石部 貴史

Ishibe Takafumi

基礎工学研究科 システム創成専攻,助教

keyword 低次元半導体,薄膜表面・界面,フォノンエンジニアリング,抵抗スイッチングメモリ,熱電変換


  • 2015年10月 ~ 2018年09月,大阪大学,基礎工学研究科,システム創成専攻
  • 2011年04月 ~ 2013年03月,大阪大学,基礎工学研究科,システム創成専攻
  • 2007年04月 ~ 2011年03月,大阪大学,基礎工学部


  • 2018年10月 ~ 継続中,大阪大学,大学院基礎工学研究科,助教
  • 2017年04月 ~ 2018年09月,日本学術振興会,特別研究員(DC2)
  • 2013年04月 ~ 2015年09月,株式会社リコー


  • ナノテク・材料,ナノ構造物理


  • 日本熱物性学会
  • 日本応用物理学会
  • 日本熱電学会


  • Carrier and phonon transport control by domain engineering for high-performance transparent thin film thermoelectric generator,Vol. 118,No. 15,p. 151601-151601,2021年04月12日,研究論文(学術雑誌)
  • Direct mapping of temperature-difference-induced potential variation under non-thermal equilibrium,Vol. 118,No. 9,p. 091605-091605,2021年03月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Phonon transport in the nano-system of Si and SiGe films with Ge nanodots and approach to ultralow thermal conductivity,Vol. 13,No. 9,p. 4971-4977,2021年,研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous enhancement of thermoelectric power factor by thermal management with resonant level effect,2021年,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Si1−xGex and Ge epitaxial films on Si(001) with controlled composition and strain for group IV element-based thermoelectric generators,Vol. 117,No. 14,p. 141602-141602,2020年10月05日,研究論文(学術雑誌)
  • Control of thermoelectric properties in Mn-substituted Fe2TiSi epilayers,Vol. 102,No. 5,2020年08月04日,研究論文(学術雑誌)
  • An advanced 2ω method enabling thermal conductivity measurement for various sample thicknesses: From thin films to bulk materials,Vol. 128,No. 1,p. 015102-015102,2020年07月07日,研究論文(学術雑誌)
  • High Thermoelectric Power Factor Realization in Si-Rich SiGe/Si Superlattices by Super-Controlled Interfaces,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,2020年05月
  • Impact of metal silicide nanocrystals on the resistance ratio in resistive switching of epitaxial Fe3O4 films on Si substrates,Takafumi Ishibe, Yuto Uematsu, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, and Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 116,No. 181601,2020年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films,Yuto Uematsu, Tsukasa Terada, Kento Sato, Takafumi Ishibe, and Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Express,Vol. 13,No. 055503,2020年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching memory performance in oxide hetero-nanocrystals with well-controlled interfaces,T. Ishibe,Y. Maeda,T. Terada,N. Naruse,Y. Mera,E. Kobayashi,Y. Nakamura,Science and Technology of Advanced Materials,Vol. 21,p. 195-204,2020年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric properties of single-phase full-Heusler alloy Fe<inf>2</inf>TiSi films with D 0<inf>3</inf>-type disordering,Vol. 127,No. 5,2020年02月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots,S. Sakane,T. Ishibe,T. Taniguchi,T. Hinakawa,R. Hosoda,K. Mizuta,Md. Mahfuz Alam,K. Sawano,Y. Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 59,No. SFFB1,p. 1-5,2020年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Nanoscale Thermal Management in Bulk SiGe Composites,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Masato Kashino,Kentaro Watanabe,Takeshi Fujita,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Energy Materials,Vol. 3,p. 1235-1241,2019年12月30日,研究論文(学術雑誌)
  • High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Takahiro Hinakawa,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 115,No. 182104,2019年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Modulation of lattice constants by changing the composition and strain in incommensurate Nowotny chimney-ladder phase FeGeγ epitaxially grown on Si,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Surface Science,Vol. 690,No. 121470,2019年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Takeshi Fujita,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,Materials Today Energy,Vol. 13,p. 56-63,2019年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Semiconductor Nanostructure Design for Thermoelectric Property Control,Y. Nakamura,T. Ishibe,T. Taniguchi,T. Terada,R. Hosoda,S. Sakane,International Journal of Nanoscience,Vol. 18,p. 19040036-1-19040036-8,2019年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Significant reduction in the thermal conductivity of Si-substituted Fe2VAl epilayers,Vol. 99,No. 5,p. 054201-1-054201-7,2019年02月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Controlling Nanowire Interface,T. Ishibe,A. Tomeda,K. Watanabe,Y. Kamakura,N. Mori,N. Naruse,Y. Mera,Y. Yamashita,Y. Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,Vol. 10,No. 43,p. 37709-37716,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching at the high quality metal/insulator interface in Fe3O4/SiO2/a-FeSi2/Si stacking structure,Takafumi Ishibe,Tsubasa Kurokawa,Nobuyasu Naruse,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 113,p. 141601-1-5,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Enhanced thermoelectric performance of Ga-doped ZnO film by controlling crystal quality for transparent thermoelectric films,Atsuki Tomeda,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Ryo Okuhata,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Thin Solid Films,Vol. 666,p. 185-190,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric performances in transparent ZnO films including nanowires as phonon scatterers,Ishibe Takafumi,Tomeda Atsuki,Watanabe,Kentaro,Nakamura Yoshiaki,Journal of Physics: Conference Series,Vol. 1052,2018年07月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Areal density control of ZnO nanowires in physical vapor transport using Ge nanocrystals,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Tsukasa Terada,Atsuki Tomeda,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 57,p. 08NB07-1-5,2018年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of epitaxial FeGeg nanocrystals with incommensurate Nowotny chimney-ladder phase on Si substrate,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 57,p. 08NB01-1-4,2018年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide/germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates,Vol. 112,No. 3,p. 031601-1-5,2018年01月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric propertied of epitaxial Ge thin films on Si(001) with strong crystallinity dependence,T. Taniguchi,T. Ishibe,H. Miyamoto,Y. Yamashita,Y. Nakamura,Appl. Phys. Express,Vol. 11,No. 111301,p. 1-4,2018年,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Properties of Epitaxial beta-FeSi2 Thin Films on Si(111) and Approach for Their Enhancement,Vol. 46,No. 5,p. 3235-3241,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Embedded-ZnO Nanowire Structure for High-Performance Transparent Thermoelectric Materials,Vol. 46,No. 5,p. 3020-3024,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • INDEPENDENT CONTROL OF PHONON AND ELECTRON TRANSPORT IN SI-BASED NANOARCHITECTURES WITH EPITAXIAL GE NANODOTS,Watanabe Kentaro,Yamasaka Shuto,Ishibe Takafumi,Sakane Shunya,Sawano Kentarou,Nakamura Yoshiaki,Proceedings of 1st Asian Conference onThermal Sciences 2017 (ACTS 2017),p. 1-3,2017年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Effect of Fe coating of nucleation sites on epitaxial growth of Fe oxide nanocrystals on Si substrates,Vol. 55,No. 8,p. 09NB12-1-4,2016年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates,Vol. 9,No. 5,p. 055508-1-055508-4,2016年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique,Vol. 45,No. 3,p. 1914-1920,2016年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Control of epitaxial growth of Fe-based nanocrystals on Si substrates using well-controlled nanometer-sized interface,Vol. 115,No. 4,p. 044301-1-5,2014年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of nanometer-sized interface on reaction of iron nanocrystals epitaxially grown on silicon substrates with oxygen gas,Vol. 114,No. 11,p. 114309-1-5,2013年09月,研究論文(学術雑誌)


  • ZnOナノワイヤ埋め込み構造の形成とその熱電特性,石部貴史,渡辺健太郎,渡辺健太郎,吉川純,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 77th,2016年09月01日


  • ナノワイヤ導入によるZnO系薄膜の出力因子増大,石部 貴史,日本熱電学会,2018年04月


  • 第4回 「薄膜・表面物理分科会 論文賞」,石部貴史,留田純希,渡辺健太郎,鎌倉良成,森伸也,成瀬延康,目良裕,山下雄一郎,中村芳明,応用物理学会 薄膜・表面物理分科会,2020年03月
  • 優秀ポスター賞,石部 貴史,留田 純希,渡辺 健太郎,中村 芳明,日本熱電学会,2017年09月
  • 第5回 関西奨励賞,石部 貴史,応用物理学会関西支部,2017年03月
  • 平成28年度第3回講演会 ポスター賞(最優秀),石部 貴史,留田 純希,渡辺 健太郎,中村 芳明,応用物理学会関西支部,2017年02月


  • 日本熱物性学会,評議員,2020年01月 ~ 継続中
  • 学協会,日本熱電学会,学会誌編集委員,2019年10月 ~ 継続中