaxial lateral overgrowth,Vol. 76,No. 4,p. 442-444,2000年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial lateral overgrowth of GaN and GaN based light emitting devices,A. Sakai,1999年12月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Nanometer-scale imaging of strain in Ge island on Si(001) surface,Vol. 357,No. 1,p. 22-25,1999年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Ultrasmall and ultralow threshold GaInAsP-InP microdisk injection lasers: Design, fabrication, lasing characteristics, and spontaneous emission factor,Vol. 5,No. 3,p. 673-681,1999年05月,研究論文(学術雑誌)
  • GaN選択横方向成長による転位密度の低減,酒井朗,碓井彰,応用物理,Vol. 68,No. 7,p. 774-779,1999年01月
  • 選択横方向成長によって形成されたGaN膜中の転位構造,酒井朗,電子顕微鏡,Vol. 34,No. 3,p. 197-199,1999年01月
  • Nanometer-scale imaging of lattice deformation with transmission electron micrograph,Vol. 37,No. 12B,p. L1546-L1548,1998年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanometer-scale imaging of strain in Ge island on Si(001) surface,T. Ide,A. Sakai,K. Shimizu,Vol. 357,No. 2,p. 22-25,1998年11月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Defect morphology and structure in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth,A. Sakai,H. Sunakawa,A. Kimura,A. Usui,1998年11月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Defect structure in selectively grown GaN films with low threading dislocation density,A. Sakai,H. Sunakawa,A. Usui,Applied Physics Letters,1998年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Transmission electron microscopy of defects in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth,Vol. 73,No. 4,p. 481-483,1998年07月,研究論文(学術雑誌)
  • High-quality InGaN MQW on low-dislocation-density GaN substrate grown by hydride vapor-phase epitaxy,Vol. 189,p. 61-66,1998年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of strain-relaxed Ge films on Si(001) surfaces,A. Sakai,T. Tatsumi,K. Aoyama,Applied Physics Letters,1998年06月,研究論文(学術雑誌)
  • ハイドライドVPE, MOVPEによるGaN ELO成長,笹岡千秋,砂川晴夫,木村明隆,碓井彰,酒井朗,日本結晶成長学会誌,1998年01月
  • Ge/Si系の成長と歪緩和のメカニズム,酒井朗,日本結晶成長学会誌,1998年01月
  • Valence band splitting of GaN assessed by peculiar strain distribution in HVPE-ELO films,p. 692-695,1998年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Recent progress in epitaxial lateral overgrowth technique for growing bulk GaN by HVPE,p. 17-21,1998年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Wide GaN stripes by lateral growth Zn metalorganic vapor phase epitaxy,Vol. 482,p. 119-124,1998年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Microstructure of GaN films on GaAs(1 0 0) substrates grown by hydride vapor-phase epitaxy,Vol. 183,No. 1-2,p. 49-61,1998年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Reduction of threading dislocation density in GaN films by selective epitaxial growth,A. Sakai,H. Sunakawa,A. Kimura,A. Usui,1997年12月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • Thick GaN epitaxial growth with low dislocation density by hydride vapor phase epitaxy,Vol. 36,No. 7B,p. L899-L902,1997年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of strain-relaxed pure Ge films on Si(001),A. Sakai,T. Tatsumi,N. Ikarashi,T. Niino,1997年03月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • High quality InGaN MQW on low dislocation density GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy,C. Sasaoka,H. Sunakawa,A. Kimura,M. Nido,A. Usui,A. Sakai,Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors,1997年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Surface morphology study for hexagonal GaN grown on GaAs(100) substrates by hydride vapor phase epitaxy,Vol. 35,No. 11B,p. L1480-L1482,1996年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Single domain hexagonal GaN films on GaAs(100) vicinal substrates grown by hydride vapor phase epitaxy,Vol. 35,No. 7B,p. L873-L875,1996年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Hexagonal GaN films grown on GaAs(100) substrates by hydride vapor phase epitaxy,p. 206-209,1996年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • AN ADVANCED TECHNIQUE FOR FABRICATING HEMISPHERICAL-GRAINED (HSG) SILICON STORAGE ELECTRODES,Vol. 42,No. 2,p. 295-300,1995年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Role of Ge surface segregation in Si/Ge interfacial ordering: Interface formation on a monohydride surface,Vol. 51,No. 20,p. 14786-14789,1995年,研究論文(学術雑誌)
  • 超高真空気相成長法によるシリコン低温結晶成長における水素の効果,辰巳徹,酒井朗,宮永恵子,応用物理,Vol. 64,No. 11,p. 1129-1132,1995年01月
  • Ge growth on Si: islanding phenomena and layer-by-layer growth mediated by hydrogen surfactant,A. Sakai,T. Tatsumi,1994年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ge growth on Si using atomic hydrogen as a surfactant,Vol. 64,No. 1,p. 52-54,1994年,研究論文(学術雑誌)
  • DEFECT AND ISLAND FORMATION IN STRANSKI-KRASTANOV GROWTH OF GE ON SI(001),Vol. 317,p. 343-348,1994年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ultrathin Tantalum Oxide Capacitor Process Using Oxygen-Plasma Annealing,Vol. 141,No. 5,p. 1246-1251,1994年,研究論文(学術雑誌)
  • DEFECT-MEDIATED ISLAND FORMATION IN STRANSKI-KRASTANOV GROWTH OF GE ON SI(001),Vol. 71,No. 24,p. 4007-4010,1993年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Highly reliable ultra-thin Ta2O5 capacitor process technology by using O2-plasma annealing below 400C,H. Suzuki,S. Kamiyama,A. Sakai,A. Ishitani,Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials,1993年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Growth kinetics of Si hemispherical grains on clean amorphous-Si surfaces,Vol. 11,No. 6,p. 2950-2953,1993年,研究論文(学術雑誌)
  • Prevention of crystallization by surfactants during Si molecular-beam deposition on amorphous-Si films,Vol. 47,No. 11,p. 6803-6806,1993年,研究論文(学術雑誌)
  • Ultra-thin TiN/Ta2O5/W capacitor technology for 1Gbit DRAM,S. Kamiyama,H. Suzuki,H. Watanabe,A. Sakai,M. Oshida,T. Tatsumi,T. Tanigawa,A. Ishitani,IEDM, Tech. Dig.,1993年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ultrathin Tantalum Oxide Capacitor Dielectric Layers Fabricated Using Rapid Thermal Nitridation prior to Low Pressure Chemical Vapor Deposition,Vol. 140,No. 6,p. 1617-1625,1993年,研究論文(学術雑誌)
  • Novel seeding method for the growth of polycrystalline Si films with hemispherical grains,A. Sakai,T. Tatsumi,Applied Physics Letters,1992年04月,研究論文(学術雑誌)
  • ヘテロエピタキシャル成長における歪み緩和と貫通転位の低減-Si(001)基板上の高品質Si1-XGeX歪緩和層の成長-,酒井朗,財満鎭明,安田幸夫,日本結晶成長学会誌,1992年01月
  • 半球状グレインポリシリコンの形成機構,辰巳徹,酒井朗,五十嵐多恵子,渡辺啓仁,応用物理,Vol. 61,No. 11,p. 1147-1151,1992年01月
  • Hemispherical grain silicon for high-density DRAMs,H. Watanabe,A. Sakai,T. Tatsumi,T. Niino,Solid State Technology,1992年01月
  • CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS-SILICON FILMS WITH NATIVE-OXIDE FREE SURFACES,Vol. 59,No. 12,p. 1043-1049,1991年12月,研究論文(学術雑誌)
  • An advanced fabrication technology of hemispherical grained (HSG) poly-Si for high capacitance storage electrodes,H. Watanabe,T. Tatsumi,T. Niino,A. Sakai,S. Adachi,N. Aoto,K. Koyama,T. Kikkawa,Extended Abstracts of the 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials,1991年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS-SILICON WITH CLEAN SURFACES,Vol. 30,No. 6A,p. L941-L943,1991年06月,研究論文(学術雑誌)
  • STRUCTURAL MODIFICATION OF A 7X7 SUPERSTRUCTURE BURIED AT THE AMORPHOUS SI/SI(111) INTERFACE DURING SOLID-PHASE EPITAXIAL-GROWTH,Vol. 249,No. 1-3,p. L300-L306,1991年06月,研究論文(学術雑誌)
  • DISLOCATION-RELATED PHOTOLUMINESCENCE IN SI1-XGEX/SI(100) GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY,Vol. 111,No. 1-4,p. 920-924,1991年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Crystallization of amorphous silicon with clean surfaces,Vol. 30,No. 6,p. L941-L943,1991年,研究論文(学術雑誌)
  • High resolution transmission electron microscopy of semiconductor heterointerface,K. Ishida,A. Sakai,N. Ikarashi,H. Ono,NEC Res. Dev.,Vol. 32,1991年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Crystallization of amorphous silicon with clean surfaces,Vol. 30,No. 6,p. L941-L943,1991年,研究論文(学術雑誌)
  • Dislocation-related photoluminescence in Si1-xGex/Si(100) grown by molecular beam epitaxy,K. Terashima,M. Tajima,A. Sakai,T. Tatsumi,J. Cryst. Growth,Vol. 111,1991年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural modification of a 7x7 superstructure buried at the amorphous-Si/Si(111) interface during solid phase epitaxial growth,A. Sakai,T. Tatsumi,I. Hirosawa,H. Ono,K. Ishida,Surf. Sci. Lett.,Vol. 249,1991年01月,研究論文(学術雑誌)
  • HIGH-RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY OF GAAS/ALAS HETEROINTERFACES GROWN ON THE MISORIENTED SUBSTRATE IN THE (110) PROJECTION,Vol. 57,No. 19,p. 1983-1985,1990年11月,研究論文(学術雑誌)
  • HIGH-RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY OF GAAS/ALAS HETEROSTRUCTURES IN THE (110) PROJECTION,Vol. 183,p. 187-192,1990年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • SI/SIOX/SI HOLE-BARRIER FABRICATION FOR BIPOLAR-TRANSISTORS USING MOLECULAR-BEAM DEPOSITION,Vol. 184,No. 1-2,p. 229-235,1990年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Defect characterization and gettering effect in excimer laser gettering,Vol. 73,No. 5,p. 91-97,1990年,研究論文(学術雑誌)
  • DIRECT OBSERVATION OF A 7X7 SUPERSTRUCTURE BURIED AT THE AMORPHOUS-SI/SI(111) INTERFACE,Vol. 159,p. 315-320,1990年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Interface structure of Si/SiO2/Si formed by molecular beam deposition,A. Sakai,T. Tatsumi,H. Hirayama,K. Ishida,1990年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • HIGH-RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY OF GAAS/ALAS HETEROSTRUCTURES IN THE (110) PROJECTION,Vol. 183,p. 187-192,1990年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • SI/SIOX/SI HOLE-BARRIER FABRICATION FOR BIPOLAR-TRANSISTORS USING MOLECULAR-BEAM DEPOSITION,Vol. 184,p. 229-235,1990年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Interface structural analysis of Si/SiO2/Si structure formed by molecular beam deposition for a hole-barrier in bipolar transistor,A. Sakai,T. Tatsumi,T. Niino,H. Hirayama,K. Ishida,Semiconductor Silicon 1990, Proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology,1990年01月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Defect characterization and gettering effect in excimer laser gettering,Vol. 73,No. 5,p. 91-97,1990年,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of interface structures formed by Si-MBE,A. Sakai,J. Electron Microscopy,Vol. 39,1990年01月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • DIRECT OBSERVATION OF A 7X7 SUPERSTRUCTURE BURIED AT THE AMORPHOUS-SI/SI(111) INTERFACE,Vol. 159,p. 315-320,1990年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • High-resolution transmission electron microscopy of GaAs/AlAs heterointerfaces grown on the misoriented substrate in the 〈110〉 projection,Vol. 57,No. 19,p. 1983-1985,1990年,研究論文(学術雑誌)
  • DIRECT OBSERVATION OF A 7X7 SUPERSTRUCTURE AT THE AMORPHOUS SI/SI(111) INTERFACE BY CROSS-SECTIONAL HIGH-RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY,Vol. 224,No. 1-3,p. L956-L964,1989年12月,研究論文(学術雑誌)
  • HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY OF THE GAAS/ALGAAS HETEROINTERFACE WITH (200) AND TRANSMITTED BEAMS,Vol. 55,No. 24,p. 2509-2511,1989年12月,研究論文(学術雑誌)
  • INTERFACE ATOMIC-STRUCTURE OF SI/SIO2/SI FORMED BY MOLECULAR-BEAM DEPOSITION,Vol. 55,No. 24,p. 2500-2502,1989年12月,研究論文(学術雑誌)
  • エキシマレーザゲッタリングにおける欠陥の形成機構とゲッタリング効果,酒井朗,竹村和美,豊川文敏,三上雅生,大下祥雄,石谷明彦,電子情報通信学会論文誌 C,Vol. J72-C-II,No. 5,p. 589-594,1989年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Interface atomic structure of Si/SiO2/Si formed by molecular beam deposition,Vol. 55,No. 24,p. 2500-2502,1989年,研究論文(学術雑誌)
  • Si/SiOx/Si Hole-Barrier Fabrication for Bipolar Transistors Using Molecular Beam Deposition,Vol. 28,No. 10 A,p. L1678-L1681,1989年,研究論文(学術雑誌)
  • Direct observation of a 7x7 superstructure at the amorphous-Si/Si(111) interface by cross-sectional high resolution transmission electron microscopy,A. Sakai,T. Tatsumi,K. Ishida,Surf. Sci.,Vol. 224,1989年01月,研究論文(学術雑誌)
  • High-resolution electron microscopy of the GaAs/AlGaAs heterointerface with (200) and transmitted beams,Vol. 55,No. 24,p. 2509-2511,1989年,研究論文(学術雑誌)
  • Interface atomic structure of Si/SiO2/Si formed by molecular beam deposition,Vol. 55,No. 24,p. 2500-2502,1989年,研究論文(学術雑誌)
  • エキシマレーザゲッタリングにおける欠陥の形成機構とゲッタリング効果,酒井朗,竹村和美,豊川文敏,三上雅生,大下祥雄,石谷明彦,電子情報通信学会論文誌,Vol. J72-C-II,1989年01月,研究論文(学術雑誌)
  • NATURE OF LATTICE-DEFECTS INDUCED BY EXCIMER LASER IRRADIATION FOR EXTRINSIC GETTERING,Vol. 27,No. 2,p. L155-L158,1988年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Excimer laser gettering of Si wafer,K. Takemura,F. Toyokawa,Y. Ohshita,A. Sakai,A. Ishitani,M. Mikami,NEC Research and Development,Vol. 90,1988年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Excimer laser gettering of Si wafer,K. Takemura,F. Toyokawa,Y. Ohshita,A. Sakai,A. Ishitani,M. Mikami,NEC Res. Dev.,Vol. 90,1988年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Nature of lattice defects induced by excimer laser irradiation for extrinsic gettering,A. Sakai,H. Ono,Y. Ohshita,J. Matsui,Jpn. J. Appl. Phys.,Vol. 27,1988年01月,研究論文(学術雑誌)
  • PREPARATION OF HIGHLY PERFECT SINGLE-CRYSTALS OF FE-3 WT-PERCENT SI,Vol. 101,No. 1,p. 51-55,1987年05月,研究論文(学術雑誌)
  • A new gettering of Si wafer by excimer laser irradiation,F. Toyokawa,K. Takemura,Y. Ohshita,A. Sakai,J. Electrochem. Soc.,Vol. 134,1987年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Preparation of highly perfect single crystals of Fe3 wt%Si,Vol. 101,No. 1,p. 51-55,1987年,研究論文(学術雑誌)
  • REDUCTION OF DISLOCATION DENSITY IN SI BY THERMAL CYCLIC ANNEALING,Vol. 97,No. 1,p. 57-63,1986年09月,研究論文(学術雑誌)
  • REDUCTION OF DISLOCATION DENSITY IN SI BY THERMAL CYCLIC ANNEALING,Vol. 97,No. 1,p. 57-63,1986年09月,研究論文(学術雑誌)
  • INSITU HREM OBSERVATION OF SOLID LIQUID INTERFACE,Vol. 52,No. 3,p. L29-L32,1985年,研究論文(学術雑誌)
  • INSITU HREM OBSERVATION OF SOLID LIQUID INTERFACE,Vol. 52,No. 3,p. L29-L32,1985年,研究論文(学術雑誌)

MISC

  • ナノビームX線回折法による周期溝加工基板上AlN厚膜の結晶深さ方向構造解析,志田和己,竹内正太郎,三宅秀人,三宅秀人,平松和政,隅谷和嗣,今井康彦,木村滋,酒井朗,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 78th,2017年08月25日
  • CS-5-2 Si_<1-X>Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム),中塚 理,酒井 朗,近藤 博基,小川 正毅,財満 鎭明,電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 2007,No. 2,p. "S-12"-"S-13",2007年08月29日
  • Initial stage of processes and energy bandgap formation in nitridation of silicon surface using nitrogen radicals,Vol. 50,No. 11,p. 665-671,2007年,速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)
  • Sub‐100nmゲート領域におけるNiシリサイド形成反応の観察,伊東大介,酒井朗,中塚理,近藤博基,赤坂泰志,奈良安雄,小川正毅,財満鎮明,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 53rd,No. 2,2006年03月22日
  • 極薄Ge中間層を用いた歪緩和Ge/Si(001)界面の転位構造制御,湯川勝規,望月省吾,中塚理,酒井朗,竹田晋吾,木村滋,坂田修身,隅谷和嗣,泉妻宏治,仙田剛士,豊田英二,小川正毅,財満鎮明,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 53rd,No. 1,2006年03月22日
  • 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価,世古 明義,渡辺 行彦,近藤 博基,酒井 朗,財満 鎭明,安田 幸夫,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 104,No. 135,p. 31-36,2004年06月15日
  • ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析,近藤 博基,河合 圭吾,宮崎 香代子,酒井 朗,財満 鎭明,安田 幸夫,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 104,No. 134,p. 27-32,2004年06月14日
  • HRTEM and EELS analysis of interfacial reactions in Ti/Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>/Si(100),J. Yamasaki,N. Tanaka,O. Nakatsuka,A. Sakai,S. Zaima,Y. Yasuda,Proceedings of Microscopy and Microanalysis 2003,p. 470-471,2003年
  • Dislocation propagation in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth,Vol. 49,No. 2,p. 323-330,2000年
  • Self-organized propagation of dislocations in GaN films during epitaxial lateral overgrowth,Vol. 76,No. 4,p. 442-444,2000年01月
  • Dislocation propagation in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth,Vol. 49,No. 2,p. 323-330,2000年
  • Self-organized propagation of dislocations in GaN films during epitaxial lateral overgrowth,Vol. 76,No. 4,p. 442-444,2000年01月
  • 選択横方向成長によって形成されたGaN膜中の転位構造,電子顕微鏡,Vol. 34,No. 3,p. 197-199,1999年
  • GaN選択横方向成長による転位密度の低減,応用物理,Vol. 68,No. 7,p. 774-779,1999年
  • Transmission electron microscopy of defects in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth,Vol. 73,No. 4,p. 481-483,1998年07月
  • Transmission electron microscopy of defects in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth,Vol. 73,No. 4,p. 481-483,1998年07月
  • Ge/Si系の成長と歪緩和のメカニズム,日本結晶成長学会誌,Vol. 25,No. 1,p. 17-28,1998年
  • Growth and strain-relaxation mechanisms of Ge on Si(001),Vol. 25,No. 1,p. 17-28,1998年
  • Growth of strain-relaxed Ge films on Si(001) surfaces,Vol. 71,No. 24,p. 3510-3512,1997年12月
  • Growth of strain-relaxed Ge films on Si(001) surfaces,Vol. 71,No. 24,p. 3510-3512,1997年12月
  • Defect structure in selectively grown GaN films with low threading dislocation density,Vol. 71,No. 16,p. 2259-2261,1997年10月
  • Defect structure in selectively grown GaN films with low threading dislocation density,Vol. 71,No. 16,p. 2259-2261,1997年10月
  • GE GROWTH ON SI USING ATOMIC-HYDROGEN AS A SURFACTANT,Vol. 64,No. 1,p. 52-54,1994年01月
  • GE GROWTH ON SI USING ATOMIC-HYDROGEN AS A SURFACTANT,Vol. 64,No. 1,p. 52-54,1994年01月
  • DEFECT-MEDIATED ISLAND FORMATION IN STRANSKI-KRASTANOV GROWTH OF GE ON SI(001),Vol. 71,No. 24,p. 4007-4010,1993年12月
  • GROWTH-KINETICS OF SI HEMISPHERICAL GRAINS ON CLEAN AMORPHOUS-SI SURFACES,Vol. 11,No. 6,p. 2950-2953,1993年11月
  • GROWTH-KINETICS OF SI HEMISPHERICAL GRAINS ON CLEAN AMORPHOUS-SI SURFACES,Vol. 11,No. 6,p. 2950-2953,1993年11月
  • Defect-mediated island formation in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si(001),Vol. 71,No. 24,p. 4007-4010,1993年
  • NOVEL SEEDING METHOD FOR THE GROWTH OF POLYCRYSTALLINE SI FILMS WITH HEMISPHERICAL GRAINS,Vol. 61,No. 2,p. 159-161,1992年07月
  • NOVEL SEEDING METHOD FOR THE GROWTH OF POLYCRYSTALLINE SI FILMS WITH HEMISPHERICAL GRAINS,Vol. 61,No. 2,p. 159-161,1992年07月
  • CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS-SILICON WITH CLEAN SURFACES,Vol. 30,No. 6A,p. L941-L943,1991年06月,速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)
  • CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS-SILICON WITH CLEAN SURFACES,Vol. 30,No. 6A,p. L941-L943,1991年06月,速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)

作品

  • GaN結晶膜およびGaN系半導体素子(特許),1998年 ~
  • 半導体結晶の作製方法(特許),1996年 ~
  • (]G0048[)誘電率膜キャパシタ(特許),1995年 ~
  • アモルファスシリコン膜の形成方法(特許),1993年 ~
  • 半導体装置の製造方法(特許),1992年 ~

受賞

  • 第49回(平成14年度)大河内賞記念賞,辰巳徹,渡辺啓仁,酒井朗,岡村健司,三宅秀治,財団法人大河内記念会,2003年03月
  • 応用物理学会賞A論文賞,1999年