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小島 一信
Kojima Kazunobu
小島 一信
Kojima Kazunobu
工学研究科 電気電子情報通信工学専攻,教授

keyword レーザ照明,発光量子効率計測,深紫外光無線通信,ナノエレクトロニクス,光物性

経歴 9

  1. 2025年4月 ~ 継続中
    大阪大学 カーボンニュートラル連携機構 教授(兼任)

  2. 2021年12月 ~ 継続中
    大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 教授

  3. 2014年4月 ~ 2021年12月
    東北大学 多元物質科学研究所 准教授

  4. 2011年7月 ~ 2014年3月
    京都大学大学院工学研究科 GL教育センター 講師

  5. 2011年7月 ~ 2014年3月
    京都大学大学院工学研究科 電子工学専攻 講師(兼任)

  6. 2008年10月 ~ 2011年6月
    京都大学大学院工学研究科 電子工学専攻 特定助教(GCOE)

  7. 2008年4月 ~ 2008年9月
    日本学術振興会 特別研究員(PD)

  8. 2005年4月 ~ 2008年3月
    日本学術振興会 特別研究員(DC1)

  9. 2006年5月 ~ 2006年7月
    レーゲンスブルグ大学 客員研究員

委員歴 20

  1. Scientific reports Editorial board member 学協会

    2022年 ~ 継続中

  2. 窒化物半導体国際ワークショップ 2026 出版委員会副委員長 学協会

    2025年 ~ 2027年

  3. 応用物理学会 APEX/JJAP編集委員 学協会

    2025年 ~ 2027年

  4. ワイドギャップ半導体学会 学界委員 学協会

    2022年 ~ 2026年

  5. ナノテスティング学会 企画運営委員会 委員 学協会

    2022年 ~ 2026年

  6. ワイドギャップ半導体学会 企画副査 学協会

    2023年 ~ 2025年

  7. IWN2024 論文委員 学協会

    2024年 ~ 2024年

  8. 光電相互変換第125委員会 幹事委員 学協会

    2018年 ~ 2024年

  9. ICNS-14 論文委員会 委員 学協会

    2023年 ~ 2023年

  10. ICNS-14 出版委員会 庶務委員 学協会

    2023年 ~ 2023年

  11. 応用物理学会 応用物理 編集委員 学協会

    2021年 ~ 2023年

  12. IWN2022 論文委員会 委員 学協会

    2022年 ~ 2022年

  13. 応用物理学会 代議員 学協会

    2017年 ~ 2021年

  14. CSW2019 論文委員会 委員 学協会

    2019年 ~ 2019年

  15. ICNS-13 論文委員会 委員、ランプセッションオーガナイザ 学協会

    2019年 ~ 2019年

  16. IWN2018 出版委員会 委員 学協会

    2018年 ~ 2018年

  17. ICNS2017 論文委員会 委員 学協会

    2017年 ~ 2017年

  18. IWUMD2017 論文委員会 委員 学協会

    2017年 ~ 2017年

  19. SSDM 論文委員会 委員 学協会

    2014年 ~ 2016年

  20. SSDM2012 実行委員会 委員、ショートコースオーガナイザ 学協会

    2012年 ~ 2012年

所属学会 3

  1. ナノテスティング学会

  2. レーザー学会

  3. 応用物理学会

研究内容・専門分野 3

  1. 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

  2. ナノテク・材料 / ナノ構造物理 /

  3. ナノテク・材料 / 結晶工学 /

受賞 12

  1. 第57回(2024年秋季)応用物理学会講演奨励賞

    村田 雄生, 市川修平, 戸田晋太郎, 藤原康文, 小島 一信 公益社団法人 応用物理学会 2024年11月

  2. Young Researcher’s Paper Award

    Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Kazunobu Kojima The 10th Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA 2024) 2024年4月

  3. Outstanding Reviewer Award

    Kazunobu Kojima IOP Publishing 2021年3月

  4. 研究奨励賞

    小島 一信 ナイトライド基金 2019年12月

  5. 研究奨励賞

    小島 一信 光電相互変換第125委員会 2019年10月

  6. ベストポスター賞

    S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. Uedono The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019年7月

  7. Best Paper Award,

    K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019), 2019年6月

  8. Student's Paper Award of LEDIA'18

    Y.Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu LEDIA 2018年4月

  9. 平成29年度「科学計測振興基金」科学計測振興賞

    小島 一信 国立大学法人 東北大学 多元物質科学研究所 2017年12月

  10. 平成21年度ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞

    小島一信 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2009年5月

  11. 第27回電子材料シンポジウム賞

    小島一信 電子材料シンポジウム 2008年7月

  12. 第23回(2007年秋季)応用物理学会講演奨励賞

    小島一信 応用物理学会 2008年3月

論文 92

  1. Switching of major nonradiative recombination centers (NRCs) from carbon impurities to intrinsic NRCs in GaN crystals

    K. Sano, H. Fujikura, T. Konno, S. Kaneki, S. Ichikawa, K. Kojima

    Applied Physics Letters Vol. 124 No. 23 2024年6月3日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:AIP Publishing
  2. 230 nm wavelength range far-UVC LED with low Al-composition differentiation between well and barrier layers of MQWs

    Kenjiro Uesugi, Ryota Akaike, Shuhei Ichikawa, Takao Nakamura, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake

    Applied Physics Express 2024年4月1日 研究論文(学術雑誌)

  3. Anti-Stokes photoluminescence from CsPbBr3 nanostructures embedded in a Cs4PbBr6 crystal

    Yuto Kajino, Shuji Otake, Takumi Yamada, Kazunobu Kojima, Tomoya Nakamura, Atsushi Wakamiya, Yoshihiko Kanemitsu, Yasuhiro Yamada

    Physical Review Materials Vol. 6 No. 4 2022年4月14日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:American Physical Society ({APS})
  4. Up-to 292-Mbps Deep-UV Communication over a Diffuse-Line-of-Sight Link Based on Silicon Photo Multiplier Array

    Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Atsushi Kanno, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinari Awaji

    2020 European Conference on Optical Communications (ECOC) 2020年12月 研究論文(国際会議プロシーディングス)

    出版者・発行元:IEEE
  5. Determination of deformation potentials in InGaN at visible light region

    Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima

    Journal of Applied Physics Vol. 138 No. 3 2025年7月15日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:AIP Publishing
  6. Optical Cooling of Dot-in-Crystal Halide Perovskites: Challenges of Nonlinear Exciton Recombination

    Yasuhiro Yamada, Takeru Oki, Takeshi Morita, Takumi Yamada, Mitsuki Fukuda, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima, Yoshihiko Kanemitsu

    Nano Letters 2024年8月29日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)
  7. Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rock salt-structured MgxZn1−xO

    Takeyoshi Onuma, Kanta Kudo, Mizuki Ono, Wataru Kosaka, Kohei Shima, Kyohei Ishii, Kentaro Kaneko, Yuichi Ota, Tomohiro Yamaguchi, Kazunobu Kojima, Shizuo Fujita, Shigefusa F. Chichibu, Tohru Honda

    Journal of Applied Physics Vol. 134 No. 2 2023年7月13日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:AIP Publishing
  8. Weak metastability of AlxGa1-xN (x=13/24, 15/24, 17/24) shown by analyzing AlGaN grown on AlN with dense macrosteps

    Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ipponmatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 15 No. 7 p. 075505-075505 2022年6月16日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:IOP Publishing
  9. Enhanced quantum efficiency of a self-organized silica mixed red phosphor CaAlSiN3:Eu

    Masatsugu Oishi, Shohei Shiomi, Koji Ohara, Fumito Fujishiro, Yoichiro Kai, Shao-Ju Shih, Toshihiro Moriga, Shigefusa F. Chichibu, Aiko Takatori, Kazunobu Kojima

    Journal of Solid State Chemistry Vol. 309 p. 122968-122968 2022年5月 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:Elsevier BV
  10. Precise determination of deformation potentials in InGaN alloy material in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells

    Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Atsushi A YAMAGUCHI

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 61 No. 6 p. 061003-061003 2022年3月31日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:{IOP} Publishing
  11. Dual-peak electroluminescence spectra generated from Al n/12Ga1-n/12N (n=2, 3, 4) for AlGaN-based LEDs with nonflat quantum wells

    Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Shigefusa F. Chichibu

    Journal of Physics D: Applied Physics 2022年3月11日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:{IOP} Publishing
  12. Characterization of semiconductor crystals based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy

    Kazunobu Kojima

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 2022年2月

  13. Discrete wavelengths observed in electroluminescence originating from Al1/2Ga1/2N and Al1/3Ga2/3N created in nonflat AlGaN quantum wells

    Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Shigefusa F Chichibu

    Journal of Physics D: Applied Physics Vol. 54 No. 48 p. 485107-485107 2021年12月2日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:IOP Publishing
  14. Dopant activation process in Mg-implanted GaN studied by monoenergetic positron beam

    Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

    Scientific Reports Vol. 11 No. 1 2021年12月 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:Springer Science and Business Media LLC
  15. Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg

    K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Kojima, A. Uedono, S. Ishibashi, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters Vol. 119 No. 18 p. 182106-182106 2021年11月1日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:{AIP} Publishing
  16. Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes

    Takayuki Nakano, Ken Mochizuki, Takuya Arikawa, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Adrian Vogt, Sebastian Schütt, Michael Fiederle, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki

    Journal of Applied Physics Vol. 130 No. 12 p. 124501-124501 2021年9月28日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:AIP Publishing
  17. Facile method for the synthesis of zinc- or magnesium-doped gallium nitride powders from gallium metal

    Daisuke Tomida, Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouhei Kurimoto, Kazunobu Kojima, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

    Journal of Crystal Growth Vol. 570 p. 126190-126190 2021年9月 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:Elsevier {BV}
  18. Reduced nonradiative recombination rates in c-plane Al0.83In0.17N films grown on a nearly lattice-matched GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

    L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, A. Uedono, S. Ishibashi, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters Vol. 119 No. 9 p. 091105-091105 2021年8月30日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:AIP Publishing
  19. 【Plenary】Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors

    Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shoji Ishibashi, Akira Uedono

    Proceedings of IWJT2021 2021年6月10日 研究論文(国際会議プロシーディングス)

    出版者・発行元:IEEE
  20. Discrete AlN mole fraction of n/12 (n = 4–8) in Ga-rich zones functioning as electron pathways created in nonflat AlGaN layers grown on high-miscut sapphire substrates

    Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Journal of Applied Physics Vol. 129 No. 16 p. 164503-164503 2021年4月28日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:AIP Publishing
  21. Correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime of the near-band-edge emission in a ZnO single crystal grown by the hydrothermal method

    Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 No. 12 p. 121005-121005 2020年12月1日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:IOP Publishing
  22. Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1−xInxN on GaN

    Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Yoshihiro Kangawa

    Scientific Reports Vol. 10 No. 1 2020年12月 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:Springer Science and Business Media LLC
  23. Detailed analysis of Ga-rich current pathways using n-Al0.7Ga0.3N layer grown on AlN template with dense macrosteps

    Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ipponmatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 No. 12 p. 124001-124001 2020年11月17日 研究論文(学術雑誌)

  24. Urbach–Martienssen tail as the origin of the two-peak structure in the photoluminescence spectra for the near-band-edge emission of a freestanding GaN crystal observed by omnidirectional photoluminescence spectroscopy

    Applied Physics Letters Vol. 117 No. 17 p. 171103-171103 2020年10月26日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:
  25. Characterization of AlGaN multiple-quantum-wells grown on c-plane AlN/sapphire templates with macro-steps

    Kazunobu Kojima

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 2020年10月

  26. Temperature dependence of internal quantum efficiency of radiation for the near-band-edge emission of GaN crystals quantified by omnidirectional photoluminescence spectroscopy

    Kazunobu Kojima, Kenichiro Ikemura, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 No. 10 p. 105504-105504 2020年10月1日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:{IOP} Publishing
  27. Self-organized micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications

    K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters Vol. 117 No. 3 p. 031103-031103 2020年7月20日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:AIP Publishing
  28. Hole capture-coefficient of intrinsic nonradiative recombination centers that commonly exist in bulk, epitaxial, and proton-irradiated ZnO

    S. F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi

    Journal of Applied Physics Vol. 127 No. 215704 p. 1-6 2020年6月 研究論文(学術雑誌)

  29. Characterization of a Self-Organized Deep-Ultraviolet Micro-Light-Emitting Diode Structure for High-Speed Solar-Blind Optical Wireless Communications

    Kazunobu Kojima, Yuki Yoshida, Masaki Shiraiwa, Yoshinari Awaji, Atsushi Kanno, Naokatsu Yamamoto, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Shigefusa F. Chichibu

    Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS Vol. 2020- 2020年5月1日 研究論文(国際会議プロシーディングス)

    出版者・発行元:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  30. Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN

    Masahiro Takahashi, Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 59 No. 5 p. 056502-056502 2020年5月1日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:IOP Publishing
  31. Ammonothermal growth of 2 inch long GaN single crystals using an acidic NH4F mineralizer in a Ag-lined autoclave

    Daisuke Tomida, Quanxi Bao, Makoto Saito, Ryu Osanai, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 2020年5月1日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:{IOP} Publishing
  32. Analyzing oxygen and silicon incorporation in GaN microstructures composed of c-planes and angled facets by confocal magneto-photoluminescence microscopy

    Akinori Kamiyama, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Go Yusa

    AIP Advances Vol. 10 2020年3月1日 研究論文(学術雑誌)

  33. Theoretical analysis of photo-recycling effect on external quantum efficiency considering spatial carrier dynamics

    H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 59 2020年2月 研究論文(学術雑誌)

  34. Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors

    Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shoji Ishibashi, Akira Uedono

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering Vol. 11280 2020年 研究論文(国際会議プロシーディングス)

    出版者・発行元:SPIE
  35. Roles of carbon impurities and intrinsic nonradiative recombination centers on the carrier recombination processes of GaN crystals

    Kazunobu Kojima, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Hajime Fujikura, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 2020年1月1日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics
  36. Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macrosteps using cathodoluminescence spectroscopy

    Yosuke Nagasawa, Ryuichi Sugie, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Shigefusa F. Chichibu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 126 No. 21 2019年12月 研究論文(学術雑誌)

  37. Suppression of green luminescence of Mg-ion-implanted GaN by subsequent implantation of fluorine ions at high temperature

    M. Takahashi, A. Tanaka, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. J. Chen, H. Amano

    Phys. Status Solidi B Vol. 2019 No. 4 2019年11月 研究論文(学術雑誌)

  38. In-plane optical polarization and dynamic properties of the near-band-edge emission of an m -plane freestanding AlN substrate and a homoepitaxial film

    Chichibu, S.F., Kojima, K., Hazu, K., Ishikawa, Y., Furusawa, K., Mita, S., Collazo, R., Sitar, Z., Uedono, A.

    Applied Physics Letters Vol. 115 No. 15 p. 151903-1-5 2019年10月7日 研究論文(学術雑誌)

  39. Internal quantum efficiency of radiation in a bulk CH3NH3PbBr3 perovskite crystal quantified by using the omnidirectional photoluminescence spectroscopy

    K. Kojima, K. Ikemura, K. Matsumori, Y. Yamada, Y. Kanemitsu, S. F. Chichibu

    APL Materials Vol. 7 No. 7 p. 071116-071116 2019年7月 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:
  40. Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

    Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 58 2019年6月

  41. Theoretical Formulation of Experimentally Observed Quantum Efficiency of Radiation in Semiconducting Crystal

    H. Asai, K. Kojima, S.F.Chichibu, K.Fukuda

    PHYSICAL REVIEW APPLIED Vol. 12 No. 1 p. 014002-1-014002-12 2019年6月 研究論文(学術雑誌)

  42. Impact of growth temperature on the structural properties of bgan films grown by metal-organic vapor phase epitaxy using trimethylboron

    Ebara, K., Mochizuki, K., Inoue, Y., Aoki, T., Kojima, K., Chichibu, S.F., Nakano, T.

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 58 No. SC p. SC1042-1-SC1042-5 2019年6月1日 研究論文(学術雑誌)

  43. Quantification of the quantum efficiency of radiation of a freestanding GaN crystal placed outside an integrating sphere

    Kojima, K., Ikemura, K., Chichibu, S.F.

    Applied Physics Express Vol. 12 No. 6 p. 062010-1-062010-4 2019年6月1日 研究論文(学術雑誌)

  44. Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures

    Chichibu, S.F., Shima, K., Kojima, K., Takashima, S.-Y., Ueno, K., Edo, M., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Ishibashi, S., Uedono, A.

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 58 No. SC p. SC0802-1-SC0802-10 2019年6月1日 研究論文(学術雑誌)

  45. Comparison of Al <inf>x</inf> Ga<inf>1-x</inf>N multiple quantum wells designed for 265 and 285 nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps

    Nagasawa, Y., Kojima, K., Hirano, A., Ipponmatsu, M., Honda, Y., Amano, H., Akasaki, I., Chichibu, S.F.

    Applied Physics Express Vol. 12 No. 6 p. 064009-1-064009-6 2019年5月14日 研究論文(学術雑誌)

  46. Annealing Behavior of Vacancy-Type Defects in Mg- and H-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams

    Uedono, A., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Egger, W., Koschine, T., Hugenschmidt, C., Dickmann, M., Shima, K., Kojima, K., Chichibu, S.F., Ishibashi, S.

    Physica Status Solidi (B) Basic Research 2019年 研究論文(学術雑誌)

  47. Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AlN template with macrosteps

    Kojima, K., Nagasawa, Y., Hirano, A., Ippommatsu, M., Honda, Y., Amano, H., Akasaki, I., Chichibu, S.F.

    Applied Physics Letters Vol. 114 No. 1 2019年1月 研究論文(学術雑誌)

  48. Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of (000 1 ) p-type GaN fabricated by sequential ion-implantation of Mg and H

    Shima, K., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Kojima, K., Uedono, A., Chichibu, S.F.

    Applied Physics Letters Vol. 113 No. 19 p. 191901-1-191901-5 2018年11月 研究論文(学術雑誌)

  49. Large electron capture-cross-section of the major nonradiative recombination centers in Mg-doped GaN epilayers grown on a GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi, A. Uedono

    Applied Physics Letters Vol. 112 No. 21 p. 211901-1-5 2018年5月21日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:American Institute of Physics Inc.
  50. Polarity-dependence of the defect formation in c -axis oriented ZnO by the irradiation of an 8 MeV proton beam

    Kazuto Koike, Mitsuaki Yano, Shun-Ichi Gonda, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Journal of Applied Physics Vol. 123 No. 16 p. 161562-1-7 2018年4月28日 研究論文(学術雑誌)

  51. The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN

    S. F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi

    Journal of Applied Physics Vol. 123 No. 16 p. 161413-1-13 2018年4月28日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:American Institute of Physics Inc.
  52. Carrier Trapping by Vacancy-Type Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams

    Akira Uedono, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Katsunori Ueno, Hideaki Matsuyama, Werner Egger, Tönjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Marcel Dickmann, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

    Physica Status Solidi (B) Basic Research Vol. 255 No. 4 p. 1700521-1-9 2018年4月1日 研究論文(学術雑誌)

  53. Photocatalytic NO removal over calcium-bridged siloxenes under ultraviolet and visible light irradiation

    Haruo Imagawa, Xiaoyong Wu, Hiroshi Itahara, Shu Yin, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Tsugio Sato

    Dalton Transactions Vol. 47 No. 20 p. 7070-7076 2018年 研究論文(学術雑誌)

  54. High temperature degradation mechanism of a red phosphor, CaAlSiN3:Eu for solid-state lighting

    Masatsugu Oishi, Shohei Shiomi, Takashi Yamamoto, Tomoyuki Ueki, Yoichiro Kai, Shigefusa F. Chichibu, Aiko Takatori, Kazunobu Kojima

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 122 No. 11 p. 113104-1-8 2017年9月 研究論文(学術雑誌)

  55. Demonstration of omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for precise determination of internal quantum efficiency of radiation in GaN single crystals

    Kazunobu Kojima, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 111 No. 3 p. 032111-1-4 2017年7月 研究論文(学術雑誌)

  56. Photocatalytic activity of silicon-based nanoflakes for the decomposition of nitrogen monoxide

    Hiroshi Itahara, Xiaoyong Wu, Haruo Imagawa, Shu Yin, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Tsugio Sato

    DALTON TRANSACTIONS Vol. 46 No. 26 p. 8643-8648 2017年7月 研究論文(学術雑誌)

  57. Nitrogen vacancies as a common element of the green luminescence and nonradiative recombination centers in Mg-implanted GaN layers formed on a GaN substrate

    Kazunobu Kojima, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Katsunori Ueno, Mitsuaki Shimizu, Tokio Takahashi, Shoji Ishibashi, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS Vol. 10 No. 6 p. 061002-1-4 2017年6月 研究論文(学術雑誌)

  58. A Low-Symmetry Cubic Mesophase of Dendronized CdS Nanoparticles and Their Structure-Dependent Photoluminescence

    Masaki Matsubara, Warren Stevenson, Jun Yabuki, Xiangbing Zeng, Haoliang Dong, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Kaoru Tamada, Atsushi Muramatsu, Goran Ungar, Kiyoshi Kanie

    CHEM Vol. 2 No. 6 p. 860-876 2017年6月 研究論文(学術雑誌)

  59. Defect-Resistant Radiative Performance of m-Plane Immiscible Al1-xInxN Epitaxial Nanostructures for Deep-Ultraviolet and Visible Polarized Light Emitters

    Shigefusa F. Chichibu, Kazunobu Kojima, Akira Uedono, Yoshitaka Sato

    ADVANCED MATERIALS Vol. 29 No. 5 2017年2月 研究論文(学術雑誌)

  60. A design strategy for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high-AlN-mole-fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells

    Kazunobu Kojima, Kentaro Furusawa, Yoshiki Yamazaki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Shigefusa F. Chichibu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS Vol. 10 No. 1 p. 015802-1-4 2017年1月 研究論文(学術雑誌)

  61. Determination of absolute value of quantum efficiency of radiation in high quality GaN single crystals using an integrating sphere

    Kazunobu Kojima, Tomomi Ohtomo, Ken-ichiro Ikemura, Yoshiki Yamazaki, Makoto Saito, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 120 No. 1 p. 015704-1-7 2016年7月 研究論文(学術雑誌)

  62. Electronic and optical characteristics of an m-plane GaN single crystal grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer

    Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 55 No. 5 p. 05FA03-1-4 2016年5月 研究論文(学術雑誌)

  63. Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate

    Kazunobu Kojima, Daiki Kagaya, Yoshiki Yamazaki, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 55 No. 5 p. 05FG04-1-5 2016年5月 研究論文(学術雑誌)

  64. Controlling the carrier lifetime of nearly threading-dislocation-free ZnO homoepitaxial films by 3d transition-metal doping

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, A. Uedono

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 108 No. 2 p. 021904-1-5 2016年1月 研究論文(学術雑誌)

  65. Low-resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point-defect concentrations grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method

    Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS Vol. 8 No. 9 p. 095501-1-4 2015年9月 研究論文(学術雑誌)

  66. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    子情報通信学会技術研究報告 Vol. 115 No. 15 2015年

  67. Pulse capture without carrier absorption in dynamic Q photonic crystal nanocavities

    Jeremy Upham, Hiroki Inoue, Yoshinori Tanaka, Wolfgang Stumpf, Kazunobu Kojima, Takashi Asano, Susumu Noda

    OPTICS EXPRESS Vol. 22 No. 13 p. 15459-15466 2014年6月 研究論文(学術雑誌)

  68. Far off-resonant coupling between photonic crystal microcavity and single quantum dot with resonant excitation

    Mehdi Banihashemi, Tatsuya Nakamura, Takanori Kojima, Kazunobu Kojima, Susumu Noda, Vahid Ahmadi

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 103 No. 25 2013年12月 研究論文(学術雑誌)

  69. Modal volume control of a photonic crystal nanocavity

    K. Kojima, K. Hikoyama, T. Nakamura, T. Kojima, T. Asano, S. Noda

    2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEOPR) 2013年6月 研究論文(国際会議プロシーディングス)

    出版者・発行元:IEEE
  70. Accurate alignment of a photonic crystal nanocavity with an embedded quantum dot based on optical microscopic photoluminescence imaging

    T. Kojima, K. Kojima, T. Asano, S. Noda

    Applied Physics Letters Vol. 102 No. 1 2013年1月7日 研究論文(学術雑誌)

  71. Controlling the emission of quantum dots embedded in photonic crystal nanocavity by manipulating Q-factor and detuning

    Tatsuya Nakamura, Takashi Asano, Kazunobu Kojima, Takanori Kojima, Susumu Noda

    PHYSICAL REVIEW B Vol. 84 No. 24 2011年12月 研究論文(学術雑誌)

  72. Impact of nonpolar AlGaN quantum wells on deep ultraviolet laser diodes

    K. Kojima, A. A. Yamaguchi, M. Funato, Y. Kawakami, S. Noda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 110 No. 4 2011年8月 研究論文(学術雑誌)

  73. A simple theoretical approach to analyze polarization properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells

    Atsushi A. Yamaguchi, Kazunobu Kojima

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 98 No. 10 2011年3月 研究論文(学術雑誌)

  74. Impact of onpolar plane for deep ultraviolet laser diodes based on AlGa/AlN quantum wells

    K. Kojima, A. A. Yamaguchi, M. Funato, Y. Kawakami, S. Noda

    22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference 2010年9月 研究論文(国際会議プロシーディングス)

    出版者・発行元:IEEE
  75. Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening

    Kazunobu Kojima, Atsushi A. Yamaguchi, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Susumu Noda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 49 No. 8 2010年8月 研究論文(学術雑誌)

  76. Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures

    K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Noda

    Journal of Applied Physics Vol. 107 No. 12 2010年6月15日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:AMER INST PHYSICS
  77. Quantum electrodynamics of a nanocavity coupled with exciton complexes in a quantum dot

    Makoto Yamaguchi, Takashi Asano, Kazunobu Kojima, Susumu Noda

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics Vol. 80 No. 15 2009年10月26日 研究論文(学術雑誌)

    出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC
  78. Optical Anisotropy Control of Non-c-plane InGaN Quantum Wells

    Kazunobu Kojima, Hiroaki Kamon, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 48 No. 8 2009年8月 研究論文(学術雑誌)

  79. Polarization switching phenomena in semipolar InxGa1-xN/GaN quantum well active layers

    M. Ueda, M. Funato, K. Kojima, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai

    PHYSICAL REVIEW B Vol. 78 No. 23 2008年12月 研究論文(学術雑誌)

  80. Analysis of gain and luminescence in violet and blue GaInN-GaN quantum wells

    Bernd Witzigmann, Marco Tomamichel, Sebastian Steiger, Ratko G. Veprek, Kazunobu Kojima, Ulrich T. Schwarz

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS Vol. 44 No. 1-2 p. 144-149 2008年1月 研究論文(学術雑誌)

  81. Stimulated emission at 474 nm from an InGaN laser diode structure grown on a (11(2)over-bar2) GaN substrate

    K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Masui, S. Nagahama, T. Mukai

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 91 No. 25 2007年12月 研究論文(学術雑誌)

  82. Interplay of built-in potential and piezoelectric field on carrier recombination in green light emitting InGaN quantum wells

    Ulrich T. Schwarz, H. Braun, K. Kojima, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 91 No. 12 2007年9月 研究論文(学術雑誌)

  83. Photoluminescence and optical reflectance investigation of semipolar and nonpolar GaN

    Kazunobu Kojima, Masaya Ueda, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS Vol. 244 No. 6 p. 1853-1856 2007年6月 研究論文(学術雑誌)

  84. Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al,In) GaN laser diodes

    K. Kojima, Ulrich T. Schwarz, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai

    OPTICS EXPRESS Vol. 15 No. 12 p. 7730-7736 2007年6月 研究論文(学術雑誌)

  85. Comparison between optical gain spectra of InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm

    K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, H. Braun, U. T. Schwarz, S. Nagahama, T. Mukai

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE Vol. 204 No. 6 p. 2108-2111 2007年6月 研究論文(学術雑誌)

  86. Gain suppression phenomena observed in InxGa1-xN quantum well laser diodes emitting at 470 nm

    K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai, H. Braun, U. T. Schwarz

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 89 No. 24 2006年12月 研究論文(学術雑誌)

  87. Epitaxial growth and optical properties of semipolar (112̄2) GaN and InGaN/GaN quantum wells on GaN bulk substrates

    M. Ueda, K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai

    Applied Physics Letters Vol. 89 No. 21 2006年11月 研究論文(学術雑誌)

  88. Suppression mechanism of optical gain formation in InxGa1-xN quantum well structures due to localized carriers

    Kazunobu Kojima, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Yukio Narukawa, Takashi Mukai

    SOLID STATE COMMUNICATIONS Vol. 140 No. 3-4 p. 182-184 2006年10月 研究論文(学術雑誌)

  89. 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価

    小島一信, 船戸充, 川上養一, ウルリヒ・T, シュワルツ, ハラルド・ブラウン, 長濱慎一, 向井孝志

    電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 106 No. 51 2006年

  90. Dynamic polarization filtering in anisotropically strained M-plane GaN films

    K Omae, T Flissikowski, P Misra, O Brandt, HT Grahn, K Kojima, Y Kawakami

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 86 No. 19 p. 1-3 2005年5月 研究論文(学術雑誌)

  91. Optically pumped lasing and gain formation properties in blue InxGa1-xN MQWs

    K Kojima, A Shikanai, K Omae, M Funato, Y Kawakami, Y Narukawa, T Mukai, S Fujita

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH Vol. 241 No. 12 p. 2676-2680 2004年10月 研究論文(学術雑誌)

  92. The hot carrier dynamics in InGaN multi-quantum well structure

    A Shikanai, K Kojima, K Omae, Y Kawakami, Y Narukawa, T Mukai, S Fujita

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH Vol. 240 No. 2 p. 392-395 2003年11月 研究論文(学術雑誌)

MISC 26

  1. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)分光法を用いた半導体結晶の評価

    小島一信

    応用物理 Vol. 90 No. 12 p. 726-737 2021年12月

  2. 紫外線光デバイス開発と実用化の期待 窒化アルミニウムガリウム深紫外発光ダイオードを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信

    小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 長澤陽祐, 平野光

    Optronics No. 462 2020年

  3. マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価 (特集 深紫外発光デバイスの実現に向けた窒化物半導体結晶成長の進展)

    小島 一信, 長澤 陽祐, 平野 光, 一本松 正道, 杉江 隆一, 本田 善央, 天野 浩, 赤﨑 勇, 秩父 重英

    日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth Vol. 47 No. 3 p. 1-8 2020年

    出版者・発行元:日本結晶成長学会
  4. 1.6-Gbps LED-Based Ultraviolet Communication at 280 nm in Direct Sunlight

    Kojima K, Yoshida Y, Shiraiwa M, Awaji Y, Kanno A, Yamamoto N, Chichibu S

    European Conference on Optical Communication, ECOC Vol. 2018-September 2018年

  5. 窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測

    小島一信

    電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 117 No. 61(LQE2017 1-20) 2017年

  6. Far-UVC LEDs fabricated on face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates

    Ryota Akaike, Kenjiro Uesugi, Hiroki Yasunaga, Shuhei Ichikawa, Takao Nakamura, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake

    Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXIX p. 14-14 2025年3月19日

    出版者・発行元:SPIE
  7. High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED

    Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Atsushi Kanno, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinari Awaji

    Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI 2022年3月9日

    出版者・発行元:SPIE
  8. 東北大学グリーンネストICT LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究~真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現~

    小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 菅野敦史, 山本直克, 淡路祥成, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道

    電波技術協会報FORN No. 342 2021年

  9. 分光計測を用いた窒化ガリウム自立結晶の品質評価

    小島一信, 秩父重英

    Jasco Report Vol. 61 No. 1 2019年

  10. 超高効率発光素子開発に向けた時間・空間同時分解カソードルミネセンス分光装置の高性能化

    小島一信, 秩父重英

    村田学術振興財団年報 No. 33 2019年

  11. Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes

    K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    19th International Workshop on Junction Technology (IWJT 2019) 2019年

  12. An Outdoor Evaluation of 1-Gbps Optical Wireless Communication using AlGaN-based LED in 280-nm Band

    Yoshida Y, Kojima K, Shiraiwa M, Awaji Y, Kanno A, Yamamoto N, Chichibu S.F, Hirano A, Ippommatsu M

    2019 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2019 - Proceedings 2019年

  13. Determination of Deformation Potentials in InGaN Alloy Material for Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells Laser Diodes

    Sakai S, Kojima K, Chichibu S.F, Yamaguchi A.A

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference Vol. 2018-September p. 135-136 2018年

  14. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化物半導体の発光量子効率測定

    小島一信, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) Vol. 46th 2017年

  15. Alloy-compositional-fluctuation effects on optical gain characteristics in AlGaN and InGaN quantum-well laser diodes

    A. Yamaguchi, T. Minami, S. Sakai, K. Kojima, S. F. Chichibu

    IEEE Xplore Digital Library Vol. 16 No. 9 p. 12-15 2016年12月

  16. Polarity dependent radiation hardness of GaN

    Masayuki Matsuo, Takayuki Murayama, Kazuto Koike, Shigehiko Sasa, Mitsuaki Yano, Shun-ichi Gonda, Akira Uedono, Ryoya Ishigami, Kyo Kume, Tomomi Ohtomo, Erika Furukawa, Yoshiki Yamazaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2015年6月

  17. Alignment between a single quantum dot and a photonic crystal nanocavity by a microscopic photoluminescence imaging

    Takanori Kojima, Kazunobu Kojima, Takashi Asano, Susumu Noda

    IEEE Photonics Conference 2012 2012年9月

    出版者・発行元:IEEE
  18. Optical polarization and anisotropic gain characteristics in semipolar and nonpolar InGaN quantum well lasers

    Atsushi A. Yamaguchi, Kazunobu Kojima

    physica status solidi c Vol. 9 No. 3-4 p. 834-837 2012年3月

    出版者・発行元:Wiley
  19. Control of the Purcell effect of quantum dots embedded in photonic crystal nanocavity by manipulating Q-factor

    T. Nakamura, T. Asano, K. Kojima, T. Kojima, S. Noda

    SPIE Proceedings 2012年2月9日

    出版者・発行元:SPIE
  20. 半極性(11-22)面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性

    船戸充, 上田雅也, 小島一信, 川上養一

    レーザー研究 Vol. 38 No. 4 2010年

  21. Impact of anti-Zeno Effect on a Coupled Nanocavity-Quantum-Dot System

    M. Yamaguchi, T. Asano, K. Kojima, S. Noda

    Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference 2009年

    出版者・発行元:OSA
  22. Theoretical investigations on anisotropic optical properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells

    Kazunobu Kojima, Hiroaki Kamon, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

    physica status solidi c Vol. 5 No. 9 p. 3038-3041 2008年7月

    出版者・発行元:Wiley
  23. Inhomogeneously broadened optical gain spectra of InGaN quantum well laser diodes

    Kazunobu Kojima, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Harald Braun, Ulrich Schwarz, Shinichi Nagahama, Takashi Mukai

    physica status solidi c Vol. 5 No. 6 p. 2126-2128 2008年5月

    出版者・発行元:Wiley
  24. Investigation and comparison of optical gain spectra of (Al,In)GaN laser diodes emitting in the 375nm to 470 nm spectral range

    Ulrich T. Schwarz, Harald Braun, Kazunobu Kojima, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Shinichi Nagahama, Takashi Mukai

    SPIE Proceedings 2007年2月8日

    出版者・発行元:SPIE
  25. 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価

    上田 雅也, 小島 一信, 船戸 充, 川上 養一, 成川 幸男, 向井 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス Vol. 106 No. 271 p. 57-61 2006年9月28日

    出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会
  26. Dynamic polarization rotation in pump‐and‐probe transients of anisotropically strained M ‐plane GaN films on LiAlO 2

    K. Omae, T. Flissikowski, P. Misra, O. Brandt, H. T. Grahn, K. Kojima, Y. Kawakami

    physica status solidi c Vol. 3 No. 6 p. 1862-1865 2006年6月

    出版者・発行元:Wiley

著書 15

  1. 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術

    2022年7月

    ISBN: 9784907002930

  2. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)分光法によ る半導体結晶の評価

    小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

    日本結晶成長学会誌 2022年2月

  3. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)分光法を用いた半導体結晶の評価

    小島一信

    応用物理 90(12) 726-737 2021年12月

  4. 13. 東北大学グリーンネストICT LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究~真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現~

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司

    電波技術協会報FORN (342) 2021年

  5. マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

    小島 一信, 長澤 陽祐, 平野 光, 一本松 正道, 杉江 隆一, 本田 善央, 天野 浩, 赤﨑 勇, 秩父 重英

    日本結晶成長学会誌 2020年10月

  6. 窒化アルミニウムガリウム深紫外発光ダイオードを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信

    小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 長澤陽祐, 平野光

    OPTRONICS 2020年6月

  7. AlGaN LEDとBeyond 5G

    吉田悠来, 小島一信, 白岩雅輝, 菅野敦史, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 山本直克, 秩父重英, 淡路祥成

    応用物理学会 応用電子物性分科会 応用電子物性分科会研究例会資料 2020年

  8. AlN および高 AlN モル分率 AlGaN 混晶における Al 空孔複合体の役割

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 三宅秀人, 上殿明良

    応用物理学会 結晶工学分科会 第153回結晶工学分科会研究会資料 2020年

  9. 全方位フォトルミネセンス計測:新しい評価技術

    小島一信, 秩父重英

    日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 第250回研究会 研究会資料 2020年

  10. 窒素極性GaNへのMgイオン注入技術

    片岡 恵太, 成田 哲生, 井口 紘子, 嶋 紘平, 小島 一信, 秩父 重英, 上殿 明良

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第116回研究会、研究会資料、22 2019年12月

  11. 深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線通信

    吉田悠来, 小島一信, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英, 平野光, 一本松正道

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第115回研究会 研究会資料、15 2019年10月

  12. 分光計測を用いた窒化ガリウム自立結晶の品質評価

    小島一信, 秩父重英

    Jasco Report 61, 1 2019年

  13. 全方位フォトルミネッセンス法による絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 秩父重英

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第107回研究会、光電相互変換第125委員会 第240回研究会 合同研究会資料、25 2018年2月

  14. 窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測

    小島 一信

    電子情報通信学会技術研究報告 117, 1 2017年4月

  15. 半極性(11-22)面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性

    船戸充, 上田雅也, 小島一信, 川上養一

    レーザー研究38, 255 2010年

講演・口頭発表等 436

  1. ソーラーブラインド性を有する深紫外LED光無線通信

    小島 一信

    ワイドギャップ半導体学会

  2. 金属酸化物蛍光体が示す可視発光色変化を用いた紫外線波長同定素子の開発

    郡 悠太郎, 箕村 望, 改井 陽一朗, 小島 一信, 小笠原 諒, 藤代 史, 大石 昌嗣

    公益社団法人日本セラミックス協会第38回秋季シンポジウム 2025年9月17日

  3. 半導体光学冷却に向けた CsPbBr3/Cs4PbBr6 結晶における試料形状変化による光学特性の制御

    田中 大地, 福田 光希, 登尾 尚紀, 市川 修平, 田畑 博史, 山田 泰裕, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  4. エレクトロスプレー堆積法で形成した単層カーボンナノチューブ薄膜の構造とガス応答の評価

    口野 良, 西園 悠斗, 傅 馨怡, 市川 修平, 小島 一信, 小松 直樹, 田畑 博史

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  5. 石英フリーハライド気相成長法によるGaN結晶に対する光学特性評価

    門内 勇樹, 藤倉 序章, 今野 泰一郎, 金木 奨太, 佐野 昂志, 市川 修平, 田畑 博史, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  6. コアシェル型InGaNナノワイヤLEDのキャリアダイナミクス評価

    小見山 颯太, 市川 修平, 奥田 廉士, 上田 雅也, 曽根 直樹, 野村 明宏, 上山 智, 田畑 博史, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  7. AlGaN系far-UVC LEDにおける組成傾斜層の検討

    赤池 良太, 安永 弘樹, 中村 孝夫, 市川 修平, 小島 一信, 土谷 正彦, 三宅 秀人

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  8. 成長中のアニール処理により励起効率を制御したEu,O共添加GaNの光学特性

    森 恵人, 市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  9. Ir/sapphire基板上ヘテロエピタキシャルダイヤモンドにおける二段階成長プロセスの検討

    望月 梧生, 毎田 修, 金 聖祐, アン ジェフリ, 市川 修平, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  10. 光と熱の融合が拓く機能制御の最前線

    第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月8日

  11. Performance and Reliability of Far-UVC LEDs with DH-structure on Low-dislocation AlN Templates

    Ryota Akaike, Ayato Suzuki, Hiroki Yasunaga, Takao Nakamura, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) 2025年7月8日

  12. [第57回講演奨励賞受賞記念講演] ストライプ型メタサーフェスを用いた円偏光InGaN LED構造の作製

    村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 藤原 康文, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  13. ダブルヘテロ構造を発光層とする226 nm far-UVC LEDの発光効率向上

    赤池 良太, 安永 弘樹, 中村 孝夫, 市川 修平, 小島 一信, 土谷 正彦, 三宅 秀人

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  14. Eu添加GaNにおける効率Droop現象のレート方程式による理論解析

    森 恵人, 市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  15. 直接遷移型半導体自立結晶における時間分解フォトルミネッセンスの解釈

    田中 大地, 市川 修平, 佐野 昂志, 田畑 博史, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  16. LEDに実装可能なメタ表面を用いた円偏光選択性コリメータの設計

    田口 遥平, 村田 雄生, 市川 修平, 田畑 博史, 戸田 晋太郎, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  17. c面InGaN/GaN pin型発光・受光兼用ダイオードの光活性層厚の検討

    安藤 勇歩, 市川 修平, 田畑 博史, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  18. AlGaN半導体の深紫外光物性と通信応用

    小島 一信

    レーザー学会学術講演会第45回年次大会

  19. Increased Below-Bandgap Absorption in CsPbBr3/Cs4PbBr6 through Post-Annealing and Regrowth

    N. Noborio, M. Fukuda, S. Ichikawa, K. Kojima

    2024 Materials Research Society Fall Meeting (2024 MRS Fall Meeting)

  20. Ultrafast Surface Carrier Recombination in Semiconductors Evaluated by Two-photon Photoemission Spectroscopy

    S. Ichikawa, K. Kojima

    2024 Materials Research Society Fall Meeting (2024 MRS Fall Meeting)

  21. スパッタアニールAlN上に作製した深紫外AlGaN LEDの顕微ELイメージング測定

    辻本凌大, 市川修平, 赤池良太, 上杉謙次郎, 中村孝夫, 三宅秀人, 小島一信

    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) 2024年11月28日

  22. Ir/sapphire基板上(001)ヘテロエピタキシャルダイヤモンド結晶のIr/Diamond界面における結晶品質評価

    望月 梧生, 毎田 修, 金 聖祐, アン ジェフリ, 佐田 晃, 市川 修平, 小島 一信

    第38回ダイヤモンドシンポジウム

  23. Enhanced External Quantum Efficiencies of Double-heterostructure-based Far-UVC LEDs Compared to MQWs-based Far-UVC LEDs

    Ryota Akaike, Kenjiro Uesugi, Hiroki Yasunaga, Takao Nakamura, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake

    he 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  24. Design proposal of pure circularly polarized emitters using (0001) InGaN LEDs with GaN nanopillar metasurface

    Y. Taguchi, K. Suzuki, Y. Murata, S. Toda, S. Ichikawa, K.Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  25. Impact of GaN:Eu-based µ-LED shape on excitation efficiency of Eu luminescent centers

    H. Kubo, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), ???, Hawai’i, USA

  26. Impact of carbon impurities on carrier recombination process in highly pure GaN crystals assessed by internal quantum efficiency mapping measurements

    K. Sano, H. Fujikura, T. Konno, S. Kaneki, S. Ichikawa, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  27. Circularly polarized light emission from (20-21) InGaN quantum wells coupled with Si3N4 stripe-shaped metasurface

    Y. Murata, S. Ichikawa, S. Toda, Y. Fujiwara, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  28. Determination of deformation potentials for InGaN with low In composition region based on the k·p perturbation theory

    K. Mori-Tamamura, A. A. Yamaguchi, S. Ichikawa, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  29. Strong far-UVC localized emissions from Ga-rich regions induced by atomic-step meandering of AlGaN on high-temperature annealed AlN templates

    S. Ichikawa, K. Saito, R. Akaike, K. Uesugi, T. Nakamura, H. Miyake, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  30. Surface carrier dynamics of nitride semiconductors evaluated by time-resolved photoemission spectroscopy

    S. Ichikawa, Y. Matsuda, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  31. Arbitrary control of optical polarization of (0001) InGaN radiation using anisotropic strain-relaxation in micro-LED structures

    S. Ichikawa, Y. Matsuda, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  32. 光無線通信に向けた(0001)InGaN/GaN pin フォトダイオードの提案と作製指針

    櫻木幹太, 市川修平, 小島一信

    第43回電子材料シンポジウム

  33. CsPbBr3/Cs4PbBr6における光学冷却の励起光強度依存性

    大木 武, 森田 剛, 福田 光希, 市川 修平, 小島 一信, 山田 琢允, 金光 義彦, 山田 泰裕

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  34. ペロブスカイト量子ドットを用いた固体光学冷却

    山田 泰裕, 大木 武, 森田 剛, 福田 光希, 市川 修平, 小島 一信, 山田 琢允, 金光 義彦

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  35. k・p摂動法による低In組成領域におけるInGaNの変形ポテンシャルの決定

    森 恵人, 山口 敦史, 市川 修平, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  36. 円偏光InGaN LED構造の作製と特性評価

    村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 藤原 康文, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  37. ハロゲン化鉛ペロブスカイトCsPbBr3/Cs4PbBr6の試料サイズと外部量子効率の関係

    福田 光希, 市川 修平, 大木 武, 山田 泰裕, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  38. 高純度GaN結晶の内部量子効率マッピング測定

    佐野 昂志, 藤倉 序章, 今野 泰一郎, 金木 奨太, 市川 修平, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  39. CsPbBr3/Cs4PbBr6におけるバンド端以下のエネルギーでの光吸収率の向上

    登尾 尚紀, 福田 光希, 市川 修平, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  40. 円偏光選択性ナノピラー対メタサーフェスの最適構造設計

    田口 遥平, 村田 雄生, 戸田 晋太郎, 市川 修平, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  41. 異方的構造の導入によるEu添加GaNの発光中心の励起効率変化

    久保 穂高, 市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  42. Crystal quality evaluations of (001) diamond film heteroepitaxially grown on Ir/sapphire substrates

    K. Mochizuki, O. Maida, S.-W. KIM, K. Koyama, A. Jeffery, A. Sada, S. Ichikawa, K. Kojima

    New Diamond & Nano Carbons 2024 (NDNC2024) 2024年5月

  43. Combinational integration of Eu-doped GaN and InGaN LEDs and their prospects for miniaturization

    Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Kazunobu Kojima

    10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2024)

  44. スパッタ・アニール法AlNテンプレート作製と深紫外LEDの開発

    赤池 良太, 上杉 謙次郎, 中村 孝夫, 市川 修平, 小島 一信, 土谷 正彦

    第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

  45. 長方形状(0001) InGaNマイクロ発光素子における非等方的歪緩和の誘起と面内偏光制御

    市川 修平, 松田 祥伸, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

  46. InGaN表面においてバンドベンディングがキャリア寿命に与える影響

    市川 修平, 松田 祥伸, 道上 平士郎, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

  47. スパッタアニールAlN上AlGaNにおける局在発光と成長表面の相関評価

    市川 修平, 齊藤 一輝, 赤池 良太, 上杉 謙次郎, 中村 孝夫, 三宅 秀人, 小島 一信

    第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

  48. マイクロLEDディスプレイ実現に向けたGaN系RGB LEDのモノリシック集積と微細化に向けた展望

    市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    電子情報通信学会発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会 2024年1月26日

  49. Ir/sapphire 基板上ヘテロエピタキシャル成長(001)面ダイヤモンド膜の結晶品質評価

    望月 梧生, 毎田 修, 金 聖祐, 加藤 学, 小山 浩司, アン ジェフリ, 市川修平, 小島 一信

    第37回ダイヤモンドシンポジウム 2023年11月

  50. フォトルミネセンス分光法を用いたGaN結晶基板中の炭素濃度推定

    佐野 昂志, 藤倉 序章, 今野 泰一郎, 金木 奨太, 市川 修平, 小島 一信

    第43回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2023 2023年11月

  51. 時間分解光電子分光法による (0001) InGaN表面のキャリア寿命評価

    市川 修平, 松田 祥伸, 道上 平士郎, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第43回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2023 2023年11月

  52. 深紫外AlGaN発光ダイオードの光物性評価と応用

    小島 一信

    第43回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2023 2023年11月

  53. Design of highly efficient InGaN-based circularly polarized LEDs integrated with Si3N4 metasurface

    Y. Murata, S. Ichikawa, S. Toda, Y. Fujiwara, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月

  54. Progress in UV-C LEDs on Face-to-Face Annealed Sputter-Deposited AlN Templates

    K. Uesugi, K. Shojiki, S. Xiao, S. Ichikawa, T. Nakamura, M. Tsuchiya, K. Kojima, H. Miyake

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月

  55. Polarized luminescence from c-plane InGaN/GaN quantum wells induced by anisotropic strain originated from stripe-shaped GaN-on-Si structure via epitaxial lateral overgrowth

    Y. Kawaguchi, K. Takeuchi, K. Murakawa, M. Usagawa, A. Komoda, M. Tonomura, T. Yokoyama, Y. Aoki, H. Ogura, T. Kamikawa, S. Ichikawa, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月

  56. Localized deep-ultraviolet luminescence of AlGaN grown on high-temperature annealed AlN templates

    S. Ichikawa, K. Uesugi, K. Saito, S. Xiao, K. Shojiki, T. Nakamura, H. Miyake, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月

  57. Surface carrier lifetime of (0001) InGaN assessed by time-resolved photoemission spectroscopy

    S. Ichikawa, Y. Matsuda, H. Dojo, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月

  58. Enhanced transport of photo-excited carriers in (0001) InGaN photodiodes by introducing compositionally graded layer

    H. Dojo, S. Ichikawa, Y. Matsuda, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14 2023年11月

  59. Characterization of GaN crystals with low carbon concentration grown by halide vapor phase epitaxy based on photoluminescence spectroscopy

    K. Sano, H. Fujikura, T. Konno, S. Kaneki, S. Ichikawa, K. Kojima

    International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月

  60. 光共振器を用いたハロゲン化鉛ペロブスカイト半導体におけるバンド端エネルギー以下の吸収促進

    福田 光希, 市川 修平, 小島 一信

    第42回電子材料シンポジウム 2023年10月

  61. マイクロLED 応用に向けたGaN 系LED の同一基板フルカラー集積と時間分解光電子分光法に基づく表面再結合評価の提案

    市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    日本学術振興会光電相互変換第125委員会267回研究会「マイクロLEDに関する要素技術」 2023年9月

  62. 楽しくて役に立つ分光測定

    小島一信

    2023年GaNコンソーシアムサマースクール 2023年9月

  63. (0001)面InGaNフォトダイオードにおける組成傾斜層の光励起キャリア局在抑制効果

    道上 平士郎, 市川 修平, 松田 祥伸, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

  64. ハライド気相成長法によって成長させた低炭素濃度GaN結晶のフォトルミネッセンス評価'

    佐野 昂志, 藤倉 序章, 今野 泰一郎, 金木 奨太, 市川 修平, 小島 一信

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

  65. 障壁層Al組成低減による遠紫外LEDの発光効率向上

    上杉 謙次郎, 市川 修平, 中村 孝夫, 土谷 正彦, 小島 一信, 三宅 秀人

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

  66. Ir/sapphire基板上ヘテロエピタキシャル成長(001)面ダイヤモンド膜の断面SEM像に見られる縞状コントラストの分析

    望月 梧生, 毎田 修, 金 聖祐, 加藤 学, 小山 浩司, 本田 達也, 市川 修平, 小島 一信

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

  67. RGB照明の質的向上を目指した配光部の発光特性評価

    曽我部 樹, 尾原 幸治, 小島 一信, 大石 昌嗣

    日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム 2023年9月

  68. "Gbps-Class Solar-Blind WDM Optical Wireless Communication by (264, 274, 282)-nm Deep-UV LEDs and CsTe Photomultiplier Tube

    Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, A. Kanno, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, Y. Awaji

    Optical Fiber Communication Conference 2023年3月

  69. Si3N4メタサーフェスを利用した半極性(2021) InGaN円偏光素子の設計

    村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 藤原 康文, 小島 一信, 中川 貴

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

  70. スパッタアニールAlNを用いた波長230 nm帯UV-LEDの開発

    上杉 謙次郎, 市川 修平, 肖 世玉, 正直 花奈子, 中村 孝夫, 土谷 正彦, 小島 一信, 三宅 秀人

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

  71. 時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定

    市川 修平, 松田 祥伸, 道上 平士郎, 毎田 修, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

  72. スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価

    市川 修平, 上杉 謙次郎, 齊藤 一輝, 肖 世玉, 正直 花奈子, 中村 孝夫, 毎田 修, 三宅 秀人, 小島 一信

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

  73. ナノピラー型メタ表面を用いた円偏光InGaN発光素子の設計

    鈴木 恭平, 村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 毎田 修, 小島 一信

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

  74. 直接遷移型半導体自立結晶における外部量子効率と自己吸収の関係

    佐野 昂志, 市川 修平, 毎田 修, 小島 一信

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

  75. High-speed solar-blind optical wireless communications based on AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN/sapphire templates with dense macro-steps

    K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, Y. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023 2023年1月

  76. アカデミックキャリアの多様性~大学教員って面白い!

    小島一信

    電子材料若手交流会(ISYSE)主催 第4回ISYSE研究会 2022年11月

  77. 2光子光電子分光法による大気暴露したGaAs(110)の表面再結合寿命の直接検出

    市川 修平, 小島 一信

    第41回電子材料シンポジウム 2022年11月

  78. 二光子光電子分光によるGaAs(110)における表面再結合寿命の評価

    市川 修平, 毎田 修, 小島 一信

    第42回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2022 2022年11月

  79. ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価

    毎田 修, 市川修平, 小島一信

    第42回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2022 2022年11月

  80. Self-formed compositional superlattices in m-plane Al0.7In0.3N alloys on a GaN substrate triggered by atomic ordering of In and Al along the c-axis

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa 2022年10月

  81. Visualization of Excited-Electron Relaxation in InGaN Quantum Wells using Time-Resolved Two-Photon Photoemission Spectroscopy

    S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Kojima

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022年10月

  82. 特色ある分光評価法による半導体発光材料・光物性再訪:新しい展開を目指して

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月22日

  83. Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg

    K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Kojima, A. Uedono, S. Ishibashi, S. F. Chichib

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022年9月

  84. Characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond films

    O. Maida, S. Ichikawa, K. Kojima

    The 22nd International Vacuum Congress 2022年9月

  85. Eu添加GaN赤色LEDの進展と2光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ~マイクロLED素子応用に向けて~

    市川 修平, 藤原 康文, 小島一信

    Sophia Open Research Week 2022第3回半導体ナノフォトニクス研究会 2022年9月

  86. 時間分解2光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の直接評価

    市川修平, 毎田修, 小島一信

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

  87. n型GaN基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

    秩父 重英, 嶋 紘平, 小島 一信, 上殿 明良, 石橋 章司, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 本田 善央, 今西 正幸, 森 勇介, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 天野 浩, 小出 康夫

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

  88. Mechanism underlying high internal quantum efficiency of AlGaN-based LEDs fabricated on AlN with dense macrosteps

    A. Hirano, Y. Nagasawa, K. Kojima, M. Ippommatsu, H. Sako, A. Hashimoto, R. Sugie, Y. Honda, H.Amano, S. F. Chichibu

    The 20th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) 2022年7月

  89. Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures for power devices

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

    Compound Semiconductor Week (CSW) 2022 2022年6月

  90. Characterization of Semiconductor Crystals Based on Omnidirectional Photoluminescence (ODPL) Spectroscopy

    K. Kojima, S. Ichikawa, O. Maida, K. Shima, S. F. Chichibu

    241st ECS Meeting 2022年6月

  91. High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED

    Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, A. Kanno, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, Y. Awaji

    Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI 2022年3月

  92. 時間分解二光子光電子分光法を用いたGaAs(110)における表面再結合寿命の大気暴露時間依存性の評価

    市川 修平, 小島 一信

    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月

  93. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化ガリウム結晶の品質評価

    小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

    先進パワー半導体分科会研究会 2021年11月

  94. c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価

    LI Liyang, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) 2021年11月

  95. 空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月

  96. 高品質SCAAT GaNシードを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるGaN単結晶成長

    栗本浩平, BAO Q., 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月

  97. 陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究

    上殿明良, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月

  98. 炭素フリー原料を用いてサファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス評価

    秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月

  99. 全方位フォトルミネセンス法を用いた半導体材料の発光効率評価

    小島一信, 秩父重英

    第384回 蛍光体同学会 2021年8月

  100. Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductorscancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

    20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021) 2021年6月

  101. 室温動作ポラリトンレーザの実現に向けたZnO微小共振器の形成

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 古澤健太郎

    第4回固体レーザーの高速探索と機能開発に向けたレーザー材料研究会 2021年3月

  102. Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

  103. マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(2)

    長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

  104. 格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価

    LI L. Y., 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

  105. マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(1)

    長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

  106. 低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価

    嶋紘平, 栗本浩平, BAO Q., 三川豊, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

  107. マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(3)

    長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

  108. AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, MOODY Baxter, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko, SITAR Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良

    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

  109. InGaN/GaN多重量子殻の時間空間分解カソードルミネッセンス評価

    嶋紘平, LU Weifang, 小島一信, 上山智, 竹内哲也, 秩父重英, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

  110. BGaN中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)

    宮澤篤也, 太田悠斗, 松川真也, 林幸佑, 中川央也, 川崎晟也, 安藤悠人, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, 中野貴之

    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

  111. (Al,Ga,In)N の輻射・非輻射再結合過程に点欠陥が及ぼす影響

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司

    日本学術振興会 第162委員会 研究会 2021年3月

  112. 深紫外AlGaN LEDを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

    電子情報通信学会 総合大会 2021年3月

  113. Current progress of omnidirectional photoluminescence spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals

    K. Kojima, K. Ikemura, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2021 2021年3月

  114. Omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals

    K. Kojima, S. F. Chichibu

    Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity 2021年2月

  115. Up-to 292-Mbps deep-UV communication over a diffuse-line-of-sight link based on silicon photo multiplier array

    Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. F. Chichibu

    2020 European Conference on Optical Communication (ECOC) 2020年12月

  116. 全方位フォトルミネセンス (ODPL) 分光法を用いた半導体結晶の評価

    小島一信, 秩父重英

    The 40th annual NANO testing symposium 2020年11月16日

  117. Characterization of a self-organized deep-ultraviolet micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications

    Kazunobu Kojima, Yuki Yoshida, Masaki Shiraiwa, Yoshinari Awaji, Atsushi Kanno, Naokatsu Yamamoto, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Shigefusa F. Chichibu

    Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2020年5月11日

  118. Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020 2020年1月

  119. 自己組織的に形成された深紫外マイクロ発光ダイオード構造の変調特性

    小島 一信, 吉田 悠来, 白岩 雅輝, 淡路 祥成, 菅野 敦史, 山本 直克, 平野 光, 長澤 陽祐, 一本松 正道, 秩父 重英

    レーザー学会 学術講演会 第40回年次大会 2020年1月

  120. 窒素極性GaNへのMgイオン注入技術

    片岡 恵太, 成田 哲生, 井口 紘子, 嶋 紘平, 小島 一信, 秩父 重英, 上殿 明良

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第116回研究会 2019年12月

  121. 発光量子効率におけるフォトンリサイクル効果の理論解析

    浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月21日

  122. 酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長

    栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 茅野林造, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月21日

  123. ZnOの反応性イオンエッチングによる損傷とHClによる損傷回復

    中須大蔵, 嶋紘平, 小島 一信, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月21日

  124. BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製

    太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月20日

  125. ZnO微小共振器の作製と室温における共振器ポラリトン形成

    嶋紘平, 小島 一信, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月20日

  126. 深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月19日

  127. 気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス

    秩父重英, 小島一信, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 三田清二, R.Collazo, Z.Sitar, 上殿明良

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月19日

  128. 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

    小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 片山竜二, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月19日

  129. 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

    谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 田中敦之, 本田善央, 秩父重英, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月19日

  130. 温度可変全方位フォトルミネセンス分光装置の実現

    小島一信, 池村賢一郎, 中村明裕, 齋藤琢也, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019年9月19日

  131. H2キャリアガスを用いたBGaN 結晶成長メカニズムの解析

    清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    2019年秋季応用物理学会 2019年9月18日

  132. Theoretical analysis of photo-recycling effect on external quantum efficiency considering spatial Carrier dynamics

    H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 2019年9月2日

  133. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた半導体結晶の光物性評価

    小島一信, 秩父重英

    ナノテスティング学会「第25回P&A解析研究会」 2019年9月

  134. Optical characterization and gain calculation of AlGaN quantum wells

    K. Kojima

    1st International Workshop on AlGaN based UV-Laser diodes 2019年8月

  135. Impact of vacancy complexes on the nonradiative recombination processes in III-N devices

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019年7月7日

  136. Time-resolved luminescence studies of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Takiguchi, K. Shima, K. Kojima, Y. Ishitani, K. Hara

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019年7月7日

  137. Dependences of external quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime on the carbon concentration in GaN on GaN structures

    K. Kojima, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, S. F. Chichibu

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019年7月7日

  138. Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes

    K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019年7月7日

  139. Analytical formula for quantum efficiency of radiation considering self-absorption process

    H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019年7月7日

  140. Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN

    S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. Uedono

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019年7月7日

  141. Microscopic nonuniformities in AlGaN-based 260 and 285 nm light-emitting multiple quantum wells grown on AlN templates with dense macrosteps analyzed by cathodoluminescence spectroscopy

    Y. Nagasawa, R. Sugie, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019年7月7日

  142. Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate

    K. Hara, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C4) 2019年6月10日

  143. Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes

    K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019) 2019年6月6日

  144. 酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹

    日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会研究会 2019年5月31日

  145. Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of freestanding h-BN crystals under photo-excitation

    K. Kojima, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. F. Chichibu

    Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Spectroscopy & growth of h-BN II 2019年5月19日

  146. An outdoor evaluation of 1-Gbps optical wireless communication using AlGaN- based LED in 280-nm Band

    Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. Chichibu, A. Hirano, M. Ippommatsu

    Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2019, Laser Science to Photonic Applications, Session Free-Space & Underwater Communication 2019年5月5日

  147. 薄膜固体二次電池の充放電解析

    津国和之, 殿川孝司, 小島一信, 秩父重英

    電気化学会第88回大会, 2019年3月27日

  148. Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K. Kojima, T. Ishiguro

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma2019) 2019年3月17日

  149. 容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価

    高島信也, 上野勝典, 田中亮, 松山秀昭, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  150. 中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発

    高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 太田悠人, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  151. 水熱合成単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスと微小共振器構造への応用

    嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  152. 自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式

    浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  153. 自立窒化ガリウム結晶の角度分解フォトルミネセンス分光

    小島一信, 池村賢一郎, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  154. マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量 子井戸の構造解析(2)

    長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  155. マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量 子井戸の構造解析(1)

    小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  156. 深紫外AlGaN発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネセンス分光

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  157. 注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス

    秩父重英, 嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 小島一信, 上殿明良

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  158. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積

    嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019年3月9日

  159. 窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッセンス評価

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

    窒化物半導体特異構造の科学-ナノ物性評価技術の進展と物性制御 2019年春季応用物理学会シンポジウム 2019年3月9日

  160. エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 接合研究委員会 研究会 2019年2月28日

  161. 酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹

    日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会(第6回) 2018年12月17日

  162. GaN パワー半導体のエピ成長・プロセスで生じる点欠陥の理解と制御

    成田哲生, 冨田一義, 徳田豊, 小木曽達也, 嶋紘平, 井口紘子, 片岡恵太, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 堀田昌宏, 五十嵐信行, 加地徹

    日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会(第6回) 2018年12月17日

  163. TMBを用いたBGaN結晶成長の脱離過程解析

    中野貴之, 江原一司, 望月健, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英

    第17回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2018年12月13日

  164. 深紫外発光ダイオードを用いたソーラーブラインド・ギガビット級光無線伝送

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

    第17回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2018年12月13日

  165. Different Nonradiative Recombination on Terraces and Macrosteps of Uneven QW for 285 nm LED Grown on AlN Template with Dense Macrosteps

    Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Ryuichi Sugie, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Shigefusa, F. Chichibu

    IWUMD 2018 2018年12月11日

  166. Different Nonradiative Recombination on Terraces and Macrosteps of Uneven QW for 285 nm LED Grown on AlN Template with Dense Macrostep

    Y. Nagasawa, K. Kojima, R. Sugie, A. Hirano, M. Ippommatsu, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

    International workshop on UV materials and devices (IWUMD-2018) 2018年12月

  167. Recent progress of acidic ammonothermal growth of GaN

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, K. Shima, D. Tomida, K. Kojima, T. Ishiguro

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4) 2018年11月19日

  168. Current localization structure observed in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN templates with macrosteps

    K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018) 2018年11月11日

  169. Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018年11月11日

  170. Microscopic structure of boosting IQE for AlGaN-based UV-B (285 nm) LED grown on macrosteps

    Y. Nagasawa, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018年11月11日

  171. Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE"

    K. Ebara, K. Mochizuki, Y. Inoue, T. Aoki, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Nakano

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018年11月11日

  172. Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes

    T. Maruyama, Y. Takahashi, N. Yamada, K. Ebara, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018年11月11日

  173. Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018) 2018年11月11日

  174. Recent progress of large size bulk GaN crystal growth by acidic ammonothermal method",

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018) 2018年11月11日

  175. Multi-gigabit-class deep ultraviolet wireless communication at 280 nm based on an AlGaN light-emitting diode

    K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018) 2018年11月11日

  176. 280 nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線伝送

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

    第6回アライアンス若手研究交流会 2018年11月1日

  177. 1.6-Gbps LED-based Ultraviolet Communication at 280 nm in Direct Sunlight

    K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. F. Chichibu

    European Conference on Optical Communication (ECOC) 2018 2018年9月23日

  178. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるSiO_2/HfO_2誘電体分布ブラッグ反射鏡の作製

    嶋紘平, 粕谷拓生, 小島一信, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018年9月18日

  179. 時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥の評価

    粕谷拓生, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018年9月18日

  180. 高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積

    秩父重英, 小島一信, 小池一歩, 矢野満明, 權田俊一, 石橋章司, 上殿明良

    2018年秋季応用物理学会 2018年9月18日

  181. 空間・時間分解PL を用いたGaN の局所励起子応答

    神山晃範, 小島一信, 遊佐剛, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018年9月18日

  182. バンド端近傍発光の外部量子効率が4%を超える六方晶BN単結晶の光学評価

    小島一信, 渡邊賢司, 谷口尚, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018年9月18日

  183. サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス

    秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

    2018年秋季応用物理学会 2018年9月18日

  184. MOVPE法を用いた厚膜BGaN結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製

    丸山貴之, 高橋祐吏, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2018年秋季応用物理学会 2018年9月18日

  185. BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価

    高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2018年秋季応用物理学会 2018年9月18日

  186. 280nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いた日光下における1.6 Gbps光無線伝送

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018年9月18日

  187. The origin and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in the bulk and epitaxial ZnO

    S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi, A. Uedono

    The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018) 2018年9月11日

  188. Relationship between internal quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime in a ZnO single crystal

    K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018) 2018年9月11日

  189. Fabrication of a ZnO-based microcavity using the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method

    T. Kasuya, K. Shima, K. Kojima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

    The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018) 2018年9月11日

  190. A comparative study on SiO_2/ZrO_2 and SiO_2/HfO_2 distributed Bragg reflectors for ZnO-based microcavities

    K. Shima, T. Kasuya, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018) 2018年9月11日

  191. Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K. Kojima, T. Ishiguro

    The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7) 2018年8月5日

  192. 酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長への取り組み

    斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    2018年日本結晶成長学会特別講演会 「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」 2018年7月18日

  193. MOVPE法を用いた厚膜BGaN成長および縦型中性子検出デバイスの作製

    高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会,プレIWN2018第10回窒化物半導体結晶成長講演会 2018年7月12日

  194. 酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製技術の進展

    斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    日本学術振興会 結晶成長の科学と技術第161委員会 2018年7月6日

  195. 陽電子消滅法によるp-GaNエピ層、イオン注入層の点欠陥評価

    上殿明良, 石橋章司, 小島一信, 秩父重英

    応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて〜p型GaNの結晶工学〜」 2018年6月15日

  196. Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

    応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて〜p型GaNの結晶工学〜」 2018年6月15日

  197. Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討

    高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 高橋言緒, 清水三聡, 石橋章司, 中川清和, 堀田昌宏, 須田淳, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

    応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて〜p型GaNの結晶工学〜」 2018年6月15日

  198. Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN

    T. Tanikawa, T. Fujita, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Matsuoka

    The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19) 2018年6月3日

  199. Evaluation of cubic phase formation in wurtzite type BGaN by MOVPE

    K. Ebara, K. Mochizuki, Y. Inoue, T. Aoki, K. Kojima, S. F. Chichibu, T.Nakano

    The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19) 2018年6月3日

  200. 単分散球状 CdS ナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:ナノ組織構造由来発光・消光挙動

    蟹江 澄志, Ungar Goran, 松原 正樹, Stevenson Warren, 矢吹 純, Zeng Xiangbing, 小島 一信, 秩父 重英, 玉田 薫, 村松 淳司

    日本液晶学会討論会講演予稿集 2018年6月1日

  201. Carrier trapping properties of defects in Mg-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams

    A. Uedono, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, H. Matsuyama, W. Egger, T.Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Kojima, S. F. Chichibu, S. Ishibashi

    The 45th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2018) 2018年5月29日

  202. Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

    The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3) 2018年5月29日

  203. Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductors

    K. Kojima, S. F. Chichibu

    19th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN19) 2018年5月15日

  204. P-type Conduction of Mg-ion Implanted N-polar GaN and the Optical Investigation

    T. Narita, K. Kataoka, H. Iguchi, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, M.Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi

    The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18) 2018年4月23日

  205. Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE

    Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18) 2018年4月23日

  206. 有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価

    小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  207. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(2)

    嶋紘平, 粕谷拓生, 菊地清, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  208. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(1)

    粕谷拓生, 嶋紘平, 菊地清, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  209. 赤色蛍光体(CaAlSiN_3:Eu)の高温劣化機構の評価

    大石昌嗣, 塩見昌平, 山本孝, 植木智之, 改井陽一郎, 秩父重英, 高取愛子, 小島一信

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  210. 酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長の検討

    斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  211. 厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価

    丸山貴之, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  212. サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル

    秩父重英, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  213. ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

    小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  214. Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

    嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  215. Mgイオン注入GaN MOSFETのチャネル特性向上

    高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 中川清和

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  216. MOVPE法を用いて作製したBGaN結晶相の評価

    江原一司, 望月健, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  217. MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)

    稲富悠也, 草場彰, 柿本浩一, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  218. MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)

    秩父重英, 小島一信

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  219. GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係(2)

    小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  220. GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係(1)

    浅井栄大, 小島一信, 福田浩一, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  221. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

    谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

    2018年春季応用物理学会 2018年3月17日

  222. 六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価

    原和彦, 梅原直己, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会,多元化合物の新規な物性と応用, 多元系化合物・太陽電池研究会 企画シンポジウム 2018年3月17日

  223. 超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法による2インチバルクGaN結晶育成

    包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM) 2018年3月13日

  224. 全方位フォトルミネッセンス法による絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 秩父重英

    日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会 3月研究会 2018年3月9日

  225. Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductor materials

    Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Kick-off Symposium for World Leading Research Centers 2018年2月19日

  226. Determination of absolute quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors using an integrating sphere

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018, Gallium Nitride Materials and Devices XIII (OE107) 2018年1月27日

  227. ワイドギャップ半導体の発光量子効率と発光寿命の相関

    小島一信, 秩父重英

    応用物理学会励起ナノプロセス研究会 第13回研究会, 「ワイドギャップ半導体の励起ナノプロセス」 2018年1月20日

  228. GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心

    秩父重英, 上殿明良, 嶋紘平, 小島一信, 石橋章司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回個別討論会 「GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長技術」 2017年12月12日

  229. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化物半導体の発光量子効率測定

    小島一信, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    日本結晶成長学会 第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 2017年11月27日

  230. サファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素薄膜の深紫外カソードルミネッセンス

    原和彦, 梅原直己, 秩父重英, 小島一信, 光野徹也, 小南裕子

    日本結晶成長学会 第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 2017年11月27日

  231. Consideration of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in wide bandgap (Al,Ga)N and ZnO

    S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Shima, A. Uedono, S. Ishibashi

    Materials Research Society, 2017 Fall Meeting, Symposium EM4: Wide- and Ultra-Wide-Bandgap Materials and Devices 2017年11月26日

  232. Photocatalytic Activity of Silicon-based Nanoflakes for the Decomposition of Nitrogen Monoxide

    H. Itahara, H. Imagawa, X. Wu, S. Yin, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Sato

    The 34th Japan-Korea International Seminar on Ceramics, Session G: Nanoceramics 2017年11月22日

  233. Study of Boron metal organic sources for BGaN growth using MOVPE

    T. Nakano, K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Aoki, Y. Inoue, K. Kojima, S.F.Chichibu

    International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017 2017年11月14日

  234. Compositional modulation for high AlN mole fraction Al_xGa_1-xN multiple quantum wells to enhance overlap integral of carrier wavefunctions

    K. Kojima, Y. Hayashi, K. Hiramatsu, H. Miyake, S. F. Chichibu

    International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017 2017年11月14日

  235. Cathodoluminescence characterization of the hexagonal boron nitride thin films grown on c-plane sapphire substrates

    N. Umehara, T. Kouno, H. Kominami, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Hara

    International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017 2017年11月14日

  236. Fabrication and evaluation of vertical type BGaN neutron detection diodes

    T. Nakano, T. Arikawa, K. Mochizuki, H. Nakagawa, S. Usami, M. Kushimoto, Y.Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki

    2017 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference,Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD) 2017年10月21日

  237. Internal quantum efficiency evaluation of LED by photocurrent measurement

    S. Usami, Y. Honda, K. Kojima, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, S. F. Chichibu, H. Amano

    11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), Session: W-5 - UV materials and characterization 2017年10月8日

  238. Vacuum-fluorescent-display devices emitting polarized deep-ultraviolet and visible lights using m-plane Al_1-xIn_xN epitaxial nanostructures

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, Y. Sato

    11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), Session: Th-3 - Novel Devices and Structures 1 2017年10月8日

  239. Optical and defect characteristics of m-plane Al_1-xIn_xN epitaxial nanostructures

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono

    8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2017) 2017年9月24日

  240. 高品質窒化ガリウム単結晶の光物性評価

    小島一信, 秩父重英, 池田宏隆, 藤戸健史

    2017年秋季セラミクス協会第30回シンポジウム 2017年9月19日

  241. Recent progress of acidic ammonothermal growth of GaN

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R. Kayano, T.Ishiguro, S. F. Chichibu

    10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-X) 2017年9月18日

  242. Periodic compositional undulation in the m-plane Al_1-xIn_xN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima

    European Materials Research Society, 2017 Fall Meeting, Session P: Group III-Nitrides: fundamental research, optoelectronic devices and sensors 2017年9月18日

  243. BGaN半導体材料を用いた新規熱中性子検出器の提案と開発

    中野貴之, 望月健, 中村匠, 有川卓弥, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 三村秀典, 井上翼, 青木徹

    日本原子力学会「2017年秋の大会」 2017年9月13日

  244. 偏光遷移領域におけるc面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度

    坂井繁太, 南琢人, 小島一信, 秩父重英, 山口敦史

    2017年秋季応用物理学会 2017年9月5日

  245. 二次組成変調によって電子・正孔波動関数の重なり積分を増強させたc面AlGaN多重量子井戸の発光特性評価

    小島一信, 林侑介, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    2017年秋季応用物理学会 2017年9月5日

  246. 光励起下のGaN単結晶における内部量子効率の空間的不均一

    小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

    2017年秋季応用物理学会 2017年9月5日

  247. 減衰全反射法を用いたGaN単結晶の表面状態評価

    小島一信, 赤尾賢一, 菅野美幸, 水野広介, 永森浩司, 秩父重英

    2017年秋季応用物理学会 2017年9月5日

  248. GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

    秩父重英, 小島一信, 嶋紘平, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良

    2017年秋季応用物理学会 2017年9月5日

  249. BGaN-MOVPE法におけるB有機金属原料の検討

    望月健, 中村匠, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    2017年秋季応用物理学会 2017年9月5日

  250. 酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による電子デバイス用GaN結晶合成の進展

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹

    2017年秋季応用物理学会シンポジウム 窒化物半導体特異構造の科学 〜先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用〜 2017年9月5日

  251. BGaN‐MOVPE法におけるB有機金属原料の検討

    望月健, 中村匠, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 中野貴之

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017年8月25日

  252. Polarity-dependent defect formation in c-axis oriented ZnO by the irradiation of an 8 MeV proton beam

    K. Koike, W. Kuwagata, H. Mito, M. Yano, S. Gonda, A. Uedono, S. Ishibashi, K.Kojima, S. F. Chichibu

    29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017) 2017年7月31日

  253. Origin and properties of intrinsic Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in GaN

    S. F. Chichibu, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, A. Uedono

    29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017) 2017年7月31日

  254. Role of point defects on the luminescent properties of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN fabricated on a GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T.Takahashi, S. Ishibashi, A. Uedono

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月24日

  255. Quantum-Wire-Like Density of States in c-plane AlGaN Quantum Wells in Polarization-Crossover Composition Region

    S. Sakai, T. Minami, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. A. Yamaguchi

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月24日

  256. Optical characteristics of c-plane AlGaN multiple-quantum-well light-emitting diode structures with macro-size steps

    K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I.Akasaki, S. F. Chichibu

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月24日

  257. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R.Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月24日

  258. Fabrication and evaluation of vertical type BGaN diodes by MOVPE using trimethylboron

    K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Arikawa, Y. Inoue, S. Usami, M. Kushimoto, Y.Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, H. Mimura, T. Aoki, T. Nakano

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月24日

  259. A way to achieve more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction AlGaN MQWs

    S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Furusawa, Y. Yamazaki, K. Hiramatsu, H.Miyake

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月24日

  260. A high internal quantum efficiency of the emission in GaN single crystals observed by omnidirectional photoluminescence (ODPL)

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月24日

  261. A theoretical proposal for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction Al_xGa_1-xN multiple quantum wells

    K. Kojima, K. Furusawa, Y. Yamazaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. F. Chichibu

    The 18th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN18) 2017年7月9日

  262. GaN中の非輻射再結合中心の正体とその特性

    秩父重英, 小島一信, 上殿明良

    応用物理学会結晶工学分科会, 第147回結晶工学分科会研究会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス〜窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御〜」 2017年6月9日

  263. 窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測

    小島一信

    電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)5月研究会 2017年5月25日

  264. 窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    小島 一信

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2017年5月25日

  265. Quantification of Nitride Semiconductors Omnidirectional Photoluminescence (ODPL) Measurement Utilizing an Integrating SphereHigh Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'17) 2017年4月19日

  266. 絶対吸収率および光電流測定を組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

    宇佐美茂佳, 小島一信, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 秩父重英, 天野浩

    2017年春季応用物理学会 2017年3月14日

  267. 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(4)

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2017年春季応用物理学会 2017年3月14日

  268. マクロステップを有するc面AlGaN量子井戸発光ダイオード構造の発光特性

    小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

    2017年春季応用物理学会 2017年3月14日

  269. ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 秩父重英

    2017年春季応用物理学会 2017年3月14日

  270. GaN基板上イオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価(2)

    秩父重英, 小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良

    2017年春季応用物理学会 2017年3月14日

  271. BGaN縦型ダイオードの作製と放射線検出特性の評価

    望月健, 中村匠, 有川卓弥, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 三村秀典, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2017年春季応用物理学会 2017年3月14日

  272. m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性

    秩父重英, 小島一信, 上殿明良, 佐藤義孝

    第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日

  273. 超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成

    包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

    化学工学会第82年会 2017年3月6日

  274. Recent progress of ammonothermal growth of GaN using acidic mineralizers

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y.Kagamitani, R. Kayano, T. Ishiguro

    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices - 2017 German -Japanese-Spanish Joint Workshop 2017年3月5日

  275. Origin of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in (Al,Ga)N

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2017, OE127 Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XXI (10124) 2017年1月28日

  276. Photoluminescence characterization of ion-implanted and epitaxial Mg-doped GaN prepared on freestanding GaN substrates

    S. F. Chichibu, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T.Takahashi, S. Ishibashi, A. Uedono

    Materials Research Society, 2016 Fall Meeting, Symposium EM11: Wide-Bandgap Materials for Energy Efficiency-Power Electronics and Solid-State Lighting 2016年11月27日

  277. 窒化物半導体の絶対輻射量子効率計測

    小島一信, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    第4回アライアンス若手研究交流会 2016年11月9日

  278. Quantification of absolute value of quantum efficiency of radiation in ZnO single crystals using an integrating sphere

    K. Kojima, T. Harada, A. Tsukazaki, S. F. Chichibu

    The 9th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO2016) 2016年10月30日

  279. Carrier Lifetime Control of Nearly Dislocation-free ZnO Homoepitaxial Films by 3d Transition-metal Doping

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, A. Uedono

    The 9th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO2016) 2016年10月30日

  280. Quantifying absolute value of quantum efficiency of radiation in high quality GaN single crystals

    K. Kojima, T. Ohtomo, M. Saito, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016) 2016年10月2日

  281. Defect-resistant emission properties of nonpolar m-plane Al_1-xIn_xN epilayers for deep-ultraviolet to visible polarized-light-emitting vacuum fluorescent display devices

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, Y. Sato

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016) 2016年10月2日

  282. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R.Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016) 2016年10月2日

  283. Defect-resistant luminescent probability of m-plane AlInN alloy films for deep ultraviolet and visible polarized light-emitters

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, Y. Sato

    European Materials Research Society, 2016 Fall Meeting, Session F: AlN and AlGaN materials and devices 2016年9月19日

  284. 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(3)

    小島一信, 大友友美, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2016年秋季応用物理学会 2016年9月13日

  285. 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

    小島一信, 大友友美, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2016年秋季応用物理学会 2016年9月13日

  286. GaN基板上に作製されたMgイオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価

    小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

    2016年秋季応用物理学会 2016年9月13日

  287. Alloy-Compositional-Fluctuation Effects on Optical Gain Characteristics in AlGaN and InGaN Quantum-Well Laser Diodes

    A. Yamaguchi, T. Minami, S. Sakai, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016) 2016年9月12日

  288. 固相剥離法によるSi系剥片状ナノ粒子の合成と光物性・光触媒特性

    板原浩, 今川晴雄, 呉暁勇, 山崎芳樹, 殷シュウ, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

    公益社団法人日本セラミックス協会 第29回秋季シンポジウム 2016年9月7日

  289. Metalorganic vapor phase epitaxy of pseudomorphic m-plane Al_1-xIn_xN alloy films on a low defect density m-plane GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016年8月7日

  290. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R.Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016年8月7日

  291. Cathodoluminescence Spectroscopy of GaN/AlN Quantum Structures for sub-280 nm emission

    S. M. Islam, V. Protasenko, H, Grace) Xing, Debdeep Jena, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD-2016) 2016年7月27日

  292. Optical and photocatalytic properties of nanocomposites composed of Ca_xSi_2 nano -flakes and nickel silicide particles

    H. Itahara, X. Wu, Y. Yamazaki, H. Imagawa, S. Yin, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Sato

    Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016) 2016年7月16日

  293. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    Q. Bao, M. Saito, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R. Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016) 2016年6月26日

  294. 単分散球状CdSナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織構造由来の蛍光特性の発現

    蟹江澄志, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, 小島一信, 秩父重英, 玉田薫, 村松淳司, UNGAR Goran, UNGAR Goran

    ナノ学会大会講演予稿集 2016年6月14日

  295. Structure-Dependent Photoluminescence Behavior of Liquid-Crystalline Self-Organized Organic-Inorganic Hybrid Dendrimer with a CdS Nano-Core

    K. Kanie, M. Matsubara, W. Stevenson, J. Yabuki, X. Zeng, H. Dong, K. Kojima, S.F. Chichibu, K. Tamada, A. Muramatsu, G. Ungar

    90th American Chemical Society Colloid & Surface Science Symposium 2016年6月5日

  296. 酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長

    斉藤 真, 包 全喜, 栗本 浩平, 冨田 大輔, 小島 一信, 鏡谷 勇二, 茅野林造, 石黒 徹, 秩父 重英

    応用物理学会結晶工学分科会 第145回結晶工学分科会研究会 2016年6月3日

  297. 時間分解ルミネッセンス法によるGaNのキャリア寿命の評価

    秩父重英, 小島一信, 上殿明良

    日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会研究会 2016年5月27日

  298. 自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性

    秩父重英, 小島一信, 上殿明良

    日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第8回窒化物半導体結晶成長講演会 2016年5月9日

  299. GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 大友友美, 斉藤真, 池田宏隆, 秩父重英

    日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第8回窒化物半導体結晶成長講演会 2016年5月9日

  300. Recombination dynamics of hot carriers excited in a highly-doped m-plane GaN single crystal

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17) 2016年3月28日

  301. Carrier Lifetime Control of Nearly Dislocation-free ZnO Homoepitaxial Films by 3d Transition-metal Doping

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, A. Uedono

    17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17) 2016年3月28日

  302. 酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶の高速成長

    栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 茅野林造, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    日本金属学会2016年春期(第158回)講演大会 2016年3月23日

  303. 低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御

    秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 上殿明良

    2016年春季応用物理学会 2016年3月19日

  304. 組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較

    南琢人, 小島一信, 坂井繁太, 秩父重英, 山口敦史

    2016年春季応用物理学会 2016年3月19日

  305. 自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)

    秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 佐藤義孝, 上殿明良

    2016年春季応用物理学会 2016年3月19日

  306. 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 大友友美, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2016年春季応用物理学会 2016年3月19日

  307. 高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2016年春季応用物理学会 2016年3月19日

  308. Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性

    板原浩, 呉暁勇, 山崎芳樹, 今川 晴雄, 殷シュウ, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

    2016年春季応用物理学会 2016年3月19日

  309. MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討

    中村匠, 矢野雄大, 上山浩平, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    2016年春季応用物理学会 2016年3月19日

  310. 90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針

    小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    2016年春季応用物理学会 2016年3月19日

  311. 時間空間分解カソードルミネッセンスによるⅢ族窒化物半導体の評価

    秩父重英, 山崎芳樹, 小島一信

    発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来 2016年春季応用物理学会シンポジウム 2016年3月19日

  312. 時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価"

    秩父重英, 山崎芳樹, 小島一信

    第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日

  313. 酸性アモノサーマル法による高品質GaN結晶の育成

    包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 山崎芳樹, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM) 2016年3月13日

  314. 高品質窒化物半導体の光学特性

    小島一信, 秩父重英

    真空ナノエレクトロニクス158委員会 3月定期研究会 2016年3月4日

  315. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R. Kayano, T.Ishiguro, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2016, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XI 2016年2月13日

  316. 酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹

    化学工学会反応工学部会CVD反応分科会主催第24回シンポジウム 2015年12月1日

  317. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会/電子デバイス研究会/電子部品・材料研究会 2015年11月26日

  318. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    小島 一信, 塚田 悠介, 古川 えりか

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2015年11月26日

  319. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 (電子デバイス)

    小島 一信, 塚田 悠介, 古川 えりか

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2015年11月26日

  320. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 (電子部品・材料)

    小島 一信, 塚田 悠介, 古川 えりか

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2015年11月26日

  321. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    電子情報通信学会技術研究報告 2015年11月19日

  322. Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al_1-xIn_xN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate

    K. Kojima, D. Kagaya, Y. Yamazaki, H, Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) 2015年11月8日

  323. Metalorganic vapor phase epitaxy and time-resolved luminescence studies of pseudomorphic m-plane Al_1-xIn_xN epitaxial films on a low defect density m-plane GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, H. Ikeda, K. Fujito

    The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) 2015年11月8日

  324. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R.Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) 2015年11月8日

  325. Low resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point defect concentration grown by hydride vapor phase epitaxy on an ammonothermal GaN seed crystal

    K. Kojima, K. Furusawa, E. Furukawa, M. Saito, Y. Tsukada, Y. Mikawa, S. Kubo, H.Ikeda, K. Fujito, A. Uedono, S. F. Chichibu

    The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) 2015年11月8日

  326. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN結晶成長

    斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 2015年10月19日

  327. 酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長

    斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 2015年10月19日

  328. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月13日

  329. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN 高速育成

    斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月13日

  330. 高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス

    小島一信, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月13日

  331. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

    斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年8月31日

  332. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年8月31日

  333. 高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス

    小島一信, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年8月31日

  334. Time-resolved and spatially-resolved luminescence studies on ultraviolet to green luminescence peaks of m-plane Al_1-xIn_xN epilayers grown on a low defect density m-plane GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, H. Ikeda, K.Fujito

    The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11) 2015年8月30日

  335. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y.Kagamitani, R. Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11) 2015年8月30日

  336. Polarity dependent radiation hardness of GaN

    Masayuki Matsuo, Takayuki Murayama, Kazuto Koike, Shigehiko Sasa, Mitsuaki Yano, Shun Ichi Gonda, Akira Uedono, Ryoya Ishigami, Kyo Kume, Tomomi Ohtomo, Erika Furukawa, Yoshiki Yamazaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

    IMFEDK 2015 - 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2015年7月14日

  337. High-Quality Bulk Crystal Growth of GaN by the Ammonothermal Method in a Supercritical NH_3 Using Acidic Mineralizers

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Kagamitani, R. Kayano, T. Ishiguro

    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices - 2015 German -Japanese-Spanish Joint Workshop 2015年7月11日

  338. Polarity Dependent Radiation Hardness of GaN

    M. Matsuo, T. Murayama, K. Koike, S. Sasa, M. Yano, S. Gonda, R. Ishigami, K.Kume, A. Uedono, T. Ohtomo, E. Furukawa, Y. Yamazaki, K. Kojima, S. Chichibu

    The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices 2015年6月4日

  339. Homoepitaxy of ZnO films of reduced donor concentrations by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy method using a ZnO target prepared by hydrothermal technique

    S. Iwahashi, K. Furusawa, Y. Yamazaki, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    European Materials Research Society, 2015 Spring Meeting, Symposium N: Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films V 2015年5月11日

  340. Controlling the minority carrier lifetime of ZnO epitaxial thin films by transition metal doping

    S. F. Chichibu, S. Iwahashi, Y. Yamazaki, K. Kojima, K. Furusawa, A. Uedono

    European Materials Research Society, 2015 Spring Meeting, Symposium N: Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films V 2015年5月11日

  341. 分光エリプソメトリーによるm面Al_1-xIn_xN薄膜の光学特性評価

    小島一信, 加賀谷大樹, 山崎芳樹, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN6) 2015年5月7日

  342. 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4):遷移金属不純物に関する考察

    岩橋咲弥, 山崎芳樹, 小島一信, 古澤健太郎, 上殿明良, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015年3月11日

  343. 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3):浅い不純物に関する考察

    山崎芳樹, 古澤健太郎, 岩橋咲弥, 小島一信, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015年3月11日

  344. 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果

    栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 冨田大輔, 伊藤みずき, 山崎芳樹, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015年3月11日

  345. ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α-In2O3)の特性評価

    須和祐太, 川原村敏幸, 小島一信, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015年3月11日

  346. 「自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015年3月11日

  347. 「m面Al_1-xIn_xN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価」

    加賀谷大樹, 山崎芳樹, 池田宏隆, 藤戸健史, 小島一信, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015年3月11日

  348. 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3):浅い不純物に関する考察

    山崎芳樹, 古澤健太郎, 岩橋咲弥, 小島一信, 秩父重英

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日

  349. 自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日

  350. m面Al1-xInxN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価

    加賀谷大樹, 山崎芳樹, 池田宏隆, 藤戸健史, 小島一信, 秩父重英

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日

  351. 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4):遷移金属不純物に関する考察

    岩橋咲弥, 山崎芳樹, 小島一信, 古澤健太郎, 上殿明良, 秩父重英

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日

  352. ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α‐In2O3)の特性評価

    須和祐太, 川原村敏幸, 小島一信, 秩父重英

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日

  353. 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果

    栗本浩平, BAO Q, 斉藤真, 冨田大輔, 伊藤みずき, 山崎芳樹, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日

  354. BGaN半導体材料における結晶成長技術の開発と諸特性の評価

    中野貴之, 上山浩平, 中村匠, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2015年

  355. 液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織化CdS量子ドットのフォトルミネッセンス挙動

    松原正樹, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, UNGAR Goran, 蟹江澄志, 村松淳司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2015年

  356. 水熱合成ZnOターゲットを用いた低ドナー不純物濃度ZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長

    古澤健太郎, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2015年

  357. High Quality and High Rate Bulk GaN Crystal Growth by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Kagamitani, R. Kayano, K. Qiao, T. Ishiguro, C. Yokoyama, S. F. Chichibu

    2014 Materials Research Society Fall Meeting 2014年12月

  358. Optical characteristics of nonpolar and semipolar nitride heterostructures

    小島一信, 秩父重英

    第50回GRL浜松セミナー 2014年12月

  359. Optical polarization properties of Al_1-xIn_xN epilayers grown on m-plane freestanding GaN substrates

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    Materials Research Society, 2014 Fall Meeting, Symposium AA: Synthesis,Processing and Mechanical Properties of Functional Hexagonal Materials for Energy Applications 2014年11月30日

  360. High Quality Bulk GaN Crystal Growth by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Kagamitani, R. Kayano, K. Qiao, T. Ishiguro, C. Yokoyama, S. F. Chichibu

    Materials Research Society, 2014 Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics 2014年11月30日

  361. A strategy to improve the emission efficiency of Si-doped AlGaN multiple quantum wells by out-of-plane compositional modulations

    Y. Yamazaki, K. Furusawa, K. Kojima, K. Nakahama, H. Miyake, K. Hiramatsu, S.F. Chichibu

    Materials Research Society, 2014 Fall Meeting , Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics 2014年11月30日

  362. Optical characteristics of nonpolar and semipolar nitride heterostructures

    K. Kojima, Y. Yamazaki, S. F. Chichibu

    2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors 2014年10月

  363. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN 高速育成

    斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 喬焜, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

    2014年秋季応用物理学会 2014年9月17日

  364. 混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上

    山崎芳樹, 古澤健太郎, 小島一信, 中濱和大, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    2014年秋季応用物理学会 2014年9月17日

  365. m面GaN基板上に成長したAl_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の偏光特性

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2014年秋季応用物理学会 2014年9月17日

  366. フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析

    秩父重英, 古澤健太郎, 石川陽一, 山崎芳樹, 小島一信

    2014年秋季応用物理学会シンポジウム 2014年9月17日

  367. フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析

    秩父重英, 石川陽一, 山崎芳樹, 小島一信

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年9月1日

  368. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

    斉藤真, BAO Q, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, QIAO K, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年9月1日

  369. m面GaN基板上に成長したAl1-xInxNエピタキシャル薄膜の偏光特性

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年9月1日

  370. 混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上

    山崎芳樹, 古澤健太郎, 小島一信, 中濱和大, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年9月1日

  371. Epitaxial growth of thick m-plane Al_1-xIn_xN epilayers exhibiting a dominant ultraviolet to green near-band-edge luminescence peak on a low defect density m-plane GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Furusawa, K. Hazu, Y. Ishikawa, T. Onuma, T. Ohtomo, Y.Yamazaki, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014) 2014年8月24日

  372. Optical characteristics of deep ultraviolet nitride semiconductors with various crystal orientations

    Kazunobu KOJIMA

    International Union of Materials Research Societies-The IUMRS InternationalConference in Asia 2014 2014年8月24日

  373. 非極性面窒化物半導体深紫外レーザーの低閾値化に関する理論的検討

    小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進

    レーザー学会学術講演会第34回年次大会 2014年1月

  374. フォトニックバンドギャップの存在下で自然放出が抑制された単一量子ドットの光学特性(2)

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年8月31日

  375. 同一の単一量子ドットにおけるフォトニック結晶形成前後の光学特性の比較

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年8月27日

  376. 発光イメージを用いた単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の高精度位置合わせ(3)

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年8月27日

  377. 単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の相対位置合わせにおける誤差推定

    小島一信, 児島貴徳, 中村達也, 彦山和久, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年8月27日

  378. ナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態の動的制御

    中村達也, 小島一信, 児島貴徳, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年8月27日

  379. ナノ共振器の共鳴周波数変動を抑制したQ値制御手法

    彦山和久, 中村達也, 小島一信, 浅野卓, 児島貴徳, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年8月27日

  380. ナノ共振器・導波路結合系を用いたQED制御に関する検討

    彦山和久, 浅野卓, 中村達也, 小島一信, 児島貴徳, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年2月29日

  381. 実験データ解析に基づく非極性InGaN量子井戸の偏光特性の予測

    山口敦史, 小島一信

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年8月16日

  382. 発光イメージを用いた単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の高精度位置合わせ (2)

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年8月16日

  383. フォトニック結晶ナノ共振器の高Q値化の設計指針 (2)

    中村達也, 高橋和, 高橋和, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年8月16日

  384. 発光イメージを用いた単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の高精度位置合わせ

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年3月9日

  385. 窒素堆積・剥離によるナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態制御(3)

    中村達也, 小島一信, 児島貴徳, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年3月9日

  386. 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈

    山口 敦史, 小島 一信

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2010年11月4日

  387. 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈

    山口 敦史, 小島 一信

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 2010年11月4日

  388. 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈

    山口 敦史, 小島 一信

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 2010年11月4日

  389. 発光イメージに基づく単一量子ドットの位置検出精度向上に関する検討

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年8月30日

  390. 無極性面AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討

    小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年8月30日

  391. 窒素堆積・剥離によるナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態制御(2)

    中村達也, 小島一信, 児島貴徳, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年8月30日

  392. 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈

    山口敦史, 小島一信

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年8月30日

  393. 量子ドットを含むナノ共振器のQ値制御についての理論検討

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 児島貴徳, 中村達也, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年8月30日

  394. 単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の相対位置および発光波長の精密調整

    小島一信, 児島貴徳, 中村達也, 山口真, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年3月3日

  395. 単一量子ドットの位置検出と発光特性評価―量子ドットとナノ共振器の結合系の高度化に向けて―

    児島貴徳, 小島一信, STUMPF Wolfgang, 中村達也, 山口真, 浅野卓, 冨士田誠之, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年3月3日

  396. ナノ共振器・量子ドット結合系における純位相緩和の影響の検討(5)

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 児島貴徳, 中村達也, STUMPF Wolfgang, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年3月3日

  397. 非極性InGaN量子井戸における偏光特性(擬立方晶近似が成立しない場合)

    山口敦史, 小島一信

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年3月3日

  398. 窒素堆積・剥離によるナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態制御

    中村達也, 浅野卓, 小島一信, STUMPF Wolfgang, 児島貴徳, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年3月3日

  399. 非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係

    小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年3月3日

  400. Impact of anti-Zeno effect on a coupled nanocavity-quantum-dot system

    M. Yamaguchi, T. Asano, K. Kojima, S. Noda

    2009 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2009 Conference on Quantum Electronics and Laser Science Conference, CLEO/QELS 2009 2009年11月16日

  401. 反射・PLスペクトル同時測定による量子ドット‐ナノ共振器融合系の評価

    児島貴徳, STUMPF Wolfgang, 小島一信, 井上博揮, 中村達也, 浅野卓, 冨士田誠之, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009年9月8日

  402. ナノ共振器・量子ドット強結合系における時分解スペクトルの解析

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009年9月8日

  403. 2次元フォトニック結晶ナノ共振器の反射スペクトルの理論解析

    中村達也, STUMPF W, 児島貴徳, 小島一信, 田中良典, 冨士田誠之, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009年9月8日

  404. ナノ共振器‐量子ドット結合系におけるパーセル効果の制御

    小島一信, STUMPF Wolfgang, 山口真, 児島貴徳, 中村達也, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009年9月8日

  405. ナノ共振器・量子ドット強結合系における共鳴時の3番目の発光ピーク(2)

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2009年3月30日

  406. 量子ドットを含んだナノ共振器・導波路結合系の基礎光学特性

    小島一信, 井上博揮, STUMPF Wolfgang, 中村達也, 山口真, 児島貴徳, 冨士田誠之, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2009年3月30日

  407. 非c面窒化物半導体量子井戸における価電子帯有効質量

    小島一信, 船戸充, 川上養一, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2009年3月30日

  408. 2次元フォトニック結晶における新たな光パルストラップ方法の提案

    井上博揮, UPHAM Jeremy, 田中良典, STUMPF wolfgang, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2009年3月30日

  409. ベキ乗関数を用いたGaInNからの室温時間分解フォトルミネッセンスの解析

    北川均, 北川均, 黒川要一, 黒川要一, 須藤俊英, 須藤俊英, 冨士田誠之, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2008年9月2日

  410. ナノ共振器・量子ドット強結合系における共鳴時の3番目の発光ピーク

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 冨士田誠之, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2008年9月2日

  411. ナノ共振器と量子ドット結合状態の動的制御(1)

    小島一信, 山口真, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2008年9月2日

  412. 非極性面InGaN量子井戸の偏光制御に関する理論検討

    小島一信, 加門宏章, 船戸充, 川上養一, 長濱慎一, 向井孝志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2008年3月27日

  413. 非極性面InGaN量子井戸レーザの光学特性

    小島一信, 船戸充, 川上養一, 枡井真吾, 長濱慎一, 向井孝志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2008年3月27日

  414. InGaN量子井戸レーザの光学利得と内部電界の関係

    小島一信, 船戸充, 川上養一, SCHWARZ U. T, SCHWARZ U. T, 長濱慎一, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2007年9月4日

  415. 半極性・無極性InGaN量子井戸の光学的異方性に関する理論解析

    小島一信, 加門宏章, 船戸充, 川上養一

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2007年9月4日

  416. 高In組成InGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制御

    川上養一, 船戸充, 金田昭男, 上田雅也, 小島一信, 成川幸男, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2007年9月4日

  417. 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価

    上田 雅也, 小島 一信, 船戸 充, 川上 養一, 成川 幸男, 向井 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告 2006年10月5日

  418. 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価

    上田 雅也, 小島 一信, 船戸 充, 川上 養一, 成川 幸男, 向井 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2006年9月28日

  419. 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価

    小島 一信, 船戸 充, 川上 養一, シュワルツ ウルリヒ・T, ブラウン ハラルド, 長濱 慎一, 向井 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2006年9月28日

  420. 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価

    小島 一信, 船戸 充, 川上 養一, シュワルツ ウルリヒ・T, ブラウン ハラルド, 長濱 慎一, 向井 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 2006年9月28日

  421. 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価

    上田 雅也, 小島 一信, 船戸 充, 川上 養一, 成川 幸男, 向井 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 2006年9月28日

  422. 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価

    小島 一信, 船戸 充, 川上 養一, シュワルツ ウルリヒ・T, ブラウン ハラルド, 長濱 慎一, 向井 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 2006年9月28日

  423. 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価

    上田 雅也, 小島 一信, 船戸 充, 川上 養一, 成川 幸男, 向井 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 2006年9月28日

  424. InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N量子井戸の光学利得とアンチガイディングファクタの実測

    小島一信, 船戸充, 川上養一, BRAUN H, SCHWARZ U. T, 長濱慎一, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2006年8月29日

  425. GaN{11‐22}基板上へのGaNのホモエピタキシャル成長

    上田雅也, 小島一信, 船戸充, 川上義一, 成川幸男, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2006年8月29日

  426. 半極性面{1122}バルクGaNにおける面内光学異方性

    小島一信, 加門宏章, 船戸充, 川上養一

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2006年3月22日

  427. アップ・コンバージョン法によるInXGa1‐XN低次元量子構造の誘導放出ダイナミクス

    小島一信, 船戸充, 成川幸男, 向井孝志, 川上養一

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2005年3月29日

  428. メタルマスクへの微小開口作製によるInGaNの空間分解分光

    金井聡庸, 小島一信, 船戸充, 成川幸男, 向井孝志, 川上養一

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2005年3月29日

  429. 顕微分光法によるInGaNナノ構造の発光機構解明

    川上養一, 金田昭男, 西塚幸司, 小島一信, ZHU Y, 山田大輔, MICHELETTO R, 成川幸男, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004年9月1日

  430. InGaN低次元量子構造におけるホットキャリア分布

    小島一信, 鹿内周, 船戸充, 成川幸男, 向井孝志, 川上養一

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004年9月1日

  431. InGaN多重量子井戸構造におけるレーザモードとバッファ層の関係

    小島一信, 鹿内周, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志, 藤田茂夫

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004年3月28日

  432. InGaN多重量子井戸構造における光学利得の測定 (2)

    小島一信, 鹿内周, 大前邦途, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志, 藤田茂夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2003年8月30日

  433. InGaN多重量子井戸構造におけるホットキャリアダイナミクス

    鹿内周, 小島一信, 大前邦途, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志, 藤田茂夫

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月27日

  434. InGaN多重量子井戸構造における光学利得の測定

    小島一信, 鹿内周, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志, 藤田茂夫

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月27日

  435. 窒化物半導体フォトニクス

    小島一信

    ナノテスティング学会 第29回パワー&アナログデバイス解析研究会(P&A解析研究会)

  436. 光電子分光を活用した窒化物半導体表面でのキャリアダイナミクス評価

    市川修平, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一, 小島一信

    応用物理学会 応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会

特許・実用新案・意匠 8

  1. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法

    中野 貴之, 秩父 重英, 小島 一信

    特許6856214

    出願日:2017/03/30

    登録日:2021/03/22

  2. 二次電池

    殿川 孝司, 小坂 裕, 津國 和之, 高野 光, 秩父 重英, 小島 一信

    出願日:2016/08/31

  3. 光触媒

    板原 浩, 今川 晴雄, 佐藤 次雄, 殷 シュウ, 呉 暁勇, 秩父 重英, 小島 一信, 山崎 芳樹

    出願日:2016/02/18

  4. 窒化物半導体レーザ素子

    小島 一信, 川上 養一, 船戸 充, 長濱 慎一, 枡井 真吾

    特許第5286723号

    出願日:2007/09/14

  5. 窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法及び窒化物半導体紫外線発光素子

    平野 光, 長澤 陽祐, 秩父 重英, 小島 一信

    特許6560821

    出願日:2017/11/08

  6. 深紫外発光素子およびその製造方法

    川原村 敏幸, ダン タイ ジャン, 須和 祐太, 小島 一信, 秩父 重英

    特許7082390

    出願日:2017/08/04

  7. 検査装置及び検査方法

    池村 賢一郎, 小島 一信, 秩父 重英, 井口 和也

  8. 窒化物半導体紫外線発光素子

    平野光, 長澤陽祐, 秩父重英, 小島一信

    特許6391207

社会貢献 19

  1. 大阪市立科学館「光学冷却用のペロブスカイト半導体」展示提供

    2025年7月4日 ~

  2. 新発見!次世代半導体GaNは高純度で光りにくさの理由が変わる

    RISOU

    2024年6月7日 ~

  3. 新たな冷却方法やエネルギー輸送の実現に期待 -高効率なアンチストークス発光を示す半導体複合ナノ構造材料を発見-

    2022年4月21日 ~

  4. To Accelerate or Decelerate in the Light-emitting Process of Zinc-Oxide Crystals

    2020年12月 ~

  5. 光り方を決めるのは光る頻度か光らない頻度か?~酸化亜鉛結晶の発光効率と発光寿命の相関を明示~

    2020年12月 ~

  6. A New Method to Measure Optical Absorption in Semiconductor Crystals

    2020年10月29日 ~

  7. 窒化ガリウム結晶の発光量子効率と光吸収の関係を解明

    2020年10月29日 ~

  8. Tohoku University Teaches Old Spectroscopy New Tricks

    2020年10月 ~

  9. 窒化ガリウムの発光を阻害する原因を突き詰める!-極低温下における発光効率計測に成功-

    2020年9月 ~

  10. ギガビット級高速光無線通信を実現した深紫外LEDの高速変調メカニズムを解明 -自己組織化微小LED集合体がもたらす、高発光効率と高速変調の両立-

    2020年8月 ~

  11. Faster LEDs for Wireless Communications from Invisible Light

    2020年7月 ~

  12. Breakthrough Made in Detecting Carbon Impurities in Gallium Nitride Crystals via Light

    Tohoku University

    2019年12月 ~

  13. 一億個に一つの不純物も見逃さない! -窒化ガリウム結晶中の炭素不純物を高感度・非破壊・非接触検出-

    東北大学

    2019年12月 ~

  14. A New Method for Quantifying Crystal Semiconductor Efficiency

    Tohoku University

    2019年8月 ~

  15. 太陽電池の材料はよく光る!? -ペロブスカイト半導体の発光量子効率計測-

    東北大学

    2019年8月 ~

  16. Probing Semiconductor Crystals with a Sphere of Light

    Tohoku University

    2019年6月 ~

  17. 窒化ガリウムウェハの高速・高感度検査技術を確立 -分光技術を駆使した半導体の結晶欠陥計測-

    東北大学

    2019年5月 ~

  18. Understanding high efficiency of deep ultraviolet LEDs

    Tohoku University

    2019年2月 ~

  19. 公衆衛生や生活の質的向上に寄与! ~深紫外発光素子の高効率動作メカニズムを解明~

    東北大学

    2019年1月 ~

機関リポジトリ 1

大阪大学の学術機関リポジトリ(OUKA)に掲載されているコンテンツ
  1. Switching of major nonradiative recombination centers (NRCs) from carbon impurities to intrinsic NRCs in GaN crystals

    Sano K., Fujikura H., Konno T., Kaneki S., Ichikawa S., Kojima K.

    Applied Physics Letters Vol. 124 2024年6月3日