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濵屋 宏平

Hamaya Kouhei

基礎工学研究科,教授

keyword 結晶成長,半導体工学,スピントロニクス

経歴

  • 2019年04月 ~ 継続中,大阪大学,大学院基礎工学研究科 附属スピントロニクス学術連携研究教育センター,教授
  • 2014年04月 ~ 継続中,大阪大学,大学院基礎工学研究科 システム創成専攻 (兼務),教授
  • 2010年01月 ~ 2014年03月,九州大学,大学院システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門,准教授
  • 2008年10月 ~ 2012年03月,(独) 科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業(さきがけ),『革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス:(佐藤勝昭研究統括)』,さきがけ研究者(兼務)
  • 2009年04月 ~ 2009年12月,九州大学,大学院システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門,助教
  • 2007年10月 ~ 2008年02月,東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 特任助教
  • 2006年04月 ~ 2007年09月,日本学術振興会特別研究員 PD (東京大学)
  • 2005年04月 ~ 2006年03月,東京大学 生産技術研究所 特任助手
  • 2008年03月 ~ ,九州大学 大学院システム情報科学研究院 電子デバイス工学部門 助教

研究内容・専門分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学),電気電子材料工学
  • ナノテク・材料,結晶工学
  • ナノテク・材料,応用物性

所属学会

  • 日本磁気学会
  • 応用物理学会
  • 日本物理学会

論文

  • Half-metallic nature of the low-temperature grown Co<inf>2</inf>MnSi films on SrTiO<inf>3</inf>,Vol. 854,2021年02月15日,研究論文(学術雑誌)
  • A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si,Vol. 14,No. 2,2021年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Experimental estimation of the spin diffusion length in undoped p -Ge on Fe<inf>3</inf>Si using vertical spin-valve devices,Vol. 129,No. 1,2021年01月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Electric field tunable anisotropic magnetoresistance effect in an epitaxial Co2FeSi/BaTi O3 interfacial multiferroic system,Vol. 5,No. 1,2021年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin injection through energy-band symmetry matching with high spin polarization in atomically controlled ferromagnet/ferromagnet/semiconductor structures,Vol. 12,No. 1,2020年12月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Crack formation in strained SiGe grown on Ge-on-Si (111) and its suppression by patterning substrates,Vol. 117,2020年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Germanium pn junctions between ferromagnetic CoFe and Fe<inf>3</inf>Si layers for spintronic applications,Vol. 116,2020年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Control of thermoelectric properties in Mn-substituted Fe2TiSi epilayers,Vol. 102,No. 5,2020年08月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Enhancement of the spin hall angle by interdiffusion of atoms in Co2FeAl0.5Si0.5 / n - Ge heterostructures,Vol. 14,No. 2,2020年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Inverse local magnetoresistance effect up to room temperature in ferromagnet-semiconductor lateral spin-valve devices,Vol. 113,2020年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of ferromagnetic Co<inf>2</inf>FeSi films on flexible Ge(111),Vol. 112,2020年06月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Suppression of Donor-Driven Spin Relaxation in Strained Si0.1Ge0.9,Vol. 13,No. 5,2020年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Thermoelectric properties of single-phase full-Heusler alloy Fe<inf>2</inf>TiSi films with D 0<inf>3</inf>-type disordering,Vol. 127,No. 5,2020年02月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Spin transport in antimony-doped germanium detected using vertical spin-valve structures,Vol. 13,No. 2,2020年02月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Strain engineering of Si/Ge heterostructures on Ge-on-Si platform,Vol. 98,No. 5,p. 267-276,2020年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Proximity exchange coupling across an MgO tunnel barrier detected via spin precession,Vol. 11470,2020年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Increased critical thickness for strained SiGe on Ge-on-Si(111),Vol. 98,No. 5,p. 499-503,2020年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Study of spin transport and magnetoresistance effect in silicon-based lateral spin devices for spin-mosfet applications,Vol. 44,No. 3,p. 56-63,2020年,研究論文(学術雑誌)
  • Experimental verification of the origin of positive linear magnetoresistance in CoFe(V1-xMnx)Si Heusler alloys,Vol. 100,No. 19,2019年11月25日,研究論文(学術雑誌)
  • Critical thickness of strained Si<inf>1-x</inf>Ge<inf>x</inf> on Ge(111) and Ge-on-Si(111),Vol. 12,No. 8,2019年08月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Nonmonotonic bias dependence of local spin accumulation signals in ferromagnet/semiconductor lateral spin-valve devices,Vol. 100,No. 2,p. 024431-024431,2019年07月29日,研究論文(学術雑誌)
  • Hanle spin precession in a two-terminal lateral spin valve,Vol. 114,No. 24,2019年06月17日,研究論文(学術雑誌)
  • Direct observation of pseudo-gap electronic structure in the Heusler-type Fe<inf>2</inf>VAl thin film,Vol. 232,p. 1-4,2019年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Quantification of Spin Drift in Devices with a Heavily Doped Si Channel,Vol. 11,No. 4,2019年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Room-temperature local magnetoresistance effect in n-Ge devices with low-resistive Schottky-tunnel contacts,Vol. 12,No. 3,p. 033002-1-033002-4,2019年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Significant reduction in the thermal conductivity of Si-substituted Fe2VAl epilayers,Vol. 99,No. 5,p. 054201-1-054201-7,2019年02月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Magnetic and Transport Properties of Co<inf>1+x</inf>FeV<inf>1-x</inf>Si Epitaxial Films Grown by Molecular Beam Epitaxy,Vol. 55,No. 2,2019年02月,研究論文(学術雑誌)
  • High-quality epitaxial growth of half-metallic Co2FeSi films on a Co-terminated GaN(0001) surface,2019年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Magnetic and transport properties of equiatomic quaternary Heusler CoFeVSi epitaxial films,Vol. 2,No. 12,p. 124403-1-124403-8,2018年12月27日,研究論文(学術雑誌)
  • Nonlinear Electrical Spin Conversion in a Biased Ferromagnetic Tunnel Contact,Vol. 10,No. 6,p. 064050-1-064050-13,2018年12月20日,研究論文(学術雑誌)
  • Crystal orientation effect on spin injection/detection efficiency in Si lateral spin-valve device,M. Ishikawa,M. Tsukahara,S. Honda,Y. Fujita,M. Yamada,Y. Saito,T. Kimura,H. Itoh,K. Hamaya,J. Phys. D: Appl. Phys.,Vol. 52,p. 085102-1-085102-8,2018年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Observation of local magnetoresistance signals in a SiGe-based lateral spin-valve device,Vol. 33,No. 11,2018年10月16日,研究論文(学術雑誌)
  • Local magnetoresistance at room temperature in Si <100> devices,M. Ishikawa,M. Tsukahara,M. Yamada,Y. Saito,K. Hamaya,IEEE Trans. Magn.,Vol. 54,2018年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial growth of Sb-doped Ge layers on ferromagnetic Fe<inf>3</inf>Si for vertical semiconductor spintronic devices,Vol. 33,No. 10,2018年09月26日,研究論文(学術雑誌)
  • Correlation between spin transport signal and Heusler/semiconductor interface quality in lateral spin-valve devices,Vol. 98,No. 11,p. 115304-1-115304-5,2018年09月17日,研究論文(学術雑誌)
  • Spin transport and relaxation in germanium,Vol. 51,No. 39,p. 393001-1-393001-17,2018年08月24日,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical properties of pseudo-single-crystalline Ge films grown by Au-induced layer exchange crystallization at 250 ºC,H. Higashi,K. Kudo,K. Yamamoto,S. Yamada,T. Kanashima,I. Tsunoda,H. Nakashima,K. Hamaya,J. Appl. Phys.,Vol. 123,No. 21,p. 215704-215704,2018年06月07日,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of annealing on the structure and magnetic properties of Co2FeAl0.5Si0.5 thin films on Ge(111),Vol. 748,p. 323-327,2018年06月05日,研究論文(学術雑誌)
  • Modulation of magnetization dynamics in an epitaxial Heusler ferromagnet due to pure spin current in a laterally configured structure,Vol. 30,No. 25,2018年05月31日,研究論文(学術雑誌)
  • Pure spin current transport in a SiGe alloy,Vol. 11,No. 5,2018年05月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Fe-V nonstoichiometry on electrical and thermoelectric properties of Fe2VAl films,Vol. 57,No. 4,2018年04月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous Hall conductivity and electronic structures of Si-substituted Mn2CoAl epitaxial films,Vol. 97,No. 5,p. 054427-1-054427-6,2018年02月26日,研究論文(学術雑誌)
  • Magnetic and structural depth profiles of Heusler alloy Co2FeAl0.5Si0.5 epitaxial films on Si(1 1 1),Vol. 30,No. 6,2018年01月17日,研究論文(学術雑誌)
  • Spin absorption effect at ferromagnet/Ge Schottky-tunnel contacts,Vol. 11,No. 1,2018年01月17日,研究論文(学術雑誌)
  • Giant Spin Accumulation in Silicon Nonlocal Spin-Transport Devices,Vol. 8,No. 6,p. 064023-1-064023-10,2017年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La2O3/La2O3/Ge high-k gate-stacks,Vol. 70,p. 260-264,2017年11月,研究論文(学術雑誌)
  • A crystalline germanium flexible thin-film transistor,Vol. 111,No. 22,p. 222105-1-222105-4,2017年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Control of electrical properties in Heusler-alloy/Ge Schottky tunnel contacts by using phosphorous delta-doping with Si-layer insertion,Vol. 70,p. 83-85,2017年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of post annealing on hole mobility of pseudo-single-crystalline germanium films on glass substrates,Vol. 70,p. 68-72,2017年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Low thermal conductivity of thermoelectric Fe2VAl films,Vol. 10,No. 11,2017年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Low-temperature growth of fully epitaxial CoFe/Ge/Fe3Si layers on Si for vertical-type semiconductor spintronic devices,Vol. 32,No. 9,2017年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurements,Vol. 10,No. 9,2017年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical detection of spin accumulation and relaxation in p-type germanium,Vol. 1,No. 3,p. 034604-1-034604-6,2017年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin Transport and Relaxation up to 250 K in Heavily Doped n-Type Ge Detected Using Co2FeAl0.5Si0.5 Electrodes,Vol. 8,No. 1,p. 014007-1-014007-9,2017年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of the Ge diffusion on the magnetic and structural properties in Fe3Si and CoFe epilayers grown on Ge,Vol. 468,p. 676-679,2017年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Robust spin-current injection in lateral spin valves with two-terminal Co2FeSi spin injectors,Vol. 7,No. 5,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Large impact of impurity concentration on spin transport in degenerate n-Ge,Vol. 95,No. 16,p. 161304(R)-1-161304(R)-5,2017年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin relaxation through lateral spin transport in heavily doped n-type silicon,Vol. 95,No. 11,p. 115302-1-115302-6,2017年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin signals in Si non-local transport devices with giant spin accumulation,Vol. 10357,2017年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Temperature-independent spin relaxation in heavily doped n-type germanium,Vol. 94,No. 24,2016年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Realisation of magnetically and atomically abrupt half-metal/semiconductor interface: Co2FeSi0.5Al0.5/Ge(111),Vol. 6,2016年11月,研究論文(学術雑誌)
  • The antiphase boundary in half-metallic Heusler alloy Co2Fe(Al,Si): atomic structure, spin polarization reversal, and domain wall effects,Vol. 109,No. 22,2016年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Direct evidence for suppression of the Kondo effect due to pure spin current,Vol. 94,No. 14,p. 140401(R)-1-140401(R)-5,2016年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Controlling the half-metallicity of Heusler/Si(111) interfaces by a monolayer of Si-Co-Si,Vol. 28,No. 39,2016年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Magnetic properties and interfacial characteristics of all-epitaxial Heusler-compound stacking structures,Vol. 94,No. 9,p. 094435-1-094435-7,2016年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural and electrical properties of Ge(111) films grown on Si(111) substrates and application to Ge(111)-on-Insulator,Vol. 613,p. 24-28,2016年08月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Spin transport in p-Ge through a vertically stacked Ge/Fe3Si junction,Vol. 109,No. 2,p. 022406-1-022406-4,2016年07月,研究論文(学術雑誌)
  • A low-temperature fabricated gate-stack structure for Ge-based MOSFET with ferromagnetic epitaxial Heusler-alloy/Ge electrodes,Vol. 55,No. 6,2016年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin injection into multilayer graphene from highly spin-polarized Co2FeSi Heusler alloy,Vol. 9,No. 6,2016年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Exchange coupling in metallic multilayers with a top FeRh layer,Vol. 6,No. 5,p. 056115/1-6,2016年05月01日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Mössbauer Analysis,K. Mibu,M. A. Tanaka,K. Hamaya,Springer Series in Materials Science 222, Heusler Alloys Chapter 14,p. 341-352,2016年04月,研究論文(その他学術会議資料等)
  • The role of chemical structure on the magnetic and electronic properties of Co2FeAl0.5Si0.5/Si(111) interface,Vol. 108,No. 17,2016年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Silicon Spintronics for Next-Generation Devices,p. 197-208,2016年01月08日,論文集(書籍)内論文
  • Finely controlled heterointerfaces between Ge(111) and metallic alloys or insulators for next generation Ge-based devices,Vol. 75,No. 8,p. 651-659,2016年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • All-epitaxial Co2FeSi/Ge/Co2FeSi trilayers fabricated by Sn-induced low-temperature epitaxy,Vol. 119,No. 4,p. 045302-1-045302-6,2016年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Finely Controlled Approaches to Formation of Heusler-Alloy/Semiconductor Heterostructures for Spintronics,Vol. 57,No. 6,p. 760-766,2016年,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical properties of pseudo-single-crystalline germanium thin-film-transistors fabricated on glass substrates,Vol. 107,No. 14,p. 142102-1-142102-5,2015年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Low-temperature B2 ordering and magnetic properties of Fe100-xRhx films on bcc alloys,Vol. 92,No. 9,p. 094416-1-094416-7,2015年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin transport and accumulation in n(+)-Si using Heusler compound Co2FeSi/MgO tunnel contacts,Vol. 107,No. 9,2015年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions,Vol. 117,No. 17,p. 17C707-01-17C707-04,2015年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin-related thermoelectric conversion in lateral spin-valve devices with single-crystalline Co2FeSi electrodes,Vol. 8,No. 4,2015年04月,研究論文(学術雑誌)
  • A pseudo-single-crystalline germanium film for flexible electronics,Vol. 106,No. 4,p. 041902-1-041902-5,2015年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Large anisotropy of Gilbert damping constant in L2(1)-ordered Co2FeSi film,Vol. 7,No. 12,2014年12月,研究論文(学術雑誌)
  • An All-Epitaxial Fe3Si/FeSi/Co2FeSi Trilayer Grown by Room-Temperature Molecular Beam Epitaxy,Vol. 50,No. 11,2014年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of magnetic and structural stabilities in high-quality Co2FeSi1-xAlx/Si heterointerfaces,Vol. 105,No. 7,p. 071601-1-071601-4,2014年08月,研究論文(学術雑誌)
  • High carrier mobility in orientation-controlled large-grain (&gt;= 50 mu m) Ge directly formed on flexible plastic by nucleation-controlled gold-induced-crystallization,Vol. 104,No. 25,2014年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Local magnetoresistance through Si and its bias voltage dependence in ferromagnet/MgO/silicon-on-insulator lateral spin valves,Vol. 115,No. 17,p. 17C514-1-17C514-3,2014年05月07日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of Ge(111) on Insulator by Ge epitaxy on Si(111) and layer transfer,Vol. 557,No. -,p. 76-79,2014年04月30日,研究論文(学術雑誌)
  • Reliable reduction of Fermi-level pinning at atomically matched metal/Ge interfaces by sulfur treatment,Vol. 104,No. 17,p. 172109-1-172109-4,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • High-quality Co2FeSi0.5Al0.5/Si heterostructures for spin injection in silicon spintronic devices,Vol. 557,p. 390-393,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • A magnetic tunnel junction with an L2(1)-ordered Co2FeSi electrode formed by all room-temperature fabrication processes,Vol. 557,p. 386-389,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Room-temperature electrical creation of spin accumulation in n-Ge using highly resistive Fe3Si/n(+)-Ge Schottky-tunnel contacts,Vol. 557,p. 382-385,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Greatly enhanced generation efficiency of pure spin currents in Ge using Heusler compound Co2FeSi electrodes,Vol. 7,No. 3,2014年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Low-temperature grown Ge1-xSnx layers on a metallic silicide,p. 63-64,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Effect of Sn-doped Ge insertion layers on epitaxial growth of ferromagnetic Fe3Si films on a flexible substrate,p. 59-60,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Atomically controlled heteroepitaxy of Ge on a ferromagnetic heusler alloy for a vertical-type spin transistor,p. 55-56,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fe_3Siを用いた動力学的手法による高効率スピン注入の実現(映像・情報ストレージ応用技術,一般),市場 昂基,安藤 裕一郎,山田 晋也,仕幸 英治,新庄 輝也,浜屋 宏平,白石 誠司,電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 113,No. 407,p. 21-24,2014年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Ion beam analysis of quaternary Heusler alloy Co2(Mn1-xFex)Si(111) epitaxially grown on Ge(111),Vol. 10,No. 12,p. 1828-1831,2013年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Maximum magnitude in bias-dependent spin accumulation signals of CoFe/MgO/Si on insulator devices,Vol. 114,No. 24,p. 243904-1-243904-6,2013年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Lateral spin valves with two-different Heusler-alloy electrodes on the same platform,Vol. 103,No. 21,p. 212402-1-212402-4,2013年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Giant enhancement of spin pumping efficiency using Fe3Si ferromagnet,Vol. 88,No. 14,p. 140406-1-140406-6,2013年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Co-Fe substitution on room-temperature spin polarization in Co3-xFexSi Heusler-compound films,Vol. 88,No. 1,2013年07月03日,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Co-Fe substitution on the room-temperature spin polarization in Co3−xFexSi Heusler-compound films,K. Tanikawa,S. Oki,S. Yamada,K. Mibu,M. Miyao,K. Hamaya,Phys. Rev. B,Vol. 88,No. 1,p. 014402-1-014402-5,2013年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Room-temperature detection of spin accumulation in silicon across Schottky tunnel barriers using a metal-oxide-semiconductor field effect transistor structure (invited),Vol. 113,No. 17,p. 17C501-1-17C501-6,2013年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Qualitative study of temperature-dependent spin signals in n-Ge-based lateral devices with Fe3Si/n(+)-Ge Schottky-tunnel contacts,Vol. 113,No. 18,p. 183713-1-183713-7,2013年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Room-temperature tunneling magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with a DO3-Fe3SiElectrode,Vol. 52,No. 4,2013年04月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Molecular beam epitaxy of CO2MnSi films on group-IV semiconductors,Vol. 52,No. 4,2013年04月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • An ultra-thin buffer layer for Ge epitaxial layers on Si,Vol. 102,No. 12,p. 121908-1-121908-3,2013年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Dynamical Spin Injection into p-Type Germanium at Room Temperature,Vol. 6,No. 2,2013年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Room-temperature sign reversed spin accumulation signals in silicon-based devices using an atomically smooth Fe3Si/Si(111) contact,Vol. 113,No. 1,2013年01月07日,研究論文(学術雑誌)
  • 動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入(映像情報機器、一般),小池 真利子,仕幸 英治,安藤 裕一郎,新庄 輝也,山田 晋也,浜屋 宏平,白石 誠司,電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 112,No. 416,p. 25-28,2013年01月,研究論文(学術雑誌)
  • 26pKF-14 単結晶Fe_3Si薄膜を用いた動力学的スピン注入における巨大信号の検出(スピントロニクス(スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴)),安藤 裕一郎,市場 昂基,山田 晋也,仕幸 英治,浜屋 宏平,新庄 輝也,白石 誠司,日本物理学会講演概要集,一般社団法人日本物理学会,Vol. 68,No. 2,2013年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of the magnetic domain structure in the ferromagnetic contact on spin accumulation in silicon,Vol. 101,No. 23,p. 232404-1-232404-4,2012年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Sign determination of spin polarization in L2 1-ordered Co 2FeSi using a Pt-based spin Hall device,Vol. 86,No. 17,2012年11月14日,研究論文(学術雑誌)
  • Room-temperature structural ordering of a Heusler compound Fe3Si,Vol. 86,No. 17,p. 174406-1-174406-7,2012年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Sign determination of spin polarization in L2(1)-ordered Co2FeSi using a Pt- based spin Hall device,Vol. 86,No. 17,p. 174412-1-174412-5,2012年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin-Based MOSFETs for Logic and Memory Applications and Spin Accumulation Signals in CoFe/Tunnel Barrier/SOI Devices,Vol. 48,No. 11,p. 2739-2745,2012年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Atomically Controlled Epitaxial Growth of Single-Crystalline Germanium Films on a Metallic Silicide,Vol. 12,No. 10,p. 4703-4707,2012年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of the interface resistance of CoFe/MgO contacts on spin accumulation in silicon,Vol. 100,No. 25,p. 252404-1-252404-3,2012年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Addition of Al to Single-Crystalline CoFe Electrodes on Nonlocal Spin Signals in Lateral Spin-Valve Devices,Vol. 5,No. 6,p. 063004-1-063004-3,2012年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin accumulation created electrically in an n-type germanium channel using Schottky tunnel contacts,Vol. 111,No. 7,2012年04月01日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Estimation of the spin polarization for Heusler-compound thin films by means of nonlocal spin-valve measurements: Comparison of Co 2FeSi and Fe 3Si,Vol. 85,No. 10,2012年03月13日,研究論文(学術雑誌)
  • Estimation of the spin polarization for Heusler-compound thin films by means of nonlocal spin-valve measurements: Comparison of Co2FeSi and Fe3Si,Vol. 85,No. 10,p. 100404(R)-1-100404(R)-5,2012年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Room-temperature generation of giant pure spin currents using epitaxial Co2FeSi spin injectors,Vol. 4,2012年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of Al co-deposition on the crystal growth of Co-based Heusler-compound thin films on Si(111),Vol. 520,No. 8,p. 3419-3422,2012年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Generation and Detection of a Pure Spin Current using Co-Based Heusler-Alloy Spin Injector and Detector: Comparison of Co2MnSi and Co2FeSi,Vol. 50,No. 10,p. 245-251,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Effect of an atomically matched interface structure on Fermi-level pinning at metal/p-Ge interfaces,Vol. 50,No. 9,p. 223-229,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • SiGe spintronics with single-crystalline ferromagnetic Schottky-tunnel contacts,Vol. 50,No. 10,p. 235-243,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Temperature evolution of spin accumulation detected electrically in a nondegenerated silicon channel,Vol. 85,No. 3,p. 035320-1-035320-6,2012年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Formation of Tensilely Strained Germanium-on-Insulator,Vol. 5,No. 1,p. 015701-1-015701-3,2012年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Mechanism of Fermi level pinning at metal/germanium interfaces,Vol. 84,No. 20,2011年11月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Mechanism of Fermi level pinning at metal/germanium interfaces,Vol. 84,No. 20,p. 205301-1-205301-5,2011年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Electric-field control of spin accumulation signals in silicon at room temperature,Vol. 99,No. 13,p. 132511-1-132511-3,2011年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Bias current dependence of spin accumulation signals in a silicon channel detected by a Schottky tunnel contact,Vol. 99,No. 1,p. 012113-1-012113-3,2011年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Local structural ordering in low-temperature-grown epitaxial Fe3+xSi1-x films on Ge(111),Vol. 83,No. 14,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Low-temperature grown quaternary Heusler-compound Co2Mn 1-xFexSi films on Ge(111),Vol. 109,No. 7,2011年04月01日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Formation of ultra-shallow Ohmic contacts on n-Ge by Sb delta-doping,Vol. 1305,p. 30-36,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Source-Drain Engineering Using Atomically Controlled Heterojunctions for Next-Generation SiGe Transistor Applications,Vol. 50,No. 1,2011年01月,研究論文(学術雑誌)
  • High-quality epitaxial CoFe/Si(111) heterostructures fabricated by low-temperature molecular beam epitaxy,Vol. 97,No. 19,2010年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Ultrashallow Ohmic contacts for n-type Ge by Sb delta-doping,Vol. 97,No. 16,2010年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Highly Ordered Co<sub>2</sub>FeSi Heusler Alloys Grown on Ge(111) by Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy,K. Kasahara,K. Yamamoto,S. Yamada,T. Murakami,K. Hamaya,K. Mibu,M. Miyao,Journal of Applied Physics,Vol. 107,p. 09B05-1-09B05-3,2010年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of atomically controlled interfaces on Fermi-level pinning at metal/Ge interfaces,Vol. 96,No. 16,p. 162104-1-162104-3,2010年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Significant growth-temperature dependence of ferromagnetic properties for Co2FeSi/Si(111) prepared by low-temperature molecular beam epitaxy,Vol. 96,No. 8,p. 082511-1-082511-3,2010年02月,研究論文(学術雑誌)
  • High-quality ferromagnetic CoFe/Si contacts for Si spin-transistor applications,p. 1872-1874,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Ferromagnetic Co(3-x)Fe(x)Si/Si(111) contacts with high-quality heterointerfaces for spin- transistor applications,p. 1868-1871,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic Heusler alloys for group-IV semiconductor spintronic devices,Vol. 518,p. S273-S277,2010年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial growth of a full-Heusler alloy CO2FeSi on silicon by low-temperature molecular beam epitaxy,Vol. 518,p. S278-S280,2010年01月,研究論文(学術雑誌)
  • 高品質Fe3Si/Siからなるショットキートンネル電極を用いたシリコン中のスピン伝導の電気的検出,安藤 裕一郎,笠原 健司,榎本 雄志,村上 達彦,浜屋 宏平,木村 崇,澤野 憲太郎,宮尾 正信,Journal of the Magnetics Society of Japan,Vol. 34,No. 3,p. 316-322,2010年
  • Comparison of Nonlocal and Local Magnetoresistance Signals in Laterally Fabricated Fe3Si/Si Spin-Valve Devices,Vol. 3,No. 9,2010年,研究論文(学術雑誌)
  • Spin-Related Current Suppression in a Semiconductor Quantum Dot Spin-Diode Structure,Vol. 102,No. 23,p. 236806-1-236806-4,2009年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in silicon through an Fe3Si/Si Schottky tunnel barrier,Vol. 94,No. 18,p. 182105-1-182105-3,2009年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Ferromagnetism and Electronic Structures of Nonstoichiometric Heusler-Alloy Fe3-xMnxSi Epilayers Grown on Ge(111),Vol. 102,No. 13,2009年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Dynamic nuclear polarization induced by breakdown of fractional quantum Hall effect,Kawamura M,Ono M,Hashimoto Y,Katsumoto S,Hamaya K,Machida T,Physical Review B,Vol. 79,No. 19,2009年,研究論文(学術雑誌)
  • Magnetic properties of epitaxially grown Fe3 Si/Ge (111) layers with atomically flat heterointerfaces,Vol. 105,No. 7,2009年,研究論文(学術雑誌)
  • Tunneling magnetoresistance effect in a few-electron quantum-dot spin valve,Vol. 93,No. 22,p. 222107/1-3,2008年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial ferromagnetic Fe(3)Si/Si(111) structures with high-quality heterointerfaces,Vol. 93,No. 13,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Oscillatory changes in the tunneling magnetoresistance effect in semiconductor quantum-dot spin valves,Vol. 77,No. 8,2008年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Dynamic nuclear polarization in a quantum Hall corbino disk,Vol. 77,No. 2,2008年,研究論文(学術雑誌)
  • Dynamic nuclear polarization and Knight shift measurements in a breakdown regime of integer quantum Hall effect,Kawamura Minoru,Takahashi Hiroyuki,Masubuchi Satoru,Hashimoto Yoshiaki,Katsumoto Shingo,Hamaya Kohei,Machida Tomoki,Physica E-Low-Dimensional Systems &amp; Nanostructures,Vol. 40,No. 5,p. 1389-1391,2008年,研究論文(学術雑誌)
  • Kondo effect in a semiconductor quantum dot coupled to ferromagnetic electrodes,Vol. 91,No. 23,2007年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Spatial distribution of Knight shift around quantum Hall edge channels using resistively-detected NMR,Vol. 21,No. 8-9,p. 1440-1444,2007年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical polarization of nuclear spins in a breakdown regime of quantum Hall effect,Vol. 90,No. 2,2007年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical coherent control of nuclear spins in a breakdown regime of quantum Hall effect,Vol. 91,No. 9,2007年,研究論文(学術雑誌)
  • Electric-field control of tunneling magnetoresistance effect in a NiInAsNi quantum-dot spin valve,Vol. 91,No. 2,p. 022107/1-3,2007年,研究論文(学術雑誌)
  • Spin transport through a single self-assembled InAs quantum dot with ferromagnetic leads,Vol. 90,No. 5,2007年,研究論文(学術雑誌)
  • Gate-controlled nuclear magnetic resonance in an AlGaAs/GaAs quantum Hall device,Vol. 89,No. 20,2006年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Knight shift detection using gate-induced decoupling of the hyperfine interaction in quantum Hall edge channels,Vol. 89,No. 6,2006年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Dynamic spin cluster relaxation in ferromagnetic (Ga, Mn)As,K. Hamaya,T. Koike,T. Taniyama,T. Fujii,Y. Kitamoto,Y. Yamazaki,Physical Review B,Vol. Vol. 73,No. No. 15,p. pp. 155204-1,2006年08月
  • Estimation of electrically-pumped dynamic nuclear polarization in a quantum Hall device using tilted magnetic fields,Vol. 45,No. 20-23,p. L522-L524,2006年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin-dependent edge-channel transport in a Si/SiGe quantum Hall system,Vol. 73,No. 12,2006年03月,研究論文(学術雑誌)
  • Estimation of dynamic nuclear polarization in quantum-Hall devices using tilted magnetic fields,Vol. 3,No. 12,p. 4384-4387,2006年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Local detection of Knight shift around quantum-Hall edge channels using resistively-detected NMR,Vol. 3,No. 12,p. 4368-4371,2006年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Magnetic anisotropy switching in (Ga,Mn)As with increasing hole concentration,Vol. 74,No. 4,p. 045201/1-4,2006年,研究論文(学術雑誌)
  • Dynamic relaxation of magnetic clusters in a ferromagnetic (Ga,Mn)As epilayer,Vol. 73,No. 15,p. 155204/1-7,2006年,研究論文(学術雑誌)
  • Spin dependence of edge-channel transport in siliconbased quantum Hall systems,Vol. 3,No. 12,p. 4251-4254,2006年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Magnetization reversal with domain-wall pinning in (Ga, Mn)As wire,Vol. 41,No. 10,p. 2742-2744,2005年10月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Magnetization reversal by electrical spin injection in ferromagnetic (Ga,Mn)As-based magnetic tunnel junctions,Vol. 18,No. 1,p. 3-7,2005年,研究論文(学術雑誌)
  • Current-Induced Magnetization Reversal in a (Ga,Mn)As-Based Magnetic Tunnel Junction,Rai Moriya,Kohei Hamaya,Akira Oiwa,Hiro Munekata,Jpn. J. Appl. Phys.,Japan Society of Applied Physics,Vol. 43,No. No. 6B,2004年06月
  • Anomalous Hall resistivity due to grain boundary in manganite thin films,T. Taniyama,K. Hamaya,Y. Kitamoto,Y. Yamazaki,J. Appl. Phys.,Vol. 93,No. 10,p. 8107-8109,2003年05月
  • Control of magnetic features in epitaxial micro-patterned (Ga,Mn)As wire structures,2003年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Selective dry etching of manganite thin films for high sensitive magnetoresistive sensors,Vol. 235,No. 1-3,p. 223-226,2001年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Magnetoresistance of manganite thin films induced by reaction with substrate,Vol. 89,No. 11,p. 6320-6323,2001年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Great differences between low-temperature grown Co2FeSi and Co2MnSi films on single-crystalline oxides,K. Kudo,Y. Hamazaki,S. Yamada,S. Abo,Y. Gohda,K. Hamaya,ACS Appl. Electron. Mater.

受賞

  • 応用物理学会優秀論文賞,浜屋 宏平,(公) 応用物理学会,2018年09月
  • 第9回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞,浜屋 宏平,(公) 応用物理学会,2018年03月
  • 第13回 船井学術賞,浜屋 宏平,(財)船井情報科学振興財団,2014年04月
  • 平成23年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞,浜屋 宏平,文部科学省,2011年04月
  • 第5回日本物理学会若手奨励賞,浜屋 宏平,(社)日本物理学会,2011年03月
  • 日本磁気学会論文賞,浜屋 宏平,(社)日本磁気学会,2010年09月
  • 第23回 安藤博記念学術奨励賞,浜屋 宏平,(財)安藤研究所,2010年06月
  • 第8回 船井情報科学奨励賞,浜屋 宏平,(財)船井情報科学振興財団,2009年04月
  • 応用物理学会講演奨励賞,浜屋 宏平,(社) 応用物理学会,2007年09月
  • 手島記念研究賞(博士論文賞),浜屋 宏平,(財) 手島工業教育資金団,2006年02月

講演・口頭発表等

  • n<sup>+</sup>-Siスピン伝導チャネルにおけるスピン緩和について,石川瑞恵,浜屋宏平,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2020年
  • Ge-on-Si基板のパターニングによる歪みSiGe層中クラック発生の抑制,我妻勇哉,ALAM Md. Mahfuz,ALAM Md. Mahfuz,岡田和也,星裕介,山田道洋,浜屋宏平,澤野憲太郎,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2020年
  • 強磁性体/半導体スピン素子におけるスピン蓄積信号の非線形バイアス依存性,藤田裕一,山田道洋,塚原誠人,内藤貴大,山田晋也,山田晋也,澤野憲太郎,浜屋宏平,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,2019年
  • 強磁性体/半導体スピン素子の性能と界面磁性の相関,山田道洋,白土優,塚原誠人,神部広翔,工藤康平,山田晋也,山田晋也,澤野憲太郎,中谷亮一,中谷亮一,浜屋宏平,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,2019年
  • Co<sub>2</sub>FeSi/BaTiO<sub>3</sub>界面マルチフェロイクヘテロ構造の磁気特性,寺本侑樹,山田晋也,山田晋也,村田太一,松實大志,工藤康平,谷山智康,浜屋宏平,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,2019年
  • ホイスラー合金CoFeVSiにおける正の線形磁気抵抗効果の起源,山田晋也,小林慎也,真砂啓,KUMARA L. S. R.,田尻寛男,福島鉄也,福島鉄也,阿保智,桜庭裕弥,宝野和博,小口多美夫,小口多美夫,小口多美夫,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,2019年
  • 酸化物基板上のCo<sub>2</sub>FeSiおよびCo<sub>2</sub>MnSi薄膜の成長形態の違い,工藤康平,濱崎恭考,山田晋也,阿保智,合田義弘,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,2019年
  • ホイスラー合金/Pt二層膜における一方向性スピンホール磁気抵抗効果の測定,瀬水ひかり,岡野元基,山野井一人,山野井一人,山田道洋,山田晋也,浜屋宏平,能崎幸雄,能崎幸雄,日本物理学会講演概要集(CD-ROM),2019年
  • Ge-on-Si(111)及びGe(111)基板上の歪みSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>の臨界膜厚,我妻勇哉,ALAM Md. Mahfuz,岡田和也,星裕介,山田道洋,浜屋宏平,浜屋宏平,澤野憲太郎,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2019年
  • GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co<sub>2</sub>FeSi薄膜の低温MBE成長,山田晋也,山田晋也,本多遼成,後藤優貴,市川修平,舘林潤,藤原康文,藤原康文,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2019年
  • 強磁性Fe<sub>3</sub>Si上へのゲルマニウムPN接合の作製,本田瑞葵,椎原貴洋,山田道洋,山田晋也,山田晋也,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2019年
  • 熱電材料Fe<sub>2</sub>TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長,嶋貫雄太,工藤康平,山田晋也,山田晋也,石部貴史,中村芳明,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2019年
  • 金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜における電気伝導特性の理解,東英実,笠原健司,工藤康平,山田晋也,金島岳,角田功,中島寛,浜屋宏平,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2019年
  • 金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性,東英実,笠原健司,山本圭介,工藤康平,山田晋也,金島岳,中島寛,浜屋宏平,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2019年
  • Si置換したFe<sub>2</sub>VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率,工藤康平,山田晋也,山田晋也,近田尋一朗,嶋貫雄太,石部貴史,阿保智,宮崎秀俊,西野洋一,中村芳明,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2019年
  • Ge(111)基板上の歪みSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>膜成長と臨界膜厚の評価,坂本優,山田道洋,浜屋宏平,澤野憲太郎,応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2018年03月05日
  • ゲルマニウム中の電子スピン伝導とスピン緩和,藤田裕一,山田道洋,塚原誠人,山田晋也,山田晋也,澤野憲太郎,浜屋宏平,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,2017年09月05日
  • 低RAショットキートンネル接合電極を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導検出,塚原誠人,山田道洋,藤田裕一,内藤貴大,山田晋也,山田晋也,澤野憲太郎,浜屋宏平,浜屋宏平,応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2017年08月25日
  • Co<sub>2</sub>FeSi<sub>0.5</sub>Al<sub>0.5</sub>ホイスラー合金電極を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導観測,岡孝保,藤田裕一,山田道洋,澤野憲太郎,山田晋也,金島岳,浜屋宏平,日本金属学会講演概要(CD-ROM),2015年09月02日
  • Co<sub>2</sub>FeSi<sub>0.5</sub>Al<sub>0.5</sub>/n<sup>+</sup>‐Geショットキートンネル接合を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導検出,藤田裕一,岡孝保,山田晋也,山田道洋,澤野憲太郎,金島岳,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,2015年08月25日
  • CMPによるGe表面の平坦化と歪みGOI(111)基板の作製,遠藤冴己,星裕介,久保智史,澤野憲太郎,浜屋宏平,宮尾正信,白木靖寛,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2012年08月27日
  • Fe<sub>3</sub>Si/n<sup>+</sup>‐Ge/n‐Ge素子におけるスピン蓄積の生成・検出,竹本剛太郎,馬場雄三,笠原健司,山田晋也,星裕介,澤野憲太郎,宮尾正信,浜屋宏平,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),2012年02月29日
  • Si‐MOSFET構造におけるスピン蓄積の検出,真崎紘平,安藤裕一郎,前田雄也,笠原健司,山田晋也,星裕介,澤野憲太郎,宮尾正信,浜屋宏平,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),2012年02月29日
  • n‐Ge中に生成されたスピン蓄積の検出,馬場雄三,笠原健司,真崎紘平,安藤裕一郎,星裕介,澤野憲太郎,宮尾正信,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,2011年09月27日
  • 三端子Hanle効果測定法を用いたSi中のスピン蓄積の検出,真崎紘平,安藤裕一郎,前田雄也,笠原健司,星裕介,澤野憲太郎,宮尾正信,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,2011年09月27日
  • Ge/Siエピタキシャル成長を利用した薄膜歪GOI(111)構造の形成,星裕介,澤野憲太郎,浜屋宏平,宮尾正信,白木靖寛,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2011年08月16日
  • 2段階成長法によるSi(111)基板上Ge薄膜の作製,久保智史,星裕介,澤野憲太郎,浜屋宏平,宮尾正信,有元圭介,山中淳二,中川清和,白木靖寛,応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM),2011年08月16日
  • 貼り合わせ法による歪みGOI基板の作製,星裕介,栢野竜丞,澤野憲太郎,浜屋宏平,宮尾正信,白木靖寛,応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM),2011年03月09日