Enhancing memristor multilevel resistance state with linearity potentiation via the feedforward pulse scheme

Zhuo Diao, Ryohei Yamamoto, Zijie Meng, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

Nanoscale Horizons　Vol. 10　No. 4　p. 780-790　2025年2月　研究論文（学術雑誌）

Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in GaN substrates by nanobeam x-ray diffraction

T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 135　No. 22　2024年6月11日　研究論文（学術雑誌）

生体神経機能を模倣する人工シナプスメモリスタ素子

酒井 朗

電子情報通信学会誌　Vol. 107　No. 4　p. 311-318　2024年4月　研究論文（学術雑誌）

Local strain distribution analysis in strained SiGe spintronics devices

Tomoki Onabe, Zhendong Wu, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Takahiro Naito, Kohei Hamaya, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 63　No. 2　2024年2月29日　研究論文（学術雑誌）

Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate

Toshikazu Sato, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 167　2023年11月15日　研究論文（学術雑誌）

Micro- and Nanostructure Analysis of Vapor-Phase-Grown AlN on Face-to-Face Annealed Sputtered AlN/Nanopatterned Sapphire Substrate Templates

Yudai Nakanishi, Yusuke Hayashi, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yoshikata Nakajima, Shiyu Xiao, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Akira Sakai

Journal of Electronic Materials　2023年3月29日　研究論文（学術雑誌）

Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

Scientific Reports　Vol. 13　No. 1　2023年2月10日　研究論文（学術雑誌）

High-temperature operation of gallium oxide memristors up to 600 K

Kento Sato, Yusuke Hayashi, Naoki Masaoka, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

Scientific Reports　Vol. 13　No. 1　2023年1月30日　研究論文（学術雑誌）

Interface engineering of amorphous gallium oxide crossbar array memristors for neuromorphic computing

Naoki Masaoka, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 62　No. SC　p. SC1035-SC1035　2023年1月24日　研究論文（学術雑誌）

Gate-tunable plasticity in artificial synaptic devices based on four-terminal amorphous gallium oxide memristors

Taishi Ikeuchi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

Applied Physics Express　Vol. 16　No. 1　p. 015509-015509　2023年1月1日　研究論文（学術雑誌）

Molecular beam homoepitaxy of N-polar AlN: Enabling role of aluminum-assisted surface cleaning

Zexuan Zhang, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai, Vladimir Protasenko, Jashan Singhal, Hideto Miyake, Huili Grace Xing, Debdeep Jena, YongJin Cho

Science Advances　Vol. 8　No. 36　2022年9月9日　研究論文（学術雑誌）

Versatile Functionality of Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing

Ryotaro Miyake, Zenya Nagata, Kenta Adachi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS　Vol. 4　No. 5　p. 2326-2336　2022年5月　研究論文（学術雑誌）

Analysis of inverse-piezoelectric-effect-induced lattice deformation in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by time-resolved synchrotron radiation nanobeam X-ray diffraction

Haruna Shiomi, Akira Ueda, Tetsuya Tohei, Yasuhiko Imai, Takeaki Hamachi, Kazushi Sumitani, Shigeru Kimura, Yuji Ando, Tamotsu Hashizume, Akira Sakai

Applied Physics Express　Vol. 14　No. 9　p. 095502-095502　2021年9月1日　研究論文（学術雑誌）

Thermal strain analysis considering in-plane anisotropy for sputtered AlN on c- and a-plane sapphire under high-temperature annealing

Yusuke Hayashi, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki, Tetsuya Tohei, Akira Sakai, Hideto Miyake

AIP Advances　Vol. 11　No. 9　p. 095012-095012　2021年9月1日　研究論文（学術雑誌）

Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates

T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, Y. Mori, N. Ikarashi, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 129　No. 22　p. 225701-225701　2021年6月14日　研究論文（学術雑誌）

Local piezoelectric properties in Na-flux GaN bulk single crystals

A. Ueda, T. Hamachi, A. Okazaki, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 128　No. 12　p. 125110-125110　2020年9月28日　研究論文（学術雑誌）

Fabrication of GaO x based crossbar array memristive devices and their resistive switching properties

Mamoru Joko, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 59　No. SM　p. SMMC03-SMMC03　2020年7月1日　研究論文（学術雑誌）

Gate Tuning of Synaptic Functions Based on Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2−x Memristive Devices

Zenya Nagata, Takuma Shimizu, Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Ikarashi, Akira Sakai

Scientific Reports　Vol. 9　No. 1　p. 10013-1-10013-7　2019年12月　研究論文（学術雑誌）

Demonstrative operation of four-terminal memristive devices fabricated on reduced TiO2 single crystals

Shotaro Takeuchi, Takuma Shimizu, Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Ikarashi, Akira Sakai

Scientific Reports　Vol. 9　No. 1　2019年12月　研究論文（学術雑誌）

Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction

Kazuki Shida, Nozomi Yamamoto, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCB16-1-SCCB16-6　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）

Correlation between current leakage and structural properties of threading dislocations in GaN bulk single crystals grown using a Na-flux method

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. SC　p. SCCB23-SCCB23　2019年6月1日　研究論文（学術雑誌）

Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 58　No. 5　p. 050918-050918　2019年5月1日　研究論文（学術雑誌）

Depth-resolved analysis of lattice distortions in high-Ge-content SiGe/compositionally graded SiGe films using nanobeam x-ray diffraction

Kazuki Shida, Shotaro Takeuchi, Tetsuya Tohei, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Andreas Schulze, Matty Caymax, Akira Sakai

Semiconductor Science and Technology　Vol. 33　No. 12　p. 124005-124005　2018年12月1日　研究論文（学術雑誌）

Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction

K. Shida, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)　2018年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Dislocation Properties in Bulk GaN Substrates

Akira Sakai

IDGN-4　2018年11月　研究論文（その他学術会議資料等）

Local electrical and structural analysis for threading dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystals

T. Hamachi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, A. Sakai

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)　2018年11月　研究論文（その他学術会議資料等）

Defect characterization in nitride semiconductor bulk materials

Akira Sakai

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)　2018年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Gate-Tuning of Synaptic Functions Based on The Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices

Zenya Nagata, Takuma Shimizu, Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)　2018年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Nanobeam X-ray diffraction analysis of local lattice distortions in the growth direction of a modified Na-flux GaN bulk crystal

K. Shida, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018年8月　研究論文（その他学術会議資料等）

Leakage current analysis for individual dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystal

T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, A. Sakai

International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018年8月　研究論文（その他学術会議資料等）

Three-dimensional structural and defect analysis by nanobeam X-ray diffraction for semiconductor materials

Akira Sakai

THERMEC'2018　2018年7月　研究論文（その他学術会議資料等）

Facile Synthesis Route of Au-Ag Nanostructures Soaked in PEG

E. K. Fodjo, A. Canlier, C. Kong, A. Yurtsever, P. L. A. Guillaume, F. T. Patrice, M. Abe, T. Tohei, A. Sakai

Advances in Nanoparticles　2018年7月　研究論文（学術雑誌）

Analysis of Ti valence states in resistive switching regions of a rutile TiO2− x four-terminal memristive device

Kengo Yamaguchi, Shotaro Takeuchi, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Ikarashi, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 57　No. 6S3　p. 06KB02-06KB02　2018年6月1日　研究論文（学術雑誌）

Tomographic mapping analysis of lattice distortions in the depth direction of high-Ge-content SiGe films with compositionally graded buffer layers using nanobeam X-ray diffraction

K. Shida, S. Takeuchi, T. Tohei, Y. Imai, S. Kimura, A. Schulze, M. Caymax, A. Sakai

1st Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference　2018年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Leakage current analysis for dislocations in Na-flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy

T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 123　No. 16　p. 161417-161417　2018年4月28日　研究論文（学術雑誌）

Microstructural analysis in the depth direction of a heteroepitaxial AlN thick film grown on a trench-patterned template by nanobeam X-ray diffraction

K. Shida, S. Takeuchi, T. Tohei, H. Miyake, K. Hiramatsu, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 123　No. 16　p. 161563-161563　2018年4月28日　研究論文（学術雑誌）

Three-dimensional analysis of defect-related singularity structures in semiconductor materials

A. Sakai, S. Takeuchi, K. Shida, S. Kamada, T. Tohei, Y. Imai, S. Kimura, H. Miyake, K. Hiramatsu

OIST-Singularity Project Joint Workshop　2018年4月　研究論文（その他学術会議資料等）

Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide/germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates

Hideki Matsui, Takafumi Ishibe, Tsukasa Terada, Shunya Sakane, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Shigeru Kimura, Yoshiaki Nakamura

Applied Physics Letters　Vol. 112　No. 3　p. 031601-1-031601-4　2018年1月15日　研究論文（学術雑誌）

Nanobeam X-ray diffraction analysis of lattice deformation in thin nano-indented single crystal Si wafers

Y. Mametsuka, S. Takeuchi, T. Tohei, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, J. Fujise, T. Ono, A. Sakai

2018年1月

Leakage current analysis in GaN-on-GaN p-n diode by conductive atomic force microscopy

S. Mizutani, T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, T. Kachi, S. Sarayama, A. Sakai

21st SANKEN International Symposium /The 16th SANKEN Nanotechonology International Symposium　2018年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

Resistive switching characteristics of four-terminal TiO2-x single crystal memristive devices

Takuma Shimizu, Shotaro Takeuchi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices Science and Technology (2017 IWDTF)　2017年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Analysis of Ti valence state in resistive switching region of rutile TiO2-x four-terminal memristive device

Kengo Yamaguchi, Shotaro Takeuchi, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Ikarashi, Akira Sakai

2017年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Quantification of local strain distributions in nanoscale strained SiGe FinFET structures

Shogo Mochizuki, Conal E. Murray, Anita Madan, Teresa Pinto, Yun-Yu Wang, Juntao Li, Weihao Weng, Hemanth Jagannathan, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 122　No. 13　p. 135705-1-135705-10　2017年10月　研究論文（学術雑誌）

Control of dislocation morphology and lattice distortion in Na-flux GaN crystals

S. Takeuchi, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

Journal of Applied Physics　Vol. 122　No. 10　p. 105303-105303　2017年9月14日　研究論文（学術雑誌）

Valence state analysis of Ti in resistive switching region of rutile TiO2-x single crystals memristor

Kengo Yamaguchi, Shotaro Takeuchi, Takuma Shimizu, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Ikarasi, Akira Sakai

2017年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Epitaxial multilayers of β-FeSi2 nanodots/Si for Si-based nanostructured electronic materials

Shunya Sakane, Masayuki Isogawa, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Yoshiaki Nakamura

Journal of Vacuum Science and Technology A　Vol. 35　No. 4　2017年7月　研究論文（学術雑誌）

Characterization of local piezoelectric property in Na flux GaN bulk single crystals

A. Ueda, S. Takeuchi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

29th International Conference on Defects in Semiconductors　2017年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Leakage current analysis for dislocations in Na flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy

T. Hamachi, S. Takeuchi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

29th International Conference on Defects in Semiconductors　2017年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

In-depth microstructural analysis of heteroepitaxial AlN thick films grown on trench-patterned templates by nanobeam X-ray diffraction

K. Shida, S. Takeuchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

29th International Conference on Defects in Semiconductors　2017年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Control of dislocation propagation behaviors in Na flux GaN bulk crystals

S. Takeuchi, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Nano beam X-ray diffraction analysis of Na flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode

S. Takeuchi, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)　2017年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Tomographic Mapping Analysis in the Depth Direction of High-Ge-Content SiGe Layers with Compositionally Graded Buffers Using Nanobeam X-ray Diffraction

Kazuki Shida, Shotaro Takeuchi, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Andreas Schulze, Matty Caymax, Akira Sakai

ACS Applied Materials & Interfaces　Vol. 9　No. 15　p. 13726-13732　2017年4月19日　研究論文（学術雑誌）

Study on the influence of different trench-patterned templates on the crystalline microstructure of AIN epitaxial films by X-ray microdiffraction

Dinh Thanh Khan, Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Kunihiko Nakamura, Takuji Arauchi, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 56　No. 2　p. 025502-1-025502-5　2017年2月　研究論文（学術雑誌）

Structural characterization of defects in nitride semiconductor materials

A. Sakai

2017年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

Reversible resistive switching by the voltage-driven control of oxygen vacancy distribution in four terminal planar TiO2-x-based devices

T. Shimizu, M. Shimotani, S. Takeuchi, A. Sakai

2016年12月

Nanobeam X-ray diffraction for tomographic mapping analysis of high Ge content Si1-yGey/compositionally graded Si1-xGex stacked structure

K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, A. Shulze, M. Caymax, A. Sakai

2016年12月

Demonstration of reversible resistive switching by the control of oxygen vacancy distribution in rutile TiO2-x single crystals

T. Shimizu, M. Shimotani, S. Takeuchi, A. Sakai

2016年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Nano beam X-ray diffraction analysis of microstructures in Na-flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode

Y. Mizuta, S. Takeuchi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Imai, S. Kimura, Y. Mori, A. Sakai

2016年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Tomographic mapping analysis of high Ge composition SiGe layers with compositionally graded buffers by nanobeam X-ray diffraction

K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, A. Shulze, M. Caymax, A. Sakai

2016年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Microstructural analysis of an epitaxial AlN thick film/trench-patterned template by three-dimensional reciprocal lattice space mapping technique

Shohei Kamada, Shotaro Takeuchi, Dinh Thanh Khan, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 9　No. 11　p. 111001-1-111001-4　2016年11月　研究論文（学術雑誌）

Three-dimensional reciprocal space mapping analysis for localized structures and defects in nitride semiconductor materials

A. Sakai, S. Takeuchi

2016年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Tomographic mapping analysis of high Ge content SiGe epitaxial films with compositionally graded layers by X-ray microdiffraction

K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2016年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Interface and dislocation structures in Na flux GaN grown on MOCVD-GaN

S. Takeuchi, H. Asazu, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

2016年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Crystalline structure of TiC ultrathin layers formed on highly oriented pyrolytic graphite by chemical reaction from Ti/graphite system

Nakatsuka Osamu, Hisada Kenji, Oida Satoshi, Sakai Akira, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 55　No. 6　p. 06JE02-06JE02　2016年6月

Characterization of local strain in nanoscale strained SiGe FinFET structures

S. Mochizuki, C. E. Murray, A. Madan, T. Pinto, Y. Y. Wang, J. Li, W. Weng, H. Jagannathan, Y. Imai, S. Kimura, S. Takeuchi, A. Sakai

2016年6月

Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method

A. Sakai, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, M.Imanishi, M. Imade, Y. Mori

2016年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates

Takafumi Ishibe, Hideki Matsui, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Yoshiaki Nakamura

APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 9　No. 5　p. 055508-1-055508-4　2016年5月　研究論文（学術雑誌）

Positional dependence of defect distribution in semipolar (20(2)over-bar1) hydride vapor phase epitaxy-GaN films grown on (22(4)over-bar3) patterned sapphire substrates

Toshiro Uchiyama, Shotaro Takeuchi, Shohei Kamada, Takuji Arauchi, Yasuhiro Hashimoto, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Kazuyuki Tadatomo, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 55　No. 5　2016年5月　研究論文（学術雑誌）

Positional dependence of defect distribution in semipolar [Formula: see text] hydride vapor phase epitaxy-GaN films grown on [Formula: see text] patterned sapphire substrates

Uchiyama Toshiro, Takeuchi Shotaro, Kamada Shohei, Arauchi Takuji, Hashimoto Yasuhiro, Yamane Keisuke, Okada Narihito, Imai Yasuhiko, Kimura Shigeru, Tadatomo Kazuyuki, Sakai Akira

Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 55　No. 5　2016年4月12日

Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials

Shuto Yamasaka, Kentaro Watanabe, Shunya Sakane, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura

SCIENTIFIC REPORTS　Vol. 6　2016年3月　研究論文（学術雑誌）

Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique

Tomohiro Ueda, Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Yoshiaki Nakamura

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　Vol. 45　No. 3　p. 1914-1920　2016年3月　研究論文（学術雑誌）

In-situ doped epitaxial growth of highly dopant-activated n+-Ge layers for reduction of parasitic resistance of Ge-nMISFETs

Y. Moriyama, Y. Kamimuta, K. Ikeda, A. Sakai, T. Tezuka

ECS Transactions　Vol. 75　No. 8　p. 373-385　2016年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coated Ge nuclei

T. Ishibe, K. Watanabe, S. Takeuchi, A. Sakai, Y. Nakamura

2015年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures

S. Sakane, K. Watanabe, M. Isogawa, S. Takeuchi, A. Sakai, Y. Nakamura

2015年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN

S. Takeuchi, H. Asazu, M. Imanishi, Y. Nakamura, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 118　No. 24　p. 245306-1-245306-7　2015年12月　研究論文（学術雑誌）

Formation and optical properties of Ge films grown on Si(111) substrates using nanocontact epitaxy

Kazuki Tanaka, Yoshiaki Nakamura, Shuto Yamasaka, Jun Kikkawa, Takenobu Sakai, Akira Sakai

Appl. Surf. Sci.　Vol. 325　p. 170-174　2015年11月　研究論文（学術雑誌）

Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) HVPE-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates

T. Uchiyama, S. Takeuchi, S. Kamada, T. Arauchi, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadamoto, A. Sakai

2015年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Phonon transport control by nanoarchitecture including epitaxial Ge nanodots for Si-based thermoelectric materials

Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai

Scientific Reports　Vol. 5　No. 14490　p. 1-9　2015年10月5日　研究論文（学術雑誌）

Phonon scattering control by structure of epitaxial Ge nanodots in Si

S. Yamanaka, Y. Nakamura, S. Takeuchi, A. Sakai

2015年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Thermal conductivity reduction and carrier doping in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots

Y. Nakamura, T. Ueda, M. Isogawa, S. Yamasaka, S. Takeuchi, A. Sakai

2015年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

X-ray microdiffraction as a promising method to characterize nanometer-scale structures and textures in semiconductor materials

A. Sakai

2015年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Fabrication of Si Thermoelectric Nanomaterials Containing Ultrasmall Epitaxial Ge Nanodots with an Ultrahigh Density

Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, Shotaro Takeuchi, Yuta Yamamoto, Shigeo Arai, Takayoshi Tanji, Nobuo Tanaka, Akira Sakai

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　Vol. 44　No. 6　p. 2015-2020　2015年6月　研究論文（学術雑誌）

Multi-scale characterization of defects in nitride semiconductor materials

A. Sakai

2015年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction and transmission electron microscopy

Takuji Arauchi, Shotaro Takeuchi, Yasuhiro Hashimoto, Yoshiaki Nakamura, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Kazuyuki Tadatomo, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　Vol. 252　No. 5　p. 1149-1154　2015年5月　研究論文（学術雑誌）

Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates

Shotaro Takeuchi, Toshiro Uchiyama, Takuji Arauchi, Yasuhiro Hashimoto, Yoshiaki Nakamura, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　Vol. 252　No. 5　p. 1142-1148　2015年5月　研究論文（学術雑誌）

Anomalous reduction of thermal conductivity in coherent nanocrystal architecture for silicon thermoelectric material

Nakamura Yoshiaki, Isogawa Masayuki, Ueda Tomohiro, Yamasaka Shuto, Matsui Hideki, Kikkawa Jun, Ikeuchi Satoaki, Oyake Takafumi, Hori Takuma, Shiomi Junichiro, Sakai Akira

NANO ENERGY　Vol. 12　p. 845-851　2015年3月　研究論文（学術雑誌）

Microscopic crystalline structure of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template

D. T. Khan, S. Takeuchi, Y. Nakamura, K. Nakamura, T. Arauchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 411　p. 38-44　2015年2月　研究論文（学術雑誌）

Myoglobin-based non-precious metal carbon catalysts for an oxygen reduction reaction

Akira Onoda, Yuta Tanaka, Toshikazu Ono, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Takashi Hayashi

JOURNAL OF PORPHYRINS AND PHTHALOCYANINES　Vol. 19　No. 1-3　p. 510-516　2015年1月　研究論文（学術雑誌）

Microstructure Analysis of a Thick AIN Film Grown on a Trench-Patterned AIN／Sapphire Template by X-Ray Microdiffraction

S. Takeuchi, D. T. Khan, Y. Nakamura, Y. Imai, S. Kimura, H. Miyake, K. Hiramatsu, A. Sakai

2014年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

In situ doped epitaxial growth of highly dopant-activated n(+)-Ge layers for reduction of parasitic resistance in Ge-nMISFETs

Yoshihiko Moriyama, Yuuichi Kamimuta, Yoshiki Kamata, Keiji Ikeda, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 7　No. 10　2014年10月　研究論文（学術雑誌）

Self-assembly of Ge clusters on highly oriented pyrolytic graphite surfaces

Masayuki Shimonaka, Yoshiaki Nakamura, Jun Kikkawa, Akira Sakai

SURFACE SCIENCE　Vol. 628　p. 82-85　2014年10月　研究論文（学術雑誌）

Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films on (22-43) patterned sapphire substrate

T. Uchiyama, S. Takeuchi, T .Arauchi, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, A. Sakai

2014年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction

T. Arauchi, S. Takeuchi, Y. Nakamura, Y. Imai, K. Yamane, N. Okada, S. Kimura, K. Tadatomo, A. Sakai

2014年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth

M. Imanishi, K. Murakami, K. Nakamura, H. Imabayashi, H. Takazawa, D. Matsuo, Y. Todoroki, M. Maruyama, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori

2014年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Electrical conduction characteristics of single crystal and directly-bonded Nb-doped SrTiO3

R. Asada, S. Kondo, S. Takeuchi, Y. Sugi, Y. Nakamura, A. Sakai

2014年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Ultrathin-body Ge-on-insulator wafers fabricated with strongly bonded thin Al2O3/SiO2 hybrid buried oxide layers

Yoshihiko Moriyama, Keiji Ikeda, Shotaro Takeuchi, Yuuichi Kamimuta, Yoshiaki Nakamura, Koji Izunome, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

APPLIED PHYSICS EXPRESS　Vol. 7　No. 8　p. 086501-1-086501-4　2014年8月　研究論文（学術雑誌）

Thermal and electrical properties of Si films including epitaxial Ge nanodot phonon-scatterers

S. Yamasaka, Y. Nakamura, T. Ueda, S. Takeuchi, A. Sakai

2014年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers

Hirotada Asazu, Shotaro Takeuchi, Hiroya Sannai, Haruo Sudo, Koji Araki, Yoshiaki Nakamura, Koji Izunome, Akira Sakai

THIN SOLID FILMS　Vol. 557　p. 106-109　2014年4月　研究論文（学術雑誌）

Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template

Takuji Arauchi, Shotaro Takeuchi, Kunihiko Nakamura, Dinh Thanh Khan, Yoshiaki Nakamura, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　Vol. 211　No. 4　p. 731-735　2014年4月　研究論文（学術雑誌）

Improvement effect of electrical properties in post- annealed waferbonded Ge(001)- OI substrate

Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Osamu Yoshitake, Jun Kikkawa, Koji Izunome, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　Vol. 211　No. 3　p. 601-605　2014年3月　研究論文（学術雑誌）

Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodot structures

Y. Nakamura, A.Sakai

2014年2月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials

S. Yamasaka, Y. Nakamura, T. Ueda, S. Takeuchi, A. Sakai

2014年2月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Erratum: cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template (J. Cryst. Growth (2013) 381 (37-42), DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.07.012)

D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

Journal of Crystal Growth　Vol. 388　2014年　研究論文（学術雑誌）

Improvement of Current Drive of Ge-nMISFETs by Epitaxially Grown n(+)-Ge:P Source and Drain

Yoshihiko Moriyama, Yuuichi Kamimuta, Yoshiki Kamata, Keiji Ikeda, Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM)　p. 35-36　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Improvement effect of electrical properties in post-annealed wafer-bonded Ge(001)-OI substrate

Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Osamu Yoshitake, Jun Kikkawa, Koji Izunome, Akira Sakai

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　Vol. 211　No. 3　p. 601-605　2014年　研究論文（学術雑誌）

Syncnrotron kadiation based X-ray iviicroaiffraction of advanced semiconductor materials

Akira Sakai

ECS Transactions　Vol. 64　No. 11　p. 255-263　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Improvement of Current Drive of Ge-nMISFETs by Epitaxially Grown n(+)-Ge:P Source and Drain

Yoshihiko Moriyama, Yuuichi Kamimuta, Yoshiki Kamata, Keiji Ikeda, Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM)　p. 35-36　2014年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Control of epitaxial growth of Fe-based nanocrystals on Si substrates using well-controlled nanometer-sized interface

Yoshiaki Nakamura, Ryota Sugimoto, Takafumi Ishibe, Hideki Matsui, Jun Kikkawa, Akira Sakai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 115　No. 4　2014年1月　研究論文（学術雑誌）

Local strain distribution in AlN thick films analyzed by X-ray microdiffraction

A. Sakai

2013年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Microscopic structure analysis of a thick AIN film grown on a trench-patterned AIN/sapphire template by X-ray microdiffraction

D. T. Khan, S. Takeuchi, K. Nakamura, T. Arauchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2013年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AIN films on trench-patterned 6H-SiC substrates

K. Nakamura, S. Takeuchi, D. T. Khan, T. Arauchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2013年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

In-situ P-doped Ge-rich SiGe selective epitaxy for strained Ge-nMISFETs

Y. Moriyama, Y. Kamimuta, Y. Kamata, K. Ikeda, S. Takeuchi, A. Sakai, T. Tezuka

2013年9月

Influence of nanometer-sized interface on reaction of iron nanocrystals epitaxially grown on silicon substrates with oxygen gas

Hironobu Hamanaka, Yoshiaki Nakamura, Takafumi Ishibe, Jun Kikkawa, Akira Sakai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 114　No. 11　2013年9月　研究論文（学術雑誌）

Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy

Wataru Ikeda, Yoshiaki Nakamura, Shogo Okamoto, Shotaro Takeuchi, Jun Kikkawa, Masakazu Ichikawa, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 52　No. 9　2013年9月　研究論文（学術雑誌）

Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AIN films grown on triangular-striped AIN/sapphire template

T. Arauchi, S. Takeuchi, K. Nakamura, D. T. Khan, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, A. Sakai

2013年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Epitaxial growth of stacked β-FeSi2 nanodots on Si substrates and their thermoelectric properties

M. Isogawa, Y. Nakamura, J. Kikkawa, S.Takeuchi, A. Sakai

2013年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Introduction of Ge nanodots in Si films as phonon scatterers and the thermal conductivity reduction

S. Yamasaka, Y. Nakamura, T. Ueda, S.Takeuchi, Y. Yamamoto, S. Arai, T. Tenji, N. Tanaka, A. Sakai

2013年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers

H. Asazu, S. Takeuchi, H. Sannai, H. Sudo, K. Araki, Y. Nakamura, K. Izunome, A. Sakai

2013年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Quantitative evaluation of bonding strength of hybrid-box GeOI

Y. Moriyama, S. Takeuchi, K. Ikeda, Y. Kamimuta, A. Sakai, K. Izunome, T. Tezuka

8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI)　2013年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers

Y. Moriyama, Y. Kamata, K. Ikeda, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, T. Tezuka

8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI)　2013年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Semiconductor wafer bonding -Structural and electrical characteristics of GeOI substrates-

A. Sakai, S. Yamasaka, Y. Moriyama, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, T. Tezuka, K. Izunome

2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and applications of Advanced Semmiconductor Devices　2013年6月

Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers

Yoshihiko Moriyama, Keiji Ikeda, Yuuichi Kamimuta, Minoru Oda, Toshifumi Irisawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 83　p. 42-45　2013年5月　研究論文（学術雑誌）

Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(1 1 0) surfaces

M. Yamashita, Y. Nakamura, R. Sugimoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

Applied Surface Science　Vol. 267　p. 53-57　2013年2月15日　研究論文（学術雑誌）

Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles

M. Yamashita, Y. Nakamura, A. Yamamoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 267　p. 136-140　2013年2月　研究論文（学術雑誌）

Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> template

D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

Journal of Crystal Growth　Vol. 381　p. 37-42　2013年　研究論文（学術雑誌）

Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction

K. Nakamura, S. Harada, D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2012年12月

Cross-sectional X-ray Microdiffraction Study of Residual Strain Distribution in a Thick AlN Film Grown on a Trench-patterned AlN/α-Al2O3 Template

D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2012年12月

Structural- and electrical characteristics of GeOI/BOX interfaces of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 hybrid BOX layers

Y. Moriyama, K. Ikeda, Y. Kamimuta, M. Oda, T. Irisawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, T. Tezuka

The 6th International Symposiiium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium)　2012年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Investigation of semiconductor nanostructures using focused X-ray beams

A. Sakai

NanoMalaysia Summit and Expo 2012　2012年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Formation technique of stacked epitaxial Si nanodot structures and their thermal conductivity

Y. Nakamura, M. Isogawa, T. Ueda, J. Kikkawa, A. Sakai

2012年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Local strain distribution in a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template measured by X-ray microdiffraction

D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

2012年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Vertical dislocations in Ge films selectively grown in submicron Si windows of patterned substrates

S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, G. Wang, M. Caymax, A. Sakai

THIN SOLID FILMS　Vol. 520　No. 8　p. 3245-3248　2012年2月　研究論文（学術雑誌）

Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using four-point-probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor method

K. Minami, Y. Nakamura, S. Yamasaka, O. Yoshitake, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

THIN SOLID FILMS　Vol. 520　No. 8　p. 3232-3235　2012年2月　研究論文（学術雑誌）

Characterization of Ge films on Si(001) substrates grown by nanocontact epitaxy

Yoshiaki Nakamura, Wataru Ikeda, Jun Kikkawa, Masakazu Ichikawa, Akira Sakai

2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings　p. 158-159　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al 2O 3/SiO 2 buried oxide layers

Yoshihiko Moriyama, Keiji Ikeda, Yuuichi Kamimuta, Minoru Oda, Toshifumi Irisawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings　p. 34-35　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

First Demonstration of Threshold Voltage Control by Sub-1V Back-gate Biasing for Thin Body and Buried-oxide (TBB) Ge-on-Insulator (GOI) MOSFETs for Low-power Operation

Keiji Ikeda, Yoshihiko Moriyama, Mizuki Ono, Yuuichi Kamimuta, Toshifumi Irisawa, Yoshiki Kamata, Akira Sakai, Tsutomu Tezuka

IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

GOI Substrates -Fabrication and Characterization-

A. Sakai, S. Yamasaka, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, Y. Moriyama, T. Tezuka, K. Izunome

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 5: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　Vol. 50　No. 9　p. 709-725　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Electron-Beam-Induced Current Study of Electronic Property Change at SrTiO3 Bicrystal Interface Induced by Forming Process

T. Kato, Y. Nakamura, P. P. T. Son, J. Kikkawa, A. Sakai

DEFECTS-RECOGNITION, IMAGING AND PHYSICS IN SEMICONDUCTORS XIV　Vol. 725　p. 261-264　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

X-ray microdiffraction study of three-dimensional distribution of local strain in thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/a-Al2O3 template

D. T. Khan, S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai

15th International Conference on Thin Films　2011年11月

Formation of ultrahigh density iron oxide nanodots on Si substrates with nanometer-sized interfaces

K. Tanaka, Y. Nakamura, H. Harada, J. Kikkawa, A. Sakai

7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2011年11月

Growth of vanadium dioxides nanowires using vanadyl acetylacetonate

T. Ishibe, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai

7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2011年11月

Electric-field control of spin accumulation signals in silicon at room temperature

Y. Ando, Y. Maeda, K. Kasahara, S. Yamada, K. Masaki, Y. Hoshi, K. Sawano, K. Izunome, A. Sakai, M. Miyao, K. Hamaya

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 99　No. 13　p. 132511-1-132511-3　2011年9月　研究論文（学術雑誌）

Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using a four-point-probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor method

K. Minami, Y. Nakamura, S. Yamasaka, O. Yoshitake, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai

7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)　2011年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Ge1-xSnx stressors for strained-Ge CMOS

S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, J. Demeulemeester, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima

SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 60　No. 1　p. 53-57　2011年6月　研究論文（学術雑誌）

Effect of Low-Energy Ga Ion Implantation on Selective Growth of Gallium Nitride Layer on Silicon Nitride Surfaces Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition

Kazuya Isiizumi, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Junichi Yanagisawa

Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 50　No. 6　p. 06GC02-06GC02-4　2011年6月　研究論文（学術雑誌）

Control of strain relaxation behavior of Ge1-xSnx buffer layers

Yosuke Shimura, Shotaro Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Shigeaki Zaima

SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 60　No. 1　p. 84-88　2011年6月　研究論文（学術雑誌）

X-ray microdiffraction investigation of crystallinity and strain relaxation in Ge thin lines selectively grown on Si(001) substrates

Kouhei Ebihara, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Gang Wang, Matty Caymax, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Osami Sakata

SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 60　No. 1　p. 26-30　2011年6月　研究論文（学術雑誌）

Annealing Effects on Ge/SiO2 Interface Structure in Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates

Osamu Yoshitake, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Koji Izunome, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 4　p. 04DA13-1-04DA13-4　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

Electrical Characterization of Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates Using a Four-Point-Probe Pseudo-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

Yuji Iwasaki, Yoshiaki Nakamura, Jun Kikkawa, Motoki Sato, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Koji Izunome, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 50　No. 4　p. 04DA14-1-04DA14-4　2011年4月　研究論文（学術雑誌）

Self-organization of two-dimensional SiGe nanodot arrays using selective etching of pure-edge dislocation network

Yoshiaki Nakamura, Masahiko Takahashi, Tatsuki Fujiwara, Jun Kikkawa, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 109　No. 4　p. 044301-1-044301-4　2011年2月　研究論文（学術雑誌）

Microscopic Structure of Directly Bonded Silicon Substrates

Tetsuji Kato, Yuji Ohara, Takaya Ueda, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Takeshi Senda, Kouji Izunome, Hiroo Tajiri, Osamu Sakata, Shigeru Kimura

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　Vol. 470　p. 164-+　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates

Tetsuji Kato, Takaya Ueda, Yuji Ohara, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Eiji Toyoda, Kouji Izunome, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Osamu Sakata

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　Vol. 470　p. 158-+　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Strained Ge and Ge1-xSnx Technology for Future CMOS Devices

Osamu Nakatsuka, Shotaro Takeuchi, Yosuke Shimura, Akira Sakai, Shigeaki Zaima

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　Vol. 470　p. 146-+　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Nanometer-scale Characterization Technique for Si Nanoelectric Materials using Synchrotron Radiation Microdiffraction

Shigeru Kimura, Yasuhiko Imai, Osami Sakata, Akira Sakai

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　Vol. 470　p. 104-+　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Microscopic Structure of Directly Bonded Silicon Substrates

Tetsuji Kato, Yuji Ohara, Takaya Ueda, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima, Eiji Toyoda, Hiromichi Isogai, Takeshi Senda, Kouji Izunome, Hiroo Tajiri, Osamu Sakata, Shigeru Kimura

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　Vol. 470　p. 164-+　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates

Tetsuji Kato, Takaya Ueda, Yuji Ohara, Jun Kikkawa, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Eiji Toyoda, Kouji Izunome, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Osamu Sakata

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　Vol. 470　p. 158-+　2011年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Structural Analysis of Si-based Nanodot Arrays Self-organized by Selective Etching of SiGe/Si Films

M. Takahashi, Y. Nakamura, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, A. Sakai

18th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)　2010年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Electrical characterization of wafer-bonded germanium-on-insulator substrates using a four-point-probe pseudo-MOSFET

Y. Iwasaki, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, M. Sato, E. Toyoda, H. Isogai, K. Izunome

2010年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Annealing effects on Ge/SiO² interface structure in wafer-bonded germanium-on-insulator substrates

O. Yoshitake, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, E. Toyoda, H. Isogai, K. Izunome

2010年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Formation of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with high Sn content

Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE)　2010年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Formation of ultrahigh density iron-based nanodots on Si (111) substrates using ultrathin SiO2 films

H. Hamanaka, Y. Nakamura, K. Tanaka, J. Kikkawa, A. Sakai

Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)　2010年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Four-point-probe pseudo-MOSFET analysis of wafer-bonded germanium-on-insulator substrates

Y. Iwasaki, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, M. Sato, E. Toyoda, H. Isogai, K. Izunome

Intenational Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics　2010年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Transmission electron microscopy observation of Ge/SiO2 interfaces in wafer-bonded germanium-on-insulator substrates

O. Yoshitake, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, E. Toyoda, H. Isogai, K. Izunome

Intenational Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics　2010年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Formation of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with high Sn content

Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

Intenational Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics　2010年6月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Bi-axially strained Ge grown on GeSn SRBs

O. Nakatsuka, S. Takeuchi, Y. Shimura, A. Sakai, S. Zaima

International Workshop of GeSn Developments and Future Applications　2010年5月

Strain and domain texture of Ge films selectively grown in localized regions on Si(001) substrates

K. Ebihara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

The fifth International SiGe Technology and Device Meeting　2010年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Annealing Effects on Ge/SiO2 Interfaces in Wafer-Bonded GOI Substrates

O. Yoshitake, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, E. Toyoda, H. Isogai, K. Izunome

International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials (Global COE Program) & Third International Conference on Nanospintronics Design and Realization, 3rd-ICNDR　2010年5月

High-resolution X-ray microdiffraction analysis of local strain in semiconductor materials

Shigeru Kimura, Yasuhiko Imai, Osami Sakata, Akira Sakai

ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　p. 1506-1509　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

刃状転位ネットワークの選択エッチングによるSiGeナノドット二次元配列構造の形成

中村 芳明, 高橋 雅彦, 吉川 純, 中塚 理, 財満 鎭明, 酒井 朗

表面科学学術講演会要旨集　Vol. 30　No. 0　p. 223-223　2010年

Characterization of wafer-bonded substrates for advanced channels in Si-based MOSFET

Akira Sakai

ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　p. 1517-1520　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Strain relaxation behavior of Ge1-xSnx buffer layers on Si and virtual Ge substrates

Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月

Potential of Ge1-xSnx alloys as high mobility channel materials and stressors

S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月

Microscopic characterization of Si(011)/Si(001) direct silicon bonding substrates

T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月

Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor

Hiroki Kondo, Shinnya Sakurai, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters　Vol. 96　No. 1　2010年　研究論文（学術雑誌）

Assessment of Ge1-xSnx Alloys for Strained Ge CMOS Devices

S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 4: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　Vol. 33　No. 6　p. 529-535　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

X-Ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates

K. Ebihara, S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 4: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　Vol. 33　No. 6　p. 887-892　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor

Hiroki Kondo, Shinnya Sakurai, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 96　No. 1　p. 12105-1-12105-3　2010年1月　研究論文（学術雑誌）

High-Angular-Resolution Microbeam X-Ray Diffraction with CCD Detector

Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Osami Sakata, Akira Sakai

X-RAY OPTICS AND MICROANALYSIS, PROCEEDINGS　Vol. 1221　No. 1　p. 30-+　2010年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Mobility Behavior of Ge1-xSnx Layers Grown on Silicon-on-Insulator Substrates

Osamu Nakatsuka, Norimasa Tsutsui, Yosuke Shimura, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 49　No. 4　p. 04DA10-1-04DA10-4　2010年　研究論文（学術雑誌）

Use of p- and n-type vapor phase doping and sub-melt laser anneal for extension junctions in sub-32 nm CMOS technology

N. D. Nguyen, E. Rosseel, S. Takeuchi, J-L. Everaert, L. Yang, J. Goossens, A. Moussa, T. Clarysse, O. Richard, H. Bender, S. Zaima, A. Sakai, R. Loo, J. C. Lin, W. Vandervorst, M. Caymax

THIN SOLID FILMS　Vol. 518　No. 6　p. S48-S52　2010年1月　研究論文（学術雑誌）

Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing

T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

THIN SOLID FILMS　Vol. 518　No. 6　p. S147-S150　2010年1月　研究論文（学術雑誌）

Novel method to introduce uniaxial tensile strain in Ge by microfabrication of Ge/Si1-xGex structures on Si(001) substrates

Takuya Mizutani, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Hiroki Kondo, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 53　No. 11　p. 1198-1201　2009年11月　研究論文（学術雑誌）

Surface structural analysis of off-angled Si(110) substrates

M. Yamashita, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, M. Sato, H. Isogai, K. Izunome

5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009年9月

Microstructures in directly bonded Si substrates

Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, T. Sakata, H. Mori

SOLID-STATE ELECTRONICS　Vol. 53　No. 8　p. 837-840　2009年8月　研究論文（学術雑誌）

Effect of annealing on mechanical properties of materials formed by focused au or si lon-beam-induced chemical vapor deposition using phenanthrene

Takuma Yo, Hideaki Tanaka, Takahiro Nagata, Naoki Fukata, Toyohiro Chikyow, Akira Sakai, Junichi Yanagisawa

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 48　No. 6　p. 06-FB034　2009年6月　研究論文（学術雑誌）

Formation and characterization of tensile-strained Ge layers on Ge1-xSnx buffer layers

S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, N. Tsutsui, A. Sakai

The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2009年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Low Temperature Growth of Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers

Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2009年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Analysis of Local Strain in Ge1-xSnx /Ge/Si(001) Heterostructures by X-ray Microdiffraction

O. Nakatsuka, Y. Shimura, N. Tsutsui, A. Sakai, Y. Imai, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, S. Zaima

The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2009年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing

T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2009年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Control of Sn Precipitation and Strain Relaxation in Compositionally Step-Graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-Strained Ge Layers

Yosuke Shimura, Norimasa Tsutsui, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 48　No. 4　p. 04C130-1-04C130-4　2009年4月　研究論文（学術雑誌）

Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes

Hiroki Kondo, Kouhei Furumai, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 48　No. 4　p. 04C012-1-04C012-5　2009年4月　研究論文（学術雑誌）

Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates

Eiji Toyoda, Akira Sakai, Hiromichi Isogai, Takeshi Senda, Koji Izunome, Kazuhiko Omote, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 48　No. 2　p. 021208-1-021208-4　2009年2月　研究論文（学術雑誌）

Control of Dislocations and Sn Precipitations for Fabrication of Tensile-strained Ge on Ge_1-xSn_x Buffer Layer

Shimura Yosuke, Tsutsui Norimasa, Nakatsuka Osamu, Sakai Akira, Zaima Shigeaki

Transactions of the Materials Research Society of Japan　Vol. 34　No. 2　p. 301-304　2009年　研究論文（学術雑誌）

Mechanical Properties and Chemical Reactions at the Directly Bonded Si-Si Interface

Eiji Toyoda, Akira Sakai, Hiromichi Isogai, Takeshi Senda, Koji Izunome, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 48　No. 1　p. 011202-1-011202-5　2009年1月　研究論文（学術雑誌）

Formation of Uniaxial Tensile-strained Ge by using Micro-patterning of Ge/Si1-xGex/Si Structures

T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, S. Zaima

The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)　2008年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Formation and Characterization of Tensile-strained Ge layers on Ge1-xSnx Buffer Layers

Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)　2008年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Strain and interfacial defects in directly bonded Si substrates

Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura

The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)　2008年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Atomistic analysis of directly bonded Si substrate interface

T. Ueda, Y. Ohara, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, T. Sakata, H. Mori

The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)　2008年12月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Characterization and analyses of interface structures in directly bonded Si(011)/Si(001) substrates

E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote, S. Zaima

The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials　Vol. 48　No. 2　2008年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge substrates

Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

THIN SOLID FILMS　Vol. 517　No. 1　p. 159-162　2008年11月　研究論文（学術雑誌）

Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications

Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa

THIN SOLID FILMS　Vol. 517　No. 1　p. 80-83　2008年11月　研究論文（学術雑誌）

Formation of high-density Si nanodots by agglomeration of ultra-thin amorphous Si films

Hiroki Kondo, Tomonori Ueyama, Eiji Ikenaga, Keisuke Kobayashi, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

THIN SOLID FILMS　Vol. 517　No. 1　p. 297-299　2008年11月　研究論文（学術雑誌）

Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates

E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, M. Ogawa, S. Zaima

THIN SOLID FILMS　Vol. 517　No. 1　p. 323-326　2008年11月　研究論文（学術雑誌）

Annealing Effect of Deposited Materials formed by Focused Au Ion Beam-induced Chemical Vapor Deposition using Phenanthrene

T. Yo, H. Tanaka, T. Nagata, N. Fukata, T. Chikyow, A. Sakai, J. Yanagisawa

Digest of Papers 2008 International Microprocess and Nanotechnology Conference　2008年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Ge_<1-x>Sn_xバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御

中塚 理, 志村 洋介, 財満 鎭明, 酒井 朗

電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会　Vol. 2008　No. 24　p. 25-29　2008年9月27日

Control of Sn Precipitation and Strain relaxation in Compositionally Step-graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers

Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2008年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Analysis of Uniaxial Tensile Strain in Microfabricated Ge/Si1-x Gex Structures on Si(001) Substrates

T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, S. Zaima

4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Formation and Characterization of Compositionally Step-graded Ge1-x Snx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers

Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Effect of alcohol sources on synthesis of single-walled carbon nanotubes

Satoshi Oida, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 254　No. 23　p. 7697-7702　2008年9月　研究論文（学術雑誌）

Scanning tunneling microscopy observation of initial growth of Sn and Ge1-xSnx layers on Ge(001) substrates

Masahiro Yamazaki, Shotaro Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 254　No. 19　p. 6048-6051　2008年7月　研究論文（学術雑誌）

MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価

近藤博基, 櫻井晋也, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告　Vol. 108　No. 80(SDM2008 42-57)　2008年6月

Characterization of deposited materials formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition using AuSi alloyed metal source

Takuma Yo, Hideaki Tanaka, Kakunen Koreyama, Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Kiyomi Nakajima, Toyohiro Chikyow, Junichi Yanagisawa, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 47　No. 6　p. 5018-5021　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

Growth of highly strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method

Shotaro Takeuchi, Yosuke Shimura, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masaki Ogawa, Akira Sakai

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 92　No. 23　p. 231916-1-231916-3　2008年6月　研究論文（学術雑誌）

Microstructures in Directly Bonded Si Substrates

A. Sakai, Y. Ohara, T. Ueda, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda

Abstract Book of The fourth International SiGe Technology and Device Meeting　2008年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Effect of Hydrogen on Initial Growth of Sn and Ge1-xSnx on Ge(001) substrates

M. Yamazaki, O. Nakatsuka, T. Shinoda, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

Abstract Book of The fourth International SiGe Technology and Device Meeting　2008年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates

E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatuka, S. Zaima, M. Ogawa, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote

Abstract Book of The fourth International SiGe Technology and Device Meeting　Vol. 48　No. 2　2008年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Epitaxial Ag Layers on Si Substrates as a Buffer Layer for Carbon Nanotube Growth

Satoshi Oida, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 47　No. 5　p. 3742-3747　2008年5月　研究論文（学術雑誌）

Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si1-xGex Structures on Si(001) Substrates

T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, S. Zaima

Abstract Book of The fourth International SiGe Technology and Device Meeting　p. 149-150　2008年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structure of Epitaxial NiSi2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System

Nakatsuka Osamu, Suzuki Atsushi, Akimoto Shingo, Sakai Akira, Ogawa Masaki, Zaima Shigeaki

Jpn J Appl Phys　Vol. 47　No. 4　p. 2402-2406　2008年4月25日

Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate metal-oxcide-semiconductor capacitors

Kouhei Furumai, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　Vol. 47　No. 4　p. 2420-2424　2008年4月　研究論文（学術雑誌）

Development of high-density radical source for radical nitridation process in ULSI technology development of high-density radical source for radical nitridation process in ULSI technology

H. Kondo, S. Oda, S. Takashima, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, M. Hori, S. Den, H. Kano

The International Conference on Plasma-NanoTechnology and Science　2008年3月

Contact properties of epitaxial NiSi<inf>2</inf>/heavily doped Si structures formed from Ni/Ti/Si systems

S. Akimoto, O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

Advanced Metallization Conference (AMC)　p. 101-105　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

窒素ラジカル暴露によるGe(001)表面処理

近藤博基, 藤田美里, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-（第13回研究会）　2008年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

Ge基板上に作製したPr酸化膜の評価

坂下満男, 鬼頭伸幸, 加藤亮祐, 近藤博基, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-（第13回研究会）　2008年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

ミクタミクトTiSiNゲートMOSキャパシタの結晶構造及び電気的特性の評価

古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-（第13回研究会）　2008年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

Contact properties of epitaxial NiSi2/heavily doped Si structures formed from Ni/Ti/Si systems

S. Akimoto, O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2007 (AMC 2007)　Vol. 23　p. 101-105　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Interface and defect control for group IV channel engineering

A. Sakai, Y. Ohara, T. Ueda, E. Toyoda, K. Izunome, S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, S. Kimura

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 3: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　Vol. 16　No. 10　p. 687-+　2008年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Growth and characterization of tensile-strained Ge layers on strain relaxed Ge1-xSnx buffer layers

O. Nakatsuka, S. Takeuchi, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

3rd International WorkShop on New Group IV Simiconductor Nanoelectronics　2007年11月

Tensile strained Ge layers grown on compositionally step-graded Ge1-xSnx buffer layers

Y. Shimura, S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

3rd International WorkShop on New Group IV Simiconductor Nanoelectronics　2007年11月

Scanning tunneling microscopy observation of initial growth of Sn and Ge1-xSnx layers on Ge(001) substrates

M. Yamazaki, S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)　2007年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Defect control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si heterostructures

A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)　2007年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Characterization of Local Strains in Si1-xGex Hetero-mesa Structures on Si(001) Substrates by Using X-ray Microdiffraction

O. Nakatsuka, K. Yukawa, S. Mochizuki, A. Sakai, K. Fukuda, S. Kimura, O. Sakata, K. Izunome, T. Senda, E. Toyoda, M. Ogawa, S. Zaima

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces　2007年11月

Defect Control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si Heterostructures

A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces　2007年11月

Growth and Characterization of Tensile-Strained Ge Layers on Strain Relaxed Ge1-xSnx Buffer Layers

O. Nakatsuka, S. Takeuchi, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

The 3nd international workshop on new group IV semiconductor nanoelectronics　2007年11月

Electrical and Crystalline Properties of Epitaxial NiSi2/Si Contacts Fromed in Ni/Ti/Si(001) Systems

O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

The Sixth Pacific Rim Inernational Conference on Advanced Materials and Processing　2007年11月

Structural and Electrical Properties of Metal-germanide MOS Gate Electrodes

H. Kondo, D. Ikeno, Y. Kaneko, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

The Sixth Pacific Rim Inernational Conference on Advanced Materials and Processing　2007年11月

シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドキャップの形成

近藤博基, 財満鎭明, 堀勝, 酒井朗, 小川正毅

真空　2007年11月　研究論文（学術雑誌）

Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System

NAKATSUKA Osamu, SUZUKI Atsushi, AKIMOTO Shingo, SAKAI Akira, OGAWA Masaki, ZAIMA Shigeaki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2007　p. 1038-1039　2007年9月19日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates

SAKASHITA Mitsuo, KITO Nobuyuki, SAKAI Akira, KONDO Hiroki, NAKATSUKA Osamu, OGAWA Masaki, ZAIMA Shigeaki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2007　No. 85　p. 330-331　2007年9月19日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Surface treatment of Ge(001) surface by radical nitridation

H. Kondo, M. Fujita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Device and Materials　2007年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors

K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Device and Materials　2007年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Development of new high-density radical sources and its application to radical nitridation of Ge surfaces

H. Kondo, S. Oda, S. Takashima, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, M. Hori, S. Den, H. Kano

The 20th Symposium on Plasma Science for Materials　2007年6月　研究論文（その他学術会議資料等）

Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge substrates

S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2007年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Formation of high-density Si nanodots by agglomeration of ultra-thin amorphous Si films

H. Kondo, T. Ueyama, E. Ikenaga, K. Kobayashi, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2007年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates

E. Toyoda, A. Sakai, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2007年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Strain and dislocations in group IV semiconductor heterostructures

A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

2007年4月

Behavior of local charge-trapping sites in La2O3-Al2O3 composite films under constant voltage stress

Toshifumi Sago, Akiyoshi Seko, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 46　No. 4B　p. 1879-1884　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

Composition dependence of work function in metal (Ni,Pt)-germanide gate electrodes

Daisuke Ikeno, Yukihiro Kaneko, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 46　No. 4B　p. 1865-1869　2007年4月　研究論文（学術雑誌）

Characterization of deposited materials formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition using an AuSi alloyed metal source

T. Yo, H. Tanaka, K. Koreyama, T. Nagata, Y. Sakuma, K. Nakajima, T. Chikyow, J. Yanagisawa, A. Sakai

MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY 2007, DIGEST OF PAPERS　p. 150-+　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Silicide and germanide technology for contacts and metal gates in MOSFET applications

S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa

ECS Transactions　Vol. 11　No. 6　p. 197-205　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Impact of Pt incorporation on thermal stability of NiGe layers on Ge(001) substrates

Osamu Nakatsuka, Atsushi Suzuki, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Extended Abstracts of the 7th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2007　p. 87-88　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価”

池野大輔, 古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”（第12回研究会）　2007年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価

鬼頭伸幸, 坂下満男, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”（第12回研究会）　2007年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価

山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”（第12回研究会）　2007年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

Growth and energy bandgap formation of silicon nitride films in radical nitridation

Hiroki Kondo, Keigo Kawaai, Akira Sakai, Masaru Hori, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 46　No. 1　p. 71-75　2007年1月　研究論文（学術雑誌）

Rare-earth metal oxides and their silicates/aluminates as future gate dielectric films

Akira Sakai, Mitsuo Sakashita, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

ECS Transactions　Vol. 6　No. 3　p. 99-118　2007年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates

Shogo Mochizuki, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Hiroki Kondo, Katsunori Yukawa, Koji Izunome, Takeshi Senda, Eiji Toyoda, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 22　No. 1　p. S132-S136　2007年1月　研究論文（学術雑誌）

Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge1-xSnx buffer layers grown on various types of substrates

Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Koji Yamamoto, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　Vol. 22　No. 1　p. S231-S235　2007年1月　研究論文（学術雑誌）

Epitaxial growth of (111)ZrN thin films on (111)Si substrate by reactive sputtering and their surface morphologies

Hideto Yanagisawa, Satoko Shinkai, Katsutaka Sasaki, Junpei Sakurai, Yoshio Abe, Akira Sakai, Shigeaki Zaima

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 297　No. 1　p. 80-86　2006年12月　研究論文（学術雑誌）

Evaluation of trapped charge distributions in stressed gate SiO2 films using conductive atomic force microscopy

A. Seko, Y. Watanabe, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

2006年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(001) system

Osamu Nakatsuka, Atsushi Suzuki, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

MICROELECTRONIC ENGINEERING　Vol. 83　No. 11-12　p. 2272-2276　2006年11月　研究論文（学術雑誌）

仮想Ge基板上におけるGe_<1-x>Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御

竹内 正太郎, 酒井 朗, 中塚 理, 小川 正毅, 財満 鎭明

電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会　Vol. 2006　No. 15　p. 19-24　2006年10月3日

Development of high-angular-resolution microdiffraction system for reciprocal space map measurements

Shingo Takeda, Shigeru Kimura, Osami Sakata, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters　Vol. 45　No. 37-41　p. L1054-L1056　2006年10月　研究論文（学術雑誌）

Mosaicity and dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates

O. Nakatsuka, N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, M. Ogawa, S. Zaima

2006年10月

Dislocation structure and strain relaxation of SiGe and Ge sub-micron stripe lines on Si(001) substrates

O. Nakatsuka, S. Mochizuki, A. Sakai, H. Kondo, K. Yukawa, M. Ogawa, S. Zaima

2006年10月

Buffer layer technology with misfit dislocation engineering

A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

2006年10月

Composition Dependence of Work Function in Metal (Ni, Pt)-Germanide Gate Electrodes

IKENO Daisuke, FURUMAI Kouhei, KONDO Hiroki, SAKASHITA Mitsuo, SAKAI Akira, OGAWA Masaki, ZAIMA Shigeaki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2006　p. 442-443　2006年9月13日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Behavior of Local Charge Trapping Sites in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films under Constant Voltage Stress

SAGO Toshifumi, SEKO Akiyoshi, SAKASHITA Mitsuo, SAKAI Akira, OGAWA Masaki, ZAIMA Shigeaki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2006　p. 418-419　2006年9月13日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Dislocations and related strain in group IV semiconductor heterostructures - Practical control for Si-based electronic devices

A. Sakai, S. Zaima

2006年9月

Interfacial structure of HfON/SiN/Si gate stacks

O. Nakatsuka, M. Sakashita, H. Kondo, E. Ikenaga, M. Kobata, J.-J. Kim, H. Nohira, T. Hattori, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

The 2nd International Workshop on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy　2006年9月　研究論文（その他学術会議資料等）

SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ

酒井 朗, 田岡 紀之, 中塚 理, 小川 正毅, 財満 鎭明

電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society　Vol. 126　No. 9　p. 1083-1087　2006年9月1日

Silicide and related materials for ULSI applications

S. Zaima, A. Sakai, M. Ogawa

2006年7月

Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates

Noriyuki Taoka, Akira Sakai, Shogo Mochizuki, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

THIN SOLID FILMS　Vol. 508　No. 1-2　p. 147-151　2006年6月　研究論文（学術雑誌）

Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction

Shogo Mochizuki, Akira Sakai, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shingo Takeda, Shigeru Kimura, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

THIN SOLID FILMS　Vol. 508　No. 1-2　p. 128-131　2006年6月　研究論文（学術雑誌）

Nano-scale observation for local current leakage in high-k gate dielectrics using conductive atomic force microscopy

S. Zaima, A. Seko, T. Sago, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa

2006年5月

歪緩和Si1-xGex/Si(001)界面の刃状転位ネットワーク

酒井朗

材料開発のための顕微鏡法と応用写真集　2006年4月

Systematic characterization of Ni full silicide in sub-100 nm gate regions

D. Ito, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Kondo, Y. Akasaka, M. Ogawa, S. Zaima

2006年4月

次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体へテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価

酒井朗, 財満鎭明

応用物理　Vol. 75　No. 4　p. 426-434　2006年4月

Characterization of local current leakage in La2O3-Al2O3 composite films by conductive atomic force microscopy

Akiyoshi Seko, Toshifumi Sago, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 45　No. 4B　p. 2954-2960　2006年4月　研究論文（学術雑誌）

Film structures and electrical properties of Pr silicate formed by pulsed laser deposition

Keiko Ariyoshi, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 45　No. 4B　p. 2903-2907　2006年4月　研究論文（学術雑誌）

Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(001) system

O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

Materials for Advanced Metallization Conference 2006　2006年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Dislocation morphology and crystalline mosaicity in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI

A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems　Vol. 126　No. 9　2006年　研究論文（学術雑誌）

Electrical properties and bonding structures of germanium nitride/Ge(100) structures formed by radical nitridation

H. Kondo, I. Yanagi, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

ECS Transactions　Vol. 3　No. 7　p. 287-289　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

La2O3-Al2O3複合膜中の局所電流リークの起源と酸素熱処理の効果

世古明義, 佐合寿文, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告 ゲートスタック研究会 ‐材料・プロセス・評価の物理‐(第11回研究会)　2006年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程

佐合寿文, 世古明義, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

Technical report of IEICE (信学技報)　Vol. 106　No. 108　p. 19-24　2006年1月　研究論文（学術雑誌）

Scanning tunneling microscopy study on the reaction of oxygen with clean Ge(001) surfaces

Akira Sakai, Yasunobu Wakazono, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masaki Ogawa

ECS Transactions　Vol. 3　No. 7　p. 1197-1203　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Ni-silicide/Si and SiGe(C) contact technology for ULSI applications

Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Akira Sakai, Masaki Ogawa

14th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP 2006　p. 31-37　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates

Shogo Mochizuki, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Hiroki Kondo, Katsunori Yukawa, Koji Izunome, Takeshi Senda, Eiji Toyoda, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest　Vol. 2006　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge<inf>1-x</inf>Sn <inf>x</inf> buffer layers on virtual Ge(001) substrates

Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Koji Yamamoto, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest　Vol. 2006　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Control and characterization of strain in SiGe/Si heterostructures with engineered misfit dislocations

A. Sakai, N. Taoka, S. Mochizuki, K. Yukawa, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa, S. Zaima

Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest　Vol. 2006　2006年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)

世古 明義, 坂下 満男, 酒井 朗, 財満 鎭明

日本信頼性学会誌 信頼性　Vol. 28　No. 3　p. 163-174　2006年

Initial growth process of TiN films in ultrahigh-vacuum rapid thermal chemical vapor deposition

Y Okuda, S Naito, O Nakatsuka, H Kondo, T Okuhara, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 45　No. 1A　p. 49-53　2006年1月　研究論文（学術雑誌）

Improvement in NiSi/Si contact properties with gimplantation

O Nakatsuka, K Okubo, A Sakai, M Ogawa, Y Yasuda, S Zaima

MICROELECTRONIC ENGINEERING　Vol. 82　No. 3-4　p. 479-484　2005年12月　研究論文（学術雑誌）

Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties

Y Shiraki, A Sakai

SURFACE SCIENCE REPORTS　Vol. 59　No. 7-8　p. 153-207　2005年11月

Epitaxial NiSi2 layers with extremely flat interfaces in Ni/Ti/Si(001) system

A. Suzuki, K. Okubo, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

2005年10月

Analysis of microstructures in SiGe buffer layers on silicon-on-insulator substrates

N Taoka, A Sakai, S Mochizuki, O Nakatsuka, M Ogawa, S Zaima, T Tezuka, N Sugiyama, S Takagi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 44　No. 10　p. 7356-7363　2005年10月　研究論文（学術雑誌）

Analysis of local breakdown process in stressed gate SiO2 films by conductive atomic force microscopy

A Seko, Y Watanabe, H Kondo, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 44　No. 10　p. 7582-7587　2005年10月　研究論文（学術雑誌）

Local Current Leakage Characterization in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy

SEKO Akiyoshi, SAGO Toshifumi, SAKASHITA Mitsuo, SAKAI Akira, OGAWA Masaki, ZAIMA Shigeaki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2005　p. 246-247　2005年9月13日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Nanoscale Observations for Degradation Phenomena in SiO_2 and High-k Gate Insulators Using Conductive-Atomic Force Microscopy

ZAIMA Shigeaki, SEKO Akiyoshi, WATANABE Yukihiko, SAGO Toshifumi, SAKASHITA Mitsuo, KONDO Hiroki, SAKAI Akira, OGAWA Masaki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 2005　p. 236-237　2005年9月13日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Film structures and electrical properties of Pr silicate formed by pulsed laser deposition

K. Ariyoshi, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Device and Materials　Vol. 45　No. 4　p. 2903-2907　2005年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Fabrication and evaluation of floating gate memories with surface-nitrided Si nanocrystals

S Naito, T Ueyama, H Kondo, M Sakashita, A Sakai, M Ogawa, S Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 44　No. 7B　p. 5687-5691　2005年7月　研究論文（学術雑誌）

Surface structures in the initial growth of epitaxial Si1-x-yGexCy layers in SiGe and C alternate deposition

S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, S. Zaima

First International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2005年5月

Control of solid-phase reaction and electrical properties of Ni silicide/Si contacts by Ge and C incorporation

O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, J. Murota, Y. Yasuda, M. Ogawa, S. Zaima

2005年5月

Surface structures in the initial growth of epitaxial Si1-x-yGexCy layers in SiGe and C alternate deposition

S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, S. Zaima

2005年5月

Hard x-ray photoelectron spectroscopy for HfON/SiN/Si system

O. Nakatsuka, R. Takahashi, M. Sakashita, E. Ikenaga, K. Kobayashi, H. Nohira, T. Hattori, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

2005年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction

S. Mochizuki, A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa, S. Zaima

2005年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates

N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

2005年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Pure-edge dislocation network for strain-relaxed SiGe/Si(001) systems

A Sakai, N Taoka, O Nakatsuka, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 86　No. 22　p. 221916-1-221916-3　2005年5月　研究論文（学術雑誌）

Low-temperature formation of epitaxial NiSi2 layers with solid-phase reaction in Ni/Ti/Si(001) systems

O Nakatsuka, K Okubo, Y Tsuchiya, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 44　No. 5A　p. 2945-2947　2005年5月　研究論文（学術雑誌）

Growth of high-quality carbon nanotubes by grid-inserted plasma-enhanced chemical vapor deposition for field emitters

Y Kojima, S Kishimoto, Y Ohno, A Sakai, T Mizutani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 44　No. 4B　p. 2600-2603　2005年4月　研究論文（学術雑誌）

Thermal stability and electrical properties of (La2O3)(1-x)(Al2O3)(x) composite films

R Fujitsuka, M Sakashita, A Sakai, M Ogawa, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 44　No. 4B　p. 2428-2432　2005年4月　研究論文（学術雑誌）

Improvement on NiSi/Si contact properties with C-implantation

S. Zaima, O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda

Materials for Advanced Metallization Conference 2005　2005年3月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations

N Taoka, A Sakai, T Egawa, O Nakatsuka, S Zaima, Y Yasuda

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　Vol. 8　No. 1-3　p. 131-135　2005年2月　研究論文（学術雑誌）

Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition

S Takeuchi, O Nakatsuka, Y Wakazono, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　Vol. 8　No. 1-3　p. 5-9　2005年2月　研究論文（学術雑誌）

Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開 Si_1-xGe_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御

田岡紀之, 酒井朗, 望月省吾, 中塚理, 小川正毅, 財満鎮明

日本結晶成長学会誌　Vol. 32　No. 2　2005年1月

Transmission electron microscopy analysis of dislocation structures in the strain-relaxed SiGe films on Si and silicon-on-insulator substrates

N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, Y. Yasuda

2005年1月

Fabrication and Evaluation of Floating Gate Memories with Surface-Nitrided Si Nanocrystals

Naito Shinya, Ueyama Tomonori, Kondo Hiroki, Sakashita Mitsuo, Sakai Akira, Ogawa Masaki, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 44　No. 7　p. 5687-5691　2005年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

最近10年の結晶成長の動き エピタキシャル成長技術の進展を振り返って

酒井朗

日本結晶成長学会誌　Vol. 31　No. 5　2005年

Impact of C implantation on electrical properties of NiSi/Si contact

O Nakatsuka, K Okubo, A Sakai, M Ogawa, S Zaima

Fifth International Workshop on Junction Technology　p. 91-92　2005年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa₂O₃-Al₂O₃複合膜の局所リーク電流評価

世古明義, 佐合寿文, 藤塚良太, 藤塚良太, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎮明

電子情報通信学会技術研究報告　Vol. 105　No. 109(SDM2005 70-86)　2005年1月

Epitaxial growth of (001)ZrN thin films on (001)Si by low temperature process

H Yanagisawa, S Shinkai, K Sasaki, Y Abe, A Sakai, S Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 44　No. 1A　p. 343-349　2005年1月　研究論文（学術雑誌）

Dislocation and strain engineering for SiGe buffer layers on Si

Akira Sakai, Shogo Mochizuki, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shingo Takeda, Shigeru Kimura, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Proceedings - Electrochemical Society　Vol. PV 2005-10　p. 16-29　2005年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Analysis of stressed-gate SiO2 films with electron injection by conductive atomic force microscopy

A Seko, Y Watanabe, H Kondo, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS　Vol. 88　No. 6　p. 18-26　2005年　研究論文（学術雑誌）

Synthesis of carbon nanotube peapods directly on Si substrates

Y Ohno, Y Kurokawa, S Kishimoto, T Mizutani, T Shimada, M Ishida, T Okazaki, H Shinohara, Y Murakami, S Maruyama, A Sakai, K Hiraga

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 86　No. 2　p. 023109-1-023109-3　2005年1月　研究論文（学術雑誌）

Control of Ni/Si interfacial reaction and NiSi technology for ULSI applications

S. Zaima, O. Nakatsuka, A. Sakai, Y. Yasuda

2004年12月

Dislocation and strain distribution analysis for SiGe buffer layers formed on silicon on insulator substrates

N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Yasuda, M. Ogawa, T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Takagi

2004年11月

Dislocation Engineering for high-quality SiGe epitaxial films on Si substrates

A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2004年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

HfO2 film formation combined with radical nitridation and its electrical characteristic

R Takahashi, M Sakashita, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 43　No. 11B　p. 7821-7825　2004年11月　研究論文（学術雑誌）

Praseodymium silicate formed by postdeposition high-temperature annealing

A Sakai, S Sakashita, M Sakashita, Y Yasuda, S Zaima, S Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 85　No. 22　p. 5322-5324　2004年11月　研究論文（学術雑誌）

Scanning tunneling microscopy observation of C adsorption behavior in the initial growth of SiGeC on Si(100)

Y. Wakazono, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, S. Zaima

Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2004年10月

Evolution of surface morphology in the initial growth of Si1-x-yGexCy layers

S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, S. Zaima

Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2004年10月

Evolution of surface morphology in the initial growth of Si1-x-yGexCy layers

S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, Y. Yasuda

Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2004年10月

Improvement in the Ni silicide/Si contact properties by C implantation

K. Okubo, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, J. Murota, Y. Yasuda

Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2004年10月

Analysis of microstructures in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates with pure-edge dislocation networks

N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, Y. Yasuda, T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Takagi

Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2004年10月

Anisotropic strain-relaxation mechanism in SiGe/Si(001) heterostructures with 60° misfit dislocations

S. Mochizuki, T. Egawa, A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, Y. Yasuda

Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2004年10月

Scanning tunneling microscopy observation of C adsorption behavior in the initial growth of SiGeC on Si(001)

Y. Wakazono, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, M. Ogawa, Y. Yasuda

Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2004年10月

Control of initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(001) with C incorporation

O. Nakatsuka, E. Okada, D. Ito, A. Sakai, S. Zaima, M. Ogawa, Y. Yasuda

Third International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2004年10月

Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(100)

E Okada, O Nakatsuka, S Oida, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 237　No. 1-4　p. 150-155　2004年10月　研究論文（学術雑誌）

Growth and dislocation control of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates

Y. Yasuda, A. Sakai, S. Zaima

2004年9月　研究論文（その他学術会議資料等）

Nickel silicide technology for low resistivity contacts in ULSI devices

S. Zaima, O. Nakatsuka, A. Sakai, Y. Yasuda

2004年9月　研究論文（その他学術会議資料等）

Fabrication of peapod FETs using peapods synthesized directly on Si substrate

Y. Kurokawa, Y. Ohno, T. Shimada, Y. Murakami, A. Sakai, M. Ishida, S. Kishimoto, T. Okazaki, S. Maruyama, H. Shinohara, T. Mizutani

Extended Abstracts of the 2004 International Conference on Solid State Device and Materials　2004年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Thermal stability and electrical properties of (La2O3)1-x(Al2O3) composite films

R. Fujitsuka, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Extended Abstracts of the 2004 International Conference on Solid State Device and Materials　2004年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Synthesis of peapods directly on substrates

Y. Ohno, Y. Kurokawa, T. Shimada, Y. Murakami, A. Sakai, K. Hiraga, M. Ishida, T. Okazaki, S. Kishimoto, S. Maruyama, H. Shinohara, T. Mizutani

2004年7月

Detection and characterization of stress-induced defects in gate SiO2 films by conductive atomic force microscopy

Y Watanabe, A Seko, H Kondo, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 43　No. 7B　p. 4679-4682　2004年7月　研究論文（学術雑誌）

Behavior of local current leakage in stressed gate SiO2 films analyzed by conductive atomic force microscopy

A Seko, Y Watanabe, H Kondo, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 43　No. 7B　p. 4683-4686　2004年7月　研究論文（学術雑誌）

Nanoscale analysis of degradation phenomena in MOS gate insulators using conductive atomic force microscopy

S. Zaima, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, Y. Yasuda

2004年6月

Growth of silicon nanocrystal dots with high number density by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition

S Naito, M Satake, H Kondo, M Sakashita, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 43　No. 6B　p. 3779-3783　2004年6月　研究論文（学術雑誌）

Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate depostion

S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2004)　2004年5月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Thickness dependence of microscopic current-voltage characteristics in stressed SiO2 films

Y. Watanabe, A. Seko, H. Kondo, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2004年5月

Growth process and energy bandgap formation of silicon nitride films in radical nitridation process

H. Kondo, K. Kawaai, A. Sakai, K. Miyazaki, S. Zaima, Y. Yasuda

2004年5月

電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析

世古明義, 渡辺行彦, 近藤博基, 酒井朗, 財満鎮明, 安田幸夫

電子情報通信学会論文誌 C　Vol. J87-C　No. 8　2004年5月

Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations

N. Taoka, A. Sakai, T. Egawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Yasuda

Vol. 8　No. 1　p. 131-135　2004年5月

Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternative deposition

S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2004年5月

The initial growth of Si1-x-yGexCy thin films with large fractions of C atoms on Si(100)

S. Zaima, A. Sakai, Y. Yasuda

2004年5月

Growth of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with controlled generation and propagation of dislocations

A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2004年4月　研究論文（その他学術会議資料等）

Influence of structural variation of Ni silicide thin films on electrical property for contact materials

K Okubo, Y Tsuchiya, O Nakatsuka, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 43　No. 4B　p. 1896-1900　2004年4月　研究論文（学術雑誌）

Conductive atomic force microscopy analysis for local electrical characteristics in stressed SiO2 gate films

Y Watanabe, A Seko, H Kondo, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 43　No. 4B　p. 1843-1847　2004年4月　研究論文（学術雑誌）

Pulsed laser deposition and analysis for structural and electrical properties of HfO2-TiO2 composite films

K Honda, A Sakai, M Sakashita, H Ikeda, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 43　No. 4A　p. 1571-1576　2004年4月　研究論文（学術雑誌）

Dislocation structures and strain-relaxation in SiGe buffer layers on Si(001) substrates with an ultra-thin Ge interlayer

T Yamamoto, A Sakai, T Egawa, N Taoka, O Nakatsuka, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 224　No. 1-4　p. 108-112　2004年3月　研究論文（学術雑誌）

Influence of Si1-xGex interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(100)

S Ariyoshi, S Takeuchi, O Nakatsuka, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 224　No. 1-4　p. 117-121　2004年3月　研究論文（学術雑誌）

Interfacial reaction and electrical properties in Ni/Si and Ni/SiGe(C) contacts

S Zaima, O Nakatsuka, A Sakai, J Murota, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 224　No. 1-4　p. 215-221　2004年3月　研究論文（学術雑誌）

Microscopic analysis of stress-induced leakage current in stressed gate SiO2 films using conductive atomic force microscopy

Y Watanabe, A Seko, H Kondo, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　Vol. 43　No. 2A　p. L144-L147　2004年2月　研究論文（学術雑誌）

GV and C-P characterization sensitivities for fast and slow-state traps in very thin oxide mosfets

JY Rosaye, Y Yasuda, A Sakai, P Mialhe, JP Charles, Y Watanabe

2004 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS　p. 353-356　2004年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Si及びSi_1-x-yGe_xC_y上のNiシリサイド形成

中塚理, 酒井朗, 財満鎮明, 安田幸夫

電気学会電子材料研究会資料　Vol. EFM-04　No. 41-48　2004年

Preparation and evaluation of NiGe gate electrodes for metal-oxide- semiconductor devices

Yukihiro Kaneko, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Proceedings - Electrochemical Society　Vol. 7　p. 1107-1111　2004年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Group IV semiconductor materials engineering for advanced device technology

Yukio Yasuda, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Proceedings - Electrochemical Society　Vol. 7　p. 555-568　2004年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

HfO2 Film Formation Combined with Radical Nitridation and Its Electrical Characteristic

Takahashi Ryoya, Sakashita Mitsuo, Sakai Akira, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 43　No. 11　p. 7821-7825　2004年

Growth mechanism of epitaxial NiSi<inf>2</inf> layer in the Ni/Ti/Si(001) contact for atomically flat interfaces

Osamu Nakatsuka, Kazuya Okubo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Extended Abstracts of the Fourth International Workshop on Junction Technology, IWJT 2004　Vol. 4　p. 143-146　2004年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si

O Nakatsuka, K Okubo, A Sakai, M Ogawa, S Zaima, J Murota, Y Yasuda

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2004 (AMC 2004)　p. 293-298　2004年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Growth of carbon nanotubes by microwave-excited non-equilibrium atmospheric-pressure plasma

A Matsushita, M Nagai, K Yamakawa, M Hiramatsu, A Sakai, M Hori, T Goto, S Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 43　No. 1　p. 424-425　2004年1月　研究論文（学術雑誌）

Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(001) substrates

T. Egawa, A. Sakai, T. Yamamoto, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Yasuda

Applied Surface Science　2004年1月　研究論文（学術雑誌）

Local discharging of carriers at nanometer scale defects in gate SiO2 thin films observed by conducting atomic force microscopy

A. Seko, Y. Watanabe, H. Kondo, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2003年12月

Detection of stress-induced defects in gate SiO2 films by conducting atomic force microscopy

Y. Watanabe, A. Seko, H. Kondo, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2003年12月

Nanoscale analysis of local leakage currents in stressed gate SiO2 films by conducting atomic force microscopy

H. Kondo, A. Seko, Y. Watanabe, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2003年12月

Praseodymium silicate formation by post-growth high temperature annealing

A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, S. Zaima, Y. Yasuda, S. Miyazaki

2003年12月　研究論文（その他学術会議資料等）

Reactive deposition epitaxy of CoSi2 films on clean and oxygen-adsorbed Si(001) surfaces

Y Hayashi, A Sakai, H Ikeda, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 42　No. 12　p. 7482-7488　2003年12月　研究論文（学術雑誌）

Influence of C incorporation in the initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(100)

E. Okada, S. Oida, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Program and Abstracts of The 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures　2003年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Low temperature formation of epitaxial NiSi2 in Ni/Ti/Si(100) system

O. Nakatsuka, K. Okubo, Y. Tsuchiya, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Advanced Metallization Conference 2003: Asian Session　2003年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Chemical structures of HfO2/Si interfacial transition layer

H. Nohira, Y. Tanaka, K. Kobayashi, M. B. Seman, S. Joumori, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, Y. Sugita, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, T. Ishikawa, S. Shin, T. Hattori

Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Device and Materials　2003年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Influence of structural variation of Ni silicide thin films on electrical property for contact materials

K. Okubo, Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Device and Materials　Vol. 43　No. 4　p. 1896-1900　2003年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Conductive atomic force microscopy analysis for local electrical characteristics in stressed SiO2 gate films

Y. Watanabe, A. Seko, H. Kondo, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Device and Materials　Vol. 43　No. 4　p. 1843-1847　2003年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems

K Kobayashi, M Yabashi, Y Takata, T Tokushima, S Shin, K Tamasaku, D Miwa, T Ishikawa, H Nohira, T Hattori, Y Sugita, O Nakatsuka, A Sakai, S Zaima

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 83　No. 5　p. 1005-1007　2003年8月　研究論文（学術雑誌）

電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価

世古 明義, 渡辺 行彦, 近藤 博基, 酒井 朗, 財満 鎭明, 安田 幸夫

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　Vol. 103　No. 148　p. 1-6　2003年6月26日

Effect of Al interlayers on two-step epitaxial growth of CoSi2 on Si(100)

O Nakatsuka, H Onoda, E Okada, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 216　No. 1-4　p. 174-180　2003年6月　研究論文（学術雑誌）

Solid phase growth of nickel silicide for low resistance contacts in Si and SiGe(C) devices

S. Zaima, Y. Tsuchiya, K. Okubo, O. Nakatsuka, A. Sakai, J. Murota, Y. Yasuda

3rd International SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures Conference　2003年5月

Scanning tunneling microscopy of initial nitridation processes on oxidized Si(100) surface with radical nitrogen

R Takahashi, Y Kobayashi, H Ikeda, M Sakashita, O Nakatsuka, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 42　No. 4B　p. 1966-1970　2003年4月　研究論文（学術雑誌）

Novel nonvolatile random-access memory with Si nanocrystals for ultralow-power scheme

A Shibata, H Kotaki, T Ogura, N Arai, K Adachi, A Kito, S Kakimoto, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 42　No. 4B　p. 2387-2390　2003年4月　研究論文（学術雑誌）

22pXB-10 HRTEM, EELS, EDX を用いた Ni/Si 界面反応への添加元素の影響とナノ構造の研究

杉江 尚, 山崎 順, 田中 信夫, 中塚 理, 大久保 和哉, 酒井 朗, 財満 鎭明, 安田 幸夫

日本物理学会講演概要集　Vol. 58　No. 0　p. 874-874　2003年

Growth of silicon nanocrystals with high number density for floating dot memory

S. Naito, M. Satake, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Digest of Papers - Microprocesses and Nanotechnology 2003 - 2003 International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC 2003　p. 20-21　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

HRTEM and EELS analysis of interfacial reactions in Ti/Si <inf>1-x</inf>Ge<inf>x</inf>/Si(100)

J. Yamasaki, N. Tanaka, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Microscopy and Microanalysis　Vol. 9　No. SUPPL. 2　p. 470-471　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Influence of Si1-xGex interlayers on the initial growth of SiGeC on Si(100)

S. Ariyoshi, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2003)　2003年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Influence of SiGe interlayer on the initial growth of Si1-x-yGexCy on Si(100)

S. Ariyoshi, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

First International SiGe Technology and Device Meeting　2003年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Dislocation structures and strain-relaxation in SiGe buffer layers on Si (001) with thin Ge interlayer

T. Yamamoto, T. Egawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

First International SiGe Technology and Device Meeting　2003年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(001)

T. Egawa, T. Yamamoto, N. Taoka, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

First International SiGe Technology and Device Meeting　2003年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Interfacial reaction and electrical properties in Ni/Si and Ni/SiGe contacts

S. Zaima, O. Nakatsuka, A. Sakai, J. Murota, Y. Yasuda

First International SiGe Technology and Device Meeting　2003年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Non-stoichiometric phase and superlattice in InSb as observed by in situ heating inside an electron microscope

A. Sakai, T. Kamino, H. Saka, T. Imura

2003年1月

Atomistic characterization of radical nitridation process on Si(100) surfaces

Y. Yasuda, A. Sakai, S. Zaima

Proceedings of the International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films VII, Electrochemical Society Proceedings　2003年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Surface and interface smoothing and growth mechanism of epitaxial CoSi2 films by solid-phase epitaxy using adsorbed oxygen layers and the applied two-step growth on Si(001) surfaces

Y. Hayashi, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Japanese Journal of Applied Physics　2003年1月　研究論文（学術雑誌）

Control in the initial growth stage of heteroepitaxial Si1-x-yGexCy on Si(001) substrates

S. Zaima, A. Sakai, Y. Yasuda

Applied Surface Science　2003年1月　研究論文（学術雑誌）

Novel Nonvolatile Random-Access Memory with Si Nanocrystals for Ultralow-Power Scheme

Shibata Akihide, Yasuda Yukio, Kotaki Hiroshi, Ogura Takayuki, Arai Nobutoshi, Adachi Kouichiro, Kito Atsunori, Kakimoto Seizo, Sakai Akira, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 42　No. 4　p. 2387-2390　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Scanning Tunneling Microscopy of Initial Nitridation Processes on Oxidized Si(100) Surface with Radical Nitrogen

Takahashi Ryoya, Kobayashi Yasushi, Ikeda Hiroya, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Sakai Akira, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 42　No. 4　p. 1966-1970　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Local Leakage Current of HfO2 Thin Films Characterized by Conducting Atomic Force Microscopy

Ikeda Hiroya, Goto Tomokazu, Sakashita Mitsuo, Sakai Akira, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 42　No. 4　p. 1949-1953　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Ultra-high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition for formation of TiN as barrier metals

S Naito, M Okada, O Nakatsuka, T Okuhara, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

RAPID THERMAL PROCESSING FOR FUTURE SEMICONDUCTOR DEVICES　p. 29-35　2003年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Low resistance contact with NiSi for sub-0.1 um Si ULSI devices

O. Nakatsuka, Y. Tsuchiya, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2002年10月　研究論文（その他学術会議資料等）

Epitaxial growth of CoSi2 films on oxygen-adsorbed Si(100) surfaces

Y. Hayashi, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Yasuda

Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces　2002年10月

Effect of Al interlayer on two-Step growth of CoSi2 on Si(100)

E. Okada, H. Onoda, O. Nakatsuka, H. Ikeda, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa　2002年10月

Initial growth process of TiN films in ultra-high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition

Y. Okuda, S. Naito, O. Nakatsuka, T. Okuhara, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Advanced Metallization Conference 2002: 12th Asian Session　2002年10月

Structural and electrical properties of HfO2-TiO2 composite films formed by pulsed laser deposition

K. Honda, S. Goto, M. Sakashita, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Device and Materials　2002年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Influence of Ge and C for reaction in Ni/p+-Si1-x-yGexCy/Si(100) contacts

Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, J. Murota, Y. Yasuda

Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Device and Materials　2002年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Control in the initial growth of heteroepitaxial Si1-x-yGexCy on Si(100) substrates

S. Zaima, A. Sakai, Y. Yasuda

2002年7月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

190. Surface smoothing of strain-relaxed SiGe layers on Si substrates in two-step strain relaxation procedure

T. Egawa, T. Yamamoto, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2002年6月

Control of residual strain in SiGe buffer layers on Si substrates with ultra-thin Ge interlayers

T. Yamamoto, T. Egawa, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2002年6月

Effect of Ge on solid phase epitaxy of CoSi2 on Si(100)

O. Nakatsuka, H. Onoda, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Second International WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2002年6月

Structural and electrical properties in Ni/Si(100) contacts

Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2002年6月

Formation mechanism of low resistance contact in NiSi/Si system Ni/Si

O. Nakatsuka, Y. Tsuchiya, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2002年6月

Novel growth method of thin strain-relaxed SiGe films on Si substrates

A. Sakai, K. Sugimoto, T. Yamamoto, M. Okada, H. Ikeda, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Yasuda

Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2002年6月

Characterization of defect traps in SiO2 thin films influence of temperature on defects

JY Rosaye, N Kurumado, M Sakashita, H Ikeda, A Sakai, P Mialhe, JP Charles, S Zaima, Y Yasuda, Y Watanabe

MICROELECTRONICS JOURNAL　Vol. 33　No. 5-6　p. 429-436　2002年5月　研究論文（学術雑誌）

Electrical properties and solid-phase reactions in Ni/Si(100) contacts

Y Tsuchiya, A Tobioka, O Nakatsuka, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 41　No. 4B　p. 2450-2454　2002年4月　研究論文（学術雑誌）

Growth processes and electrical characteristics of silicon nitride films formed on Si(100) by radical nitrogen

H Ikeda, D Matsushita, S Naito, K Ohmori, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 41　No. 4B　p. 2463-2467　2002年4月　研究論文（学術雑誌）

パルスレーザー蒸着法によるHfO₂薄膜の作製と電気的特性

池田浩也, 後藤覚, 本多一隆, 坂下満男, 酒井朗, 財満鎮明, 安田幸夫

電気学会電子材料研究会資料　Vol. 41　No. 4B　p. 2476-2479　2002年4月

Study on solid-phase reactions in Ti/p(+)-Si1-x-yGexCy/Si(100) contacts

A Tobioka, Y Tsuchiya, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, J Murota, Y Yasuda

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　Vol. 89　No. 1-3　p. 373-377　2002年2月　研究論文（学術雑誌）

Improvement in morphology of nickel silicide film with carbon

O. Nakatsuka, Y. Tsuchiya, A. Sakai, S. Zaima, J. Murota, Y. Yasuda

Extended Abstracts of the 3rd International Workshop on Junction Technology, IWJT 2002　p. 71-72　2002年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Growth Processes and Electrical Characteristics of Silicon Nitride Films Formed on Si(100) by Radical Nitrogen.

Ikeda Hiroya, Matsushita Daisuke, Naito Shinya, Ohmori Kenji, Sakai Akira, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 41　No. 4　p. 2463-2467　2002年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Growth of SiGe layers with low threading dislocation density on Si(001) substrates using a two-step strain relaxation procedure

A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Proceedings of the Sixth China-Japan Symposium on Thin Films　2001年11月　研究論文（その他学術会議資料等）

Atomistic observation of SiGeC thin film growth on Si(001) surfaces

Y. Yasuda, S. Zaima, A. Sakai

Proceedings of the Sixth China-Japan Symposium on Thin Films　2001年11月　研究論文（その他学術会議資料等）

Effect of rapid thermal annealing on structural and electrical properties of HfO2 films formed by pulsed laser deposition

K. Honda, S. Goto, M. Sakashita, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2001 International Conference on Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices　2001年11月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Local electrical characteristics of ultra-thin SiO2 films formed on Si(001) surfaces

H Ikeda, N Kurumado, K Ohmori, M Sakashita, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

SURFACE SCIENCE　Vol. 493　No. 1-3　p. 653-658　2001年11月　研究論文（学術雑誌）

Atomistic evolution of Si1-x-yGexCy thin films on Si(001) surfaces

A Sakai, Y Torige, M Okada, H Ikeda, Y Yasuda, S Zaima

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 79　No. 20　p. 3242-3244　2001年11月　研究論文（学術雑誌）

Reduction of threading dislocation density in SiGe layers on Si (001) using a two-step strain-relaxation procedure

A Sakai, K Sugimoto, T Yamamoto, M Okada, H Ikeda, Y Yasuda, S Zaima

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 79　No. 21　p. 3398-3400　2001年11月　研究論文（学術雑誌）

Dislocations and microstructure evolution in semiconductor thin films

A. Sakai

Abstracts of IUVSTA 15th International Vacuum Congress, AVS 48th International Symposium, 11th International Conference on Solid Surfaces, San Francisco　2001年10月

Structural relaxation at SiO2/Si(100) interfaces studied by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy

H. Ikeda, M. Wasekura, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Abstracts of IUVSTA 15th International Vacuum Congress, AVS 48th International Symposium, 11th International Conference on Solid Surfaces, San Francisco　2001年10月

Formation of TiN films by ultra-high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition

S. Naito, M. Okada, O. Nakatsuka, T. Okuhara, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2001年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Study on solid phase Reactions in Ti/p+-Si1-x-yGexCy/Si(100) contacts

A. Tobioka, Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Advanced Metallization Conference 2001: Asian Session　2001年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Electrical properties and solid-phase reactions in Ni/Si(100) contacts

Y. Tsuchiya, A. Tobioka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Extended Abstracts of the 2001 International conference on Solid State Devices and Materials　Vol. 41　No. 4　p. 2450-2454　2001年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Structural and electronic properties of metal-silicide/silicon interfaces: A first-principles study

BD Yu, Y Miyamoto, O Sugino, A Sakai, T Sasaki, T Ohno

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　Vol. 19　No. 4　p. 1180-1185　2001年7月　研究論文（学術雑誌）

Formation of strain-relaxed SiGe films on Si substrates with cap layers

K. Sugimoto, T. Yamamoto, M. Okada, H. Ikeda, A. Sakai, Y. Yasuda, S. Zaima

European Materials Research Society 2001 Spring Meeting E-MRS 2001 (Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2001年6月

Study on solid-phase reaction in Ti/p+-Si1-x-yGexCy/Si(100) contacts

A. Tobioka, Y. Tsuchiya, H. Ikeda, A. Sakai, Y. Yasuda, S. Zaima, J. Murota

European Materials Research Society 2001 Spring Meeting E-MRS 2001 (Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2001年6月

STM study of the initial growth process of SiGeC films on Si(100) surfaces

Y .Torige, M. Okada, H. Ikeda, A. Sakai, Y. Yasuda, S. Zaima

European Materials Research Society 2001 Spring Meeting E-MRS 2001 (Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures　2001年6月

Microscopic observation of X-ray irradiation damage in ultra-thin SiO2 films

K Ohmori, T Goto, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 40　No. 4B　p. 2823-2826　2001年4月　研究論文（学術雑誌）

Atomic-scale characterization of nitridation processes on Si(100)-21 surfaces by radical nitrogen

D. Matsushita, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 40　No. 4B　p. 2827-2829　2001年4月　研究論文（学術雑誌）

Local electrical properties of HfO<inf>2</inf> thin films measured by conducting atomic force microscopy

T. Goto, S. Sakashita, H. Ikeda, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator, IWGI 2001　p. 180-183　2001年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Electrical properties of Ni silicide/silicon contact

Yoshinori Tsuchiya, Osamu Nakatsuka, Hiroya Ikeda, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Advanced Metallization Conference (AMC)　p. 679-684　2001年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Epitaxial lateral overgrowth of GaN

A Usui, A Sakai

ADVANCES IN CRYSTAL GROWTH RESEARCH　p. 191-209　2001年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

選択横方向エピタキシャル成長により形成したGaN膜中の転位構造

酒井朗

まてりあ　Vol. 40　No. 12　2001年1月

Scanning tunneling microscopy study of Ge epitaxy on C-adsorbed Si(100) surfaces

Y. Torige, M. Okada, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

First International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Application to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices, Sendai　2001年1月

Solid-phase reactions of a Ti/Si1-xGex/Si(100) system

A. Tobioka, A. Yamanaka, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

First International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Application to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices　2001年1月

Application of a two-step growth to the formation of epitaxial CoSi2 films on Si(001) surfaces: Comparative study using reactive deposition epitaxy

Y Hayashi, T Katoh, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 40　No. 1　p. 269-275　2001年1月　研究論文（学術雑誌）

パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性

池田浩也, 後藤覚, 本多一隆, 坂下満男, 酒井朗, 財満鎮明, 安田幸夫

電子情報通信学会技術研究報告　Vol. 101　No. 108(SDM2001 53-58)　p. 25-29　2001年1月

Electrical properties of Ni silicide/silicon contact

Y Tsuchiya, O Nakatsuka, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2001 (AMC 2001)　p. 679-684　2001年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Application of a two-step growth to the formation of epitaxial CoSi2 films on Si(001) surfaces: Comparative study using reactive deposition epitaxy

Y Hayashi, T Katoh, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 40　No. 1　p. 269-275　2001年1月　研究論文（学術雑誌）

Real-time observation of initial oxidation on highly B-doped Si(100)-21 surfaces using scanning tunneling microscopy

K. Ohmori, M. Tsukakoshi, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors　Vol. 87　p. 329-330　2001年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Characterization of defect traps in SiO<inf>2</inf> thin films

Jean Yves Rosaye, Pierre Mialhe, Jean Pierre Charles, Mitsuo Sakashita, Hiroya Ikeda, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Active and Passive Electronic Components　Vol. 24　No. 3　p. 169-175　2001年　研究論文（学術雑誌）

Real-time observation of initial oxidation on highly B-doped Si(100)-2x1 surfaces using scanning tunneling microscopy

K Ohmori, M Tsukakoshi, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II　Vol. 87　p. 329-330　2001年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Control of crystal structure and ferroelectric properties of Pb(ZrxTi1-x)O-3 films formed by pulsed laser deposition

H Fujita, S Goto, M Sakashita, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　Vol. 39　No. 12B　p. 7035-7039　2000年12月　研究論文（学術雑誌）

Effects of Sb and O atoms on epitaxial growth of CoSi2(100) films on Si(100) surfaces

H. Onoda, Y. Hayashi, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2000年11月

Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy

M. Okada, I. Suzumura, Y. Torige, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2000年11月

Study on nitridation process of Si(100) surfaces using scanning tunneling microscopy

D. Matsushita, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2000年11月

Hydrogen effects on initial oxidation processes of Si surfaces and relaxation in SiO2 local bonding structures

H. Ikeda, K. Sato, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2000年11月

Local electrical characteristics of ultra-thin SiO2 films formed on Si(100) surfaces

H. Ikeda, N. Kurumado, K. Ohmori, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2000年11月

Characterization of defect traps in SiO2 films

J. -Y. Rosaye, N. Kurumado, M. Sakashita, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2000年11月

Studies on electrical characteristics and solid-phase reactions at metal/silicon interfaces for low-resistivity contacts

S. Zaima, H. Ikeda, A. Sakai, Y. Yasuda

2000年11月

Solid-phase reactions of a Ti/Si1-xGex/Si(100) system

A. Tobioka, A. Yamanaka, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2000年10月　研究論文（その他学術会議資料等）

Effect of Sb atoms on epitaxial growth of CoSi2(100) films on Si(100) surfaces

H. Onoda, Y. Hayashi, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

2000年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象

安田幸夫, 泉川健太, 酒井朗, 財満鎮明

電子情報通信学会技術研究報告　Vol. 99　No. 615(ED99 290-305)　2000年9月

Atomic scale characterization of nitridation process on Si(100)-21 surfaces by radical nitrogen

D. Matsushita, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials　2000年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Microscopic observation of X-ray irradiation damages in ultra-thin SiO2 films

K. Ohmori, T. Goto, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials　2000年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy

Suzumura, I, M Okada, A Muto, Y Torige, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

THIN SOLID FILMS　Vol. 369　No. 1-2　p. 116-120　2000年7月　研究論文（学術雑誌）

Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co/Si systems

Osamu Nakatsuka, Tetsuo Ashizawa, Kenri Nakai, Akihiro Tobioka, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Applied Surface Science　Vol. 159　p. 149-153　2000年6月　研究論文（学術雑誌）

Study on initial oxidation of Si(100)-2×1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy

M. Wasekura, M. Higashi, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Applied Surface Science　Vol. 159　p. 35-40　2000年6月　研究論文（学術雑誌）

Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co/Si systems

O Nakatsuka, T Ashizawa, K Nakai, A Tobioka, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE　Vol. 159　p. 149-153　2000年6月　研究論文（学術雑誌）

Orientation dependence of ferroelectric properties of Pb(Zr<inf>x</inf>Ti<inf>1-x</inf>)O<inf>3</inf> thin films on Pt/SiO<inf>2</inf>/Si substrates

Hirotake Fujita, Mitsunori Imade, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Applied Surface Science　Vol. 159　p. 134-137　2000年6月　研究論文（学術雑誌）

Study on initial oxidation of Si(100)-2×1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy

M. Wasekura, M. Higashi, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Applied Surface Science　Vol. 159　p. 35-40　2000年6月　研究論文（学術雑誌）

Control of crystalline structure and ferroelectric properties of Pb(ZrxTi1-x)O-3 films by pulsed laser deposition

H Fujita, S Goto, S Agata, M Sakashita, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY 2000, DIGEST OF PAPERS　p. 276-277　2000年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Control of crystalline structure and ferroelectric properties of Pb(ZrxTi1-x)O-3 films by pulsed laser deposition

H Fujita, S Goto, S Agata, M Sakashita, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY 2000, DIGEST OF PAPERS　p. 276-277　2000年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

The origin and the creation mechanism of positive charges in silicon oxide films

K Ohmori, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

PHYSICS AND CHEMISTRY OF SIO2 AND THE SI-SIO2 INTERFACE - 4　Vol. 2000　No. 2　p. 345-352　2000年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象

安田幸夫, 泉川健太, 酒井朗, 財満鎭明

電子情報通信学会信学技報　Vol. 99　No. 617　p. 7-11　2000年1月　研究論文（学術雑誌）

Scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy of initial nitridation process of Si(100)-2x1 surfaces

D. Matsushita, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda

Thin Solid Films　2000年1月　研究論文（学術雑誌）

Dislocation propagation in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth

A Sakai, H Sunakawa, A Kimura, A Usui

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　Vol. 49　No. 2　p. 323-330　2000年　研究論文（学術雑誌）

Self-organized propagation of dislocations in GaN films during epitaxial lateral overgrowth

A Sakai, H Sunakawa, A Kimura, A Usui

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 76　No. 4　p. 442-444　2000年1月　研究論文（学術雑誌）

Epitaxial lateral overgrowth of GaN and GaN based light emitting devices

A. Sakai

1999年12月　研究論文（その他学術会議資料等）

Nanometer-scale imaging of strain in Ge island on Si(001) surface

T Ide, A Sakai, K Shimizu

THIN SOLID FILMS　Vol. 357　No. 1　p. 22-25　1999年12月　研究論文（学術雑誌）

Ultrasmall and ultralow threshold GaInAsP-InP microdisk injection lasers: Design, fabrication, lasing characteristics, and spontaneous emission factor

M Fujita, A Sakai, T Baba

IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS　Vol. 5　No. 3　p. 673-681　1999年5月　研究論文（学術雑誌）

Dimer reconstruction at metal-silicide/silicon interfaces: A first-principles study

BD Yu, Y Miyamoto, O Sugino, A Sakai, T Sasaki, T Ohno

ADVANCED INTERCONNECTS AND CONTACTS　Vol. 564　p. 103-108　1999年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

GaN選択横方向成長による転位密度の低減

酒井朗, 碓井彰

応用物理　Vol. 68　No. 7　p. 774-779　1999年1月

半導体ナノテクノロジーと電子顕微鏡 選択横方向成長によって形成されたGaN膜中の転位構造

酒井朗

電子顕微鏡　Vol. 34　No. 3　p. 197-199　1999年1月

Nanometer-scale imaging of lattice deformation with transmission electron micrograph

T Ide, A Sakai, K Shimizu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　Vol. 37　No. 12B　p. L1546-L1548　1998年12月　研究論文（学術雑誌）

Nanometer-scale imaging of strain in Ge island on Si(001) surface

T. Ide, A. Sakai, K. Shimizu

Vol. 357　No. 2　p. 22-25　1998年11月　研究論文（その他学術会議資料等）

Defect morphology and structure in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth

A. Sakai, H. Sunakawa, A. Kimura, A. Usui

1998年11月　研究論文（その他学術会議資料等）

Defect structure in selectively grown GaN films with low threading dislocation density

A. Sakai, H. Sunakawa, A. Usui

Applied Physics Letters　1998年8月　研究論文（学術雑誌）

Transmission electron microscopy of defects in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth

A Sakai, H Sunakawa, A Usui

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 73　No. 4　p. 481-483　1998年7月　研究論文（学術雑誌）

High-quality InGaN MQW on low-dislocation-density GaN substrate grown by hydride vapor-phase epitaxy

C Sasaoka, H Sunakawa, A Kimura, M Nido, A Usui, A Sakai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 189　p. 61-66　1998年6月　研究論文（学術雑誌）

Growth of strain-relaxed Ge films on Si(001) surfaces

A. Sakai, T. Tatsumi, K. Aoyama

Applied Physics Letters　1998年6月　研究論文（学術雑誌）

III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか ハイドライドVPE,MOVPEによるGaN ELO成長

笹岡千秋, 砂川晴夫, 木村明隆, 碓井彰, 酒井朗

日本結晶成長学会誌　Vol. 25　No. 2　1998年1月

Ge/Si系の成長と歪緩和のメカニズム

酒井朗

日本結晶成長学会誌　1998年1月

Valence band splitting of GaN assessed by peculiar strain distribution in HVPE-ELO films

AA Yamaguchi, K Kobayashi, A Sakai, Y Mochizuki, H Sunakawa, A Usui

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　p. 692-695　1998年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Recent progress in epitaxial lateral overgrowth technique for growing bulk GaN by HVPE

A Usui, H Sunakawa, N Kuroda, A Kimura, A Sakai, AA Yamaguchi

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　p. 17-21　1998年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Wide GaN stripes by lateral growth Zn metalorganic vapor phase epitaxy

A Kimura, C Sasaoka, A Sakai, A Usui

NITRIDE SEMICONDUCTORS　Vol. 482　p. 119-124　1998年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Microstructure of GaN films on GaAs(1 0 0) substrates grown by hydride vapor-phase epitaxy

A Sakai, A Kimura, H Sunakawa, A Usui

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 183　No. 1-2　p. 49-61　1998年1月　研究論文（学術雑誌）

選択成長によるGaN膜中の貫通転位密度の低減

酒井朗, 砂川晴夫, 木村明隆, 碓井彰

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 58th　No. 1　1997年12月

Thick GaN epitaxial growth with low dislocation density by hydride vapor phase epitaxy

A Usui, H Sunakawa, A Sakai, AA Yamaguchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　Vol. 36　No. 7B　p. L899-L902　1997年7月　研究論文（学術雑誌）

Growth of strain-relaxed pure Ge films on Si(001)

A. Sakai, T. Tatsumi, N. Ikarashi, T. Niino

1997年3月　研究論文（その他学術会議資料等）

High quality InGaN MQW on low dislocation density GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy

C. Sasaoka, H. Sunakawa, A. Kimura, M. Nido, A. Usui, A. Sakai

Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors　1997年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Surface morphology study for hexagonal GaN grown on GaAs(100) substrates by hydride vapor phase epitaxy

A Kimura, AA Yamaguchi, A Sakai, H Sunakawa, M Nido, A Usui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　Vol. 35　No. 11B　p. L1480-L1482　1996年11月　研究論文（学術雑誌）

Single domain hexagonal GaN films on GaAs(100) vicinal substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

AA Yamaguchi, T Manako, A Sakai, H Sunakawa, A Kimura, M Nido, A Usui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　Vol. 35　No. 7B　p. L873-L875　1996年7月　研究論文（学術雑誌）

Hexagonal GaN films grown on GaAs(100) substrates by hydride vapor phase epitaxy

AA Yamaguchi, T Manako, A Sakai, H Sunakawa, A Kimura, M Nido, A Usui

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES　p. 206-209　1996年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

AN ADVANCED TECHNIQUE FOR FABRICATING HEMISPHERICAL-GRAINED (HSG) SILICON STORAGE ELECTRODES

H WATANABE, T TATSUMI, T IKARASHI, A SAKAI, N AOTO, T KIKKAWA

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　Vol. 42　No. 2　p. 295-300　1995年2月　研究論文（学術雑誌）

Role of Ge surface segregation in Si/Ge interfacial ordering: Interface formation on a monohydride surface

Nobuyuki Ikarashi, Atsushi Oshiyama, Akira Sakai, Toru Tatsumi

Physical Review B　Vol. 51　No. 20　p. 14786-14789　1995年　研究論文（学術雑誌）

超高真空気相成長法によるシリコン低温結晶成長における水素の効果

辰巳徹, 酒井朗, 宮永恵子

応用物理　Vol. 64　No. 11　p. 1129-1132　1995年1月

Ge growth on Si: islanding phenomena and layer-by-layer growth mediated by hydrogen surfactant

A. Sakai, T. Tatsumi

1994年8月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Ge growth on Si using atomic hydrogen as a surfactant

Akira Sakai, Toru Tatsumi

Applied Physics Letters　Vol. 64　No. 1　p. 52-54　1994年　研究論文（学術雑誌）

DEFECT AND ISLAND FORMATION IN STRANSKI-KRASTANOV GROWTH OF GE ON SI(001)

A SAKAI, T TATSUMI

MECHANISMS OF THIN FILM EVOLUTION　Vol. 317　p. 343-348　1994年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Ultrathin Tantalum Oxide Capacitor Process Using Oxygen-Plasma Annealing

Hiroshi Suzuki, Satoshi Kamiyama, Hirohito Watanabe, Hidekazu Kimura, Jun'ichiro Mizuki, Akira Sakai

Journal of the Electrochemical Society　Vol. 141　No. 5　p. 1246-1251　1994年　研究論文（学術雑誌）

DEFECT-MEDIATED ISLAND FORMATION IN STRANSKI-KRASTANOV GROWTH OF GE ON SI(001)

A SAKAI, T TATSUMI

PHYSICAL REVIEW LETTERS　Vol. 71　No. 24　p. 4007-4010　1993年12月　研究論文（学術雑誌）

酸素プラズマ処理を用いたTa₂O₅容量薄膜の形成

鈴木博, 神山聡, 酒井朗, 渡辺啓仁, 石谷明彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集　Vol. 54th　No. 2　1993年9月

Growth kinetics of Si hemispherical grains on clean amorphous-Si surfaces

Akira Sakai, Toru Tatsumi, Koichi Ishida

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　Vol. 11　No. 6　p. 2950-2953　1993年　研究論文（学術雑誌）

Prevention of crystallization by surfactants during Si molecular-beam deposition on amorphous-Si films

Akira Sakai, Toru Tatsumi, Koichi Ishida

Physical Review B　Vol. 47　No. 11　p. 6803-6806　1993年　研究論文（学術雑誌）

Ultra-thin TiN/Ta2O5/W capacitor technology for 1Gbit DRAM

S. Kamiyama, H. Suzuki, H. Watanabe, A. Sakai, M. Oshida, T. Tatsumi, T. Tanigawa, A. Ishitani

IEDM, Tech. Dig.　1993年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Ultrathin Tantalum Oxide Capacitor Dielectric Layers Fabricated Using Rapid Thermal Nitridation prior to Low Pressure Chemical Vapor Deposition

Satoshi Kamiyama, Hiroshi Suzuki, Akihiko Ishitani, Akira Sakai

Journal of the Electrochemical Society　Vol. 140　No. 6　p. 1617-1625　1993年　研究論文（学術雑誌）

Novel seeding method for the growth of polycrystalline Si films with hemispherical grains

A. Sakai, T. Tatsumi

Applied Physics Letters　1992年4月　研究論文（学術雑誌）

ヘテロエピタキシャル成長における歪み緩和と貫通転位の低減－Si(001)基板上の高品質Si1-XGeX歪緩和層の成長－

酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫

日本結晶成長学会誌　1992年1月

半球状グレインポリシリコンの形成機構

辰巳徹, 酒井朗, 五十嵐多恵子, 渡辺啓仁

応用物理　Vol. 61　No. 11　p. 1147-1151　1992年1月

Hemispherical grain silicon for high-density DRAMs

H. Watanabe, A. Sakai, T. Tatsumi, T. Niino

Solid State Technology　1992年1月

CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS-SILICON FILMS WITH NATIVE-OXIDE FREE SURFACES

A SAKAI, T TATSUMI, T NIINO, H ONO, K ISHIDA

DENKI KAGAKU　Vol. 59　No. 12　p. 1043-1049　1991年12月　研究論文（学術雑誌）

An advanced fabrication technology of hemispherical grained (HSG) poly-Si for high capacitance storage electrodes

H. Watanabe, T. Tatsumi, T. Niino, A. Sakai, S. Adachi, N. Aoto, K. Koyama, T. Kikkawa

Extended Abstracts of the 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials　1991年9月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS-SILICON WITH CLEAN SURFACES

A SAKAI, H ONO, K ISHIDA, T NIINO, T TATSUMI

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　Vol. 30　No. 6A　p. L941-L943　1991年6月　研究論文（学術雑誌）

STRUCTURAL MODIFICATION OF A 7X7 SUPERSTRUCTURE BURIED AT THE AMORPHOUS SI/SI(111) INTERFACE DURING SOLID-PHASE EPITAXIAL-GROWTH

A SAKAI, T TATSUMI, HIROSAWA, I, H ONO, K ISHIDA

SURFACE SCIENCE　Vol. 249　No. 1-3　p. L300-L306　1991年6月　研究論文（学術雑誌）

DISLOCATION-RELATED PHOTOLUMINESCENCE IN SI1-XGEX/SI(100) GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

K TERASHIMA, M TAJIMA, A SAKAI, T TATSUMI

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　Vol. 111　No. 1-4　p. 920-924　1991年5月　研究論文（学術雑誌）

High resolution transmission electron microscopy of semiconductor heterointerface

K. Ishida, A. Sakai, N. Ikarashi, H. Ono

NEC Res. Dev.　Vol. 32　1991年1月　研究論文（学術雑誌）

Crystallization of amorphous silicon with clean surfaces

Akira Sakai, Haruhiko Ono, Koichi Ishida, Taeko Niino, Torn Tatsumi

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 30　No. 6　p. L941-L943　1991年　研究論文（学術雑誌）

Dislocation-related photoluminescence in Si1-xGex/Si(100) grown by molecular beam epitaxy

K. Terashima, M. Tajima, A. Sakai, T. Tatsumi

J. Cryst. Growth　Vol. 111　1991年1月　研究論文（学術雑誌）

Structural modification of a 7x7 superstructure buried at the amorphous-Si/Si(111) interface during solid phase epitaxial growth

A. Sakai, T. Tatsumi, I. Hirosawa, H. Ono, K. Ishida

Surf. Sci. Lett.　Vol. 249　1991年1月　研究論文（学術雑誌）

HIGH-RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY OF GAAS/ALAS HETEROINTERFACES GROWN ON THE MISORIENTED SUBSTRATE IN THE (110) PROJECTION

N IKARASHI, A SAKAI, T BABA, K ISHIDA, J MOTOHISA, H SAKAKI

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 57　No. 19　p. 1983-1985　1990年11月　研究論文（学術雑誌）

HIGH-RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY OF GAAS/ALAS HETEROSTRUCTURES IN THE (110) PROJECTION

N IKARASHI, A SAKAI, T BABA, K ISHIDA, J MOTOHISA, H SAKAKI

HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY OF DEFECTS IN MATERIALS　Vol. 183　p. 187-192　1990年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

SI/SIOX/SI HOLE-BARRIER FABRICATION FOR BIPOLAR-TRANSISTORS USING MOLECULAR-BEAM DEPOSITION

T TATSUMI, T NIINO, A SAKAI, H HIRAYAMA, F SATO

THIN SOLID FILMS　Vol. 184　No. 1-2　p. 229-235　1990年1月　研究論文（学術雑誌）

DIRECT OBSERVATION OF A 7X7 SUPERSTRUCTURE BURIED AT THE AMORPHOUS-SI/SI(111) INTERFACE

A SAKAI, T TATSUMI, K ISHIDA

ATOMIC SCALE STRUCTURE OF INTERFACES　Vol. 159　p. 315-320　1990年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Interface structure of Si/SiO2/Si formed by molecular beam deposition

A. Sakai, T. Tatsumi, H. Hirayama, K. Ishida

1990年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

HIGH-RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY OF GAAS/ALAS HETEROSTRUCTURES IN THE (110) PROJECTION

N IKARASHI, A SAKAI, T BABA, K ISHIDA, J MOTOHISA, H SAKAKI

HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY OF DEFECTS IN MATERIALS　Vol. 183　p. 187-192　1990年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

SI/SIOX/SI HOLE-BARRIER FABRICATION FOR BIPOLAR-TRANSISTORS USING MOLECULAR-BEAM DEPOSITION

T TATSUMI, T NIINO, A SAKAI, H HIRAYAMA, F SATO

THIN SOLID FILMS　Vol. 184　p. 229-235　1990年1月　研究論文（学術雑誌）

Interface structural analysis of Si/SiO2/Si structure formed by molecular beam deposition for a hole-barrier in bipolar transistor

A. Sakai, T. Tatsumi, T. Niino, H. Hirayama, K. Ishida

Semiconductor Silicon 1990, Proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology　1990年1月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

Defect characterization and gettering effect in excimer laser gettering

Akira Sakai, Yoshio Ohshita, Akihiko Ishitani, Kazumi Takemura, Fumitoshi Toyokawa, Masao Mikami

Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics)　Vol. 73　No. 5　p. 91-97　1990年　研究論文（学術雑誌）

Characterization of interface structures formed by Si-MBE

A. Sakai

J. Electron Microscopy　Vol. 39　1990年1月　研究論文（その他学術会議資料等）

DIRECT OBSERVATION OF A 7X7 SUPERSTRUCTURE BURIED AT THE AMORPHOUS-SI/SI(111) INTERFACE

A SAKAI, T TATSUMI, K ISHIDA

ATOMIC SCALE STRUCTURE OF INTERFACES　Vol. 159　p. 315-320　1990年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

High-resolution transmission electron microscopy of GaAs/AlAs heterointerfaces grown on the misoriented substrate in the 〈110〉 projection

Nobuyuki Ikarashi, Akira Sakai, Toshio Baba, Koichi Ishida, Junich Motohisa, Hiroyuki Sakaki

Applied Physics Letters　Vol. 57　No. 19　p. 1983-1985　1990年　研究論文（学術雑誌）

DIRECT OBSERVATION OF A 7X7 SUPERSTRUCTURE AT THE AMORPHOUS SI/SI(111) INTERFACE BY CROSS-SECTIONAL HIGH-RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY

A SAKAI, T TATSUMI, K ISHIDA

SURFACE SCIENCE　Vol. 224　No. 1-3　p. L956-L964　1989年12月　研究論文（学術雑誌）

HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY OF THE GAAS/ALGAAS HETEROINTERFACE WITH (200) AND TRANSMITTED BEAMS

N IKARASHI, A SAKAI, T BABA, K ISHIDA

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 55　No. 24　p. 2509-2511　1989年12月　研究論文（学術雑誌）

INTERFACE ATOMIC-STRUCTURE OF SI/SIO2/SI FORMED BY MOLECULAR-BEAM DEPOSITION

A SAKAI, T TATSUMI, T NIINO, H HIRAYAMA, K ISHIDA

APPLIED PHYSICS LETTERS　Vol. 55　No. 24　p. 2500-2502　1989年12月　研究論文（学術雑誌）

エキシマレーザゲッタリングにおける欠陥の形成機構とゲッタリング効果

酒井朗, 竹村和美, 豊川文敏, 三上雅生, 大下祥雄, 石谷明彦

電子情報通信学会論文誌 C　Vol. J72-C-II　No. 5　p. 589-594　1989年5月　研究論文（学術雑誌）

Si/SiOx/Si Hole-Barrier Fabrication for Bipolar Transistors Using Molecular Beam Deposition

Toru Tatsumi, Taeko Niino, Akira Sakai, Hiroyuki Hirayama

Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 28　No. 10 A　p. L1678-L1681　1989年　研究論文（学術雑誌）

Direct observation of a 7x7 superstructure at the amorphous-Si/Si(111) interface by cross-sectional high resolution transmission electron microscopy

A. Sakai, T. Tatsumi, K. Ishida

Surf. Sci.　Vol. 224　1989年1月　研究論文（学術雑誌）

High-resolution electron microscopy of the GaAs/AlGaAs heterointerface with (200) and transmitted beams

Nobuyuki Ikarashi, Akira Sakai, Toshio Baba, Koichi Ishida

Applied Physics Letters　Vol. 55　No. 24　p. 2509-2511　1989年　研究論文（学術雑誌）

Interface atomic structure of Si/SiO2/Si formed by molecular beam deposition

Akira Sakai, Toru Tatsumi, Taeko Niino, Hiroyuki Hirayama, Koichi Ishida

Applied Physics Letters　Vol. 55　No. 24　p. 2500-2502　1989年　研究論文（学術雑誌）

エキシマレーザゲッタリングにおける欠陥の形成機構とゲッタリング効果

酒井朗, 竹村和美, 豊川文敏, 三上雅生, 大下祥雄, 石谷明彦

電子情報通信学会論文誌　Vol. J72-C-II　1989年1月　研究論文（学術雑誌）

NATURE OF LATTICE-DEFECTS INDUCED BY EXCIMER LASER IRRADIATION FOR EXTRINSIC GETTERING

A SAKAI, H ONO, Y OHSHITA, J MATSUI

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　Vol. 27　No. 2　p. L155-L158　1988年2月　研究論文（学術雑誌）

Excimer laser gettering of Si wafer

K. Takemura, F. Toyokawa, Y. Ohshita, A. Sakai, A. Ishitani, M. Mikami

NEC Research and Development　Vol. 90　1988年1月　研究論文（学術雑誌）

Excimer laser gettering of Si wafer

K. Takemura, F. Toyokawa, Y. Ohshita, A. Sakai, A. Ishitani, M. Mikami

NEC Res. Dev.　Vol. 90　1988年1月　研究論文（学術雑誌）

Nature of lattice defects induced by excimer laser irradiation for extrinsic gettering

A. Sakai, H. Ono, Y. Ohshita, J. Matsui

Jpn. J. Appl. Phys.　Vol. 27　1988年1月　研究論文（学術雑誌）

PREPARATION OF HIGHLY PERFECT SINGLE-CRYSTALS OF FE-3 WT-PERCENT SI

H SAKA, A SAKAI, T IMURA, S NAKATANI, S KIKUTA

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　Vol. 101　No. 1　p. 51-55　1987年5月　研究論文（学術雑誌）

A new gettering of Si wafer by excimer laser irradiation

F. Toyokawa, K. Takemura, Y. Ohshita, A. Sakai

J. Electrochem. Soc.　Vol. 134　1987年1月　研究論文（学術雑誌）

Preparation of highly perfect single crystals of Fe3 wt%Si

H. Saka, A. Sakai, T. Imura, S. Nakatani, S. Kikuta

physica status solidi (a)　Vol. 101　No. 1　p. 51-55　1987年　研究論文（学術雑誌）

REDUCTION OF DISLOCATION DENSITY IN SI BY THERMAL CYCLIC ANNEALING

A SAKAI, H SAKA, T IMURA

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　Vol. 97　No. 1　p. 57-63　1986年9月　研究論文（学術雑誌）

INSITU HREM OBSERVATION OF SOLID LIQUID INTERFACE

H SAKA, A SAKAI, T KAMINO, T IMURA

PHILOSOPHICAL MAGAZINE A-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STRUCTURE DEFECTS AND MECHANICAL PROPERTIES　Vol. 52　No. 3　p. L29-L32　1985年　研究論文（学術雑誌）