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服部　公則

Kiminori Hatsutori

基礎工学研究科　システム創成専攻，准教授

keyword トポロジカル物質，熱輸送，統計物理，スピントロニクス，量子物性，メゾスコピック物理

学歴

  • 1985年04月 ～ 1990年03月，大阪大学，大学院基礎工学研究科，物理系専攻
  • ～ 1990年，大阪大学
  • 1983年04月 ～ 1985年03月，山梨大学，工学部，電気工学科
  • ～ 1985年，山梨大学
  • 1978年04月 ～ 1983年03月，鈴鹿工業高等専門学校，電気工学科

経歴

  • 2007年04月 ～ 継続中，大阪大学，准教授
  • 1997年04月 ～ 2007年03月，大阪大学，助教授
  • 1996年04月 ～ 1997年03月，大阪大学，講師
  • 1996年 ～ 1997年，大阪大学
  • 1990年04月 ～ 1996年03月，大阪大学，助手
  • 1990年 ～ 1996年，Osaka University, Research Associate
  • 1997年 ～ ，- Osaka University, Associate Professor

研究内容・専門分野

  • 自然科学一般，半導体、光物性、原子物理

所属学会

  • 日本物理学会
  • 応用物理学会

論文

  • Real-Space Formulation of Topology for Disordered Rice–Mele Chains without Chiral Symmetry，Kiminori Hattori,Ata Yamaguchi，Journal of the Physical Society of Japan，Vol. 93，No. 4，2024年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Energy polarization and energy pumping in Rice-Mele chains，Kiminori Hattori,Kodai Ishikawa,Yuma Kaneko，Physical Review B，Vol. 107，No. 11，2023年03月02日，研究論文（学術雑誌）
  • Thermal Transport in Disordered Harmonic Chains Revisited: Formulation of Thermal Conductivity and Local Temperatures，Journal of the Physical Society of Japan，Vol. 90，No. 11，2021年10月22日，研究論文（学術雑誌）
  • Dimensional crossover of thermal transport in quantum harmonic lattices coupled to self-consistent reservoirs，Physical Review E，Vol. 102，No. 1，2020年07月08日，研究論文（学術雑誌）
  • Generalized self-consistent reservoir model for normal and anomalous heat transport in quantum harmonic chains，Physical Review E，Vol. 99，No. 6，2019年06月04日，研究論文（学術雑誌）
  • Geometrically induced broadening for phonon blocking at low temperatures，Physical Review B，Vol. 97，No. 22，2018年06月26日，研究論文（学術雑誌）
  • Chiral Surface Modes in Three-Dimensional Topological Insulators，Hattori Kiminori,Okamoto Hiroaki，Journal of the Physical Society of Japan，The Physical Society of Japan，Vol. 85，No. 5，p. 053707-1-4，2016年05月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Edge States in a Thin Film of Disordered Topological Insulator，Hattori Kiminori，Journal of the Physical Society of Japan，The Physical Society of Japan，Vol. 84，No. 4，p. 044701-1-8，2015年04月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Charge Induction and Polarization on the Surface of a Topological Insulator Due to an Emergent Gauge Field，Hattori Kiminori，Journal of the Physical Society of Japan，The Physical Society of Japan，Vol. 83，No. 3，p. 034704-1-5，2014年03月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Topological Pumping of Spin-Polarized Currents through Helical Edge States Due to Dynamically Generated Mass Gap，HATTORI Kiminori，Journal of the Physical Society of Japan，Physical Society of Japan，Vol. 82，No. 2，p. 024708-1-6，2013年02月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Quantized Spin Transport in Magnetically-Disordered Quantum Spin Hall Systems，HATTORI Kiminori，Journal of the Physical Society of Japan，The Physical Society of Japan，Vol. 80，No. 12，p. 124712-124712-5，2011年12月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Quantum Spin-Hall Effect in a Quantum Wire，Hattori Kiminori，Journal of the Physical Society of Japan，The Physical Society of Japan，Vol. 79，No. 10，p. 104709-1-104709-5，2010年10月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Spin Current Generated from a Quantum Dot Driven by Pulsed Magnetic Resonance: Real-Time Spin Dynamics，Hattori Kiminori，Journal of the Physical Society of Japan，Physical Society of Japan，Vol. 79，No. 6，p. 064706-064706-6，2010年06月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Spin-Current-Driven Spin Pumping in Rashba Spin–Orbit Coupled Systems: A Spin Torque Effect，Hattori Kiminori，Journal of the Physical Society of Japan，Physical Society of Japan，Vol. 78，No. 8，p. 084703-084703-7，2009年08月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Kondo effect on adiabatic spin pumping from a quantum dot driven by a rotating magnetic field，Hattori Kiminori，Physical Review B，The American Physical Society，Vol. 78，No. 15，p. 155321-1-155321-4，2008年10月24日，研究論文（学術雑誌）
  • Spin Pumping from Rashba Spin-Orbit-Coupled Electron Systems Driven by Electric Dipole Spin Resonance，Hattori Kiminori，Journal of the Physical Society of Japan，The Physical Society of Japan，Vol. 77，No. 3，p. 034707-034707，2008年03月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Spin pumping from finite-sized electron systems in ballistic and diffusive transport regimes，Hattori Kiminori，Physical Review B，The American Physical Society，Vol. 75，No. 20，p. 205302-1-205302-8，2007年05月02日，研究論文（学術雑誌）
  • Spin separation and spin Hall effect in quantum wires due to lateral-confinement-induced spin-orbit-coupling，Hattori Kiminori,Okamoto Hiroaki，Physical Review B，The American Physical Society，Vol. 74，No. 15，p. 155321-1-155321-6，2006年10月25日，研究論文（学術雑誌）
  • Nonequilibrium Occupancy of Dangling Bond Defects in Undoped Amorphous Silicon Studied by Subgap-Light-Induced Electron Spin Resonance，Hattori Kiminori,Abe Syuya,Okamoto Hiroaki，Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes，Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics，Vol. 43，No. 6A，p. 3297-3306，2004年06月09日，研究論文（学術雑誌）
  • Photocarrier transport in undoped microcrystalline silicon studied by the modulated photocurrent technique，Hattori K.,Murakami N.,Deguchi N.,Okamoto H.,Musa Y.，Journal of Applied Physics，American Institute of Physics，Vol. 94，No. 8，p. 5071-5071，2003年，研究論文（学術雑誌）
  • 非晶質シリコンのキャリア輸送と再結合，服部公則，応用物理，The Japan Society of Applied Physics，Vol. 71，No. 7，p. 839-845，2002年07月，研究論文（学術雑誌）
  • Burst reaction of thin films excited by high-flux soft X-rays，Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Hiroaki Okamoto,Kiminori Hattori,Haruhiko Ohashi,Eiji Ishiguro，Surface Review and Letters，Vol. 9，No. 1，p. 401-405，2002年02月，研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Tunneling-assisted thermalization and recombination of nonequilibrium carriers in localized states: Application to the frequency-resolved drift mobility in amorphous silicon，Musa Y.,Okamoto H.,Hattori K.,Hirao T.，Physical Review B，The American Physical Society，Vol. 64，No. 12，p. 125208-1-125208-15，2001年09月10日，研究論文（学術雑誌）
  • Modulated photoconductivity study of electron drift mobility in amorphous silicon，Okamoto H.,Hattori K.,Iida M.,Hirao T.，Journal of Applied Physics，American Institute of Physics，Vol. 87，No. 6，p. 2901-2909，2000年03月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Photomodulated electron-spin resonance in amorphous silicon，Okamoto H.,Hattori K.,Ota Y.,Sato K.，Journal of Applied Physics，American Institute of Physics，Vol. 84，No. 9，p. 4974-4978，1998年11月，研究論文（学術雑誌）
  • Modulated photocurrent spectroscopy of defect states in undoped a-Si:H，Kiminori Hattori,Hiroaki Okamoto,Yoshihiro Hamakawa，Journal of Non-Crystalline Solids，Elsevier BV，Vol. 198-200，p. 288-294，1996年05月，研究論文（学術雑誌）
  • Distribution of light-induced defect states in undoped amorphous silicon，Hamakawa Yoshihiro,Hattori Kiminori,Anzai Makoto,Okamoto Hiroaki，Journal of Applied Physics，American Institute of Physics，Vol. 77，No. 7，p. 2989-2992，1995年04月，研究論文（学術雑誌）
  • Fabrication of Si-As-Te amorphous semiconductor in a microgravity environment，Y. Hamakawa,W. S. Kolahi,K. Hattori,C. Sada,H. Okamoto，J. Jpn. Soc. Microgravity Appl.，Vol. 12，No. 1，p. 27-37，1995年
  • 一定光電流法によるアモルファスSiの欠陥光吸収の評価，服部公則，応用物理，The Japan Society of Applied Physics，Vol. 63，No. 10，p. 1003-1010，1994年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Modulated photoconductivity study of charged and neutral defects in undoped amorphous silicon，Hattori K.,Anzai M.,Okamoto H.,Hamakawa Y.,Adachi Y.，Journal of Applied Physics，American Institute of Physics，Vol. 76，No. 5，p. 2841-2850，1994年09月，研究論文（学術雑誌）
  • Polarized electroabsorption effect in hydrogenated amorphous silicon alloys and its implication for band edge mobility，Y. Tsutsumi,H. Okamoto,K. Hattori,Y. Hamakawa，Philosophical Magazine B，Informa UK Limited，Vol. 69，No. 2，p. 253-261，1994年02月，研究論文（学術雑誌）
  • Modulated photocarrier grating technique for diffusion length measurement in amorphous semiconductors，Okamoto H.,Ma W.,Hamakawa Y.,Hattori K.,Koji Y.,Fukuda S.，Journal of Applied Physics，American Institute of Physics，Vol. 73，No. 8，p. 3846-3851，1993年04月15日，研究論文（学術雑誌）
  • アモルファスシリコン//多結晶シリコンタンデム型太陽電池の高効率化に関する研究，IEEJ Transactions on Power and Energy，Vol. 113，No. 9，p. 1046-1052，1993年，研究論文（学術雑誌）
  • Photocurrent multiplication in a hydrogenated amorphous silicon‐basedp‐i‐njunction with ana‐SiN:H layer，M. Yoshimi,T. Ishiko,K. Hattori,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Journal of Applied Physics，AIP Publishing，Vol. 72，No. 7，p. 3186-3193，1992年10月，研究論文（学術雑誌）
  • Amorphous carbon basis blue light electroluminescent device，M. Yoshimi,H. Shimizu,K. Hattori,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Optoelectronics - Devices and Technologies -，Vol. 7，No. 1，p. 69-81，1992年06月
  • Theory of the steady-state-photocarrier-grating technique for obtaining accurate diffusion-length measurements in amorphous silicon，Kiminori Hattori,Hiroaki Okamoto,Yoshihiro Hamakawa，Physical Review B，American Physical Society (APS)，Vol. 45，No. 3，p. 1126-1138，1992年01月15日，研究論文（学術雑誌）
  • Optical approach to subband structure in a-Si quantum well，Kiminori Hattori,Hiroaki Okamoto,Yoshihiro Hamakawa，Journal of Non-Crystalline Solids，Elsevier BV，Vol. 114，p. 687-692，1989年12月，研究論文（学術雑誌）
  • Electroabsorption Study on Amorphous Si/SiC Multiple Quantum Well Heterostructures，K. Hattori,M. Tsujishita,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Optoelectronics - Devices and Technologies -，Vol. 4，No. 2，p. 155-165，1989年12月
  • Electroabsorption spectroscopy of amorphous Si/SiC quantum well structures，Hattori K.,Okamoto H.,Tsujishita M.,Hamakawa Y.，Applied Physics Letters，American Institute of Physics，Vol. 55，No. 8，p. 763-765，1989年08月21日，研究論文（学術雑誌）
  • Optical observation of subbands in amorphous silicon ultrathin single layers，Hattori K.,Okamoto H.,Mori T.,Hamakawa Y.，Applied Physics Letters，American Institute of Physics，Vol. 53，No. 22，p. 2170-2172，1988年11月28日，研究論文（学術雑誌）
  • Gap states in undoped amorphous silicon studied by below-gap modulated photocurrent spectroscopy，K. Abe,H. Okamoto,Y. Nitta,Y. Tsutsumi,K. Hattori,Y. Hamakawa，Philosophical Magazine B，Informa UK Limited，Vol. 58，No. 2，p. 171-184，1988年08月，研究論文（学術雑誌）
  • Photothermal Modulation Spectroscopy of Multilayered Structures of Amorphous Silicon and Amorphous Silicon Carbide，Okamoto H.,Hamakawa Y.,Hattori K.,Mori T.，Physical Review Letters，American Physical Society，Vol. 60，No. 9，p. 825-827，1988年02月29日，研究論文（学術雑誌）
  • Transient photocurrent study of the dangling bond centre in undoped amorphous silicon，Kiminori Hattori,Hiroaki Okamoto,Yoshihiro Hamakawa，Philosophical Magazine B，Informa UK Limited，Vol. 57，No. 1，p. 13-29，1988年01月，研究論文（学術雑誌）
  • Carrier transport property in the amorphous silicon/amorphous silicon carbide multilayer studied by the transient grating technique，Hattori K.,Okamoto H.,Mori T.,Hamakawa Y.，Applied Physics Letters，American Institute of Physics，Vol. 51，No. 16，p. 1259-1261，1987年10月19日，研究論文（学術雑誌）
  • Measurement of deep states in undoped amorphous silicon by current transient spectroscopy，H. Kida,K. Hattori,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Journal of Applied Physics，AIP Publishing，Vol. 59，No. 12，p. 4079-4086，1986年06月15日，研究論文（学術雑誌）
  • 励起エネルギー移動型の薄膜固体色素レーザ，武藤真三,芝文一,飯島啓嗣,服部公則,伊藤千秋，電子通信学会論文誌 C，電子通信学会，Vol. J69-C，No. 1，p. 25-32，1986年01月

MISC

  • Quantum Anomalous Hall Effect of Magnetic Topological Insulator Thin Films by Phase Boundary Engineering，Kiminori Hattori，arXiv:1506.03191，2015年06月，機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等
  • 8pAX-11 乱れたトポロジカル絶縁体薄膜の量子伝導(8pAX トポロジカル絶縁体(輸送・エッジ伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))，服部 公則，日本物理学会講演概要集，一般社団法人日本物理学会，Vol. 69，No. 2，p. 482-482，2014年08月22日
  • 25aDK-11 トポロジカル絶縁体表面上のカイラルエッジ状態と量子電荷誘導(トポロジカル絶縁体(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))，服部 公則，日本物理学会講演概要集，一般社団法人日本物理学会，Vol. 68，No. 2，p. 599-599，2013年08月26日
  • An extended model for the mobility edge carrier transport，H Okamoto,T Toyama,K Hattori，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 338，p. 341-344，2004年06月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • Universal frequency-dependent electronic conductivity near the mobility edge，H Okamoto,T Toyama,K Hattori，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 299，p. 346-349，2002年04月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • Tunneling-assisted thermalization and recombination of photocarriers in a-Si : H，K Hattori,Y Musa,H Okamoto，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 299，p. 546-550，2002年04月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • Frequency-resolved drift mobility in a-Si : H，K Hattori,T Hirao,M Iida,H Okamoto，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 266，No. Pt.A，p. 352-356，2000年05月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • Photoinduced structural changes in hydrogenated amorphous silicon，K Shimizu,T Tabuchi,K Hattori,H Kida,H Okamoto，AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998，MATERIALS RESEARCH SOCIETY，Vol. 507，p. 735-746，1998年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • 第 57 回応用物理学会学術講演会（1996 年）報告「非晶質」，服部公則，応用物理，Vol. 66，p. 55-56，1997年，会議報告等
  • Phenomenological scaling of optical absorption in amorphous semiconductors，H Okamoto,K Hattori,Y Hamakawa，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 200，p. 124-127，1996年05月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • POLARIZED ELECTROABSORPTION EFFECT IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON ALLOYS AND ITS IMPLICATION FOR BAND-EDGE MOBILITY，Y TSUTSUMI,H OKAMOTO,K HATTORI,Y HAMAKAWA，PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES，TAYLOR & FRANCIS LTD，Vol. 69，No. 2，p. 253-261，1994年02月
  • POLARIZED ELECTROABSORPTION AND CARRIER MOBILITIES IN AMORPHOUS SILICON ALLOYS，Y TSUTSUMI,H OKAMOTO,K HATTORI,Y HAMAKAWA，AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY-1994，MATERIALS RESEARCH SOC，Vol. 336，p. 343-351，1994年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • STUDY OF BAND-EDGE PARAMETERS IN A-SI-H ALLOYS BY POLARIZED ELECTROABSORPTION EFFECTS，Y TSUTSUMI,H YAMAMOTO,K HATTORI,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 166，p. 893-896，1993年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • HALL-EFFECT NEAR THE MOBILITY EDGE，H OKAMOTO,K HATTORI,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 164，p. 445-448，1993年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • INTERPRETATION OF CPM MEASUREMENTS IN AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS，K HATTORI,S FUKUDA,K NISHIMURA,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 164，p. 351-354，1993年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • 光キャリアグレーティング法，服部公則，応用物理，The Japan Society of Applied Physics，Vol. 61，No. 10，p. 1060-1061，1992年10月，記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
  • INVESTIGATION OF AMORPHOUS SI SUPERLATTICES BY ELECTROABSORPTION - A REVIEW，K HATTORI,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 141，No. 1-3，p. 216-226，1992年03月，記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
  • A-Si//poly-Si tandem solar cell with an efficiency exceeding 20%，W. Ma,T. Horiuchi,C.C. Lim,M. Yoshimi,S.C. De,K. Hattori,F. Belley,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Proc. 11th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf., Montreux (1992)，p. 541-544，1992年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • Toward 20% efficiency with a-Si//poly-Si tandem solar cell，M. Yoshimi,W. Ma,T. Horiuchi,C.C. Lim,S.C. De,K. Hattori,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Mat. Res. Soc. Symp. Proc.，Vol. 258，p. 845-856，1992年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • A-Si//poly-Si four terminal stacked solar cell having an efficiency more than 19%，W. Ma,T. Horiuchi,M. Yoshimi,K. Hattori,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Technical Digest of 6th Int. Photovoltaic Science and Engineering Conf., New Delhi (1992)，p. 463-468，1992年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • OBSERVATION OF TUNNELING ASSISTED PHOTOCURRENT MULTIPLICATION IN A-SIN/A-SI HETEROJUNCTION，M YOSHIMI,T ISHIKO,K HATTORI,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 137，p. 1283-1286，1991年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • A THEORETICAL CONSIDERATION ON THE ELECTROABSORPTION SPECTRA OF AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS，H OKAMOTO,K HATTORI,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 137，p. 627-630，1991年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • IMPROVEMENT OF BLUE-LIGHT EMISSION IN AMORPHOUS-CARBON BASED ELECTROLUMINESCENT DEVICE，H SHIMIZU,M YOSHIMI,K HATTORI,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 137，p. 1275-1278，1991年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • GAP-STATES AND THEIR CAPTURE-CROSS-SECTION DISTRIBUTION IN A-SI-H STUDIED BY FREQUENCY-RESOLVED PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY，K HATTORI,Y NIWANO,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 137，p. 363-366，1991年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • Theory of the steady-state-photocarrier-grating technique for obtaining accurate diffusion-length measurements in amorphous silicon，Okamoto Hiroaki,Hamakawa Yoshihiro,Hattori Kiminori，PHYSICAL REVIEW B，The American Physical Society，Vol. 45，No. 3，p. 1126-1138，1991年01月15日
  • APPROACHING 20-PERCENT EFFICIENCY WITH A-SI POLY-SI TANDEM SOLAR-CELL，W MA,T HORIUCHI,M YOSHIMI,K HATTORI,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，CONFERENCE RECORD OF THE TWENTY SECOND IEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE - 1991, VOLS 1 AND 2，I E E E，p. 1380-1384，1991年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • 量子井戸の光学的評価，服部公則，応用物理，The Japan Society of Applied Physics，Vol. 59，No. 10，p. 1369-1370，1990年10月，記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
  • Gap-states distribution in undoped a-Si:H，Y. Tsutsumi,K. Uchiyama,K. Hattori,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Technical Digest of 5th Int. Photovoltaic Science and Engineering Conf., Kyoto (1990)，p. 809-812，1990年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • TUNNELING ASSISTED PHOTOCURRENT MULTIPLICATION IN A-SI BASED P-I-SINX-I-N STRUCTURE JUNCTION，M YOSHIMI,K HATTORI,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1990，MATERIALS RESEARCH SOC，Vol. 192，p. 453-458，1990年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • Subband optical transition in amorphous silicon quantum well systems，K. Hattori,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Proc. of 2nd Int. Workshop on Physics and Applications of Amorphous Semiconductors, Torino, 1988 (World Scientific Publishing Co., 1990)，Vol. 92-107，p. 92-107，1990年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • a-Si 量子井戸中のサブバンド間光学遷移の観測，服部公則,岡本博明,浜川圭弘，日本物理学会誌，一般社団法人日本物理学会，Vol. 43，No. 11，p. 849-851，1988年11月，速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）
  • Optical Observation of Quantum-Size Effect in the Amorphous Silicon / Amorphous Silicon Carbide Multilayer，K. Hattori,T. Mori,H. Okamoto,Y. Hamakawa，Mat. Res. Soc. Symp. Proc.，Materials Research Society，Vol. 118，p. 355-360，1988年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • ENERGETIC DISTRIBUTION OF DANGLING BOND STATES IN UNDOPED AMORPHOUS-SILICON，Y NITTA,K ABE,K HATTORI,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 97-8，p. 695-698，1987年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • STUDY OF INPLANE CARRIER TRANSPORT IN A-SI-H/A-SIC-H MULTILAYERS BY TRANSIENT GRATING TECHNIQUE，K HATTORI,T MORI,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 97-8，No. Pt.2，p. 879-882，1987年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • Changes in the localized states and their trapped carrier distributions by light soaking in a-Si p-i-n junction solar cells，Y. Hamakawa,K. Hattori,K. Abe,H. Okamoto，AIP Conf. Proc.，Vol. 157，p. 95-102，1987年，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）
  • DEEP STATES DISTRIBUTION IN UNDOPED AMORPHOUS-SILICON STUDIED BY CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY，H KIDA,K HATTORI,H OKAMOTO,Y HAMAKAWA，JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS，ELSEVIER SCIENCE BV，Vol. 77-8，p. 343-346，1985年12月，研究発表ペーパー・要旨（国際会議）

著書

  • 学術書，アモルファス半導体，服部公則，培風館，1994年
  • 学術書，Current Topics in Amorphous Materials，Kiminori Hattori，Elsevier Science Publishers B. V.，1993年
  • 学術書，Advances in Disordered Semiconductors，K. Hattori,T. Mori,H. Okamoto,Y. Hamakawa，World Scientific Publishing Co.，1988年

講演・口頭発表等

  • 乱れた１次元調和格子におけるフーリエ則の厳密解析，熊取谷奨平,服部公則，第82回応用物理学会秋季学術講演会，1.1 応用物理一般・学際領域, 10a-S401-2（オンライン開催，2021年9月10日），2021年09月10日
  • 量子調和格子における熱輸送の次元クロスオーバー，三本竹将也,服部公則，第81回応用物理学会秋季学術講演会，1.1 応用物理一般・学際領域, 9a-Z22-5（オンライン開催，2020年9月9日），2020年09月09日
  • 量子調和格子における正常及び異常熱輸送，吉川美由紀,服部公則，第80回応用物理学会秋季学術講演会，22.1合同セッションM：フォノンエンジニアリング, 18a-E214-5（北海道大学札幌キャンパス，2019年9月18日），2019年09月18日
  • 自己エネルギーの幾何学的制御によるフォノン輸送抑制，中村洋平,服部公則，第79回応用物理学会秋季学術講演会，22.1合同セッションM：フォノンエンジニアリング, 20p-234B-15（名古屋国際会議場，2018年9月20日），2018年09月20日
  • 磁気的トポロジカル絶縁体薄膜の特異な相転移，服部公則，日本物理学会2015年秋季大会，領域4：トポロジカル絶縁体（関西大学千里山キャンパス，2015年9月18日），2015年09月18日
  • 乱れたトポロジカル絶縁体薄膜の量子伝導，服部公則，日本物理学会2014年秋季大会，領域4：トポロジカル絶縁体（中部大学春日井キャンパス，2014年9月8日），2014年09月08日
  • トポロジカル絶縁体表面上のカイラルエッジ状態と量子電荷誘導，服部公則，日本物理学会2013年秋季大会，領域4：トポロジカル絶縁体（徳島大学常三島キャンパス，2013年9月25日），2013年09月25日
  • ヘリカルエッジ状態の局所ギャップを介した量子ポンピング，服部公則，日本物理学会2012年秋季大会，領域4：トポロジカル絶縁体（横浜国立大学常盤台キャンパス，2012年9月20日），2012年09月20日
  • 磁気的乱れを有する量子スピンホール系におけるスピン輸送，服部公則，日本物理学会2011年秋季大会，領域4：トポロジカル絶縁体（富山大学五福キャンパス，2011年9月24日），2011年09月24日
  • 量子細線の量子スピンホール効果，服部公則，日本物理学会第66回年次大会，領域4：トポロジカル絶縁体（新潟大学五十嵐キャンパス，2011年3月26日），2011年03月26日
  • パルスESRで駆動された量子ドットからのスピンポンピング：実時間ダイナミクス，服部公則，日本物理学会2010年秋季大会，領域4：量子ドット（大阪府立大学中百舌鳥キャンパス，2010年9月24日），2010年09月24日
  • ラシュバスピン軌道結合系におけるスピンカレント駆動スピンポンピング，服部公則，日本物理学会2009年秋季大会，領域4：半導体スピン物性（熊本大学黒髪キャンパス，2009年9月27日），2009年09月27日
  • 量子ドットからの断熱的スピンポンピングにおける近藤効果，服部公則，日本物理学会2008年秋季大会，領域4：半導体スピン物性（岩手大学上田キャンパス，2008年9月22日），2008年09月22日
  • 電気双極子スピン共鳴によるラシュバ・スピン軌道結合2次元電子系からのスピンポンピング，服部公則，日本物理学会第63回年次大会，領域4：半導体スピン物性（近畿大学本部（東大阪）キャンパス，2008年3月26日），2008年03月26日
  • Rashbaスピン軌道結合2次元電子系からのスピンポンピング，服部公則，第68回応用物理学会学術講演会，17.1合同セッションE：スピントロニクス・ナノマグネティクス（北海道工業大学，2007年9月6日），2007年09月06日
  • 有限サイズ電子系からのスピンポンピング，服部公則，第54回応用物理学関連連合講演会，17.1合同セッションE：スピントロニクス・ナノマグネティクス（青山学院大学相模原キャンパス，2007年3月29日），2007年03月29日
  • 半導体量子細線におけるスピン分離とスピンホール効果の理論計算，服部公則,岡本博明，第67回応用物理学会学術講演会，17.1合同セッションE：スピントロニクス・ナノマグネティクス（立命館大学びわこくさつキャンパス，2006年8月31日），2006年08月31日
  • プロトクリスタルシリコンの光吸収とキャリア輸送，服部公則,村上直也,出口直樹,橋本悠祐,井上成央,岡本博明，第51回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.990），14.I非晶質：基礎物性・評価（2004年3月29日，東京工科大学），2004年03月29日
  • 微結晶シリコンのキャリア輸送特性：MPC評価，村上直也,服部公則,岡本博明，第64回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.810），14.1非晶質：基礎物性・評価（2003年9月1日，福岡大学七隈キャンパス），2003年09月01日
  • CPMによる微結晶シリコンの光吸収スペクトル評価，村上直也,出口直樹,撫佐宜孝,服部公則,岡本博明，第50回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.976），14.1非晶質：基礎物性・評価（2003年3月27日，神奈川大学横浜キャンパス），2003年03月27日
  • MPC法による微結晶シリコンのキャリア輸送特性評価（II），撫佐宜孝,村上直也,服部公則,岡本博明，第63回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.827），14.1非晶質：基礎物性・評価（2002年9月26日，新潟大学五十嵐キャンパス），2002年09月26日
  • 光誘起電子スピン共鳴によるa-Si:Hの欠陥評価，竹原潤,阿部修也,服部公則,岡本博明，第63回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.821），14.1非晶質：基礎物性・評価（2002年9月26日，新潟大学五十嵐キャンパス），2002年09月26日
  • アモルファス物質の光伝導，服部公則，ランダム系フォトエレクトロニクス「光伝導」シンポジウム，2002年03月29日
  • MPC法による微結晶シリコンのキャリア輸送特性評価，撫佐宜孝,木下真幸,服部公則,岡本博明，第49回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.903），14.1非晶質：基礎物性・評価（2002年3月27日，東海大学湘南校舎），2002年03月27日
  • a-Si:Hにおけるバンドテイルキャリアの緩和と再結合，撫佐宜孝,服部公則,岡本博明，第62回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.711），14.1非晶質：基礎物性・評価（2001年9月12日，愛知工業大学），2001年09月12日
  • a-Si:Hのスピン依存光電流，阿部修也,藤井宏樹,竹原潤,服部公則,岡本博明，第62回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.710），14.1非晶質：基礎物性・評価（2001年9月12日，愛知工業大学），2001年09月12日
  • a-Si:Hの光変調電子スピン共鳴，阿部修也,服部公則,岡本博明，第48回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.931），14.1非晶質：基礎物性・評価（2001年3月，明治大学駿河台キャンパス），2001年03月
  • 周波数分解TOF法によるa-Si:Hの評価，平尾知哉,服部公則,岡本博明，第61回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.806），14.1非晶質：基礎物性・評価（2000年9月5日，北海道工業大学），2000年09月05日
  • 変調光電流によるa-Si:Hの評価，平尾知哉,服部公則,岡本博明，第47回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.940），14.1非晶質：基礎物性・評価（2000年3月29日，青山学院大学青山キャンパス），2000年03月29日
  • a-Si:Hにおけるスピン依存再結合，佐藤幸治,服部公則,岡本博明，第60回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.788），14.1非晶質：基礎物性・評価（1999年9月1日，甲南大学），1999年09月01日
  • a-Si:Hにおける周波数分解ドリフト移動度，平尾知哉,服部公則,岡本博明，第60回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.788），14.1非晶質：基礎物性・評価（1999年9月1日，甲南大学），1999年09月01日
  • a-Si:Hの光電流検出電子スピン共鳴，佐藤幸治,村上竜一,服部公則,岡本博明，第46回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.963），14.1非晶質：非平衡材料物性（1999年3月28日，東京理科大学野田キャンパス），1999年03月28日
  • a-Si:Hおけるキャリア輸送特性の変調光電流評価（III），飯田真久,平尾知哉,服部公則,岡本博明，第46回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.963），14.1非晶質：非平衡材料物性（1999年3月28日，東京理科大学野田キャンパス），1999年03月28日
  • PEA法及び浮遊法によるa-Si:Hの光誘起構造変化の評価，清水耕作,服部公則,岡本博明，第59回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.817），14.1非晶質：非平衡材料物性（1998年9月15日，広島大学東広島キャンパス，1998年09月15日
  • a-Si:Hの光変調電子スピン共鳴（II），太田喜久,服部公則,岡本博明，第59回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.815），14.1非晶質：非平衡材料物性（1998年9月15日，広島大学東広島キャンパス），1998年09月15日
  • a-Si:Hにおけるキャリア輸送特性の変調光電流評価（II），飯田真久,服部公則,岡本博明，第59回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.814），14.1非晶質：非平衡材料物性（1998年9月15日，広島大学東広島キャンパス），1998年09月15日
  • 踊る電子と光子たち - エレクトロニクスの舞台裏 -，服部公則，第20回大阪大学基礎工学部公開講座「暮らしの工学」— 楽しく学ぶ先端科学技術 —，1998年08月04日
  • a-Si:Hの光変調電子スピン共鳴，太田喜之,佐藤幸治,服部公則,岡本博明，第45回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.898），14.1非晶質：非平衡材料物性（1998年3月28日，東京工科大学），1998年03月28日
  • a-Si:Hにおけるキャリア輸送特性の変調光電流評価，飯田真久,山下太郎,服部公則,岡本博明，第45回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.897），14.1非晶質：非平衡材料物性（1998年3月28日，東京工科大学），1998年03月28日
  • PEA法及び浮遊法によるa-Si:Hの光誘起構造変化の評価，清水耕作,田淵隆司,小井洋平,服部公則,岡本博明，第45回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.901），14.1非晶質：非平衡材料物性（1998年3月28日，東京工科大学），1998年03月28日
  • PEA法及びBB法によるa-Si:Hの光誘起構造変化の評価，田淵隆司,清水耕作,服部公則,岡本博明，第58回応用物理学会学術講演会（講演予稿集，p.895），14.1非晶質：非平衡材料物性（1997年10月3日，秋田大学手形キャンパス），1997年10月03日
  • a-Si:Hにおける欠陥の膜中分布評価，高田尚志,平茂治,野村英司,服部公則,岡本博明，第44回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集，p.824），14.1非晶質：非平衡材料物性，（1997年3月28日，日本大学船橋校舎），1997年03月28日
  • a-Si:Hの光吸収スペクトル測定（V）-光電流スペクトルに関する考察-，篠原純也,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第56回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（金沢工業大学，1995年8月26日），1995年08月26日
  • MPC法によるa-Si:Hの局在準位評価（V）-熱処理効果-，安西誠,高田尚史,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第42回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（東海大学湘南校舎，1995年3月29日），1995年03月29日
  • MPC法によるa-Si:Hの局在準位評価（II），安西誠,西村邦彦,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第55回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（名城大学，1994年9月19日），1994年09月19日
  • MPC法によるa-Si:Hの局在準位評価，安西誠,足立善昭,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第41回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（明治大学理工学部，1994年3月29日），1994年03月29日
  • FRPC法によるa-Si:Hの局在準位評価（V），足立善昭,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第54回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（北海道大学，1993年9月28日），1993年09月28日
  • a-Si:Hの光吸収スペクトルの測定（III）-ac-CPMスペクトル-，福田丞,西村邦彦,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第54回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（北海道大学，1993年9月28日），1993年09月28日
  • a-Si:Hの光吸収スペクトルの測定（II）-dc-CPM理論-，服部公則,福田丞,西村邦彦,岡本博明,浜川圭弘，第54回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（北海道大学，1993年9月28日），1993年09月28日
  • アモルファス半導体発光／受光複合オプトエレクトロニック素子（III），平塚和弘,舘孝典,吉見雅士,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第54回応用物理学会学術講演会，14.4非晶質：デバイス（北海道大学，1993年9月28日），1993年09月28日
  • FRPC法によるa-Si:Hの局在準位評価（IV），庭野泰則,足立善昭,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第40回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（青山学院大学青山キャンパス，1993年3月29日），1993年03月29日
  • a-Si:Hの光吸収スペクトルの測定-光電流分光法の評価-，福田丞,西村邦彦,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第40回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（青山学院大学青山キャンパス，1993年3月29日），1993年03月29日
  • アモルファス半導体発光／受光複合オプトエレクトロニック素子（II），石河孝明,吉見雅士,舘孝典,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第53回応用物理学会学術講演会，14.4非晶質：デバイス（関西大学，1992年9月17日），1992年09月17日
  • MPG法によるa-Si:Hの拡散長評価（VI），小路泰弘,福田丞,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第53回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（関西大学，1992年9月16日），1992年09月16日
  • PG法によるa-Si:Hの評価（V），小路泰弘,福田丞,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第39回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（日本大学理工学部習志野校舎，1992年3月29日），1992年03月29日
  • FRPC法によるa-Si:Hの局在準位評価（III），庭野泰則,瀬戸良典,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第39回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（日本大学理工学部習志野校舎，1992年3月29日），1992年03月29日
  • アモルファス半導体発光／受光複合オプトエレクトロニック素子，石河孝明,舘孝典,吉見雅士,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第39回応用物理学関係連合講演会，14.4非晶質：デバイス（日本大学理工学部習志野校舎，1992年3月28日），1992年03月28日
  • a-SiN:H/a-Si:Hヘテロ接合フォトダイオードにおける光電流増倍，吉見雅士,石河孝明,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第52回応用物理学会学術講演会，14.4非晶質：デバイス（岡山大学・岡山理科大学，1991年10月12日），1991年10月12日
  • a-C:H/a-SiC:H多層薄膜EL素子の発光特性，清水久恵,吉見雅士,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第52回応用物理学会学術講演会，14.4非晶質：デバイス（岡山大学・岡山理科大学，1991年10月12日），1991年10月12日
  • SSPG法によるa-Si:Hの評価（IV），服部公則,小路泰弘,岡本博明,浜川圭弘，第52回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（岡山大学・岡山理科大学，1991年10月11日），1991年10月11日
  • FRPC法によるa-Si:Hの局在準位評価（II），庭野泰則,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第52回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（岡山大学・岡山理科大学，1991年10月11日），1991年10月11日
  • イオンビームCVD法による高光安定性a-Si:H膜，吉見雅士,東川誠,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第38回応用物理学関係連合講演会，14.3非晶質：プロセス技術（東海大学湘南校舎，1991年3月31日），1991年03月31日
  • SSPG法によるa-Si:Hの評価（III），服部公則,辻下正秀,岡本博明,浜川圭弘，第38回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（東海大学湘南校舎，1991年3月29日），1991年03月29日
  • FRPC法によるa-Si:Hの局在準位評価（I），服部公則,庭野泰則,岡本博明,浜川圭弘，第38回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（東海大学湘南校舎，1991年3月29日），1991年03月29日
  • a-C:H薄膜EL素子の高輝度化，清水久恵,元木徹,吉見雅士,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第51回応用物理学会学術講演会，14.4非晶質：デバイス（岩手大学・岩手医科大学教養部，1990年9月29日），1990年09月29日
  • 過渡接合光電流法によるa-Si:Hの評価（II），内山健太郎,堤保雄,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第51回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（岩手大学・岩手医科大学教養部，1990年9月26日），1990年09月26日
  • PG法によるa-Si:Hの評価（II），辻下正秀,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第51回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：非平衡材料物性（岩手大学・岩手医科大学教養部，1990年9月26日），1990年09月26日
  • PG法によるa-Si:Hの評価，辻下正秀,平井政行,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第37回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：基礎物性・評価（東洋大学朝霞校舎，1990年3月29日），1990年03月29日
  • 過渡接合光電流法によるa-Si:Hの評価，内山健太郎,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第37回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：基礎物性・評価（東洋大学朝霞校舎，1990年3月29日），1990年03月29日
  • a-Si/a-SiC量子井戸のエレクトロアブソープション分光，服部公則,辻下正秀,岡本博明,浜川圭弘，第50回応用物理学会学術講演会，14.1 非晶質：基礎物性・評価（福岡工業大学，1989年9月28日），1989年09月28日
  • デルタドープa-Si超格子の電気的光学的特性，田畑総一,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第50回応用物理学会学術講演会，14.1非晶質：基礎物性・評価（福岡工業大学，1989年9月28日，1989年09月28日
  • a-Si/SiC二重障壁構造におけるトンネル伝導，田畑総一,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第36回応用物理学関係連合講演会，14.1非晶質：基礎物性・評価（千葉大学，1989年4月2日），1989年04月02日
  • a-Si:H超薄膜の波長微分分光，服部公則,森剛,岡本博明,浜川圭弘，第35回応用物理学関係連合講演会，13.1非晶質：基礎物性・評価（法政大学市ケ谷キャンパス，1988年3月28日），1988年03月28日
  • 光熱変調分光法によるa-Si:Hの評価，森剛,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第48回応用物理学会学術講演会，13.1非晶質：基礎物性・評価（名古屋大学，1987年10月19日），1987年10月19日
  • a-Si/a-SiC超格子におけるキャリアダイナミクス，服部公則,森剛,岡本博明,浜川圭弘，第34回応用物理学関係連合講演会，12.1非晶質：基礎物性・評価（早稲田大学本部キャンパス，1987年3月31日），1987年03月31日
  • 低エネルギー域変調光電流分光法による局在準位の評価（I）-アンドープa-Si:H-，安部克則,新田佳照,服部公則,堤保雄,岡本博明,浜川圭弘，第34回応用物理学関係連合講演会，12.1非晶質：基礎物性・評価（早稲田大学本部キャンパス，1987年3月28日），1987年03月28日
  • Current Transient Spectroscopyによるa-Si:Hの評価（IV），服部公則,岡本博明,木田浩嗣,浜川圭弘，第47回応用物理学会学術講演会，12.1非晶質：基礎物性・評価（北海道大学工学部・教養部，1986年9月27日），1986年09月27日
  • Current Transient Spectroscopyによるa-Si:Hの評価（III），服部公則,木田浩嗣,岡本博明,浜川圭弘，第33回応用物理学関係連合講演会，11.1非晶質：基礎物性・評価（日本大学生産工学部，1986年4月3日），1986年04月03日
  • Current Transient Spectroscopyによるa-Si:Hの評価（II）キャリア捕獲実験，木田浩嗣,服部公則,岡本博明,浜川圭弘，第46回応用物理学会学術講演会，11.1非晶質：基礎物性・評価（京都大学教養部，1985年10月1日），1985年10月01日

委員歴

  • 学協会，第28回アモルファス物質の物性と応用セミナー実行委員長，2001年 ～ 2001年
  • 学協会，応用物理学会会誌「応用物理」編集委員，1998年 ～ 2000年
  • 学協会，第11回太陽光発電国際会議プログラム委員，1999年 ～ 1999年
  • 学協会，応用物理学会講演分科会世話人・講演奨励賞委員，1996年 ～ 1999年
  • 学協会，第23回アモルファス物質の物性と応用セミナー実行委員，1996年 ～ 1996年