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片山　俊治
Katayama Toshiharu
片山　俊治
Katayama Toshiharu
学際大学院機構，特任教授

所属学会 1

  1. 応用物理学会

論文 29

  1. Effect of ultrathin top silicon layers on the X-ray photoelectron emission from the buried oxide in silicon-on-insulator wafers

    Toshiharu Katayama, Hidekazu Yamamoto, Masahiko Ikeno, Yoji Mashiko, Satoru Kawazu, Masataka Umeno

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters　Vol. 38　No. 9 A/B　p. L1058-L1061　1999年9月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  2. Accurate thickness determination of both thin SiO<inf>2</inf> on Si and thin Si on SiO<inf>2</inf> by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy

    Toshiharu Katayama, Hidekazu Yamamoto, Masahiko Ikeno, Yoji Mashiko, Satoru Kawazu, Masataka Umeno

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 38　No. 7 B　p. 4172-4179　1999年7月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  3. Elimination of X-ray photoelectron diffraction effect of Si(100) for accurate determination of SiO<inf>2</inf> overlayer thickness

    Toshiharu Katayama, Hidekazu Yamamoto, Masahiko Ikeno, Yoji Mashiko, Satoru Kawazu, Masataka Umeno

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters　Vol. 38　No. 7 A　p. L770-L773　1999年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  4. Kikuchi-band analysis of X-ray photoelectron diffraction fine structure of Si(100) by precise angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy

    Toshiharu Katayama, Hidekazu Yamamoto, Yoji Mashiko, Hiroshi Koyama, Satoru Kawazu, Masataka Umeno

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　Vol. 38　No. 3 A　p. 1547-1552　1999年　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  5. Effect of carbon on boron diffusion and clustering in silicon: Temperature dependence study

    Y. Tu, Y. Shimizu, Y. Kunimune, Y. Shimada, T. Katayama, T. Ide, M. Inoue, F. Yano, K. Inoue, Y. Nagai

    Journal of Applied Physics　2018年10月21日　研究論文（学術雑誌）

  6. Blocking of deuterium diffusion in poly-Si/Al2O3/HfxSi1-xO2/SiO2 high- k stacks as evidenced by atom probe tomography

    Y. Tu, B. Han, Y. Shimizu, Y. Kunimune, Y. Shimada, T. Katayama, T. Ide, M. Inoue, F. Yano, K. Inoue, Y. Nagai

    Applied Physics Letters　Vol. 112　No. 3　p. 032902-032902　2018年1月15日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

  7. Quantitative analysis of hydrogen in SiO2/SiN/SiO2 stacks using atom probe tomography

    Yorinobu Kunimune, Yasuhiro Shimada, Yusuke Sakurai, Masao Inoue, Akio Nishida, Bin Han, Yuan Tu, Hisashi Takamizawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Fumiko Yano, Yasuyoshi Nagai, Toshiharu Katayama, Takashi Ide

    AIP ADVANCES　Vol. 6　No. 4　2016年4月　研究論文（学術雑誌）

  8. Analysis of Junction Leakage Current Failure of Nickel Silicide Abnormal Growth Using Advanced Transmission Electron Microscopy

    Shuichi Kudo, Yukinori Hirose, Tadashi Yamaguchi, Keiichiro Kashihara, Kazuyoshi Maekawa, Koyu Asai, Naofumi Murata, Toshiharu Katayama, Kyoichiro Asayama, Nobuyoshi Hattori, Toru Koyama, Koji Nakamae

    IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　Vol. 27　No. 1　p. 16-21　2014年2月　研究論文（学術雑誌）

  9. Study of formation mechanism of nickel silicide discontinuities in high-performance complementary metal–oxide–semiconductor devices

    Kudo Shuichi, Hirose Yukinori, Ogawa Yoshifumi, Yamaguchi Tadashi, Kashihara Keiichiro, Murata Naofumi, Katayama Toshiharu, Hattori Nobuyoshi, Koyama Toru, Nakamae Koji

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 53　No. 2　p. 21301-21301　2014年2月　研究論文（学術雑誌）

  10. A simple visualizing technique of impurity diffusion layer using porous silicon phenomena

    N. Yamaguchiya, Y. Hirose, N. Nakanishi, H. Maeda, E. Yoshida, T. Katayama, T. Koyama

    IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings　2012年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  11. Analysis of hot carrier degradation of lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor under gate pulse stress

    Keiichi Furuya, Tetsuya Nitta, Toshiharu Katayama, Kenichi Hatasako, Takashi Kuroi, Shigeto Maegawa

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 49　No. 4 PART 2　p. 04DP12-1〜5　2010年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  12. Three-Dimensional Visualization Technique for Crystal Defects in High Performance p-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors with Embedded SiGe Source/Drain

    Kudo Shuichi, Nakanishi Nobuto, Hirose Yukinori, Sato Kazuhiko, Yamashita Tomohiro, Oda Hidekazu, Kashihara Keiichiro, Murata Naofumi, Katayama Toshiharu, Asayama Kyoichiro, Komori Junko, Murakami Eiichi

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 49　No. 4 PART 2　p. 04DA22-04DA22　2010年4月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  13. Study of formation mechanism of nickel silicide discontinuities in high performance CMOS devices

    S. Kudo, Y. Hirose, T. Futase, Y. Ogawa, T. Yamaguchi, K. Kihara, K. Kashihara, N. Murata, T. Katayama, K. Asayama, E. Murakami

    IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings　p. 311-316　2009年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  14. Necessity of pulse hot carrier evaluation in suppressing self-heating effect for SOI smart power

    T. Nitta, S. Yanagi, T. Igarashi, K. Hatasako, S. Maegawa, K. Furuya, T. Katayama

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　p. 84-87　2009年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  15. Cu汚染起因ピット不良の評価と水素アニールおよびエピタキシャル成長による改善

    山本 秀和, 木村 泰広, 松川 和人, 片山 俊治, 福本 晃二, 益子 洋治

    電気化学および工業物理化学 : denki kagaku　Vol. 76　No. 9　p. 661-665　2008年9月　研究論文（学術雑誌）

  16. Influence of electron shading on highly selective SiO2 to Si etching

    K Yonekura, T Katayama, T Maruyama, N Fujiwara, H Miyatake

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS　Vol. 18　No. 1　p. 176-180　2000年1月　研究論文（学術雑誌）

  17. Influence of silicon surface integrity on device yield

    Yasuhiro Kimura, Hideki Naruoka, Morihiko Kume, Toshiharu Katayama, Hidekazu Yamamoto, Yoji Mashiko

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　Vol. 3510　p. 169-177　1998年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  18. Detection of gate oxide defects using electrochemical wet etching in KOH: H2O solution

    N. Ohtani, T. Katayama, H. Yamamoto, H. Koyama

    Proceedings of the 23rd International Symposium for Testing and Failure Analysis　p. 279-283　1997年10月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  19. Effects of the oxidation process on the electrical characteristics of oxidized nitride films

    M. K. Mazumder, T. Katayama, K. Kobayashi, Y. Mashiko, H. Koyama, A. Yasuoka

    Applied Physics Letters　Vol. 69　No. 8　p. 1140-1142　1996年8月19日　研究論文（学術雑誌）

  20. Ultrathin silicon nitride films fabricated by single-wafer processing using an SiH<inf>2</inf>Cl<inf>2</inf>-NH<inf>3</inf>-H<inf>2</inf> system and in situ H<inf>2</inf> cleaning

    Kiyoteru Kobayashi, Yutaka Inaba, Tamotsu Ogata, Toshiharu Katayama, Hajime Watanabe, Yasuji Matsui, Makoto Hirayama

    Journal of the Electrochemical Society　Vol. 143　No. 4　p. 1459-1464　1996年4月　研究論文（学術雑誌）

  21. Disk-shaped stacked capacitor cell for 256 Mb dynamic random-access memory

    Toshinori Morihara, Yoshikazu Ohno, Takahisa Eimori, Toshiharu Katayama, Shinichi Satoh, Tadashi Nishimura, Hirokazu Miyoshi

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 33　No. 8 R　p. 4570-4575　1994年8月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  22. Newly designed planar stacked capacitor cell with high dielectric constant film for 256Mbit DRAM

    T. Eimori, Y. Ohno, H. Kimura, J. Matsufusa, S. Kishimura, A. Yoshida, H. Sumitani, T. Maruyama, Y. Hayashide, K. Morizumi, T. Katayama, M. Asakura, T. Horikawa, T. Shibano, H. Itoh, K. Sato, K. Namoba

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting　p. 631-634　1993年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  23. Low-temperature (625°C) silicon epitaxial growth on silicon substrates heated-up in SiH<inf>4</inf> atmosphere

    K. Kobayashi, K. Fukumoto, T. Katayama, T. Higaki, H. Abe

    Conference on Solid State Devices and Materials　p. 17-19　1992年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  24. A new failure mechanism related to grain growth in DRAMs

    T. Katayama, Y. Mashiko, J. Mitsuhashi, T. Koyama, K. Tsukamoto, S. Ikeda, A. Nakayama, H. Koyama, N. Tsubouchi

    Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium)　p. 183-187　1991年4月　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  25. A highly reliable multilevel interconnection process for 0.6μm CMOS devices

    Y. Takata, A. Ishii, M. Matsuura, A. Ohsaki, M. Iwasaki, J. Miyazaki, N. Fujiwara, J. Komori, T. Katayama, S. Nakao, H. Kotani

    1991 Proceedings 8th International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, VMIC 1991　p. 13-19　1991年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  26. Deposition of polycrystalline silicon by rapid thermal CVD and its application to direct contact to TiSi<inf>2</inf>

    T. Yamaguchi, H. Itoh, T. Katayama, K. Tsukamoto, Y. Akasaka

    Conference on Solid State Devices and Materials　p. 132-134　1991年　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  27. Hybridization of 3d states of photodoped Cu in amorphous GeSe2 by resonant photoemission spectroscopy

    Koichi Inoue, Toshiharu Katayama, Mitsuaki Kobayashi, Koji Kawamoto, Kazuo Murase

    Physical Review B　Vol. 42　No. 8　p. 5154-5158　1990年　研究論文（学術雑誌）

  28. Practical results of photomask repair using focused ion beam technology

    K. Saitoh, H. Onoda, H. Morimoto, T. Katayama, Y. Watakabe, T. Kato

    Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures　Vol. 6　No. 3　p. 1032-1032　1988年5月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：American Vacuum Society

  29. Electronic structures of GeSe2 in crystalline, amorphous, and Ag-photodoped amorphous phases studied by photoemission and optical spectra

    Koichi Inoue, Toshiharu Katayama, Koji Kawamoto, Kazuo Murase

    Physical Review B　Vol. 35　No. 14　p. 7496-7504　1987年　研究論文（学術雑誌）

MISC 2

  1. Guest Editorial Special Section on the 2016 International Symposium on Semiconductor Manufacturing

    Toshiharu Katayama

    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing　Vol. 30　No. 4　p. 315-316　2017年11月1日

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  2. 企業リポート 半導体デバイスの高度化を支える評価解析技術

    片山 俊治

    生産と技術　Vol. 63　No. 3　p. 50-54　2011年

    出版者・発行元：生産技術振興協会

講演・口頭発表等 17

  1. Detection of gate oxide defects using electrochemical wet etching in KOH: H2O solution

    N. Ohtani, T. Katayama, H. Yamamoto, H. Koyama

    Proceedings of the 23rd International Symposium for Testing and Failure Analysis　1997年10月

  2. 8a-C21-3 Effect of carbon on boron clustering and diffusion in silicon studied by atom probe tomography

    Yuan Tu, Yasuo Shimizu, Masao Inoue, Yorinobu Kunimune, Yasuhiro Shimada, Toshiharu Katayama, Takashi Ide, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    第78回応用物理学会学術講演会　2017年9月8日

  3. 20p-S221-3 Al2O3中の水素分布評価 ー熱処理温度依存性ー

    清水康雄, 韓斌, 涂远, 井上耕治, 矢野史子, 井上真雄, 国宗依信, 島田康弘, 片山俊治, 井手隆, 永井康介

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月20日

  4. 13pmE_M2-03 ［100］入射STEM-CBEDを用いたパワーMOSデバイスの歪み解析技術

    中西伸登, 河上恵, 廣瀬幸範, 朝山匡一郎, 片山俊治

    日本顕微鏡学会第70回記念学術講演会　2014年5月13日

  5. 13a-F5-6 硬X線光電子分光によるバイアス印加MOS界面の電子状態解析

    篠原稔宏, 豊田智史, 堀場弘司, 尾嶋正治, 片山俊治, 助川孝江, 池永英司

    第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月13日

  6. 18p-A1-1 電圧印加MOS構造のoperando放射光光電子分光による界面準位密度分布の解析

    篠原稔宏, 豊田智史, 組頭広志, 尾嶋正治, 片山俊治, 助川孝江, 劉紫園

    第59回応用物理学関連講演会　2012年3月18日

  7. 1p-J-3 シリコンの価電子帯分散構造の2 軸引っぱり歪みによる変化

    武田さくら, 田畑裕貴, 坂田智裕, アヨブ ヌル イダユ, 前島尚行, 松岡弘憲, 稲岡毅, 有馬健太, 澤野憲太郎, 手塚勉, 片山俊治, 吉丸正樹, 今村健, 大門寛

    第72回 応用物理学会学術講演会　2011年9月1日

  8. 22pRC-10 高温熱処理が空間電荷層中の電子状態に及ぼす影響(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))

    坂田 智裕, 武田 さくら, イダユ ヌル, 田畑 裕貴, 松岡 弘憲, 森田 誠, 手塚 勉, 片山 俊治, 吉丸 正樹, 大門 寛

    日本物理学会講演概要集 66(2)　2011年8月24日

  9. 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))

    武田 さくら, 田畑 裕貴, 坂田 智裕, Ayob Nur Idayu, 有馬 健太, 澤野 憲太郎, 稲岡 毅, 手塚 勉, 片山 俊治, 吉丸 正樹, 今村 健, 大門 寛

    日本物理学会講演概要集 66(2)　2011年8月24日

  10. 高分解能角度分解光電子分光測定によるGe(110)表面の電子状態と有効質量の決定

    松岡 弘憲, 武田 さくら, 森田 誠, 田畑 裕貴, 橋本 美絵, 服部 賢, 大門 寛, 吉丸 正樹, 片山 俊治, 手塚 勉

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 第16回研究会研究報告　2011年1月23日

  11. 28p-ZH-2 EUPSで測定したHfSiON/Siのバンド曲がりの膜厚依存性

    富江敏尚, 葛西彪, 岩住ひろ美, 片山俊治, 井上真雄, 朝山匡一郎

    第54回応用物理学関係連合講演会　2007年3月28日

  12. 29a-PB-3 光電子回折効果を考慮したSiO2/Si(100)系の角度依存XPS評価

    片山俊治, 山本秀和, 梅野正隆

    第45回応用物理学関係連合講演会　1998年3月29日

  13. 2p-N-2 Cuデコレーション／SEMによる鏡面研磨工程起因の酸化膜耐圧不良部の観察

    成岡英樹, 片山俊治, 山本秀和, 小山浩

    第58回応用物理学会学術講演会　1997年10月2日

  14. 9a-PB-20 多結晶シリコン薄膜上に形成した陽極酸化膜の評価

    大谷尚子, 片山俊治, 山本秀和, 小山浩

    第57回応用物理学会学術講演会　1996年9月9日

  15. 2a-K-10 アモルファスGeSe_2にフォトドープした銅の電子状態

    井上 恒一, 片山 俊治, 小林 光明, 川本 浩司, 邑瀬 和生

    年会講演予稿集　1990年

  16. 2p-F-10 アモルファスGeSe_2のVUV反射スペクトル

    井上 恒一, 片山 俊治, 邑瀬 和生

    秋の分科会予稿集　1985年

  17. 1p-D1-7 アモルファスGeSe_2の内殻励起子(半導体(アモルファス・ナローギャップ))

    井上 恒一, 小林 光明, 邑瀬 和生, 片山 俊治

    年会講演予稿集　1985年