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Masahiro HARA
原 征大
Masahiro HARA
原 征大
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Graduate School of Engineering　Center for Future Innovation，Assistant Professor

keyword Metal/Semiconductor Interfaces，Wide-Bandgap Semiconductors

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Research History 3

  1. 2025/04 - Present
    The University of Osaka　Graduate School of Engineering　Assistant Professor

  2. 2024/04 - 2025/03
    The University of Osaka　Graduate School of Engineering　Specially Appointed Researcher (JSPS Research Fellow, PD)

  3. 2021/04 - 2024/03
    Kyoto University　Graduate School of Engineering　JSPS Research Fellow (DC1)

Education 3

  1. Kyoto University　Graduate School of Engineering　Department of Electronic Science and Engineering

    2021/04 - 2024/03

  2. Kyoto University　Graduate School of Engineering　Department of Electronic Science and Engineering

    2019/04 - 2021/03

  3. Kyoto University　Faculty of Engineering　School of Electrical & Electronic Engineering

    2015/04 - 2019/03

Professional Memberships 2

  1. The Japan Society of Applied Physics, Advanced Power Semiconductors Division

  2. The Japan Society of Applied Physics

Research Areas 1

  1. Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering) / Electric/electronic material engineering /

Awards 8

  1. 令和5年度 吉田研究奨励賞

    原征大　京都大学大学院工学研究科　2023/07

  2. 2022年度 研究グラント成果報告会 優秀研究発表者賞

    原 征大　京都大学大学院工学研究科 先端光・電子デバイス創成学卓越大学院　2023/04

  3. 第330回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会 発表奨励賞

    原征大　2022/01

  4. Best Oral Presentation Award

    Masahiro Hara　The 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020/2021　2021/10

  5. 令和3年度 馬詰研究奨励賞

    原征大　京都大学大学院工学研究科　2021/07

  6. 第46回(2019年春季) 応用物理学会 講演奨励賞

    原征大　2019/09

  7. 第8回パワーエレクトロニクスサマースクール 奨励賞

    原征大　つくばイノベーションアリーナ(TIA)　2019/08

  8. 令和元年度 吉田卒業研究・論文賞

    原征大　京都大学大学院工学研究科　2019/07

Papers 17

  1. GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

    Masahiro Hara, Takuma Kobayashi, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 2　2025/01/15　Research paper (scientific journal)

  2. Impacts of post-deposition annealing on hole trap generation at SiO2/p-type GaN MOS interfaces

    Kazuki Tomigahara, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 17　No. 8　p. 081002-081002　2024/08/05　Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing

  3. Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces

    Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 171　2024/03/01　Research paper (scientific journal)

  4. Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes

    Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Letters　Vol. 120　No. 17　2022/04/25　Research paper (scientific journal)

    Publisher: {AIP} Publishing

  5. Forward thermionic field emission transport and significant image force lowering caused by high electric field at metal/heavily-doped SiC Schottky interfaces

    Masahiro Hara, Satoshi Asada, Takuya Maeda, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 13　2020/04/01　Research paper (scientific journal)

  6. Hydrogen passivation of electron traps and fixed charges in SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures

    Kensei Maeda, Takuma Kobayashi, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 127　No. 11　p. 112107-1-112107-5　2025/09/15　Research paper (scientific journal)

  7. A three-step surface treatment and its impacts on electrical properties of c- and m-face GaN/Al2O3 MOS structures

    Masahiro Hara, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Tomomi Sawada, Manami Miyamoto, Hiromi Miura, Tsunenobu Kimoto, Yasuo Koide

    Materials Science in Semiconductor Processing　Vol. 196　p. 109606-109606　2025/09　Research paper (scientific journal)

    Publisher: Elsevier BV

  8. Performance and reliability improvements in SiC(0001) MOS devices via two-step annealing in H2/Ar gas mixtures

    Takuma Kobayashi, Hiroki Fujimoto, Shinji Kamihata, Keiji Hachiken, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    Applied Physics Express　Vol. 18　No. 8　p. 081002-1-081002-4　2025/08/26　Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing

  9. Generation process of hole traps thermally induced in SiO2/GaOx/p-GaN metal-oxide-semiconductor structures

    Masahiro Hara, Kenji Hirahara, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    Journal of Applied Physics　Vol. 138　No. 5　p. 055705-1-055705-6　2025/08/05　Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing

  10. Analysis of trap-assisted tunneling current at non-alloyed contacts formed on heavily ion-implanted n-type SiC

    Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Journal of Applied Physics　Vol. 137　No. 13　2025/04/02　Research paper (scientific journal)

    Publisher: AIP Publishing

  11. Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

    Takuma Kobayashi, Kensei Maeda, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 1　p. 012108-1-012108-4　2025/01/06　Research paper (scientific journal)

  12. (Invited) Tunneling Phenomena and Ohmic Contact Formation at Non-Alloyed Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces

    Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Kotaro Kuwahara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    ECS Meeting Abstracts　2024/11/22　Research paper (international conference proceedings)

  13. Formation of ohmic contacts on heavily Al+-implanted p-type SiC without an alloying process

    Kotaro Kuwahara, Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 63　No. 5　p. 050903-050903　2024/05/01　Research paper (scientific journal)

    Publisher: IOP Publishing

  14. Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces

    Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 16　2023/03/01　Research paper (scientific journal)

  15. Enhanced tunneling current and low contact resistivity at Mg contacts on heavily phosphorus-ion-implanted SiC

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 16　2023/02/01　Research paper (scientific journal)

  16. Electron mobility along 〈0001〉 and 〈11̅00〉 directions in 4H-SiC over a wide range of donor concentration and temperature

    Ryoya Ishikawa, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Applied Physics Express　Vol. 14　No. 6　2021/06/01　Research paper (scientific journal)

    Publisher: {IOP} Publishing

  17. Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Japanese Journal of Applied Physics　Vol. 60　2021/05/01　Research paper (scientific journal)

Presentations 70

  1. Characterization and Reduction of Hole Traps in GaN MOS Structures

    Masahiro Hara, Hidetoshi Mizobata, Kazuki Tomigahara, Kenji Hirahara, Yuichi Sakagami, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    248th ECS Meeting　2025/10/15

  2. 高圧酸素熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面の正孔トラップ低減

    原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/08

  3. Tunneling Phenomena and Ohmic Contact Formation at Non-Alloyed Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces

    Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Kotaro Kuwahara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2024　2024/10/09

  4. PECVD-SiO2の成膜温度がp型GaN MOS界面正孔トラップに与える影響

    原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

    第85回 応用物理学会 秋季学術講演会　2024/09/19

  5. SiO2堆積後熱処理によるp型GaN MOS界面正孔トラップ生成

    原 征大, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第85回 応用物理学会 秋季学術講演会　2024/09/19

  6. 金属/高濃度ドープSiC非合金化界面トンネル現象の理解に基づく低抵抗オーミック接合形成

    原 征大, 北脇 武晃, 桑原 功太朗, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第251回研究集会　2024/07/11

  7. High-Field Phenomena in SiC Material and Devices

    Tsunenobu Kimoto, Hiroki Niwa, Xilun Chi, Masahiro Hara, Ryoya Ishikawa, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko

    Symposium on Silicon Carbide as Quantum-Classical Platform　2023/09/15

  8. Ion Implantation Technology in SiC for Advanced Electron Devices

    Mitsuaki Kaneko, Masahiro Hara, Masashi Nakajima, Qimin Jin, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Ion Implantation Technology 2022　2022/09/27

  9. Ideal Thermionic Field Emission and Field Emission Transport through Metal/Heavily-Doped SiC Schottky Barriers

    Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020/2021　2021/10/26

  10. 高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流および逆方向電界放出電流の発現

    原 征大, 浅田 聡志, 前田 拓也, 木本 恒暢

    第80回 応用物理学会 秋季学術講演会　2019/09/20

  11. 高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価

    原 征大, 浅田 聡志, 前田 拓也, 木本 恒暢

    第66回 応用物理学会 春季学術講演会　2019/03/11

  12. Strain-Relaxed Growth of GeSn Thin Films via Nanochannel Sputter Epitaxy

    Kensho Ishimaru, MasahiroHara, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

    248th ECS Meeting　2025/10/15

  13. Formation of High-Quality SiO2/Β-Ga2O3 Mos Structures by Combination of Post-Deposition and Post-Metallization Annealing

    Kensei Maeda, Takuma Kobayashi, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    248th ECS Meeting　2025/10/15

  14. Critical role of post-deposition annealing on the improvements in SiC MOS structures formed by 2-step H /Ar annealing process

    Keiji Hachiken, Takuma Kobayashi, Hiroki Fujimoto, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025/09/17

  15. Characterization of color centers at SiO2/SiC interfaces: Energy level identification and discussion of their origins

    Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Masahiro Hara, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025/09/17

  16. Theoretical study of group III–VII impurity-vacancy centers in 4H-SiC as a potential qubit

    Sosuke Iwamoto, Masahiro Hara, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025/09/17

  17. Impact of oxidation temperature on the formation and annihilation of color centers at SiO2/SiC interfaces

    Yu Kaneko, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025/09/16

  18. Fabrication of high-performance SiC MOSFETs via 2-step annealing in H2/Ar gas mixtures: A novel method without interface nitridation

    Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Shinji Kamihata, Keiji Hachiken, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025)　2025/09/15

  19. 極薄酸化膜ナノチャネルを用いたスパッタエピタキシーによるSi基板上GeSn薄膜の成長

    石丸 賢昇, 原 征大, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/08

  20. 第一原理計算による4H-SiC中不純物-空孔ペアの光学特性評価

    岩本 蒼典, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

  21. SiC 基板の伝導型が SiO2/SiC 界面発光中心の形成過程に及ぼす影響

    兼子 悠, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

  22. SiO2/SiC界面発光中心のエネルギー準位の同定及び起源の考察

    大西 健太郎, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

  23. 2 段階水素熱処理により形成した SiC MOS 構造の熱安定性評価

    栫 隆人, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

  24. 2 段階水素熱処理による SiC MOS 構造改善：絶縁膜堆積後処理の効果

    八軒 慶慈, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

  25. 2段階水素熱処理によるSiC MOS構造改善：SiC表面水素処理の効果

    伊賀 智志, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

  26. 2 段階水素熱処理によるSiC MOSFETの性能向上: 窒化排除の新提案

    藤本 博貴, 小林 拓真, 神畠 真治, 八軒 慶慈, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/09

  27. SiO2/GaN界面へのMg含有薄膜導入による正孔トラップ低減

    阪上 優一, 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/08

  28. GaOx界面層挿入がn型GaNショットキー接合の障壁高さに与える影響

    坂居 瞭, 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/08

  29. 量子技術への応用に向けた β-Ga2O3 中炭素-空孔ペアの第一原理計算

    山田 亮太, 岩本 蒼典, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/07

  30. SiO2/β-Ga2O3 構造への熱処理が界面特性と基板ドナー密度に及ぼす影響

    森田 拓実, 小林 拓真, 前田 兼成, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/07

  31. SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の界面及び膜中欠陥に対する希釈水素熱処理の効果

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 渡部 平司

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025/09/07

  32. Reduction of hole traps in GaN MOS structures by introducing Mg atoms near SiO2/GaN interfaces

    Yuichi Sakagami, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025/07/07

  33. Tunneling current in Schottky structures formed on heavily doped n-type GaN

    Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025/07/10

  34. Thermal generation rate of hole traps in GaN MOS structures

    Masahiro Hara, Kenji Hirahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Conference on Nitride Semiconductors 2025　2025/07/08

  35. 熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度

    原 征大, 平原 賢治, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司

    第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025/03/17

  36. 絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の形成

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

    第72回 応用物理学会 春季学術講演会　2025/03/16

  37. n型SiC上低抵抗Tiオーミック電極の形成

    前田 恵史郎, 桑原 功太朗, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会　2024/11/25

  38. 低温PECVDにより作製したSiO2/p型GaN MOS構造における正孔トラップの評価

    原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会　2024/11/26

  39. 酸素及び窒素熱処理によるSiO2/β-Ga2O3 MOS構造の高品質化

    前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会　2024/11/25

  40. Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer

    Hidetoshi Mizobata, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2024　2024/11/04

  41. Crystal-face-dependent electron trapping behavior under high-field stress in Al2O3/GaN MOS structures fabricated through a dummy SiO2 process

    Masahiro Hara, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Manami Miyamoto, Hiromi Miura, Yoshihiro Irokawa, Tsunenobu Kimoto, Yasuo Koide

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2024　2024/11/05

  42. Formation of Ti-based ohmic contacts on n-type SiC with ρC= 6*10^{-8} Ωcm^2

    Keishiro Maeda, Kotaro Kuwahara, Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024　2024/10/02

  43. 金属/高濃度ドープSiC界面トンネル現象の理解に基づく非合金化オーミック接触のコンタクト抵抗低減

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/11/30

  44. Sイオン注入SiCショットキー障壁ダイオードにおける電気伝導機構の解析

    高安 愛登, 松岡 大雅, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/11/30

  45. 高濃度Alイオン注入p型SiC上の非合金化オーム性電極の形成

    桑原 功太朗, 北脇 武晃, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会　2023/11/30

  46. Formation of non-alloyed ohmic contacts on heavily Al+-implanted p-type SiC

    Kotaro Kuwahara, Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023　2023/09/21

  47. Reduction of contact resistivity at non-alloyed SiC ohmic contacts based on understanding of tunneling phenomena

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023　2023/09/21

  48. Carrier transport and barrier height of S+-implanted SiC Schottky barrier diodes

    Manato Takayasu, Taiga Matsuoka, Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023　2023/09/21

  49. 高濃度Pイオン注入による金属/SiC非合金化界面におけるコンタクト抵抗低減

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第70回 応用物理学会 春季学術講演会　2023/03/16

  50. 高濃度Pイオン注入SiC上ショットキー接合におけるトラップアシストトンネルによる電流増大とコンタクト抵抗低減

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022/12/21

  51. 高濃度ドープp型SiCショットキー障壁ダイオードの電気的特性に対するスプリットオフバンドの影響

    北脇 武晃, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022/12/20

  52. 金属/高濃度ドープp型SiCショットキー界面におけるトンネル電流に対するスプリットオフバンドの影響

    北脇 武晃, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第83回 応用物理学会 秋季学術講演会　2022/09/22

  53. 高濃度Pイオン注入SiC上ショットキー障壁におけるトラップアシストトンネル電流の解析

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第83回 応用物理学会 秋季学術講演会　2022/09/22

  54. Contribution of a split-off band to tunneling current in heavily-doped p-type SiC Schottky barrier diodes

    Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022　2022/09/14

  55. Enhanced tunneling current at Schottky contacts formed on heavily P+-implanted SiC

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022　2022/09/13

  56. 4H-SiCにおける電子移動度および正孔移動度の異方性

    石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第69回 応用物理学会 春季学術講演会　2022/03/25

  57. 様々なドーピング密度を有するSiCショットキー障壁ダイオードにおけるキャリア輸送機構の電界強度依存性

    原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021/12/10

  58. 4H-SiCにおける電子移動度の異方性の起源

    石川諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会　2021/12/09

  59. Anisotropy of electron mobility in 4H-SiC over wide ranges of donor concentration and temperature

    Ryoya Ishikawa, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020/2021　2021/10/26

  60. High electron mobility along the c-axis in 4H-SiC

    石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    IEEE EDS 第21回関西コロキアム電子デバイスワークショップ　2021/09/28

  61. 金属/高濃度ドープSiCショットキー界面における電気伝導機構の解析

    原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第82回 応用物理学会 秋季学術講演会　2021/09/12

  62. 4H-SiCにおける電子移動度の異方性

    石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第82回 応用物理学会 秋季学術講演会　2021/09/10

  63. 高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さの解析

    原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第330回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会　2021/07/12

  64. 4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の測定と解析

    石川 諒弥, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会　2020/12/09

  65. High electron mobility along the c-axis in 4H-SiC

    Ryoya Ishikawa, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials　2020/09/29

  66. Accurate Determination of Barrier Heights in Heavily-Doped SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated with Various Metals

    Masahiro Hara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials　2020/09/29

  67. 4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の評価

    石川 諒弥, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢

    第81回 応用物理学会 秋季学術講演会　2020/09/11

  68. 低濃度および高濃度ドープn型SiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さとキャリア輸送機構の解析

    原 征大, 浅田 聡志, 前田 拓也, 木本 恒暢

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会　2019/12/04

  69. Significant Image Force Lowering at Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces

    Masahiro Hara, Satoshi Asada, Takuya Maeda, Tsunenobu Kimoto

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors　2019/11/13

  70. Forward Thermionic Field Emission Current and Barrier Height Lowering in Heavily-Doped 4H-SiC Schottky Barrier Diodes

    Masahiro Hara, Satoshi Asada, Takuya Maeda, Tsunenobu Kimoto

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019　2019/10/02

Media Coverage 2

  1. A new insight into ohmic contact formation on SiC: Enhanced tunneling current by ion implantation

    2023/04

  2. High electron mobility along the c-axis in SiC: Evidence for the advantage of SiC(0001) vertical devices

    2022/03

Other 1

  1. 公益財団法人吉田育英会 ドクター21奨学生

    2021/04 - 2024/03

Institutional Repository 2

Content Published in the University of Osaka Institutional Repository (OUKA)

  1. GaOₓ interlayer-originated hole traps in SiO₂/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

    Hara Masahiro, Kobayashi Takuma, Nozaki Mikito, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 2　2025/01/15

  2. Formation of high-quality SiO₂/β-Ga₂O₃(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

    Kobayashi Takuma, Maeda Kensei, Hara Masahiro, Nozaki Mikito, Watanabe Heiji

    Applied Physics Letters　Vol. 126　No. 1　2025/01/06