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Kojima Kazunobu
小島 一信
Kojima Kazunobu
小島 一信
Graduate School of Engineering Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Professor

keyword Laser illumination,Measurements of quantum efficiency of radiation,deep-ultraviolet optical wireless communication,nanoelectronics,optical characterization

Research History 9

  1. 2025/04 - Present
    大阪大学 カーボンニュートラル連携機構 教授(兼任)

  2. 2021/12 - Present
    Osaka University Graduate School of Engineering, Division of Electrical, Electronic and Infocommunications Engineering Professor

  3. 2014/04 - 2021/12
    Tohoku University Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials Associate Professor

  4. 2011/07 - 2014/03
    Kyoto University Graduate School of Engineering

  5. 2011/07 - 2014/03
    Kyoto University Graduate School of Engineering, Department of Electronic Science and Engineering

  6. 2008/10 - 2011/06
    Kyoto University Graduate School of Engineering, Department of Electronic Science and Engineering

  7. 2008/04 - 2008/09
    日本学術振興会 特別研究員(PD)

  8. 2005/04 - 2008/03
    日本学術振興会 特別研究員(DC1)

  9. 2006/05 - 2006/07
    レーゲンスブルグ大学 客員研究員

Committee Memberships 20

  1. Scientific reports Editorial board member Academic society

    2022 - Present

  2. 窒化物半導体国際ワークショップ 2026 出版委員会副委員長 Academic society

    2025 - 2027

  3. 応用物理学会 APEX/JJAP編集委員 Academic society

    2025 - 2027

  4. ワイドギャップ半導体学会 学界委員 Academic society

    2022 - 2026

  5. ナノテスティング学会 企画運営委員会 委員 Academic society

    2022 - 2026

  6. ワイドギャップ半導体学会 企画副査 Academic society

    2023 - 2025

  7. IWN2024 Program committee Academic society

    2024 - 2024

  8. 光電相互変換第125委員会 幹事委員 Academic society

    2018 - 2024

  9. ICNS-14 論文委員会 委員 Academic society

    2023 - 2023

  10. ICNS-14 出版委員会 庶務委員 Academic society

    2023 - 2023

  11. 応用物理学会 応用物理 編集委員 Academic society

    2021 - 2023

  12. IWN2022 論文委員会 委員 Academic society

    2022 - 2022

  13. 応用物理学会 代議員 Academic society

    2017 - 2021

  14. CSW2019 論文委員会 委員 Academic society

    2019 - 2019

  15. ICNS-13 論文委員会 委員、ランプセッションオーガナイザ Academic society

    2019 - 2019

  16. IWN2018 出版委員会 委員 Academic society

    2018 - 2018

  17. ICNS2017 論文委員会 委員 Academic society

    2017 - 2017

  18. IWUMD2017 論文委員会 委員 Academic society

    2017 - 2017

  19. SSDM 論文委員会 委員 Academic society

    2014 - 2016

  20. SSDM2012 実行委員会 委員、ショートコースオーガナイザ Academic society

    2012 - 2012

Professional Memberships 3

  1. The Institute of NANO Testing (INANOT)

  2. THE LASER SOCIETY OF JAPAN

  3. THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS

Research Areas 3

  1. Natural sciences / Semiconductors, optical and atomic physics /

  2. Nanotechnology/Materials / Nanostructure physics /

  3. Nanotechnology/Materials / Crystal engineering /

Awards 12

  1. 第57回(2024年秋季)応用物理学会講演奨励賞

    村田 雄生, 市川修平, 戸田晋太郎, 藤原康文, 小島 一信 公益社団法人 応用物理学会 2024/11

  2. Young Researcher’s Paper Award

    Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Kazunobu Kojima The 10th Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA 2024) 2024/04

  3. Outstanding Reviewer Award

    Kazunobu Kojima IOP Publishing 2021/03

  4. 研究奨励賞

    小島 一信 ナイトライド基金 2019/12

  5. 研究奨励賞

    小島 一信 光電相互変換第125委員会 2019/10

  6. Best poster Award

    S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. Uedono The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019/07

  7. Best Paper Award,

    K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019), 2019/06

  8. Student's Paper Award of LEDIA'18

    Y.Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu LEDIA 2018/04

  9. 平成29年度「科学計測振興基金」科学計測振興賞

    小島 一信 国立大学法人 東北大学 多元物質科学研究所 2017/12

  10. 平成21年度ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞

    小島一信 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2009/05

  11. EMS Award

    Kazunobu Kojima EMS 2008/07

  12. Young Scientist Oral Presentation Award

    Kazunobu Kojima Japan Society of Applied Physics 2008/03

Papers 92

  1. Switching of major nonradiative recombination centers (NRCs) from carbon impurities to intrinsic NRCs in GaN crystals

    K. Sano, H. Fujikura, T. Konno, S. Kaneki, S. Ichikawa, K. Kojima

    Applied Physics Letters Vol. 124 No. 23 2024/06/03 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  2. 230 nm wavelength range far-UVC LED with low Al-composition differentiation between well and barrier layers of MQWs

    Kenjiro Uesugi, Ryota Akaike, Shuhei Ichikawa, Takao Nakamura, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake

    Applied Physics Express 2024/04/01 Research paper (scientific journal)

  3. Anti-Stokes photoluminescence from CsPbBr3 nanostructures embedded in a Cs4PbBr6 crystal

    Yuto Kajino, Shuji Otake, Takumi Yamada, Kazunobu Kojima, Tomoya Nakamura, Atsushi Wakamiya, Yoshihiko Kanemitsu, Yasuhiro Yamada

    Physical Review Materials Vol. 6 No. 4 2022/04/14 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Physical Society ({APS})
  4. Up-to 292-Mbps Deep-UV Communication over a Diffuse-Line-of-Sight Link Based on Silicon Photo Multiplier Array

    Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Atsushi Kanno, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinari Awaji

    2020 European Conference on Optical Communications (ECOC) 2020/12 Research paper (international conference proceedings)

    Publisher: IEEE
  5. Determination of deformation potentials in InGaN at visible light region

    Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima

    Journal of Applied Physics Vol. 138 No. 3 2025/07/15 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  6. Optical Cooling of Dot-in-Crystal Halide Perovskites: Challenges of Nonlinear Exciton Recombination

    Yasuhiro Yamada, Takeru Oki, Takeshi Morita, Takumi Yamada, Mitsuki Fukuda, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima, Yoshihiko Kanemitsu

    Nano Letters 2024/08/29 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Chemical Society (ACS)
  7. Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rock salt-structured MgxZn1−xO

    Takeyoshi Onuma, Kanta Kudo, Mizuki Ono, Wataru Kosaka, Kohei Shima, Kyohei Ishii, Kentaro Kaneko, Yuichi Ota, Tomohiro Yamaguchi, Kazunobu Kojima, Shizuo Fujita, Shigefusa F. Chichibu, Tohru Honda

    Journal of Applied Physics Vol. 134 No. 2 2023/07/13 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  8. Weak metastability of AlxGa1-xN (x=13/24, 15/24, 17/24) shown by analyzing AlGaN grown on AlN with dense macrosteps

    Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ipponmatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 15 No. 7 p. 075505-075505 2022/06/16 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  9. Enhanced quantum efficiency of a self-organized silica mixed red phosphor CaAlSiN3:Eu

    Masatsugu Oishi, Shohei Shiomi, Koji Ohara, Fumito Fujishiro, Yoichiro Kai, Shao-Ju Shih, Toshihiro Moriga, Shigefusa F. Chichibu, Aiko Takatori, Kazunobu Kojima

    Journal of Solid State Chemistry Vol. 309 p. 122968-122968 2022/05 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Elsevier BV
  10. Precise determination of deformation potentials in InGaN alloy material in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells

    Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Atsushi A YAMAGUCHI

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 61 No. 6 p. 061003-061003 2022/03/31 Research paper (scientific journal)

    Publisher: {IOP} Publishing
  11. Dual-peak electroluminescence spectra generated from Al n/12Ga1-n/12N (n=2, 3, 4) for AlGaN-based LEDs with nonflat quantum wells

    Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Shigefusa F. Chichibu

    Journal of Physics D: Applied Physics 2022/03/11 Research paper (scientific journal)

    Publisher: {IOP} Publishing
  12. Characterization of semiconductor crystals based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy

    Kazunobu Kojima

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 2022/02

  13. Discrete wavelengths observed in electroluminescence originating from Al1/2Ga1/2N and Al1/3Ga2/3N created in nonflat AlGaN quantum wells

    Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Shigefusa F Chichibu

    Journal of Physics D: Applied Physics Vol. 54 No. 48 p. 485107-485107 2021/12/02 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  14. Dopant activation process in Mg-implanted GaN studied by monoenergetic positron beam

    Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

    Scientific Reports Vol. 11 No. 1 2021/12 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Springer Science and Business Media LLC
  15. Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg

    K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Kojima, A. Uedono, S. Ishibashi, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters Vol. 119 No. 18 p. 182106-182106 2021/11/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: {AIP} Publishing
  16. Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes

    Takayuki Nakano, Ken Mochizuki, Takuya Arikawa, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Adrian Vogt, Sebastian Schütt, Michael Fiederle, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki

    Journal of Applied Physics Vol. 130 No. 12 p. 124501-124501 2021/09/28 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  17. Facile method for the synthesis of zinc- or magnesium-doped gallium nitride powders from gallium metal

    Daisuke Tomida, Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouhei Kurimoto, Kazunobu Kojima, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

    Journal of Crystal Growth Vol. 570 p. 126190-126190 2021/09 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Elsevier {BV}
  18. Reduced nonradiative recombination rates in c-plane Al0.83In0.17N films grown on a nearly lattice-matched GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

    L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, A. Uedono, S. Ishibashi, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters Vol. 119 No. 9 p. 091105-091105 2021/08/30 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  19. 【Plenary】Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors

    Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shoji Ishibashi, Akira Uedono

    Proceedings of IWJT2021 2021/06/10 Research paper (international conference proceedings)

    Publisher: IEEE
  20. Discrete AlN mole fraction of n/12 (n = 4–8) in Ga-rich zones functioning as electron pathways created in nonflat AlGaN layers grown on high-miscut sapphire substrates

    Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Journal of Applied Physics Vol. 129 No. 16 p. 164503-164503 2021/04/28 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  21. Correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime of the near-band-edge emission in a ZnO single crystal grown by the hydrothermal method

    Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 No. 12 p. 121005-121005 2020/12/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  22. Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1−xInxN on GaN

    Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Yoshihiro Kangawa

    Scientific Reports Vol. 10 No. 1 2020/12 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Springer Science and Business Media LLC
  23. Detailed analysis of Ga-rich current pathways using n-Al0.7Ga0.3N layer grown on AlN template with dense macrosteps

    Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ipponmatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 No. 12 p. 124001-124001 2020/11/17 Research paper (scientific journal)

  24. Urbach–Martienssen tail as the origin of the two-peak structure in the photoluminescence spectra for the near-band-edge emission of a freestanding GaN crystal observed by omnidirectional photoluminescence spectroscopy

    K. Kojima, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters Vol. 117 No. 17 p. 171103-171103 2020/10/26 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  25. Characterization of AlGaN multiple-quantum-wells grown on c-plane AlN/sapphire templates with macro-steps

    Kazunobu Kojima

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 2020/10

  26. Temperature dependence of internal quantum efficiency of radiation for the near-band-edge emission of GaN crystals quantified by omnidirectional photoluminescence spectroscopy

    Kazunobu Kojima, Kenichiro Ikemura, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 No. 10 p. 105504-105504 2020/10/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: {IOP} Publishing
  27. Self-organized micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications

    K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters Vol. 117 No. 3 p. 031103-031103 2020/07/20 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  28. Hole capture-coefficient of intrinsic nonradiative recombination centers that commonly exist in bulk, epitaxial, and proton-irradiated ZnO

    S. F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi

    Journal of Applied Physics Vol. 127 No. 215704 p. 1-6 2020/06 Research paper (scientific journal)

  29. Characterization of a Self-Organized Deep-Ultraviolet Micro-Light-Emitting Diode Structure for High-Speed Solar-Blind Optical Wireless Communications

    Kazunobu Kojima, Yuki Yoshida, Masaki Shiraiwa, Yoshinari Awaji, Atsushi Kanno, Naokatsu Yamamoto, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Shigefusa F. Chichibu

    Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS Vol. 2020- 2020/05/01 Research paper (international conference proceedings)

    Publisher: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  30. Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN

    Masahiro Takahashi, Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 59 No. 5 p. 056502-056502 2020/05/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing
  31. Ammonothermal growth of 2 inch long GaN single crystals using an acidic NH4F mineralizer in a Ag-lined autoclave

    Daisuke Tomida, Quanxi Bao, Makoto Saito, Ryu Osanai, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 2020/05/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: {IOP} Publishing
  32. Analyzing oxygen and silicon incorporation in GaN microstructures composed of c-planes and angled facets by confocal magneto-photoluminescence microscopy

    Akinori Kamiyama, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Go Yusa

    AIP Advances Vol. 10 2020/03/01 Research paper (scientific journal)

  33. Theoretical analysis of photo-recycling effect on external quantum efficiency considering spatial carrier dynamics

    H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 59 2020/02 Research paper (scientific journal)

  34. Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors

    Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shoji Ishibashi, Akira Uedono

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering Vol. 11280 2020 Research paper (international conference proceedings)

    Publisher: SPIE
  35. Roles of carbon impurities and intrinsic nonradiative recombination centers on the carrier recombination processes of GaN crystals

    Kazunobu Kojima, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Hajime Fujikura, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express Vol. 13 2020/01/01 Research paper (scientific journal)

    Publisher: Japan Society of Applied Physics
  36. Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macrosteps using cathodoluminescence spectroscopy

    Yosuke Nagasawa, Ryuichi Sugie, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Shigefusa F. Chichibu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 126 No. 21 2019/12 Research paper (scientific journal)

  37. Suppression of green luminescence of Mg-ion-implanted GaN by subsequent implantation of fluorine ions at high temperature

    M. Takahashi, A. Tanaka, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. J. Chen, H. Amano

    Phys. Status Solidi B Vol. 2019 No. 4 2019/11 Research paper (scientific journal)

  38. In-plane optical polarization and dynamic properties of the near-band-edge emission of an m -plane freestanding AlN substrate and a homoepitaxial film

    Chichibu, S.F., Kojima, K., Hazu, K., Ishikawa, Y., Furusawa, K., Mita, S., Collazo, R., Sitar, Z., Uedono, A.

    Applied Physics Letters Vol. 115 No. 15 p. 151903-1-5 2019/10/07 Research paper (scientific journal)

  39. Internal quantum efficiency of radiation in a bulk CH3NH3PbBr3 perovskite crystal quantified by using the omnidirectional photoluminescence spectroscopy

    Kazunobu Kojima

    APL Materials Vol. 7 No. 7 p. 071116-071116 2019/07 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing
  40. Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

    Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 58 2019/06

  41. Theoretical Formulation of Experimentally Observed Quantum Efficiency of Radiation in Semiconducting Crystal

    H. Asai, K. Kojima, S.F.Chichibu, K.Fukuda

    PHYSICAL REVIEW APPLIED Vol. 12 No. 1 p. 014002-1-014002-12 2019/06 Research paper (scientific journal)

  42. Impact of growth temperature on the structural properties of bgan films grown by metal-organic vapor phase epitaxy using trimethylboron

    Ebara, K., Mochizuki, K., Inoue, Y., Aoki, T., Kojima, K., Chichibu, S.F., Nakano, T.

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 58 No. SC p. SC1042-1-SC1042-5 2019/06/01 Research paper (scientific journal)

  43. Quantification of the quantum efficiency of radiation of a freestanding GaN crystal placed outside an integrating sphere

    Kojima, K., Ikemura, K., Chichibu, S.F.

    Applied Physics Express Vol. 12 No. 6 p. 062010-1-062010-4 2019/06/01 Research paper (scientific journal)

  44. Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures

    Chichibu, S.F., Shima, K., Kojima, K., Takashima, S.-Y., Ueno, K., Edo, M., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Ishibashi, S., Uedono, A.

    Japanese Journal of Applied Physics Vol. 58 No. SC p. SC0802-1-SC0802-10 2019/06/01 Research paper (scientific journal)

  45. Comparison of Al <inf>x</inf> Ga<inf>1-x</inf>N multiple quantum wells designed for 265 and 285 nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps

    Nagasawa, Y., Kojima, K., Hirano, A., Ipponmatsu, M., Honda, Y., Amano, H., Akasaki, I., Chichibu, S.F.

    Applied Physics Express Vol. 12 No. 6 p. 064009-1-064009-6 2019/05/14 Research paper (scientific journal)

  46. Annealing Behavior of Vacancy-Type Defects in Mg- and H-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams

    Uedono, A., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Egger, W., Koschine, T., Hugenschmidt, C., Dickmann, M., Shima, K., Kojima, K., Chichibu, S.F., Ishibashi, S.

    Physica Status Solidi (B) Basic Research 2019 Research paper (scientific journal)

  47. Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AlN template with macrosteps

    Kojima, K., Nagasawa, Y., Hirano, A., Ippommatsu, M., Honda, Y., Amano, H., Akasaki, I., Chichibu, S.F.

    Applied Physics Letters Vol. 114 No. 1 2019/01 Research paper (scientific journal)

  48. Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of (000 1 ) p-type GaN fabricated by sequential ion-implantation of Mg and H

    Shima, K., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Kojima, K., Uedono, A., Chichibu, S.F.

    Applied Physics Letters Vol. 113 No. 19 p. 191901-1-191901-5 2018/11 Research paper (scientific journal)

  49. Large electron capture-cross-section of the major nonradiative recombination centers in Mg-doped GaN epilayers grown on a GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi, A. Uedono

    Applied Physics Letters Vol. 112 No. 21 p. 211901-1-5 2018/05/21 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Institute of Physics Inc.
  50. Polarity-dependence of the defect formation in c -axis oriented ZnO by the irradiation of an 8 MeV proton beam

    Kazuto Koike, Mitsuaki Yano, Shun-Ichi Gonda, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Journal of Applied Physics Vol. 123 No. 16 p. 161562-1-7 2018/04/28 Research paper (scientific journal)

  51. The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN

    S. F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi

    Journal of Applied Physics Vol. 123 No. 16 p. 161413-1-13 2018/04/28 Research paper (scientific journal)

    Publisher: American Institute of Physics Inc.
  52. Carrier Trapping by Vacancy-Type Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams

    Akira Uedono, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Katsunori Ueno, Hideaki Matsuyama, Werner Egger, Tönjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Marcel Dickmann, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

    Physica Status Solidi (B) Basic Research Vol. 255 No. 4 p. 1700521-1-9 2018/04/01 Research paper (scientific journal)

  53. Photocatalytic NO removal over calcium-bridged siloxenes under ultraviolet and visible light irradiation

    Haruo Imagawa, Xiaoyong Wu, Hiroshi Itahara, Shu Yin, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Tsugio Sato

    Dalton Transactions Vol. 47 No. 20 p. 7070-7076 2018 Research paper (scientific journal)

  54. High temperature degradation mechanism of a red phosphor, CaAlSiN3:Eu for solid-state lighting

    Masatsugu Oishi, Shohei Shiomi, Takashi Yamamoto, Tomoyuki Ueki, Yoichiro Kai, Shigefusa F. Chichibu, Aiko Takatori, Kazunobu Kojima

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 122 No. 11 p. 113104-1-8 2017/09 Research paper (scientific journal)

  55. Demonstration of omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for precise determination of internal quantum efficiency of radiation in GaN single crystals

    Kazunobu Kojima, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 111 No. 3 p. 032111-1-4 2017/07 Research paper (scientific journal)

  56. Photocatalytic activity of silicon-based nanoflakes for the decomposition of nitrogen monoxide

    Hiroshi Itahara, Xiaoyong Wu, Haruo Imagawa, Shu Yin, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Tsugio Sato

    DALTON TRANSACTIONS Vol. 46 No. 26 p. 8643-8648 2017/07 Research paper (scientific journal)

  57. Nitrogen vacancies as a common element of the green luminescence and nonradiative recombination centers in Mg-implanted GaN layers formed on a GaN substrate

    Kazunobu Kojima, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Katsunori Ueno, Mitsuaki Shimizu, Tokio Takahashi, Shoji Ishibashi, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS Vol. 10 No. 6 p. 061002-1-4 2017/06 Research paper (scientific journal)

  58. A Low-Symmetry Cubic Mesophase of Dendronized CdS Nanoparticles and Their Structure-Dependent Photoluminescence

    Masaki Matsubara, Warren Stevenson, Jun Yabuki, Xiangbing Zeng, Haoliang Dong, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Kaoru Tamada, Atsushi Muramatsu, Goran Ungar, Kiyoshi Kanie

    CHEM Vol. 2 No. 6 p. 860-876 2017/06 Research paper (scientific journal)

  59. Defect-Resistant Radiative Performance of m-Plane Immiscible Al1-xInxN Epitaxial Nanostructures for Deep-Ultraviolet and Visible Polarized Light Emitters

    Shigefusa F. Chichibu, Kazunobu Kojima, Akira Uedono, Yoshitaka Sato

    ADVANCED MATERIALS Vol. 29 No. 5 2017/02 Research paper (scientific journal)

  60. A design strategy for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high-AlN-mole-fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells

    Kazunobu Kojima, Kentaro Furusawa, Yoshiki Yamazaki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Shigefusa F. Chichibu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS Vol. 10 No. 1 p. 015802-1-4 2017/01 Research paper (scientific journal)

  61. Determination of absolute value of quantum efficiency of radiation in high quality GaN single crystals using an integrating sphere

    Kazunobu Kojima, Tomomi Ohtomo, Ken-ichiro Ikemura, Yoshiki Yamazaki, Makoto Saito, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 120 No. 1 p. 015704-1-7 2016/07 Research paper (scientific journal)

  62. Electronic and optical characteristics of an m-plane GaN single crystal grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer

    Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 55 No. 5 p. 05FA03-1-4 2016/05 Research paper (scientific journal)

  63. Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate

    Kazunobu Kojima, Daiki Kagaya, Yoshiki Yamazaki, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 55 No. 5 p. 05FG04-1-5 2016/05 Research paper (scientific journal)

  64. Controlling the carrier lifetime of nearly threading-dislocation-free ZnO homoepitaxial films by 3d transition-metal doping

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, A. Uedono

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 108 No. 2 p. 021904-1-5 2016/01 Research paper (scientific journal)

  65. Low-resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point-defect concentrations grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method

    Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS Vol. 8 No. 9 p. 095501-1-4 2015/09 Research paper (scientific journal)

  66. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    子情報通信学会技術研究報告 Vol. 115 No. 15 2015

  67. Pulse capture without carrier absorption in dynamic Q photonic crystal nanocavities

    Jeremy Upham, Hiroki Inoue, Yoshinori Tanaka, Wolfgang Stumpf, Kazunobu Kojima, Takashi Asano, Susumu Noda

    OPTICS EXPRESS Vol. 22 No. 13 p. 15459-15466 2014/06 Research paper (scientific journal)

  68. Far off-resonant coupling between photonic crystal microcavity and single quantum dot with resonant excitation

    Mehdi Banihashemi, Tatsuya Nakamura, Takanori Kojima, Kazunobu Kojima, Susumu Noda, Vahid Ahmadi

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 103 No. 25 2013/12 Research paper (scientific journal)

  69. Modal volume control of a photonic crystal nanocavity

    K. Kojima, K. Hikoyama, T. Nakamura, T. Kojima, T. Asano, S. Noda

    2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEOPR) 2013/06 Research paper (international conference proceedings)

    Publisher: IEEE
  70. Accurate alignment of a photonic crystal nanocavity with an embedded quantum dot based on optical microscopic photoluminescence imaging

    T. Kojima, K. Kojima, T. Asano, S. Noda

    Applied Physics Letters Vol. 102 No. 1 2013/01/07 Research paper (scientific journal)

  71. Controlling the emission of quantum dots embedded in photonic crystal nanocavity by manipulating Q-factor and detuning

    Tatsuya Nakamura, Takashi Asano, Kazunobu Kojima, Takanori Kojima, Susumu Noda

    PHYSICAL REVIEW B Vol. 84 No. 24 2011/12 Research paper (scientific journal)

  72. Impact of nonpolar AlGaN quantum wells on deep ultraviolet laser diodes

    K. Kojima, A. A. Yamaguchi, M. Funato, Y. Kawakami, S. Noda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 110 No. 4 2011/08 Research paper (scientific journal)

  73. A simple theoretical approach to analyze polarization properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells

    Atsushi A. Yamaguchi, Kazunobu Kojima

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 98 No. 10 2011/03 Research paper (scientific journal)

  74. Impact of onpolar plane for deep ultraviolet laser diodes based on AlGa/AlN quantum wells

    K. Kojima, A. A. Yamaguchi, M. Funato, Y. Kawakami, S. Noda

    22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference 2010/09 Research paper (international conference proceedings)

    Publisher: IEEE
  75. Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening

    Kazunobu Kojima, Atsushi A. Yamaguchi, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Susumu Noda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 49 No. 8 2010/08 Research paper (scientific journal)

  76. Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures

    K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Noda

    Journal of Applied Physics Vol. 107 No. 12 2010/06/15 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AMER INST PHYSICS
  77. Quantum electrodynamics of a nanocavity coupled with exciton complexes in a quantum dot

    Makoto Yamaguchi, Takashi Asano, Kazunobu Kojima, Susumu Noda

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics Vol. 80 No. 15 2009/10/26 Research paper (scientific journal)

    Publisher: AMER PHYSICAL SOC
  78. Optical Anisotropy Control of Non-c-plane InGaN Quantum Wells

    Kazunobu Kojima, Hiroaki Kamon, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 48 No. 8 2009/08 Research paper (scientific journal)

  79. Polarization switching phenomena in semipolar InxGa1-xN/GaN quantum well active layers

    M. Ueda, M. Funato, K. Kojima, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai

    PHYSICAL REVIEW B Vol. 78 No. 23 2008/12 Research paper (scientific journal)

  80. Analysis of gain and luminescence in violet and blue GaInN-GaN quantum wells

    Bernd Witzigmann, Marco Tomamichel, Sebastian Steiger, Ratko G. Veprek, Kazunobu Kojima, Ulrich T. Schwarz

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS Vol. 44 No. 1-2 p. 144-149 2008/01 Research paper (scientific journal)

  81. Stimulated emission at 474 nm from an InGaN laser diode structure grown on a (11(2)over-bar2) GaN substrate

    K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Masui, S. Nagahama, T. Mukai

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 91 No. 25 2007/12 Research paper (scientific journal)

  82. Interplay of built-in potential and piezoelectric field on carrier recombination in green light emitting InGaN quantum wells

    Ulrich T. Schwarz, H. Braun, K. Kojima, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 91 No. 12 2007/09 Research paper (scientific journal)

  83. Photoluminescence and optical reflectance investigation of semipolar and nonpolar GaN

    Kazunobu Kojima, Masaya Ueda, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS Vol. 244 No. 6 p. 1853-1856 2007/06 Research paper (scientific journal)

  84. Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al,In) GaN laser diodes

    K. Kojima, Ulrich T. Schwarz, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai

    OPTICS EXPRESS Vol. 15 No. 12 p. 7730-7736 2007/06 Research paper (scientific journal)

  85. Comparison between optical gain spectra of InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm

    K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, H. Braun, U. T. Schwarz, S. Nagahama, T. Mukai

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE Vol. 204 No. 6 p. 2108-2111 2007/06 Research paper (scientific journal)

  86. Gain suppression phenomena observed in InxGa1-xN quantum well laser diodes emitting at 470 nm

    K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai, H. Braun, U. T. Schwarz

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 89 No. 24 2006/12 Research paper (scientific journal)

  87. Epitaxial growth and optical properties of semipolar (11(2)over-bar2) GaN and InGaN/GaN quantum wells on GaN bulk substrates

    M. Ueda, K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 89 No. 21 2006/11 Research paper (scientific journal)

  88. Suppression mechanism of optical gain formation in InxGa1-xN quantum well structures due to localized carriers

    Kazunobu Kojima, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Yukio Narukawa, Takashi Mukai

    SOLID STATE COMMUNICATIONS Vol. 140 No. 3-4 p. 182-184 2006/10 Research paper (scientific journal)

  89. 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価

    小島一信, 船戸充, 川上養一, ウルリヒ・T, シュワルツ, ハラルド・ブラウン, 長濱慎一, 向井孝志

    電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 106 No. 51 2006

  90. Dynamic polarization filtering in anisotropically strained M-plane GaN films

    K Omae, T Flissikowski, P Misra, O Brandt, HT Grahn, K Kojima, Y Kawakami

    APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 86 No. 19 p. 1-3 2005/05 Research paper (scientific journal)

  91. Optically pumped lasing and gain formation properties in blue InxGa1-xN MQWs

    K Kojima, A Shikanai, K Omae, M Funato, Y Kawakami, Y Narukawa, T Mukai, S Fujita

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH Vol. 241 No. 12 p. 2676-2680 2004/10 Research paper (scientific journal)

  92. The hot carrier dynamics in InGaN multi-quantum well structure

    A Shikanai, K Kojima, K Omae, Y Kawakami, Y Narukawa, T Mukai, S Fujita

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH Vol. 240 No. 2 p. 392-395 2003/11 Research paper (scientific journal)

Misc. 26

  1. Characterization of semiconductor crystals based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy

    Kazunobu Kojima

    Oyo Buturi Vol. 90 No. 12 p. 726-737 2021/12

  2. Gb/s-class solar-blind optical wireless communication by using AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes

    小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 長澤陽祐, 平野光

    Optronics No. 462 2020

  3. Characterization of AlGaN multiple-quantum-wells grown on c-plane AlN/sapphire templates with macro-steps

    Vol. 47 No. 3 p. 1-8 2020

    Publisher: 日本結晶成長学会
  4. 1.6-Gbps LED-Based Ultraviolet Communication at 280 nm in Direct Sunlight

    Kojima K, Yoshida Y, Shiraiwa M, Awaji Y, Kanno A, Yamamoto N, Chichibu S

    European Conference on Optical Communication, ECOC Vol. 2018-September 2018

  5. Formation mechanism of optical gain and performance prediction in nitride-based semiconductor laser structures

    小島一信

    電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 117 No. 61(LQE2017 1-20) 2017

  6. Far-UVC LEDs fabricated on face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates

    Ryota Akaike, Kenjiro Uesugi, Hiroki Yasunaga, Shuhei Ichikawa, Takao Nakamura, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake

    Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXIX p. 14-14 2025/03/19

    Publisher: SPIE
  7. High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED

    Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Atsushi Kanno, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinari Awaji

    Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI 2022/03/09

    Publisher: SPIE
  8. 東北大学グリーンネストICT LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究~真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現~

    小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 菅野敦史, 山本直克, 淡路祥成, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道

    電波技術協会報FORN No. 342 2021

  9. Quality evaluation of freestanding gallium nitride crystals based on the spectroscopic techniques

    小島一信, 秩父重英

    Jasco Report Vol. 61 No. 1 2019

  10. Development of a Spatio-time-resolved Cathodoluminescence System Toward the Realization of High-efficient Optical Devices

    小島一信, 秩父重英

    村田学術振興財団年報 No. 33 2019

  11. Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes

    K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    19th International Workshop on Junction Technology (IWJT 2019) 2019

  12. An Outdoor Evaluation of 1-Gbps Optical Wireless Communication using AlGaN-based LED in 280-nm Band

    Yoshida Y, Kojima K, Shiraiwa M, Awaji Y, Kanno A, Yamamoto N, Chichibu S.F, Hirano A, Ippommatsu M

    2019 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2019 - Proceedings 2019

  13. Determination of Deformation Potentials in InGaN Alloy Material for Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells Laser Diodes

    Sakai S, Kojima K, Chichibu S.F, Yamaguchi A.A

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference Vol. 2018-September p. 135-136 2018

  14. Measurements of quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy

    小島一信, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) Vol. 46th 2017

  15. Alloy-compositional-fluctuation effects on optical gain characteristics in AlGaN and InGaN quantum-well laser diodes

    A. Yamaguchi, T. Minami, S. Sakai, K. Kojima, S. F. Chichibu

    IEEE Xplore Digital Library Vol. 16 No. 9 p. 12-15 2016/12

  16. Polarity dependent radiation hardness of GaN

    Masayuki Matsuo, Takayuki Murayama, Kazuto Koike, Shigehiko Sasa, Mitsuaki Yano, Shun-ichi Gonda, Akira Uedono, Ryoya Ishigami, Kyo Kume, Tomomi Ohtomo, Erika Furukawa, Yoshiki Yamazaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2015/06

  17. Alignment between a single quantum dot and a photonic crystal nanocavity by a microscopic photoluminescence imaging

    Takanori Kojima, Kazunobu Kojima, Takashi Asano, Susumu Noda

    IEEE Photonics Conference 2012 2012/09

    Publisher: IEEE
  18. Optical polarization and anisotropic gain characteristics in semipolar and nonpolar InGaN quantum well lasers

    Atsushi A. Yamaguchi, Kazunobu Kojima

    physica status solidi c Vol. 9 No. 3-4 p. 834-837 2012/03

    Publisher: Wiley
  19. Control of the Purcell effect of quantum dots embedded in photonic crystal nanocavity by manipulating Q-factor

    T. Nakamura, T. Asano, K. Kojima, T. Kojima, S. Noda

    SPIE Proceedings 2012/02/09

    Publisher: SPIE
  20. Optical Properties of Semipolar (11<span style=text-decoration:overline>2</span>2) InGaN Quantum Wells and the Prospects of Green LDs

    船戸充, 上田雅也, 小島一信, 川上養一

    レーザー研究 Vol. 38 No. 4 2010

  21. Impact of anti-Zeno Effect on a Coupled Nanocavity-Quantum-Dot System

    M. Yamaguchi, T. Asano, K. Kojima, S. Noda

    Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference 2009

    Publisher: OSA
  22. Theoretical investigations on anisotropic optical properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells

    Kazunobu Kojima, Hiroaki Kamon, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

    physica status solidi c Vol. 5 No. 9 p. 3038-3041 2008/07

    Publisher: Wiley
  23. Inhomogeneously broadened optical gain spectra of InGaN quantum well laser diodes

    Kazunobu Kojima, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Harald Braun, Ulrich Schwarz, Shinichi Nagahama, Takashi Mukai

    physica status solidi c Vol. 5 No. 6 p. 2126-2128 2008/05

    Publisher: Wiley
  24. Investigation and comparison of optical gain spectra of (Al,In)GaN laser diodes emitting in the 375nm to 470 nm spectral range

    Ulrich T. Schwarz, Harald Braun, Kazunobu Kojima, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Shinichi Nagahama, Takashi Mukai

    SPIE Proceedings 2007/02/08

    Publisher: SPIE
  25. Epitaxial growth and optical properties of InGaN/GaN quantum wells on semipolar {11-22} GaN bulk crystals

    UEDA Masaya, KOJIMA Kazunobu, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, NARUKAWA Yukio, MUKAI Takashi

    IEICE technical report Vol. 106 No. 271 p. 57-61 2006/09/28

    Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
  26. Dynamic polarization rotation in pump‐and‐probe transients of anisotropically strained M ‐plane GaN films on LiAlO 2

    K. Omae, T. Flissikowski, P. Misra, O. Brandt, H. T. Grahn, K. Kojima, Y. Kawakami

    physica status solidi c Vol. 3 No. 6 p. 1862-1865 2006/06

    Publisher: Wiley

Publications 15

  1. 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術

    2022/07

    ISBN: 9784907002930

  2. Characterization of semiconductor crystals based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy

    Kazunobu Kojima, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 2022/02

  3. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)分光法を用いた半導体結晶の評価

    小島一信

    応用物理 90(12) 726-737 2021/12

  4. 13. 東北大学グリーンネストICT LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究~真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現~

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司

    電波技術協会報FORN (342) 2021

  5. マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

    小島 一信, 長澤 陽祐, 平野 光, 一本松 正道, 杉江 隆一, 本田 善央, 天野 浩, 赤﨑 勇, 秩父 重英

    日本結晶成長学会誌 2020/10

  6. Gb/s-class solar-blind optical wireless communication by using AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes

    OPTRONICS 2020/06

  7. AlGaN LEDとBeyond 5G

    吉田悠来, 小島一信, 白岩雅輝, 菅野敦史, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 山本直克, 秩父重英, 淡路祥成

    応用物理学会 応用電子物性分科会 応用電子物性分科会研究例会資料 2020

  8. AlN および高 AlN モル分率 AlGaN 混晶における Al 空孔複合体の役割

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 三宅秀人, 上殿明良

    応用物理学会 結晶工学分科会 第153回結晶工学分科会研究会資料 2020

  9. 全方位フォトルミネセンス計測:新しい評価技術

    小島一信, 秩父重英

    日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 第250回研究会 研究会資料 2020

  10. 窒素極性GaNへのMgイオン注入技術

    片岡 恵太, 成田 哲生, 井口 紘子, 嶋 紘平, 小島 一信, 秩父 重英, 上殿 明良

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第116回研究会、研究会資料、22 2019/12

  11. 深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線通信

    吉田悠来, 小島一信, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英, 平野光, 一本松正道

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第115回研究会 研究会資料、15 2019/10

  12. 分光計測を用いた窒化ガリウム自立結晶の品質評価

    小島一信, 秩父重英

    Jasco Report 61, 1 2019

  13. 全方位フォトルミネッセンス法による絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 秩父重英

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第107回研究会、光電相互変換第125委員会 第240回研究会 合同研究会資料、25 2018/02

  14. 窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測

    小島 一信

    電子情報通信学会技術研究報告 117, 1 2017/04

  15. 半極性(11-22)面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性

    船戸充, 上田雅也, 小島一信, 川上養一

    レーザー研究38, 255 2010

Presentations 436

  1. ソーラーブラインド性を有する深紫外LED光無線通信

    小島 一信

    ワイドギャップ半導体学会

  2. 金属酸化物蛍光体が示す可視発光色変化を用いた紫外線波長同定素子の開発

    郡 悠太郎, 箕村 望, 改井 陽一朗, 小島 一信, 小笠原 諒, 藤代 史, 大石 昌嗣

    公益社団法人日本セラミックス協会第38回秋季シンポジウム 2025/09/17

  3. 半導体光学冷却に向けた CsPbBr3/Cs4PbBr6 結晶における試料形状変化による光学特性の制御

    田中 大地, 福田 光希, 登尾 尚紀, 市川 修平, 田畑 博史, 山田 泰裕, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  4. エレクトロスプレー堆積法で形成した単層カーボンナノチューブ薄膜の構造とガス応答の評価

    口野 良, 西園 悠斗, 傅 馨怡, 市川 修平, 小島 一信, 小松 直樹, 田畑 博史

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  5. 石英フリーハライド気相成長法によるGaN結晶に対する光学特性評価

    門内 勇樹, 藤倉 序章, 今野 泰一郎, 金木 奨太, 佐野 昂志, 市川 修平, 田畑 博史, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  6. コアシェル型InGaNナノワイヤLEDのキャリアダイナミクス評価

    小見山 颯太, 市川 修平, 奥田 廉士, 上田 雅也, 曽根 直樹, 野村 明宏, 上山 智, 田畑 博史, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  7. AlGaN系far-UVC LEDにおける組成傾斜層の検討

    赤池 良太, 安永 弘樹, 中村 孝夫, 市川 修平, 小島 一信, 土谷 正彦, 三宅 秀人

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  8. 成長中のアニール処理により励起効率を制御したEu,O共添加GaNの光学特性

    森 恵人, 市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  9. Ir/sapphire基板上ヘテロエピタキシャルダイヤモンドにおける二段階成長プロセスの検討

    望月 梧生, 毎田 修, 金 聖祐, アン ジェフリ, 市川 修平, 小島 一信

    第86回応用物理学会秋季学術講演会

  10. 光と熱の融合が拓く機能制御の最前線

    第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025/09/08

  11. Performance and Reliability of Far-UVC LEDs with DH-structure on Low-dislocation AlN Templates

    Ryota Akaike, Ayato Suzuki, Hiroki Yasunaga, Takao Nakamura, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) 2025/07/08

  12. [第57回講演奨励賞受賞記念講演] ストライプ型メタサーフェスを用いた円偏光InGaN LED構造の作製

    村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 藤原 康文, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  13. ダブルヘテロ構造を発光層とする226 nm far-UVC LEDの発光効率向上

    赤池 良太, 安永 弘樹, 中村 孝夫, 市川 修平, 小島 一信, 土谷 正彦, 三宅 秀人

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  14. Eu添加GaNにおける効率Droop現象のレート方程式による理論解析

    森 恵人, 市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  15. 直接遷移型半導体自立結晶における時間分解フォトルミネッセンスの解釈

    田中 大地, 市川 修平, 佐野 昂志, 田畑 博史, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  16. LEDに実装可能なメタ表面を用いた円偏光選択性コリメータの設計

    田口 遥平, 村田 雄生, 市川 修平, 田畑 博史, 戸田 晋太郎, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  17. c面InGaN/GaN pin型発光・受光兼用ダイオードの光活性層厚の検討

    安藤 勇歩, 市川 修平, 田畑 博史, 小島 一信

    第72回応用物理学会春季学術講演会

  18. AlGaN半導体の深紫外光物性と通信応用

    小島 一信

    レーザー学会学術講演会第45回年次大会

  19. Increased Below-Bandgap Absorption in CsPbBr3/Cs4PbBr6 through Post-Annealing and Regrowth

    N. Noborio, M. Fukuda, S. Ichikawa, K. Kojima

    2024 Materials Research Society Fall Meeting (2024 MRS Fall Meeting)

  20. Ultrafast Surface Carrier Recombination in Semiconductors Evaluated by Two-photon Photoemission Spectroscopy

    S. Ichikawa, K. Kojima

    2024 Materials Research Society Fall Meeting (2024 MRS Fall Meeting)

  21. スパッタアニールAlN上に作製した深紫外AlGaN LEDの顕微ELイメージング測定

    辻本凌大, 市川修平, 赤池良太, 上杉謙次郎, 中村孝夫, 三宅秀人, 小島一信

    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) 2024/11/28

  22. Ir/sapphire基板上(001)ヘテロエピタキシャルダイヤモンド結晶のIr/Diamond界面における結晶品質評価

    望月 梧生, 毎田 修, 金 聖祐, アン ジェフリ, 佐田 晃, 市川 修平, 小島 一信

    第38回ダイヤモンドシンポジウム

  23. Enhanced External Quantum Efficiencies of Double-heterostructure-based Far-UVC LEDs Compared to MQWs-based Far-UVC LEDs

    Ryota Akaike, Kenjiro Uesugi, Hiroki Yasunaga, Takao Nakamura, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake

    he 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  24. Design proposal of pure circularly polarized emitters using (0001) InGaN LEDs with GaN nanopillar metasurface

    Y. Taguchi, K. Suzuki, Y. Murata, S. Toda, S. Ichikawa, K.Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  25. Impact of GaN:Eu-based µ-LED shape on excitation efficiency of Eu luminescent centers

    H. Kubo, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), ???, Hawai’i, USA

  26. Impact of carbon impurities on carrier recombination process in highly pure GaN crystals assessed by internal quantum efficiency mapping measurements

    K. Sano, H. Fujikura, T. Konno, S. Kaneki, S. Ichikawa, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  27. Circularly polarized light emission from (20-21) InGaN quantum wells coupled with Si3N4 stripe-shaped metasurface

    Y. Murata, S. Ichikawa, S. Toda, Y. Fujiwara, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  28. Determination of deformation potentials for InGaN with low In composition region based on the k·p perturbation theory

    K. Mori-Tamamura, A. A. Yamaguchi, S. Ichikawa, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  29. Strong far-UVC localized emissions from Ga-rich regions induced by atomic-step meandering of AlGaN on high-temperature annealed AlN templates

    S. Ichikawa, K. Saito, R. Akaike, K. Uesugi, T. Nakamura, H. Miyake, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  30. Surface carrier dynamics of nitride semiconductors evaluated by time-resolved photoemission spectroscopy

    S. Ichikawa, Y. Matsuda, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  31. Arbitrary control of optical polarization of (0001) InGaN radiation using anisotropic strain-relaxation in micro-LED structures

    S. Ichikawa, Y. Matsuda, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima

    The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)

  32. 光無線通信に向けた(0001)InGaN/GaN pin フォトダイオードの提案と作製指針

    櫻木幹太, 市川修平, 小島一信

    第43回電子材料シンポジウム

  33. CsPbBr3/Cs4PbBr6における光学冷却の励起光強度依存性

    大木 武, 森田 剛, 福田 光希, 市川 修平, 小島 一信, 山田 琢允, 金光 義彦, 山田 泰裕

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  34. ペロブスカイト量子ドットを用いた固体光学冷却

    山田 泰裕, 大木 武, 森田 剛, 福田 光希, 市川 修平, 小島 一信, 山田 琢允, 金光 義彦

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  35. k・p摂動法による低In組成領域におけるInGaNの変形ポテンシャルの決定

    森 恵人, 山口 敦史, 市川 修平, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  36. 円偏光InGaN LED構造の作製と特性評価

    村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 藤原 康文, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  37. ハロゲン化鉛ペロブスカイトCsPbBr3/Cs4PbBr6の試料サイズと外部量子効率の関係

    福田 光希, 市川 修平, 大木 武, 山田 泰裕, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  38. 高純度GaN結晶の内部量子効率マッピング測定

    佐野 昂志, 藤倉 序章, 今野 泰一郎, 金木 奨太, 市川 修平, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  39. CsPbBr3/Cs4PbBr6におけるバンド端以下のエネルギーでの光吸収率の向上

    登尾 尚紀, 福田 光希, 市川 修平, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  40. 円偏光選択性ナノピラー対メタサーフェスの最適構造設計

    田口 遥平, 村田 雄生, 戸田 晋太郎, 市川 修平, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  41. 異方的構造の導入によるEu添加GaNの発光中心の励起効率変化

    久保 穂高, 市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    第85回応用物理学会秋季学術講演会

  42. Crystal quality evaluations of (001) diamond film heteroepitaxially grown on Ir/sapphire substrates

    K. Mochizuki, O. Maida, S.-W. KIM, K. Koyama, A. Jeffery, A. Sada, S. Ichikawa, K. Kojima

    New Diamond & Nano Carbons 2024 (NDNC2024) 2024/05

  43. Combinational integration of Eu-doped GaN and InGaN LEDs and their prospects for miniaturization

    Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Kazunobu Kojima

    10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2024)

  44. スパッタ・アニール法AlNテンプレート作製と深紫外LEDの開発

    赤池 良太, 上杉 謙次郎, 中村 孝夫, 市川 修平, 小島 一信, 土谷 正彦

    第71回応用物理学会春季学術講演会 2024/03

  45. 長方形状(0001) InGaNマイクロ発光素子における非等方的歪緩和の誘起と面内偏光制御

    市川 修平, 松田 祥伸, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第71回応用物理学会春季学術講演会 2024/03

  46. InGaN表面においてバンドベンディングがキャリア寿命に与える影響

    市川 修平, 松田 祥伸, 道上 平士郎, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第71回応用物理学会春季学術講演会 2024/03

  47. スパッタアニールAlN上AlGaNにおける局在発光と成長表面の相関評価

    市川 修平, 齊藤 一輝, 赤池 良太, 上杉 謙次郎, 中村 孝夫, 三宅 秀人, 小島 一信

    第71回応用物理学会春季学術講演会 2024/03

  48. マイクロLEDディスプレイ実現に向けたGaN系RGB LEDのモノリシック集積と微細化に向けた展望

    市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    電子情報通信学会発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会 2024/01/26

  49. Ir/sapphire 基板上ヘテロエピタキシャル成長(001)面ダイヤモンド膜の結晶品質評価

    望月 梧生, 毎田 修, 金 聖祐, 加藤 学, 小山 浩司, アン ジェフリ, 市川修平, 小島 一信

    第37回ダイヤモンドシンポジウム 2023/11

  50. フォトルミネセンス分光法を用いたGaN結晶基板中の炭素濃度推定

    佐野 昂志, 藤倉 序章, 今野 泰一郎, 金木 奨太, 市川 修平, 小島 一信

    第43回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2023 2023/11

  51. 時間分解光電子分光法による (0001) InGaN表面のキャリア寿命評価

    市川 修平, 松田 祥伸, 道上 平士郎, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第43回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2023 2023/11

  52. 深紫外AlGaN発光ダイオードの光物性評価と応用

    小島 一信

    第43回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2023 2023/11

  53. Design of highly efficient InGaN-based circularly polarized LEDs integrated with Si3N4 metasurface

    Y. Murata, S. Ichikawa, S. Toda, Y. Fujiwara, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023/11

  54. Progress in UV-C LEDs on Face-to-Face Annealed Sputter-Deposited AlN Templates

    K. Uesugi, K. Shojiki, S. Xiao, S. Ichikawa, T. Nakamura, M. Tsuchiya, K. Kojima, H. Miyake

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023/11

  55. Polarized luminescence from c-plane InGaN/GaN quantum wells induced by anisotropic strain originated from stripe-shaped GaN-on-Si structure via epitaxial lateral overgrowth

    Y. Kawaguchi, K. Takeuchi, K. Murakawa, M. Usagawa, A. Komoda, M. Tonomura, T. Yokoyama, Y. Aoki, H. Ogura, T. Kamikawa, S. Ichikawa, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023/11

  56. Localized deep-ultraviolet luminescence of AlGaN grown on high-temperature annealed AlN templates

    S. Ichikawa, K. Uesugi, K. Saito, S. Xiao, K. Shojiki, T. Nakamura, H. Miyake, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023/11

  57. Surface carrier lifetime of (0001) InGaN assessed by time-resolved photoemission spectroscopy

    S. Ichikawa, Y. Matsuda, H. Dojo, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023/11

  58. Enhanced transport of photo-excited carriers in (0001) InGaN photodiodes by introducing compositionally graded layer

    H. Dojo, S. Ichikawa, Y. Matsuda, M. Funato, Y. Kawakami, K. Kojima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14 2023/11

  59. Characterization of GaN crystals with low carbon concentration grown by halide vapor phase epitaxy based on photoluminescence spectroscopy

    K. Sano, H. Fujikura, T. Konno, S. Kaneki, S. Ichikawa, K. Kojima

    International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023/11

  60. Enhanced absorption below the band-edge energy in lead halide perovskite semiconductors using optical resonators

    M. Fukuda, S. Ichikawa, K. Kojima

    2023/10

  61. マイクロLED 応用に向けたGaN 系LED の同一基板フルカラー集積と時間分解光電子分光法に基づく表面再結合評価の提案

    市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信

    日本学術振興会光電相互変換第125委員会267回研究会「マイクロLEDに関する要素技術」 2023/09

  62. 楽しくて役に立つ分光測定

    小島一信

    2023年GaNコンソーシアムサマースクール 2023/09

  63. (0001)面InGaNフォトダイオードにおける組成傾斜層の光励起キャリア局在抑制効果

    道上 平士郎, 市川 修平, 松田 祥伸, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023/09

  64. ハライド気相成長法によって成長させた低炭素濃度GaN結晶のフォトルミネッセンス評価'

    佐野 昂志, 藤倉 序章, 今野 泰一郎, 金木 奨太, 市川 修平, 小島 一信

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023/09

  65. 障壁層Al組成低減による遠紫外LEDの発光効率向上

    上杉 謙次郎, 市川 修平, 中村 孝夫, 土谷 正彦, 小島 一信, 三宅 秀人

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023/09

  66. Ir/sapphire基板上ヘテロエピタキシャル成長(001)面ダイヤモンド膜の断面SEM像に見られる縞状コントラストの分析

    望月 梧生, 毎田 修, 金 聖祐, 加藤 学, 小山 浩司, 本田 達也, 市川 修平, 小島 一信

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023/09

  67. RGB照明の質的向上を目指した配光部の発光特性評価

    曽我部 樹, 尾原 幸治, 小島 一信, 大石 昌嗣

    日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム 2023/09

  68. "Gbps-Class Solar-Blind WDM Optical Wireless Communication by (264, 274, 282)-nm Deep-UV LEDs and CsTe Photomultiplier Tube

    Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, A. Kanno, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, Y. Awaji

    Optical Fiber Communication Conference 2023/03

  69. Si3N4メタサーフェスを利用した半極性(2021) InGaN円偏光素子の設計

    村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 藤原 康文, 小島 一信, 中川 貴

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023/03

  70. スパッタアニールAlNを用いた波長230 nm帯UV-LEDの開発

    上杉 謙次郎, 市川 修平, 肖 世玉, 正直 花奈子, 中村 孝夫, 土谷 正彦, 小島 一信, 三宅 秀人

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023/03

  71. 時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定

    市川 修平, 松田 祥伸, 道上 平士郎, 毎田 修, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023/03

  72. スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価

    市川 修平, 上杉 謙次郎, 齊藤 一輝, 肖 世玉, 正直 花奈子, 中村 孝夫, 毎田 修, 三宅 秀人, 小島 一信

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023/03

  73. ナノピラー型メタ表面を用いた円偏光InGaN発光素子の設計

    鈴木 恭平, 村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 毎田 修, 小島 一信

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023/03

  74. 直接遷移型半導体自立結晶における外部量子効率と自己吸収の関係

    佐野 昂志, 市川 修平, 毎田 修, 小島 一信

    第70回応用物理学会春季学術講演会 2023/03

  75. High-speed solar-blind optical wireless communications based on AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN/sapphire templates with dense macro-steps

    K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, Y. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023 2023/01

  76. アカデミックキャリアの多様性~大学教員って面白い!

    小島一信

    電子材料若手交流会(ISYSE)主催 第4回ISYSE研究会 2022/11

  77. 2光子光電子分光法による大気暴露したGaAs(110)の表面再結合寿命の直接検出

    市川 修平, 小島 一信

    第41回電子材料シンポジウム 2022/11

  78. 二光子光電子分光によるGaAs(110)における表面再結合寿命の評価

    市川 修平, 毎田 修, 小島 一信

    第42回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2022 2022/11

  79. ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価

    毎田 修, 市川修平, 小島一信

    第42回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2022 2022/11

  80. Self-formed compositional superlattices in m-plane Al0.7In0.3N alloys on a GaN substrate triggered by atomic ordering of In and Al along the c-axis

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa 2022/10

  81. Visualization of Excited-Electron Relaxation in InGaN Quantum Wells using Time-Resolved Two-Photon Photoemission Spectroscopy

    S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Kojima

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022/10

  82. 特色ある分光評価法による半導体発光材料・光物性再訪:新しい展開を目指して

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022/09/22

  83. Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg

    K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Kojima, A. Uedono, S. Ishibashi, S. F. Chichib

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022/09

  84. Characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond films

    O. Maida, S. Ichikawa, K. Kojima

    The 22nd International Vacuum Congress 2022/09

  85. Eu添加GaN赤色LEDの進展と2光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ~マイクロLED素子応用に向けて~

    市川 修平, 藤原 康文, 小島一信

    Sophia Open Research Week 2022第3回半導体ナノフォトニクス研究会 2022/09

  86. 時間分解2光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の直接評価

    市川修平, 毎田修, 小島一信

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022/09

  87. n型GaN基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

    秩父 重英, 嶋 紘平, 小島 一信, 上殿 明良, 石橋 章司, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 本田 善央, 今西 正幸, 森 勇介, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 天野 浩, 小出 康夫

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022/09

  88. Mechanism underlying high internal quantum efficiency of AlGaN-based LEDs fabricated on AlN with dense macrosteps

    A. Hirano, Y. Nagasawa, K. Kojima, M. Ippommatsu, H. Sako, A. Hashimoto, R. Sugie, Y. Honda, H.Amano, S. F. Chichibu

    The 20th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) 2022/07

  89. Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures for power devices

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

    Compound Semiconductor Week (CSW) 2022 2022/06

  90. Characterization of Semiconductor Crystals Based on Omnidirectional Photoluminescence (ODPL) Spectroscopy

    K. Kojima, S. Ichikawa, O. Maida, K. Shima, S. F. Chichibu

    241st ECS Meeting 2022/06

  91. High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED

    Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, A. Kanno, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, Y. Awaji

    Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI 2022/03

  92. 時間分解二光子光電子分光法を用いたGaAs(110)における表面再結合寿命の大気暴露時間依存性の評価

    市川 修平, 小島 一信

    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022/03

  93. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化ガリウム結晶の品質評価

    小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

    先進パワー半導体分科会研究会 2021/11

  94. Characterization of optical properties of c-plane Al0.83In0.17N/GaN lattice-matched heterostructures

    LI Liyang, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    2021/11

  95. Spatially resolved CL of p-type ion-implanted GaN using vacancy-guided Mg diffusion

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

    2021/09

  96. Bulk GaN crystal growth by Low-Pressure Acidic Ammonothermal (LPAAT) method using high quality GaN SCAAT seed crystals

    栗本浩平, BAO Q., 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    2021/09

  97. Study of Mg activation process in Mg-implanted GaN by means of positron annihilation

    上殿明良, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

    2021/09

  98. Spatially resolved CL studies of h-BN films on sap. by CVD using C-free precursors

    秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

    2021/09

  99. 全方位フォトルミネセンス法を用いた半導体材料の発光効率評価

    小島一信, 秩父重英

    第384回 蛍光体同学会 2021/08

  100. Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductorscancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

    20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021) 2021/06

  101. 室温動作ポラリトンレーザの実現に向けたZnO微小共振器の形成

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 古澤健太郎

    第4回固体レーザーの高速探索と機能開発に向けたレーザー材料研究会 2021/03

  102. Luminescence studies of p-type Mg-implanted GaN using vacancy-guided Mg diffusion

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英, 秩父重英

    2021/03

  103. Discrete AlN Mole Fraction Observed in AlGaN Layer with Dense Macrosteps (2)

    長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

    2021/03

  104. Luminescence studies of nearly lattice-matched c-plane AlInN/GaN heterostructures

    LI L. Y., 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英, 秩父重英

    2021/03

  105. Discrete AlN mole fraction observed in AlGaN Layer with Dense Macrosteps (1)

    長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

    2021/03

  106. Luminescence studies of bulk GaN crystals grown by the LPAAT method

    嶋紘平, 栗本浩平, BAO Q., 三川豊, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    2021/03

  107. Discrete AlN Mole Fraction Observed in AlGaN Layer with Dense Macrosteps (3)

    長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

    2021/03

  108. Luminescent properties of Si-doped AlN substrates grown by HVPE on freestanding AlN

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, MOODY Baxter, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko, SITAR Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良

    2021/03

  109. Spatio-time-resolved cathodoluminescence study of InGaN/GaN multiquantum shells

    嶋紘平, LU Weifang, 小島一信, 上山智, 竹内哲也, 秩父重英, 秩父重英

    2021/03

  110. Effect of crystal quality and device structure on detection characteristics in BGaN neutron detector: part2

    宮澤篤也, 太田悠斗, 松川真也, 林幸佑, 中川央也, 川崎晟也, 安藤悠人, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, 中野貴之

    2021/03

  111. (Al,Ga,In)N の輻射・非輻射再結合過程に点欠陥が及ぼす影響

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司

    日本学術振興会 第162委員会 研究会 2021/03

  112. 深紫外AlGaN LEDを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

    電子情報通信学会 総合大会 2021/03

  113. Current progress of omnidirectional photoluminescence spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals

    K. Kojima, K. Ikemura, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2021 2021/03

  114. Omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals

    K. Kojima, S. F. Chichibu

    Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity 2021/02

  115. Up-to 292-Mbps deep-UV communication over a diffuse-line-of-sight link based on silicon photo multiplier array

    Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. F. Chichibu

    2020 European Conference on Optical Communication (ECOC) 2020/12

  116. 全方位フォトルミネセンス (ODPL) 分光法を用いた半導体結晶の評価

    The 40th annual NANO testing symposium 2020/11/16

  117. Characterization of a self-organized deep-ultraviolet micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications

    Kazunobu Kojima, Yuki Yoshida, Masaki Shiraiwa, Yoshinari Awaji, Atsushi Kanno, Naokatsu Yamamoto, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Shigefusa F. Chichibu

    Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2020/05/11

  118. Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020 2020/01

  119. 自己組織的に形成された深紫外マイクロ発光ダイオード構造の変調特性

    小島 一信, 吉田 悠来, 白岩 雅輝, 淡路 祥成, 菅野 敦史, 山本 直克, 平野 光, 長澤 陽祐, 一本松 正道, 秩父 重英

    レーザー学会 学術講演会 第40回年次大会 2020/01

  120. 窒素極性GaNへのMgイオン注入技術

    片岡 恵太, 成田 哲生, 井口 紘子, 嶋 紘平, 小島 一信, 秩父 重英, 上殿 明良

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第116回研究会 2019/12

  121. 発光量子効率におけるフォトンリサイクル効果の理論解析

    浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/21

  122. 酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長

    栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 茅野林造, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/21

  123. ZnOの反応性イオンエッチングによる損傷とHClによる損傷回復

    中須大蔵, 嶋紘平, 小島 一信, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/21

  124. BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製

    太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/20

  125. ZnO微小共振器の作製と室温における共振器ポラリトン形成

    嶋紘平, 小島 一信, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/20

  126. 深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/19

  127. 気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス

    秩父重英, 小島一信, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 三田清二, R.Collazo, Z.Sitar, 上殿明良

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/19

  128. 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

    小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 片山竜二, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 秩父重英

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/19

  129. 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

    谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 田中敦之, 本田善央, 秩父重英, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/19

  130. 温度可変全方位フォトルミネセンス分光装置の実現

    小島一信, 池村賢一郎, 中村明裕, 齋藤琢也, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019/09/19

  131. H2キャリアガスを用いたBGaN 結晶成長メカニズムの解析

    清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    2019年秋季応用物理学会 2019/09/18

  132. Theoretical analysis of photo-recycling effect on external quantum efficiency considering spatial Carrier dynamics

    H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 2019/09/02

  133. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた半導体結晶の光物性評価

    K. Kojima, S. F. Chichibu

    2019/09

  134. Optical characterization and gain calculation of AlGaN quantum wells

    K. Kojima

    1st International Workshop on AlGaN based UV-Laser diodes 2019/08

  135. Impact of vacancy complexes on the nonradiative recombination processes in III-N devices

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019/07/07

  136. Time-resolved luminescence studies of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Takiguchi, K. Shima, K. Kojima, Y. Ishitani, K. Hara

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019/07/07

  137. Dependences of external quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime on the carbon concentration in GaN on GaN structures

    K. Kojima, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, S. F. Chichibu

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019/07/07

  138. Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes

    K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019/07/07

  139. Analytical formula for quantum efficiency of radiation considering self-absorption process

    H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019/07/07

  140. Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN

    S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. Uedono

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019/07/07

  141. Microscopic nonuniformities in AlGaN-based 260 and 285 nm light-emitting multiple quantum wells grown on AlN templates with dense macrosteps analyzed by cathodoluminescence spectroscopy

    Y. Nagasawa, R. Sugie, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019/07/07

  142. Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate

    K. Hara, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C4) 2019/06/10

  143. Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes

    K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019) 2019/06/06

  144. 酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹

    日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会研究会 2019/05/31

  145. Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of freestanding h-BN crystals under photo-excitation

    K. Kojima, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. F. Chichibu

    Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Spectroscopy & growth of h-BN II 2019/05/19

  146. An outdoor evaluation of 1-Gbps optical wireless communication using AlGaN- based LED in 280-nm Band

    Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. Chichibu, A. Hirano, M. Ippommatsu

    Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2019, Laser Science to Photonic Applications, Session Free-Space & Underwater Communication 2019/05/05

  147. 薄膜固体二次電池の充放電解析

    津国和之, 殿川孝司, 小島一信, 秩父重英

    電気化学会第88回大会, 2019/03/27

  148. Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K. Kojima, T. Ishiguro

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma2019) 2019/03/17

  149. 容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価

    高島信也, 上野勝典, 田中亮, 松山秀昭, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  150. 中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発

    高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 太田悠人, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  151. 水熱合成単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスと微小共振器構造への応用

    嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  152. 自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式

    浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  153. 自立窒化ガリウム結晶の角度分解フォトルミネセンス分光

    小島一信, 池村賢一郎, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  154. マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量 子井戸の構造解析(2)

    長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  155. マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量 子井戸の構造解析(1)

    小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  156. 深紫外AlGaN発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネセンス分光

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  157. 注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス

    秩父重英, 嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 小島一信, 上殿明良

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  158. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積

    嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    2019年春季応用物理学会 2019/03/09

  159. 窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッセンス評価

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

    窒化物半導体特異構造の科学-ナノ物性評価技術の進展と物性制御 2019年春季応用物理学会シンポジウム 2019/03/09

  160. エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 接合研究委員会 研究会 2019/02/28

  161. 酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹

    日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会(第6回) 2018/12/17

  162. GaN パワー半導体のエピ成長・プロセスで生じる点欠陥の理解と制御

    成田哲生, 冨田一義, 徳田豊, 小木曽達也, 嶋紘平, 井口紘子, 片岡恵太, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 堀田昌宏, 五十嵐信行, 加地徹

    日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会(第6回) 2018/12/17

  163. TMBを用いたBGaN結晶成長の脱離過程解析

    中野貴之, 江原一司, 望月健, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英

    第17回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2018/12/13

  164. 深紫外発光ダイオードを用いたソーラーブラインド・ギガビット級光無線伝送

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

    第17回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2018/12/13

  165. Different Nonradiative Recombination on Terraces and Macrosteps of Uneven QW for 285 nm LED Grown on AlN Template with Dense Macrosteps

    Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Ryuichi Sugie, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Shigefusa, F. Chichibu

    2018/12/11

  166. Different Nonradiative Recombination on Terraces and Macrosteps of Uneven QW for 285 nm LED Grown on AlN Template with Dense Macrostep

    Y. Nagasawa, K. Kojima, R. Sugie, A. Hirano, M. Ippommatsu, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

    International workshop on UV materials and devices (IWUMD-2018) 2018/12

  167. Recent progress of acidic ammonothermal growth of GaN

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, K. Shima, D. Tomida, K. Kojima, T. Ishiguro

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4) 2018/11/19

  168. Current localization structure observed in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN templates with macrosteps

    K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018) 2018/11/11

  169. Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018/11/11

  170. Microscopic structure of boosting IQE for AlGaN-based UV-B (285 nm) LED grown on macrosteps

    Y. Nagasawa, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018/11/11

  171. Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE"

    K. Ebara, K. Mochizuki, Y. Inoue, T. Aoki, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Nakano

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018/11/11

  172. Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes

    T. Maruyama, Y. Takahashi, N. Yamada, K. Ebara, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018/11/11

  173. Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018) 2018/11/11

  174. Recent progress of large size bulk GaN crystal growth by acidic ammonothermal method",

    M. Saito, Q. Bao, K. Shima, D. Tomida, K. Kojima, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018) 2018/11/11

  175. Multi-gigabit-class deep ultraviolet wireless communication at 280 nm based on an AlGaN light-emitting diode

    K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018) 2018/11/11

  176. 280 nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線伝送

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

    第6回アライアンス若手研究交流会 2018/11/01

  177. 1.6-Gbps LED-based Ultraviolet Communication at 280 nm in Direct Sunlight

    K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. F. Chichibu

    European Conference on Optical Communication (ECOC) 2018 2018/09/23

  178. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるSiO_2/HfO_2誘電体分布ブラッグ反射鏡の作製

    嶋紘平, 粕谷拓生, 小島一信, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018/09/18

  179. 時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥の評価

    粕谷拓生, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018/09/18

  180. 高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積

    秩父重英, 小島一信, 小池一歩, 矢野満明, 權田俊一, 石橋章司, 上殿明良

    2018年秋季応用物理学会 2018/09/18

  181. 空間・時間分解PL を用いたGaN の局所励起子応答

    神山晃範, 小島一信, 遊佐剛, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018/09/18

  182. バンド端近傍発光の外部量子効率が4%を超える六方晶BN単結晶の光学評価

    小島一信, 渡邊賢司, 谷口尚, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018/09/18

  183. サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス

    秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

    2018年秋季応用物理学会 2018/09/18

  184. MOVPE法を用いた厚膜BGaN結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製

    丸山貴之, 高橋祐吏, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2018年秋季応用物理学会 2018/09/18

  185. BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価

    高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2018年秋季応用物理学会 2018/09/18

  186. 280nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いた日光下における1.6 Gbps光無線伝送

    小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

    2018年秋季応用物理学会 2018/09/18

  187. The origin and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in the bulk and epitaxial ZnO

    S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi, A. Uedono

    The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018) 2018/09/11

  188. Relationship between internal quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime in a ZnO single crystal

    K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018) 2018/09/11

  189. Fabrication of a ZnO-based microcavity using the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method

    T. Kasuya, K. Shima, K. Kojima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

    The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018) 2018/09/11

  190. A comparative study on SiO_2/ZrO_2 and SiO_2/HfO_2 distributed Bragg reflectors for ZnO-based microcavities

    K. Shima, T. Kasuya, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018) 2018/09/11

  191. Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K. Kojima, T. Ishiguro

    The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7) 2018/08/05

  192. 酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長への取り組み

    斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    2018年日本結晶成長学会特別講演会 「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」 2018/07/18

  193. MOVPE法を用いた厚膜BGaN成長および縦型中性子検出デバイスの作製

    高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会,プレIWN2018第10回窒化物半導体結晶成長講演会 2018/07/12

  194. 酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製技術の進展

    斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    日本学術振興会 結晶成長の科学と技術第161委員会 2018/07/06

  195. 陽電子消滅法によるp-GaNエピ層、イオン注入層の点欠陥評価

    上殿明良, 石橋章司, 小島一信, 秩父重英

    応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて〜p型GaNの結晶工学〜」 2018/06/15

  196. Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

    応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて〜p型GaNの結晶工学〜」 2018/06/15

  197. Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討

    高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 高橋言緒, 清水三聡, 石橋章司, 中川清和, 堀田昌宏, 須田淳, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

    応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて〜p型GaNの結晶工学〜」 2018/06/15

  198. Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN

    T. Tanikawa, T. Fujita, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Matsuoka

    The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19) 2018/06/03

  199. Evaluation of cubic phase formation in wurtzite type BGaN by MOVPE

    K. Ebara, K. Mochizuki, Y. Inoue, T. Aoki, K. Kojima, S. F. Chichibu, T.Nakano

    The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19) 2018/06/03

  200. Liquid-Crystalline Organic-Inorganic Hybrid Dendrimer with a Monodispersed CdS Nano-Core: Self-Organized Stracture-Dependent Photoluminescence Emission-Quenching Behavior

    Kanie Kiyoshi, Ungar Goran, Matsubara Masaki, Stevenson Warren, Yabuki Jyun, Zeng Xiangbing, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa, Tamada Kaoru, Muramatsu Atsushi

    Proceedings of Japanese Liquid Crystal Society Annual meeting 2018/06/01

  201. Carrier trapping properties of defects in Mg-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams

    A. Uedono, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, H. Matsuyama, W. Egger, T.Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Kojima, S. F. Chichibu, S. Ishibashi

    The 45th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2018) 2018/05/29

  202. Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

    The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3) 2018/05/29

  203. Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductors

    K. Kojima, S. F. Chichibu

    19th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN19) 2018/05/15

  204. P-type Conduction of Mg-ion Implanted N-polar GaN and the Optical Investigation

    T. Narita, K. Kataoka, H. Iguchi, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, M.Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi

    The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18) 2018/04/23

  205. Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE

    Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18) 2018/04/23

  206. 有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価

    小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  207. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(2)

    嶋紘平, 粕谷拓生, 菊地清, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  208. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(1)

    粕谷拓生, 嶋紘平, 菊地清, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  209. 赤色蛍光体(CaAlSiN_3:Eu)の高温劣化機構の評価

    大石昌嗣, 塩見昌平, 山本孝, 植木智之, 改井陽一郎, 秩父重英, 高取愛子, 小島一信

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  210. 酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長の検討

    斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  211. 厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価

    丸山貴之, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  212. サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル

    秩父重英, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  213. ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

    小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  214. Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

    嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  215. Mgイオン注入GaN MOSFETのチャネル特性向上

    高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 中川清和

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  216. MOVPE法を用いて作製したBGaN結晶相の評価

    江原一司, 望月健, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  217. MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)

    稲富悠也, 草場彰, 柿本浩一, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  218. MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)

    秩父重英, 小島一信

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  219. GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係(2)

    小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  220. GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係(1)

    浅井栄大, 小島一信, 福田浩一, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  221. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

    谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

    2018年春季応用物理学会 2018/03/17

  222. 六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価

    原和彦, 梅原直己, 小島一信, 秩父重英

    2018年春季応用物理学会,多元化合物の新規な物性と応用, 多元系化合物・太陽電池研究会 企画シンポジウム 2018/03/17

  223. 超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法による2インチバルクGaN結晶育成

    包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM) 2018/03/13

  224. 全方位フォトルミネッセンス法による絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 秩父重英

    日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会 3月研究会 2018/03/09

  225. Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductor materials

    Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

    Kick-off Symposium for World Leading Research Centers 2018/02/19

  226. Determination of absolute quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors using an integrating sphere

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018, Gallium Nitride Materials and Devices XIII (OE107) 2018/01/27

  227. ワイドギャップ半導体の発光量子効率と発光寿命の相関

    小島一信, 秩父重英

    応用物理学会励起ナノプロセス研究会 第13回研究会, 「ワイドギャップ半導体の励起ナノプロセス」 2018/01/20

  228. GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心

    秩父重英, 上殿明良, 嶋紘平, 小島一信, 石橋章司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回個別討論会 「GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長技術」 2017/12/12

  229. 全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化物半導体の発光量子効率測定

    小島一信, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    日本結晶成長学会 第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 2017/11/27

  230. サファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素薄膜の深紫外カソードルミネッセンス

    原和彦, 梅原直己, 秩父重英, 小島一信, 光野徹也, 小南裕子

    日本結晶成長学会 第46回結晶成長国内会議(JCCG-46) 2017/11/27

  231. Consideration of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in wide bandgap (Al,Ga)N and ZnO

    S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Shima, A. Uedono, S. Ishibashi

    Materials Research Society, 2017 Fall Meeting, Symposium EM4: Wide- and Ultra-Wide-Bandgap Materials and Devices 2017/11/26

  232. Photocatalytic Activity of Silicon-based Nanoflakes for the Decomposition of Nitrogen Monoxide

    H. Itahara, H. Imagawa, X. Wu, S. Yin, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Sato

    The 34th Japan-Korea International Seminar on Ceramics, Session G: Nanoceramics 2017/11/22

  233. Study of Boron metal organic sources for BGaN growth using MOVPE

    T. Nakano, K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Aoki, Y. Inoue, K. Kojima, S.F.Chichibu

    International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017 2017/11/14

  234. Compositional modulation for high AlN mole fraction Al_xGa_1-xN multiple quantum wells to enhance overlap integral of carrier wavefunctions

    K. Kojima, Y. Hayashi, K. Hiramatsu, H. Miyake, S. F. Chichibu

    International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017 2017/11/14

  235. Cathodoluminescence characterization of the hexagonal boron nitride thin films grown on c-plane sapphire substrates

    N. Umehara, T. Kouno, H. Kominami, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Hara

    International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017 2017/11/14

  236. Fabrication and evaluation of vertical type BGaN neutron detection diodes

    T. Nakano, T. Arikawa, K. Mochizuki, H. Nakagawa, S. Usami, M. Kushimoto, Y.Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki

    2017 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference,Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD) 2017/10/21

  237. Internal quantum efficiency evaluation of LED by photocurrent measurement

    S. Usami, Y. Honda, K. Kojima, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, S. F. Chichibu, H. Amano

    11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), Session: W-5 - UV materials and characterization 2017/10/08

  238. Vacuum-fluorescent-display devices emitting polarized deep-ultraviolet and visible lights using m-plane Al_1-xIn_xN epitaxial nanostructures

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, Y. Sato

    11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), Session: Th-3 - Novel Devices and Structures 1 2017/10/08

  239. Optical and defect characteristics of m-plane Al_1-xIn_xN epitaxial nanostructures

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono

    8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2017) 2017/09/24

  240. 高品質窒化ガリウム単結晶の光物性評価

    小島一信, 秩父重英, 池田宏隆, 藤戸健史

    2017年秋季セラミクス協会第30回シンポジウム 2017/09/19

  241. Recent progress of acidic ammonothermal growth of GaN

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R. Kayano, T.Ishiguro, S. F. Chichibu

    10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-X) 2017/09/18

  242. Periodic compositional undulation in the m-plane Al_1-xIn_xN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima

    European Materials Research Society, 2017 Fall Meeting, Session P: Group III-Nitrides: fundamental research, optoelectronic devices and sensors 2017/09/18

  243. BGaN半導体材料を用いた新規熱中性子検出器の提案と開発

    中野貴之, 望月健, 中村匠, 有川卓弥, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 三村秀典, 井上翼, 青木徹

    日本原子力学会「2017年秋の大会」 2017/09/13

  244. 偏光遷移領域におけるc面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度

    坂井繁太, 南琢人, 小島一信, 秩父重英, 山口敦史

    2017年秋季応用物理学会 2017/09/05

  245. 二次組成変調によって電子・正孔波動関数の重なり積分を増強させたc面AlGaN多重量子井戸の発光特性評価

    小島一信, 林侑介, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    2017年秋季応用物理学会 2017/09/05

  246. 光励起下のGaN単結晶における内部量子効率の空間的不均一

    小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

    2017年秋季応用物理学会 2017/09/05

  247. 減衰全反射法を用いたGaN単結晶の表面状態評価

    小島一信, 赤尾賢一, 菅野美幸, 水野広介, 永森浩司, 秩父重英

    2017年秋季応用物理学会 2017/09/05

  248. GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

    秩父重英, 小島一信, 嶋紘平, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良

    2017年秋季応用物理学会 2017/09/05

  249. BGaN-MOVPE法におけるB有機金属原料の検討

    望月健, 中村匠, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    2017年秋季応用物理学会 2017/09/05

  250. 酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による電子デバイス用GaN結晶合成の進展

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹

    2017年秋季応用物理学会シンポジウム 窒化物半導体特異構造の科学 〜先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用〜 2017/09/05

  251. BGaN‐MOVPE法におけるB有機金属原料の検討

    望月健, 中村匠, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 中野貴之

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017/08/25

  252. Polarity-dependent defect formation in c-axis oriented ZnO by the irradiation of an 8 MeV proton beam

    K. Koike, W. Kuwagata, H. Mito, M. Yano, S. Gonda, A. Uedono, S. Ishibashi, K.Kojima, S. F. Chichibu

    29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017) 2017/07/31

  253. Origin and properties of intrinsic Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in GaN

    S. F. Chichibu, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, A. Uedono

    29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017) 2017/07/31

  254. Role of point defects on the luminescent properties of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN fabricated on a GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T.Takahashi, S. Ishibashi, A. Uedono

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017/07/24

  255. Quantum-Wire-Like Density of States in c-plane AlGaN Quantum Wells in Polarization-Crossover Composition Region

    S. Sakai, T. Minami, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. A. Yamaguchi

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017/07/24

  256. Optical characteristics of c-plane AlGaN multiple-quantum-well light-emitting diode structures with macro-size steps

    K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I.Akasaki, S. F. Chichibu

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017/07/24

  257. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R.Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017/07/24

  258. Fabrication and evaluation of vertical type BGaN diodes by MOVPE using trimethylboron

    K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Arikawa, Y. Inoue, S. Usami, M. Kushimoto, Y.Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, H. Mimura, T. Aoki, T. Nakano

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017/07/24

  259. A way to achieve more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction AlGaN MQWs

    S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Furusawa, Y. Yamazaki, K. Hiramatsu, H.Miyake

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017/07/24

  260. A high internal quantum efficiency of the emission in GaN single crystals observed by omnidirectional photoluminescence (ODPL)

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017/07/24

  261. A theoretical proposal for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction Al_xGa_1-xN multiple quantum wells

    K. Kojima, K. Furusawa, Y. Yamazaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. F. Chichibu

    The 18th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN18) 2017/07/09

  262. GaN中の非輻射再結合中心の正体とその特性

    秩父重英, 小島一信, 上殿明良

    応用物理学会結晶工学分科会, 第147回結晶工学分科会研究会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス〜窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御〜」 2017/06/09

  263. 窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測

    小島一信

    電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)5月研究会 2017/05/25

  264. Invited Talk : Formation mechanism of optical gain and performance prediction in nitride-based semiconductor laser structures

    小島 一信

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2017/05/25

  265. Quantification of Nitride Semiconductors Omnidirectional Photoluminescence (ODPL) Measurement Utilizing an Integrating SphereHigh Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'17) 2017/04/19

  266. 絶対吸収率および光電流測定を組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

    宇佐美茂佳, 小島一信, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 秩父重英, 天野浩

    2017年春季応用物理学会 2017/03/14

  267. 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(4)

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2017年春季応用物理学会 2017/03/14

  268. マクロステップを有するc面AlGaN量子井戸発光ダイオード構造の発光特性

    小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

    2017年春季応用物理学会 2017/03/14

  269. ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 秩父重英

    2017年春季応用物理学会 2017/03/14

  270. GaN基板上イオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価(2)

    秩父重英, 小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良

    2017年春季応用物理学会 2017/03/14

  271. BGaN縦型ダイオードの作製と放射線検出特性の評価

    望月健, 中村匠, 有川卓弥, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 三村秀典, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    2017年春季応用物理学会 2017/03/14

  272. m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性

    秩父重英, 小島一信, 上殿明良, 佐藤義孝

    第64回応用物理学会春季学術講演会 2017/03/14

  273. 超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成

    包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

    化学工学会第82年会 2017/03/06

  274. Recent progress of ammonothermal growth of GaN using acidic mineralizers

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y.Kagamitani, R. Kayano, T. Ishiguro

    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices - 2017 German -Japanese-Spanish Joint Workshop 2017/03/05

  275. Origin of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in (Al,Ga)N

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2017, OE127 Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XXI (10124) 2017/01/28

  276. Photoluminescence characterization of ion-implanted and epitaxial Mg-doped GaN prepared on freestanding GaN substrates

    S. F. Chichibu, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T.Takahashi, S. Ishibashi, A. Uedono

    Materials Research Society, 2016 Fall Meeting, Symposium EM11: Wide-Bandgap Materials for Energy Efficiency-Power Electronics and Solid-State Lighting 2016/11/27

  277. 窒化物半導体の絶対輻射量子効率計測

    小島一信, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    第4回アライアンス若手研究交流会 2016/11/09

  278. Quantification of absolute value of quantum efficiency of radiation in ZnO single crystals using an integrating sphere

    K. Kojima, T. Harada, A. Tsukazaki, S. F. Chichibu

    The 9th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO2016) 2016/10/30

  279. Carrier Lifetime Control of Nearly Dislocation-free ZnO Homoepitaxial Films by 3d Transition-metal Doping

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, A. Uedono

    The 9th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO2016) 2016/10/30

  280. Quantifying absolute value of quantum efficiency of radiation in high quality GaN single crystals

    K. Kojima, T. Ohtomo, M. Saito, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016) 2016/10/02

  281. Defect-resistant emission properties of nonpolar m-plane Al_1-xIn_xN epilayers for deep-ultraviolet to visible polarized-light-emitting vacuum fluorescent display devices

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, Y. Sato

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016) 2016/10/02

  282. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R.Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016) 2016/10/02

  283. Defect-resistant luminescent probability of m-plane AlInN alloy films for deep ultraviolet and visible polarized light-emitters

    S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, Y. Sato

    European Materials Research Society, 2016 Fall Meeting, Session F: AlN and AlGaN materials and devices 2016/09/19

  284. 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(3)

    小島一信, 大友友美, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2016年秋季応用物理学会 2016/09/13

  285. 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

    小島一信, 大友友美, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2016年秋季応用物理学会 2016/09/13

  286. GaN基板上に作製されたMgイオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価

    小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

    2016年秋季応用物理学会 2016/09/13

  287. Alloy-Compositional-Fluctuation Effects on Optical Gain Characteristics in AlGaN and InGaN Quantum-Well Laser Diodes

    A. Yamaguchi, T. Minami, S. Sakai, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016) 2016/09/12

  288. Si-based nano-flake particles synthesized by a solid state exfoliation method and their optical and photocatalytic properties

    板原浩, 今川晴雄, 呉暁勇, 山崎芳樹, 殷シュウ, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

    公益社団法人日本セラミックス協会 第29回秋季シンポジウム 2016/09/07

  289. Metalorganic vapor phase epitaxy of pseudomorphic m-plane Al_1-xIn_xN alloy films on a low defect density m-plane GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016/08/07

  290. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R.Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016/08/07

  291. Cathodoluminescence Spectroscopy of GaN/AlN Quantum Structures for sub-280 nm emission

    S. M. Islam, V. Protasenko, H, Grace) Xing, Debdeep Jena, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD-2016) 2016/07/27

  292. Optical and photocatalytic properties of nanocomposites composed of Ca_xSi_2 nano -flakes and nickel silicide particles

    H. Itahara, X. Wu, Y. Yamazaki, H. Imagawa, S. Yin, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Sato

    Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016) 2016/07/16

  293. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    Q. Bao, M. Saito, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R. Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016) 2016/06/26

  294. 単分散球状CdSナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織構造由来の蛍光特性の発現

    蟹江澄志, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, 小島一信, 秩父重英, 玉田薫, 村松淳司, UNGAR Goran, UNGAR Goran

    ナノ学会大会講演予稿集 2016/06/14

  295. Structure-Dependent Photoluminescence Behavior of Liquid-Crystalline Self-Organized Organic-Inorganic Hybrid Dendrimer with a CdS Nano-Core

    K. Kanie, M. Matsubara, W. Stevenson, J. Yabuki, X. Zeng, H. Dong, K. Kojima, S.F. Chichibu, K. Tamada, A. Muramatsu, G. Ungar

    90th American Chemical Society Colloid & Surface Science Symposium 2016/06/05

  296. 酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長

    斉藤 真, 包 全喜, 栗本 浩平, 冨田 大輔, 小島 一信, 鏡谷 勇二, 茅野林造, 石黒 徹, 秩父 重英

    応用物理学会結晶工学分科会 第145回結晶工学分科会研究会 2016/06/03

  297. 時間分解ルミネッセンス法によるGaNのキャリア寿命の評価

    秩父重英, 小島一信, 上殿明良

    日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会研究会 2016/05/27

  298. 自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性

    秩父重英, 小島一信, 上殿明良

    日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第8回窒化物半導体結晶成長講演会 2016/05/09

  299. GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 大友友美, 斉藤真, 池田宏隆, 秩父重英

    日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第8回窒化物半導体結晶成長講演会 2016/05/09

  300. Recombination dynamics of hot carriers excited in a highly-doped m-plane GaN single crystal

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17) 2016/03/28

  301. Carrier Lifetime Control of Nearly Dislocation-free ZnO Homoepitaxial Films by 3d Transition-metal Doping

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, A. Uedono

    17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17) 2016/03/28

  302. 酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶の高速成長

    栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 茅野林造, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    日本金属学会2016年春期(第158回)講演大会 2016/03/23

  303. 低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御

    秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 上殿明良

    2016年春季応用物理学会 2016/03/19

  304. 組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較

    南琢人, 小島一信, 坂井繁太, 秩父重英, 山口敦史

    2016年春季応用物理学会 2016/03/19

  305. 自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)

    秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 佐藤義孝, 上殿明良

    2016年春季応用物理学会 2016/03/19

  306. 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定

    小島一信, 大友友美, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2016年春季応用物理学会 2016/03/19

  307. 高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2016年春季応用物理学会 2016/03/19

  308. Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性

    板原浩, 呉暁勇, 山崎芳樹, 今川 晴雄, 殷シュウ, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

    2016年春季応用物理学会 2016/03/19

  309. MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討

    中村匠, 矢野雄大, 上山浩平, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    2016年春季応用物理学会 2016/03/19

  310. 90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針

    小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    2016年春季応用物理学会 2016/03/19

  311. 時間空間分解カソードルミネッセンスによるⅢ族窒化物半導体の評価

    秩父重英, 山崎芳樹, 小島一信

    発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来 2016年春季応用物理学会シンポジウム 2016/03/19

  312. 時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価"

    秩父重英, 山崎芳樹, 小島一信

    第63回応用物理学会春季学術講演会 2016/03/19

  313. 酸性アモノサーマル法による高品質GaN結晶の育成

    包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 山崎芳樹, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM) 2016/03/13

  314. 高品質窒化物半導体の光学特性

    小島一信, 秩父重英

    真空ナノエレクトロニクス158委員会 3月定期研究会 2016/03/04

  315. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R. Kayano, T.Ishiguro, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2016, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XI 2016/02/13

  316. 酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹

    化学工学会反応工学部会CVD反応分科会主催第24回シンポジウム 2015/12/01

  317. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会/電子デバイス研究会/電子部品・材料研究会 2015/11/26

  318. Electronic and optical characteristics of an m-plane freestanding GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer

    小島 一信, 塚田 悠介, 古川 えりか

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2015/11/26

  319. Electronic and optical characteristics of an m-plane freestanding GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer

    小島 一信, 塚田 悠介, 古川 えりか

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2015/11/26

  320. Electronic and optical characteristics of an m-plane freestanding GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer

    小島 一信, 塚田 悠介, 古川 えりか

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2015/11/26

  321. Electronic and optical characteristics of an m-plane freestanding GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    電子情報通信学会技術研究報告 2015/11/19

  322. Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al_1-xIn_xN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate

    K. Kojima, D. Kagaya, Y. Yamazaki, H, Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) 2015/11/08

  323. Metalorganic vapor phase epitaxy and time-resolved luminescence studies of pseudomorphic m-plane Al_1-xIn_xN epitaxial films on a low defect density m-plane GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, H. Ikeda, K. Fujito

    The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) 2015/11/08

  324. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Kagamitani, R.Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) 2015/11/08

  325. Low resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point defect concentration grown by hydride vapor phase epitaxy on an ammonothermal GaN seed crystal

    K. Kojima, K. Furusawa, E. Furukawa, M. Saito, Y. Tsukada, Y. Mikawa, S. Kubo, H.Ikeda, K. Fujito, A. Uedono, S. F. Chichibu

    The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) 2015/11/08

  326. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN結晶成長

    斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 2015/10/19

  327. 酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長

    斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 2015/10/19

  328. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015/09/13

  329. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN 高速育成

    斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015/09/13

  330. 高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス

    小島一信, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015/09/13

  331. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

    斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015/08/31

  332. 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

    小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015/08/31

  333. 高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス

    小島一信, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015/08/31

  334. Time-resolved and spatially-resolved luminescence studies on ultraviolet to green luminescence peaks of m-plane Al_1-xIn_xN epilayers grown on a low defect density m-plane GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, H. Ikeda, K.Fujito

    The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11) 2015/08/30

  335. High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y.Kagamitani, R. Kayano, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11) 2015/08/30

  336. Polarity dependent radiation hardness of GaN

    Masayuki Matsuo, Takayuki Murayama, Kazuto Koike, Shigehiko Sasa, Mitsuaki Yano, Shun Ichi Gonda, Akira Uedono, Ryoya Ishigami, Kyo Kume, Tomomi Ohtomo, Erika Furukawa, Yoshiki Yamazaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

    IMFEDK 2015 - 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2015/07/14

  337. High-Quality Bulk Crystal Growth of GaN by the Ammonothermal Method in a Supercritical NH_3 Using Acidic Mineralizers

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Kagamitani, R. Kayano, T. Ishiguro

    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices - 2015 German -Japanese-Spanish Joint Workshop 2015/07/11

  338. Polarity Dependent Radiation Hardness of GaN

    M. Matsuo, T. Murayama, K. Koike, S. Sasa, M. Yano, S. Gonda, R. Ishigami, K.Kume, A. Uedono, T. Ohtomo, E. Furukawa, Y. Yamazaki, K. Kojima, S. Chichibu

    The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices 2015/06/04

  339. Homoepitaxy of ZnO films of reduced donor concentrations by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy method using a ZnO target prepared by hydrothermal technique

    S. Iwahashi, K. Furusawa, Y. Yamazaki, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    European Materials Research Society, 2015 Spring Meeting, Symposium N: Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films V 2015/05/11

  340. Controlling the minority carrier lifetime of ZnO epitaxial thin films by transition metal doping

    S. F. Chichibu, S. Iwahashi, Y. Yamazaki, K. Kojima, K. Furusawa, A. Uedono

    European Materials Research Society, 2015 Spring Meeting, Symposium N: Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films V 2015/05/11

  341. 分光エリプソメトリーによるm面Al_1-xIn_xN薄膜の光学特性評価

    小島一信, 加賀谷大樹, 山崎芳樹, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN6) 2015/05/07

  342. 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4):遷移金属不純物に関する考察

    岩橋咲弥, 山崎芳樹, 小島一信, 古澤健太郎, 上殿明良, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015/03/11

  343. 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3):浅い不純物に関する考察

    山崎芳樹, 古澤健太郎, 岩橋咲弥, 小島一信, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015/03/11

  344. 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果

    栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 冨田大輔, 伊藤みずき, 山崎芳樹, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015/03/11

  345. ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α-In2O3)の特性評価

    須和祐太, 川原村敏幸, 小島一信, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015/03/11

  346. 「自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015/03/11

  347. 「m面Al_1-xIn_xN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価」

    加賀谷大樹, 山崎芳樹, 池田宏隆, 藤戸健史, 小島一信, 秩父重英

    2015年春季応用物理学会 2015/03/11

  348. 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3):浅い不純物に関する考察

    YAMAZAKI YOSHIKI, FURUSAWA KENTARO, IWAHASHI SAYA, KOJIMA KAZUNOBU, CHICHIBU SHIGEFUSA

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015/02/26

  349. 自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)

    KOJIMA KAZUNOBU, IKEDA HIROTAKA, FUJITO KENJI, CHICHIBU, SHIGEFUSA

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015/02/26

  350. m面Al1-xInxN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価

    KAGAYA DAIKI, YAMAZAKI YOSHIKI, IKEDA HIROTAKA, FUJITO KENJI, KOJIMA KAZUNOBU, CHICHIBU SHIGEFUSA

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015/02/26

  351. 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4):遷移金属不純物に関する考察

    IWAHASHI SAYA, YAMAZAKI YOSHIKI, KOJIMA KAZUNOBU, FURUSAWA KENTARO, UEDONO AKIRA, CHICHIBU, SHIGEFUSA

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015/02/26

  352. ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α‐In2O3)の特性評価

    SUWA YUTA, KAWAHARAMURA TOSHIYUKI, KOJIMA KAZUNOBU, CHICHIBU SHIGEFUSA

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015/02/26

  353. 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果

    KURIMOTO KOHEI, BAO Q, SAITO MAKOTO, TOMIDA DAISUKE, ITO MIZUKI, YAMAZAKI YOSHIKI, KOJIMA KAZUNOBU, KAGAMITANI YUJI, KAYANO RINZO, ISHIGURO TOORU, CHICHIBU SHIGEFUSA

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015/02/26

  354. BGaN半導体材料における結晶成長技術の開発と諸特性の評価

    中野貴之, 上山浩平, 中村匠, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2015

  355. 液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織化CdS量子ドットのフォトルミネッセンス挙動

    松原正樹, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, UNGAR Goran, 蟹江澄志, 村松淳司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2015

  356. 水熱合成ZnOターゲットを用いた低ドナー不純物濃度ZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長

    古澤健太郎, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2015

  357. High Quality and High Rate Bulk GaN Crystal Growth by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Kagamitani, R. Kayano, K. Qiao, T. Ishiguro, C. Yokoyama, S. F. Chichibu

    2014 Materials Research Society Fall Meeting 2014/12

  358. Optical characteristics of nonpolar and semipolar nitride heterostructures

    小島一信, 秩父重英

    第50回GRL浜松セミナー 2014/12

  359. Optical polarization properties of Al_1-xIn_xN epilayers grown on m-plane freestanding GaN substrates

    K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

    Materials Research Society, 2014 Fall Meeting, Symposium AA: Synthesis,Processing and Mechanical Properties of Functional Hexagonal Materials for Energy Applications 2014/11/30

  360. High Quality Bulk GaN Crystal Growth by Acidic Ammonothermal Method

    M. Saito, Q. Bao, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Kagamitani, R. Kayano, K. Qiao, T. Ishiguro, C. Yokoyama, S. F. Chichibu

    Materials Research Society, 2014 Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics 2014/11/30

  361. A strategy to improve the emission efficiency of Si-doped AlGaN multiple quantum wells by out-of-plane compositional modulations

    Y. Yamazaki, K. Furusawa, K. Kojima, K. Nakahama, H. Miyake, K. Hiramatsu, S.F. Chichibu

    Materials Research Society, 2014 Fall Meeting , Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics 2014/11/30

  362. Optical characteristics of nonpolar and semipolar nitride heterostructures

    K. Kojima, Y. Yamazaki, S. F. Chichibu

    2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors 2014/10

  363. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN 高速育成

    斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 喬焜, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

    2014年秋季応用物理学会 2014/09/17

  364. 混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上

    山崎芳樹, 古澤健太郎, 小島一信, 中濱和大, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

    2014年秋季応用物理学会 2014/09/17

  365. m面GaN基板上に成長したAl_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の偏光特性

    小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

    2014年秋季応用物理学会 2014/09/17

  366. フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析

    秩父重英, 古澤健太郎, 石川陽一, 山崎芳樹, 小島一信

    2014年秋季応用物理学会シンポジウム 2014/09/17

  367. フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析

    CHICHIBU SHIGEFUSA, ISHIKAWA YOICHI, YAMAZAKI YOSHIKI, KOJIMA KAZUNOBU

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014/09/01

  368. 酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

    SAITO MAKOTO, BAO Q, KURIMOTO KOHEI, TOMIDA DAISUKE, KOJIMA KAZUNOBU, YAMAZAKI YOSHIKI, KAGAMITANI YUJI, KAYANO RINZO, QIAO K, ISHIGURO TOORU, YOKOYAMA CHIAKI, CHICHIBU, SHIGEFUSA

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014/09/01

  369. m面GaN基板上に成長したAl1-xInxNエピタキシャル薄膜の偏光特性

    KOJIMA KAZUNOBU, IKEDA HIROTAKA, FUJITO KENJI, CHICHIBU, SHIGEFUSA

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014/09/01

  370. 混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上

    YAMAZAKI YOSHIKI, FURUSAWA KENTARO, KOJIMA KAZUNOBU, NAKAHAMA KAZUHIRO, MIYAKE HIDETO, HIRAMATSU KAZUMASA, CHICHIBU, SHIGEFUSA

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014/09/01

  371. Epitaxial growth of thick m-plane Al_1-xIn_xN epilayers exhibiting a dominant ultraviolet to green near-band-edge luminescence peak on a low defect density m-plane GaN substrate

    S. F. Chichibu, K. Furusawa, K. Hazu, Y. Ishikawa, T. Onuma, T. Ohtomo, Y.Yamazaki, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014) 2014/08/24

  372. Optical characteristics of deep ultraviolet nitride semiconductors with various crystal orientations

    Kazunobu KOJIMA

    International Union of Materials Research Societies-The IUMRS InternationalConference in Asia 2014 2014/08/24

  373. 非極性面窒化物半導体深紫外レーザーの低閾値化に関する理論的検討

    小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進

    レーザー学会学術講演会第34回年次大会 2014/01

  374. フォトニックバンドギャップの存在下で自然放出が抑制された単一量子ドットの光学特性(2)

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013/08/31

  375. 同一の単一量子ドットにおけるフォトニック結晶形成前後の光学特性の比較

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012/08/27

  376. 発光イメージを用いた単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の高精度位置合わせ(3)

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012/08/27

  377. 単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の相対位置合わせにおける誤差推定

    小島一信, 児島貴徳, 中村達也, 彦山和久, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012/08/27

  378. ナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態の動的制御

    中村達也, 小島一信, 児島貴徳, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012/08/27

  379. ナノ共振器の共鳴周波数変動を抑制したQ値制御手法

    彦山和久, 中村達也, 小島一信, 浅野卓, 児島貴徳, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012/08/27

  380. ナノ共振器・導波路結合系を用いたQED制御に関する検討

    彦山和久, 浅野卓, 中村達也, 小島一信, 児島貴徳, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012/02/29

  381. 実験データ解析に基づく非極性InGaN量子井戸の偏光特性の予測

    山口敦史, 小島一信

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011/08/16

  382. 発光イメージを用いた単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の高精度位置合わせ (2)

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011/08/16

  383. フォトニック結晶ナノ共振器の高Q値化の設計指針 (2)

    中村達也, 高橋和, 高橋和, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011/08/16

  384. 発光イメージを用いた単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の高精度位置合わせ

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011/03/09

  385. 窒素堆積・剥離によるナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態制御(3)

    中村達也, 小島一信, 児島貴徳, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011/03/09

  386. A Comprehensive Understanding of Previously-Reported Polarization Properties in Nonpolar and Semipolar InGaN Quantum Wells

    YAMAGUCHI Atsushi A, KOJIMA Kazunobu

    IEICE technical report 2010/11/04

  387. A Comprehensive Understanding of Previously-Reported Polarization Properties in Nonpolar and Semipolar InGaN Quantum Wells

    YAMAGUCHI Atsushi A, KOJIMA Kazunobu

    IEICE technical report 2010/11/04

  388. A Comprehensive Understanding of Previously-Reported Polarization Properties in Nonpolar and Semipolar InGaN Quantum Wells

    YAMAGUCHI Atsushi A, KOJIMA Kazunobu

    IEICE technical report 2010/11/04

  389. 発光イメージに基づく単一量子ドットの位置検出精度向上に関する検討

    児島貴徳, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/08/30

  390. 無極性面AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討

    小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/08/30

  391. 窒素堆積・剥離によるナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態制御(2)

    中村達也, 小島一信, 児島貴徳, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/08/30

  392. 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈

    山口敦史, 小島一信

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/08/30

  393. 量子ドットを含むナノ共振器のQ値制御についての理論検討

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 児島貴徳, 中村達也, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/08/30

  394. 単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の相対位置および発光波長の精密調整

    小島一信, 児島貴徳, 中村達也, 山口真, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/03/03

  395. 単一量子ドットの位置検出と発光特性評価―量子ドットとナノ共振器の結合系の高度化に向けて―

    児島貴徳, 小島一信, STUMPF Wolfgang, 中村達也, 山口真, 浅野卓, 冨士田誠之, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/03/03

  396. ナノ共振器・量子ドット結合系における純位相緩和の影響の検討(5)

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 児島貴徳, 中村達也, STUMPF Wolfgang, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/03/03

  397. 非極性InGaN量子井戸における偏光特性(擬立方晶近似が成立しない場合)

    山口敦史, 小島一信

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/03/03

  398. 窒素堆積・剥離によるナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態制御

    中村達也, 浅野卓, 小島一信, STUMPF Wolfgang, 児島貴徳, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/03/03

  399. 非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係

    小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010/03/03

  400. Impact of anti-Zeno effect on a coupled nanocavity-quantum-dot system

    M. Yamaguchi, T. Asano, K. Kojima, S. Noda

    2009 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2009 Conference on Quantum Electronics and Laser Science Conference, CLEO/QELS 2009 2009/11/16

  401. 反射・PLスペクトル同時測定による量子ドット‐ナノ共振器融合系の評価

    児島貴徳, STUMPF Wolfgang, 小島一信, 井上博揮, 中村達也, 浅野卓, 冨士田誠之, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009/09/08

  402. ナノ共振器・量子ドット強結合系における時分解スペクトルの解析

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009/09/08

  403. 2次元フォトニック結晶ナノ共振器の反射スペクトルの理論解析

    中村達也, STUMPF W, 児島貴徳, 小島一信, 田中良典, 冨士田誠之, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009/09/08

  404. ナノ共振器‐量子ドット結合系におけるパーセル効果の制御

    小島一信, STUMPF Wolfgang, 山口真, 児島貴徳, 中村達也, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009/09/08

  405. ナノ共振器・量子ドット強結合系における共鳴時の3番目の発光ピーク(2)

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2009/03/30

  406. 量子ドットを含んだナノ共振器・導波路結合系の基礎光学特性

    小島一信, 井上博揮, STUMPF Wolfgang, 中村達也, 山口真, 児島貴徳, 冨士田誠之, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2009/03/30

  407. 非c面窒化物半導体量子井戸における価電子帯有効質量

    小島一信, 船戸充, 川上養一, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2009/03/30

  408. 2次元フォトニック結晶における新たな光パルストラップ方法の提案

    井上博揮, UPHAM Jeremy, 田中良典, STUMPF wolfgang, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2009/03/30

  409. ベキ乗関数を用いたGaInNからの室温時間分解フォトルミネッセンスの解析

    北川均, 北川均, 黒川要一, 黒川要一, 須藤俊英, 須藤俊英, 冨士田誠之, 小島一信, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2008/09/02

  410. ナノ共振器・量子ドット強結合系における共鳴時の3番目の発光ピーク

    山口真, 浅野卓, 小島一信, 冨士田誠之, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2008/09/02

  411. ナノ共振器と量子ドット結合状態の動的制御(1)

    小島一信, 山口真, 浅野卓, 野田進

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2008/09/02

  412. 非極性面InGaN量子井戸の偏光制御に関する理論検討

    小島一信, 加門宏章, 船戸充, 川上養一, 長濱慎一, 向井孝志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2008/03/27

  413. 非極性面InGaN量子井戸レーザの光学特性

    小島一信, 船戸充, 川上養一, 枡井真吾, 長濱慎一, 向井孝志

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2008/03/27

  414. InGaN量子井戸レーザの光学利得と内部電界の関係

    小島一信, 船戸充, 川上養一, SCHWARZ U. T, SCHWARZ U. T, 長濱慎一, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2007/09/04

  415. 半極性・無極性InGaN量子井戸の光学的異方性に関する理論解析

    小島一信, 加門宏章, 船戸充, 川上養一

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2007/09/04

  416. 高In組成InGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制御

    川上養一, 船戸充, 金田昭男, 上田雅也, 小島一信, 成川幸男, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2007/09/04

  417. Epitaxial growth and optical properties of InGaN/GaN quantum wells on semipolar {11-22} GaN bulk crystals

    Ueda Masaya, Kojima Kazunobu, Funato Mitsuru, Kawakami Yoichi, Narukawa Yukio, Mukai Takashi

    IEICE technical report 2006/10/05

  418. Epitaxial growth and optical properties of InGaN/GaN quantum wells on semipolar {11-22} GaN bulk crystals

    UEDA Masaya, KOJIMA Kazunobu, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, NARUKAWA Yukio, MUKAI Takashi

    IEICE technical report 2006/09/28

  419. Investigation of optical gain of InGaN quantum well lasers emitting at 400 and 470nm

    KOJIMA Kazunobu, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, SCHWARZ Ulrich T, BRAUN Harald, NAGAHAMA Shinichi, MUKAI Takashi

    IEICE technical report 2006/09/28

  420. Investigation of optical gain of InGaN quantum well lasers emitting at 400 and 470nm

    KOJIMA Kazunobu, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, SCHWARZ Ulrich T, BRAUN Harald, NAGAHAMA Shinichi, MUKAI Takashi

    IEICE technical report 2006/09/28

  421. Epitaxial growth and optical properties of InGaN/GaN quantum wells on semipolar {11-22} GaN bulk crystals

    UEDA Masaya, KOJIMA Kazunobu, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, NARUKAWA Yukio, MUKAI Takashi

    IEICE technical report 2006/09/28

  422. Investigation of optical gain of InGaN quantum well lasers emitting at 400 and 470nm

    KOJIMA Kazunobu, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, SCHWARZ Ulrich T, BRAUN Harald, NAGAHAMA Shinichi, MUKAI Takashi

    IEICE technical report 2006/09/28

  423. Epitaxial growth and optical properties of InGaN/GaN quantum wells on semipolar {11-22} GaN bulk crystals

    UEDA Masaya, KOJIMA Kazunobu, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, NARUKAWA Yukio, MUKAI Takashi

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 2006/09/28

  424. InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N量子井戸の光学利得とアンチガイディングファクタの実測

    小島一信, 船戸充, 川上養一, BRAUN H, SCHWARZ U. T, 長濱慎一, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2006/08/29

  425. GaN{11‐22}基板上へのGaNのホモエピタキシャル成長

    上田雅也, 小島一信, 船戸充, 川上義一, 成川幸男, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2006/08/29

  426. 半極性面{1122}バルクGaNにおける面内光学異方性

    小島一信, 加門宏章, 船戸充, 川上養一

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2006/03/22

  427. アップ・コンバージョン法によるInXGa1‐XN低次元量子構造の誘導放出ダイナミクス

    小島一信, 船戸充, 成川幸男, 向井孝志, 川上養一

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2005/03/29

  428. メタルマスクへの微小開口作製によるInGaNの空間分解分光

    金井聡庸, 小島一信, 船戸充, 成川幸男, 向井孝志, 川上養一

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2005/03/29

  429. 顕微分光法によるInGaNナノ構造の発光機構解明

    川上養一, 金田昭男, 西塚幸司, 小島一信, ZHU Y, 山田大輔, MICHELETTO R, 成川幸男, 向井孝志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004/09/01

  430. InGaN低次元量子構造におけるホットキャリア分布

    小島一信, 鹿内周, 船戸充, 成川幸男, 向井孝志, 川上養一

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004/09/01

  431. InGaN多重量子井戸構造におけるレーザモードとバッファ層の関係

    小島一信, 鹿内周, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志, 藤田茂夫

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004/03/28

  432. InGaN多重量子井戸構造における光学利得の測定 (2)

    小島一信, 鹿内周, 大前邦途, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志, 藤田茂夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2003/08/30

  433. InGaN多重量子井戸構造におけるホットキャリアダイナミクス

    鹿内周, 小島一信, 大前邦途, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志, 藤田茂夫

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003/03/27

  434. InGaN多重量子井戸構造における光学利得の測定

    小島一信, 鹿内周, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志, 藤田茂夫

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003/03/27

  435. 窒化物半導体フォトニクス

    小島一信

    ナノテスティング学会 第29回パワー&アナログデバイス解析研究会(P&A解析研究会)

  436. 光電子分光を活用した窒化物半導体表面でのキャリアダイナミクス評価

    市川修平, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一, 小島一信

    応用物理学会 応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会

Industrial Property Rights 8

  1. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法

    中野 貴之, 秩父 重英, 小島 一信

    特許6856214

    出願日:2017/03/30

    登録日:2021/03/22

  2. 二次電池

    殿川 孝司, 小坂 裕, 津國 和之, 高野 光, 秩父 重英, 小島 一信

    出願日:2016/08/31

  3. 光触媒

    板原 浩, 今川 晴雄, 佐藤 次雄, 殷 シュウ, 呉 暁勇, 秩父 重英, 小島 一信, 山崎 芳樹

    出願日:2016/02/18

  4. 窒化物半導体レーザ素子

    小島 一信, 川上 養一, 船戸 充, 長濱 慎一, 枡井 真吾

    特許第5286723号

    出願日:2007/09/14

  5. 窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法及び窒化物半導体紫外線発光素子

    平野 光, 長澤 陽祐, 秩父 重英, 小島 一信

    特許6560821

    出願日:2017/11/08

  6. 深紫外発光素子およびその製造方法

    川原村 敏幸, ダン タイ ジャン, 須和 祐太, 小島 一信, 秩父 重英

    特許7082390

    出願日:2017/08/04

  7. 検査装置及び検査方法

    池村 賢一郎, 小島 一信, 秩父 重英, 井口 和也

  8. 窒化物半導体紫外線発光素子

    平野光, 長澤陽祐, 秩父重英, 小島一信

    特許6391207

Social Activities 19

  • 大阪市立科学館「光学冷却用のペロブスカイト半導体」展示提供

    2025/07/04 -

  • 新発見!次世代半導体GaNは高純度で光りにくさの理由が変わる

    RISOU

    2024/06/07 -

  • 新たな冷却方法やエネルギー輸送の実現に期待 -高効率なアンチストークス発光を示す半導体複合ナノ構造材料を発見-

    2022/04/21 -

  • To Accelerate or Decelerate in the Light-emitting Process of Zinc-Oxide Crystals

    2020/12 -

  • 光り方を決めるのは光る頻度か光らない頻度か?~酸化亜鉛結晶の発光効率と発光寿命の相関を明示~

    2020/12 -

  • A New Method to Measure Optical Absorption in Semiconductor Crystals

    2020/10/29 -

  • 窒化ガリウム結晶の発光量子効率と光吸収の関係を解明

    2020/10/29 -

  • Tohoku University Teaches Old Spectroscopy New Tricks

    2020/10 -

  • 窒化ガリウムの発光を阻害する原因を突き詰める!-極低温下における発光効率計測に成功-

    2020/09 -

  • ギガビット級高速光無線通信を実現した深紫外LEDの高速変調メカニズムを解明 -自己組織化微小LED集合体がもたらす、高発光効率と高速変調の両立-

    2020/08 -

  • Faster LEDs for Wireless Communications from Invisible Light

    2020/07 -

  • Breakthrough Made in Detecting Carbon Impurities in Gallium Nitride Crystals via Light

    Tohoku University

    2019/12 -

  • 一億個に一つの不純物も見逃さない! -窒化ガリウム結晶中の炭素不純物を高感度・非破壊・非接触検出-

    東北大学

    2019/12 -

  • A New Method for Quantifying Crystal Semiconductor Efficiency

    Tohoku University

    2019/08 -

  • 太陽電池の材料はよく光る!? -ペロブスカイト半導体の発光量子効率計測-

    東北大学

    2019/08 -

  • Probing Semiconductor Crystals with a Sphere of Light

    Tohoku University

    2019/06 -

  • 窒化ガリウムウェハの高速・高感度検査技術を確立 -分光技術を駆使した半導体の結晶欠陥計測-

    東北大学

    2019/05 -

  • Understanding high efficiency of deep ultraviolet LEDs

    Tohoku University

    2019/02 -

  • 公衆衛生や生活の質的向上に寄与! ~深紫外発光素子の高効率動作メカニズムを解明~

    東北大学

    2019/01 -

Institutional Repository 1

Content Published in the University of Osaka Institutional Repository (OUKA)
  1. Switching of major nonradiative recombination centers (NRCs) from carbon impurities to intrinsic NRCs in GaN crystals

    Sano K., Fujikura H., Konno T., Kaneki S., Ichikawa S., Kojima K.

    Applied Physics Letters Vol. 124 2024/06/03