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石部 貴史

Ishibe Takafumi

基礎工学研究科 システム創成専攻,助教

keyword 低次元半導体,薄膜表面・界面,フォノンエンジニアリング,抵抗スイッチングメモリ,熱電変換

学歴

  • 2015年10月 ~ 2018年09月,大阪大学,基礎工学研究科,システム創成専攻
  • 2011年04月 ~ 2013年03月,大阪大学,基礎工学研究科,システム創成専攻
  • 2007年04月 ~ 2011年03月,大阪大学,基礎工学部

経歴

  • 2018年10月 ~ 継続中,大阪大学,大学院基礎工学研究科,助教
  • 2017年04月 ~ 2018年09月,日本学術振興会,特別研究員(DC2)
  • 2013年04月 ~ 2015年09月,株式会社リコー

研究内容・専門分野

  • ナノテク・材料,ナノ構造物理

所属学会

  • 日本熱物性学会
  • 日本応用物理学会
  • 日本熱電学会

論文

  • Boosting Thermoelectric Performance in Epitaxial GeTe Film/Si by Domain Engineering and Point Defect Control,Takafumi Ishibe,Yuki Komatsubara,Kodai Ishikawa,Sho Takigawa,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yuichiro Yamashita,Yuji Ohishi,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,American Chemical Society (ACS),Vol. 15,No. 21,p. 26104-26110,2023年05月16日,研究論文(学術雑誌)
  • Tunable Thermal Switch via Order–Order Transition in Liquid Crystalline Block Copolymer,Takafumi Ishibe,Tatsuya Kaneko,Yuto Uematsu,Hideo Sato-Akaba,Motonori Komura,Tomokazu Iyoda,Yoshiaki Nakamura,Nano Letters,American Chemical Society (ACS),Vol. 22,No. 15,p. 6105-6111,2022年08月10日,研究論文(学術雑誌)
  • Heat transport through propagon-phonon interaction in epitaxial amorphous-crystalline multilayers,Takafumi Ishibe,Ryo Okuhata,Tatsuya Kaneko,Masato Yoshiya,Seisuke Nakashima,Akihiro Ishida,Yoshiaki Nakamura,Communications Physics,Springer Science and Business Media LLC,Vol. 4,No. 153,2021年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Carrier and phonon transport control by domain engineering for high-performance transparent thin film thermoelectric generator,Takafumi Ishibe,Atsuki Tomeda,Yuki Komatsubara,Reona Kitaura,Mutsunori Uenuma,Yukiharu Uraoka,Yuichiro Yamashita,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 118,No. 15,p. 151601-151601,2021年04月12日,研究論文(学術雑誌)
  • Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Controlling Nanowire Interface,T. Ishibe,A. Tomeda,K. Watanabe,Y. Kamakura,N. Mori,N. Naruse,Y. Mera,Y. Yamashita,Y. Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,Vol. 10,No. 43,p. 37709-37716,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of metastable 2H-CaSi<sub>2</sub> films on Si(111) substrates with ultrathin SiO<sub>2</sub> films by solid phase epitaxy,Keiichiro Oh-ishi,Mikio Kojima,Takashi Yoshizaki,Arata Shibagaki,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Hideyuki Nakano,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 17,No. 1,p. 015501-015501,2023年12月27日,研究論文(学術雑誌)
  • Curcumin tautomerization in the mechanism of pentameric amyloid- β42 oligomers disassembly,Atsuya Matsui,Jean-Pierre Bellier,Daiki Hayashi,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Hiroyasu Taguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Biochemical and Biophysical Research Communications,Elsevier BV,Vol. 666,p. 68-75,2023年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Interface design of transparent thermoelectric epitaxial ZnO/SnO<sub>2</sub> multilayer film for simultaneous realization of low thermal conductivity and high optical transmittance,Takafumi Ishibe,Yuki Komatsubara,Toranosuke Katayama,Yuichiro Yamashita,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Azusa N. Hattori,Hidekazu Tanaka,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 122,No. 4,p. 041603-041603,2023年01月23日,研究論文(学術雑誌)
  • The effect of interdiffusion during formation of epitaxial Ca intercalated layered silicene film on its thermoelectric power factor,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Eiichi Kobayashi,Kazunori Sato,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 62,No. SD,p. SD1004-SD1004,2022年12月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Quantitative spatial mapping of distorted state phases during the metal-insulator phase transition for nanoscale VO<sub>2</sub> engineering,Yuichi Ashida,Takafumi Ishibe,Jinfeng Yang,Nobuyasu Naruse,Yoshiaki Nakamura,Science and Technology of Advanced Materials,Informa UK Limited,Vol. 24,No. 1,2022年11月22日,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Properties of PEDOT:PSS Containing Connected Copper Selenide Nanowires Synthesized by the Photoreduction Method,Shunya Sakane,Shunichiro Miwa,Tatsuki Miura,Kazuki Munakata,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Hideki Tanaka,ACS Omega,American Chemical Society (ACS),Vol. 7,No. 36,p. 32101-32107,2022年09月13日,研究論文(学術雑誌)
  • Seed-assisted epitaxy of intermetallic compounds with interface-determined orientation: incommensurate Nowotny chimney-ladder FeGe epitaxial film,Tsukasa Terada,Reona Kitaura,Shintaro Ishigaki,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Ryoji Asahi,Yoshiaki Nakamura,Acta Materialia,Elsevier BV,p. 118130-118130,2022年06月,研究論文(学術雑誌)
  • The Effect of Ethanol on Disassembly of Amyloid-β1-42 Pentamer Revealed by Atomic Force Microscopy and Gel Electrophoresis,Atsuya Matsui,Jean-Pierre Bellier,Takeshi Kanai,Hiroki Satooka,Akio Nakanishi,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Hiroyasu Taguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,International Journal of Molecular Sciences,MDPI AG,Vol. 23,No. 2,p. 889-889,2022年01月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Giant Enhancement of Seebeck Coefficient by Deformation of Silicene Buckled Structure in Calcium‐Intercalated Layered Silicene Film,Tsukasa Terada,Yuto Uematsu,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Kazunori Sato,Tien Quang Nguyen,Eiichi Kobayashi,Hideyuki Nakano,Yoshiaki Nakamura,Advanced Materials Interfaces,Wiley,Vol. 9,No. 1,p. 2101752-2101752,2022年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric power factor enhancement of calcium-intercalated layered silicene by introducing metastable phase,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Toranosuke Katayama,Kazunori Sato,Tien Quang Nguyen,Hideyuki Nakano,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 14,No. 11,p. 115505-115505,2021年11月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Low thermal conductivity of complex thermoelectric barium silicide film epitaxially grown on Si,Takafumi Ishibe,Jinichiro Chikada,Tsukasa Terada,Yuki Komatsubara,Reona Kitaura,Suguru Yachi,Yudai Yamashita,Takuma Sato,Takashi Suemasu,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 119,No. 14,p. 141603-141603,2021年10月04日,研究論文(学術雑誌)
  • Dominant carrier of pseudo-gap antiferromagnet Cr3Al thin film,Kentaro Toyoki,Masayuki Hayashi,Shunsuke Hamaguchi,Noriaki Kishida,Yu Shiratsuchi,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Ryoichi Nakatani,Physica B: Condensed Matter,Elsevier BV,Vol. 620,p. 413281-413281,2021年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructure design for high performance thermoelectric materials based on anomalous Nernst effect using metal/semiconductor multilayer,Reona Kitaura,Takafumi Ishibe,Himanshu Sharma,Masaki Mizuguchi,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Express,IOP Publishing,Vol. 14,No. 7,p. 075002-075002,2021年07月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Direct mapping of temperature-difference-induced potential variation under non-thermal equilibrium,Yuki Komatsubara,Takafumi Ishibe,Yuji Miyato,Shunya Sakane,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 118,No. 9,p. 091605-091605,2021年03月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Phonon transport in the nano-system of Si and SiGe films with Ge nanodots and approach to ultralow thermal conductivity,Tatsuhiko Taniguchi,Tsukasa Terada,Yuki Komatsubara,Takafumi Ishibe,Kento Konoike,Atsushi Sanada,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Yoshiaki Nakamura,Nanoscale,Royal Society of Chemistry (RSC),Vol. 13,No. 9,p. 4971-4977,2021年,研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous enhancement of thermoelectric power factor by thermal management with resonant level effect,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Kosei Mizuta,Takeshi Fujita,Yuga Kiyofuji,Jun-ichiro Ohe,Eiichi Kobayashi,Yoshiaki Nakamura,Journal of Materials Chemistry A,Royal Society of Chemistry (RSC),Vol. 9,No. 8,p. 4851-4857,2021年,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Si1−xGex and Ge epitaxial films on Si(001) with controlled composition and strain for group IV element-based thermoelectric generators,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Ryoya Hosoda,Youya Wagatsuma,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Mutsunori Uenuma,Yukiharu Uraoka,Yuichiro Yamashita,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,AIP Publishing,Vol. 117,No. 14,p. 141602-141602,2020年10月05日,研究論文(学術雑誌)
  • Control of thermoelectric properties in Mn-substituted Fe2TiSi epilayers,Y. Shimanuki,S. Yamada,A. Masago,T. Ishibe,K. Kudo,Y. Nakamura,K. Hamaya,Physical Review B,American Physical Society (APS),Vol. 102,No. 5,2020年08月04日,研究論文(学術雑誌)
  • An advanced 2ω method enabling thermal conductivity measurement for various sample thicknesses: From thin films to bulk materials,Kosuke Mitarai,Ryo Okuhata,Jinichiro Chikada,Tatsuya Kaneko,Yuto Uematsu,Yuki Komatsubara,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Journal of Applied Physics,AIP Publishing,Vol. 128,No. 1,p. 015102-015102,2020年07月07日,研究論文(学術雑誌)
  • High Thermoelectric Power Factor Realization in Si-Rich SiGe/Si Superlattices by Super-Controlled Interfaces,Tatsuhiko Taniguchi,Takafumi Ishibe,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Materials & Interfaces,2020年05月
  • Impact of metal silicide nanocrystals on the resistance ratio in resistive switching of epitaxial Fe3O4 films on Si substrates,Takafumi Ishibe, Yuto Uematsu, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, and Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 116,No. 181601,2020年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films,Yuto Uematsu, Tsukasa Terada, Kento Sato, Takafumi Ishibe, and Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Express,Vol. 13,No. 055503,2020年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching memory performance in oxide hetero-nanocrystals with well-controlled interfaces,T. Ishibe,Y. Maeda,T. Terada,N. Naruse,Y. Mera,E. Kobayashi,Y. Nakamura,Science and Technology of Advanced Materials,Vol. 21,p. 195-204,2020年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric properties of single-phase full-Heusler alloy Fe<inf>2</inf>TiSi films with D 0<inf>3</inf>-type disordering,Y. Shimanuki,K. Kudo,T. Ishibe,A. Masago,S. Yamada,Y. Nakamura,K. Hamaya,Journal of Applied Physics,Vol. 127,No. 5,2020年02月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots,S. Sakane,T. Ishibe,T. Taniguchi,T. Hinakawa,R. Hosoda,K. Mizuta,Md. Mahfuz Alam,K. Sawano,Y. Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 59,No. SFFB1,p. 1-5,2020年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Methodology of Thermoelectric Power Factor Enhancement by Nanoscale Thermal Management in Bulk SiGe Composites,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Masato Kashino,Kentaro Watanabe,Takeshi Fujita,Yoshinari Kamakura,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,ACS Applied Energy Materials,Vol. 3,p. 1235-1241,2019年12月30日,研究論文(学術雑誌)
  • High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Takahiro Hinakawa,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 115,No. 182104,2019年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Modulation of lattice constants by changing the composition and strain in incommensurate Nowotny chimney-ladder phase FeGeγ epitaxially grown on Si,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Yoshiaki Nakamura,Surface Science,Vol. 690,No. 121470,2019年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Nobuyasu Naruse,Yutaka Mera,Takeshi Fujita,Md. Mahfuz Alam,Kentarou Sawano,Nobuya Mori,Yoshiaki Nakamura,Materials Today Energy,Vol. 13,p. 56-63,2019年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Semiconductor Nanostructure Design for Thermoelectric Property Control,Y. Nakamura,T. Ishibe,T. Taniguchi,T. Terada,R. Hosoda,S. Sakane,International Journal of Nanoscience,Vol. 18,p. 19040036-1-19040036-8,2019年03月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Significant reduction in the thermal conductivity of Si-substituted Fe2VAl epilayers,K. Kudo,S. Yamada,J. Chikada,Y. Shimanuki,T. Ishibe,S. Abo,H. Miyazaki,Y. Nishino,Y. Nakamura,K. Hamaya,Physical Review B,Vol. 99,No. 5,p. 054201-1-054201-7,2019年02月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching at the high quality metal/insulator interface in Fe3O4/SiO2/a-FeSi2/Si stacking structure,Takafumi Ishibe,Tsubasa Kurokawa,Nobuyasu Naruse,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,Vol. 113,p. 141601-1-5,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Enhanced thermoelectric performance of Ga-doped ZnO film by controlling crystal quality for transparent thermoelectric films,Atsuki Tomeda,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Ryo Okuhata,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Thin Solid Films,Vol. 666,p. 185-190,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Areal density control of ZnO nanowires in physical vapor transport using Ge nanocrystals,Takafumi Ishibe,Tatsuhiko Taniguchi,Tsukasa Terada,Atsuki Tomeda,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 57,No. 8,2018年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of epitaxial FeGeg nanocrystals with incommensurate Nowotny chimney-ladder phase on Si substrate,Tsukasa Terada,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 57,p. 08NB01-1-4,2018年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide/germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates,Hideki Matsui,Takafumi Ishibe,Tsukasa Terada,Shunya Sakane,Kentaro Watanabe,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Shigeru Kimura,Yoshiaki Nakamura,Applied Physics Letters,American Institute of Physics Inc.,Vol. 112,No. 3,p. 031601-1-5,2018年01月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric propertied of epitaxial Ge thin films on Si(001) with strong crystallinity dependence,T. Taniguchi,T. Ishibe,H. Miyamoto,Y. Yamashita,Y. Nakamura,Appl. Phys. Express,Vol. 11,No. 111301,p. 1-4,2018年,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric Properties of Epitaxial beta-FeSi2 Thin Films on Si(111) and Approach for Their Enhancement,Tatsuhiko Taniguchi,Shunya Sakane,Shunsuke Aoki,Ryo Okuhata,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Takeyuki Suzuki,Takeshi Fujita,Kentarou Sawano,Yoshiaki Nakamura,JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,SPRINGER,Vol. 46,No. 5,p. 3235-3241,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Embedded-ZnO Nanowire Structure for High-Performance Transparent Thermoelectric Materials,Takafumi Ishibe,Atsuki Tomeda,Kentaro Watanabe,Jun Kikkawa,Takeshi Fujita,Yoshiaki Nakamura,JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,SPRINGER,Vol. 46,No. 5,p. 3020-3024,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Fe coating of nucleation sites on epitaxial growth of Fe oxide nanocrystals on Si substrates,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Yoshiaki Nakamura,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 55,No. 8,p. 09NB12-1-4,2016年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates,Takafumi Ishibe,Hideki Matsui,Kentaro Watanabe,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Yoshiaki Nakamura,APPLIED PHYSICS EXPRESS,IOP PUBLISHING LTD,Vol. 9,No. 5,p. 055508-1-055508-4,2016年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique,Tomohiro Ueda,Shunya Sakane,Takafumi Ishibe,Kentaro Watanabe,Shotaro Takeuchi,Akira Sakai,Yoshiaki Nakamura,JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,SPRINGER,Vol. 45,No. 3,p. 1914-1920,2016年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Control of epitaxial growth of Fe-based nanocrystals on Si substrates using well-controlled nanometer-sized interface,Yoshiaki Nakamura,Ryota Sugimoto,Takafumi Ishibe,Hideki Matsui,Jun Kikkawa,Akira Sakai,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 115,No. 4,p. 044301-1-5,2014年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of nanometer-sized interface on reaction of iron nanocrystals epitaxially grown on silicon substrates with oxygen gas,Hironobu Hamanaka,Yoshiaki Nakamura,Takafumi Ishibe,Jun Kikkawa,Akira Sakai,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 114,No. 11,p. 114309-1-5,2013年09月,研究論文(学術雑誌)

MISC

  • 秩序-秩序転移を用いた有機系熱スイッチ材料におけるスイッチング温度制御,石部貴史,金子達哉,赤羽英夫,小村元憲,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 70th,2023年
  • 合金ナノ結晶導入による高性能SiGe熱電材料の開発,堀田亮輔,水田光星,石部貴史,藤田武志,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 83rd,2022年
  • 高熱電出力因子に向けたε-CoSi薄膜/Siにおける電子輸送機構,石部貴史,上松悠人,竹中良介,鈴木雄大,佐藤和則,藤田武志,小林英一,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 68th,2021年
  • Si基板上B20型CoSi薄膜の電子状態と熱電特性の関係,石部貴史,雛川貴弘,坂根駿也,佐藤和則,小林英一,藤田武志,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
  • 熱起電力顕微鏡法により検出したZnO薄膜の微視的熱電物性,小松原祐樹,宮戸祐治,石部貴史,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
  • Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因,谷口達彦,石部貴史,ALAM Md. Mahfuz,澤野憲太郎,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
  • AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスによる出力因子増大,上松悠人,谷口達彦,細田凌矢,石部貴史,間野高明,大竹晃浩,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 67th,2020年
  • エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明,谷口達彦,石部貴史,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 81st,2020年
  • SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大,坂根駿也,石部貴史,藤田武志,池内賢朗,鎌倉良成,森伸也,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
  • Si基板上に形成した擬ギャップε-CoSi薄膜の熱電性能評価,雛川貴弘,坂根駿也,石部貴史,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
  • 局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下における熱電材料の表面電位分布測定,宮戸祐治,小松原祐樹,石部貴史,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
  • 高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化,谷口達彦,石部貴史,ALAM Md. Mahfuz,澤野憲太郎,中村芳明,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
  • 独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化,谷口達彦,寺田吏,石部貴史,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 80th,2019年
  • Si置換したFe<sub>2</sub>VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率,工藤康平,山田晋也,山田晋也,近田尋一朗,嶋貫雄太,石部貴史,阿保智,宮崎秀俊,西野洋一,中村芳明,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 66th,2019年
  • 熱電材料Fe<sub>2</sub>TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長,嶋貫雄太,工藤康平,山田晋也,山田晋也,石部貴史,中村芳明,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 80th,2019年
  • ZnOナノワイヤ埋め込み構造の形成とその熱電特性,石部貴史,渡辺健太郎,渡辺健太郎,吉川純,藤田武志,藤田武志,中村芳明,中村芳明,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 77th,2016年09月01日
  • Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定 (シリコン材料・デバイス),石部 貴史,中村 芳明,松井 秀紀,竹内 正太郎,酒井 朗,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 113,No. 87,p. 51-55,2013年06月18日

著書

  • ナノワイヤ導入によるZnO系薄膜の出力因子増大,石部 貴史,日本熱電学会,2018年04月

受賞

  • 第63回学術奨励賞,石部貴史,UBE学術振興財団,2023年04月
  • 第6回フォノンエンジニアリング研究会 講演奨励賞,石部貴史,フォノンエンジニアリング研究会,2022年07月
  • 第21回 船井研究奨励賞,石部貴史,公益財団法人 船井情報科学振興財団,2022年05月
  • 第10回 研究開発奨励賞,石部貴史,一般財団法人 エヌエフ基金,2021年11月
  • 第18回日本熱電学会学術講演会 優秀講演賞,石部貴史,小松原祐樹,山下雄一郎,中村芳明,日本熱電学会,2021年08月
  • 第4回 「薄膜・表面物理分科会 論文賞」,石部貴史,留田純希,渡辺健太郎,鎌倉良成,森伸也,成瀬延康,目良裕,山下雄一郎,中村芳明,応用物理学会 薄膜・表面物理分科会,2020年03月
  • 第14回日本熱電学会学術講演会 優秀ポスター賞,石部 貴史,留田 純希,渡辺 健太郎,中村 芳明,日本熱電学会,2017年09月
  • 第5回 関西奨励賞,石部 貴史,応用物理学会関西支部,2017年03月
  • 平成28年度第3回講演会 ポスター賞(最優秀),石部 貴史,留田 純希,渡辺 健太郎,中村 芳明,応用物理学会関西支部,2017年02月

委員歴

  • 学協会,日本熱電学会,学会誌編集委員,2019年10月 ~ 継続中
  • 日本熱物性学会,評議員,2020年01月 ~ 2021年12月