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金島 岳

Takeshi Kanashima

基礎工学研究科 システム創成専攻,准教授

keyword high-Kゲート,放射光による電子材料の作製及びエッチング,Si/SiO界面の評価,Si酸化膜

学歴

  • ~ 1996年,大阪大学,基礎工学研究科,物理系
  • ~ 1996年,大阪大学

経歴

  • 1996年 ~ ,- 大阪大学 助手
  • 1996年 ~ ,- Research Associate, Osaka University

研究内容・専門分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学),電気電子材料工学
  • ナノテク・材料,薄膜、表面界面物性

所属学会

  • 新無機膜研究会
  • 放射光学会
  • 応用物理学会
  • shinmukimaku kenkyukai

論文

  • Inverse local magnetoresistance effect up to room temperature in ferromagnet-semiconductor lateral spin-valve devices,Vol. 113,2020年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Growth of ferromagnetic Co<inf>2</inf>FeSi films on flexible Ge(111),Vol. 112,2020年06月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Electrical properties of pseudo-single-crystalline Ge films grown by Au-induced layer exchange crystallization at 250 ºC,H. Higashi,K. Kudo,K. Yamamoto,S. Yamada,T. Kanashima,I. Tsunoda,H. Nakashima,K. Hamaya,J. Appl. Phys.,Vol. 123,No. 21,p. 215704-215704,2018年06月07日,研究論文(学術雑誌)
  • A crystalline germanium flexible thin-film transistor,Vol. 111,No. 22,p. 222105-1-222105-4,2017年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Control of electrical properties in Heusler-alloy/Ge Schottky tunnel contacts by using phosphorous δ-doping with Si-layer insertion,Michihiro Yamada,Yuichi Fujita,Shinya Yamada,Takeshi Kanashima,Kentarou Sawano,Kohei Hamaya,Materials Science in Semiconductor Processing,Vol. 70,p. 83-85,2017年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin Transport and Relaxation up to 250 K in Heavily Doped n-Type Ge Detected Using Co2FeAl0.5Si0.5 Electrodes,Vol. 8,No. 1,p. 014007-1-014007-9,2017年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Influence of the Ge diffusion on the magnetic and structural properties in Fe3Si and CoFe epilayers grown on Ge,Vol. 468,p. 676-679,2017年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Robust spin-current injection in lateral spin valves with two-terminal Co2FeSi spin injectors,Vol. 7,No. 5,2017年05月,研究論文(学術雑誌)
  • Temperature-independent spin relaxation in heavily doped n-type germanium,Vol. 94,No. 24,2016年12月,研究論文(学術雑誌)
  • Direct evidence for suppression of the Kondo effect due to pure spin current,Vol. 94,No. 14,p. 140401(R)-1-140401(R)-5,2016年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Magnetic properties and interfacial characteristics of all-epitaxial Heusler-compound stacking structures,Vol. 94,No. 9,p. 094435-1-094435-7,2016年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin transport in p-Ge through a vertically stacked Ge/Fe3Si junction,Vol. 109,No. 2,p. 022406-1-022406-4,2016年07月,研究論文(学術雑誌)
  • A low-temperature fabricated gate-stack structure for Ge-based MOSFET with ferromagnetic epitaxial Heusler-alloy/Ge electrodes,Vol. 55,No. 6,2016年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Exchange coupling in metallic multilayers with a top FeRh layer,Vol. 6,No. 5,p. 056115/1-6,2016年05月01日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Finely controlled heterointerfaces between Ge(111) and metallic alloys or insulators for next generation Ge-based devices,Vol. 75,No. 8,p. 651-659,2016年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • P(VDF-TeFE)/Organic Semiconductor Structure Ferroelectric-Gate FETs,Vol. 131,p. 187-201,2016年,論文集(書籍)内論文
  • All-epitaxial Co2FeSi/Ge/Co2FeSi trilayers fabricated by Sn-induced low-temperature epitaxy,Vol. 119,No. 4,p. 045302-1-045302-6,2016年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Low-temperature B2 ordering and magnetic properties of Fe100-xRhx films on bcc alloys,Vol. 92,No. 9,p. 094416-1-094416-7,2015年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Air damping effect on the air-based CMUT operation,Vol. 67,No. 3,p. 486-495,2015年08月,研究論文(学術雑誌)
  • Spin-related thermoelectric conversion in lateral spin-valve devices with single-crystalline Co2FeSi electrodes,Vol. 8,No. 4,2015年04月,研究論文(学術雑誌)
  • A pseudo-single-crystalline germanium film for flexible electronics,Vol. 106,No. 4,p. 041902-1-041902-5,2015年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Multimodal measurement of proximity and touch force by light- and strain-sensitive multifunctional MEMS sensor,Vol. 2014-,No. December,p. 1749-1752,2014年12月12日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Texture measurement and identification of object surface by MEMS tactile sensor,Vol. 2014-,No. December,p. 1706-1709,2014年12月12日,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Current conduction in single-domain BiFeO<inf>3</inf>thin films,Seiji Nakashima,Taiki Ito,Hironori Fujisawa,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Masafumi Kobune,Masaru Shimizu,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 53,No. 8 SPEC. ISSUE 3,2014年08月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Columnar Growth of BiFeO3 Films Prepared by Magnetic-field-assisted Pulsed Laser Deposition,Vol. 466,No. 1,p. 63-73,2014年07月,研究論文(学術雑誌)
  • Organic ferroelectric gate field-effect transistor memory using high-mobility rubrene thin film,Vol. 53,No. 4,2014年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Effect of Spin Configurations on First-Principles-Calculated Structure and Magneto-Electric Properties of BiFeO3,Vol. 1627,p. 87-91,2014年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Active touch sensing by multi-axial force measurement using high-resolution tactile sensor with microcantilevers,Vol. 134,No. 3,p. 58-63,2014年,研究論文(学術雑誌)
  • 光・歪複合検知MEMSセンサによる近接覚・触覚計測,横山 輔久登,金島 岳,奥山 雅則,安部 隆,野間 春生,東 輝明,寒川 雅之,電気学会論文誌E,Vol. 134,No. 7,p. 229-234,2014年,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication and noise reduction of the miniature tactile sensor using through-silicon-via connection with signal amplifier,Vol. 52,No. 6,2013年06月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Force Intensity and Direction Measurement in Real Time Using Miniature Tactile Sensor with Microcantilevers Embedded in PDMS,p. 1090-1093,2013年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 傾斜マイクロカンチレバー型触覚センサによる物体表面質感の計測法に関するレビュー,寒川 雅之,渡部 公介,金島 岳,奥山 雅則,野間 春生,東 輝明,電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌),Vol. 133,No. 5,p. 4-154,2013年,研究論文(学術雑誌)
  • Multi-axial tactile sensor with micro-cantilever embedded in hemispherical elastomer for surface texture measurement,p. 1012-1015,2013年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Identification of Various Kinds of Papers Using Multi-axial Tactile Sensor with Micro-cantilevers,p. 139-144,2013年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Repetition rate dependence of ferroelectric properties of polycrystalline BiFeO<inf>3</inf>films prepared by pulsed laser deposition method,Jung Min Park,Seiji Nakashima,Masayuki Sohgawa,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Ferroelectrics,Vol. 453,No. 1,p. 1-7,2013年01月01日,研究論文(学術雑誌)
  • Preparation of epitaxial BiFeO<inf>3</inf>thin films on La-SrTiO<inf>3</inf>substrate by using magnetic-field-assisted pulsed laser deposition,Jung Min Park,Masayuki Sohgawa,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Seiji Nakashima,Journal of the Korean Physical Society,Vol. 62,No. 7,p. 1041-1045,2013年,研究論文(学術雑誌)
  • Tactile sensor array using microcantilever with nickel–chromium alloy thin film of low temperature coefficient of resistance and its application to slippage detection,Masayuki Sohgawa,Daiki Hirashima,Yusuke Moriguchi,Tatsuya Uematsu,Wataru Mito,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Haruo Noma,Sensors and Actuators A: Physical,Vol. 186,p. 32-37,2012年10月,研究論文(学術雑誌)
  • Ferroelectric and Piezoelectric Properties of Polycrystalline BiFeO3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field,Jung Min Park,Seiji Nakashima,Masayuki Sohgawa,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 51,No. 9S2,2012年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Ferroelectric and piezoelectric properties of polycrystalline BiFeO<inf>3</inf>thin films prepared by pulsed laser deposition under magnetic field,Jung Min Park,Seiji Nakashima,Masayuki Sohgawa,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 51,No. 9 PART3,2012年09月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 球・円柱表面形状を用いた動的表面テクスチャ計測多軸触覚センサ,寒川 雅之,植松 達也,金島 岳,奥山 雅則,野間 春生,電気学会研究会資料. PHS, フィジカルセンサ研究会,No. 8,p. 1-6,2012年06月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Passivation of Ge(100) and (111) Surfaces by Termination of Nonmetal Elements,Vol. 51,No. 4,2012年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Heterogeneous Integration of LSI Amplifier and the Tactile Sensor Using Stacking and through-Si-via Techniques,Masayuki Sohgawa,Hokuto Yokoyama,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Haruo Noma,Material Research Society Symposium Proceedings,Vol. 1427,2012年04月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Organic Ferroelectric Field-Effect Transistor Memory Using Flat Poly(vinylidene fluoride-tetrafluoroethylene) and Pentacene Thin Films,Vol. 51,No. 2,2012年02月,研究論文(学術雑誌)
  • Heterogeneous integration of LSI amplifier and the tactile sensor using stacking and through-Si-via techniques,Vol. 1427,p. 14-19,2012年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Miniature ultrasonic and tactile sensors for dexterous robot,Vol. 13,No. 5,p. 215-220,2012年,研究論文(学術雑誌)
  • Influences of perforation ratio in characteristics of capacitive micromachined ultrasonic transducers in air,Vol. 171,No. 2,p. 191-198,2011年11月,研究論文(学術雑誌)
  • X-ray diffraction study of electric-field-induced strains in polycrystalline BiFeO<inf>3</inf> thin films at low temperatures by using synchrotron radiation,Vol. 59,No. 31,p. 2556-2559,2011年09月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Preparation and characterization of BiFeO<inf>3</inf> thin films deposited on Ito substrates by using pulsed laser deposition,Vol. 59,No. 31,p. 2537-2541,2011年09月15日,研究論文(学術雑誌)
  • Preparation of BiFe0.9Co0.1O3 Films by Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field,Jung Min Park,Fumiya Gotoda,Seiji Nakashima,Masayuki Sohgawa,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 50,No. 9S2,2011年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Preparation of BiFeO<inf>3</inf> thin films on SrRuO<inf>3</inf>/SrTiO <inf>3</inf>(001) substrate by dual ion beam sputtering,Vol. 50,No. 9 PART 3,2011年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Preparation of BiFe<inf>0.9</inf>Co<inf>0.1</inf>O<inf>3</inf> films by pulsed laser deposition under magnetic field,Vol. 50,No. 9 PART 3,2011年09月,研究論文(学術雑誌)
  • “Improvement in the Electrical Characteristics of a Fluorinated HfO2Ge Gate Stack by Using a Nitrogen,DongHun Lee,Hyun Lee,Hideto Imajo,Yuichi Yoshioka,Takeshi kanashima,Masanori Okuyama,J. Korean Phys. Soc.,Vol. 59,No. 3,p. 2503-2508,2011年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Preparation of BiFe<inf>0.9</inf>Co<inf>0.1</inf>O<inf>3</inf> films by pulsed laser deposition under magnetic field,Vol. 50,No. 9 PART 3,2011年09月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of a Flexible Array for Tactile Sensors with Microcantilevers and the Measurement of the Distribution of Normal and Shear Forces,Vol. 50,No. 6,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of a flexible array for Tactile sensors with microcantilevers and the measurement of the distribution of normal and shear forces,Vol. 50,No. 6,2011年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Multiferroic properties of polycrystalline Zn-substituted BiFeO<inf>3</inf>thin films prepared by pulsed laser deposition,Jung Min Park,Fumiya Gotoda,Seiji Nakashima,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Current Applied Physics,Vol. 11,No. 3 SUPPL.,2011年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Characterization of epitaxial BiFeO<inf>3</inf> thin films prepared by ion beam sputtering,Vol. 11,No. 3 SUPPL.,2011年05月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Improvement in the Property of Field Effect Transistor Having the HfO2/Ge Structure Fabricated by Photoassisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition with Fluorine Treatment,Vol. 50,No. 4,2011年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Multiferroic Properties of Epitaxial 0.7BiFeO(3)-0.3BaTiO(3) Solid Solution Thin Films on La-Doped SrTiO3 (001) Substrate,Vol. 58,No. 3,p. 674-677,2011年03月,研究論文(学術雑誌)
  • マイクロカンチレバー型触覚センサアレイによる把持状態の識別手法,水戸 和,美馬 達也,山添 大丈,吉田 俊介,多田 昌裕,寒川 雅之,金島 岳,奥山 雅則,野間 春生,計測自動制御学会論文集,計測自動制御学会,Vol. 47,No. 1,p. 40-42,2011年01月,研究論文(学術雑誌)
  • Mutiferroic properties of polycrystalline Sr-substituted BiFeO<inf>3</inf> thin films prepared by pulsed laser deposition,Vol. 416,No. 1,p. 119-124,2011年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method,Vol. 257,No. 3,p. 917-920,2010年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Structural and ferroelectric properties of epitaxial Bi<inf>5</inf>Ti <inf>3</inf>FeO<inf>15</inf> and natural-superlattice-structured Bi <inf>4</inf>Ti<inf>3</inf>O<inf>12</inf>-Bi<inf>5</inf>Ti<inf>3</inf>FeO <inf>15</inf> thin films,Vol. 108,No. 7,2010年10月01日,研究論文(学術雑誌)
  • 触覚センサアレイを用いたHMMによる把持面状態の識別手法(感性情報処理とマルチメディア技術および一般),水戸 和,山添 大丈,吉田 俊介,多田 昌裕,寒川 雅之,金島 岳,奥山 雅則,野間 春生,映像情報メディア学会技術報告,一般社団法人映像情報メディア学会,Vol. 34,No. 18,p. 39-42,2010年05月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Characterization of Interface States of HfO2/Ge with Fluorine Treatment by using DLTS/ICTS,Vol. 33,No. 6,p. 235-241,2010年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Leakage Current Reduction and Ferroelectric Property of BiFe1–xCoxO3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition Using Iterative Rapid Thermal Annealing at Approximately 520 °C,N.T. Tho,T. Kanashima,M. Okuyama,Jpn. J. Appl. Phys.,Vol. 49,No. 9,2010年,研究論文(学術雑誌)
  • Ferroelectric Properties of Bi1.1Fe1–xCoxO3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition Using Iterative Rapid Thermal Annealing in N2 and O2,N.T. Tho,T. Kanashima,M. Sohgawa,D. Ricinschi,M. Noda,M. Okuyama,Vol. 49,No. 9,2010年,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication and Characterization of Ferroelectric Poly(Vinylidene Fluoride–Tetrafluoroethylene) Gate Field-Effect Transistor Memories,T. Watanabe,H. Miyashita,T. Kanashima,M. Okuyama,Jpn. J. Appl. Phys.,Vol. 49,No. 4,2010年,研究論文(学術雑誌)
  • MEMS技術を用いた次世代ロボット用多軸触覚センサの作製,寒川 雅之,金島 岳,山下 馨,野田 実,奥山 雅則,野間 春生,電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 109,No. 157,p. 41-46,2009年07月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • 集積化触覚センサ用NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数の低減,橘 弘人,釜鳴 志郎,松浦 宏俊,寒川 雅之,金島 岳,奥山 雅則,山下 馨,野田 実,野間 春生,電気学会研究会資料. PHS, フィジカルセンサ研究会,Vol. 2009,No. 16,p. 97-102,2009年07月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Stability improvement of tactile sensor of normal and shear stresses using Ni-Cr thin film gauge,Vol. 129,No. 11,p. 7-416,2009年,研究論文(学術雑誌)
  • Ferroelectric and structural properties of stress-constrained and stress-relaxed polycrystalline BiFeO<inf>3</inf>thin films,Seiji Nakashima,Dan Ricinschi,Jung Min Park,Takeshi Kanashima,Hironori Fujisawa,Masaru Shimizu,Masanori Okuyama,Journal of Applied Physics,Vol. 105,No. 6,2009年,研究論文(学術雑誌)
  • Microwave tunable devices composed of coplanar waveguide line with (Ba-0.6,Sr-0.4)TiO3/Au/Cr/(Ba-0.6,Sr-0.4)TiO3 sandwich structure,Vol. 47,No. 9,p. 7500-7504,2008年09月,研究論文(学術雑誌)
  • NiCr薄膜歪みゲージによるポリマー/Siカンチレバー型多軸触覚センサの高分解能化,黄 裕銘,寒川 雅之,大西 浩之,金島 岳,奥山 雅則,山下 馨,野田 実,野間 春生,電気学会研究会資料. PHS, フィジカルセンサ研究会,Vol. 2008,No. 7,p. 31-34,2008年06月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Fabrication and characterization of normal and shear stresses sensitive tactile sensors by using inclined mcro-cantilevers covered with elastomer,Vol. 1052,p. 151-+,2008年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication and normal/shear stress responses of tactile sensors of polymer/Si cantilevers embedded in PDMS and urethane gel elastomers,Vol. 128,No. 5,p. 193-197,2008年,研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication and Characterization of Normal and Shear Stresses Sensitive Tactile Sensors by Using Inclined Micro-cantilevers Covered with Elastomer,Masayuki Sohgawa,Yu-Ming Huang,Minoru Noda,Takeshi Kanashima,Kaoru Yamashita,Masanori Okuyama,Masaaki Ikeda,Haruo Noma,Material Research Society Symposium Proceedings,Vol. 1052,p. 151-156,2007年12月,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • 適度な傾斜形状を有するCr/Siマイクロカンチレバー構造を用いた多軸触覚センサの作製と評価,寒川 雅之,黄 裕銘,金島 岳,山下 馨,奥山 雅則,野田 実,池田 正哲,野間 春生,電気学会研究会資料. PHS, フィジカルセンサ研究会,Vol. 2007,No. 14,p. 47-50,2007年07月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Fabrication and characterization of ferroelectric gate field-effect transistor memory based on ferroelectric-insulator interface conduction,Vol. 45,No. 11,p. 8608-8610,2006年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Enhancement of electrical properties in polycrystalline BiFeO3 thin films,Vol. 89,No. 19,2006年11月,研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of memory retention in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure by SrBi2Ta2O9 surface modification induced by nitrogen and oxygen radical irradiation,Vol. 84,p. 179-188,2006年,研究論文(学術雑誌)
  • PLDにより製膜したHf酸化物の界面評価,金島 岳,寒川 雅之,池田 幸司,吉田 真人,奥山 雅則,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,Vol. 103,No. 533,p. 51-56,2003年12月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Preparation and characterization of fluorocarbon thin films deposited by soft X-ray ablation of polytetrafluoroethylene,Vol. 42,No. 6A,p. L603-L606,2003年06月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of ZrO2 and PrOx thin films for high-k gate insulator prepared by pulsed laser deposition,Vol. 42,p. S1357-S1361,2003年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of Si interface in FIS structure by photoreflectance spectroscopy,Vol. 42,p. S1072-S1075,2003年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of Si Interface in FIS Structure by Photoreflectance Spectroscopy,Hirofumi Kanda,Masayuki Sohgawa,Yoshihide Toyoshima,Takeshi Kanashima,Masanori Okuyama,Akira Fujimoto,Journal of Korean Physical Society,Vol. 42,p. 1072-1075,2003年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of ZrO2 and PrOx Thin Films for High-k Gate Insulator Prepared by Pulsed Laser Deposition,Takeshi Kanashima,Masayuki Sohgawa,Hirofumi Kanda,Koji Ikeda,Masanori Okuyama,Journal of Korean Physical Society,Vol. 42,p. 1357-1361,2003年04月,研究論文(学術雑誌)
  • Molecular orbital calculation of surface reaction of SnO2 gas sensors for aminic and carboxylic smells,p. 540-543,2003年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • High-k PrOxゲート絶縁膜の電気的・光学的特性,金島 岳,寒川 雅之,池田 幸司,神田 浩文,奥山 雅則,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 102,No. 540,p. 45-49,2002年12月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Preparation by pulsed laser deposition and characterization of ZrO2, HfO2 and PrOx thin films for high-k gate insulator,p. 199-202,2002年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • PrOxゲート絶縁膜のPLD法による作製,北井 聡,寒川 雅之,神田 浩文,金島 岳,奥山 雅則,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 101,No. 515,p. 11-16,2001年12月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • フォトレフレクタンス分光法によるSiの表面応力の非接触・非破壊評価,藤本 晶,寒川 雅之,金島 岳,奥山 雅則,和歌山工業高等専門学校研究紀要,和歌山工業高等専門学校,No. 36,p. 15-19,2001年10月,研究論文(大学,研究機関等紀要)
  • PrOx高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価,北井 聡,寒川 雅之,神田 浩文,金島 岳,奥山 雅則,電気学会電子材料研究会資料,Vol. EFM-01,No. 6-13,p. 43-47,2001年09月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Microfocusing of soft X-ray undulator light using an elliptically bent cylinder mirror,Vol. 467,p. 287-290,2001年07月,研究論文(学術雑誌)
  • ZrO2高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価,北井 聡,寒川 雅之,神田 浩文,金島 岳,奥山 雅則,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 101,No. 108,p. 19-24,2001年06月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Preparation and characterization of ZrO2/Si structure,p. 170-173,2001年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Optical characterization of antenna-area-dependent gate oxide charging damage in MOS capacitors by photoreflectance spectroscopy,p. 97-100,2000年,研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • フォトレフレクタンス分光法によるゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価(半導体Si及び関連電子材料評価),阿形 眞司,寒川 雅之,毎田 修,江利口 浩二,藤本 晶,金島 岳,奥山 雅則,電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,一般社団法人電子情報通信学会,Vol. 99,No. 491,p. 75-80,1999年12月,研究論文(研究会,シンポジウム資料等)
  • Surface treatment effects on Si(111) and (100) surface structures and Si/SiO2 interface state,Vol. 3175,p. 161-165,1998年,研究論文(国際会議プロシーディングス)

MISC

  • Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La2O3/La2O3/Ge high-k gate-stacks,Vol. 70,p. 260-264,2017年11月
  • Effect of atomic-arrangement matching on La2O3/Ge heterostructures for epitaxial high-k-gate-stacks,Vol. 118,No. 22,2015年12月
  • Co<sub>2</sub>FeSi<sub>0.5</sub>Al<sub>0.5</sub>ホイスラー合金電極を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導観測,岡孝保,藤田裕一,山田道洋,澤野憲太郎,山田晋也,金島岳,浜屋宏平,日本金属学会講演概要(CD-ROM),Vol. 157th,2015年09月02日
  • Co<sub>2</sub>FeSi<sub>0.5</sub>Al<sub>0.5</sub>/n<sup>+</sup>‐Geショットキートンネル接合を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導検出,藤田裕一,岡孝保,山田晋也,山田道洋,澤野憲太郎,金島岳,浜屋宏平,日本磁気学会学術講演概要集,Vol. 39th,2015年08月25日
  • Miniature Ultrasonic and Tactile Sensors for Dexterous Robot,Masanori Okuyama,Kaoru Yamashita,Minoru Noda,Masayuki Sohgawa,Takeshi Kanashima,Haruo Noma,Transactions on Electrical and Electronic Materials,Vol. 13,No. 5,p. 215-220,2012年10月,記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
  • Structural and ferroelectric properties of large c/a phase bismuth ferrite thin films prepared by ion beam sputtering,Vol. 1292,p. 3-8,2011年
  • Growth of High Quality BiFeO3 Thin Films by Dual Ion Beam Sputtering,2011年
  • NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数低減によるカンチレバー型触覚センサの高分解能化,2011年
  • Fabrication of tactile sensor array using microcantilever with low-TCR nickel-chromium alloy thin film for slippage detection,Vol. 25,2011年
  • NiCrゲージ薄膜を用いたエラストマ埋込型触覚センサの出力ドリフト低減と高感度化,寒川雅之,植松達也,橘弘人,美馬達也,金島岳,奥山雅則,山下馨,野田実,野間春生,電気学会全国大会講演論文集,Vol. 2010,No. 3,2010年03月05日
  • マイクロカンチレバー型触覚センサによる圧力・剪断力分布測定,Vol. pp. 132-135,2010年
  • Crosstalk Reduction of Tactile Sensor Array with Projected Cylindrical Elastomer over Sensing Element,Vol. 11D-8-116,2010年
  • 3方向カンチレバーを用いた多軸触覚センサの作製と基礎特性,電気学会論文誌E,Vol. Vol. 130, No. 6, pp. 223-229,2010年
  • Fabrication and basic characteristics of multiaxial tactile sensor with 3 cantilevers,Vol. 130,No. 6,p. 4-229,2010年
  • Synergistic information encoding by combinatorial pulse operation of ferroelectrics,Vol. 95,No. 20,2009年11月
  • Synergistic information encoding by combinatorial pulse operation of ferroelectrics,Vol. 95,No. 20,2009年11月
  • Enhancement of Memory Retention Time of Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Structure by Using Fast Annealing and Nitrogen Radical Irradiation,Vol. 55,No. 2,p. 884-887,2009年08月
  • Enhancement of Memory Retention Time of Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Structure by Using Fast Annealing and Nitrogen Radical Irradiation,Vol. 55,No. 2,p. 884-887,2009年08月
  • Siピエゾ抵抗を用いた傾斜カンチレバー触覚アレイセンサ,美馬達也,大西浩之,寒川雅之,金島岳,奥山雅則,山下馨,野田実,樋口誠良,野間春生,電気学会全国大会講演論文集,Vol. 2009,No. 3,2009年03月17日
  • 2P1-K03 ナノ薄膜技術による高密度に分布可能な3軸触覚センサの開発 : 3つの片持ち梁構造体による圧力と剪断力の同時検出,吉田 俊介,溝田 晃一,樋口 克己,金島 岳,野間 春生,ロボティクス・メカトロニクス講演会講演概要集,一般社団法人 日本機械学会,Vol. 2009,No. 0,p. _2P1-K03_1-_2P1-K03_4,2009年
  • 多結晶BiFeO₃薄膜にける電界誘起歪の時分割X線回折測定,2009年
  • P(VDF-TeFE)薄膜の作製とその強誘電体ゲートFET有機不揮発性メモリ,2009年
  • Ge表面フッ素処理効果の分子軌道法による理論解析(III),2009年
  • Sr, Zn共置換したBiFeO₃薄膜の磁気特性,2009年
  • F₂表面処理と窒素ラジカル処理したHfO₂/GeのMIS構造の電気的特性評価,2009年
  • Recent Study about BiFeO₃ Thin Films as FeRAM Capacitor and Improved Ferroelectric Gate Structure,2009年
  • Sr, Zn置換したBiFeO₃薄膜のPLD による作製と評価,2009年
  • Tactile Array Sensor with Inclined Chromium/Silicon Piezoresistive Cantilevers Embedded in Elastomer,Vol. pp. 284-287,2009年
  • HfO₂/Ge MIS構造のF₂処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上,2009年
  • RTAによるBiFe_{1-x}Co_xO₃薄膜の作製と評価,2009年
  • DLTSおよびICTS法によるHfO₂/GeのMIS構造の界面状態評価,2009年
  • Zn-doped BiFeO₃薄膜のPLDによる作製と評価,2009年
  • 連続する2種パルス印加により形成された部分分極反転状態のドメイン構造,2009年
  • 磁場印加PLD法によるBiFeO₃薄膜の作製と評価,2009年
  • Ge(100)表面と元素の反応の分子軌道解析と結合の安定性,2009年
  • BiFeO₃薄膜におけるリーク電流の面内マッピング,2009年
  • Leakage Current Reduction and Ferroelectric Property of BiFe_{1-x}Co_xO₃ Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition Using Rapid Thermal Annealing,2009年
  • Leakage Current of PLD- and CSD-BiFeO₃ Thin Films Observed by Current Sensitive AFM.,2009年
  • Pulsed Laser Deposition and Characterization of Sr and Zn Co-Substituted BiFeO₃ Thin Films,Jpn. J. Appl. Phys.,Vol. 48,No. 9 Part 2,2009年
  • Recent Study about BiFeO₃ Thin Films as FeRAM Capacitor and Improved Ferroelectric Gate Structure,2009年
  • Pulsed laser deposition and characterization of Sr and Zn co-substituted BiFeO<inf>3</inf> thin films,Vol. 48,No. 9 Part 2,2009年
  • Leakage Current Reduction and Ferroelectric Property of BiFe_{1-x}Co_xO₃ Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition Using Rapid Thermal Annealing,2009年
  • Leakage Current of PLD- and CSD-BiFeO₃ Thin Films Observed by Current Sensitive AFM.,2009年
  • Enhancement of ferroelectric properties of epitaxial BiFeO<inf>3</inf> thin films on La-doped SrTiO<inf>3</inf> single crystal,Seiji Nakashima,Jung Min Park,Takeshi Kanashima,Hironori Fujisawa,Masaru Shimizu,Masanori Okuyama,Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol. 1110,p. 92-97,2008年12月01日
  • Characteristics improvement of HfO(2)/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface,Vol. 254,No. 21,p. 6932-6936,2008年08月
  • Characteristics improvement of HfO(2)/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface,Vol. 254,No. 21,p. 6932-6936,2008年08月
  • Cr/Si傾斜カンチレバーとエラストマを用いた多軸触覚センサの作製と有限要素解析,寒川雅之,美馬達也,大西浩之,HUANG Yu‐Ming,金島岳,奥山雅則,山下馨,野田実,池田正哲,野間春生,電気学会全国大会講演論文集,Vol. 2008,No. 3,2008年03月19日
  • Enhancement of memory retention time of MFIS structure with SBT ferroelectric and SiO2 buffer layers treated by nitrogen radical irradiation,Vol. 96,p. 27-39,2008年
  • X-ray diffraction study of polycrystalline BiFe O3 thin films under electric field,Vol. 93,No. 4,2008年
  • Preparation and characterization of hafnium silicate dielectric layers by photo-assisted MOCVD using mixed precursor of Hf(O-t-C4H9)(4) and Si(O-t-C4H9)(4),Vol. 97,p. 103-110,2008年
  • Development of a microscopic three-axis tactile sensor: Preliminary examinations to establish sensing algorithm by using a simulated mockup,Vol. 5024,p. 561-+,2008年
  • PLZT薄膜を用いたチューナブルフォトニック結晶光学フィルター,2008年
  • Ge表面フッ素処理の分子軌道法による理論解析,2008年
  • 窒素ラジカル処理と短時間SrBi2Ta2O9アニールによるMFIS構造の電気的特性改善,2008年
  • フッ素処理によるHfO2/Geゲートスタック特性の改善,2008年
  • BST/SiONの高誘電体-絶縁体接合を用いた界面伝導FETの電気的特性,2008年
  • Ge表面フッ素処理効果の分子軌道法による理論解析(II),2008年
  • Ba0.6,Sr0.4TiO3/Au/Cr/(Ba0.6,Sr0.4)TiO3構造を用いたマイクロ波帯コプレーナ型チューナブルデバイス,2008年
  • Development of a microscopic three-axis tactile sensor: Preliminary examinations to establish sensing algorithm by using a simulated mockup,Vol. 5024,p. 561-+,2008年
  • Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method,2008年
  • PLZT薄膜を用いたチューナブルフォトニック結晶フィルター,2008年
  • P(VDF-TrFE)平坦性向上による有機強誘電体メモリの特性改善,2008年
  • Sr, Zn置換したBiFeO₃薄膜のPLDによる作製と評価,2008年
  • LaドープSrTiO3基板上に作製したエピタキシャルBiFeO3薄膜の誘電特性,2008年
  • 放射光を用いた時分割X線回折による多結晶BiFeO3薄膜の電界誘起歪測定,2008年
  • Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO(2) on Ge treated by Fluorine,Vol. 16,No. 10,p. 699-705,2008年
  • Detection of Normal and Shear Stresses by Tactile Sensors with Piezoresistive Micro-cantilever and Elastomer,2008年
  • Development of a microscopic three-axis tactile sensor: Preliminary examinations to establish sensing algorithm by using a simulated mockup,Vol. 5024,p. 561-+,2008年
  • X-ray diffraction study of polycrystalline BiFe O3 thin films under electric field,Vol. 93,No. 4,2008年
  • Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Dielectric Layers by Photo-Assisted MOCVD Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C4H9)4 and Si(O-t-C4H9)4,Vol. Vol. 97, p. 103-110,2008年
  • Development of a microscopic three-axis tactile sensor: Preliminary examinations to establish sensing algorithm by using a simulated mockup,Vol. 5024,p. 561-+,2008年
  • Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method,2008年
  • Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO(2) on Ge treated by Fluorine,Vol. 16,No. 10,p. 699-705,2008年
  • Preparation of HfO2 thin films by using photoassisted MOCVD and their characterization by using photoreflectance spectroscopy,Vol. 51,No. 2,p. 772-775,2007年08月
  • 放射光によるSi極表面直接酸・窒化膜の電気的特性,2007年
  • Ferroelectric gate FET memory based on conduction of ferroelectric-insulator interface,Vol. 89,p. 160-170,2007年
  • Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Thin Films by Photo Assisted {MOCVD} Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C4H9)4 and Si(O-t-C4H9)4,2007年
  • Ferroelectric Gate FET Memory Based on Conduction of SBT-Silicon Oxide Interface,2007年
  • SiON-(Ba,Sr)TiO3界面伝導を用いたFETの作製と特性評価,2007年
  • 光MOCVDによるGe上HfO薄膜の作製とフォトリフレクタンス評価,2007年
  • 圧力と剪断力とが同時に計測可能な触覚センサの開発 - 構造模型による計測原理の予備検討-,2007年
  • BL27 b-Branch 照射実験ステーションの現状と高輝度放射光による半導体表面改質,2007年
  • Low Temperature Preparation of Bi4Ti3O12 Thin Films by Hydrothermal Treatment,2007年
  • Low Temperature Preparation of Bi4Ti3O12 Thin Films by Hydrothermal Treatment,2007年
  • Ferroelectric Gate FET Memory Based on Conduction of SBT-Silicon Oxide Interface,2007年
  • Hf(O-t-C4H9)4とSi(O-t-C4H9)4のカクテル原料を用した光 MOCVDによるハフニウムシリケ-ト膜の作製と評価,2007年
  • SrBi2Ta2O9 膜および SiO2 バッファ層への窒素ラジカル照射によ るMFISメモリ保持特性の改善,2007年
  • SBT-Si酸化膜界面を用いた強誘電体ゲートFETの絶縁膜厚依存性,2007年
  • カンチレバー型触覚センサ用シリコン・ポリマービーム構造の作製と評価,2007年
  • Preparation of HfO2 Thin Films by Using Photoassisted MOCVD and Their Characterization by Using Photoreflectance Spectroscopy,Vol. Vol. 51, pp. 772-775,2007年
  • Ferroelectric gate FET memory based on conduction of ferroelectric-insulator interface,Vol. 89,p. 160-170,2007年
  • Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Thin Films by Photo Assisted {MOCVD} Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C4H9)4 and Si(O-t-C4H9)4,2007年
  • Enhancement of Memory Retention Time of MFIS with SBT Ferroelectric and SiO2 Buffer Layers Treated by Nitrogen Radical Irradiation,2007年
  • Low Temperature Preparation of Bi4Ti3O12 Thin Films by Hydrothermal Treatment,2007年
  • Low Temperature Preparation of Bi4Ti3O12 Thin Films by Hydrothermal Treatment,2007年
  • Ferroelectric Gate FET Memory Based on Conduction of SBT-Silicon Oxide Interface,2007年
  • Insulator thickness dependence of current characteristics of ferroelectric gate FET using SBT-Si oxide interface,2007年
  • Preparation and characterization of hafnium silicate dielectric layers by photo-assisted MOCVD using mixed precursor of Hf(O-t-C4H9)4 and Si(O-t-C4H9)4,2007年
  • Enhancement of memory retention time of MFIS with SBT ferroelectric and SiO2 buffer layers treated by nitrogen radical irradiation,2007年
  • Fabrication and characterization of silicon-polymer beam structures for cantilever-type tactile sensors,2007年
  • Preparation of fluorocarbon thin film deposited by soft X-ray ablation and its electrical characteristics and thermal stability,Vol. 252,No. 22,p. 7774-7780,2006年09月
  • Preparation of fluorocarbon thin film deposited by soft X-ray ablation and its electrical characteristics and thermal stability,Vol. 252,No. 22,p. 7774-7780,2006年09月
  • Preparation and characterization of HfO2 thin films by photo-assisted MOCVD,Vol. 132,p. 279-283,2006年03月
  • Preparation and characterization of HfO2 thin films by photo-assisted MOCVD,Vol. 132,p. 279-283,2006年03月
  • BaTiO3およびPbTiO3の自発分極の結晶異方性と単位胞体積依存性の第一原理解析,材料,Vol. Vol. 55, pp. 169--172,2006年
  • SnO2ガスセンサによる臭い識別の検討,材料,Vol. Vol 55, p.165-168,2006年
  • MFIS構造のラジカル照射による特性改善,2006年
  • Zn(DPM)2を原料としたMOCVDによるZnO薄膜の作製と評価,2006年
  • 強誘電体ー絶縁体接合による1T型FETメモリのId-Vg特性評価,2006年
  • マルチフェロイックBiFeO3薄膜の誘電ー磁場特性,2006年
  • Ferroelectric Gate FET Memory based on Conduction of Ferroelectric-Insulator Interface,2006年
  • Performance of Microfocusing by Elliptical Bendable Mirrors for Soft X-Ray,2006年
  • Study of Multiferroic Effect in BiFeO3 Thin Films,2006年
  • Preparation of HfO2 Thin Film by Photo-Assisted MOCVD and Characterization by Photoreflectance Spectroscopy,2006年
  • Improvement of electrical properties and memory retention in MFIS structure by nitrogen radical irradiation of SiO2 buffer layer,2006年
  • Data retention time of MFIS-FET memory structure improved with nitrogen and oxygen radical irradiation treatment,p. 382-+,2006年
  • Ferroelectric Gate FET Memory based on Conduction of Ferroelectric-Insulator Interface,2006年
  • Performance of Microfocusing by Elliptical Bendable Mirrors for Soft X-Ray,2006年
  • Study of Multiferroic Effect in BiFeO3 Thin Films,2006年
  • Preparation of HfO2 Thin Film by Photo-Assisted MOCVD and Characterization by Photoreflectance Spectroscopy,2006年
  • Improvement of electrical properties and memory retention in MFIS structure by nitrogen radical irradiation of SiO2 buffer layer,2006年
  • Data retention time of MFIS-FET memory structure improved with nitrogen and oxygen radical irradiation treatment,p. 382-+,2006年
  • HfO2膜中欠陥の第一原理計算による解析,2005年
  • Electrodeless Characterization of Memorized Status of MFIS Structure by Photoreflectance Spectroscopy,J. Korean Phys. Soc.,2005年
  • Electron spin resonance characterization of defects in high-k HfO2 thin film prepared by pulsed laser deposition,Vol. 46,No. 1,p. 258-261,2005年01月
  • Electrodeless Characterization of Memorized Status of MFIS Structure by Photoreflectance Spectroscopy,2005年
  • Electron spin resonance characterization of defects in high-k HfO2 thin film prepared by pulsed laser deposition,Vol. 46,No. 1,p. 258-261,2005年01月
  • PhotoreflectanceによるMFIS構造の容量保持特性の非接触評価,寒川雅之,吉田真人,金島岳,藤本晶,奥山雅則,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 65th,No. 2,2004年09月01日
  • Giant ferroelectric polarization beyond 150 mu C/cm(2) in BiFeO3 thin film,Vol. 43,No. 5A,p. L647-L648,2004年05月
  • Giant Ferroelectric Polarization Beyond 150C/cm2 in BiFeO3 Thin Film,Jpn. J. Appl. Phys. 43, Express Letter, No.5A L647-L648,Vol. No.5A L647-L648,2004年
  • Giant Ferroelectric Polarization Beyond 150 uC/cm<sup>2</sup> in BiFeO<sub>3</sub> Thin Film,Jpn. J. Appl. Phys.,2004年
  • Characteristics of Mechanically-bent-shaped Mirror for Soft X-ray,2004年
  • Contactless Characterization of Memorized States of MFIS Structure by Photoreflectance Spectroscopy,2004年
  • Electron Spin Resonance Characterization of the Defects in High-k HfO<sub>2</sub> Thin Film Prepared by Pulsed Laser Deposition,2004年
  • Contactless Characterization of Fixed Charge in HfO<sub>2</sub> Thin Film by Photoreflectance,2004年
  • PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価,2004年
  • ESRによるHfO<sub>2</sub>薄膜の欠陥評価,2004年
  • Giant Ferroelectric Polarization Beyond 150 uC/cm<sup>2</sup> in BiFeO<sub>3</sub> Thin Film,2004年
  • Characteristics of Mechanically-bent-shaped Mirror for Soft X-ray,2004年
  • Contactless Characterization of Memorized States of MFIS Structure by Photoreflectance Spectroscopy,2004年
  • Electron Spin Resonance Characterization of the Defects in High-k HfO<sub>2</sub> Thin Film Prepared by Pulsed Laser Deposition,2004年
  • Contactless Characterization of Fixed Charge in HfO<sub>2</sub> Thin Film by Photoreflectance,2004年
  • Characterization of Fixed Charge in High-k Dielectric Thin Film by Photoreflectance,2004年
  • Photoreflectanceによる強誘電体薄膜/SiO<sub>2</sub>/Si構造の解析,寒川雅之,吉田真人,金島岳,藤本晶,奥山雅則,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 64th,No. 2,2003年08月30日
  • Basic characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using a high-k PrOx insulator layer,Vol. 93,No. 7,p. 4137-4143,2003年04月
  • Basic characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using a high-k PrOx insulator layer,Vol. 93,No. 7,p. 4137-4143,2003年04月
  • カルボン酸臭に対するSnO<sub>2</sub>ガスセンサの応答特性,藤本晶,金島岳,奥山雅則,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 50th,No. 1,2003年03月27日
  • Characterization of Ferroelectric Thin Film/SiO2/Si Structure by Photoreflectance,2003年
  • Preparation and characterization of high-k praseodymium and lanthanoid oxide thin films prepared by pulsed laser deposition,Vol. 42,No. 1,p. 247-253,2003年01月
  • Characterization of Ferroelectric Thin Film/SiO2/Si Structure by Photoreflectance,2003年
  • Preparation and characterization of high-k praseodymium and lanthanoid oxide thin films prepared by pulsed laser deposition,Vol. 42,No. 1,p. 247-253,2003年01月
  • high‐k/SiO<sub>2</sub>/Si構造のフォトレフレクタンス評価,寒川雅之,神田浩文,金島岳,藤本晶,奥山雅則,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 63rd,No. 2,2002年09月24日
  • FIS構造における界面Siのフォトレフレクタンス分光法による評価 (2),神田浩文,寒川雅之,北井聡,児玉一志,豊島吉英,金島岳,奥山雅則,藤本晶,江利口浩二,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 49th,No. 2,2002年03月27日
  • 高誘電率ゲート用ZrO<sub>2</sub>およびPrO<sub>x</sub>薄膜の作製と評価,寒川雅之,北井聡,神田浩文,金島岳,藤本晶,奥山雅則,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 49th,No. 2,2002年03月27日
  • Burst reaction of thin films excited by high-flux soft X-rays,Vol. 9,No. 1,p. 401-405,2002年02月
  • Burst reaction of thin films excited by high-flux soft X-rays,Vol. 9,No. 1,p. 401-405,2002年02月
  • アミノ臭に対するSnO<sub>2</sub>ガスセンサの応答特性,藤本晶,金島岳,和歌山工業高等専門学校研究紀要,No. 36,p. 9-13,2001年10月30日
  • 臭い識別センサの基礎的検討,藤本晶,金島岳,立石科学技術振興財団助成研究成果集,No. 10,p. 75-80,2001年09月
  • Synchrotron radiation-induced nitrization and oxidation on Si surface at low temperature,Vol. 40,No. 6A,p. 4195-4196,2001年06月
  • Nondestructive and contactless monitoring technique of Si surface stress by photoreflectance,Vol. 40,No. 4B,p. 2844-2848,2001年04月
  • Evaporation and expansion of poly-tetra-fluoro-ethylene induced by irradiation of soft X-rays from a figure-8 undulator,Vol. 40,No. 4A,p. 2435-2439,2001年04月
  • 高誘電率ゲート絶縁膜/Si界面のフォトレフレクタンス分光法による評価,寒川雅之,神田浩文,北井聡,上野正人,江利口浩二,藤本晶,金島岳,奥山雅則,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 48th,No. 2,2001年03月28日
  • アミン臭に対するSnO<sub>2</sub>ガスセンサの応答特性,藤本晶,金島岳,奥山雅則,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 48th,No. 1,2001年03月28日
  • 水素およびアルコールに対するガスセンサの表面反応解析,藤本晶,金島岳,和歌山工業高等専門学校研究紀要,No. 35,p. 35-39,2000年10月30日
  • ゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価,藤本晶,阿形真司,金島岳,奥山雅則,和歌山工業高等専門学校研究紀要,No. 35,p. 29-33,2000年10月30日
  • 水素およびアルコールのSnO<sub>2</sub>(001)および(100)表面上吸着の分子軌道解析,金島岳,藤本晶,奥山雅則,電子情報通信学会大会講演論文集,Vol. 2000,p. 221-222,2000年09月07日
  • フォトレフレクタンス分光法を用いたSi/SiO<sub>2</sub>界面の応力評価,寒川雅之,江利口浩二,藤本晶,金島岳,奥山雅則,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 61st,No. 2,2000年09月03日
  • Photoreflectance characterization of the plasma-induced damage in Si substrate,Vol. 88,No. 5,p. 2336-2341,2000年09月
  • Theoretical analysis of methanol and hydrogen adsorptions on SnO2 by molecular orbital calculation,Vol. 64,No. 1-3,p. 189-192,2000年06月
  • Optical characterization of gate oxide charging damage by photoreflectance spectroscopy,Vol. 39,No. 4B,p. 2040-2044,2000年04月
  • フォトレフレクタンス分光法によるSiO<sub>2</sub>/Si界面の歪みの解析,阿形眞司,寒川雅之,江利口浩二,藤本晶,金島岳,山下馨,奥山雅則,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 47th,No. 2,2000年03月28日
  • Theoretical analysis of methanol and hydrogen adsorption on SnO<sub>2</sub> by molecular orbital calculation.,Vol. 64,2000年
  • 水素および種々のアルコールに対するガスセンサの応答特性,藤本晶,金島岳,奥山雅則,電気学会物理センサ研究会資料,Vol. PS-99,No. 1-16,p. 1-6,1999年11月12日
  • フォトレフレクタンス法によるSiウエハの平坦性の評価,藤本晶,阿形真司,金島岳,奥山雅則,和歌山工業高等専門学校研究紀要,No. 34,p. 15-19,1999年10月30日
  • 半導体ガスセンサの表面反応の解析,藤本晶,金島岳,林純二郎,高木浩一,奥山雅則,和歌山工業高等専門学校研究紀要,No. 34,p. 9-13,1999年10月30日
  • SnO<sub>2</sub>(001)および(100)表面への水素およびアルコール吸着の分子軌道法解析,金島岳,藤本晶,奥山雅則,電気学会化学センサシステム研究会資料,Vol. CS-99,No. 28-42,p. 67-72,1999年09月13日
  • SnO<sub>2</sub>表面へのアルコールとその分解種吸着の分子軌道法による検討 (II),金島岳,藤本晶,奥山雅則,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 60th,No. 2,1999年09月01日
  • フォトレフレクタンス分光法によるSiの歪みの解析,阿形真司,江利口浩二,藤本晶,金島岳,山下馨,奥山雅則,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 60th,No. 2,1999年09月01日
  • Analyses of high frequency capacitance-voltage characteristics of metal-ferroelectrics-insulator-silicon structure,Vol. 38,No. 4A,p. 2044-2048,1999年04月
  • Evaluation of interface SiOx transition layer in ultrathin SiO2 film by oscillatory tunneling current-voltage characteristics in photo-CVD SiO2-Si diode,Vol. 38,No. 4B,p. 2341-2344,1999年04月
  • SnO<sub>2</sub>ガスセンサの応答特性の検討,藤本晶,金島岳,奥山雅則,林純二郎,高木浩一,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 46th,No. 1,1999年03月28日
  • ゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージのフォトレフレクタンス評価,阿形真司,鈴木正志,和田秀夫,江利口浩二,藤本晶,金島岳,奥山雅則,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 46th,No. 2,1999年03月28日
  • SnO<sub>2</sub>表面へのアルコールとその分解種吸着の分子軌道法による検討,金島岳,藤本晶,奥山雅則,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 46th,No. 2,1999年03月28日
  • Molecular orbital analysis of reaction processes of fluorine with H-terminated silicon (111) and (100) surfaces,Vol. 85,No. 1,p. 244-248,1999年01月
  • 平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価,阿形真司,和田秀夫,江利口浩二,藤本晶,金島岳,奥山雅則,電子情報通信学会技術研究報告,Vol. 98,No. 445(SDM98 167-183),p. 1-6,1998年12月10日
  • プラズマ損傷を受けたSiのフォトレフレクタンス分光法によるその場(in‐situ)評価,藤本晶,和田秀夫,金島岳,奥山雅則,和歌山工業高等専門学校研究紀要,No. 33,p. 13-17,1998年10月
  • Siのフォトレフレクタンス信号の表面処理依存性,阿形真司,和田秀夫,江利口浩二,藤本晶,金島岳,奥山雅則,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 59th,No. 2,1998年09月
  • RIE損傷Si中欠陥密度のフォトレフレクタンス分光法による評価,和田秀夫,阿形真司,藤本晶,江利口浩二,金島岳,奥山雅則,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 59th,No. 2,1998年09月
  • SnO<sub>2</sub>上メタノールおよび水素の表面吸着の分子軌道法による検討,金島岳,藤本晶,奥山雅則,応用物理学会学術講演会講演予稿集,Vol. 59th,No. 2,1998年09月
  • Electronic characterization of Si/SiO2 structure using photo-CVD SiO2 thin film on atomically flat Si substrate,Vol. 130,p. 214-220,1998年06月
  • Soft X-ray photochemistry beamline at SPring-8,Vol. 5,p. 545-547,1998年05月
  • 溶液中のSiのフォトレフレクタンス分光法によるin‐situ評価,和田秀夫,阿形真司,江利口浩二,藤本晶,金島岳,奥山雅則,応用物理学関係連合講演会講演予稿集,Vol. 45th,No. 2,1998年03月
  • Basic characteristics of SrBi2Ta2O9/SiO2/Si structure,Vol. 32,p. S1357-S1360,1998年02月
  • Photoreflectance spectroscopic technique: A new model for estimation of plasma-induced defect density in Si substrate,p. 152-155,1998年
  • Contactless Characterization of Plasma-Induced Damage in Si Substrate by Photoreflectance Spectroscopy,江利口 浩二,Proc. 20th International Symposium on Dry Process (DPS),p. 109-114,1998年
  • プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin‐situ評価,和田秀夫,江利口浩二,藤本晶,金島岳,奥山雅則,電子情報通信学会技術研究報告,Vol. 97,No. 446(SDM97 164-177),p. 35-40,1997年12月12日
  • Dielectric property of ferroelectric-insulator-semiconductor junction,Vol. 117,p. 406-412,1997年06月
  • Surface treatment effects on microscopic Si surface structure and Si-SiO2 interface state,Vol. 113,p. 664-669,1997年04月
  • Characterization of F-2 treatment effects on Si(100) surface and Si(100)/SiO2 interface,Vol. 36,No. 4B,p. 2460-2463,1997年04月
  • Analysis of Si-H, Si-O-H and Si-O-O-H defects in SiO2 thin film by molecular orbital method,Vol. 36,No. 3B,p. 1448-1452,1997年03月
  • Characterization of charged traps near Si-SiO2 interface in photo-induced chemical vapor deposited SiO2 film,Vol. 35,No. 2B,p. 1569-1572,1996年02月
  • Theoretical analysis of oxygen-excess defects in SiO2 thin film by molecular orbital method,Vol. 35,No. 2B,p. 1445-1449,1996年02月
  • Photoluminescence of SiO2 films grown by photo-induced chemical vapor deposition,Vol. 79-80,No. C,p. 321-326,1994年05月02日
  • OPTICAL CHARACTERIZATIONS OF PHOTOINDUCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION PRODUCED SIO2-FILMS IN VACUUM-ULTRAVIOLET, ULTRAVIOLET, AND VISIBLE REGION,Vol. 74,No. 9,p. 5742-5747,1993年11月
  • PHOTOLUMINESCENCE AND ITS EXCIMER-LASER IRRADIATION EFFECTS IN SIO2 FILM PREPARED BY PHOTOINDUCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION,Vol. 32,No. 6B,p. 3113-3119,1993年06月

著書

  • 学術書,P(VDF-TeFE)/Organic Semiconductor Structure Ferroelectric-GateFETs,T. Kanashima,M. Okuyama,Springer,ISBN:9789402408416,2016年01月

特許・実用新案・意匠

  • 強誘電体メモリ及びその製造方法

作品

  • ゲルマニウムベース高移動度トランジスタのための表面修飾と絶縁体/界面改善,2008年 ~
  • ナノ薄膜技術を応用したロボットのための集積多軸触覚センサの開発,2006年 ~
  • ナノ薄膜技術を応用したロボットのための集積多軸触覚センサの開発,2005年 ~

受賞

  • JJAP論文賞,2006年