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須藤 孝一

Koichi Sudoh

産業科学研究所,准教授

keyword ナノ構造,結晶成長,表面・界面

学歴

  • ~ 1999年,大阪大学,工学研究科,応用物理学
  • ~ 1999年,大阪大学
  • ~ 1993年,大阪大学,工学部,応用物理
  • ~ 1993年,大阪大学

経歴

  • 1999年 ~ ,日本学術振興会 特別研究員
  • 1999年 ~ ,Research Fellow of the Japan Society for the Promotion of Science

研究内容・専門分野

  • ナノテク・材料,薄膜、表面界面物性

所属学会

  • 日本表面科学会
  • 日本物理学会
  • 応用物理学会

論文

  • Dynamics of Poly(3-hexylthiophene) Monolayers at Solution/Graphite Interfaces,Daisuke Takajo,Hiroyasu Katsuno,Koichi Sudoh,ACS Macro Letters,American Chemical Society (ACS),Vol. 12,No. 2,p. 274-280,2023年02月06日,研究論文(学術雑誌)
  • Impact of the Air Atmosphere on Photoinduced Chain Polymerization in Self-Assembled Monolayers of Diacetylene on Graphite,Daisuke Takajo,Koichi Sudoh,Langmuir,American Chemical Society (ACS),Vol. 37,No. 19,p. 6002-6006,2021年05月18日,研究論文(学術雑誌)
  • Study on energy level bending at heterojunction of solution-processed phthalocyanine thin film and n-Si by Kelvin probe force microscopy,Ryo Ishiura,Akihiko Fujii,Makoto Arita,Koichi Sudoh,Masanori Ozaki,Organic Electronics,Elsevier BV,Vol. 78,p. 105599-105599,2020年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of Crystallographically Oriented Metastable Mg1.8Si in Mg Ion-Implanted Si,Yuki Kobayashi,Muneyuki Naito,Koichi Sudoh,Aurélie Gentils,Cyril Bachelet,Jérôme Bourçois,Crystal Growth & Design,American Chemical Society (ACS),Vol. 19,No. 12,p. 7138-7142,2019年12月04日,研究論文(学術雑誌)
  • Mechanism of Chain Polymerization in Self-Assembled Monolayers of Diacetylene on the Graphite Surface,Daisuke Takajo,Koichi Sudoh,Langmuir,American Chemical Society (ACS),Vol. 35,No. 6,p. 2123-2128,2019年02月12日,研究論文(学術雑誌)
  • Effects of Vacuum Annealing on Mechanical Properties of Gallium-implanted Silicon Nanowires,Tatsuya Fujii,Takahiro Namazu,Koichi Sudoh,Eri Miura-Fujiwara,SENSORS AND MATERIALS,MYU, SCIENTIFIC PUBLISHING DIVISION,Vol. 31,No. 3,p. 683-695,2019年,研究論文(学術雑誌)
  • Stability of Two-Dimensional Polymorphs for 10,12-Pentacosadyn-1-ol on Graphite Investigated by SPM,Daisuke Takajo,Koichi Sudoh,Applied Sciences,MDPI AG,Vol. 8,No. 4,p. 503-503,2018年03月27日,研究論文(学術雑誌)
  • Preparation of Peapod Polymer via the Supramolecular Chain Formation by Tris(spiroborate) Twin Bowl,Hiroshi Danjo,Toshi Nakagawa,Akio Morii,Yusuke Muraki,Koichi Sudoh,ACS Macro Letters,American Chemical Society (ACS),Vol. 6,No. 1,p. 62-65,2017年01月17日,研究論文(学術雑誌)
  • Uniaxial crystal growth in thin film by utilizing supercooled state of mesogenic phthalocyanine,Mihary Fiderana Ramananarivo,Takuya Higashi,Masashi Ohmori,Koichi Sudoh,Akihiko Fujii,Masanori Ozaki,APPLIED PHYSICS EXPRESS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 9,No. 6,2016年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Design and Development of Electrostatically Driven Uniaxial Tensile Test Device for Silicon Nanowires,Tatsuya Fujii,Koichi Sudoh,Shozo Inoue,Takahiro Namazu,SENSORS AND MATERIALS,MYU, SCIENTIFIC PUBLISHING DIVISION,Vol. 28,No. 2,p. 89-102,2016年,研究論文(学術雑誌)
  • Two-Dimensional Solid-State Topochemical Reactions of 10,12-Pentacosadiyn-1-ol Adsorbed on Graphite,Daisuke Takajo,Akira Inaba,Koichi Sudoh,Langmuir,American Chemical Society (ACS),Vol. 30,No. 10,p. 2738-2744,2014年03月18日,研究論文(学術雑誌)
  • Application of Silicon on Nothing Structure for Developing a Novel Capacitive Absolute Pressure Sensor,Xiuchun Hao,Sinya Tanaka,Atsuhiko Masuda,Jun Nakamura,Koichi Sudoh,Kazusuke Maenaka,Hidekuni Takao,Kohei Higuchi,IEEE Sensors Journal,Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE),Vol. 14,No. 3,p. 808-815,2014年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Two polymorphic forms of 10,12-pentacosadiyn-1-ol molecular layers on graphite transferred from an aqueous surface,Daisuke Takajo,Akira Inaba,Koichi Sudoh,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 620,p. 38-44,2014年02月,研究論文(学術雑誌)
  • INFLUENCES OF SPECIMEN SIZE AND ANNEALING TEMPERATURE ON MECHANICAL RELIABILITY OF FIB-FABRICATED SI NANOWIRES FOR NEMS,Tatsuya Fujii,Koichi Sudoh,Shozo Inoue,Takahiro Namazu,PROCEEDINGS OF THE ASME INTERNATIONAL TECHNICAL CONFERENCE AND EXHIBITION ON PACKAGING AND INTEGRATION OF ELECTRONIC AND PHOTONIC MICROSYSTEMS, 2013, VOL 1,AMER SOC MECHANICAL ENGINEERS,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Shape evolution of high aspect ratio holes on Si(001) during hydrogen annealing,K. Sudoh,R. Hiruta,H. Kuribayashi,Journal of Applied Physics,Vol. 114,No. 18,2013年11月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Nano-Scale Tensile Testing and Sample Preparation Techniques for Silicon Nanowires,Tatsuya Fujii,Koichi Sudoh,Shouichi Sakakihara,Muneyuki Naito,Shozo Inoue,Takahiro Namazu,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 52,No. 11,2013年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Interfacial reaction during dewetting of ultrathin silicon on insulator,Koichi Sudoh,Muneyuki Naito,COMPTES RENDUS PHYSIQUE,ELSEVIER FRANCE-EDITIONS SCIENTIFIQUES MEDICALES ELSEVIER,Vol. 14,No. 7,p. 601-606,2013年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Focused ion beam induced surface damage effect on the mechanical properties of silicon nanowires,Tatsuya Fujii,Takahiro Namazu,Koichi Sudoh,Shouichi Sakakihara,Shozo Inoue,Journal of Engineering Materials and Technology, Transactions of the ASME,Vol. 135,No. 4,p. 051002-8 pages,2013年,研究論文(学術雑誌)
  • DIRECT TENSILE TESTING OF SUB-100NM-SIZE SILICON NANOWIRES FABRICATED BY FIB-SAMPLING OF SON MEMBRANES,T. Fujii,K. Sudoh,S. Inoue,T. Namazu,26TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS (MEMS 2013),IEEE,p. 488-491,2013年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of silicon-on-nothing structures with extremely flat surfaces,Koichi Sudoh,Jun Nakamura,Muneyuki Naito,Kohei Higuchi,Kazusuke Maenaka,Kazusuke Maenaka,Japanese Journal of Applied Physics,The Japan Society of Applied Physics,Vol. 52,No. 7,p. 75601-075601-4,2013年01月01日
  • Anomalous decay of multilayer holes on SrTiO3(001),Mahito Yamamoto,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,Ellen D. Williams,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 82,No. 11,2010年09月,研究論文(学術雑誌)
  • A theoretical framework to obtain interface's shapes during the high-temperature annealing of high-aspect-ratio gratings,Marcos F. Castez,Roberto C. Salvarezza,Jun Nakamura,Koichi Sudoh,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 97,No. 12,2010年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous Enhancement of Scanning Tunneling Microscope-Excited Light Emission from Gold Films on Graphite Substrate,Tie-Zhu Han,Hongwen Liu,Koichi Sudoh,Ryusuke Nishitani,Hiroshi Iwasaki,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 48,No. 11,2009年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Void shape evolution and formation of silicon-on-nothing structures during hydrogen annealing of hole arrays on Si(001),K. Sudoh,H. Iwasaki,R. Hiruta,H. Kuribayashi,R. Shimizu,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 105,No. 8,p. 083536-083536,2009年04月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Smoothing of an atomically rough vicinal surface – STM observation and MC simulation,松本 喜以子,Surface Science,Vol. 602,No. 17,p. 2880-2885,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Desymmetrization of the polyhedral crystal shape of tetragonal lysozyme due to face-growth rate fluctuations,N. Hori,K. Sudoh,Hiroshi Iwasaki,Journal of Crystal Growth,Elsevier BV,Vol. 309,No. 2,p. 164-169,2007年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Evolution of One-Dimensional Gratings with High Aspect Ratios on Si(001) Surfaces by High-Temperature Annealing,Jun Nakamura,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 46,No. 11,p. 7194-7197,2007年11月06日,研究論文(学術雑誌)
  • Decay of multilayer holes on SrTiO3(001),M. Yamamoto,K. Sudoh,H. Iwasaki,Surface Science,Elsevier BV,Vol. 601,No. 5,p. 1255-1258,2007年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Molecular fluorescence from H2TBP porphyrin film on Ag substrate excited by tunneling electrons,Hongwen Liu,Ryusuke Nishitani,Yutaka Ie,Koichi Sudoh,Marek Nowicki,Tatsuo Yoshinobu,Yoshio Aso,Hiroshi Iwasaki,Ultramicroscopy,Vol. 106,p. 785-788,2006年06月01日
  • Observation of Si(100) surfaces annealed in hydrogen gas ambient by scanning tunneling microscopy,Hitoshi Kuribayashi,Masahide Gotoh,Reiko Hiruta,Ryosuke Shimizu,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 252,No. 15,p. 5275-5278,2006年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Flattening of micro-structured Si surfaces by hydrogen annealing,R Hiruta,H Kuribayashi,R Shimizu,K Sudoh,H Iwasaki,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 252,No. 15,p. 5279-5283,2006年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Step dynamics in relaxation of sharp corners on crystal surfaces,K Sudoh,H Iwasaki,H Kuribayashi,R Hiruta,R Shimizu,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 600,No. 6,p. L67-L70,2006年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Simulation method for buried oxide formation of separation by implanted oxygen structure during post-implantation thermal annealing,M Nakao,K Sudoh,H Iikawa,H Iwasaki,K Izumi,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 44,No. 4B,p. 2380-2384,2005年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Scaling behavior of island density in submonolayer growth of CaF2 on vicinal Si(111),Y. Miyata,K. Sudoh,K. Kametani,Hiroshi Iwasaki,Surface Science,Elsevier BV,Vol. 574,No. 1,p. 95-98,2005年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of SiC nanodots on Si(111) by exposure to ferrocene and annealing studied by scanning tunneling microscopy,K Kametani,K Sudoh,H Iwasaki,THIN SOLID FILMS,ELSEVIER SCIENCE SA,Vol. 467,No. 1-2,p. 50-53,2004年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Evolution of surface morphology of Si-trench sidewalls during hydrogen annealing,R Hiruta,H Kuribayashi,S Shimizu,K Sudoh,H Iwasaki,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 237,No. 1-4,p. 63-67,2004年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Numerical Study on Shape Transformation of Silicon Trenches by High-Temperature Hydrogen Annealing,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,Hitoshi Kuribayashi,Reiko Hiruta,Ryosuke Shimizu,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 43,No. 9A,p. 5937-5941,2004年09月09日,研究論文(学術雑誌)
  • Hydrogen pressure dependence of trench corner rounding during hydrogen annealing,Hitoshi Kuribayashi,Ryosuke Shimizu,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films,American Vacuum Society,Vol. 22,No. 4,p. 1406-1409,2004年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Step distribution on vicinal SrTiO3(001) surfaces,K Sudoh,H Iwasaki,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 557,No. 1-3,p. L151-L155,2004年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Investigation of Shape Transformation of Silicon Trenches during Hydrogen Annealing,Hitoshi Kuribayashi,Reiko Hiruta,Ryosuke Shimizu,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 43,No. No. 4A,p. L468-L470,2004年03月19日,研究論文(学術雑誌)
  • Step dynamics in faceting on vicinal Si(113) surfaces,K Sudoh,H Iwasaki,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 15,No. 47,p. S3241-S3253,2003年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanolithography on SiO2/Si with a scanning tunnelling microscope,H Iwasaki,T Yoshinobu,K Sudoh,NANOTECHNOLOGY,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 14,No. 11,p. R55-R62,2003年11月
  • Shape transformation of silicon trenches during hydrogen annealing,H Kuribayashi,R Hiruta,R Shimizu,K Sudoh,H Iwasaki,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A,A V S AMER INST PHYSICS,Vol. 21,No. 4,p. 1279-1283,2003年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Interface morphology of thermal-oxide/Si(001) studied by scanning tunneling microscopy,M Gotoh,K Sudoh,H Iwasaki,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,INST PURE APPLIED PHYSICS,Vol. 41,No. 12,p. 7293-7296,2002年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Electron tunneling through an Al2O3 thin film on NiAl(110) in scanning tunneling microscopy,H Iwasaki,K Sudoh,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 41,No. 12,p. 7496-7500,2002年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Selective reaction of ferrocene with Si(111) using a CaF mask,K Kametani,K Sudoh,H Iwasaki,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS,INST PURE APPLIED PHYSICS,Vol. 41,No. 11A,p. L1247-L1249,2002年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Analysis of SiO2/Si(001) interface roughness for thin gate oxides by scanning tunneling microscopy,M Gotoh,K Sudoh,H Itoh,K Kawamoto,H Iwasaki,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 81,No. 3,p. 430-432,2002年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Electron-beam-induced decomposition of SiO2 overlay on si in STM nanolithography,H Iwasaki,T Ito,M Gotoh,L Nan,K Sudoh,NANOSCALE SPECTROSCOPY AND ITS APPLICATIONS TO SEMICONDUCTOR RESEARCH,SPRINGER-VERLAG BERLIN,Vol. 588,p. 231-240,2002年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Epitaxial growth of CaF2 films on Si(111) studied by scanning tunneling microscopy,K Kametani,K Sudoh,H Iwasaki,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,INST PURE APPLIED PHYSICS,Vol. 41,No. 1,p. 250-255,2002年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Kinetics of faceting driven by attractive step-step interactions on vicinal Si(113),K Sudoh,H Iwasaki,PHYSICAL REVIEW LETTERS,AMERICAN PHYSICAL SOC,Vol. 87,No. 21,2001年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantum yield of electron-beam induced decomposition of SiO2 overlay on Si in nanolithography using a scanning tunneling microscope,T Ito,M Gotoh,K Sudoh,H Iwasaki,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,INST PURE APPLIED PHYSICS,Vol. 40,No. 10,p. 6055-6058,2001年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Electron tunneling through SiO2/Si structures in scanning tunneling microscopy,H Iwasaki,M Gotoh,K Sudoh,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS,JAPAN SOC APPLIED PHYSICS,Vol. 40,No. 8,p. 5116-5120,2001年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Roughening of the Si/SiO2 interface during SC1-chemical treatment studied by scanning tunneling microscopy,M Gotoh,K Sudoh,H Iwasaki,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,AMER INST PHYSICS,Vol. 18,No. 4,p. 2165-2168,2000年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanopit formation and manipulation of steps on Si(001) at high temperatures with a scanning tunneling microscope,K Sudoh,H Iwasaki,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,JAPAN J APPLIED PHYSICS,Vol. 39,No. 7B,p. 4621-4623,2000年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Facet growth due to attractive step-step interactions on vicinal Si(113),K Sudoh,H Iwasaki,ED Williams,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 452,No. 1-3,p. L287-L292,2000年05月
  • Current-induced step bunching on vicinal Si(111) studied by light scattering,T Yoshinobu,S Matsukawa,K Sudoh,H Iwasaki,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS,JAPAN J APPLIED PHYSICS,Vol. 39,No. 4B,p. L380-L383,2000年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Controllable Nanopit Formation on Si(001) with a Scanning Tunneling Microscope,Naotada Ueda,Koichi Sudoh,Nan Li,Tatsuo Yoshinobu,Hiroshi Iwasaki,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 38,No. Part 1, No. 9A,p. 5236-5238,1999年09月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Statistical analysis of step meandering on Si(113) miscut along a low symmetry azimuth,K Sudoh,T Yoshinobu,H Iwasaki,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 419,No. 2-3,p. 128-133,1999年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Scanning tunneling microscopy study of faceting on vicinal Si(113),K Sudoh,T Yoshinobu,H Iwasaki,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,JAPAN J APPLIED PHYSICS,Vol. 37,No. 11,p. 5870-5874,1998年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Step Fluctuations on Vicinal Si(113),K. Sudoh,T. Yoshinobu,H. Iwasaki,Ellen D. Williams,Physical Review Letters,American Physical Society (APS),Vol. 80,No. 23,p. 5152-5155,1998年06月08日,研究論文(学術雑誌)
  • Fluctuations of a single step and surface height on vicinal surfaces,K Sudoh,T Yoshinobu,H Iwasaki,N Akutsu,T Yamamoto,JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN,PHYSICAL SOC JAPAN,Vol. 65,No. 4,p. 988-991,1996年04月,研究論文(学術雑誌)
  • SCALING OF SI/SIO2 INTERFACE ROUGHNESS,T YOSHINOBU,A IWAMOTO,K SUDOH,H IWASAKI,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,AMER INST PHYSICS,Vol. 13,No. 4,p. 1630-1634,1995年07月,研究論文(学術雑誌)

MISC

  • ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いたフタロシアニン誘導体塗布薄膜の界面物性評価,正能拓馬,石裏遼,有田誠,須藤孝一,藤井彰彦,尾崎雅則,電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM),Vol. 2021,2021年
  • ケルビンプローブフォース顕微鏡によるアルキルフタロシアニン塗布薄膜の界面物性評価 II,石裏遼,正能拓馬,藤井彰彦,有田誠,須藤孝一,尾崎雅則,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
  • ケルビンプローブフォース顕微鏡によるアルキルフタロシアニン塗布薄膜の界面物性評価 III,正能拓馬,石裏遼,藤井彰彦,有田誠,須藤孝一,尾崎雅則,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 81st,2020年
  • ケルビンプローブフォース顕微鏡によるアルキルフタロシアニン塗布薄膜の界面物性評価,石裏遼,藤井彰彦,有田誠,須藤孝一,尾崎雅則,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 80th,2019年
  • 液晶性フタロシアニンを用いた単結晶薄膜の作製,藤井彰彦,東卓也,大森雅志,宇野貴志,RAMANANARIVO Mihary Fiderana,安西佑策,中谷光宏,北川貴大,須藤孝一,尾崎雅則,電子情報通信学会技術研究報告,Vol. 116,No. 392(OME2016 67-73),2017年
  • 結晶多形を示すアルキルフタロシアニンの単結晶薄膜成長,藤井彰彦,東卓也,大森雅志,宇野貴志,RAMANANARIVO Mihary Fiderana,安西佑策,中谷光宏,北川貴大,須藤孝一,尾崎雅則,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 64th,2017年
  • J2210301 微細ホールパターンの形態変化による空洞形成過程のシミュレーション,須藤 孝一,年次大会 : Mechanical Engineering Congress, Japan,一般社団法人日本機械学会,Vol. 2015,p. "J2210301-1"-"J2210301-4",2015年09月13日
  • Nano-Scale Tensile Testing and Sample Preparation Techniques for Silicon Nanowires (SELECTED TOPICS IN APPLIED PHYSICS : Nano Electronics and Devices : Characterization and Control of Nano Surfaces and Interfaces),Fujii Tatsuya,Sudoh Koichi,Sakakihara Shouichi,Japanese journal of applied physics : JJAP,The Japan Society of Applied Physics,Vol. 52,No. 11,p. 110118-1-9,2013年11月
  • 29pVC-7 原子間力顕微鏡による分子レベルでのタンパク質結晶成長メカニズムの研究(29pVC 領域12,領域9合同シンポジウム:結晶成長とアミロイド病の物理学,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理)),須藤 孝一,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 64,No. 1,p. 384-384,2009年03月03日
  • 23pXB-2 SiO_2上極薄Si層のディウェッティング過程の温度依存性(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)),須藤 孝一,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 63,No. 2,p. 855-855,2008年08月25日
  • 24pTD-1 タウマチン結晶構造への塩の影響(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長),堀 信康,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 63,No. 1,p. 874-874,2008年02月29日
  • 21aXK-9 荒れた微斜面の平坦化I-SrTiO_3のSTM観察(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長),須藤 孝一,岩崎 裕,上羽 牧夫,入澤 寿美,松本 喜以子,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 62,No. 2,p. 910-910,2007年08月21日
  • 21pXL-6 SrTio_3(001)表面における三次元穴の緩和II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長),山本 真人,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 62,No. 2,p. 918-918,2007年08月21日
  • 22pPSA-6 AFMによるタウマチン正方晶の分子分解能観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長),堀 信康,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 62,No. 2,p. 932-932,2007年08月21日
  • 21aWH-11 SrTiO_3(001)表面における三次元穴の緩和(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長),山本 真人,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 62,No. 1,p. 924-924,2007年02月28日
  • 25pPSB-2 AFMによる卵白リゾチーム斜方晶form I型結晶の観察(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)),阿南 憲法,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 61,No. 2,p. 748-748,2006年08月18日
  • 25pPSB-3 3次元核形成がもたらすリゾチーム正方晶の結晶形態のばらつき(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)),堀 信康,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 61,No. 2,p. 748-748,2006年08月18日
  • 25pPSB-40 SrTiO_3(001)表面における多層構造を形成している穴の熱緩和に関する研究(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)),山本 真人,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 61,No. 2,p. 757-757,2006年08月18日
  • 27aXJ-10 SrTiO_3(001)におけるSTM探針により作成したステップの非平衡構造の熱緩和(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長)),後藤 洋臣,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 61,No. 1,p. 862-862,2006年03月04日
  • 28pXJ-1 Si(111)微斜面におけるステップ核形成によるCaF_2薄膜の成長形態(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長)),宮里 幸司,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 61,No. 1,p. 881-881,2006年03月04日
  • 30aPS-2 AFMによる卵白リゾチーム針状結晶の観察(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長)),阿南 憲法,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 61,No. 1,p. 894-894,2006年03月04日
  • メゾ構造のアニールによる変形と制御,岩崎 裕,須藤 孝一,生産と技術,生産技術振興協会,Vol. 58,No. 4,p. 13-18,2006年
  • 21aPS-55 ステップ間相互作用が存在する系でのステップの熱平坦化のモンテカルロシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)),後藤 洋臣,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 60,No. 2,p. 768-768,2005年08月19日
  • 21aPS-2 a-SiO_2中におけるSi結晶成長のモンテカルロシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)),森影 有貴,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 60,No. 2,p. 754-754,2005年08月19日
  • 21aPS-1 Si(111)微斜面におけるCaF_2膜の成長過程(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)),宮里 幸司,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 60,No. 2,p. 754-754,2005年08月19日
  • 27aWB-4 SrTiO_3(001)表面のステップの熱緩和過程におけるステップ間相互作用の影響(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長)),後藤 洋臣,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 60,No. 1,p. 875-875,2005年03月04日
  • 27aPS-17 シリコン結晶中における酸素拡散の分子動力学シミュレーション(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)),森影 符貴,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 60,No. 1,p. 322-322,2005年03月04日
  • 24aPS-144 結晶微細構造のコーナー部分におけるステップのダイナミクス(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長)),藤村 英明,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 60,No. 1,p. 838-838,2005年03月04日
  • 24aPS-114 微斜面上でのサブモノレイヤー成長における2次元島の形成と成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長)),宮里 幸司,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 60,No. 1,p. 831-831,2005年03月04日
  • Step thermal relaxation on SrTiO3(001) surface,Hiroomi Goto,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan,Vacuum Society of Japan,Vol. 48,No. 5,p. 337-338,2005年
  • 14pXG-12 シリコン表面上に形成したトレンチ構造の側壁におけるステップの挙動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9),須藤 孝一,岩崎 裕,栗林 均,蛭田 玲子,清水 了典,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 59,No. 2,p. 822-822,2004年08月25日
  • 15aPS-48 CaF_2/Si(111) エピタキシャル成長における二次元島密度のテラス幅依存性(領域 9),宮田 譲,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 59,No. 2,p. 834-834,2004年08月25日
  • 20aPS-38 SrTiO_3(001) 表面におけるステップの揺らぎ,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 58,No. 2,p. 777-777,2003年08月15日
  • 20aPS-50 Si(111) 表面上の CaF_2 成長過程におけるステップカイネティクス,宮田 譲,亀谷 圭介,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 58,No. 2,p. 779-779,2003年08月15日
  • 20aPS-5 AFM による卵白リゾチーム結晶 (110) 面の成長観察,木村 考伸,吉信 達夫,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 58,No. 2,p. 769-769,2003年08月15日
  • 7aSN-3 SrTiO3(001)表面におけるステップの形態(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9),須藤 幸一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 57,No. 2,p. 757-757,2002年08月13日
  • シリコン表面におけるステップダイナミクスの研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1)),須藤 孝一,岩崎 裕,マテリアルインテグレ-ション,ティ-・アイ・シ-,Vol. 15,No. 7,p. 69-72,2002年07月
  • 19pRH-3 Si(113)微斜面の酸素ガスエッチング過程におけるファセット成長,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 56,No. 2,p. 749-749,2001年09月03日
  • 19pPSB-51 STMによるSi(113)表面上のCaF_2成長に関する研究,上原 直人,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 56,No. 2,p. 765-765,2001年09月03日
  • Si(111)上のCaF_2薄膜成長の走査トンネル顕微鏡観察,亀谷 圭介,須藤 孝一,岩崎 裕,真空,Vol. 44,No. 3,p. 342-342,2001年03月20日
  • SiO_2/Si(001)界面の走査トンネル顕微鏡による解析,後藤 雅秀,須藤 孝一,岩崎 裕,真空,Vol. 44,No. 3,p. 341-341,2001年03月20日
  • 28aTA-9 Si(113)表面のファセッティングにおけるステップダイナミクス,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 56,No. 1,p. 796-796,2001年03月09日
  • 24pPSA-48 CaF_2/Si(111)表面のSTM観察,須藤 孝一,亀谷 圭介,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 55,No. 2,p. 782-782,2000年09月10日
  • 24aPS-62 STMによるSi表面上における電界誘起ナノピット形成,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 55,No. 1,p. 792-792,2000年03月10日
  • 走査プローブ法による半導体表面ナノ加工,須藤 孝一,李 楠,川本 一平,吉信 達夫,岩崎 裕,電子顕微鏡,日本電子顕微鏡学会,Vol. 34,p. 173-176,1999年11月01日
  • 26aPS-45 Si(113)微斜面におけるファッセッティングのダイナミクス,須藤 孝一,岩崎 裕,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 54,No. 2,p. 823-823,1999年09月03日
  • Si(113)表面におけるステップの揺らぎ,須藤 孝一,吉信 達夫,岩崎 裕,真空,Vol. 42,No. 3,p. 421-421,1999年03月
  • 3a-YH-7 微斜面におけるステップの揺らぎと表面の揺らぎ,須藤 孝一,吉信 達夫,岩崎 裕,阿久津 典子,阿久津 泰弘,山本 隆夫,日本物理学会講演概要集. 秋の分科会,一般社団法人日本物理学会,Vol. 1994,No. 2,p. 8-8,1994年08月16日

講演・口頭発表等

  • Nano-scale morphology and hydrogenation of Si surfaces in the early phase of hydrogen annealing,R. Shimizu,H. Kuribayashi,R. Hiruta,K. Sudoh,H. Iwasaki,PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS/13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE SCIENCE/INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY,2008年
  • Time evolution of nano-scale morphology of silicon microstructure surfaces in the early phase of hydrogen annealing,Reiko Hiruta,Hitoshi Kuribayashi,Ryosuke Shimizu,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,GROUP IV SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES-2006,2007年
  • Mechanism and control technology of trench corner rounding by hydrogen annealing for highly reliable trench MOSFET,Ryosuke Shimizu,Hitoshi Kuribayashi,Reiko Hiruta,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & ICS,2006年
  • Step thermal relaxation on SrTiO3(001) surface,Hiroomi Goto,Koichi Sudoh,Hiroshi Iwasaki,Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan,2005年
  • Electron-beam-induced decomposition of SiO2 overlay on si in STM nanolithography,H Iwasaki,T Ito,M Gotoh,L Nan,K Sudoh,NANOSCALE SPECTROSCOPY AND ITS APPLICATIONS TO SEMICONDUCTOR RESEARCH,2002年
  • Scaling Analysis of a- and poly-Si Surface Roughness by Atomic Force Microscopy,T. Yoshinobu,A. Iwamoto,K. Sudoh,H. Iwasaki,Mat. Res. Soc. Symp. Proc.,1995年12月
  • Dynamic scaling in electrochemical deposition,H IWASAKI,A IWAMOTO,K SUDOH,T YOSHINOBU,FRACTAL ASPECTS OF MATERIALS,1995年