EN

基本情報

研究

社会活動

その他の活動

坂本 一之

Kazuyuki Sakamoto

工学研究科 物理学系専攻,教授

keyword 光電子分光,トポロジカル物質,原子層物質

学歴

  • 1989年 ~ 1994年,大阪大学,大学院基礎工学研究科
  • 1985年 ~ 1989年,大阪大学,基礎工学部

経歴

  • 2019年 ~ 継続中,大阪大学,大学院工学研究科,教授
  • 2015年 ~ 2019年,千葉大学,大学院 融合科学研究科,教授
  • 2005年 ~ 2014年,千葉大学,大学院 融合科学研究科,准教授
  • 1994年 ~ 2005年,東北大学,大学院理学研究科 物理学専攻,助手
  • 2000年 ~ 2002年,リンショーピン大学,研究員

研究内容・専門分野

  • ナノテク・材料,応用物性
  • 自然科学一般,半導体、光物性、原子物理
  • ナノテク・材料,薄膜、表面界面物性

所属学会

  • AVS(アメリカ真空学会)
  • 日本表面真空学会
  • 日本放射光学会
  • 日本物理学会

論文

  • Spatial Control of Charge Doping in n-Type Topological Insulators,Kazuyuki Sakamoto,Hirotaka Ishikawa,Takashi Wake,Chie Ishimoto,Jun Fujii,Hendrik Bentmann,Minoru Ohtaka,Kenta Kuroda,Natsu Inoue,Takuma Hattori,Toshio Miyamachi,Fumio Komori,Isamu Yamamoto,Cheng Fan,Peter Krüger,Hiroshi Ota,Fumihiko Matsui,Friedrich Reinert,José Avila,Maria C. Asensio,Nano Letters,American Chemical Society (ACS),Vol. 21,No. 10,p. 4415-4422,2021年05月26日,研究論文(学術雑誌)
  • Surface band characters of the Weyl semimetal candidate material MoTe2 revealed by one-step angle-resolved photoemission theory,Ryota Ono,Alberto Marmodoro,Jakub Schusser,Yoshitaka Nakata,Eike F. Schwier,Jürgen Braun,Hubert Ebert,Ján Minár,Kazuyuki Sakamoto,Peter Krüger,Physical Review B,2021年03月18日,研究論文(学術雑誌)
  • Atomic-layer Rashba-type superconductor protected by dynamic spin-momentum locking,Shunsuke Yoshizawa,Takahiro Kobayashi,Yoshitaka Nakata,Koichiro Yaji,Kenta Yokota,Fumio Komori,Shik Shin,Kazuyuki Sakamoto,Takashi Uchihashi,Nature Communications,2021年03月05日,研究論文(学術雑誌)
  • Tuning the Fermi surface of In/Si(111)-(7×3) by CuPc adsorption,Ryunosuke Sagehashi,Takahiro Kobayashi,Takashi Uchihashi,Kazuyuki Sakamoto,Surface Science,Elsevier BV,Vol. 705,p. 121777-121777,2021年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Orbital Angular Momentum Induced Spin Polarization of 2D Metallic Bands,Takahiro Kobayashi,Yoshitaka Nakata,Koichiro Yaji,Tatsuya Shishidou,Daniel Agterberg,Shunsuke Yoshizawa,Fumio Komori,Shik Shin,Michael Weinert,Takashi Uchihashi,Kazuyuki Sakamoto,Physical Review Letters,American Physical Society (APS),Vol. 125,No. 17,2020年10月19日,研究論文(学術雑誌)
  • Surface states and Rashba-type spin polarization in antiferromagnetic MnBi2te4(001),R. C. Vidal,H. Bentmann,T. R. F. Peixoto,A. Zeugner,S. Moser,C.-H. Min,S. Schatz,K. Kißner,M. Ünzelmann,C. I. Fornari,H. B. Vasili,M. Valvidares,K. Sakamoto,D. Mondal,J. Fujii,I. Vobornik,S. Jung,C. Cacho,T. K. Kim,R. J. Koch,C. Jozwiak,A. Bostwick,J. D. Denlinger,E. Rotenberg,J. Buck,M. Hoesch,F. Diekmann,S. Rohlf,M. Kalläne,K. Rossnagel,M. M. Otrokov,E. V. Chulkov,M. Ruck,A. Isaeva,F. Reinert,PHYSICAL REVIEW B,Vol. 100,2019年09月,研究論文(学術雑誌)
  • The actual electronic band structure of a rubrene single crystal,Nitta Jun,Miwa Kazumoto,Komiya Naoki,Annese Emilia,Fujii Jun Ono,Shimpei,Sakamoto Kazuyuki,SCIENTIFIC REPORTS,Vol. 9,2019年07月04日
  • Valley spin polarization of Tl/Si(111),Sebastian D. Stolwijk,Anke B. Schmidt,Kazuyuki Sakamoto,Peter Krueger,Markus Donath,PHYSICAL REVIEW MATERIALS,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 1,No. 6,2017年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Controlled Modification of Superconductivity in Epitaxial Atomic Layer-Organic Molecule Heterostructures,Shunsuke Yoshizawa,Emi Minamitani,Saranyan Vijayaraghavan,Puneet Mishra,Yasumasa Takagi,Toshihiko Yokoyama,Hiroaki Oba,Jun Nitta,Kazuyuki Sakamoto,Satoshi Watanabe,Tomonobu Nakayama,Takashi Uchihashi,NANO LETTERS,AMER CHEMICAL SOC,Vol. 17,No. 4,p. 2287-2293,2017年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Adsorption-enhanced spin-orbit coupling of buckled honeycomb silicon,Jia-Tao Sun,Wei Chen,Kazuyuki Sakamoto,Yuan Ping Feng,Andrew T. S. Wee,PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 83,p. 141-145,2016年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Nonvortical Rashba Spin Structure on a Surface with C-1h Symmetry,Emilia Annese,Takuya Kuzumaki,Beate Mueller,Yuta Yamamoto,Hiroto Nakano,Haruki Kato,Atsushi Araki,Minoru Ohtaka,Takashi Aoki,Hirotaka Ishikawa,Takashi Hayashida,Jacek R. Osiecki,Koji Miyamoto,Yasuo Takeichi,Ayumi Harasawa,Koichiro Yaji,Tetsuroh Shirasawa,Koh-ichi Nittoh,Wooil Yang,Kazushi Miki,Tatsuki Oda,Han Woong Yeom,Kazuyuki Sakamoto,PHYSICAL REVIEW LETTERS,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 117,No. 1,2016年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Self-assembled honeycomb lattice in the monolayer of cyclic thiazyl diradical BDTDA (=4,4 '-bis(1,2,3,5-dithiadiazolyl)) on Cu(111) with a zero-bias tunneling spectra anomaly,Masayuki Yamamoto,Rie Suizu,Sudipta Dutta,Puneet Mishra,Tomonobu Nakayama,Kazuyuki Sakamoto,Katsunori Wakabayashi,Takashi Uchihashi,Kunio Awaga,SCIENTIFIC REPORTS,NATURE PUBLISHING GROUP,Vol. 5,2015年12月,研究論文(学術雑誌)
  • FePc/Metal Interfaces Driven by the Electronic States of Different Low-Dimensional Ag Structures Formed on Si(111),Emilia Annese,Agnese Rosi,Jun Fujii,Kazuyuki Sakamoto,JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,AMER CHEMICAL SOC,Vol. 119,No. 34,p. 20065-20073,2015年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin texture with a twist in momentum space for Tl/Si(111),Sebastian D. Stolwijk,Kazuyuki Sakamoto,Anke B. Schmidt,Peter Krueger,Markus Donath,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 91,No. 24,2015年06月,研究論文(学術雑誌)
  • The Rashba-split surface state of Sb2Te3(0001) and its interaction with bulk states,Christoph Seibel,Henriette Maass,Hendrik Bentmann,Juergen Braun,Kazuyuki Sakamoto,Masashi Arita,Kenya Shimada,Jan Minar,Hubert Ebert,Friedrich Reinert,JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 201,p. 110-114,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Symmetry induced peculiar Rashba effect on thallium adsorbed Si(111) surfaces,Kazuyuki Sakamoto,Tatsuki Oda,Akio Kimura,Yasuo Takeichi,Jun Fujii,R. I. G. Uhrberg,Markus Donath,Han Woong Yeom,JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 201,p. 88-91,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Connection of a Topological Surface State with the Bulk Continuum in Sb2Te3(0001),Christoph Seibel,Hendrik Bentmann,Juergen Braun,Jan Minar,Henriette Maass,Kazuyuki Sakamoto,Masashi Arita,Kenya Shimada,Hubert Ebert,Friedrich Reinert,PHYSICAL REVIEW LETTERS,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 114,No. 6,2015年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Transforming a surface state of a topological insulator by a Bi capping layer,Han Woong Yeom,Sung Hwan Kim,Woo Jong Shin,Kyung-Hwan Jin,Joonbum Park,Tae-Hwan Kim,Jun Sung Kim,Hirotaka Ishikawa,Kazuyuki Sakamoto,Seung-Hoon Jhi,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 90,No. 23,2014年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Thin line of a Rashba-type spin texture: Unoccupied surface resonance of Tl/Si(111) along (Gamma)over-bar (M)over-bar,Sebastian D. Stolwijk,Kazuyuki Sakamoto,Anke B. Schmidt,Peter Krueger,Markus Donath,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 90,No. 16,2014年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Recent progress in scanning electron microscopy for the characterization of fine structural details of nano materials,Mitsuo Suga,Shunsuke Asahina,Yusuke Sakuda,Hiroyoshi Kazumori,Hidetoshi Nishiyama,Takeshi Nokuo,Viveka Alfredsson,Tomas Kjellman,Sam M. Stevens,Hae Sung Cho,Minhyung Cho,Lu Han,Shunai Che,Michael W. Anderson,Ferdi Schueth,Hexiang Deng,Omar M. Yaghi,Zheng Liu,Hu Young Jeong,Andreas Stein,Kazuyuki Sakamoto,Ryong Ryoo,Osamu Terasaki,PROGRESS IN SOLID STATE CHEMISTRY,PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD,Vol. 42,No. 1-2,p. 1-21,2014年05月
  • Spin-Polarized Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy of the So-Predicted Kondo Topological Insulator SmB6 (vol 83, 014705, 2014),Shigemasa Suga,Kazuyuki Sakamoto,Taichi Okuda,Koji Miyamoto,Kenta Kuroda,Akira Sekiyama,Junichi Yamaguchi,Hidenori Fujiwara,Akinori Irizawa,Takahiro Ito,Shinichi Kimura,T. Balashov,W. Wulfhekel,S. Yeo,Fumitoshi Iga,Shin Imada,JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN,PHYSICAL SOC JAPAN,Vol. 83,No. 3,2014年03月
  • Spin-Polarized Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy of the So-Predicted Kondo Topological Insulator SmB6,Shigemasa Suga,Kazuyuki Sakamoto,Taichi Okuda,Koji Miyamoto,Kenta Kuroda,Akira Sekiyama,Junichi Yamaguchi,Hidenori Fujiwara,Akinori Irizawa,Takahiro Ito,Shinichi Kimura,T. Balashov,W. Wulfhekel,S. Yeo,Fumitoshi Iga,Shin Imada,JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN,PHYSICAL SOC JAPAN,Vol. 83,No. 1,p. 14705-1-6,2014年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Rotating Spin and Giant Splitting: Unoccupied Surface Electronic Structure of Tl/Si(111),Sebastian D. Stolwijk,Anke B. Schmidt,Markus Donath,Kazuyuki Sakamoto,Peter Krueger,PHYSICAL REVIEW LETTERS,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 111,No. 17,2013年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Valley spin polarization by using the extraordinary Rashba effect on silicon,Kazuyuki Sakamoto,Tae-Hwan Kim,Takuya Kuzumaki,Beate Müller,Yuta Yamamoto,Minoru Ohtaka,Jacek R. Osiecki,Koji Miyamoto,Yasuo Takeichi,Ayumi Harasawa,Sebastian D. Stolwijk,Anke B. Schmidt,Jun Fujii,R. I.G. Uhrberg,Markus Donath,Han Woong Yeom,Tatsuki Oda,Nature Communications,Nature Publishing Group,Vol. 4,2013年06月28日,研究論文(学術雑誌)
  • Highly Ordered Cobalt-Phthalocyanine Chains on Fractional Atomic Steps: One-Dimensionality and Electron Hybridization,Yusuke Tanaka,Puneet Mishra,Ryusei Tateishi,Nguyen Thanh Cuong,Hideo Orita,Minoru Otani,Tomonobu Nakayama,Takashi Uchihashi,Kazuyuki Sakamoto,ACS NANO,AMER CHEMICAL SOC,Vol. 7,No. 2,p. 1317-1323,2013年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Single Dirac cone on the Cs-covered topological insulator surface Sb2Te3(0001),Christoph Seibel,Henriette Maass,Minoru Ohtak,Sebastian Fiedler,Christian Juenger,Chul-Hee Min,Hendrik Bentmann,Kazuyuki Sakamoto,Friedrich Reinert,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 86,No. 16,2012年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin orientation and sign of the Rashba splitting in Bi/Cu(111),Hendrik Bentmann,Takuya Kuzumaki,Gustav Bihlmayer,Stefan Bluegel,Eugene V. Chulkov,Friedrich Reinert,Kazuyuki Sakamoto,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 84,No. 11,2011年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Atomic and valence-band electronic structures of the epitaxial SiON layer on the SiC(0001): X-ray diffraction and angle-resolved photoemission spectroscopy investigations,Tetsuroh Shirasawa,Kazuyuki Sakamoto,Toshio Takahashi,Hiroshi Tochihara,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 605,No. 3-4,p. 328-332,2011年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Intermolecular band dispersion in a self-assembled phthalocyanine derivative film: The case of tetrakis(thiadiazole)porhyrazine,Yusuke Tanaka,Kouji Takahashi,Takuya Kuzumaki,Yuta Yamamoto,Kunihiro Hotta,Ayumi Harasawa,Yasuhito Miyoshi,Hirofumi Yoshikawa,Yukio Ouchi,Nobuo Ueno,Kazuhiko Seki,Kunio Awaga,Kazuyuki Sakamoto,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 82,No. 7,2010年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Atomic and electronic structures of the ordered 2 root 3x2 root 3 and molten 1x1 phase on the Si(111): Sn surface,P. E. J. Eriksson,J. R. Osiecki,Kazuyuki Sakamoto,R. I. G. Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 81,No. 23,2010年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Re-investigation of the Bi-induced Si(111)-(root 3 x root 3) surfaces by low-energy electron diffraction,Takuya Kuzumaki,Tetsuroh Shirasawa,Seigi Mizuno,Nobuo Ueno,Hiroshi Tochihara,Kazuyuki Sakamoto,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 604,No. 11-12,p. 1044-1048,2010年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Electronic structure of the thallium-induced 2x1 reconstruction on Si(001),P. E. J. Eriksson,Kazuyuki Sakamoto,R. I. G. Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 81,No. 20,2010年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Band gap states of copper phthalocyanine thin films induced by nitrogen exposure,Tomoki Sueyoshi,Haruya Kakuta,Masaki Ono,Kazuyuki Sakamoto,Satoshi Kera,Nobuo Ueno,APPLIED PHYSICS LETTERS,AMER INST PHYSICS,Vol. 96,No. 9,2010年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Thickness-dependent electronic properties and molecular orientation of diradical metal complex thin films grown on SiO2,Takuya Hosokai,Noritaka Mitsuo,Shin-ichiro Noro,Takayoshi Nakamura,Satoshi Kera,Kazuyuki Sakamoto,Nobuo Ueno,CHEMICAL PHYSICS LETTERS,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 487,No. 1-3,p. 67-70,2010年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Electronic structure of dysprosium silicide films grown on a Si(111) surface,Ayako Imai,Haruya Kakuta,Kenji Mawatari,Ayumi Harasawa,Nobuo Ueno,Taichi Okuda,Kazuyuki Sakamoto,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 256,No. 4,p. 1156-1159,2009年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Peculiar Rashba Splitting Originating from the Two-Dimensional Symmetry of the Surface,Kazuyuki Sakamoto,Haruya Kakuta,Katsuaki Sugawara,Koji Miyamoto,Akio Kimura,Takuya Kuzumaki,Nobuo Ueno,Emilia Annese,Jun Fujii,Ayaka Kodama,Tatsuya Shishidou,Hirofumi Namatame,Masaki Taniguchi,Takafumi Sato,Takashi Takahashi,Tamio Oguchi,PHYSICAL REVIEW LETTERS,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 103,No. 15,2009年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Abrupt Rotation of the Rashba Spin to the Direction Perpendicular to the Surface,Kazuyuki Sakamoto,Tatsuki Oda,Akio Kimura,Koji Miyamoto,Masahito Tsujikawa,Ayako Imai,Nobuo Ueno,Hirofumi Namatame,Masaki Taniguchi,P. E. J. Eriksson,R. I. G. Uhrberg,PHYSICAL REVIEW LETTERS,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 102,No. 9,2009年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Electronic structure of the Si(110)-(16x2) surface: High-resolution ARPES and STM investigation,Kazuyuki Sakamoto,Martin Setvin,Kenji Mawatari,P. E. J. Eriksson,Kazushi Miki,R. I. G. Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 79,No. 4,2009年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Energy band and electron-vibration coupling in organic thin films: photoelectron spectroscopy as a powerful tool for studying the charge transport,Nobuo Ueno,Satoshi Kera,Kazuyuki Sakamoto,Koji. K. Okudaira,APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,SPRINGER,Vol. 92,No. 3,p. 495-504,2008年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Fullerene on nitrogen-adsorbed Cu(001) nanopatterned surfaces: From preferential nucleation to layer-by-layer growth,Bin Lu,Takushi Iimori,Kazuyuki Sakamoto,Kan Nakatsuji,Federico Rosei,Fumio Komori,JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,AMER CHEMICAL SOC,Vol. 112,No. 27,p. 10187-10192,2008年07月,研究論文(学術雑誌)
  • High-temperature annealing and surface photovoltage shifts on Si(111)7x7,H. M. Zhang,Kazuyuki Sakamoto,G. V. Hansson,R. I. G. Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 78,No. 3,2008年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Origin of a surface state above the Fermi level on Ge(001) and Si(001) studied by temperature-dependent ARPES and LEED (共著),Zhang Hanmin,Adell Martin,Sakamoto Kazuyuki,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 77,No. 8,2008年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Observation of a temperature-dependent transition of a copper-phthalocyanine thin film adsorbed on HOPG (共著),KATAOKA Takashi,FUKAGAWA Hirohiko,HOSOUMI Shunsuke,NEBASHI Kohjiro,SAKAMOTO Kazuyuki,SAKAMOTO Kazuyuki,UENO Nobuo,UENO Nobuo,Chem. Phys. Lett.,Vol. 451,No. 1-3,p. 43-47,2008年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Photoemission study of a thallium induced Si(111)-(root 3 x root 3) surface,Kazuyuki Sakamoto,P. E. J. Eriksson,Nobuo Ueno,R. I. G. Uhrberg,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 601,No. 22,p. 5258-5261,2007年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of intramolecular vibrations in charge redistribution at the pentacene-graphite interface,Kuniharu Fujii,Satoshi Kera,Mika Oiwa,Koji K. Okudaira,Kazuyuki Sakamoto,Nobuo Ueno,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 601,No. 18,p. 3765-3768,2007年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Electronic structures of the highest occupied molecular obital bands of a pentacene ultrathin film (共著),Kakita Haruya,Hirahara Toru,Matsuda Iwao,Nagao Tadaaki,Hasegawa Shuji,Ueno Nobuo,Sakamoto Kazuyuki,Phys. Rev. Lett.,Vol. 98,No. 24,2007年06月
  • Lithium-induced dimer reconstructions on Si(001) studied by photoemission spectroscopy and band-structure calculations (共著),Eriksson P. E. J,Sakamoto Kazuyuki,Uhrberg R. I. G,Phys. Rev. B,Vol. 75,No. 20,2007年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface Electronic Structures of Polythiophene Derivatives (共著),HAO X. T,HOSOKAI T,MITSUO N,KERA S,SAKAMOTO K,OKUDAIRA K. K,UENO N,Macromol. Symp.,Vol. 249,p. 493-497,2007年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • The Control of Electronic States Spreading Outside the Conjugated Polymer Surface,Hao X.T,Hosokai Takuya,Mitsuo Norio,Kera Satoshi,Sakamoto Kazuyuki,Okudaira Koji K,Ueno Nobuo,MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS,Vol. 965,No. S13,2007年01月
  • Surface electronic structures of the Eu- and Ca-induced so-called Si(111)-(5x1) reconstructions,Kazuyuki Sakamoto,P. E. J. Eriksson,A. Pick,Nobuo Ueno,R. I. G. Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 74,No. 23,2006年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Core-level photoemission study of thallium adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface: Valence state of thallium and the charge state of surface Si atom,Sakamoto Kazuyuki,Eriksson P.E.J,Mizuno Seigi,Ueno Nobuo,Tochihara Hiroshi,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 74,No. 7,2006年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Phase transition of the Ag/Si(111)-(√3×√3) surface studied by photoelectron diffraction,Sakamoto Kazuyuki,Suzuki Toshihiro,Mawatari Kenji,Kobayashi Keisuke,Okabayashi Jun,Ono Kanta,Ueno Nobuo,Oshima Masaharu,Phys. Rev. B,Vol. 73,No. 19,2006年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface electronic structure of the (3×2) reconstruction induced by Yb on a Si(111) surface,Takada Shinya,Sakamoto Kazuyuki,Kobayashi Keisuke,Suzuki Toshihiro,Harasawa Ayumi,Okuda Taichi,Kinoshita Toyohiko,Appl. Surf. Sci.,Vol. 252,No. 15,p. 5292-5295,2006年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural investigation of the Ca/Si(111)-(3×2) surface using photoelectron diffraction,Toshihiro Suzuki,Kazuyuki Sakamoto,Tadashi Abukawa,Shozo Kono,e-Journal of Surface Science and Nanotechnology,Vol. 4,p. 166-169,2006年02月10日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Structural investigation of the Ca/Si(111)-(3×2) surface using photoelectron diffraction,Toshihiro Suzuki,Kazuyuki Sakamoto,Tadashi Abukawa,Shozo Kono,e-Journal of Surface Science and Nanotechnology,公益社団法人 日本表面科学会,Vol. 4,p. 166-169,2006年02月10日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Surface electronic structures of the Eu- and Ca- induced so-called Si(111)-(5×1) reconstructions,Sakamoto Kazuyuki,Eriksson P.E.J,Pick A,Ueno Nobuo,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 74,No. 23,2006年,研究論文(学術雑誌)
  • Structural investigation of the quasi-one-dimensional reconstructions induced by Eu adsorption on a Si(111) surface,Kazuyuki Sakamoto,A. Pick,R. I.G. Uhrberg,Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics,Vol. 72,No. 19,2005年11月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Structural investigation of the quasi-one-dimensional reconstructions induced by Eu adsorption on a Si(111) surface,K Sakamoto,A Pick,RIG Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 72,No. 19,2005年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Adsorption and reaction processes of physisorbed molecular oxygen on a Si(111)-(7×7) surface,Sakamoto Kazuyuki,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 72,No. 7,2005年08月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Adsorption and reaction processes of physisorbed molecular oxygen on Si(111)-(7x7),K Sakamoto,HM Zhang,RIG Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 72,No. 7,2005年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface electronic structures of Eu induced Si(111)-(3×2) and (2×1) reconstructions,Sakamoto Kazuyuki,Pick A,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 72,No. 4,2005年07月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Surface electronic structures of the Eu-induced Si(111)-(3x2) and -(2x1) reconstructions,K Sakamoto,A Pick,RIG Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 72,No. 4,2005年07月,研究論文(学術雑誌)
  • The performance test of spin-resolved photoelectron spectrometer at HSRC,K Iori,K Miyamoto,H Narita,K Sakamoto,S Qiao,A Kimura,K Shimada,H Namatame,A Taniguchi,JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 144,p. 997-999,2005年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of anα-Sn film on an InSb(111)A-(2×2) surface,Phys. Rev. B,Vol. 70,No. 23,2004年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface electronic structure of K- and Cs-induced √21×√21 phases on Ag/Si(111)√3×√3,Zhang Hanmin,Sakamoto Kazuyuki,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 70,No. 24,2004年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Initial oxidation process of a Si(111)-(7×7) surface studied by photoelectron spectroscopy,Sakamoto Kazuyuki,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Thin Solid Films,Vol. 464,p. 10-13,2004年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Photoemission study of metastable oxygen adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface,Kazuyuki Sakamoto,H. M. Zhang,R. I.G. Uhrberg,Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics,Vol. 70,No. 3,p. 1-35301,2004年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Photoemission study of metastable oxygen adsorbed on a Si(111)-(7x7) surface,K Sakamoto,HM Zhang,RIG Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 70,No. 3,2004年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Electronic structure of the Ca/Si(111)-(3×2) surface,Sakamoto Kazuyuki,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 69,No. 12,2004年03月17日,研究論文(学術雑誌)
  • Electronic structure of the Ca/Si(111)-(3X2) surface,K Sakamoto,HM Zhang,RIG Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 69,No. 12,2004年03月,研究論文(学術雑誌)
  • A self-assembled breathing interface for all-solid-state ceramic lithium batteries,R Kanno,M Murayama,T Inada,T Kobayashi,K Sakamoto,N Sonoyama,A Yamada,S Kondo,ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,ELECTROCHEMICAL SOC INC,Vol. 7,No. 12,p. A455-A458,2004年,研究論文(学術雑誌)
  • Atomic and electronic structures of metal induced Si(111)-(3×1) surfaces (共著),Sakamoto Kazuyuki,Uhrberg R.I.G,e-Journal of Surface Science and Nanotechnology,Vol. 2,p. 210-221,2004年
  • Photoemission study of the metastable oxygen adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface,Sakamoto Kazuyuki,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 70,2004年
  • Atomic and electronic structures of metal induced Si(111)-(3×1) reconstructed surfaces,Sakamoto Kazuyuki,Uhrberg R. I. G,e-Journal of Surface Science and Nanotechnology,公益社団法人 日本表面科学会,Vol. 2,p. 210-221,2004年
  • Band structure of the Ca/Si(111)-(2×1) surface,Sakamoto Kazuyuki,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 68,No. 24,2003年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Observation of two metastable oxygen species adsorbed on a Si(111)-(7x7) surface: Reinterpretation of the initial oxidation process,K Sakamoto,HM Zhang,RIG Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 68,No. 7,2003年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural investigation of the so-called Ca/Si(111)-(5 x 1) surface,W Takeyama,K Sakamoto,HM Zhang,RIG Uhrberg,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,INST PURE APPLIED PHYSICS,Vol. 42,No. 7B,p. 4663-4666,2003年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural investigation of the so-called Ca/Si(111)-(5 x 1) surface,W Takeyama,K Sakamoto,HM Zhang,RIG Uhrberg,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,INST PURE APPLIED PHYSICS,Vol. 42,No. 7B,p. 4663-4666,2003年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Surface electronic structures of Au-induced reconstructions on the Ag/Ge(111) √3×√3 surface,Zhang Hanmin,Sakamoto Kazuyuki,Uhrberg R.I.G,Surf. Sci.,Vol. 532,p. 934-939,2003年06月,研究論文(学術雑誌)
  • High-resolution Si 2p core-level and low-energy electron diffraction studies of the Ca/Si(111)-(3×2) surface,Sakamoto Kazuyuki,Takeyama Wakaba,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Surf. Sci.,Vol. 532,p. 628-632,2003年06月,研究論文(学術雑誌)
  • High-resolution core-level study of the Ca/Si(111)-(2×1) surface,Sakamoto Kazuyuki,Takeyama Wakaba,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Thin Solid Films,Vol. 428,No. 1-2,p. 115-118,2003年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Observation of two different metastable oxygen adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface,Sakamoto Kazuyuki,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 68,No. 7,2003年,研究論文(学術雑誌)
  • Structural investigation of Ca/Si(111) surfaces,K Sakamoto,W Takeyama,HM Zhang,RIG Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMERICAN PHYSICAL SOC,Vol. 66,No. 16,2002年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Unoccupied molecular orbitals of C60 adsorbed on Si(001)-(2×1) and Si(111)-(7×7) surfaces studied by NEXAFS,Kondo Daiyu,Sakamoto Kazuyuki,Takeda Hideo,Matsui Fumihiko,Amemiya Kenta,Ohta Toshiaki,Uchida Wakio,Kasuya Atsuo,Surf. Sci.,Vol. 514,No. 1-3,p. 337-342,2002年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Vibrational modes of the K/Si(111)-(3×1) surface studied by high-resolution electron energy loss spectroscopy,Ashima Hidenori,Kazuyuki Sakamoto,Takeda Hideo,Uchida Wakio,Surf. Sci.,Vol. 514,No. 1-3,p. 332-336,2002年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Determination of the bonding configuration of the metastable molecular oxygen adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface,Vol. 65,No. 20,2002年05月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Semiconductor-metal-semiconductor transition: valence band photoemission study of Ag/Si(111) surfaces,HM Zhang,K Sakamoto,RIG Uhrberg,APPLIED SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 190,No. 1-4,p. 103-107,2002年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Bias-dependent scanning tunneling microscopy study of the oxygen-adsorbed Si(111)-(7x7) surface: Observation of metastable molecular oxygen,K Sakamoto,ST Jemander,GV Hansson,RIG Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 65,No. 15,2002年04月,研究論文(学術雑誌)
  • High-resolution Si 2p core-level study of the K/Si(111)-(3×1) surface,Sakamoto Kazuyuki,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Surf. Rev. Lett.,Vol. 9,No. 2,p. 1235-1239,2002年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Electronic structure of K-doped C60 monolayer films adsorbed on Si(001)-(2×1) and Si(111)-(7×7) surfaces,SAKAMOTO K,WAKITA T,KONDO D,HARASAWA A,KINOSHITA T,UCHIDA W,KASUYA A,Surf. Sci,Vol. 499,No. 1,p. 63-72,2002年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Bias-dependent scanning tunneling microscopy study of the oxygen adsorbed Si(111)-(7×7) surface: Observation of the metastable molecular oxygen,Sakamoto Kazuyuki,Jemander S.T,Hansson G.V,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B.,Vol. 65,No. 15,p. 1-5,2002年,研究論文(学術雑誌)
  • Identification of the basic structure of the Ag/Si(111)-(6×1) surface; observation of a low temperature c(12×2) phase,Sakamoto Kazuyuki,Ashima Hidenori,Zhang Hanmin,Uhrberg R.I.G,Phys. Rev. B,Vol. 65,No. 4,2002年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Comprehensive study of the metal/semiconductor character of adatom-induced Ag/Si(111) reconstructions,HM Zhang,K Sakamoto,RIG Uhrberg,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 64,No. 24,2001年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal-dependent unoccupied electronic structure of a C60 monolayer film adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface,SAKAMOTO K,KONDO D,TAKEDA H,SATO T,SUGA S,MATSUI F,AMEMIYA K,UCHIDA W,KASUYA A,Surf. Sci.,Vol. 493,No. 1-3,p. 604-609,2001年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal effect in unoccupied molecular orbitals of C60 molecules adsorbed on a Si(001)-(2×1) surface studied by NEXAFS,Kondo Daiyu,Sakamoto Kazuyuki,Takeda Hideo,Uchida Wakio,Matsui Fumihiko,Amemiya Kenta,Ohta Toshiaki,Kasuya Atsuo,J. Synchrotron Radiation,Vol. 8,p. 505-507,2001年03月01日
  • Interaction of the metastable molecular oxygen with the dangling bonds of a Si(111)-(7×7) surface,SAKAMOTO K,HIRANO M,TAKEDA H,JEMANDER S T,MATSUDA I,AMEMIYA K,OHTA T,HANSSON G V,UHRBERG R I G,J. Elec. Spec. Phenomena,Vol. 114,p. 489-494,2001年03月,研究論文(学術雑誌)
  • HREELS study of C70 molecules adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface,Wakita Takanori,Sakamoto Kazuyuki,Suto Shozo,Appl. Surf. Sci.,Vol. 169,p. 147-152,2001年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Angle-resolved high-resolution electron-energy-loss study of In adsorbed Si(111)-(4×1) and (8×2) surfaces,SAKAMOTO K,ASHIMA H,YEOM H W,UCHIDA W,Phys. Rev. B,Vol. 62,No. 15,p. 9923-9926,2000年10月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Angle-resolved high-resolution electron-energy-loss study of In-adsorbed Si(111)-(4x1) and -(8x2) surfaces,K Sakamoto,H Ashima,HW Yeom,W Uchida,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 62,No. 15,p. 9923-9926,2000年10月,研究論文(学術雑誌)
  • The Growth Mechanism of SiC Film on a Si(111)-(7×7) Surface by C60 Precursor Studied by Photoelectron Spectroscopy,Sakamoto Kazuyuki,Kondo Daiyu,Ohno Kenichi,Kimura Akio,Kakizaki Akito,Suto Shozo,Uchida Wakio,Kasuya Atsuo,Jpn. J. Appl. Phys.,社団法人応用物理学会,Vol. 39,No. 7B,p. 4536-4539,2000年07月,研究論文(学術雑誌)
  • The growth mechanism of SiC film on a Si(111)-(7x7) surface by C-60 precursor studied by photoelectron spectroscopy,K Sakamoto,D Kondo,K Ohno,A Kimura,A Kakizaki,S Suto,W Uchida,A Kasuya,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,JAPAN J APPLIED PHYSICS,Vol. 39,No. 7B,p. 4536-4539,2000年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Adsorption process of metastable molecular oxygen on a Si(111)-(7×7) surface,SAKAMOTO K,DOI S,USHIMI Y,OHNO K,YEOM H W,OHTA T,SUTO S,UCHIDA W,Phys. Rev. B,Vol. 60,No. 12,p. R8465-R8468,1999年09月15日
  • Adsorption process of metastable molecular oxygen on a Si(111)-(7 x 7) surface,K Sakamoto,S Doi,Y Ushimi,K Ohno,HW Yeom,T Ohta,S Suto,W Uchida,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 60,No. 12,p. R8465-R8468,1999年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Interaction of C60 with Si(111)7×7 and Si(001)2×1 surfaces studied by STM, PES and HREELS: Annealing effects,SUTO S,SAKAMOTO K,KONDO D,WAKITA T,KIMURA A,KAKIZAKI A,HU C‐W,KASUYA A,Surf. Sci.,Vol. 438,No. 1-3,p. 242-247,1999年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal-dependent electronic structure at the interface of C60 adsorbed Si(111)-(7×7) surface,SAKAMOTO K,KONDO D,USHIMI Y,KIMURA A,KAKIZAKI A,SUTO S,Surf. Sci.,Vol. 438,No. 1-3,p. 248-253,1999年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Electronic structures of C60 adsorbed on Si(111)-(7×7) and Si(001)-(2×1) surfaces,SAKAMOTO K,KONDO D,HARADA M,KIMURA A,KAKIZAKI A,SUTO S,Surf. Sci.,Vol. 433,p. 642-646,1999年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Temperature dependence of the electronic structure of C-60 films adsorbed on Si(001)-(2x1) and Si(111)-(7x7) surfaces,K Sakamoto,D Kondo,Y Ushimi,M Harada,A Kimura,A Kakizaki,S Suto,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 60,No. 4,p. 2579-2591,1999年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Bonding nature of C60 adsorbed on Si(111)-(7×7) and Si(001)-(2×1) surfaces studied by HREELS and PES (共著),SUTO S,SAKAMOTO K,KONDO D,WAKITA T,KIMURA A,KAKIZAKI A,Surf. Sci.,Vol. 427-28,p. 85-90,1999年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermal induced transition in bonding nature of C60 molecules adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface (共著),SAKAMOTO K,KONDO D,USHIMI Y,HARADA M,KIMURA A,KAKIZAKI A,SUTO S,J. Elec. Spec. Phenomena,Vol. 101,p. 413-418,1999年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Adsorption and thermal reaction of C70 on Si(001)-(2×1) surfaces: comparison with C60,Wakita Takanori,Sakamoto Kazuyuki,Kasuya Atsuo,Nishina Yuichiro,Suto Shozo,APPLIED SURFACE SCIENCE,Vol. 144-45,No. 145,p. 653-656,1999年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Change in Electronic Structure of C60 Molecules Adsorbed on a Si(001)-(2×1) Surface by Thermal Effect,Kondo Daiyu,Sakamoto Kazuyuki,Ushimi Yoshimitsu,Harada Masashi,Kimura Akio,Kakizaki Akito,Suto Shozo,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,Vol. 38,No. 1,p. 328-331,1999年,研究論文(学術雑誌)
  • Temperature dependence of the electronic structure of C60 films adsorbed on Si(001)-(2x1) and Si(111)-(7x7) surfaces,Sakamoto Kazuyuki,Kondo Daiyu,Ushimi Yoshimitsu,Harada Masashi,Kimura Akio,Kakizaki Akito,Suto Shozo,PHYSICAL REVIEW B,American Physical Society,Vol. 60,No. 4,p. 2579-2591,1999年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Bonding state of the C-60 molecule adsorbed on a Si(111)-(7x7) surface,K Sakamoto,M Harada,D Kondo,A Kimura,A Kakizaki,S Suto,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 58,No. 20,p. 13951-13956,1998年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Bonding state of the C60 molecule adsorbed on a Si(111)-(7X7) surface,Sakamoto Kazuyuki,Harada Masashi,Kondo Daiyu,Kimura Akio,Kakizaki Akito,Suto Shozo,PHYSICAL REVIEW B,American Physical Society,Vol. 58,No. 20,p. 13951-13956,1998年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Interaction of C60 with silicon dangling bonds on the Si(111)-(7×7) surface,SUTO S,SAKAMOTO K,KONDO D,WAKITA T,KIMURA A,KAKIZAKI A,HU C‐W,KASUYA A,SURFACE SCIENCE,Vol. 402-404,No. 404,p. 523-528,1998年05月15日,研究論文(学術雑誌)
  • SiC film formation and growth by the thermal reaction of a C-60 film adsorbed on a Si(111)-(7x7) surface: Bonding nature of C-60 molecules and SiC-film surface phonons,K Sakamoto,T Suzuki,M Harada,T Wakita,S Suto,A Kasuya,PHYSICAL REVIEW B,AMER PHYSICAL SOC,Vol. 57,No. 15,p. 9003-9014,1998年04月,研究論文(学術雑誌)
  • SiC film formation and growth by the thermal reaction of a C60 film adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface: Bonding nature of C60 molecules and SiC-film surface phonon,SAKAMOTO K,SUZUKI T,HARADA M,WAKITA T,SUTO S,PHYSICAL REVIEW B,Vol. 57,No. 15,p. 9003-9014,1998年04月,研究論文(学術雑誌)
  • SiC islands grown on Si(111)-(7×7) and Si(001)-(2×1) surfaces by C60 precursor,SAKAMOTO K,HARADA M,ASHIMA H,SUZUKI T,WAKITA T,KASUYA A,SUTO S,JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA,Vol. 88,p. 897-903,1998年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Bonding state of the C60 molecule adsorbed on a Si(111)-(7×7) surface,SAKAMOTO K,HARADA M,KONDO D,KIMURA A,KAKIZAKI A,SUTO S,PHYSICAL REVIEW B,Vol. 58,No. 20,p. 13951-13956,1998年,研究論文(学術雑誌)
  • The growth mechanism of (-Cu-O-) strings on a Ag(110) surface studied by scanning tunneling microscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, and high resolution electron energy loss spectroscopy,Y Matsumoto,K Sakamoto,Y Okawa,S Suto,K Tanaka,JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,AMER INST PHYSICS,Vol. 107,No. 23,p. 10185-10190,1997年12月,研究論文(学術雑誌)
  • SiC film formation from C60 monolayer on Si(111)-(7×7) and Si(001)-(2×1) surfaces studied by HREELS-STM,SAKAMOTO K,SUZUKI T,WAKITA T,SUTO S,HU C‐W,OCHIAI T,KASUYA A,APPLIED SURFACE SCIENCE,Vol. 121,p. 200-203,1997年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Vibrational properties and charge transfer of C60 adsorbed on Si(111)-(7×7) and Si(001)-(2×1) surfaces,SUTO S,SAKAMOTO K,WAKITA T,HU C‐W,KASUYA A,PHYSICAL REVIEW B,Vol. 56,No. 12,p. 7439-7445,1997年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Angle-resolved photoelectron spectroscopy of the Si(111)3×1-Na surface,Okuda Taichi,Sakamoto Kazuyuki,Nishimoto Hiroyuki,Daimon Hiroshi,Suga Shigemasa,Kinoshita Toyohiko,Kakizaki Akito,PHYSICAL REVIEW B,Vol. 55,No. 11,p. 6762-6765,1997年,研究論文(学術雑誌)
  • Local structure and chemical reaction of C60 films on Si(111) 7×7 studied by HREELS-STM,SUTO S,KASUYA A,HU C‐W,WAWRO A,SAKAMOTO K,WAKITA T,GOTO T,NISHINA Y,MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A,Vol. 217,p. 34-37,1996年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Energy barrier for ion desorption due to discrete surface dipoles,T Yonezawa,H Daimon,K Nakatsuji,K Sakamoto,S Suga,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 365,No. 2,p. 489-494,1996年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Initial stage of C60 film growth and reaction on Si(111) 7×7 and graphite surfaces studied by HREELS-STM,SUTO S,KASUYA A,HU C‐W,WAWRO A,SAKAMOTO K,GOTO T,NISHINA Y,THIN SOLID FILMS,Vol. 281,No. 1/2,p. 602-605,1996年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Electron-and photon-stimulated desorption of the NO/Si(111) surface,K Sakamoto,K Nakatsuji,H Daimon,T Yonezawa,S Suga,H Namba,T Ohta,SURFACE SCIENCE,ELSEVIER SCIENCE BV,Vol. 359,No. 1-3,p. 147-154,1996年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Molecular precursor of oxygen on Si(111)7×7 surface,SAKAMOTO K,SUTO S,UCHIDA W,SURFACE SCIENCE,Vol. 357,No. 1-3,p. 514-517,1996年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Photon-stimulated desorption study of the NO/Si(111) surface,K. Sakamoto,K. Nakatsuji,H. Daimon,T. Yonezawa,S. Suga,H. Namba,T. Ohta,Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena,Elsevier BV,Vol. 80,p. 125-128,1996年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Photoemission study of the Si(111)3×1-K surface,K. Sakamoto,T. Okuda,H. Nishimoto,H. Daimon,S. Suga,T. Kinoshita,A. Kakizaki,Physical Review B,American Physical Society (APS),Vol. 50,No. 3,p. 1725-1732,1994年07月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Adsorption and desorption processes of Cl on a Si (111) 7 × 7 surface,T. Yonezawa,H. Daimon,K. Nakatsuji,K. Sakamoto,S. Suga,Applied Surface Science,Elsevier BV,Vol. 79-80,p. 95-99,1994年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Photon-Stimulated Desorption Mechanism of Cl+Ions from Cl/Si(111) Surface,Takuya Yonezawa,Hiroshi Daimon,Kan Nakatsuji,Kazuyuki Sakamoto,Shigemasa Suga,Hidetoshi Namba,Toshiaki Ohta,Japanese Journal of Applied Physics,IOP Publishing,Vol. 33,No. Part 1, No. 4B,p. 2248-2251,1994年04月30日,研究論文(学術雑誌)
  • Electron-stimulated desorption (ESD) of the O2⧸Si(111) surface,K. Sakamoto,K. Nakatsuji,H. Daimon,T. Yonezawa,S. Suga,Surface Science,Elsevier BV,Vol. 306,No. 1-2,p. 93-98,1994年04月,研究論文(学術雑誌)

MISC

  • In/Si(111)‐(√7×√3)のフェルミ面における特異なラシュバスピンテクスチャ,小林宇宏,中田慶隆,矢治光一郎,獅子堂達也,吉澤俊介,小森文夫,辛埴,内橋隆,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),Vol. 73,No. 2,2018年09月21日
  • 原子層物質の新奇電子状態,坂本一之,KEK Proceedings (Web),No. 2017-5,2017年10月
  • X線光電子回折による酸素吸着Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>の表面近傍原子構造解析,和気 崇,岡本 隆志,大門 寛,Muntwiler Matthias,松井 文彦,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 72,No. 0,p. 2450-2450,2017年
  • ハニカムネットワークを有するBDTDA単層膜の低速電子線回折による構造解析,水津理恵,水津理恵,花本大智,山本真幸,白澤徹郎,坂本一之,分子科学討論会講演プログラム&amp;要旨(Web),Vol. 11th,2017年
  • タリウム単結晶薄膜の電子構造,岩岡睦生,八百板裕智,ZHANG Y,SASSA Yasmine,藤井純,吉田靖雄,長谷川幸雄,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),一般社団法人 日本物理学会,Vol. 71,No. 2,p. ROMBUNNO.13pPSB‐26-2361,2016年09月23日
  • CuPc吸着In/Si(111)‐(√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>)表面の電子構造,大場裕晃,新田淳,吉澤俊介,内橋隆,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),Vol. 71,No. 2,2016年09月23日
  • Pb/Si(110)‐(2×4)表面の電子構造,山崎洸,尾田裕一,日塔光一,三木一司,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),一般社団法人 日本物理学会,Vol. 71,No. 2,p. ROMBUNNO.13pPSB‐31-2366,2016年09月23日
  • Si(001)表面上の(擬)1次元Bi鎖の電子構造,尾田裕一,山崎洸,SHEN Y,日塔光一,三木一司,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),Vol. 71,No. 2,2016年09月23日
  • 高品質ルブレン単結晶の電子構造,新田淳,ANNESE E,藤井純,三輪一元,小野新平,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),一般社団法人 日本物理学会,Vol. 71,No. 2,p. ROMBUNNO.13pPSB‐33-2368,2016年09月23日
  • 領域9,領域5「The stream and prospects of condensed matter physics in subsurface region using novel spectroscopy」(2015年秋季大会シンポジウムの報告,学会報告),坂本 一之,日本物理學會誌,一般社団法人日本物理学会,Vol. 71,No. 2,2016年02月05日
  • Si(001)表面上の (擬)一次元Bi鎖の電子構造,尾田 裕一,山崎 洸,沈 陽,日塔 光一,三木 一司,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 71,No. 0,p. 2390-2390,2016年
  • CuPc吸着In/Si(111)-(√7×√3)表面の電子構造,大場 裕晃,新田 淳,吉澤 俊介,内橋 隆,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 71,No. 0,p. 2367-2367,2016年
  • 光ドーピングによる高効率・高速半導体スピントロニクスデバイスの開発,坂本一之,千葉大学ベンチャービジネスラボラトリー年報,No. 15,p. 95-96,2015年03月
  • 0905 有毒化学剤の揮発・浸透・染み出し揮発に関する数値的研究,今野 豪人,山本 誠,守 裕也,河合 理文,坂本 和之,早川 博貴,流体工学部門講演会講演論文集,一般社団法人 日本機械学会,Vol. 2015,No. 0,p. _0905-1_-_0905-4_,2015年
  • 18pCB-1 シンポジウム「新規分光法による物性研究の潮流と展望」 : はじめに,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 70,No. 0,2015年
  • エネルギー変換材料の表面界面物性:VUV/SX放射光分光による研究,吉信淳,近藤寛,坂本一之,小澤健一,櫻井岳暁,枝元一之,中辻寛,間瀬一彦,中村潤児,物構研サイエンスフェスタ要旨集,Vol. 3rd,2015年
  • Ag(111)表面上に成長したTl単結晶超薄膜の電子構造,ZHANG Y,森岡健太,石川裕隆,FUJII J,吉田靖雄,長谷川幸雄,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 69,No. 2,2014年08月22日
  • 半導体表面上の重金属TlBi合金の電子構造,林田崇志,石川裕隆,八百板裕智,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 69,No. 2,2014年08月22日
  • 光電変換デバイスセルにおける環状チアジルバイラジカルBDTDAの電子構造と分子配向,水津理恵,森岡健太,阿波賀邦夫,坂本一之,日本化学会講演予稿集,Vol. 94th,No. 2,2014年03月12日
  • 対称性に起因したシリコン表面上の特異なラシュバ効果,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 69,No. 1,2014年03月05日
  • 放射光ニュース Elettra放射光施設の現状と利用体験,藤井 純,坂本 一之,菅 滋正,放射光 : 日本放射光学会誌,日本放射光学会,Vol. 27,No. 2,p. 120-124,2014年03月
  • 対称性に起因する特異なラシュバ効果,坂本一之,日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集,Vol. 27th,2014年01月11日
  • 9pPSA-81 Ag(111)表面上に成長したTl単結晶超薄膜の電子構造(9pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)),張 一拓,森岡 健太,石川 裕隆,Fujii J,吉田 靖雄,長谷川 幸雄,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 69,No. 0,2014年
  • 7aAS-4 半導体表面上の重金属TlBi合金の電子構造(7aAS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長)),林田 崇志,石川 裕隆,八百板 裕智,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 69,No. 0,2014年
  • 27pAQ-1 対称性に起因したシリコン表面上の特異なラシュバ効果(招待講演,27pAQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長)),坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 69,No. 0,2014年
  • エネルギー変換材料の表面界面物性:VUV/SX放射光分光による研究,吉信淳,近藤寛,坂本一之,小澤健一,櫻井岳暁,枝元一之,中辻寛,間瀬一彦,中村潤児,物構研サイエンスフェスタ要旨集,Vol. 2013,2014年
  • スピン偏極バレーを有する特異なラシュバ効果,坂本一之,KIM T‐.H,大高実,OSCIECKI J. R,宮本幸治,武市泰夫,原沢あゆみ,STOLWIJK S. D,SCHMIDT A. B,FUJII J,UHRBERG R. I. G,DONATH M,YEOM H. W,小田竜樹,日本物理学会講演概要集,Vol. 68,No. 2,2013年08月26日
  • 実デバイス環状チアジルラジカル分子薄膜の電子構造,森岡健太,水津理恵,阿波賀邦夫,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 68,No. 2,2013年08月26日
  • 環状チアジルラジカル分子の扱着によるAg薄膜の量子井戸準位の変調,林田崇志,水津理恵,珠玖良昭,阿波賀邦夫,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 68,No. 2,2013年08月26日
  • ハニカム格子状に配列したラジカル分子BDTDA単層膜のSTM/S観察,山本真幸,水津理恵,MISHRA P,DUTTA S,吉澤俊介,坂本一之,阿波賀邦夫,中山知信,若林克法,内橋隆,日本物理学会講演概要集,Vol. 68,No. 1,2013年03月05日
  • 27pPSA-17 環状チアジルラジカル分子の吸着によるAg薄膜の量子井戸準位の変調(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)),林田 崇志,水津 理恵,珠玖 良昭,阿波賀 邦夫,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 68,No. 0,2013年
  • 27aJA-4 実デバイス環状チアジルラジカル分子薄膜の電子構造(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長)),森岡 健太,水津 理恵,阿波賀 邦夫,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 68,No. 0,2013年
  • 26pJA-8 スピン偏極バレーを有する特異なラシュバ効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長)),坂本 一之,Fujii J,Uhrberg R.I.G,Donath M,Yeom W.H,小田 竜樹,Kim T-.H,大高 実,Osciecki R.J,宮本 幸治,武市 泰夫,原沢 あゆみ,Stolwijk D,Schmidt B.A,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 68,No. 0,2013年
  • 27aXJ-13 ハニカム格子状に配列したラジカル分子BDTDA単層膜のSTM/S観察(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体)),山本 真幸,内橋 隆,水津 理恵,Mishra P,Dutta S,吉澤 俊介,坂本 一之,阿波賀 邦夫,中山 知信,若林 克法,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 68,No. 0,2013年
  • エネルギー変換材料の表面界面物性:VUV/SX放射光分光による研究,吉信淳,近藤寛,坂本一之,小澤健一,櫻井岳暁,枝元一之,中辻寛,間瀬一彦,物構研サイエンスフェスタ要旨集,Vol. 1st,2013年
  • 有機分子―電極系の構造・電子状態と電荷移動ダイナミクス,吉信淳,近藤寛,坂本一之,小澤健一,櫻井岳暁,長谷川幸雄,江口豊明,間瀬一彦,物構研サイエンスフェスタ要旨集,Vol. 1st,2013年
  • 環状チアジルバイラジカルBDTDA薄膜の電子構造,水津理恵,森岡健太,阿波賀邦夫,坂本一之,分子科学討論会講演プログラム&amp;要旨(Web),Vol. 7th,2013年
  • Cu(111)上に作製した環状チアジルラジカルBDTDA超薄膜の構造と電子状態,山本真幸,水津理恵,MISHRA P,中山知信,阿波賀邦夫,坂本一之,内橋隆,日本物理学会講演概要集,Vol. 67,No. 2,2012年08月24日
  • 領域9,領域5「放射光光電子分光による最先端表面研究」(第67回年次大会シンポジウムの報告,学会報告),坂本 一之,日本物理學會誌,一般社団法人日本物理学会,Vol. 67,No. 7,p. 520-521,2012年07月05日
  • 18pFE-12 Cu(111)上に作製した環状チアジルラジカルBDTDA超薄膜の構造と電子状態(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長)),山本 真幸,水津 理恵,Mishra P,中山 知信,阿波賀 邦夫,坂本 一之,内橋 隆,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 67,No. 0,2012年
  • 27aBB-1 シンポジウム「放射光光電子分光による最先端表面研究」 : はじめに(27aBB 領域9,領域5合同シンポジウム:放射光光電子分光による最先端表面研究,領域9(表面・界面,結晶成長)),坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 67,No. 0,2012年
  • 有機分子‐電極系の構造・電子状態と電荷移動ダイナミクス,吉信淳,近藤寛,坂本一之,小澤健一,櫻井岳暁,長谷川幸雄,江口豊明,間瀬一彦,PFシンポジウム要旨集,Vol. 29th,2012年
  • コバルトフタロシアニンを吸着させた擬一次元銀薄膜のSTM観察,田中裕介,立石龍誠,大内幸雄,上野信雄,中山知信,内橋隆,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 66,No. 1,2011年03月03日
  • TNAP/Bi(001)の電子状態,西龍彦,葛巻拓也,町田拡之,間瀬一彦,上野信雄,吉信淳,坂本一之,日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集,Vol. 24th,2011年01月07日
  • 26aTG-2 コバルトフタロシアニンを吸着させた擬一次元銀薄膜のSTM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長)),田中 裕介,立石 龍誠,大内 幸雄,上野 信雄,中山 知信,内橋 隆,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 66,No. 0,2011年
  • TNAP/Bi(001)の電子状態,西龍彦,葛巻拓也,町田拡之,間瀬一彦,上野信雄,吉信淳,坂本一之,PFシンポジウム要旨集,Vol. 28th,2011年
  • 有機分子‐電極系の構造・電子状態と電荷移動ダイナミクス,吉信淳,近藤寛,坂本一之,小澤健一,櫻井岳暁,長谷川幸雄,江口豊明,間瀬一彦,PFシンポジウム要旨集,Vol. 28th,2011年
  • TNAP/Bi(001)の電子状態,西龍彦,葛巻拓也,町田拡之,間瀬一彦,上野信雄,吉信淳,坂本一之,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),Vol. 71st,2010年08月30日
  • 領域9,領域5,領域7「分光学的手法による有機薄膜研究の最先端」(2009年秋季大会シンポジウムの報告),坂本 一之,日本物理學會誌,一般社団法人日本物理学会,Vol. 65,No. 2,2010年02月05日
  • 新BL‐13A(高輝度VUV・SX分光ビームライン)専用角度分解光電子分光装置の高度化,小澤健一,馬場暁久,櫻井岳暁,坂本一之,菊地貴司,間瀬一彦,日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集,Vol. 23rd,2009年12月10日
  • 高品質有機単結晶薄膜の電子構造:バンド伝導を利用した高移動度有機薄膜デバイスの可能性探求,坂本一之,千葉大学ベンチャービジネスラボラトリー年報,No. 10,p. 152-154,2009年10月
  • Si(110)‐(16×2)表面の光電子分光測定及びSTM観察,三木一司,坂本一之,SETVIN Martin,馬渡健児,ERIKSSON P.E.J,UHRBERG R.I.G,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 56th,No. 2,2009年03月30日
  • Tl/Si(111)‐1×1表面電子構造とC<sub>3</sub>対称性スピン分裂,小田竜樹,辻川雅人,木村昭夫,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 64,No. 1,2009年03月03日
  • Si(110)‐(16×2)表面の電子状態,坂本一之,SETVIN M,馬渡健児,ERIKSSON P. E. J,三木一司,UHRBERG R. I. G,日本物理学会講演概要集,Vol. 64,No. 1,2009年03月03日
  • 重元素吸着半導体表面のRashba効果,坂本一之,KEK Proc,No. 2008-18,p. 90-93,2009年02月
  • 30pRD-1 Tl/Si(111)-1×1表面電子構造とC_3対称性スピン分裂(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長)),小田 竜樹,辻川 雅人,木村 昭夫,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 64,No. 0,2009年
  • 25pZK-1 はじめに(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長),坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 64,No. 0,2009年
  • 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長)),坂本 一之,Setvin M,馬渡 健児,Eriksson P. E. J,三木 一司,Uhrberg R. I. G,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 64,No. 0,2009年
  • Bismuth(001)表面上のTNAPの電子構造,西龍彦,永松伸一,青木健,町田拡之,鈴木雄一郎,加藤康一,原真一朗,恒川雅典,解良聡,坂本一之,上野信雄,分子科学討論会講演プログラム&amp;要旨(Web),Vol. 3rd,2009年
  • 窒素吸着銅(001)表面上のC<sub>60</sub>吸着構造 II,LU Bin,飯盛拓嗣,坂本一之,中辻寛,ROSSEI Federico,ROSSEI Federico,小森文夫,日本物理学会講演概要集,Vol. 63,No. 2,2008年08月25日
  • スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 63,No. 1,2008年02月29日
  • 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長),坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 63,No. 0,2008年
  • 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴)),坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 63,No. 0,2008年
  • 22aXB-8 窒素吸着銅(001)表面上のC_<60>吸着構造 II(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長)),Lu Bin,飯盛 拓嗣,坂本 一之,中辻 寛,Rossei Federico,小森 文夫,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 63,No. 0,2008年
  • 有機分子単層膜の電子状態,角田治哉,平原徹,松田巌,長尾忠昭,長谷川修司,上野信雄,坂本一之,KEK Proc,No. 2007-11,2007年12月
  • SiC(0001)上のエピタキシャルSiON超薄膜,白澤徹郎,林賢二郎,中辻寛,坂本一之,水野清義,小森文夫,田中悟,栃原浩,表面科学講演大会講演要旨集,公益社団法人 日本表面科学会,Vol. 27th,No. 0,p. 171-171,2007年11月01日
  • Si(111)表面上に形成したGdシリサイド超薄膜の電子状態,今井彩子,大岩みか,ADELL M,上野信雄,UHRBERG R. I. G,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 62,No. 2,2007年08月21日
  • SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態,白澤徹郎,林賢二郎,今井彩子,角田治哉,馬渡健児,谷治光一郎,中辻寛,水野清義,坂本一之,田中悟,小森文夫,栃原浩,日本物理学会講演概要集,Vol. 62,No. 2,2007年08月21日
  • 分子構造の相違に起因する金属ナフタロシアニン‐と金属フタロシアニン‐基板間相互作用の違い,浦菜緒,藤井邦治,坂本一之,上野信雄,日本物理学会講演概要集,Vol. 62,No. 2,2007年08月21日
  • In/Si(111)‐(4×1)表面上に形成したC<sub>60</sub>超薄膜の構造と電子状態,馬渡健児,中辻寛,小森文夫,ERIKSSON P. E. J,UHRBERG R. I. G,坂本一之,日本物理学会講演概要集,Vol. 62,No. 2,2007年08月21日
  • 22pPSA-90 窒素吸着銅(001)表面上のC_<60>吸着構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長),Lu Bin,Iimori Takushi,Sakamoto Kazuyuki,Nakatsuji Kan,Rosei Federico,Komori Fumio,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 62,No. 0,2007年
  • 22pPSA-95 分子構造の相違に起因する金属ナフタロシアニン-と金属フタロシアニン-基板間相互作用の違い(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長),浦 菜緒,藤井 邦治,坂本 一之,上野 信雄,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 62,No. 0,2007年
  • 24pXJ-5 Si(111)表面上に形成したGdシリサイド超薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長),今井 彩子,大岩 みか,Adell M,上野 信雄,Uhrberg R.I.G,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 62,No. 0,2007年
  • 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長),白澤 徹郎,田中 悟,小森 文夫,栃原 浩,林 賢二郎,今井 彩子,角田 治哉,馬渡 健児,谷治 光一郎,中辻 寛,水野 清義,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 62,No. 0,2007年
  • 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_<60>超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長),馬渡 健児,中辻 寛,小森 文夫,Eriksson P.E.J,Uhrberg R.I.G,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 62,No. 0,2007年
  • 20aPS-12 ペンタセン超薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長),角田 治哉,平原 徹,松田 巌,長尾 忠昭,長谷川 修司,上野 信雄,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 62,No. 0,2007年
  • 20aPS-13 Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長),今井 彩子,馬渡 健児,角田 治哉,原沢 あゆみ,奥田 太一,上野 信雄,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 62,No. 0,2007年
  • 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)<->(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長),坂本 一之,Eriksson P. E. J,水野 清義,上野 信雄,栃原 浩,Uhrberg R. I. G,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 62,No. 0,2007年
  • HREELS によるPentacene/HOPG 界面の電子移動の検出,大岩 みか,藤井 邦治,解良 聡,坂本 一之,奥平 幸司,上野 信雄,表面科学(日本表面科学会誌),Vol. 27,No. 9,p. 546-548,2006年09月10日
  • HREELSによる Pentacene/HOPG 界面の電子移動の検出,大岩 みか,藤井 邦治,解良 聡,坂本 一之,奥平 幸司,上野 信雄,表面科学 = Journal of The Surface Science Society of Japan,公益社団法人 日本表面科学会,Vol. 27,No. 9,p. 546-548,2006年09月10日
  • BTQBT配向膜の電子状態と正孔‐分子振動結合,細海俊介,深川弘彦,片岡隆史,永松伸一,解良聡,坂本一之,奥平幸司,上野信雄,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 67th,No. 3,2006年08月29日
  • 銅フタロシアニン薄膜へのN<sub>2</sub>曝露効果:高純度UPSによる検出,角田治哉,小野正樹,末吉友基,ZHANG Y,解良聡,坂本一之,奥平幸司,上野信雄,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 53rd,No. 3,2006年03月22日
  • Encyclopedia of Analytical Science 2nd edition (共著),Elsevier,2005年
  • Encyclopedia of Analytical Science 2nd edition (jointly worked),2005年
  • 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長)),小林 敬介,高田 真也,鈴木 俊宏,坂本 一之,正田 亮,原沢 あゆみ,奥田 太一,木下 豊彦,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 60,No. 0,2005年
  • 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長)),正田 亮,江口 豊明,奥田 太一,原沢 あゆみ,坂本 一之,木下 豊彦,長谷川 幸雄,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 60,No. 0,2005年
  • 25pWB-7 Eu吸着により誘起されたSi(111)表面上の一次元鎖構造の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長)),坂本 一之,Pick A,Uhrberg R.I.G,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 60,No. 0,2005年
  • 20pXA-4 Si(111)-(7×7)表面上の物理吸着酸素分子の吸着・反応過程(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長)),坂本 一之,Zhang H. M,Uhrberg R. I. G,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 60,No. 0,2005年
  • 光電子回折によるInP(111)A 2x2-S表面の研究,下村 勝,門谷 典和,坂本 一之,河野 省三,福田 安生,表面科学講演大会講演要旨集,公益社団法人 日本表面科学会,Vol. 24,No. 0,p. 131-131,2004年
  • 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√<3>×√<3>) の表面構造の研究(領域 9),鈴木 俊宏,小林 敬介,坂本 一之,豊田 智史,岡林 潤,小野 寛太,尾嶋 正治,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 59,No. 0,2004年
  • 27aWP-1 Si(111)表面上のCa一次元鎖構造の電子状態(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9),坂本 一之,Zhang H. M,Uhrberg R. I. G,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 59,No. 0,2004年
  • 27pPSA-10 時間分解光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション)(領域9),高田 真也,小林 敬介,鈴木 俊宏,坂木 一之,和田 光世,松井 文彦,原沢 あゆみ,奥田 太一,木下 豊彦,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 59,No. 0,2004年
  • 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9),鈴木 俊宏,坂本 一之,虻川 匡司,河野 省三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 59,No. 0,2004年
  • Solid-State Photoemission and Related Methods: Theory and Experiment (共著),Wiley-VCH Verlag & Co.,2003年
  • Solid-State Photoemission and Related Methods: Theory and Experiment (jointly worked),2003年
  • IPTC年次総会報告 (特集 NewsML(3)),坂本 一之,三瀬 元康,新聞技術,日本新聞協会,Vol. 47,No. 3,p. 32-41,2003年
  • 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態,鈴木 俊宏,近藤 大雄,坂本 一之,豊田 智史,小林 大介,岡林 潤,小野 寛太,尾嶋 正治,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 58,No. 0,2003年
  • 28pPSB-16 Si(111) 表面上に成長した Ag の表面プラズモン,島 政英,高田 真也,八田 振一郎,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 58,No. 0,2003年
  • 29aZF-6 室温における Si(111)-(7×7) 表面の初期酸化過程 : 準安定吸着酸素の研究,坂本 一之,Zhang H. M,Uhrberg R. I. G,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 58,No. 0,2003年
  • 8aSM-13 Si(111)-(7×7)表面上に吸着した準安定酸素の構造決定(表面界面構造・電子物性,領域9),坂本 一之,松井 文彦,平野 真澄,Yeom H.W.,Zhang H.M.,Uhrberg R.I.G.,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 57,No. 2,p. 767-767,2002年08月13日
  • 8aSM-13 Si(111)-(7×7)表面上に吸着した準安定酸素の構造決定(表面界面構造・電子物性,領域9),坂本 一之,松井 文彦,平野 真澄,Yeom H.W,Zhang H.M,Uhrberg R.I.G,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 65,No. 20,2002年05月
  • 25pPSB-10 Ag吸着Si(111)表面の振動状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野)),芦間 英典,長尾 昌志,吉信 淳,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 57,No. 0,2002年
  • 25pPSB-7 高分解能Si2p内殻光電子分光によるCa/Si(111)-("n"×1)表面の研究(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野)),竹山 若葉,坂本 一之,Zhang H.M,Uhrberg R.I.G,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 57,No. 0,2002年
  • 7aSM-10 Ag/Si(111)-(6×1)表面の相転移; : 低温におけるc(12×2)相の観測(表面界面構造・電子物性,領域9),坂本 一之,芦間 英典,Zhang H.M,Uhrberg R.I.G,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 57,No. 0,2002年
  • 6pPSB-17 エネルギー損失分光法を用いた銀吸着Si(111)表面の研究(表面界面結晶成長,領域9),島 政英,八田 振一郎,坂本 一之,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 57,No. 0,2002年
  • 6pPSB-28 C70/Siヘテロ接合の界面の電子状態(表面界面結晶成長,領域9),脇田 高徳,須藤 彰三,粕谷 厚生,坂本 一之,近藤 大雄,奥田 太一,原沢 あゆみ,木下 豊彦,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 57,No. 0,2002年
  • 25pPSB-8 Snを吸着したInSb(111)-(2×2)表面の電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野)),近藤 大雄,島 政英,竹山 若葉,坂本 一之,粕壁 普隆,中村 健哉,小野 寛太,尾嶋 正治,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 57,No. 0,2002年
  • Adsorption and thermal reaction of dodecamethylcyclohexasilane adsorbed on a Si(100)2×1 surface: SiC film growth (共著),Proceedings of the International Symposium on Cluster Assembled Materials,Vol. 3,p. 146-149,2001年
  • Adsorption and thermal reaction of dodecamethylcyclohexasilane adsorbed on a Si(100)2×1 surface: SiC film growth,Proceedings of the International Symposium on Cluster Assembled Materials,Vol. 3,p. 146-149,2001年
  • 19pPSB-16 C_<60>/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置,脇田 高徳,坂本 一之,近藤 大雄,原沢 あゆみ,木下 豊彦,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 56,No. 0,2001年
  • 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用,澤野 史武,劉 希,渡辺 明,坂本 一之,須藤 彰三,粕谷 厚生,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 56,No. 0,2001年
  • 29pPSA-6 HREELSによるK/Si(111)-(3×1)表面の振動状態の研究,芦間 英典,武田 英夫,坂本 一之,内田 和喜男,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 56,No. 0,2001年
  • カーボン60を前駆体とした炭化ケイ素薄膜の成長過程,須藤彰三,坂本一之,脇田高徳,佐藤二美,田中通義,粕壁善隆,HU C‐W,粕谷厚生,超微粒子とクラスター懇談会研究会講演予稿集,Vol. 4th,p. 109-112,2000年05月11日
  • 22aW-6 NEXAFSによるC_<60>吸着Si(001)-(2×1)表面の電子状態の研究,近藤 大雄,坂本 一之,武田 英夫,松井 文彦,雨宮 健太,太田 俊明,内田 和喜男,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 55,No. 0,2000年
  • 24aPS-17 Si(111)7×7表面上に吸着したC_<60>の空分子軌道の研究,武田 英夫,坂本 一之,近藤 大雄,松井 文彦,雨宮 健太,太田 俊明,須藤 彰三,内田 和喜男,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 55,No. 0,2000年
  • 24aPS-20 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程II,平野 真澄,坂本 一之,武田 英夫,松田 巌,雨宮 健太,太田 俊明,須藤 彰三,内田 和喜男,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 55,No. 0,2000年
  • 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造,澤野 史武,原田 壮基,土井 里志,坂本 一之,須藤 彰三,劉 希,Czajka R,渡辺 明,粕谷 厚生,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 55,No. 0,2000年
  • 22aWA-8 Si表面に吸着したC_<60>の電子状態 : K共吸着量依存性II,脇田 高徳,坂本 一之,近藤 大雄,原沢 あゆみ,木下 豊彦,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 55,No. 0,2000年
  • 24pPSA-32 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程III,平野 真澄,太田 俊明,内田 和喜男,坂本 一之,武田 英夫,近藤 大雄,澤野 史武,Jemander S. T,Hansson G. V,Uhrberg R. I. G,雨宮 健太,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 55,No. 0,2000年
  • Si(111)7×7表面に吸着したC<sub>70</sub>の吸着状態,脇田高徳,坂本一之,須藤彰三,日本物理学会講演概要集,Vol. 54,No. 2,1999年09月03日
  • In/Si(111)表面の振動状態,芦間英典,坂本一之,内田和喜男,須藤彰三,日本物理学会講演概要集,Vol. 54,No. 2,1999年09月03日
  • Si表面に吸着したC<sub>60</sub>の電子状態 K共吸着量依存性,脇田高徳,坂本一之,近藤大雄,原沢あゆみ,木下豊彦,須藤彰三,日本物理学会講演概要集,Vol. 54,No. 2,1999年09月03日
  • Si(111)‐(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程,坂本一之,土井里志,牛見義光,YEOM H W,太田俊明,須藤彰三,内田和喜男,日本物理学会講演概要集,Vol. 54,No. 2,1999年09月03日
  • C<sub>70</sub>とSi表面の相互作用,脇田高徳,坂本一之,粕谷厚生,須とう彰三,超微粒子とクラスター懇談会研究会講演予稿集,Vol. 3rd,p. 201-204,1999年05月12日
  • Si(001)‐(2×1)表面に吸着したC<sub>60</sub>の電子状態 温度依存性,近藤大雄,坂本一之,牛見義光,木村昭夫,柿崎明人,須藤彰三,日本物理学会講演概要集,Vol. 54,No. 1,1999年03月15日
  • カーボン70とシリコン表面の相互作用:カーボン60と比較して (共著),NEWS LETTER (応用物理学会薄膜・表面物理分科会),Vol. 107,1999年
  • カーボン60吸着シリコン表面の電子状態,坂本 一之,近藤 大雄,牛見 義光,木村 昭夫,柿崎 明人,須藤 彰三,真空 (日本真空協会誌),一般社団法人 日本真空学会,Vol. 42,No. 3,p. 143-146,1999年
  • 25pW-11 Si表面に吸着したC_<60>の電子状態 : K共吸着量依存性,脇田 高穂,坂本 一之,近藤 大雄,原沢 あゆみ,木下 豊彦,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 54,No. 0,1999年
  • 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程,坂本 一之,土井 里志,牛見 義光,Yeom Han Woong,太田 俊明,須藤 彰三,東北大院理,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 54,No. 0,1999年
  • 25pW-14 In/Si(111)表面の振動状態,芦間 英典,坂本 一之,内田 和喜男,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 54,No. 0,1999年
  • 26aPS-57 Si(111)7x7表面に吸着したC_<70>の吸着状態,脇田 高穂,坂本 一之,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 54,No. 0,1999年
  • 28a-Q-10 Si(001)-(2×1)表面に吸着したC_<60>の電子状態:温度依存性,近藤 大雄,坂本 一之,牛見 義光,木村 昭夫,柿崎 明人,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 54,No. 0,1999年
  • C<sub>60</sub>吸着Si(001)‐(2×1)表面の光電子分光,近藤大雄,坂本一之,牛見義光,木村昭夫,柿崎明人,須藤彰三,日本物理学会講演概要集,Vol. 53,No. 2,1998年09月05日
  • C<sub>60</sub>吸着Si(111)‐(7×7)表面の電子状態 温度依存性,坂本一之,近藤大雄,牛見義光,木村昭夫,柿崎明人,須藤彰三,日本物理学会講演概要集,Vol. 53,No. 2,1998年09月05日
  • Si表面に吸着したC<sub>70</sub>の振動状態 吸着量及び温度依存性,脇田高徳,坂本一之,粕谷厚生,須藤彰三,日本物理学会講演概要集,Vol. 53,No. 2,1998年09月05日
  • カーボン60とシリコン表面の相互作用 (共著),須藤 彰三,坂本 一之,脇田 高徳,BUTSURI (日本物理学会誌),一般社団法人日本物理学会,Vol. 53,No. 3,p. 197-200,1998年03月05日
  • 金属と半導体表面の酸素吸着と酸化初期過程 (共著),須藤彰三,坂本一之,まてりあ(日本金属学会誌),日本金属学会,Vol. 37,No. 3,p. 162-165,1998年03月
  • C<sub>60</sub>吸着Si表面の電子状態,近藤大雄,坂本一之,原田昌史,須藤彰三,木村昭夫,柿崎明人,日本物理学会講演概要集(年会),一般社団法人 日本物理学会,Vol. 53,No. 1,1998年03月
  • 表面酸化の評価と制御 金属と半導体表面の酸素吸着と酸化初期過程,須藤 彰三,坂本 一之,まてりあ,公益社団法人 日本金属学会,Vol. 37,No. 3,p. 162-165,1998年
  • カーボン60とシリコン表面の相互作用,須藤 彰三,坂本 一之,脇田 高徳,日本物理学会誌,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 53,No. 3,p. 197-200,1998年
  • 27a-PS-24 Si表面に吸着したC_<70>の振動状態:吸着量及び温度依存性,脇田 高徳,坂本 一之,粕谷 厚生,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 53,No. 0,1998年
  • 28a-YR-5 C_<60>吸着Si(111)-(7×7)表面の電子状態 : 温度依存性,坂本 一之,近藤 大雄,牛見 義光,木村 昭夫,柿崎 明人,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 53,No. 0,1998年
  • 28a-YR-6 C_<60>吸着Si(001)-(2×1)表面の光電子分光,近藤 大雄,坂本 一之,牛見 義光,木村 昭夫,柿崎 明人,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 53,No. 0,1998年
  • C<sub>60</sub>吸着Si表面の電子状態,坂本一之,近藤大雄,牛見義光,木村昭夫,柿崎明人,須藤彰三,真空に関する連合講演会講演予稿集,Vol. 39th,p. 35-36,1998年
  • C<sub>60</sub>を用いたSiC薄膜の成長機構,坂本一之,鈴木利尚,原田昌史,芦間英典,脇田高徳,粕谷厚生,須藤彰三,日本物理学会講演概要集(分科会),Vol. 1997,1997年09月
  • Si(111)7×7表面に吸着したC<sub>60</sub>とSiダングリングボンドの相互作用,原田昌史,坂本一之,芦間英典,脇田高徳,粕谷厚生,須藤彰三,日本物理学会講演概要集(分科会),Vol. 1997,1997年09月
  • The quality of SiC film formed by thermal reaction of C60 monolayer on Si(111)-(7×7) surface (共著),Sci. Rep. RITU,Vol. 44,No. 1,p. 55-58,1997年03月
  • The quality of SiC film formed by thermal reaction of C60 monolayer on Si(111)-(7×7) surface,Sci. Rep. RITU,Vol. 44,No. 1,p. 55-58,1997年03月
  • The Quality of SiC Film Formed by Thermal Reaction of C_<60> Monolayer on Si(111)-(7×7) Surface(STM-C_<60>),Kazuyuki Sakamoto,Takanori Wakita,Toshinao Suzuki,Shozo Suto,Chang-W. Hu,Atsuo Kasuya,東北大学研究所報告. A集, 物理学・化学・冶金学 = Science reports of the Research Institutes, Tohoku University. Ser. A, Physics, chemistry and metallurgy,Tohoku University,Vol. 44,No. 1,p. 55-58,1997年03月
  • Si表面に吸着したC<sub>60</sub>からのSiC薄膜の形成,坂本一之,鈴木利尚,脇田高徳,須藤彰三,HU C‐W,落合貴,粕谷厚夫,日本物理学会講演概要集(年会),Vol. 52,No. 1 Pt 2,1997年03月
  • The growth mechanism of(-Cu-O-)strings on Ag(110)studied by STM, XPS and HREELS,Y. Matsumoto,K. Sakamoto,Y. Okawa,S. Suto,J. Chem. Phys.,Vol. 107,No. 23,1997年
  • 5p-H-11 Si(111)7×7表面に吸着したC_<60>とSiダングリングボンドの相互作用,原田 昌史,坂本 一之,芦間 英典,脇田 高徳,粕谷 厚生,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 52,No. 0,1997年
  • 5p-H-12 C_<60>を用いたSiC薄膜の成長機構,坂本 一之,鈴木 利尚,原田 昌史,芦間 英典,脇田 高徳,粕谷 厚生,須藤 彰三,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 52,No. 0,1997年
  • 29a-PS-13 Si表面に吸着したC_<60>からのSiC薄膜の形成,坂本 一之,鈴木 利尚,脇田 高徳,須藤 彰三,胡 長武,落合 貴,粕谷 厚夫,日本物理学会講演概要集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 52,No. 0,1997年
  • Si表面に吸着したC<sub>60</sub>の振動状態:吸着量及び温度依存性,脇田高徳,坂本一之,須藤彰三,粕谷厚生,HU C‐W,日本物理学会講演概要集(分科会),一般社団法人 日本物理学会,Vol. 1996,No. Autumn Pt 2,1996年09月
  • HREELSとSTMの複合測定によるCu‐O/Ag(110)系の研究,松本祐司,坂本一之,大川祐司,須藤彰三,田中けい一,日本物理学会講演概要集(年会),Vol. 51st,No. 2,1996年03月
  • Si(111)7×7表面上の長寿命分子状酸素,坂本一之,須藤彰三,内田和喜男,日本物理学会講演概要集(年会),Vol. 51st,No. 2,1996年03月
  • 31a-K-7 Si(111)7×7表面上の長寿命分子状酸素,坂本 一之,須藤 彰三,内田 和喜男,日本物理学会講演概要集. 年会,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 51,No. 0,1996年
  • 3p-J-10 HREELSとSTMの複合測定によるCu-O/Ag(110)系の研究,松本 祐司,坂本 一之,大川 祐司,須藤 彰三,田中 虔一,日本物理学会講演概要集. 年会,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 51,No. 0,1996年
  • NO/Si(111)の光刺激脱離,坂本一之,中辻寛,大門寛,米沢卓也,菅滋正,難波秀利,太田俊明,日本放射光学会年会予稿集,Vol. 7th,1994年05月
  • Si(111)3×1‐K表面の角度分解光電子分光,坂本一之,奥田太一,西本浩之,大門寛,菅滋正,木下豊彦,柿崎明人,日本放射光学会年会予稿集,Vol. 7th,1994年05月
  • Cl/Si(111)の光刺激脱離,中辻寛,米沢卓也,坂本一之,大門寛,菅滋正,難波秀利,太田俊明,日本放射光学会年会予稿集,Vol. 7th,1994年05月
  • 電子衝撃イオン脱離によるO<sub>2</sub>/Si(111)の研究 II,坂本一之,中辻寛,米沢卓也,大門寛,菅滋正,日本物理学会講演概要集(年会),Vol. 49th,No. 2,1994年03月
  • 新博士紹介,放射光 (日本放射光学会誌),Vol. 7,p. 61-62,1994年
  • 28p-PSB-17 電子衝撃イオン脱離による O_2/Si(111)の研究II,坂本 一之,中辻 寛,米澤 卓也,大門 寛,菅 滋正,日本物理学会講演概要集. 年会,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 49,No. 0,1994年
  • Si(111)3×1‐K表面の角度分解光電子分光,坂本一之,奥田太一,西本浩之,大門寛,菅滋正,木下豊彦,柿崎明人,日本物理学会講演概要集(分科会),Vol. 1993,No. Autumn Pt 2,1993年09月
  • NO/Si(111)の光刺激脱離,坂本一之,中辻寛,大門寛,米沢卓也,菅滋正,難波秀利,太田俊明,日本物理学会講演概要集(分科会),Vol. 1993,No. Autumn Pt 2,1993年09月
  • Cl/Si(111)の放射光による光刺激脱離,米沢卓也,大門寛,中辻寛,坂本一之,菅滋正,難波秀利,太田俊明,日本物理学会講演概要集(分科会),Vol. 1993,No. Autumn Pt 2,1993年09月
  • Si(111)3×1‐Na表面の角度分解光電子分光,奥田太一,坂本一之,西本浩之,大門寛,菅滋正,木下豊彦,柿崎明人,日本物理学会講演概要集(分科会),Vol. 1993,No. Autumn Pt 2,1993年09月
  • Si(111)7×7‐Clの電子刺激脱離,米沢卓也,大門寛,中辻寛,坂本一之,菅滋正,日本物理学会講演概要集(年会),Vol. 48th,No. 2,1993年03月
  • 電子衝撃イオン脱離によるO<sub>2</sub>/Si(111)の研究,坂本一之,中辻寛,米沢卓也,大門寛,菅滋正,日本物理学会講演概要集(年会),Vol. 48th,No. 2,1993年03月
  • Photoemission Study of the Si(111)3×1-K Surface (共著),Technical Report of ISSP,Vol. Ser.A No.2751,1993年
  • Photoemission Study of the Si(111)3×1-K Surface,Technical Report of ISSP,Vol. Ser.A,No. No. 2751,1993年
  • 表面(サブゼミ,第37回物性若手夏の学校(1992年度),講義ノート),安江 常夫,大西 秀朗,内藤 正路,坂本 一之,物性研究,物性研究刊行会,Vol. 60,No. 5,1993年
  • 12a-DC-7 Si(113)3×1-K表面の角度分解光電子分光,坂本 一之,奥田 太一,西本 浩之,大門 寛,菅 滋正,木下 豊彦,柿崎 明人,日本物理学会講演概要集. 秋の分科会,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 1993,No. 0,1993年
  • 12a-DH-5 Cl/Si(111)の放射光による光刺激脱離,米澤 卓也,大門 寛,中辻 寛,坂本 一之,菅 滋正,難波 秀利,太田 俊明,日本物理学会講演概要集. 秋の分科会,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 1993,No. 0,1993年
  • 12p-DJ-10 Si(111)3×1-Na 表面の角度分解光電子分光,奥田 太一,坂本 一之,西本 浩之,大門 寛,菅 滋正,木下 豊彦,柿崎 明人,日本物理学会講演概要集. 秋の分科会,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 1993,No. 0,1993年
  • 13a-Ps-16 NO/Si(111)の光刺激脱離,坂本 一之,中辻 寛,大門 寛,米澤 卓也,菅 滋正,難波 秀利,太田 俊明,日本物理学会講演概要集. 秋の分科会,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 1993,No. 0,1993年
  • 29p-PSB-16 電子衝撃イオン脱離によるO_2/Si(111)の研究,坂本 一之,中辻 寛,米澤 卓也,大門 寛,菅 滋正,日本物理学会講演概要集. 年会,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 48,No. 0,1993年
  • 1a-G-6 Si(111)7×7-Clの電子刺激脱離,米澤 卓也,大門 真,中辻 寛,坂本 一之,菅 滋正,日本物理学会講演概要集. 年会,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 48,No. 0,1993年
  • Si(111)7×7‐NOの電子衝撃脱離,坂本一之,大門寛,菅滋正,日本物理学会講演概要集(分科会),Vol. 1992,No. Autumn Pt 2,1992年09月
  • Si(111)‐(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>AlHからの電子衝撃脱離イオン,大門寛,中村清美,米沢卓也,奥田太一,坂本一之,菅滋正,日本物理学会講演概要集(年会),Vol. 47th,No. 2,1992年03月
  • 25p-Y-13 Si(111)7×7-NOの電子衝撃脱離,坂本 一之,大門 寛,管 滋正,秋の分科会予稿集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 1992,No. 0,1992年
  • 29p-PS-28 Si(111)-(CH_3)_2AlHからの電子衝撃脱離イオン,大門 寛,中村 清美,米沢 卓也,奥田 太一,坂本 一之,菅 滋正,年会講演予稿集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 47,No. 0,1992年
  • 二次元分析器による化学吸着分子の電子衝撃脱離,坂本一之,民谷直幹,大門寛,菅滋正,日本物理学会講演概要集(年会),Vol. 46th,No. 2,1991年09月
  • 14.水素吸着W(100)再構成表面の一次転移(大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻,修士論文題目・アブストラクト(1990年度)),坂本 一之,物性研究,物性研究刊行会,Vol. 57,No. 1,p. 141-142,1991年
  • 28a-E-2 二次元分析器による化学吸着分子の電子衝撃脱離,坂本 一之,民谷 直幹,大門 寛,菅 滋正,年会講演予稿集,一般社団法人 日本物理学会,Vol. 46,No. 0,1991年
  • Adsorption and thermal reaction of dodecamethylcyclohexasilane adsorbed on a Si(100)2×1 surface: SiC film growth (jointly worked)
  • The quality of SiC film formed by thermal reaction of C60 monolayer on Si(111)-(7×7) surface (jointly worked)
  • Origin of a surface state above the Fermi level on Ge(001) and Si(001) studied by temperature-dependent ARPES and LEED (jointly worked)
  • Observation of a temperature-dependent transition of a copper-phthalocyanine thin film adsorbed on HOPG (jointly worked)
  • Lithium-induced dimer reconstructions on Si(001) studied by photoemission spectroscopy and band-structure calculations (jointly worked)
  • Surface Electronic Structures of Polythiophene Derivatives (jointly worked)
  • The Control of Electronic States Spreading Outside the Conjugated Polymer Surface (jointly worked)
  • Adsorption and thermal reaction of dodecamethylcyclohexasilane adsorbed on a Si(100)2×1 surface: SiC film growth
  • The quality of SiC film formed by thermal reaction of C60 monolayer on Si(111)-(7×7) surface
  • Atomic and electronic structures of metal induced Si(111)-(3×1) surfaces (jointly worked)
  • Structural investigation of the so-called Ca/Si(111)-(5x1) surface

講演・口頭発表等

  • In/Si(111)‐(√7×√3)のフェルミ面における特異なラシュバスピンテクスチャ,小林宇宏,中田慶隆,矢治光一郎,獅子堂達也,吉澤俊介,小森文夫,辛埴,内橋隆,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),2018年09月21日
  • 一次元鎖状構造を持つジチオレン鉄(III)およびニッケル(III)錯体の磁気的性質,水津理恵,水津理恵,花本大智,星野勝義,坂本一之,阿波賀邦夫,分子科学討論会講演プログラム&amp;要旨(Web),2018年09月12日
  • 光圧による相転移,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),2018年03月23日
  • X線光電子回折による酸素吸着Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>の表面近傍原子構造,和気崇,岡本隆志,大門寛,MUNTWILER Matthias,松井文彦,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),2017年03月21日
  • スピンクロスオーバー錯体[Fe(tdap)<sub>2</sub>(NCS)<sub>2</sub>]薄膜の温度に依存した電子状態,新田淳,珠玖良昭,山本勇,島野拓也,阿波賀邦夫,坂本一之,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),2017年03月21日
  • チアジアゾール環を持つNi(III)錯体における熱振動に起因した磁気相転移,花本大智,水津理恵,桝飛雄馬,阿波賀邦夫,坂本一之,日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM),2017年03月03日
  • 29p-PSB-16 電子衝撃イオン脱離によるO_2/Si(111)の研究,坂本 一之,中辻 寛,米澤 卓也,大門 寛,菅 滋正,日本物理学会講演概要集. 年会,1993年03月
  • 1a-G-6 Si(111)7×7-Clの電子刺激脱離,米澤 卓也,大門 真,中辻 寛,坂本 一之,菅 滋正,日本物理学会講演概要集. 年会,1993年03月
  • Si(111)7×7‐NOの電子衝撃脱離,坂本一之,大門寛,菅滋正,日本物理学会講演概要集(分科会),1992年09月
  • Si(111)‐(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>AlHからの電子衝撃脱離イオン,大門寛,中村清美,米沢卓也,奥田太一,坂本一之,菅滋正,日本物理学会講演概要集(年会),1992年03月
  • 25p-Y-13 Si(111)7×7-NOの電子衝撃脱離,坂本 一之,大門 寛,管 滋正,秋の分科会予稿集,1992年09月
  • 29p-PS-28 Si(111)-(CH_3)_2AlHからの電子衝撃脱離イオン,大門 寛,中村 清美,米沢 卓也,奥田 太一,坂本 一之,菅 滋正,年会講演予稿集,1992年
  • 二次元分析器による化学吸着分子の電子衝撃脱離,坂本一之,民谷直幹,大門寛,菅滋正,日本物理学会講演概要集(年会),1991年09月
  • 28a-E-2 二次元分析器による化学吸着分子の電子衝撃脱離,坂本 一之,民谷 直幹,大門 寛,菅 滋正,年会講演予稿集,1991年