研究者総覧 - 大阪大学

小島　一信

Kojima Kazunobu

工学研究科　電気電子情報通信工学専攻，教授

keyword レーザ照明，発光量子効率計測，深紫外光無線通信，ナノエレクトロニクス，光物性

経歴

2021年12月～継続中，大阪大学，大学院工学研究科電気電子情報工学専攻，教授
2014年04月～ 2021年12月，東北大学，多元物質科学研究所，准教授
2011年07月～ 2014年03月，京都大学大学院工学研究科 GL教育センター講師
2011年07月～ 2014年03月，京都大学大学院工学研究科電子工学専攻，講師（兼任）
2008年10月～ 2011年06月，京都大学大学院工学研究科電子工学専攻，特定助教（GCOE）
2008年04月～ 2008年09月，日本学術振興会，特別研究員（PD）
2005年04月～ 2008年03月，日本学術振興会，特別研究員（DC1）
2006年05月～ 2006年07月，レーゲンスブルグ大学，客員研究員

研究内容・専門分野

自然科学一般，半導体、光物性、原子物理
ナノテク・材料，ナノ構造物理
ナノテク・材料，結晶工学

所属学会

レーザー学会
応用物理学会

論文

Anti-Stokes photoluminescence from CsPbBr3 nanostructures embedded in a Cs4PbBr6 crystal，Yuto Kajino,Shuji Otake,Takumi Yamada,Kazunobu Kojima,Tomoya Nakamura,Atsushi Wakamiya,Yoshihiko Kanemitsu,Yasuhiro Yamada，Physical Review Materials，American Physical Society ({APS})，Vol. 6，No. 4，2022年04月14日，研究論文（学術雑誌）
230-nm-wavelength range far-UVC LED with low Al-composition differentiation between well and barrier layers of MQWs，Kenjiro Uesugi,Ryota Akaike,Shuhei Ichikawa,Takao Nakamura,Kazunobu Kojima,Masahiko Tsuchiya,Hideto MIYAKE，Applied Physics Express，2024年04月12日，研究論文（学術雑誌）
Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rock salt-structured MgxZn1−xO，Takeyoshi Onuma,Kanta Kudo,Mizuki Ono,Wataru Kosaka,Kohei Shima,Kyohei Ishii,Kentaro Kaneko,Yuichi Ota,Tomohiro Yamaguchi,Kazunobu Kojima,Shizuo Fujita,Shigefusa F. Chichibu,Tohru Honda，Journal of Applied Physics，AIP Publishing，Vol. 134，No. 2，2023年07月13日，研究論文（学術雑誌）
Weak metastability of AlxGa1-xN (x=13/24, 15/24, 17/24) shown by analyzing AlGaN grown on AlN with dense macrosteps，Akira Hirano,Yosuke Nagasawa,Masamichi Ipponmatsu,Hideki Sako,Ai Hashimoto,Ryuichi Sugie,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu，Applied Physics Express，IOP Publishing，Vol. 15，No. 7，p. 075505-075505，2022年06月16日，研究論文（学術雑誌）
Enhanced quantum efficiency of a self-organized silica mixed red phosphor CaAlSiN3:Eu，Masatsugu Oishi,Shohei Shiomi,Koji Ohara,Fumito Fujishiro,Yoichiro Kai,Shao-Ju Shih,Toshihiro Moriga,Shigefusa F. Chichibu,Aiko Takatori,Kazunobu Kojima，Journal of Solid State Chemistry，Elsevier BV，Vol. 309，p. 122968-122968，2022年05月，研究論文（学術雑誌）
Precise determination of deformation potentials in InGaN alloy material in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells，Shigeta Sakai,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Atsushi A YAMAGUCHI，Japanese Journal of Applied Physics，{IOP} Publishing，Vol. 61，No. 6，p. 061003-061003，2022年03月31日，研究論文（学術雑誌）
Dual-peak electroluminescence spectra generated from Al n/12Ga1-n/12N (n=2, 3, 4) for AlGaN-based LEDs with nonflat quantum wells，Yosuke Nagasawa,Kazunobu Kojima,Akira Hirano,Masamichi Ippommatsu,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Shigefusa F. Chichibu，Journal of Physics D: Applied Physics，{IOP} Publishing，2022年03月11日，研究論文（学術雑誌）
Characterization of semiconductor crystals based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy，Kazunobu Kojima，Journal of the Japanese Association for Crystal Growth，2022年02月
Discrete wavelengths observed in electroluminescence originating from Al1/2Ga1/2N and Al1/3Ga2/3N created in nonflat AlGaN quantum wells，Yosuke Nagasawa,Kazunobu Kojima,Akira Hirano,Hideki Sako,Ai Hashimoto,Ryuichi Sugie,Masamichi Ippommatsu,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Shigefusa F Chichibu，Journal of Physics D: Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 54，No. 48，p. 485107-485107，2021年12月02日，研究論文（学術雑誌）
Dopant activation process in Mg-implanted GaN studied by monoenergetic positron beam，Akira Uedono,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Kohei Shima,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Shoji Ishibashi，Scientific Reports，Springer Science and Business Media LLC，Vol. 11，No. 1，2021年12月，研究論文（学術雑誌）
Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg，K. Shima,R. Tanaka,S. Takashima,K. Ueno,M. Edo,K. Kojima,A. Uedono,S. Ishibashi,S. F. Chichibu，Applied Physics Letters，{AIP} Publishing，Vol. 119，No. 18，p. 182106-182106，2021年11月01日，研究論文（学術雑誌）
Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes，Takayuki Nakano,Ken Mochizuki,Takuya Arikawa,Hisaya Nakagawa,Shigeyoshi Usami,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Adrian Vogt,Sebastian Schütt,Michael Fiederle,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Yoku Inoue,Toru Aoki，Journal of Applied Physics，AIP Publishing，Vol. 130，No. 12，p. 124501-124501，2021年09月28日，研究論文（学術雑誌）
Facile method for the synthesis of zinc- or magnesium-doped gallium nitride powders from gallium metal，Daisuke Tomida,Quanxi Bao,Makoto Saito,Kouhei Kurimoto,Kazunobu Kojima,Kun Qiao,Tohru Ishiguro,Shigefusa F. Chichibu，Journal of Crystal Growth，Elsevier {BV}，Vol. 570，p. 126190-126190，2021年09月，研究論文（学術雑誌）
Reduced nonradiative recombination rates in c-plane Al0.83In0.17N films grown on a nearly lattice-matched GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy，L. Y. Li,K. Shima,M. Yamanaka,K. Kojima,T. Egawa,A. Uedono,S. Ishibashi,T. Takeuchi,M. Miyoshi,S. F. Chichibu，Applied Physics Letters，AIP Publishing，Vol. 119，No. 9，p. 091105-091105，2021年08月30日，研究論文（学術雑誌）
【Plenary】Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors，Shigefusa F. Chichibu,Kohei Shima,Kazunobu Kojima,Shoji Ishibashi,Akira Uedono，Proceedings of IWJT2021，IEEE，2021年06月10日，研究論文（国際会議プロシーディングス）
Discrete AlN mole fraction of n/12 (n = 4–8) in Ga-rich zones functioning as electron pathways created in nonflat AlGaN layers grown on high-miscut sapphire substrates，Yosuke Nagasawa,Akira Hirano,Masamichi Ippommatsu,Hideki Sako,Ai Hashimoto,Ryuichi Sugie,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Isamu Akasaki,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu，Journal of Applied Physics，AIP Publishing，Vol. 129，No. 16，p. 164503-164503，2021年04月28日，研究論文（学術雑誌）
Up-to 292-Mbps Deep-UV Communication over a Diffuse-Line-of-Sight Link Based on Silicon Photo Multiplier Array，Yuki Yoshida,Kazunobu Kojima,Masaki Shiraiwa,Atsushi Kanno,Akira Hirano,Yosuke Nagasawa,Masamichi Ippommatsu,Naokatsu Yamamoto,Shigefusa F. Chichibu,Yoshinari Awaji，2020 European Conference on Optical Communications (ECOC)，IEEE，2020年12月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
Correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime of the near-band-edge emission in a ZnO single crystal grown by the hydrothermal method，Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu，Applied Physics Express，IOP Publishing，Vol. 13，No. 12，p. 121005-121005，2020年12月01日，研究論文（学術雑誌）
Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1−xInxN on GaN，Shigefusa F. Chichibu,Kohei Shima,Kazunobu Kojima,Yoshihiro Kangawa，Scientific Reports，Springer Science and Business Media LLC，Vol. 10，No. 1，2020年12月，研究論文（学術雑誌）
Detailed analysis of Ga-rich current pathways using n-Al0.7Ga0.3N layer grown on AlN template with dense macrosteps，Yosuke Nagasawa,Akira Hirano,Masamichi Ipponmatsu,Hideki Sako,Ai Hashimoto,Ryuichi Sugie,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Isamu Akasaki,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu，Applied Physics Express，IOP Publishing，Vol. 13，No. 12，p. 124001-124001，2020年11月17日，研究論文（学術雑誌）
Urbach–Martienssen tail as the origin of the two-peak structure in the photoluminescence spectra for the near-band-edge emission of a freestanding GaN crystal observed by omnidirectional photoluminescence spectroscopy，Applied Physics Letters，Vol. 117，No. 17，p. 171103-171103，2020年10月26日，研究論文（学術雑誌）
Characterization of AlGaN multiple-quantum-wells grown on c-plane AlN/sapphire templates with macro-steps，Kazunobu Kojima，Journal of the Japanese Association for Crystal Growth，2020年10月
Temperature dependence of internal quantum efficiency of radiation for the near-band-edge emission of GaN crystals quantified by omnidirectional photoluminescence spectroscopy，Kazunobu Kojima,Kenichiro Ikemura,Shigefusa F. Chichibu，Applied Physics Express，{IOP} Publishing，Vol. 13，No. 10，p. 105504-105504，2020年10月01日，研究論文（学術雑誌）
Self-organized micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications，K. Kojima,Y. Yoshida,M. Shiraiwa,Y. Awaji,A. Kanno,N. Yamamoto,A. Hirano,Y. Nagasawa,M. Ippommatsu,S. F. Chichibu，Applied Physics Letters，AIP Publishing，Vol. 117，No. 3，p. 031103-031103，2020年07月20日，研究論文（学術雑誌）
Hole capture-coefficient of intrinsic nonradiative recombination centers that commonly exist in bulk, epitaxial, and proton-irradiated ZnO，S. F. Chichibu,A. Uedono,K. Kojima,K. Koike,M. Yano,S. Gonda,S. Ishibashi，Journal of Applied Physics，Vol. 127，No. 215704，p. 1-6，2020年06月，研究論文（学術雑誌）
Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN，Masahiro Takahashi,Atsushi Tanaka,Yuto Ando,Hirotaka Watanabe,Manato Deki,Maki Kushimoto,Shugo Nitta,Yoshio Honda,Kohei Shima,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Hiroshi Amano，Japanese Journal of Applied Physics，IOP Publishing，Vol. 59，No. 5，p. 056502-056502，2020年05月01日，研究論文（学術雑誌）
Ammonothermal growth of 2 inch long GaN single crystals using an acidic NH4F mineralizer in a Ag-lined autoclave，Daisuke Tomida,Quanxi Bao,Makoto Saito,Ryu Osanai,Kohei Shima,Kazunobu Kojima,Tohru Ishiguro,Shigefusa F. Chichibu，Applied Physics Express，{IOP} Publishing，Vol. 13，2020年05月01日，研究論文（学術雑誌）
Analyzing oxygen and silicon incorporation in GaN microstructures composed of c-planes and angled facets by confocal magneto-photoluminescence microscopy，Akinori Kamiyama,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Go Yusa，AIP Advances，Vol. 10，2020年03月01日，研究論文（学術雑誌）
Theoretical analysis of photo-recycling effect on external quantum efficiency considering spatial carrier dynamics，H. Asai,K. Kojima,S. F. Chichibu,K. Fukuda，Japanese Journal of Applied Physics，Vol. 59，2020年02月，研究論文（学術雑誌）
Roles of carbon impurities and intrinsic nonradiative recombination centers on the carrier recombination processes of GaN crystals，Kazunobu Kojima,Fumimasa Horikiri,Yoshinobu Narita,Takehiro Yoshida,Hajime Fujikura,Shigefusa F. Chichibu，Applied Physics Express，Japan Society of Applied Physics，Vol. 13，2020年01月01日，研究論文（学術雑誌）
Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macrosteps using cathodoluminescence spectroscopy，Yosuke Nagasawa,Ryuichi Sugie,Kazunobu Kojima,Akira Hirano,Masamichi Ippommatsu,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Isamu Akasaki,Shigefusa F. Chichibu，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，AMER INST PHYSICS，Vol. 126，No. 21，2019年12月，研究論文（学術雑誌）
Suppression of green luminescence of Mg-ion-implanted GaN by subsequent implantation of fluorine ions at high temperature，M. Takahashi,A. Tanaka,Y. Ando,H. Watanabe,M. Deki,M. Kushimoto,S. Nitta,Y. Honda,K. Shima,K. Kojima,S. F. Chichibu,K. J. Chen,H. Amano，Phys. Status Solidi B，Vol. 2019，No. 4，2019年11月，研究論文（学術雑誌）
In-plane optical polarization and dynamic properties of the near-band-edge emission of an m -plane freestanding AlN substrate and a homoepitaxial film，Chichibu, S.F.,Kojima, K.,Hazu, K.,Ishikawa, Y.,Furusawa, K.,Mita, S.,Collazo, R.,Sitar, Z.,Uedono, A.，Applied Physics Letters，Vol. 115，No. 15，p. 151903-1-5，2019年10月07日，研究論文（学術雑誌）
Internal quantum efficiency of radiation in a bulk CH3NH3PbBr3 perovskite crystal quantified by using the omnidirectional photoluminescence spectroscopy，K. Kojima,K. Ikemura,K. Matsumori,Y. Yamada,Y. Kanemitsu,S. F. Chichibu，APL Materials，Vol. 7，No. 7，p. 071116-071116，2019年07月，研究論文（学術雑誌）
Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD，Shigefusa F. Chichibu,Yoshinao Kumagai,Kazunobu Kojima,Momoko Deura,Toru Akiyama,Munetaka Arita,Hiroshi Fujioka,Yasufumi Fujiwara,Naoki Hara,Tamotsu Hashizume,Hideki Hirayama,Mark Holmes,Yoshio Honda,Masataka Imura,Ryota Ishii,Yoshihiro Ishitani,Motoaki Iwaya,Satoshi Kamiyama,Yoshihiro Kangawa,Ryuji Katayama,Yoichi Kawakami,Takahiro Kawamura,Atsushi Kobayashi,Masaaki Kuzuhara,Koh Matsumoto,Yusuke Mori,Takashi Mukai,Hisashi Murakami,Hideaki Murotani,Satoshi Nakazawa,Narihito Okada,Yoshiki Saito,Akira Sakai,Hiroto Sekiguchi,Koji Shiozaki,Kanako Shojiki,Jun Suda,Tetsuya Takeuchi,Tomoyuki Tanikawa,Jun Tatebayashi,Shigetaka Tomiya,Yoichi Yamada，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 58，2019年06月
Theoretical Formulation of Experimentally Observed Quantum Efficiency of Radiation in Semiconducting Crystal，H. Asai,K. Kojima,S.F.Chichibu,K.Fukuda，PHYSICAL REVIEW APPLIED，Vol. 12，No. 1，p. 014002-1-014002-12，2019年06月，研究論文（学術雑誌）
Impact of growth temperature on the structural properties of bgan films grown by metal-organic vapor phase epitaxy using trimethylboron，Ebara, K.,Mochizuki, K.,Inoue, Y.,Aoki, T.,Kojima, K.,Chichibu, S.F.,Nakano, T.，Japanese Journal of Applied Physics，Vol. 58，No. SC，p. SC1042-1-SC1042-5，2019年06月01日，研究論文（学術雑誌）
Quantification of the quantum efficiency of radiation of a freestanding GaN crystal placed outside an integrating sphere，Kojima, K.,Ikemura, K.,Chichibu, S.F.，Applied Physics Express，Vol. 12，No. 6，p. 062010-1-062010-4，2019年06月01日，研究論文（学術雑誌）
Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures，Chichibu, S.F.,Shima, K.,Kojima, K.,Takashima, S.-Y.,Ueno, K.,Edo, M.,Iguchi, H.,Narita, T.,Kataoka, K.,Ishibashi, S.,Uedono, A.，Japanese Journal of Applied Physics，Vol. 58，No. SC，p. SC0802-1-SC0802-10，2019年06月01日，研究論文（学術雑誌）
Comparison of Al <inf>x</inf> Ga<inf>1-x</inf>N multiple quantum wells designed for 265 and 285 nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps，Nagasawa, Y.,Kojima, K.,Hirano, A.,Ipponmatsu, M.,Honda, Y.,Amano, H.,Akasaki, I.,Chichibu, S.F.，Applied Physics Express，Vol. 12，No. 6，p. 064009-1-064009-6，2019年05月14日，研究論文（学術雑誌）
Annealing Behavior of Vacancy-Type Defects in Mg- and H-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams，Uedono, A.,Iguchi, H.,Narita, T.,Kataoka, K.,Egger, W.,Koschine, T.,Hugenschmidt, C.,Dickmann, M.,Shima, K.,Kojima, K.,Chichibu, S.F.,Ishibashi, S.，Physica Status Solidi (B) Basic Research，2019年，研究論文（学術雑誌）
Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AlN template with macrosteps，Kojima, K.,Nagasawa, Y.,Hirano, A.,Ippommatsu, M.,Honda, Y.,Amano, H.,Akasaki, I.,Chichibu, S.F.，Applied Physics Letters，Vol. 114，No. 1，2019年01月，研究論文（学術雑誌）
Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of (000 1 ) p-type GaN fabricated by sequential ion-implantation of Mg and H，Shima, K.,Iguchi, H.,Narita, T.,Kataoka, K.,Kojima, K.,Uedono, A.,Chichibu, S.F.，Applied Physics Letters，Vol. 113，No. 19，p. 191901-1-191901-5，2018年11月，研究論文（学術雑誌）
Large electron capture-cross-section of the major nonradiative recombination centers in Mg-doped GaN epilayers grown on a GaN substrate，S. F. Chichibu,K. Shima,K. Kojima,S. Takashima,M. Edo,K. Ueno,S. Ishibashi,A. Uedono，Applied Physics Letters，American Institute of Physics Inc.，Vol. 112，No. 21，p. 211901-1-5，2018年05月21日，研究論文（学術雑誌）
Polarity-dependence of the defect formation in c -axis oriented ZnO by the irradiation of an 8 MeV proton beam，Kazuto Koike,Mitsuaki Yano,Shun-Ichi Gonda,Akira Uedono,Shoji Ishibashi,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu，Journal of Applied Physics，American Institute of Physics Inc.，Vol. 123，No. 16，p. 161562-1-7，2018年04月28日，研究論文（学術雑誌）
The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN，S. F. Chichibu,A. Uedono,K. Kojima,H. Ikeda,K. Fujito,S. Takashima,M. Edo,K. Ueno,S. Ishibashi，Journal of Applied Physics，American Institute of Physics Inc.，Vol. 123，No. 16，p. 161413-1-13，2018年04月28日，研究論文（学術雑誌）
Carrier Trapping by Vacancy-Type Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams，Akira Uedono,Shinya Takashima,Masaharu Edo,Katsunori Ueno,Hideaki Matsuyama,Werner Egger,Tönjes Koschine,Christoph Hugenschmidt,Marcel Dickmann,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Shoji Ishibashi，Physica Status Solidi (B) Basic Research，Wiley-VCH Verlag，Vol. 255，No. 4，p. 1700521-1-9，2018年04月01日，研究論文（学術雑誌）
Photocatalytic NO removal over calcium-bridged siloxenes under ultraviolet and visible light irradiation，Haruo Imagawa,Xiaoyong Wu,Hiroshi Itahara,Shu Yin,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Tsugio Sato，Dalton Transactions，Royal Society of Chemistry，Vol. 47，No. 20，p. 7070-7076，2018年，研究論文（学術雑誌）
High temperature degradation mechanism of a red phosphor, CaAlSiN3:Eu for solid-state lighting，Masatsugu Oishi,Shohei Shiomi,Takashi Yamamoto,Tomoyuki Ueki,Yoichiro Kai,Shigefusa F. Chichibu,Aiko Takatori,Kazunobu Kojima，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，AMER INST PHYSICS，Vol. 122，No. 11，p. 113104-1-8，2017年09月，研究論文（学術雑誌）
Demonstration of omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for precise determination of internal quantum efficiency of radiation in GaN single crystals，Kazunobu Kojima,Hirotaka Ikeda,Kenji Fujito,Shigefusa F. Chichibu，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 111，No. 3，p. 032111-1-4，2017年07月，研究論文（学術雑誌）
Photocatalytic activity of silicon-based nanoflakes for the decomposition of nitrogen monoxide，Hiroshi Itahara,Xiaoyong Wu,Haruo Imagawa,Shu Yin,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Tsugio Sato，DALTON TRANSACTIONS，ROYAL SOC CHEMISTRY，Vol. 46，No. 26，p. 8643-8648，2017年07月，研究論文（学術雑誌）
Nitrogen vacancies as a common element of the green luminescence and nonradiative recombination centers in Mg-implanted GaN layers formed on a GaN substrate，Kazunobu Kojima,Shinya Takashima,Masaharu Edo,Katsunori Ueno,Mitsuaki Shimizu,Tokio Takahashi,Shoji Ishibashi,Akira Uedono,Shigefusa F. Chichibu，APPLIED PHYSICS EXPRESS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 10，No. 6，p. 061002-1-4，2017年06月，研究論文（学術雑誌）
A Low-Symmetry Cubic Mesophase of Dendronized CdS Nanoparticles and Their Structure-Dependent Photoluminescence，Masaki Matsubara,Warren Stevenson,Jun Yabuki,Xiangbing Zeng,Haoliang Dong,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Kaoru Tamada,Atsushi Muramatsu,Goran Ungar,Kiyoshi Kanie，CHEM，CELL PRESS，Vol. 2，No. 6，p. 860-876，2017年06月，研究論文（学術雑誌）
Defect-Resistant Radiative Performance of m-Plane Immiscible Al1-xInxN Epitaxial Nanostructures for Deep-Ultraviolet and Visible Polarized Light Emitters，Shigefusa F. Chichibu,Kazunobu Kojima,Akira Uedono,Yoshitaka Sato，ADVANCED MATERIALS，WILEY-V C H VERLAG GMBH，Vol. 29，No. 5，2017年02月，研究論文（学術雑誌）
A design strategy for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high-AlN-mole-fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells，Kazunobu Kojima,Kentaro Furusawa,Yoshiki Yamazaki,Hideto Miyake,Kazumasa Hiramatsu,Shigefusa F. Chichibu，APPLIED PHYSICS EXPRESS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 10，No. 1，p. 015802-1-4，2017年01月，研究論文（学術雑誌）
Determination of absolute value of quantum efficiency of radiation in high quality GaN single crystals using an integrating sphere，Kazunobu Kojima,Tomomi Ohtomo,Ken-ichiro Ikemura,Yoshiki Yamazaki,Makoto Saito,Hirotaka Ikeda,Kenji Fujito,Shigefusa F. Chichibu，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，AMER INST PHYSICS，Vol. 120，No. 1，p. 015704-1-7，2016年07月，研究論文（学術雑誌）
Electronic and optical characteristics of an m-plane GaN single crystal grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer，Kazunobu Kojima,Yusuke Tsukada,Erika Furukawa,Makoto Saito,Yutaka Mikawa,Shuichi Kubo,Hirotaka Ikeda,Kenji Fujito,Akira Uedono,Shigefusa F. Chichibu，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 55，No. 5，p. 05FA03-1-4，2016年05月，研究論文（学術雑誌）
Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate，Kazunobu Kojima,Daiki Kagaya,Yoshiki Yamazaki,Hirotaka Ikeda,Kenji Fujito,Shigefusa F. Chichibu，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 55，No. 5，p. 05FG04-1-5，2016年05月，研究論文（学術雑誌）
Controlling the carrier lifetime of nearly threading-dislocation-free ZnO homoepitaxial films by 3d transition-metal doping，S. F. Chichibu,K. Kojima,Y. Yamazaki,K. Furusawa,A. Uedono，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 108，No. 2，p. 021904-1-5，2016年01月，研究論文（学術雑誌）
Low-resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point-defect concentrations grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method，Kazunobu Kojima,Yusuke Tsukada,Erika Furukawa,Makoto Saito,Yutaka Mikawa,Shuichi Kubo,Hirotaka Ikeda,Kenji Fujito,Akira Uedono,Shigefusa F. Chichibu，APPLIED PHYSICS EXPRESS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 8，No. 9，p. 095501-1-4，2015年09月，研究論文（学術雑誌）
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性，小島一信,塚田悠介,古川えりか,斉藤真,三川豊,久保秀一,池田宏隆,藤戸健史,上殿明良,秩父重英，子情報通信学会技術研究報告，Vol. 115，No. 15，2015年
Pulse capture without carrier absorption in dynamic Q photonic crystal nanocavities，Jeremy Upham,Hiroki Inoue,Yoshinori Tanaka,Wolfgang Stumpf,Kazunobu Kojima,Takashi Asano,Susumu Noda，OPTICS EXPRESS，OPTICAL SOC AMER，Vol. 22，No. 13，p. 15459-15466，2014年06月，研究論文（学術雑誌）
Far off-resonant coupling between photonic crystal microcavity and single quantum dot with resonant excitation，Mehdi Banihashemi,Tatsuya Nakamura,Takanori Kojima,Kazunobu Kojima,Susumu Noda,Vahid Ahmadi，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 103，No. 25，2013年12月，研究論文（学術雑誌）
Modal volume control of a photonic crystal nanocavity，K. Kojima,K. Hikoyama,T. Nakamura,T. Kojima,T. Asano,S. Noda，2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEOPR)，IEEE，2013年06月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
Accurate alignment of a photonic crystal nanocavity with an embedded quantum dot based on optical microscopic photoluminescence imaging，T. Kojima,K. Kojima,T. Asano,S. Noda，Applied Physics Letters，Vol. 102，No. 1，2013年01月07日，研究論文（学術雑誌）
Controlling the emission of quantum dots embedded in photonic crystal nanocavity by manipulating Q-factor and detuning，Tatsuya Nakamura,Takashi Asano,Kazunobu Kojima,Takanori Kojima,Susumu Noda，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 84，No. 24，2011年12月，研究論文（学術雑誌）
Impact of nonpolar AlGaN quantum wells on deep ultraviolet laser diodes，K. Kojima,A. A. Yamaguchi,M. Funato,Y. Kawakami,S. Noda，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，AMER INST PHYSICS，Vol. 110，No. 4，2011年08月，研究論文（学術雑誌）
A simple theoretical approach to analyze polarization properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells，Atsushi A. Yamaguchi,Kazunobu Kojima，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 98，No. 10，2011年03月，研究論文（学術雑誌）
Impact of onpolar plane for deep ultraviolet laser diodes based on AlGa/AlN quantum wells，K. Kojima,A. A. Yamaguchi,M. Funato,Y. Kawakami,S. Noda，22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference，IEEE，2010年09月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening，Kazunobu Kojima,Atsushi A. Yamaguchi,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Susumu Noda，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，JAPAN SOC APPLIED PHYSICS，Vol. 49，No. 8，2010年08月，研究論文（学術雑誌）
Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures，K. Kojima,M. Funato,Y. Kawakami,S. Noda，Journal of Applied Physics，AMER INST PHYSICS，Vol. 107，No. 12，2010年06月15日，研究論文（学術雑誌）
Quantum electrodynamics of a nanocavity coupled with exciton complexes in a quantum dot，Makoto Yamaguchi,Takashi Asano,Kazunobu Kojima,Susumu Noda，Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 80，No. 15，2009年10月26日，研究論文（学術雑誌）
Optical Anisotropy Control of Non-c-plane InGaN Quantum Wells，Kazunobu Kojima,Hiroaki Kamon,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，IOP PUBLISHING LTD，Vol. 48，No. 8，2009年08月，研究論文（学術雑誌）
Polarization switching phenomena in semipolar InxGa1-xN/GaN quantum well active layers，M. Ueda,M. Funato,K. Kojima,Y. Kawakami,Y. Narukawa,T. Mukai，PHYSICAL REVIEW B，AMER PHYSICAL SOC，Vol. 78，No. 23，2008年12月，研究論文（学術雑誌）
Analysis of gain and luminescence in violet and blue GaInN-GaN quantum wells，Bernd Witzigmann,Marco Tomamichel,Sebastian Steiger,Ratko G. Veprek,Kazunobu Kojima,Ulrich T. Schwarz，IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS，IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC，Vol. 44，No. 1-2，p. 144-149，2008年01月，研究論文（学術雑誌）
Stimulated emission at 474 nm from an InGaN laser diode structure grown on a (11(2)over-bar2) GaN substrate，K. Kojima,M. Funato,Y. Kawakami,S. Masui,S. Nagahama,T. Mukai，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 91，No. 25，2007年12月，研究論文（学術雑誌）
Interplay of built-in potential and piezoelectric field on carrier recombination in green light emitting InGaN quantum wells，Ulrich T. Schwarz,H. Braun,K. Kojima,Y. Kawakami,S. Nagahama,T. Mukai，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 91，No. 12，2007年09月，研究論文（学術雑誌）
Photoluminescence and optical reflectance investigation of semipolar and nonpolar GaN，Kazunobu Kojima,Masaya Ueda,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami，PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS，WILEY-V C H VERLAG GMBH，Vol. 244，No. 6，p. 1853-1856，2007年06月，研究論文（学術雑誌）
Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al,In) GaN laser diodes，K. Kojima,Ulrich T. Schwarz,M. Funato,Y. Kawakami,S. Nagahama,T. Mukai，OPTICS EXPRESS，OPTICAL SOC AMER，Vol. 15，No. 12，p. 7730-7736，2007年06月，研究論文（学術雑誌）
Comparison between optical gain spectra of InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm，K. Kojima,M. Funato,Y. Kawakami,H. Braun,U. T. Schwarz,S. Nagahama,T. Mukai，PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE，WILEY-V C H VERLAG GMBH，Vol. 204，No. 6，p. 2108-2111，2007年06月，研究論文（学術雑誌）
Gain suppression phenomena observed in InxGa1-xN quantum well laser diodes emitting at 470 nm，K. Kojima,M. Funato,Y. Kawakami,S. Nagahama,T. Mukai,H. Braun,U. T. Schwarz，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 89，No. 24，2006年12月，研究論文（学術雑誌）
Epitaxial growth and optical properties of semipolar (112̄2) GaN and InGaN/GaN quantum wells on GaN bulk substrates，M. Ueda,K. Kojima,M. Funato,Y. Kawakami,Y. Narukawa,T. Mukai，Applied Physics Letters，Vol. 89，No. 21，2006年11月，研究論文（学術雑誌）
Suppression mechanism of optical gain formation in InxGa1-xN quantum well structures due to localized carriers，Kazunobu Kojima,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Yukio Narukawa,Takashi Mukai，SOLID STATE COMMUNICATIONS，PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD，Vol. 140，No. 3-4，p. 182-184，2006年10月，研究論文（学術雑誌）
470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価，小島一信,船戸充,川上養一,ウルリヒ・T,シュワルツ,ハラルド・ブラウン,長濱慎一,向井孝志，電子情報通信学会技術研究報告，Vol. 106，No. 51，2006年
Dynamic polarization filtering in anisotropically strained M-plane GaN films，K Omae,T Flissikowski,P Misra,O Brandt,HT Grahn,K Kojima,Y Kawakami，APPLIED PHYSICS LETTERS，AMER INST PHYSICS，Vol. 86，No. 19，p. 1-3，2005年05月，研究論文（学術雑誌）
Optically pumped lasing and gain formation properties in blue InxGa1-xN MQWs，K Kojima,A Shikanai,K Omae,M Funato,Y Kawakami,Y Narukawa,T Mukai,S Fujita，PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH，WILEY-V C H VERLAG GMBH，Vol. 241，No. 12，p. 2676-2680，2004年10月，研究論文（学術雑誌）
The hot carrier dynamics in InGaN multi-quantum well structure，A Shikanai,K Kojima,K Omae,Y Kawakami,Y Narukawa,T Mukai,S Fujita，PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH，WILEY-V C H VERLAG GMBH，Vol. 240，No. 2，p. 392-395，2003年11月，研究論文（学術雑誌）

MISC

High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED，Yuki Yoshida,Kazunobu Kojima,Masaki Shiraiwa,Atsushi Kanno,Akira Hirano,Yosuke Nagasawa,Masamichi Ippommatsu,Naokatsu Yamamoto,Shigefusa F. Chichibu,Yoshinari Awaji，Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI，SPIE，2022年03月09日
全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法を用いた半導体結晶の評価，小島一信，応用物理，Vol. 90，No. 12，p. 726-737，2021年12月
東北大学グリーンネストICT LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究~真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現~，小島一信,秩父重英,吉田悠来,白岩雅輝,菅野敦史,山本直克,淡路祥成,平野光,長澤陽祐,一本松正道，電波技術協会報FORN，No. 342，2021年
紫外線光デバイス開発と実用化の期待窒化アルミニウムガリウム深紫外発光ダイオードを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信，小島一信,秩父重英,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,長澤陽祐,平野光，Optronics，No. 462，2020年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価 (特集深紫外発光デバイスの実現に向けた窒化物半導体結晶成長の進展)，小島一信,長澤陽祐,平野光,一本松正道,杉江隆一,本田善央,天野浩,赤﨑勇,秩父重英，日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth，日本結晶成長学会，Vol. 47，No. 3，p. 1-8，2020年
分光計測を用いた窒化ガリウム自立結晶の品質評価，小島一信,秩父重英，Jasco Report，Vol. 61，No. 1，2019年
超高効率発光素子開発に向けた時間・空間同時分解カソードルミネセンス分光装置の高性能化，小島一信,秩父重英，村田学術振興財団年報，No. 33，2019年
Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes，K. Shima,K. Kojima,A. Uedono,S. F. Chichibu，19th International Workshop on Junction Technology (IWJT 2019)，2019年
An Outdoor Evaluation of 1-Gbps Optical Wireless Communication using AlGaN-based LED in 280-nm Band，Yoshida Y,Kojima K,Shiraiwa M,Awaji Y,Kanno A,Yamamoto N,Chichibu S.F,Hirano A,Ippommatsu M，2019 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2019 - Proceedings，2019年
Determination of Deformation Potentials in InGaN Alloy Material for Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells Laser Diodes，Sakai S,Kojima K,Chichibu S.F,Yamaguchi A.A，Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference，Vol. 2018-September，p. 135-136，2018年
1.6-Gbps LED-Based Ultraviolet Communication at 280 nm in Direct Sunlight，Kojima K,Yoshida Y,Shiraiwa M,Awaji Y,Kanno A,Yamamoto N,Chichibu S，European Conference on Optical Communication, ECOC，Vol. 2018-September，2018年
窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測，小島一信，電子情報通信学会技術研究報告，Vol. 117，No. 61(LQE2017 1-20)，2017年
全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化物半導体の発光量子効率測定，小島一信,三宅秀人,平松和政,秩父重英，結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)，Vol. 46th，2017年
Alloy-compositional-fluctuation effects on optical gain characteristics in AlGaN and InGaN quantum-well laser diodes，A. Yamaguchi,T. Minami,S. Sakai,K. Kojima,S. F. Chichibu，IEEE Xplore Digital Library，Vol. 16，No. 9，p. 12-15，2016年12月
Polarity dependent radiation hardness of GaN，Masayuki Matsuo,Takayuki Murayama,Kazuto Koike,Shigehiko Sasa,Mitsuaki Yano,Shun-ichi Gonda,Akira Uedono,Ryoya Ishigami,Kyo Kume,Tomomi Ohtomo,Erika Furukawa,Yoshiki Yamazaki,Kazunobu Kojima,Shigefusa Chichibu，2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)，IEEE，2015年06月
Alignment between a single quantum dot and a photonic crystal nanocavity by a microscopic photoluminescence imaging，Takanori Kojima,Kazunobu Kojima,Takashi Asano,Susumu Noda，IEEE Photonics Conference 2012，IEEE，2012年09月
Optical polarization and anisotropic gain characteristics in semipolar and nonpolar InGaN quantum well lasers，Atsushi A. Yamaguchi,Kazunobu Kojima，physica status solidi c，Wiley，Vol. 9，No. 3-4，p. 834-837，2012年03月
Control of the Purcell effect of quantum dots embedded in photonic crystal nanocavity by manipulating Q-factor，T. Nakamura,T. Asano,K. Kojima,T. Kojima,S. Noda，SPIE Proceedings，SPIE，2012年02月09日
半極性(11-22)面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性，船戸充,上田雅也,小島一信,川上養一，レーザー研究，Vol. 38，No. 4，2010年
Impact of anti-Zeno Effect on a Coupled Nanocavity-Quantum-Dot System，M. Yamaguchi,T. Asano,K. Kojima,S. Noda，Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference，OSA，2009年
Theoretical investigations on anisotropic optical properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells，Kazunobu Kojima,Hiroaki Kamon,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami，physica status solidi c，Wiley，Vol. 5，No. 9，p. 3038-3041，2008年07月
Inhomogeneously broadened optical gain spectra of InGaN quantum well laser diodes，Kazunobu Kojima,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Harald Braun,Ulrich Schwarz,Shinichi Nagahama,Takashi Mukai，physica status solidi c，Wiley，Vol. 5，No. 6，p. 2126-2128，2008年05月
Investigation and comparison of optical gain spectra of (Al,In)GaN laser diodes emitting in the 375nm to 470 nm spectral range，Ulrich T. Schwarz,Harald Braun,Kazunobu Kojima,Mitsuru Funato,Yoichi Kawakami,Shinichi Nagahama,Takashi Mukai，SPIE Proceedings，SPIE，2007年02月08日
半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価，上田雅也,小島一信,船戸充,川上養一,成川幸男,向井孝志，電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス，一般社団法人電子情報通信学会，Vol. 106，No. 271，p. 57-61，2006年09月28日
Dynamic polarization rotation in pump‐and‐probe transients of anisotropically strained M ‐plane GaN films on LiAlO 2，K. Omae,T. Flissikowski,P. Misra,O. Brandt,H. T. Grahn,K. Kojima,Y. Kawakami，physica status solidi c，Wiley，Vol. 3，No. 6，p. 1862-1865，2006年06月

著書

次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術，ISBN:9784907002930，2022年07月
全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法による半導体結晶の評価，小島一信,嶋紘平,秩父重英，日本結晶成長学会誌，2022年02月
全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法を用いた半導体結晶の評価，小島一信，応用物理 90(12) 726-737，2021年12月
13. 東北大学グリーンネストICT LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究~真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現~，秩父重英,嶋紘平,小島一信,上殿明良,石橋章司，電波技術協会報FORN (342)，2021年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価，小島一信,長澤陽祐,平野光,一本松正道,杉江隆一,本田善央,天野浩,赤﨑勇,秩父重英，日本結晶成長学会誌，2020年10月
窒化アルミニウムガリウム深紫外発光ダイオードを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信，小島一信,秩父重英,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,長澤陽祐,平野光，OPTRONICS，2020年06月
AlGaN LEDとBeyond 5G，吉田悠来,小島一信,白岩雅輝,菅野敦史,平野光,長澤陽祐,一本松正道,山本直克,秩父重英,淡路祥成，応用物理学会応用電子物性分科会応用電子物性分科会研究例会資料，2020年
AlN および高 AlN モル分率 AlGaN 混晶における Al 空孔複合体の役割，秩父重英,嶋紘平,小島一信,三宅秀人,上殿明良，応用物理学会結晶工学分科会第153回結晶工学分科会研究会資料，2020年
全方位フォトルミネセンス計測：新しい評価技術，小島一信,秩父重英，日本学術振興会光電相互変換第125委員会第250回研究会研究会資料，2020年
窒素極性GaNへのMgイオン注入技術，片岡恵太,成田哲生,井口紘子,嶋紘平,小島一信,秩父重英,上殿明良，日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第116回研究会、研究会資料、22，2019年12月
深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線通信，吉田悠来,小島一信,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,秩父重英,平野光,一本松正道，日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第115回研究会研究会資料、15，2019年10月
分光計測を用いた窒化ガリウム自立結晶の品質評価，小島一信,秩父重英，Jasco Report 61, 1，2019年
全方位フォトルミネッセンス法による絶対輻射量子効率測定，小島一信,秩父重英，日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第107回研究会、光電相互変換第125委員会第240回研究会合同研究会資料、25，2018年02月
窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測，小島一信，電子情報通信学会技術研究報告 117, 1，2017年04月
半極性（11-22）面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性，船戸充,上田雅也,小島一信,川上養一，レーザー研究38, 255，2010年

特許・実用新案・意匠

中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法，中野貴之,秩父重英,小島一信，特許6856214，特願2017-068686，出願日:2017年03月30日，登録日:2021年03月22日
二次電池，殿川孝司,小坂裕,津國和之,高野光,秩父重英,小島一信，特願2016-168956，出願日:2016年08月31日
光触媒，板原浩,今川晴雄,佐藤次雄,殷シュウ,呉暁勇,秩父重英,小島一信,山崎芳樹，特願2016-029372，出願日:2016年02月18日
窒化物半導体レーザ素子，小島一信,川上養一,船戸充,長濱慎一,枡井真吾，特許第5286723号，特願2007-239326，出願日:2007年09月14日
窒化物半導体紫外線発光素子，平野光,長澤陽祐,秩父重英,小島一信，特許6391207

受賞

Outstanding Reviewer Award，Kazunobu Kojima，IOP Publishing，2021年03月
研究奨励賞，小島一信，ナイトライド基金，2019年12月
研究奨励賞，小島一信，光電相互変換第１２５委員会，2019年10月
ベストポスター賞，S. Takashima,R. Tanaka,K. Ueno,H. Matsuyama,Y. Fukushima,M. Edo,K. Shima,K. Kojima,S. F. Chichibu,A. Uedono，The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)，2019年07月
Best Paper Award,，K. Shima,K. Kojima,A. Uedono,S. F. Chichibu，19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019),，2019年06月
Student's Paper Award of LEDIA'18，Y.Inatomi,A. Kusaba,Y. Kangawa,K. Kojima,S. F. Chichibu，LEDIA，2018年04月
平成29年度「科学計測振興基金」科学計測振興賞，小島一信，国立大学法人東北大学多元物質科学研究所，2017年12月
平成21年度ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞，小島一信，ナノ構造・エピタキシャル成長分科会，2009年05月
第27回電子材料シンポジウム賞，小島一信，電子材料シンポジウム，2008年07月
第23回（2007年秋季）応用物理学会講演奨励賞，小島一信，応用物理学会，2008年03月

講演・口頭発表等

Combinational integration of Eu-doped GaN and InGaN LEDs and their prospects for miniaturization，Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fujiwara,Kazunobu Kojima，10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2024)
スパッタ・アニール法AlNテンプレート作製と深紫外LEDの開発，赤池良太,上杉謙次郎,中村孝夫,市川修平,小島一信,土谷正彦，2024年第71回応用物理学会春季学術講演会，2024年03月
長方形状(0001) InGaNマイクロ発光素子における非等方的歪緩和の誘起と面内偏光制御，市川修平,松田祥伸,船戸充,川上養一,小島一信，2024年第71回応用物理学会春季学術講演会，2024年03月
InGaN表面においてバンドベンディングがキャリア寿命に与える影響，市川修平,松田祥伸,道上平士郎,船戸充,川上養一,小島一信，第71回応用物理学会春季学術講演会，2024年03月
スパッタアニールAlN上AlGaNにおける局在発光と成長表面の相関評価，市川修平,齊藤一輝,赤池良太,上杉謙次郎,中村孝夫,三宅秀人,小島一信，2024年第71回応用物理学会春季学術講演会，2024年03月
マイクロLEDディスプレイ実現に向けたGaN系RGB LEDのモノリシック集積と微細化に向けた展望，市川修平,藤原康文,小島一信，電子情報通信学会発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会，2024年01月26日
Ir/sapphire 基板上ヘテロエピタキシャル成長（001）面ダイヤモンド膜の結晶品質評価，望月梧生,毎田修,金聖祐,加藤学,小山浩司,アンジェフリ,市川修平,小島一信，第37回ダイヤモンドシンポジウム，2023年11月
フォトルミネセンス分光法を用いたGaN結晶基板中の炭素濃度推定，佐野昂志,藤倉序章,今野泰一郎,金木奨太,市川修平,小島一信，第43回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2023，2023年11月
時間分解光電子分光法による (0001) InGaN表面のキャリア寿命評価，市川修平,松田祥伸,道上平士郎,船戸充,川上養一,小島一信，第43回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2023，2023年11月
深紫外AlGaN発光ダイオードの光物性評価と応用，小島一信，第43回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2023，2023年11月
Design of highly efficient InGaN-based circularly polarized LEDs integrated with Si3N4 metasurface，Y. Murata,S. Ichikawa,S. Toda,Y. Fujiwara,K. Kojima，The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)，2023年11月
Progress in UV-C LEDs on Face-to-Face Annealed Sputter-Deposited AlN Templates，K. Uesugi,K. Shojiki,S. Xiao,S. Ichikawa,T. Nakamura,M. Tsuchiya,K. Kojima,H. Miyake，The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)，2023年11月
Polarized luminescence from c-plane InGaN/GaN quantum wells induced by anisotropic strain originated from stripe-shaped GaN-on-Si structure via epitaxial lateral overgrowth，Y. Kawaguchi,K. Takeuchi,K. Murakawa,M. Usagawa,A. Komoda,M. Tonomura,T. Yokoyama,Y. Aoki,H. Ogura,T. Kamikawa,S. Ichikawa,K. Kojima，The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)，2023年11月
Localized deep-ultraviolet luminescence of AlGaN grown on high-temperature annealed AlN templates，S. Ichikawa,K. Uesugi,K. Saito,S. Xiao,K. Shojiki,T. Nakamura,H. Miyake,K. Kojima，The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)，2023年11月
Surface carrier lifetime of (0001) InGaN assessed by time-resolved photoemission spectroscopy，S. Ichikawa,Y. Matsuda,H. Dojo,M. Funato,Y. Kawakami,K. Kojima，The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)，2023年11月
Enhanced transport of photo-excited carriers in (0001) InGaN photodiodes by introducing compositionally graded layer，H. Dojo,S. Ichikawa,Y. Matsuda,M. Funato,Y. Kawakami,K. Kojima，The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14，2023年11月
Characterization of GaN crystals with low carbon concentration grown by halide vapor phase epitaxy based on photoluminescence spectroscopy，K. Sano,H. Fujikura,T. Konno,S. Kaneki,S. Ichikawa,K. Kojima，International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)，2023年11月
光共振器を用いたハロゲン化鉛ペロブスカイト半導体におけるバンド端エネルギー以下の吸収促進，福田光希,市川修平,小島一信，第42回電子材料シンポジウム，2023年10月
マイクロLED 応用に向けたGaN 系LED の同一基板フルカラー集積と時間分解光電子分光法に基づく表面再結合評価の提案，市川修平,藤原康文,小島一信，日本学術振興会光電相互変換第125委員会267回研究会「マイクロLEDに関する要素技術」，2023年09月
楽しくて役に立つ分光測定，小島一信，2023年GaNコンソーシアムサマースクール，2023年09月
(0001)面InGaNフォトダイオードにおける組成傾斜層の光励起キャリア局在抑制効果，道上平士郎,市川修平,松田祥伸,船戸充,川上養一,小島一信，2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会，2023年09月
ハライド気相成長法によって成長させた低炭素濃度GaN結晶のフォトルミネッセンス評価'，佐野昂志,藤倉序章,今野泰一郎,金木奨太,市川修平,小島一信，2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会，2023年09月
障壁層Al組成低減による遠紫外LEDの発光効率向上，上杉謙次郎,市川修平,中村孝夫,土谷正彦,小島一信,三宅秀人，2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会，2023年09月
Ir/sapphire基板上ヘテロエピタキシャル成長(001)面ダイヤモンド膜の断面SEM像に見られる縞状コントラストの分析，望月梧生,毎田修,金聖祐,加藤学,小山浩司,本田達也,市川修平,小島一信，2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会，2023年09月
RGB照明の質的向上を目指した配光部の発光特性評価，曽我部樹,尾原幸治,小島一信,大石昌嗣，日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム，2023年09月
"Gbps-Class Solar-Blind WDM Optical Wireless Communication by (264, 274, 282)-nm Deep-UV LEDs and CsTe Photomultiplier Tube，Y. Yoshida,K. Kojima,M. Shiraiwa,A. Kanno,A. Hirano,Y. Nagasawa,M. Ippommatsu,N. Yamamoto,S. F. Chichibu,Y. Awaji，Optical Fiber Communication Conference，2023年03月
Si3N4メタサーフェスを利用した半極性(2021) InGaN円偏光素子の設計，村田雄生,市川修平,戸田晋太郎,藤原康文,小島一信,中川貴，2023年第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年03月
スパッタアニールAlNを用いた波長230 nm帯UV-LEDの開発，上杉謙次郎,市川修平,肖世玉,正直花奈子,中村孝夫,土谷正彦,小島一信,三宅秀人，2023年第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年03月
時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定，市川修平,松田祥伸,道上平士郎,毎田修,船戸充,川上養一,小島一信，2023年第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年03月
スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価，市川修平,上杉謙次郎,齊藤一輝,肖世玉,正直花奈子,中村孝夫,毎田修,三宅秀人,小島一信，2023年第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年03月
ナノピラー型メタ表面を用いた円偏光InGaN発光素子の設計，鈴木恭平,村田雄生,市川修平,戸田晋太郎,毎田修,小島一信，2023年第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年03月
直接遷移型半導体自立結晶における外部量子効率と自己吸収の関係，佐野昂志,市川修平,毎田修,小島一信，2023年第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年03月
High-speed solar-blind optical wireless communications based on AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN/sapphire templates with dense macro-steps，K. Kojima,Y. Yoshida,M. Shiraiwa,Y. Awaji,Y. Kanno,N. Yamamoto,A. Hirano,Y. Nagasawa,M. Ippommatsu,S. F. Chichibu，The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023，2023年01月
アカデミックキャリアの多様性～大学教員って面白い！，小島一信，電子材料若手交流会（ISYSE）主催第4回ISYSE研究会，2022年11月
2光子光電子分光法による大気暴露したGaAs(110)の表面再結合寿命の直接検出，市川修平,小島一信，第41回電子材料シンポジウム，2022年11月
二光子光電子分光によるGaAs(110)における表面再結合寿命の評価，市川修平,毎田修,小島一信，第42回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2022，2022年11月
ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価，毎田修,市川修平,小島一信，第42回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2022，2022年11月
Self-formed compositional superlattices in m-plane Al0.7In0.3N alloys on a GaN substrate triggered by atomic ordering of In and Al along the c-axis，S. F. Chichibu,K. Shima,K. Kojima,Y. Kangawa，S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa，2022年10月
Visualization of Excited-Electron Relaxation in InGaN Quantum Wells using Time-Resolved Two-Photon Photoemission Spectroscopy，S. Ichikawa,Y. Fujiwara,K. Kojima，International Workshop on Nitride Semiconductors 2022，2022年10月
Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg，K. Shima,R. Tanaka,S. Takashima,K. Ueno,M. Edo,K. Kojima,A. Uedono,S. Ishibashi,S. F. Chichib，International Workshop on Nitride Semiconductors 2022，2022年09月
Characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond films，O. Maida,S. Ichikawa,K. Kojima，The 22nd International Vacuum Congress，2022年09月
Eu添加GaN赤色LEDの進展と２光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案～マイクロLED素子応用に向けて～，市川修平,藤原康文,小島一信，Sophia Open Research Week 2022第3回半導体ナノフォトニクス研究会，2022年09月
時間分解2光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の直接評価，市川修平,毎田修,小島一信，2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会，2022年09月
n型GaN基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命，秩父重英,嶋紘平,小島一信,上殿明良,石橋章司,渡邉浩崇,田中敦之,本田善央,今西正幸,森勇介,生田目俊秀,色川芳宏,天野浩,小出康夫，2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会，2022年09月
Mechanism underlying high internal quantum efficiency of AlGaN-based LEDs fabricated on AlN with dense macrosteps，A. Hirano,Y. Nagasawa,K. Kojima,M. Ippommatsu,H. Sako,A. Hashimoto,R. Sugie,Y. Honda,H.Amano,S. F. Chichibu，The 20th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX)，2022年07月
Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures for power devices，S. F. Chichibu,K. Shima,K. Kojima,S. Takashima,R. Tanaka,K. Ueno,M. Edo,H. Iguchi,T. Narita,K. Kataoka,S. Ishibashi,A. Uedono，Compound Semiconductor Week (CSW) 2022，2022年06月
Characterization of Semiconductor Crystals Based on Omnidirectional Photoluminescence (ODPL) Spectroscopy，K. Kojima,S. Ichikawa,O. Maida,K. Shima,S. F. Chichibu，241st ECS Meeting，2022年06月
High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED，Y. Yoshida,K. Kojima,M. Shiraiwa,A. Kanno,A. Hirano,Y. Nagasawa,M. Ippommatsu,N. Yamamoto,S. F. Chichibu,Y. Awaji，Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI，2022年03月
時間分解二光子光電子分光法を用いたGaAs(110)における表面再結合寿命の大気暴露時間依存性の評価，市川修平,小島一信，2022年第69回応用物理学会春季学術講演会，2022年03月
全方位フォトルミネセンス（ODPL）法を用いた窒化ガリウム結晶の品質評価，小島一信,嶋紘平,秩父重英，先進パワー半導体分科会研究会，2021年11月
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価，LI Liyang,嶋紘平,山中瑞樹,小島一信,江川孝志,上殿明良,石橋章司,竹内哲也,三好実人,秩父重英，電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE），2021年11月
空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価，嶋紘平,田中亮,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,小島一信,上殿明良,秩父重英，2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年09月
高品質SCAAT GaNシードを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるGaN単結晶成長，栗本浩平,BAO Q.,三川豊,冨田大輔,嶋紘平,小島一信,石黒徹,秩父重英，2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年09月
陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究，上殿明良,田中亮,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,嶋紘平,小島一信,秩父重英,石橋章司，2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年09月
炭素フリー原料を用いてサファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス評価，秩父重英,嶋紘平,梅原直己,小島一信,原和彦,原和彦，2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年09月
全方位フォトルミネセンス法を用いた半導体材料の発光効率評価，小島一信,秩父重英，第384回蛍光体同学会，2021年08月
Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductorscancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors，S. F. Chichibu,K. Shima,K. Kojima,S. Ishibashi,A. Uedono，20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021)，2021年06月
室温動作ポラリトンレーザの実現に向けたZnO微小共振器の形成，秩父重英,嶋紘平,小島一信,古澤健太郎，第4回固体レーザーの高速探索と機能開発に向けたレーザー材料研究会，2021年03月
Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価，嶋紘平,田中亮,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,小島一信,上殿明良,秩父重英,秩父重英，2021年第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年03月
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(2)，長澤陽祐,平野光,一本松正道,迫秀樹,橋本愛,杉江隆一,本田善央,天野浩,赤崎勇,小島一信,秩父重英，2021年第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年03月
格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価，LI L. Y.,嶋紘平,山中瑞樹,小島一信,江川孝志,竹内哲也,三好実人,秩父重英,秩父重英，2021年第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年03月
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(1)，長澤陽祐,平野光,一本松正道,迫秀樹,橋本愛,杉江隆一,本田善央,天野浩,赤崎勇,赤崎勇,小島一信,秩父重英，2021年第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年03月
低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価，嶋紘平,栗本浩平,BAO Q.,三川豊,小島一信,石黒徹,秩父重英，2021年第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年03月
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(3)，長澤陽祐,小島一信,平野光,迫秀樹,橋本愛,杉江隆一,一本松正道,本田善央,天野浩,赤崎勇,秩父重英，2021年第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年03月
AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性，秩父重英,嶋紘平,小島一信,MOODY Baxter,三田清二,COLLAZO Ramon,SITAR Zlatko,SITAR Zlatko,熊谷義直,上殿明良，2021年第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年03月
InGaN/GaN多重量子殻の時間空間分解カソードルミネッセンス評価，嶋紘平,LU Weifang,小島一信,上山智,竹内哲也,秩父重英,秩父重英，2021年第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年03月
BGaN中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)，宮澤篤也,太田悠斗,松川真也,林幸佑,中川央也,川崎晟也,安藤悠人,本田善央,天野浩,天野浩,嶋紘平,小島一信,秩父重英,秩父重英,井上翼,青木徹,中野貴之,中野貴之，2021年第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年03月
(Al,Ga,In)N の輻射・非輻射再結合過程に点欠陥が及ぼす影響，秩父重英,嶋紘平,小島一信,上殿明良,石橋章司，日本学術振興会第162委員会研究会，2021年03月
深紫外AlGaN LEDを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信，小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英，電子情報通信学会総合大会，2021年03月
Current progress of omnidirectional photoluminescence spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals，K. Kojima,K. Ikemura,S. F. Chichibu，The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2021，2021年03月
Omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals，K. Kojima,S. F. Chichibu，Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity，2021年02月
Up-to 292-Mbps deep-UV communication over a diffuse-line-of-sight link based on silicon photo multiplier array，Y. Yoshida,K. Kojima,M. Shiraiwa,Y. Awaji,A. Kanno,N. Yamamoto,S. F. Chichibu，2020 European Conference on Optical Communication (ECOC)，2020年12月
全方位フォトルミネセンス (ODPL) 分光法を用いた半導体結晶の評価，小島一信,秩父重英，The 40th annual NANO testing symposium，2020年11月16日
Characterization of a self-organized deep-ultraviolet micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications，Kazunobu Kojima,Yuki Yoshida,Masaki Shiraiwa,Yoshinari Awaji,Atsushi Kanno,Naokatsu Yamamoto,Akira Hirano,Yosuke Nagasawa,Masamichi Ippommatsu,Shigefusa F. Chichibu，Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO)，2020年05月11日
Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors，S. F. Chichibu,K. Shima,K. Kojima,S. Ishibashi,A. Uedono，The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020，2020年01月
自己組織的に形成された深紫外マイクロ発光ダイオード構造の変調特性，小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英，レーザー学会学術講演会第40回年次大会，2020年01月
窒素極性GaNへのMgイオン注入技術，片岡恵太,成田哲生,井口紘子,嶋紘平,小島一信,秩父重英,上殿明良，日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第116回研究会，2019年12月
発光量子効率におけるフォトンリサイクル効果の理論解析，浅井栄大,小島一信,秩父重英,福田浩一，2019年秋季応用物理学会，2019年09月21日
酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長，栗本浩平,包全喜,斉藤真,茅野林造,冨田大輔,嶋紘平,小島一信,石黒徹,秩父重英，2019年秋季応用物理学会，2019年09月21日
ZnOの反応性イオンエッチングによる損傷とHClによる損傷回復，中須大蔵,嶋紘平,小島一信,秩父重英，2019年秋季応用物理学会，2019年09月21日
BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製，太田悠斗,高橋祐吏,丸山貴之,山田夏暉,中川央也,川崎晟也,宇佐美茂佳,本田善央,天野浩,嶋紘平,小島一信,秩父重英,井上翼,青木徹,中野貴之，2019年秋季応用物理学会，2019年09月20日
ZnO微小共振器の作製と室温における共振器ポラリトン形成，嶋紘平,小島一信,秩父重英，2019年秋季応用物理学会，2019年09月20日
深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定，小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英，2019年秋季応用物理学会，2019年09月19日
気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス，秩父重英,小島一信,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,三田清二,R.Collazo,Z.Sitar,上殿明良，2019年秋季応用物理学会，2019年09月19日
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)，小島一信,谷川智之,粕谷拓生,片山竜二,田中敦之,本田善央,天野浩,秩父重英，2019年秋季応用物理学会，2019年09月19日
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)，谷川智之,小島一信,粕谷拓生,田中敦之,本田善央,秩父重英,天野浩,上向井正裕,片山竜二，2019年秋季応用物理学会，2019年09月19日
温度可変全方位フォトルミネセンス分光装置の実現，小島一信,池村賢一郎,中村明裕,齋藤琢也,秩父重英，2019年春季応用物理学会，2019年09月19日
H2キャリアガスを用いたBGaN 結晶成長メカニズムの解析，清水勇希,江原一司,新宅秀矢,井上翼,青木徹,嶋紘平,小島一信,秩父重英,中野貴之，2019年秋季応用物理学会，2019年09月18日
Theoretical analysis of photo-recycling effect on external quantum efficiency considering spatial Carrier dynamics，H. Asai,K. Kojima,S. F. Chichibu,K. Fukuda，2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)，2019年09月02日
全方位フォトルミネセンス（ODPL）法を用いた半導体結晶の光物性評価，小島一信,秩父重英，ナノテスティング学会「第２５回Ｐ＆Ａ解析研究会」，2019年09月
Optical characterization and gain calculation of AlGaN quantum wells，K. Kojima，1st International Workshop on AlGaN based UV-Laser diodes，2019年08月
Impact of vacancy complexes on the nonradiative recombination processes in III-N devices，S. F. Chichibu,K. Shima,K. Kojima,S. Ishibashi,A. Uedono，13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)，2019年07月07日
Time-resolved luminescence studies of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors，S. F. Chichibu,N. Umehara,K. Takiguchi,K. Shima,K. Kojima,Y. Ishitani,K. Hara，13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)，2019年07月07日
Dependences of external quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime on the carbon concentration in GaN on GaN structures，K. Kojima,F. Horikiri,Y. Narita,T. Yoshida,S. F. Chichibu，13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)，2019年07月07日
Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes，K. Shima,H. Iguchi,T. Narita,K. Kataoka,K. Kojima,A. Uedono,S. F. Chichibu，13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)，2019年07月07日
Analytical formula for quantum efficiency of radiation considering self-absorption process，H. Asai,K. Kojima,S. F. Chichibu,K. Fukuda，13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)，2019年07月07日
Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN，S. Takashima,R. Tanaka,K. Ueno,H. Matsuyama,Y. Fukushima,M. Edo,K. Shima,K. Kojima,S. F. Chichibu,A. Uedono，13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)，2019年07月07日
Microscopic nonuniformities in AlGaN-based 260 and 285 nm light-emitting multiple quantum wells grown on AlN templates with dense macrosteps analyzed by cathodoluminescence spectroscopy，Y. Nagasawa,R. Sugie,K. Kojima,A. Hirano,M. Ipponmatsu,Y. Honda,H. Amano,I. Akasaki,S. F. Chichibu，13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)，2019年07月07日
Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate，K. Hara,N. Umehara,K. Shima,K. Kojima,S. F. Chichibu，The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C4)，2019年06月10日
Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes，K. Shima,K. Kojima,A. Uedono,S. F. Chichibu，19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019)，2019年06月06日
酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望，秩父重英,斉藤真,包全喜,嶋紘平,冨田大輔,小島一信,石黒徹，日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会研究会，2019年05月31日
Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of freestanding h-BN crystals under photo-excitation，K. Kojima,K. Watanabe,T. Taniguchi,S. F. Chichibu，Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Spectroscopy & growth of h-BN II，2019年05月19日
An outdoor evaluation of 1-Gbps optical wireless communication using AlGaN- based LED in 280-nm Band，Y. Yoshida,K. Kojima,M. Shiraiwa,Y. Awaji,A. Kanno,N. Yamamoto,S. Chichibu,A. Hirano,M. Ippommatsu，Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2019, Laser Science to Photonic Applications, Session Free-Space & Underwater Communication，2019年05月05日
薄膜固体二次電池の充放電解析，津国和之,殿川孝司,小島一信,秩父重英，電気化学会第88回大会,，2019年03月27日
Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals，S. F. Chichibu,M. Saito,Q. Bao,D. Tomida,K. Kurimoto,K. Shima,K. Kojima,T. Ishiguro，11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma2019)，2019年03月17日
容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価，高島信也,上野勝典,田中亮,松山秀昭,江戸雅晴,嶋紘平,小島一信,秩父重英,上殿明良，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発，高橋祐吏,丸山貴之,山田夏暉,江原一司,太田悠人,中川央也,宇佐美茂佳,本田善央,天野浩,小島一信,秩父重英,井上翼,青木徹,中野貴之，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
水熱合成単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスと微小共振器構造への応用，嶋紘平,小島一信,秩父重英，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式，浅井栄大,小島一信,秩父重英,福田浩一，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
自立窒化ガリウム結晶の角度分解フォトルミネセンス分光，小島一信,池村賢一郎,秩父重英，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(2)，長澤陽祐,小島一信,平野光,一本松正道,本田善央,天野浩,赤崎勇,秩父重英，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1)，小島一信,長澤陽祐,平野光,一本松正道,本田善央,天野浩,赤崎勇,秩父重英，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
深紫外AlGaN発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネセンス分光，小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス，秩父重英,嶋紘平,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,小島一信,上殿明良，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積，嶋紘平,小島一信,秩父重英，2019年春季応用物理学会，2019年03月09日
窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッセンス評価，秩父重英,嶋紘平,小島一信，窒化物半導体特異構造の科学－ナノ物性評価技術の進展と物性制御 2019年春季応用物理学会シンポジウム，2019年03月09日
エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心，秩父重英,嶋紘平,小島一信,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,石橋章司,上殿明良，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会接合研究委員会研究会，2019年02月28日
酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望，秩父重英,斉藤真,包全喜,冨田大輔,嶋紘平,小島一信,石黒徹，日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会（第6回），2018年12月17日
GaN パワー半導体のエピ成長・プロセスで生じる点欠陥の理解と制御，成田哲生,冨田一義,徳田豊,小木曽達也,嶋紘平,井口紘子,片岡恵太,小島一信,秩父重英,上殿明良,堀田昌宏,五十嵐信行,加地徹，日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会（第6回），2018年12月17日
TMBを用いたBGaN結晶成長の脱離過程解析，中野貴之,江原一司,望月健,井上翼,青木徹,小島一信,秩父重英，第17回東北大学多元物質科学研究所研究発表会，2018年12月13日
深紫外発光ダイオードを用いたソーラーブラインド・ギガビット級光無線伝送，小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,秩父重英，第17回東北大学多元物質科学研究所研究発表会，2018年12月13日
Different Nonradiative Recombination on Terraces and Macrosteps of Uneven QW for 285 nm LED Grown on AlN Template with Dense Macrosteps，Yosuke Nagasawa,Kazunobu Kojima,Ryuichi Sugie,Akira Hirano,Masamichi Ippommatsu,Hiroshi Amano,Isamu Akasaki,Shigefusa,F. Chichibu，IWUMD 2018，2018年12月11日
Different Nonradiative Recombination on Terraces and Macrosteps of Uneven QW for 285 nm LED Grown on AlN Template with Dense Macrostep，Y. Nagasawa,K. Kojima,R. Sugie,A. Hirano,M. Ippommatsu,H. Amano,I. Akasaki,S. F. Chichibu，International workshop on UV materials and devices (IWUMD-2018)，2018年12月
Recent progress of acidic ammonothermal growth of GaN，S. F. Chichibu,M. Saito,Q. Bao,K. Shima,D. Tomida,K. Kojima,T. Ishiguro，4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)，2018年11月19日
Current localization structure observed in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN templates with macrosteps，K. Kojima,Y. Nagasawa,A. Hirano,M. Ipponmatsu,Y. Honda,H. Amano,I. Akasaki,S. F. Chichibu，International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)，2018年11月11日
Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate，S. F. Chichibu,N. Umehara,K. Shima,K. Kojima,K. Hara，International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018),，2018年11月11日
Microscopic structure of boosting IQE for AlGaN-based UV-B (285 nm) LED grown on macrosteps，Y. Nagasawa,K. Kojima,A. Hirano,M. Ipponmatsu,Y. Honda,H. Amano,I. Akasaki,S. F. Chichibu，International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018),，2018年11月11日
Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE"，K. Ebara,K. Mochizuki,Y. Inoue,T. Aoki,K. Kojima,S. F. Chichibu,T. Nakano，International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018),，2018年11月11日
Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes，T. Maruyama,Y. Takahashi,N. Yamada,K. Ebara,H. Nakagawa,S. Usami,Y. Honda,H. Amano,K. Kojima,S. F. Chichibu,Y. Inoue,T. Aoki,T. Nakano，International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018),，2018年11月11日
Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN substrate，S. F. Chichibu,K. Shima,K. Kojima,S. Takashima,K. Ueno,M. Edo,H. Iguchi,T. Narita,K. Kataoka,S. Ishibashi,A. Uedono，International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)，2018年11月11日
Recent progress of large size bulk GaN crystal growth by acidic ammonothermal method",，International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)，2018年11月11日
Multi-gigabit-class deep ultraviolet wireless communication at 280 nm based on an AlGaN light-emitting diode，K. Kojima,Y. Yoshida,M. Shiraiwa,Y. Awaji,A. Kanno,N. Yamamoto,S. F. Chichibu，International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)，2018年11月11日
280 nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線伝送，小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,秩父重英，第6回アライアンス若手研究交流会，2018年11月01日
1.6-Gbps LED-based Ultraviolet Communication at 280 nm in Direct Sunlight，K. Kojima,Y. Yoshida,M. Shiraiwa,Y. Awaji,A. Kanno,N. Yamamoto,S. F. Chichibu，European Conference on Optical Communication (ECOC) 2018，2018年09月23日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるSiO_2/HfO_2誘電体分布ブラッグ反射鏡の作製，嶋紘平,粕谷拓生,小島一信,秩父重英，2018年秋季応用物理学会，2018年09月18日
時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥の評価，粕谷拓生,嶋紘平,小島一信,秩父重英，2018年秋季応用物理学会，2018年09月18日
高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積，秩父重英,小島一信,小池一歩,矢野満明,權田俊一,石橋章司,上殿明良，2018年秋季応用物理学会，2018年09月18日
空間・時間分解PL を用いたGaN の局所励起子応答，神山晃範,小島一信,遊佐剛,秩父重英，2018年秋季応用物理学会，2018年09月18日
バンド端近傍発光の外部量子効率が4%を超える六方晶BN単結晶の光学評価，小島一信,渡邊賢司,谷口尚,秩父重英，2018年秋季応用物理学会，2018年09月18日
サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス，秩父重英,嶋紘平,梅原直己,小島一信,原和彦，2018年秋季応用物理学会，2018年09月18日
MOVPE法を用いた厚膜BGaN結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製，丸山貴之,高橋祐吏,山田夏暉,江原一司,望月健,中川央也,宇佐美茂佳,本田善央,天野浩,小島一信,秩父重英,井上翼,青木徹,中野貴之，2018年秋季応用物理学会，2018年09月18日
BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価，高橋祐吏,丸山貴之,山田夏暉,江原一司,望月健,中川央也,宇佐美茂佳,本田善央,天野浩,小島一信,秩父重英,井上翼,青木徹,中野貴之，2018年秋季応用物理学会，2018年09月18日
280nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いた日光下における1.6 Gbps光無線伝送，小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,秩父重英，2018年秋季応用物理学会，2018年09月18日
The origin and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in the bulk and epitaxial ZnO，S. F. Chichibu,K. Kojima,K. Koike,M. Yano,S. Gonda,S. Ishibashi,A. Uedono，The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)，2018年09月11日
Relationship between internal quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime in a ZnO single crystal，K. Kojima,S. F. Chichibu，The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)，2018年09月11日
Fabrication of a ZnO-based microcavity using the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method，T. Kasuya,K. Shima,K. Kojima,K. Furusawa,S. F. Chichibu，The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)，2018年09月11日
A comparative study on SiO_2/ZrO_2 and SiO_2/HfO_2 distributed Bragg reflectors for ZnO-based microcavities，K. Shima,T. Kasuya,K. Furusawa,K. Kojima,S. F. Chichibu，The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)，2018年09月11日
Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals，S. F. Chichibu,M. Saito,Q. Bao,D. Tomida,K. Kurimoto,K. Shima,K. Kojima,T. Ishiguro，The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7)，2018年08月05日
酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長への取り組み，斉藤真,包全喜,嶋紘平,冨田大輔,小島一信,石黒徹,秩父重英，2018年日本結晶成長学会特別講演会「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」，2018年07月18日
MOVPE法を用いた厚膜BGaN成長および縦型中性子検出デバイスの作製，高橋祐吏,丸山貴之,山田夏暉,江原一司,望月健,中川央也,宇佐美茂佳,本田善央,天野浩,小島一信,秩父重英,井上翼,青木徹,中野貴之，日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,プレIWN2018第１０回窒化物半導体結晶成長講演会，2018年07月12日
酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製技術の進展，斉藤真,包全喜,嶋紘平,冨田大輔,小島一信,石黒徹,秩父重英，日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会，2018年07月06日
陽電子消滅法によるp-GaNエピ層、イオン注入層の点欠陥評価，上殿明良,石橋章司,小島一信,秩父重英，応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて〜p型GaNの結晶工学〜」，2018年06月15日
Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価，秩父重英,嶋紘平,小島一信,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,石橋章司,上殿明良，応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて〜p型GaNの結晶工学〜」，2018年06月15日
Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討，高島信也,田中亮,上野勝典,松山秀昭,江戸雅晴,高橋言緒,清水三聡,石橋章司,中川清和,堀田昌宏,須田淳,嶋紘平,小島一信,秩父重英,上殿明良，応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて〜p型GaNの結晶工学〜」，2018年06月15日
Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN，T. Tanikawa,T. Fujita,K. Kojima,S. F. Chichibu,T. Matsuoka，The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)，2018年06月03日
Evaluation of cubic phase formation in wurtzite type BGaN by MOVPE，K. Ebara,K. Mochizuki,Y. Inoue,T. Aoki,K. Kojima,S. F. Chichibu,T.Nakano，The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)，2018年06月03日
単分散球状 CdS ナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー：ナノ組織構造由来発光・消光挙動，蟹江澄志,Ungar Goran,松原正樹,Stevenson Warren,矢吹純,Zeng Xiangbing,小島一信,秩父重英,玉田薫,村松淳司，日本液晶学会討論会講演予稿集，2018年06月01日
Carrier trapping properties of defects in Mg-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams，A. Uedono,S. Takashima,M. Edo,K. Ueno,H. Matsuyama,W. Egger,T.Koschine,C. Hugenschmidt,M. Dickmann,K. Kojima,S. F. Chichibu,S. Ishibashi，The 45th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2018)，2018年05月29日
Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate，S. F. Chichibu,N. Umehara,K. Shima,K. Kojima,K. Hara，The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3)，2018年05月29日
Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductors，K. Kojima,S. F. Chichibu，19th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN19)，2018年05月15日
P-type Conduction of Mg-ion Implanted N-polar GaN and the Optical Investigation，T. Narita,K. Kataoka,H. Iguchi,K. Shima,K. Kojima,S. F. Chichibu,M.Kanechika,T. Uesugi,T. Kachi，The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18)，2018年04月23日
Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE，Y. Inatomi,A. Kusaba,Y. Kangawa,K. Kojima,S. F. Chichibu，The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18)，2018年04月23日
有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価，小島一信,堀切文正,成田好伸,吉田丈洋,秩父重英，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(2)，嶋紘平,粕谷拓生,菊地清,小島一信,秩父重英，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(1)，粕谷拓生,嶋紘平,菊地清,小島一信,秩父重英，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
赤色蛍光体(CaAlSiN_3:Eu)の高温劣化機構の評価，大石昌嗣,塩見昌平,山本孝,植木智之,改井陽一郎,秩父重英,高取愛子,小島一信，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長の検討，斉藤真,包全喜,栗本浩平,冨田大輔,嶋紘平,小島一信,石黒徹,秩父重英，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価，丸山貴之,望月健,中川央也,宇佐美茂佳,本田善央,天野浩,小島一信,秩父重英,井上翼,青木徹,中野貴之，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル，秩父重英,梅原直己,小島一信,原和彦，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)，小島一信,秩父重英，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価，嶋紘平,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,上殿明良,小島一信,秩父重英，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
Mgイオン注入GaN MOSFETのチャネル特性向上，高島信也,田中亮,上野勝典,松山秀昭,江戸雅晴,小島一信,秩父重英,上殿明良,中川清和，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
MOVPE法を用いて作製したBGaN結晶相の評価，江原一司,望月健,井上翼,青木徹,小島一信,秩父重英,中野貴之，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)，稲富悠也,草場彰,柿本浩一,寒川義裕,小島一信,秩父重英，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)，秩父重英,小島一信，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係（2），小島一信,浅井栄大,福田浩一,秩父重英，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係（1），浅井栄大,小島一信,福田浩一,秩父重英，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響，谷川智之,小島一信,秩父重英,松岡隆志，2018年春季応用物理学会，2018年03月17日
六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価，原和彦,梅原直己,小島一信,秩父重英，2018年春季応用物理学会,多元化合物の新規な物性と応用, 多元系化合物・太陽電池研究会企画シンポジウム，2018年03月17日
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法による2インチバルクGaN結晶育成，包全喜,斉藤真,栗本浩平,嶋紘平,冨田大輔,小島一信,石黒徹,秩父重英，化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)，2018年03月13日
全方位フォトルミネッセンス法による絶対輻射量子効率測定，小島一信,秩父重英，日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会 3月研究会，2018年03月09日
Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductor materials，Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu，Kick-off Symposium for World Leading Research Centers，2018年02月19日
Determination of absolute quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors using an integrating sphere，K. Kojima,H. Ikeda,K. Fujito,S. F. Chichibu，The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018, Gallium Nitride Materials and Devices XIII (OE107)，2018年01月27日
ワイドギャップ半導体の発光量子効率と発光寿命の相関，小島一信,秩父重英，応用物理学会励起ナノプロセス研究会第13回研究会, 「ワイドギャップ半導体の励起ナノプロセス」，2018年01月20日
GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心，秩父重英,上殿明良,嶋紘平,小島一信,石橋章司，応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回個別討論会「GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長技術」，2017年12月12日
全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化物半導体の発光量子効率測定，小島一信,三宅秀人,平松和政,秩父重英，日本結晶成長学会第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)，2017年11月27日
サファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素薄膜の深紫外カソードルミネッセンス，原和彦,梅原直己,秩父重英,小島一信,光野徹也,小南裕子，日本結晶成長学会第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)，2017年11月27日
Consideration of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in wide bandgap (Al,Ga)N and ZnO，S. F. Chichibu,K. Kojima,K. Shima,A. Uedono,S. Ishibashi，Materials Research Society, 2017 Fall Meeting, Symposium EM4: Wide- and Ultra-Wide-Bandgap Materials and Devices，2017年11月26日
Photocatalytic Activity of Silicon-based Nanoflakes for the Decomposition of Nitrogen Monoxide，H. Itahara,H. Imagawa,X. Wu,S. Yin,K. Kojima,S. F. Chichibu,T. Sato，The 34th Japan-Korea International Seminar on Ceramics, Session G: Nanoceramics，2017年11月22日
Study of Boron metal organic sources for BGaN growth using MOVPE，T. Nakano,K. Mochizuki,T. Nakamura,T. Aoki,Y. Inoue,K. Kojima,S.F.Chichibu，International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017，2017年11月14日
Compositional modulation for high AlN mole fraction Al_xGa_1-xN multiple quantum wells to enhance overlap integral of carrier wavefunctions，K. Kojima,Y. Hayashi,K. Hiramatsu,H. Miyake,S. F. Chichibu，International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017，2017年11月14日
Cathodoluminescence characterization of the hexagonal boron nitride thin films grown on c-plane sapphire substrates，N. Umehara,T. Kouno,H. Kominami,K. Kojima,S. F. Chichibu,K. Hara，International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017，2017年11月14日
Fabrication and evaluation of vertical type BGaN neutron detection diodes，T. Nakano,T. Arikawa,K. Mochizuki,H. Nakagawa,S. Usami,M. Kushimoto,Y.Honda,H. Amano,K. Kojima,S. F. Chichibu,H. Mimura,Y. Inoue,T. Aoki，2017 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference,Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD)，2017年10月21日
Internal quantum efficiency evaluation of LED by photocurrent measurement，S. Usami,Y. Honda,K. Kojima,M. Kushimoto,M. Deki,S. Nitta,S. F. Chichibu,H. Amano，11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), Session: W-5 - UV materials and characterization，2017年10月08日
Vacuum-fluorescent-display devices emitting polarized deep-ultraviolet and visible lights using m-plane Al_1-xIn_xN epitaxial nanostructures，S. F. Chichibu,K. Kojima,A. Uedono,Y. Sato，11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), Session: Th-3 - Novel Devices and Structures 1，2017年10月08日
Optical and defect characteristics of m-plane Al_1-xIn_xN epitaxial nanostructures，S. F. Chichibu,K. Kojima,A. Uedono，8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2017)，2017年09月24日
高品質窒化ガリウム単結晶の光物性評価，小島一信,秩父重英,池田宏隆,藤戸健史，2017年秋季セラミクス協会第30回シンポジウム，2017年09月19日
Recent progress of acidic ammonothermal growth of GaN，M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Kagamitani,R. Kayano,T.Ishiguro,S. F. Chichibu，10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-X)，2017年09月18日
Periodic compositional undulation in the m-plane Al_1-xIn_xN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a GaN substrate，S. F. Chichibu,K. Kojima，European Materials Research Society, 2017 Fall Meeting, Session P: Group III-Nitrides: fundamental research, optoelectronic devices and sensors，2017年09月18日
BGaN半導体材料を用いた新規熱中性子検出器の提案と開発，中野貴之,望月健,中村匠,有川卓弥,中川央也,宇佐美茂佳,本田善央,天野浩,小島一信,秩父重英,三村秀典,井上翼,青木徹，日本原子力学会「2017年秋の大会」，2017年09月13日
偏光遷移領域におけるc面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度，坂井繁太,南琢人,小島一信,秩父重英,山口敦史，2017年秋季応用物理学会，2017年09月05日
二次組成変調によって電子・正孔波動関数の重なり積分を増強させたc面AlGaN多重量子井戸の発光特性評価，小島一信,林侑介,三宅秀人,平松和政,秩父重英，2017年秋季応用物理学会，2017年09月05日
光励起下のGaN単結晶における内部量子効率の空間的不均一，小島一信,浅井栄大,福田浩一,秩父重英，2017年秋季応用物理学会，2017年09月05日
減衰全反射法を用いたGaN単結晶の表面状態評価，小島一信,赤尾賢一,菅野美幸,水野広介,永森浩司,秩父重英，2017年秋季応用物理学会，2017年09月05日
GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価，秩父重英,小島一信,嶋紘平,高島信也,江戸雅晴,上野勝典,石橋章司,上殿明良，2017年秋季応用物理学会，2017年09月05日
BGaN-MOVPE法におけるB有機金属原料の検討，望月健,中村匠,青木徹,井上翼,小島一信,秩父重英,中野貴之，2017年秋季応用物理学会，2017年09月05日
酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による電子デバイス用GaN結晶合成の進展，秩父重英,斉藤真,包全喜,栗本浩平,冨田大輔,嶋紘平,小島一信,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹，2017年秋季応用物理学会シンポジウム窒化物半導体特異構造の科学〜先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用〜，2017年09月05日
BGaN‐MOVPE法におけるB有機金属原料の検討，望月健,中村匠,青木徹,井上翼,小島一信,秩父重英,秩父重英,中野貴之，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2017年08月25日
Polarity-dependent defect formation in c-axis oriented ZnO by the irradiation of an 8 MeV proton beam，K. Koike,W. Kuwagata,H. Mito,M. Yano,S. Gonda,A. Uedono,S. Ishibashi,K.Kojima,S. F. Chichibu，29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)，2017年07月31日
Origin and properties of intrinsic Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in GaN，S. F. Chichibu,K. Kojima,H. Ikeda,K. Fujito,S. Takashima,M. Edo,K. Ueno,M. Shimizu,T. Takahashi,S. Ishibashi,A. Uedono，29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)，2017年07月31日
Role of point defects on the luminescent properties of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN fabricated on a GaN substrate，S. F. Chichibu,K. Kojima,S. Takashima,M. Edo,K. Ueno,M. Shimizu,T.Takahashi,S. Ishibashi,A. Uedono，The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)，2017年07月24日
Quantum-Wire-Like Density of States in c-plane AlGaN Quantum Wells in Polarization-Crossover Composition Region，S. Sakai,T. Minami,K. Kojima,S. F. Chichibu,A. A. Yamaguchi，The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)，2017年07月24日
Optical characteristics of c-plane AlGaN multiple-quantum-well light-emitting diode structures with macro-size steps，K. Kojima,Y. Nagasawa,A. Hirano,M. Ipponmatsu,Y. Honda,H. Amano,I.Akasaki,S. F. Chichibu，The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)，2017年07月24日
High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method，M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Kagamitani,R.Kayano,T. Ishiguro,S. F. Chichibu，The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)，2017年07月24日
Fabrication and evaluation of vertical type BGaN diodes by MOVPE using trimethylboron，K. Mochizuki,T. Nakamura,T. Arikawa,Y. Inoue,S. Usami,M. Kushimoto,Y.Honda,H. Amano,K. Kojima,S. F. Chichibu,H. Mimura,T. Aoki,T. Nakano，The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)，2017年07月24日
A way to achieve more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction AlGaN MQWs，S. F. Chichibu,K. Kojima,K. Furusawa,Y. Yamazaki,K. Hiramatsu,H.Miyake，The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)，2017年07月24日
A high internal quantum efficiency of the emission in GaN single crystals observed by omnidirectional photoluminescence (ODPL)，K. Kojima,H. Ikeda,K. Fujito,S. F. Chichibu，The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)，2017年07月24日
A theoretical proposal for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction Al_xGa_1-xN multiple quantum wells，K. Kojima,K. Furusawa,Y. Yamazaki,H. Miyake,K. Hiramatsu,S. F. Chichibu，The 18th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN18)，2017年07月09日
GaN中の非輻射再結合中心の正体とその特性，秩父重英,小島一信,上殿明良，応用物理学会結晶工学分科会, 第147回結晶工学分科会研究会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス〜窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御〜」，2017年06月09日
窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測，小島一信，電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE)5月研究会，2017年05月25日
窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測 (レーザ・量子エレクトロニクス)，小島一信，電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報，2017年05月25日
Quantification of Nitride Semiconductors Omnidirectional Photoluminescence (ODPL) Measurement Utilizing an Integrating SphereHigh Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method，K. Kojima,H. Ikeda,K. Fujito,S. F. Chichibu，The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'17)，2017年04月19日
絶対吸収率および光電流測定を組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量，宇佐美茂佳,小島一信,久志本真希,出来真斗,新田州吾,本田善央,秩父重英,天野浩，2017年春季応用物理学会，2017年03月14日
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(4)，小島一信,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，2017年春季応用物理学会，2017年03月14日
マクロステップを有するc面AlGaN量子井戸発光ダイオード構造の発光特性，小島一信,長澤陽祐,平野光,一本松正道,本田善央,天野浩,赤崎勇,秩父重英，2017年春季応用物理学会，2017年03月14日
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定，小島一信,秩父重英，2017年春季応用物理学会，2017年03月14日
GaN基板上イオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価(2)，秩父重英,小島一信,高島信也,江戸雅晴,上野勝典,清水三聡,高橋言緒,石橋章司,上殿明良，2017年春季応用物理学会，2017年03月14日
BGaN縦型ダイオードの作製と放射線検出特性の評価，望月健,中村匠,有川卓弥,宇佐美茂佳,久志本真希,本田善央,天野浩,小島一信,秩父重英,三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之，2017年春季応用物理学会，2017年03月14日
m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性，秩父重英,小島一信,上殿明良,佐藤義孝，2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年03月14日
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成，包全喜,斉藤真,栗本浩平,小島一信,冨田大輔,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹,横山千昭,秩父重英，化学工学会第82年会，2017年03月06日
Recent progress of ammonothermal growth of GaN using acidic mineralizers，S. F. Chichibu,M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y.Kagamitani,R. Kayano,T. Ishiguro，Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices - 2017 German -Japanese-Spanish Joint Workshop，2017年03月05日
Origin of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in (Al,Ga)N，S. F. Chichibu,K. Kojima,A. Uedono，The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2017, OE127 Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XXI (10124)，2017年01月28日
Photoluminescence characterization of ion-implanted and epitaxial Mg-doped GaN prepared on freestanding GaN substrates，S. F. Chichibu,K. Kojima,S. Takashima,M. Edo,K. Ueno,M. Shimizu,T.Takahashi,S. Ishibashi,A. Uedono，Materials Research Society, 2016 Fall Meeting, Symposium EM11: Wide-Bandgap Materials for Energy Efficiency-Power Electronics and Solid-State Lighting，2016年11月27日
窒化物半導体の絶対輻射量子効率計測，小島一信,斉藤真,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，第4回アライアンス若手研究交流会，2016年11月09日
Quantification of absolute value of quantum efficiency of radiation in ZnO single crystals using an integrating sphere，K. Kojima,T. Harada,A. Tsukazaki,S. F. Chichibu，The 9th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO2016)，2016年10月30日
Carrier Lifetime Control of Nearly Dislocation-free ZnO Homoepitaxial Films by 3d Transition-metal Doping，S. F. Chichibu,K. Kojima,Y. Yamazaki,K. Furusawa,A. Uedono，The 9th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO2016)，2016年10月30日
Quantifying absolute value of quantum efficiency of radiation in high quality GaN single crystals，K. Kojima,T. Ohtomo,M. Saito,H. Ikeda,K. Fujito,S. F. Chichibu，International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)，2016年10月02日
Defect-resistant emission properties of nonpolar m-plane Al_1-xIn_xN epilayers for deep-ultraviolet to visible polarized-light-emitting vacuum fluorescent display devices，S. F. Chichibu,K. Kojima,A. Uedono,Y. Sato，International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)，2016年10月02日
High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method，M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Kagamitani,R.Kayano,T. Ishiguro,S. F. Chichibu，International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)，2016年10月02日
Defect-resistant luminescent probability of m-plane AlInN alloy films for deep ultraviolet and visible polarized light-emitters，S. F. Chichibu,K. Kojima,A. Uedono,Y. Sato，European Materials Research Society, 2016 Fall Meeting, Session F: AlN and AlGaN materials and devices，2016年09月19日
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(3)，小島一信,大友友美,斉藤真,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，2016年秋季応用物理学会，2016年09月13日
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)，小島一信,大友友美,斉藤真,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，2016年秋季応用物理学会，2016年09月13日
GaN基板上に作製されたMgイオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価，小島一信,高島信也,江戸雅晴,上野勝典,清水三聡,高橋言緒,石橋章司,上殿明良,秩父重英，2016年秋季応用物理学会，2016年09月13日
Alloy-Compositional-Fluctuation Effects on Optical Gain Characteristics in AlGaN and InGaN Quantum-Well Laser Diodes，A. Yamaguchi,T. Minami,S. Sakai,K. Kojima,S. F. Chichibu，The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)，2016年09月12日
固相剥離法によるSi系剥片状ナノ粒子の合成と光物性・光触媒特性，板原浩,今川晴雄,呉暁勇,山崎芳樹,殷シュウ,小島一信,秩父重英,佐藤次雄，公益社団法人日本セラミックス協会第29回秋季シンポジウム，2016年09月07日
Metalorganic vapor phase epitaxy of pseudomorphic m-plane Al_1-xIn_xN alloy films on a low defect density m-plane GaN substrate，S. F. Chichibu,K. Kojima,Y. Yamazaki,K. Furusawa，The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)，2016年08月07日
High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method，M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Kagamitani,R.Kayano,T. Ishiguro,S. F. Chichibu，The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)，2016年08月07日
Cathodoluminescence Spectroscopy of GaN/AlN Quantum Structures for sub-280 nm emission，S. M. Islam,V. Protasenko,H,Grace) Xing,Debdeep Jena,K. Kojima,S. F. Chichibu，The International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD-2016)，2016年07月27日
Optical and photocatalytic properties of nanocomposites composed of Ca_xSi_2 nano -flakes and nickel silicide particles，H. Itahara,X. Wu,Y. Yamazaki,H. Imagawa,S. Yin,K. Kojima,S. F. Chichibu,T. Sato，Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)，2016年07月16日
High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method，Q. Bao,M. Saito,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Kagamitani,R. Kayano,T. Ishiguro,S. F. Chichibu，The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016)，2016年06月26日
単分散球状CdSナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織構造由来の蛍光特性の発現，蟹江澄志,松原正樹,STEVENSON Warren,矢吹純,ZENG Xiangbing,DONG Haoliang,小島一信,秩父重英,玉田薫,村松淳司,UNGAR Goran,UNGAR Goran，ナノ学会大会講演予稿集，2016年06月14日
Structure-Dependent Photoluminescence Behavior of Liquid-Crystalline Self-Organized Organic-Inorganic Hybrid Dendrimer with a CdS Nano-Core，K. Kanie,M. Matsubara,W. Stevenson,J. Yabuki,X. Zeng,H. Dong,K. Kojima,S.F. Chichibu,K. Tamada,A. Muramatsu,G. Ungar，90th American Chemical Society Colloid & Surface Science Symposium，2016年06月05日
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長，斉藤真,包全喜,栗本浩平,冨田大輔,小島一信,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹,秩父重英，応用物理学会結晶工学分科会第145回結晶工学分科会研究会，2016年06月03日
時間分解ルミネッセンス法によるGaNのキャリア寿命の評価，秩父重英,小島一信,上殿明良，日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会研究会，2016年05月27日
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性，秩父重英,小島一信,上殿明良，日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会第８回窒化物半導体結晶成長講演会，2016年05月09日
GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定，小島一信,大友友美,斉藤真,池田宏隆,秩父重英，日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会第８回窒化物半導体結晶成長講演会，2016年05月09日
Recombination dynamics of hot carriers excited in a highly-doped m-plane GaN single crystal，K. Kojima,H. Ikeda,K. Fujito,S. F. Chichibu，17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17)，2016年03月28日
Carrier Lifetime Control of Nearly Dislocation-free ZnO Homoepitaxial Films by 3d Transition-metal Doping，S. F. Chichibu,K. Kojima,Y. Yamazaki,K. Furusawa,A. Uedono，17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17)，2016年03月28日
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶の高速成長，栗本浩平,包全喜,斉藤真,茅野林造,小島一信,石黒徹,秩父重英，日本金属学会2016年春期(第158回)講演大会，2016年03月23日
低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御，秩父重英,小島一信,山崎芳樹,古澤健太郎,上殿明良，2016年春季応用物理学会，2016年03月19日
組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較，南琢人,小島一信,坂井繁太,秩父重英,山口敦史，2016年春季応用物理学会，2016年03月19日
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)，秩父重英,小島一信,山崎芳樹,佐藤義孝,上殿明良，2016年春季応用物理学会，2016年03月19日
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定，小島一信,大友友美,斉藤真,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，2016年春季応用物理学会，2016年03月19日
高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス，小島一信,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，2016年春季応用物理学会，2016年03月19日
Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性，板原浩,呉暁勇,山崎芳樹,今川晴雄,殷シュウ,小島一信,秩父重英,佐藤次雄，2016年春季応用物理学会，2016年03月19日
MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討，中村匠,矢野雄大,上山浩平,青木徹,井上翼,小島一信,秩父重英,中野貴之，2016年春季応用物理学会，2016年03月19日
90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針，小島一信,山崎芳樹,古澤健太郎,三宅秀人,平松和政,秩父重英，2016年春季応用物理学会，2016年03月19日
時間空間分解カソードルミネッセンスによるⅢ族窒化物半導体の評価，秩父重英,山崎芳樹,小島一信，発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来 2016年春季応用物理学会シンポジウム，2016年03月19日
時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価"，秩父重英,山崎芳樹,小島一信，2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年03月19日
酸性アモノサーマル法による高品質GaN結晶の育成，包全喜,斉藤真,栗本浩平,小島一信,山崎芳樹,冨田大輔,喬焜,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹,横山千昭,秩父重英，化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)，2016年03月13日
高品質窒化物半導体の光学特性，小島一信,秩父重英，真空ナノエレクトロニクス158委員会 3月定期研究会，2016年03月04日
High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method，M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Kagamitani,R. Kayano,T.Ishiguro,S. F. Chichibu，The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2016, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XI，2016年02月13日
酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長，秩父重英,斉藤真,包全喜,栗本浩平,冨田大輔,小島一信,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹，化学工学会反応工学部会CVD反応分科会主催第24回シンポジウム，2015年12月01日
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性，小島一信,塚田悠介,古川えりか,斉藤真,三川豊,久保秀一,池田宏隆,藤戸健史,上殿明良,秩父重英，電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会/電子デバイス研究会/電子部品・材料研究会，2015年11月26日
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)，小島一信,塚田悠介,古川えりか，電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報，2015年11月26日
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 (電子デバイス)，小島一信,塚田悠介,古川えりか，電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報，2015年11月26日
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 (電子部品・材料)，小島一信,塚田悠介,古川えりか，電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報，2015年11月26日
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性，小島一信,塚田悠介,古川えりか,斉藤真,斉藤真,三川豊,久保秀一,池田宏隆,藤戸健史,上殿明良,秩父重英，電子情報通信学会技術研究報告，2015年11月19日
Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al_1-xIn_xN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate，K. Kojima,D. Kagaya,Y. Yamazaki,H,Ikeda,K. Fujito,S. F. Chichibu，The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)，2015年11月08日
Metalorganic vapor phase epitaxy and time-resolved luminescence studies of pseudomorphic m-plane Al_1-xIn_xN epitaxial films on a low defect density m-plane GaN substrate，S. F. Chichibu,K. Kojima,Y. Yamazaki,K. Furusawa,H. Ikeda,K. Fujito，The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)，2015年11月08日
High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method，M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Kagamitani,R.Kayano,T. Ishiguro,S. F. Chichibu，The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)，2015年11月08日
Low resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point defect concentration grown by hydride vapor phase epitaxy on an ammonothermal GaN seed crystal，K. Kojima,K. Furusawa,E. Furukawa,M. Saito,Y. Tsukada,Y. Mikawa,S. Kubo,H.Ikeda,K. Fujito,A. Uedono,S. F. Chichibu，The Sixth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)，2015年11月08日
酸性アモノサーマル法による高品位GaN結晶成長，斉藤真,包全喜,栗本浩平,冨田大輔,小島一信,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹,秩父重英，第45回結晶成長国内会議（NCCG-45），2015年10月19日
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長，斉藤真,斉藤真,BAO Q,BAO Q,栗本浩平,栗本浩平,冨田大輔,小島一信,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹,秩父重英，結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)，2015年10月19日
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性，小島一信,塚田悠介,古川えりか,斉藤真,三川豊,久保秀一,池田宏隆,藤戸健史,上殿明良,秩父重英，2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会，2015年09月13日
酸性アモノサーマル法による高品位GaN 高速育成，斉藤真,包全喜,栗本浩平,冨田大輔,小島一信,山崎芳樹,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹,秩父重英，2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会，2015年09月13日
高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス，小島一信,斉藤真,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会，2015年09月13日
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成，斉藤真,斉藤真,BAO Q,BAO Q,栗本浩平,栗本浩平,冨田大輔,小島一信,山崎芳樹,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹,秩父重英，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2015年08月31日
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性，小島一信,塚田悠介,古川えりか,斉藤真,斉藤真,三川豊,久保秀一,池田宏隆,藤戸健史,上殿明良,秩父重英，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2015年08月31日
高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス，小島一信,斉藤真,斉藤真,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2015年08月31日
Time-resolved and spatially-resolved luminescence studies on ultraviolet to green luminescence peaks of m-plane Al_1-xIn_xN epilayers grown on a low defect density m-plane GaN substrate，S. F. Chichibu,K. Kojima,Y. Yamazaki,K. Furusawa,H. Ikeda,K.Fujito，The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)，2015年08月30日
High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method，M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Yamazaki,Y.Kagamitani,R. Kayano,T. Ishiguro,S. F. Chichibu，The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)，2015年08月30日
Polarity dependent radiation hardness of GaN，Masayuki Matsuo,Takayuki Murayama,Kazuto Koike,Shigehiko Sasa,Mitsuaki Yano,Shun Ichi Gonda,Akira Uedono,Ryoya Ishigami,Kyo Kume,Tomomi Ohtomo,Erika Furukawa,Yoshiki Yamazaki,Kazunobu Kojima,Shigefusa Chichibu，IMFEDK 2015 - 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai，2015年07月14日
High-Quality Bulk Crystal Growth of GaN by the Ammonothermal Method in a Supercritical NH_3 Using Acidic Mineralizers，S. F. Chichibu,M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Yamazaki,Y. Kagamitani,R. Kayano,T. Ishiguro，Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices - 2015 German -Japanese-Spanish Joint Workshop，2015年07月11日
Polarity Dependent Radiation Hardness of GaN，M. Matsuo,T. Murayama,K. Koike,S. Sasa,M. Yano,S. Gonda,R. Ishigami,K.Kume,A. Uedono,T. Ohtomo,E. Furukawa,Y. Yamazaki,K. Kojima,S. Chichibu，The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices，2015年06月04日
Homoepitaxy of ZnO films of reduced donor concentrations by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy method using a ZnO target prepared by hydrothermal technique，S. Iwahashi,K. Furusawa,Y. Yamazaki,K. Kojima,A. Uedono,S. F. Chichibu，European Materials Research Society, 2015 Spring Meeting, Symposium N: Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films V，2015年05月11日
Controlling the minority carrier lifetime of ZnO epitaxial thin films by transition metal doping，S. F. Chichibu,S. Iwahashi,Y. Yamazaki,K. Kojima,K. Furusawa,A. Uedono，European Materials Research Society, 2015 Spring Meeting, Symposium N: Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films V，2015年05月11日
分光エリプソメトリーによるm面Al_1-xIn_xN薄膜の光学特性評価，小島一信,加賀谷大樹,山崎芳樹,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会第７回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN6)，2015年05月07日
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4)：遷移金属不純物に関する考察，岩橋咲弥,山崎芳樹,小島一信,古澤健太郎,上殿明良,秩父重英，2015年春季応用物理学会，2015年03月11日
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3)：浅い不純物に関する考察，山崎芳樹,古澤健太郎,岩橋咲弥,小島一信,秩父重英，2015年春季応用物理学会，2015年03月11日
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果，栗本浩平,包全喜,斉藤真,冨田大輔,伊藤みずき,山崎芳樹,小島一信,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹,秩父重英，2015年春季応用物理学会，2015年03月11日
ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α-In2O3)の特性評価，須和祐太,川原村敏幸,小島一信,秩父重英，2015年春季応用物理学会，2015年03月11日
「自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)，小島一信,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，2015年春季応用物理学会，2015年03月11日
「m面Al_1-xIn_xN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価」，加賀谷大樹,山崎芳樹,池田宏隆,藤戸健史,小島一信,秩父重英，2015年春季応用物理学会，2015年03月11日
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3):浅い不純物に関する考察，山崎芳樹,古澤健太郎,岩橋咲弥,小島一信,秩父重英，応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2015年02月26日
自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)，小島一信,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2015年02月26日
m面Al1-xInxN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価，加賀谷大樹,山崎芳樹,池田宏隆,藤戸健史,小島一信,秩父重英，応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2015年02月26日
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4):遷移金属不純物に関する考察，岩橋咲弥,山崎芳樹,小島一信,古澤健太郎,上殿明良,秩父重英，応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2015年02月26日
ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α‐In2O3)の特性評価，須和祐太,川原村敏幸,小島一信,秩父重英，応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2015年02月26日
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果，栗本浩平,BAO Q,斉藤真,冨田大輔,伊藤みずき,山崎芳樹,小島一信,鏡谷勇二,茅野林造,石黒徹,秩父重英，応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2015年02月26日
BGaN半導体材料における結晶成長技術の開発と諸特性の評価，中野貴之,上山浩平,中村匠,井上翼,青木徹,小島一信,秩父重英，東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集，2015年
液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織化CdS量子ドットのフォトルミネッセンス挙動，松原正樹,松原正樹,STEVENSON Warren,矢吹純,山崎芳樹,小島一信,秩父重英,ZENG Xiangbing,DONG Haoliang,UNGAR Goran,蟹江澄志,村松淳司，東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集，2015年
水熱合成ZnOターゲットを用いた低ドナー不純物濃度ZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長，古澤健太郎,山崎芳樹,小島一信,秩父重英，東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集，2015年
High Quality and High Rate Bulk GaN Crystal Growth by Acidic Ammonothermal Method，M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Yamazaki,Y. Kagamitani,R. Kayano,K. Qiao,T. Ishiguro,C. Yokoyama,S. F. Chichibu，2014 Materials Research Society Fall Meeting，2014年12月
Optical characteristics of nonpolar and semipolar nitride heterostructures，小島一信,秩父重英，第50回ＧＲＬ浜松セミナー，2014年12月
Optical polarization properties of Al_1-xIn_xN epilayers grown on m-plane freestanding GaN substrates，K. Kojima,H. Ikeda,K. Fujito,S. F. Chichibu，Materials Research Society, 2014 Fall Meeting, Symposium AA: Synthesis,Processing and Mechanical Properties of Functional Hexagonal Materials for Energy Applications，2014年11月30日
High Quality Bulk GaN Crystal Growth by Acidic Ammonothermal Method，M. Saito,Q. Bao,K. Kurimoto,D. Tomida,K. Kojima,Y. Yamazaki,Y. Kagamitani,R. Kayano,K. Qiao,T. Ishiguro,C. Yokoyama,S. F. Chichibu，Materials Research Society, 2014 Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics，2014年11月30日
A strategy to improve the emission efficiency of Si-doped AlGaN multiple quantum wells by out-of-plane compositional modulations，Y. Yamazaki,K. Furusawa,K. Kojima,K. Nakahama,H. Miyake,K. Hiramatsu,S.F. Chichibu，Materials Research Society, 2014 Fall Meeting , Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics，2014年11月30日
Optical characteristics of nonpolar and semipolar nitride heterostructures，K. Kojima,Y. Yamazaki,S. F. Chichibu，2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors，2014年10月
酸性アモノサーマル法による高品位GaN 高速育成，斉藤真,包全喜,栗本浩平,冨田大輔,小島一信,山崎芳樹,鏡谷勇二,茅野林造,喬焜,石黒徹,横山千昭,秩父重英，2014年秋季応用物理学会，2014年09月17日
混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上，山崎芳樹,古澤健太郎,小島一信,中濱和大,三宅秀人,平松和政,秩父重英，2014年秋季応用物理学会，2014年09月17日
m面GaN基板上に成長したAl_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の偏光特性，小島一信,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，2014年秋季応用物理学会，2014年09月17日
フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析，秩父重英,古澤健太郎,石川陽一,山崎芳樹,小島一信，2014年秋季応用物理学会シンポジウム，2014年09月17日
フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析，秩父重英,石川陽一,山崎芳樹,小島一信，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2014年09月01日
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成，斉藤真,BAO Q,栗本浩平,冨田大輔,小島一信,山崎芳樹,鏡谷勇二,茅野林造,QIAO K,石黒徹,横山千昭,秩父重英，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2014年09月01日
m面GaN基板上に成長したAl1-xInxNエピタキシャル薄膜の偏光特性，小島一信,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2014年09月01日
混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上，山崎芳樹,古澤健太郎,小島一信,中濱和大,三宅秀人,平松和政,秩父重英，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2014年09月01日
Epitaxial growth of thick m-plane Al_1-xIn_xN epilayers exhibiting a dominant ultraviolet to green near-band-edge luminescence peak on a low defect density m-plane GaN substrate，S. F. Chichibu,K. Furusawa,K. Hazu,Y. Ishikawa,T. Onuma,T. Ohtomo,Y.Yamazaki,K. Kojima,H. Ikeda,K. Fujito，International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)，2014年08月24日
Optical characteristics of deep ultraviolet nitride semiconductors with various crystal orientations，Kazunobu KOJIMA，International Union of Materials Research Societies-The IUMRS InternationalConference in Asia 2014，2014年08月24日
非極性面窒化物半導体深紫外レーザーの低閾値化に関する理論的検討，小島一信,山口敦史,船戸充,川上養一,野田進，レーザー学会学術講演会第34回年次大会，2014年01月
フォトニックバンドギャップの存在下で自然放出が抑制された単一量子ドットの光学特性(2)，児島貴徳,小島一信,浅野卓,野田進，応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2013年08月31日
同一の単一量子ドットにおけるフォトニック結晶形成前後の光学特性の比較，児島貴徳,小島一信,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2012年08月27日
発光イメージを用いた単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の高精度位置合わせ(3)，児島貴徳,小島一信,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2012年08月27日
単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の相対位置合わせにおける誤差推定，小島一信,児島貴徳,中村達也,彦山和久,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2012年08月27日
ナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態の動的制御，中村達也,小島一信,児島貴徳,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2012年08月27日
ナノ共振器の共鳴周波数変動を抑制したQ値制御手法，彦山和久,中村達也,小島一信,浅野卓,児島貴徳,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2012年08月27日
ナノ共振器・導波路結合系を用いたQED制御に関する検討，彦山和久,浅野卓,中村達也,小島一信,児島貴徳,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)，2012年02月29日
実験データ解析に基づく非極性InGaN量子井戸の偏光特性の予測，山口敦史,小島一信，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2011年08月16日
発光イメージを用いた単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の高精度位置合わせ (2)，児島貴徳,小島一信,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2011年08月16日
フォトニック結晶ナノ共振器の高Q値化の設計指針 (2)，中村達也,高橋和,高橋和,小島一信,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2011年08月16日
発光イメージを用いた単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の高精度位置合わせ，児島貴徳,小島一信,浅野卓,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)，2011年03月09日
窒素堆積・剥離によるナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態制御(3)，中村達也,小島一信,児島貴徳,浅野卓,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)，2011年03月09日
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈，山口敦史,小島一信，電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス，2010年11月04日
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈，山口敦史,小島一信，電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料，2010年11月04日
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈，山口敦史,小島一信，電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス，2010年11月04日
発光イメージに基づく単一量子ドットの位置検出精度向上に関する検討，児島貴徳,小島一信,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年08月30日
無極性面AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討，小島一信,山口敦史,船戸充,川上養一,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年08月30日
窒素堆積・剥離によるナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態制御(2)，中村達也,小島一信,児島貴徳,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年08月30日
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈，山口敦史,小島一信，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年08月30日
量子ドットを含むナノ共振器のQ値制御についての理論検討，山口真,浅野卓,小島一信,児島貴徳,中村達也,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年08月30日
単一量子ドットとフォトニック結晶ナノ共振器の相対位置および発光波長の精密調整，小島一信,児島貴徳,中村達也,山口真,浅野卓,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年03月03日
単一量子ドットの位置検出と発光特性評価―量子ドットとナノ共振器の結合系の高度化に向けて―，児島貴徳,小島一信,STUMPF Wolfgang,中村達也,山口真,浅野卓,冨士田誠之,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年03月03日
ナノ共振器・量子ドット結合系における純位相緩和の影響の検討(5)，山口真,浅野卓,小島一信,児島貴徳,中村達也,STUMPF Wolfgang,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年03月03日
非極性InGaN量子井戸における偏光特性(擬立方晶近似が成立しない場合)，山口敦史,小島一信，応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年03月03日
窒素堆積・剥離によるナノ共振器‐量子ドット結合系の結合状態制御，中村達也,浅野卓,小島一信,STUMPF Wolfgang,児島貴徳,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年03月03日
非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係，小島一信,山口敦史,船戸充,川上養一,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)，2010年03月03日
Impact of anti-Zeno effect on a coupled nanocavity-quantum-dot system，M. Yamaguchi,T. Asano,K. Kojima,S. Noda，2009 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2009 Conference on Quantum Electronics and Laser Science Conference, CLEO/QELS 2009，2009年11月16日
反射・PLスペクトル同時測定による量子ドット‐ナノ共振器融合系の評価，児島貴徳,STUMPF Wolfgang,小島一信,井上博揮,中村達也,浅野卓,冨士田誠之,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2009年09月08日
ナノ共振器・量子ドット強結合系における時分解スペクトルの解析，山口真,浅野卓,小島一信,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2009年09月08日
2次元フォトニック結晶ナノ共振器の反射スペクトルの理論解析，中村達也,STUMPF W,児島貴徳,小島一信,田中良典,冨士田誠之,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2009年09月08日
ナノ共振器‐量子ドット結合系におけるパーセル効果の制御，小島一信,STUMPF Wolfgang,山口真,児島貴徳,中村達也,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2009年09月08日
ナノ共振器・量子ドット強結合系における共鳴時の3番目の発光ピーク(2)，山口真,浅野卓,小島一信,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2009年03月30日
量子ドットを含んだナノ共振器・導波路結合系の基礎光学特性，小島一信,井上博揮,STUMPF Wolfgang,中村達也,山口真,児島貴徳,冨士田誠之,浅野卓,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2009年03月30日
非c面窒化物半導体量子井戸における価電子帯有効質量，小島一信,船戸充,川上養一,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2009年03月30日
2次元フォトニック結晶における新たな光パルストラップ方法の提案，井上博揮,UPHAM Jeremy,田中良典,STUMPF wolfgang,小島一信,浅野卓,野田進，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2009年03月30日
ベキ乗関数を用いたGaInNからの室温時間分解フォトルミネッセンスの解析，北川均,北川均,黒川要一,黒川要一,須藤俊英,須藤俊英,冨士田誠之,小島一信,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2008年09月02日
ナノ共振器・量子ドット強結合系における共鳴時の3番目の発光ピーク，山口真,浅野卓,小島一信,冨士田誠之,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2008年09月02日
ナノ共振器と量子ドット結合状態の動的制御(1)，小島一信,山口真,浅野卓,野田進，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2008年09月02日
非極性面InGaN量子井戸の偏光制御に関する理論検討，小島一信,加門宏章,船戸充,川上養一,長濱慎一,向井孝志，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2008年03月27日
非極性面InGaN量子井戸レーザの光学特性，小島一信,船戸充,川上養一,枡井真吾,長濱慎一,向井孝志，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2008年03月27日
InGaN量子井戸レーザの光学利得と内部電界の関係，小島一信,船戸充,川上養一,SCHWARZ U. T,SCHWARZ U. T,長濱慎一,向井孝志，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2007年09月04日
半極性・無極性InGaN量子井戸の光学的異方性に関する理論解析，小島一信,加門宏章,船戸充,川上養一，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2007年09月04日
高In組成InGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制御，川上養一,船戸充,金田昭男,上田雅也,小島一信,成川幸男,向井孝志，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2007年09月04日
半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価，上田雅也,小島一信,船戸充,川上養一,成川幸男,向井孝志，電子情報通信学会技術研究報告，2006年10月05日
半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価，上田雅也,小島一信,船戸充,川上養一,成川幸男,向井孝志，電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス，2006年09月28日
470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価，小島一信,船戸充,川上養一,シュワルツウルリヒ・T,ブラウンハラルド,長濱慎一,向井孝志，電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス，2006年09月28日
470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価，小島一信,船戸充,川上養一,シュワルツウルリヒ・T,ブラウンハラルド,長濱慎一,向井孝志，電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料，2006年09月28日
半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価，上田雅也,小島一信,船戸充,川上養一,成川幸男,向井孝志，電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス，2006年09月28日
470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価，小島一信,船戸充,川上養一,シュワルツウルリヒ・T,ブラウンハラルド,長濱慎一,向井孝志，電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス，2006年09月28日
半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価，上田雅也,小島一信,船戸充,川上養一,成川幸男,向井孝志，電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料，2006年09月28日
InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N量子井戸の光学利得とアンチガイディングファクタの実測，小島一信,船戸充,川上養一,BRAUN H,SCHWARZ U. T,長濱慎一,向井孝志，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2006年08月29日
GaN{11‐22}基板上へのGaNのホモエピタキシャル成長，上田雅也,小島一信,船戸充,川上義一,成川幸男,向井孝志，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2006年08月29日
半極性面{1122}バルクGaNにおける面内光学異方性，小島一信,加門宏章,船戸充,川上養一，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2006年03月22日
アップ・コンバージョン法によるInXGa1‐XN低次元量子構造の誘導放出ダイナミクス，小島一信,船戸充,成川幸男,向井孝志,川上養一，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2005年03月29日
メタルマスクへの微小開口作製によるInGaNの空間分解分光，金井聡庸,小島一信,船戸充,成川幸男,向井孝志,川上養一，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2005年03月29日
顕微分光法によるInGaNナノ構造の発光機構解明，川上養一,金田昭男,西塚幸司,小島一信,ZHU Y,山田大輔,MICHELETTO R,成川幸男,向井孝志，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2004年09月01日
InGaN低次元量子構造におけるホットキャリア分布，小島一信,鹿内周,船戸充,成川幸男,向井孝志,川上養一，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2004年09月01日
InGaN多重量子井戸構造におけるレーザモードとバッファ層の関係，小島一信,鹿内周,船戸充,川上養一,成川幸男,向井孝志,藤田茂夫，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2004年03月28日
InGaN多重量子井戸構造における光学利得の測定 (2)，小島一信,鹿内周,大前邦途,船戸充,川上養一,成川幸男,向井孝志,藤田茂夫，応用物理学会学術講演会講演予稿集，2003年08月30日
InGaN多重量子井戸構造におけるホットキャリアダイナミクス，鹿内周,小島一信,大前邦途,川上養一,成川幸男,向井孝志,藤田茂夫，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2003年03月27日
InGaN多重量子井戸構造における光学利得の測定，小島一信,鹿内周,川上養一,成川幸男,向井孝志,藤田茂夫，応用物理学関係連合講演会講演予稿集，2003年03月27日

社会貢献

新たな冷却方法やエネルギー輸送の実現に期待 -高効率なアンチストークス発光を示す半導体複合ナノ構造材料を発見-，2022年04月21日～
To Accelerate or Decelerate in the Light-emitting Process of Zinc-Oxide Crystals，2020年12月～
光り方を決めるのは光る頻度か光らない頻度か？～酸化亜鉛結晶の発光効率と発光寿命の相関を明示～，2020年12月～
A New Method to Measure Optical Absorption in Semiconductor Crystals，2020年10月29日～
窒化ガリウム結晶の発光量子効率と光吸収の関係を解明，2020年10月29日～
Tohoku University Teaches Old Spectroscopy New Tricks，2020年10月～
窒化ガリウムの発光を阻害する原因を突き詰める！-極低温下における発光効率計測に成功-，2020年09月～
ギガビット級高速光無線通信を実現した深紫外LEDの高速変調メカニズムを解明 -自己組織化微小LED集合体がもたらす、高発光効率と高速変調の両立-，2020年08月～
Faster LEDs for Wireless Communications from Invisible Light，2020年07月～
Breakthrough Made in Detecting Carbon Impurities in Gallium Nitride Crystals via Light，Tohoku University，2019年12月～
一億個に一つの不純物も見逃さない！ -窒化ガリウム結晶中の炭素不純物を高感度・非破壊・非接触検出-，東北大学，2019年12月～
A New Method for Quantifying Crystal Semiconductor Efficiency，Tohoku University，2019年08月～
太陽電池の材料はよく光る！？ -ペロブスカイト半導体の発光量子効率計測-，東北大学，2019年08月～
Probing Semiconductor Crystals with a Sphere of Light，Tohoku University，2019年06月～
窒化ガリウムウェハの高速・高感度検査技術を確立 -分光技術を駆使した半導体の結晶欠陥計測-，東北大学，2019年05月～
Understanding high efficiency of deep ultraviolet LEDs，Tohoku University，2019年02月～
公衆衛生や生活の質的向上に寄与！～深紫外発光素子の高効率動作メカニズムを解明～，東北大学，2019年01月～

委員歴

学協会，Scientific reports，Editorial board member，2022年～継続中
学協会，ナノテスティング学会，企画運営委員会委員，2022年～継続中
学協会，光電相互変換第125委員会，幹事委員，2018年～継続中
学協会，ICNS-14 論文委員会，委員，2023年～ 2023年
学協会，ICNS-14 出版委員会，庶務委員，2023年～ 2023年
学協会，応用物理学会，応用物理編集委員，2021年～ 2023年
学協会，IWN2022 論文委員会，委員，2022年～ 2022年
学協会，応用物理学会，代議員，2017年～ 2021年
学協会，CSW2019 論文委員会，委員，2019年～ 2019年
学協会，ICNS-13 論文委員会，委員、ランプセッションオーガナイザ，2019年～ 2019年
学協会，IWN2018 出版委員会，委員，2018年～ 2018年
学協会，ICNS2017 論文委員会，委員，2017年～ 2017年
学協会，IWUMD2017 論文委員会，委員，2017年～ 2017年
学協会，SSDM 論文委員会，委員，2014年～ 2016年
学協会，SSDM2012 実行委員会，委員、ショートコースオーガナイザ，2012年～ 2012年

基本情報

研究

社会活動

その他の活動

小島　一信

経歴

研究内容・専門分野

所属学会

論文

MISC

著書

特許・実用新案・意匠

受賞

講演・口頭発表等

社会貢献

委員歴

基本情報

研究

社会活動

その他の活動

小島 一信

経歴

研究内容・専門分野

所属学会

論文

MISC

著書

特許・実用新案・意匠

受賞

講演・口頭発表等

社会貢献

委員歴

小島　一信