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原 征大
Masahiro HARA
原 征大
Masahiro HARA
機関リポジトリ
工学研究科　附属フューチャーイノベーションセンター，助教

keyword 金属/半導体界面，ワイドギャップ半導体

機関リポジトリ

経歴 3

  1. 2025年4月 ～ 継続中
    大阪大学　大学院工学研究科　助教

  2. 2024年4月 ～ 2025年3月
    大阪大学　大学院工学研究科　特任研究員（日本学術振興会特別研究員（PD））

  3. 2021年4月 ～ 2024年3月
    京都大学　大学院工学研究科　日本学術振興会特別研究員（DC1）

学歴 3

  1. 京都大学　大学院工学研究科　電子工学専攻

    2021年4月 ～ 2024年3月

  2. 京都大学　大学院工学研究科　電子工学専攻

    2019年4月 ～ 2021年3月

  3. 京都大学　工学部　電気電子工学科

    2015年4月 ～ 2019年3月

所属学会 2

  1. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会

  2. 応用物理学会

研究内容・専門分野 1

  1. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

受賞 8

  1. 令和5年度 吉田研究奨励賞

    原征大　京都大学大学院工学研究科　2023年7月

  2. 2022年度 研究グラント成果報告会 優秀研究発表者賞

    原 征大　京都大学大学院工学研究科 先端光・電子デバイス創成学卓越大学院　2023年4月

  3. 第330回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会 発表奨励賞

    原征大　2022年1月

  4. Best Oral Presentation Award

    Masahiro Hara　The 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020/2021　2021年10月

  5. 令和3年度 馬詰研究奨励賞

    原征大　京都大学大学院工学研究科　2021年7月

  6. 第46回(2019年春季) 応用物理学会 講演奨励賞

    原征大　2019年9月

  7. 第8回パワーエレクトロニクスサマースクール 奨励賞

    原征大　つくばイノベーションアリーナ(TIA)　2019年8月

  8. 令和元年度 吉田卒業研究・論文賞

    原征大　京都大学大学院工学研究科　2019年7月

論文 17

  1. GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

    Masahiro Hara, Takuma Kobayashi, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 2　2025年1月15日　研究論文（学術雑誌）

  2. Impacts of post-deposition annealing on hole trap generation at SiO2/p-type GaN MOS interfaces

    Kazuki Tomigahara, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 8　p. 081002-081002　2024年8月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  3. Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces

    Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 171　2024年3月1日　研究論文（学術雑誌）

  4. Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes

    Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Letters　Vol. 120　No. 17　2022年4月25日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{AIP} Publishing

  5. Forward thermionic field emission transport and significant image force lowering caused by high electric field at metal/heavily-doped SiC Schottky interfaces

    Masahiro Hara, Satoshi Asada, Takuya Maeda, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 13　2020年4月1日　研究論文（学術雑誌）

  6. Hydrogen passivation of electron traps and fixed charges in SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures

    Kensei Maeda, Takuma Kobayashi, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 127　No. 11　p. 112107-1-112107-5　2025年9月15日　研究論文（学術雑誌）

  7. A three-step surface treatment and its impacts on electrical properties of c- and m-face GaN/Al2O3 MOS structures

    Masahiro Hara, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Tomomi Sawada, Manami Miyamoto, Hiromi Miura, Tsunenobu Kimoto, Yasuo Koide

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 196　p. 109606-109606　2025年9月　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：Elsevier BV

  8. Performance and reliability improvements in SiC(0001) MOS devices via two-step annealing in H2/Ar gas mixtures

    Takuma Kobayashi, Hiroki Fujimoto, Shinji Kamihata, Keiji Hachiken, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 18　No. 8　p. 081002-1-081002-4　2025年8月26日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  9. Generation process of hole traps thermally induced in SiO2/GaOx/p-GaN metal-oxide-semiconductor structures

    Masahiro Hara, Kenji Hirahara, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 138　No. 5　p. 055705-1-055705-6　2025年8月5日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  10. Analysis of trap-assisted tunneling current at non-alloyed contacts formed on heavily ion-implanted n-type SiC

    Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Journal of Applied Physics　Vol. 137　No. 13　2025年4月2日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：AIP Publishing

  11. Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

    Takuma Kobayashi, Kensei Maeda, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 1　p. 012108-1-012108-4　2025年1月6日　研究論文（学術雑誌）

  12. (Invited) Tunneling Phenomena and Ohmic Contact Formation at Non-Alloyed Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces

    Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Kotaro Kuwahara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    ECS Meeting Abstracts　2024年11月22日　研究論文（国際会議プロシーディングス）

  13. Formation of ohmic contacts on heavily Al+-implanted p-type SiC without an alloying process

    Kotaro Kuwahara, Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 63　No. 5　p. 050903-050903　2024年5月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：IOP Publishing

  14. Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces

    Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 16　2023年3月1日　研究論文（学術雑誌）

  15. Enhanced tunneling current and low contact resistivity at Mg contacts on heavily phosphorus-ion-implanted SiC

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 16　2023年2月1日　研究論文（学術雑誌）

  16. Electron mobility along 〈0001〉 and 〈11̅00〉 directions in 4H-SiC over a wide range of donor concentration and temperature

    Ryoya Ishikawa, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 6　2021年6月1日　研究論文（学術雑誌）

    出版者・発行元：{IOP} Publishing

  17. Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　2021年5月1日　研究論文（学術雑誌）

講演・口頭発表等 70

  1. Characterization and Reduction of Hole Traps in GaN MOS Structures

    Masahiro Hara, Hidetoshi Mizobata, Kazuki Tomigahara, Kenji Hirahara, Yuichi Sakagami, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    248th ECS Meeting　2025年10月15日

  2. 高圧酸素熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面の正孔トラップ低減

    原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月8日

  3. Tunneling Phenomena and Ohmic Contact Formation at Non-Alloyed Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces

    Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Kotaro Kuwahara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2024　2024年10月9日

  4. PECVD-SiO2の成膜温度がp型GaN MOS界面正孔トラップに与える影響

    原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

    第85回 応用物理学会 秋季学術講演会　2024年9月19日

  5. SiO2堆積後熱処理によるp型GaN MOS界面正孔トラップ生成

    原 征大, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第85回 応用物理学会 秋季学術講演会　2024年9月19日

  6. 金属/高濃度ドープSiC非合金化界面トンネル現象の理解に基づく低抵抗オーミック接合形成

    原 征大, 北脇 武晃, 桑原 功太朗, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第251回研究集会　2024年7月11日

  7. High-Field Phenomena in SiC Material and Devices

    Tsunenobu Kimoto, Hiroki Niwa, Xilun Chi, Masahiro Hara, Ryoya Ishikawa, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko

    Symposium on Silicon Carbide as Quantum-Classical Platform　2023年9月15日

  8. Ion Implantation Technology in SiC for Advanced Electron Devices

    Mitsuaki Kaneko, Masahiro Hara, Masashi Nakajima, Qimin Jin, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Ion Implantation Technology 2022　2022年9月27日

  9. Ideal Thermionic Field Emission and Field Emission Transport through Metal/Heavily-Doped SiC Schottky Barriers

    Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020/2021　2021年10月26日

  10. 高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流および逆方向電界放出電流の発現

    原 征大, 浅田 聡志, 前田 拓也, 木本 恒暢

    第80回 応用物理学会 秋季学術講演会　2019年9月20日

  11. 高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価

    原 征大, 浅田 聡志, 前田 拓也, 木本 恒暢

    第66回 応用物理学会 春季学術講演会　2019年3月11日

  12. Strain-Relaxed Growth of GeSn Thin Films via Nanochannel Sputter Epitaxy

    Kensho Ishimaru, MasahiroHara, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    248th ECS Meeting　2025年10月15日

  13. Formation of High-Quality SiO2/Β-Ga2O3 Mos Structures by Combination of Post-Deposition and Post-Metallization Annealing

    Kensei Maeda, Takuma Kobayashi, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    248th ECS Meeting　2025年10月15日

  14. Critical role of post-deposition annealing on the improvements in SiC MOS structures formed by 2-step H /Ar annealing process

    Keiji Hachiken, Takuma Kobayashi, Hiroki Fujimoto, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025年9月17日

  15. Characterization of color centers at SiO2/SiC interfaces: Energy level identification and discussion of their origins

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Masahiro Hara, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025年9月17日

  16. Theoretical study of group III–VII impurity-vacancy centers in 4H-SiC as a potential qubit

    Sosuke Iwamoto, Masahiro Hara, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025年9月17日

  17. Impact of oxidation temperature on the formation and annihilation of color centers at SiO2/SiC interfaces

    Yu Kaneko, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025年9月16日

  18. Fabrication of high-performance SiC MOSFETs via 2-step annealing in H2/Ar gas mixtures: A novel method without interface nitridation

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Shinji Kamihata, Keiji Hachiken, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025年9月15日

  19. 極薄酸化膜ナノチャネルを用いたスパッタエピタキシーによるSi基板上GeSn薄膜の成長

    石丸 賢昇, 原 征大, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月8日

  20. 第一原理計算による4H-SiC中不純物-空孔ペアの光学特性評価

    岩本 蒼典, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月9日

  21. SiC 基板の伝導型が SiO2/SiC 界面発光中心の形成過程に及ぼす影響

    兼子 悠, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月9日

  22. SiO2/SiC界面発光中心のエネルギー準位の同定及び起源の考察

    大西 健太郎, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月9日

  23. 2 段階水素熱処理により形成した SiC MOS 構造の熱安定性評価

    栫 隆人, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月9日

  24. 2 段階水素熱処理による SiC MOS 構造改善：絶縁膜堆積後処理の効果

    八軒 慶慈, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月9日

  25. 2段階水素熱処理によるSiC MOS構造改善：SiC表面水素処理の効果

    伊賀 智志, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月9日

  26. 2 段階水素熱処理によるSiC MOSFETの性能向上: 窒化排除の新提案

    藤本 博貴, 小林 拓真, 神畠 真治, 八軒 慶慈, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月9日

  27. SiO2/GaN界面へのMg含有薄膜導入による正孔トラップ低減

    阪上 優一, 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月8日

  28. GaOx界面層挿入がn型GaNショットキー接合の障壁高さに与える影響

    坂居 瞭, 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月8日

  29. 量子技術への応用に向けた β-Ga2O3 中炭素-空孔ペアの第一原理計算

    山田 亮太, 岩本 蒼典, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  30. SiO2/β-Ga2O3 構造への熱処理が界面特性と基板ドナー密度に及ぼす影響

    森田 拓実, 小林 拓真, 前田 兼成, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  31. SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の界面及び膜中欠陥に対する希釈水素熱処理の効果

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  32. Reduction of hole traps in GaN MOS structures by introducing Mg atoms near SiO2/GaN interfaces

    Yuichi Sakagami, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025年7月7日

  33. Tunneling current in Schottky structures formed on heavily doped n-type GaN

    Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025年7月10日

  34. Thermal generation rate of hole traps in GaN MOS structures

    Masahiro Hara, Kenji Hirahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025年7月8日

  35. 熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度

    原 征大, 平原 賢治, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025年3月17日

  36. 絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の形成

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

    第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025年3月16日

  37. n型SiC上低抵抗Tiオーミック電極の形成

    前田 恵史郎, 桑原 功太朗, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会　2024年11月25日

  38. 低温PECVDにより作製したSiO2/p型GaN MOS構造における正孔トラップの評価

    原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会　2024年11月26日

  39. 酸素及び窒素熱処理によるSiO2/β-Ga2O3 MOS構造の高品質化

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会　2024年11月25日

  40. Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer

    Hidetoshi Mizobata, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2024　2024年11月4日

  41. Crystal-face-dependent electron trapping behavior under high-field stress in Al2O3/GaN MOS structures fabricated through a dummy SiO2 process

    Masahiro Hara, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Manami Miyamoto, Hiromi Miura, Yoshihiro Irokawa, Tsunenobu Kimoto, Yasuo Koide

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2024　2024年11月5日

  42. Formation of Ti-based ohmic contacts on n-type SiC with ρC= 6*10^{-8} Ωcm^2

    Keishiro Maeda, Kotaro Kuwahara, Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024　2024年10月2日

  43. 金属/高濃度ドープSiC界面トンネル現象の理解に基づく非合金化オーミック接触のコンタクト抵抗低減

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  44. Sイオン注入SiCショットキー障壁ダイオードにおける電気伝導機構の解析

    高安 愛登, 松岡 大雅, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  45. 高濃度Alイオン注入p型SiC上の非合金化オーム性電極の形成

    桑原 功太朗, 北脇 武晃, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023年11月30日

  46. Formation of non-alloyed ohmic contacts on heavily Al+-implanted p-type SiC

    Kotaro Kuwahara, Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023　2023年9月21日

  47. Reduction of contact resistivity at non-alloyed SiC ohmic contacts based on understanding of tunneling phenomena

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023　2023年9月21日

  48. Carrier transport and barrier height of S+-implanted SiC Schottky barrier diodes

    Manato Takayasu, Taiga Matsuoka, Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023　2023年9月21日

  49. 高濃度Pイオン注入による金属/SiC非合金化界面におけるコンタクト抵抗低減

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第70回 応用物理学会 春季学術講演会　2023年3月16日

  50. 高濃度Pイオン注入SiC上ショットキー接合におけるトラップアシストトンネルによる電流増大とコンタクト抵抗低減

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月21日

  51. 高濃度ドープp型SiCショットキー障壁ダイオードの電気的特性に対するスプリットオフバンドの影響

    北脇 武晃, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月20日

  52. 金属/高濃度ドープp型SiCショットキー界面におけるトンネル電流に対するスプリットオフバンドの影響

    北脇 武晃, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第83回 応用物理学会 秋季学術講演会　2022年9月22日

  53. 高濃度Pイオン注入SiC上ショットキー障壁におけるトラップアシストトンネル電流の解析

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第83回 応用物理学会 秋季学術講演会　2022年9月22日

  54. Contribution of a split-off band to tunneling current in heavily-doped p-type SiC Schottky barrier diodes

    Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022　2022年9月14日

  55. Enhanced tunneling current at Schottky contacts formed on heavily P+-implanted SiC

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022　2022年9月13日

  56. 4H-SiCにおける電子移動度および正孔移動度の異方性

    石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022年3月25日

  57. 様々なドーピング密度を有するSiCショットキー障壁ダイオードにおけるキャリア輸送機構の電界強度依存性

    原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021年12月10日

  58. 4H-SiCにおける電子移動度の異方性の起源

    石川諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021年12月9日

  59. Anisotropy of electron mobility in 4H-SiC over wide ranges of donor concentration and temperature

    Ryoya Ishikawa, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020/2021　2021年10月26日

  60. High electron mobility along the c-axis in 4H-SiC

    石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    IEEE EDS 第21回関西コロキアム電子デバイスワークショップ　2021年9月28日

  61. 金属/高濃度ドープSiCショットキー界面における電気伝導機構の解析

    原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第82回 応用物理学会 秋季学術講演会　2021年9月12日

  62. 4H-SiCにおける電子移動度の異方性

    石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第82回 応用物理学会 秋季学術講演会　2021年9月10日

  63. 高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さの解析

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第330回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会　2021年7月12日

  64. 4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の測定と解析

    石川 諒弥, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会　2020年12月9日

  65. High electron mobility along the c-axis in 4H-SiC

    Ryoya Ishikawa, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials　2020年9月29日

  66. Accurate Determination of Barrier Heights in Heavily-Doped SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated with Various Metals

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials　2020年9月29日

  67. 4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の評価

    石川 諒弥, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第81回 応用物理学会 秋季学術講演会　2020年9月11日

  68. 低濃度および高濃度ドープn型SiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さとキャリア輸送機構の解析

    原 征大, 浅田 聡志, 前田 拓也, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会　2019年12月4日

  69. Significant Image Force Lowering at Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces

    Masahiro Hara, Satoshi Asada, Takuya Maeda, Tsunenobu Kimoto

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors　2019年11月13日

  70. Forward Thermionic Field Emission Current and Barrier Height Lowering in Heavily-Doped 4H-SiC Schottky Barrier Diodes

    Masahiro Hara, Satoshi Asada, Takuya Maeda, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019　2019年10月2日

報道 2

  1. A new insight into ohmic contact formation on SiC: Enhanced tunneling current by ion implantation

    2023年4月

  2. High electron mobility along the c-axis in SiC: Evidence for the advantage of SiC(0001) vertical devices

    2022年3月

その他の活動内容 1

  1. 公益財団法人吉田育英会 ドクター21奨学生

    2021年4月 ～ 2024年3月

機関リポジトリ 2

大阪大学の学術機関リポジトリ（OUKA）に掲載されているコンテンツ

  1. GaOₓ interlayer-originated hole traps in SiO₂/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

    Hara Masahiro, Kobayashi Takuma, Nozaki Mikito, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 2　2025年1月15日

  2. Formation of high-quality SiO₂/β-Ga₂O₃(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

    Kobayashi Takuma, Maeda Kensei, Hara Masahiro, Nozaki Mikito, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 1　2025年1月6日